JP2003055477A - セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 - Google Patents

セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Info

Publication number
JP2003055477A
JP2003055477A JP2001246715A JP2001246715A JP2003055477A JP 2003055477 A JP2003055477 A JP 2003055477A JP 2001246715 A JP2001246715 A JP 2001246715A JP 2001246715 A JP2001246715 A JP 2001246715A JP 2003055477 A JP2003055477 A JP 2003055477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cellulose acetate
film
acetate film
range
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001246715A
Other languages
English (en)
Inventor
Narikazu Hashimoto
斉和 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2001246715A priority Critical patent/JP2003055477A/ja
Publication of JP2003055477A publication Critical patent/JP2003055477A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルロースアセテートフイルム上に液晶
性化合物から形成された光学異方性層が設けられてなる
光学補償シートを液晶表示装置に用いたときに、表示画
面上に生じる額縁状の光漏れや光学濃度ムラを改善す
る。 【解決手段】 縦方向(MD)および横方向(TD)のう
ちの少なくとも一方向における熱膨張係数が1.0×1
-5乃至4.5×10-5/℃の範囲にあり、当該方向に
沿って測定した熱膨張係数のばらつきが、平均値に対し
て0乃至10%の範囲にあり、そして、ReおよびRth
のばらつきが、平均値に対して0乃至7%の範囲にある
セルロースアセテートフイルムの上に光学異方性層が設
けられてなる光学補償シートを液晶表示装置に利用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セルロースアセテ
ートフイルム、セルロースアセテートフイルム上に液晶
性化合物から形成された光学異方性層が設けられてなる
光学補償シートおよびそれを用いた偏光板と液晶表示装
置とに関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、偏光板と液晶セルから
構成されている。現在主流であるTNモードTFT液晶
表示装置においては、特開平8−50206号公報に記
載のように光学補償シートを偏光板と液晶セルの間に挿
入し、表示品位の高い液晶表示装置が実現されている。
しかし、この方法によると液晶表示装置自体が厚くなる
等の問題点があった。特開平1−68940号公報に
は、偏光膜の片面に位相差板(光学補償シート)、他方
の面に保護フイルムを有する楕円偏光板を用いること
で、液晶表示装置を厚くすることなく、正面コントラス
トを高くすることができるとの記載がある。ところが、
この発明の光学補償シートを液晶表示装置に装着して長
時間表示をした場合に、熱等の歪みにより画面内に額縁
状の光漏れ(位相差)が発生しやすく、耐久性に問題の
あることがわかった。光漏れの問題に対し、特開平7−
191217号公報および欧州特許0911656A2
号明細書には、透明支持体上にディスコティック化合物
から形成された光学異方性層が設けられてなる光学補償
シートを直接偏光板の保護フイルムとして用いること
で、液晶表示装置を厚くすることなく前記の耐久性に関
する問題を解決した。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者が、17イン
チ以上の大型液晶パネルに、光学補償シートを偏光膜の
保護フイルムとして用いた偏光板を装着したところ、
「額縁状の光漏れ」は完全には無くならないことが判明
した。また、液晶パネルが大型になるにつれ、表示画面
内の表示濃度のばらつきが目立つようになり、「光学濃
度ムラ」と呼ばれる欠陥として問題となることがわかっ
た。光学補償シートは、製造後に適当な大きさに切断し
て液晶表示装置に用いられるが、光学濃度ムラは、光学
補償シートの切断場所(シートの幅方向の中央から切断
するか、あるいは端から切断するか)によっても、その
ムラの程度が異なることもわかった。特にシートの端部
より得られた光学補償シートを用いた場合、光学濃度ム
ラが目立つことが多い。このような「額縁状の光漏れ」
や「光学濃度ムラ」は、光学補償シートの支持体として
好ましく用いられるセルロースアセテートフイルムの、
面内における光学特性の変化(液晶表示装置を長時間使
用したときの熱などの歪みによる光学特性の変化)、あ
るいは面内の光学特性のばらつきが原因であることがわ
かった。
【0004】本発明の目的は、液晶表示装置の使用環境
に対して光学特性が安定であり、且つ面内の光学特性が
均一でなセルロースアセテートフイルムを提供すること
にある。別の本発明の目的は、光学特性が安定したセル
ロースアセテートフイルム上に、液晶性化合物から形成
された光学異方性層を設けることにより、液晶セルを光
漏れなく光学的に充分補償でき、且つ面内の光学特性が
均一な光学補償シートを提供することにある。さらに別
の本発明の目的は、光学補償シートを偏光膜の片側に配
置した偏光板を用いて、熱等による光漏れ、および光学
濃度ムラが極めて発生し難い表示品位に優れた液晶表示
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者の研究により、
液晶表示装置の画面上に生じる額縁状の光漏れは、光学
補償シートの支持体として好ましく用いられるセルロー
スアセテートフイルムの光学特性の変化により生じるこ
とがわかった。そしてセルロースアセテートフイルムの
光学特性の変化は、液晶表示装置が使用される環境にお
ける温度あるいは湿度の変化により生じることがわかっ
た。特に温度変化は、環境条件の変化のみでなく、液晶
表示装置のバックライトからの熱によっても生じる。
【0006】光学補償シートは、液晶セルや偏光膜に粘
着剤などを用いて固定される。液晶表示装置の使用環境
における温度あるいは湿度の変化により、セルロースア
セテートフイルムは膨張あるいは収縮して寸法の変化を
生じる。ところが、この寸法変化は、光学補償シートの
位置が固定されているために抑制され、フイルムに内部
応力を生じる。発生した内部応力による光弾性効果によ
り、セルロースアセテートフイルムの光学特性が変化
し、光学特性の変化が光漏れを発生させることがわかっ
た。光弾性効果による光学特性の変化は、セルロースア
セテートフイルムの光弾性係数、厚み、環境による歪み
(温度もしくは湿度によるフイルムの寸法変化)、およ
び弾性率の積で決定されるが、特に環境による歪みを抑
えることが光漏れの解消に有効であることがわかった。
【0007】そして、セルロースアセテートフイルムの
面内の光学特性にばらつきがあると、液晶パネルが大型
化した場合に光学濃度ムラが顕著に観察できるようにな
る。さらに、このようなフイルム面内の光学特性のムラ
に、前記の環境条件の変化による光学特性の変化が加わ
り、光学濃度ムラの程度も悪化すると推測される。
【0008】本発明者は、セルロースアセテートフイル
ムの製造条件(延伸条件など)を調節することで、フイ
ルムの熱膨張係数もしくは湿度膨張係数などを抑える
(即ち環境に対する光学特性の変化を抑える)ことがで
き、さらにフイルム面内において均一な光学特性が得ら
れることを見出した。
【0009】本発明の目的は、下記(1)〜(7)のセ
ルロースアセテートフイルム、(8)および(9)のセ
ルロースアセテートフイルムの製造方法、(10)〜
(12)の光学補償シート、下記(13)の偏光板およ
び下記(14)〜(15)の液晶表示装置により達成さ
れた。 (1)縦方向(MD)および横方向(TD)のうちの少な
くとも一方向における熱膨張係数が1.0×10-5乃至
4.5×10-5/℃の範囲にあり、そして当該方向に沿
って測定した熱膨張係数のばらつきが、平均値に対して
0乃至10%の範囲にあり、横方向(TD)に沿って測
定した面内レターデーション値(Re)のばらつきが、
平均値に対して0乃至7%の範囲にあり、そして、横方
向(TD)に沿って測定した厚み方向のレターデーショ
ン値(Rth)のばらつきが、平均値に対して0乃至7%
の範囲にあることを特徴とするセルロースアセテートフ
イルム。 (2)縦方向(MD)および横方向(TD)のうちの少な
くとも一方向における湿度膨張係数が1.0×10-5
至5.0×10-5/%RHの範囲にあり、そして当該方
向に沿って測定した湿度膨張係数のばらつきが、平均値
に対して0乃至10%の範囲にあり、横方向(TD)に
沿って測定した面内レターデーション値(Re)のばら
つきが、平均値に対して0乃至7%の範囲にあり、そし
て、横方向(TD)に沿って測定した厚み方向のレター
デーション値(Rth)のばらつきが、平均値に対して0
乃至7%の範囲にあることを特徴とするセルロースアセ
テートフイルム。
【0010】(3)セルロースアセテートフイルムが、
セルロースアセテートおよびセルロースアセテート10
0質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を0.01乃至20質量部の範囲で含むこ
とを特徴とする(1)もしくは(2)に記載のセルロー
スアセテートフイルム。 (4)芳香族化合物が、少なくとも一つの1,3,5−
トリアジン環を有することを特徴とする(3)に記載の
セルロースアセテートフイルム。 (5)セルロースアセテートフイルムの、酢化度が5
7.0乃至61.5%の範囲にあり、そして厚みが10
乃至70μmの範囲にあることを特徴とする(1)乃至
(4)のうちのいずれかに記載のセルロースアセテート
フイルム。
【0011】(6)セルロースアセテートフイルムが、
グルコピラノース環の6位のアセチル置換率が30乃至
40%の範囲にあるセルロースアセテートからなること
を特徴とする(1)乃至(5)のうちのいずれかに記載
のセルロースアセテートフイルム。 (7)セルロースアセテートフイルムが、共流延法によ
り製膜されたフイルムであることを特徴とする(1)乃
至(6)のうちのいずれかに記載のセルロースアセテー
トフイルム。
【0012】(8)(1)乃至(7)のうちのいずれか
に記載のセルロースアセテートフイルムを製造する方法
であって、セルロースアセテートフイルムを、該フイル
ムの横方向の端部の温度が、中央部より高い状態で縦方
向に延伸することを特徴とするセルロースアセテートフ
イルムの製造方法。 (9)(1)乃至(7)のうちのいずれかに記載のセル
ロースアセテートフイルムを製造する方法であって、セ
ルロースアセテートフイルムを、テンター延伸機により
幅方向に延伸し、かつ当該延伸を開始した直後のフイル
ムの幅方向の端部が、曲率が直径50乃至300mmの
範囲の軌跡を描くことを特徴とするセルロースアセテー
トフイルムの製造方法。
【0013】(10)(1)乃至(7)のうちのいずれ
かに記載のセルロースアセテートフイルム上に、液晶性
化合物から形成された光学異方性層が設けられた光学補
償シートであって、セルロースアセテートフイルムの面
内レターデーション値(Re)が0乃至20nmの範囲
にあり、そしてセルロースアセテートフイルムの厚み方
向のレターデーション値(Rth)が70乃至400nm
の範囲にあることを特徴とする光学補償シート。 (11)液晶性化合物が、ディスコティック液晶性化合
物であることを特徴とする(10)に記載の光学補償シ
ート。 (12)セルロースアセテートフイルムが、その少なく
とも一方の表面に、酸もしくはアルカリ溶液を塗布する
ことによる鹸化処理がされたフイルムであることを特徴
とする(10)もしくは(11)に記載の光学補償シー
ト。
【0014】(13)偏光膜およびその両側に配置され
た二枚の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護
膜の一方が、酢化度が57.0乃至61.5%の範囲に
あるセルロースアセテートおよびセルロースアセテート
100質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有
する芳香族化合物を0.01乃至20質量部の範囲で含
むセルロースアセテートフイルム上に、液晶性化合物か
ら形成された光学異方性層が設けられてなり、該セルロ
ースアセテートフイルムの、面内レターデーション値
(Re)が0乃至20nmの範囲にあり、厚み方向のレ
ターデーション値(Rth)が70乃至400nmの範囲
にあり、厚みが10乃至70μmの範囲にあり、横方向
(TD)に沿って測定した面内レターデーション値(R
e)のばらつきが、平均値に対して0乃至7%の範囲に
あり、そして、横方向(TD)に沿って測定した厚み方
向のレターデーション値(Rth)のばらつきが、平均値
に対して0乃至7%の範囲にあり、さらに、セルロース
アセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸とが実質
的に平行になるように配置されていることを特徴とする
偏光板。
【0015】(14)液晶セルおよびその両側に配置さ
れた二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその
両側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装
置であって、液晶セルと偏光膜の間に配置された二枚の
透明保護膜のうちの一方が、酢化度が57.0乃至6
1.5%の範囲にあるセルロースアセテートおよびセル
ロースアセテート100質量部に対して、少なくとも二
つの芳香族環を有する芳香族化合物を0.01乃至20
質量部の範囲で含むセルロースアセテートフイルム上
に、液晶性化合物から形成された光学異方性層が設けら
れてなり、該セルロースアセテートフイルムの、面内レ
ターデーション値(Re)が0乃至20nmの範囲にあ
り、厚み方向のレターデーション値(Rth)が70乃至
400nmの範囲にあり、厚みが10乃至70μmの範
囲にあり、横方向(TD)に沿って測定した面内レター
デーション値(Re)のばらつきが、平均値に対して0
乃至7%の範囲にあり、そして、横方向(TD)に沿っ
て測定した厚み方向のレターデーション値(Rth)のば
らつきが、平均値に対して0乃至7%の範囲にあり、さ
らに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセルロ
ースアセテートフイルムに近い偏光膜の透過軸とが実質
的に平行になるように配置されていることを特徴とする
液晶表示装置。 (15)液晶セルが、TNモードの液晶セルである(1
4)に記載の液晶表示装置。
【0016】なお、本明細書において、「実質的に平
行」とは、厳密な角度よりも±5゜未満の範囲内である
ことを意味する。この範囲は、±4゜未満であることが
好ましく、±3゜未満であることがさらに好ましく、±
2゜未満であることが最も好ましい。また、本明細書に
おいて、「遅相軸(slow axis )」は屈折率が最大とな
る方向を、そして「透過軸(transmission axis )」は
透過率が最大となる方向をそれぞれ意味する。本明細書
において、セルロースアセテートフイルムの面内レター
デーション値(Re)および厚み方向のレターデーショ
ン値(Rth)は、以下の式で定義される。 (I)Re=(nx−ny)×d (II)Rth={(nx+ny)/2−nz}×d 式中、nxは、セルロースアセテートフイルム面内の遅
相軸方向の屈折率であり;nyは、セルロースアセテー
トフイルム面内の進相軸方向の屈折率であり;nzは、
セルロースアセテートフイルムの厚み方向の屈折率であ
り;そしてdは、セルロースアセテートフイルムの厚さ
である。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明者は、液晶表示装置の光漏
れと光学濃度ムラを防止するには、光学補償シートの支
持体として用いるセルロースアセテートフイルムの熱膨
張係数を小さく且つ面内で均一にすることが有効である
ことを見いだした。本発明のセルロースアセテートフイ
ルムの縦方向(MD)および横方向(TD)のうちの少な
くとも一方向における熱膨張係数は、1.0×10-5
至4.5×10-5/℃の範囲にある。熱膨張係数は、
1.5×10-5乃至4.0×10-5/℃の範囲にあるこ
とが好ましく、2.0×10-5乃至4.0×10-5/℃
の範囲にあることがさらに好ましい。さらに、上記の熱
膨張係数のばらつきは、熱膨張係数の測定方向の平均値
に対して0乃至10%の範囲にある。この熱膨張係数の
ばらつきは、0乃至8%の範囲にあることが好ましく、
0乃至5%の範囲にあることがさらに好ましい。このよ
うな特性を有するセルロースアセテートフイルムを得る
ためには、フイルムに以下のような処理をすることが好
ましい。
【0018】縦延伸 イ)熱膨張係数低下策:セルロースアセテートフイルム
を延伸する際の、延伸ロール間隔を、ベース幅の3倍以
上8倍以下の間隔とすることが好ましい。(これにより
フイルムの縦方向の分子配向を強くし、熱膨張係数を低
減する。) ロ)熱膨張係数のばらつき低下策:セルロースアセテー
トフイルムを延伸する直前のロール温度を、70℃以上
110℃以下にすることが好ましい。(薄手のセルロー
スアセテートフイルムはニップロールに粘着し易く、こ
れにより発生した皺が延伸ムラを引き起こすことを防止
する。延伸ムラが大きいと、熱膨張係数のばらつきは大
きくなる。)
【0019】横延伸 イ)熱膨張係数低下策:セルロースアセテートフイルム
の温度を、長手方向に10℃以上30℃以下上昇させな
がら延伸することが好ましい。(低温から延伸を開始す
ることで強く配向させ、熱膨張係数を低減させる) ロ)熱膨張係数のばらつき低下策:セルロースアセテー
トフイルムを、延伸後に、延伸温度−50℃以上延伸温
度以下において、1%以上20%以下緩和しながら熱処
理を行なうことが好ましい。(延伸中に発生したボーイ
ングによる延伸ムラを低減させる。)
【0020】また本発明者は、液晶表示装置の光漏れと
光学濃度ムラを防止するには、光学補償シートの支持体
として用いるセルロースアセテートフイルムの湿度膨張
係数を小さく且つ面内で均一にすることも有効であるこ
とを見いだした。また、光学補償シートの端部に生じる
光学特性のムラは、延伸ムラに起因するフイルム面内の
湿度膨張係数の分布(ムラ)にも原因があることがわか
った。このような延伸ムラは、厚みが10〜70μmの
薄手のセルロースアセテートフイルムにおいて特に顕著
に発生する。別の本発明のセルロースアセテートフイル
ムの縦方向(MD)および横方向(TD)のうちの少なく
とも一方向における湿度膨張係数は、1.0×10-5
至5.0×10-5/%RHの範囲にある。湿度膨張係数
は、1.5×10-5乃至4.5×10-5/%RHの範囲
にあることが好ましく、2.0×10-5乃至4.0×1
-5/%RHの範囲にあることがさらに好ましい。さら
に、上記の湿度膨張係数のばらつきは、湿度膨張係数の
測定方向の平均値に対して0乃至10%の範囲にある。
この湿度膨張係数のばらつきは、0乃至8%の範囲にあ
ることが好ましく、0乃至5%の範囲にあることがさら
に好ましい。このような特性を有するセルロースアセテ
ートフイルムを得るためには、フイルムに以下のような
処理をすることが好ましい。 縦延伸 セルロースアセテートフイルムを延伸する際に、幅方向
の端部の温度を、中央部より10℃以上30℃以下高く
することが好ましい。(これにより、端部が強く延伸さ
れ、発生する延伸ムラを抑制できる。) 横延伸 セルロースアセテートフイルムの延伸時に、延伸開始部
の曲率を、直径50mm以上300mm以下にすること
が好ましい。(延伸開始部部に急激な延伸を開始すると
延伸ムラを発生し易く、ここに大きな曲率を付与するこ
とでこれを緩和する。)
【0021】本発明の光学補償シートは、セルロースア
セテートフイルム上に液晶性化合物から形成された光学
異方性層が設けられてなる。以下に、本発明のセルロー
スアセテートフイルム、および光学補償シートにの詳細
について説明する。
【0022】[セルロースアセテートフイルムのレター
デーション]セルロースアセテートフイルムのReレタ
ーデーション値およびRthレターデーション値は、それ
ぞれ、下記式(I)および(II)で定義される。 (I) Re=(nx−ny)×d (II) Rth={(nx+ny)/2−nz}×d 式(I)および(II)において、nxは、セルロースア
セテートフイルム面内の遅相軸方向(屈折率が最大とな
る方向)の屈折率である。式(I)および(II)におい
て、nyは、セルロースアセテートフイルム面内の進相
軸方向(屈折率が最小となる方向)の屈折率である。式
(II)において、nzは、セルロースアセテートフイル
ムの厚み方向の屈折率である。式(I)および(II)に
おいて、dは、単位をnmとするセルロースアセテート
フイルムの厚さである。
【0023】本発明では、セルロースアセテートフイル
ムのReレターデーション値を0乃至20nmに、そし
てRthレターデーション値を70乃至400nmに調節
する。液晶表示装置に二枚の光学補償シートを使用する
場合、光学補償シートに使用するセルロースアセテート
フイルムのRthレターデーション値は70乃至250n
mであることが好ましい。液晶表示装置に一枚の光学補
償シートを使用する場合、光学補償シートに使用するセ
ルロースアセテートフイルムのRthレターデーション値
は150乃至400nmであることが好ましい。なお、
光学補償シートの支持体として用いるセルロースアセテ
ートフイルムの複屈折率(Δn:nx−ny)は、0.
00乃至0.002であることが好ましい。また、セル
ロースアセテートフイルムの厚み方向の複屈折率{(n
x+ny)/2−nz}は、0.001乃至0.04で
あることが好ましい。
【0024】本発明では、さらに、セルロースアセテー
トフイルムの横方向(TD)に沿って測定した面内レタ
ーデーション値(Re)のばらつきが、平均値(上記の
Reの値)に対して0乃至7%の範囲に調節し、そし
て、横方向(TD)に沿って測定した厚み方向のレター
デーション値(Rth)のばらつきが、平均値(上記のR
thの値)に対して0乃至7%の範囲に調節する。面内レ
ターデーション値(Re)のばらつきは、平均値に対し
て0乃至5%の範囲であることが好ましく、0乃至3%
の範囲であることがさらに好ましい。厚み方向のレター
デーション値(Rth)のばらつきも、平均値に対して0
乃至5%の範囲であることが好ましく、0乃至3%の範
囲であることがさらに好ましい。面内レターデーション
値(Re)または厚み方向のレターデーション値(Rt
h)のばらつきは、セルロースアセテートフイルムの横
方向(TD)に沿って等間隔に10点測定したReまた
はRthの最大値と最小値との差を各々の平均値で割り、
%で表示した値である。
【0025】[セルロースアセテート]セルロースアセ
テートの酢化度は、57.0乃至61.5%であること
が好ましく、58.0乃至61.0%であることがより
好ましく、58.5乃至61.0%であることがさらに
好ましい。酢化度とは、セルロース単位重量当たりの結
合酢酸量を意味する。酢化度は、 ASTM:D−817−91(セルロースアセテート等
の試験法)におけるアセチル化度の測定および計算に従
う。セルロースにはアセチルとエステル化反応をする水
酸基が3基(2、3、6位)存在するが、このうち6位
のアセチル置換率が30乃至40%の範囲にあることが
好ましく、31乃至39%の範囲にあることがより好ま
しく、32乃至38%の範囲にあることがさらに好まし
い。
【0026】一般にセルロースのグルコピラノース環
の、2、3、6位の水酸基は、アセチル基により1/3
ずつ均等には置換されない。通常、セルロースアセテー
トのグルコピラノース環の6位のアセチル置換率は、
2、3位の置換率に比べて小さい。6位のアセチル置換
率は、一般に28%程度である。本発明においては、こ
の6位のアセチル置換率を大きくすることが好ましい。
これにより延伸中に発生する延伸ムラを抑制することが
できる。即ち、セルロースの2、3位の水酸基は、主鎖
であるグルコピラノース環に直接結合しているが、6位
の水酸基はメチレン基を介して結合しているため、6位
に置換したアセチル基は、より運動性が大きく、他の分
子と絡み合いを生じやすい。これが弱い架橋構造とな
り、延伸応力を伝搬し易い。これによりネッキングを抑
制し、これによる延伸ムラを低減しているものと推定さ
れる。
【0027】このような6位の酢化度の高いセルロース
アセテートとその合成方法については、特開平11−5
851号公報(段落番号0011〜0012、および実
施例中の合成例1、2、3(段落番号0043〜004
4、00548〜0049、0051〜0052))に
詳しく記載されている。セルロースアセテートの粘度平
均重合度(DP)は、250以上であることが好まし
く、290以上であることがさらに好ましい。また、セ
ルロースアセテートは、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィーによるMw/Mn(Mwは重量平均分子量、
Mnは数平均分子量)の分子量分布が狭いことが好まし
い。具体的なMw/Mnの値としては、1.0乃至1.
7であることが好ましく、1.3乃至1.65であるこ
とがさらに好ましく、1.4乃至1.6であることが最
も好ましい。
【0028】[レターデーション上昇剤]セルロースア
セテートフイルムのレターデーションを調整するため、
少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレタ
ーデーション上昇剤として使用することができる。芳香
族化合物は、セルロースアセテート100質量部に対し
て、0.01乃至20質量部の範囲で使用する。芳香族
化合物は、セルロースアセテート100質量部に対し
て、0.05乃至15質量部の範囲で使用することが好
ましく、0.1乃至10質量部の範囲で使用することが
さらに好ましい。二種類以上の芳香族化合物を併用して
もよい。芳香族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素
環に加えて、芳香族性ヘテロ環を含む。
【0029】芳香族炭化水素環は、6員環(すなわち、
ベンゼン環)であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、5員環、6員環または7員環であることが好まし
く、5員環または6員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および1,3,
5−トリアジン環が含まれる。芳香族環としては、ベン
ゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および
1,3,5−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環およ
び1,3,5−トリアジン環がさらに好ましい。芳香族
化合物は、少なくとも一つの1,3,5−トリアジン環
を有することが特に好ましい。
【0030】芳香族化合物が有する芳香族環の数は、2
乃至20であることが好ましく、2乃至12であること
がより好ましく、2乃至8であることがさらに好まし
く、2乃至6であることが最も好ましい。二つの芳香族
環の結合関係は、(a)縮合環を形成する場合、(b)
単結合で直結する場合および(c)連結基を介して結合
する場合に分類できる(芳香族環のため、スピロ結合は
形成できない)。結合関係は、(a)〜(c)のいずれ
でもよい。
【0031】(a)の縮合環(二つ以上の芳香族環の縮
合環)の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ナフタセン環、ピレン環、イン
ドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾ
チオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール
環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベン
ゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメ
ン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キ
ナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジ
ン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、
フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フ
ェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン
環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、ア
ズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベン
ゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリア
ゾール環およびキノリン環が好ましい。(b)の単結合
は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好
ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、
二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環
を形成してもよい。
【0032】(c)の連結基も、二つの芳香族環の炭素
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−CO−、−O
−、−NH−、−S−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。 c1:−CO−O− c2:−CO−NH− c3:−アルキレン−O− c4:−NH−CO−NH− c5:−NH−CO−O− c6:−O−CO−O− c7:−O−アルキレン−O− c8:−CO−アルケニレン− c9:−CO−アルケニレン−NH− c10:−CO−アルケニレン−O− c11:−アルキレン−CO−O−アルキレン−O−CO
−アルキレン− c12:−O−アルキレン−CO−O−アルキレン−O−
CO−アルキレン−O− c13:−O−CO−アルキレン−CO−O− c14:−NH−CO−アルケニレン− c15:−O−CO−アルケニレン−
【0033】芳香族環および連結基は、置換基を有して
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子(F、C
l、Br、I)、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。
【0034】アルキル基の炭素原子数は、1乃至8であ
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基(例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基)を有して
いてもよい。アルキル基の(置換アルキル基を含む)例
には、メチル、エチル、n−ブチル、n−ヘキシル、2
−ヒドロキシエチル、4−カルボキシブチル、2−メト
キシエチルおよび2−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、2乃至8であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび1−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、2乃至
8であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、1−ブ
チニルおよび1−ヘキシニルが含まれる。
【0035】脂肪族アシル基の炭素原子数は、1乃至1
0であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、1乃至10である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、1乃
至8であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基(例、アルコキシ基)を有していてもよい。アルコ
キシ基の(置換アルコキシ基を含む)例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、2乃至
10であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、2乃至10であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。
【0036】アルキルチオ基の炭素原子数は、1乃至1
2であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、1乃至8である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。脂肪
族アミド基の炭素原子数は、1乃至10であることが好
ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含ま
れる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、1乃至
8であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の例
には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミドお
よびn−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族置
換アミノ基の炭素原子数は、1乃至10であることが好
ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび2−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、2乃至10であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、1乃至8であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、2乃至10であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、300乃至800であることが好ま
しい。レターデーション上昇剤については、特開200
0−111914号、同2000−275434号の各
公報、国際特許出願公開WO00/65384号明細書
に記載がある。
【0037】[セルロースアセテートフイルムの製造]
ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフイ
ルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法
では、セルロースアセテートを有機溶媒に溶解した溶液
(ドープ)を用いてフイルムを製造する。有機溶媒は、
炭素原子数が3乃至12のエーテル、炭素原子数が3乃
至12のケトン、炭素原子数が3乃至12のエステルお
よび炭素原子数が1乃至6のハロゲン化炭化水素から選
ばれる溶媒を含むことが好ましい。エーテル、ケトンお
よびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテ
ル、ケトンおよびエステルの官能基(すなわち、−O
−、−CO−および−COO−)のいずれかを二つ以上
有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。
有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を
有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶
媒の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有す
る化合物の規定範囲内であればよい。
【0038】炭素原子数が3乃至12のエーテル類の例
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が3乃至12のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が3乃至
12のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
2−エトキシエチルアセテート、2−メトキシエタノー
ルおよび2−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、1または2であることが好
ましく、1であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、25乃至75モル%であることが好ましく、3
0乃至70モル%であることがより好ましく、35乃至
65モル%であることがさらに好ましく、40乃至60
モル%であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。
【0039】一般的な方法でセルロースアセテート溶液
を調製できる。一般的な方法とは、0℃以上の温度(常
温または高温)で処理することを意味する。溶液の調製
は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製
方法および装置を用いて実施することができる。なお、
一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化
水素(特にメチレンクロリド)を用いることが好まし
い。セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に1
0乃至40質量%含まれるように調整する。セルロース
アセテートの量は、10乃至30質量%であることがさ
らに好ましい。有機溶媒(主溶媒)中には、後述する任
意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温(0
乃至40℃)でセルロースアセテートと有機溶媒とを攪
拌することにより調製することができる。高濃度の溶液
は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体的に
は、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器に入
れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、か
つ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪拌す
る。加熱温度は、通常は40℃以上であり、好ましくは
60乃至200℃であり、さらに好ましくは80乃至1
10℃である。
【0040】各成分は予め粗混合してから容器に入れて
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
【0041】冷却溶解法により、溶液を調製することも
できる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させ
ることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを
溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセル
ロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶
解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果があ
る。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロ
ースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロ
ースアセテートの量は、この混合物中に10乃至40質
量%含まれるように調整することが好ましい。セルロー
スアセテートの量は、10乃至30質量%であることが
さらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の
添加剤を添加しておいてもよい。
【0042】次に、混合物を−100乃至−10℃(好
ましくは−80乃至−10℃、さらに好ましくは−50
乃至−20℃、最も好ましくは−50乃至−30℃)に
冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール
浴(−75℃)や冷却したジエチレングリコール溶液
(−30乃至−20℃)中で実施できる。このように冷
却すると、セルロースアセテートと有機溶媒の混合物は
固化する。冷却速度は、4℃/分以上であることが好ま
しく、8℃/分以上であることがさらに好ましく、12
℃/分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速
いほど好ましいが、10000℃/秒が理論的な上限で
あり、1000℃/秒が技術的な上限であり、そして1
00℃/秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、
冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷
却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間
で割った値である。
【0043】さらに、これを0乃至200℃(好ましく
は0乃至150℃、さらに好ましくは0乃至120℃、
最も好ましくは0乃至50℃)に加温すると、有機溶媒
中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中
に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。加
温速度は、4℃/分以上であることが好ましく、8℃/
分以上であることがさらに好ましく、12℃/分以上で
あることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好まし
いが、10000℃/秒が理論的な上限であり、100
0℃/秒が技術的な上限であり、そして100℃/秒が
実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始す
る時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始して
から最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値で
ある。以上のようにして、均一な溶液が得られる。な
お、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り
返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視によ
り溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
【0044】冷却溶解法においては、冷却時の結露によ
る水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ま
しい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、
加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。なお、セルロースアセテート
(酢化度:60.9%、粘度平均重合度:299)を冷
却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した20質量
%の溶液は、示差走査熱量測定(DSC)によると、3
3℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在
し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、
この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移
温度プラス10℃程度の温度で保する必要がある。ただ
し、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢
化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒に
より異なる。
【0045】調製したセルロースアセテート溶液(ドー
プ)から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセ
テートフイルムを製造する。ドープは、ドラムまたはバ
ンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成す
る。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げて
おくことが好ましい。流延前のドープは、固形分量が1
8乃至35%となるように濃度を調整することが好まし
い。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げて
おくことが好ましい。ソルベントキャスト法における流
延および乾燥方法については、米国特許2336310
号、同2367603号、同2492078号、同24
92977号、同2492978号、同2607704
号、同2739069号、同2739070号、英国特
許640731号、同736892号の各明細書、特公
昭45−4554号、同49−5614号、特開昭60
−176834号、同60−203430号、同62−
115035号の各公報に記載がある。ドープは、表面
温度が10℃以下のドラムまたはバンド上に流延するこ
とが好ましい。流延してから2秒以上風に当てて乾燥す
ることが好ましい。得られたフイルムをドラムまたはバ
ンドから剥ぎ取り、さらに100から160℃まで逐次
温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させるこ
ともできる。以上の方法は、特公平5−17844号公
報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取り
までの時間を短縮することが可能である。この方法を実
施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温
度においてドープがゲル化することが必要である。
【0046】従来の単層液を流延する方法では、必要な
フイルム厚とするためには高濃度で高粘度のセルロース
アセテート溶液を押出す必要があり、その場合セルロー
スアセテート溶液の安定性が悪いために固形物を生じて
ブツ故障が発生したり、フイルムの平面性が悪化したり
する問題があった。これらの問題を解決するために、複
数のセルロースアセテート溶液を流延する共流延法によ
りセルロースアセテートフイルムを作製することが好ま
しい。共流延法によりフイルムを作製ることで、高粘度
の溶液を同時に支持体上に押出すことができ、優れた面
状(平面性)のフイルムが得られるばかりでなく、濃厚
なセルロースアセテート溶液を用いることで乾燥負荷が
軽減され、フイルムの生産スピードを高めることができ
る。
【0047】二層以上の複数のセルロースアセテート溶
液を流延する場合、支持体の進行方向に間隔をおいて設
けた複数の流延口からセルロースアセテートを含む溶液
をそれぞれ流延させて積層させながらフイルムを作製し
てもよく、特開昭61−158414号、特開平1−1
22419号、および特開平11−198285号の各
公報などに記載の流延方法を用いることができる。ま
た、二つの流延口からセルロースアセテート溶液を流延
することによってフイルムを作製してもよく、特公昭6
0−27562号、特開昭61−94724号、特開昭
61−947245号、特開昭61−104813号、
特開昭61−158413号、および特開平6−134
933号の各公報に記載の流延方法を用いることができ
る。また、特開昭56−162617号公報に記載の高
粘度セルロースアセテート溶液の流れを低粘度のセルロ
ースアセテート溶液で包み込み、その高、低粘度のセル
ロースアセテート溶液を同時に押出すセルロースアセテ
ートフイルムの流延方法を用いることもできる。
【0048】或いはまた、二個の流延口を用いて、第一
の流延口により支持体に成型したフイルムを剥ぎ取り、
支持体面に接していた側に第二の流延を行なうことでよ
りフイルムを作製してもよく、例えば特公昭44−20
235号公報に記載の流延方法を用いることができる。
流延するセルロースアセテート溶液は同一の溶液でもよ
いし、異なるセルロースアセテート溶液でもよく特に限
定されない。複数のセルロースアセテートの層に機能を
持たせるために、その機能に応じたセルロースアセテー
ト溶液をそれぞれの流延口から押出すこともできる。
【0049】セルロースアセテートフイルムには、機械
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート(TPP)およびトリクレジルホスフェート(TC
P)が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート(DM
P)、ジエチルフタレート(DEP)、ジブチルフタレ
ート(DBP)、ジオクチルフタレート(DOP)、ジ
フェニルフタレート(DPP)およびジエチルヘキシル
フタレート(DEHP)が含まれる。クエン酸エステル
の例には、O−アセチルクエン酸トリエチル(OACT
E)およびO−アセチルクエン酸トリブチル(OACT
B)が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤(DMP、DE
P、DBP、DOP、DPP、DEHP)が好ましく用
いられる。DEPおよびDPPが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースアセテートの量の0.1乃至2
5質量%であることが好ましく、1乃至20質量%であ
ることがさらに好ましく、3乃至15質量%であること
が最も好ましい。
【0050】セルロースアセテートフイルムには、劣化
防止剤(例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン)を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平3−19920
1号、同5−1907073号、同5−194789
号、同5−271471号、および同6−107854
号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製
する溶液(ドープ)の0.01乃至1質量%であること
が好ましく、0.01乃至0.2質量%であることがさ
らに好ましい。添加量が0.01質量%未満であると、
劣化防止剤の効果がほとんど認められない。添加量が1
質量%を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリ
ードアウト(滲み出し)が認められる場合がある。特に
好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシ
トルエン(BHT)、トリベンジルアミン(TBA)を
挙げることができる。さらにセルロースアセテート溶液
は、他の機能層(例えば、接着層、染料層、帯電防止
層、アンチハレーション層、UV吸収層、偏光層など)
と同時に流延することもできる。これら流延から乾燥ま
での工程は、空気雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不
活性ガス雰囲気下でもよい。セルロースアセテートフイ
ルムの製造に係わる巻き取り機は一般的に使用されてい
るものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパー
テンション法、内部応力一定のプログラムテンションコ
ントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができ
る。
【0051】[延伸]セルロースアセテートフイルムは、
熱などによる歪みの発生を抑えるために、延伸すること
が好ましい。延伸することにより、延伸方向の歪みが低
減できる。フイルムは、少なくとも一方向に延伸するこ
とが好ましく、面内すべての方向で歪みの発生を抑える
ために二軸延伸することがより好ましい。二軸延伸に
は、同時二軸延伸法と逐次二軸延伸法があるが、連続製
造の観点から逐次二軸延伸法が好ましい。ドープを流延
してフイルム化した後に、バンドもしくはドラムからフ
イルムを剥ぎ取り、次いで延伸をする。剥取った(延伸
前)のフイルムに、溶剤を3質量%以上50質量%以下
残しておくことが好ましく、より好ましく5質量%以上
40質量%以下、さらに好ましく10質量%以上35質
量%以下残しておくことが好ましい。延伸は、長手(M
D:縦)方向、幅(TD:横)方向に各々少なくとも一
回以上実施することが好ましく、幅方向に延伸した後、
長手方向に延伸することがより好ましい。
【0052】(1)横延伸 予熱 フイルムを横延伸する前に、50℃以上150℃以下、
より好ましくは60℃以上140℃以下、さらに好まし
くは70℃以上130℃以下で予熱することが好まし
い。予熱する時間は、5秒以上3分以下、より好ましく
は10秒以上2分以下、さらに好ましくは15秒以上9
0秒以下である。予熱は、フイルムをチャックで把持し
たままテンター内で実施することが好ましい。
【0053】延伸 予熱に引き続き、TD(幅)方向に延伸する。延伸速度
は、5〜300%/分であることが好ましく、より好ま
しくは10〜200%/分、さらに好ましくは15〜1
50%/分である。本発明においては、このような低速
で延伸することが好ましい。(通常のポリマーフイルム
(例えばポリエステル)は、500%/分以上の高速で延
伸することが一般的である。)このような延伸は、80
℃以上160℃以下、より好ましくは90℃以上150
℃以下、さらに好ましくは100℃以上145℃以下の
温度で行なうことが好ましい。延伸は、テンターを用い
てフイルムの両端を把持して行なうことが好ましい。好
ましい延伸倍率は、5%以上40%以下、より好ましく
は7%以上35%以下、さらに好ましくは10%以上3
0%以下である。さらに本発明では、フイルムに以下の
処理を実施することが好ましい。
【0054】イ)熱膨張係数低下策 フイルムの温度を、長手方向に10℃以上30℃以下で
温度を上昇させながら延伸することが好ましい。温度の
上昇は、12℃以上28℃以下であることが好ましく、
15℃以上25℃以下であることがさらに好ましい。延
伸により高度に配向させるほど延伸方向の熱膨張係数を
小さくできるが、セルロースアセテートフイルムのよう
な脆性ポリマーのフイルムは、延伸中に破断し易い。特
に横延伸は両端をクリップで把持して延伸するために、
応力が把持部分に集中して破断が生じやすい。フイルム
を破断せずに高配向させるために、前記のように昇温さ
せながら延伸することが好ましい。さらに本発明におい
ては、残留溶剤が多くフイルムが可塑化されている状態
においては低温で延伸し、フイルムを昇温して溶剤が揮
発した状態において高温で延伸することにより、破断の
発生も無く、フイルム面内の全領域においてバランスよ
く延伸され、より高配向のフイルムを得ることができ
る。
【0055】ロ)湿度膨張係数ムラ低下策 幅方向で発生した延伸ムラ(ボーイング)が、フイルム
の湿度膨張係数のムラを引き起こす。この対策として下
記の方法が有効である。延伸ムラを低減するため、延伸
前にフイルムの温度ムラを無くすために予熱を実施する
が、通常は、フイルムをチャックで把持したままテンタ
ー内で予熱し、そのままテンターの幅を広げて横延伸す
る。この時延伸が開始されるところから急激に(不連続
に)延伸が開始されるため、ここが応力集中点となり、
ここから優先的に延伸され延伸ムラを生じることがわか
った。このため、本発明においては、スムーズに延伸が
開始されるよう、延伸開始部のテンターレールに円弧を
形成してスムースに延伸することが好ましい。即ち延伸
開始点の曲率を、直径50mm以上300mm以下にす
ることが好ましく、直径60mm以上250mm以下に
することがより好ましく、直径70mm以上200mm
以下にすることがさらに好ましい。
【0056】緩和 セルロースアセテートフイルムには、熱膨張係数ムラ低
下策として、横延伸後に、延伸温度−50℃以上延伸温
度以下、より好ましくは延伸温度−40℃以上延伸温度
以下、さらに好ましくは延伸温度−30℃以上延伸温度
以下において、1%以上20%以下、より好ましくは2
%以上15%以下、さらに好ましくは4%以上12%以
下緩和することが好ましい。これにより延伸中に発生し
たボーイングによる延伸ムラを低減させることができ
る。好ましい緩和時間は5秒以上300秒以下であり、
より好ましくは10秒以上200秒以下、さらに好まし
くは15秒以上100秒以下である。この緩和は、通常
ポリエステル等で実施しているような延伸温度を100
℃以上上回るような熱固定処理において実施されるもの
とは全く異なるものである。
【0057】(2)縦延伸 予熱 フイルムを縦延伸する前に、50℃以上150℃以下、
より好ましくは60℃以上140℃以下、さらに好まし
くは70℃以上130℃以下で予熱することが好まし
い。予熱する時間は、5秒以上3分以下、より好ましく
は10秒以上2分以下、さらに好ましくは15秒以上9
0秒以下である。予熱は熱ロール上あるいは/および加
熱槽中を通過させて予熱することが好ましい。
【0058】延伸 フイルムの延伸処理における延伸速度は、好ましくは5
0%/分以上1000%/分以下、より好ましくは80
%/分以上800%/分以下、さらに好ましくは100
%/分以上700%/分以下である。好ましい延伸温度
は115℃以上160℃以下、より好ましくは120℃
以上155℃以下、さらに好ましくは125℃以上15
0℃以下である。好ましい延伸倍率は5%以上40%以
下、より好ましくは7%以上35%以下、さらにより好
ましくは10%以上30%以下である。延伸は、ヒート
ロールあるいは/および放射熱源(IRヒーター等)を
用いて、あるいは恒温槽中で加熱しながら、少なくとも
二対の周速の異なる(出口側の周速を入口側より速くす
る)ニップロールを用いて実施することが好ましい。
【0059】さらに本発明では、フイルムに以下の処理
を実施することが好ましい。 イ)熱膨張係数ムラ低下策 延伸直前のロール(入口側ニップロール)の温度を、好
ましくは70℃以上110℃以下、より好ましくは75
℃以上100℃以下、さらに好ましくは80℃以上10
0℃以下にする。一般には、このロール温度はTg以上
(セルロースアセテートのTg=120℃)に設定され
る。薄手のセルロースアセテートフイルムはニップロー
ルに粘着し易く、これにより発生した皺が延伸ムラを引
き起こす。さらにセルロースアセテートフイルムが残留
溶剤を含んでいるため、より一層粘着し易く、延伸ムラ
を生じやすい。延伸直前のロールの温度を上記のように
Tg以下とすることで、フイルムの弾性率を高くし、ロ
ールにまとわりついて粘着することを防止できる。
【0060】ロ)熱膨張係数低下策 延伸ロール間隔を、好ましくはベース幅の3倍以上8倍
以下、より好ましくは3.5倍以上7.5倍以下、さら
に好ましくは4倍以上7倍以下の間隔で延伸する。通常
の延伸は2倍以下の短い間隔で延伸するが、このような
短い間では十分に分子を配向させることができず、熱膨
張係数を充分小さくすることができない。本発明におい
ては、十分に分子配向を強くし、熱膨張係数を低減する
ため、上記のような長いスパンのロール間で延伸するこ
とが好ましい。
【0061】ハ)湿度膨張係数ムラ低下策 延伸時にフイルムの端部の温度を、好ましくは中央部よ
り10℃以上30℃以下、より好ましくは13℃以上2
7℃以下、さらに好ましくは15℃以上2℃以下高くす
る。これにより、端部が強く延伸され発生する延伸ムラ
を抑制できる。このような方法は、上述のような長いス
パン間での延伸の場合、特に幅方向の延伸ムラが発生し
易く、これと組み合わせて実施することが特に有効であ
る。フイルムにこのような温度分布を設けるには、両端
部に放射熱源(IRヒーターやハロゲンヒーター)を用
い、端部だけを局部的に加熱してもよく、ニップロール
のなかに分割ヒーターを内蔵し、これにより温度差を与
えても良い。
【0062】緩和 延伸後、冷却しながら緩和しても良い。冷却は延伸温度
から2段以上の温調ロールを用いて順次冷却する。この
とき隣接したロールの温度差を50℃以下にすることが
好ましい。これを越え急冷するとフイルムに皺が発生
し、これが延伸ムラを引き起こし、フイルムの湿度膨張
係数のムラとなる。この間に温調ロールの周速を出口側
を遅くすることで緩和処理することも好ましい。緩和量
は10%以下が好ましく、より好ましくは7%以下、さ
らに好ましくは5%以下である。
【0063】セルロースアセテートフイルムの幅は、
0.5〜3mであることが好ましく、0.7〜2.5m
であることがより好ましく、0.9〜2mであることが
さらに好ましい。フイルムは、1ロールあたり長さ30
0〜6000mで巻き取ることが好ましく、500〜5
000mで巻き取ることがより好ましく、1000〜4
000mで巻き取ることがさらに好ましい。巻き取る
際、フイルム幅方向の少なくとも片端にナーリングを付
与することが好ましい。ナーリングの幅は、3mm〜5
0mmであることが好ましく、5mm〜30mmである
ことがより好ましい。ナーリングの高さは、5〜500
μmであることが好ましく、10〜200μmであるこ
とがより好ましい。ナーリングは、片押しであっても両
押しであってもよい。セルロースアセテートフイルムの
厚みは、10乃至70μmであることが好ましく、20
乃至60μmであることがより好ましく、30乃至50
μmであることが最も好ましい。フイルムの光弾性係数
は、1.0×10-6cm2 /Kg以下であることが好ま
しい。フイルムの弾性率は、3000MPa以下が好ま
しく、さらに好ましくは2500MPa以下である。さ
らにフイルムの熱伝導率は、1W/m・K以上であるこ
とが好ましい。また延伸後のフイルムの残留溶剤量は、
0.01質量%乃至1質量%であることが好ましく、
0.02質量%乃至0.07質量%であることが更に好
ましく、0.03質量%乃至0.05質量%であること
が最も好ましい。
【0064】[セルロースアセテートフイルムの表面処
理]セルロースアセテートフイルムには、表面処理を施
すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処
理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理
または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平7−
333433号公報に記載のように、下塗り層を設ける
ことも好ましく利用される。このような処理により、表
面エネルギーを55mN/m以上にすることが好まし
く、60mN/m以上75mN/m以下にすることが更
に好ましい。固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と
応用」(リアライズ社 1989.12.10発行)に
記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により
求めることができる。本発明のセルロースアセテートフ
イルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。具体
的には、表面エネルギーが既知である二種の溶液をセル
ロースアセテートフイルムに滴下し、液滴の表面とフイ
ルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフイル
ム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義
し、計算によりフイルムの表面エネルギーを算出でき
る。
【0065】これらの表面処理の中で、偏光板の透明保
護膜として使用する場合、偏光膜との接着性の観点か
ら、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースア
セテートに対する鹸化処理を実施することが特に好まし
い。鹸化処理塗布液の溶媒としては、水、有機溶剤を用
いることができる。より好ましくは、鹸化液としてのセ
ルロースアセテートフイルムに対する濡れ性が良く、ま
た鹸化液の溶媒によってセルロースアセテートフイルム
表面に凹凸を形成させずに、良好な面状を保つ溶媒を選
択することが好ましい。具体的に、溶媒としては、アル
コール系溶媒が好ましく、炭素数が1〜5のモノアルコ
ールあるいはジアルコールがより好ましい。エチルアル
コール、ノルマルプロピルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ノルマルブチルアルコール、イソブチルアル
コール、ターシャリーブチルアルコール、エチレングリ
コールがさらに好ましく、イソプロピルアルコールが最
も好ましい。これらのアルコール類は単一溶剤で用いて
も良く、混合溶剤で用いても良い。また溶媒に対して、
水を0質量%以上50質量%以下、より好ましくは0質
量%以上30質量%以下、さらに好ましくは0質量%以
上15質量%以下添加しても良い。また、界面活性剤の
水溶液を溶媒として使用することもできる。鹸化塗布液
のアルカリは、上記の溶媒に溶解するアルカリが好まし
く、KOH、NaOHがさらに好ましい。鹸化塗布液の
pHは10以上であることが好ましく、12以上である
ことがさらに好ましい。
【0066】鹸化は、これらの酸もしくはアルカリの溶
液(鹸化液)にフイルムを浸漬すること(浸漬法)によ
り実施しても良く、これらの溶液をフイルムに塗布する
こと(塗布法)により実施しても良い。セルロースアセ
テートフイルムの鹸化は、塗布法により実施することが
より好ましい。塗布法で鹸化をすることにより、浸漬法
と比べて、鹸化後のフイルムをロール状に巻き取り経時
保存したときのブロッキングを抑制できる。ブロッキン
グは、本発明で好ましく用いる延伸セルロースアセテー
トフイルムの場合、さらには前記の6位のアセチル置換
率が高いセルロースアセテートフイルムの場合に顕著に
発現する。即ち、延伸したフイルムは経時保存中に収縮
しようとするが、この収縮応力によりフイルムが擦り合
わされブロッキングが発生し易い。そして、6位に置換
したアセチル基は鹸化され易く、鹸化により生じた6位
の水酸基がさらにブロッキングを悪化させる。このよう
な問題に対して塗布法による鹸化処理を実施すると、鹸
化液がフイルムの表面にしか存在せず(浸漬法のように
フイルム内部まで浸透せず)、弱い鹸化(その上に塗設
する層と必要最低限)とすることができ、ブッロキング
を防止できるので好ましい。鹸化液を塗布する方法とし
ては、ディップコーティング法、カーテンコーティング
法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティ
ング法およびE型塗布法を挙げることができる。鹸化時
の温度は、10℃以上80℃以下、より好ましくは15
℃以上60℃以下、さらに好ましくは20℃以上40℃
以下である。鹸化処理の時間は、1秒以上5分以下が好
ましく、2秒以上1分以下がさらに好ましく、3秒以上
30秒以下が特に好ましい。鹸化処理に引き続き、鹸化
液を洗い落とすが、この時の洗浄液の液温を30℃以上
80℃以下で行なうのが好ましい。洗浄液の温度は、3
5℃以上70℃以下であることがより好ましく、40℃
以上65℃以下であることがさらに好ましい。洗浄は、
フイルムを洗浄液の浴に浸漬して実施しても良く、フイ
ルム表面にスプレーで洗浄液を塗布して実施しても良
い。洗浄液は、実質的に水であれば良く、洗浄液に0%
以上50%以下、より好ましくは0%以上20%以下で
溶剤が添加されていても良い。好ましい溶剤の例として
は、炭素数5以下のアルコールを挙げることができる。
溶剤としては、二種類以上の有機溶剤を混合して用いる
こともできる。洗浄液としは、純水が最も好ましい。鹸
化液の洗浄の後に、40℃以上200℃以下、より好ま
しくは50℃以上150℃以下、さらに好ましくは60
℃以上120℃以下で、フイルムを乾燥させる。この後
に配向膜等を塗布する場合、塗布式鹸化処理と配向膜の
塗設を、連続して行うことが工程数を減少できるので、
より好ましい。
【0067】[配向膜]本発明の光学補償シートは、セル
ロースアセテートフイルム上に、液晶性化合物から形成
された光学異方性層が設けられてなる。セルロースアセ
テートフイルムと光学異方性層の間に配向膜を設けるこ
とができる。配向膜は、液晶性化合物の配向方向を規定
する機能を有する。配向膜は、有機化合物(好ましくは
ポリマー)のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マ
イクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュ
ア・ブロジェット法(LB膜)による有機化合物(例、
ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウム
クロライド、ステアリル酸メチル)の累積のような手段
で設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付
与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知
られている。
【0068】配向膜は、ポリマーのラビング処理により
形成することが好ましい。ポリマーとして、二種類のポ
リマーを併用することも好ましい。ポリマーのうちの少
なくとも一種に、それ自体が架橋可能なポリマー、およ
び架橋剤により架橋されるポリマーのうちのいずれかを
使用することができる。配向膜は、官能基を有するポリ
マーあるいは官能基が導入されたポリマーを、光、熱、
あるいはPH変化等により、ポリマー間で反応させて形
成することができる。また、反応活性の高い化合物であ
る架橋剤を用いてポリマー間に架橋剤に由来する結合基
を導入して、ポリマー間を架橋することにより配向膜を
形成することもできる。
【0069】架橋は、通常ポリマーまたはポリマーと架
橋剤の混合物を含む塗布液を、セルロースアセテートフ
イルム上に塗布したのち、加熱等を行なうことにより実
施される。また、最終商品(光学補償シート)の段階で
耐久性が確保できれば良いので、配向膜をセルロースア
セテートフイルム上に塗設してから、光学補償シートが
得られるまでのいずれの段階で架橋させても良い。配向
膜上に形成される光学異方性層の液晶性化合物の配向性
を考えると、液晶性化合物を配向させたのちに、配向膜
を充分に架橋させることも好ましい。
【0070】配向膜に用いるポリマーとしては、それ自
体架橋が可能なポリマー、もしくは架橋剤により架橋さ
れるポリマーのいずれも使用することができる。勿論両
方可能なポリマーもある。ポリマーの例としては、ポリ
メチルメタクリレート、アクリル酸/メタクリル酸共重
合体、スチレン/マレインイミド共重合体、ポリビニル
アルコール及び変性ポリビニルアルコール、ポリ(N−
メチロールアクリルアミド)、スチレン/ビニルトルエ
ン共重合体、クロロスルホン化ポリエチレン、ニトロセ
ルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポ
リエステル、ポリイミド、酢酸ビニル/塩化ビニル共重
合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチ
ルセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリ
カーボネート等のポリマー及びシランカップリング剤等
の化合物を挙げることができる。ポリマーとしては、ポ
リ(N−メチロールアクリルアミド)、カルボキシメチ
ルセルロース、ゼラチン、ポリビルアルコール及び変性
ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマーが好ましく、
なかでもゼラチン、ポリビルアルコール及び変性ポリビ
ニルアルコールが好ましく、ポリビニルアルコール及び
変性ポリビニルアルコールが特に好ましい。
【0071】ポリビニルアルコール又は変性ポリビニル
アルコールを用いる場合、重合度の異なるポリビニルア
ルコール又は変性ポリビニルアルコールを二種類併用す
ることが最も好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度
は、70〜100%であることが好ましく、80〜10
0%であることがより好ましく、85乃至95%である
ことがさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度
は、100〜3000であることが好ましい。変性ポリ
ビニルアルコールの例としては、共重合変性したもの
(変性基として、例えば、COONa、Si(O
X)3 、N(CH3 3 ・Cl、C9 19COO、SO
3 、Na、C1225等が導入される)、連鎖移動により
変性したもの(変性基として、例えば、COONa、S
H、C1225等が導入される)、ブロック重合による変
性をしたもの(変性基として、例えば、COOH、CO
NH 2 、COOR、C6 5 等が導入される)等のポリ
ビニルアルコールの変性物を挙げることができる。これ
らの中で、鹸化度80〜100%の未変性あるいは変性
ポリビニルアルコールが好ましく、鹸化度85乃至95
%の未変性あるいはアルキルチオ変性ポリビニルアルコ
ールがより好ましい。変性ポリビニルアルコールは、下
記の一般式により表わされる化合物によるポリビニルア
ルコールの変性物であることが好ましい。この変性ポリ
ビニルアルコールを、以下、特定の変性ポリビニルアル
コールと記載する。
【0072】
【化1】
【0073】[式中、R1 は、アルキル基、アクリロイ
ルアルキル基、メタクリロイルアルキル基、またはエポ
キシアルキル基を表わし;Wは、ハロゲン原子、アルキ
ル基、またはアルコキシ基を表わし;Xは、活性エステ
ル、酸無水物、または酸ハロゲン化物を形成するために
必要な原子群を表わし;pは、0または1を表わし;そ
してnは、0〜4の整数を表わす]。上記の特定の変性
ポリビニルアルコールは、さらに下記一般式で表わされ
る化合物によるポリビニルアルコールの変性物であるこ
とが好ましい。
【0074】
【化2】
【0075】[式中、X1 は活性エステル、酸無水物、
または酸ハロゲン化物を形成するために必要な原子群を
表わし、そしてmは2〜24の整数を表わす。]
【0076】上記の二つの一般式により表される化合物
と反応させるために用いられるポリビニルアルコールと
しては、未変性のポリビニルアルコール、および、上記
の共重合変性、連鎖移動による変性、またはブロック重
合による変性をした変性ポリビニルアルコールを挙げる
ことができる。上記特定の変性ポリビニルアルコールの
好ましい例は、特開平9−152509号明細書に詳し
く記載されている。これらのポリマーの合成方法、可視
吸収スペクトル測定、および変性基導入率の決定方法な
どは、特開平8−338913号公報に詳しく記載があ
る。
【0077】架橋剤の例としては、アルデヒド類、N−
メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基
を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化
合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾール類、およ
びジアルデヒド澱粉などを挙げることができる。アルデ
ヒド類の例としては、ホルムアルデヒド、グリオキザー
ル、およびグルタルアルデヒドが挙げられる。N−メチ
ロール化合物の例としては、ジメチロール尿素およびメ
チロールジメチルヒダントインが挙げられる。ジオキサ
ン誘導体の例としては、2,3−ジヒドロキシジオキサ
ンが挙げられる。カルボキシル基を活性化することによ
り作用する化合物の例としては、カルベニウム、2−ナ
フタレンスルホナート、1,1−ビスピロリジノ−1−
クロロピリジニウム、および1−モルホリノカルボニル
−3−(スルホナトアミノメチル)が挙げられる。活性
ビニル化合物の例としては、1、3、5−トリアクロイ
ル−ヘキサヒドロ−s−トリアジン、ビス(ビニルスル
ホン)メタン、およびN,N’−メチレンビス−[βー
(ビニルスルホニル)プロピオンアミド]が挙げられ
る。そして、活性ハロゲン化合物の例としては、2,4
−ジクロロ−6−ヒドロキシ−S−トリアジンが挙げら
れる。これらは、単独または組合せて用いることができ
る。これらは上記水溶性ポリマー、特にポリビニルアル
コール及び変性ポリビニルアルコール(上記特定の変性
ポリビニルアルコールも含む)と併用する場合に好まし
い。生産性を考慮した場合、反応活性の高いアルデヒド
類、とりわけグルタルアルデヒドの使用が好ましい。
【0078】架橋剤の添加量に特に制限はなく、耐湿性
に関しては、多く添加した方が良化傾向にある。しか
し、架橋剤をポリマーに対して50質量%以上添加する
と、配向膜としての配向能が低下する。従って、ポリマ
ーに対する架橋剤の添加量は、0.1乃至20質量%の
範囲にあることが好ましく、特に0.5乃至15質量%
の範囲にあることが好ましい。本発明の配向膜は、架橋
反応が終了した後でも、反応しなかった架橋剤をある程
度含んでいるが、その架橋剤の量は、配向膜中に1.0
質量%以下であることが好ましく、特に0.5質量%以
下であることが好ましい。配向膜中に1.0質量%を超
える量で架橋剤が含まれていると、充分な耐久性が得ら
れない。即ち、液晶表示装置に使用した場合、長期使
用、あるいは高温高湿の雰囲気下に長期間放置した場合
に、レチキュレーションが発生することがある。
【0079】架橋反応は、前記のように、セルロースア
セテートフイルム上に配向膜を塗布した後、任意の時期
に行なっても良い。前記のポリビニルアルコール等の水
溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、
塗布液は消泡作用のあるメタノール等の有機溶媒と水の
混合溶媒を用いて作製することが好ましい。水とメタノ
ールを混合する比率(質量比)は、水:メタノールが
0:100〜99:1であることが一般的であり、0:
100〜91:9であることが好ましい。これにより、
泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方性層の層
表面の欠陥が著しく減少する。塗布方法としては、スピ
ンコーティング法、ディップコーティング法、カーテン
コーティング法、エクストルージョンコーティング法、
バーコーティング法及びE型塗布法を挙げることができ
る。特にE型塗布法が好ましい。また、配向膜の膜厚
は、0.1〜10μmであることが好ましい。塗布液の
加熱乾燥は、20℃ないし110℃の温度で行なうこと
ができる。充分な架橋を形成させるために、加熱乾燥の
温度は、60℃〜100℃であることが好ましく、特に
80℃〜100℃であることが好ましい。乾燥時間は、
1分〜36時間であることが好ましく、5分間乃至30
分間であることがさらに好ましい。塗布液のpHは、使
用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グ
ルタルアルデヒドを使用する場合には、pH4.5〜
5.5であることが好ましく、特にpH5であることが
好ましい。
【0080】配向膜は、上記のようにポリマー、架橋剤
をセルロースアセテートフイルム上に塗布した後、加熱
乾燥(架橋させ)し表面をラビング処理することにより
得ることができる。配向膜は、その上に設けられる液晶
性ディスコティック化合物の配向方向を規定するように
機能する。ラビング処理は、LCDの液晶配向処理工程
として広く採用されている処理方法を利用することがで
きる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、
ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて
一定方向に擦ることにより配向を得る方法を用いること
ができる。一般的には、長さ及び太さが均一な繊維を平
均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行う
ことにより実施される。
【0081】[液晶性化合物]本発明の光学補償シート
は、上記の配向膜の上に液晶性化合物からなる光学異方
性層を設けることで作製できる。液晶性化合物は、棒状
(液晶性)化合物でも、ディスコティック(液晶性)化
合物でも良く、またそれらが高分子液晶、もしくは低分
子液晶、さらには、低分子液晶が架橋され液晶性を示さ
なくなったものも含む。棒状液晶性分子(棒状液晶性化
合物)としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビ
フェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エス
テル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル
類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェ
ニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン
類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニル
シクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられ
る。なお、棒状液晶性分子には、金属錯体も含まれる。
また、棒状液晶性分子を繰り返し単位中に含む液晶ポリ
マーも、棒状液晶性分子として用いることができる。言
い換えると、棒状液晶性分子は、(液晶)ポリマーと結
合していてもよい。棒状液晶性分子については、季刊化
学総説第22巻液晶の化学(1994年)日本学術振興
会第142委員会編の第3章に記載がある。棒状液晶性
分子の複屈折率は、0.001乃至0.7であることが
好ましい。棒状液晶性分子は、重合性基を有することが
好ましい。重合性基(Q)の例を以下に示す。
【0082】
【化3】
【0083】重合性基(Q)は、不飽和重合性基(Q1
〜Q7)、エポキシ基(Q8)またはアジリジニル基
(Q9)であることが好ましく、不飽和重合性基である
ことがさらに好ましく、エチレン性不飽和重合性基(Q
1〜Q6)であることが最も好ましい。棒状液晶性分子
は、短軸方向に対してほぼ対称となる分子構造を有する
ことが好ましい。そのためには、棒状分子構造の両端に
重合性基を有することが好ましい。以下に、棒状液晶性
分子(棒状液晶性化合物)の例を示す。
【0084】
【化4】
【0085】
【化5】
【0086】
【化6】
【0087】
【化7】
【0088】
【化8】
【0089】
【化9】
【0090】
【化10】
【0091】
【化11】
【0092】
【化12】
【0093】
【化13】
【0094】
【化14】
【0095】
【化15】
【0096】
【化16】
【0097】以下に、液晶性化合物として好ましく用い
られるディスコティック化合物について、そしてディス
コティック化合物を用いた場合を例として光学異方性層
の形成について記載する。ディスコティック液晶性化合
物の例としては、C.Destradeらの研究報告、
Mol.Cryst.71巻、111頁(1981年)
に記載されているベンゼン誘導体、C.Destrad
eらの研究報告、Mol.Cryst.122巻、14
1頁(1985年)、Physics lett,A,
78巻、82頁(1990)に記載されているトルキセ
ン誘導体、B.Kohneらの研究報告、Angew.
Chem.96巻、70頁(1984年)に記載された
シクロヘキサン誘導体及びJ.M.Lehnらの研究報
告、J.Chem.Commun.,1794頁(19
85年)、J.Zhangらの研究報告、J.Am.C
hem.Soc.116巻、2655頁(1994年)
に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン
系マクロサイクルなどを挙げることができる。上記ディ
スコティック液晶性化合物は、一般的にこれらを分子中
心の母核とし、直鎖のアルキル基やアルコキシ基、置換
ベンゾイルオキシ基等がその直鎖として放射線状に置換
された構造であり、液晶性を示す。ただし、分子自身が
負の一軸性を有し、一定の配向を付与できるものであれ
ば上記記載に限定されるものではない。また、本発明に
おいて、ディスコティック化合物から形成したとは、最
終的にできた物が前記化合物である必要はなく、例え
ば、前記低分子ディスコティック液晶が熱、光等で反応
する基を有しており、結果的に熱、光等で反応により重
合または架橋し、高分子量化し液晶性を失ったものも含
まれる。上記ディスコティック液晶性化合物の好ましい
例は特開平8−50206号公報に記載されている。
【0098】光学異方性層は、ディスコティック構造単
位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層であっ
て、そしてディスコティック構造単位の面が、セルロー
スアセテートフイルム面に対して傾き、且つ該ディスコ
ティック構造単位の面とセルロースアセテートフイルム
面とのなす角度が、光学異方性層の深さ方向に変化して
いることが好ましい。上記ディスコティック構造単位の
面の角度(傾斜角)は、一般に、光学異方性層の深さ方
向でかつ光学異方性層の底面からの距離の増加と共に増
加または減少している。上記傾斜角は、距離の増加と共
に増加することが好ましい。更に、傾斜角の変化として
は、連続的増加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減
少、連続的増加と連続的減少を含む変化、及び増加及び
減少を含む間欠的変化等を挙げることができる。間欠的
変化は、厚さ方向の途中で傾斜角が変化しない領域を含
んでいる。傾斜角は、変化しない領域を含んでいても、
全体として増加または減少していることが好ましい。更
に、傾斜角は全体として増加していることが好ましく、
特に連続的に変化することが好ましい。
【0099】光学異方性層は、一般にディスコティック
化合物及び他の化合物を溶剤に溶解した溶液を配向膜上
に塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック
相形成温度まで加熱し、その後配向状態(ディスコティ
ックネマチック相)を維持して冷却することにより得ら
れる。あるいは、光学異方性層は、ディスコティック化
合物及び他の化合物(更に、例えば重合性モノマー、光
重合開始剤)を溶剤に溶解した溶液を配向膜上に塗布
し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック相形成
温度まで加熱したのち重合させ(UV光の照射等によ
り)、さらに冷却することにより得られる。本発明に用
いるディスコティック液晶性化合物のディスコティック
ネマティック液晶相−固相転移温度としては、70〜3
00℃が好ましく、特に70〜170℃が好ましい。
【0100】例えば、支持体側のディスコティック単位
の傾斜角は、一般にディスコティック化合物あるいは配
向膜の材料を選択することにより、またはラビング処理
方法の選択することにより、調整することができる。ま
た、表面側(空気側)のディスコティック単位の傾斜角
は、一般にディスコティック化合物あるいはディスコテ
ィック化合物とともに使用する他の化合物(例、可塑
剤、界面活性剤、重合性モノマー及びポリマー)を選択
することにより調整することができる。更に、傾斜角の
変化の程度も上記選択により調整することができる。
【0101】上記可塑剤、界面活性剤及び重合性モノマ
ーとしては、ディスコティック化合物と相溶性を有し、
液晶性ディスコティック化合物の傾斜角の変化を与えら
れるか、あるいは配向を阻害しない限り、どのような化
合物も使用することができる。これらの中で、重合性モ
ノマー(例、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル
基及びメタクリロイル基を有する化合物)が好ましい。
上記化合物は、ディスコティック化合物に対して一般に
1〜50質量%(好ましくは5〜30質量%)の量にて
使用される。
【0102】上記ポリマーとしては、ディスコティック
化合物と相溶性を有し、液晶性ディスコティック化合物
に傾斜角の変化を与えられる限り、どのようなポリマー
でも使用することができる。ポリマー例としては、セル
ロースエステルを挙げることができる。セルロースエス
テルの好ましい例としては、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピ
ルセルロース及びセルロースアセテートブチレートを挙
げることができる。上記ポリマーは、液晶性ディスコテ
ィック化合物の配向を阻害しないように、ディスコティ
ック化合物に対して一般に0.1〜10質量%(好まし
くは0.1〜8質量%、特に0.1〜5質量%)の量に
て使用される。
【0103】[偏光板]偏光板は、偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる。偏光膜に
は、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜
やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料
系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを
用いて製造する。偏光板の一方の保護膜として、上記の
光学補償シートを用いることで、本発明の偏光板が得ら
れる。偏光板の他方の保護膜としては、通常のセルロー
スアセテートフイルムを用いてもよい。光学補償シート
は、その支持体であるセルロースアセテートフイルムの
遅相軸と、偏光膜の透過軸とが実質的に平行になるよう
に配置することが好ましい。光学補償シートの光学異方
性層が偏光膜と反対側となるように配置することも好ま
しい。
【0104】また、偏光板の生産性には保護フイルムの
透湿性が重要であることがわかった。偏光膜と保護フイ
ルムは水系接着剤で貼り合わせられており、接着剤の溶
剤は、保護フイルム中を拡散することで、乾燥される。
保護フイルムの透湿性が高ければ、高いほど乾燥は早く
なり生産性は向上するが、高くなりすぎると、液晶表示
装置の使用環境(高湿下)により、水分が偏光膜中に入
ることで偏光能が低下する。光学補償シートの透湿性
は、ポリマーフイルム(および重合性液晶化合物)の厚
み、自由体積、親疎水性等により決定される。光学補償
シートを、偏光板の保護フイルムとして用いる場合、透
湿性は100乃至1000g/m2 ・24hrsである
ことが好ましく、300乃至700g/m2 ・24hr
sであることが更に好ましい。
【0105】[液晶表示装置]本発明の光学補償シート
または上記の偏光板は、液晶表示装置、特に透過型液晶
表示装置に有利に用いられる。透過型液晶表示装置は、
液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板から
なる。偏光板は、偏光膜とその両側に配置された二枚の
透明保護膜とからなる。液晶セルは、二枚の電極基板の
間に液晶を担持している。光学補償シートは、液晶セル
と一方の偏光板との間に、一枚配置するか、あるいは液
晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。光学補償
シートは、支持体として用いるセルロースアセテートフ
イルムの遅相軸と、フイルムに近い偏光膜の透過軸とが
実質的に平行となるよう配置することが好ましい。本発
明の偏光板を液晶表示装置に用いる場合、液晶表示装置
の二枚の偏光板の少なくとも一方の代わりに本発明の偏
光板を配置すればよい。本発明の偏光板は、保護膜とし
て用いた光学補償シートが液晶セル側となるように配置
する。偏光板は、用いた光学補償シートの支持体である
セルロースアセテートフイルムの遅相軸と、フイルムに
近い偏光膜の透過軸とが実質的に平行となるよう配置す
ることが好ましい。TNモードの液晶セルでは、電圧無
印加時に棒状液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに
60乃至120゜にねじれ配向している。TNモードの
液晶セルは、カラーTFT液晶表示装置として最も多く
利用されており、多数の文献に記載がある。
【0106】[測定方法]まず、セルロースアセテート
フイルムおよび光学補償シートの物性値を測定する方法
について説明する。 湿度膨張係数 作製したセルロースアセテートフイルムから、幅5c
m、長さ25cm(測定方向)の試料を切り出す。試料
に20cmの間隔でピン孔を空ける。試料を、温度25
℃、相対湿度10%RHの環境下で3時間以上調湿した
後に、ピン孔の間隔をピンゲージを用い測長する(測定
値をL1 とする)。次いで試料を、温度25℃、相対湿
度85%RHの環境下で3時間以上調湿した後、ピン孔
の間隔をピンゲージを用い測長する(測定値をL2 とす
る)。これらの測定値を用いて下記式により湿度膨張係
数を算出する。 湿度膨張係数(/%RH)=(L2 −L1 )/(L1 ×
75) フイルムの幅方向に沿った等間隔の10点で測定を行
い、測定した値の平均値を湿度膨張係数とした。そして
測定値のうちの最大値と最小値の差を、平均値で割った
値を湿度膨張係数のばらつきとした。同様にフイルムの
長手方向に沿って湿度膨張係数とそのばらつきを測定し
た。
【0107】熱膨張係数 作製したセルロースアセテートフイルムから、幅3m
m、長さ35mm(測定方向)の試料を切り出す。試料
を、温度25℃、相対湿度60%RHの環境下で3時間
以上調湿した。次いで試料について、下記の条件でTM
A(Thermal Mechanical Analyzer:TA instruments社製
TMA2940型)を用いた測定をして、以下のようにして熱
膨張係数を算出した。 (測定条件) チャック間距離:25.4mm 昇温条件 :30℃〜100℃(3℃/分) 張力 :0.04N 試料の、80℃におけるチャック間寸法から、40℃に
おけるチャック間寸法を差し引いた値ΔL(80−4
0)(mm)を求め、下記式に従って熱膨張係数を算出
する。 熱膨張係数(/℃)=ΔL(80−40)/(25.4
×40) フイルムの幅方向に沿った等間隔の10点で測定を行
い、測定した値の平均値を熱膨張係数とした。そして測
定値のうちの最大値と最小値の差を、平均値で割った値
を熱膨張係数のばらつきとした。同様にフイルムの長手
方向に沿って湿度膨張係数とそのばらつきを測定した。
【0108】Re、Rth 作製したセルロースアセテートフイルムについて、エリ
プソメーター(M−150、日本分光(株)製)を用い
て、波長550nmにおけるReレターデーション値お
よびRthレターデーション値を測定した。また、幅方向
に沿って等間隔に10点測定し、Re、Rthそれぞれの
最大値と最小値の差を各々の平均値で割り、%で表示し
たものをRe、Rthのレンジ(ばらつき)とした。
【0109】
【実施例】[実施例1] (1)セルロースアセテートフイルムの製膜 下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しなが
ら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶
液を調製した。
【0110】 ──────────────────────────────────── セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── セルロースアセテート 100質量部 トリフェニルホスフェート(可塑剤) 7.8質量部 ビフェニルジフェニルホスフェート(可塑剤) 3.9質量部 メチレンクロライド(第1溶媒) 300質量部 メタノール(第2溶媒) 54質量部 1−ブタノール(第3溶媒) 11質量部 ────────────────────────────────────
【0111】なお、ここで用いたセルロースアセテート
の酢化度および6位のアセチル置換率を第1表の値とし
て、本発明および比較例のそれぞれで用いるドープを調
製した。このような6位のアセチル置換率の高いセルロ
ースアセテートの合成は、特開平11−5851号公報
に詳しく記載されている(さらに詳しくは、特開平11
−5851の実施例の合成例1〜5に準じて、酢化反応
の触媒として用いる硫酸量、反応時間、中和に用いる酢
酸マグネシウム水溶液の量、および熟成反応に用いた酢
酸マグネシウム水溶液、反応時間、酢酸マグネシウム水
溶液量を変えることで、第1表に記載の酢化度、6位酢
化度のセルロースアセテートが得られる。) なおセルロースアセテートの6位のアセチル置換度(6
位酢化度)は、セルロースアセテートをプロピオニル化
処理した後、13C−NMRによる測定によって求め
た。測定方法の詳細については、手塚他(Carbohydr. R
es. 273(1995)83-91)に記載があり、これに準じて実施
した。
【0112】用いたセルロースアセテートは、いずれも
粘度平均重合度320、含水率0.4%、メチレンクロ
ライド中に6質量%溶解した時の粘度305mPa・
s、フレークの平均粒子径1.5mm、標準偏差0.5
mmであった。また、これらのセルロースアセテートの
残存酢酸量は、いずれも0.01質量%以下、Ca含
率、Fe含率、Mg含率は、各々0.05%以下、5p
pm以下、0.007質量%以下であった。いずれのセ
ルロースアセテートもアセトン抽出分は11質量%、重
量平均分子量と数平均分子量の比は0.5であった。
【0113】別のミキシングタンクに、下記のレターデ
ーション上昇剤16質量部、メチレンクロライド80質
量部およびメタノール20質量部を投入し、加熱しなが
ら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
作製したそれぞれのセルロースアセテート溶液474質
量部に、レターデーション上昇剤溶液25質量部を混合
し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーショ
ン上昇剤の添加量は、セルロースアセテート100質量
部に対して、3.5質量部であった。
【0114】
【化17】
【0115】得られたそれぞれのドープを、バンド流延
機を用いて、第1表記載のように単層法、あるいは重層
法(共流延法)により流延した。 単層法:上記ドープを単層用ダイを用いて流延した。 重層法:三層共流延ダイを用い、内層から上記ドープ
を、両側に10%溶剤を増加して希釈したドープを流延
した。これらは、残留溶剤量が第1表記載の量となった
ところでバンド上から剥ぎ取った。なお残留溶剤は、剥
取り直後のフイルム質量(W1 とする)と、これを14
0℃で20分乾燥させ、乾燥直後のフイルムの質量(W
2 とする)とから、下式により算出した。 残留溶剤量(質量%)=(W1 −W2 )/W1×100
【0116】(2)延伸 フイルムをバンドから剥取った後、直ちに第1表に記載
の条件で延伸して、それぞれセルロースアセテートフイ
ルムを作製した。フイルムに施した延伸の詳細について
下記のおよびに記載する。なお、実施例14、15
以外は横縦延伸の後、縦延伸を行った。 横延伸 フイルムを80℃で30秒予熱した後、第1表記載の倍
率にテンター延伸した。この時、延伸開始温度を第1表
に記載した温度(上昇温度)だけ上昇しながら、延伸終
了時に130℃になるように温度勾配を付けながら延伸
した。なお、延伸速度は100%/分で実施した。ま
た、予熱から延伸に移る際、延伸開始部に第1表に記載
した曲率半径を持たせてテンターレールを広げた。延伸
の後、第1表記載の温度、緩和率で30秒緩和した。こ
の後、チャックで把持していたフイルムの両端をスリッ
トした。 縦延伸 フイルムを90℃で30秒予熱した後、第1表に記載の
温度にした延伸直前のロールを通過させた後、フイルム
中央部、両端部が第1表記載の温度となるよう、幅方向
に3分割した赤外線ヒーターで加熱しながら、第1表に
記載の倍率で延伸した。なお、延伸ロール間隔をベース
幅で割った値は、第1表に記載した値となるように調整
した。また、延伸速度はいずれも300%/分で実施し
た。この後、ロールの温度差を延伸温度から順に30℃
ずつ低く設定した4本の冷却ロールを通過させフイルム
を徐冷した。この間、フイルムを縦方向に3%緩和させ
た。
【0117】作製したそれぞれのセルロースアセテート
フイルムの、Reレターデーション値、Rthレターデー
ション値、およびこれらのレンジ(ばらつき)を第2表
に示した。
【0118】このようにして得られたセルロースアセテ
ートフイルムの幅は、1.3mであり、これを3000
m巻き取った。この時、フイルムの両端に幅10mm、
高さ20μmのナーリングを付与した。作製したセルロ
ースアセテートフイルム(本発明および比較例)の、熱
膨張係数、湿度膨張係数、これらのばらつき、および厚
みを第1表に記載した。
【0119】
【表1】
【0120】
【表2】
【0121】
【表3】
【0122】(3)鹸化 作製したセルロースアセテートフイルムのそれぞれを、
第2表記載のように下記方法のいずれかにより鹸化処理
した。 (a)浸漬型鹸化法 セルロースアセテートフイルムを、1.5規定水酸化ナ
トリウム水溶液(55℃)に2分間浸漬してから、室温
の水洗浴槽中で洗浄し、0.1規定の硫酸(30℃)で
中和し、再度、室温水洗浴槽中で洗浄し、さらに100
℃の温風で乾燥した。 (b)塗布型鹸化法 セルロースアセテートフイルムを、1.5規定KOH−
イソプロピルアルコール溶液を25ml/m2 塗布し、
25℃で5秒間乾燥させた。流水で10秒洗浄し、25
℃の空気を吹き付けることでフイルム表面を乾燥させ
た。
【0123】(4)配向膜の形成 鹸化処理したセルロースアセテートフイルムの上に、下
記の組成の配向膜塗布液を、#16のワイヤーバーコー
ターで28ml/m2 塗布し、60℃の温風で60秒、
さらに90℃の温風で150秒乾燥した。次に、フイル
ムの長手方向と平行な方向に、形成した膜にラビング処
理を実施して配向膜を形成した。
【0124】 ──────────────────────────────────── 配向膜塗布液組成 ──────────────────────────────────── 下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部 水 371質量部 メタノール 119質量部 グルタルアルデヒド(架橋剤) 0.5質量部 ────────────────────────────────────
【0125】
【化18】
【0126】(5)光学異方性層の形成 配向膜上に、下記の円盤状(液晶性)化合物41.01
g、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパント
リアクリレート(V#360、大阪有機化学(株)製)
4.06g、セルロースアセテートブチレート(CAB
551−0.2、イーストマンケミカル社製)0.90
g、セルロースアセテートブチレート(CAB531−
1、イーストマンケミカル社製)0.23g、光重合開
始剤(イルガキュアー907、チバガイギー社製)1.
35g、増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬
(株)製)0.45gを、102gのメチルエチルケト
ンに溶解した塗布液を、#3.6のワイヤーバーで塗布
した。これを130℃の恒温ゾーンで2分間加熱し、円
盤状化合物を配向させた。次に、60℃の雰囲気下で1
20W/cm高圧水銀灯を用いて、1分間UV照射し円
盤状化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。
このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シー
トを作製した。円盤面と光学補償シートとの間の角度
(傾斜角)は、いずれの光学補償シートにおいても42
゜であった。
【0127】
【化19】
【0128】(6)偏光板の作製 延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着
させて偏光膜を作製した。ポリビニルアルコール系接着
剤を用いて、偏光膜の片側に、光学補償シートの鹸化処
理した面を、セルロースアセテートフイルムが偏光膜側
となり、さらにその遅相軸が偏光膜の透過軸と平行にな
るようにして貼り付けた(各実施例の番号に対応するセ
ルロースアセテートフイルムと、そのセルロースアセテ
ートフイルムから作製した光学補償フイルムを貼り合わ
せた)。市販のセルローストリアセテートフイルム(フ
ジタックTD80UF、富士写真フイルム(株)製)を
上記浸漬法で鹸化した後、ポリビニルアルコール系接着
剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付けた。
【0129】(7)液晶表示装置の作製 TN型液晶セルを使用した液晶表示装置(6E−A3、
シャープ(株)製)に設けられている一対の偏光板を剥
がし、代わりに作製した偏光板を、光学補償シートが液
晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側および
バックライト側に一枚ずつ貼り付けた(各実施例の番号
に対応するセルロースアセテートフイルムから作製した
光学補償フイルムと偏光板どうしを貼り合わせた)。観
察者側の偏光板の透過軸と、バックライト側の偏光板の
透過軸とは、Oモード(直交)となるように配置した。
【0130】作製したそれぞれの液晶表示装置につい
て、測定機(EZ−Contrast160D、ELDIM社
製)を用いて、黒表示(L1)から白表示(L8)まで
の8段階で視野角を測定した。バックライト点灯時の光
漏れについては、作製した偏光板を、上記と同様の方法
でシャープ20インチTVに実装し、40℃でバックラ
イトを5時間連続点灯した後(これは、通常実施される
評価条件(常温常湿)よりも過酷な条件での評価)、全
面黒表示状態を暗室にて目視にて評価し、額縁状に光漏
れの発生している領域の全液晶面積に占める割合を求め
た。また、光学濃度ムラは、全面中間調表示とした時
に、肉眼で観察して濃度ムラとして観察される面積を全
面積で割った値とした。いずれも許容されるのは10%
以下である。なお、これらの評価には、支持体のセルロ
ースアセテートフイルム原反の中央部から切り出した偏
光板、光学補償シートの組合せと、端部から切り出した
組合せについて実施し、結果を第2表に示した。本発明
の場合は、中央部は云うまでもなく、端部においても良
好な光学特性を達成した。
【0131】
【表4】
【0132】
【発明の効果】本発明の光学補償シートは、セルロース
アセテートフイルム上に液晶性化合物から形成された光
学異方性層が設けられてなる。本発明者は、光学補償シ
ートの支持体として用いるセルロースアセテートフイル
ムの、熱膨張係数あるいは湿度膨張係数を低下させ、且
つそれらの値を面内で均一に調節することで、液晶表示
装置の使用環境に対して光学特性が非常に安定であり、
かつ面内で光学特性が均一なセルロースアセテートフイ
ルムを得ている。このようなセルロースアセテートフイ
ルムを支持体とした光学補償シートを液晶表示装置に用
いることで、表示画面に生じる額縁状の光漏れ、光学濃
度ムラを改善することができた。本発明の光学補償シー
トは、液晶表示装置の使用環境に対して、光学特性が非
常に安定しており、かつシート面内で光学特性が均一で
ある。従って本発明の光学補償シートは、シート面内の
いずれの場所から切り出して用いても額縁状の光漏れや
光学濃度ムラを効果的に改善することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H049 BA02 BA06 BA42 BB03 BB33 BB49 BC03 BC09 BC22 2H091 FA09X FA09Z FB02 FC07 FD06 FD07 FD08 GA16 KA01 LA03 LA16 LA18 4F071 AA09 AC00 AF30Y AF53Y AF57 AF62Y AG09 AH19 BA02 BB02 BB07 BC01 BC12 4J002 AB021 EL066 EL086 EP006 ES006 ET006 ET016 EU026 EU036 EU046 EU056 EU116 EU126 EU136 EU146 EU166 EU176 EU186 EU216 EU236 EV236 EV266 EV306 EV326 FD020 FD206 GP00 HA05

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 縦方向(MD)および横方向(TD)のう
    ちの少なくとも一方向における熱膨張係数が1.0×1
    -5乃至4.5×10-5/℃の範囲にあり、そして当該
    方向に沿って測定した熱膨張係数のばらつきが、平均値
    に対して0乃至10%の範囲にあり、横方向(TD)に
    沿って測定した面内レターデーション値(Re)のばら
    つきが、平均値に対して0乃至7%の範囲にあり、そし
    て、横方向(TD)に沿って測定した厚み方向のレター
    デーション値(Rth)のばらつきが、平均値に対して0
    乃至7%の範囲にあることを特徴とするセルロースアセ
    テートフイルム。
  2. 【請求項2】 縦方向(MD)および横方向(TD)のう
    ちの少なくとも一方向における湿度膨張係数が1.0×
    10-5乃至5.0×10-5/%RHの範囲にあり、そし
    て当該方向に沿って測定した湿度膨張係数のばらつき
    が、平均値に対して0乃至10%の範囲にあり、横方向
    (TD)に沿って測定した面内レターデーション値(R
    e)のばらつきが、平均値に対して0乃至7%の範囲に
    あり、そして、横方向(TD)に沿って測定した厚み方
    向のレターデーション値(Rth)のばらつきが、平均値
    に対して0乃至7%の範囲にあることを特徴とするセル
    ロースアセテートフイルム。
  3. 【請求項3】 セルロースアセテートフイルムが、セル
    ロースアセテートおよびセルロースアセテート100質
    量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香
    族化合物を0.01乃至20質量部の範囲で含むことを
    特徴とする請求項1もしくは2に記載のセルロースアセ
    テートフイルム。
  4. 【請求項4】 芳香族化合物が、少なくとも一つの1,
    3,5−トリアジン環を有することを特徴とする請求項
    3に記載のセルロースアセテートフイルム。
  5. 【請求項5】 セルロースアセテートフイルムの、酢化
    度が57.0乃至61.5%の範囲にあり、そして厚み
    が10乃至70μmの範囲にあることを特徴とする請求
    項1乃至4のうちのいずれかの項に記載のセルロースア
    セテートフイルム。
  6. 【請求項6】 セルロースアセテートフイルムが、グル
    コピラノース環の6位のアセチル置換率が30乃至40
    %の範囲にあるセルロースアセテートからなることを特
    徴とする請求項1乃至5のうちのいずれかの項に記載の
    セルロースアセテートフイルム。
  7. 【請求項7】 セルロースアセテートフイルムが、共流
    延法により製膜されたフイルムであることを特徴とする
    請求項1乃至6のうちのいずれかの項に記載のセルロー
    スアセテートフイルム。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7のうちのいずれかの項に
    記載のセルロースアセテートフイルムを製造する方法で
    あって、セルロースアセテートフイルムを、該フイルム
    の横方向の端部の温度が、中央部より高い状態で縦方向
    に延伸することを特徴とするセルロースアセテートフイ
    ルムの製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至7のうちのいずれかの項に
    記載のセルロースアセテートフイルムを製造する方法で
    あって、セルロースアセテートフイルムを、テンター延
    伸機により幅方向に延伸し、かつ当該延伸を開始した直
    後のフイルムの幅方向の端部が、曲率が直径50乃至3
    00mmの範囲の軌跡を描くことを特徴とするセルロー
    スアセテートフイルムの製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至7のうちのいずれかの項
    に記載のセルロースアセテートフイルム上に、液晶性化
    合物から形成された光学異方性層が設けられた光学補償
    シートであって、セルロースアセテートフイルムの面内
    レターデーション値(Re)が0乃至20nmの範囲に
    あり、そしてセルロースアセテートフイルムの厚み方向
    のレターデーション値(Rth)が70乃至400nmの
    範囲にあることを特徴とする光学補償シート。
  11. 【請求項11】 液晶性化合物が、ディスコティック液
    晶性化合物であることを特徴とする請求項10に記載の
    光学補償シート。
  12. 【請求項12】 セルロースアセテートフイルムが、そ
    の少なくとも一方の表面に、酸もしくはアルカリ溶液を
    塗布することによる鹸化処理がされたフイルムであるこ
    とを特徴とする請求項10もしくは11に記載の光学補
    償シート。
  13. 【請求項13】 偏光膜およびその両側に配置された二
    枚の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜の
    一方が、酢化度が57.0乃至61.5%の範囲にある
    セルロースアセテートおよびセルロースアセテート10
    0質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
    芳香族化合物を0.01乃至20質量部の範囲で含むセ
    ルロースアセテートフイルム上に、液晶性化合物から形
    成された光学異方性層が設けられてなり、該セルロース
    アセテートフイルムの、面内レターデーション値(R
    e)が0乃至20nmの範囲にあり、厚み方向のレター
    デーション値(Rth)が70乃至400nmの範囲にあ
    り、厚みが10乃至70μmの範囲にあり、横方向(T
    D)に沿って測定した面内レターデーション値(Re)
    のばらつきが、平均値に対して0乃至7%の範囲にあ
    り、そして、横方向(TD)に沿って測定した厚み方向
    のレターデーション値(Rth)のばらつきが、平均値に
    対して0乃至7%の範囲にあり、さらに、セルロースア
    セテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸とが実質的
    に平行になるように配置されていることを特徴とする偏
    光板。
  14. 【請求項14】 液晶セルおよびその両側に配置された
    二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側
    に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置で
    あって、液晶セルと偏光膜の間に配置された二枚の透明
    保護膜のうちの一方が、酢化度が57.0乃至61.5
    %の範囲にあるセルロースアセテートおよびセルロース
    アセテート100質量部に対して、少なくとも二つの芳
    香族環を有する芳香族化合物を0.01乃至20質量部
    の範囲で含むセルロースアセテートフイルム上に、液晶
    性化合物から形成された光学異方性層が設けられてな
    り、該セルロースアセテートフイルムの、面内レターデ
    ーション値(Re)が0乃至20nmの範囲にあり、厚
    み方向のレターデーション値(Rth)が70乃至400
    nmの範囲にあり、厚みが10乃至70μmの範囲にあ
    り、横方向(TD)に沿って測定した面内レターデーシ
    ョン値(Re)のばらつきが、平均値に対して0乃至7
    %の範囲にあり、そして、横方向(TD)に沿って測定
    した厚み方向のレターデーション値(Rth)のばらつき
    が、平均値に対して0乃至7%の範囲にあり、さらに、
    セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセルロースア
    セテートフイルムに近い偏光膜の透過軸とが実質的に平
    行になるように配置されていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  15. 【請求項15】 液晶セルが、TNモードの液晶セルで
    ある請求項14に記載の液晶表示装置。
JP2001246715A 2001-08-15 2001-08-15 セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 Withdrawn JP2003055477A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001246715A JP2003055477A (ja) 2001-08-15 2001-08-15 セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001246715A JP2003055477A (ja) 2001-08-15 2001-08-15 セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003055477A true JP2003055477A (ja) 2003-02-26

Family

ID=19076201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001246715A Withdrawn JP2003055477A (ja) 2001-08-15 2001-08-15 セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003055477A (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107297A1 (ja) * 2003-05-29 2004-12-09 Konica Minolta Holdings, Inc. ディスプレイ基板用透明フィルム、該フィルムを用いたディスプレイ基板およびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、およびタッチパネル
JP2005281662A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアセテートフィルム、偏光板及び液晶表示装置
WO2005101910A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 液晶パネル用ベースフィルム、液晶パネル用機能フィルム、機能フィルムの製造方法、および機能フィルムの製造装置
JP2005301225A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアシレートフィルムおよびその製造方法。
JP2006022311A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアシレートフィルム、偏光板および液晶表示装置
JP2006113239A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Konica Minolta Opto Inc 位相差フィルム、それを用いた偏光板及び液晶表示装置
JP2006154281A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶表示装置
JP2007119505A (ja) * 2005-10-24 2007-05-17 Fujifilm Corp セルロース化合物組成物及びセルロース化合物フィルム
JP2007211055A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujifilm Corp セルロース化合物組成物及びセルロース化合物フィルム
JP2007301986A (ja) * 2006-04-13 2007-11-22 Fujifilm Corp 透明熱可塑性フィルムおよびその製造方法
JP2008286859A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Fujifilm Corp 光学フィルムおよびその製造方法、位相差板、楕円偏光板、並びに画像表示装置
JP2009015273A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Sanritsutsu:Kk 偏光板の製造
JP2009155555A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Daicel Chem Ind Ltd 6位高アセチル化セルロースジアセテート及びその製造方法
JP2010079177A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp 液晶表示装置
JP2010198026A (ja) * 2010-03-31 2010-09-09 Konica Minolta Opto Inc 位相差フィルムの製造方法
EP2237087A1 (en) 2008-10-15 2010-10-06 Sony Corporation Phase difference element and display device
US7976669B2 (en) 2005-10-21 2011-07-12 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive and retardation layer-attached polarizing plate, method for manufacturing thereof, optical film, and image display
JP2012083628A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Fujifilm Corp 光学フィルム、偏光板及び液晶表示装置
JP2012128430A (ja) * 2004-08-09 2012-07-05 Fujifilm Corp 高分子フィルム、それを用いた光学補償フィルム、偏光板、および液晶表示装置
JP2012163982A (ja) * 2004-05-18 2012-08-30 Fujifilm Corp 光学フィルム、偏光板、及び液晶表示装置
KR101514111B1 (ko) 2012-06-01 2015-04-23 주식회사 엘지화학 고온 안정성이 우수한 광학 필름 및 이를 포함하는 편광판
KR101521682B1 (ko) * 2012-06-01 2015-05-20 주식회사 엘지화학 보관 안정성이 우수한 광학 필름 및 이를 포함하는 편광판
JP2017122854A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 液晶表示装置

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4784308B2 (ja) * 2003-05-29 2011-10-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ディスプレイ基板用透明フィルム、該フィルムを用いたディスプレイ基板およびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、およびタッチパネル
JPWO2004107297A1 (ja) * 2003-05-29 2006-07-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 ディスプレイ基板用透明フィルム、該フィルムを用いたディスプレイ基板およびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、およびタッチパネル
WO2004107297A1 (ja) * 2003-05-29 2004-12-09 Konica Minolta Holdings, Inc. ディスプレイ基板用透明フィルム、該フィルムを用いたディスプレイ基板およびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、およびタッチパネル
JP2005281662A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアセテートフィルム、偏光板及び液晶表示装置
JP4530144B2 (ja) * 2004-03-03 2010-08-25 富士フイルム株式会社 セルロースアセテートフィルム、偏光板及び液晶表示装置
JP2005301225A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアシレートフィルムおよびその製造方法。
JP4676208B2 (ja) * 2004-03-19 2011-04-27 富士フイルム株式会社 セルロースアシレートフィルムおよびその製造方法。
KR100808044B1 (ko) * 2004-03-31 2008-03-03 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 액정패널용 베이스 필름, 액정패널용 기능성 필름, 기능성 필름의 제조 방법, 및 기능성 필름의 제조 디바이스
WO2005101910A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 液晶パネル用ベースフィルム、液晶パネル用機能フィルム、機能フィルムの製造方法、および機能フィルムの製造装置
JP2012163982A (ja) * 2004-05-18 2012-08-30 Fujifilm Corp 光学フィルム、偏光板、及び液晶表示装置
JP2006022311A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd セルロースアシレートフィルム、偏光板および液晶表示装置
US9091804B2 (en) 2004-08-09 2015-07-28 Fujifilm Corporation Polymer film, and optically-compensatory film, polarizer and liquid-crystal display device comprising the same
US9354356B2 (en) 2004-08-09 2016-05-31 Fujifilm Corporation Polymer film, and optically-compensatory film, polarizer and liquid-crystal display device comprising the same
JP2012128430A (ja) * 2004-08-09 2012-07-05 Fujifilm Corp 高分子フィルム、それを用いた光学補償フィルム、偏光板、および液晶表示装置
JP4552591B2 (ja) * 2004-10-14 2010-09-29 コニカミノルタオプト株式会社 偏光板の製造方法
JP2006113239A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Konica Minolta Opto Inc 位相差フィルム、それを用いた偏光板及び液晶表示装置
JP2006154281A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶表示装置
US7976669B2 (en) 2005-10-21 2011-07-12 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive and retardation layer-attached polarizing plate, method for manufacturing thereof, optical film, and image display
JP2007119505A (ja) * 2005-10-24 2007-05-17 Fujifilm Corp セルロース化合物組成物及びセルロース化合物フィルム
JP2007211055A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujifilm Corp セルロース化合物組成物及びセルロース化合物フィルム
JP4703423B2 (ja) * 2006-02-07 2011-06-15 富士フイルム株式会社 セルロースエステルフィルム、これを含む位相差フィルム、偏光子、偏光板および液晶表示装置
JP2007301986A (ja) * 2006-04-13 2007-11-22 Fujifilm Corp 透明熱可塑性フィルムおよびその製造方法
JP2008286859A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Fujifilm Corp 光学フィルムおよびその製造方法、位相差板、楕円偏光板、並びに画像表示装置
JP2009015273A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Sanritsutsu:Kk 偏光板の製造
JP2009155555A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Daicel Chem Ind Ltd 6位高アセチル化セルロースジアセテート及びその製造方法
US8133990B2 (en) 2007-12-27 2012-03-13 Daicel Chemical Industries, Ltd. 6-position highly acetylated cellulose diacetate and process for producing the same
JP2010079177A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp 液晶表示装置
KR101157576B1 (ko) * 2008-10-15 2012-06-19 소니 주식회사 위상차 소자 및 표시 장치
EP2237087A1 (en) 2008-10-15 2010-10-06 Sony Corporation Phase difference element and display device
KR101342661B1 (ko) 2008-10-15 2013-12-16 소니 주식회사 위상차 소자 및 표시 장치
JP2010198026A (ja) * 2010-03-31 2010-09-09 Konica Minolta Opto Inc 位相差フィルムの製造方法
JP2012083628A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Fujifilm Corp 光学フィルム、偏光板及び液晶表示装置
KR101514111B1 (ko) 2012-06-01 2015-04-23 주식회사 엘지화학 고온 안정성이 우수한 광학 필름 및 이를 포함하는 편광판
KR101521682B1 (ko) * 2012-06-01 2015-05-20 주식회사 엘지화학 보관 안정성이 우수한 광학 필름 및 이를 포함하는 편광판
JP2017122854A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 液晶表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003055477A (ja) セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置
JP4756082B2 (ja) レターデーションと厚みが制御されたセルロースアセテートフイルムを用いた液晶表示装置
KR100961426B1 (ko) 중합체 필름을 포함하는 광학 보상 시트
JP4260376B2 (ja) 光学補償シートの製造方法
JP2004177642A (ja) 位相差フィルムとその製造方法、光学補償フィルム、偏光板及び液晶表示装置
KR100921355B1 (ko) 디스코틱 액정 분자로 만들어진 광학 이방성 층 및 중합체필름을 포함하는 투명 지지체를 갖는 광학 보상 시트
JP2002303722A (ja) 光学補償シート
JP2002090536A (ja) 偏光板および液晶表示装置
JP4248779B2 (ja) 液晶表示装置
JP4316131B2 (ja) 光学補償フイルムの製造方法
JP2007057607A (ja) 光学補償フィルムの製造方法、光学補償フィルム、偏光板および液晶表示装置
JP3920078B2 (ja) 光学補償シートおよび液晶表示装置
JP2002062426A (ja) 配向膜、光学補償シート、楕円偏光板、およびそれを用いた液晶表示装置
JP2002196146A (ja) 光学補償シート、偏光板、およびそれを用いた液晶表示装置
JP2006243179A (ja) 液晶表示装置
JP4181757B2 (ja) 光学補償フィルムおよび偏光板の製造方法
JP2007086511A (ja) 光学機能材料並びにその製造方法、光学補償シート、偏光板、および液晶表示装置
JP2007248772A (ja) 偏光板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2007304256A (ja) 光学補償フィルム、偏光板及び液晶表示装置
JP2007171815A (ja) 液晶表示装置
JP2002055230A (ja) 光学補償シート、楕円偏光板、および液晶表示装置
JP2002202411A (ja) 位相差板、偏光板およびそれを用いた反射型液晶表示素子
JP2005070320A (ja) 光学補償フィルムの製造方法、および光学補償フィルム、偏光板、液晶表示装置
JP2005165308A (ja) 光学補償シート、偏光板及び液晶表示装置
JP2002071955A (ja) 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081104