JP2010199149A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、第1および第2主表面を有する半導体基板80と、半導体基板80に形成された主電流スイッチセル32および電流検知セル31と、電流検知セル31に接続されると共に、ボンディングワイヤが接続される外部配線接続部とを備え、主電流スイッチセル32は、エミッタ電極17と、金属コレクタ電極19と、ゲート電極16とを含み、電流検知セル31は、エミッタ電極27と、金属コレクタ電極19と、ゲート電極16とを含み、外部配線接続部49は、半導体基板上に形成された抵抗部および検知用ボンディングパッドとを含む。
【選択図】図2
Description
Claims (4)
- 第1および第2主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に形成された主電流セルと、
前記半導体基板に形成された検知セルと、
前記検知セルに接続されると共に、外部配線が接続される外部配線接続部と、
を備え、
前記主電流セルは、前記第1主表面に形成された第1電極と、前記第2主表面に形成された第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間を流れる主電流を制御する第3電極とを含み、
前記検知セルは、前記主電流セルから出力される電流量に対応する電流量の検知電流を出力する検知電極を含み、
前記外部配線接続部は、前記半導体基板に形成されると共に前記検知電極に接続された抵抗部と、前記半導体基板上に形成され、前記抵抗部に接続されたボンディングパッド部とを含む、半導体装置。 - 前記抵抗部は、複数の分割抵抗部を含み、
前記分割抵抗部同士を直列に接続すると共に、前記外部配線を接続可能な分割パッド部をさらに備えた、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記主電流セルは、複数設けられ、
前記検知セルは、前記主電流セル間に位置する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第3電極に接続された第3電極用配線と、
前記第3電極用配線によって前記第3電極に接続された第3電極用パッド部と、
前記外部配線接続部および前記検知電極を接続する検知電極用配線とをさらに備え、
前記検知電極用配線の長さは、前記第3電極用配線よりも短い、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
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2009
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