JP2009076065A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高く、かつアンテナと素子の重なり部分の凹凸を低減された半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナとを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じである半導体装置に関する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置及びその作製方法に関する。
無線チップ、センサ等、各種装置の薄型化が製品小型化の上で重要な要素となっており、その技術や使用範囲が急速に広まっている。これらの薄型化された各種装置はある程度フレキシブルなため湾曲したものに設置して使用することが可能である。
そこで、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを含む素子層を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写して半導体装置を作製する技術が提案されている。
例えば、０．５ｍｍ以下サイズの半導体チップを紙またはフィルム状の媒体に埋め込み、曲げや集中荷重を改善した半導体装置が挙げられる（特許文献１参照）。
特開２００４−７８９９１号公報
しかしながら、アンテナをチップに作り込んで内蔵（オンチップ化）する半導体装置の場合、アンテナサイズが小さくなり通信距離が短くなる問題がある。また、紙またはフィルム媒体に設けられたアンテナをチップに接続して半導体装置を作製する場合、チップの大きさが小さいと、接続不良が生じる。
このため、接続不良の防止や通信距離の低減を防止するためにチップ自体を大きくすることが好ましいが、チップの面積が大きくなると、プラスチックフィルムなどに転写され作製された半導体装置は、外部からの局所的な押圧で、亀裂が入り、動作不良となる。
例えば、筆記用具で半導体装置表面のプラスチックシートまたは紙に文字を記入する際、半導体装置に筆圧がかかってしまい、半導体装置が破壊される問題があった。
また、従来のアンテナをチップに作り込んで内蔵する半導体装置では、半導体装置の総厚さが厚くなってしまう。また内蔵されたアンテナと、トランジスタ等の半導体素子との重なる部分の厚さが厚くなり、半導体装置の表面に凹凸が生じてしまう。
そこで本発明では、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製し、かつアンテナと素子の重なり部分の凹凸を低減することを課題とする。
本発明は、半導体素子層上に、有機化合物または無機化合物の繊維体を有機樹脂で含浸された繊維体を設け、加熱圧着することにより、有機化合物または無機化合物の繊維体を有機樹脂で含浸された封止層及び半導体素子層が固着された半導体装置を作製することを特徴とする。
また本発明では、アンテナの半導体素子と接続する領域を凹部に形成し、凹部に半導体素子を埋め込むことにより、半導体素子の表面の凹凸を低減させる。
本発明は、以下に述べる半導体装置に関するものである。
薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナとを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じであることを特徴とする半導体装置に関するものである。また可能であれば、前記チップの厚さを、前記凹部の深さ以下にしてもよい。
薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナと、前記チップ及びアンテナを覆って設けられる基体とを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さは、前記基体の厚さの２／３以上４／３以下であることを特徴とする半導体装置に関するものである。
本発明において、前記繊維体は、有機化合物材料又は無機化合物材料の単糸を複数本束ねた経糸及び緯糸が密に織り込まれている。
本発明において、前記繊維体は、織布または不織布である。
本発明において、前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維で形成される。
本発明において、前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化性樹脂を含む。
本発明において、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂である。
本発明において、前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂である。
本発明において、前記アンテナとしては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）の少なくとも１つを含む。
本発明は、有機化合物または無機化合物の繊維体を有機樹脂で含浸された構造体を用いることにより、外部から局所的な圧力がかかっても破損しにくく、信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製することができる。
また本発明により、平坦化された半導体装置を得ることができるので、有機化合物または無機化合物の繊維体を有機樹脂で含浸された構造体にしわが発生するのを防ぐことができる。
また半導体装置作製後に、表面にフィルム等の保護材を貼り付ける際に、ロールの上を通過させる必要がある場合がある。このようにロール上を通過すると、線状に圧力がかかって半導体装置が破壊されてしまう恐れがある。しかし半導体装置の凹凸が少ないとロール上をスムーズに通過することができ、半導体装置が破壊されるのを防ぐことができる。
以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）、図２（Ａ）〜図２（Ｆ）、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６を用いて説明する。
まず基板３０１上に剥離層３０２を形成し、さらに半導体素子層３０３を形成する（図１（Ａ）参照）。
基板３０１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、絶縁層が少なくとも一表面に形成された金属基板、有機樹脂基板等を用いることができる。本実施の形態では、基板３０１としてガラス基板を用いる。
剥離層３０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。ここでは、なお、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを形成する方法である。
剥離層３０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
剥離層３０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。代表的には、１層目の金属層として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
剥離層３０２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
タングステンの酸化物は、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ３などがある。
また、上記の工程によると、基板３０１に接するように剥離層３０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板３０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層３０２を設けてもよい。本実施の形態では、剥離層３０２として厚さ３０ｎｍ〜７０ｎｍのタングステン層をスパッタリング法により形成する。
半導体素子層３０３の厚さとしては、１μｍ以上１０μｍ以下、さらには１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。半導体素子層３０３をこのような厚さにすることにより、湾曲することが可能な半導体装置を作製することができる。また半導体装置の上面の面積は、４ｍｍ２以上、さらには９ｍｍ２以上が好ましい。
半導体素子層３０３の一例として、絶縁層５６上に薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂを有する素子層５１を示す。
薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層５３ａ及び５３ｂ、ゲート絶縁層５４、並びにゲート電極５５ａ及び５５ｂで構成される。
薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂを覆って、層間絶縁膜４１及び４２が形成されている。また、層間絶縁膜４２上に、半導体層５３ａ及び５３ｂ中のソース領域及びドレイン領域に接する配線５７ａ、５７ｂ、５８ａ、５８ｂが形成される。さらに層間絶縁膜４３が形成されている。
このような素子層５１を有する半導体装置の代表例として、他の装置の制御やデータの計算・加工を行なうマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）がある。ＭＰＵは、ＣＰＵ、メインメモリ、コントローラ、インターフェース、Ｉ／Ｏポート等を有し、これらを薄膜トランジスタ、抵抗素子、容量素子、配線等で構成することができる。
また、半導体素子層３０３として、図３（Ｂ）に示される記憶素子６２及び薄膜トランジスタ５２ｂを有する素子層６１が形成される場合、半導体装置として記憶装置を作製することができる。
記憶素子６２としては、フローティングゲートまたは電荷蓄積層を有する不揮発性記憶素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される容量素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される強誘電層を有する容量素子、一対の電極の間に有機化合物層が挟まれる有機メモリ素子等がある。
図３（Ｂ）に示す記憶素子６２は、半導体層５３ａ、トンネル絶縁層６４、フローティングゲート電極６３、コントロール絶縁層６５、コントロールゲート電極５５ａで構成される不揮発性記憶素子である。
また、このような素子層６１を有する半導体装置としては、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等の記憶装置がある。
また半導体素子層３０３として、ダイオード７２及び薄膜トランジスタ５２ｂを有する素子層７１を形成する例を図３（Ｃ）に示す。
図３（Ｃ）に示すダイオード７２は、第１の電極として機能する配線５８ｂ、受光部７３、及び第２の電極７４で構成されている。受光部は、非晶質または結晶質のシリコンを有する半導体層で形成することができる。この代表例としては、シリコン層、シリコンゲルマニウム層、炭化シリコン層、又はこれらのＰＮ接合層、ＰＩＮ接合層が挙げられる。
このような素子層７１を有する半導体装置として、光センサ、イメージセンサ、太陽電池等を作製することができる。ダイオード７２としては、アモルファスシリコンやポリシリコンを用いたＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、アバランシェダイオード、ショットキーダイオード等がある。
また、半導体素子層３０３として、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂ、薄膜トランジスタ５２ａまたは５２ｂの半導体層のソース領域及びドレイン領域に接続する配線８２、並びに配線８２に電気的に接続される電極８３を有する素子層８１が形成される場合、半導体装置としては、無線で情報を送受信することが可能なＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、ＩＣカード、ＩＤカード等（以下、ＲＦＩＤと示す）を作製することができる（図３（Ｄ）参照）。
半導体素子層３０３を形成したら、半導体素子層３０３上に、配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、並びに配線５８ｂに電気的に接続される導電性樹脂３０４を形成する（図１（Ｂ）参照）。導電性樹脂３０４は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の少なくとも１つ、すなわちいずれか１つあるいは２つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。本実施の形態では、導電性樹脂３０４としてスクリーン印刷法により銀を含む樹脂を形成し、その後大気雰囲気において、３００℃で３０分硬化させる。
次いで、繊維体１１３及び有機樹脂層１１４を含む封止層３０５を、半導体素子層３０３及び導電性樹脂３０４上に形成する（図１（Ｃ）参照）。
繊維体１１３は、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布である。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維である。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維を用いることができる。なお、繊維体１１３は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。
また、繊維体１１３は、繊維（単糸）の束（以下、糸束という）を経糸及び緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布で構成されてもよい。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等適宜用いることができる。
糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。繊維糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした繊維糸束を用いてもよい。開繊加工をした繊維糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、繊維糸束として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１１３の厚さを薄くすることが可能である。このため、封止層３０５の厚さを薄くすることが可能であり、薄型の半導体装置を作製することができる。繊維の糸束径は４μｍ以上４００μｍ以下、さらには４μｍ以上２００μｍ以下であればよいが、原理上は更に薄くてもよい。また、繊維の太さは、４μｍ以上２０μｍ以下であればよいが、原理上は更に細くても良く、それらは繊維の材料に依存する。
繊維体１１３が繊維糸束を経糸及び緯糸に使って製織した織布の上面図を図４（Ａ）〜図４（Ｂ）に示す。
図４（Ａ）に示すように、繊維体１１３は、一定間隔をあけた経糸１１３ａ及び一定間隔をあけた緯糸１１３ｂが織られている。このような繊維体には、経糸１１３ａ及び一緯糸１１３ｂが存在しない領域（バスケットホール１１３ｃという）を有する。このような繊維体１１３は、有機樹脂が繊維体に含浸される割合が高まり、繊維体１１３及び素子層の密着性を高めることができる。
また、図４（Ｂ）に示すように、繊維体１１３は、経糸１１３ａ及び緯糸１１３ｂの密度が高く、バスケットホール１１３ｃの割合が低いものでもよい。代表的には、バスケットホール１１３ｃの大きさが、局所的に押圧される面積より小さいことが好ましい。代表的には一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の矩形であることが好ましい。繊維体１１３のバスケットホール１１３ｃの面積がこのように小さいと、先端の細い部材（代表的には、ペンや鉛筆等の筆記用具）により押圧されても、当該圧力を繊維体１１３全体で吸収することが可能である。
また、繊維糸束内部への有機樹脂の浸透率を高めるため、繊維に表面処理が施されても良い。例えば、繊維表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤を用いた表面処理がある。
繊維体１１３に含浸され、且つ半導体素子層３０３の表面を封止する有機樹脂層１１４は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。さらにＵＶ硬化性樹脂や可塑性有機樹脂を用いてもよい。また、上記熱可塑性樹脂及び上記熱硬化性樹脂の複数を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理により繊維体１１３を半導体素子層３０３に固着することが可能である。なお、有機樹脂層１１４はガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
また、封止層３０５の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、さらには１０μｍ以上３０μｍが好ましい。このような厚さの構造体を用いることで、薄型で湾曲することが可能な半導体装置を作製することができる。
有機樹脂層１１４または繊維の糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等がある。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラーが有機樹脂または繊維糸束内に含まれることにより素子層での発熱を外部に放出しやすくなるため、半導体装置の蓄熱を抑制することが可能であり、半導体装置の破壊を低減することができる。
半導体素子層３０３として、図３（Ａ）に示す素子層５１を用いた場合の断面図を図５（Ａ）に示す。図５（Ａ）においては、繊維体１１３は、断面が楕円形の糸束で平織りした織布で示されている。また、薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂが繊維体１１３の糸束よりも大きいが、薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂが繊維体１１３の糸束よりも小さい場合もある。
また導電性樹脂３０４は、配線５７ａ、５７ｂ、５８ａ、５８ｂと電気的に接続されている。
本実施の形態では、封止層３０５と半導体素子層３０３を固着させるために、封止層３０５を半導体素子層３０３上に設置した後、第１のプレス工程と第２のプレス工程を行う。
まず、封止層３０５と半導体素子層３０３の間に入る気泡除去及び封止層３０５の仮固定のために、第１のプレス工程（真空プレス工程）を行う。本実施の形態では、真空雰囲気中で、温度を室温から１００℃まで３０分間で上昇させることで第１のプレス工程を行う。
次いで封止層３０５を半導体素子層３０３に均一に固着させるために、第２のプレス工程を行う。本実施の形態では、第２のプレス工程として、０．３ＭＰａの圧力下で、温度を１３５℃で１５分間維持し、その後１９５℃に昇温して６０分間維持する。
次いで図１（Ｄ）に示すように、封止層３０５、半導体素子層３０３及び剥離層３０２に、レーザビームの照射あるいは刃物による切断により溝３０６を形成する。
溝３０６を形成するために照射するレーザビームとしては、剥離層３０２、半導体素子層３０３、または封止層３０５を構成する層のいずれかが吸収する波長を有するレーザビームが好ましく、代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザビームを適宜選択して照射する。
このようなレーザビームを発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、その固体レーザ発振器においては基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。
また刃物により溝３０６を形成する場合は、刃物として、カッターナイフ等を用いればよい。
本実施の形態としては、ＵＶレーザを用いて溝３０６を形成する。また半導体素子層３０３として、図３（Ａ）に示す素子層５１を用いた場合の断面図を図５（Ｂ）に示す。
次に、溝３０６に液体を滴下し、剥離層３０２と半導体素子層３０３を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指しており、その手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラを回転させながら分離する処理）である。このとき、封止層３０５表面に光または熱により剥離可能な粘着シートを設けると、さらに剥離が容易となる。粘着シートは機械的手段でも人的手段で貼り付けても良い。ただし粘着シートと封止層３０５との間に気泡が入ってしまうと、転置の際に不良が発生してしまう恐れがあるので、気泡が入らないようにする。
本実施の形態では、液体として水、例えば純水を用い、ローラ３０７を封止層３０５上で回転させることにより、ローラ３０７に半導体素子層３０３、導電性樹脂３０４、封止層３０５を転置する（図１（Ｅ）参照）。
液体としては、純水以外にエタノール等のアルコール、炭酸水等を用いても良い。またローラ３０７として、本実施の形態では、直径３００ｍｍのゴム製ローラを用いる。
次いで半導体素子層３０３の、封止層３０５が設けられていない面、すなわち裏面に、第２の封止層３１１を形成する（図２（Ａ）参照）。第２の封止層３１１は、封止層３０５と同じ方法で形成すればよい。
溝３０６に液体を滴下して剥離層３０２と半導体素子層３０３を剥離すると、剥離時に発生する静電気を防止することができ、半導体素子層３０３へのダメージを抑制することができる。これにより、動作歩留りが飛躍的に向上する。
次いで、半導体素子層３０３と外部の電気的接続を可能にするために、導電性樹脂３０４上の封止層３０５を除去して開口部３１２を形成する。封止層３０５の除去は、封止層３０５にレーザビーム３１３を照射することで行われる（図２（Ｂ）参照）。
レーザビーム３１３は、代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザビームを適宜選択すればよい。
このようなレーザビーム３１３を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、その固体レーザ発振器においては基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。
本実施の形態では、波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザのレーザビーム３１３を用い、導電性樹脂３０４の１つごとに、スリットサイズ１５０μｍ□のショットを９回照射することで、封止層３０５を除去して開口部３１２を形成する。
本実施の形態では、レーザビーム３１３が照射されるのは、導電性樹脂３０４が形成されている領域上の封止層３０５であるので、レーザビーム３１３は導電性樹脂３０４で遮光されることとなり、半導体素子層３０３までは届かない。すなわち、レーザビーム３１３は半導体素子層３０３を照射することはなく、半導体素子層３０３へのダメージを抑制することができる。
ただし導電性樹脂３０４上の封止層３０５にレーザビーム３１３を照射しても、封止層３０５を完全に除去せず、開口部３１２に繊維体１１３を残存させてもよい。後の工程で、開口部３１２に導電性接着材３１５が形成されるが、開口部３１２に繊維体１１３が残っているため、導電性接着材３１５がより強固に接着され、物理的強度が向上する。これにより曲げ耐性が向上する。
次いで、封止層３０５、半導体素子層３０３、第２の封止層３１１にレーザビームを照射して、溝３１４を形成する。これにより封止層３０５、半導体素子層３０３、第２の封止層３１１を、チップ３２１に分断する（図２（Ｃ）参照）。
本実施の形態では、レーザビームとしてＵＶレーザビームを用いて溝３１４を形成する。また、封止層３０５、半導体素子層３０３、第２の封止層３１１の分断前のサイズは、１２０ｍｍ×１００ｍｍであり、分断後により形成されるチップ３２１のサイズは、１０ｍｍ×１０ｍｍである。
また半導体素子層３０３として、図３（Ａ）に示す素子層５１を用いた場合の断面図を図５（Ｃ）に示す。
個々のチップ３２１に分断後、開口部３１２中に導電性樹脂３０４と電気的に接続される導電性接着材３１５、導電性接着材３１５が形成されない封止層３０５の表面に、接着材３１６を形成する（図５（Ｄ）参照）。本実施の形態では、導電性接着材３１５として、銀を含む導電性接着材を用いる。また半導体素子層３０３として、図３（Ａ）に示す素子層５１を用いた場合の断面図を図５（Ｄ）に示す。なお第２の封止層３１１は、繊維体３２３と有機樹脂層３２４を有しているが、繊維体３２３は繊維体１１３、有機樹脂層３２４は有機樹脂層１１４と同じものを用いればよい。
基体３１８上に外付けのアンテナ３１７を形成し、外付けアンテナ３１７に凹部３２２を形成する（図２（Ｅ）参照）。
アンテナ３１７としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等のすくなくとも１つ、すなわちいずれか１つあるいは２つ以上の金属粒子を有する液滴やペーストを、基体３１８上に液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法など）により吐出し、乾燥焼成して形成する。液滴吐出法によりアンテナを形成することで、工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。
また、スクリーン印刷法を用いてアンテナ３１７を形成してもよい。スクリーン印刷法を用いる場合、アンテナ３１７の材料としては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを選択的に印刷する。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の少なくとも１つ、すなわちいずれか１つあるいは２つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。
また、アンテナ３１７は、スクリーン印刷法の他にもグラビア印刷等を用いてもよいし、メッキ法、スパッタリング法等を用いて、導電性材料により形成することができる。
本実施の形態では、銅メッキによりアンテナ３１７を形成する。
基体３１８は、フィルムや紙等を用いてもよいし、封止層３０５や封止層３１１と同じ構造を有する封止層を基体３１８として用いてもよい。フィルムを用いる場合では、アラミドフィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）フィルム等の有機フィルムを用いればよい。
接着材３１６によりチップを凹部に貼り合わせる（図２（Ｆ）参照）。凹部の深さは、チップ３２１の厚みとほぼ同じにすることで、チップ３２１がアンテナ３１７の内部に収納され、アンテナ３１７の表面が平坦になる。半導体素子層３０３は、導電性樹脂３０４と導電性接着材３１５を介して、アンテナ３１７と電気的に接続されている。
あるいは、外部からの圧力に耐えられれば、チップの厚みが凹部の深さより多少大きい、あるいは多少小さくてもかまわない。例えばチップの厚みが後の工程で貼り合わせる基体３１９の厚さより、基体３１９の厚さの１／３大きい、または基体３１９の厚さより、基体３１９の厚さの１／３小さくともよい。すなわち、チップの厚さが基体３１９の厚さの４／３で凹部から出っ張っていても本発明の効果は得られる。あるいは、チップの厚さが基体３１９の厚さの２／３で凹部から凹んでいても本発明の効果は得られる。
以上から、本発明の効果を得るには、チップの厚さが凹部の深さとほぼ同じであればよいことはもちろんだが、チップの厚さが、貼り合わされる基体の厚さの４／３以下、あるいはチップの厚さが基体の厚さの２／３以上であっても、本発明の効果は得られる。
本実施の形態では、繊維体及び有機樹脂を含み、封止層３０５及び封止層３１１と同じ構造を有するものを基体３１８として用いる。
次いで封止層３１１及びアンテナ３１７に、基体３１９を貼り合わせる（図２（Ｆ）参照）。ただし必要がなければ基体３１９は設けなくてもよい。
基体３１９を設けた場合には、基体３１９と封止層３１１との境目から水が入り込むのを防ぐことができ、より信頼性が向上する。
本実施の形態では、基体３１９として封止層３０５及び封止層３１１と同じ構造を有するものを用いる（図６参照）。
以上のようにして、本実施の形態の半導体装置を得ることができる。本実施の形態により得られた半導体装置は、繊維体を有機樹脂で含浸された封止層を用いることにより、外部から局所的な圧力がかかっても破損しにくく、信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製することができる。
また本実施の形態により、アンテナ３１７にチップ３２１が埋め込まれるので、平坦化された半導体装置を得ることができるので、繊維体を有機樹脂で含浸された封止層にしわが発生するのを防ぐことができる。
また半導体装置作製後に、表面にフィルム等の保護材を貼り付ける際に、ロールの上を通過させる必要がある場合がある。このようにロール上を通過すると、線状に圧力がかかって半導体装置が破壊されてしまう恐れがある。しかし半導体装置の凹凸が少ないとロール上をスムーズに通過することができ、半導体装置が破壊されるのを防ぐことができる。
［実施の形態２］
本実施の形態では、封止層を実施の形態１とは異なる作製方法で形成する例を、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）を用いて説明する。
まず実施の形態１に基づいて、導電性樹脂３０４を形成するまでの作製工程（図１（Ａ）〜図１（Ｂ）参照）を行う。次いで繊維体１１３を半導体素子層３０３上に設ける（図７（Ａ）参照）。
次に、繊維体１１３及び半導体素子層３０３上に有機樹脂層１１４を形成する。このとき、有機樹脂層１１４中の有機樹脂を繊維体１１３に含浸させる。即ち、繊維体１１３は有機樹脂層１１４中に含まれる。このようにすることで、繊維体１１３及び有機樹脂層１１４の密着力が高まる。
次に、有機樹脂層１１４を加熱して、有機樹脂層１１４の有機樹脂を可塑化または硬化する。なお、有機樹脂が可塑性有機樹脂の場合、この後、室温に冷却することにより可塑化した有機樹脂を硬化する。あるいは有機樹脂がＵＶ硬化性樹脂の場合は、ＵＶ照射することにより硬化する。
この結果、図７（Ｂ）に示すように、繊維体１１３に含浸し、かつ半導体素子層３０３の片面に固着される有機樹脂層１１４となる。なお、半導体素子層３０３の片面に固着された有機樹脂層１１４及び繊維体１１３が、封止層３０５となる。このようにして図１（Ｂ）に示す構造と同様の構造を得ることができる。
さらに図１（Ｄ）〜図１（Ｅ）、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）の工程を行い、図２（Ｅ）〜図２（Ｆ）、図５（Ｃ）〜図５（Ｄ）及び図６と同様に、基体３１８に設けられた外付けのアンテナ３１７に凹部３２２を設け、チップ３２１を埋め込み、封止層３１１及びアンテナ３１７に、基体３１９を貼り合わせる。以上の作製工程により、図６に示す半導体装置を得ることが可能となる。
ただし必要がなければ基体３１９は設けなくてもよい。
また基体３１８及び３１９は、封止層３０５と同様の工程で形成してもよい。
本実施の形態では、繊維体１１３あるいは３２３を、貼り合わせようとする表面に設置し、有機樹脂層１１４あるいは３２４を設ける。次いで有機樹脂を繊維体１１３あるいは３２３に含浸させ、さらに有機樹脂を硬化させ、封止層３０５あるいは３１１を形成する。
本実施の形態では、有機樹脂層１１４あるいは３２４の厚さを変えることができ、これにより封止層３０５あるいは３１１の厚さも変えることができる。例えば、実施の形態１の封止層３０５及び３１１よりも厚さが薄い封止層３０５及び３１１を得ることができる。これにより半導体装置全体の厚さを薄くすることが可能となる。
［実施の形態３］
本実施の形態では、実施の形態１及び２とは異なる構造を有する半導体装置について、図８（Ａ）〜図８（Ｂ）を用いて説明する。
図８（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置の断面図である。また図８（Ｂ）は図８（Ａ）の上面図である。基体３１８上にアンテナ３３１が設けられ、チップ３２１が接着材３１６によって貼り合わせられている。チップ３２１内の導電性接着材３１５は、アンテナ３３１と電気的に接続されている。
基体３１８、アンテナ３３１、チップ３２１上には、チップ３２１の厚さを補って基材３３２が設けられている。これにより基材３３２とチップ３２１の厚さが同じとなり、平坦な表面が形成される。またこの平坦な表面上に基体３１９が貼り付けられる。
本実施の形態により、厚さの均一な、平坦な表面を有する半導体装置を得ることができる。
［実施の形態４］
本実施の形態では、本発明の半導体装置の応用例を示す。ここでは、半導体装置の応用例の１つとして、ＲＦＩＤについて説明する。
はじめに、本発明の半導体装置を応用したＲＦＩＤ５０１の回路構成例について説明する。図９に、ＲＦＩＤ５０１のブロック回路図を示す。
図９のＲＦＩＤ５０１の仕様は、国際標準規格のＩＳＯ１５６９３に準拠し、近傍型で、交信信号周波数は１３．５６ＭＨｚである。また、受信はデータ読み出し命令のみ対応し、送信のデータ伝送レートは約１３ｋＨｚであり、データ符号化形式はマンチェスタコードを用いている。
ＲＦＩＤ５０１の回路部４１２は、大別して、電源部４６０、信号処理部４６１から構成される。電源部４６０は、整流回路４６２と保持容量４６３を有する。また、電源部４６０に、アンテナ４１１から受信した電力が過剰であった場合、内部回路を保護するための保護回路部（リミッタ回路部ともいう）と、保護回路部を動作させるかどうかを制御するための保護回路制御回路部とを設けてもよい。当該回路部を設けることにより、ＲＦＩＤと通信機との通信距離が極端に短い状況等においてＲＦＩＤが大電力を受信することによって生じる不具合を防ぐことができ、ＲＦＩＤの信頼性の向上を図ることができる。すなわち、ＲＦＩＤ内部の素子の劣化や、ＲＦＩＤ自体を破壊することなく、ＲＦＩＤを正常に動作させることができる。
図９のアンテナ４１１は、実施の形態１〜実施の形態２で述べられたアンテナ３１７及び実施の形態３で述べられたアンテナ３３１である。また回路部４１２は、チップ３２１内に形成される。
なお、ここでは、通信機とはＲＦＩＤと無線通信により情報の送受信を行う手段を有していればよく、例えば、情報を読み取るリーダや、読み取り機能及び書き込み機能を備えたリーダ／ライタ等が挙げられる。また、読み取り機能と書き込み機能の一方又は両方を備える携帯電話やコンピュータ等も含まれる。
整流回路４６２は、アンテナ４１１で受信された搬送波を整流し、直流電圧を生成する。保持容量４６３は、整流回路４６２で生成された直流電圧を平滑化する。電源部４６０において生成された直流電圧は電源電圧として、信号処理部４６１の各回路に供給される。
信号処理部４６１は、復調回路４６４、クロック生成／補正回路４６５、認識／判定回路４６６と、メモリコントローラ４６７、マスクＲＯＭ４６８、符号化回路４６９、および変調回路４７０を有する。
復調回路４６４はアンテナ４１１で受信した信号を復調する回路である。復調回路４６４で復調された受信信号はクロック生成／補正回路４６５と認識／判定回路４６６に入力される。
クロック生成／補正回路４６５は信号処理部４６１の動作に必要なクロック信号を生成し、さらにそれを補正する機能を有する。例えば、クロック生成／補正回路４６５は、電圧制御発振回路（以下、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）回路）を有し、ＶＣＯ回路の出力を帰還信号にして、供給される信号との位相比較し、入力される信号と帰還信号が一定の位相になるよう負帰還により出力信号の調整を行う。
認識／判定回路４６６は、命令コードを認識し判定する。認識／判定回路４６６が認識し、判定する命令コードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等である。また、認識／判定回路４６６は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
メモリコントローラ４６７は、認識／判定回路４６６で処理された信号を基に、マスクＲＯＭ４６８からデータを読み出す。また、マスクＲＯＭ４６８は、ＩＤなどが記憶されている。マスクＲＯＭ４６８を搭載することで、複製や改ざんが不可能な読み取り専用のＲＦＩＤ５０１として構成される。このような読み取り専用のＲＦＩＤ５０１を紙に抄き込むことで、偽造防止の紙を提供することができる。
符号化回路４６９はメモリコントローラ４６７がマスクＲＯＭ４６８から読み出したデータを符号化する。符号化されたデータは変調回路４７０で変調される。変調回路４７０で変調されたデータはアンテナ４１１から搬送波として送信される。
次に、ＲＦＩＤの使用例について示す。本発明のＲＦＩＤはあらゆる紙媒体及びフィルム媒体に使用できる。特に、本発明のＲＦＩＤは、偽造防止が要求されるあらゆる紙媒体に使用することができる。例えば、紙幣、戸籍謄本、住民票、パスポート、免許証、身分証、会員証、鑑定書、診察券、定期券、手形、小切手、貨物引換証、船貨証券、倉庫証券、株券、債券、商品券、チケット、抵当証券などである。
また、本発明の実施により、紙媒体上で視覚的に示される情報以上の多くの情報を紙媒体及びフィルム媒体に持たせることができるため、本発明のＲＦＩＤを商品ラベルなどに適用することで、商品の管理の電子システム化や、商品の盗難の防止に利用できる。以下、図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）を用いて、本発明に係る紙の使用例を説明する。
図１０（Ａ）は、本発明のＲＦＩＤ５０１を抄き込んだ紙を使用した無記名債券類５１１の一例である。無記名債券類５１１には、切手、切符、チケット、入場券、商品券、図書券、文具券、ビール券、おこめ券、各種ギフト券、各種サービス券等が含まれるが、勿論これらに限定されるものではない。また、図１０（Ｂ）は、本発明に係るＲＦＩＤ５０１を抄き込んだ紙を使用した証書類５１２（例えば、住民票、戸籍謄本）の一例である。
図１０（Ｃ）は、本発明のＲＦＩＤをラベルに適用した一例である。ラベル台紙（セパレート紙）５１３上に、ＲＦＩＤ５０１が抄き込まれた紙でラベル（ＩＤシール）５１４が形成されている。ラベル５１４は、ボックス５１５内に収納されている。ラベル５１４上には、その商品や役務に関する情報（商品名、ブランド、商標、商標権者、販売者、製造者等）が印刷されている。さらに、ＲＦＩＤ５０１には、その商品（又は商品の種類）固有のＩＤナンバーが記憶されているため、偽造や、商標権、特許権等の知的財産権侵害、不正競争等の不法行為を容易に把握することができる。ＲＦＩＤ５０１には、商品の容器やラベルに明記しきれない多大な情報、例えば、商品の産地、販売地、品質、原材料、効能、用途、数量、形状、価格、生産方法、使用方法、生産時期、使用時期、賞味期限、取扱説明、商品に関する知的財産情報等を入力しておくことができる。そのため、取引者や消費者は、簡易な通信機によって、それらの情報にアクセスすることができる。また、生産者側からは容易に書換え、消去等も可能であるが、取引者、消費者側からは書換え、消去等ができない仕組みになっている。
図１０（Ｄ）は、ＲＦＩＤ５０１を抄き込んだ紙またはフィルムでなるタグ５１６を示している。ＲＦＩＤ５０１を抄き込んだ紙またはフィルムでタグ５１６を作製することで、プラスチックの筐体を使用した従来のＩＤタグよりも安価に製造することができる。そのような例を図１０（Ｅ）に示す。図１０（Ｅ）は、本発明のＲＦＩＤを表紙に用いた書籍５１７であり、表紙にＲＦＩＤ５０１が抄き込まれている。
本発明の半導体装置の一例であるＲＦＩＤを搭載したラベル５１４やタグ５１６を商品に取り付けておくことで、商品管理が容易になる。例えば、商品が盗難された場合に、商品の経路を辿ることによって、その犯人を迅速に把握することができる。このように、本発明のＲＦＩＤをＩＤタグとして用いることで、商品の原材料や産地、製造や加工、流通、販売などに至るまでの履歴管理や、追跡照会を可能にする。すなわち、商品のトレーサビリティを可能にする。また、本発明により、商品のトレーサビリティ管理システムを従来よりも低コストで導入をすることを可能する。
また、本発明の半導体装置の一例であるＲＦＩＤは、局所的押圧により破壊しにくい。このため、本発明の半導体装置の一例であるＲＦＩＤを有する紙媒体及びフィルム媒体は、貼り付けや設置等の処理において、湾曲させることが可能であり、処理効率が高まる。また、本発明の半導体装置の一例であるＲＦＩＤを有する紙媒体及びフィルム媒体に筆記用具で情報を記入することが可能であるため、用途範囲が広がる。
［実施の形態５］
本実施の形態では、実施の形態４のＲＦＩＤを設けた電子機器について以下に示す。
実施の形態４のＲＦＩＤを設けた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図１１（Ａ）〜図１１（Ｅ）に示す。
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、デジタルカメラを示している。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）の裏側を示す図である。このデジタルカメラは、筐体２１１１、表示部２１１２、レンズ２１１３、操作キー２１１４、シャッターボタン２１１５などを有する。筐体２１１１内部には、記憶装置、ＭＰＵ、イメージセンサ等の機能を有する本発明の半導体装置２１１６を備えている。
また、図１１（Ｃ）は、携帯電話を示しており、携帯端末の１つの代表例である。この携帯電話は筐体２１２１、表示部２１２２、操作キー２１２３、光センサ２１２４などを含む。また、携帯電話の内部には、記憶装置、ＭＰＵ、イメージセンサ等の機能を有する本発明の半導体装置２１２５を備えている。
また、図１１（Ｄ）は、デジタルプレーヤーを示しており、オーディオ装置の１つの代表例である。図１１（Ｄ）に示すデジタルプレーヤーは、本体２１３０、表示部２１３１、記憶装置、ＭＰＵ、イメージセンサ等の機能を有する本発明の半導体装置２１３２、操作部２１３３、イヤホン２１３４等を含んでいる。
また、図１１（Ｅ）は、電子ブック（電子ペーパーともいう）を示している。この電子ブックは、本体２１４１、表示部２１４２、操作キー２１４３、記憶装置、ＭＰＵ、イメージセンサ等の機能を有する本発明の半導体装置２１４４を含んでいる。またモデムが本体２１４１に内蔵されていてもよいし、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
以上の様に、本発明の半導体装置の適用範囲は極めて広く、他の電子機器に用いることが可能である。
本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の繊維体を示す上面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図。 本発明の半導体装置作製方法を示す断面図及び上面図。 本発明の半導体装置の応用例を説明するブロック図。 本発明の半導体装置の応用例を説明する図。 本発明の半導体装置を適用することが可能な電子機器を説明する図。
符号の説明
４１ 層間絶縁膜
４２ 層間絶縁膜
４３ 層間絶縁膜
５１ 素子層
５２ａ 薄膜トランジスタ
５２ｂ 薄膜トランジスタ
５３ａ 半導体層
５３ｂ 半導体層
５４ ゲート絶縁層
５５ａ ゲート電極
５５ｂ ゲート電極
５６ 絶縁層
５７ａ 配線
５７ｂ 配線
５８ａ 配線
５８ｂ 配線
６１ 素子層
６２ 記憶素子
６３ フローティングゲート電極
６４ トンネル絶縁層
６５ コントロール絶縁層
７１ 素子層
７２ ダイオード
７３ 受光部
７４ 電極
８１ 素子層
８２ 配線
８３ 電極
１１３ 繊維体
１１３ａ 経糸
１１３ｂ 緯糸
１１３ｃ バスケットホール
１１４ 有機樹脂層
３０１ 基板
３０２ 剥離層
３０３ 半導体素子層
３０４ 導電性樹脂
３０５ 封止層
３０６ 溝
３０７ ローラ
３１１ 封止層
３１２ 開口部
３１３ レーザビーム
３１４ 溝
３１５ 導電性接着材
３１６ 接着材
３１７ アンテナ
３１８ 基体
３１９ 基体
３２１ チップ
３２２ 凹部
３２３ 繊維体
３２４ 有機樹脂層
３３１ アンテナ
３３２ 基材
４１１ アンテナ
４１２ 回路部
４６０ 電源部
４６１ 信号処理部
４６２ 整流回路
４６３ 保持容量
４６４ 復調回路
４６５ クロック生成／補正回路
４６６ 認識／判定回路
４６７ メモリコントローラ
４６８ マスクＲＯＭ
４６９ 符号化回路
４７０ 変調回路
５０１ ＲＦＩＤ
５１１ 無記名債券類
５１２ 証書類
５１３ ラベル台紙（セパレート紙）
５１４ ラベル
５１５ ボックス
５１６ タグ
５１７ 書籍
２１１１ 筐体
２１１２ 表示部
２１１３ レンズ
２１１４ 操作キー
２１１５ シャッターボタン
２１１６ 半導体装置
２１２１ 筐体
２１２２ 表示部
２１２３ 操作キー
２１２４ 光センサ
２１２５ 半導体装置
２１３０ 本体
２１３１ 表示部
２１３２ 半導体装置
２１３３ 操作部
２１３４ イヤホン
２１４１ 本体
２１４２ 表示部
２１４３ 操作キー
２１４４ 半導体装置

Claims (9)

  1. 薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、
    前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、
    前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層と、
    を有するチップと、
    凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナと、
    を有し、
    前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じであることを特徴とする半導体装置。
  2. 薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、
    前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、
    前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層と、
    を有するチップと、
    凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナと、
    前記チップ及びアンテナを覆って設けられる基体と、
    を有し、
    前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さは、前記基体の厚さの２／３以上４／３以下であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記繊維体は、有機化合物材料又は無機化合物材料の単糸を複数本束ねた経糸及び緯糸が密に織り込まれていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
    前記繊維体は、織布または不織布であることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
    前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維で形成されることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
    前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項６において、
    前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項６において、
    前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
    前記アンテナとしては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）の少なくとも１つを含むことを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1970951A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1970952A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2008246104A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Angel Shoji Kk Ｒｆｉｄを内蔵したゲームカードおよびその製造方法
CN101803008B (zh) 2007-09-07 2012-11-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8284557B2 (en) * 2007-10-18 2012-10-09 Kyocera Corporation Circuit board, mounting structure, and method for manufacturing circuit board
JP2009205669A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5460108B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
WO2009148001A1 (en) * 2008-06-06 2009-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2010041040A (ja) * 2008-07-10 2010-02-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
KR102026604B1 (ko) 2008-07-10 2019-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
WO2010032573A1 (en) 2008-09-17 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2010032611A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010035627A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2010035625A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semi conductor device
KR101732397B1 (ko) * 2009-06-05 2017-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치 및 그의 제작 방법
WO2010140539A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
KR101677076B1 (ko) * 2009-06-05 2016-11-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 디바이스 및 그 제조 방법
TWI517268B (zh) * 2009-08-07 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 端子構造的製造方法和電子裝置的製造方法
JP5719560B2 (ja) * 2009-10-21 2015-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 端子構造の作製方法
DK2720862T3 (en) 2011-06-17 2016-09-19 Fiberweb Inc Vapor permeable, water impervious TOTAL MAJOR MULTI-LAYER ARTICLE
US10369769B2 (en) 2011-06-23 2019-08-06 Fiberweb, Inc. Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article
EP2723568B1 (en) 2011-06-23 2017-09-27 Fiberweb, LLC Vapor permeable, substantially water impermeable multilayer article
US9765459B2 (en) 2011-06-24 2017-09-19 Fiberweb, Llc Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article
DE102013210668A1 (de) * 2013-06-07 2014-12-11 Würth Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls
US10081894B2 (en) 2014-05-23 2018-09-25 Avery Dennison Retail Information Services, Llc Merchandise tags incorporating a durable antenna
CN109808280B (zh) * 2018-12-27 2021-11-05 浙江华正新材料股份有限公司 一种芳纶布高强度高柔韧性覆铜板的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021397A (ja) * 1988-03-04 1990-01-05 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止方法
JPH10181261A (ja) * 1996-12-20 1998-07-07 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃカード
JP2001523364A (ja) * 1997-05-01 2001-11-20 マイクロン テクノロジー，インク． 基板内に集積回路を形成する方法及び埋込回路
JP2007152939A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 機能性を有する層、及びそれを有する可撓性基板の形成方法、並びに半導体装置の作製方法
JP2007193395A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃタグの製造方法

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990008802A1 (en) 1989-01-25 1990-08-09 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha New prepreg and composite molding, and production of composite molding
DE3907757A1 (de) 1989-03-10 1990-09-13 Mtu Muenchen Gmbh Schutzfolie
JPH05190582A (ja) 1992-01-08 1993-07-30 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JP3024399B2 (ja) 1992-11-13 2000-03-21 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
JP3523718B2 (ja) 1995-02-06 2004-04-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US6223990B1 (en) 1995-06-16 2001-05-01 Rohm Co., Ltd. Communication system including a dual passive antenna configuration
JPH1092980A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Toshiba Corp 無線カードおよびその製造方法
JPH10307898A (ja) 1997-05-09 1998-11-17 Toppan Printing Co Ltd 充電式非接触ｉｃカードシステム
JP3646472B2 (ja) 1997-05-19 2005-05-11 株式会社日立製作所 非接触型ｉｃカードおよび送受信回路
JP3566056B2 (ja) 1997-12-26 2004-09-15 セイコーインスツルメンツ株式会社 電子機器
US6414318B1 (en) 1998-11-06 2002-07-02 Bridge Semiconductor Corporation Electronic circuit
JP2004078991A (ja) 1998-12-17 2004-03-11 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
TW484101B (en) 1998-12-17 2002-04-21 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US6224965B1 (en) 1999-06-25 2001-05-01 Honeywell International Inc. Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling
JP4423779B2 (ja) * 1999-10-13 2010-03-03 味の素株式会社 エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた接着フィルム及びプリプレグ、及びこれらを用いた多層プリント配線板及びその製造法
US6509217B1 (en) 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same
DE10004922A1 (de) * 2000-02-04 2001-08-09 Giesecke & Devrient Gmbh Transponder, insbesondere für eine kontaktlose Chipkarte
JP3835968B2 (ja) * 2000-03-06 2006-10-18 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したｉｃカード及びそれを搭載した電子機器
US20020049714A1 (en) * 2000-05-11 2002-04-25 Shunpei Yamazaki Communication system
WO2001096100A1 (en) * 2000-06-14 2001-12-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Multilayered polymeric structure
JP2002231545A (ja) 2001-02-02 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非接触電源装置
JP3905418B2 (ja) 2001-05-18 2007-04-18 セイコーインスツル株式会社 電源装置および電子機器
JP2003006592A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報送受信装置
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003070187A (ja) 2001-08-27 2003-03-07 Toshiba Eng Co Ltd 非接触データキャリア装置並びに内蔵二次電池の充電方法
JP2003123033A (ja) 2001-10-12 2003-04-25 Nec Eng Ltd Ｉｃチップ及びそれを用いる商品管理システム並びに商品管理方法
US6737302B2 (en) 2001-10-31 2004-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for field-effect transistor
KR100430001B1 (ko) * 2001-12-18 2004-05-03 엘지전자 주식회사 다층기판의 제조방법, 그 다층기판의 패드 형성방법 및 그다층기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
JP3915092B2 (ja) 2002-01-21 2007-05-16 株式会社エフ・イー・シー Ｉｃカード用のブースタアンテナ
JP4007932B2 (ja) 2002-03-19 2007-11-14 株式会社タキオン マイクロ波送電法、マイクロ波受電装置及びｉｄタグシステム
JP2003299255A (ja) 2002-04-02 2003-10-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 携帯型充電装置
WO2004001848A1 (en) 2002-06-19 2003-12-31 Sten Bjorsell Electronics circuit manufacture
US7485489B2 (en) * 2002-06-19 2009-02-03 Bjoersell Sten Electronics circuit manufacture
JP2004023765A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sanyo Electric Co Ltd 無線型データ伝送装置
JP2004064937A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Nec Corp チャージポンプ型昇圧回路
EP1559278B1 (en) * 2002-10-18 2013-05-15 Symbol Technologies, Inc. System and method for minimizing unwanted re-negotiation of a passive rfid tag
JP4015008B2 (ja) * 2002-11-21 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 通信用半導体集積回路および無線通信システム
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
JP2004343410A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Hitachi Maxell Ltd 非接触通信式情報担体
JP4828088B2 (ja) 2003-06-05 2011-11-30 凸版印刷株式会社 Ｉｃタグ
JP3902769B2 (ja) * 2003-08-29 2007-04-11 松下電器産業株式会社 降圧電圧出力回路
US7737658B2 (en) * 2003-10-27 2010-06-15 Sony Corporation Battery packs having a charging mode and a discharging mode
US7768405B2 (en) * 2003-12-12 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2005229098A (ja) 2003-12-12 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US7494066B2 (en) 2003-12-19 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2005210843A (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Toyota Motor Corp 電力供給システム、車載電源装置及び路側電源装置
JP2005235615A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Hitachi Maxell Ltd アダプタパネル、電子機器、及びケーブルコネクタ認識システム
JP2005252853A (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Fec Inc Ｒｆ−ｉｄ用アンテナ
US20050233122A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Mikio Nishimura Manufacturing method of laminated substrate, and manufacturing apparatus of semiconductor device for module and laminated substrate for use therein
JP2005316724A (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Matsushita Electric Works Ltd アクティブ型ｒｆｉｄタグ
JP2005321911A (ja) 2004-05-07 2005-11-17 Dainippon Printing Co Ltd 発光素子付き透明ｉｃカード
JP2005352434A (ja) 2004-05-11 2005-12-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4611093B2 (ja) * 2004-05-12 2011-01-12 セイコーインスツル株式会社 電波発電回路
JP2006004015A (ja) 2004-06-15 2006-01-05 Ts Photon:Kk バッテリーレス型プログラム制御可能な論理回路付きｒｆｉｄ応答器
JP2006024087A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nec Corp 無線デバイス、その製造方法、その検査方法及び検査装置並びに無線装置及びその製造方法
US7804203B2 (en) 2004-09-09 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip
JP2006180073A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Okayama Prefecture 無線ｉｃタグ
JP4541246B2 (ja) 2004-12-24 2010-09-08 トッパン・フォームズ株式会社 非接触ｉｃモジュール
JP2006293690A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Sanyo Electric Co Ltd 集積回路及び無線ｉｃタグ
WO2007105607A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007108371A1 (en) 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI431726B (zh) 2006-06-01 2014-03-21 Semiconductor Energy Lab 非揮發性半導體記憶體裝置
CN101479747B (zh) 2006-06-26 2011-05-18 株式会社半导体能源研究所 包括半导体器件的纸及其制造方法
EP2070019A4 (en) 2006-10-02 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021397A (ja) * 1988-03-04 1990-01-05 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止方法
JPH10181261A (ja) * 1996-12-20 1998-07-07 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃカード
JP2001523364A (ja) * 1997-05-01 2001-11-20 マイクロン テクノロジー，インク． 基板内に集積回路を形成する方法及び埋込回路
JP2007152939A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 機能性を有する層、及びそれを有する可撓性基板の形成方法、並びに半導体装置の作製方法
JP2007193395A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃタグの製造方法

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