JP2002082226A

JP2002082226A - 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Info

Publication number: JP2002082226A
Application number: JP2001071623A
Authority: JP
Inventors: Yoji Ito; 洋士伊藤
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-06-21
Filing date: 2001-03-14
Publication date: 2002-03-22

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶セルを光学的に補償できるセルロースア
セテートフィルムからなる光学補償シートと、該フィル
ムを利用した偏光板および液晶表示装置を提供する。【解決手段】酢化度が５９．０乃至６１．５％である
セルロースアセテートおよびセルロースアセテート１０
０質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、Ｒｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、Ｒthレター
デーション値が７０乃至４００ｎｍであり、そして、少
なくとも一方の面の表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ
／ｍであるセルロースアセテートフイルムを光学補償シ
ートとして利用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セルロースアセテ
ートフイルムからなる光学補償シートおよびそれを用い
た偏光板と液晶表示装置とに関する。

【０００２】

【従来の技術】セルロースアセテートフイルムは、その
強靭性と難燃性から各種の写真材料や光学材料に用いら
れている。セルロースアセテートフイルムは、代表的な
写真感光材料の支持体である。また、セルロースアセテ
ートフイルムは、液晶表示装置にも用いられている。セ
ルロースアセテートフイルムには、他のポリマーフイル
ムと比較して、光学的等方性が高い（レターデーション
値が低い）との特徴がある。従って、光学的等方性が要
求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテー
トフイルムを用いることが普通である。液晶表示装置の
光学補償シート（位相差フイルム）には、逆に光学的異
方性（高いレターデーション値）が要求される。従っ
て、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフイル
ムやポリスルホンフイルムのようなレターデーション値
が高い合成ポリマーフイルムを用いることが普通であ
る。

【０００３】以上のように光学材料の技術分野では、ポ
リマーフイルムに光学的異方性（高いレターデーション
値）が要求される場合には合成ポリマーフイルムを使用
し、光学的等方性（低いレターデーション値）が要求さ
れる場合にはセルロースアセテートフイルムを使用する
ことが一般的な原則であった。欧州特許０９１１６５６
Ａ２号明細書には、従来の一般的な原則を覆して、光学
的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデ
ーション値を有するセルロースアセテートフイルムが開
示されている。このセルロースアセテートフィルムを偏
光板と液晶セルの間に挿入することにより表示品位の高
い液晶表示装置の得られることが記載されている。しか
し、表示品位は高くなるものの、偏光板と液晶セルの間
に、新たにフィルムを挿入するため、液晶表示装置が厚
くなる、もしくは、バックライトからの熱により生じる
歪みが原因で額縁状に透過率が上昇するなどの問題点が
あった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セル
ロースアセテートフイルムからなる光学補償シートによ
り、液晶セルを光学的に補償することである。別の本発
明の目的は、液晶セルを光学的に補償でき、そして偏光
膜との接着性に優れた、表面エネルギーが５５乃至７５
ｍＮ／ｍであるセルロースアセテートフィルムからなる
光学補償シートを提供することである。さらに別の本発
明の目的は、偏光膜と表面エネルギーが５５乃至７５ｍ
Ｎ／ｍであるセルロースアセテートフィルムを一体化さ
せて偏光板とし、偏光板の構成要素の数を増加すること
なく、偏光板に光学補償機能を追加することである。さ
らにまた別の本発明の目的は、セルロースアセテートフ
イルムによって光学的に補償された液晶表示装置を提供
することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、酢化度が５
９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテートおよ
びセルロースアセテート１００質量部に対して、少なく
とも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃
至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、下記式（I
I）で定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４
００ｎｍであり、そして、少なくとも一方の面の表面エ
ネルギーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであるセルロースアセ
テートフイルムからなることを特徴とする光学補償シー
トにある。（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率であ
り、ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り、ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり、そし
て、ｄは、フイルムの厚さである。

【０００６】本発明の光学補償シートにおいては、該光
学補償シートが、３乃至１００％の延伸倍率での延伸物
であるセルロースアセテートフイルムからなることが好
ましく、また、芳香族化合物が、少なくとも一つの１，
３，５−トリアジン環を有することが好ましい。また、
セルロースアセテートフイルムが、溶液製膜法により製
膜されたフイルムであり、製膜に用いる溶媒が、炭素数
３乃至１２のエーテル、炭素数３乃至１２のケトン、も
しくは炭素数３乃至１２のエステルであることが好まし
い。また、セルロースアセテートフイルムが、６位水酸
基の置換度が、２，３位に比べて多いセルロースアセテ
ートを主成分とすることが好ましい。また、本発明の光
学補償シートの少なくとも一方の面に、規定濃度が０．
１Ｎ乃至３．０Ｎのアルカリ溶液を用いたアルカリケン
化処理がされているか、あるいは、放電周波数が５０Ｈ
ｚ乃至５０００ｋＨｚのコロナ放電処理がされているこ
とが好ましい。

【０００７】また本発明は、偏光膜およびその両側に配
置された二枚の透明保護膜からなる偏光板であって、透
明保護膜の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％で
あるセルロースアセテート、および少なくとも二つの芳
香族環を有する芳香族化合物をセルロースアセテート１
００質量部に対して０．０１乃至２０質量部含み、下記
式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃
至７０ｎｍであり、下記式（II）で定義されるＲthレタ
ーデーション値が７０乃至４００ｎｍであり、そして、
偏光膜に接する面の表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ
／ｍであるセルロースアセテートフイルムからなり、さ
らに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜
の透過軸とが実質的に平行になるように配置されている
ことを特徴とする偏光板にもある。（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率であ
り、ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り、ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり、そし
て、ｄは、フイルムの厚さである。

【０００８】更にまた本発明は、液晶セルおよびその両
側に配置された二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜
およびその両側に配置された二枚の透明保護膜からなる
液晶表示装置であって、液晶セルと一方の偏光板との間
に、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロース
アセテート、および少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物をセルロースアセテート１００質量部に対
して０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義
されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍであ
り、下記式（II）で定義されるＲthレターデーション値
が７０乃至４００ｎｍであり、そして、少なくとも一方
の面の表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであるセ
ルロースアセテートフイルムからなる光学補償シートが
配置されており、さらに、セルロースアセテートフイル
ムの遅相軸とセルロースアセテートフイルムに隣接する
偏光膜の透過軸とが実質的に平行になるように配置され
ている液晶表示装置にもある。（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率であ
り、ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り、ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり、そし
て、ｄは、フイルムの厚さである。また、本発明の液晶
表示装置においては、液晶セルが、ＯＣＢモード、ＶＡ
モード、またはＴＮモードの液晶セルであることが好ま
しい。

【０００９】

【発明の実施の形態】［フイルムのレターデーション］
フイルムのＲｅレターデーション値およびＲthレターデ
ーション値は、それぞれ、下記式（Ｉ）および（II）で
定義される。（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ式（Ｉ）および（II）において、ｎｘは、フイルム面内
の遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率であ
る。式（Ｉ）および（II）において、ｎｙは、フイルム面内
の進相軸方向（屈折率が最小となる方向）の屈折率であ
る。式（II）において、ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折
率である。式（Ｉ）および（II）において、ｄは、単位
をｎｍとするフイルムの厚さである。

【００１０】本発明では、セルロースアセテートフイル
ムのＲｅレターデーション値を２０乃至７０ｎｍに、そ
して、Ｒthレターデーション値が７０乃至４００ｎｍに
調節する。液晶表示装置に二枚の光学的異方性セルロー
スアセテートフイルムを使用する場合、フイルムのＲth
レターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが
好ましい。液晶表示装置に一枚の光学的異方性セルロー
スアセテートフイルムを使用する場合、フイルムのＲth
レターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであること
が好ましい。なお、セルロースアセテートフイルムの複
屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．０００２５乃至
０．０００８８であることが好ましい。また、セルロー
スアセテートフイルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎｘ＋
ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．０００８８乃至０．００５
であることが好ましい。

【００１１】［セルロースアセテート］本発明では、酢
化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテ
ートを使用する。酢化度とは、セルロース単位重量当た
りの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ−
８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）にお
けるアセチル化度の測定および計算に従う。セルロース
エステルの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であ
ることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ま
しい。また、本発明に使用するセルロースエステルは、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／
Ｍｎ（Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の
分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎ
の値としては、１．０乃至１．７であることが好まし
く、１．３乃至１．６５であることがさらに好ましく、
１．４乃至１．６であることが最も好ましい。一般に、
セルロースアセテートの２，３，６の水酸基は全体の置
換度の１／３づつに均等に分配されるわけではなく、６
位水酸基の置換度が小さくなる傾向がある。本発明では
セルロースアセテートの６位水酸基の置換度が、２，３
位に比べて多いほうが好ましい。全体の置換度に対して
６位の水酸基が３０％以上アセチル基で置換されている
ことが好ましく、更には３１％以上、特に３２％以上で
あることが好ましい。さらにセルロースアセテートの６
位アセチル基の置換度が０．８８以上であることが好ま
しい。６位水酸基は、アセチル基以外に炭素数３以上の
アシル基であるプロピオニル基、ブチロイル基、バレロ
イル基、ベンゾイル基、アクリロイル基などで置換され
ているものも本発明の光学補償シートとして用いること
が出来る。各位置の置換度の測定は、ＮＭＲによって求
める事ができる。本発明のセルロースアセテートとし
て、特開平１１−５８５１号公報の段落番号００４３〜
００４４に記載されている合成例１、段落番号００４８
〜００４９に記載されている合成例２、および段落番号
００５１〜００５２に記載されている合成例３の方法で
得られたセルロースアセテートを用いることができる。

【００１２】［レターデーション上昇剤］セルロースア
セテートフイルムのレターデーションを調整するため、
少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレタ
ーデーション上昇剤として使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１
乃至２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セ
ルロースアセテート１００質量部に対して、０．０５乃
至１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
乃至１０質量部の範囲で使用することがさらに好まし
い。二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香
族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、
芳香族性ヘテロ環を含む。

【００１３】芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環または７員環であることが好まし
く、５員環または６員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，
５−トリアジン環が含まれる。芳香族環としては、ベン
ゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および
１，３，５−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環およ
び１，３，５−トリアジン環がさらに好ましい。芳香族
化合物は、少なくとも一つの１，３，５−トリアジン環
を有することが特に好ましい。

【００１４】芳香族化合物が有する芳香族環の数は、２
乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であること
がより好ましく、２乃至８であることがさらに好まし
く、２乃至６であることが最も好ましい。二つの芳香族
環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）
単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合
する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は
形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれ
でもよい。

【００１５】（ａ）の縮合環（二つ以上の芳香族環の縮
合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ナフタセン環、ピレン環、イン
ドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾ
チオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール
環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベン
ゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメ
ン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キ
ナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジ
ン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、
フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フ
ェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン
環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、ア
ズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベン
ゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリア
ゾール環およびキノリン環が好ましい。（ｂ）の単結合
は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好
ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、
二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環
を形成してもよい。

【００１６】（ｃ）の連結基も、二つの芳香族環の炭素
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。ｃ１：−ＣＯ−Ｏ− ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ− ｃ３：−アルキレン−Ｏ− ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ− ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ− ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ− ｃ７：−Ｏ−アルキレン−Ｏ− ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン− ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン−ＮＨ− ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン−Ｏ− ｃ11：−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−ＣＯ
−アルキレン− ｃ12：−Ｏ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−
ＣＯ−アルキレン−Ｏ− ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ− ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン− ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン−

【００１７】芳香族環および連結基は、置換基を有して
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。

【００１８】アルキル基の炭素原子数は、１乃至８であ
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基（例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有して
いてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例
には、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシル、２
−ヒドロキシエチル、４−カルボキシブチル、２−メト
キシエチルおよび２−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至８であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび１−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至
８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、１−ブ
チニルおよび１−ヘキシニルが含まれる。

【００１９】脂肪族アシル基の炭素原子数は、１乃至１
０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１０である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基（例、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコ
キシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至
１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、２乃至１０であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。

【００２０】アルキルチオ基の炭素原子数は、１乃至１
２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至８である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。、脂
肪族アミド基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含
まれる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の
例には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミド
およびｎ−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族
置換アミノ基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび２−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、２乃至１０であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、２乃至１０であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ま
しい

【００２１】［セルロースアセテートフイルムの製造］
ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフイ
ルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法
では、セルロースアセテートを有機溶媒に溶解した溶液
（ドープ）を用いてフイルムを製造する。有機溶媒は、
炭素原子数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃
至１２のケトン、炭素原子数が３乃至１２のエステルお
よび炭素原子数が１乃至６のハロゲン化炭化水素から選
ばれる溶媒を含むことが好ましい。エーテル、ケトンお
よびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテ
ル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ
−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上
有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。
有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を
有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶
媒の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有す
る化合物の規定範囲内であればよい。

【００２２】炭素原子数が３乃至１２のエーテル類の例
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が３乃至１２のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３乃至
１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノー
ルおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好
ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３
０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至
６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０
モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。

【００２３】一般的な方法でセルロースアセテート溶液
を調製できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常
温または高温）で、処理することを意味する。溶液の調
製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調
製方法および装置を用いて実施することができる。な
お、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化
炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ま
しい。セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に
１０乃至４０重量％含まれるように調整する。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する
任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温
（０乃至４０℃）でセルロースアセテートと有機溶媒と
を攪拌することにより調製することができる。高濃度の
溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体
的には、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器
に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以
上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪
拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好まし
くは６０乃至２００℃であり、さらに好ましくは８０乃
至１１０℃である。

【００２４】各成分は予め粗混合してから容器に入れて
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。

【００２５】冷却溶解法により、溶液を調製することも
できる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させ
ることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを
溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセル
ロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶
解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果があ
る。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロ
ースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロ
ースアセテートの量は、この混合物中に１０乃至４０重
量％含まれるように調整することが好ましい。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の
添加剤を添加しておいてもよい。

【００２６】次に、混合物を−１００乃至−１０℃（好
ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０
乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃）に
冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール
浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液
（−３０乃至−２０℃）中で実施できる。このように冷
却すると、セルロースアセテートと有機溶媒の混合物は
固化する。冷却速度は、４℃／分以上であることが好ま
しく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２
℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速
いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限で
あり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１
００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、
冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷
却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間
で割った値である。

【００２７】さらに、これを０乃至２００℃（好ましく
は０乃至１５０℃、さらに好ましくは０乃至１２０℃、
最も好ましくは０乃至５０℃）に加温すると、有機溶媒
中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中
に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。加
温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／
分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上で
あることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好まし
いが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１００
０℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が
実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始す
る時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始して
から最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値で
ある。以上のようにして、均一な溶液が得られる。な
お、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り
返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視によ
り溶液の外観を観察するだけで判断することができる。

【００２８】冷却溶解法においては、冷却時の結露によ
る水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ま
しい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、
加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。なお、セルロースアセテート
（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷
却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０重量
％の溶液は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によると、３
３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在
し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、
この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移
温度プラス１０℃程度の温度で保存する必要がある。た
だし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの
酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒
により異なる。

【００２９】調製したセルロースアセテート溶液（ドー
プ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセ
テートフイルムを製造する。ドープは、ドラムまたはバ
ンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成す
る。流延前のドープは、固形分量が１８乃至３５％とな
るように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたは
バンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好まし
い。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法
については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６
０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同
２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０
６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１
号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５
４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４
号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号
の各公報に記載がある。ドープは、表面温度が１０℃以
下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好まし
い。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取
り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高
温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以
上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載があ
る。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を
短縮することが可能である。この方法を実施するために
は、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてド
ープがゲル化することが必要である。

【００３０】セルロースアセテートフイルムには、機械
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣ
Ｐ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭ
Ｐ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレ
ート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジ
フェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシル
フタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステル
の例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴ
Ｅ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴ
Ｂ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥ
Ｐ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用
いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースエステルの量の０．１乃至２５
重量％であることが好ましく、１乃至２０重量％である
ことがさらに好ましく、３乃至１５重量％であることが
最も好ましい。

【００３１】セルロースアセテートフイルムには、劣化
防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０
１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９
号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各
公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶
液（ドープ）の０．０１乃至１重量％であることが好ま
しく、０．０１乃至０．２重量％であることがさらに好
ましい。添加量が０．０１重量％未満であると、劣化防
止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１重量％
を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードア
ウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好まし
い劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエ
ン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げる
ことができる。

【００３２】セルロースアセテートフイルムは、さらに
延伸処理によりレターデーションをを調整することがで
きる。延伸倍率は、３乃至１００％であることが好まし
い。セルロースアセテートフイルムの厚さは、４０乃至
１４０μｍであることが好ましく、７０乃至１２０μｍ
であることがさらに好ましい。

【００３３】［セルロースアセテートフイルムの表面処
理］セルロースアセテートフィルムの表面エネルギーを
５５乃至７５ｍＮ／ｍとするには、表面処理を施すこと
が好ましい。表面処理の例として、ケン化処理、プラズ
マ処理、火炎処理、および紫外線照射処理が挙げられ
る。ケン化処理には、酸ケン化処理およびアルカリケン
化処理が含まれる。プラズマ処理にはコロナ放電処理お
よびグロー放電処理が含まれる。フィルムの平面性を保
つために、これらの表面処理においては、セルロースア
セテートフィルムの温度をガラス転移温度（Ｔｇ）以
下、具体的には１５０℃以下とすることが好ましい。こ
れらの表面処理後のセルロースアセテートフィルムの表
面エネルギーは５５乃至７５ｍＮ／ｍであることが好ま
しく、６０乃至７５ｍＮ／ｍであることがさらに好まし
い。

【００３４】アルカリケン化処理は、セルロースアセテ
ートフィルムをアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で
中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好
ましい。アルカリ溶液の例としては、水酸化カリウム溶
液、および水酸化ナトリウム溶液が挙げられる。アルカ
リ溶液中の水酸化イオンの規定濃度は、０．１Ｎ乃至
３．０Ｎであることが好ましく、０．５Ｎ乃至２．０Ｎ
であることがさらに好ましい。アルカリ溶液の温度は、
０乃至９０℃の範囲が好ましく、４０乃至７０℃がさら
に好ましい。アルカリ溶液にはセルロースアセテートフ
イルムを溶解せず、かつ膨潤させない溶媒を用いること
が好ましい。具体的には、イソプロピルアルコール、ブ
チルアルコール等のアルコール類が好ましく用いられ
る。また、２種類の溶媒を混合することで、膨潤等を制
御することも好ましい。これら有機溶剤に溶解するのに
好ましいアルカリは水酸化カリウムが挙げられる。アル
カリ溶液を、セルロースアセテートフイルムに塗布し、
鹸化が進行した後、水洗により除去することで、表面エ
ネルギーを制御することが好ましい。この場合、アルカ
リが乾燥してしまうと水洗効率が落ちるため、アルカリ
溶液に乾燥防止用の添加剤を入れることが好ましい。具
体的には、ポリエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、等のグリセリン類が好ま
しく挙げられる。さらにこれら湿潤剤は、アルカリ溶液
の相分離防止に効果のあることもある。

【００３５】コロナ放電処理は、高電圧発生装置に接続
した電極と誘電体ロールの間に高電圧を印加して、電極
と誘電体ロールの間に発生したコロナ放電中にセルロー
スアセテートフィルムを置くか、あるいは移動させるこ
とにより行われる。また、本明細書では電極と誘電体ロ
ール間に印加する高電圧の周波数を放電周波数と記載す
る。コロナ放電処理は大気中で行うと簡便であるが、必
要に応じて処理装置を密閉あるいは半密閉状態にして、
他のガスで充満させた状態か、他のガスと大気が混合し
た状態で処理することもできる。ガスの例として窒素ガ
ス、アルゴンガス、酸素ガスなどが挙げられる。コロナ
放電処理において、放電周波数は、一般的に５０Ｈｚ〜
５０００ｋＨｚであり、５ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚがよ
り好ましい。コロナ処理において、放電周波数が低すぎ
ると、放電が不安定になり、かつセルロースアセテート
フィルムにピンホールが生じるために好ましくない。ま
た、放電周波数が高すぎると、インピーダンスマッチン
グのための追加装置が必要となり、装置の価格が高くな
るために好ましくない。通常の濡れ性改良の為には、セ
ルロースアセテートフィルムのコロナ放電処理を、０．
００１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²〜５ｋＶ・Ａ・分／ｍ²とす
ることが好ましく、０．０１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²〜１ｋ
Ｖ・Ａ・分／ｍ²とすることがさらに好ましい。電極と
誘電体ロールの間隔は０．５乃至２．５ｍｍであること
が好ましく、１．０乃至２．０ｍｍであることがさらに
好ましい。

【００３６】グロー放電処理は、低圧ガス中において、
一対以上の電極間に高電圧を印加して、電極間に発生し
たグロー放電中にセルロースアセテートフィルムを置く
か、あるいは移動させることにより行われる。グロー放
電処理における、ガスの圧力は、一般的に０．００５〜
２０Ｔｏｒｒの範囲であり、０．０２〜２Ｔｏｒｒの範
囲がより好ましい。圧力が低すぎると表面処理効果が低
下する。圧力が高すぎると過大電流が流れ、スパークが
おこりやすく危険であり、セルロースアセテートフィル
ムが破壊される恐れもある。放電は、真空タンク中で１
対以上の空間を置いて配置された金属板或いは金属棒間
に高電圧を印加することにより生じる。この電圧は、雰
囲気気体の組成、圧力により色々な値をとり得るもので
あるが、通常上記圧力範囲内では、５００〜５０００Ｖ
の間で安定な定常グロー放電が起こる。接着性を向上さ
せるために、印加電圧の範囲を２０００〜４０００Ｖに
することが好ましい。また、一般的な放電周波数は、直
流から数１０００ＭＨｚであり、５０Ｈｚ〜２０ＭＨｚ
であることが好ましい。所望の接着強度を得るために、
被処理物のグロー放電処理を０．０１ｋＶ・Ａ・分／ｍ
²〜５ｋＶ・Ａ・分／ｍ ²とすることが好ましく、０．
１５ｋＶ・Ａ・分／ｍ²〜１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²とする
ことがさらに好ましい。

【００３７】紫外線照射処理は、セルロースアセテート
フィルムに紫外線を照射することにより行われる。紫外
線照射処理において、フィルムの表面温度が１５０℃前
後にまで上昇することで性能上問題なければ、光源とし
て主波長が３６５ｎｍの高圧水銀ランプを使用すること
ができる。低温度処理が必要とされる場合には主波長が
２５４ｎｍの低圧水銀ランプを使用することが好まし
い。またオゾンレスタイプの高圧水銀ランプ、および低
圧水銀ランプを使用することも可能である。処理光量に
関しては、処理光量が多い程フィルムと被接着層との接
着力は向上するが、光量の増加に伴いフィルムが着色
し、またフィルムが脆くなるという問題が発生する。従
って、３６５ｎｍを主波長とする高圧水銀ランプを使用
する場合、照射光量は２０〜１００００（ｍＪ／ｃ
ｍ²）が好ましく、５０〜２０００（ｍＪ／ｃｍ²）が
さらに好ましい。２５４ｎｍを主波長とする低圧水銀ラ
ンプを使用する場合、照射光量は１００〜１００００
（ｍＪ／ｃｍ²）が好ましく、３００〜１５００（ｍＪ
／ｃｍ²）がさらに好ましい。

【００３８】固体の表面エネルギーは「ぬれの基礎と応
用」（リアライズ社１９８９．１２．１０発行）に記
載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求
めることができる。本発明のセルロースアセテートフィ
ルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。具体的
には、表面エネルギーが既知である２種類の溶液をセル
ロースアセテートフィルムに滴下し、液滴の表面とフィ
ルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフィル
ム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義
し、計算によりフィルムの表面エネルギーを算出でき
る。

【００３９】セルロースアセテートフィルムに上記の表
面処理を実施することにより、フィルムの表面エネルギ
ーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであるセルロースアセテート
フィルムを得ることができる。このセルロースアセテー
トフィルムを偏光板の透明保護膜とすることにより、偏
光膜とセルロースアセテートフィルムの接着性を向上さ
せることができる。また、本発明のセルロースアセテー
トフィルムをＯＣＢモードの液晶表示装置に用いる場
合、本発明の光学補償シートは、セルロースアセテート
フィルム上に配向膜を形成し、その上に円盤状化合物も
しくは棒状液晶化合物を含む光学異方性層を設けても良
い。光学異方性層は、配向膜上に円盤状化合物（もしく
は棒状液晶化合物）を配向させ、その配向状態を固定す
ることにより形成する。このようにセルロースアセテー
トフィルム上に光学異方性層を設ける場合、従来ではセ
ルロースアセテートフィルムと配向膜との接着性を確保
するために、両者の間にゼラチン下塗り層を設ける必要
があったが、本発明の、表面エネルギーが５５乃至７５
ｍＮ／ｍであるセルロースアセテートフィルムを用いる
ことにより、ゼラチン下塗り層を不要とすることができ
る。

【００４０】前記の円盤化合物は、一般的に大きな複屈
折率を有し、多様な配向形態があるため、円盤状化合物
を用いることで、従来の延伸複屈折フィルムでは得るこ
とができない光学的性質を有する光学補償シートを製造
することができる。円盤状化合物を用いた光学補償シー
トについては、特開平６−２１４１１６号公報、米国特
許５５８３６７９号、同５６４６７０３号、西独特許公
報３９１１６２０Ａ１号の各明細書に記載がある。

【００４１】［偏光板］偏光板は、偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護
膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用い
ることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースア
セテートフイルムを用いてもよい。偏光膜には、ヨウ素
系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン
系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜
は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製
造する。セルロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光
膜の透過軸とは、実質的に平行になるように配置する。

【００４２】［液晶表示装置］上記のセルロースアセテ
ートフイルムからなる光学補償シート、または上記のセ
ルロースアセテートフイルムを用いた偏光板は、液晶表
示装置、特に透過型液晶表示装置に有利に用いられる。
透過型液晶表示装置は、液晶セルおよびその両側に配置
された二枚の偏光板からなる。液晶セルは、二枚の電極
基板の間に液晶を担持している。光学補償シートは、液
晶セルと一方の偏光板との間に、一枚配置するか、ある
いは液晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。

【００４３】偏光板では、液晶セルと偏光膜との間に配
置される透明保護膜として、上記のセルロースアセテー
トフイルムを用いる。一方の偏光板の（液晶セルと偏光
膜との間の）透明保護膜のみ上記のセルロースアセテー
トフイルムを用いるか、あるいは双方の偏光板の（液晶
セルと偏光膜との間の）二枚の透明保護膜に、上記のセ
ルロースアセテートフイルムを用いる。液晶セルはＯＣ
Ｂモード、ＶＡモードまたはＴＮモードであることが好
ましい。

【００４４】ＯＣＢモードの液晶セルは、棒状液晶性分
子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対
称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルを用い
た液晶表示装置であり、米国特許４５８３８２５号、同
５４１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液
晶分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向してい
るため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償
機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ
（Optically Compensatory Bend）液晶モードとも呼ば
れる。ベンド配向モードの液晶表示装置は、応答速度が
速いとの利点がある。

【００４５】ＶＡモードの液晶セルでは、電圧無印加時
に棒状液晶性分子が実質的に垂直に配向している。ＶＡ
モードの液晶セルには、（１）棒状液晶性分子を電圧無
印加時に実質的に垂直に配向させ、電圧印加時に実質的
に水平に配向させる狭義のＶＡモードの液晶セル（特開
平２−１７６６２５号公報記載）に加えて、（２）視野
角拡大のため、ＶＡモードをマルチドメイン化した（Ｍ
ＶＡモードの）液晶セル（ＳＩＤ９７、Digest of tec
h. Papers（予稿集）２８（１９９７）８４５記載）、
（３）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直配
向させ、電圧印加時にねじれマルチドメイン配向させる
モード（ｎ−ＡＳＭモード）の液晶セル（日本液晶討論
会の予稿集５８〜５９（１９９８）記載）および（４）
ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液晶セル（ＬＣＤインター
ナショナル９８で発表）が含まれる。

【００４６】ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時
に棒状液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに６０乃
至１２０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セ
ルは、カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用さ
れており、多数の文献に記載がある。

【００４７】

【発明の効果】本発明者は、欧州特許０９１１６５６Ａ
２号明細書に開示されているセルロースアセテートフイ
ルムを改良して、従来の厚みを保ったまま、副作用なし
に液晶セルを光学的に補償することに成功した。セルロ
ースアセテートフイルムへの添加剤（具体的には、二つ
の芳香族環を有する芳香族化合物）の種類と量あるいは
製造条件（例えば、フイルムの延伸条件）を調節するこ
とによって、Ｒｅレターデーション値が２０乃至７０ｎ
ｍであり、Ｒthレターデーション値が７０乃至４００ｎ
ｍであるセルロースアセテートフイルムが得られる。こ
のセルロースアセテートフイルムは、液晶セルを光学的
に補償するために充分な光学的異方性を有している。さ
らにセルロースアセテートフィルムに表面処理を施すこ
とにより、表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであ
るセルロースアセテートフイルムからなる光学補償シー
トが得られる。

【００４８】また、偏光板は偏光膜とその両側に配置さ
れた保護膜からなる。そして偏光膜はポリビニルアルコ
ールを延伸配向したものにヨウ素、もしくは二色性色素
を吸着させたものであり、保護膜は、一般にセルロース
アセテートフイルムからなる。上記のセルロースアセテ
ートフイルムを偏光板の一方の保護膜として用いると、
偏光板の構成要素の数を増加することなく、偏光板に光
学補償機能を追加するができる。この際に、セルロース
アセテートフィルムの表面エネルギーが５５乃至７５ｍ
Ｎ／ｍであるために、（接着剤を介し）ポリビニルアル
コールとの接着性が上がり、耐久性に優れた偏光板を得
ることができる。なお、酢化度が５９．０未満のセルロ
ースアセテートを使用すると、上記の光学的異方性を容
易に達成できるが、セルロースアセテートフイルムとし
ての物性が低下する。本発明では、酢化度が５９．０乃
至６１．５％であるセルロースアセテートを使用し、他
の手段（上記の添加剤や製造条件の調節）で上記のレタ
ーデーション値を達成することにより、光学的異方性と
物性との双方が優れ、さらに偏光膜との接着性に優れる
セルロースアセテートフイルムを得ている。上記のセル
ロースアセテートフイルムからなる光学補償シートおよ
び上記のセルロースアセテートフイルムを保護膜として
用いた偏光板は、ＯＣＢ（Optically Compensatory Ben
d）型、ＶＡ（Vertically Aligned）型またはＴＮ（Twi
stedNematic）型の液晶表示装置に、特に有利に用いる
ことができる。

【００４９】

【実施例】［実施例１］下記の組成物をミキシングタン
クに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、
セルロースアセテート溶液を調製した。

【００５０】 ──────────────────────────────────── セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── 酢化度６０．９％のセルロースアセテート１００質量部トリフェニルホスフェート（可塑剤）７．８質量部ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）３．９質量部メチレンクロライド（第１溶媒）３００質量部メタノール（第２溶媒）５４質量部１−ブタノール（第３溶媒）１１質量部 ────────────────────────────────────

【００５１】別のミキシングタンクに、下記のレターデ
ーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質
量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しなが
ら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーシ
ョン上昇剤溶液２５質量部を混合し、充分に攪拌してド
ープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、３．５質
量部であった。

【００５２】

【化１】

【００５３】得られたドープを、バンド流延機を用いて
流延した。残留溶剤量が１５重量％のフイルムを、１３
０℃の条件で、テンターを用いて２５％の延伸倍率で横
延伸して、セルロースアセテートフイルム（厚さ：８０
μｍ）を製造した。さらに、作製したセルロースアセテ
ートフィルムを、１．５Ｎの水酸化カリウム溶液（５０
℃）に２分間浸漬した後、硫酸で中和した。そしてセル
ロースアセテートフィルムを溶液から取り出して、純水
により洗浄した後、乾燥した。この様にケン化処理され
たセルロースアセテートフィルムの表面エネルギーを接
触角法により求めたところ、６０ｍＮ／ｍであった。作
製したセルロースアセテートフイルム（光学補償シー
ト）について、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分
光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍにおけるＲｅレ
ターデーション値およびＲthレターデーション値を測定
した。結果は第１表に示す。

【００５４】［実施例２］セルロースアセテート溶液４
７４質量部にレターデーション上昇剤溶液５６質量部を
混合してドープを調製し（セルロースアセテート１００
質量部に対して、レターデーション上昇剤７．８質量部
を使用し）、延伸倍率を１４％に変更した以外は、実施
例１と同様にセルロースアセテートフイルム（光学補償
シート）を作製した。さらに、作製したセルロースアセ
テートフィルムを、１．５Ｎの水酸化カリウム溶液（４
０℃）に５分間浸漬した後、硫酸で中和した。そしてセ
ルロースアセテートフィルムを溶液から取り出して、純
水により洗浄した後、乾燥した。この様にケン化処理さ
れたセルロースアセテートフィルムの表面エネルギーを
接触角法により求めたところ、６８ｍＮ／ｍであった。
作製したセルロースアセテートフイルム（光学補償シー
ト）について、実施例１と同様に、Ｒｅレターデーショ
ン値およびＲthレターデーション値を測定した。結果は
第１表に示す。

【００５５】［実施例３］延伸倍率を８％に変更した以
外は、実施例２と同様にセルロースアセテートフイルム
を作製した。さらに、作製したセルロースアセテートフ
ィルムを２．０Ｎの水酸化カリウム溶液（２５℃）に２
分間浸漬した後、硫酸で中和した。そして、セルロース
アセテートフィルムを溶液から取り出して、純水により
洗浄した後、乾燥した。この様にケン化処理されたセル
ロースアセテートフィルムの表面エネルギーを接触角法
により求めたところ、６３ｍＮ／ｍであった。このセル
ロースアセテートフィルム上に、下記の組成の塗布液を
＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ²塗布し
た。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５
０秒乾燥した。次に、セルロースアセテートフィルムの
遅相軸（波長６３２．８ｎｍで測定）と４５゜の方向
に、形成した膜にラビング処理を実施した。

【００５６】 ──────────────────────────────────── 配向膜塗布液組成 ──────────────────────────────────── 下記の変性ポリビニルアルコール１０．０重量部水３７１．０重量部メタノール１１９．０重量部グルタルアルデヒド０．５重量部 ────────────────────────────────────

【００５７】

【化２】

【００５８】（光学異方性層の形成）配向膜上に、下記
の円盤状（液晶性）化合物４１．０１ｇ、エチレンオキ
サイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）４．０６ｇ、セ
ルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．
２、イーストマンケミカル社製）０．９０ｇ、セルロー
スアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イースト
マンケミカル社製）０．２３ｇ、光重合開始剤（イルガ
キュアー９０７、チバガイギー社製）１．３５ｇ、増感
剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．４
５ｇを、１０２ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布
液を、＃３のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠
に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、円
盤状化合物を配向させた。次に１３０℃で１２０Ｗ／ｃ
ｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し円盤状化合物
を重合させた。その後、室温まで放冷した。このように
して、光学異方性層を形成した。作製したセルロースア
セテートフイルム（光学補償シート）について、実施例
１と同様に、Ｒｅレターデーション値およびＲthレター
デーション値を測定した。結果は第１表に示す。

【００５９】

【化３】

【００６０】［実施例４］セルロースアセテート溶液４
７４質量部にレターデーション上昇剤溶液５６質量部を
混合してドープを調整し（セルロースアセテート１００
質量部に対して、レターデーション上昇剤７．８質量部
を使用し）、延伸倍率を３５％に変更した以外は、実施
例１と同様にセルロースアセテートフィルム（光学補償
シート）を作製した。さらに、作製したセルロースアセ
テートフィルム表面に、放電周波数１００ｋＨｚのコロ
ナ放電処理を施した。この様にコロナ放電処理されたセ
ルロースアセテートフィルムの表面エネルギーを接触角
法により求めたところ、６０ｍＮ／ｍであった。作製し
たセルロースアセテートフイルム（光学補償シート）に
ついて、実施例１と同様に、Ｒｅレターデーション値お
よびＲthレターデーション値を測定した。結果は第１表
に示す。

【００６１】［実施例５］下記の組成物をミキシングタ
ンクに投入し、各成分を冷却溶解（−７０℃）し、セル
ロースアセテート溶液を調整した。

【００６２】 ──────────────────────────────────── セルローストリアセテート（酢化度６０．９％、置換度２．８２、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ、平均粒子径１．５ｍｍであって標準偏差０．５ｍｍである粉体）２０質量部酢酸メチル５８質量部アセトン５質量部メタノール５質量部エタノール５質量部ブタノール５質量部可塑剤Ａ（ジトリメチロールプロパンテトラアセテート）１．２質量部可塑剤Ｂ（トリフェニルフォスフェート）１．２質量部ＵＶ剤ａ（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ− ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５トリアジン）０．２質量部ＵＶ剤ｂ（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５− クロルベンゾトリアゾール）０．２質量部ＵＶ剤ｃ（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５− クロルベンゾトリアゾール）０．２質量部Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）₂（剥離剤）０．０２質量部クエン酸（剥離剤）０．０２質量部微粒子（シリカ（粒径２０ｎｍ）、モース硬度約７）０．０５質量部 ────────────────────────────────────

【００６３】なお、ここで使用したセルローストリアセ
テートは、残存酢酸量が０．０１質量％以下であり、Ｃ
ａが０．０５質量％、Ｍｇは０．００７質量％であり、
さらにＦｅは５ｐｐｍであった。また６位アセチル基は
０．９５であり全アセチル中の３２．２％であった。ま
た、アセトン抽出分は１１質量％、重量平均分子量と数
平均分子量の比は０．５であり、分布の均一なものであ
った。また、イエローネスインデックスは０．３であ
り、ヘイズは０．０８、透明度は９３．５％であり、Ｔ
ｇは１６０℃、結晶化発熱量は６．２Ｊ／ｇであった。
実施例２と同様にして、レターデーション上昇剤がセル
ロースアセテート１００質量部に対して、６．５質量部
となるように調整し、セルロースアセテートフイルム
（ＣＡＦ−０５）を作製した。以降、表面処理（鹸
化）、配向膜、光学異方層は実施例３と全く同じ方法で
光学補償シート（ＫＨ−０５）を作製した。

【００６４】［比較例１］セルロースアセテート溶液
を、そのままドープとして使用し、延伸処理およびケン
化処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様にセル
ロースアセテートフイルム（光学補償シート）を作製し
て評価した。結果は第１表に示す。

【００６５】

【表１】第１表 ──────────────────────────────────── フイルムレターデーション上昇剤延伸倍率ＲｅＲth ──────────────────────────────────── 実施例１３．５質量部２５％４０ｎｍ１３０ｎｍ実施例２７．８質量部１４％５０ｎｍ２４０ｎｍ実施例３７．８質量部８％２０ｎｍ２２０ｎｍ実施例４７．８質量部３５％１２０ｎｍ２５０ｎｍ実施例５(CAF-05) ６．５質量部１７％４５ｎｍ２３０ｎｍ比較例１なし延伸せず４ｎｍ４８ｎｍ ────────────────────────────────────

【００６６】［実施例６］延伸したポリビニルアルコー
ルフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製し、ポリ
ビニル系接着剤を用いて、実施例１で作成したセルロー
スアセテートフィルムを偏光膜の片側に貼り付けた。そ
して、市販のセルロースアセテートフイルム（フジタッ
クＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化
処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、
偏光膜の反対側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と実施例
１で作製したセルロースアセテートフイルムの遅相軸と
は平行になるように配置した。偏光膜の透過軸と市販の
セルローストリアセテートフイルムの遅相軸とは、直交
するように配置した。このようにして偏光板を作製し
た。

【００６７】［実施例７］実施例２で作製したセルロー
スアセテートフイルムを用いた以外は、実施例６と同様
にして、偏光板を作製した。

【００６８】［実施例８］実施例３で作製したセルロー
スアセテートフイルムを用いた以外は、実施例６と同様
にして、偏光板を作製した。［実施例９］実施例５で作製したセルロースアセテート
フイルムを用いた以外は、実施例６と同様にして、偏光
板を作製した。

【００６９】［実施例１０］垂直配向型液晶セルを使用
した液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）
製）に設けられている一対の偏光板および一対の光学補
償シートを剥がし、代わりに実施例６で作製した偏光板
を、実施例１で作製したセルロースアセテートフイルム
が液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側お
よびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の
偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側
の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコ
ル配置とした。作製した液晶表示装置について、測定機
（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用い
て、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段階で
視野角を測定した。結果を第２表に示す。

【００７０】［実施例１１］垂直配向型液晶セルを使用
した液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）
製）に設けられている一対の偏光板および一対の光学補
償シートを剥がし、代わりに実施例７で作製した偏光板
を、実施例２で作製したセルロースアセテートフイルム
が液晶セル側となるように粘着剤を介して一枚、観察者
側に貼り付けた。また、バックライト側には、市販の偏
光板（ＨＬＣ２−５６１８ＨＣＳ、（株）サンリッツ
製）を一枚貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上
下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が
左右方向になるように、クロスニコル配置とした。作製
した液晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast１
６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）か
ら白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。結
果を第２表に示す。

【００７１】［比較例２］垂直配向型液晶セルを使用し
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
について、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩ
Ｍ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）
までの８段階で視野角を測定した。結果を第２表に示
す。

【００７２】

【表２】第２表 ──────────────────────────────────── 液晶視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲）表示装置透過軸方向透過軸から４５゜の方向 ──────────────────────────────────── 実施例１０８０゜８０゜実施例１１８０゜８０゜比較例２８０゜４４゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転

【００７３】［実施例１２］（ベンド配向液晶セルの作製）ＩＴＯ電極付きのガラス
基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラ
ビング処理を行った。得られた二枚のガラス基板をラビ
ング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャッ
プを６μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３
９６の液晶性化合物（ＺＬ１１３２、メルク社製）を注
入し、ベンド配向液晶セルを作製した。作製したベンド
配向セルを挟むように、実施例８で作製した偏光板を二
枚貼り付けた。偏光板の光学異方性層がセル基板に対面
し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する光学異方
性層のラビング方向とが反平行となるように配置した。
液晶セルに５５Ｈｚの矩形波電圧を印加した。白表示２
Ｖ、黒表示５Ｖのノーマリーホワイトモードとした。透
過率の比（白表示／黒表示）をコントラスト比として、
測定器（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を
用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段
階で視野角を測定した。測定した結果を第３表に示す。

【００７４】［実施例１３］実施例９で作製した偏光板
を用いること以外は実施例１２と同様にして、液晶表示
装置を作製し、評価した。

【００７５】

【表３】第３表 ──────────────────────────────────── 液晶視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲）表示装置上下左右 ──────────────────────────────────── 実施例１２８０゜８０゜８０゜実施例１３８０゜８０゜１６０゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転

【００７６】［実施例１４］ＴＮ型液晶セルを使用した
液晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設け
られている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例６で
作製した偏光板を、実施例１で作製したセルロースアセ
テートフイルムが液晶セル側となるように粘着剤を介し
て、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付け
た。観察者側の偏光板の透過軸と、バックライト側の偏
光板の透過軸とは、直交となるように配置した。作製し
た液晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast１６
０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から
白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。結果
を第４表に示す。

【００７７】［比較例３］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）につい
て、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社
製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）まで
の８段階で視野角を測定した。結果を第４表に示す。

【００７８】

【表４】第４表 ──────────────────────────────────── 液晶視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲）表示装置上下左右 ──────────────────────────────────── 実施例１４１８゜２３゜７７゜比較例３１５゜２５゜３７゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/13363 Ｇ０２Ｆ 1/13363 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA06 BA25 BB33 BB49 BC03 BC09 BC22 2H091 FA07X FA07Z FA11X FA11Z KA02 LA30 4F071 AA09 AC06 AC07 AC10 AE19 AF31Y AG09 AG19 AH12 BA02 BB02 BB07 BC01 BC12 4J002 AB021 EA036 EL066 EU026 EU046 EU116 EU126 EU136 EU186 EU226 EV306 EV326 GP00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酢化度が５９．０乃至６１．５％である
セルロースアセテート、および少なくとも二つの芳香族
環を有する芳香族化合物をセルロースアセテート１００
質量部に対して０．０１乃至２０質量部含み、下記式
（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至
７０ｎｍであり、下記式（II）で定義されるＲthレター
デーション値が７０乃至４００ｎｍであり、そして、少
なくとも一方の面の表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ
／ｍであるセルロースアセテートフイルムからなること
を特徴とする光学補償シート：（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。
【請求項２】光学補償シートが、３乃至１００％の延
伸倍率での延伸物であるセルロースアセテートフイルム
からなる請求項１に記載の光学補償シート。
【請求項３】芳香族化合物が、少なくとも一つの１，
３，５−トリアジン環を有する請求項１に記載の光学補
償シート。
【請求項４】前記のセルロースアセテートフイルム
が、溶液製膜法により製膜されたフイルムであり、製膜
に用いる溶媒が、炭素数３乃至１２のエーテル、炭素数
３乃至１２のケトン、もしくは炭素数３乃至１２のエス
テルであることを特徴とする請求項２もしくは３に記載
の光学補償シート。
【請求項５】前記セルロースアセテートフイルムが、
６位水酸基の置換度が、２，３位に比べて多いセルロー
スアセテートを主成分とする事を特徴とする請求項１、
２および４のうちのいずれかの項に記載の光学補償シー
ト。
【請求項６】光学補償シートの少なくとも一方の面
に、規定濃度が０．１Ｎ乃至３．０Ｎのアルカリ溶液を
用いたアルカリケン化処理がされていることを特徴とす
る請求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載の光学補
償シート。
【請求項７】光学補償シートの少なくとも一方の面
に、放電周波数が５０Ｈｚ乃至５０００ｋＨｚのコロナ
放電処理がされていることを特徴とする請求項１乃至６
のうちのいずれかの項に記載の光学補償シート。
【請求項８】偏光膜およびその両側に配置された二枚
の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜の一
方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロー
スアセテート、および少なくとも二つの芳香族環を有す
る芳香族化合物をセルロースアセテート１００質量部に
対して０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定
義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍで
あり、下記式（II）で定義されるＲthレターデーション
値が７０乃至４００ｎｍであり、そして、偏光膜に接す
る面の表面エネルギーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであるセ
ルロースアセテートフイルムからなり、さらに、セルロ
ースアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸とが
実質的に平行になるように配置されていることを特徴と
する偏光板：（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。
【請求項９】液晶セルおよびその両側に配置された二
枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に
配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置であ
って、液晶セルと一方の偏光板との間に、酢化度が５
９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテート、お
よび少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を
セルロースアセテート１００質量部に対して０．０１乃
至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、下記式（I
I）で定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４
００ｎｍであり、そして、少なくとも一方の面の表面エ
ネルギーが５５乃至７５ｍＮ／ｍであるセルロースアセ
テートフイルムからなる光学補償シートが配置されてお
り、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸と
セルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過
軸とが実質的に平行になるように配置されている液晶表
示装置：（Ｉ）Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（II）Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。
【請求項１０】液晶セルが、ＯＣＢモード、ＶＡモー
ド、またはＴＮモードの液晶セルである請求項９に記載
の液晶表示装置。