TWI517268B - 端子構造的製造方法和電子裝置的製造方法 - Google Patents

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TWI517268B
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濱谷敏次
福留貴浩
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半導體能源研究所股份有限公司
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    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
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    • H01L2924/1901—Structure
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    • H01L2924/301—Electrical effects
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/045—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by making a conductive layer having a relief pattern, followed by abrading of the raised portions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/281—Applying non-metallic protective coatings by means of a preformed insulating foil
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Description

端子構造的製造方法和電子裝置的製造方法
在此說明書中，將敘述包含以絕緣膜所覆蓋之導體旳端子構造。進一步地，亦將說明設置有具備此構造之端子的電子裝置。
藉由使包含諸如玻璃纖維或玻璃充填劑之強化材料的預浸物硬化所形成之樹脂層被施加，以支撐印刷導線板、電子裝置、或其類似物之絕緣膜、保護材料、或其類似物(例如，請參閱專利文獻1至4)。因為形成多層導線，所以貫穿使用預浸物所形成之樹脂層的開口係形成於此層之中，以便形成與外部之電性連接部。
例如，專利文獻1揭示的是，印刷導線板的絕緣層係使用預浸物而形成，且開口係透過雷射處理、鑽孔、或打孔而形成於該絕緣層之中。
專利文獻2及3揭示的是，開口係藉由執行雷射光束照射之步驟或光微影術步驟而形成於硬化的預浸物之中，以便形成密封以該硬化的預浸物之用於電子裝置的連接端子。
專利文獻4揭示的是，電子組件的支撐物係使用預浸物而形成，以及其中嵌入電子組件及電性連接至該電子組件之導體的樹脂層被形成且該樹脂層的表面被研磨，以便暴露該導體。
[參考文件]
[專利文獻1]日本公開專利申請案第2007-091822號
[專利文獻2]日本公開專利申請案第2008-257710號
[專利文獻3]日本公開專利申請案第2008-262547號
[專利文獻4]日本公開專利申請案第2002-290006號
藉由使用包含強化材料之預浸物做為密封膜，電子元件可以以包含該強化材料的樹脂膜來予以密封；因此，電子元件的強度可增加。另一方面，在其中開口係形成於密封膜之中以便暴露電子元件的提取端子之情況中，該強化材料亦需與樹脂膜一起被去除。當開口係形成於樹脂膜之中時，該強化材料係不易處理的。
如專利文獻1中所揭示地，開口係以鑽孔、打孔、及透過雷射光束之處理而形成於使用預浸物所形成的樹脂膜中。針對密封電子元件之樹脂層中之開口的形成，鑽孔處理和打孔處理並非合適的。為了不損壞電子元件，係使用透過雷射光束之處理。
然而，透過雷射光束之使用的開口形成步驟耗費太多時間且需要技巧，因為難以決定樹脂膜及強化材料二者是否被去除。因而，根據操作員的技術，樹脂膜及/或強化材料可能不被充分地去除，且因此，在開口中所暴露出之區域的面積會變化。從而，透過開口所電性連接之二導體的連接電阻值會變化，而難以製造出具有具備設計值之電性特徵的電子元件。
此外，在採用透過雷射光束之使用的開口形成步驟之情況中，當與鑽孔或打孔相較時，在電子元件上的機械衝擊會變小；然而，由於雷射光束之能量而使電子元件之性能劣化的可能性無法被完全地排除。在依本發明之發明人的研究中，發現在若干情況中，具有小尺寸的電子元件及以低電壓所驅動的高性能電子元件之特徵會在密封層中之開口形成步驟中由於雷射光束照射而劣化。
此說明書中之技術目的在於提供透過除了雷射光束照射外之手段的使用之方法，用以形成具有高準確度的開口於藉由使包含強化材料之預浸物硬化所形成的絕緣膜中。
依據本發明之實施例，端子構造的製造方法包含：形成突出物於絕緣表面上，該突出物係使用導體而形成；緊密地附著包含強化材料的預浸物至該絕緣表面及該突出物的表面，以形成該預浸物之頂部表面的部分，該預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使緊密地附著至該絕緣表面及該突出物的該表面之該預浸物硬化，以形成包含該強化材料的絕緣膜；以及去除該絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該強化材料，以形成開口於該絕緣膜之中。注意的是，一部分之突出物可在開口的形成步驟中被去除。
依據此實施例，開口可透過除了雷射光束照射外之手段的使用而易於高準確度地形成於絕緣膜中，該絕緣膜係藉由使包含強化材料之預浸物硬化而形成。此係因為依據此實施例，其中形成開口於該處的位置可根據其中形成突出物於該處的位置，而以自行對齊的方式來決定；以及其中形成開口於該處的位置之準確度可藉由其中形成突出物於該處的位置之準確度而予以確保，且開口的形狀及尺寸可藉由改變突出物的高度及形狀來加以控制。因此，在開口的形成步驟中，無需一定要如其中執行雷射光束照射之位置決定一樣地高準確的對齊。
藉由研磨包含強化材料的絕緣膜，可形成開口於該絕緣膜之中。如上述，開口可以以自行對齊的方式而形成於絕緣膜之中。因此，藉由以平行於水平表面的方向而單純地研磨絕緣膜，可以以自行對齊之方式來將開口形成於絕緣膜之中。
在依據上述實施例的製造方法中，絕緣膜可藉由使取代包含強化材料的預浸物之不包含強化材料的未硬化樹脂膜硬化而形成。在該情況中，亦可獲得上述有利的功效。做為強化材料，可使用薄板纖維。在開口的形成之後，可形成緊密地附著至突出物的導體。
依據本發明之實施例，電子裝置的製造方法包含：形成導電性突出物於第一絕緣膜之上，該導電性突出物係電性連接到至少一電子元件；緊密地附著包含強化材料的預浸物至第一絕緣膜的頂部表面及突出物的表面，以形成該預浸物之頂部表面的部分，該預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使緊密地附著至第一絕緣膜的頂部表面及突出物的表面之預浸物硬化，以形成包含強化材料的第二絕緣膜；以及去除該第二絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該強化材料，以形成開口於該第二絕緣膜之中。注意的是，一部分之突出物可在開口的形成步驟中被去除。
因此，在電子裝置的製造方法中，依據上述之實施例，開口可如上述地透過除了雷射光束照射外之手段的使用而易於高準確度地形成於絕緣膜中，該絕緣膜係藉由使包含強化材料之預浸物硬化而形成。
在電子裝置的製造方法中，依據上述實施例，可使用薄板纖維做為強化材料。在開口的形成之後，可形成緊密地附著至突出物的導體。第二絕緣膜可藉由使不包含強化材料的未硬化之樹脂膜硬化而形成。
在電子裝置的製造方法中，依據上述實施例，在其中電子元件係設置於當形成該電子元件時所使用的基板之上的情況中，可執行自電子元件分離基板的步驟。例如，此步驟係較佳地在形成第二絕緣膜之後，以密封有該第二絕緣膜的電子元件而執行。在該情況中，基板可在形成開口於第二絕緣膜之前或之後被分離。
在電子裝置的製造方法中，依據本發明之實施例，其中在該處形成開口於包含強化材料之絕緣膜(硬化之預浸物)中的位置之準確度係藉由其中在該處形成突出物的位置之準確度，而以自行對齊的方式來確保，且開口的形狀及尺寸可藉由改變突出物的高度和形狀來加以控制。因此，藉由施加此實施例，開口可透過除了雷射光束照射外之手段的使用而易於高準確度地形成於包含強化材料的絕緣膜中。
將參照附圖以敘述此說明書中所揭示之本發明的實施例。注意的是，在此說明書中所引用的圖式中，藉由相同的參考符號而表示於不同圖式中的組件代表相同的組件。因此，成為重複之關於該等組件的說明將在某些情況中予以省略。
此外，由熟習於本項技藝之該等人士所易於瞭解的是，在此說明書中所揭示之本發明的模式並未受限於實施例中之說明，且可以以各式各樣的方式來加以修正。也就是說，在此說明書中所揭示之本發明不應被解讀成為受限於該等實施例的說明。
(實施例1)
在此實施例中，將敘述透過由包含強化材料之硬化的預浸物所形成的絕緣膜或硬化的樹脂膜所覆蓋的端子構造，及該端子構造的製造方法。進一步地，在此實施例中，亦將敘述設置有具備此構造之端子的電子裝置，及該電子裝置的製造方法。
端子構造
此實施例的端子構造包含：導體；樹脂膜，包含強化材料且覆蓋該導體；以及開口，係形成於樹脂膜的區域中，其係與該導體重疊。在此開口中，導體係暴露於樹脂膜的表面，且因此，該導體可電性連接至另一導體。
絕緣表面的說明
在該端子構造中，例如，第一導體係形成於絕緣表面上。做為絕緣表面，例如可使用諸如絕緣膜；樹脂基板；樹脂膜；玻璃基板；或石英基板之絕緣物的表面，該絕緣膜係透過例如CVD法或PVD法之沉積法、氧化處理、或其類似方法而形成。
電子裝置的說明
此實施例的電子裝置包含：一或更多個電子元件；導體，具有突出部分或凹陷部分，其係電性連接至該等電子元件的其中之至少一者；樹脂膜，包含強化材料且覆蓋該電子元件及該導體；以及開口，係形成於樹脂膜的區域中，其係與該導體重疊。在此開口中，導體係暴露於樹脂膜的表面，且因此，該導體可電性連接至另一導體。
將參照第1A至1D圖，第2A至2D圖，第3圖，第4A及4B圖，以及第5A至5C圖來敘述此實施例之端子構造的製造方法及此實施例之電子裝置的製造方法，以及端子構造及電子裝置的結構。
如第1A圖中所描繪地，製備基板100，在該基板100之上係以絕緣膜101在其間而形成一或更多個電子元件110。在該電子元件110上並無特殊的限制，且業者可決定種類、構造、數目、及製造方法。做為電子元件110之特定的實例，係給定電晶體、電阻器、整流器、電容器、記憶體元件、光電轉換元件、發光元件、感測器元件、及導線板。
電子元件110(電晶體)的說明
在第1A圖中，具有SOI構造的電晶體被描繪為電子元件110的實例，且針對簡明之緣故，電晶體的數目係1。如第1A圖中所描繪地，在電晶體中，半導體層111、用作閘極電極的導電膜112、以及用作源極電極及/或汲極電極的導電膜113係形成於絕緣膜101之上。在此，絕緣膜101用作電晶體的基底絕緣膜。半導體層111至少包含通道形成區，源極區，及汲極區。電晶體的半導體層111係以絕緣膜102來覆蓋，以及導電膜112係形成於絕緣膜102之上。在此，絕緣膜102用作電晶體的閘極絕緣膜。導電膜112係以絕緣膜103來覆蓋，以及導電膜113係形成於絕緣膜103之上。
做為基板100，可使用諸如半導體基板、玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶質物基板、不鏽鋼基板、或金屬基板之基板。做為半導體基板，可使用藉由切片晶棒所獲得的矽晶圓；其中單晶半導體層係以絕緣膜於其間而形成於基板上的SOI基板、或其類似物。進一步地，在其中使用諸如藉由切片晶棒所獲得的矽晶圓之半導體基板做為基板100的情況中，包含半導體區之電子元件110係形成於矽晶圓(基板100)之上。
絕緣膜101至103各具有單層構造或層狀構造。使用做為絕緣膜101及103的絕緣膜係考慮電子元件110的製造方法之條件及該等膜的功能而予以選擇。例如，可使用諸如氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化氮化矽膜、氧化鍺膜、氮化鍺膜；氮氧化鍺膜、或氧化氮化鍺膜之包含矽及/或鍺做為其成分的絕緣膜。進一步地，可使用以下：諸如氧化鋁、氧化鉭、或氧化鉿之藉由金屬之氧化物所形成的絕緣膜；諸如氮化鋁之藉由金屬之氮化物所形成的絕緣膜；諸如氮氧化鋁之藉由金屬之氮氧化物所形成的絕緣膜；或諸如氧化氮化鋁之藉由金屬之氧化氮化物所形成的絕緣膜。再者，可使用藉由諸如丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、或苯并環丁烯之樹脂材料所形成的樹脂膜。注意的是，在此說明書中，氮氧化物係其中氧的含量比氮的含量更大的物質，以及氧化氮化物係其中氮的含量比氧的含量更大的物質。
具有用以形成該等絕緣膜之方法的以下典型實例：諸如PECVD(電漿激勵CVD)法或熱CVD法之CVD法(化學氣相沉積法)；諸如濺鍍法或氣相沉積法之PVD法(物理氣相沉積法)；ALD法(原子層沉積法)；諸如旋塗法、微滴排放法、或浸漬塗佈法之透過液體或糊狀物材料的膜形成方法；透過電漿或熱之固相氧化處理或固相氮化處理；及其類似方法。
進一步地，導電膜112及113各具有單層構造或層狀構造。導電膜112及113各可使用包含諸如鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、鉻、鈮、金、銀、銅、或鉑之單一金屬做為其主要成分的金屬膜、合金膜、金屬化合物膜、或其類似物而形成。例如，做為金屬膜，係給定銅膜、純鋁膜、及添加有Si、Nb、或其類似物之鋁膜。做為合金膜，係給定鋁─銅合金膜及鋁─釹合金膜。做為金屬化合物膜，係給定諸如氮化鈦膜或氮化鎢膜之金屬氮化物膜，及諸如矽化鎳膜或矽化鈷膜之矽化物膜。該等導電膜可透過諸如濺鍍法或氣相沉積法之PVD法；諸如印刷法、微滴排放法、或浸漬塗佈法之透過液體或糊狀物材料的膜形成方法；軟焊法；電鍍法；或其類似方法而形成。
其次，如第1A圖中所描繪地，絕緣膜104係形成以覆蓋電子元件110，以及電性連接至電子元件110之導電膜113的導電膜114係形成於絕緣膜104之上。導電膜114係形成以電性連接形成於絕緣膜104上的導電性突出物至電子元件110，且建構包含於電子裝置中之電子元件110的連接部。因此，導電膜114係電性連接到至少一電子元件110。
絕緣膜104可以以與絕緣膜101至103之該等方式相似的方式而形成。例如，在其中絕緣膜104具有氧化氮化矽膜及樹脂膜之雙層構造時，可如下地形成具有開口的絕緣膜104。首先，具有大約50奈米至300奈米厚度之氧化氮化矽膜係使用SiH4、N2O、NH3、及H2於源氣體，而在PECVD設備中形成於絕緣膜103之上。然後，由未硬化之光敏環氧酚醛樹脂所形成的膜係透過印刷法而形成於氧化氮化矽膜之上。接著，未硬化之樹脂膜係透過具有適當波長的光照射而硬化，以致形成具有大約1微米至30微米之厚度的樹脂膜。此時，將成為導電膜113與導電膜114之間的導電區之樹脂膜的部分並未硬化。隨後，將其中即將成為導電區的第一層中之氧化氮化矽膜的部分蝕刻，且因此，完成包含開口的絕緣膜104。
然後，將導電膜114形成於絕緣膜104之上。該導電膜114可以以與導電膜112及113之該等方式相似的方式而形成。例如，可以以濺鍍法來形成鈦膜，且可將該鈦膜蝕刻而形成導電膜114。
接著，如第1B圖中所描繪地，將導電性突出物120形成於絕緣膜104(絕緣表面)之上。該導電性突出物120亦稱為凸塊，且可作用成為電子裝置的端子部分。該導電性突出物120(下文稱為“突出物120”)係電性連接至包含於電子裝置中之至少一電子元件110。在此實施例中，突出物120係以與導電膜114密接而形成，藉以使該突出物120電性連接至電子元件110。選擇性地，突出物120可形成為與導電膜113接觸，而無需形成導電膜114。
較佳地，突出物120係使用諸如包含導電性微粒或導電性粉狀物的導電性糊狀物，或包含導電性微粒或導電性粉狀物的導電性液體之具有流動性的導電性材料而形成。此係因為當使用該導電性材料時，突出物120可透過微滴排放法(包含噴墨法、滴注法、或其類似方法)、諸如絲網印刷法之印刷方法、或其類似方法而形成。該等方法允許形成突出之導體於其中需形成突出之導體於該處的部分處，而無需使用諸如CVD設備或濺鍍設備之複雜沉積設備的沉積步驟及用以形成光罩的曝射步驟。
導電性糊狀物的說明
導電性糊狀物及導電性液體係其中導電性粒子或導電性粉狀物被色散的材料，或其中導電性粒子或導電性粉狀物被溶解的導電性材料。例如，做為包含於導電性液體中之導電性粉狀物或導電性粒子的材料，係給定諸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、或Nb之金屬；任何該等材料的合金(例如，Ag-Pd)；諸如氧化銦或氧化鋅之導電性氧化物材料；及其類似物。進一步地，做為其中溶解或色散導電性粉狀物或導電性粒子的媒質(溶劑或色散媒質)，例如係給定光硬化樹脂及熱固性樹脂的先質材料。做為UV硬化樹脂，係給定丙烯酸樹脂及環氧樹脂。做為熱固性樹脂，係給定聚醯亞胺樹脂。
突出物120可使用焊料糊而形成。
在此，突出物120係使用商業上可用之銀糊而形成。該銀糊係透過印刷方法而以突出的形狀形成於其中將形成突出物120於該處的區域中。然後，將該銀糊烘烤於烤箱中，以致形成包含銀的突出物120。當與電子元件110之任一部分相較時，突出物120係自絕緣膜104的頂部表面突出。
預浸物的附著
其次，製備包含強化材料131之未硬化(不完全硬化)的預浸物130，且該未硬化的預浸物130(下文中稱為“預浸物130”)係設置於電子裝置的絕緣膜104側並緊密附著至絕緣膜104及突出物120的表面。預浸物130係硬化於此情況中，且因此，絕緣膜104及突出物120的表面係覆蓋有包含強化材料131之絕緣膜140(請參閱第1C及1D圖以及第2A圖)。該絕緣膜140作用成為電子元件110(電子裝置)的密封膜。
如第1C圖中所描繪地，未硬化的預浸物130係由包含強化材料131之未硬化樹脂132所形成。注意的是，可使用不包含強化材料131之未硬化的樹脂膜以取代預浸物130。因為可強化端子構造和電子裝置，所以較佳地使用包含強化材料131之預浸物130。
做為未硬化樹脂132(下文中稱為“樹脂132”)的樹脂材料，可使用諸如環氧樹脂、不飽和之多元酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺─三氮雜苯樹脂、或氰酸酯樹脂之熱固性樹脂。選擇性地，可使用諸如聚氯化二甲苯樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、或氟樹脂之熱塑性樹脂。例如，當樹脂132係由聚醯亞胺樹脂所形成時，使樹脂132硬化以形成由聚醯亞胺樹脂所形成之樹脂層。注意的是，使用於樹脂132之樹脂材料的數目並未受限於1，且可使用複數個樹脂材料。
注意的是，在此說明書中，未硬化的樹脂層及未硬化的預浸物意指在未硬化的狀態中及在不完全硬化的狀態中二者。後者之狀態亦稱為半硬化的狀態。
做為使用於預浸物130的強化材料131，係給定纖維、薄板纖維體(亦稱為纖維薄板)、充填劑、及其類似物。薄板纖維體係使用纖維所形成的薄板物質，且例如，梭織布及不織布各對應於該薄板纖維體。編織使用於該薄板纖維體之梭織布的方式並未特別地受限，且例如，可使用平紋織布、斜紋織布、緞紋織布、或其類似物做為該薄板纖維體。
較佳地，使用高強度纖維做為使用於強化材料131的纖維。特定地，高強度纖維係在張力中具有高的彈性模量之纖維，或具有高的楊氏模量之纖維。做為高強度纖維，係給定聚乙烯醇纖維、多元酯纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、聚芳醯胺纖維、聚苯并咪唑纖維、玻璃纖維、碳纖維、及其類似物。做為玻璃纖維，係給定使用E級、S級、D級、Q級、及其類似級之玻璃纖維。例如，由玻璃纖維所形成的梭織布係稱為玻璃布。
在使用於強化材料131之紗束上(例如，橫剖面形狀或處理方法)並無特殊的限制。橫剖面形狀可為圓形、橢圓形、或扁平形。使用已接受開纖之紗束所形成的薄板纖維體係較佳地使用於強化材料131，因為接受開纖的紗束具有大的寬度及具有較少數目的單股紗於厚度方向之中，且因此，易於在橫剖面中變平。在橫剖面中使紗束變平可使纖維體的厚度變小，而降低強化材料131的厚度。從而，可使未硬化的預浸物131變薄。
第1D圖(預浸物之附著)及第2A圖(預浸物之硬化)
在其中樹脂132係熱固性樹脂的情況中，使預浸物130緊密地附著至絕緣膜104的表面之步驟，及使預浸物130硬化之步驟可使用真空熱壓法而執行。如第1C圖中所描繪地，將預浸物130置放於絕緣膜104側，且壓制該預浸物130及基板100，以致使預浸物130如第1D圖中所描繪地緊密地附著至絕緣膜104及突出物120的表面。該預浸物130係於使用真空熱壓法以壓制的同時被加熱，藉以使預浸物130硬化(固化)。因而，包含強化材料131之絕緣膜140係如第2A圖中所描繪地被形成。在該絕緣膜140中，樹脂142對應於已硬化的樹脂132。因此，絕緣膜140亦可稱為包含強化材料131的樹脂膜。
在其中樹脂132係光硬化樹脂的情況中，可如下地將預浸物130硬化。該預浸物130和基板100係透過真空壓制法(或真空熱壓法)而壓制，藉以使預浸物130如第1D圖中所描繪地緊密附著至絕緣膜104及突出物120的表面。之後，執行光照射。
在此實施例中，如第1D圖中所描繪地，預浸物130係以在覆蓋突出物120的區域中(各由點線所包圍的區域133)之預浸物130的部分，而附著至基板100，當與預浸物130之其他區域相較時，該區域係突出的。就此步驟之生產性及再生性的觀點而言，較佳地，自絕緣膜104的頂部表面所突出之突出物120的高度H(厚度H)係大於或等於並未接受附著步驟之預浸物130的厚度T之一半。也就是說，較佳地滿足H≧T/2。
接著，如第2B圖中所描繪地，絕緣膜140之頂部表面的突出部分係與強化材料131的突出部分一起被去除，以致使開口143形成於絕緣膜140中。該等開口143可藉由例如，研磨包含強化材料131之絕緣膜140而形成。如上述地，其中設置突出物120之絕緣膜140的區域133會突出；因此，藉由施加研磨步驟，將被去除以暴露突出物120之絕緣膜140的區域(區域133)可易於選擇性地加以去除。也就是說，因為其中形成開口143於絕緣膜140中的位置係根據突出物120的位置，而以自行對齊的方式來決定，所以用於開口143之形成的對齊準確度係由突出物120之形成步驟中的對齊準確度所確保。因此，當與其中使用雷射光束之步驟相較時，在形成開口143於絕緣膜140中的研磨步驟中之操作員的技術就非如此地重要了。
在此實施例中，開口143的尺寸和形狀可藉由改變突出物120的高度和形狀而予以控制。因此，可將類似於突出物120的突出導體設置於其中將形成開口143於該處的區域中，以取代該突出物120。因而，部分地設置有突出部分的導體包含形成電子裝置之端子的部分及形成電極或導線的部分。
在此說明書中之研磨處理可為任何處理，只要可研磨物體即可，且在其種類中，包含諸如機械研磨處理及化學機械研磨處理之研磨處理、敷料處理、及磨亮處理。
去除一部分之絕.緣膜140的步驟無需一定要被執行到直至將突出自絕緣膜104的頂部表面之絕緣膜140的部分完全去除為止。而是，僅必須使設置在基板100上之所有突出物120暴露出即可。例如，如第2B圖中所描繪地，可在研磨步驟中將所突出之絕緣膜140的上方部分去除。該等突出物120亦可被研磨於當研磨絕緣膜140的時候。選擇性地，如第3圖中所描繪地，可使研磨量增加，以致亦可將覆蓋其中並未設置突出物120於該處之區域的絕緣膜140之部分去除。在第3圖中，由點線所指示的部分表示在絕緣膜140的去除步驟中所去除之部分。
藉由改變研磨量，可控制形成於絕緣膜140中之開口143的尺寸(自絕緣膜140所暴露之突出物120部分的面積)。因此，在此實施例中，當與透過雷射光束之使用的開口143形成步驟相較時，可降低自絕緣膜140所暴露之突出物120部分的面積之變化。從而，可減少電子裝置的電性特徵之變化。
因此，當突出物120的高度增加時，可拓寬其中在基板100上之複數個開口143的面積之可允許範圍。當基板的尺寸增加時，在基板100上之絕緣膜140的開口143面積會適當地變化；因此，增加突出物120的高度係有利地引人注意。為了要可靠地形成複數個開口143於絕緣膜140中，可將突出物120的高度設定為高，且可增加突出物120的研磨量。選擇性地，可無需改變突出物120之高度地增加突出物120的研磨量，使得絕緣膜140的頂部表面如第3圖中所描繪地被全部地研磨，可藉以獲得相似之有利功效。
其次，如第2C圖中所描繪地，導體121係形成為緊密地附著至突出物120。導體121可以以與第1B圖中之突出物120相似的方式，使用諸如包含導電性微粒或導電性粉狀物的導電糊或包含導電性微粒或導電性粉狀物的導電性液體之具有流動性的導電性材料而形成。以此導電性材料所形成的導體121可透過微滴排放法(包含噴墨法、滴注法、及其類似方法)，諸如絲網印刷法之印刷法，或其類似方法而形成為與突出物120接觸。然後，該導電性材料係以熱處理、光照射、或其類似處理而硬化(固化)，藉以形成導體121。
因此，在電子裝置中，可形成包含突出物120及導體121的端子部。注意的是，導體121不僅可包含形成電子裝置之端子部的部分，而且可包含形成導線或另一電極的部分。
注意的是，在其中與另一電性裝置之電性連接可透過突出物120的使用而無需形成導體121的情況中，無需一定要形成導體121。藉由形成導體121，當與電子裝置之絕緣膜140側的任何其他部分相較時，端子部可突出；因此，可增加與另一電性裝置之電性連接的可靠度，此係較佳的。
接著，如第2D圖中所描繪地，將基板100上所形成的堆疊切割，以致獲得個別的電子裝置151。此步驟可透過諸如晶粒切割或劃線裂片之處理而執行。在切割該基板100之前，可藉由執行研磨處理或其類似處理而使基板100變薄。
如第2D圖中所描繪地，電子裝置151包含：一或更多個電子元件110，係覆蓋有絕緣膜104；突出物120及導體121，係形成於絕緣膜104之上且各使用電性連接到至少一電子元件110之導體而形成；以及絕緣膜140，包含強化材料131，而覆蓋突出物120及絕緣膜104。該絕緣膜140形成密封膜於電子裝置151的突出物120側。開口143係形成於絕緣膜140的部分中，其中在該部分係設置突出物120，且突出物120及導體121係電性連接於開口143之中。因此，電子裝置151可透過導體121而電性連接至另一電子裝置(例如，積體電路、導線電路、或天線)。
在將形成於基板100上的堆疊切割之前，亦可將包含強化材料131的預浸物130附著至並未設置有堆疊之基板100的表面。在預浸物130的附著之後，使預浸物130硬化而形成覆蓋並未設置有該堆疊之基板100表面的絕緣膜160，如第4A圖中所描繪地。絕緣膜160係以與絕緣膜140之方式相似的方式由包含強化材料131之樹脂142所形成。注意的是，絕緣膜160可藉由使並不包含強化材料131之未硬化的樹脂膜硬化而形成。然後，如第4B圖中所描繪地，將絕緣膜140與絕緣膜160間之堆疊切割，以致獲得個別的電子裝置152。電子裝置152的構造係與第2D圖中之電子裝置151的構造相似，除了包含強化材料131的絕緣膜160係形成於基板100的後表面上之外。
如第5A圖中所描繪地，使用於電子元件110之製造的基板100可自電子元件110分離。然後，將包含強化材料131的預浸物130附著至絕緣膜101，且之後，使該預浸物硬化以形成覆蓋絕緣膜101的絕緣膜161(請參閱第5B圖)。絕緣膜161係以與絕緣膜140之方式相似的方式由包含強化材料131之樹脂142所形成。注意的是，絕緣膜161可藉由使並不包含強化材料131之未硬化的樹脂膜硬化而形成。
然後，如第5C圖中所描繪地，將絕緣膜140與絕緣膜161間之堆疊切割，以致獲得個別的電子裝置153。
基板100之分離步驟可執行於將開口143形成於絕緣膜140中之前。在該情況中，執行直至第1A圖中之步驟且包含第1A圖中之步驟、分離該基板100、以及形成絕緣膜161。之後，形成開口143於絕緣膜140之中。
電子裝置153的構造係與第2D圖中之電子裝置151的構造相似，除了基板100被去除且包含強化材料131之絕緣膜161係形成於絕緣膜101上之外。該等絕緣膜140及161作用成為電子裝置153的密封膜。藉由去除基板100，可製造出可成弧形或可彎曲的電子裝置153。
如上述地，在此實施例中，其中在該處形成開口於包含強化材料之絕緣膜(樹脂膜)中的位置之準確度係以自行對齊的方式來確保，且開口的形狀及尺寸可藉由改變突出物的高度和形狀來加以控制。因此，藉由施加此實施例，當與其中使用雷射光束於該處的情況相較時，可高度準確性地且大大便利性地形成開口於包含強化材料的絕緣膜之中。從而，端子構造和電子裝置可具有更高的可靠度。
注意的是，在此實施例中描述其中開口係形成於使用包含強化材料之預浸物所形成的絕緣膜中之方法；然而，此實施例亦可施加至其中開口係形成於藉由使不包含強化材料之未硬化的樹脂膜硬化所形成的絕緣膜中之情況，而帶來相似的有利功效。
此實施例可與任一其他的實施例適當地結合。
(實施例2)
在此實施例中，將敘述形成開口143於絕緣膜140中之步驟(請參閱第2B圖)。第6圖及第7圖係描繪研磨機器之構造實例的視圖。第6圖及第7圖中之研磨機器可以優先地去除絕緣膜140之頂部表面的突出部分。
[研磨機器的構造實例1及研磨步驟]
在下文中，將敘述第6圖中之研磨機器201的構造及如何使用該研磨機器201於第2B圖中的步驟之中。
如第6圖中所描繪地，研磨機器201包含：研磨表面板210，具有研磨表面；旋轉單元211，其旋轉研磨表面板210；基板夾持單元212，其夾持處理基板200；旋轉單元213，其旋轉基板夾持單元212；以及噴嘴215，其供應液體214至研磨表面。例如，可將吸附卡盤施加至基板夾持單元212，且可使用純水、研磨劑、或其類似物做為液體214。
為了要執行第2B圖中之步驟，首先，將已接受直至第2A圖中之步驟且包含第2A圖中之步驟的處理基板200固定至基板夾持單元212。該處理基板200被固定至基板夾持單元212，使得在絕緣膜140側(設置突出部分之側)之處理基板200的表面面向研磨表面板210。然後，絕緣膜140係藉由與相對於處理基板200以旋轉之研磨表面板210接觸而被研磨。此時，可使研磨表面板210及處理基板200的其中一者或二者旋轉。為了要優先地去除絕緣膜140的突出部分，較佳地，使處理基板200與研磨表面均勻地接觸。因此，可藉由均勻地施加力至處理基板200，而使處理基板200與研磨表面板210接觸。進一步地，可視需要地供應諸如純水之液體214。
[研磨機器的構造實例2及研磨步驟]
其次，將敘述第7圖中之研磨機器202的構造及如何使用該研磨機器202於第2B圖中的步驟之中。
如第7圖中所描繪地，研磨機器202包含：研磨帶220，其具有研磨表面；輸送滾筒221至223，用於旋轉該研磨帶220；以及座台224，用以轉移處理基板200。來自馬達或其類似物之驅動力係傳遞至輸送滾筒221，且該輸送滾筒221係藉由該驅動力而旋轉。座台224具有諸如吸附卡盤之固定處理基板200的單元，且可以以箭頭230所示之方向被轉移。進一步地，研磨機器202可設置有如研磨機器201一樣之供應液體至處理基板200的單元。
為了要執行第2B圖中之步驟，首先，將已接受直至第2A圖中之步驟且包含第2A圖中之步驟的處理基板200固定至座台224。該處理基板200被固定至座台224，使得在絕緣膜140側(設置突出部分之側)之處理基板200的表面與研磨帶220接觸。然後，座台224係以箭頭230所示的方向轉移，以致使研磨帶220與處理基板200彼此相互接觸。此時，調整轉移座台224的速率及旋轉研磨帶220的速率，以致使力均勻地施加至研磨帶220及處理基板200。
在第2B圖中的步驟中，可將座台224轉移，使得僅只絕緣膜140的突出區域與研磨帶220接觸。因為將被研磨的區域係其中一部分絕緣膜140突出於該處的區域133，所以無需一定要特別地控制其中絕緣膜140與研磨帶220彼此相互接觸的區域。在該情況中，可將座台224轉移，使得絕緣膜140的頂部表面與研磨帶220完全地接觸。在任一情況中，僅需控制研磨量且去除一部分絕緣膜140，使得突出物120暴露出即可。
藉由形成突出物120，開口143的位置係以自行對齊的方式而被決定，且開口143的形狀及尺寸可藉由改變突出物120的形狀及高度來予以控制。因而，可以以研磨處理而高度準確性地形成開口143於絕緣膜140之中，無需研磨機器之複雜的操作。
因此，即使當使用第6圖中所描繪之設置有旋轉於一平面中的研磨表面板210之研磨機器201時，亦可高度準確性地形成開口143。當使用第7圖中所描繪之設置有旋轉於一平面中的研磨帶220之研磨機器202時，座台224係僅以箭頭230所示之方向平行地轉移，即可藉以高度準確性地形成開口143。
此實施例可與任一其他的實施例適當地結合。
(實施例3)
在此實施例中，將敘述可施加成為第1D圖中所描繪之預浸物130的強化材料131之薄板纖維體。藉由使用利用該薄板纖維體所形成的強化材料131，可增加電子裝置的強度，此係較佳的。
[薄板纖維體的構造實例1]
第8A圖係平面視圖，描繪薄板纖維體251之構造的實例。第8B圖係沿著第8A圖中之線A1-A2所取得的橫剖面視圖，描繪薄板纖維體251之構造的實例。
如第8A圖中所描繪地，薄板纖維體251係藉由交變地編織經紗261及緯紗262，使得它們相互交叉而獲得的平紋織布。該薄板纖維體251具有篩孔263，各篩孔係不包含經紗261，也不包含緯紗262的區域。
在使用於薄板纖維體251之紗束(經紗261及緯紗262)上(例如，橫剖面形狀或處理方法)並無特殊的限制。橫剖面形狀可為圓形、橢圓形、或扁平形。較佳地，使用已接受開纖之紗束於經紗261及緯紗262，因為接收開纖的紗束具有大的寬度、具有較少數目的單股紗於厚度方向中，且因此，易於在橫剖面中變平。例如，如第8B圖中所描繪地，藉由使用具有扁平橫剖面的經紗261及具有扁平橫剖面的緯紗262，可使該薄板纖維體251變薄。
[薄板纖維體的構造實例2]
做為增加硬化之預浸物強度的手段，係給定篩孔面積之降低。第9圖描繪具有該結構實例之薄板纖維體252的平面視圖。如第9圖中所描繪地，薄板纖維體252係如薄板纖維體251一樣地藉由交變地編織經紗261及緯紗262，使得它們相互交叉而獲得的平紋織布。在該薄板纖維體252中，當與薄板纖維體251相較時，經紗261及緯紗262的密度變高，且篩孔263變小。
[薄板纖維體的構造實例3]
使用於薄板纖維體的梭織布並未受限於平紋織布。第10圖描繪該薄板纖維體的構造實例。第10圖係薄板纖維體253的平面視圖。如第10圖中所描繪地，該薄板纖維體253係藉由交變地編織10條經紗261及10條緯紗262，使得它們相互交叉而獲得。
進一步地，為了要透過硬化之預浸物的使用而更有效地保護電子裝置，較佳地，使各薄板纖維體(251、252、及253)之篩孔263的面積比電子裝置之部分的面積更小，該電子裝置之部分的面積係當使用該電子裝置時被局部按壓之部分的面積。例如，在其中電子裝置係以例如諸如筆或鉛筆的寫入工具之具有銳利尖端的工具來按壓之情況中，較佳地，篩孔263的形狀係四邊形，而該四邊形具備各具有自0.01毫米至0.2毫米之長度的側邊。
在實施例1中之開口143的形成步驟中，藉由控制絕緣膜140的研磨量，可將一部分之絕緣膜140連同一部分之強化材料131可靠地去除。因此，即使當使用諸如玻璃布之薄板纖維體於強化材料131時，亦可高度生產率地形成開口143。
此實施例可與任何其他的實施例適當地結合。
(實施例4)
在此實施例中，將敘述能透過無線通訊而發射及接收資料之電子裝置的構造，及該電子裝置的製造方法，做為實例。
第11圖係方塊圖，描繪依據此實施例之電子裝置300的構造實例。如第11圖中所描繪地，電子裝置300包含天線301及功能性電路302，該功能性電路302包含複數個電子元件。天線301發射及接收載波。用於天線301，係選擇具有適用於其中執行通訊之頻帶的構造之天線。該功能性電路302至少具有處理由天線301所接收之載波的功能，及/或產生由天線301所發射出之載波的功能。
載波係AC波的信號，其亦稱為載體。在無線通訊中，載波之頻率或振幅係依據表示資料之信號而改變(調變)，以產生調變波；且資料係透過該等調變波之傳輸及接收而通訊。具有一些種類的方法以供調變載波之用。其中資料係藉由載波之振幅所表示的調變方法係稱為調幅。其中資料係藉由載波之頻率所表示的調變方法則稱為調頻。
做為電子裝置300的特定實例，可給定能無需接觸地通訊資料之IC晶片(亦稱為無線晶片)。此外，亦可給定能無需接觸地執行個別識別的射頻識別(RFID)標籤。該RFID標籤亦稱為RF標籤、無線標籤、電子標籤、或IC標籤。
將參照第12圖及第13圖來敘述可使用於IC晶片或RFID標籤之電子裝置300的構造實例。第12圖係描繪電子裝置300之構造實例的方塊圖，以及第13圖係描繪電子裝置300之另一構造實例的方塊圖。
首先，將敘述第12圖中之電子裝置300的構造。在第12圖中的電子裝置300中，功能性電路302可依照功能而畫分成為電源部311及邏輯電路部312。
電源部311係用以供應電力至電子裝置300的裝置，且包含例如整流器電路321、電力儲存部322、及定電壓電路323。整流器電路321係要從藉由天線301所接收之信號(載波)來產生DC電壓的電路。電力儲存部322係要儲存由整流器電路321所產生之直流電壓的電路，且因而，包含例如複數個電容器。定電壓電路323係要使藉由整流器電路321所產生之電壓恆定的電路。
邏輯電路部312具有自藉由天線301所接收之信號(載波)來提取資料的功能，產生表示資料且係由天線301所發射之載波的功能，及其類似功能。例如，該邏輯電路部312包含解調電路331、時脈產生/校正電路332、碼辨識/判斷電路333、記憶體控制器334、記憶體裝置335、編碼電路336、及調變電路337。
解調電路331係要解調藉由天線301所接收之載波的電路。時脈產生/校正電路332係要根據來自解調電路331所輸出之信號而產生時脈信號，及要校正時脈信號的電路。
碼辨識/判斷電路333辨識包含於藉由天線301所接收之載波中的碼，且做成判斷。進一步地，該碼辨識/判斷電路333具有循環冗餘核對(CRC)功能，用以區別傳輸誤差。做為藉由該碼辨識/判斷電路333所辨識的碼，可給定框結束(EOF)信號、框起始(SOF)信號、旗標、命令碼、遮罩長度、遮罩值、及其類似者。
記憶體控制器334根據藉由碼辨識/判斷電路333所辨識的碼，而產生用以自記憶體裝置335讀出資料的信號。記憶體裝置335至少包含唯讀記憶體(ROM)。做為該ROM的實例，可給定光罩式ROM及PROM。進一步地，記憶體裝置335可包含諸如隨機存取記憶體(RAM)之能重寫入資料的記憶體電路。做為能重寫入資料的記憶體電路，例如可使用DRAM、SRAM、FeRAM、EEPROM、或快閃記憶體。
編碼電路336編碼將自電子裝置300發射之資料，例如自記憶體裝置335或其類似物所讀出之資料。調變電路337根據已在編碼電路336中編碼之資料來調變信號，而產生可自天線301發射出的載波。
其次，將敘述第13圖中之電子裝置300的構造。該電子裝置300作用成為可透過無線通訊而與外部裝置操作之算術處理單元。在第13圖中的電子裝置300中，功能性電路302可依照功能而畫分成為類比電路部341、數位電路部342、及電力儲存部343。
類比電路部341包含具有諧振電容器之諧振電路351、定電壓電路352、整流器電路353、解調電路354、調變電路355、重設電路356、振盪器電路357、及電源供應控制電路358。
數位電路部342包含RF(射頻)介面361、控制暫存器362、時脈控制器363、中央處理單元(CPU)364、CPU介面365、RAM 366、及ROM 367。
將概略地敘述第13圖中之電子裝置300的操作如下。藉由天線301所接收之信號(載波)係輸入至類比電路部341，且感應之電動勢係產生於諧振電路351中。感應之電動勢係經由整流器電路353而儲存於電力儲存部343之中。電力儲存部343可使用諸如陶質電容器，或電雙層電容器的電容器而形成。
重設電路356產生可重設及初始化數位電路部342的信號。例如，重設電路356產生做為重設信號之信號，該信號係透過延遲而在增加電源供應電壓之後升高。振盪器電路357依據藉由定電壓電路352所產生的控制信號而改變時脈信號的頻率和責務比。解調電路354係解調接收之信號的電路，以及調變電路355係調變信號使得將被發射出之資料包含於載波之中的電路。
例如，當在電子裝置300中處理信號之調變方法係調幅方法的其中一者之振幅偏移鍵制(ASK)法時，解調電路354係較佳地使用低通濾波器而形成。解調電路354使接收之信號根據振幅之變化而二進化。另一方面，調變電路355改變諧振電路351的諧振點，藉以改變信號的振幅。
時脈控制器363依據電源供應電壓或CPU 364中所消耗的電流而產生控制信號，用以改變時脈信號的頻率和責務比。電源供應電壓係由電源供應控制電路358所監測。
由天線301所接收之信號係由解調電路354所解調。解調之信號係藉由RF介面361而分解成為控制命令、資料、及其類似者。控制命令係儲存於控制暫存器362中。控制命令包含對數位電路部342中所包含之電路的指令，例如用以自ROM 367讀出資料的指令、用以寫入資料至RAM 366的指令、或對CPU 364的算術指令。
CPU 364經由CPU介面365而存取ROM 367、RAM 366、及控制暫存器362。CPU介面365依據CPU 364所請求之位址以產生存取信號，而允許CPU 364存取ROM 367、RAM 366、及控制暫存器362之其中任一者。
具有CPU 364之若干算術處理方法，且其中處理係由軟體所執行的方法係該等方法之其中一者。在此方法中，例如，ROM 367儲存作業系統(OS)以及CPU 364讀出ROM 367中所儲存的程式而執行。另一方法係其中處理藉由專用的算術電路而執行的方法，亦即，其中處理藉由硬體而執行的方法。另一方法係其中使用硬體及軟體的方法。在此方法中，一部分的算術處理係由專用的算術電路所執行，以及另一部分的算術處理係藉由CPU 364透過程式的使用而執行。
接著，將敘述電子裝置300之製造方法的實例。此實施例將敘述包含基板之分離步驟的製造方法，該基板之分離步驟係使用以製造電子裝置。例如，在做為此方法之實施例1中所述的製造方法中，分離膜(例如，包含矽的膜)係形成於基板100與用作基底的絕緣膜101之間，且藉由蝕刻而去除，以致使電子裝置可自基板100分離。選擇性地，電子裝置可以以此方法自基板100分離，亦即，包含金屬做為主要成分之分離膜係形成於基板100與用作基底的絕緣膜101之間，以及物理力係施加至該分離膜，以造成沿著該分離膜之分離。
將參照第14A至14C圖，第15A及15B圖，第16A及16B圖，第17圖，以及第18A至18D圖來敘述施加後者之方法的電子裝置300之製造方法實例於下文。
首先，如第14A圖中所描繪地，製備用以製造功能性電路302之電子元件的基板。在此，做為基板，係使用玻璃基板400。功能性電路302係形成於基底絕緣膜401之上，該基底絕緣膜401係形成於玻璃基板400之上。分離膜402係形成於基底絕緣膜401與玻璃基板400之間，使得在製造出功能性電路302之後，該功能性電路302可自玻璃基板400分離。
在形成分離膜402之前，基底膜403係形成於玻璃基板400之上，且與該玻璃基板400緊密接觸。該基底膜403係分離膜402的基底膜，且係形成以便改善分離膜402與玻璃基板400之間的附著性。該基底膜403可使用具有單層構造或層狀構造的絕緣膜而形成。做為使用以形成基底膜403的絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化氮化矽膜、氮化矽膜、金屬氧化物膜、或其類似物。在此，具有100奈米厚度之氮氧化矽膜係透過PECVD法而形成。
接著，分離膜402係形成為與基底膜403接觸。在此，做為分離膜402，具有50奈米厚度之鎢膜係透過濺鍍法而形成。
在此製造方法中，分離係藉由施加機械力至分離膜402而先在分離膜402之內及/或在分離膜402與基底絕緣膜401之間的介面處造成，以致使功能性電路302自玻璃基板400分離。為了要造成此分離，分離膜402係使用例如鎢膜、鉬膜、鎢及鉬的合金膜、鎢及/或鉬的氧化物膜、鎢及/或鉬的氮氧化物膜、鎢及/或鉬的氧化氮化物膜、或鎢及/或鉬的氮化物膜而形成。進一步地，分離膜402可使用選擇自上述之膜的堆疊而形成。該等膜可透過濺鍍法、PECVD法、微滴排放法、或其類似方法而形成。
分離膜402可以以此方式而形成，亦即，將鎢膜、鉬膜、或鎢及鉬的合金膜形成為第一層，且將第一層的氧化物膜、氮氧化物膜、氧化氮化物膜、或氮化物膜形成為第二層之方式。選擇性地，分離膜402可以以此方式而形成，亦即，將鎢膜、鉬膜、或鎢及鉬的合金膜形成於基底膜403之上，且使該膜接受氧化處理的方式。做為氧化處理，可使用熱氧化處理、透過氧或N2O電漿之電漿氧化處理、透過諸如臭氧水之具有強氧化力的溶液之表面處理、或其類似處理。
其次，具有單層構造或堆疊層構造的基底絕緣膜401係形成為與分離膜402接觸。可耐受電子裝置300之稍後製造步驟的絕緣膜被選擇做為基底絕緣膜401，且可以以與第1A圖中之絕緣膜101的方式相似之方式形成。在此，基底絕緣膜401具有三層構造；具有100奈米至700奈米厚度的氮氧化矽膜係形成為第一層，具有20奈米至100奈米厚度的氧化氮化矽膜係形成為第二層，以及具有50奈米至150奈米厚度的氮氧化矽膜係形成為第三層。該等膜係透過PECVD法而形成。
接著，將功能性電路302製造於基底絕緣膜401之上。複數個功能性電路302係在相同的處理中被同時地製造於玻璃基板400之上。各包含n通道電晶體及p通道電晶體之二功能性電路302的製造處理係描繪於圖式中。
如第14B圖中所描繪地，為了要製造功能性電路302，半導體膜405係形成於基底絕緣膜401之上。在此，晶體矽膜係形成為半導體膜405。例如，晶體矽膜可以以此方式而形成，亦即，具有40奈米至80奈米厚度的非晶矽膜係透過PECVD法而使用H2及SiH4之混合氣體以形成，且然後，該非晶矽膜係藉由透過Nd：YVO4雷射(1064奈米的基波)之二次諧波的照射而結晶化。選擇性地，非晶矽膜可在加熱爐中透過熱處理而結晶化。
接著，將阻體遮罩形成於半導體膜405之上，且使用該阻體遮罩將半導體膜405蝕刻成具有所欲的形狀，以致使半導體膜420及半導體膜430如第14C圖中所描繪地形成於基底絕緣膜401之上。半導體膜420係n通道電晶體的半導體層，以及半導體膜430係p通道電晶體的半導體層。在將蝕刻半導體膜405所使用的阻體遮罩去除之後，視需要地，將用作施體或受體的雜質元素添加至半導體膜420及/或半導體膜430，以使控制電晶體的臨限電壓。選擇性地，添加雜質元素的步驟可在蝕刻半導體膜405之前執行，且可在稍後步驟中視需要地執行。
其次，如第14C圖中所描繪地，形成絕緣膜406以便覆蓋半導體膜420及半導體膜430。絕緣膜406用作各個電晶體的閘極絕緣膜。絕緣膜406可以以與第2A圖中之絕緣膜102的方式相似之方式形成。在此，具有10奈米至100奈米之厚度的氮氧化矽膜係透過PECVD法而形成。進一步地，在以PECVD法或其類似方法形成絕緣膜之後，可使絕緣膜接受透過微波激發之高密度電漿的氮化處理。
接著，如第14C圖中所描繪地，導電膜441及導電膜442係形成於絕緣膜406之上。導電膜441形成n通道電晶體的閘極電極(或閘極導線)，以及導電膜442形成p通道電晶體的閘極電極(或閘極導線)。在此，各個導電膜441及442係形成為具有雙層構造。首先，具有20奈米至50奈米之厚度的氮化鉭膜係透過濺鍍法而形成於絕緣膜406之上，且然後，具有100奈米至300奈米之厚度的鎢膜係透過濺渡法而形成於該氮化鉭膜之上。接著，將阻體遮罩形成於鎢膜之上。該氮化鉭膜及該鎢膜的堆疊係透過阻體遮罩的使用而被蝕刻，以致形成導電膜441及442。
其次，如第14D圖中所描繪地，n型低濃度雜質區423係形成於半導體膜420之中，以及p型高濃度雜質區432係形成於半導體膜430之中。該n型低濃度雜質區423形成n通道電晶體的高電阻區，以及該p型高濃度雜質區432作用成為p通道電晶體的源極及汲極區。
為了要形成該等區域，首先，形成覆蓋半導體膜430的阻體遮罩。給予n型導電性的雜質元素係透過當作罩幕之導電膜441的使用而添加至半導體膜420，以致使n型低濃度雜質區423形成於半導體膜420之中。其中在此步驟中並未添加雜質元素之半導體膜420中的區域變成通道形成區421。然後，在去除覆蓋半導體膜430的阻體罩幕之後，形成覆蓋半導體膜420的阻體罩幕。給予p型導電性的雜質元素係透過當作罩幕之導電膜442的使用而添加至半導體膜430，以致使p型高濃度雜質區432形成於半導體膜430之中。然後，將阻體罩幕去除。其中在添加該雜質元素的該步驟中並未添加雜質元素之半導體膜430中的區域變成通道形成區431。
關於第14D圖中所描繪的步驟，可先形成p型高濃度雜質區432，且然後，再形成n型低濃度雜質區423。
在此實施例中，可使用磷(P)、砷(As)、或其類似物做為給予n型導電性的雜質元素，以及可使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、或其類似物做為給予p型導電性的雜質元素。
接著，如第15A圖中所描繪地，絕緣膜407係形成以便覆蓋絕緣膜406、導電膜441、及導電膜442。絕緣膜407可以以與第1A圖中的絕緣膜103之方式相似的方式而形成。在此，絕緣膜407係形成為具有雙層構造；具有50奈米至150奈米之厚度的氧化矽膜係透過PECVD法而形成為第一層，以及具有100奈米至250奈米之厚度的低溫氧化物(LTO)膜係透過執行於200℃至500℃之處理溫度的熱CVD法而形成為第二層。
其次，使絕緣膜407及絕緣膜406接受蝕刻。此蝕刻步驟係主要地藉由各向異性蝕刻法而執行於垂直方向中。藉由該各向異性蝕刻法，可將使用該絕緣膜407所形成的側壁形成於導電膜441及導電膜442的側表面之上，如第15B圖中所描繪地。進一步地，以導電膜441、導電膜442、及絕緣膜407所覆蓋的絕緣膜406係保留於此蝕刻步驟中，且該絕緣膜406的其他區域則被去除。
接著，如第15C圖中所描繪地，用作源極及汲極區的n型高濃度雜質區422係形成於半導體膜420之中。首先，形成覆蓋半導體膜430的阻體罩幕，且然後，將給予n型導電性的雜質元素添加至半導體膜420。在添加雜質元素的此步驟中，導電膜441和絕緣膜407用作罩幕，n型高濃度雜質區422係以自行對齊的方式形成於半導體膜420之中，且在第14D圖中所描繪的步驟中所形成的n型低濃度雜質區423被留在與絕緣膜407重疊的部分中。
其次，如第15D圖中所描繪地，絕緣膜408係形成以便覆蓋半導體膜420、半導體膜430、導電膜441、及導電膜442。然後，導電膜443至445係形成於絕緣膜408之上。
絕緣膜408可以以與第1A圖中的絕緣膜103之方式相似的方式而形成。在此，絕緣膜408係形成為具有三層結構。首先，做為第一層，具有20奈米至100奈米之厚度的氮氧化矽膜係透過PECVD法而形成。之後，執行熱處理以使所添加至半導體膜420及半導體膜430的雜質元素活化。然後，做為第二層，具有100奈米至300奈米之厚度的氧化氮化矽膜係透過PECVD法而形成，且做為第三層，具有200奈米至1微米之厚度的氮氧化矽膜係透過PECVD法而形成。
接著，為了要使導電膜443及導電膜444分別地電性連接至n型高濃度雜質區422及p型高濃度雜質區432，將絕緣膜408蝕刻，以致使開口形成。然後，將做為導電膜443至445的導電膜形成於絕緣膜408之上。該導電膜可以以與第1A圖中的導電膜113之方式相似的方式而形成。在此，做為導電膜，具有三層的導電膜係透過濺鍍法而形成。第一層係具有50奈米至150奈米之厚度的鈦膜，第二層係具有200奈米至400奈米之厚度的純鋁膜，以及第三層係與第一層相同的鈦膜。然後，阻體罩幕係形成於具有三層構造的導電膜之上，以及該導電膜係使用該阻體罩幕而蝕刻，以致使導電膜443至445形成。
該等導電膜443係電性連接至n型高濃度雜質區422，且其各作用成為n通道電晶體的源極電極、源極導線、汲極電極、或汲極導線。該等導電膜444係電性連接至p型高濃度雜質區432，且其各作用成為p通道電晶體的源極電極、源極導線、汲極電極、或汲極導線。進一步地，導電膜445形成其中功能性電路302與天線301彼此相互電性連接的部分。
透過上述步驟，可完成功能性電路302的電子元件(n通道電晶體491及p通道電晶體492)。接著，將參照第16A至16C圖及第17A圖來敘述功能性電路302與天線301的連接端子之形成步驟的實例。
如第16A圖中所描繪地，絕緣膜409係形成以便覆蓋導電膜443至445。在此，絕緣膜409係形成為具有雙層構造。密質絕緣膜係形成為第一層，以便保護功能性電路302的電子元件。此處，具有50奈米至200奈米之厚度的氮化矽膜係透過PECVD法而形成為第一層。做為第二層，具有1微米至3微米之厚度的樹脂膜(例如，聚醯亞胺膜)係使用光敏樹脂材料而形成，以便使功能性電路302的上方表面變平。開口係透過曝光處理而形成於與導電膜445對應的樹脂膜之部分中。然後，使第一層的氮化矽膜接受蝕刻，以致使開口形成於與樹脂膜中的開口重疊的部分之中。
接著，形成電性連接至導電膜445的導電膜451於絕緣膜409之上，且形成突出物452而對應至該導電膜451。在此，做為導電膜451，具有100奈米至300奈米之厚度的鈦膜係透過濺鍍法而形成。
突出物452可以以與第1B圖中的突出物120相似之方式的方式而形成。在此，導電膜451係透過絲網印刷法而以銀糊來塗佈。然後，將銀糊烘烤，以致使包含銀的突出物452形成。該等突出物452係玻璃基板400上之最突出部分。該等突出物452亦可稱為具有突出部分的導體。
導電膜445，導電膜451，及突出物452形成功能性電路302的端子部450。注意的是，端子部450可僅使用突出物452而形成，無需形成導電膜451。
其次，製備預浸物460，該預浸物460係使用包含強化材料461之未硬化樹脂462而形成。可使用與第1C圖中的預浸物130相似者做為預浸物460。較佳地，當硬化時，該預浸物460具有10微米至100微米的厚度。此係用於以尚未硬化之預浸物460來保護該功能性電路302，且給予該功能性電路302撓性。進一步地，為了可形成突出物452使得突出物452的高度可為預浸物460之厚度的一半或更大，且為了可使功能性電路302變薄，硬化的預浸物460較佳地具有10微米至30微米的厚度。
然後，如第16B圖中所描繪地，預浸物460係設置於電子裝置的絕緣膜409側，且預浸物460係緊密地附著至絕緣膜409、導電膜451、及突出物452。在預浸物460中，當與其他區域之部分相比較時，覆蓋突出物452之區域464中的部分會因為突出物452而突出。
預浸物460係硬化於使得包含強化材料461的絕緣膜465如第16C圖中所描繪地被形成於該狀態中。在絕緣膜465中，樹脂463對應於已硬化的樹脂462。也就是說，絕緣膜465亦可稱為包含強化材料461的樹脂膜。進一步地，絕緣膜465作用成為功能性電路302的密封膜。
在此，包含玻璃纖維之薄板狀纖維體係使用於預浸物460的強化材料461，以及熱固性樹脂係使用於預浸物460之樹脂462的樹脂材料。第16B及16C圖中所描繪的步驟係執行成為使用真空熱壓法之系列步驟。也就是說，當將預浸物460堆疊於絕緣膜409側的同時，該預浸物460係藉由真空熱壓法而被抵頂著玻璃基板400來按壓，且然後，使預浸物460硬化(固化)而形成絕緣膜465。
接著，去除在區域464中且覆蓋突出物452之絕緣膜465的部分。結果，如第17A圖中所描繪地，形成開口466於區域464中，以致使突出物452(端子部450)暴露出。因為相較於其他區域中的部分，在區域464中之絕緣膜465的部分會突出，所以此步驟可以以與第2B圖中的步驟之方式相似的方式而執行，且較佳地，係透過研磨處理而執行。進一步地，可使用實施例2中所敘述的研磨方法。選擇性地，導體可藉由執行與第2C圖中之步驟相似的步驟，而以與突出物452緊密接觸來予以形成。
在此實施例中，雷射光束並未被使用於絕緣膜465中之開口466的形成；因此，功能性電路302並不會受到雷射光束所損害。從而，可易於達成功能性電路302之電子元件的小型化及高的性能。因而，可高產能地製造出第13圖中所描繪的包含CPU 364之高性能電路的功能性電路302。
透過上述步驟，可製造出各設置有端子部450的功能性電路302。接著，執行自玻璃基板400分離功能性電路302的步驟。例如，可如下地執行此分離步驟。
透過UV雷射光束的照射係自絕緣膜465側來予以執行，使得刻槽(未描繪)形成於玻璃基板400上的堆疊中，以便到達分離膜402。藉由刻槽的形成，分離會產生於分離膜402的內部及/或產生於基底絕緣膜401與分離膜402之間的介面處。因而，可以以相對弱的力(可藉由手所施加之力)將複數個功能性電路302自玻璃基板400分離。接著，如第17B圖中所描繪地，將使用諸如聚乙烯對苯二甲酯(PET)膜之樹脂膜所形成的熱分離型黏著劑膜470(下文中稱為“膜470”)附著至絕緣膜465。然後，如第17B圖中所描繪地，在基底絕緣膜401上的堆疊係自玻璃基板400分離。例如，此分離步驟可使用設置有纏絲滾筒之分離設備而執行。選擇性地，該分離步驟可藉由手或藉由以鑷子來撕開膜470而執行。
其次，為了要保護由於玻璃基板400之去除所暴露出的基底絕緣膜401，可形成使用包含強化材料之預浸物所形成的保護膜。進一步地，用於保護膜之形成，可使用與用以形成絕緣膜465所使用之預浸物460相似者。並未硬化之預浸物460係附著至基底絕緣膜401，且該預浸物460係藉由真空熱壓法而以預浸物460緊密地附著至基底絕緣膜401來加以硬化。因而，如第18A圖中所描繪地，包含強化材料461的絕緣膜467係形成於基底絕緣膜401側。該絕緣膜467係包含強化材料461的樹脂膜，且作用成為功能性電路302的密封膜。
接著，將藉由該膜470所保持的堆疊畫分成為個別的功能性電路302。此步驟可藉由晶粒切割法、劃線裂片法、或其類似方法而執行。在此，係執行透過UV雷射光束之使用的劃線裂片法。透過UV雷射光束之照射係自絕緣膜467側執行，以致使刻槽形成於由該膜470所保持的堆疊中。如第18B圖中所描繪地，藉由形成該刻槽，可形成由該膜470所保持之複數個功能性電路302。為了要從該膜470來分離功能性電路302，可將該膜470加熱，使得該膜470的黏著性減低。
接著，將天線301電性連接至功能性電路302。在此，係使用膜天線做為天線301，該膜天線包含使用諸如多元酯之樹脂所形成的膜500及形成在該膜500之上的導電膜501。做為膜500，較佳地，使用具有撓性且係使用絕緣材料所形成的膜。因為功能性電路302具有其中電子元件係以絕緣膜465及絕緣膜467所密封的結構，而該等絕緣膜465及467各使用樹脂以形成，所以該功能性電路302具有撓性且係可彎曲的。因此，當天線301係使用可彎曲的膜天線而形成時，在第19A圖中的電子裝置300亦可具有撓性。
例如，做為膜500，可使用諸如多元酯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸膜、或聚醯亞胺膜之樹脂膜。導電膜501包含形成天線主體的部分，及電性連接至功能性電路302的端子部。除了該端子部之外，導電膜501的表面係覆蓋有使用諸如樹脂之絕緣材料所形成的層。
如第19A圖中所描繪地，天線301的導電膜501及功能性電路302的端子部450(突出物452)係彼此相互電性連接。在此，導電膜501及突出物452係使用利用導電糊所形成的導體510而相互電性連接。不用多說地，用以連接導電膜501及突出物452的手段並未受限於導電糊。業者可考慮導電膜501及突出物452的構造(例如，形狀、材料、或製造方法)，而適當地選擇手段。例如，可使用各向異性導電膜或錫膏來形成導體510。選擇性地，突出物452及導電膜501可藉由超音波接合法、熱壓縮接合法、或其類似方法而彼此相互緊密附著，無需形成導體510。
第19B至19D圖
導電膜501可依據由電子裝置300所發射及接收之載波的頻帶、通訊距離、或其類似者，而具有合適構造(例如，形狀、尺寸)。將參照第19B至19D圖來敘述天線301(導電膜501)之構造的三個實例。
例如，當頻帶係自125kHz帶至135kHz帶或13.56MHz帶時，可使用環形天線、線圈天線、或螺形天線做為天線301。第19B圖描繪其中施加環形天線至天線301的電子裝置300之平面視圖。此外，第19C及19D圖分別描繪使用於UHF帶(860至960MHz帶)中之電子裝置300的結構實例，及使用於2.45GHz帶中之電子裝置300的結構實例。在第19C圖中之電子裝置300的天線301係偶極天線，以及在第19D圖中之電子裝置300的天線301係插線天線。
在此實施例中，雷射光束並未被使用於絕緣膜465中之開口466的形成；因此，功能性電路302並不會受到雷射光束所損害。從而，可易於達成功能性電路302之電子元件的小型化及高的性能。因而，可高產能地製造出第13圖中所描繪的包含CPU 364之高性能電路的功能性電路302。
此外，此實施例的電子裝置300可嵌入於紙張之中或插入於二塑膠基板之間，而可藉以製造出IC卡。進一步地，第19A圖中的電子裝置300係嵌入於紙張之中，且紙鈔、證券、債券、及證照可使用該紙張而形成。由於嵌入電子裝置300，所以證照及其類似物可各具有鑑認功能，且防止偽造之功能可予以獲得。
進一步地，電子裝置300可藉由被固定至各式各樣的商品及物件而使用。做為用以固定電子裝置300至商品及物件的方法，具有諸如將電子裝置300嵌入於商品及物件中，以及將電子裝置300附著至商品及物件的表面之方法。因為此實施例的電子裝置300具有撓性，所以電子裝置300所附著之物件的外表不可能被弄壞，且該電子裝置300可被固定至彎曲的表面。進一步地，做為電子裝置300所固定之商品及物件，可給定以下：封裝容器(諸如包裝紙及瓶子)，記錄媒體(諸如藍光光碟、DVD、及USB記憶體)，服裝及配件(諸如皮包、眼鏡、及衣服)、食物、植物、動物(諸如家畜及寵物)、日用品、以及在產品及行李上之運送標籤及標記。當將電子裝置300固定至該等商品及物件時，可易於使檢查、分配管理、物件的歷史管理、及其類似者系統化。
例如，當電子裝置300係固定至產品的運送標籤或價格標籤，且儲存於電子裝置300中之資料係以設置在輸送帶旁的讀取器/寫入器來讀取時，可獲得製造過程、分配過程、遞送目的地、及其類似者上之資料，且因此，可高效率地執行產品檢查及庫存管理。
注意的是，此實施例可與任一其他的實施例適當地結合。
(實施例5)
在電子裝置300的製造方法中，依據實施例4，係執行覆蓋突出物452的絕緣膜465中之開口466的形成步驟，且然後，執行自功能性電路302分離玻璃基板400的步驟(請參閱第17A及17B圖)。在此實施例中，將敘述其中該等步驟係以相反順序而執行之電子裝置300的製造方法。將參照第20A及20B圖以及第21A及21B圖來予以說明。
首先，執行直至第16C圖中之步驟且包含第16C圖中之步驟的步驟。接著，如第20A圖中所描繪地，將熱分離型黏著膜471附著至電子裝置的絕緣膜465側。然後，將形成於基底絕緣膜401上之堆疊自玻璃基板400分離。此步驟可以以與第17B圖中的步驟之方式相似的方式而執行。之後，如第20B圖中所描繪地，形成用以保護基底絕緣膜401的絕緣膜467。此步驟可以以與第18A圖中的步驟之方式相似的方式而執行。
其次，如第21A圖中所描繪地，選擇性地去除絕緣膜465，以致使開口466形成。此步驟可以以與第17A圖中的步驟之方式相似的方式而執行。在絕緣膜465的去除步驟(例如，研磨步驟)之前，該熱分離型黏著膜471被加熱而分離。進一步地，將另一熱分離型黏著膜472(在下文中稱為“膜472”)附著至電子裝置的絕緣膜467側。注意的是，該膜472可在形成開口466之後附著。
接著，將藉由該膜472所支撐之堆疊切割成為個別的功能性電路302。與第18B圖中之步驟相似地，此步驟可藉由諸如晶粒切割或劃線裂片之處理而執行。在此，劃線裂片係使用雷射光束而執行。UV雷射光束照射係自絕緣膜465側而執行，藉以形成刻槽於藉由該膜472所支撐的堆疊中。從而，如第21B圖中所描繪地，可形成由該膜472所支撐之複數個功能性電路302。
然後，將膜472加熱，使得功能性電路302自膜472分離、天線301電性連接至功能性電路302，且電子裝置300因此而完成(請參閱第19A圖)。與天線301之連接可與第19A圖中之步驟相似地執行。
此實施例可與任一其他的實施例適當地結合。
(實施例6)
在電子裝置300的製造方法中，依據實施例4，係執行覆蓋突出物452的絕緣膜465中之開口466的形成步驟，且然後，執行自功能性電路302分離玻璃基板400的步驟(請參閱第17A及17B圖)。在玻璃基板400的分離步驟之前，功能性電路302可使用所暴露之突出物452而檢查。在此檢查步驟中經決定成不良的功能性電路302並未被連接至天線301。
在電子裝置300的製造方法中，依據實施例5，可相似地執行檢查步驟。在第21A圖中的步驟之中，功能性電路302可使用所暴露之突出物452而檢查。在此檢查步驟中經決定成不良的功能性電路302並未被連接至天線301。
依據此實施例之製造方法的施加並未受限於對實施例4及5的施加。此實施例係用以製造電子裝置的方法，其中使覆蓋有強化材料的突出物暴露出，且然後，使用該突出物來執行檢查。
此申請案係根據2009年8月7日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號第2009-185126號，該申請案的全部內容係結合於本文以供參考之用。
100．．．基板
101、102、103、104、140、160、161、406、407、408、409、465、467．．．絕緣膜
110．．．電子元件
111．．．半導體層
112、113、114、441、442、443～445、451、501．．．導電膜
120、452．．．突出物
130、460．．．預浸物
131、461．．．強化材料
132、142、462．．．樹脂
133、464．．．區域
143、466．．．開口
121、510．．．導體
151、152、153、300．．．電子裝置
201、202．．．研磨機器
210．．．研磨表面板
211、213．．．旋轉單元
212．．．基板夾持單元
200．．．處理基板
214．．．液體
215．．．噴嘴
220．．．研磨帶
221～223．．．輸送滾筒
224．．．座台
230．．．箭頭
251、252、253．．．薄板纖維體
261．．．經紗
262．．．緯紗
263．．．篩孔
301．．．天線
302．．．功能性電路
311．．．電源部
312．．．邏輯電路部
321．．．整流器電路
322、343．．．電力儲存部
323．．．定電壓電路
331．．．解調電路
332．．．時脈產生/校正電路
333．．．碼辨識/判斷電路
334．．．記憶體控制器
335．．．記憶體裝置
336．．．編碼電路
337．．．調變電路
341．．．類比電路部
342．．．數位電路部
351．．．諧振電路
356．．．重設電路
357．．．振盪器電路
358．．．電源供應控制電路
361．．．RF(射頻)介面
362．．．控制暫存器
363．．．時脈控制器
364．．．中央處理單元(CPU)
365．．．CPU介面
366．．．隨機存取記憶體
367．．．僅讀記憶體
400．．．玻璃基板
401．．．基底絕緣膜
402．．．分離膜
403．．．基底膜
405、420、430．．．半導體膜
423．．．n型低濃度雜質區
432．．．p型高濃度雜質區
431．．．通道形成區
422．．．n型高濃度雜質區
491．．．n通道電晶體
492．．．p通道電晶體
450．．．端子部
470、471、472．．．熱分離型黏著膜
第1A至1D圖係橫剖面視圖，描繪依據本發明一實施例之電子裝置的製造方法之實例；
第2A至2D圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第1D圖中的步驟之後的步驟之實例；
第3圖係橫剖面視圖，描繪形成開口於絕緣膜中之步驟(第2B圖中之步驟)的另一構造實例；
第4A及4B圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第2B圖中的步驟之後的步驟之實例；
第5A至5C圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第2B圖中的步驟之後的步驟之實例；
第6圖係描繪在形成開口於絕緣膜中之步驟中所使用的研磨機器之構造實例的視圖；
第7圖係描繪在形成開口於絕緣膜中之步驟中所使用的研磨機器之構造實例的視圖；
第8A圖係描繪第1C圖中之施加至預浸物的薄板纖維體之構造實例的平面視圖，及第8B圖係沿著第8A圖中之線A1-A2所取得的橫剖面視圖；
第9圖係描繪第1C圖中之施加至預浸物的薄板纖維體之構造實例的平面視圖；
第10圖係描繪第1C圖中之施加至預浸物的薄板纖維體之構造實例的平面視圖；
第11圖係方塊圖，描繪依據本發明一實施例之電子裝置的構造之實例；
第12圖係方塊圖，描繪依據本發明一實施例之電子裝置的構造之實例；
第13圖係方塊圖，描繪依據本發明一實施例之電子裝置的構造之實例；
第14A至14D圖係橫剖面視圖，描繪依據本發明一實施例之電子裝置的製造方法之實例；
第15A至15D圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第14D圖中的步驟之後的步驟之實例；
第16A至16C圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第15D圖中的步驟之後的步驟之實例；
第17A及17B圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第16C圖中的步驟之後的步驟之實例；
第18A及18B圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第17B圖中的步驟之後的步驟之實例；
第19A圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第18B圖中的步驟之後的步驟之實例和電子裝置的構造實例，及第19B至19D圖係平面視圖，各描繪第19A圖中之電子裝置的構造實例；
第20A及20B圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第16C圖中的步驟之後的步驟之另一構造實例；以及
第21A及21B圖係橫剖面視圖，描繪緊跟在第20B圖中的步驟之後的步驟之實例。
131．．．強化材料
133．．．區域
140．．．絕緣膜
142．．．樹脂

Claims (22)

  1. 一種端子構造的製造方法，包含以下步驟：形成突出物於絕緣表面上，該突出物係使用導體而形成；附著包含強化材料的預浸物至該絕緣表面及該突出物的表面，以形成該預浸物之頂部表面的部分，該預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該絕緣表面及該突出物的該表面之該預浸物硬化，以形成包含該強化材料的絕緣膜；以及去除該絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該強化材料，以形成開口於該絕緣膜之中。
  2. 如申請專利範圍第1項之端子構造的製造方法，其中該強化材料係薄板纖維體。
  3. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：製備一或更多個電子元件，該等電子元件係以第一絕緣膜來覆蓋；形成突出物於該第一絕緣膜之上，該突出物係使用電性連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體而形成；附著包含強化材料的預浸物至該第一絕緣膜的頂部表面及該突出物的表面，以形成該預浸物之頂部表面的部分，該預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第一絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該預浸物硬化，以形成包含該強化材料的第二絕緣膜；以及 去除該第二絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該強化材料，以形成開口於該第二絕緣膜之中。
  4. 如申請專利範圍第3項之電子裝置的製造方法，其中該強化材料係薄板纖維體。
  5. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：形成分離膜於基板上；形成第一絕緣膜於該分離膜之上；形成電路於該第一絕緣膜之上，該電路包含複數個電子元件；形成覆蓋該電路的第二絕緣膜；形成突出物於該第二絕緣膜之上，該突出物係使用電性連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體而形成；附著包含第一強化材料的第一預浸物至該第二絕緣膜的頂部表面及該突出物的表面，以形成該第一預浸物之頂部表面的部分，該第一預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第二絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該第一預浸物硬化，以形成包含該第一強化材料的第三絕緣膜；去除該第三絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該第一強化材料，以形成開口於該第三絕緣膜之中；自該基板分離該電路；在將該基板分離之後，附著包含第二強化材料的第二預浸物至該第一絕緣膜，以便覆蓋該第一絕緣膜；以及 使該第二預浸物硬化，以形成包含該第二強化材料的第四絕緣膜。
  6. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：形成分離膜於基板上；形成第一絕緣膜於該分離膜之上；形成電路於該第一絕緣膜之上，該電路包含複數個電子元件；形成覆蓋該電路的第二絕緣膜；形成突出物於該第二絕緣膜之上，該突出物係使用電性連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體而形成；附著包含第一強化材料的第一預浸物至該第二絕緣膜的頂部表面及該突出物的表面，以形成該第一預浸物之頂部表面的部分，該第一預浸物之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第二絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該第一預浸物硬化，以形成包含該第一強化材料的第三絕緣膜；自該基板分離該電路；在將該基板分離之後，附著包含第二強化材料的第二預浸物至該第一絕緣膜，以便覆蓋該第一絕緣膜；使該第二預浸物硬化，以形成包含該第二強化材料的第四絕緣膜；以及在形成該第四絕緣膜之後，去除該第三絕緣膜之頂部表面的突出部分連同該第一強化材料，以形成開口於該第 三絕緣膜之中。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之電子裝置的製造方法，其中該第一強化材料及該第二強化材料係薄板纖維體。
  8. 一種端子構造的製造方法，包含以下步驟：形成突出物於絕緣表面上，該突出物係由導體所形成；附著樹脂膜至該絕緣表面及該突出物的表面，以形成該樹脂膜之頂部表面的部分，該樹脂膜之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該絕緣表面及該突出物的該表面之該樹脂膜硬化，以形成絕緣膜；以及去除該絕緣膜之頂部表面的突出部分，以形成開口於該絕緣膜之中。
  9. 如申請專利範圍第1或8項之端子構造的製造方法，其中該開口係藉由研磨該絕緣膜而形成於該絕緣膜之中。
  10. 如申請專利範圍第1或8項之端子構造的製造方法，進一步包含步驟：在形成該開口之後，形成與該突出物接觸的導體。
  11. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：製備一或更多個電子元件，該等電子元件係以第一絕緣膜來覆蓋；形成突出物於該第一絕緣膜之上，該突出物係由電性 連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體所形成；附著樹脂膜至該第一絕緣膜的頂部表面及該突出物的表面，以形成該樹脂膜之頂部表面的部分，該樹脂膜之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第一絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該樹脂膜硬化，以形成第二絕緣膜；以及去除該第二絕緣膜之頂部表面的突出部分，以形成開口於該第二絕緣膜之中。
  12. 如申請專利範圍第3或11項之電子裝置的製造方法，其中該開口係藉由研磨該第二絕緣膜而形成於該第二絕緣膜之中。
  13. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：形成分離膜於基板上；形成第一絕緣膜於該分離膜之上；形成電路於該第一絕緣膜之上，該電路包含複數個電子元件；形成覆蓋該電路的第二絕緣膜；形成突出物於該第二絕緣膜之上，該突出物係由電性連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體所形成；附著第一樹脂膜至該第二絕緣膜的頂部表面及該突出物的表面，以形成該第一樹脂膜之頂部表面的部分，該第一樹脂膜之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第二絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該第一樹脂膜硬化，以形成第三絕緣膜； 去除該第三絕緣膜之頂部表面的突出部分，以形成開口於該第三絕緣膜之中；自該基板分離該電路；在將該基板分離之後，附著第二樹脂膜至該第一絕緣膜，以便覆蓋該第一絕緣膜；以及使該第二樹脂膜硬化，以形成第四絕緣膜。
  14. 如申請專利範圍第5或13項之電子裝置的製造方法，進一步包含步驟：在自該電路分離該基板之前，形成與藉由該開口所暴露的該突出物接觸之導體。
  15. 如申請專利範圍第5或13項之電子裝置的製造方法，進一步包含以下步驟：在自該電路分離該基板之前，形成與藉由該開口所暴露的該突出物接觸之導體；以及電性連接該導體及天線。
  16. 一種電子裝置的製造方法，包含以下步驟：形成分離膜於基板上；形成第一絕緣膜於該分離膜之上；形成電路於該第一絕緣膜之上，該電路包含複數個電子元件；形成覆蓋該電路的第二絕緣膜；形成突出物於該第二絕緣膜之上，該突出物係由電性連接至該等電子元件的其中之至少一者的導體所形成；附著第一樹脂膜至該第二絕緣膜的頂部表面及該突出 物的表面，以形成該第一樹脂膜之頂部表面的部分，該第一樹脂膜之頂部表面的該部分由於該突出物而突出；使附著至該第二絕緣膜的該頂部表面及該突出物的該表面之該第一樹脂膜硬化，以形成第三絕緣膜；自該基板分離該電路；在將該基板分離之後，附著第二樹脂膜至該第一絕緣膜，以便覆蓋該第一絕緣膜；使該第二樹脂膜硬化，以形成第四絕緣膜；以及在形成該第四絕緣膜之後，去除該第三絕緣膜之頂部表面的突出部分，以形成開口於該第三絕緣膜之中。
  17. 如申請專利範圍第5、6、13、和16項中任一項之電子裝置的製造方法，進一步包含步驟：電性連接天線至藉由形成於該第三絕緣膜中的該開口所暴露之該突出物。
  18. 如申請專利範圍第3、6、11、和16項中任一項之電子裝置的製造方法，進一步包含步驟：在形成該開口之後，形成與該突出物接觸之導體。
  19. 如申請專利範圍第6或16項之電子裝置的製造方法，進一步包含以下步驟：在形成該開口之後，形成與該突出物接觸之導體；以及電性連接該導體及天線。
  20. 如申請專利範圍第5、6、13、和16項中任一項之電子裝置的製造方法，其中該開口係藉由研磨該第三絕 緣膜而形成於該第三絕緣膜之中。
  21. 如申請專利範圍第5、6、13、和16項中任一項之電子裝置的製造方法，其中該電路係在該分離膜內側的區域處，自該基板分離。
  22. 如申請專利範圍第5、6、13、和16項中任一項之電子裝置的製造方法，其中該電路係在該分離膜與該第一絕緣膜之間的介面處，自該基板分離。
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