JPH07211739A - Ｉｃを実装した回路基板の樹脂封止方法及びその成形金型 - Google Patents
Ｉｃを実装した回路基板の樹脂封止方法及びその成形金型Info
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- JPH07211739A JPH07211739A JP6003365A JP336594A JPH07211739A JP H07211739 A JPH07211739 A JP H07211739A JP 6003365 A JP6003365 A JP 6003365A JP 336594 A JP336594 A JP 336594A JP H07211739 A JPH07211739 A JP H07211739A
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- resin
- cavity
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高い回路基板の樹脂封止方法と成形
金型の構造を提供。 【構成】 ピンゲート方式の熱硬化性樹脂成形金型で、
下金型２の可動側型板１０に挿嵌するカセット式のキ
ャビティブロック１３には、キャビティ１１とガイドピ
ン１２とを有し、該ガイドピン１２に、ＩＣ１５が下向
きになるように回路基板９を装着する。上金型１を構成
し圧縮コイルバネ６で押圧する付勢押圧部３は、固定側
型板５との摺動部４に適切な隙間を有し前記回路基板９
の背面を押圧する。前記キャビティ１１の下方にランナ
ー部１８があり、樹脂を下方から押し上げて封入する。 【効果】 樹脂かすによる製品不良及びバリの発生がな
く、また封止位置精度が良く、品種の切り替えが迅速
で、生産性・信頼性が優れている。
金型の構造を提供。 【構成】 ピンゲート方式の熱硬化性樹脂成形金型で、
下金型２の可動側型板１０に挿嵌するカセット式のキ
ャビティブロック１３には、キャビティ１１とガイドピ
ン１２とを有し、該ガイドピン１２に、ＩＣ１５が下向
きになるように回路基板９を装着する。上金型１を構成
し圧縮コイルバネ６で押圧する付勢押圧部３は、固定側
型板５との摺動部４に適切な隙間を有し前記回路基板９
の背面を押圧する。前記キャビティ１１の下方にランナ
ー部１８があり、樹脂を下方から押し上げて封入する。 【効果】 樹脂かすによる製品不良及びバリの発生がな
く、また封止位置精度が良く、品種の切り替えが迅速
で、生産性・信頼性が優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣを実装した回路基板
の樹脂封止方法及びその成形金型に関するものである。
の樹脂封止方法及びその成形金型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣチップの高密度実装に伴い、
多数の電極を有する樹脂封止型半導体装置が開発されて
いる。その代表的なものとして、ＰＧＡ（ピングリッド
アレイ）がある。ＰＧＡは回路基板の一方の面にＩＣチ
ップを搭載して樹脂で封止し、他方の面にはＩＣチップ
と接続した複数のピンを配置した構造をしている。ＰＧ
Ａはマザーボードに対して着脱可能であるという利点が
あるものの、ピンがあるので大型となり小型化が難しい
という問題があった。
多数の電極を有する樹脂封止型半導体装置が開発されて
いる。その代表的なものとして、ＰＧＡ（ピングリッド
アレイ）がある。ＰＧＡは回路基板の一方の面にＩＣチ
ップを搭載して樹脂で封止し、他方の面にはＩＣチップ
と接続した複数のピンを配置した構造をしている。ＰＧ
Ａはマザーボードに対して着脱可能であるという利点が
あるものの、ピンがあるので大型となり小型化が難しい
という問題があった。
【０００３】そこで、このＰＧＡに代わる小型の樹脂封
止半導体装置として、ピンの代わりにパッドを配列した
パッド・アレイ・キャリア（以下ＰＡＣと略す）が開発
されている。一般的に樹脂成形用金型のゲート方式とし
ては、サイドゲート方式とピンポイントゲート方式とが
あり、熱可塑性樹脂成形ではピンポイントゲート方式、
熱硬化性樹脂成形ではサイドゲート方式が比較的広く採
用されている。
止半導体装置として、ピンの代わりにパッドを配列した
パッド・アレイ・キャリア（以下ＰＡＣと略す）が開発
されている。一般的に樹脂成形用金型のゲート方式とし
ては、サイドゲート方式とピンポイントゲート方式とが
あり、熱可塑性樹脂成形ではピンポイントゲート方式、
熱硬化性樹脂成形ではサイドゲート方式が比較的広く採
用されている。
【０００４】一般的にサイドゲート方式を用いた熱硬化
性樹脂成形におけるトランスファーモールドによるＩＣ
の樹脂封止方法では、封止部に連通するゲート残りが回
路基板上に形成されるので、ゲート残りを取り除く際に
配線パターンを破壊したり、封止部を形成する樹脂にひ
び割れを生じたり、またゲート部の樹脂が回路基板面を
流れる構造のため、回路基板上が樹脂で汚れたりする問
題があった。
性樹脂成形におけるトランスファーモールドによるＩＣ
の樹脂封止方法では、封止部に連通するゲート残りが回
路基板上に形成されるので、ゲート残りを取り除く際に
配線パターンを破壊したり、封止部を形成する樹脂にひ
び割れを生じたり、またゲート部の樹脂が回路基板面を
流れる構造のため、回路基板上が樹脂で汚れたりする問
題があった。
【０００５】なお半導体の樹脂封止には、溶融樹脂の流
動性が悪く、ワイヤー切れの危険性があり、成形後の封
止信頼性が低い熱可塑性樹脂は不適当であり、樹脂の流
動性が良く、封止後の形状精度及び信頼性の高い熱硬化
性樹脂が最適であることは言うまでもない。
動性が悪く、ワイヤー切れの危険性があり、成形後の封
止信頼性が低い熱可塑性樹脂は不適当であり、樹脂の流
動性が良く、封止後の形状精度及び信頼性の高い熱硬化
性樹脂が最適であることは言うまでもない。
【０００６】従って、上記サイドゲート方式の問題を排
除するピンポイントゲート方式に着目し、これをＰＡＣ
のトランスファーモールドに採用した。図４はピンポイ
ントゲート方式のトランスファーモールドを説明する６
個取り成形金型の構造を示す要部断面図である。図４に
おいて、５７は上金型で、４５の固定側型板、４８の受
板及び５３の固定側取付板で構成される。一方５８は下
金型で、４１の可動側型板並びに該可動側型板４１の下
部に順に配設される図示しない可動側受板、スペーサ及
び可動側取付板とで構成される。５９は前記上金型５７
及び下金型５８をそれぞれ案内するガイドポストであ
り、金型の四隅近傍にそれぞれ配設されている。４９は
ＩＣ、４３は該ＩＣ４９を実装した回路基板である。可
動側型板４１には回路基板４３の厚みに相当する深さの
凹部４１ａが形成されている。４２は該凹部４１ａに植
設した位置決め部であるガイドピンで、回路基板４３の
位置決め用ガイド穴４３ａが嵌合する。
除するピンポイントゲート方式に着目し、これをＰＡＣ
のトランスファーモールドに採用した。図４はピンポイ
ントゲート方式のトランスファーモールドを説明する６
個取り成形金型の構造を示す要部断面図である。図４に
おいて、５７は上金型で、４５の固定側型板、４８の受
板及び５３の固定側取付板で構成される。一方５８は下
金型で、４１の可動側型板並びに該可動側型板４１の下
部に順に配設される図示しない可動側受板、スペーサ及
び可動側取付板とで構成される。５９は前記上金型５７
及び下金型５８をそれぞれ案内するガイドポストであ
り、金型の四隅近傍にそれぞれ配設されている。４９は
ＩＣ、４３は該ＩＣ４９を実装した回路基板である。可
動側型板４１には回路基板４３の厚みに相当する深さの
凹部４１ａが形成されている。４２は該凹部４１ａに植
設した位置決め部であるガイドピンで、回路基板４３の
位置決め用ガイド穴４３ａが嵌合する。
【０００７】４６は固定側型板４５に嵌入保持されたキ
ャビティブロック、４７はＩＣ４９封止部となるキャビ
ティであり、４４のパーティングラインで合わされた前
記キャビティブロック４６と前記可動側型板４１とで形
成される。４８は受板で、該受板４８と固定側取付板５
３とで、５２ａのカル部、５２ｂの横ランナー部及び５
２ｃの縦ランナー部からなる樹脂移送経路となるランナ
ー部５２が形成される。５２ｄは、ランナー部５２か
ら、下方にある前記キャビティ４７に連なる縦ランナー
部５２ｃの下端に形成された樹脂注入口となるゲート部
である。なお、縦ランナー部５２ｃは、キャビティブロ
ック４６から受板４８にかけて隙間無く接続するよう
に、またアンダーカットが生じない形状に形成されてい
る。また５４は投入された樹脂タブレット、５５は該樹
脂タブレット５４の投入口となるポットであり、図示し
ない樹脂押圧用プランジャーをガイドするように前記固
定側取付板５３の中央に配設されている。また５６は、
前記ランナー部５２にて硬化したランナー樹脂を係止す
る係止部を有するランナーロックピンであり、前記固定
側取付板５３に固定されている。即ちランナーロックピ
ン５６の外周の一部が縦ランナー部５２ｃ近傍のランナ
ー部５２と交差しており、該ランナーロックピン５６の
係止部がランナー部５２の側壁の一部を構成している。
該ランナーロックピン５６の係止部はピン外周に開口し
た切欠部であり、該切欠部開口は６ヵ所共にカル部５２
ａを中心にして同一回転方向に向いている。
ャビティブロック、４７はＩＣ４９封止部となるキャビ
ティであり、４４のパーティングラインで合わされた前
記キャビティブロック４６と前記可動側型板４１とで形
成される。４８は受板で、該受板４８と固定側取付板５
３とで、５２ａのカル部、５２ｂの横ランナー部及び５
２ｃの縦ランナー部からなる樹脂移送経路となるランナ
ー部５２が形成される。５２ｄは、ランナー部５２か
ら、下方にある前記キャビティ４７に連なる縦ランナー
部５２ｃの下端に形成された樹脂注入口となるゲート部
である。なお、縦ランナー部５２ｃは、キャビティブロ
ック４６から受板４８にかけて隙間無く接続するよう
に、またアンダーカットが生じない形状に形成されてい
る。また５４は投入された樹脂タブレット、５５は該樹
脂タブレット５４の投入口となるポットであり、図示し
ない樹脂押圧用プランジャーをガイドするように前記固
定側取付板５３の中央に配設されている。また５６は、
前記ランナー部５２にて硬化したランナー樹脂を係止す
る係止部を有するランナーロックピンであり、前記固定
側取付板５３に固定されている。即ちランナーロックピ
ン５６の外周の一部が縦ランナー部５２ｃ近傍のランナ
ー部５２と交差しており、該ランナーロックピン５６の
係止部がランナー部５２の側壁の一部を構成している。
該ランナーロックピン５６の係止部はピン外周に開口し
た切欠部であり、該切欠部開口は６ヵ所共にカル部５２
ａを中心にして同一回転方向に向いている。
【０００８】次に、図４によりＰＡＣのトランスファー
モールドにおけるピンポイントゲート方式の成形動作を
説明する。先ず金型に設置された図示しないヒーターに
よって所定の温度、例えば１６５°Ｃ程度に加熱された
上金型５７と下金型５８とを開き、回路基板４３をＩＣ
４９を上にしてガイド穴４３ａがガイドピン４２に嵌合
するように装着する。次に、予熱したエポキシ樹脂タブ
レット５４を前記ポット５５からカル部５２ａに投入
し、プランジャーを押し込んで圧力を加えることによ
り、溶解した熱硬化性樹脂をカル部５２ａから横ランナ
ー部５２ｂ、縦ランナー部５２ｃ及びゲート部５２ｄを
経てキャビティ４７内に注入する。熱硬化性樹脂の溶解
時間は、例えば８秒間程度である。
モールドにおけるピンポイントゲート方式の成形動作を
説明する。先ず金型に設置された図示しないヒーターに
よって所定の温度、例えば１６５°Ｃ程度に加熱された
上金型５７と下金型５８とを開き、回路基板４３をＩＣ
４９を上にしてガイド穴４３ａがガイドピン４２に嵌合
するように装着する。次に、予熱したエポキシ樹脂タブ
レット５４を前記ポット５５からカル部５２ａに投入
し、プランジャーを押し込んで圧力を加えることによ
り、溶解した熱硬化性樹脂をカル部５２ａから横ランナ
ー部５２ｂ、縦ランナー部５２ｃ及びゲート部５２ｄを
経てキャビティ４７内に注入する。熱硬化性樹脂の溶解
時間は、例えば８秒間程度である。
【０００９】熱硬化性樹脂を充填後、所定の熱硬化時間
例えば９０秒程度保持した後、型開き及びランナーロッ
クの解除を行う。先ず受板４８と固定側取付板５３とを
開き、ランナー樹脂と樹脂成形された製品であるＰＡＣ
とをゲート部５２ｄで切り離す。この時にランナーロッ
クピン５６の切欠部には硬化したランナー樹脂が入って
おり、該ランナー樹脂を保持して確実に離型させるラン
ナーロック作用を果たす。次に図示しない取り出しロボ
ットのハンド爪の挟み動作で、ランナー樹脂のカルを中
心に対向する縦ランナーを挟んで、ランナー樹脂に回転
力を与え、ランナーロックピン５６の係止部からランナ
ー樹脂を外して取り出す。さらにパーティングライン４
４で固定側型板４５と可動側型板４１との型開きを行っ
て、成形樹脂で封止されたＰＡＣを図示しない別の取り
出しロボットのハンドで取り出し、成形動作の１サイク
ルが完了する。
例えば９０秒程度保持した後、型開き及びランナーロッ
クの解除を行う。先ず受板４８と固定側取付板５３とを
開き、ランナー樹脂と樹脂成形された製品であるＰＡＣ
とをゲート部５２ｄで切り離す。この時にランナーロッ
クピン５６の切欠部には硬化したランナー樹脂が入って
おり、該ランナー樹脂を保持して確実に離型させるラン
ナーロック作用を果たす。次に図示しない取り出しロボ
ットのハンド爪の挟み動作で、ランナー樹脂のカルを中
心に対向する縦ランナーを挟んで、ランナー樹脂に回転
力を与え、ランナーロックピン５６の係止部からランナ
ー樹脂を外して取り出す。さらにパーティングライン４
４で固定側型板４５と可動側型板４１との型開きを行っ
て、成形樹脂で封止されたＰＡＣを図示しない別の取り
出しロボットのハンドで取り出し、成形動作の１サイク
ルが完了する。
【００１０】しかし、上記トランスファーモールドによ
る樹脂成形において、成形金型を閉じた場合に、キャビ
ティブロック４６で回路基板４３の上面を押さえるのだ
が、凹部４１ａの深さが回路基板４３の厚みより浅い
か、または回路基板４３の厚みが凹部４１ａの深さより
厚い場合には、回路基板４３がキャビティブロック４６
と可動側型板４１とで強く圧迫されることになり損傷す
る。逆に前記凹部４１ａが深いか、または回路基板４３
の厚みが薄い場合には、キャビティブロック４６と回路
基板４３との間に隙間が生じることになるので、この隙
間から樹脂が漏れ出してバリが発生する。これを防ぐに
は、回路基板４３の厚み寸法の精度が厳しく要求され
る。
る樹脂成形において、成形金型を閉じた場合に、キャビ
ティブロック４６で回路基板４３の上面を押さえるのだ
が、凹部４１ａの深さが回路基板４３の厚みより浅い
か、または回路基板４３の厚みが凹部４１ａの深さより
厚い場合には、回路基板４３がキャビティブロック４６
と可動側型板４１とで強く圧迫されることになり損傷す
る。逆に前記凹部４１ａが深いか、または回路基板４３
の厚みが薄い場合には、キャビティブロック４６と回路
基板４３との間に隙間が生じることになるので、この隙
間から樹脂が漏れ出してバリが発生する。これを防ぐに
は、回路基板４３の厚み寸法の精度が厳しく要求され
る。
【００１１】そこで、上記回路基板４３の厚み寸法のバ
ラツキを吸収する為に、図５に示すようなトランスファ
ーモールドによる樹脂成形金型が作られた。この構造を
説明する。図５において、図４と同一構成要素には同一
の番号、名称を付して説明を省略する。６１は付勢押圧
部であって、下金型５８の可動側型板４１に形成した凹
部に、６０の圧縮コイルバネよりなる付勢手段によって
付勢されて、摺動部６２で上下に摺動するように格納さ
れている。４２は回路基板位置決め部となるガイドピン
であり、前記付勢押圧部６１に形成された回路基板４３
の厚みより浅い深さの凹部６１ａ内に植設されている。
回路基板４３の封止位置精度を出す必要から、付勢押圧
部６１は、摺動部６２において僅かなクリアランスで摺
動するように調整されている。また前記金型において
は、図６（ｂ）示すような、一種類のＩＣを実装した回
路基板４３を樹脂封止するのに対応して、上金型５７側
に図６（ａ）に示すキャビティブロック４６と、下金型
５８側に図６（ｃ）に示す付勢押圧部６１との一対の金
型部品が必要となる。
ラツキを吸収する為に、図５に示すようなトランスファ
ーモールドによる樹脂成形金型が作られた。この構造を
説明する。図５において、図４と同一構成要素には同一
の番号、名称を付して説明を省略する。６１は付勢押圧
部であって、下金型５８の可動側型板４１に形成した凹
部に、６０の圧縮コイルバネよりなる付勢手段によって
付勢されて、摺動部６２で上下に摺動するように格納さ
れている。４２は回路基板位置決め部となるガイドピン
であり、前記付勢押圧部６１に形成された回路基板４３
の厚みより浅い深さの凹部６１ａ内に植設されている。
回路基板４３の封止位置精度を出す必要から、付勢押圧
部６１は、摺動部６２において僅かなクリアランスで摺
動するように調整されている。また前記金型において
は、図６（ｂ）示すような、一種類のＩＣを実装した回
路基板４３を樹脂封止するのに対応して、上金型５７側
に図６（ａ）に示すキャビティブロック４６と、下金型
５８側に図６（ｃ）に示す付勢押圧部６１との一対の金
型部品が必要となる。
【００１２】上記トランスファーモールド金型の動作を
説明する。下金型５８の付勢押圧部６１のガイドピン４
２に、回路基板４３を装着して型締めするが、付勢押圧
部６１は圧縮コイルバネ６０によって付勢され、回路基
板４３の背面を押圧する。この時凹部６１ａの深さが回
路基板４３の厚みより浅いことから、付勢押圧部６１の
上面とキャビティブロック４６の下面とは離れており、
従って摺動部６２における付勢押圧部６１の作動に支障
がなければ、回路基板４３の厚みのバラツキを吸収し
て、回路基板４３上面がキャビティブロック４６下面と
密着するのでキャビティ４７から樹脂が漏れることがな
い。
説明する。下金型５８の付勢押圧部６１のガイドピン４
２に、回路基板４３を装着して型締めするが、付勢押圧
部６１は圧縮コイルバネ６０によって付勢され、回路基
板４３の背面を押圧する。この時凹部６１ａの深さが回
路基板４３の厚みより浅いことから、付勢押圧部６１の
上面とキャビティブロック４６の下面とは離れており、
従って摺動部６２における付勢押圧部６１の作動に支障
がなければ、回路基板４３の厚みのバラツキを吸収し
て、回路基板４３上面がキャビティブロック４６下面と
密着するのでキャビティ４７から樹脂が漏れることがな
い。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たピンポイントゲート方式のＰＡＣのトランスファーモ
ールドには次のような問題点がある。即ち、樹脂封止の
際に予め金型が加熱されており、前記付勢押圧部６１が
摺動部６２で焼き付きを起こし易く、摺動が妨げられて
回路基板４３の押圧が不十分となり、回路基板４３と前
記キャビティブロック４６との間に隙間ができ、樹脂が
漏れてバリが発生する結果となる。前記摺動部６２での
焼き付きをなくすために摺動部６２のクリアランスを大
きくすると樹脂封止位置精度が確保されないことにな
る。また製品であるＰＡＣの装着及び取り出しの際に、
回路基板４３を吸着するのだが、その際にはＩＣ搭載部
が上向きのためＩＣ搭載部を避ける必要から、吸着スペ
ースが限られるので特殊の吸着パッドが必要となり、さ
らに型開きの際にＰＡＣが上金型５７のキャビティブロ
ック４６側に張り付き易いので、ＰＡＣが取り出し難
く、樹脂成形の１サイクルに余計な時間を要することに
なる。更にまた、ＩＣ４９を実装した回路基板の品種切
り替えに際して、上金型５７のキャビティブロック４６
と下金型５８の付勢押圧部６１との一対を部品交換する
ため、その金型費用と作業時間を必要とする。またラン
ナー部５２の下方にキャビティ４７がある構造のため、
ゲート部５２ｄでのランナー樹脂切離し時や型清掃時に
発生した樹脂かすがゲート部５２ｄやキャビティ４７内
に侵入して、次サイクルで樹脂の未充填になったり、硬
い樹脂かすがキャビティ４７内に入って、ボンディング
ワイヤーのワイヤー曲がり、切れ及びショルダータッチ
が発生する等様々な問題があった。
たピンポイントゲート方式のＰＡＣのトランスファーモ
ールドには次のような問題点がある。即ち、樹脂封止の
際に予め金型が加熱されており、前記付勢押圧部６１が
摺動部６２で焼き付きを起こし易く、摺動が妨げられて
回路基板４３の押圧が不十分となり、回路基板４３と前
記キャビティブロック４６との間に隙間ができ、樹脂が
漏れてバリが発生する結果となる。前記摺動部６２での
焼き付きをなくすために摺動部６２のクリアランスを大
きくすると樹脂封止位置精度が確保されないことにな
る。また製品であるＰＡＣの装着及び取り出しの際に、
回路基板４３を吸着するのだが、その際にはＩＣ搭載部
が上向きのためＩＣ搭載部を避ける必要から、吸着スペ
ースが限られるので特殊の吸着パッドが必要となり、さ
らに型開きの際にＰＡＣが上金型５７のキャビティブロ
ック４６側に張り付き易いので、ＰＡＣが取り出し難
く、樹脂成形の１サイクルに余計な時間を要することに
なる。更にまた、ＩＣ４９を実装した回路基板の品種切
り替えに際して、上金型５７のキャビティブロック４６
と下金型５８の付勢押圧部６１との一対を部品交換する
ため、その金型費用と作業時間を必要とする。またラン
ナー部５２の下方にキャビティ４７がある構造のため、
ゲート部５２ｄでのランナー樹脂切離し時や型清掃時に
発生した樹脂かすがゲート部５２ｄやキャビティ４７内
に侵入して、次サイクルで樹脂の未充填になったり、硬
い樹脂かすがキャビティ４７内に入って、ボンディング
ワイヤーのワイヤー曲がり、切れ及びショルダータッチ
が発生する等様々な問題があった。
【００１４】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、ピンポイントゲート方式におい
て上記問題点を解消し、特にトランスファーモールドに
適し、樹脂封止の精度が良く、さらに信頼性の高い樹脂
成形方法と成形金型の構造を提供するものである。
のであり、その目的は、ピンポイントゲート方式におい
て上記問題点を解消し、特にトランスファーモールドに
適し、樹脂封止の精度が良く、さらに信頼性の高い樹脂
成形方法と成形金型の構造を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるＩＣを実装した回路基板の樹脂封止
方法は、下金型には前記ＩＣを封止するためのキャビテ
ィと前記回路基板を位置決めするための位置決め部とを
設けるとともに、上金型には前記回路基板の背面を押圧
するための押圧部を設け、前記下金型に前記ＩＣを実装
した回路基板を前記ＩＣを下向きに装着して樹脂封止す
ることを特徴とするものである。
に、本発明におけるＩＣを実装した回路基板の樹脂封止
方法は、下金型には前記ＩＣを封止するためのキャビテ
ィと前記回路基板を位置決めするための位置決め部とを
設けるとともに、上金型には前記回路基板の背面を押圧
するための押圧部を設け、前記下金型に前記ＩＣを実装
した回路基板を前記ＩＣを下向きに装着して樹脂封止す
ることを特徴とするものである。
【００１６】前記下金型のキャビティの下方にランナー
部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記キ
ャビティに樹脂を注入することを特徴とするものであ
る。
部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記キ
ャビティに樹脂を注入することを特徴とするものであ
る。
【００１７】前記上金型に設けられた押圧部は、付勢手
段によって押圧方向に付勢された付勢押圧部であり、該
付勢押圧部で前記回路基板の背面を押圧することを特徴
とするものである。
段によって押圧方向に付勢された付勢押圧部であり、該
付勢押圧部で前記回路基板の背面を押圧することを特徴
とするものである。
【００１８】前記下金型のキャビティと前記回路基板を
位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティブ
ロックに形成し、該キャビティブロックを交換して形状
の異なるＩＣを実装した回路基板の樹脂封止を行うこと
を特徴とするものである。
位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティブ
ロックに形成し、該キャビティブロックを交換して形状
の異なるＩＣを実装した回路基板の樹脂封止を行うこと
を特徴とするものである。
【００１９】前記上金型には付勢手段によって押圧方向
に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下金型
にはキャビティと前記回路基板を位置決めするための位
置決め部とを一つのキャビティブロックに形成し、該キ
ャビティブロックに装着されたＩＣを実装した回路基板
の背面を前記付勢押圧部で押圧して樹脂封止することを
特徴とするものである。
に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下金型
にはキャビティと前記回路基板を位置決めするための位
置決め部とを一つのキャビティブロックに形成し、該キ
ャビティブロックに装着されたＩＣを実装した回路基板
の背面を前記付勢押圧部で押圧して樹脂封止することを
特徴とするものである。
【００２０】本発明におけるＩＣを実装した回路基板の
樹脂封止の成形金型は、前記下金型にはＩＣを実装した
回路基板の前記ＩＣを封止するためのキャビティと前記
回路基板を位置決めする位置決め部とを設けるととも
に、上金型には前記回路基板の背面を押圧するための押
圧部を設けたことを特徴とするものである。
樹脂封止の成形金型は、前記下金型にはＩＣを実装した
回路基板の前記ＩＣを封止するためのキャビティと前記
回路基板を位置決めする位置決め部とを設けるととも
に、上金型には前記回路基板の背面を押圧するための押
圧部を設けたことを特徴とするものである。
【００２１】前記下金型のキャビティの下方にランナー
部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記キ
ャビティに樹脂を注入するように構成したことを特徴と
するものである。
部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記キ
ャビティに樹脂を注入するように構成したことを特徴と
するものである。
【００２２】前記上金型には付勢手段によって押圧方向
に付勢された付勢押圧部を有し、該付勢押圧部で前記回
路基板の背面を押圧するように構成したことを特徴とす
るものである。
に付勢された付勢押圧部を有し、該付勢押圧部で前記回
路基板の背面を押圧するように構成したことを特徴とす
るものである。
【００２３】前記下金型のキャビティと前記回路基板を
位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティブ
ロックに形成したことを特徴とするものである。
位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティブ
ロックに形成したことを特徴とするものである。
【００２４】前記上金型には付勢手段によって押圧方向
に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下金型
にはキャビティと前記回路基板を位置決めするための位
置決め部とを一つのキャビティブロックに形成したこと
を特徴とするものである。
に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下金型
にはキャビティと前記回路基板を位置決めするための位
置決め部とを一つのキャビティブロックに形成したこと
を特徴とするものである。
【００２５】
【作用】従って、前記付勢押圧部の摺動部はクリアラン
スが大きく取れ、従って摺動部は焼き付かず作動が円滑
で、回路基板の押さえが効いて、バリの発生がない。付
勢押圧部の回路基板への当接面は平面でよいから、回路
基板の品種によらず共通化でき、またキャビティブロッ
クはＩＣの封止部と回路基板の位置決め部とを一体に形
成できるので、カセット式にしたキャビティブロックの
交換のみで、品種の敏速な切り替えが可能となる。さら
にキャビティの下方にゲート部があるので、樹脂かすは
キャビティ内に入らない。またさらに、製品の取り出し
は、回路基板のＩＣ搭載部が下向きのため、回路基板の
背面が吸着できるので極めて容易である。
スが大きく取れ、従って摺動部は焼き付かず作動が円滑
で、回路基板の押さえが効いて、バリの発生がない。付
勢押圧部の回路基板への当接面は平面でよいから、回路
基板の品種によらず共通化でき、またキャビティブロッ
クはＩＣの封止部と回路基板の位置決め部とを一体に形
成できるので、カセット式にしたキャビティブロックの
交換のみで、品種の敏速な切り替えが可能となる。さら
にキャビティの下方にゲート部があるので、樹脂かすは
キャビティ内に入らない。またさらに、製品の取り出し
は、回路基板のＩＣ搭載部が下向きのため、回路基板の
背面が吸着できるので極めて容易である。
【００２６】
【実施例】以下図面に基づいて好適な実施例を説明す
る。図１は本発明の実施例で、ピンポイントゲート方式
のＩＣを実装した回路基板の樹脂封止方法及びその成形
金型の構造を示す要部断面図、図２は図１によるキャビ
ティブロックの斜視図、図３はキャビティブロックの断
面図である。まず図１において、１は上金型であり、７
の固定側取付板、該固定側取付板７への熱の拡散を防ぐ
８の断熱部材及び５の固定側型板とで構成される。２は
下金型で、１０の可動側型板、１４の可動側型板、
並びに該可動側型板１４の下部に順に組合わされる図
示しない可動側受板、スペーサ及び可動側取付板とで構
成される。１５はＩＣ、９は該ＩＣ１５を実装した回路
基板であり、図３に示す位置決め用ガイド穴９ａを有す
る。３は、９の回路基板の背面を押圧する平面を有する
付勢押圧部で、該付勢押圧部３は十分大きなクリアラン
スを有する４の摺動部で摺動するように固定側型板５に
保持されている。６は前記付勢押圧部３を押圧する付勢
手段である圧縮コイルバネであり、前記断熱部材８に格
納されている。なお、付勢手段は圧縮コイルバネの代わ
りに板バネ等のバネ部材や合成ゴム等の弾性部材であっ
てもよい。
る。図１は本発明の実施例で、ピンポイントゲート方式
のＩＣを実装した回路基板の樹脂封止方法及びその成形
金型の構造を示す要部断面図、図２は図１によるキャビ
ティブロックの斜視図、図３はキャビティブロックの断
面図である。まず図１において、１は上金型であり、７
の固定側取付板、該固定側取付板７への熱の拡散を防ぐ
８の断熱部材及び５の固定側型板とで構成される。２は
下金型で、１０の可動側型板、１４の可動側型板、
並びに該可動側型板１４の下部に順に組合わされる図
示しない可動側受板、スペーサ及び可動側取付板とで構
成される。１５はＩＣ、９は該ＩＣ１５を実装した回路
基板であり、図３に示す位置決め用ガイド穴９ａを有す
る。３は、９の回路基板の背面を押圧する平面を有する
付勢押圧部で、該付勢押圧部３は十分大きなクリアラン
スを有する４の摺動部で摺動するように固定側型板５に
保持されている。６は前記付勢押圧部３を押圧する付勢
手段である圧縮コイルバネであり、前記断熱部材８に格
納されている。なお、付勢手段は圧縮コイルバネの代わ
りに板バネ等のバネ部材や合成ゴム等の弾性部材であっ
てもよい。
【００２７】１３は図２に示すように断面が台形のカセ
ット式のキャビティブロックであり、前記可動側型板
１０に着脱自在に挿嵌され、回路基板９の厚みより浅い
凹部１３ａと、該凹部１３ａの中には１１のＩＣ封止部
であるキャビティと、回路基板９のガイド穴９ａに挿通
して前記回路基板９を位置決めする位置決め部となる一
対のガイドピン１２とが、一つのキャビティブロック１
３に３ケ所づつ形成されている。１８ｄは、キャビティ
１１と該キャビティ１１の下方にあるランナー部とを接
続する樹脂移送経路の、後述する１８ｃの縦ランナー部
の上端にあって、前記キャビティ１１への樹脂注入口と
なるゲート部である。
ット式のキャビティブロックであり、前記可動側型板
１０に着脱自在に挿嵌され、回路基板９の厚みより浅い
凹部１３ａと、該凹部１３ａの中には１１のＩＣ封止部
であるキャビティと、回路基板９のガイド穴９ａに挿通
して前記回路基板９を位置決めする位置決め部となる一
対のガイドピン１２とが、一つのキャビティブロック１
３に３ケ所づつ形成されている。１８ｄは、キャビティ
１１と該キャビティ１１の下方にあるランナー部とを接
続する樹脂移送経路の、後述する１８ｃの縦ランナー部
の上端にあって、前記キャビティ１１への樹脂注入口と
なるゲート部である。
【００２８】１８は前記可動側型板１０と可動側型板
１４とで形成されている樹脂移送経路であるランナー
部であり、該ランナー部１８は樹脂タブレットが投入さ
れるカル部１８ａ、該カル部１８ａから放射状に延在す
る横ランナー部１８ｂ及び該横ランナー部１８ｂからキ
ャビティ１１へ向かって立ち上がる縦ランナー部１８ｃ
からなる。１９は可動側型板１４の中央に設けられ、
前記樹脂タブレットを押圧する図示しないプランジャー
をガイドするポットである。また２０は前記可動側型板
１４に固定されたランナーロックピンであり、ランナ
ーロックピン２０の外周の一部に開口した切欠部がラン
ナー部１８と交差しており、該切欠部がランナー部１８
の側壁の一部を構成して、ランナー部１８で硬化したラ
ンナー樹脂の係止部となっている。前記ランナーロック
ピン２０の該係止部である前記切欠部は、６ヵ所共にカ
ル部１８ａを中心にした同一回転方向を向いている。
１４とで形成されている樹脂移送経路であるランナー
部であり、該ランナー部１８は樹脂タブレットが投入さ
れるカル部１８ａ、該カル部１８ａから放射状に延在す
る横ランナー部１８ｂ及び該横ランナー部１８ｂからキ
ャビティ１１へ向かって立ち上がる縦ランナー部１８ｃ
からなる。１９は可動側型板１４の中央に設けられ、
前記樹脂タブレットを押圧する図示しないプランジャー
をガイドするポットである。また２０は前記可動側型板
１４に固定されたランナーロックピンであり、ランナ
ーロックピン２０の外周の一部に開口した切欠部がラン
ナー部１８と交差しており、該切欠部がランナー部１８
の側壁の一部を構成して、ランナー部１８で硬化したラ
ンナー樹脂の係止部となっている。前記ランナーロック
ピン２０の該係止部である前記切欠部は、６ヵ所共にカ
ル部１８ａを中心にした同一回転方向を向いている。
【００２９】２５は可動側型板１４に貫通して、下方
の前記スペーサ内から駆動されるように設けられたラン
ナーロック解除ピンであり、ピン先端の斜面部がランナ
ー部１８のランナーロックピン２０が係止する側の側壁
の一部を構成するように各ランナーロックピン２０に対
応して配設されている。２１は前記上金型１及び下金型
２をそれぞれ案内するガイドポストで、２２はパーティ
ングラインである。２ケのキャビティブロック１３をカ
ル部１８ａに対して互いに点対称の位置になるように、
前記可動側型板１０の図示しない壁面またはピンであ
るストッパーに当接するように断面に垂直に押し込んで
おいて、両キャビティブロック１３の間を２３の押さえ
部材をボルトで締結することにより、２ケのキャビティ
ブロック１３を同時に装着することができる。この時、
可動側型板１０の縦ランナー部１８ｃからキャビティ
ブロック１３のゲート部１８ｄまで隙間無く、継ぎ目を
含めてアンダーカットが生じない形状の樹脂移送経路が
形成される。
の前記スペーサ内から駆動されるように設けられたラン
ナーロック解除ピンであり、ピン先端の斜面部がランナ
ー部１８のランナーロックピン２０が係止する側の側壁
の一部を構成するように各ランナーロックピン２０に対
応して配設されている。２１は前記上金型１及び下金型
２をそれぞれ案内するガイドポストで、２２はパーティ
ングラインである。２ケのキャビティブロック１３をカ
ル部１８ａに対して互いに点対称の位置になるように、
前記可動側型板１０の図示しない壁面またはピンであ
るストッパーに当接するように断面に垂直に押し込んで
おいて、両キャビティブロック１３の間を２３の押さえ
部材をボルトで締結することにより、２ケのキャビティ
ブロック１３を同時に装着することができる。この時、
可動側型板１０の縦ランナー部１８ｃからキャビティ
ブロック１３のゲート部１８ｄまで隙間無く、継ぎ目を
含めてアンダーカットが生じない形状の樹脂移送経路が
形成される。
【００３０】次に、図１、図２及び図３によりＰＡＣの
トランスファーモールドにおけるピンポイントゲート方
式の成形動作を説明する。まず所定の温度、例えば１６
５°Ｃ程度に加熱しておいた金型を開き、下金型２のキ
ャビティブロック１３に、ＩＣ１５が下向きになるよう
に回路基板９のガイド穴９ａをガイドピン１２に合わせ
て装着した後、上金型１の付勢押圧部３で前記回路基板
９の背面を押圧するようにして型を閉じる。熱硬化性樹
脂である予熱されたエポキシ樹脂タブレットをポット１
９から投入し、プランジャーを押し込んで圧力を加える
ことにより、溶融したエポキシ樹脂をカル部１８ａから
横ランナー部１８ｂ、縦ランナー部１８ｃ、ゲート部１
８ｄを経てキャビティ１１内に押し上げるように注入す
る。
トランスファーモールドにおけるピンポイントゲート方
式の成形動作を説明する。まず所定の温度、例えば１６
５°Ｃ程度に加熱しておいた金型を開き、下金型２のキ
ャビティブロック１３に、ＩＣ１５が下向きになるよう
に回路基板９のガイド穴９ａをガイドピン１２に合わせ
て装着した後、上金型１の付勢押圧部３で前記回路基板
９の背面を押圧するようにして型を閉じる。熱硬化性樹
脂である予熱されたエポキシ樹脂タブレットをポット１
９から投入し、プランジャーを押し込んで圧力を加える
ことにより、溶融したエポキシ樹脂をカル部１８ａから
横ランナー部１８ｂ、縦ランナー部１８ｃ、ゲート部１
８ｄを経てキャビティ１１内に押し上げるように注入す
る。
【００３１】熱硬化性樹脂を充填後、所定の熱硬化時
間、例えば９０秒程度保持した後、可動側型板１０と
可動側型板１４との型開きをして、ランナーロックピ
ン２０のランナーロック作用により可動側型板１４側
に保持されたランナー樹脂を、ゲート部において成形樹
脂から切り離す。次にランナーロック解除ピン２５を押
し出すことによって、該ランナーロック解除ピン２５の
先端斜面に接するランナー樹脂に回転力を与え、ランナ
ーロックピン２０の係止部から外れるように側方に押し
出し、ランナーロックの解除を行ってからランナー樹脂
を、図示しない取り出しロボットで取り出す。次に上金
型１と下金型２とをパーティングライン２２で開いて、
成形樹脂で封止された製品であるＰＡＣを取り出す。前
記ＰＡＣの取り出しは、回路基板９の背面側が上方にあ
って平面形状のため、汎用の吸着パッド等の吸着手段
で、或いは軽いエアの吹き出しを併用することで容易に
取り出すことができる。回路基板９をキャビティブロッ
ク１３のガイドピン１２に装着する際も、回路基板の平
面である背面側が上方に位置しており、作業は容易であ
る。なお、ＰＡＣの取り出しはランナー樹脂取り出しの
前に行ってもよい。
間、例えば９０秒程度保持した後、可動側型板１０と
可動側型板１４との型開きをして、ランナーロックピ
ン２０のランナーロック作用により可動側型板１４側
に保持されたランナー樹脂を、ゲート部において成形樹
脂から切り離す。次にランナーロック解除ピン２５を押
し出すことによって、該ランナーロック解除ピン２５の
先端斜面に接するランナー樹脂に回転力を与え、ランナ
ーロックピン２０の係止部から外れるように側方に押し
出し、ランナーロックの解除を行ってからランナー樹脂
を、図示しない取り出しロボットで取り出す。次に上金
型１と下金型２とをパーティングライン２２で開いて、
成形樹脂で封止された製品であるＰＡＣを取り出す。前
記ＰＡＣの取り出しは、回路基板９の背面側が上方にあ
って平面形状のため、汎用の吸着パッド等の吸着手段
で、或いは軽いエアの吹き出しを併用することで容易に
取り出すことができる。回路基板９をキャビティブロッ
ク１３のガイドピン１２に装着する際も、回路基板の平
面である背面側が上方に位置しており、作業は容易であ
る。なお、ＰＡＣの取り出しはランナー樹脂取り出しの
前に行ってもよい。
【００３２】前記付勢押圧部３と固定側型板５との摺動
部４のクリアランスは、封止位置精度に無関係になった
ので大きく取れる。従って、摺動部４は成形時の熱によ
り焼き付きを起こさず作動が円滑で、回路基板９の押さ
えが良く効くので、回路基板９の厚みのバラツキがあっ
てもこれを吸収すると同時に、バリの発生もない。前記
付勢押圧部３の回路基板９への当接面は平面でよいか
ら、回路基板９の品種によらず共通化が可能である。ま
た付勢手段である圧縮コイルバネ６は断熱部材８に格納
さているので、成形時の熱によりへたることなく、その
機能を長期に保持することができる。
部４のクリアランスは、封止位置精度に無関係になった
ので大きく取れる。従って、摺動部４は成形時の熱によ
り焼き付きを起こさず作動が円滑で、回路基板９の押さ
えが良く効くので、回路基板９の厚みのバラツキがあっ
てもこれを吸収すると同時に、バリの発生もない。前記
付勢押圧部３の回路基板９への当接面は平面でよいか
ら、回路基板９の品種によらず共通化が可能である。ま
た付勢手段である圧縮コイルバネ６は断熱部材８に格納
さているので、成形時の熱によりへたることなく、その
機能を長期に保持することができる。
【００３３】カセット式のキャビティブロック１３は３
ケ取りとなっているが、同時に多数個の回路基板に実装
したＩＣ１５を封止することもできる。回路基板が３ケ
連なった短冊状の場合に、ガイドピン１２の本数を一対
まで削減できるのは勿論である。なお、回路基板９の位
置決め部はガイドピン１２の代わりに、回路基板９の外
形を案内するように形成した回路基板９の厚みよりも浅
い凹部１３ａのみであってもよい。さらに図３に示すよ
うに、回路基板９の品種の切り替えは、図３（ａ）の回
路基板９に対応して、下金型２に対して行う図３（ｂ）
のキャビティブロック１３の交換のみで、しかもキャビ
ティブロック１３がカセット式であるので、品種の敏速
な切り替えが可能である。回路基板９の位置決め部であ
るガイドピン１２と封止部であるキャビティ１１とが一
つのキャビティブロック１３に設けられているので、回
路基板９に対する封止部の位置精度は極めて良く確保さ
れる。またキャビティ１１の下方にランナー部１８があ
るので、ゲート部１８ｄでの樹脂切断や金型清掃に伴っ
て発生する樹脂かすがキャビティ１１内に侵入すること
がなく、樹脂かすのかす詰まりによる充填不良やボンデ
ィングワイヤーの折損が発生しない。
ケ取りとなっているが、同時に多数個の回路基板に実装
したＩＣ１５を封止することもできる。回路基板が３ケ
連なった短冊状の場合に、ガイドピン１２の本数を一対
まで削減できるのは勿論である。なお、回路基板９の位
置決め部はガイドピン１２の代わりに、回路基板９の外
形を案内するように形成した回路基板９の厚みよりも浅
い凹部１３ａのみであってもよい。さらに図３に示すよ
うに、回路基板９の品種の切り替えは、図３（ａ）の回
路基板９に対応して、下金型２に対して行う図３（ｂ）
のキャビティブロック１３の交換のみで、しかもキャビ
ティブロック１３がカセット式であるので、品種の敏速
な切り替えが可能である。回路基板９の位置決め部であ
るガイドピン１２と封止部であるキャビティ１１とが一
つのキャビティブロック１３に設けられているので、回
路基板９に対する封止部の位置精度は極めて良く確保さ
れる。またキャビティ１１の下方にランナー部１８があ
るので、ゲート部１８ｄでの樹脂切断や金型清掃に伴っ
て発生する樹脂かすがキャビティ１１内に侵入すること
がなく、樹脂かすのかす詰まりによる充填不良やボンデ
ィングワイヤーの折損が発生しない。
【００３４】上述の如く、本実施例のＩＣを実装した回
路基板の樹脂封止方法及びその成形金型の構造の特徴と
するところは、回路基板のＩＣを下向きに装着し、樹脂
を下方から押し上げて注入するようにして、ランナー部
の上部にキャビティを形成したこと。また下金型には、
キャビティと回路基板の位置決め部とを一つのキャビテ
ィブロックに配設し、しかもキャビティブロックをカセ
ット式にして着脱容易とし、封止位置精度の確保と品種
の切り替えに迅速に対応したこと。さらに上金型には、
前記回路基板の背面を付勢手段で押圧する付勢押圧部と
固定側型板との摺動部に十分大きなクリアランスをもた
せることにより、摺動部が焼き付かず回路基板の押さえ
が効いてバリの発生を防ぎ、前記付勢押圧部は、その回
路基板への当接部が平面のため、品種の切り替えに対し
て共通化が可能なことである。
路基板の樹脂封止方法及びその成形金型の構造の特徴と
するところは、回路基板のＩＣを下向きに装着し、樹脂
を下方から押し上げて注入するようにして、ランナー部
の上部にキャビティを形成したこと。また下金型には、
キャビティと回路基板の位置決め部とを一つのキャビテ
ィブロックに配設し、しかもキャビティブロックをカセ
ット式にして着脱容易とし、封止位置精度の確保と品種
の切り替えに迅速に対応したこと。さらに上金型には、
前記回路基板の背面を付勢手段で押圧する付勢押圧部と
固定側型板との摺動部に十分大きなクリアランスをもた
せることにより、摺動部が焼き付かず回路基板の押さえ
が効いてバリの発生を防ぎ、前記付勢押圧部は、その回
路基板への当接部が平面のため、品種の切り替えに対し
て共通化が可能なことである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂かすによる樹脂の未充填やワイヤーの損傷を発生さ
せることなく、また封止樹脂精度が向上する。付勢押圧
部は作動が円滑で成形品にバリの発生もく、品種の切り
替えはキャビティブロックの交換のみで迅速に対応でき
る。回路基板の着脱は、回路基板のフラットな背面側を
上にして行えるので、汎用の吸着パッド等が利用でき
る。以上のように生産性に優れ、信頼性の高い樹脂封止
方法及びその成形金型の構造を提供することができる。
樹脂かすによる樹脂の未充填やワイヤーの損傷を発生さ
せることなく、また封止樹脂精度が向上する。付勢押圧
部は作動が円滑で成形品にバリの発生もく、品種の切り
替えはキャビティブロックの交換のみで迅速に対応でき
る。回路基板の着脱は、回路基板のフラットな背面側を
上にして行えるので、汎用の吸着パッド等が利用でき
る。以上のように生産性に優れ、信頼性の高い樹脂封止
方法及びその成形金型の構造を提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係わるピンポイントゲート方
式のＩＣを実装した回路基板の樹脂封止成形金型の構造
を示す要部断面図である。
式のＩＣを実装した回路基板の樹脂封止成形金型の構造
を示す要部断面図である。
【図２】本発明の実施例に係わるキャビティブロックの
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係わるキャビティブロックと
回路基板の断面図である。
回路基板の断面図である。
【図４】従来技術のピンポイントゲート方式のＩＣを実
装した回路基板樹脂成形金型の構造を示す要部断面図で
ある。
装した回路基板樹脂成形金型の構造を示す要部断面図で
ある。
【図５】従来技術のピンポイントゲート方式のＩＣを実
装した回路基板樹脂成形金型の構造を示す要部断面図で
ある。
装した回路基板樹脂成形金型の構造を示す要部断面図で
ある。
【図６】従来技術のキャビティブロックと回路基板及び
付勢押圧部の断面図である。
付勢押圧部の断面図である。
１ 上金型 ２ 下金型 ３ 付勢押圧部 ６ 圧縮コイルバネ ９ 回路基板 １１ キャビティ １２ ガイドピン １５ ＩＣ １８ ランナー部 １８ｄ ゲート部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (10)
- 【請求項１】 上金型と下金型とでキャビティを形成
し、ＩＣを実装した回路基板を成形金型内に装着して樹
脂封止するＩＣを実装した回路基板の樹脂封止方法にお
いて、下金型には前記ＩＣを封止するためのキャビティ
と前記回路基板を位置決めするための位置決め部とを設
けるとともに、上金型には前記回路基板の背面を押圧す
るための押圧部を設け、前記下金型に前記ＩＣを実装し
た回路基板を前記ＩＣを下向きに装着して樹脂封止する
ことを特徴とするＩＣを実装した回路基板の樹脂封止方
法。 - 【請求項２】 前記下金型のキャビティの下方にランナ
ー部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記
キャビティに樹脂を注入することを特徴とする請求項１
記載のＩＣを実装した回路基板の樹脂封止方法。 - 【請求項３】 前記上金型に設けられた押圧部は、付勢
手段によって押圧方向に付勢された付勢押圧部であり、
該付勢押圧部で前記回路基板の背面を押圧することを特
徴とする請求項１記載のＩＣを実装した回路基板の樹脂
封止方法。 - 【請求項４】 前記下金型のキャビティと前記回路基板
を位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティ
ブロックに形成し、該キャビティブロックを交換して形
状の異なるＩＣを実装した回路基板の樹脂封止を行うこ
とを特徴とする請求項１記載のＩＣを実装した回路基板
の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 前記上金型には付勢手段によって押圧方
向に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下金
型にはキャビティと前記回路基板を位置決めするための
位置決め部とを一つのキャビティブロックに形成し、該
キャビティブロックに装着されたＩＣを実装した回路基
板の背面を前記付勢押圧部で押圧して樹脂封止すること
を特徴とする請求項１記載のＩＣを実装した回路基板の
樹脂封止方法。 - 【請求項６】 上金型と下金型とでキャビティを形成
し、ＩＣを実装した回路基板を成形金型内に装着して樹
脂封止するＩＣを実装した回路基板の成形金型におい
て、前記下金型にはＩＣを実装した回路基板の前記ＩＣ
を封止するためのキャビティと前記回路基板を位置決め
するための位置決め部とを設けるとともに、上金型には
前記回路基板の背面を押圧するための押圧部を設けたこ
とを特徴とするＩＣを実装した回路基板の成形金型。 - 【請求項７】 前記下金型のキャビティの下方にランナ
ー部を配設し、該ランナー部よりゲート部を介して前記
キャビティに樹脂を注入するように構成したことを特徴
とする請求項６記載のＩＣを実装した回路基板の成形金
型。 - 【請求項８】 前記上金型には付勢手段によって押圧方
向に付勢された付勢押圧部を有し、該付勢押圧部で前記
回路基板の背面を押圧するように構成したことを特徴と
する請求項６記載のＩＣを実装した回路基板の成形金
型。 - 【請求項９】 前記下金型のキャビティと前記回路基板
を位置決めするための位置決め部とを一つのキャビティ
ブロックに形成したことを特徴とする請求項６記載のＩ
Ｃを実装した回路基板の成形金型。 - 【請求項１０】 前記上金型には付勢手段によって押圧
方向に付勢された付勢押圧部を設けるとともに、前記下
金型にはキャビティと前記回路基板を位置決めするため
の位置決め部とを一つのキャビティブロックに形成した
ことを特徴とする請求項６記載のＩＣを実装した回路基
板の成形金型。
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