JP3614747B2 - 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 - Google Patents

昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP3614747B2
JP3614747B2 JP2000061723A JP2000061723A JP3614747B2 JP 3614747 B2 JP3614747 B2 JP 3614747B2 JP 2000061723 A JP2000061723 A JP 2000061723A JP 2000061723 A JP2000061723 A JP 2000061723A JP 3614747 B2 JP3614747 B2 JP 3614747B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
clock
clock signal
booster circuit
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000061723A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001250393A (ja
Inventor
悟 奥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2000061723A priority Critical patent/JP3614747B2/ja
Priority to US09/795,194 priority patent/US6525595B2/en
Priority to KR10-2001-0011335A priority patent/KR100430456B1/ko
Priority to CNB011092971A priority patent/CN1179474C/zh
Priority to TW090105475A priority patent/TW533663B/zh
Publication of JP2001250393A publication Critical patent/JP2001250393A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3614747B2 publication Critical patent/JP3614747B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0701Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、供給された電圧を昇圧する昇圧回路、それを搭載したICカード及びそれを搭載した電子機器に関し、特に、電流ピークの低減及び昇圧効率の向上を図った昇圧回路、それを搭載したICカード及びそれを搭載した電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、記憶媒体として非接触型IC(集積回路)カードが注目されている。非接触型ICカードは、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)を内蔵し、端末から発信した高周波信号をアンテナで受信して内部で使用する電力を発生させる。
【0003】
図17は非接触ICカードにおける各回路に供給される電圧の関係を示す模式図である。
【0004】
図17に示すように、非接触型ICカード101には、アンテナで受信した信号からデータ成分を抽出すると共に内部電源電圧Vddを発生させるRF回路102が設けられている。また、内部電源電圧Vddで動作する中央処理装置(CPU)103、入出力回路104及び周辺回路105が設けられている。ICカード101には、データが保存されるEEPROM106が内蔵され、このEEPROM106におけるデータの書込消去に使用する電圧Vppを発生させるチャージポンプ107が設けられている。なお、EEPROM106のデコーダ等は内部電源電圧Vddで動作する。更に、ICカード101には、内部電源電圧Vddをチャージポンプ用電圧Vcpに降圧する電圧レギュレータ108、及びチャージポンプ用電圧Vcpを分圧してチャージポンプ107のクロック信号(周波数:4乃至8MHz程度)を発生するリング発振器109が設けられている。
【0005】
なお、通常、内部電源電圧Vddは2.2乃至3.3V程度、チャージポンプ用電圧Vcpは2.0乃至2.5V程度、電圧Vppは12乃至13V程度である。
【0006】
また、高周波信号を受信して発生する電力(内部電源電圧Vdd)の大きさは、端末から非接触型ICカードまでの距離及びアンテナの形状等に依存し、電力の発生効率はあまり高いものではない。そこで、ICカード101には、内部電源電圧Vddが降下したときにCPU103、入出力回路104及び周辺回路105等の誤動作を防止するためにそれらの動作を停止させる安全回路110が内蔵されている。
【0007】
CPU103に供給されるクロック信号はRF回路102において受信した信号から抽出されるものであり、このクロック信号はCPU103だけでなく、入出力回路104、周辺回路105、安全回路110及び電圧レギュレータ108にも、動作クロック信号(制御クロック信号)として入力される。
【0008】
図18は従来のチャージポンプの一例を示す回路図である。
【0009】
従来のチャージポンプにおいては、例えば複数個のトランジスタTr100、Tr101、Tr102、Tr103、Tr104、…が互いに直列に接続されている。トランジスタTr100のゲート及びソースには、チャージポンプ用電圧Vcpが供給される。また、隣り合うトランジスタ間の各ノードには、夫々コンデンサC101、C102、C103、C104、…の各一端が接続され、これらのコンデンサの各他端には、インバータIV101、IV102、IV103、IV104、…が接続されている。インバータIV101、IV103、…には、リング発振器109が発振したクロック信号CLKが入力され、インバータIV102、IV104、…には、クロック信号CLKの反転信号CLKBが入力される。従って、インバータIV101、IV103、…が互いに同時に駆動され、インバータIV102、IV104、…が互いに同時に駆動される。なお、クロック信号CLKは図17におけるクロック信号CLKに相当するものである。
【0010】
また、特開平2−62796号公報には、インバータを直列に接続した昇圧回路が開示されている。図19は特開平2−62796号公報に記載された昇圧回路を示す回路図である。
【0011】
この公報に記載された昇圧回路においても、複数個のトランジスタTr110、Tr111、Tr112、Tr113、Tr114、…が互いに直列に接続され、トランジスタTr110のゲート及びソースに電源電圧が供給される。また、隣り合うトランジスタ間の各ノードには、夫々コンデンサC111、C112、C113、C114、…の各一端が接続され、これらのコンデンサの各他端には、インバータIV111、IV112、IV113、IV114、…が接続されている。なお、これらのインバータIV111、IV112、IV113、IV114、…は、互いに直列に接続されており、初段のインバータIV111にクロック信号CLKが入力される。従って、トランジスタTr111、Tr113、…には、クロック信号CLKの逆位相の信号が入力され、トランジスタTr112、Tr114、…には、クロック信号CLKと同位相の信号が入力されるので、インバータIV111、IV113、…が互いに同時に駆動され、インバータIV112、IV114、…が互いに同時に駆動される。但し、直列接続されたインバータによりクロック信号に遅延が生じるため、各トランジスタの動作タイミングは徐々にずれるものとなっている。なお、クロック信号CLKは図17におけるクロック信号CLKに相当するものである。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図18に示す従来のチャージポンプにおいては、約半数のトランジスタが1相のクロック信号で駆動されるため、クロックドライバの負荷が大きく、多数のクロックドライバが同時に動作するためにクロック信号の立ち上がり時の電源電流のピークが極めて高いものとなるという問題点がある。即ち、電源電流のピークが極めて高いものとなると、その瞬間に電圧レギュレータ108に供給される電力が急増し、他の回路に供給される電力が急激に低下してしまう。安全回路110は比較的なだらかな電力の低下に対しては、それを検出して他の回路の誤動作を防止することができるが、上述のような急激な低下を検出してCPU103等の回路の動作を停止させることはできない。このため、電源電流のピークが高くなると、CPU103等の誤動作が発生しやすくなってしまう。
【0013】
一方、図19に示す従来の昇圧回路においては、インバータIV111、…が遅延発生及び駆動の機能を発揮するように接続されているため、昇圧時間を短くするためにクロック周期を短くして遅延量を小さくしようとすると、前段の電流に次段の電流が重畳し、後段になるほど電流量が大きくなる。このため、電流ピークの低減は十分とはいえず、段数が大きくなるほど、電流ピークが大きくなってしまう。
【0014】
また、特開平11−164545号公報には、複数のチャージポンプ段を設け各チャージポンプ段の動作をずらしたチャージポンプが記載されているが、電流ピークはそれまでものと比較すると低減されているものの十分なものとはいえない。また、次段のクロック信号とハイ期間が重なっているために充放電時間が十分に確保されないので、昇圧効率が落ちるという問題点もある。
【0015】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、電流ピークを低減することにより、非接触型ICカード内の他の回路の誤動作を防止することができる昇圧回路、それを搭載したICカード及びそれを搭載した電子機器を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る昇圧回路は、直列に接続された第1乃至第k(kは偶数)のトランジスタと、夫々前記第1乃至第kのトランジスタのゲート及びソースに一端が接続された第1乃至第kのコンデンサと、前記第1乃至第kのコンデンサの他端に互いに位相が異なるk相のクロック信号を夫々供給するクロックドライバと、を有し、前記クロックドライバは、互いに隣接する2個以上の前記コンデンサに同時にロウレベルとなるクロック信号を供給するものであることを特徴とする。
【0017】
本発明においては、クロックドライバが互いに隣接する2個以上のコンデンサに同時にロウレベルとなるクロック信号を供給するので、ハイのクロック信号が供給されたコンデンサに接続されたトランジスタの次段以降にロウレベルのノードが2個以上存在する。従って、例えば前記ハイのクロック信号が供給されたコンデンサに接続されたトランジスタが10の電荷を次段のノードに伝達するものであるとすると、この10の電荷の伝達によって次段のトランジスタもオン状態となり、更に次段のノードに10の電荷のうちいくつかの電荷が伝達される。この結果、各ノードの電位の上昇が早くなり、逆流といった悪影響が早めに防止され、昇圧効率が向上する。
【0018】
本発明に係る他の昇圧回路は、直列に接続された第1乃至第k(kは偶数)のトランジスタと、夫々前記第1乃至第kのトランジスタのゲート及びソースに一端が接続された第1乃至第kのコンデンサと、前記第1乃至第kのコンデンサの他端に互いに位相が異なるクロック信号を供給するクロックドライバと、を有し、前記クロックドライバは、前記第1乃至第kのコンデンサを第1のコンデンサからn個(nはkの約数)ずつの群に分けたとき、前記第1乃至第nのコンデンサにハイとなる期間が互いに重複せず立ち上がりタイミングが前記第1のコンデンサから前記第nのコンデンサにかけて順にずれたn相のクロック信号を供給し、他の群には群毎に前記n相のクロック信号に一定の遅延量を付加した他のn相のクロック信号を供給するものであることを特徴とする。
【0019】
この場合、第1乃至第nのコンデンサにハイとなる期間が互いに重複せず立ち上がりタイミングが第1のコンデンサから第nのコンデンサにかけて順にずれたn相のクロック信号が供給されるので、これらのコンデンサに接続されたトランジスタでは、前段のトランジスタがオン状態となったときにこのトランジスタのゲート及びソースの電位も上昇する。その後、このような電位の上昇が、第(n+1)のトランジスタから第kのトランジスタでも繰り返される。この結果、k相のクロック信号の位相は互いに異なっているため、各ノードの充放電時間が十分に確保され、昇圧効率が向上する。また、各クロック信号の立ち上がりタイミングが互いにずれているため、電流ピークが低減され、電流ピークによる他の回路の誤動作が防止される。
【0020】
なお、前記クロックドライバは、基本クロック信号をk種の分周信号とこれらのk種の分周信号の反転信号である反転分周信号に分周する分周手段と、前記k種の分周信号及び前記k種の反転分周信号の論理合成をとることにより前記k相のクロック信号を生成する論理ゲートと、を有してもよく、基本クロック信号を前記n相のクロック信号に分周する分周手段と、前記n相のクロック信号に前記群毎に一定の遅延量を付加して群毎にn相のクロック信号を生成する遅延手段と、を有してもよい。後者の場合、前記遅延手段は、群毎に直列接続された偶数個のインバータを有することができる。
【0021】
また、前記第1のトランジスタの前段に接続され電源にダイオード接続された初段トランジスタを有してもよく、前記第1のトランジスタの前段に接続されゲートに前記k相のクロック信号のうち前記第1のクロック信号を除く一のクロック信号が供給される初段トランジスタを有してもよい。
【0022】
本発明に係るICカードは、上述の昇圧回路と、この昇圧回路から出力された電圧によりデータの書込及び消去を行う記憶手段と、を有することを特徴とする。
【0023】
なお、ICカードは、受信した電波を前記昇圧回路に供給する電圧に変換する変換手段を有してもよい。
【0024】
本発明に係る電子機器は、上述の昇圧回路と、この昇圧回路に電圧を供給する電圧供給手段と、を有することを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例に係る昇圧回路について、添付の図面を参照して具体的に説明する。第1の実施例は図17に示す非接触型ICカードに適用されるチャージポンプである。図1は本発明の第1の実施例に係る昇圧回路の構成を示すブロック図である。図2は第1の実施例におけるチャージポンプの構成を示す回路図であり、図3は第1の実施例におけるクロックドライバの構成を示すブロック図である。図4は分周器の構成を示すブロック図である。
【0026】
第1の実施例に係る昇圧回路には、チャージポンプ1と、このチャージポンプ1に8相のクロック信号CLK1乃至CLK8を供給するクロックドライバ(発生器)2と、このクロックドライバ2にクロック信号CLK0を供給するリング発振器3と、が設けられている。チャージポンプ1、クロックドライバ2及びリング発振器3は、夫々図17におけるチャージポンプ107、クロックドライバ111及びリング発振器109に相当するものである。なお、第1の実施例においては、クロック信号CLK0は、図17に示すICカードにおいてリング発振器109から出力されるクロック信号CLKに相当するものであるが、クロック信号CLK0は、CPU制御クロック信号等の他のクロック信号であってもよく、リング発振器の出力信号に限定されるものではない。
【0027】
チャージポンプ1においては、例えば9個のNチャネルトランジスタTr0乃至Tr8が互いに直列に接続されている。トランジスタTr0乃至Tr8は、例えばノンドープのトランジスタである。初段のトランジスタTr0は、逆流防止のために設けられたトランジスタであって、電源にダイオード接続され、そのゲート及びソースには、チャージポンプ用電圧Vcpが供給され、最終段のトランジスタTr8のドレインからEEPROMに電圧Vppが出力される。また、隣り合うトランジスタ間の各ノードN1乃至N8には、夫々コンデンサC1乃至C8の一端が接続されている。コンデンサC1乃至C8の他端には、夫々クロック信号CLK1乃至CLK8が入力される。コンデンサC1乃至C8の容量は、例えば8pF程度である。
【0028】
クロックドライバ2には、入力された信号を1/2分周する6個の分周器D1乃至D6が設けられている。
【0029】
分周器D1乃至D6は、例えば図4に示すような構成を有している。即ち、分周器D1乃至D6には、入力信号INが入力されるインバータIV11、及びこのインバータIV11の出力信号を反転するインバータIV12が設けられている。また、図17おける周辺回路105のような周辺回路により生成されたリセット信号を入力する否定論理和回路NOR1及びNOR2が設けられている。更に、否定論理和回路NOR1の出力信号が入力されるインバータIV13及びIV14が設けられている。但し、否定論理和回路NOR1とインバータIV14との間にはトランスファゲートG3が設けられている。否定論理和回路NOR2の出力信号は、トランスファゲートG1を介して否定論理和回路NOR1の一入力端に入力され、インバータIV13の出力信号は、トランスファゲートG2を介して否定論理和回路NOR1の前記一入力端に入力される。また、否定論理和回路NOR2の出力信号はトランスファゲートG4を介してインバータIV14にも入力される。インバータIV14にインバータIV15及びIV16が直列に接続されており、インバータIV16の出力信号が分周器の出力信号となる。トランスファゲートG1乃至G4の切替はインバータIV11及びIV12の各出力信号により行われる。図5は図4に示す分周器の動作を示すタイミングチャートである。
【0030】
なお、これらの分周器D1乃至D6においては、リセット信号は、例えばEEPROMへの書込動作制御信号であり、このリセット信号がハイとなると否定論理和回路NOR1及びNOR2の出力信号がロウとなるので、分周動作が停止し、チャージポンプ1による昇圧動作が停止する。
【0031】
また、クロックドライバ2においては、クロック信号CLK0が入力される入力端子と分周器D2との間にインバータIV1が接続されており、分周器D2には、クロック信号CLK0の反転信号CLKBが入力される。また、インバータIV1と分周器D1との間にインバータIV2が接続されており、分周器D1には、クロック信号CLK0と同相の信号CLKが入力される。なお、第1の実施例においては、クロック信号CLK0は、図17に示すICカードにおいてリング発振器109から出力されるクロック信号CLKに相当するものであるが、クロック信号CLK0は、CPU制御クロック信号等の他のクロック信号であってもよく、リング発振器の出力信号に限定されるものではない。
【0032】
分周器D1の出力信号CLKHは分周器D4に入力される。また、分周器D1と分周器D3との間にインバータIV3が接続されており、分周器D3には、出力信号CLKHの反転信号CLKBが入力される。
【0033】
一方、分周器D2の出力信号CLKH2は分周器D6に入力される。また、分周器D2と分周器D5との間にインバータIV4が接続されており、分周器D5には、出力信号CLKH2の反転信号CLKH2Bが入力される。
【0034】
更に、分周器D3の出力信号CLKQ2を反転して反転信号CLKQ2Bを出力するインバータIV5、分周器D4の出力信号CLKQを反転して反転信号CLKQBを出力するインバータIV6、分周器D5の出力信号CLKQ4を反転して反転信号CLKQ4Bを出力するインバータIV7、及び分周器D6の出力信号CLKQ3を反転して反転信号CLKQ3Bを出力するインバータIV8が設けられている。
【0035】
更にまた、信号CLKQ2Bと信号CLKQとの論理積をとる論理積回路AND1、信号CLKQと信号CLKQ2との論理積をとる論理積回路AND2、信号CLKQBと信号CLKQ2との論理積をとる論理積回路AND3、信号CLKQBと信号CLKQ2Bとの論理積をとる論理積回路AND4、信号CLKQ4Bと信号CLKQ3との論理積をとる論理積回路AND5、信号CLKQ4と信号CLKQ3との論理積をとる論理積回路AND6、信号CLKQ4と信号CLKQ3Bとの論理積をとる論理積回路AND7、及び信号CLKQ4Bと信号CLKQ3Bとの論理積をとる論理積回路AND8が設けられている。そして、論理積回路AND1乃至AND8の出力信号が、夫々クロック信号CLK1乃至CLK8となっている。
【0036】
図6はクロックドライバ2における各信号の変化を示すタイミングチャートである。図6に示すように、クロック信号CLK1乃至CLK4は、非接触型ICカードのCPU等に使用されるクロック信号CLK0を、ハイの期間が互いに重なり合わないように分周したものとなり、クロック信号CLK5乃至CLK8は、夫々クロック信号CLK1乃至CLK4をクロック信号CLK0の半周期分遅延させたものとなる。
【0037】
次に、上述のように構成された第1の実施例の動作について説明する。図7(a)乃至(d)は、夫々第1の実施例におけるノードN4、N3、N2及びN1の電位の変化を示すグラフ図であり、(e)は(a)乃至(d)に対応したクロック信号CLK1乃至CLK4の変化を示すタイミングチャートである。
【0038】
クロック信号CLK1が立ち上がると、ノードN1の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN1は放電される。この電位をVN1とする。その一方で、ノードN1の放電に伴って、トランジスタTr1がオンしてノードN2が充電され、トランジスタTr2がオンしてノードN3が若干充電される。しかし、ノードN3の電位の上昇はトランジスタTr3をオンするほどのものではなく、ノードN4の電位は変動しない。トランジスタTr1及びTr2のしきい値電圧を夫々V(Tr1)、V(Tr2)とすると、ノードN2の電位は、「VN1−V(Tr1)」となり、ノードN3の電位は、「VN1−V(Tr1)−V(Tr2)」となる。
【0039】
次に、クロック信号CLK1が立ち下がると同時にクロック信号CLK2が立ち上がると、ノードN2の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN2は放電される。ノードN2の電位の上昇は、前のタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN1の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、ノードN3は、クロック信号CLK1が立ち上がったときと同様の要領で更に充電され、その電位は「VN2−V(Tr2)」となる。これに伴って、トランジスタTr3がオンしてノードN4も若干充電され、トランジスタTr3のしきい値電圧をV(Tr3)とすると、ノードN4の電位は、「VN2−V(Tr2)−V(Tr3)」となる。一方、ノードN1については、トランジスタTr0が電源にダイオード接続されているので、ノードN1は充電され、その電位は「Vcp−V(Tr0)」となる。ここで、V(Tr0)は、トランジスタTr0のしきい値電圧である。
【0040】
次に、クロック信号CLK2が立ち下がると同時にクロック信号CLK3が立ち上がると、ノードN3の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN3は放電される。ノードN3の電位の上昇は、電位が前の2つのタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN2の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、ノードN4は、クロック信号CLK2が立ち上がったときと同様の要領で、更に充電され、その電位は「VN3−V(Tr3)」となる。更に、ノードN2の充電が開始される。
【0041】
次に、クロック信号CLK3が立ち下がると同時にクロック信号CLK4が立ち上がると、ノードN4の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN4は放電される。ノードN4の電位の上昇は、電位が前の2つのタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN3の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、ノードN3の充電が開始される。
【0042】
その後、クロック信号CLK4が立ち下がると同時にクロック信号CLK1が立ち上がり、上述の工程がトランジスタTr1乃至Tr4の間で繰り返される。このように、ノードNk+1の電位は、充電によりVNk−V(Trk)まで上昇している。
【0043】
また、トランジスタTr5乃至Tr8に関しては、クロック信号CLK4が立ち下がってからクロック信号CLK0の半周期経過した後、クロック信号CLK5が立ち上がる。そして、クロック信号CLK5乃至CLK8は、夫々クロック信号CLK1乃至CLK4を遅延させたものであるので、上述の工程と同様の工程が行われ、トランジスタTr8のドレインからチャージポンプ用電圧Vcpを昇圧した電圧Vppが出力される。
【0044】
なお、上述の動作は、動作開始から約1乃至1.5μ秒経過後の動作であり、時間の経過と共にノードN2乃至N8の電位は上昇するので、例えばノードN1の電位が上昇したときのノードN3の電位の上昇程度は減少し、いずれその上昇程度は0に収束する。
【0045】
このように、第1の実施例によれば、各ノードの電位は前段のトランジスタがオンとなっているときに上昇し、そのノードに対応するクロック信号が立ち上がったときに更に上昇するので、チャージポンプ用電圧Vcpの昇圧が可能である。
【0046】
図8は第1の実施例におけるクロック信号CLK1乃至CLK8及び電源電流の変化を示すタイミングチャートである。図8に示すように、各トランジスタを立ち上げるタイミングは、全てずれているので、電源電流のピークは小さい。このため、電圧レギュレータに供給される電圧が急激に上昇することはなく、非接触型ICカードに適用しても、CPU等の他の回路の誤動作が防止される。
【0047】
更に、第1の実施例に設けられるトランジスタを駆動するクロックドライバ2については、1相のクロック信号が1個のトランジスタの駆動に使用されればよいので、クロックドライバ2の負荷が著しく軽減される。
【0048】
更にまた、各ノードの電位は、そのノードに対応するクロック信号が立ち上がる以前から上昇しているので、即ち充電期間が長く設けられているので、充電効率が高い。
【0049】
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第2の実施例においては、チャージポンプの構成が第1の実施例と相異している。図9は本発明の第2の実施例に係る昇圧回路におけるチャージポンプの構成を示す回路図である。なお、図9に示す第2の実施例におけるチャージポンプにおいて、図2に示す第1の実施例におけるチャージポンプと同一の構成要素には、同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0050】
第2の実施例におけるチャージポンプの初段のトランジスタTr0aはダイオード接続されておらず、そのゲートには、クロック信号CLK4が入力される。その他のクロックドライバ2等の構成は第1の実施例と同様である。
【0051】
次に、第2の実施例の動作について説明する。図10(a)乃至(d)は、夫々第2の実施例におけるノードN4、N3、N2及びN1の電位の変化を示すグラフ図であり、(e)は(a)乃至(d)に対応したクロック信号CLK1乃至CLK4の変化を示すタイミングチャートである。
【0052】
クロック信号CLK1が立ち上がると、ノードN1の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN1は放電される。その一方で、ノードN1の放電に伴って、第1の実施例と同様に、トランジスタTr1がオンしてノードN2が充電され、トランジスタTr2がオンしてノードN3も若干充電されるが、トランジスタTr3はオフのままであり、ノードN4の電位は変動しない。
【0053】
次に、クロック信号CLK1が立ち下がると同時にクロック信号CLK2が立ち上がると、ノードN2の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN2は放電される。ノードN2の電位の上昇は、前のタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN1の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、ノードN3は、クロック信号CLK1が立ち上がったときと同様の要領で更に充電され、これに伴って、トランジスタTr3がオンしてノードN4も若干充電される。一方、ノードN1の電位については、第1の実施例とは異なり、トランジスタTr0aのゲートにはクロック信号CLK4が供給されるので、この時点では、クロック信号CLK4がロウであり、トランジスタTr0がオフ状態となっているため、ノードN1の電位は0V近傍の値をとる。
【0054】
次に、クロック信号CLK2が立ち下がると同時にクロック信号CLK3が立ち上がると、ノードN3の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN4は放電される。ノードN3の上昇は、前の2つのタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN2の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、ノードN4の電位は前のタイミングよりも更に充電される。
【0055】
次に、クロック信号CLK3が立ち下がると同時にクロック信号CLK4が立ち上がると、ノードN4の電位は瞬間的に上昇するが、その後ノードN4は放電される。ノードN4の電位の上昇は、前の2つのタイミングで上昇した状態から更に引き上げられるため、ノードN3の電位が引き上げられたときのものよりも高くなる。また、クロック信号CLK4の立ち上がりにより、初段のトランジスタTr0aがオンする。このため、ノードN1が充電され、これに伴ってノードN2及びN3の電位も上昇する。
【0056】
その後、クロック信号CLK4が立ち下がると同時にクロック信号CLK1が立ち上がり、上述の工程がトランジスタTr1乃至Tr4の間で繰り返される。このように、第2の実施例においても、ノードNk+1の電位は、充電によりVNk−V(Trk)まで上昇している。
【0057】
また、トランジスタTr5乃至Tr8に関しては、第1の実施例の動作と同様の動作が行われ、トランジスタTr8のドレインからチャージポンプ用電圧Vcpを昇圧した電圧Vppが出力される。
【0058】
なお、上述の動作は、動作開始から約1乃至1.5μ秒経過後の動作であり、時間の経過共にノードN2乃至N8の電位は上昇するので、例えばノードN1の電位が上昇したときのノードN3の電位の上昇程度は減少し、いずれその上昇程度は0に収束する。
【0059】
このように、第2の実施例によっても、チャージポンプ用電圧Vcpの昇圧が可能である。また、各トランジスタを立ち上げるタイミングは、全てずれているので、電源電流のピークは小さく、CPU等の他の回路の誤動作が防止される。更に、クロックドライバ2についても、クロック信号CLK4が2個のトランジスタの駆動に使用されるものの、従来のものと比較するとその負荷の低減は著しく軽減されている。
【0060】
また、第2の実施例においては、クロック信号CLK1がハイとなるときにはトランジスタTr0aのゲートにはロウレベルのクロック信号が入力されるので、トランジスタTr0aのしきい値電圧が負であっても、限界はあるものの、通常このトランジスタTr0aはオンしないので、ノードN1からの逆流が防止される。
【0061】
更に、第2の実施例においては、昇圧の初期段階において、クロック信号CLK1乃至CLK4が1回ずつハイとなる間にノードN1が2回充電されるので、第1の実施例と比較すると、昇圧に要する時間が短縮される。
【0062】
なお、第1及び第2の実施例においては、8相のクロック信号CLK1乃至CLK8を使用しているが、クロック信号の数は特に限定されるものではなく、このクロック信号の数に応じてチャージポンプ中のトランジスタ及びコンデンサ数を調整すればよい。図11は第2の実施例を16相のクロック信号に適用した第3の実施例におけるチャージポンプの構成を示す回路図であり、図12(a)乃至(p)は第3の実施例におけるクロックドライバに設けられる論理積回路を示す図である。また、図13は第3の実施例における各信号の変化を示すタイミングチャートである。
【0063】
第3の実施例におけるチャージポンプにおいては、17個のNチャネルトランジスタTr0乃至Tr16が互いに直列に接続されている。そして、隣り合うトランジスタ間の各ノードN1乃至N16には、夫々コンデンサC1乃至C16の一端が接続され、コンデンサC1乃至C8の他端には、夫々クロック信号CLK1乃至CLK16が入力される。
【0064】
一方、クロックドライバには、図12(a)乃至(p)に示すように、信号CLK1Tと信号CLK2Tとの論理積をとる論理積回路AND11、信号CLK2Bと信号CLK1Tとの論理積をとる論理積回路AND12、信号CLK1Bと信号CLK2Bとの論理積をとる論理積回路AND13、信号CLK1Bと信号CLK2Tとの論理積をとる論理積回路AND14、信号CLK8Bと信号CLK7Tとの論理積をとる論理積回路AND15、信号CLK7Bと信号CLK8Bとの論理積をとる論理積回路AND16、信号CLK8Tと信号CLK7Bとの論理積をとる論理積回路AND17、信号CLK7Tと信号CLK8Tとの論理積をとる論理積回路AND18、信号CLK4Bと信号CLK3Tとの論理積をとる論理積回路AND19、信号CLK3Bと信号CLK4Bとの論理積をとる論理積回路AND20、信号CLK4Tと信号CLK3Bとの論理積をとる論理積回路AND21、信号CLK3Tと信号CLK4Tとの論理積をとる論理積回路AND22、信号CLK6Bと信号CLK5Tとの論理積をとる論理積回路AND23、信号CLK5Bと信号CLK6Bとの論理積をとる論理積回路AND24、信号CLK6Tと信号CLK5Bとの論理積をとる論理積回路AND25、及び信号CLK5Tと信号CLK6Tとの論理積をとる論理積回路AND26が設けられている。
【0065】
なお、図13に示すように、信号CLK8Tはクロック信号CLK0を1/4分周したものであり、信号CLK8Bは信号CLK8Tの反転信号である。信号CLK7Tは信号CLK8Tからクロック信号CLK0の2周期分遅延させたものであり、信号CLK7Bは信号CLK7Tの反転信号である。信号CLK6Tは信号CLK8Tからクロック信号CLK0の1周期分遅延させたものであり、信号CLK6Bは信号CLK6Tの反転信号である。信号CLK5Tは信号CLK8Tからクロック信号CLK0の3周期分遅延させたものであり、信号CLK5Bは信号CLK5Tの反転信号である。
【0066】
また、信号CLK1T乃至CLK4Tは、夫々信号CLK5T乃至信号8Tをクロック信号CLK0の1/2周期分遅延させたものであり、信号CLK1B乃至CLK4Bは、夫々信号CLK5B乃至CLK8Bをクロック信号CLK0の1/2周期分遅延させたものである。
【0067】
そして、論理積回路AND11乃至AND26から出力されるクロック信号については、クロック信号CLK1乃至CLK4は、クロック信号CLK0をハイの期間が互いに重なり合わないように分周したものとなり、クロック信号CLK5乃至CLK8は、夫々クロック信号CLK1乃至CLK4をクロック信号CLK0の半周期分遅延させたもの、クロック信号CLK9乃至CLK12は、夫々クロック信号CLK1乃至CLK4をクロック信号CLK0の1周期分遅延させたもの、クロック信号CLK13乃至CLK16は、夫々クロック信号CLK1乃至CLK4をクロック信号CLK0の3/2周期分遅延させたものとなる。
【0068】
従って、第3の実施例においても、クロック信号CLK1乃至CLK16内で立ち上がりが同時に行われるクロック信号は存在しない。このため、電源電流のピークは低く、また、クロックドライバの負荷が小さい。
【0069】
なお、第3の実施例は第2の実施例を16相のクロック信号に適用したものであるが、第1の実施例を16相のクロック信号に適用してもよい。
【0070】
また、クロックドライバの構成は、図3に示すようなものに限定されるものではなく、16相のクロック信号を発生させる場合、例えば図14又は図15に示す構成をとることもできる。図14は16相のクロック信号を生成する第1のクロックドライバの構成を示すブロック図であり、図15は16相のクロック信号を生成する第2のクロックドライバの構成を示すブロック図である。また、図16は図15に示す第2のクロックドライバにおける遅延回路の構成を示す回路図である。
【0071】
図14に示すクロックドライバには、クロック信号CLK0及びリセット信号が入力される否定論理和回路NOR11、及びこの否定論理和回路NOR11の出力信号を反転するインバータIV21が設けられている。また、インバータIV21に、例えば図4に示す構成を具備した分周器D11乃至D14が直列接続されている。更に、分周器D13の出力信号と分周器D14の出力信号との否定論理積をとる否定論理積回路NAND1、分周器D13の出力信号と分周器D14の反転出力信号との否定論理積をとる否定論理積回路NAND2、分周器D13の反転出力信号と分周器D14の反転出力信号との否定論理積をとる否定論理積回路NAND3、及び分周器D13の出力信号と分周器D14の出力信号との否定論理積をとる否定論理積回路NAND4が設けられている。否定論理積回路NAND1乃至NAND4の出力端には、夫々インバータIV22乃至IV245が接続されており、これらのインバータの出力信号が夫々クロック信号CLK1乃至CLK4となる。
【0072】
更に、インバータIV22には、インバータIV32、IV33、IV40、IV41、IV48及びIV49が直列接続されており、インバータIV33、IV41及びIV49の各出力信号が夫々クロック信号CLK5、CLK9、CLK13となる。
【0073】
同様に、インバータIV23には、インバータIV30、IV31、IV38、IV39、IV46及びIV47が直列接続されており、インバータIV31、IV39及びIV47の各出力信号が夫々クロック信号CLK6、CLK10、CLK14となる。
【0074】
また、インバータIV24には、インバータIV28、IV29、IV36、IV37、IV44及びIV45が直列接続されており、インバータIV29、IV37及びIV45の各出力信号が夫々クロック信号CLK7、CLK11、CLK15となる。
【0075】
更に、インバータIV25には、インバータIV26、IV27、IV34、IV35、IV42及びIV43が直列接続されており、インバータIV33、IV41及びIV49の各出力信号が夫々クロック信号CLK8、CLK12、CLK16となる。
【0076】
このように構成されたクロックドライバでは、先ず、クロック信号CLK0から4相のクロック信号CLK1乃至CLK4が生成され、これらのクロック信号CLK1乃至CLK4を直列接続した偶数個のインバータを使用して遅延させることにより、順次クロック信号CLK5乃至CLK8、クロック信号CLK9乃至CLK12、クロック信号CLK13乃至CLK16が生成される。
【0077】
また、図15に示すクロックドライバにおいては、インバータIV22に遅延回路DL4、DL8及びDL12が直列接続され、インバータIV23に遅延回路DL3、DL7及びDL11が直列接続され、インバータIV24に遅延回路DL2、DL6及びDL10が直列接続されている。また、相互に直列接続されたインバータIV50乃至IV53が設けられており、インバータIV50の入力端にクロック信号CLK0が入力される。インバータIV52の出力信号は遅延回路DL1乃至DL4及び遅延回路DL9乃至DL12のクロック端子に入力され、インバータIV53の出力信号は遅延回路DL5乃至DL8のクロック端子に入力される。
【0078】
なお、遅延回路DL1乃至DL4の出力信号は、夫々クロック信号CLK8、CLK7、CLK6及びCLK5となり、遅延回路DL5乃至DL8の出力信号は、夫々クロック信号CLK12、CLK11、CLK10及びCLK9となり、遅延回路DL9乃至DL12の出力信号は、夫々クロック信号CLK16、CLK15、CLK14及びCLK13となる。
【0079】
また、各遅延回路DL1乃至DL12には、図16に示すように、入力信号INが入力される入力端子に直列に接続されたインバータIV62及びIV63が設けられており、インバータIV63の出力信号が遅延回路の出力信号となる。但し、インバータIV62と入力端子との間にはトランスファゲートG11が設けられている。また、入力端がインバータIV62の出力端に接続され出力端がインバータIV62の入力端に接続されたクロックドインバータCIV1が設けられている。クロック端子には、インバータIV61が接続されており、このインバータの出力信号及びクロック端子に入力されたクロック信号によりトランスファゲートG11及びクロックドインバータCIV1の動作が切り替えられる。
【0080】
このように構成されたクロックドライバでは、先ず、クロック信号CLK0から4相のクロック信号CLK1乃至CLK4が生成され、これらのクロック信号CLK1乃至CLK4を遅延回路を使用して遅延させることにより、順次クロック信号CLK5乃至CLK8、クロック信号CLK9乃至CLK12、クロック信号CLK13乃至CLK16が生成される。
【0081】
なお、図14及び図15に示すリセット信号は、図4におけるリセット信号と同様のものである。
【0082】
このようなクロックドライバは、第1及び第2の実施例のような8相のクロック信号を使用する場合にも使用することができる。
【0083】
なお、これらの実施例は外部からの信号をアンテナで受信して内部電力を発生させる非接触型ICカードについてものであるが、水銀電池等の供給能力が低い電源を内蔵する電子機器においても、非接触型ICカードと同様の問題は存在する。本発明は、非接触型ICカードへの適用に限定されるものではなく、これらのバッテリー駆動型の電子機器への適用も可能である。
【0084】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、クロックドライバが互いに隣接する2個以上のコンデンサに同時にロウレベルとなるクロック信号を供給するので、例えば前記ハイのクロック信号が供給されたコンデンサに接続されたトランジスタが10の電荷を次段のノードに伝達するものであるとすると、この10の電荷の伝達によって次段のトランジスタもオン状態となり、更に次段のノードに10の電荷のうちいくつかの電荷を伝達することができる。この結果、各ノードの電位の上昇を早くして逆流といった悪影響を早めに防止することにより、昇圧効率を向上させることができる。
【0085】
また、クロック信号の立ち上がりタイミングを適当にずらすことにより、第2乃至第kのトランジスタでは、前段のトランジスタがオン状態となったときにこのトランジスタのゲート及びソースの電位も上昇するため、昇圧時間を短縮し、昇圧効率を向上させることができる。また、k相のクロック信号の位相を互いに異ならせているため、即ち、各クロック信号の立ち上がりタイミングを互いにずれたものとしているため、電流ピークを低減し、例えば非接触型ICカードに適用した場合に、電流ピークによる他の回路の誤動作を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る昇圧回路の構成を示すブロック図である。
【図2】第1の実施例におけるチャージポンプの構成を示す回路図である。
【図3】第1の実施例におけるクロックドライバの構成を示すブロック図である。
【図4】分周器の構成を示すブロック図である。
【図5】図4に示す分周器の動作を示すタイミングチャートである。
【図6】クロックドライバ2における各信号の変化を示すタイミングチャートである。
【図7】(a)乃至(d)は、夫々第1の実施例におけるノードN4、N3、N2及びN1の電位の変化を示すグラフ図であり、(e)は(a)乃至(d)に対応したクロック信号CLK1乃至CLK4の変化を示すタイミングチャートである。
【図8】第1の実施例におけるクロック信号CLK1乃至CLK8及び電源電流の変化を示すタイミングチャートである。
【図9】本発明の第2の実施例に係る昇圧回路におけるチャージポンプの構成を示す回路図である。
【図10】(a)乃至(d)は、夫々第2の実施例におけるノードN4、N3、N2及びN1の電位の変化を示すグラフ図であり、(e)は(a)乃至(d)に対応したクロック信号CLK1乃至CLK4の変化を示すタイミングチャートである。
【図11】第2の実施例を16相のクロック信号に適用した第3の実施例におけるチャージポンプの構成を示す回路図である。
【図12】(a)乃至(p)は第3の実施例におけるクロックドライバに設けられる論理積回路を示す図である。
【図13】第3の実施例における各信号の変化を示すタイミングチャートである。
【図14】16相のクロック信号を生成する第1のクロックドライバの構成を示すブロック図である。
【図15】16相のクロック信号を生成する第2のクロックドライバの構成を示すブロック図である。
【図16】図15に示す第2のクロックドライバにおける遅延回路の構成を示す回路図である。
【図17】非接触ICカードにおける各回路に供給される電圧の関係を示す模式図である。
【図18】従来のチャージポンプの一例を示す回路図である。
【図19】特開平2−62796号公報に記載された昇圧回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1;チャージポンプ
2;クロックドライバ
3;リング発振器
101;非接触型ICカード
102;RF回路
103;CPU
104;入出力回路
105;周辺回路
106;安全回路
107;チャージポンプ
108;電圧レギュレータ
109;リング発振器
110;安全回路
111;クロックドライバ
AND1〜AND8、AND11〜AND26;論理積回路
C1〜C16、C101〜C104;コンデンサ
CIV;クロックドインバータ
D1〜D6、D11〜D14;分周器
DL1〜DL12;遅延回路
G1〜G4、G11;トランスファゲート
IV1〜IV8、IV11〜IV16、IV21〜IV53、IV61〜IV63、IV101〜IV104、IV111〜IV114;インバータ
NAND1〜NAND4;否定論理積回路
NOR1、NOR2、NOR11;否定論理和回路
Tr0〜Tr16、Tr0a、Tr100〜Tr104、Tr110〜Tr114、Tr110〜Tr114;トランジスタ

Claims (10)

  1. 直列に接続された第1乃至第k(kは0及び2を除く偶数)のトランジスタと、夫々前記第1乃至第kのトランジスタのゲート及びソースに一端が接続された第1乃至第kのコンデンサと、前記第1乃至第kのコンデンサの他端に互いに位相が異なるk相のクロック信号を夫々供給するクロックドライバと、を有し、前記クロックドライバは、互いに隣接する2個以上の前記コンデンサに同時にロウレベルとなるクロック信号を供給するものであることを特徴とする昇圧回路。
  2. 前記クロックドライバは、基本クロック信号をk種の分周信号とこれらのk種の分周信号の反転信号である反転分周信号に分周する分周手段と、前記k種の分周信号及び前記k種の反転分周信号の論理合成をとることにより前記k相のクロック信号を生成する論理ゲートと、を有することを特徴とする請求項1に記載の昇圧回路。
  3. 直列に接続された第1乃至第k(kは0及び2を除く偶数)のトランジスタと、夫々前記第1乃至第kのトランジスタのゲート及びソースに一端が接続された第1乃至第kのコンデンサと、前記第1乃至第kのコンデンサの他端に互いに位相が異なるクロック信号を供給するクロックドライバと、を有し、前記クロックドライバは、前記第1乃至第kのコンデンサを第1のコンデンサからn個(nはkの約数)ずつの群に分けたとき、前記第1乃至第nのコンデンサにハイとなる期間が互いに重複せず立ち上がりタイミングが前記第1のコンデンサから前記第nのコンデンサにかけて順にずれたn相のクロック信号を供給し、他の群には群毎に前記n相のクロック信号に一定の遅延量を付加した他のn相のクロック信号を供給するものであることを特徴とする昇圧回路。
  4. 前記クロックドライバは、基本クロック信号を前記n相のクロック信号に分周する分周手段と、前記n相のクロック信号に前記群毎に一定の遅延量を付加して群毎にn相のクロック信号を生成する遅延手段と、を有することを特徴とする請求項3に記載の昇圧回路。
  5. 前記遅延手段は、群毎に直列接続された偶数個のインバータを有することを特徴とする請求項4に記載の昇圧回路。
  6. 前記第1のトランジスタの前段に接続され電源にダイオード接続された初段トランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の昇圧回路。
  7. 前記第1のトランジスタの前段に接続されゲートに前記k相のクロック信号のうち前記第1のクロック信号を除く一のクロック信号が供給される初段トランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の昇圧回路。
  8. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の昇圧回路と、この昇圧回路か
    ら出力された電圧によりデータの書込及び消去を行う記憶手段と、を有することを特徴とするICカード。
  9. 受信した電波を前記昇圧回路に供給する電圧に変換する変換手段を有することを特徴とする請求項8に記載のICカード。
  10. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の昇圧回路と、この昇圧回路に電圧を供給する電圧供給手段と、を有することを特徴とする電子機器。
JP2000061723A 2000-03-07 2000-03-07 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 Expired - Fee Related JP3614747B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000061723A JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2000-03-07 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
US09/795,194 US6525595B2 (en) 2000-03-07 2001-03-01 Booster, IC card having the same, and electronic equipment having the same
KR10-2001-0011335A KR100430456B1 (ko) 2000-03-07 2001-03-06 승압용 부스터
CNB011092971A CN1179474C (zh) 2000-03-07 2001-03-07 升压器、具有该升压器的集成电路卡及电子设备
TW090105475A TW533663B (en) 2000-03-07 2001-03-07 Booster, IC card having the same, and electronic equipment having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000061723A JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2000-03-07 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001250393A JP2001250393A (ja) 2001-09-14
JP3614747B2 true JP3614747B2 (ja) 2005-01-26

Family

ID=18581824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000061723A Expired - Fee Related JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2000-03-07 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6525595B2 (ja)
JP (1) JP3614747B2 (ja)
KR (1) KR100430456B1 (ja)
CN (1) CN1179474C (ja)
TW (1) TW533663B (ja)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10045693A1 (de) * 2000-09-15 2002-04-04 Infineon Technologies Ag Ladungspumpenschaltung
ITRM20010298A1 (it) * 2001-05-31 2002-12-02 Micron Technology Inc Interfaccia di comando di utilizzatore con decodificatore programmabile.
US6490220B1 (en) * 2001-08-13 2002-12-03 Micron Technology, Inc. Method for reliably shutting off oscillator pulses to a charge-pump
KR20030042968A (ko) * 2001-11-26 2003-06-02 한국전자통신연구원 전하 순환 회로를 이용한 아이 씨 카드용 승압 장치 및 그제어방법
JP4007932B2 (ja) * 2002-03-19 2007-11-14 株式会社タキオン マイクロ波送電法、マイクロ波受電装置及びidタグシステム
JP3983692B2 (ja) * 2002-03-19 2007-09-26 株式会社タキオン マイクロ波送電装置、マイクロ波受電装置、マイクロ波送電法及びマイクロ波送電システム
KR100476930B1 (ko) * 2002-09-04 2005-03-16 삼성전자주식회사 피이크전류를 줄이는 플래쉬메모리
US6788130B2 (en) * 2002-09-25 2004-09-07 Texas Instruments Incorporated Efficient charge pump capable of high voltage operation
TW200427223A (en) * 2003-05-29 2004-12-01 Macronix Int Co Ltd Voltage stabilizer of charge pump
US7227764B2 (en) * 2003-05-29 2007-06-05 Macronix International Co., Ltd. Voltage-regulating device for charge pump
KR100528788B1 (ko) * 2003-06-27 2005-11-15 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 및 그 구동 방법
US7064529B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-20 Atmel Corporation Dual stage voltage regulation circuit
US7494066B2 (en) 2003-12-19 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100586545B1 (ko) * 2004-02-04 2006-06-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 오실레이터용 전원공급회로 및 이를이용한 전압펌핑장치
US7699232B2 (en) 2004-02-06 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7663473B2 (en) 2004-02-12 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, IC card, IC tag, RFID, transponder, bills, securities, passport, electronic apparatus, bag, and clothes
KR101258671B1 (ko) * 2004-02-20 2013-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법, ic 카드, ic 태그, rfid,트랜스폰더, 지폐, 유가증권, 여권, 전자 기기, 가방 및의류
JP4652087B2 (ja) * 2004-03-11 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP1735043B1 (en) * 2004-04-15 2011-02-02 Cordis Corporation Long-term retrievable medical filter
JP2005339658A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Toshiba Corp 昇圧回路
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
CN101694700A (zh) 2004-09-10 2010-04-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US7795617B2 (en) 2004-10-29 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, IC card, IC tag, RFID, transponder, paper money, valuable securities, passport, electronic device, bag, and clothes
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
KR100663984B1 (ko) * 2004-12-17 2007-01-02 한양대학교 산학협력단 시스템 온 글래스(SoG)를 위한 소 면적 차지 펌프 회로
DE102004063435A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
US7786863B2 (en) 2005-03-16 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing and wireless communication device wherein the resonant frequency of an antenna circuit is regularly corrected regardless of temperature
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
EP1727146A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-29 STMicroelectronics S.r.l. Charge-pump type voltage-boosting device with reduced ripple, in particular for non-volatile flash memories
US7868320B2 (en) * 2005-05-31 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
JP4498242B2 (ja) * 2005-08-04 2010-07-07 セイコーインスツル株式会社 電子機器
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP4750530B2 (ja) 2005-10-27 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置及びそれを用いた非接触電子装置
JP5361176B2 (ja) * 2006-12-13 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20080143192A1 (en) * 2006-12-14 2008-06-19 Sample Alanson P Dynamic radio frequency power harvesting
JP5137545B2 (ja) 2006-12-25 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
JP5179849B2 (ja) * 2006-12-28 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2019425A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5248240B2 (ja) 2007-08-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2166656B1 (en) * 2008-09-18 2013-04-10 STMicroelectronics Srl Electric circuit for generating low voltage and high frequency phases in a charge pump, in particular for supplies lower than 1V
CN101867290A (zh) * 2010-06-17 2010-10-20 清华大学 低功耗电荷泵电路
JP5893958B2 (ja) * 2011-03-31 2016-03-23 ローム株式会社 半導体装置、及び電子機器
CN103811057A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 上海华虹集成电路有限责任公司 用于eeprom的高压生成电路
EP2973970A4 (en) * 2013-03-15 2017-03-29 Wispry, Inc. Charge pump systems and methods
US10185903B2 (en) * 2016-10-06 2019-01-22 Ricoh Company, Ltd. Image forming output control device and non-transitory recording medium storing program

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63290159A (ja) * 1987-05-20 1988-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路
JPH0262796A (ja) 1988-08-29 1990-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路
US5191232A (en) * 1992-03-17 1993-03-02 Silicon Storage Technology, Inc. High frequency voltage multiplier for an electrically erasable and programmable memory device
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
US5907484A (en) * 1996-04-25 1999-05-25 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
EP0836268B1 (en) * 1996-10-11 2002-02-06 STMicroelectronics S.r.l. Improved positive charge pump
JP3488587B2 (ja) * 1997-01-09 2004-01-19 株式会社東芝 昇圧回路及びこれを備えたicカード
US6100752A (en) * 1997-09-12 2000-08-08 Information Storage Devices, Inc. Method and apparatus for reducing power supply current surges in a charge pump using a delayed clock line
KR100452636B1 (ko) * 1997-12-31 2004-12-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치용 클럭 발생기
JP3580693B2 (ja) * 1998-03-19 2004-10-27 シャープ株式会社 チャージ・ポンプ回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001250393A (ja) 2001-09-14
US20010026187A1 (en) 2001-10-04
TW533663B (en) 2003-05-21
US6525595B2 (en) 2003-02-25
CN1312609A (zh) 2001-09-12
KR100430456B1 (ko) 2004-05-10
KR20010088392A (ko) 2001-09-26
CN1179474C (zh) 2004-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3614747B2 (ja) 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
US7969234B2 (en) Clock control circuit and voltage pumping device using the same
US6522559B2 (en) Low voltage charge employing optimized clock amplitudes
US5446697A (en) Semiconductor memory device
JP3422838B2 (ja) 高電圧チャ−ジ・ポンプ
JP4257064B2 (ja) 昇圧電位発生回路及び制御方法
US6912159B2 (en) Boosting circuit and non-volatile semiconductor storage device containing the same
JP4263650B2 (ja) 昇圧回路
TW583669B (en) Semiconductor memory device
US20020084834A1 (en) Voltage generating/transferring circuit
US20020008569A1 (en) Voltage pump with diode for pre-charge
US20070001771A1 (en) Oscillation circuit
US6225854B1 (en) Voltage boosting circuit having cross-coupled precharge circuits
EP1028517B1 (en) Charge pump circuit with bypass transistor
WO2001017097A1 (en) Split clock buffers for a negative charge pump
US6646494B2 (en) Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit
US6762970B2 (en) Flash memory device
JP2005276408A (ja) 半導体素子における高電圧の発生回路及びその方法
US6198341B1 (en) Substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor device
JP3110257B2 (ja) 半導体集積回路
US6414882B1 (en) Low voltage charge pump apparatus and method
JPH05234373A (ja) 半導体記憶装置
TW200427223A (en) Voltage stabilizer of charge pump
JPH1145574A (ja) 半導体記憶装置
JP2018085828A (ja) 昇圧回路及びそれを備えた不揮発性メモリ

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040106

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040305

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040713

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040812

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040902

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040907

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041005

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112

Year of fee payment: 6

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112

Year of fee payment: 9

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees