JP2002202411A - 位相差板、偏光板およびそれを用いた反射型液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一枚のフイルムで、可視光域の全体にわたり
λ／４を達成し、かつ平面性が改善された位相差板を提
供すること。 【解決手段】 波長４００から７００ｎｍにおける複屈
折が長波長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定したレタ
ーデーション値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２５ｎｍの
範囲にあり、波長５９０ｎｍで測定したレターデーショ
ン値（Ｒｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍの範囲にあ
る一枚のセルロースアシレートフイルムからなり、該セ
ルロースアシレートフイルムが共流延法により製膜され
たフィルムであることを特徴とする位相差板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位相差板、および
それを用いた円偏光板と反射型液晶表示素子とに関す
る。特に本発明は、反射型液晶表示素子において使用さ
れるλ／４板として有効な位相差板に関する。

【０００２】

【従来の技術】λ／４板は、反射防止膜や液晶表示装置
に関連する多くの用途を有しており、既に実際に使用さ
れている。しかし、λ／４板と称していても、ある特定
波長でλ／４を達成しているものが大部分であった。λ
／４を達成できる波長領域が狭いと、表示画像のコント
ラストが低下するという問題があった。特開平５−２７
１１８号および同５−２７１１９号の各公報には、レタ
ーデーションが大きい複屈折性フイルムと、レターデー
ションが小さい複屈折率フイルムとを、それらの光軸が
直交するように積層させた位相差板が開示されている。
二枚の複屈折性フイルムのレターデーションの差が可視
光域の波長全体にわたりλ／４であれば、位相差板は理
論的には、可視光域の波長全体にわたりλ／４板として
機能する。

【０００３】特開平１０−６８８１６号公報に、特定波
長においてλ／４となっているポリマーフイルムと、そ
れと同一材料からなり同じ波長においてλ／２となって
いるポリマーフイルムとを積層させて、広い波長領域で
λ／４が得られる位相差板が開示されている。特開平１
０−９０５２１号公報にも、二枚のポリマーフイルムを
積層することにより広い波長領域でλ／４を達成できる
位相差板が開示されている。以上のポリマーフイルムと
しては、ポリカーボネートのような合成ポリマーの延伸
フイルムが使用されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】二枚のポリマーフイル
ムを積層することにより、広い波長領域でλ／４を達成
することができる。しかし、そのためには、二枚のポリ
マーフイルムの角度を厳密に調整しながら積層する必要
がある。特開２０００−１３７１１６号公報において、
一枚の高分子配向フイルムからなるλ／４板が開示され
ている。特に好ましい高分子フイルムとしてセルロース
アセテートが用いられており、セルロースアセテートの
アセチル化度を調整することにより、広い波長領域でλ
／４を達成している。しかし本発明者の研究により、い
くつかの問題があることが明らかになった。

【０００５】λ／４板の光学特性を決定するレターデー
ション値は、フイルム面内の複屈折値とフイルムの膜厚
の積で定義される。本来、セルロースアシレートフイル
ムは面内の複屈折が小さいことが知られている。従っ
て、概ねλ／４のレターデーション値を達成するには、
適当な膜厚と複屈折の発現が必要である。膜厚は、フイ
ルムの製膜時の設定と、その後の延伸処理による膜厚減
少により決まる。また、複屈折の値は、延伸したときの
セルロースアシレートフイルムの複屈折発現性と延伸倍
率により決まる。セルロースアシレートは、延伸処理し
て使用されることが多いエンジニアプラスチックである
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリカーボネ
ート（ＰＣ）に比べると延伸することが難しく、複屈折
を発現させることが難しい。また、酢化度が大きくなる
ほど、延伸による複屈折発現性は小さくなる。複屈折が
小さい場合には、膜厚を厚くする必要がある。

【０００６】セルロースアシレートフイルムの製膜は、
従来、セルロースアシレートを含有する一種類の濃厚溶
液（ドープ）を用いて溶液キャスト法で製膜されてい
る。そして、溶液キャスト法に用いるドープの溶媒を有
機溶媒とした、ソルベントキャスト法が好ましく利用さ
れている。しかしながら、本発明の位相差板を同様の方
法で作製しようとすると、ブツによる故障が発生した
り、平面性が悪いフイルムが製膜されやすいことが分か
った。また、フイルムの内部と表面では溶剤の揮発速度
に差が生じ、内部ほど溶剤が揮発しにくいことが明らか
になった。このようなフイルムを延伸処理すると、延伸
ムラが生じ、均一な光学特性が達成できない。このよう
な現象は膜厚が厚くなるほど発生しやすい。一方、薄い
膜厚で本発明の位相差板を作製する場合、大きな複屈折
発現性が必要となる。固有複屈折は物質により決まるの
で、大きな延伸倍率が必要となる。延伸しにくいセルロ
ースアシレートを高倍率で延伸するためには大きなテン
ションが必要となる。大きなテンションで延伸するとツ
レシワが発生したり、ロール上ですべってスリキズがつ
きやすいため、フイルムの面状が悪化する。また、高倍
率で延伸すると結晶化やクレーズによるヘイズが発生し
やすい。

【０００７】本発明の目的は、広い波長領域でλ／４を
達成し、かつフイルム全面にわたって透明で均一な光学
特性を有し、更には異物やキズがなく、平面性に優れる
一枚のセルロースアシレートフイルムからなる位相差板
を提供することである。別の本発明の目的は、上記位相
差板を用いて、広い視野角と優れた表示品位を有する直
線偏光板および反射型液晶表示素子を提供することであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記
（１）〜（７）の位相差板、下記（８）〜（９）の偏光
板および下記（１０）〜（１１）の反射型液晶表示素子
により達成された。 （１）波長４００から７００ｎｍにおける複屈折が長波
長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定したレターデーシ
ョン値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２５ｎｍの範囲にあ
り、波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒ
ｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍの範囲にある一枚の
セルロースアシレートフイルムからなり、該セルロース
アシレートフイルムが共流延法により製膜されたフィル
ムであることを特徴とする位相差板。 （２）波長４００から７００ｎｍにおける複屈折が長波
長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定したレターデーシ
ョン値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２５ｎｍの範囲にあ
り、波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒ
ｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍの範囲にある一枚の
セルロースアシレートフイルムからなり、該セルロース
アシレートフイルムが、ハロゲン化炭化水素以外の溶媒
を用いたセルロースアシレート溶液から製膜されたフィ
ルムであることを特徴とする位相差板。 （３）前記のセルロースアシレートフイルムが、平均酢
化度が５６．０乃至６２．５％の範囲にあるセルロース
アセテートからなるフイルムであることを特徴とする
（１）もしくは（２）に記載の位相差板。 （４）前記のセルロースアシレートフイルムが、セルロ
ースアシレートの６位置換率が、３０％以上４０％以下
であるセルロースアセテートからなるフイルムであるこ
とを特徴とする（１）乃至（３）のうちのいずれかに記
載の位相差板。 （５）前記のセルロースアシレートフイルムの、波長５
５０ｎｍで測定した面内の遅相軸方向の屈折率ｎｘ、面
内の遅相軸に垂直な方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の
屈折率ｎｚが、０．３≦（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎ
ｙ）≦２の関係を満足することを特徴とする（１）乃至
（４）のうちのいずれかに記載の位相差板。 （６）前記のセルロースアシレートフイルムが、延伸処
理されたフイルムであることを特徴とする（１）乃至
（５）のうちのいずれかに記載の位相差板。 （７）前記のセルロースアシレートフイルムが、少なく
とも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を含むことを
特徴とする（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の
位相差板。

【０００９】（８）位相差板と偏光板とが、位相差板の
面内の遅相軸と偏光板の偏光軸との角度が実質的に４５
°になるように貼り合わせられている円偏光板であっ
て、位相差板が（１）乃至（７）のうちのいずれかに記
載の位相差板であることを特徴とする円偏光板。 （９）位相差板と直線偏光膜とが、位相差板の面内の遅
相軸と直線偏光膜の偏光軸との角度が実質的に４５゜に
なるように積層されている円偏光板であって、位相差板
が（１）乃至（７）のうちのいずれかに記載の位相差板
であることを特徴とする円偏光板。 （１０）反射板、液晶セルおよび偏光膜がこの順に積層
されている反射型液晶表示素子であって、さらに、
（１）乃至（７）のうちのいずれかに記載の位相差板
が、反射板と偏光膜との間に配置されていることを特徴
とする反射型液晶表示素子。 （１１）λ／４板を備えたゲストホスト反射型液晶表示
素子であって、λ／４板が（１）乃至（７）のうちのい
ずれかに記載の位相差板であることを特徴とするゲスト
ホスト反射型液晶表示素子。

【００１０】

【発明の効果】本発明者は、研究の結果、セルロースア
シレートフイルムの製造方法を調節することにより、広
い波長領域でλ／４を達成し、かつブツによる欠陥や光
学特性のムラのない透明な位相差板を製造することに成
功した。さらに、この位相差板を液晶表示素子に取り付
けて使用したところ、視野角とコントラストが著しく改
善された。一枚のセルロースアシレートフイルムを用い
て広い波長領域でλ／４を達成できる位相差板が得られ
たことで、従来の二枚のポリマーフイルムの角度を厳密
に調整しながら積層する工程が不要になる。さらに、本
発明の位相差板を反射型液晶表示素子に取り付けると、
広い視野角が達成できる。また、本発明のλ／４板は一
枚のフイルムからなるため、厚みが薄く、光の減衰が少
なく、反射輝度が高い表示素子が得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】［位相差板］位相差板をλ／４板
として使用する場合は、波長４００から７００ｎｍにお
ける複屈折が長波長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定
したレターデーション値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２
５ｎｍであり、かつ波長５９０ｎｍで測定したレターデ
ーション値（Ｒｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍであ
る関係を満足する。Ｒｅ５９０−Ｒｅ４５０≧５ｎｍで
あることがさらに好ましく、Ｒｅ５９０−Ｒｅ４５０≧
１０ｎｍであることが最も好ましい。波長４５０ｎｍで
測定したレターデーション値（Ｒｅ４５０）が１００乃
至１２０ｎｍであり、波長５５０ｎｍで測定したレター
デーション値（Ｒｅ５５０）が１２５乃至１４２ｎｍで
あり、波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値
（Ｒｅ５９０）が１３０乃至１５２ｎｍであり、そし
て、Ｒｅ５９０−Ｒｅ５５０≧２ｎｍの関係を満足する
ことが好ましい。Ｒｅ５９０−Ｒｅ５５０≧５ｎｍであ
ることがさらに好ましく、Ｒｅ５９０−Ｒｅ５５０≧１
０ｎｍであることが最も好ましい。また、Ｒｅ５５０−
Ｒｅ４５０≧１０ｎｍであることも好ましい。

【００１２】レターデーション値（Ｒｅ）は、下記式に
従って算出する。 レターデーション値（Ｒｅ）＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ 式中、ｎｘは、位相差板の面内の遅相軸方向の屈折率
（面内の最大屈折率）であり；ｎｙは、位相差板の面内
の遅相軸に垂直な方向の屈折率であり；そして、ｄは、
位相差板の厚さ（ｎｍ）である。

【００１３】さらに、本発明の位相差板は、下記式を満
足する一枚のセルロースアシレートフイルムからなるこ
とが好ましい。 ０．３≦（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）≦２ 式中、ｎｘは、５５０ｎｍで測定した位相差板の面内の
遅相軸方向の屈折率であり；ｎｙは、５５０ｎｍで測定
した位相差板の面内の遅相軸に垂直な方向の屈折率であ
り；そして、ｎｚは、５５０ｎｍで測定した厚み方向の
屈折率である。三方向の屈折率の調整はセルロースアシ
レートの酢化度、および添加剤の種類と量、および延伸
処理にり調節することができる。位相差板を構成する一
枚のセルロースアシレートの厚さは、５乃至１０００μ
ｍであることが好ましく、１０乃至５００μｍであるこ
とがより好ましく、４０乃至２００μｍであることがさ
らに好ましく、λ／４板の場合には特に７０乃至１２０
μｍであることが最も好ましい。

【００１４】［セルロースアシレート］本発明に用いら
れるセルロースアシレートについて、以下に記す。本発
明に用いられるセルロースアシレートの原料セルロース
としては、綿花リンターや木材パルプなどがあるが、何
れの原料セルロースから得られるセルロースアシレート
でも使用できるし、これらを混合して使用してもよい。
これらのセルロースから得られる本発明のセルロースア
シレートは、好ましくはセルロースの水酸基への置換度
が下記式（Ｉ）〜（III)の全てを満足するものである。

【００１５】（Ｉ） ２．５≦Ａ＋Ｂ≦３．０ （II） ２．０≦Ａ≦３．０ （III) ０≦Ｂ≦０．８ ここで、式中Ａ及びＢはセルロースの水酸基に置換され
ているアシル基の置換基を表し、Ａはアセチル基の置換
度、またＢは炭素原子数３以上のアシル基の置換度を表
す。セルロースには１グルコース単位に３個の水酸基が
あり、上記の数字はその水酸基３．０に対する置換度を
表すもので、最大の置換度が３．０である。

【００１６】本発明に使用するセルロースアシレートの
重合度（粘度平均）は２００〜７００であることが好ま
しく、２５０〜５５０であることがより好ましい。一般
的にセルローストリアセテートを含むセルロースアシレ
ートフイルムの、繊維または成型品の機械的強度がタフ
であるためには重合度が２００以上あることが必要とさ
れている。この重合度については、祖父江寛、右田伸彦
編「セルロースハンドブック」朝倉書房（１９５８）
や、丸沢廣、宇田和夫編「プラスチック材料講座１７」
日刊工業新聞社（１９７０）に詳しく記載されている。
本発明のセルロースアシレートフイルムの重合度は、２
５０〜３５０であることが特に好ましい。粘度平均重合
度は、オストワルド粘度計で測定することができ、測定
されたセルロースアシレートの固有粘度［η］から下記
式により求められる。 ＤＰ＝［η］／Ｋｍ 式中、ＤＰは粘度平均重合度を意味し、Ｋｍは定数６×
１０^-4である。

【００１７】また、アセチル基と炭素原子数３以上のア
シル基を有するセルロースアシレートは、セルロース混
合脂肪酸エステルとも呼ばれており、混合脂肪酸エステ
ルを用いても良い。炭素原子数３以上のアシル基は、好
ましくはプロピオニル基（Ｃ ₂ Ｈ₅ ＣＯ−）、ブチリル
基（Ｃ₃ Ｈ₇ ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−）、バレリル基
（Ｃ₄ Ｈ₉ ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅ
ｒｔ−）で、これらのうちｎ−置換のものがフイルムに
した時の機械的強さ、溶解し易さ等から好ましく、特に
ｎ−プロピオニル基が好ましい。また、アセチル基の置
換度が低いと機械的強さ、耐湿熱性が低下する。炭素原
子数３以上のアシル基の置換度が高いと有機溶媒への溶
解性は向上し、それぞれの置換度が前記の範囲であれば
良好な物性を示す。

【００１８】これらのアシル基のアシル化剤としては、
酸無水物や酸クロライドである場合は反応溶媒としての
有機溶媒は、有機酸、例えば酢酸やメチレンクロライド
等が使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン
性触媒が好ましく用いられる。アシル化剤が酸クロライ
ド（例えばＣＨ₃ ＣＨ₂ ＣＯＣｌ）の場合には塩基性化
合物が用いられる。工業的に最も一般的な方法は、セル
ロースをアセチル基及び他のアシル基に対応する脂肪酸
（酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸）又はそれらの酸
無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水
吉草酸）を含む混合有機酸成分でアシル化してセルロー
スアシレートを合成する。

【００１９】本発明に用いられるセルロースアシレート
の具体的な製造方法については、例えば、特開平１０−
４５８０４号公報に記載されている方法により合成出来
る本発明に用いられるセルロースアシレートのなかでも
特にセルロースアセテートが好ましく用いられる。セル
ロースアセテートの平均酢化度（アセチル化度）は、４
５．０乃至６２．５％であることが好ましく、５６．０
乃至６２．５％であることがさらに好ましい。酢化度は
結合酢酸量を意味し、セルロース単位質量当たりの結合
酢酸の質量百分率をいい、ＡＳＴＭ：Ｄ−８１７−９１
（セルロースアセテートなどの試験方法）のアセチル化
度の測定法に準じて測定できる。平均酢化度の調整のた
めに、二種類以上のセルロースアセテートを用いてもよ
い。一般に、セルロースアシレートの２，３，６の水酸
基は全体の置換度の１／３づつに均等に分配されるわけ
ではなく、６位水酸基の置換度が小さくなる傾向があ
る。本発明ではセルロースアシレートの６位水酸基の置
換度が、２，３位に比べて多いほうが好ましい。全体の
置換度に対して６位の水酸基が３０％以上４０％以下で
アシル基で置換されていることが好ましく、更には３１
％以上、特に３２％以上であることが好ましい。さらに
セルロースアシレートの６位アシル基の置換度が０．８
８以上であることが好ましい。６位水酸基は、アセチル
基以外に炭素数３以上のアシル基であるプロピオニル
基、ブチロイル基、バレロイル基、ベンゾイル基、アク
リロイル基などで置換されていてもよい。各位置の置換
度の測定は、ＮＭＲによって求める事ができる。本発明
のセルロースアシレートとして、特開平１１−５８５１
号公報の段落番号００４３〜００４４に記載されている
合成例１、段落番号００４８〜００４９に記載されてい
る合成例２、そして段落番号００５１〜００５２に記載
されている合成例３の方法で得られたセルロースアセテ
ートを用いることができる。

【００２０】［レターデーション上昇剤］各波長におけ
るレターデーション値を調整するため、そして出来るだ
け低い延伸倍率でλ／４のレターデーションを達成する
ために、セルロースアシレートフイルムにレターデーシ
ョン上昇剤を添加することができる。レターデーション
上昇剤は、ポリマー１００質量部に対して、０．０５乃
至２０質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
乃至１０質量部の範囲で使用することがより好ましく、
０．２乃至５質量部の範囲で使用することがさらに好ま
しく、０．５乃至２質量部の範囲で使用することが最も
好ましい。二種類以上のレターデーション上昇剤を併用
してもよい。レターデーション上昇剤は、２５０乃至４
００ｎｍの波長領域に最大吸収を有することが好まし
い。レターデーション上昇剤は、可視領域に実質的に吸
収を有していないことが好ましい。

【００２１】レターデーション上昇剤としては、少なく
とも二つの芳香族環を有する化合物を用いることが好ま
しい。本明細書において、「芳香族環」は、芳香族炭化
水素環に加えて、芳香族性ヘテロ環を含む。芳香族炭化
水素環は、６員環（すなわち、ベンゼン環）であること
が特に好ましい。芳香族性ヘテロ環は一般に、不飽和ヘ
テロ環である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環ま
たは７員環であることが好ましく、５員環または６員環
であることがさらに好ましい。芳香族性ヘテロ環は一般
に、最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒
素原子、酸素原子および硫黄原子が好ましく、窒素原子
が特に好ましい。芳香族性ヘテロ環の例には、フラン
環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソ
オキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イ
ミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾー
ル環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジ
ン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン環が含
まれる。芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チ
オフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール
環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピ
リミジン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン
環が好ましい。

【００２２】レターデーション上昇剤が有する芳香族環
の数は、２乃至２０であることが好ましく、２乃至１２
であることがより好ましく、２乃至８であることがさら
に好ましく、２乃至６であることが最も好ましく、少な
くとも１つの１，３，５−トリアジン環を有する化合物
が特に好ましい。二つの芳香族環の結合関係は、（ａ）
縮合環を形成する場合、（ｂ）単結合で直結する場合お
よび（ｃ）連結基を介して結合する場合に分類できる
（芳香族環のため、スピロ結合は形成できない）。結合
関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれでもよい。

【００２３】（ａ）の縮合環（二つ以上の芳香族環の縮
合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン
環、ピレン環、インドール環、イソインドール環、ベン
ゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドリジン環、ベ
ンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環、ベンゾトリアゾール環、プリン環、インダ
ゾール環、クロメン環、キノリン環、イソキノリン環、
キノリジン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサ
リン環、フタラジン環、プテリジン環、カルバゾール
環、アクリジン環、フェナントリジン環、キサンテン
環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイ
ン環、フェノキサジン環およびチアントレン環が含まれ
る。ナフタレン環、アズレン環、インドール環、ベンゾ
オキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾ
ール環、ベンゾトリアゾール環およびキノリン環が好ま
しい。（ｂ）の単結合は、二つの芳香族環の炭素原子間
の結合であることが好ましい。二以上の単結合で二つの
芳香族環を結合して、二つの芳香族環の間に脂肪族環ま
たは非芳香族性複素環を形成してもよい。

【００２４】（ｃ）の連結基も、二つの芳香族環の炭素
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。 ｃ１：−ＣＯ−Ｏ− ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ− ｃ３：−アルキレン−Ｏ− ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ− ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ− ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ− ｃ７：−Ｏ−アルキレン−Ｏ− ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン− ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン−ＮＨ− ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン−Ｏ− ｃ11：−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−ＣＯ
−アルキレン− ｃ12：−Ｏ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−
ＣＯ−アルキレン−Ｏ− ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ− ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン− ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン−

【００２５】芳香族環および連結基は、置換基を有して
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。

【００２６】アルキル基の炭素原子数は、１乃至８であ
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基（例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有して
いてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例
には、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシル、２
−ヒドロキシエチル、４−カルボキシブチル、２−メト
キシエチルおよび２−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至８であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび１−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至
８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、１−ブ
チニルおよび１−ヘキシニルが含まれる。

【００２７】脂肪族アシル基の炭素原子数は、１乃至１
０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１０である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基（例、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコ
キシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至
１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、２乃至１０であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。

【００２８】アルキルチオ基の炭素原子数は、１乃至１
２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至８である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。脂肪
族アミド基の炭素原子数は、１乃至１０であることが好
ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含ま
れる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃至
８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の例
には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミドお
よびｎ−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族置
換アミノ基の炭素原子数は、１乃至１０であることが好
ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび２−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、２乃至１０であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、２乃至１０であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ま
しいレターデーション上昇剤の具体例は、特開２０００
−１１１９１４号、同２０００−２７５４３４号などに
記載の化合物を挙げることができる。

【００２９】［セルロースアシレートフイルムの製造］
ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフイ
ルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法
では、ポリマーを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を
用いてフイルムを製造する。本発明のセルロースアシレ
ートフイルムは共流延法により製膜することができる。
共流延法を用いることにより、高粘度の溶液を同時に支
持体上に押出すことができ、平面性も良化し優れた面状
のフイルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロー
スアシレート溶液を用いることで乾燥負荷の低減化が達
成でき、フイルムの生産スピードを高めることができ
る。共流延法により製膜する場合、有機溶媒は炭素原子
数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃至１２の
ケトン、炭素原子数が３乃至１２のエステルおよび炭素
原子数が１乃至６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶
媒を含むことが好ましい。また、ハロゲン化炭化水素の
溶媒は実質的に用いないことがさらに好ましい。実質的
に用いないとは、溶媒全体に対して５質量％以下である
ことを示す。従来から知られている単層の流延法でも製
膜することができる。単層で製膜する場合、有機溶媒は
炭素原子数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃
至１２のケトンおよび炭素原子数が３乃至１２のエステ
ルから選ばれる溶媒を含むことが好ましく、ハロゲン化
炭化水素の溶媒は実質的に用いない。実質的に用いない
とは、溶媒全体に対して０質量％以上５質量％以下であ
ることを示す。このような溶媒を用いて作製したフイル
ムを残留溶剤が高い状態で延伸すると、低い応力でλ／
４のレターデーションが実現できるため、ツレシワなど
が発生しない面状の優れた位相差板を製造できる。有機
溶媒として用いるエーテル、ケトンおよびエステルは、
環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトンおよび
エステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および
−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有
機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコ
ール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素
原子数は、いずれかの官能基を有する化合物の規定範囲
内であればよい。

【００３０】炭素原子数が３乃至１２のエーテル類の例
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が３乃至１２のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３乃至
１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノー
ルおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好
ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３
０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至
６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０
モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。

【００３１】特に好ましい有機溶媒としては、互いに異
なる三種類以上の溶媒の混合溶媒であって、第一の溶媒
としては炭素原子数が３〜４のケトンおよび炭素原子数
が３〜４のエステル或いはその混合液から選ばれ、第二
の溶媒としては炭素原子数が５〜７のケトン類またはア
セト酢酸エステルから選ばれ、第三の溶媒として沸点が
３０〜１７０℃のアルコールおよび沸点が３０〜１７０
℃の炭化水素から選ばれる。第一の溶媒のケトンおよび
エステルとしては、アセトン、酢酸メチル、蟻酸メチ
ル、および蟻酸エチルを用いることが好ましい。第二の
溶媒としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
アセチル酢酸メチルを用いることが好ましい。

【００３２】第三の溶媒は、沸点が３０〜１７０℃のア
ルコールおよび沸点が３０〜１７０℃の炭化水素から選
ばれる。アルコールは一価であることが好ましい。アル
コールの炭化水素部分は、直鎖であっても、分岐を有し
ていても、環状であってもよい。炭化水素部分は、飽和
脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水
酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アル
コールの例には、メタノール（沸点：６４．６５℃）、
エタノール（沸点：７８．３２５℃）、１−プロパノー
ル（沸点：９７．１５℃）、２−プロパノール（沸点：
８２．４℃）、１−ブタノール（沸点：１１７．９
℃）、２−ブタノール（沸点：９９．５℃）、ｔ−ブタ
ノール（沸点：８２．４５℃）、１−ペンタノール（沸
点：１３７．５℃）、２−メチル−２−ブタノール（沸
点：１０１．９℃）およびシクロヘキサノール（沸点：
１６１℃）が含まれる。アルコールとしては、２種類以
上の混合液を用いることが好ましい。炭化水素は、直鎖
であっても、分岐を有していても、環状であってもよ
い。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いる
ことができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽
和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン
（沸点：８０．７℃）、ヘキサン（６９℃）、ベンゼン
（８０．１℃）、トルエン（沸点：１１０．６℃）およ
びキシレン（沸点：１３８．４〜１４４．４℃）が含ま
れる。

【００３３】三種混合溶媒中には、第一の溶媒が３０〜
９５質量％含まれることが好ましく、４０〜９０質量％
含まれることがより好ましく、５０〜９０質量％含まれ
ることが更に好ましく、５０〜質量％含まれることが最
も好ましい。第二の溶媒及び第三の溶媒は、１〜４０質
量％含まれることが好ましく、３〜３０質量％含まれる
ことがより好ましい。本発明に好ましく用いられるこれ
らの溶媒の組み合わせと混合比の例を以下に示す。セル
ロースアシレート／酢酸メチル／シクロヘキサノン／メ
タノール／エタノール（Ｘ／（７０−Ｘ）／２０／５／
５、質量部）、セルロースアシレート／酢酸メチル／メ
チルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール
（Ｘ／（５０−Ｘ）／２０／２０／５／５、質量部）、
セルロースアシレート／アセトン／アセト酢酸メチル／
エタノール（Ｘ／（７５−Ｘ）／２０／／５、質量
部）、セルロースアシレート／酢酸メチル／１、３ジオ
キソラン／メタノール／エタノール（Ｘ／（７０−Ｘ）
／２０／５／５、質量部）、セルロースアシレート／酢
酸メチル／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノ
ール（Ｘ／（６０−Ｘ）／２０／１０／５／５、質量
部）、セルロースアシレート／１，３ジオキソラン／シ
クロヘキサノン／メチルエチルケトン／メタノール／エ
タノール（Ｘ／（５５−Ｘ）／２０／１０／５／５／
５、質量部）が好ましい組み合わせである。ここでＸは
セルロースアシレートの質量部を表わし、１０〜２５で
あることが好ましく、１５〜２３であることが特に好ま
しい。

【００３４】共流延法で製膜するために用いるセルロー
スアセテートの溶液（ドープ）は、一般的な方法で調製
できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常温また
は高温）で、処理することを意味する。溶液の調製は、
通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法
および装置を用いて実施することができる。ポリマーの
量は、得られる溶液中に１０乃至４０質量％含まれるよ
うに調整する。ポリマーの量は、１０乃至３０質量％で
あることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中に
は、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶
液は、常温（０乃至４０℃）でポリマーと有機溶媒とを
攪拌することにより調製することができる。高濃度の溶
液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体的
には、ポリマーと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉
し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が
沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪拌する。加熱温
度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０乃至２
００℃であり、さらに好ましくは８０乃至１１０℃であ
る。

【００３５】各成分は予め粗混合してから容器に入れて
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。ま
た、共流延法で製膜するために用いるドープの調整は、
後述の冷却溶解法によって調整することもできる。

【００３６】単層流延法により製膜されるセルロースア
シレート溶液（ドープ）の調製は、冷却溶解法に従い実
施され、以下に説明する。まず室温近辺の温度（−１０
〜４０℃）で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌
しながら徐々に添加される。複数の溶媒を用いる場合
は、その添加順は特に限定されない。例えば、主溶媒中
にセルロースアシレートを添加した後に、他の溶媒（例
えばアルコールなどのゲル化溶媒など）を添加してもよ
いし、逆にゲル化溶媒を予めセルロースアシレートに湿
らせた後の主溶媒を加えてもよく、不均一溶解の防止に
有効である。セルロースアシレートの量は、この混合物
中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好
ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量
％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には
後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

【００３７】次に、混合物は−１００〜−１０℃（好ま
しくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−
２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却され
る。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−
７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０
〜−２０℃）中で実施できる。このように冷却すると、
セルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。
冷却速度は、特に限定されないがバッチ式での冷却の場
合は、冷却に伴いセルロースアシレート溶液の粘度が上
がり、冷却効率が劣るために所定の冷却温度に達するた
めに効率よい溶解釜とすることが必要である。また、本
発明のセルロースアシレート溶液は膨潤させたあと、所
定の冷却温度にした冷却装置を短時間移送することで達
成できる。冷却速度は、速いほど好ましいが、１０００
０℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術
的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限で
ある。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最
終的な冷却温度との差を冷却を開始してから最終的な冷
却温度に達するまでの時間で割った値である。さらに、
これを０〜２００℃（好ましくは０〜１５０℃、さらに
好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）
に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが流
動する溶液となる。昇温は、室温中に放置するだけでも
よし、温浴中で加温してもよい。

【００３８】なお、溶解が不充分である場合は冷却、加
温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどう
かは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断する
ことができる。冷却溶解方法においては、冷却時の結露
による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが
望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧
し、加温時に減圧すると溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。

【００３９】本発明のドープのセルロースアシレート溶
液の濃度は前述のごとく、高濃度のドープが得られるの
が特徴であり、濃縮という手段に頼らずとも高濃度でし
かも安定性の優れたセルロースアシレート溶液が得られ
る。更に溶解し易くするために低い濃度で溶解してか
ら、濃縮手段を用いて濃縮してもよい。濃縮の方法に特
に限定はないが、例えば、低濃度溶液を筒体とその内部
の周方向に回転する回転羽根外周の回転軌跡との間に導
くとともに、溶液との間に温度差を与えて溶媒を蒸発さ
せながら高濃度溶液を得る方法（例えば、特開平４−２
５９５１１号公報等）、加熱した低濃度溶液をノズルか
ら容器内に吹き込み、溶液をノズルから容器内壁に当た
るまでの間で溶媒をフラッシュ蒸発させるとともに、溶
媒蒸気を容器から抜き出し、高濃度溶液を容器底から抜
き出す方法（例えば、ＵＳＰ第２，５４１，０１２号、
同第２，８５８，２２９号、同第４，４１４，３４１
号、同第４，５０４，３５５号各明細書等などに記載の
方法）を例として挙げることができる。

【００４０】溶液は流延に先だって金網やネルなどの適
当な濾材を用いて、未溶解物やゴミ、不純物などの異物
を濾過除去しておくのが好ましい。セルロースアシレー
ト溶液の濾過には絶対濾過精度が０．００５ｍｍ以上
で、０．１ｍｍ以下のフィルタを用いられ、さらには絶
対濾過精度が０．００５ｍｍ未満、０．０００５ｍｍ以
上であるフィルタを用いることが好ましく用いられる。
その場合、１６ｋｇ／ｃｍ² 以下（好ましくは１２ｋｇ
／ｃｍ² 以下、更に好ましくは１０ｋｇ／ｃｍ²以下、
特に好ましくは２ｋｇ／ｃｍ² 以下）の濾過圧力で濾過
して製膜することが好ましい。この濾過によりクロスニ
コル状態で認識される大きさが５０μｍを越える異物は
面積２５０ｍｍ² 当たり実質上０個が達成でき、さらに
は５〜５０μｍの異物が面積２５０ｍｍ² 当たり２００
個以下が達成でき、偏光板用保護膜の商品価値を著しく
あげることができる。ここで異物の個数は、本発明の位
相差板をクロスニコル状態で配置した二枚の偏光板の間
に置いて、一方の偏光板の外側から光を当てて、他方の
偏光板の外側から顕微鏡（透過光源で倍率３０倍）で観
察して数える。２５０ｍｍ² における異物の数は、フイ
ルムの任意の１０箇所において２５０ｍｍ² 中にある異
物の数を数えて平均した値を１回の評価値とし、５回の
評価値を平均した時の異物の数と定義したものである。

【００４１】本発明のセルロースアシレート溶液を用い
たフイルムの製造方法について述べる。本発明のセルロ
ースアシレートフイルムを製造する方法及び設備は、従
来よりセルローストリアセテートフイルムの製造に用い
られている溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用
いられる。溶解機（釜）において調製されたドープ（セ
ルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドー
プに含まれている泡の脱泡などの最終調製をする。ドー
プをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に
定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダ
イに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）から
エンドレスに走行している流延部の支持体の上に均一に
流延され、支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのド
ープ膜（ウェブとも呼ぶ）を支持体から剥離する。得ら
れるウェブの両端をクリップで挟み、幅を保持しながら
テンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群
で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き
取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせは
その目的により変わる。以下に各製造工程について簡単
に述べるが、これらに限定されるものではない。

【００４２】まず、調製したセルロースアシレート溶液
（ドープ）を、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を
蒸発させてフイルムを形成する。流延前のドープは、固
形分量が１０〜４０％となるように濃度を調整すること
が好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に
仕上げておくことが好ましい。ソルベントキャスト法に
おける流延および乾燥方法については、米国特許２３３
６３１０号、同２３６７６０３号、同２４９２０７８
号、同２４９２９７７号、同２４９２９７８号、同２６
０７７０４号、同２７３９０６９号、同２７３９０７０
号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９２号の各明
細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、
特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０
号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。ド
ープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上
に流延することが好ましく用いられる。

【００４３】共流延法を用いる場合には、支持体の進行
方向に間隔を置いて設けた複数の流延口からセルロース
アシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させな
がらフイルムを作製してもよく、例えば特開昭６１−１
５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、特開平１１
−１９８２８５号、などに記載の方法を用いることがで
きる。また、２つの流延口からセルロースアシレート溶
液を流延することによってもフイルム化してもよく、例
えば特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２
４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０
４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、特開平６−
１３４９３３号、に記載の方法で実施できる。また、特
開昭５６−１６２６１７号に記載の高粘度セルロースア
シレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶
液で包み込み、その高，低粘度のセルロースアシレート
溶液を同時に押出すセルロースアシレートフイルム流延
方法を用いることができる。

【００４４】また二個の流延口を用いて、第一の流延口
により支持体に成型したフイルムを剥ぎ取り、支持体面
に接していた側に第二の流延を行なうことでより、フイ
ルムを作製してもよく、例えば特公昭４４−２０２３５
号に記載されている方法を用いることができる。流延す
るセルロースアシレート溶液は同一の溶液でもよいし、
濃度の異なるセルロースアシレート溶液でもよい。製膜
後に層間を観察しても界面が分からない状態にある時
に、一枚のフイルムで製膜されたと表現する。セルロー
スアシレートフイルムに機能を持たせるために、その機
能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流
延口から押出してもよい。また、他の機能層（例えば、
接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、
紫外線吸収層、偏光層など）を同時に流延してもよい。
ただし、この場合は、機能層を積層したフイルムが製膜
されたと表現する。

【００４５】セルロースアシレートフイルムには、機械
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣ
Ｐ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭ
Ｐ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレ
ート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジ
フェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシル
フタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステル
の例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴ
Ｅ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴ
Ｂ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥ
Ｐ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用
いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースエステルの量の０．１乃至２５
質量％であることが好ましく、１乃至２０質量％である
ことがさらに好ましく、３乃至１５質量％であることが
最も好ましい。

【００４６】セルロースアシレートフイルムには、劣化
防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０
１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９
号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各
公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶
液（ドープ）の０．０１乃至１質量％であることが好ま
しく、０．０１乃至０．２質量％であることがさらに好
ましい。添加量が０．０１質量％未満であると、劣化防
止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１質量％
を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードア
ウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好まし
い劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエ
ン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げる
ことができる。

【００４７】セルロースアシレートフイルムには、吸湿
膨張係数を低くするために、疎水性を有する化合物を添
加してもよい。疎水性を有する素材としては、分子中に
アルキル基やフェニル基のような疎水基を有する素材で
あれば特に制限はないが、上記の可塑剤や劣化防止剤の
中で該当する素材が特に好ましく用いられる。添加量は
調整する溶液（ドープ）の０．０１乃至１０質量％が好
ましく、０．１乃至５質量％がさらに好ましく、１乃至
３質量％が最も好ましい。

【００４８】セルロースアシレートフイルムには、製造
時のハンドリング性向上のために、片面または両面にマ
ット剤とポリマーを含有するマット層を設けてもよい。
マット剤およびポリマーについては特開平１０−４４３
２７に記載されている素材を好ましく用いることができ
る。

【００４９】セルロースアシレートフイルムは、延伸処
理により屈折率（面内の遅相軸方向の屈折率ｎｘ、面内
の遅相軸に垂直な方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の屈
折率ｎｚ）を調整することが好ましい。固有複屈折率が
正であると、ポリマー鎖が配向した方向に屈折率が高く
なる。このような固有複屈折率が正のポリマーを延伸す
ると、通常、屈折率は、ｎｘ＞ｎｙ≧ｎｚとなる。これ
は、面内の方向に配向したポリマー鎖が、延伸によって
ｘ成分が多くなり、ｚ成分が最も小さくなるためであ
る。これにより、０．３≦（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎ
ｙ）の関係を満足することができる。さらに、（ｎｘ−
ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）≦２の関係を満足するために
は、一軸延伸の延伸倍率を制御するか、あるいはアンバ
ランスな二軸延伸を実施して屈折率を調整すればよい。
好ましくは（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値は１以
上２以下であり、より好ましくは１．２以上１．８以下
であり、最も好ましくは１．４以上１．６以下である。
延伸温度はポリマーのガラス転移温度より１０℃以上高
く、結晶化温度より２０℃以上低い温度が好ましく、ガ
ラス転移温度より１０℃以上高く、結晶化温度より４０
℃以上低い温度がさらに好ましい。ここで、ガラス転移
温度と結晶化温度は示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、
昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したときの値である。延
伸速度は特に制限はないが、１％／秒乃至４０％／秒が
好ましい。４０％／秒以上の延伸速度の場合にはレター
デーションのムラが発生しやすい。延伸方法は特に制限
しないが、ロール延伸法が好ましい。延伸処理は、複数
回行われてもよく、同時処理であっても、逐次処理であ
ってもよい。レターデーションムラおよびツレシワを防
止するために、延伸間距離とフイルム幅を適当に調節す
ることが望ましい。具体的には延伸間距離（Ｌ）が５ｍ
以下が好ましく、３ｍ以下がより好ましく、１．５ｍ以
下が最も好ましい。また、延伸間距離とフイルム幅
（Ｗ）の比（Ｌ／Ｗ値）が２．０以上、５．０以下が好
ましい。延伸時の残留溶剤量は、共流延法で製膜したフ
イルムである場合、０乃至５質量％であることが好まし
く、０乃至２質量％であることがさらに好ましい。単層
流延法の場合には５乃至６０質量％であることが好まし
く、１０乃至５０質量％であることがさらに好ましく、
１０乃至４０質量％であることが最も好ましい。

【００５０】延伸処理したフイルムを熱処理しても良
い。熱処理温度はセルロースアシレートフイルムのガラ
ス転移温度より２０℃低い値から１０℃高い温度で行う
ことが好ましい。熱処理時間は１秒間乃至３分間である
ことが好ましく、１秒間乃至２分間であることがさらに
好ましく、１秒間乃至１分間であることが最も好まし
い。加熱方法はゾーン加熱であっても、赤外線ヒータの
ような部分加熱であっても良い。

【００５１】［円偏光板］λ／４板と（直線）偏光膜と
を、λ／４板の面内の遅相軸と（直線）偏光膜の偏光軸
との角度が実質的に４５゜になるように積層すると円偏
光板が得られる。実質的に４５゜とは、４０乃至５０゜
であることを意味する。λ／４板の面内の遅相軸の平均
的な方向と（直線）偏光膜の偏光軸との角度は、４１乃
至４９゜であることが好ましく、４２乃至４８゜である
ことがより好ましく、４３乃至４７゜であることがさら
に好ましく、４４乃至４６゜であることが最も好まし
い。 （直線）偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用
いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系
偏光膜および染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコ
ール系フイルムを用いて製造する。（直線）偏光膜の偏
光軸は、フイルムの延伸方向に垂直な方向に相当する。 （直線）偏光膜のλ／４板とは反対側の面には、透明保
護膜を設けることが好ましい。 （直線）偏光膜の代わりに直線偏光板を積層してもよ
い。直線偏光板は偏光膜の両面に透明保護膜が積層され
ており、市販されている直線偏光板を好適に用いること
ができる。

【００５２】[反射型液晶表示素子]図１は、反射型液晶
表示素子の基本的な構成を示す模式図である。図１に示
す反射型液晶表示素子は、下から順に、下基板（１）、
反射電極（２）、下配向膜（３）、液晶層（４）、上配
向膜（５）、透明電極（６）、上基板（７）、λ／４板
（８）、そして直線偏光膜（９）からなる。下基板
（１）と反射電極（２）が反射板を構成する。下配向膜
（３）〜上配向膜（５）が液晶セルを構成する。λ／４
板（８）は、反射板と直線偏光膜（９）との間の任意の
位置に配置することができる。カラー表示の場合には、
さらにカラーフィルター層を設ける。カラーフィルター
層は、反射電極（２）と下配向膜（３）との間、または
上配向膜（５）と透明電極（６）との間に設けることが
好ましい。図１に示す反射電極（２）の代わりに透明電
極を用いて、別に反射板を取り付けてもよい。透明電極
と組み合わせて用いる反射板としては、金属板が好まし
い。反射板の表面が平滑であると、正反射成分のみが反
射されて視野角が狭くなる場合がある。そのため、反射
板の表面に凹凸構造（特許２７５６２０６号公報記載）
を導入することが好ましい。反射板の表面が平坦である
場合は（表面に凹凸構造を導入する代わりに）、偏光膜
の片側（セル側あるいは外側）に光拡散フイルムを取り
付けてもよい。

【００５３】液晶セルは、ＴＮ（twisted nematic ）
型、ＳＴＮ（Supper Twisted Nematic）型またはＨＡＮ
（Hybrid Aligned Nematic）型であることが好ましい。
ＴＮ型液晶セルのツイスト角は、４０乃至１００゜であ
ることが好ましく、５０乃至９０゜であることがさらに
好ましく、６０乃至８０゜であることが最も好ましい。
液晶層の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層の厚み（ｄ）と
の積（Δｎｄ）の値は、０．１乃至０．５μｍであるこ
とが好ましく、０．２乃至０．４μｍであることがさら
に好ましい。ＳＴＮ型液晶セルのツイスト角は、１８０
乃至３６０゜であることが好ましく、２２０乃至２７０
゜であることがさらに好ましい。液晶層の屈折率異方性
（Δｎ）と液晶層の厚み（ｄ）との積（Δｎｄ）の値
は、０．３乃至１．２μｍであることが好ましく、０．
５乃至１．０μｍであることがさらに好ましい。ＨＡＮ
型液晶セルは、片方の基板上では液晶が実質的に垂直に
配向しており、他方の基板上のプレチルト角が０乃至４
５゜であることが好ましい。液晶層の屈折率異方性（Δ
ｎ）と液晶層の厚み（ｄ）との積（Δｎｄ）の値は、
０．１乃至１．０μｍであることが好ましく、０．３乃
至０．８μｍであることがさらに好ましい。液晶を垂直
配向させる側の基板は、反射板側の基板であってもよい
し、透明電極側の基板であってもよい。反射型液晶表示
装置は、印加電圧が低い時に明表示、高い時に暗表示で
あるノーマリーホワイトモードでも、印加電圧が低い時
に暗表示、高い時に明表示であるノーマリーブラックモ
ードでも用いることができる。ノーマリーホワイトモー
ドの方が好ましい。

【００５４】[ゲストホスト反射型液晶表示素子]図２
は、ゲストホスト反射型液晶表示素子の代表的な態様を
示す断面模式図である。図２に示すゲストホスト反射型
液晶表示素子は、下基板（１１）、有機層間絶縁膜（１
２）、金属反射板（１３）、λ／４板（１４）、下透明
電極（１５）、下配向膜（１６）、液晶層（１７）、上
配向膜（１８）、上透明電極（１９）、光拡散板（２
０）、上基板（２１）および反射防止層（２２）が、こ
の順に積層された構造を有する。下基板（１１）および
上基板（２１）は、ガラス板またはプラスチックフイル
ムからなる。下基板（１１）と有機層間絶縁膜（１２）
との間には、ＴＦＴ（２３）が取り付けられている。液
晶層（１７）は、液晶と二色性色素との混合物からな
る。液晶層は、スペーサー（２４）により形成されてい
るセルギャップに液晶と二色性色素との混合物を注入し
て得られる。光拡散板（２０）を設ける代わりに、金属
反射板（１３）の表面に凹凸を付けることで、金属反射
板（１３）に光拡散機能を付与してもよい。反射防止層
（２２）は、反射防止機能に加えて、防眩機能も有して
いることが好ましい。

【００５５】図３は、ゲストホスト反射型液晶表示素子
の別の代表的な態様を示す断面模式図である。図３に示
すゲストホスト反射型液晶表示素子は、下基板（３
１）、有機層間絶縁膜（３２）、コレステリックカラー
反射板（３３）、λ／４板（３４）、下透明電極（３
５）、下配向膜（３６）、液晶層（３７）、上配向膜
（３８）、上透明電極（３９）、上基板（４１）および
反射防止層（４２）が、この順に積層された構造を有す
る。下基板（３１）および上基板（４１）は、ガラス板
またはプラスチックフイルムからなる。下基板（３１）
と有機層間絶縁膜（３２）との間には、ＴＦＴ（４３）
が取り付けられている。λ／４板（３４）は、光拡散板
としても機能させてもよい。液晶層（３７）は、液晶と
二色性色素との混合物からなる。液晶層は、スペーサー
（４４）により形成されているセルギャップに液晶と二
色性色素との混合物を注入して得られる。上透明電極
（３９）と上基板（４１）との間には、ブラックマトリ
ックス（４５）が取り付けられている。反射防止層（４
２）は、反射防止機能に加えて、防眩機能も有している
ことが好ましい。

【００５６】本発明に従うλ／４板は、図２および図３
で説明したゲストホスト反射型液晶表示素子のλ／４板
（１４）および（３４）として使用できる。λ／４板を
備えたゲストホスト反射型液晶表示素子については、特
開平６−２２２３５０号、同８−３６１７４号、同１０
−２６８３００号、同１０−２９２１７５号、同１０−
２９３３０１号、同１０−３１１９７６号、同１０−３
１９４４２号、同１０−３２５９５３号、同１０−３３
３１３８号、同１１−３８４１０号の各公報に記載があ
る。本発明に従うλ／４板は、上記各公報記載のゲスト
ホスト反射型液晶表示素子にも利用することができる。

【００５７】

【実施例】（レターデーションおよび屈折率の測定）作
製したセルロースアセテートフイルム（位相差板）につ
いて、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）
製）を用いて、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび５９
０ｎｍにおけるレターデーション（Ｒｅ）値を測定し
た。また、アッベ屈折率計による屈折率測定と、レター
デーションの角度依存性の測定から、波長５５０ｎｍに
おける面内の遅相軸方向の屈折率ｎｘ、面内の遅相軸に
垂直な方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の屈折率ｎｚを
求め、（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値を計算し
た。

【００５８】（ヘイズの測定）フイルムのヘイズはヘイ
ズ計（１００１ＤＰ型、日本電色工業（株）製）を用い
て測定した。１サンプルにつき５点を測定し、その平均
値を採用した。

【００５９】（フイルムの凹凸、異物の評価）フイルム
を目視で観察し、その面状を以下の如く評価した。 Ａ：フイルム表面は平滑である。 Ｂ：フイルム表面は平滑であるが、少し異物が見られ
る。 Ｃ：フイルム表面に弱い凹凸が見られ、異物の存在がは
っきり観察される。 Ｄ：フイルムに凹凸が見られ、異物が多数見られる。

【００６０】［実施例１］ （位相差板の作製）下記に示す組成の内層用セルロース
アシレート溶液（ドープ）および表面層用セルロースア
シレート溶液（ドープ）を調整した。溶解は一般的な溶
解法を用いた。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【化１】

【００６３】次に得られた表面層用ドープを５０℃に
て、絶対濾過精度０．００２５ｍｍの濾紙（ポール社
製、ＦＨ０２５）にて濾過した。同様にして、内層用ド
ープも絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙
（株）製、＃６３）にて濾過した。

【００６４】これらのドープを三層共流延ダイを用い、
内層用ドープが内側に表面層用ドープが両外側になるよ
うに配置して金属支持体上に同時に吐出させて重層流延
した。このとき、内層の膜厚が９６μｍ、表面層が各１
２μｍになるように設定して流延した。流延膜を支持体
から剥ぎ取り、乾燥して、セルロースアセテートフイル
ムを製造した。乾燥は７０℃で３分、１２０℃で５分し
た後、支持体からフイルムを剥ぎ取り、そして１３０
℃、３０分で段階的に乾燥して溶剤を蒸発させセルロー
スアセテートフイルムを得た。セルロースアセテートフ
イルム中の残留溶剤量は０．９％であった。

【００６５】得られたフイルムをロール延伸機で縦一軸
延伸処理をおこなった。ロール延伸機のロールは表面を
鏡面処理した誘導発熱ジャケットロールを用い、各ロー
ルの温度は個別に調整できるようにした。延伸ゾーンは
ケーシングで覆い１３０℃とした。延伸部の前のロール
は徐々に１３０℃に加熱できるように設定した。Ｌ／Ｗ
比は２．５となるように延伸間距離を調整した。延伸し
たときの延伸したときの応力は７．２ｋｇｆ／ｍｍ² で
あった。延伸後は冷却して巻き取った。延伸倍率を測定
したところ１．４５倍であった。また、膜厚は１０１μ
ｍであった。得られた位相差板の光学特性、面状を観察
した。得られた結果を表４に示す。

【００６６】［実施例２］ （位相差板の作製）下記に示す組成の内層用セルロース
アシレート溶液（ドープ）および表面層用セルロースア
シレート溶液（ドープ）を調整した。溶解は冷却溶解法
を用いた。詳細には組成物を添加後、室温（２５℃）に
て３時間放置した。不均一なゲル状溶液を、−７０℃に
て６時間冷却した後、５０℃に加温し攪拌して溶液を得
た。

【００６７】

【表２】

【００６８】次に得られた表面層用ドープを５０℃に
て、絶対濾過精度０．００２５ｍｍの濾紙（ポール社
製、ＦＨ０２５）にて濾過した。同様にして、内層用ド
ープも絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙
（株）製、＃６３）にて濾過した。

【００６９】これらのドープを三層共流延ダイを用い、
実施例１と同様にして、セルロースアセテートフイルム
を製造した。乾燥は７０℃で３分、１４０℃で５分した
後、支持体からフイルムを剥ぎ取った。剥ぎ取りの段階
での残留溶剤量は３０％であった。

【００７０】剥ぎ取ったフイルムをロール延伸機で縦一
軸延伸処理をおこなった。ロール延伸機のロール表面は
鏡面処理をした。ロールの温度は加熱した油を循環する
ことで調整できるようにし、延伸温度は１００℃とし
た。Ｌ／Ｗ比は２．２となるように延伸間距離を調整し
た。また、延伸したときの応力は３．５ｋｇｆ／ｍｍ²
であった。延伸後、１３０℃で３０分間乾燥して巻き取
った。延伸倍率を測定したところ１．４７倍であった。
また、膜厚は１０３μｍであった。得られた位相差板の
光学特性、面状を観察した。得られた結果を表４に示
す。

【００７１】［実施例３］ （位相差板の作製）流延の際のフイルムの膜厚を１５０
μｍ（内層：１２０μｍ、外層：各１５μｍ）にした以
外は実施例１と同様にして、セルロースアセテートフイ
ルムを作製した。残留溶剤量は１．０％であった。得ら
れたセルロースアセテートフイルムを実施例１と同様に
延伸処理して位相差板を作製した。延伸倍率を測定した
ところ、１．３８倍であった。また、膜厚は１２３μｍ
であった。得られた位相差板の光学特性、面状を観察し
た。得られた結果を表４に示す。

【００７２】［実施例４］下記に示す組成の内層用セル
ロースアシレート溶液（ドープ）および表面層用セルロ
ースアシレート溶液（ドープ）を調整した。

【００７３】

【表３】

【００７４】内層の膜厚が１７６μｍ、表面層が各１２
μｍである以外、溶解法、ドープろ過法、共流延法、縦
一軸延伸処理は［実施例２］と同様にして位相差板を作
製した。ここで用いたセルローストリアセテートは、置
換度２．８２、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質
量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５
ｍＰａ・ｓ、平均粒子径１．５ｍｍ標準偏差０．５ｍｍ
である粉体であり、残存酢酸量が０．０１質量％以下、
Ｃａが０．０５質量％、Ｍｇは０．００７質量％、さら
にＦｅは５ｐｐｍであった。また６位アセチル基は０．
９５であり全アセチル中の３２．２％であった。また、
アセトン抽出分は１１質量％、重量平均分子量と数平均
分子量の比は０．５であり、分布の均一なものであっ
た。また、イエローネスインデックスは０．３、ヘイズ
は０．０８％、透明度は９３．５％であり、Ｔｇは１６
０℃、結晶化発熱量は６．２Ｊ／ｇであった。

【００７５】［比較例１］ （位相差板の作製）実施例１の内層用のドープを用い
て、膜厚１２０μｍのフイルムを単層流延法により製膜
した。乾燥は７０℃で３分、１２０℃で５分した後、支
持体からフイルムを剥ぎ取り、そして１３０℃、３０分
で段階的に乾燥して溶剤を蒸発させセルロースアセテー
トフイルムを得た。残留溶剤量は１．５％であった。

【００７６】得られたフイルムをロール延伸機で縦一軸
延伸処理をおこなった。ロール延伸機のロールは表面を
鏡面処理した誘導発熱ジャケットロールを用い、各ロー
ルの温度は個別に調整できるようにした。延伸ゾーンは
ケーシングで覆い１３０℃とした。延伸部の前のロール
は徐々に１３０℃に加熱できるように設定した。Ｌ／Ｗ
比は２．５となるように延伸間距離を調整した。延伸し
たときの延伸したときの応力は７．１ｋｇｆ／ｍｍ² で
あった。延伸後は冷却して巻き取った。延伸倍率を測定
したところ１．４５倍であった。また、膜厚は１０２μ
ｍであった。得られた位相差板の光学特性、面状を観察
した。得られた結果を表４に示す。

【００７７】［比較例２］ （位相差板の作製）単層流延の際のフィルムの膜厚を１
５０μｍにした以外は比較例１と同様にしてセルロース
アセテートフイルムを作製した。残留溶剤量は１．９％
であった。得られたフイルムを比較例１と同様に延伸処
理をおこなった。延伸倍率を測定したところ、１．３７
倍であった。また、膜厚は１２４μｍであった。得られ
た位相差板の光学特性、面状を観察した。得られた結果
を表４に示す。

【００７８】［位相差板の評価結果］実施例および比較
例で作製した位相差板の光学特性、ヘイズ、フイルム面
状、そしてスリキズの評価結果を表４に示す。

【００７９】

【表４】

【００８０】［実施例５］ （円偏光板の作製）透明保護膜、偏光膜および実施例１
で作製した位相差板を、この順に積層して円偏光板を得
た。位相差板の遅相軸と偏光膜の偏光軸との角度は、４
５゜に調整した。また、実施例１で作製した位相差板の
かわりに実施例２〜４で作製した位相差板を用いて同様
に円偏光板を作製した。得られた円偏光板の光学的性質
を調べたところ、いずれも広い波長領域（４５０〜５９
０ｎｍ）において、ほぼ完全な円偏光が達成されてい
た。

【００８１】［実施例６］ （反射型液晶表示素子の作製）ＩＴＯ透明電極を設けた
ガラス基板と、微細な凹凸が形成されたアルミニウム反
射電極を設けたガラス基板とを用意した。二枚のガラス
基板の電極側に、それぞれポリイミド配向膜（ＳＥ−７
９９２、日産化学（株）製）を形成し、ラビング処理を
行った。２．５μｍのスペーサーを介して、二枚の基板
を配向膜が向かい合うように重ねた。二つの配向膜のラ
ビング方向は、１１７゜の角度で交差するように、基板
の向きを調節した。基板の間隙に、液晶（ＭＬＣ−６２
５２、メルク社製）を注入し、液晶層を形成した。この
ようにして、ツイスト角が６３゜、Δｎｄの値が１９８
ｎｍのＴＮ型液晶セルを作製した。ＩＴＯ透明電極を設
けたガラス基板の側に、実施例１で作製したλ／４板を
粘着剤を介して貼り付けた。その上に、さらに偏光板
（表面がＡＲ（反射防止）処理された保護膜と偏光膜を
積層した偏光板）を貼り付けた。作製した反射型液晶表
示装置に、１ｋＨｚの矩形波電圧を印加した。白表示
１．５Ｖ、黒表示４．５Ｖとして目視で評価を行ったと
ころ、白表示においても、黒表示においても、色味がな
く、ニュートラルグレイが表示されていることが確認で
きた。次に、測定機（ＥＺcontrast160D、Ｅｌｄｉｍ社
製）を用いて反射輝度のコントラスト比を測定したとこ
ろ、正面からのコントラスト比が２３であり、コントラ
スト比３となる視野角は、上下１２０゜以上、左右１２
０゜以上であった。

【００８２】

【図面の簡単な説明】

【図１】反射型液晶表示装置の基本的な構成を示す模式
図である。

【図２】ゲストホスト反射型液晶表示素子の代表的な態
様を示す断面模式図である。

【図３】ゲストホスト反射型液晶表示素子の別の代表的
な態様を示す断面模式図である。

【符号の説明】

１ 下基板 ２ 反射電極 ３ 下配向膜 ４ 液晶層 ５ 上配向膜 ６ 透明電極 ７ 上基板 ８ λ／４板 ９ 偏光膜 １１ 下基板 １２ 有機層間絶縁膜 １３ 金属反射板 １４ λ／４板 １５ 下透明電極 １６ 下配向膜 １７ 液晶層 １８ 上配向膜 １９ 上透明電極 ２０ 光拡散板 ２１ 上基板 ２２ 反射防止層 ２３ ＴＦＴ ２４ スペーサ ３１ 下基板 ３２ 有機層間絶縁膜 ３３ コレステリックカラー反射板 ３４ λ／４板 ３５ 下透明電極 ３６ 下配向膜 ３７ 液晶層 ３８ 上配向膜 ３９ 上透明電極 ４１ 上基板 ４２ 反射防止層 ４４ スペーサ ４５ ブラックマトリックス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ 1/13363 1/13363 // Ｂ２９Ｋ 1:00 Ｂ２９Ｋ 1:00 Ｂ２９Ｌ 9:00 Ｂ２９Ｌ 9:00 Ｃ０８Ｌ 1:12 Ｃ０８Ｌ 1:12 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA03 BA07 BA42 BB03 BB49 BB63 BC03 BC22 2H091 FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FB02 HA08 LA02 LA18 LA19 4F071 AA09 AF31 AH12 BB02 BC01 4F205 AA01 AC05 AH73 GA07 GB02 GB26 GF01

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 波長４００から７００ｎｍにおける複屈
   折が長波長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定したレタ
   ーデーション値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２５ｎｍの
   範囲にあり、波長５９０ｎｍで測定したレターデーショ
   ン値（Ｒｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍの範囲にあ
   る一枚のセルロースアシレートフイルムからなり、該セ
   ルロースアシレートフイルムが共流延法により製膜され
   たフィルムであることを特徴とする位相差板。
2. 【請求項２】 波長４００から７００ｎｍにおける複屈
   折が長波長ほど大きく、波長４５０ｎｍで測定したレタ
   ーデーション値（Ｒｅ４５０）が８０乃至１２５ｎｍの
   範囲にあり、波長５９０ｎｍで測定したレターデーショ
   ン値（Ｒｅ５９０）が１２０乃至１６０ｎｍの範囲にあ
   る一枚のセルロースアシレートフイルムからなり、該セ
   ルロースアシレートフイルムが、ハロゲン化炭化水素以
   外の溶媒を用いたセルロースアシレート溶液から製膜さ
   れたフィルムであることを特徴とする位相差板。
3. 【請求項３】 前記のセルロースアシレートフイルム
   が、平均酢化度が５６．０乃至６２．５％の範囲にある
   セルロースアセテートからなるフイルムであることを特
   徴とする請求項１もしくは２に記載の位相差板。
4. 【請求項４】 前記のセルロースアシレートフイルム
   が、セルロースアシレートの６位置換率が、３０％以上
   ４０％以下であるセルロースアセテートからなるフイル
   ムであることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいず
   れかの項に記載の位相差板。
5. 【請求項５】 前記のセルロースアシレートフイルム
   の、波長５５０ｎｍで測定した面内の遅相軸方向の屈折
   率ｎｘ、面内の遅相軸に垂直な方向の屈折率ｎｙおよび
   厚み方向の屈折率ｎｚが、０．３≦（ｎｘ−ｎｚ）／
   （ｎｘ−ｎｙ）≦２の関係を満足することを特徴とする
   請求項１乃至４のうちのいずれかの項に記載の位相差
   板。
6. 【請求項６】 前記のセルロースアシレートフイルム
   が、延伸処理されたフイルムであることを特徴とする請
   求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載の位相差板。
7. 【請求項７】 前記のセルロースアシレートフイルム
   が、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を
   含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちのいずれか
   の項に記載の位相差板。
8. 【請求項８】 位相差板と偏光板とが、位相差板の面内
   の遅相軸と偏光板の偏光軸との角度が実質的に４５°に
   なるように貼り合わせられている円偏光板であって、位
   相差板が請求項１乃至７のうちのいずれかの項に記載の
   位相差板であることを特徴とする円偏光板。
9. 【請求項９】 位相差板と直線偏光膜とが、位相差板の
   面内の遅相軸と直線偏光膜の偏光軸との角度が実質的に
   ４５゜になるように積層されている円偏光板であって、
   位相差板が請求項１乃至７のうちのいずれかの項に記載
   の位相差板であることを特徴とする円偏光板。
10. 【請求項１０】 反射板、液晶セルおよび偏光膜がこの
    順に積層されている反射型液晶表示素子であって、さら
    に、請求項１乃至７のうちのいずれかの項に記載の位相
    差板が、反射板と偏光膜との間に配置されていることを
    特徴とする反射型液晶表示素子。
11. 【請求項１１】 λ／４板を備えたゲストホスト反射型
    液晶表示素子であって、λ／４板が請求項１乃至７のう
    ちのいずれかの項に記載の位相差板であることを特徴と
    するゲストホスト反射型液晶表示素子。