JP5179849B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5179849B2 JP5179849B2 JP2007323056A JP2007323056A JP5179849B2 JP 5179849 B2 JP5179849 B2 JP 5179849B2 JP 2007323056 A JP2007323056 A JP 2007323056A JP 2007323056 A JP2007323056 A JP 2007323056A JP 5179849 B2 JP5179849 B2 JP 5179849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- wiring
- electrically connected
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 149
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 226
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 5
- 230000036541 health Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 244000144972 livestock Species 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
本実施の形態では、上記実施の形態で示した無線で情報の送受信が可能である半導体装置の利用形態の一例について説明する。本発明の半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図10を用いて説明する。
101 入力端子部
102 入力端子部
103 出力端子部
104 ダイオード
105 容量素子
106 インバータ
110 基板
111 絶縁膜
113 半導体膜
114 半導体膜
115 絶縁膜
117 導電膜
118 導電膜
119 絶縁膜
154 導電膜
205 容量素子
218 導電膜
231 導電膜
400 基板
401 アンテナ回路
402 アンテナ
403 共振容量
404 クロック発生回路
405 電源回路
406 平滑化回路
407 昇圧回路
408 ダイオード
409 平滑化容量
410 ダイオード群
411 容量素子群
412 制御回路
413 メモリ回路
500 電源
501 アンテナ回路
502 アンテナ回路
503 共振容量
504 容量
505 ダイオード
506 ダイオード
507 平滑化容量
508 レギュレータ回路
509 ダイオード
510 容量
511 昇圧回路
107a 配線
107b 配線
113a チャネル形成領域
113b 不純物領域
114a 領域
114b 不純物領域
120a 導電膜
120b 導電膜
121a 導電膜
121b 導電膜
Claims (10)
- 第1乃至第n(n:自然数)の整流素子と、第1乃至第nの容量素子と、を有し、
前記第1の整流素子の入力端子は、入力部と電気的に接続され、
前記第i(i:自然数、2≦i≦n)の整流素子の入力端子は、前記i−1の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第nの整流素子の出力端子は、出力部と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第1の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第m(m:自然数、2≦m≦n)の容量素子の第1の電極は、前記第mの整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第2の電極は、第1の配線及び第2の配線の一方と電気的に接続され、
前記第2k+1(k:自然数、3≦2k+1≦n−1)の容量素子の第2の電極は、前記第1の配線及び前記第2の配線の一方と電気的に接続され、
前記第2kの容量素子の第2の電極は、前記第1の配線及び前記第2の配線の他方と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極及び第2の電極は、導電層であり、
前記第2乃至第n−1の容量素子のうちの少なくとも一つの容量素子の第2の電極は、半導体層であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2乃至第n−1の容量素子のうちの第2の電極が半導体層である容量素子における第1の電極と第2の電極とが重なる面積は、前記第1の容量素子における第1の電極と第2の電極とが重なる面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2乃至第n−1の容量素子のうちの第2の電極が半導体層である容量素子における絶縁膜の膜厚は、前記第1の容量素子における絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 第1乃至第n(n:自然数)の整流素子と、第1乃至第nの容量素子と、を有し、
前記第2乃至第nの容量素子のそれぞれは、トランジスタであり、
前記第1の整流素子の入力端子は、入力部と電気的に接続され、
前記第i(i:自然数、2≦i≦n)の整流素子の入力端子は、前記i−1の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第nの整流素子の出力端子は、出力部と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第1の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第m(m:自然数、2≦m≦n)の容量素子であるトランジスタのゲートは、前記第mの整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第2の電極は、第1の配線及び第2の配線の一方と電気的に接続され、
前記第2k+1(k:自然数、3≦2k+1≦n−1)の容量素子であるトランジスタのソース又はドレインは、前記第1の配線及び前記第2の配線の一方と電気的に接続され、
前記第2kの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインは、前記第1の配線及び前記第2の配線の他方と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極及び第2の電極は、導電層であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第mの容量素子であるトランジスタのゲートとして機能する導電層は、前記第1の容量素子の第1の電極である導電層と同じ材料であり、
前記第mの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層は、前記第1の容量素子の第2の電極である導電層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4又は請求項5において、
前記第mの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層は、前記第mの容量素子であるトランジスタのゲートとして機能する導電層と重なっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の配線には、クロック信号が入力され、
前記第2の配線には、前記クロック信号の反転信号又は前記クロック信号と位相がずれた信号が入力されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
入力端子が前記第1の配線と電気的に接続され、出力端子が前記第2の配線と電気的に接続されたインバータ回路を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第1乃至第nの整流素子のそれぞれは、入力端子がソース及びドレインの一方であり、出力端子がソース及びドレインの他方であり、且つゲートがソース又はドレインと電気的に接続されたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記入力部には、所定の電圧が供給されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007323056A JP5179849B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006354427 | 2006-12-28 | ||
JP2006354427 | 2006-12-28 | ||
JP2007323056A JP5179849B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013002607A Division JP5492313B2 (ja) | 2006-12-28 | 2013-01-10 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182206A JP2008182206A (ja) | 2008-08-07 |
JP2008182206A5 JP2008182206A5 (ja) | 2011-01-20 |
JP5179849B2 true JP5179849B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=39725842
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007323056A Expired - Fee Related JP5179849B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 半導体装置 |
JP2013002607A Expired - Fee Related JP5492313B2 (ja) | 2006-12-28 | 2013-01-10 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013002607A Expired - Fee Related JP5492313B2 (ja) | 2006-12-28 | 2013-01-10 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8013665B2 (ja) |
JP (2) | JP5179849B2 (ja) |
KR (1) | KR101385066B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5361176B2 (ja) | 2006-12-13 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5484109B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2014-05-07 | 三菱電機株式会社 | 電気光学装置 |
JP5537307B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | チャージポンプ回路、不揮発性メモリ、データ処理装置、及びマイクロコンピュータ応用システム |
US8476964B1 (en) * | 2012-05-17 | 2013-07-02 | Emerson Electric Co. | Obtaining elevated output voltages from charge pump circuits |
JP6978669B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2021-12-08 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信装置及び発電装置 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4591738A (en) * | 1983-10-27 | 1986-05-27 | International Business Machines Corporation | Charge pumping circuit |
JPH0473960A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JPH0595082A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
US5303395A (en) * | 1991-11-06 | 1994-04-12 | Mitsubishi Consumer Electronics America, Inc. | Power control with a constant gain amplifier for portable radio transceivers |
JPH06334119A (ja) * | 1993-02-17 | 1994-12-02 | Seiko Instr Inc | 昇圧用半導体集積回路及びその半導体集積回路を用いた電子機器 |
JPH06283667A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Toshiba Corp | 高電圧発生回路 |
US5386151A (en) * | 1993-08-11 | 1995-01-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low voltage charge pumps using p-well driven MOS capacitors |
JPH09266281A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Sony Corp | 昇圧回路 |
JPH09275189A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3394133B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2003-04-07 | 沖電気工業株式会社 | 昇圧回路 |
US5999425A (en) * | 1998-01-15 | 1999-12-07 | Cypress Semiconductor Corp. | Charge pump architecture for integrated circuit |
US6522582B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-02-18 | Xilinx, Inc. | Non-volatile memory array using gate breakdown structures |
JP3614747B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2005-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 |
JP2002064148A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2002217304A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-08-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP4730638B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2011-07-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP3830414B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2006-10-04 | ローム株式会社 | 昇圧回路を備えた半導体装置 |
US6888399B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device equipped with a voltage step-up circuit |
JP4110792B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2008-07-02 | 日本電気株式会社 | 容量素子及び容量素子を用いた半導体集積回路 |
AU2003240026A1 (en) * | 2002-06-15 | 2003-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register |
JP2004146082A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US7486100B2 (en) * | 2003-05-12 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Active matrix panel inspection device and inspection method |
US7494066B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4565847B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2010-10-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7256642B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Booster circuit, semiconductor device, and electronic apparatus |
JP3972916B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 昇圧回路及び半導体集積回路 |
JP4549889B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-09-22 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置 |
CN102831460B (zh) | 2004-09-09 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 无线芯片 |
KR100636508B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 차지펌프 회로와 이를 이용한 직류 변환장치 |
JP4536776B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP4912121B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
JP5324161B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5665299B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2015-02-04 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
JP5188382B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-04-24 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
-
2007
- 2007-12-14 JP JP2007323056A patent/JP5179849B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-17 US US11/957,560 patent/US8013665B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-26 KR KR1020070137351A patent/KR101385066B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-09-02 US US13/224,360 patent/US8274323B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-10 JP JP2013002607A patent/JP5492313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080063116A (ko) | 2008-07-03 |
JP2013110428A (ja) | 2013-06-06 |
US8274323B2 (en) | 2012-09-25 |
US20080273357A1 (en) | 2008-11-06 |
US20120081935A1 (en) | 2012-04-05 |
JP2008182206A (ja) | 2008-08-07 |
JP5492313B2 (ja) | 2014-05-14 |
US8013665B2 (en) | 2011-09-06 |
KR101385066B1 (ko) | 2014-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9123581B2 (en) | Semiconductor device | |
US8698220B2 (en) | Semiconductor device having concentration difference of impurity element in semiconductor films | |
KR101233421B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP5323382B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8127998B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5492313B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5222628B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN1870276B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
JP5111094B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5038080B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
JP5027470B2 (ja) | 記憶装置 | |
JP5137424B2 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5179849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160118 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |