JP2001249223A - 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 - Google Patents
光学補償シート、偏光板および液晶表示装置Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セルロースアセテートフイルムのみで、液晶
セルを光学的に補償する。 【解決手段】 酢化度が５９．０乃至６１．５％である
セルロースアセテートおよびセルロースアセテート１０
０質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、Ｒｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、Ｒ
thレターデーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚
のセルロースアセテートフイルムを光学補償シートとし
て利用する。
セルを光学的に補償する。 【解決手段】 酢化度が５９．０乃至６１．５％である
セルロースアセテートおよびセルロースアセテート１０
０質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、Ｒｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、Ｒ
thレターデーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚
のセルロースアセテートフイルムを光学補償シートとし
て利用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一枚のセルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートおよび
それを用いた偏光板と液晶表示装置とに関する。
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートおよび
それを用いた偏光板と液晶表示装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】セルロースアセテートフイルムは、その
強靭性と難燃性から各種の写真材料や光学材料に用いら
れている。セルロースアセテートフイルムは、代表的な
写真感光材料の支持体である。また、セルロースアセテ
ートフイルムは、液晶表示装置にも用いられている。セ
ルロースアセテートフイルムには、他のポリマーフイル
ムと比較して、光学的等方性が高い（レターデーション
値が低い）との特徴がある。従って、光学的等方性が要
求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテー
トフイルムを用いることが普通である。液晶表示装置の
光学補償シート（位相差フイルム）には、逆に光学的異
方性（高いレターデーション値）が要求される。従っ
て、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフイル
ムやポリスルホンフイルムのようなレターデーション値
が高い合成ポリマーフイルムを用いることが普通であ
る。
強靭性と難燃性から各種の写真材料や光学材料に用いら
れている。セルロースアセテートフイルムは、代表的な
写真感光材料の支持体である。また、セルロースアセテ
ートフイルムは、液晶表示装置にも用いられている。セ
ルロースアセテートフイルムには、他のポリマーフイル
ムと比較して、光学的等方性が高い（レターデーション
値が低い）との特徴がある。従って、光学的等方性が要
求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテー
トフイルムを用いることが普通である。液晶表示装置の
光学補償シート（位相差フイルム）には、逆に光学的異
方性（高いレターデーション値）が要求される。従っ
て、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフイル
ムやポリスルホンフイルムのようなレターデーション値
が高い合成ポリマーフイルムを用いることが普通であ
る。
【０００３】以上のように光学材料の技術分野では、ポ
リマーフイルムに光学的異方性（高いレターデーション
値）が要求される場合には合成ポリマーフイルムを使用
し、光学的等方性（低いレターデーション値）が要求さ
れる場合にはセルロースアセテートフイルムを使用する
ことが一般的な原則であった。欧州特許０９１１６５６
Ａ２号明細書には、従来の一般的な原則を覆して、光学
的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデ
ーション値を有するセルロースアセテートフイルムが開
示されている。
リマーフイルムに光学的異方性（高いレターデーション
値）が要求される場合には合成ポリマーフイルムを使用
し、光学的等方性（低いレターデーション値）が要求さ
れる場合にはセルロースアセテートフイルムを使用する
ことが一般的な原則であった。欧州特許０９１１６５６
Ａ２号明細書には、従来の一般的な原則を覆して、光学
的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデ
ーション値を有するセルロースアセテートフイルムが開
示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セル
ロースアセテートフイルムのみで、液晶セルを光学的に
補償することである。別の本発明の目的は、セルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートを提供
することである。さらに別の本発明の目的は、偏光板の
構成要素の数を増加することなく、偏光板に光学補償機
能を追加することである。さらにまた別の本発明の目的
は、セルロースアセテートフイルムによって光学的に補
償された液晶表示装置を提供することである。
ロースアセテートフイルムのみで、液晶セルを光学的に
補償することである。別の本発明の目的は、セルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートを提供
することである。さらに別の本発明の目的は、偏光板の
構成要素の数を増加することなく、偏光板に光学補償機
能を追加することである。さらにまた別の本発明の目的
は、セルロースアセテートフイルムによって光学的に補
償された液晶表示装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記
（１）〜（３）の光学補償シート、下記（４）の楕円偏
光板および下記（５）〜（１２）の液晶表示装置により
達成された。 （１）酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロー
スアセテートおよびセルロースアセテート１００質量部
に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化
合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定
義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍで
あり、そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデ
ーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚のセルロー
スアセテートフイルムのみからなることを特徴とする光
学補償シート： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （２）光学補償シートが、３乃至１００％の延伸倍率で
延伸したセルロースアセテートフイルムからなる（１）
に記載の光学補償シート。 （３）芳香族化合物が、少なくとも一つの１，３，５−
トリアジン環を有する（１）に記載の光学補償シート。
（１）〜（３）の光学補償シート、下記（４）の楕円偏
光板および下記（５）〜（１２）の液晶表示装置により
達成された。 （１）酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロー
スアセテートおよびセルロースアセテート１００質量部
に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化
合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定
義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍで
あり、そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデ
ーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚のセルロー
スアセテートフイルムのみからなることを特徴とする光
学補償シート： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （２）光学補償シートが、３乃至１００％の延伸倍率で
延伸したセルロースアセテートフイルムからなる（１）
に記載の光学補償シート。 （３）芳香族化合物が、少なくとも一つの１，３，５−
トリアジン環を有する（１）に記載の光学補償シート。
【０００６】（４）偏光膜およびその両側に配置された
二枚の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜
の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセル
ロースアセテートおよびセルロースアセテート１００質
量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香
族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）
で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎ
ｍであり、そして、下記式（II）で定義されるＲthレタ
ーデーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚のセル
ロースアセテートフイルムのみからなり、さらに、セル
ロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする偏光板： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。
二枚の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜
の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセル
ロースアセテートおよびセルロースアセテート１００質
量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香
族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）
で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎ
ｍであり、そして、下記式（II）で定義されるＲthレタ
ーデーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚のセル
ロースアセテートフイルムのみからなり、さらに、セル
ロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする偏光板： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。
【０００７】（５）液晶セルおよびその両側に配置され
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと一方の偏光板との間に、酢化度が
５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテートお
よびセルロースアセテート１００質量部に対して、少な
くとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１
乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレ
ターデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、
下記式（II）で定義されるＲthレターデーション値が１
５０乃至４００ｎｍである一枚のセルロースアセテート
フイルムのみからなる光学補償シートが配置されてお
り、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸と
セルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過
軸とが実質的に平行になるように配置されていることを
特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （６）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶
セルである（５）に記載の液晶表示装置。
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと一方の偏光板との間に、酢化度が
５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテートお
よびセルロースアセテート１００質量部に対して、少な
くとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１
乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレ
ターデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、
下記式（II）で定義されるＲthレターデーション値が１
５０乃至４００ｎｍである一枚のセルロースアセテート
フイルムのみからなる光学補償シートが配置されてお
り、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸と
セルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過
軸とが実質的に平行になるように配置されていることを
特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （６）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶
セルである（５）に記載の液晶表示装置。
【０００８】（７）液晶セルおよびその両側に配置され
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の
透明保護膜の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％
であるセルロースアセテートおよびセルロースアセテー
ト１００質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を
有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下
記式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０
乃至７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で定義され
るＲthレターデーション値が１５０乃至４００ｎｍであ
る一枚のセルロースアセテートフイルムのみからなり、
さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセル
ロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （８）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶
セルである（７）に記載の液晶表示装置。
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の
透明保護膜の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％
であるセルロースアセテートおよびセルロースアセテー
ト１００質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を
有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下
記式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０
乃至７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で定義され
るＲthレターデーション値が１５０乃至４００ｎｍであ
る一枚のセルロースアセテートフイルムのみからなり、
さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセル
ロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （８）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶
セルである（７）に記載の液晶表示装置。
【０００９】（９）液晶セルおよびその両側に配置され
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと両方の偏光板との間に、それぞ
れ、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロース
アセテートおよびセルロースアセテート１００質量部に
対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合
物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義
されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍであ
り、そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデー
ション値が７０乃至２００ｎｍである一枚のセルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートが配置
されており、さらに、セルロースアセテートフイルムの
遅相軸とセルロースアセテートフイルムに隣接する偏光
膜の透過軸とが実質的に平行になるように配置されてい
ることを特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （１０）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液
晶セルである（９）に記載の液晶表示装置。
た二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置
であって、液晶セルと両方の偏光板との間に、それぞ
れ、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロース
アセテートおよびセルロースアセテート１００質量部に
対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合
物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義
されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍであ
り、そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデー
ション値が７０乃至２００ｎｍである一枚のセルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートが配置
されており、さらに、セルロースアセテートフイルムの
遅相軸とセルロースアセテートフイルムに隣接する偏光
膜の透過軸とが実質的に平行になるように配置されてい
ることを特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （１０）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液
晶セルである（９）に記載の液晶表示装置。
【００１０】（１１）液晶セルおよびその両側に配置さ
れた二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその
両側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装
置であって、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚
の透明保護膜が、それぞれ、酢化度が５９．０乃至６
１．５％であるセルロースアセテートおよびセルロース
アセテート１００質量部に対して、少なくとも二つの芳
香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部
含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション
値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で
定義されるＲthレターデーション値が７０乃至２００ｎ
ｍである一枚のセルロースアセテートフイルムのみから
なり、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸
とセルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透
過軸とが実質的に平行になるように配置されていること
を特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （１２）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液
晶セルである（１１）に記載の液晶表示装置。
れた二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその
両側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装
置であって、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚
の透明保護膜が、それぞれ、酢化度が５９．０乃至６
１．５％であるセルロースアセテートおよびセルロース
アセテート１００質量部に対して、少なくとも二つの芳
香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部
含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション
値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で
定義されるＲthレターデーション値が７０乃至２００ｎ
ｍである一枚のセルロースアセテートフイルムのみから
なり、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸
とセルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透
過軸とが実質的に平行になるように配置されていること
を特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 （１２）液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモードの液
晶セルである（１１）に記載の液晶表示装置。
【００１１】
【発明の効果】本発明者は、欧州特許０９１１６５６Ａ
２号明細書に開示されているセルロースアセテートフイ
ルムを改良して、フイルムのみで液晶セルを光学的に補
償することに成功した。セルロースアセテートフイルム
への添加剤（具体的には、二つの芳香族環を有する芳香
族化合物）の種類と量あるいは製造条件（例えば、フイ
ルムの延伸条件）を調節することによって、Ｒｅレター
デーション値が２０乃至７０ｎｍであり、Ｒthレターデ
ーション値が７０乃至４００ｎｍであるセルロースアセ
テートフイルムが得られる。このセルロースアセテート
フイルムは、液晶セルを光学的に補償するために充分な
光学的異方性を有している。従って、一枚のセルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートが得ら
れる。偏光板の保護膜は、一般にセルロースアセテート
フイルムからなる。上記のセルロースアセテートフイル
ムを偏光板の一方の保護膜として用いると、偏光板の構
成要素の数を増加することなく、偏光板に光学補償機能
を追加するができる。なお、酢化度が５９．０未満のセ
ルロースアセテートを使用すると、上記の光学的異方性
を容易に達成できるが、セルロースアセテートフイルム
としての物性が低下する。本発明では、酢化度が５９．
０乃至６１．５％であるセルロースアセテートを使用
し、他の手段（上記の添加剤や製造条件の調節）で上記
のレターデーション値を達成することにより、光学的異
方性と物性との双方が優れたセルロースアセテートフイ
ルムを得ている。上記のセルロースアセテートフイルム
のみからなる光学補償シートおよび上記のセルロースア
セテートフイルムを保護膜として用いた偏光板は、ＶＡ
（Vertically Aligned）型またはＴＮ（Twisted Nemati
c）型の液晶表示装置に、特に有利に用いることができ
る。
２号明細書に開示されているセルロースアセテートフイ
ルムを改良して、フイルムのみで液晶セルを光学的に補
償することに成功した。セルロースアセテートフイルム
への添加剤（具体的には、二つの芳香族環を有する芳香
族化合物）の種類と量あるいは製造条件（例えば、フイ
ルムの延伸条件）を調節することによって、Ｒｅレター
デーション値が２０乃至７０ｎｍであり、Ｒthレターデ
ーション値が７０乃至４００ｎｍであるセルロースアセ
テートフイルムが得られる。このセルロースアセテート
フイルムは、液晶セルを光学的に補償するために充分な
光学的異方性を有している。従って、一枚のセルロース
アセテートフイルムのみからなる光学補償シートが得ら
れる。偏光板の保護膜は、一般にセルロースアセテート
フイルムからなる。上記のセルロースアセテートフイル
ムを偏光板の一方の保護膜として用いると、偏光板の構
成要素の数を増加することなく、偏光板に光学補償機能
を追加するができる。なお、酢化度が５９．０未満のセ
ルロースアセテートを使用すると、上記の光学的異方性
を容易に達成できるが、セルロースアセテートフイルム
としての物性が低下する。本発明では、酢化度が５９．
０乃至６１．５％であるセルロースアセテートを使用
し、他の手段（上記の添加剤や製造条件の調節）で上記
のレターデーション値を達成することにより、光学的異
方性と物性との双方が優れたセルロースアセテートフイ
ルムを得ている。上記のセルロースアセテートフイルム
のみからなる光学補償シートおよび上記のセルロースア
セテートフイルムを保護膜として用いた偏光板は、ＶＡ
（Vertically Aligned）型またはＴＮ（Twisted Nemati
c）型の液晶表示装置に、特に有利に用いることができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】［フイルムのレターデーション］
フイルムのＲｅレターデーション値およびＲthレターデ
ーション値は、それぞれ、下記式（Ｉ）および（II）で
定義される。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式（Ｉ）および（II）において、ｎｘは、フイルム面内
の遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率であ
る。式（Ｉ）および（II）において、ｎｙは、フイルム
面内の進相軸方向（屈折率が最小となる方向）の屈折率
である。式（II）において、ｎｚは、フイルムの厚み方
向の屈折率である。式（Ｉ）および（II）において、ｄ
は、単位をｎｍとするフイルムの厚さである。
フイルムのＲｅレターデーション値およびＲthレターデ
ーション値は、それぞれ、下記式（Ｉ）および（II）で
定義される。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式（Ｉ）および（II）において、ｎｘは、フイルム面内
の遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率であ
る。式（Ｉ）および（II）において、ｎｙは、フイルム
面内の進相軸方向（屈折率が最小となる方向）の屈折率
である。式（II）において、ｎｚは、フイルムの厚み方
向の屈折率である。式（Ｉ）および（II）において、ｄ
は、単位をｎｍとするフイルムの厚さである。
【００１３】本発明では、セルロースアセテートフイル
ムのＲｅレターデーション値を２０乃至７０ｎｍであ
り、そして、Ｒthレターデーション値が７０乃至４００
ｎｍに調節する。液晶表示装置に二枚の光学的異方性セ
ルロースアセテートフイルムを使用する場合、フイルム
のＲthレターデーション値は７０乃至２００ｎｍである
ことが好ましい。液晶表示装置に一枚の光学的異方性セ
ルロースアセテートフイルムを使用する場合、フイルム
のＲthレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであ
ることが好ましい。なお、セルロースアセテートフイル
ムの複屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．０００２５
乃至０．０００８８であることが好ましい。また、セル
ロースアセテートフイルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎ
ｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．０００８８乃至０．０
０５であることが好ましい。
ムのＲｅレターデーション値を２０乃至７０ｎｍであ
り、そして、Ｒthレターデーション値が７０乃至４００
ｎｍに調節する。液晶表示装置に二枚の光学的異方性セ
ルロースアセテートフイルムを使用する場合、フイルム
のＲthレターデーション値は７０乃至２００ｎｍである
ことが好ましい。液晶表示装置に一枚の光学的異方性セ
ルロースアセテートフイルムを使用する場合、フイルム
のＲthレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであ
ることが好ましい。なお、セルロースアセテートフイル
ムの複屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．０００２５
乃至０．０００８８であることが好ましい。また、セル
ロースアセテートフイルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎ
ｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．０００８８乃至０．０
０５であることが好ましい。
【００１４】［セルロースアセテート］本発明では、酢
化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテ
ートを使用する。酢化度とは、セルロース単位重量当た
りの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ−
８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）にお
けるアセチル化度の測定および計算に従う。セルロース
エステルの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であ
ることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ま
しい。また、本発明に使用するセルロースエステルは、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／
Ｍｎ（Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の
分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎ
の値としては、１．０乃至１．７であることが好まし
く、１．３乃至１．６５であることがさらに好ましく、
１．４乃至１．６であることが最も好ましい。
化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテ
ートを使用する。酢化度とは、セルロース単位重量当た
りの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ−
８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）にお
けるアセチル化度の測定および計算に従う。セルロース
エステルの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であ
ることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ま
しい。また、本発明に使用するセルロースエステルは、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／
Ｍｎ（Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の
分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎ
の値としては、１．０乃至１．７であることが好まし
く、１．３乃至１．６５であることがさらに好ましく、
１．４乃至１．６であることが最も好ましい。
【００１５】［レターデーション上昇剤］セルロースア
セテートフイルムのレターデーションを調整するため、
少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレタ
ーデーション上昇剤として使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１
乃至２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セ
ルロースアセテート１００質量部に対して、０．０５乃
至１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
乃至１０質量部の範囲で使用することがさらに好まし
い。二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香
族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、
芳香族性ヘテロ環を含む。
セテートフイルムのレターデーションを調整するため、
少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレタ
ーデーション上昇剤として使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１
乃至２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セ
ルロースアセテート１００質量部に対して、０．０５乃
至１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
乃至１０質量部の範囲で使用することがさらに好まし
い。二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香
族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、
芳香族性ヘテロ環を含む。
【００１６】芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環または７員環であることが好まし
く、５員環または６員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，
５−トリアジン環が含まれる。芳香族環としては、ベン
ゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および
１，３，５−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環およ
び１，３，５−トリアジン環がさらに好ましい。芳香族
化合物は、少なくとも一つの１，３，５−トリアジン環
を有することが特に好ましい。
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環または７員環であることが好まし
く、５員環または６員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，
５−トリアジン環が含まれる。芳香族環としては、ベン
ゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および
１，３，５−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環およ
び１，３，５−トリアジン環がさらに好ましい。芳香族
化合物は、少なくとも一つの１，３，５−トリアジン環
を有することが特に好ましい。
【００１７】芳香族化合物が有する芳香族環の数は、２
乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であること
がより好ましく、２乃至８であることがさらに好まし
く、２乃至６であることが最も好ましい。二つの芳香族
環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）
単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合
する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は
形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれ
でもよい。
乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であること
がより好ましく、２乃至８であることがさらに好まし
く、２乃至６であることが最も好ましい。二つの芳香族
環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）
単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合
する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は
形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれ
でもよい。
【００１８】（ａ）の縮合環（二つ以上の芳香族環の縮
合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ナフタセン環、ピレン環、イン
ドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾ
チオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール
環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベン
ゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメ
ン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キ
ナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジ
ン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、
フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フ
ェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン
環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、ア
ズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベン
ゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリア
ゾール環およびキノリン環が好ましい。（ｂ）の単結合
は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好
ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、
二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環
を形成してもよい。
合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ナフタセン環、ピレン環、イン
ドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾ
チオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール
環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベン
ゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメ
ン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キ
ナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジ
ン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、
フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フ
ェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン
環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、ア
ズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベン
ゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリア
ゾール環およびキノリン環が好ましい。（ｂ）の単結合
は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好
ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、
二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環
を形成してもよい。
【００１９】（ｃ）の連結基も、二つの芳香族環の炭素
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。 ｃ１：−ＣＯ−Ｏ− ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ− ｃ３：−アルキレン−Ｏ− ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ− ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ− ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ− ｃ７：−Ｏ−アルキレン−Ｏ− ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン− ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン−ＮＨ− ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン−Ｏ− ｃ11：−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−ＣＯ
−アルキレン− ｃ12：−Ｏ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−
ＣＯ−アルキレン−Ｏ− ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ− ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン− ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン−
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。 ｃ１：−ＣＯ−Ｏ− ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ− ｃ３：−アルキレン−Ｏ− ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ− ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ− ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ− ｃ７：−Ｏ−アルキレン−Ｏ− ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン− ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン−ＮＨ− ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン−Ｏ− ｃ11：−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−ＣＯ
−アルキレン− ｃ12：−Ｏ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−
ＣＯ−アルキレン−Ｏ− ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ− ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン− ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン−
【００２０】芳香族環および連結基は、置換基を有して
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。
【００２１】アルキル基の炭素原子数は、１乃至８であ
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基（例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有して
いてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例
には、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシル、２
−ヒドロキシエチル、４−カルボキシブチル、２−メト
キシエチルおよび２−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至８であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび１−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至
８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、１−ブ
チニルおよび１−ヘキシニルが含まれる。
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基（例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有して
いてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例
には、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシル、２
−ヒドロキシエチル、４−カルボキシブチル、２−メト
キシエチルおよび２−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至８であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび１−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至
８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、１−ブ
チニルおよび１−ヘキシニルが含まれる。
【００２２】脂肪族アシル基の炭素原子数は、１乃至１
０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１０である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基（例、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコ
キシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至
１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、２乃至１０であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。
０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１０である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基（例、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコ
キシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至
１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、２乃至１０であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。
【００２３】アルキルチオ基の炭素原子数は、１乃至１
２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至８である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。、脂
肪族アミド基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含
まれる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の
例には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミド
およびｎ−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族
置換アミノ基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび２−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、２乃至１０であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、２乃至１０であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ま
しい
２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至８である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。、脂
肪族アミド基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含
まれる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の
例には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミド
およびｎ−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族
置換アミノ基の炭素原子数は、１乃至１０であることが
好ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび２−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、２乃至１０であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、２乃至１０であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ま
しい
【００２４】［セルロースアセテートフイルムの製造］
ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフイ
ルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法
では、セルロースアセテートを有機溶媒に溶解した溶液
（ドープ）を用いてフイルムを製造する。有機溶媒は、
炭素原子数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃
至１２のケトン、炭素原子数が３乃至１２のエステルお
よび炭素原子数が１乃至６のハロゲン化炭化水素から選
ばれる溶媒を含むことが好ましい。エーテル、ケトンお
よびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテ
ル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ
−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上
有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。
有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を
有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶
媒の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有す
る化合物の規定範囲内であればよい。
ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフイ
ルムを製造することが好ましい。ソルベントキャスト法
では、セルロースアセテートを有機溶媒に溶解した溶液
（ドープ）を用いてフイルムを製造する。有機溶媒は、
炭素原子数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃
至１２のケトン、炭素原子数が３乃至１２のエステルお
よび炭素原子数が１乃至６のハロゲン化炭化水素から選
ばれる溶媒を含むことが好ましい。エーテル、ケトンお
よびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテ
ル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ
−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上
有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。
有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を
有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶
媒の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有す
る化合物の規定範囲内であればよい。
【００２５】炭素原子数が３乃至１２のエーテル類の例
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が３乃至１２のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３乃至
１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノー
ルおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好
ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３
０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至
６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０
モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が３乃至１２のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３乃至
１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノー
ルおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好
ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３
０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至
６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０
モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。
【００２６】一般的な方法でセルロースアセテート溶液
を調製できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常
温または高温）で、処理することを意味する。溶液の調
製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調
製方法および装置を用いて実施することができる。な
お、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化
炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ま
しい。セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に
１０乃至４０重量％含まれるように調整する。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する
任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温
（０乃至４０℃）でセルロースアセテートと有機溶媒と
を攪拌することにより調製することができる。高濃度の
溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体
的には、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器
に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以
上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪
拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好まし
くは６０乃至２００℃であり、さらに好ましくは８０乃
至１１０℃である。
を調製できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常
温または高温）で、処理することを意味する。溶液の調
製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調
製方法および装置を用いて実施することができる。な
お、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化
炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ま
しい。セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に
１０乃至４０重量％含まれるように調整する。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する
任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温
（０乃至４０℃）でセルロースアセテートと有機溶媒と
を攪拌することにより調製することができる。高濃度の
溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体
的には、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器
に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以
上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪
拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好まし
くは６０乃至２００℃であり、さらに好ましくは８０乃
至１１０℃である。
【００２７】各成分は予め粗混合してから容器に入れて
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
【００２８】冷却溶解法により、溶液を調製することも
できる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させ
ることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを
溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセル
ロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶
解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果があ
る。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロ
ースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロ
ースアセテートの量は、この混合物中に１０乃至４０重
量％含まれるように調整することが好ましい。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の
添加剤を添加しておいてもよい。
できる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させ
ることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを
溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセル
ロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶
解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果があ
る。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロ
ースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロ
ースアセテートの量は、この混合物中に１０乃至４０重
量％含まれるように調整することが好ましい。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０重量％であることが
さらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の
添加剤を添加しておいてもよい。
【００２９】次に、混合物を−１００乃至−１０℃（好
ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０
乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃）に
冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール
浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液
（−３０乃至−２０℃）中で実施できる。このように冷
却すると、セルロースアセテートと有機溶媒の混合物は
固化する。冷却速度は、４℃／分以上であることが好ま
しく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２
℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速
いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限で
あり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１
００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、
冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷
却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間
で割った値である。
ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０
乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃）に
冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール
浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液
（−３０乃至−２０℃）中で実施できる。このように冷
却すると、セルロースアセテートと有機溶媒の混合物は
固化する。冷却速度は、４℃／分以上であることが好ま
しく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２
℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速
いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限で
あり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１
００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、
冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷
却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間
で割った値である。
【００３０】さらに、これを０乃至２００℃（好ましく
は０乃至１５０℃、さらに好ましくは０乃至１２０℃、
最も好ましくは０乃至５０℃）に加温すると、有機溶媒
中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中
に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。加
温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／
分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上で
あることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好まし
いが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１００
０℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が
実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始す
る時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始して
から最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値で
ある。以上のようにして、均一な溶液が得られる。な
お、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り
返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視によ
り溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
は０乃至１５０℃、さらに好ましくは０乃至１２０℃、
最も好ましくは０乃至５０℃）に加温すると、有機溶媒
中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中
に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。加
温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／
分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上で
あることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好まし
いが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１００
０℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が
実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始す
る時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始して
から最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値で
ある。以上のようにして、均一な溶液が得られる。な
お、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り
返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視によ
り溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
【００３１】冷却溶解法においては、冷却時の結露によ
る水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ま
しい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、
加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。なお、セルロースアセテート
（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷
却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０重量
％の溶液は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によると、３
３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在
し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、
この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移
温度プラス１０℃程度の温度で保存する必要がある。た
だし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの
酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒
により異なる。
る水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ま
しい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、
加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。なお、セルロースアセテート
（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷
却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０重量
％の溶液は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によると、３
３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在
し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、
この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移
温度プラス１０℃程度の温度で保存する必要がある。た
だし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの
酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒
により異なる。
【００３２】調製したセルロースアセテート溶液（ドー
プ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセ
テートフイルムを製造する。ドープは、ドラムまたはバ
ンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成す
る。流延前のドープは、固形分量が１８乃至３５％とな
るように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたは
バンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好まし
い。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法
については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６
０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同
２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０
６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１
号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５
４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４
号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号
の各公報に記載がある。ドープは、表面温度が１０℃以
下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好まし
い。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取
り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高
温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以
上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載があ
る。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を
短縮することが可能である。この方法を実施するために
は、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてド
ープがゲル化することが必要である。
プ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセ
テートフイルムを製造する。ドープは、ドラムまたはバ
ンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成す
る。流延前のドープは、固形分量が１８乃至３５％とな
るように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたは
バンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好まし
い。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法
については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６
０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同
２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０
６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１
号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５
４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４
号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号
の各公報に記載がある。ドープは、表面温度が１０℃以
下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好まし
い。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取
り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高
温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以
上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載があ
る。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を
短縮することが可能である。この方法を実施するために
は、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてド
ープがゲル化することが必要である。
【００３３】セルロースアセテートフイルムには、機械
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣ
Ｐ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭ
Ｐ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレ
ート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジ
フェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシル
フタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステル
の例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴ
Ｅ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴ
Ｂ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥ
Ｐ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用
いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースエステルの量の０．１乃至２５
重量％であることが好ましく、１乃至２０重量％である
ことがさらに好ましく、３乃至１５重量％であることが
最も好ましい。
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣ
Ｐ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭ
Ｐ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレ
ート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジ
フェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシル
フタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステル
の例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴ
Ｅ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴ
Ｂ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥ
Ｐ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用
いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースエステルの量の０．１乃至２５
重量％であることが好ましく、１乃至２０重量％である
ことがさらに好ましく、３乃至１５重量％であることが
最も好ましい。
【００３４】セルロースアセテートフイルムには、劣化
防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０
１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９
号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各
公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶
液（ドープ）の０．０１乃至１重量％であることが好ま
しく、０．０１乃至０．２重量％であることがさらに好
ましい。添加量が０．０１重量％未満であると、劣化防
止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１重量％
を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードア
ウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好まし
い劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエ
ン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げる
ことができる。
防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０
１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９
号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各
公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶
液（ドープ）の０．０１乃至１重量％であることが好ま
しく、０．０１乃至０．２重量％であることがさらに好
ましい。添加量が０．０１重量％未満であると、劣化防
止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１重量％
を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードア
ウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好まし
い劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエ
ン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げる
ことができる。
【００３５】セルロースアセテートフイルムは、さらに
延伸処理によりレターデーションをを調整することがで
きる。延伸倍率は、３乃至１００％であることが好まし
い。セルロースアセテートフイルムの厚さは、４０乃至
１４０μｍであることが好ましく、７０乃至１２０μｍ
であることがさらに好ましい。
延伸処理によりレターデーションをを調整することがで
きる。延伸倍率は、３乃至１００％であることが好まし
い。セルロースアセテートフイルムの厚さは、４０乃至
１４０μｍであることが好ましく、７０乃至１２０μｍ
であることがさらに好ましい。
【００３６】［セルロースアセテートフイルムの表面処
理］セルロースアセテートフイルムを偏光板の透明保護
膜として使用する場合、セルロースアセテートフイルム
を表面処理することが好ましい。表面処理としては、コ
ロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、ア
ルカリ処理または紫外線照射処理を実施する。酸処理ま
たはアルカリ処理、すなわちセルロースアセテートに対
するケン化処理を実施することが特に好ましい。
理］セルロースアセテートフイルムを偏光板の透明保護
膜として使用する場合、セルロースアセテートフイルム
を表面処理することが好ましい。表面処理としては、コ
ロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、ア
ルカリ処理または紫外線照射処理を実施する。酸処理ま
たはアルカリ処理、すなわちセルロースアセテートに対
するケン化処理を実施することが特に好ましい。
【００３７】［偏光板］偏光板は、偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護
膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用い
ることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースア
セテートフイルムを用いてもよい。偏光膜には、ヨウ素
系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン
系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜
は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製
造する。セルロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光
膜の透過軸とは、実質的に平行になるように配置する。
側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護
膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用い
ることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースア
セテートフイルムを用いてもよい。偏光膜には、ヨウ素
系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン
系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜
は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製
造する。セルロースアセテートフイルムの遅相軸と偏光
膜の透過軸とは、実質的に平行になるように配置する。
【００３８】［液晶表示装置］上記のセルロースアセテ
ートフイルムからなる光学補償シート、または上記のセ
ルロースアセテートフイルムを用いた偏光板は、液晶表
示装置、特に透過型液晶表示装置に有利に用いられる。
透過型液晶表示装置は、液晶セルおよびその両側に配置
された二枚の偏光板からなる。液晶セルは、二枚の電極
基板の間に液晶を担持している。光学補償シートは、液
晶セルと一方の偏光板との間に、一枚配置するか、ある
いは液晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。偏
光板では、液晶セルと偏光膜との間に配置される透明保
護膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用
いる。一方の偏光板の（液晶セルと偏光膜との間の）透
明保護膜のみ上記のセルロースアセテートフイルムを用
いるか、あるいは双方の偏光板の（液晶セルと偏光膜と
の間の）二枚の透明保護膜に、上記のセルロースアセテ
ートフイルムを用いる。液晶セルは、ＶＡモードまたは
ＴＮモードであることが好ましい。ＶＡモードの液晶セ
ルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直
に配向している。ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒
状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向さ
せ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡ
モードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記
載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードを
マルチドメイン化した（ＭＶＡモードの）液晶セル（Ｓ
ＩＤ９７、Digest of tech. Papers（予稿集）２８（１
９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無
印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマ
ルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード）の
液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９
８）記載）および（４）ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液
晶セル（ＬＣＤインターナショナル９８で発表）が含ま
れる。ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状
液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに６０乃至１２
０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セルは、
カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されてお
り、多数の文献に記載がある。
ートフイルムからなる光学補償シート、または上記のセ
ルロースアセテートフイルムを用いた偏光板は、液晶表
示装置、特に透過型液晶表示装置に有利に用いられる。
透過型液晶表示装置は、液晶セルおよびその両側に配置
された二枚の偏光板からなる。液晶セルは、二枚の電極
基板の間に液晶を担持している。光学補償シートは、液
晶セルと一方の偏光板との間に、一枚配置するか、ある
いは液晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。偏
光板では、液晶セルと偏光膜との間に配置される透明保
護膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用
いる。一方の偏光板の（液晶セルと偏光膜との間の）透
明保護膜のみ上記のセルロースアセテートフイルムを用
いるか、あるいは双方の偏光板の（液晶セルと偏光膜と
の間の）二枚の透明保護膜に、上記のセルロースアセテ
ートフイルムを用いる。液晶セルは、ＶＡモードまたは
ＴＮモードであることが好ましい。ＶＡモードの液晶セ
ルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直
に配向している。ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒
状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向さ
せ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡ
モードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記
載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードを
マルチドメイン化した（ＭＶＡモードの）液晶セル（Ｓ
ＩＤ９７、Digest of tech. Papers（予稿集）２８（１
９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無
印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマ
ルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード）の
液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９
８）記載）および（４）ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液
晶セル（ＬＣＤインターナショナル９８で発表）が含ま
れる。ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状
液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに６０乃至１２
０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セルは、
カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されてお
り、多数の文献に記載がある。
【００３９】
【実施例】［実施例１］下記の組成物をミキシングタン
クに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、
セルロースアセテート溶液を調製した。
クに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、
セルロースアセテート溶液を調製した。
【００４０】 ──────────────────────────────────── セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── 酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部 トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部 ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部 メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部 メタノール（第２溶媒） ５４質量部 １−ブタノール（第３溶媒） １１質量部 ────────────────────────────────────
【００４１】別のミキシングタンクに、下記のレターデ
ーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質
量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しなが
ら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーシ
ョン上昇剤溶液２５質量部を混合し、充分に攪拌してド
ープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、３．５質
量部であった。
ーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質
量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しなが
ら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーシ
ョン上昇剤溶液２５質量部を混合し、充分に攪拌してド
ープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、３．５質
量部であった。
【００４２】
【化１】
【００４３】得られたドープを、バンド流延機を用いて
流延した。残留溶剤量が１５重量％のフイルムを、１３
０℃の条件で、テンターを用いて２５％の延伸倍率で横
延伸して、セルロースアセテートフイルム（厚さ：８０
μｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイ
ルム（光学補償シート）について、エリプソメーター
（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５
０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲthレタ
ーデーション値を測定した。結果は第１表に示す。
流延した。残留溶剤量が１５重量％のフイルムを、１３
０℃の条件で、テンターを用いて２５％の延伸倍率で横
延伸して、セルロースアセテートフイルム（厚さ：８０
μｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイ
ルム（光学補償シート）について、エリプソメーター
（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５
０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲthレタ
ーデーション値を測定した。結果は第１表に示す。
【００４４】［実施例２］セルロースアセテート溶液４
７４質量部にレターデーション上昇剤溶液５６質量部を
混合してドープを調製し（セルロースアセテート１００
質量部に対して、レターデーション上昇剤７．８質量部
を使用し）、延伸倍率を１４％に変更した以外は、実施
例１と同様にセルロースアセテートフイルム（光学補償
シート）を作製して評価した。結果は第１表に示す。
７４質量部にレターデーション上昇剤溶液５６質量部を
混合してドープを調製し（セルロースアセテート１００
質量部に対して、レターデーション上昇剤７．８質量部
を使用し）、延伸倍率を１４％に変更した以外は、実施
例１と同様にセルロースアセテートフイルム（光学補償
シート）を作製して評価した。結果は第１表に示す。
【００４５】［比較例１］セルロースアセテート溶液
を、そのままドープとして使用し、延伸処理を実施しな
かった以外は、実施例１と同様にセルロースアセテート
フイルム（光学補償シート）を作製して評価した。結果
は第１表に示す。
を、そのままドープとして使用し、延伸処理を実施しな
かった以外は、実施例１と同様にセルロースアセテート
フイルム（光学補償シート）を作製して評価した。結果
は第１表に示す。
【００４６】
【表１】 第１表 ──────────────────────────────────── フイルム レターデーション上昇剤 延伸倍率 Ｒｅ Ｒth ──────────────────────────────────── 実施例１ ３．５質量部 ２５％ ４０ｎｍ １３０ｎｍ 実施例２ ７．８質量部 １４％ ５０ｎｍ ２４０ｎｍ 比較例１ なし 延伸せず ４ｎｍ ４８ｎｍ ────────────────────────────────────
【００４７】［実施例３］延伸したポリビニルアルコー
ルフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。実
施例１で作製したセルロースアセテートフイルムにケン
化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用い
て、偏光膜の片側に貼り付けた。市販のセルローストリ
アセテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写
真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニル
アルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付
けた。偏光膜の透過軸と実施例１で作製したセルロース
アセテートフイルムの遅相軸とは平行になるように配置
した。偏光膜の透過軸と市販のセルローストリアセテー
トフイルムの遅相軸とは、直交するように配置した。こ
のようにして偏光板を作製した。
ルフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。実
施例１で作製したセルロースアセテートフイルムにケン
化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用い
て、偏光膜の片側に貼り付けた。市販のセルローストリ
アセテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写
真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニル
アルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付
けた。偏光膜の透過軸と実施例１で作製したセルロース
アセテートフイルムの遅相軸とは平行になるように配置
した。偏光膜の透過軸と市販のセルローストリアセテー
トフイルムの遅相軸とは、直交するように配置した。こ
のようにして偏光板を作製した。
【００４８】［実施例４］実施例２で作製したセルロー
スアセテートフイルムを用いた以外は、実施例３と同様
にして、偏光板を作製した。
スアセテートフイルムを用いた以外は、実施例３と同様
にして、偏光板を作製した。
【００４９】［実施例５］垂直配向型液晶セルを使用し
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
に設けられている一対の偏光板および一対の光学補償シ
ートを剥がし、代わりに実施例３で作製した偏光板を、
実施例１で作製したセルロースアセテートフイルムが液
晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側および
バックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光
板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏
光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配
置とした。作製した液晶表示装置について、測定機（Ｅ
Ｚ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒
表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角
を測定した。結果を第２表に示す。
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
に設けられている一対の偏光板および一対の光学補償シ
ートを剥がし、代わりに実施例３で作製した偏光板を、
実施例１で作製したセルロースアセテートフイルムが液
晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側および
バックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光
板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏
光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配
置とした。作製した液晶表示装置について、測定機（Ｅ
Ｚ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒
表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角
を測定した。結果を第２表に示す。
【００５０】［実施例５］垂直配向型液晶セルを使用し
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
に設けられている一対の偏光板および一対の光学補償シ
ートを剥がし、代わりに実施例４で作製した偏光板を、
実施例２で作製したセルロースアセテートフイルムが液
晶セル側となるように粘着剤を介して一枚、観察者側に
貼り付けた。また、バックライト側には、市販の偏光板
（ＨＬＣ２−５６１８ＨＣＳ、（株）サンリッツ製）を
一枚貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向
に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方
向になるように、クロスニコル配置とした。作製した液
晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast１６０
Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白
表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。結果を
第２表に示す。
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
に設けられている一対の偏光板および一対の光学補償シ
ートを剥がし、代わりに実施例４で作製した偏光板を、
実施例２で作製したセルロースアセテートフイルムが液
晶セル側となるように粘着剤を介して一枚、観察者側に
貼り付けた。また、バックライト側には、市販の偏光板
（ＨＬＣ２−５６１８ＨＣＳ、（株）サンリッツ製）を
一枚貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向
に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方
向になるように、クロスニコル配置とした。作製した液
晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast１６０
Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白
表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。結果を
第２表に示す。
【００５１】［比較例２］垂直配向型液晶セルを使用し
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
について、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩ
Ｍ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）
までの８段階で視野角を測定した。結果を第２表に示
す。
た液晶表示装置（ＶＬ−１５３０Ｓ、富士通（株）製）
について、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩ
Ｍ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）
までの８段階で視野角を測定した。結果を第２表に示
す。
【００５２】
【表２】 第２表 ──────────────────────────────────── 液晶 視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲） 表示装置 透過軸方向 透過軸から４５゜の方向 ──────────────────────────────────── 実施例５ ＞８０゜ ＞８０゜ 実施例６ ＞８０゜ ＞８０゜ 比較例２ ＞８０゜ ４４゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転
【００５３】［実施例７］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設けら
れている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例３で作
製した偏光板を、実施例１で作製したセルロースアセテ
ートフイルムが液晶セル側となるように粘着剤を介し
て、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付け
た。観察者側の偏光板の透過軸と、バックライト側の偏
光板の透過軸とは、Ｏモードとなるように配置した。作
製した液晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast
１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）
から白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。
結果を第３表に示す。
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設けら
れている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例３で作
製した偏光板を、実施例１で作製したセルロースアセテ
ートフイルムが液晶セル側となるように粘着剤を介し
て、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付け
た。観察者側の偏光板の透過軸と、バックライト側の偏
光板の透過軸とは、Ｏモードとなるように配置した。作
製した液晶表示装置について、測定機（ＥＺ−Contrast
１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）
から白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。
結果を第３表に示す。
【００５４】［比較例３］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）につい
て、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社
製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）まで
の８段階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）につい
て、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社
製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）まで
の８段階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。
【００５５】
【表３】 第３表 ──────────────────────────────────── 液晶 視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲） 表示装置 上 下 左右 ──────────────────────────────────── 実施例７ １８゜ ２３゜ ７７゜ 比較例２ １５゜ ２５゜ ３７゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13363 Ｇ０２Ｆ 1/13363 1/139 1/137 ５０５ Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA25 BA47 BB03 BB19 BB33 BB49 BB51 BC03 BC10 BC14 BC22 2H088 EA02 GA02 HA03 HA16 HA18 JA05 MA16 2H091 FA08X FA08Z FA11X FA11Z FB02 GA06 HA07 LA12 LA13 4F071 AA09 AE22 AF31Y AF35 AH16 AH19 BA02 BB02 BB07 BC01 BC12 4J002 AB021 EA036 EL066 EL076 EL086 EU026 EU036 EU046 EU116 EU126 EU136 EU146 EU166 EU226 EU236 EV046 EV236 EV266 EV306 EV326 FD206 GP00 GQ00 GS00
Claims (12)
- 【請求項１】 酢化度が５９．０乃至６１．５％である
セルロースアセテートおよびセルロースアセテート１０
０質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式
（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至
７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で定義されるＲ
thレターデーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚
のセルロースアセテートフイルムのみからなることを特
徴とする光学補償シート： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項２】 光学補償シートが、３乃至１００％の延
伸倍率で延伸したセルロースアセテートフイルムからな
る請求項１に記載の光学補償シート。 - 【請求項３】 芳香族化合物が、少なくとも一つの１，
３，５−トリアジン環を有する請求項１に記載の光学補
償シート。 - 【請求項４】 偏光膜およびその両側に配置された二枚
の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜の一
方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロー
スアセテートおよびセルロースアセテート１００質量部
に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化
合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定
義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍで
あり、そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデ
ーション値が７０乃至４００ｎｍである一枚のセルロー
スアセテートフイルムのみからなり、さらに、セルロー
スアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸とが実
質的に平行になるように配置されていることを特徴とす
る偏光板： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項５】 液晶セルおよびその両側に配置された二
枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に
配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置であ
って、液晶セルと一方の偏光板との間に、酢化度が５
９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテートおよ
びセルロースアセテート１００質量部に対して、少なく
とも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃
至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレタ
ーデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、そして、下
記式（II）で定義されるＲthレターデーション値が１５
０乃至４００ｎｍである一枚のセルロースアセテートフ
イルムのみからなる光学補償シートが配置されており、
さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセル
ロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項６】 液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモー
ドの液晶セルである請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶セルおよびその両側に配置された二
枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に
配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置であ
って、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の透明
保護膜の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％であ
るセルロースアセテートおよびセルロースアセテート１
００質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有す
る芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、下記式
（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至
７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で定義されるＲ
thレターデーション値が１５０乃至４００ｎｍである一
枚のセルロースアセテートフイルムのみからなり、さら
に、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセルロー
スアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過軸とが実
質的に平行になるように配置されていることを特徴とす
る液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項８】 液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモー
ドの液晶セルである請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 液晶セルおよびその両側に配置された二
枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に
配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置であ
って、液晶セルと両方の偏光板との間に、それぞれ、酢
化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテ
ートおよびセルロースアセテート１００質量部に対し
て、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を
０．０１乃至２０質量部含み、下記式（Ｉ）で定義され
るＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍであり、
そして、下記式（II）で定義されるＲthレターデーショ
ン値が７０乃至２００ｎｍである一枚のセルロースアセ
テートフイルムのみからなる光学補償シートが配置され
ており、さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相
軸とセルロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の
透過軸とが実質的に平行になるように配置されているこ
とを特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項１０】 液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモ
ードの液晶セルである請求項９に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 液晶セルおよびその両側に配置された
二枚の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側
に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置で
あって、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の透
明保護膜が、それぞれ、酢化度が５９．０乃至６１．５
％であるセルロースアセテートおよびセルロースアセテ
ート１００質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環
を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、
下記式（Ｉ）で定義されるＲｅレターデーション値が２
０乃至７０ｎｍであり、そして、下記式（II）で定義さ
れるＲthレターデーション値が７０乃至２００ｎｍであ
る一枚のセルロースアセテートフイルムのみからなり、
さらに、セルロースアセテートフイルムの遅相軸とセル
ロースアセテートフイルムに隣接する偏光膜の透過軸と
が実質的に平行になるように配置されていることを特徴
とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである］。 - 【請求項１２】 液晶セルが、ＶＡモードまたはＴＮモ
ードの液晶セルである請求項１１に記載の液晶表示装
置。
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