JP2010041042A5 - - Google Patents
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- 第1端子と、
第2端子と、
前記第1端子および前記第2端子に電気的に接続されている第1の回路と、
過電圧から前記第1の回路を保護することができる機能を有し、前記第1端子および前記第2端子の間に挿入されている第2の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第2の回路は、
絶縁表面上に形成され、N型不純物領域およびP型不純物領域が形成されている半導体膜を有するダイオードと、
前記半導体膜上に形成され、前記N型不純物領域に達する複数の第1開口および前記P型不純物領域に達する複数の第2開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第1開口において前記N型不純物領域と電気的に接続された第1導電膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第2開口において前記P型不純物領域と電気的に接続された第2導電膜と、
前記第1導電膜および前記第2導電膜上に形成され、前記第1導電膜に達する複数の第3開口および前記第2導電膜に達する複数の第4開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1端子に電気的に接続され、前記複数の第3開口において前記第1導電膜と電気的に接続された第3導電膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第2端子に電気的に接続され、前記複数の第4開口において前記第2導電膜と電気的に接続された第4導電膜と、を有し、
前記複数の第1開口における複数の電気的な接続部は、前記N型不純物領域の全体に分布するように設けられ、
前記複数の第2開口における複数の電気的な接続部は、前記P型不純物領域の全体に分布するように設けられることを特徴とする半導体装置。 - 第1端子と、
第2端子と、
前記第1端子および前記第2端子に電気的に接続されている第1の回路と、
過電圧から前記第1の回路を保護することができる機能を有し、前記第1端子および前記第2端子の間に挿入されている第2の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第2の回路は、
絶縁表面上に形成され、第1のP型不純物領域、第2のP型不純物領域、および前記第1のP型不純物領域と前記第2のP型不純物領域とを囲む1つのN型不純物領域が形成されている半導体膜を有するダイオードと、
前記半導体膜上に形成され、前記N型不純物領域に達する複数の第1開口、前記第1のP型不純物領域に達する複数の第2開口、および前記第2のP型不純物領域に達する複数の第3開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第1開口において前記N型不純物領域と電気的に接続された第1導電膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第2開口において前記第1のP型不純物領域と電気的に接続された第2導電膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第3開口において前記第2のP型不純物領域と電気的に接続された第3導電膜と、
前記第1導電膜、前記第2導電膜、および前記第3導電膜上に形成され、前記第1導電膜に達する複数の第4開口、前記第2導電膜に達する複数の第5開口、および前記第3導電膜に達する複数の第6開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1端子に電気的に接続され、前記複数の第4開口において前記第1導電膜と電気的に接続された第4導電膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第2端子に電気的に接続され、前記複数の第5開口において前記第2導電膜と電気的に接続され、前記複数の第6開口において前記第3導電膜と電気的に接続された第5導電膜と、を有し、
前記複数の第1開口における複数の電気的な接続部は、前記N型不純物領域の全体に分布するように設けられ、
前記複数の第2開口における複数の電気的な接続部は、前記第1のP型不純物領域の全体に分布するように設けられ、
前記複数の第3開口における複数の電気的な接続部は、前記第2のP型不純物領域の全体に分布するように設けられることを特徴とする半導体装置。 - 第1端子と、
第2端子と、
前記第1端子および前記第2端子に電気的に接続されている第1の回路と、
過電圧から前記第1の回路を保護することができる機能を有し、前記第1端子および前記第2端子の間に挿入されている第2の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第2の回路は、
絶縁表面上に形成され、第1のN型不純物領域、第2のN型不純物領域、および前記第1のN型不純物領域と前記第2のN型不純物領域とを囲む1つのP型不純物領域が形成されている半導体膜を有するダイオードと、
前記半導体膜上に形成され、前記P型不純物領域に達する複数の第1開口、前記第1のN型不純物領域に達する複数の第2開口、および前記第2のN型不純物領域に達する複数の第3開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第1開口において前記P型不純物領域と電気的に接続された第1導電膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第2開口において前記第1のN型不純物領域と電気的に接続された第2導電膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記複数の第3開口において前記第2のN型不純物領域と電気的に接続された第3導電膜と、
前記第1導電膜、前記第2導電膜、および前記第3導電膜上に形成され、前記第1導電膜に達する複数の第4開口、前記第2導電膜に達する複数の第5開口、および前記第3導電膜に達する複数の第6開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1端子に電気的に接続され、前記複数の第4開口において前記第1導電膜と電気的に接続された第4導電膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第2端子に電気的に接続され、前記複数の第5開口において前記第2導電膜と電気的に接続され、前記複数の第6開口において前記第3導電膜と電気的に接続された第5導電膜と、を有し、
前記複数の第1開口における複数の電気的な接続部は、前記P型不純物領域の全体に分布するように設けられ、
前記複数の第2開口における複数の電気的な接続部は、前記第1のN型不純物領域の全体に分布するように設けられ、
前記複数の第3開口における複数の電気的な接続部は、前記第2のN型不純物領域の全体に分布するように設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜には、さらに、前記N型不純物領域と前記P型不純物領域の間に、かつ前記N型不純物領域および前記P型不純物領域に隣接して、前記N型不純物領域および前記P型不純物領域よりも抵抗の高い領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記半導体膜には、さらに、前記第1のP型不純物領域を取り囲み、かつ前記N型不純物領域および前記第1のP型不純物領域に隣接して第1の領域が形成され、前記第2のP型不純物領域を取り囲み、かつ前記N型不純物領域および前記第2のP型不純物領域に隣接して第2の領域が形成され、
前記第1の領域および前記第2の領域は、前記N型不純物領域、前記第1のP型不純物領域、および前記第2のP型不純物領域よりも抵抗が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記半導体膜には、さらに、前記第1のN型不純物領域を取り囲み、かつ前記第1のN型不純物領域および前記P型不純物領域に隣接して第1の領域が形成され、前記第2のN型不純物領域を取り囲み、かつ前記第2のN型不純物領域および前記P型不純物領域に隣接して第2の領域が形成され、
前記第1の領域および前記第2の領域は、前記第1のN型不純物領域、前記第2のN型不純物領域、および前記P型不純物領域よりも抵抗が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または4において、
前記第1導電膜、および前記第2導電膜は、それぞれ、前記第1の回路の配線または電極を構成する部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2、3、5および6のいずれか1項において、
前記第1導電膜は、前記第1の回路の配線または電極を構成する部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項において、
前記第1の回路および前記第2の回路は、ガラス基板上の第3絶縁膜上に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項において、
前記半導体膜は非単結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項において、
前記第1の回路は、非単結晶半導体膜でチャネル形成領域が形成されているトランジスタを有し、
前記第2の回路が有する前記半導体膜は非単結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至11のいずれか1項において、
前記第1の回路は、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有することを特徴とする半導体装置。
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TWI613759B (zh) * | 2012-11-28 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
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US9548293B2 (en) * | 2014-02-14 | 2017-01-17 | Infineon Technologies Ag | III-nitride based ESD protection device |
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US9397084B1 (en) * | 2015-03-02 | 2016-07-19 | United Microelectronics Corp. | Structure of ESD protection circuits on BEOL layer |
US9324807B1 (en) * | 2015-07-10 | 2016-04-26 | United Silicon Carbide, Inc. | Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode |
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US20170170215A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure with anti-acid layer and method for forming the same |
US20200161367A1 (en) * | 2017-07-12 | 2020-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Imaging panel and method for producing same |
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Family Cites Families (24)
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JP3717227B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-11-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 入力/出力保護回路 |
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US6310379B1 (en) | 1999-06-03 | 2001-10-30 | Texas Instruments Incorporated | NMOS triggered NMOS ESD protection circuit using low voltage NMOS transistors |
US6319379B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-11-20 | The Regents Of The University Of California | Modified electrokinetic sample injection method in chromatography and electrophoresis analysis |
JP2002100761A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンmosfet高周波半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP3983067B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-09-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路の静電保護回路 |
JP4144225B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2008-09-03 | 株式会社デンソー | ダイオードおよびその製造方法 |
US7109533B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-09-19 | Nec Electronics Corporation | Electrostatic discharge protection device |
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JP4740523B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2011-08-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
TW587345B (en) * | 2003-02-21 | 2004-05-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Method and structure of diode |
JP2006060191A (ja) | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器 |
JP2006259241A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置の製造方法 |
TWI266426B (en) * | 2005-04-13 | 2006-11-11 | Ind Tech Res Inst | Method for manufacturing protection structure of active matrix triode field emission device |
US20060291114A1 (en) | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Teo Chee K | Electrostatic discharge protection circuit and method |
JP2007042718A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007103809A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008091687A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US8363365B2 (en) * | 2008-06-17 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5448584B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2014-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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