JP2006117909A

JP2006117909A - 高分子フィルム、それを用いた光学補償フィルム、偏光板、および液晶表示装置

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Publication number: JP2006117909A
Application number: JP2005211479A
Authority: JP
Inventors: Tei Daimatsu; 禎大松; Hajime Nakayama; 元中山; Yoshirou Futamura; 恵朗二村; Yosuke Nishiura; 陽介西浦; Akihiro Matsufuji; 明博松藤; Osamu Takahashi; 修高橋
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2004-08-09
Filing date: 2005-07-21
Publication date: 2006-05-11
Anticipated expiration: 2025-07-21
Also published as: JP5232356B2

Abstract

【課題】光学的異方性が小さく、さらには光学的異方性の波長分散が小さいことから、偏光板の保護層として液晶表示装置に使用したときに、視野角特性に優れ、表示色味が変化しにくい高分子フィルムであって、更に液晶表示装置等の画像表示装置に好適に使用できるよう貼合性を制御した高分子フィルムを提供すること。
【解決手段】正面レターデーション値Ｒｅ_(λ)および膜厚方向のレターデーション値Ｒｔｈ_(λ)が、下記式（ｉ）および（ii）を満たす高分子フィルムの少なくとも片側の面の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下とする。また、該高分子フィルムを用いた光学補償フィルム、偏光板などの光学材料および液晶表示装置とする。
（ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
（ii）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
［式中、Ｒｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)は波長λｎｍにおける測定値（単位：ｎｍ）である。］
【選択図】なし

Description

本発明は液晶表示装置に有用な高分子フィルムに関し、さらにそのような高分子フィルムを用いた光学補償フィルム、偏光板などの光学材料および液晶表示装置に関するものである。

従来、セルロースアシレートフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学材料として優れており、これまで偏光子の保護フィルムや、斜め方向からの見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。

液晶表示装置用の部材のひとつである偏光板には偏光子の少なくとも片側に偏光子の保護フィルムが貼合によって形成されている。一般的な偏光子は延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムをヨウ素または二色性色素で染色することにより得られる。多くの場合、偏光子の保護フィルムとしてはＰＶＡに対して直接貼り合わせることができる、セルロースアシレートフィルム、なかでもトリアセチルセルロースフィルムが用いられている。偏光子の保護フィルムを偏光子に貼り合わせるため、偏光子との接着性を良化させる目的で保護フィルムの貼り合せ面に対し親水化処理等の表面処理が用いられる。親水化処理としては、アルカリケン化処理や、プラズマ処理、コロナ処理（例えば特許文献１、特許文献２）等が適宜用いられる。この偏光子の保護フィルムは、光学的等方性に優れることが重要であり、偏光子の保護フィルムの光学特性が偏光板の特性を大きく左右する。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フィルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フィルムの光学特性を評価した際に、フィルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフィルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフィルムは作製が難しかった。そこでセルロースアシレートフィルムの代わりにポリカーボネート系フィルムや熱可塑性シクロオレフィンフィルムを用いて、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フィルムの提案がされている（例えば、特許文献３，４、製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フィルムは、偏光子の保護フィルムとして使用する場合、フィルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフィルム面内全体の光学特性が不均一である問題も残っている。

そこで、この解決法として、より光学異方性を低下させて改良した、具体的には、セルロースアシレートフィルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フィルムに対し、更にＰＶＡへの貼合適正を付与することが強く望まれている。

セルロースアシレートフィルムの製造において、一般的に製膜性能を良化するため可塑剤と呼ばれる化合物が添加される。可塑剤の種類としては、リン酸トリフェニル、リン酸ビフェニルジフェニルのようなリン酸トリエステル、フタル酸エステル類などが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。これら可塑剤の中には、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる効果を有するものが知られており、例えば、特定の脂肪酸エステル類が開示されている（例えば、特許文献５参照）。しかしながら、従来知られているこれらの化合物を用いたセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる効果は十分とはいえない。

また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。
特開２００２−３２８２２４号公報特開２０００−３５６７１４号公報特開２００１−３１８２３３号公報特開２００２−３２８２３３号公報特開２００１−２４７７１７号公報プラスチック材料講座、第１７巻、日刊工業新聞社、「繊維素系樹脂」、１２１頁（昭和４５年）

本発明の第１の課題は、光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さい高分子フィルムであって、更に液晶表示装置等の画像表示装置に好適に使用できるように表面エネルギーを制御して貼合適性を付与した高分子フィルムを提供することである。
本発明の第２の課題は、光学異方性が小さく、波長分散が小さい高分子フィルムにより作製した光学補償フィルム、偏光板などの光学材料が視野角特性に優れるものであることを示すこと、およびこれらを用いた液晶表示装置等の画像表示装置を提供することにある。
光学異方性が小さく、波長分散が小さい高分子フィルムを偏光板の保護フィルムに用いることによって、偏光板の光学特性を良化できる。また光学補償フィルムの支持体として用いると、光学補償フィルムそのものの光学性能を引き出すことができる。これらの偏光板や光学補償フィルムを液晶表示装置に用いることによってコントラストの良化、色味を改良することができる。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、高分子フィルム中での面内および膜厚方向の配向を抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させて、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるように制御し、更にこれらの化合物を用いることによってフィルムの表面エネルギーがより低下することに対しては、アルカリケン化処理、プラズマ処理、コロナ処理等の表面処理を行い、表面エネルギーを適切に制御することで、偏光子への貼り合せ性を付与することができ、偏光板の保護フィルムとして使用した場合の偏光板の耐久性を向上させることができた。
また、特にアルカリケン化処理においては、フィルムの光学性能を維持する目的と、アルカリケン化処理液への添加剤の溶出や溶出後の分解、析出等による処理能力の劣化を抑制する目的で、添加剤としてｐＫａが大きいかアルカリケン化液への溶解性を抑制した化合物を使用することにより、処理前後の光学性能の変化やムラのない偏光板用の保護フィルムを提供することができ、更に処理液への汚染を抑制し、処理時のランニングコストを抑制できることを見出した。

以下に記載する高分子フィルムにより、本発明の課題が達成された。

（１）
正面レターデーション値Ｒｅ_(λ)および膜厚方向のレターデーション値Ｒｔｈ_(λ)（λは波長（ｎｍ）を示す。）が、下記式（ｉ）および（ii）を満たし、更に少なくとも片側の面の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする高分子フィルム。
（ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
（ii）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
（２）
前記表面エネルギーの面内バラツキ値ΔＥが１０以下であることを特徴とする（１）に記載の高分子フィルム。
（３）
フィルムの少なくとも片側の面が表面処理された面であり、該表面処理された面の、表面処理前の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であって、かつ表面処理後の表面エネルギーが前記５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）に記載の高分子フィルム。
（４）
Ｒｅ_(λ)およびＲｔｈ_(λ)の面内バラツキ値ΔＲｅ_(λ)およびΔＲｔｈ_(λ)が、下記式（iii）および（iv）を満たすことを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（iii） ΔＲｅ_(λ)≦５
（iv） ΔＲｔｈ_(λ)≦１０
（５）
前記表面処理した前後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化が、下記式（ｖ）および（vi）を満たすことを特徴とする（３）または（４）に記載の高分子フィルム。
（ｖ）｜Ｒｅ−Ｒｅ’｜≦１０
（vi）｜Ｒｔｈ−Ｒｔｈ’｜≦２０
ここで、
Ｒｅ：表面処理前のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｅ’：表面処理後のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｔｈ：表面処理前のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｔｈ’：表面処理後のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）
である。
（６）
光学異方性を低下させる化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（７）
下記式（vii）を満たす前記光学異方性を低下させる化合物を、下記式（viii）を満たす範囲で含有することを特徴とする（６）に記載の高分子フィルム。
（vii）（Ｒｔｈ_A−Ｒｔｈ₀）／Ａ≦−１．０
（viii）０．０１≦Ａ≦３０
ここで、
Ｒｔｈ_Aは上記化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、
Ｒｔｈ₀は上記化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、
Ａはフィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの上記化合物の質量（％）
を表す。
（８）
前記光学異方性を低下させる化合物として、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物を含有することを特徴とする（６）または（７）に記載の高分子フィルム。
（９）
｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１０）
前記表面処理がアルカリケン化処理であることを特徴とする（３）〜（９）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１１）
フィルム表面をアルカリケン化処理した際の、前記光学異方性を低下させる化合物のアルカリ溶液への溶出度が、２０質量％以下であることを特徴とする（６）〜（８）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１２）
フィルム表面をアルカリケン化処理した後の、アルカリ溶液の４５０ｎｍにおける吸光度が０．１以下であることを特徴とする（１０）または（１１）に記載の高分子フィルム。
（１３）
未表面処理のフィルム表面を１．５ＮのＮａＯＨ水溶液を用いて５５℃の温度条件にてアルカリケン化処理する際に、表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間が１分以内であることを特徴とする（１０）〜（１２）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１４）
前記光学異方性を低下させる化合物のｐＫａが、１４以上であることを特徴とする（１）〜（１３）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１５）
前記表面処理がプラズマ処理であることを特徴とする（３）〜（９）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１６）
前記表面処理がコロナ処理であることを特徴とする（３）〜（９）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１７）
フィルムを形成するポリマー原料としてセルロースアシレートを含有する（１）〜（１６）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（１８）
前記セルロースアシレートのアシル置換度が２．５０〜３．００のであることを特徴とする（１７）に記載の高分子フィルム。
（１９）
前記セルロースアシレートのアシル置換基が実質的にアセチル基のみからなり、その全置換度が２．８０〜２．９９であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする（１７）に記載の高分子フィルム。
（２０）
前記セルロースアシレートのアシル置換基が実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなり、アシル置換度が２．５０〜３．００のセルロースアシレートからなることを特徴とする（１７）に記載の高分子フィルム。
（２１）
フィルムの面内方向の遅相軸がフィルムの機械搬送方向（ＭＤ方向）、またはフィルムの機械搬送方向に対して垂直方向（ＴＤ方向）であることを特徴とする（１）〜（２０）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（２２）
フィルムの膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする（１）〜（２１）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（２３）
フィルムの幅が１３５０ｍｍ以上であることを特徴とする（１）〜（２２）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（２４）
フィルムが長さ１５００ｍ以上の長尺フィルムであることを特徴とする（１）〜（２３）のいずれかに記載の高分子フィルム。
（２５）
（１）〜（２４）のいずれかに記載の高分子フィルムの表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下である面のうちの少なくとも片側の面上に更に接着剤層が形成されていることを特徴とする接着剤層付き高分子フィルム。
（２６）
（１）〜（２５）のいずれかに記載の高分子フィルムに、下記式（ix）をみたす光学異方性層を設けたことを特徴とする光学補償フィルム。
（ix）Ｒｅ＝０〜２００（ｎｍ）かつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００（ｎｍ）
（２７）
前記光学異方性層がディスコティック液晶性化合物を含有することを特徴とする（２６）に記載の光学補償フィルム。
（２８）
前記光学異方性層が棒状液晶性化合物を含有することを特徴とする（２６）または（２７）に記載の光学補償フィルム。
（２９）
前記光学異方性層が複屈折を持つポリマーフィルムから形成されることを特徴とする（２６）〜（２８）のいずれかに記載の光学補償フィルム。
（３０）
前記光学異方性層を形成する前記ポリマーフィルムが、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドポリエステルイミド、およびポリアリールエーテルケトン、からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリマー材料を含有することを特徴とする（２９）に記載の光学補償フィルム。
（３１）
（１）〜（２５）のいずれかに記載の高分子フィルム、または（２６）〜（３０）のいずれかに記載の光学補償フィルムを少なくとも１枚用いて偏光子の保護フィルムとしたことを特徴とする偏光板。
（３２）
表面にハードコート層、防眩層、反射防止層の少なくとも一層を設けたことを特徴とする（３１）に記載の偏光板。
（３３）
（１）〜（２５）のいずれかに記載の高分子フィルム、（２６）〜（３０）のいずれかに記載の光学補償フィルム、（３１）または（３２）に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
（３４）
（１）〜（２５）のいずれかに記載の高分子フィルム、（２６）〜（３０）のいずれかに記載の光学補償フィルム、（３１）または（３２）に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とするＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置。

本発明により、光学異方性が小さく、Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さい高分子フィルムを作製することができ、偏光板等として液晶表示装置等の画像表示装置に使用する際の表示画像の角度依存性、コントラスト、色味等の視認性を良好にすることができた。また、表面エネルギーを適切に制御することで、偏光子への貼り合せ適性を付与することができ、作製した高分子フィルムの偏光板加工性と偏光板耐久性を良好にすることができた。
更に、本発明の高分子フィルムを用いることにより、視野角特性に優れる、光学補償フィルム、偏光板などの光学材料、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することが可能になった。

以下に本発明の高分子フィルムの詳細を説明する。

［高分子フィルムの材質］
本発明の高分子フィルムを形成する材料としては、光学性能透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性、等方性などに優れるポリマーが好ましく、上述のＲｅ、Ｒｔｈが、上述した式（ｉ）（ii）を満たす範囲であればどのような材料を用いても良い。例えば、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー、ポリスチレンやアクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマーなどがあげられる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン・プロピレン共重合体の如きポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、または前記ポリマーを混合したポリマーも例としてあげられる。また本発明の透明フィルムは、アクリル系、ウレタン系、アクリルウレタン系、エポキシ系、シリコーン系等の紫外線硬化型、熱硬化型の樹脂の硬化層として形成することもできる。

また、本発明の高分子フィルムを形成する材料としては、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を好ましく用いることが出来る。熱可塑性ノルボルネン系樹脂としては、日本ゼオン（株）製のゼオネックス、ゼオノア、ＪＳＲ（株）製のアートン等があげられる。

また、本発明の高分子フィルムを形成する材料としては、従来偏光板の透明保護フィルムとして用いられてきた、トリアセチルセルロースに代表される、セルロース系ポリマー（以下、セルロースアシレートという）を好ましく用いることが出来る。以下にセルロースアシレートについて詳細を説明する。

［セルロースアシレート原料綿］
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば、丸澤、宇田著、「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」日刊工業新聞社（１９７０年発行）や発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

［セルロースアシレート置換度］
次に上述のセルロースを原料に製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。本発明のセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

上述のように本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることがのぞましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがのぞましく、２．８５〜３．００であることがよりのぞましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、ｉｓｏ−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。
また、セルロースの水酸基に置換するアシル置換基がアセチル基のみからなる場合には、フィルムの光学異方性が低下できる事に加え、更に添加剤との相溶性、使用する有機溶剤への溶解性の観点で全置換度が２．８０〜２．９９であることが好ましく、２．８５〜２．９５であることがより好ましい。

［セルロースアシレートの重合度］
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアシレートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明のセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

本発明のセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

［セルロースアシレートへの添加剤］
本発明のセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。

［光学異方性を低下させる化合物］
まず最初にセルロースアシレートフィルム等、本発明の高分子フィルムの光学異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中の高分子例えばセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。このためには光学異方性を低下させる化合物は高分子例えばセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。また、芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

本発明においては、光学異方性を低下させる化合物としては下記式（vii）を満たす化合物であることが好ましく、該化合物を下記式（viii）を満たす範囲で、少なくとも一種含有させることが望ましい。
（vii）（Ｒｔｈ_A−Ｒｔｈ₀）／Ａ≦−１．０
（viii）０．０１≦Ａ≦３０
より望ましくは（Ｒｔｈ_A−Ｒｔｈ₀）／Ａ≦−２．０で、且つ０．０５≦Ａ≦２５であり、さらに望ましくは（Ｒｔｈ_A−Ｒｔｈ₀）／Ａ≦−３．０で、且つ０．１≦Ａ≦２０である。
ここで、Ｒｔｈ_Aは上記化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ｒｔｈ₀は上記化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ａはフィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの上記化合物の質量（％）を表す。
上記の範囲内であれば、レターデーションを特定の範囲内にすることができ、また、低分子化合物のアルカリ液への溶出も問題のない範囲内に抑えることができ、好ましい。

（ｌｏｇＰ値）
本発明のセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアシレートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１乃至６であり、特に好ましい範囲は１．５乃至５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９））、Ｂｒｏｔｏ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４））などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。

（ｐＫａおよびＮａＯＨ水溶液への溶解性の規定）
さらに、セルロースアシレートフィルムを偏光板用の保護フィルムとして用いるためには、フィルムの面内での光学性能や表面エネルギー等の諸性能のバラツキを小さくする必要があり、フィルムの流延製膜工程、表面処理工程、接着剤塗布工程、貼り合せ工程、の各工程においてフィルムの諸性能を所望の範囲内に安定的にムラなく維持することが必要である。特に表面処理工程においては、一般的にアルカリケン化処理が生産性の観点で用いられるが、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートとの相溶性を十分にするために親水性が高く、そのためアルカリケン化処理工程での、ケン化液の浸透や上記化合物の溶出がより容易に進行することが考えられ、これらの要因による諸性能の不安定化、特にフィルム面内でのムラ等の面状の不均一性を防止する必要がある。本発明者らがこれらの観点で更に鋭意検討した結果、このセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の物性として、更にアルカリ液中での解離性や、アルカリ液への溶解性を制御することで、フィルム面内での諸性能の均一性を維持することができる。

上述のようなアルカリケン化に対する安定性の理由から、本発明において使用するセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物のｐＫａの好適な範囲としては、１４以上が好ましく、１５以上がより好ましく、１６以上が更に好ましい。アルカリケン化液のｐＨが一般的に１３乃至１４付近であることから、ｐＫａが１４以下の場合はアルカリケン化処理による光学性能や表面エネルギーにムラが出来易くなり、またｐＫａが低いほどフィルム面内での光学性能の均一性は低下する。ｐＫａは、一般的に滴定法により求めることができる。本発明においては、ＤＭＳＯ／水＝７／３の溶媒系５０ｍｌに対し、測定対象の化合物を５×１０^-5ｍｏｌ／ｌの濃度で溶解し、更に０．２５ＮのＨＣｌを０．５ｍｌ添加してｐＨを酸性にした後、２５℃にて０．５ＮのＮａＯＨを用いて電位差滴定法により得られる滴定曲線に対し、酸解離平衡の理論式との最小二乗法を用いたカーブフィッティングによりｐＫａを求めることができる。
また、同様にアルカリケン化に対する安定性の理由から、上記のｐＫａとは別の観点で、本発明において使用できるセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物のアルカリ水溶液への溶解性の好適な範囲としては、５５℃での１．５ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液への溶解性が１．０％以下であることが好ましく、０．１％以下がより好ましく、０．０１％以下が更に好ましい。アルカリケン化液への溶解性が１％以上の場合にはアルカリケン化処理による光学性能や表面エネルギーにムラができ易くなる傾向にあり、また溶解性が高いほどフィルム面内での光学性能の均一性は低下する。溶解性は目視により判断できる。

［光学異方性を低下させる化合物の物性］
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が３０００以下であることが好ましく、分子量が１５０以上３０００以下であることがより好ましく、１７０以上２０００以下であることがさらに好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、１ないし２５質量％であることがより好ましく、５ないし２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の例として、まず一般式（１）〜（１９）を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ²⁵−を表し、Ｒ²⁵は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ²¹、Ｙ²²はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ²¹、Ｙ²²は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ³¹〜Ｙ⁷⁰はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２
０のエステル基、炭素数が１ないし２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１ないし２０のアミド基、炭素数が１ないし２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ³¹〜Ｖ⁴³はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｌ³¹〜Ｌ⁸⁰はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ³¹〜Ｌ⁸⁰の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ³¹〜Ｖ⁴³およびＬ³¹〜Ｌ⁸⁰は、さらに置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
（連結基群１）単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ⁴−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ⁴は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。］

（式中、Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³はそれぞれ独立に５ないし６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。）

（式中、Ｘ²はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵は水素原子または置換基を表す。）

［式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

一般式（１８）として好ましくは下記一般式（１９）で表される化合物である。

上記一般式（１９）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６乃至３６のものが好ましく、６乃至２４のものがより好ましい。

上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を上記一般式（１）〜（１９）で表される化合物について示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

一般式（１）の化合物について説明する。

一般式（１）において、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ¹¹〜Ｒ¹³について詳しく説明する。Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基又はアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
Ｒ¹¹〜Ｒ¹³で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。

以下に一般式（１）で表される化合物の例（C-1〜C-76）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、表記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ³は前記一般式（１）のＲ¹¹〜Ｒ¹³と同義であり、下記のC-1〜C-76で具体例を例示する。）

一般式（２）および（３）の化合物について説明する。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ²⁵−を表し、Ｒ²⁵は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ²⁵は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ²⁵で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ²⁵で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ¹¹〜Ｒ¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ²¹、Ｙ²²はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ²¹、Ｙ²²は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ²¹、Ｙ²²はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹〜Ｒ¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

以下に一般式（２）ないし（３）で表される化合物の例（C-201〜C-231）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。

一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ³¹〜Ｙ⁷⁰はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが挙げられる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが挙げられる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが挙げられる。Ｙ³¹〜Ｙ⁷⁰はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹〜Ｒ¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ³¹〜Ｖ⁴³はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。Ｖ³¹〜Ｖ⁴³はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹〜Ｒ¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ³¹〜Ｌ⁸⁰はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ³¹〜Ｌ⁸⁰の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ³¹〜Ｌ⁷⁷の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどを挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−(ＣＨ₂)₂Ｏ(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)₂Ｏ(ＣＨ₂)₂Ｏ(ＣＨ₂)−、−(ＣＨ₂)₂Ｓ(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)₂Ｏ₂Ｃ(ＣＨ₂)₂−などを挙げることができる。Ｌ³¹〜Ｌ⁸⁰は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ¹¹〜Ｒ¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ³¹〜Ｙ⁷⁰、Ｖ³¹〜Ｖ⁴³およびＬ³¹〜Ｌ⁸⁰の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４号公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に一般式（４）ないし（１２）で表される化合物の例（C-401〜C-448）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。

一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。

上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。また、一般式（１４）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、ｔ−オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。
一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、ｔ−ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。
これら一般式（１５）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１６）の化合物について説明する。

上記一般式（１６）において、Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³はそれぞれ独立に５ないし６員環を表し、炭化水素環でもへテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは５ないし６員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またＱ¹、Ｑ²およびＱ³は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。
ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表し、Ｘとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎであり、Ｘとしてより好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表しＸとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎ、Ｐ＝Ｏであり、更に好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。

Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）ないし（１７）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されるものではない。

一般式（１８）の化合物について説明する。

［式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］
一般式（１８）として好ましくは下記一般式（１９）で表される化合物である。

以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学異方性を低下させることを見出した。すなわち、これらの化合物も、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物である。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

(多価アルコールエステル化合物)
本発明の多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。

（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

（モノカルボン酸）
本発明の多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフィルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。

多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

［波長分散調整剤］
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物（以下、「波長分散調整剤」ともいう。）を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れている要求される。本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、０．１ないし２０質量％であることがより好ましく、０．２ないし１０質量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
一般式（１０１）Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ

（式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはＯであり、特に好ましくはＯである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）

（式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水
素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子
または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｂ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｃ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はＪｏｕｎａｌｏｆＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ６３巻３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

［マット剤微粒子］
本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

［可塑剤、劣化防止剤、剥離剤］
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

［化合物添加の比率］
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート質量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。

［セルロースアシレート溶液の有機溶媒］
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号公報、特開平１２−９５８７７号公報、特開平１０−３２４７７４号公報、特開平８−１５２５１４号公報、特開平１０−３３０５３８号公報、特開平９−９５５３８号公報、特開平９−９５５５７号公報、特開平１０−２３５６６４号公報、特開平１２−６３５３４号公報、特開平１１−２１３７９号公報、特開平１０−１８２８５３号公報、特開平１０−２７８０５６号公報、特開平１０−２７９７０２号公報、特開平１０−３２３８５３号公報、特開平１０−２３７１８６号公報、特開平１１−６０８０７号公報、特開平１１−１５２３４２号公報、特開平１１−２９２９８８号公報、特開平１１−６０７５２号公報、特開平１１−６０７５２号公報などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

［セルロースアシレートフィルムの製造工程］
［溶解工程］
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
本発明のセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。
また、セルロースアシレートフィルムの幅は１３５０ｍｍ未満であっても良いが、１３５０ｍｍ以上であることが好ましく、２０００ｍｍ以上であることがより好ましく、３０００ｍｍであることががさらに好ましい。セルロースアシレートフィルムの幅が１３５０ｍｍ以上であると、偏光板用の保護フィルムとして使用した場合の偏光板の幅を大きくすることができ、液晶表示装置用の偏光板の切りぬき工程において、３５インチパネル等のより大サイズのパネル用の切りぬきが幅方向に二つ以上可能となるなど、生産性を向上することができる。
また、セルロースアシレートフィルムの長さは１５００ｍ未満であっても良いが、１５００ｍ以上であることが好ましく、２０００ｍｍ以上であることがより好ましく、３０００ｍｍであることががさらに好ましい。長さは長ければ長い程よく、１５００ｍ以上であれば、偏光板をより長く製造することができ、切り替えによるロスの頻度を低減することにより偏光板の製造コストを低減することができる。

［セルロースアシレートフィルム物性評価］
［フィルムのガラス転移温度Ｔｇ］
本発明のセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出した。

［フィルムのヘイズ］
本発明のセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることがのぞましい。よりのぞましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらにのぞましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳＫ−６７１４に従って測定した。

［フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性］
本発明のセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

［フィルムの平衡含水率］
本発明のセルロースアシレートフィルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましい。０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、光学補償フィルムの支持体として用いる際にレターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。
含水率の測定法は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除して算出した。

［フィルムの透湿度］
本発明の光学補償シートに用いるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがのぞましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈを越えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、本発明のセルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償シートや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ²・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳＺ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後質量−調湿前質量で求めた。

［フィルムの寸度変化］
本発明のセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることがのぞましい。
よりのぞましくは０.３％以下であり、さらにのぞましくは０.１５％以下である。
具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めた。

［フィルムの弾性率］
（弾性率）
本発明のセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ／ｍｍ²であることが好ましい、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ／ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ／ｍｍ²である。具体的な測定方法としては、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭＴ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求めた。

［フィルムの光弾性係数］
（光弾性係数）
本発明のセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出した。

［本発明のセルロースアシレートフィルムの評価方法］
本発明のセルロースアシレートフィルムの評価に当たって、以下の方法で測定して実施した。

［透明支持体のレターデーション］
本明細書において、セルロースアシレートフィルム（透明支持体）のＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値は、以下に基づき算出するものとする。Ｒｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)は各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを表す。Ｒｅ_(λ)はＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。

Ｒｔｈ_(λ)は前記Ｒｅ_(λ)、遅相軸（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨが算出する。さらに、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚ、及びＲｔｈを算出する。また、直接測定不可能な波長のレターデーションについては、Ｃａｕｔｈｙの式を用い、周辺の波長のレターデーション値よりフィッティングで求めた。
本発明において、光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さい高分子フィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ₍₆₃₀₎が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ₍₆₃₀₎の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５ｎｍ）であることがのぞましい（式（ｉ））。さらにのぞましくは、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２０ｎｍであり、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦２かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦１５ｎｍであることが特にのぞましい。
また本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つことによりフィルムの着色を防止し、フィルムのＲｅ_(λ)およびＲｔｈ_(λ)の波長分散を制御できる化合物を用いることによって波長４００ｎｍと７００ｎｍでのＲｅ、Ｒｔｈの差、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を小さくした。
本発明において、波長分散が小さい高分子フィルムとしては、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５であることがのぞましい（式（ii））。さらにのぞましくは、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦２５であり、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦３かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦１５であることが特にのぞましい。

（フィルム面内のレターデーションバラツキ（ΔＲｅ_(λ)，ΔＲｔｈ_(λ)））
本発明においては、試料より幅方向に３０ｍｍ間隔で１５枚、流延方向に５０ｍｍ間隔で５０枚、３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさでサンプリングし、上記の方法でＲｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)をそれぞれ求め、得られた値の最大値と最小値との差の絶対値を、それぞれフィルム面内のレターデーションバラツキ（面内バラツキ値）ΔＲｅ_(λ)、ΔＲｔｈ_(λ)として、フィルム面内の光学性能のバラツキの指標とした。
本発明者らによる鋭意検討の結果、フィルム面内の上記Ｒｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)のバラツキ値として、最大値と最小値の差ΔＲｅ_(λ)およびΔＲｔｈ_(λ)を指標とした場合、ΔＲｅ_(λ)≦５ｎｍ（式（iii））、かつΔＲｔｈ_(λ)≦１０ｎｍ（式（iv））、であることが望ましく、ΔＲｅ_(λ)≦３ｎｍ、ΔＲｔｈ_(λ)≦６ｎｍであることがより望ましく、ΔＲｅ_(λ)≦２ｎｍ、ΔＲｔｈ_(λ)≦４ｎｍであることが更に望ましい。バラツキがこの範囲内であれば、たとえば偏光板用保護フィルムとして使用した場合にクロスニコル偏光板での遮光時の光漏れのムラが目視で容易に確認できるレベル以下であり、液晶パネルで使用する偏光板用の保護フィルムとして使用した場合に液晶パネルでの光漏れのムラとして目視では容易に確認されない。

［遅相軸の検出］
遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。

［遅相軸を有する方向］
本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光子の保護フィルムに用いる場合、偏光子が機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍またはＴＤ方向（機械搬送方向に対して垂直方向）近傍にあることがのぞましい。遅相軸が偏光子と平行または直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、遅相軸とＭＤまたはＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。

（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きいほうから４点の平均と小さいほうから４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

［フィルム表面の性状］
（表面形状）
本発明のセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することが出来る。
（表面エネルギー）
本発明のセルロースアシレートフィルムの表面エネルギーは以下の方法により測定した。すなわち、試料を水平な台の上に水平にのせ、試料表面に一定量の水、およびヨウ化メチレンをのせてから一定時間後の試料表面での水、およびヨウ化メチレンの接触角を求めた。更に測定した接触角から、Ｏｗｅｎｓの方法により表面エネルギーを求めた。

（表面エネルギーのバラツキ）
本発明の高分子フィルムの表面エネルギーの面内バラツキ値ΔＥを以下のようにして求めた。すなわち、試料より幅方向に３０ｍｍ間隔で１５枚、流延方向に５０ｍｍ間隔で５０枚、３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさでサンプリングし、上記の方法で水およびヨウ化メチレンの接触角より算出して求めた。更に、得られた値の最大値と最小値との差の絶対値をΔＥとして、フィルム面内の表面エネルギーのバラツキの指標とした。フィルム面内における表面エネルギーのムラが大きいと、例えば後述する浸漬法によるアルカリケン化時のケン化液や洗浄用または中和用の処理液の濡れや、処理後の乾燥における乾きに差ができて汚れ状となったり、諸性能、特に偏光板加工適正にムラができることで、たとえば偏光板耐久性にムラができてしまい、偏光板の品質が低下してしまう。表面エネルギーのバラツキとしては、ΔＥ≦１０であることが好ましく、ΔＥ≦５であることがより好ましく、ΔＥ≦３であることが更に好ましい。

［フィルムの保留性］
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、本発明のセルロースアシレートフィルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
〈保留性の評価方法〉
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

［フィルムの力学特性］
（カール）
本発明のセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明のセルロースアシレートフィルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、本発明のセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フィルムのハンドリングに支障をきたし、フィルムの切断が起きることがある。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基ずく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明のセルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、更には６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フィルムの残留溶剤量］
本発明のセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる透明支持体の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

［フィルムの吸湿膨張係数］
本発明のセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、本発明のセルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

［機能層］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることがさらに好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。
その際に前述の光学用途に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［用途（偏光板）］
本発明のセルロースアシレートフィルムの用途について説明する。
本発明の光学フィルムは特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。

液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。

本発明の偏光板を作製するにあたり、本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光膜の保護フィルム（偏光板用保護フィルム）として用いるために、偏光膜と貼り合わせる側の表面とポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を良好にすることが必要である。接着性が不充分の場合は、偏光板を作製した後に液晶表示装置等のパネルに適宜用いるための加工性が不良であったり、または耐久性が不足して、長期の使用での剥れ等が問題となる。接着には、接着剤を使用することもでき、接着剤の成分としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。接着性を考慮するには表面エネルギーを指標に考えれば良く、偏光膜の主成分であるポリビニルアルコールか、もしくはポリビニルアルコールかビニル系ラテックスを主成分とする接着剤からなる接着剤層の表面エネルギーと貼り合せる保護フィルムの表面エネルギーがより近ければ貼合性と貼合した偏光板の加工性と耐久性がより向上される。これらのことから、偏光膜または接着剤と貼り合わせる側の表面エネルギーを親水化処理等の表面処理により所望の範囲内にすることで、ポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を充分に付与することができる。

本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルム中に含有するフィルム面内方向とフィルム厚み方向レターデーションとそれぞれのレターデーションの波長分散を制御するための添加剤により、フィルムの表面はより疎水的となっている。そのため上記の親水化処理による貼合性を向上させることが、偏光板の加工性と耐久性を付与する上でより必要となる。

親水化処理等の表面処理等を行う前の、製膜後のフィルムの表面エネルギーは、前記レターデーションを制御する添加剤を使用するため疎水化されており、フィルムの光学特性や力学特性の湿度依存性や、前記偏光板貼合性を向上するための処理の容易性の観点から、３０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下が好ましく、４０ｍＮ／ｍ以上４８ｍＮ／ｍ以下がより好ましい。処理前の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下では後述の親水化処理により貼合性を良好にするためには、大きなエネルギーが必要となり、結果的にフィルム特性を劣化させたり、または生産性との両立が困難となる。また処理前の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上では、フィルム自身の親水性が大きすぎて、フィルムの光学性能や力学特性の湿度依存性が大きすぎて問題となってしまう。

また、ポリビニルアルコール表面の表面エネルギーは、併用する添加剤や乾燥の程度や用いる接着剤にもよるが６０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下の範囲にあることから、後述の親水化処理等の表面処理後の保護フィルムの偏光板と貼り合せる側の面の表面エネルギーとしては、５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下が好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下がより好ましく、６５ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下が更に好ましい。

［親水化処理等の表面処理］
透明支持体の表面の親水化処理は、公知の方法で行うことが出来る。例えば、コロナ放電処理、グロー放電処理、紫外線照射処理、火炎処理、オゾン処理、酸処理、アルカリ処理等で該フィルム表面を改質する方法が挙げられる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［フィルム表面を表面処理した前後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化］
本発明の高分子フィルムは、表面処理した前後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化が下記式（ｖ）（vi）をみたすことが好ましい。
（ｖ）｜Ｒｅ−Ｒｅ’｜≦１０
（vi）｜Ｒｔｈ−Ｒｔｈ’｜≦２０
より好ましくは、｜Ｒｅ−Ｒｅ’｜≦８ｎｍで、かつ｜Ｒｔｈ−Ｒｔｈ’｜≦１５ｎｍであり、さらに好ましくは｜Ｒｅ−Ｒｅ’｜≦５ｎｍで、かつ｜Ｒｔｈ−Ｒｔｈ’｜≦１０ｎｍである。
ここで、Ｒｅは表面処理前のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）、Ｒｅ’は表面処理後のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）、Ｒｔｈは表面処理前のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）、Ｒｔｈ’は表面処理後のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す。
上記の範囲内であれば、保護フィルムの光学性能に遜色なく、偏光板、光学補償フィルム、液晶表示装置に適用した際に、光り漏れが起こらない。

［アルカリケン化（鹸化）処理］
これらの中でも特に好ましくは、アルカリケン化処理でありセルロースアシレートフィルムの表面処理としては極めて有効である。処理方法として、以下の方法が挙げられる。

（１）浸漬法
アルカリ液の中に反射防止フィルムを適切な条件で浸漬して、フィルム全表面のアルカリと反応性を有する全ての面をケン化処理する手法であり、特別な設備を必要としないため、コストの観点で好ましい。アルカリ液は、水酸化ナトリウム水溶液であることが好ましい。好ましい濃度は０．５〜３ｍｏｌ／ｌであり、特に好ましくは１〜２ｍｏｌ／ｌである。好ましいアルカリ液の液温は２５〜７０℃、特に好ましくは３０〜６０℃である。
アルカリ液に浸漬した後は、フィルムの中にアルカリ成分が残留しないように、水で十分に水洗したり、希薄な酸に浸漬してアルカリ成分を中和することが好ましい。

ケン化処理することにより、透明支持体の反射防止層を有する主面と反対の主面が親水化される。偏光板用保護フィルムは、透明支持体の親水化された表面を偏光膜と接着させて使用する。
親水化された表面は、ポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を改良するのに有効である。

ケン化処理は、高屈折率層を有する側とは反対側の透明支持体の表面の水に対する接触角が低いほど、偏光膜との接着性の観点では好ましいが、一方、浸漬法では同時に高屈折率層を有する主面までアルカリによるダメージを受ける為、必要最小限の反応条件とすることが重要となる。アルカリによる反射防止層の受けるダメージの指標として、反対側の主面の支持体の水に対する接触角を用いた場合、特に支持体がセルローストリアシレートであれば、好ましくは２０度〜５０度、より好ましくは３０度〜５０度、さらに好ましくは４０度〜５０度となる。この範囲で、反射防止フィルムの受けるダメージに実害が無く、かつ偏光膜との接着性を保持できる。

［フィルム表面をケン化処理した前後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化］
本発明の高分子フィルムは、フィルム表面のアルカリケン化処理前後でのＲｅ，Ｒｔｈの変化量が上記式（ｖ）、（vi）を満たすことが好ましい。

なお、具体的なアルカリケン化処理とは、１０ｃｍ×１０ｃｍのフィルムサンプルを５５℃、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬した後、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸溶液で中和し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、１００℃で乾燥する手順をいう。

［化合物のアルカリケン化液への溶出度］
本発明の高分子フィルムは、光学異方性を低下させる化合物として、分子量３０００以下、好ましくは２０００以下、さらに好ましくは１０００以下の化合物を含有し、該透明フィルムの表面をアルカリケン化した際の、該化合物のアルカリ溶液への溶出度が２０質量％以下であることが望ましい。よりのぞましくは１５質量％以下であり、さらにのぞましくは１０質量％以下である。
上記の範囲内であれば、アルカリ溶液の劣化(性能低下)を起こさず、好ましい。

ここで、具体的な溶出度の算出方法は、１００ｃｍ×１００ｃｍのフィルムを、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液５Ｌ入りの容器内に、５５℃で３０分間浸漬した後、このアルカリ溶液中に溶出した低分子化合物を液体クロマトグラフィーで定量し、下記数式により求める。
数式：（アルカリ溶液への溶出度）（質量％）＝（アルカリ溶液中の低分子化合物含量）／（ケン化前のフィルム中の低分子化合物含量）

［ケン化溶液の吸収スペクトル］
本発明の透明フィルムの表面をアルカリケン化した後のアルカリ溶液は、劣化が少ないことが望ましい。本発明の透明フィルムにおいては、フィルム表面をアルカリケン化した後のアルカリ溶液の、４５０ｎｍにおける吸光度が０．１以下である。より望ましくは０．０８以下であり、さらに望ましくは０．０５以下である。アルカリケン化溶液が劣化すると、該溶液が黄色味を呈することがあり、この黄色味の度合いを４５０ｎｍにおける吸収スペクトルとして測定した。
上記の範囲内であれば、アルカリ溶液の性能として充分に機能し、好ましい。

ここで、具体的な吸光度の算出方法は、上記の溶出度の際に用いたフィルムをケン化した後のアルカリ溶液を１０ｍＬ採り、分光器ＵＶ３１００｛（株）島津製作所製｝を用いて４５０ｎｍにおける吸光度を求める。

［ケン化処理に要する時間］
本発明の高分子フィルムは、アルカリケン化処理により好ましい表面エネルギーとなるのに要する時間が短い方が好ましい。アルカリケン化処理に要する時間を短くすることにより、生産性を向上させることができる。具体的には、１．５ＮのＮａＯＨ水溶液を用いた５５℃の温度条件におけるアルカリケン化処理により、表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間が１分以内であることが好ましい。より好ましくは４５秒以内であり、更に好ましくは３０秒以内である。
また、別の好ましい範囲としては、前記１．５ＮのＮａＯＨ水溶液を用いた５５℃の温度条件におけるアルカリケン化処理により、表面エネルギーが６０ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間が前記範囲内であることがより好ましく、表面エネルギーが６５ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間が前記範囲内であることが更に好ましい。

（２）アルカリ液塗布法
上述の浸漬法における反射防止フィルムへのダメージを回避する手段として、適切な条件でアルカリ液を反射防止フィルムを有する主面と反対側の主面のみに塗布、加熱、水洗、乾燥するアルカリ液塗布法が好ましく用いられる。アルカリ液及び処理は、特開２００２−８２２２６号公報、国際公開第０２／４６８０９号パンフレットに記載の内容が挙げられる。ただし、別途、アルカリ液を塗布する設備、工程が必要となるため、コストの観点では（１）の浸漬法に劣る。

［プラズマ処理］
本発明に用いられるプラズマ処理としては、真空グロー放電、大気圧グロー放電等によるものがあり、その他の方法としてフレームプラズマ処理等の方法があげられる。これらは、例えば特開平６−１２３０６２号公報、特開平１１−２９３０１１号公報、同１１−５８５７号公報等に記載された方法を用いることが出来る。

プラズマ処理によれば、プラズマ中においたプラスチックフィルムの表面を処理することで、これに強い親水性を与える事が出来る。例えば、上記のグロー放電によるプラズマ発生装置中においては相対する電極の間にこれらの親水性を付与しようとするフィルムを置き、この装置中にプラズマ励起性気体を導入し、電極間に高周波電圧を印加する事により、該気体をプラズマ励起させ電極間にグロー放電を行わせることにより表面処理が行える。中でも大気圧グロー放電によるものが好ましく用いられる。

プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。

これらのガスとしては、アルゴン、ネオン等の不活性ガスに、カルボキシル基や水酸基、カルボニル基等の極性官能基をプラスチックフィルムの表面に付与できる反応性ガスを加えたものが励起性気体として用いられる。反応性ガスとしては水素、酸素、窒素の他、水蒸気やアンモニア等のガスの他、低級炭化水素、ケトン等の低沸点の有機化合物等も必要に応じ用いることが出来るが、取り扱い上は、水素、酸素、二酸化炭素、窒素、水蒸気等のガスが好ましい。水蒸気を用いる場合は、他のガスを水に通しバブリングしたガスを用いることができる。或いは水蒸気を混合してもよい。

印加する高周波電圧の周波数としては、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が好ましく用いられ、より好ましくは１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下である。

これらのグロー放電によるプラズマ処理には真空下でこれを行う方法と、大気圧下でこれを行う方法がある。

グロー放電による真空プラズマ放電処理においては、有効に放電を起こさせるために、その雰囲気を０．００５〜２０ｔｏｒｒの範囲に保つ様に上記反応性ガスを導入する必要がある。処理速度を上げるにはなるべく高圧側で高出力条件を採用することが好ましいが、電界強度を上げすぎると基材にダメージを与える場合がある。

大気圧近傍でプラズマ放電を行う大気圧グロー放電による場合には、安定に放電を起こさせるためにヘリウムやアルゴン等の不活性ガスが必要であり、上記プラズマ励起性ガスのうち６０％以上が不活性ガスである様にしないと安定な放電が発生しない。しかしながら余り不活性ガスが多く、反応性ガスの割合が少ないと処理速度が低下する。電界強度を上げすぎてもやはり基材にダメージを与えることがある。

又、大気圧近傍でプラズマ処理を行う場合でも、パルス化された電解でプラズマを発生させる場合には、上記不活性ガスは必ずしも必要でなく、反応ガス濃度を上げることが出来、反応速度を大きくする事が出来る。

もう一つのフレームプラズマ処理とは表面処理をしようとするフィルムの表面にバーナーにより火炎（フレーム）処理を行うことでプラズマを発生させ表面処理を行うもので、例えばパラフィン系ガス（都市ガス、天然ガス、メタンガス、プロパンガス、ブタンガス等）のような燃焼ガスとこれに混合された酸化性ガス例えば空気や酸素（又、助燃剤や酸化剤等を用いる場合もある）からなる混合ガスを燃焼させ、この火炎で表面を処理することである。

一般的に、バーナーから出る火炎には外炎と内炎とがあり、外炎部は内炎部の未反応（燃焼しきれない）ガスが加熱された、通常薄い青色をした部分でいわゆるブルーのガス炎と言われており、温度が高い部分であり、ブルーでない火炎部が内炎で酸素供給が少ない温度の比較的低い部分である。

この内炎の先端から３０ｍｍ以内の火炎にはプラズマが多く発生しており、特開平１１−１８４０４２号公報に詳しく記載されているように遮蔽板により炎を制限する事で内炎の先端から３０ｍｍ以内のところの制限した火炎で基材表面を処理することができ、これによるプラズマ処理が可能である。

火炎をあてる時間は、処理しようとする基材と火炎が接触する時間で０．００１秒〜２秒以内である。好ましくは、０．０１秒〜１秒以内である。長すぎる場合には、表面が犯されすぎ、短いと酸化反応が起こりにくく接着性が向上しない。

この目的で使用されるバーナーは、プラズマ処理を行おうとする基材の表面に均一に炎をあてることが出来ればよい。又バーナーを複数配置したものでもよい。

上記火炎処理の燃焼ガスと酸化性ガスの混合比率は、ガスの種類によって異なるが、例えばプロパンガスと空気の場合にはプロパンガス／空気の好ましい混合比は、容量比で１／１５〜１／２２、好ましくは１／１６〜１／１９の範囲がよく、天然ガスと空気の場合には、１／６〜１／１０、好ましくは１／７〜１／９である。内炎と外炎の大きさの比率は燃焼ガスの種類や酸化性ガスの種類、混合比、供給速度等により異なってくる。

これらのプラズマ処理装置の例として、大気圧プラズマ処理装置を図１に、又これを真空プラズマ処理を連続的に行う装置を図２に挙げる。

図１は大気圧プラズマ処理装置の一例を示す断面図である。即ち、図１の大気圧プラズマ発生装置においては、相対する２つの電極（上下電極とも１で表す）の間にプラズマ処理しようとする試料２を位置させる。プラズマ励起時に火花放電が起こるのを防ぐためガラス、セラミック、ポリイミドフィルムのような誘電体３を上部及び／又は下部電極の表面に設けた方が好ましい。アルゴンとヘリウムの混合気体等のプラズマ励起性気体は流入口４から大気圧プラズマ発生装置に導入され、内部の空気を置換して流出口５から排出される。次いで電極間に、例えば３０００Ｈｚ、４２００Ｖの、高周波電圧を印加し、上記導入基体をプラズマ励起してグロー放電を所定時間発生させ、試料表面の改質を行う。

図２は真空プラズマ処理を連続的に行う装置の一例を示す断面図で、連続搬送される長尺状のフィルムを真空下、連続的にプラズマ処理するための処理部が、試料フィルムＦの入り口１２Ａと出口１２Ｂを有する間仕切りをした処理室１２によって構成されている。

処理室１２には、対向する平板電極１３、１４が設けられている。この一対の電極１３、１４のうち一方の電極１３に高周波電源１５が接続され、他方の電極はアース１６により接地されており、一対の電極１３、１４間に電界を印加できる様に構成されている。

又、流入口６より処理ガスを導入し、流出口７より排気ポンプで処理室内を真空に排気する。

図２の例では、処理室１２に隣接して、フィルムの入り口側に予備減圧室１０及び１１が設けられている。フィルムの出口側にも処理室１２に隣接して予備減圧室１７が設けられている。又これらの間仕切りはニップロール８、９により行われるが、これに限定されるものではない。又ここで１５は高周波電源を表す。

予備減圧室を設ける場合、図示のように、フィルムＦの入り口側に２つ、出口側に一つを設ける仕様であってもよいが、これに限定されず、フィルムＦの出入り口側に一つずつつける態様、或いは両方に２つずつつける等の態様も考えられる。

又、フレーム（火炎）プラズマ処理を行う装置についても、特開平９−３５５０９７号公報に記載されたものが好ましく用いられる。

図３にフレーム（火炎）処理によるプラズマ処理装置の一例を示す。一般的に、バーナーから出る火炎には外炎と内炎とがあり、外炎部は内炎部の未反応（燃焼しきれない）ガスが加熱された、通常薄い青色をした部分でいわゆるブルーのガス炎と言われており、温度が高い部分であり、ブルーでない火炎部が内炎で酸素供給が少ない温度の比較的低い部分である。

この外炎はプラズマ処理をするには不要な炎が多く、外炎が拡がると処理がコントロールできなくなるので、図３に示すような遮蔽板（外炎規制装置）Ｃを設置することにより、不要な外炎Ｅ′を遮蔽板（外炎規制装置）Ｃの外側に出して支持体から避け、有効炎（規制された炎）Ｇを試料フィルムＦの表面に当てることによって火炎処理をコントロールし、目的を達成する。図はバーナーＢ、外炎Ｅ、内炎Ｉ、遮蔽板の外側に遮蔽され広がった外炎Ｅ′、有効炎Ｇや有効処理孔（スリット）Ｓ等を、また有効処理孔（スリット）Ｓを通して有効炎Ｇを試料フィルムＦの表面に当てる様子を示した。

［コロナ放電処理］
表面処理のうち、コロナ放電処理は、最もよく知られている方法であり、従来公知のいずれの方法、例えば特公昭４８−５０４３号公報、同４７−５１９０５号公報、特開昭４７−２８０６７号公報、同４９−８３７６７号公報、同５１−４１７７０号公報、同５１−１３１５７６号公報等に開示された方法により達成することができる。コロナ処理に使用するコロナ処理機としては、現在プラスチックフィルム等の表面改質の手段として使用されている市販の各種コロナ処理機の適用が可能であり、中でもＳＯＦＴＡＬ（ソフタル）社のマルチナイフ電極を有するコロナ処理機は多数本の電極で構成され、さらに電極の間に空気を送る構造となっており、フィルムの加熱防止やフィルム表面に出てくる低分子の除去等がおこなえるので、エネルギー効率が非常に高く、高コロナ処理が可能となるので、本発明には特に有用なコロナ処理機である。

コロナ処理の条件としては、使用する保護膜の種類、接着剤の種類及び用いるコロナ処理機の種類等によって異なるが、１回当たりの処理に際してのエネルギー密度としては２０〜４００Ｗ・ｍｉｎ．／ｍ²程度が好ましい。高エネルギーで処理するよりはできるだ
け低エネルギーで処理する方が処理する保護膜の劣化、保護膜中の充填物の表面へのブリード等がおさえられ、接着力向上には有効である。一回処理で不充分な場合は、二回以上の多数回処理を行えばさらに接着力が向上する。

本発明の高分子フィルムを偏光板の保護フィルム等の目的で使用するためには高分子フィルムの少なくとも片面の表面エネルギーを適当な範囲内にすることが必要であり、そのため前述のような表面処理を行う。一方、本発明の高分子フィルムに表面処理を行うことにより、高分子フィルム中に含有する添加剤の揮散／溶出／分解が発生する可能性がり、高分子フィルムの光学性能やフィルム性能や耐久性が劣化する懸念がある。また揮散や溶出が発生する場合には更に処理系を汚染し処理性を低下させてしまい、連続的に処理を行うことができなくなる。そのため添加剤量の低下を抑制することが必要であり、表面処理による添加剤の添加量の変化量が処理前の添加剤の全添加量の０．２％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましく、０．０１％以下であることが更に好ましい。

［用途（光学補償フィルム）］
本発明の高分子フィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。本発明の高分子フィルムはＲｅおよびＲｔｈが０≦Ｒｅ≦１０ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍと光学異方性が小さく、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５と波長分散が小さいため、余計な異方性を生じず、複屈折を持つ光学異方性層を併用すると光学異方性層の光学性能のみを発現することができる。

したがって本発明の高分子フィルムを液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いる場合、併用する光学異方性層のＲｅおよびＲｔｈはＲｅ＝０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００ｎｍ（式（ix））であることが好ましく、この範囲であればどのような光学異方性層でも良い。本発明のセルロースアシレートフィルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フィルムとして要求される、どのような光学異方性層も併用することができる。併用される光学異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフィルムから形成しても良い。
前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。

（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅｅｔａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ１１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅｅｔａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ１７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ２６５５（１９９４））に記載の化合物が含まれる。

光学異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。

（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。

光学異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許第４６８３３２７号明細書、同５６２２６４８号明細書、同５７７０１０７号明細書、国際公開第９５／２２５８６号パンフレット、同９５／２４４５５号パンフレット、同９７／００６００号パンフレット、同９８／２３５８０号パンフレット、同９８／５２９０５号パンフレット、特開平１−２７２５５１号公報、同６−１６６１６号公報、同７−１１０４６９号公報、同１１−８００８１号公報、および特開２００１−３２８９７３号公報などに記載の化合物が含まれる。

（ポリマーフィルムからなる光学異方性層）
上記した様に、光学異方性層はポリマーフィルムから形成してもよい。ポリマーフィルムは、光学異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。

ポリマーフィルムの光学異方性は、延伸により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜１００μｍであることが最も好ましい。

また、光学異方性層を形成するポリマーフィルムとして、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドポリエステルイミド、およびポリアリールエーテルケトン、からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリマー材料を用い、これを溶媒に溶解した溶液を基材に塗布し、溶媒を乾燥させてフィルム化する方法も好ましく用いることができる。この際、上記ポリマーフィルムと基材とを延伸して光学異方性を発現させて光学異方性層として用いる手法も好ましく用いることができ、本発明の透明フィルムは上記基材として好ましく用いることができる。また、上記ポリマーフィルムを別の基材の上で作製しておき、ポリマーフィルムを基材から剥離させたのちに本発明の透明フィルムと貼合し、あわせて光学異方性層として用いることも好ましい。この手法ではポリマーフィルムの厚さを薄くすることができ、５０μｍ以下であることが好ましく、１〜２０μｍであることがより好ましい。

（一般的な液晶表示装置の構成）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙＢｅｎｄ）、ＳＴＮ（ＳｕｐｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌｌｙＡｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（ＨｙｂｒｉｄＡｌｉｇｎｅｄＮｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明のセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体または偏光板の保護膜として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体または偏光板の保護膜として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。または偏光板の保護膜として用いてもよい。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、前記偏光板の保護膜と保護膜と液晶セルの間に配置された光学異方性層のリターデーションの値は、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。またＲｔｈ値の絶対値｜Ｒｔｈ｜は、２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下に設定するのが好ましいため、本発明のセルロースアシレートフィルムが有利に用いられる。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。

（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開第９８／４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開第００／６５３８４号パンフレットに記載がある。

（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（ＡｘｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃＡｌｉｇｎｅｄＭｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅｅｔａｌ．，ＳＩＤ９８Ｄｉｇｅｓｔ１０８９（１９９８））に記載がある。

（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。

（写真フィルム支持体）
さらに本発明のセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用でき、該特許に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロースアシレートフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。

（透明基板）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、光学異方性がゼロに近く、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロースアシレートフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ₂等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号公報や特開２０００−２２７６０３号公報などに公開されている。

以下に本発明の実施例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
［実施例１］（セルロースアシレートフィルムの作製、表面処理、偏光板貼合試験）

＜セルロースアシレート溶液Ｔ−１〜Ｔ−５の調製＞
表１に記載の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｔ−１〜Ｔ−５を調製した。

＜添加剤溶液Ｕ−１〜Ｕ−７の調製＞
別のミキシングタンクに、表２に記載の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｕ−１〜Ｕ−７を調製した。（表中の「光学異方性低化剤」は、「光学異方性を低下させる化合物」を表す。）

＜セルロースアシレートフィルム試料００１の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−１の４７７質量部に、添加剤溶液Ｕ−１の４４質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号公報の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が２％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料００１を作製した。

＜セルロースアシレートフィルム試料１０１の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−２の４６５質量部に、添加剤溶液Ｕ−２の４４質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。それ以外はセルロースアシレートフィルム試料００１の作製と同様の方法により、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料１０１を作製した。
＜セルロースアシレートフィルム試料１０２〜１１３の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−２と添加剤溶液Ｕ−２の代わりに、表３に記載のセルロースアシレート溶液と添加剤溶液の組み合わせを使用する以外は、セルロースアシレートフィルム試料１０１の作製と同様の方法により、厚み約８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料１０２〜１１３を作製した。

＜セルロースアシレート溶液Ｔ−６の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｔ−６を調製した。

（セルロースアシレート溶液Ｔ−６組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート１００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）６０．０質量部

＜マット剤溶液の調製＞
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液１０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）３．４質量部
セルロースアセテート溶液（Ｔ−６）１０．３質量部

＜添加剤溶液Ｕ−８の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｕ−８を調製した。

（添加剤溶液Ｕ−８組成）
光学異方性を低下させる化合物（Ａ−１９）９０．０質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２）９．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）８．７質量部
セルロースアシレート溶液（Ｔ−６）１２．８質量部

＜セルロースアシレートフィルム試料１１４の作製＞
上記セルロースアシレート溶液Ｔ−６を９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液Ｕ−８を４．１質量部それぞれ濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学異方性を低下させる化合物および波長分散調整剤のセルロースアシレートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．２％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアシレートフィルム試料１１４を、幅１３００ｍｍ、長さ１００ｍの大きさで製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は８０μｍであった。

＜セルロースアシレートフィルム試料１１５の作製＞
前記セルロースアシレートフィルム試料１１４の作製において、フィルムを作製する大きさを幅１８５０ｍｍ、長さ３０００ｍとする以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料１１５を作製した。

＜セルロースアセテートフィルム試料１１６の作製＞
前記セルロースアシレートフィルム１１４の作製において、フィルムを作製する大きさを幅２２００ｍｍ、長さ２１００ｍとする以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料１１６を作製した。

［表面処理］
次に、作製したセルロースアシレートフィルム試料１０１に対し下記表面処理を行った。

（処理１）
作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１を、２．０規定の水酸化ナトリウム水溶液に、７０℃で３０秒間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をアルカリケン化したフィルム試料１０１Ａを作製した。

（処理２）
作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１を、０．２規定の水酸化ナトリウム水溶液に、３５℃で５分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をアルカリケン化したフィルム試料１０１Ｂを作製した。

（処理３）
作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１に対し、下記プラズマ処理による表面処理を行った。すなわち、反応容器内に径５０ｍｍの真鍮製上下電極を設け誘電体として電極よりも大きなサイズの１００μｍ厚のポリイミドを電極に貼り合わせ、下部電極上にフィルム試料１５０ｍｍ×１５０ｍｍをおき、極板間隙を２０ｍｍにしてその容器内の空気をアルゴンガスで置換する。完全に空気がアルゴンガスで置換されたとき、周波数３０００Ｈｚ、４２００Ｖの高周波数電圧を上下電極間に引加すると赤紫色のグロー放電が発生し、プラズマ励起される。試料１０１を５秒処理したフィルム試料１０１Ｃを作製した。

（処理４）
作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１に対し、（処理３）と同様の方法にて、処理時間を２０秒としたフィルム試料１０１Ｄを作製した。
（処理５）
アルゴンガスの１０％を酸素に置き換えた以外は（処理３）と同様にしてフィルム試料１０１Ｅを作製した。

（処理６）
アルゴンガスの１０％を酸素に置き換えた以外は（処理４）と同様にしてフィルム試料１０１Ｆを作製した。

（処理７）
作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１に対し、下記コロナ処理による表面処理を行った。すなわち、フィルム試料１０１の一方の面に８０Ｗ／ｍ²／分の条件で２回コロナ放電処理を施してフィルム試料１０１Ｇを作製した。コロナ放電処理は、ＳＯＦＴＡＬ社のマルチナイフ電極を有するコロナ処理機を用いた。

＜フィルム試料００１、１０２〜１１６の表面処理＞
作製したフィルム試料００１、１０２〜１１６についても、フィルム試料１０１と同様にして表４〜表９に記載の処理方法を行ったフィルム試料（処理方法により、それぞれフィルム試料名末尾にＡ〜Ｇを追加）を作製した。

＜表面処理前後の添加剤量の定量＞
作製した各フィルム試料の添加剤量を下記方法により測定した。すなわち、試料０．１ｇをサンプリングし、メチレンクロライド２ｍｌ中にて超音波処理３０分を行い溶解させ、更にメタノールで５ｍｌにメスアップしてサンプリング液を作製した。作製したサンプリング液をＨＰＬＣにて定量分析を行い、定量した添加剤量より処理前後の添加剤量の変化量を求め、処理前の添加量に対する比率（％）で求めた。

＜表面エネルギーの測定＞
作製した各フィルム試料の表面エネルギーを下記方法により測定した。すなわち、試料を水平な台の上に水平にのせ、試料表面に一定量の水、およびヨウ化メチレンをのせてから一定時間後の試料表面での水、およびヨウ化メチレンの接触角を求めた。更に測定した接触角から、Ｏｗｅｎｓの方法により表面エネルギーを求めた。

＜光学性能の評価＞
作製したフィルム試料について、本文中に記載の方法にて、Ｒｅ₍₆₃₀₎、Ｒｔｈ₍₆₃₀₎、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜、｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜の光学性能の評価、及び遅相軸の方向の検出を行った。

［偏光板貼合試験］
作製した表面処理済のフィルム試料、および表面処理無しのフィルム試料に対し、下記の偏光板貼合試験を行った。すなわち、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。作製したフィルム試料１０１Ａを２枚用意しての片方の面（表面処理済のフィルム試料では表面処理済の面）を偏光膜側にしながら偏光膜を間にしてポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り合わせ、両面がセルロースアシレートフィルム１０１Ａによって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアシレートフィルム試料１０１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして作製した表面処理済のフィルム試料、および表面処理なしのフィルム試料（いずれも、表５〜表９に記載のセルロースアシレートフィルム試料）についても偏光板を作製した。

＜密着性＞
作製した偏光板試料の密着性を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料の特定箇所を５回前後に９０度に繰返し折り曲げ、折り曲げ後の貼合面の剥れの有無で密着性を評価した。
○：剥れ無し
×：剥れ有り

＜加工性＞
作製した偏光板試料の加工性を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料を片刃のカッターナイフで裁断し、裁断面付近での剥れの生じ易さで加工性を評価した
○：剥れ無し
×：剥れ有り

＜密着耐久性１＞
作製した偏光板試料の密着耐久性試験を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料を６０℃／９０％ＲＨの条件下に２００時間放置し、放置後の貼合面の剥れの有無で評価した。
○：剥れ無し
×：剥れ有り

＜密着耐久性２＞
作製した偏光板試料の密着耐久性試験を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料を８０℃の条件下に２００時間放置し、放置後の貼合面の剥れの有無で評価した。
○：剥れ無し
×：剥れ有り

［アルカリケン化処理に要する時間］
作製したフィルム試料００１、１０２、１０４、１０５、１０６、１０８について、１．５ＮのＮａＯＨアルカリ液を用い、５５℃の温度条件で１０秒〜１８０秒まで１０秒毎に設定した各処理時間で、アルカリケン化処理を行う以外は前記（処理１）と同様の方法により表面処理を行い、表面処理済みのフィルム表面の表面エネルギーを前記と同様の方法により求め、表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上、６０ｍＮ／ｍ以上、６５ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間をそれぞれ求め、表面処理に要する時間を評価した。

作製したフィルム試料及び偏光板の測定ないし評価結果を、表４〜表１０と表１１の一部に記載した。

以上の結果より、本発明のフィルム試料（光学性能については、表１１を参照）は、表面処理を行い、表面エネルギーを制御することで、偏光板加工性を付与することができ、更に作製した偏光板の耐久性を付与することができることが分かった（フィルム試料末尾がＡ〜Ｇのもの）。
また、表面処理前後の添加剤の変化量より、プラズマ処理やコロナ処理等（フィルム試料末尾がＣ〜Ｇのもの）のドライ処理方式による表面処理方法の方は添加剤量の減少が検出限界以下であり、添加剤量の変動による性能や耐久性の劣化の懸念がほぼ無く、また工程上はアルカリケン化（フィルム試料末尾がＡ，Ｂのもの）等のウェット処理方式では減少した添加剤はそのままかもしくは分解されてアルカリケン化液中に溶出してしまい工程汚染する懸念がある。上記の観点では、表面処理としてはプラズマ処理やコロナ処理等のドライ処理の方が好ましい。

［実施例２］（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム試料を用いて、液晶表示装置へ実装評価してその光学性能が十分であるか確認した。なお本実施例ではＩＰＳ型液晶セル、他の実施例ではＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いるが、本発明の高分子フィルムを用いた偏光板または光学補償フィルムの用途はこれらの液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。

実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム試料１０１Ａから実施例１と同様の方法にて作製した偏光板１０１Ａに対し、アートンフィルム(ＪＳＲ社製)を一軸延伸した光学補償フィルムを貼合して光学補償機能を持たせた。この際、光学補償フィルムの面内レターデーションの遅相軸を偏光板１０１Ａの透過軸と直交させることで、正面特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フィルムの面内レターデーションＲｅは２７０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは０ｎｍでＮｚファクターは０．５のものを用いた。

作製した上記の偏光板１０１Ａと光学補償フィルムの積層体を２組用意し、光学補償フィルムが各々液晶セル側となるように、「偏光板１０１Ａと光学補償フィルムの積層体＋ＩＰＳ型の液晶セル＋光学補償フィルムと偏光板１０１Ａの積層体」の順番に重ね合わせて組み込んだ表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板１０１Ａの透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できる。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０μｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。

同様にして、実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム試料００１Ａ、１０１Ｂ〜１０１Ｇ、１０２Ａ〜１１６Ａ、１０２Ｆ〜１１４Ｆについても、偏光板１０１Ａと同様にして、実施例１と同様の方法により偏光板を作製後、光学補償フィルムを貼合した積層体を２組用意して、ＩＰＳ液晶セルと組み込んだ表示装置を作製した。

以上のようにして作製した液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定した結果を表１１に記載した。この値が小さいほど斜め４５度方向での光漏れが少なく、表示装置のコントラストが良いことを示し、液晶表示装置の視野角特性を評価できる。光漏れ率が１／５０から１／４といずれも小さくなった。また、表示装置の色味変化が小さくなった。これは本発明のセルロースアシレートフィルム試料のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散性が優れている（波長依存性が小さい）ために、どの波長においても同様の光学補償性能を持つことを示している。また、表面処理の方法を変更しても、表面エネルギーが所定の範囲内に入り、偏光板加工適性と偏光板耐久性がある試料であれば、いずれも良好な表示性能を得られることが分かった。以上のように本発明の高分子フィルムにより作製した光学補償フィルムおよび偏光板が、視野角特性に優れ、表示色味を変化しにくいことがわかった。

［実施例３］（ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１で得た本発明のセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶性分子を含む光学異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

［実施例４］（光学補償フィルム性能）
実施例１で得た本発明のセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フィルム試料を作製した。得られた光学補償フィルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルロースアシレートフィルムが、光学的用途として優れたものであることが判った。

［実施例５］（セルロースアシレートフィルムの作製、表面処理、偏光板貼合試験）

＜セルロースアシレート溶液Ｔ−１１〜Ｔ−１３の調製＞
表１２に記載の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｔ−１１〜Ｔ−１３を調製した。

＜光学異方性を低下させる化合物のｐＫａおよびＮａＯＨ水溶液への溶解性の評価＞
光学異方性を低下させる化合物（以下、「光学異方性低化剤」ともいう。）について、ｐＫａ、および５５℃、１．５ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨへの溶解性について、本文中に記載の方法により求めた。なお、ｐＫａについては、＞１４（１４以上）であるかを評価した。また溶解性については、１％溶解するかどうかを目視にて評価した。評価の結果を表１３に示す。

＜添加剤溶液Ｕ−１１〜Ｕ−３５の調製＞
ミキシングタンクに、表１４に記載の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｕ−１１〜Ｕ−３５を調製した。

＜セルロースアシレートフィルム試料００２の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−１１を４７７質量部に、添加剤溶液Ｕ−１１の４４質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号公報の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が２％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料００２を、長さ（流延方向）１００ｍ、幅（流延方向に対してフィルム面内で直交する方向）１ｍの大きさで作製した。

＜セルロースアシレートフィルム試料２０１の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−１２を４５５質量部に、添加剤溶液Ｕ−１２の４４質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。それ以外はセルロースアシレートフィルム試料００２の作製と同様の方法により、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料２０１を作製した。
＜セルロースアシレートフィルム試料２０２〜２２７の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｔ−１２と添加剤溶液Ｕ−１２の代わりに、表１５に記載のセルロースアシレート溶液と添加剤溶液の組み合わせを使用する以外は、セルロースアシレートフィルム試料２０１の作製と同様の方法により、厚み約８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料２０２〜２２７を作製した。

＜セルロースアシレート溶液Ｔ−１４の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｔ−１４を調製した。

（セルロースアシレート溶液Ｔ−１４組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート１００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）６０．０質量部

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液１０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）３．４質量部
セルロースアシレート溶液（Ｔ−１４）１０．３質量部

＜添加剤溶液Ｕ−３６の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｕ−３６を調製した。

（添加剤溶液Ｕ−３６組成）
光学異方性を低下させる化合物（ＦＢ−２）９０．０質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２）９．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）８．７質量部
セルロースアシレート溶液（Ｔ−１４）１２．８質量部

＜セルロースアシレートフィルム試料２２８の作製>
上記セルロースアシレート溶液Ｔ−１４を９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液Ｕ−３６を４．１質量部それぞれ濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学異方性を低下させる化合物および波長分散調整剤のセルロースアシレートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．２％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアシレートフィルム試料２２８を製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は８０μｍであった。

［表面処理］
次に、作製したセルロースアシレートフィルム試料００２に対し下記表面処理を行った。

（処理１）
作製したセルロースアシレートフィルム試料００２を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をアルカリケン化したフィルム試料００２Ａを作製した。

（処理２）
作製したセルロースアシレートフィルム試料００２を、０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液に、２０℃で１０分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をアルカリケン化したフィルム試料００２Ｂを作製した。

（フィルム試料２０１〜２２８の表面処理）
作製したフィルム試料２０１〜２２８についても、試料００２と同様にして表１７に記載の処理方法を行ったフィルム試料（処理方法により、それぞれフィルム試料名末尾にＡないしＢを追加）を作製した。

＜表面エネルギーの測定＞
作製した各フィルム試料の表面エネルギーを下記方法により測定した。すなわち、試料中央部より３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさにサンプリングしたのち、２５℃６０％ＲＨで２時間調湿し、水平な台の上に水平にのせて試料表面に一定量（２０μｌ）の水、およびヨウ化メチレンをのせてから一定時間（３０秒）後の試料表面での水、およびヨウ化メチレンの接触角を求めた。更に測定した接触角から、Ｏｗｅｎｓの方法により表面エネルギーを求めた。
また、試料より幅方向に３０ｍｍ間隔で１５枚、流延方向に５０ｍｍの間隔で５０枚を、３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさにサンプリングし、上記と同様の方法により表面エネルギーを測定し、その最大値と最小値の差の絶対値ΔＥをバラツキの指標とした。

＜光学性能の評価＞
作製したフィルム試料について、本文中に記載の方法にて、Ｒｅ₍₆₃₀₎、Ｒｔｈ₍₆₃₀₎、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜、｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜、およびＲｅ₍₆₃₀₎、Ｒｔｈ₍₆₃₀₎のバラツキΔＲｅ₍₆₃₀₎、ΔＲｔｈ₍₆₃₀₎、の光学性能の評価、及び遅相軸の方向の検出を行った。

＜クロスニコルムラの評価＞
作製したフィルム試料を、偏光板のクロスニコル時の偏光板と偏光板の間に挟み込み、垂直方向、およびナナメ視野から目視にてムラの観察を行い、面状の評価を行った。
○：ムラ無し
△：ムラ有るが目立たない
×：ムラ有り

［偏光板貼合試験］
作製した表面処理済のフィルム試料、および表面処理無しのフィルム試料に対し、下記の偏光板貼合試験を行った。
すなわち、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。作製したフィルム試料２０１Ａを２枚用意しての片方の面（表面処理済のフィルム試料では表面処理済の面）を偏光膜側にしながら偏光膜を間にしてポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り合わせ、両面がセルロースアシレートフィルム２０１Ａによって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアシレートフィルム試料２０１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして作製した表面処理済のフィルム試料、および表面処理なしのフィルム試料（いずれも、表１６〜表１７に記載のセルロースアシレートフィルム試料）についても偏光板を作製した。

＜密着耐久性１＞
作製した偏光板試料の密着耐久性試験を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料を６０℃／９０％ＲＨの条件下に２００時間放置し、放置後の貼合面の剥れ、およびクロスニコル時のムラの有無で評価した。
１）剥れ
○：剥れ無し
×：剥れ有り
２）ムラ
○：ムラ無し
×：ムラ有り

＜密着耐久性２＞
作製した偏光板試料の密着耐久性試験を以下の方法で試験した。すなわち、偏光板試料を８０℃の条件下に２００時間放置し、放置後の貼合面の剥れ、およびクロスニコル時のムラの有無で評価した。
１）剥れ
○：剥れ無し
×：剥れ有り
２）ムラ
○：ムラ無し
×：ムラ有り

以上の作製したフィルム試料及び偏光板の測定ないし評価結果を、表１６〜表１７に示す。

以上の結果より、本発明に記載の化合物を用いて作製した本発明のフィルム試料は、光学異方性を低くできることがわかった。また、更にｐＫaが１４以上であるか、またはアルカリケン化液への溶解度が小さい化合物を使用することで、光学性能をフィルム面内でムラが無く安定に維持することができ、かつ、表面エネルギーを所望の範囲内とすることで偏光板加工性を付与でき、更に作製した偏光板の耐久性を付与することができることが分かった。

［実施例６：ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価］
実施例５で作製したセルロースアシレートフィルム試料を用いて、液晶表示装置へ実装評価してその光学性能が十分であるか確認した。なお本実施例ではＩＰＳ型液晶セル、他の実施例ではＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いるが、本発明の高分子フィルムを用いた偏光板または光学補償フィルムの用途は、これらの液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。

実施例５でセルロースアシレートフィルム試料２０１Ａから作製した偏光板２０１Ａに対し、アートンフィルム(ＪＳＲ社製)を一軸延伸した光学補償フィルムを貼合して光学補償機能を持たせた。この際、光学補償フィルムの面内レターデーションの遅相軸を偏光板２０１Ａの透過軸と直交させることで、正面特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フィルムの面内レターデーションＲｅは２７０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは０ｎｍでＮｚファクターは０．５のものを用いた。

作製した上記の偏光板２０１Ａと光学補償フィルムの積層体を２組用意し、光学補償フィルムが各々液晶セル側となるように、「偏光板２０１Ａと光学補償フィルムの積層体＋ＩＰＳ型の液晶セル＋光学補償フィルムと偏光板２０１Ａの積層体」の順番に重ね合わせて組み込んだ表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板２０１Ａの透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できる。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０μｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。

同様にして、他のセルロースアシレートフィルム試料についても、偏光板２０１Ａと同様にして、実施例５と同様の方法により偏光板を作製後、光学補償フィルムを貼合した積層体を２組用意して、ＩＰＳ液晶セルと組み込んだ表示装置を作製した。

以上のようにして作製した液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定した結果を表１８に記載した。この値が小さいほど斜め４５度方向での光漏れが少なく、表示装置のコントラストが良いことを示し、液晶表示装置の視野角特性を評価できる。光漏れ率が１／５０から１／４といずれも小さくなった。また、表示装置の色味変化が小さくなった。これは本発明に係るセルロースアシレートフィルム試料のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散性が優れている（波長依存性が小さい）ために、どの波長においても同様の光学補償性能を持つことを示している。また、表面処理の方法を変更しても、表面エネルギーが所定の範囲内に入り、偏光板加工適性と偏光板耐久性がある試料であれば、いずれも良好な表示性能を得られることが分かった。以上のように本発明の高分子フィルムにより作製した光学補償フィルムおよび偏光板が、視野角特性に優れ、表示色味を変化しにくいことがわかった。

［実施例７：ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価］
実施例５で得たセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶性分子を含む光学異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

［実施例８：光学補償フィルム性能］
実施例５で得たセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フィルム試料を作製した。得られたフィルターフィルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアシレートフィルムが、光学的用途として優れたものであることが判った。

波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さく、かつ波長によるＲｅやＲｔｈの変化が小さいセルロースアシレートフィルムにおいて、更に表面エネルギー状態を制御して、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体等への加工適性と加工後の耐久性を付与することにより、波長依存性の小さい、すなわち表示色味の改善された画像表示装置の分野に応用することができる。

［実施例９］（光学補償フィルム性能）
本発明の高分子フィルム試料を用いて、特開２００３−３１５５４１号公報の実施例１に記載の方法に準じて以下のように光学補償フィルム試料を作製した。
２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）から合成された、質量平均分子量（Ｍｗ）７万、△ｎが約０．０４のポリイミドを、溶媒にシクロヘキサノンを用い２５ｗｔ％に調製した溶液を、実施例１で作製した本発明の高分子フィルム試料１１４（厚さ８０μｍ）に塗布した。その後１００℃で１０分熱処理後、１６０℃で１５％縦一軸延伸することにより厚さ６μｍのポリイミドフィルムが本発明の高分子フィルム試料１１４に塗布された光学補償フィルムを得た。この光学補償フィルムの光学特性は、Ｒｅ＝７２ｎｍ、Ｒｔｈ＝２２０ｎｍ、配向軸のズレ角度は±０．３度以内で、ｎx＞ｎy＞ｎzの複屈折層を持つ光学補償フィルムであった。

（比較例）
上記の高分子フィルム試料１１４の代わりに、フィルム試料００１（厚さ８０μｍ）に塗布した以外は同様の操作により、厚さ６μｍのポリイミドフィルムがフィルム試料００１の高分子フィルムに塗布された光学補償フィルムを得た。この光学補償フィルムの光学特性は、Ｒｅ＝７５ｎｍ、Ｒｔｈ＝２８０ｎｍであった。

（ＶＡ型液晶表示装置への実装評価）
上記実施例９および比較例で得られた光学補償フィルムの、ポリイミドフィルムを塗布していない側をアルカリケン化処理しポリビニルアルコール系接着剤で偏光子と接着することにより、直接偏光子と貼り合せた。この際光学補償フィルムのｎx方向と偏光板の吸収軸が直交するように貼り合せた。これら光学補償フィルムが液晶セル側となるように粘着剤でＶＡ液晶パネルに張り合わせた。なお、液晶セルの反対側には偏光板の吸収軸同士が直交するように偏光板のみを粘着剤を介してＶＡ液晶パネルに貼り合せた。以上のようにして得られた液晶表示装置の視野角特性を測定したところ、実施例１で得られた本発明の高分子フィルム試料１１４より得られた光学補償フィルムはフィルム試料００１から得た光学補償フィルムよりも左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明の高分子フィルムが、ＶＡ用の位相差フィルムとして用いる際にも優れたものであることが判った。
［実施例１０］
（高分子フィルムの作製）
本発明の高分子フィルムの素材としてセルロースアシレートを用いた。
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液を調製した。なお、セルロースアシレートとしてはアシル化度が異なる三種類（Ａｃ：ＯＨ＝２．８６：０．１４）、（Ａｃ：ＯＨ＝２．９２：０．０８）、(Ａｃ：Ｐｒｏ：ＯＨ＝１．９：０．８：０．３)を用いた（カッコ内Ａｃはアセチル置換基、Ｐｒｏはプロピオニル置換基、ＯＨは置換されていない水酸基を表し、比率はアシル化度の比率を表す）。

（セルロースアシレート溶液組成）
セルロースアシレート１００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）６０．０質量部

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液１０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）３．４質量部
上記セルロースアシレート溶液１０．３質量部

＜添加剤溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液を調製した。光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）を低下させる化合物および波長分散調整剤については下記表１９に示すものを用いた。

（添加剤溶液組成）
光学異方性を低下させる化合物４９．３質量部
波長分散調整剤７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）８．７質量部
セルロースアシレート溶液１２．８質量部

＜セルロースアシレートフィルム試料３０１〜３０５の作製＞
上記セルロースアシレート溶液を９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液を４．１質量部それぞれ濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学異方性を低下させる化合物および波長分散調整剤のセルロースアシレートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．２％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１３０℃で２０分間乾燥させセルロースアシレートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルムの残留溶剤量は０．１％未満であり、膜厚は８０μｍであった。

（比較例）
上記実施例１０で用いた光学異方性を低下させる化合物および波長分散調整剤を用いずに、それ以外は実施例１０と同様にして比較フィルム試料００３Ａを作製した。
同様にして、光学異方性を低下させる化合物の代わりにセルロースアシレートに用いられる可塑剤であるＴＰＰ（トリフェニルフォスフェート）を用いる以外は実施例１０と同様にして比較フィルム試料００３Ｂを作製した。

上記実施例１０にて作製した本発明の試料および比較試料の評価結果を表１９に示した。本発明においてのぞましく用いられる化合物を用いた高分子フィルムサンプルは、比較例のサンプルよりもＲｅ、Ｒｔｈが小さい。一般に低分子化合物はセルロースアシレートフィルムに疎水性を付与しているが、比較試料００３Ａでは低分子化合物を全く用いないためにフィルム表面が親水的でアルカリ溶液によって浸漬されやすい。また比較試料００３Ｂではセルロースアシレートと親和性が高くない化合物を用いているために化合物が比較的容易にアルカリ溶液に溶出しやすく、フィルムがアルカリ溶液で浸漬されやすいためにＲｅ、Ｒｔｈが変化しやすい。
一方、本発明においてはセルロースアシレートと親和性の高い低分子化合物を用いているためアルカリケン化溶液への溶出度が小さく、ケン化液の４５０ｎｍにおける吸光度も小さい。すなわち低分子化合物がケン化処理前後でフィルムから溶出せず、フィルム中にとどまるようにすることにより、ケン化前後におけるＲｅ、Ｒｔｈの変化を小さくすることができた。

ここで、具体的なアルカリケン化処理は、１０ｃｍ×１０ｃｍのフィルムサンプルを５５℃、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬した後、３０℃で０．１規定の硫酸溶液で中和し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、１００℃で乾燥するサイクルで行った。

本発明のプラズマ処理に使用することができる、大気圧プラズマ処理装置の一例を示す断面図である。同じく、真空プラズマ処理を連続的に行う装置の一例を示す断面図である。同じく、フレーム（火炎）処理によるプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。

符号の説明

１電極
２試料
４流入口
５流出口
Ｆ試料フィルム
１２処理室
１３、１４電極
１５高周波電源
６流入口
７流出口
Ｂバーナー
Ｃ遮蔽板（外炎規制装置）
Ｅ、Ｅ′ 外炎
Ｇ有効炎
Ｉ内炎
Ｓ有効処理孔（スリット）

Claims

正面レターデーション値Ｒｅ_(λ)および膜厚方向のレターデーション値Ｒｔｈ_(λ)（λは波長（ｎｍ）を示す。）が、下記式（ｉ）および（ii）を満たし、更に少なくとも片側の面の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする高分子フィルム。
（ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
（ii）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
前記表面エネルギーの面内バラツキ値ΔＥが１０以下であることを特徴とする請求項１に記載の高分子フィルム。
フィルムの少なくとも片側の面が表面処理された面であり、該表面処理された面の、表面処理前の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であって、かつ表面処理後の表面エネルギーが前記５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子フィルム。
Ｒｅ_(λ)およびＲｔｈ_(λ)の面内バラツキ値ΔＲｅ_(λ)およびΔＲｔｈ_(λ)が、下記式（iii）および（iv）を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子フィルム。
（iii） ΔＲｅ_(λ)≦５
（iv） ΔＲｔｈ_(λ)≦１０
前記表面処理した前後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化が、下記式（ｖ）および（vi）を満たすことを特徴とする請求項３または４に記載の高分子フィルム。
（ｖ）｜Ｒｅ−Ｒｅ’｜≦１０
（vi）｜Ｒｔｈ−Ｒｔｈ’｜≦２０
ここで、
Ｒｅ：表面処理前のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｅ’：表面処理後のフィルム面内のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｔｈ：表面処理前のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）
Ｒｔｈ’：表面処理後のフィルム膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）
である。
光学異方性を低下させる化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の高分子フィルム。
下記式（vii）を満たす前記光学異方性を低下させる化合物を、下記式（viii）を満たす範囲で含有することを特徴とする請求項６に記載の高分子フィルム。
（vii）（Ｒｔｈ_A−Ｒｔｈ₀）／Ａ≦−１．０
（viii）０．０１≦Ａ≦３０
ここで、
Ｒｔｈ_Aは上記化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、
Ｒｔｈ₀は上記化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、
Ａはフィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの上記化合物の質量（％）
を表す。
前記光学異方性を低下させる化合物として、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物を含有することを特徴とする請求項６または７に記載の高分子フィルム。
｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の高分子フィルム。
前記表面処理がアルカリケン化処理であることを特徴とする請求項３〜９のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルム表面をアルカリケン化処理した際の、前記光学異方性を低下させる化合物のアルカリ溶液への溶出度が、２０質量％以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルム表面をアルカリケン化処理した後の、アルカリ溶液の４５０ｎｍにおける吸光度が０．１以下であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の高分子フィルム。
未表面処理のフィルム表面を１．５ＮのＮａＯＨ水溶液を用いて５５℃の温度条件にてアルカリケン化処理する際に、表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上となるのに要する時間が１分以内であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の高分子フィルム。
前記光学異方性を低下させる化合物のｐＫａが、１４以上であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子フィルム。
前記表面処理がプラズマ処理であることを特徴とする請求項３〜９のいずれかに記載の高分子フィルム。
前記表面処理がコロナ処理であることを特徴とする請求項３〜９のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルムを形成するポリマー原料としてセルロースアシレートを含有する請求項１〜１６のいずれかに記載の高分子フィルム。
前記セルロースアシレートのアシル置換度が２．５０〜３．００のであることを特徴とする請求項１７に記載の高分子フィルム。
前記セルロースアシレートのアシル置換基が実質的にアセチル基のみからなり、その全置換度が２．８０〜２．９９であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする請求項１７に記載の高分子フィルム。
前記セルロースアシレートのアシル置換基が実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなり、アシル置換度が２．５０〜３．００のセルロースアシレートからなることを特徴とする請求項１７に記載の高分子フィルム。
フィルムの面内方向の遅相軸がフィルムの機械搬送方向（ＭＤ方向）、またはフィルムの機械搬送方向に対して垂直方向（ＴＤ方向）であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルムの膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルムの幅が１３５０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載の高分子フィルム。
フィルムが長さ１５００ｍ以上の長尺フィルムであることを特徴とする請求項１〜２３のいずれかに記載の高分子フィルム。
請求項１〜２４のいずれかに記載の高分子フィルムの表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下である面のうちの少なくとも片側の面上に更に接着剤層が形成されていることを特徴とする接着剤層付き高分子フィルム。
請求項１〜２５のいずれかに記載の高分子フィルムに、下記式（ix）をみたす光学異方性層を設けたことを特徴とする光学補償フィルム。
（ix）Ｒｅ＝０〜２００（ｎｍ）かつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００（ｎｍ）
前記光学異方性層がディスコティック液晶性化合物を含有することを特徴とする請求項２６に記載の光学補償フィルム。
前記光学異方性層が棒状液晶性化合物を含有することを特徴とする請求項２５または２７に記載の光学補償フィルム。
前記光学異方性層が複屈折を持つポリマーフィルムから形成されることを特徴とする請求項２６〜２８のいずれかに記載の光学補償フィルム。
前記光学異方性層を形成する前記ポリマーフィルムが、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドポリエステルイミド、およびポリアリールエーテルケトン、からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリマー材料を含有することを特徴とする請求項２９に記載の光学補償フィルム。
請求項１〜２５のいずれかに記載の高分子フィルム、または請求項２６〜３０のいずれかに記載の光学補償フィルムを少なくとも１枚用いて偏光子の保護フィルムとしたことを特徴とする偏光板。
表面にハードコート層、防眩層、反射防止層の少なくとも一層を設けたことを特徴とする請求項３１に記載の偏光板。
請求項１〜２５のいずれかに記載の高分子フィルム、請求項２６〜３０のいずれかに記載の光学補償フィルム、請求項３１または３２に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
請求項１〜２５のいずれかに記載の高分子フィルム、請求項２６〜３０のいずれかに記載の光学補償フィルム、請求項３１または３２に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とするＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置。