JP2009278078A5 - - Google Patents
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- 第１の誘電体と、
第２の誘電体と、
第１電源電位が印加される第１配線と、
前記第１の誘電体を介して前記第１配線に隣接して形成され、第２電源電位が印加される第２配線と、
複数の半導体素子を含み、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続され、前記第１配線および前記第２配線に取り囲まれている集積回路と、
前記第２の誘電体を介して前記第１配線および前記第２配線と重なり、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜と隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、
前記第１絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜に重なり、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または第３導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されている第３絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜に隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第３導電膜と、
前記第２配線に含まれ、記第３絶縁膜を介して前記第３導電膜に隣接し、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第４導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜および前記第３導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜および前記第４導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、
前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に重なり、前記第１絶縁膜に覆われ、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または第５導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜と隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されている第３絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜に隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第３導電膜と、
前記第２配線に含まれ、記第３絶縁膜を介して前記第３導電膜に隣接し、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第４導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜および前記第３導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜および前記第４導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項３又は請求項５において、
前記第１導電膜と前記第４導電膜は、前記第２絶縁膜を介して隣接し、
前記第２導電膜と前記第３導電膜は、前記第２絶縁膜を介して隣接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記集積回路は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子を流れる電流を増幅する増幅回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記集積回路は、ガラス基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
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| JP2012147393A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法 |
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| JP2014120615A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 容量素子、容量アレイおよびａ／ｄ変換器 |
| EP2778715A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | Agfa Healthcare | A pixel unit for a radiographic image detecting apparatus |
| CN203811938U (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
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| US9431363B1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-08-30 | Automated Assembly Corporation | Wire bonded IC components to round wire |
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| US9911756B2 (en) * | 2015-08-31 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage |
| US9595501B1 (en) | 2015-10-30 | 2017-03-14 | Automated Assembly Corporation | Wire bonded electronic devices to round wire |
| US9484209B1 (en) | 2015-11-20 | 2016-11-01 | International Business Machines Corporation | Flexible and stretchable sensors formed by patterned spalling |
| US11227862B2 (en) | 2017-02-28 | 2022-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN108511411B (zh) * | 2017-02-28 | 2021-09-10 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置 |
| US10381325B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-08-13 | Automated Assembly Corporation | Guide posts for wire bonding |
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| WO2023166379A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327044A (ja) | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2721909B2 (ja) * | 1989-01-18 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JPH0511667A (ja) | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電子写真画像形成装置 |
| JP3184251B2 (ja) * | 1991-07-25 | 2001-07-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH0685308A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光センサ |
| US5477414A (en) * | 1993-05-03 | 1995-12-19 | Xilinx, Inc. | ESD protection circuit |
| JP3195474B2 (ja) * | 1993-09-20 | 2001-08-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| US5639989A (en) * | 1994-04-19 | 1997-06-17 | Motorola Inc. | Shielded electronic component assembly and method for making the same |
| US5483099A (en) * | 1994-08-31 | 1996-01-09 | Intel Corporation | Standardized power and ground design for pin grid array packages |
| US5825601A (en) * | 1997-06-16 | 1998-10-20 | Lsi Logic Corporation | Power supply ESD protection circuit |
| EP0903780A3 (en) * | 1997-09-19 | 1999-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for a wire bonded package for integrated circuits |
| JP4080582B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
| JP3522144B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2004-04-26 | 富士通株式会社 | 容量回路および半導体集積回路装置 |
| US6310379B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-10-30 | Texas Instruments Incorporated | NMOS triggered NMOS ESD protection circuit using low voltage NMOS transistors |
| JP3505461B2 (ja) | 2000-03-03 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
| JP2001339051A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 回路素子の保護回路 |
| DE60140722D1 (de) * | 2000-09-05 | 2010-01-21 | Nxp Bv | Integrierte elektromagnetische Abschirmvorrichtung |
| JP3983067B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-09-26 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路の静電保護回路 |
| EP1494167A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flexible semiconductor device and identification label |
| JP2006196803A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Toshiba Lsi System Support Kk | 半導体装置 |
| JP4532418B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ及びその作製方法 |
| US7566971B2 (en) * | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2008071931A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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