JPH021397A - 樹脂封止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は回路基板上に設けられたＩＣ等の電子部品を熱
硬化性樹脂で樹脂封止する方法に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、ＣＰＵ、メモリチップ等のＩＣチップを装備した
ＩＣカードの開発が急速に進歩している。

このＩＣカードは、従来の磁気カードに比べてその記滝
容量が大きいので、銀行の預金通帳やクレジットカード
の代りに利用しようと考えられている。

従来のＩＣカード及びＩＣカードに収納されるＩＣモジ
ュールを第７図〜第１３図を用いて説明する。

第７図は従来のＩＣカードの外観斜視図、第８図は第７
図のＡ−Ａ断面図、第９図はＩＣカードのカード基体を
示す外観斜視図、第１０図は従来のＩＣチップ樹脂封止
方法の工程を示す断面図、第１１図は従来のＩＣモジュ
ールを示す外観斜視図、第１２図は従来の他のＩＣモジ
ュールを示す外観斜視図、第１３図は第１２図のＩＣモ
ジュールをＩＣカードに収納した状態を示す断面図であ
る。

図において、ＩＣカード６０は表面に複数のデータ入出
力端子３３ａが設けられており、全体の形状は第９図に
示したプラスチック製のカード基体６１で決められてい
る。

第８図に示すごとく、このカード基体６１には、四部３
１ａが形成されており、この凹部３１ａ内には、ＣＰＵ
、　メモリチップ等のＩＣテップ３３ｂを回路基板３６
にボンディングし、ＩＣテッグ３３ｂＫｆｉ脂による封
止部６４を形成したＩＣモジ−−ル６２が収納固定され
る。

ＩＣカード６０は、カード基体３１の凹部５１ａ内にＩ
Ｃモジュール６２を収納固定した後、カード基体３１０
両面にオーバーシート６５を覆って構成される。

又第８図に示す各素子の関係は、ＩＣモジュール６２は
、封止部６４の上面が四部３１ａの底面に当接して厚味
が規制され、又回路基板３６の外周が四部３１ａの内周
に係合して平面位置が規制されている。

一般にＩＣカード６０は厚さが約０．８朋であり、携帯
時や使用時に受ける外力によって破壊されないよう江す
るため、ある程度の曲げに耐える柔軟性が必要である。

そのため、カード基体６１の柔軟性はもちろん必要であ
るとともに、ＩＣモジーール６２は、曲げによってＩＣ
チップ３３ｂの割れやボンディングワイヤーの断線等が
生じない様に、剛性が高く、又耐湿性にすぐれた樹脂で
封止する必要がある。

しかも上記の如（薄いカード基体６１の凹部３１ａの底
面に封止部６４の上面が当接して厚味が規制されるので
、封止部６４は、厚味のバラツキが生じないように外形
形状を管理しなげればならない。従って、従来から多用
しているＩＣチップ上に溶融樹脂を滴下させるボッティ
ング封正方法では、封止部３４の厚味にバラツキが生じ
易いので、ＩＣモジュール３２の封止部６４は、形状精
度が良く、かつ剛性の高い熱硬化性樹脂を用いたトラン
スファーモールド方法で形成するのが最適であった。

７ＦＪ１０図に基づいて従来のトランスファーモールド
によるＩＣチップの樹脂封止方法を説明する。

第１０図に於いて、３６は下金型であり、その上面には
ＩＣチップ３３ｂをボンディングした回路基板６６が載
置される。６７はキャビティー３７ａが形成された止金
型であり、上金型６７はキャビティー３７２がＩＣチッ
プ３３ｂの上面を覆うように下金型６６に固定される。

止金型３７にはグーＩ−溝３９ａとランナー溝４０ａが
形成されており、この上金型６７と下金型６６０合わせ
面及び上金型６７と回路基板６６の合わせ面には、樹脂
６８をキャビティー３７３に導くランナー４０及びゲー
ト６９が構成され、いわゆるサイドゲート方式のトラン
スファーモールド方法になる。

封止部６４を形成するには、加熱、溶融した樹脂６８を
プランジャー４１でランナー４０へ注入し、ゲート６９
を通った樹脂３８をキャビティー３７８内に充填するこ
とによって形成される。

樹脂６８が硬化したら上金型６７を外して封止部６４が
形成されたＩＣモジュール６２を取出すが、前述した如
く上金型３７と回路基板３３０合わせ面にゲート６９が
構成されるため、ＩＣモジュール３２の回路基板３６上
には、第１１図に示す如く封止部６４につながってゲー
ト残り３４ａが形成されてしまう。

このゲート残り３４ａは、回路基板６３０面３３Ｃとの
接着性が高いので、１点鎖線で示すゲート残り３４ａ？
折取る時に、その力がゲート残り３４ａに及び回路基板
３６０面３３Ｃを剥離してしまい、場合によっては回路
パターンまでも切断してしまうという問題があった。

更に従来のＩＣモジュール６２０回路基板６６上には、
ゲート残り３４ａが残ってしまうので、第９図に示す如
（カード基体６１の凹部３１ａ内にさらに、ゲート残り
３４ａを収納するための溝部３１ｂを形成する必要があ
る。

しかし前述した如くカード基体６１はプラスチック製で
あるため、四部３１ａ及び溝部３１ｂはカード基体６１
を射出成形によつ゛て作る時に同時に成形されるが、射
出成形によってカード基体３１に四部３１ａと溝部３１
ｂを同時に成形しようとすると、射出成形型の中を流れ
るプラスチックは、第９図に示すように、溝部３１ｂを
さげて矢印Ｂ１Ｃの様に回り込んで流れるため、それぞ
れのプラスチックの流れが破線りの位置で不完全接合す
る結果となる。

前述した通りＩＣカード３０は、曲げに耐え得る柔軟性
を必要としているが、カード基体６１の一部に上記の様
なプラスチックの不完全接合部りが生じると、少しの曲
げでも不完全接合部りから亀裂が発生してしまい、カー
ド基体６１が割れてしまう問題があった。

そこでカード基体３１に溝部３１ｂを形成しなくても良
いようにするため、ＩＣモジュール６２０回路基板６６
上にゲート残り３４ａを形成しないでＩＣチップ６２を
封止できるトランスファーモールド方法が望まれていた
。

しかるに前記従来の樹脂封止方法の持つ欠点を解決する
樹脂封止方法が特公昭６１−４６０４９号公報に提案さ
れている。

この樹脂封止方法は、上金型と下金型の間に、樹脂封止
が施される電子部品が搭載された回路基板と、樹脂封止
位置や形状を決めるキャビティーが設けられたキャビテ
ィープレートを介在させ、このキャビティープレートと
の合わせ面になる下金型の上面に設けたランナー溝及び
ゲート溝を通してキャビティー内に封止樹脂を充填する
いわゆるサイドゲート方式のトランスファーモールド方
法である。

尚、ゲート溝はキャビティーの上部開口部側に位置する
ように構成されている。

この四指封止方法によれば、封止樹脂が導かれるゲート
溝が、キャビティープレートによって回路基板３６上か
ら封止部６４の上部へ移行されるため、第１２図に一点
鎖線で示す如く回路基板６３上のゲート残り３４ａは存
在せず、第１１図に示す従来例の問題点は解消される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記の樹脂封止方法では、キャビティー
内へ封止樹脂が充填される時、ゲート溝。

がキャビティーの上部開口部側、即ち封止部３４の上端
面に位置するように構成されているので、第１２図に示
す様にゲート残り３４ｂが封止部３４の上端面に突出し
てしまう。

従って第１３図に示す如くこのゲート残り３４ｂが付い
たままのＩＣモジュール６２をカード基体４６の凹部４
３ａ内に収納しようとすると、ゲート残り３４ｂが凹部
４３ａの底面に当接して封止部３４の上面と凹部４３ａ
の底面の間にスキ間Ｇが生じ、ＩＣモジュール６２の部
分でカードの厚味が規格より厚くなってしまう問題があ
った。

そのため、封止部６４を形成した後、ゲート残り３４ｂ
をヤスリによって取除（面倒な作業が必要になるという
信頼性上の問題がある。

更に、前述の樹脂封止方法によれば下記の如く金型のメ
ンテナンス上の問題もある。即ち、封止部６４の剛性を
高めるため、封止樹脂にガラス繊維を混合したものを使
用する場合が多い。

この場合、細（なっているゲート溝がガラス繊維によっ
て激しく摩滅してしまい、一定期間ごと例ゲート溝を設
けた部材を交換する必要があるが、上記の樹脂封止方法
によれば、ゲート溝が下金型に形成されており、前記ゲ
ート溝の摩滅時に高価な下金型をそっくり交換しなけれ
ばならなかったので、金型の費用が高くついてしまう問
題があった。

そこでゲート溝の摩滅対策として、摩滅の激しいゲート
溝を設けた金型の一部分のみを交換可能な構造にした樹
脂成形方法が種々利用されており、たとえば特開昭６２
−１３３１２号公報に記載されている。

この樹脂封止方法では、樹脂を注入するための孔が設け
られたスプルを交換可能なブツシュで構成し、このスプ
ルブツシュを固定側入子に設げ、固定側入子と可動側入
子の合わせ面に形成されるキャビティーとスプルブツシ
ュの孔を連通させることにより、射出シリンダからスプ
ルプツシ、の孔に溶融樹脂を射出させて、キャビティー
内に樹脂を充填するいわゆるビンゲート方式の樹脂成形
方法である。

キャビティー内への樹脂充填が完了し、樹脂が硬化した
ら、成形品とスプルブツシュ内の硬化樹脂を取除いて再
度樹脂成形が行なわれる。

この樹脂成形方法では、一番摩滅の激しい樹脂注入孔で
あるスプルを交換可能なプツシ−で構成しているので、
摩滅が激しい時はスプルブツシュのみを簡単に交換する
ことができる。

しかしながらこの樹脂成形方法では、使用する樹脂が熱
可塑性樹脂の場合と、熱硬化性樹脂の場合とで次の様な
違いが生じる。

即ち、熱可塑性樹脂は、熱収縮率が大きいので９型との
離型が良（、又硬化しても靭性があるので、スプルブツ
シュの孔の中で硬化した樹脂でも容易に孔から引き抜い
て取除くことができる。

これに対し熱硬化性樹脂は、熱収縮が小さいので硬化し
たとぎ金型の表面に食い付き、離型が悪い。しかも硬化
するとほとんど靭性がないので、スズルブツシュの孔の
中から硬化した樹脂を引き抜こうとすると、硬化した樹
脂がスズルブツシュの孔の中で折れ、樹脂が残ってしま
う問題があった。

そのため、熱硬化性樹脂を使用する場合は、このような
ビンゲート方式の樹脂成形方法を利用するのが困難なの
で、前述したサイドゲート方式のトランスファーモール
ド方法な用いるのカ一般的であった。

又更に、前述の特公昭６１．−４６０４９号公報に提案
されている樹脂封止方法には次のような欠点がある。

即ち、前述の如く熱硬化性樹脂は熱収縮率が小さく、金
型との離型が悪いので、封止部の形状を決めるキャビテ
ィープレートのキャビティー内に封＋ｈ［脂を充填して
回路基板上の電子部品を封止すると、対土樹脂が硬化し
た後、封止部とキャビティープレートがくっついたママ
となる。そのため、封止部が形成された回路基板を取り
外すときは、キャビティープレートがくっついたままの
回路基板を一旦金型から取り外し、回路基板とキャビテ
ィープレートを手で分離してから再度キャビティープレ
ートを金型へ取り付ける作業が必要となっていた。従っ
て一連の作業は自動化することが難しく、手作業となる
ため、生産効率が大変悪かった。

そこで本発明は、上述の各従来技術が有する欠点を解決
し、熱硬化性樹脂による樹脂封止方法において、封止部
の上面にゲート残りが突出しないようにゲートを構成で
き、且つ摩滅の激しいゲート溝を容易に交換することが
でき、更には一連の樹脂封止作業が自動化できる樹脂封
止方法を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するための本発明の方法は、樹脂封止
が栴される基板を止金型と下金型で挾み込み、該上金型
又は下金型に形成されたキャビティー内にゲートを通し
て樹脂を充填する樹脂封止方法において、前記基板上に
、ゲート溝を有するゲートプレートを配置することによ
り、核ゲートプレートと１ｉｉｌ記上金型又は下金型と
の間に前記キャビティーの側面に連結するサイドゲート
を構成して前記キャビティー内洗樹脂を充填することを
特徴としている。

更にゲートプレートは上金型又は下金型の一方に回動可
能に取付けられるとともに、前記上金型と下金型の離間
した状態では前記ゲートプレートを基板上から回動離脱
させる駆動手段を有しても良いう 〔実施例〕 以下図面により本発明の各実施例を詳述する。

第１図（ａ）〜［ｅＪは本発明の第−実栴例である樹脂
封止方法の工程を示す断面図、第２図は第１図ｔａ）〜
（ｅ）の工程によって封止部が形成された回路基板にゲ
ートプレートを取付けである状態を示す外観斜視図、第
３図は他の封止部形状を示す外観斜視図、第４図はＩＣ
モジュールを示す外観斜視図、第５図はＩＣカードの要
部断面図である。

まず第１図［ａ）に基づいて本実施例の樹脂対土方法で
使用される各構成部品を説明する。

１は上金型であり、封止部の外形形状と封止飴置を決め
る上キャビティー１ａと、案内穴１ｂ、１Ｃと、封止樹
脂が投入される上ポットＩｄと、後述するゲートプレー
ト３が一点鎖線で示す様に配置されるプレート部１ｅが
形成されている。

２は下金型であり、下ポット’ｌａ、　　ランナー溝２
ｂ、電子部品１０が配置された回路基板４を保持するた
めの基板固定部２Ｃが形成されている。

又、下金型２には回路基板４とゲートプレート３を位置
決めするためのガイドビン５．６が設けられるとともに
、下ボッ１−２３と基板固定部２Ｃの底面側には、回路
基板４に封ＩＥ部を形成した後、回路基板４を硬化した
封止樹脂とともに下金型２から取出すためのノックアウ
トビン７．８．９が配置されている。

３は対土剛脂を上キャビティー１ａに導くためのゲート
プレートであり、第２図にその外観斜視図が示しである
如（上面側には、上キャビティー１ａ（第２図では封止
部１６になる。）に向って先細になるゲート溝６ａが形
成されている。

更にゲートプレート６及び回路基板４には、それぞれガ
イドビン５．６が貫通するガイド穴６ｂ、４ａ、４ｂが
設けられている。

次に本実癩例の樹脂封止工程を、第１図（ａＪ〜（ｅ）
の順に従って説明する。

各構成部品の上下配置は第１図（ａ）　Ｋ示す如くであ
り、まず回路基板４は電子部品１０が上面になるよう下
金型２のガイドビン５．６にガイド穴４ａ、４ｂをそれ
ぞれ貫通させて基板固定部２ｃに配置する。次にゲート
プレート３は、ゲート溝６ａを上面側に向けた状態でガ
イド穴６ｂにガイドビン５を貫通させ、回路基板４上面
に配置する。

更に上金型１は、ゲートプレート６及び回路基板４を貫
通したガイドピン５、乙に案内穴１ｂ、１Ｃを合わせて
下金型２の上面に重ねられる。これによって第１図ｔｂ
ｌに示す様に、ゲートプレート６は上金型１のプレート
部１ｅに固定され、回路基板４は下金型２０基板固定部
２ＧＫ固定されるとともにゲートプレート乙のゲート溝
３ａと上金型１の間にはサイドゲート３ｃが構成され、
下金型２のランナー溝２ｂと上金型１の間にはランナー
２ｄが構成される。

しかもサイドゲート６Ｃは上キャビティー１ａの側面に
連結されている。

次に第１図ｔｂｌに示す如く上ポット１ｄからガラス繊
維を混合した熱硬化性樹脂である封と樹脂１１を入れ、
下ボット２ａにて加熱・溶融する。

そして封＋ｈｔｉａ脂１１を射出するためのプランジャ
ー１２ケ上ボツ）１ｄから下ポット２ａに下降させるこ
とにより、封止樹脂１１はランナー２ｄ、サイドゲート
３Ｃを通って上キャビティー１ａ内に充填され、電子部
品１０の周囲のみを封止する。

ゲートプレート乙のゲート溝６ａは、先細になっている
先端部が摩滅しやすいが、ゲート溝３ａが摩滅した時は
、ゲートプレート６のみを交換するだけで良い。

次に上キャビティー１ａ内に充填された封止樹脂１１が
硬化し、回路基板４に封止部１３が形成されたら上金型
１が上方に外される。

そして第１図（Ｃ）に示す如く、ノックアウトビン７．
８．９を上方に突出することにより、封止部１６が形成
された回路基板４は、封止部１３につながって硬化した
ゲート３　Ｃ、ランナー２ｄ、下ボン）２ａの封止樹脂
１１とともて下型２のガイドピン５．６から取外される
。

そして第１図ｔｄｌに示す如（、サイドゲート３　Ｃの
部分を上方又は左右に折り曲げれば、封し１：、部１６
から不用な封止樹脂１１を簡単に分離でき、更に第４図
て示す如く回路基板４を所定形状にカットすることによ
り個々のＩＣモジュール１７が完成する。

しかも前述した如くサイドゲート６Ｃは、封［Ｆ：。

部１６の側面に連結しているので、ゲート残り１３ａは
封止部１６の側面に突出する。

そして第５図に示す如（、このＬＣモジュール１７は、
封止部１６をカード基体４２の凹部４２ａ内に正確に収
納できる。最後にカード基体４２０両面をオーバーシー
ト６５で覆ってＩＣカード４４が完成するが、従来技術
でも述べた如（、ＩＣモジュール１７は、回路基板４の
外周が凹部４２２に於ける基板四部４２０ａの内周に係
合して平面位置が規制されるので、封止部１３の側面に
ゲート残り１３ａが突出しても、封止部１６が収納され
る対土凹部４２０ｂの内周を前記封止部１３の外径より
も径大に形成することによって前記ゲート残り１３ａを
問題なく収納することが可能となる。

更に第１図［ｅｌに示す如くゲートプレート３は、ゲー
ト溝６ａから硬化した封止樹脂１１を簡単に取外すこと
によって再度使用できる。

尚、ゲート溝６ａと封＋ｈｍｔ指１１の分離を容易にす
るため、ゲート溝３３面の仕上げは出来るだけキレイに
仕上げることが望ましい。又、グーｉ・溝６ａに予め離
型剤を塗布しておいても良い。

尚、前述の実施例では封止部１３の外形形状が四角形で
あったが、第３図に示す如（丸形にしたり、任意に変更
可能である。

次に本発明の第二実症例を第６図に基づいて説明する。

第６図は樹脂対土方法の工程を示す要部断面図である。

本実症例ではゲートプレート１４によって形成されるサ
イトゲ−）１４ａが上金型１５に設けた上キャビティー
１５ａの側面中央部に連結しているので、封止部１６の
上端からより離れた所でサイドグー）１４ａとの分離が
可能となる。

次に本発明の第二実症例を第１４図（ａ）〜（Ｃ）及び
第１５図に基づいて説明する。第１４図（ａ）〜（Ｃ）
は本実施例の樹脂封止方法の工程を示す断面図、゛第１
５図は第１４図（ｂ）の状態を示す要部斜視図である。

まず第１４図ｔａｌ及び第１５図に基づいて本実症例で
使用される各構成部品を説明する。尚、前述の第−実施
例の構成と同様に機能する構成部品には同一番号を付け
てその説明を省略する、本実症例の最大の特徴は、ゲー
トプレート５０が下金型２に対して回動可能に取付ゆら
れている点である。即ちゲートプレート５０には回転軸
５１が設けられ、下金型２に形成した軸受部２ｅに回転
可能に軸支されている。一方下金型２側ては、ゲートプ
レート５０を回動させるための駆動手段として上下に駆
動する押上げビン５２が設けられている。押上げビン５
２は先端がテーパー形状をしており、上方に下動したと
き、そのテーパー面がゲートプレート５０の端部５０ｂ
に当接してゲートプレート５０を上方向に回動させ、反
対に押上げビン５２が下方に駆動するとゲートプレート
５（］を下方に回動するように構成されている。

次に本実施例における樹脂封止工程を第１４図（ａ）〜
（Ｃ）の順に従って説明する。

まず押上げビン５２によってゲートプレート５０を上方
向に回動させた状態で下金型２０基板固定部２Ｃに回路
基板４を配置する。次に第１４図ｔａ＋に示す如（、押
上げビン５２を下方に駆動し、回路基板４の上面にゲー
トプレート５０を配置するとともに、さらに上方向から
上金型１によってはさみ込む。これにより、電子部品１
０が上キャビティー１８で囲まれるとともに上金型１と
ゲートプレート５００間にはサイドゲート６Ｃ１上金型
１と下金型２０間にはランナー２ｄがそれぞれ（構成さ
れる。

そしてプランジャー（図示せず）によって射出された封
止樹脂１１がランナー２ｄ１サイトゲ−）３Ｃを通って
上キャビティー１ａ内知充填され、電子部品１０の周囲
のみを耐重する。

次に上キャビティー１ａ内に充填された封止樹脂１１が
硬化し、回路基板４に封止部１６が形成されたら上金型
１が上方に離間される。そして第１４図（ｂ）に示す如
く、最初にノックアウトビン７を上方に突出させ、ラン
ナー２ｄ、サイドゲート３Ｃで硬化した不要な封止樹脂
１１を取除く。この時、第１５図に示すごと（ゲート溝
５ｏａが封止部１６に向って先細形状となっているので
、封止部１６の側面には、極めて小さなゲート残り１６
ａしか残らない。

次に押上げビン５２を上方向に駆動し、ゲートプレート
５０を上方向に回動させて回路基板４の上面から離脱さ
せる。そしてノックアウトビン８．９な上方に突出させ
ることにより、基板固定部２ｃから完成したＩＣモジュ
ールを取出すことができる。

最後にノックアウトビン７．８．９を下方ｙもどすこと
により、封止部１３が形成されていない新しい回路基板
４を基板固定部２Ｃにセツティングできる。

従って封止工程毎にゲートプレート５０を下金型２から
取り外す必要もなく、ゲートプレート５０と封止部１６
が形成された回路基板４との離型及び硬化した不要封止
樹脂１１とゲートプレー）５０との離型もスムーズに行
なえるので、自動化に適した樹脂封止方法とすることが
できる。

尚、前述の各実抱例では上金型にキャビティーを形成し
たが、逆に下金型にキャビティーを設ける場合でも同様
な作用効果を発揮する。

〔発明の効果〕

上記のごとく本発明によれば、上金型と下金型の間にゲ
ート溝を形成したゲートプレートを介在させることによ
って回路基板面から離れた位置にサイドゲートを形成し
、該サイドゲートを用いてキャビティー内に熱硬化性樹
脂よりなる村上樹脂を注入する方式であるため、完成モ
ジュールに於けるゲート残りを回路基板上や、封止部上
面を避けて封止部側面に形成することが可能となり、薄
型封＋ｈを必要とするＩＣカード等の実装には最適なモ
ジュールを提供することができる。

又サイドゲート構造であるため、ゲート部への樹脂づま
りの心配がなく、さらにゲート溝が摩滅した場合には従
来の高価な金型交換の代りに製作が容易でコストの廉い
ゲートプレートのみの交換で対応出来るため、金型のメ
ンテナンスの面に於いても有利になる。

更にゲートプレートな上金型又は下金型知対して回動可
能に取付けるととも知、上、下金型の；椎間した状態で
は、ゲートプレートを基板上から離脱させる駆動手段を
採用すれば、封止工程毎にゲートプレートを金型から取
り外す必要もなく、且つ不要封止樹脂の処理及び完成し
たＩＣモジュールの取り扱いが容易になり、自動化に最
適な樹脂封止方法を提供できる等、熱硬化性樹脂を用い
たモジー−ルの封止方法に於いて大なる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図ｔａ）〜（ｅｌは本発明の第−実楕例である樹脂
封止方法の工程を示す要部断面図、第２図は第１図（ａ
）〜ｔｅｌの工程によって封＋ｈ部が形成された回路基
板にゲートプレートを取付けた状態を示す外観斜視図、
第３図は丸形の封止部が形成された回路基板にゲートプ
レートを取付けた状態を示す外観斜視図、第４図はＩＣ
モジュールを示す外観斜視図、第５図はＩＣカードの要
部断面図、第６図は本発明の第二実施例である樹脂封止
方法の工程を示す要部断面図、第７図は従来のＩＣカー
ドの外観斜視図、第８図は第７図のＡ−Ａ断面図、第９
図は従来のＩＣカードのカード基体を示す外観斜口、第
１０図は従来のＩＣＣチップ樹脂正正方法工程を示す断
面図、第１１図は従来のＩＣモジュールを示す外観斜視
図、第１２図は従来の他の丁Ｃモジュールを示す外観斜
視図、第１３図は第１２図のＩＣモジエールをＩＣカー
ドに収納した状態を示す断面図、第１４図ｔａｒ〜（Ｃ
）は本発明の第三実施例である樹脂封＋ｈ方法の工程を
示す断面図、第１５図は第１４図（ｂｌの状態を示す要
部斜視図である。 １．１５・・・・・・上金型、 １ａ、１５ａ・・・・・・上キャビティー２・・・・・
・下金型、 ２ｂ・・・・・・ランナー ６．５０・・・・・・ゲートプレート、６ａ、５０ａ・
・・・・・ゲート溝、 ６Ｃ１１４ａ・・・・・・サイドゲート、４・・・・・
・回路基板、 １０・・・・・・電子部品、 １１・・・・・・耕土樹脂、 ５２・・・・・・押上げビン。 第１図 （ｄ） （ｅ） ケ一トブシ一ト 第 図 第　７ 図 第 図 第 図 嘉 凶 第 図 府 ］１ 図 ３ｃ 第 〕２ 図 第 図 第１４　図 （Ｃ） 第１４図 （ａ） り］ ｚ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂封止が施される基板を上金型と下金型で挾み
   込み、該上金型又は下金型に形成されたキャビティー内
   にゲートを通して樹脂を充填する樹脂封止方法において
   、前記基板上に、ゲート溝を有するゲートプレートを配
   置することにより、該ゲートプレートと前記上金型又は
   下金型との間に前記キャビティーの側面に連結するサイ
   ドゲートを構成して前記キャビティー内に樹脂を充填す
   ることを特徴とする樹脂封止方法。
2. （２）ゲートプレートは上金型又は下金型の一方に回動
   可能に取付けられるとともに、前記上金型と下金型の離
   間した状態では前記ゲートプレートを基板上から回動離
   脱させる駆動手段を有することを特徴とする請求項１記
   載の樹脂封止方法。