JPH0633020B2 - 樹脂封止方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は回路基板上に設けられたＩＣ等の電子部品を熱
硬化性樹脂で樹脂封止する方法に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、ＣＰＵ、メモリチップ等のＩＣチップを装備した
ＩＣカードの開発が急速に進歩している。このＩＣカー
ドは、従来の磁気カードに比べてその記憶容量が大きい
ので、銀行の預金通帳やクレジットカードの代りに利用
しようと考えられている。

従来のＩＣカード及びＩＣカードに収納されるＩＣモジ
ュールを第７図〜第１３図を用いて説明する。

第７図は従来のＩＣカードの外観斜視図、第８図は第７
図のＡ−Ａ断面図、第９図はＩＣカードのカード基体を
示す外観斜視図、第１０図は従来のＩＣチップ樹脂封止
方法の工程を示す断面図、第１１図は従来のＩＣモジュ
ールを示す外観斜視図、第１２図は従来の他のＩＣモジ
ュールを示す外観斜視図、第１３図は第１２図のＩＣモ
ジュールをＩＣカードに収納した状態を示す断面図であ
る。

図において、ＩＣカード３０は表面に複数のデータ入出
力端子３３ａが設けられており、全体の形状は第９図に
示したプラスチック製のカード基体３１で決められてい
る。

第８図に示すごとく、このカード基体３１には、凹部３
１ａが形成されており、この凹部３１ａ内には、ＣＰ
Ｕ、メモリチップ等のＩＣチップ33bを回路基板３３に
ボンディングし、ＩＣチップ３３ｂに樹脂による封止部
３４を形成したＩＣモジュール３２が収納固定される。

ＩＣカード３０は、カード基体３１の凹部31a内にＩＣ
モジュール３２を収納固定した後、カード基体３１の両
面にオーバーシート３５を覆って構成される。

又第８図に示す各素子の関係は、ＩＣモジュール３２
は、封止部３４の上面が凹部３１ａの底面に当接して厚
味が規制され、又回路基板３３の外周が凹部３１ａの内
周に係合して平面位置が規制されている。

一般にＩＣカード３０は厚さが約０．８mmであり、携帯
時や使用時に受ける外力によって破壊されないようにす
るため、ある程度の曲げに耐える柔軟性が必要である。
そのため、カード基体３１の柔軟性はもちろん必要であ
るとともに、ＩＣモジュール３２は、曲げによってＩＣ
チップ３３ｂの割れやボンディングワイヤーの断線等が
生じない様に、剛性が高く、又耐湿性にすぐれた樹脂で
封止する必要がある。

しかも上記の如く薄いカード基体３１の凹部３１ａの底
面に封止部３４の上面が当接して厚味が規制されるの
で、封止部３４は、厚味のバラツキが生じないように外
形形状を管理しなければならない。従って、従来から多
用しているＩＣチップ上に溶融樹脂を滴下させるポッテ
ィング封止方法では、封止部３４の厚味にバラツキが生
じ易いので、ＩＣモジュール３２の封止部３４は、形状
精度が良く、かつ剛性の高い熱硬化性樹脂を用いたトラ
ンスファモールド方法で形成するのが最適であった。

第１０図に基づいて従来のトランスファーモールドによ
るＩＣチップの樹脂封止方法を説明する。

第１０図に於いて、３６は下金型であり、その上面には
ＩＣチップ３３ｂをボンディングした回路基板３３が載
置される。３７はキャビティー３７ａが形成された上金
型であり、上金型３７はキャビティー３７ａがＩＣチッ
プ３３ｂの上面を覆うように下金型３６に固定される。

上金型３７にはゲート溝３９ａとランナー溝４０ａが形
成されており、この上金型３７と下金型３６の合わせ面
及び上金型３７と回路基板３３の合わせ面には、樹脂３
８をキャビティー３７ａに導くランナー４０及びゲート
３９が構成され、いわゆるサイドゲート方式のトランス
ファーモールド方法になる。

封止部３４を形成するには、加熱、溶融した樹脂３８を
プランジャー４１でランナー４０へ注入し、ゲート３９
を通った樹脂３８をキャビティー３７ａ内に充填するこ
とによって形成される。

樹脂３８が硬化したら上金型３７を外して封止部３４が
形成されたＩＣモジュール３２を取出すが、前述した如
く上金型３７と回路基板３３の合わせ面にゲート３９が
構成されるため、ＩＣモジュール３２の回路基板３３上
には、第１１図に示す如く封止部３４につながってゲー
ト残り３４ａが形成されてしまう。

このゲート残り３４ａは、回路基板３３の面３３ｃとの
接着性が高いので、１点鎖線で示すゲート残り３４ａ′
を折取る時に、その力がゲート残り３４ａに及び回路基
板３３の面３３ｃを剥離してしまい、場合によっては回
路パターンまでも切断してしまうという問題があった。

更に従来のＩＣモジュール３２の回路基板３３上には、
ゲート残り３４ａが残ってしまうので、第９図に示す如
くカード基体３１の凹部３１ａ内にさらに、ゲート残り
３４ａを収納するための溝部３１ｂを形成する必要があ
る。

しかし前述した如くカード基体３１はプラスチック製で
あるため、凹部３１ａ及び溝部３１ｂはカード基体３１
を射出成形によって作る時に同時に成形されるが、射出
成形によってカード基体３１に凹部３１ａと溝部３１ｂ
を同時に成形しようとすると、射出成形型の中を流れる
プラスチックは、第９図に示すように、溝部３１ｂをさ
けて矢印Ｂ、Ｃの様に回り込んで流れるため、それぞれ
のプラスチックの流れが破線Ｄの位置で不完全接合する
結果となる。

前述した通りＩＣカード３０は、曲げに耐え得る柔軟性
を必要としているが、カード基体３１の一部に上記の様
なプラスチックの不完全接合部Ｄが生じると、少しの曲
げでも不完全接合部Ｄから亀裂が発生してしまい、カー
ド基体３１が割れてしまう問題があった。

そこでカード基体３１に溝部３１ｂを形成しなくても良
いようにするため、ＩＣモジュール３２の回路基板３３
上にゲート残り３４ａを形成しないでＩＣチップ３２を
封止できるトランスファーモールド方法が望まれてい
た。

しかるに前記従来の樹脂封止方法の持つ欠点を解決する
樹脂封止方法が特公昭６１−４６０４９号公報に提案さ
れている。

この樹脂封止方法は、上金型と下金型の間に、樹脂封止
が施される電子部品が搭載された回路基板と、樹脂封止
位置や形状を決めるキャビティーが設けられたキャビテ
ィープレートを介在させ、このキャビティープレートと
の合わせ面になる下金型の上面に設けたランナー溝及び
ゲート溝を通してキャビティー内に封止樹脂を充填する
いわゆるサイドゲート方式のトランスファーモールド方
法である。

尚、ゲート溝はキャビティーの上部開口部側に位置する
ように構成されている。

この樹脂封止方法によれば、封止樹脂が導かれるゲート
溝が、キャビティープレートによって回路基板３３上か
ら封止部３４の上部へ移行されるため、第１２図に一点
鎖線で示す如く回路基板３３上のゲート残り３４ａは存
在せず、第１１図に示す従来例の問題点は解消される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記の樹脂封止方法では、キャビティー
内へ封止樹脂が充填される時、ゲート溝がキャビティー
の上部開口部側、即ち封止部３４の上端面に位置するよ
うに構成されているので、第１２図に示す様にゲート残
り３４ｂが封止部３４の上端面に突出してしまう。

従って第１３図に示す如くこのゲート残り３４ｂが付い
たままのＩＣモジュール３２をカード基体４３の凹部４
３ａ内に収納しようとすると、ゲート残り３４ｂが凹部
４３ａの底面に当接して封止部３４の上面と凹部４３ａ
の底面の間にスキ間Ｇが生じ、ＩＣモジュール３２の部
分でカードの厚味が規格より厚くなってしまう問題があ
った。

そのため、封止部３４を形成した後、ゲート残り３４ｂ
をヤスリによって取除く面倒な作業が必要になるという
信頼性上の問題がある。

更に、前述の樹脂封止方法によれば下記の如く金型のメ
ンテナンス上の問題もある。即ち、封止部３４の剛性を
高めるため、封止樹脂にガラス繊維を混合したものを使
用する場合が多い。

この場合、細くなっているゲート溝がガラス繊維によっ
て激しく摩滅してしまい、一定期間ごとにゲート溝を設
けた部材を交換する必要があるが、上記の樹脂封止方法
によれば、ゲート溝が下金型に形成されており、前記ゲ
ート溝の摩滅時に高価な下金型をそっくり交換しなけれ
ばならなかったので、金型の費用が高くついてしまう問
題があった。

そこでゲート溝の摩滅対策として、摩滅の激しいゲート
溝を設けた金型の一部分のみを交換可能な構造にした樹
脂成形方法が種々利用されており、たとえば特開昭６２
−１３３１２号公報に記載されている。

この樹脂封止方法では、樹脂を注入するための孔が設け
られたスプルを交換可能なブッシュで構成し、このスプ
ルブッシュを固定側入子に設け、固定側入子と可動側入
子の合わせ面に形成されるキャビティーとスプルブッシ
ュの孔を連通させることにより、射出シリンダからスプ
ルブッシュの孔に溶融樹脂を射出させて、キャビティー
内に樹脂を充填するいわゆるピンゲート方式の樹脂成形
方法である。

キャビティー内への樹脂充填が完了し、樹脂が硬化した
ら、成形品とスプルブッシュ内の硬化樹脂を取除いて再
度樹脂成形が行なわれる。

この樹脂成形方法では、一番摩滅の激しい樹脂注入孔で
あるスプルを交換可能なプッシュで構成しているので、
摩滅が激しい時はスプルブッシュのみを簡単に交換する
ことができる。

しかしながらこの樹脂成形方法では、使用する樹脂が熱
可塑性樹脂の場合と、熱硬化性樹脂の場合とで次の様な
違いが生じる。

即ち、熱可塑性樹脂は、熱収縮率が大きいので金型との
離型が良く、又硬化しても靭性があるので、スプルブッ
シュの孔の中で硬化した樹脂でも容易に孔から引き抜い
て取除くことができる。

これに対し熱硬化性樹脂は、熱収縮が小さいので硬化し
たとき金型の表面に食い付き、離型が悪い。しかも硬化
するとほとんど靭性がないので、スプルブッシュの孔の
中から硬化した樹脂を引き抜こうとすると、硬化した樹
脂がスプルブッシュの孔の中で折れ、樹脂が残ってしま
う問題があった。

そのため、熱硬化性樹脂を使用する場合は、このような
ピンゲート方式の樹脂成形方法を利用するのが困難なの
で、前述したサイドゲート方式のトランスファーモール
ド方法を用いるのが一般的であった。

又更に、前述の特公昭６１−４６０４９号公報に提案さ
れている樹脂封止方法には次のような欠点がある。

即ち、前述の如く熱硬化性樹脂は熱収縮率が小さく、金
型との離型が悪いので、封止部の形状を決めるキャビテ
ィープレートのキャビティー内に封止樹脂を充填して回
路基板上の電子部品を封止すると、封止樹脂が硬化した
後、封止部とキャビティープレートがくっついたままと
なる。そのため、封止部が形成された回路基板を取り外
すときは、キャビティープレートがくっついたままの回
路基板を一旦金型から取り外し、回路基板とキャビティ
ープレートを手で分離してから再度キャビティープレー
トを金型へ取り付ける作業が必要となっていた。従って
一連の作業は自動化することが難しく、手作業となるた
め、生産効率が大変悪かった。

そこで本発明は、上述の各従来技術が有する欠点を解決
し、熱硬化性樹脂による樹脂封止方法において、封止部
の上面にゲート残りが突出しないようにゲートを構成で
き、且つ摩滅の激しいゲート溝を容易に交換することが
でき、更には一連の樹脂封止作業業が自動化できる樹脂
封止方法を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するための本発明の方法は、樹脂封止
が施される基板を上金型と下金型で挾み込み、該上金型
又は下金型に形成されたキャビティー内にゲートを通し
て樹脂を充填する樹脂封止方法において、前記基板上
に、ゲート溝を有するゲートプレートを配置することに
より、該ゲートプレートと前記上金型又は下金型との間
に前記キャビティーの側面に連結するサイドゲートを構
成して前記キャビティー内に樹脂を充填することを特徴
としている。

更にゲートプレートは上金型又は下金型の一方に回動可
能に取付けられるとともに、前記上金型と下金型の離間
した状態では前記ゲートプレートを基板上から回動離脱
させる駆動手段を有しても良い。

〔実施例〕

以下図面により本発明の各実施例を詳述する。

第１図(a)〜(e)は本発明の第一実施例である樹脂封止方
法の工程を示す断面図、第２図は第１図(a)〜(e)の工程
によって封止部が形成された回路基板にゲートプレート
を取付けてある状態を示す外観斜視図、第３図は他の封
止部形状を示す外観斜視図、第４図はＩＣモジュールを
示す外観斜視図、第５図はＩＣカードの要部断断面図で
ある。

まず第１図(a)に基づいて本実施例の樹脂封止方法で使
用される各構成部品を説明する。

１は上金型であり、封止部の外形形状と封止位置を決め
る上キャビティー１ａと、案内穴１ｂ、１ｃと、封止樹
脂が投入される上ポット１ｄと、後述するゲートプレー
ト３が一点鎖線で示す様に配置されるプレート部１ｅが
形成されている。

２は下金型であり、下ポット２ａ、ランナー溝２ｂ、電
子部品１０が配置された回路基板４を保持するための基
板固定部２ｃが形成されている。

又、下金型２には回路基板４とゲートプレート３を位置
決めするためのガイドピン５、６が設けられるととも
に、下ポット２ａと基板固定部２ｃの底面側には、回路
基板４に封止部を形成した後、回路基板４を硬化した封
止樹脂とともに下金型２から取出すためのノックアウト
ピン７、８、９が配置されている。

３は封止樹脂を上キャビティー１ａに導くためのゲート
プレートであり、第２図にその外観斜視図が示してある
如く上面側には、上キャビティー１ａ（第２図では封止
部１３になる。）に向って先細になるゲート溝３ａが形
成されている。

更にゲートプレート３及び回路基板４には、それぞれガ
イドピン５、６が貫通するガイド穴３ｂ、４ａ、４ｂが
設けられている。

次に本実施例の樹脂封止工程を、第１図(a)〜(e)の順に
従って説明する。

各構成部品の上下配置は第１図(a)に示す如くであり、
まず回路基板４は電子部品１０が上面になるよう下金型
２のガイドピン５、６にガイド穴４ａ、４ｂをそれぞれ
貫通させて基板固定部２ｃに配置する。次にゲートプレ
ート３は、ゲート溝３ａを上面側に向けた状態でガイド
穴３ｂにガイドピン５を貫通させ、回路基板４上面に配
置する。

更に上金型１は、ゲートプレート３及び回路基板４を貫
通したガイドピン５、６に案内穴１ｂ、１ｃを合わせて
下金型２の上面に重ねられる。これによって第１図(b)
に示す様に、ゲートプレート３は上金型のプレート部１
ｅに固定され、回路基板４は下金型２の基板固定部２ｃ
に固定されるとともにゲートプレート３のゲート溝３ａ
と上金型１の間にはサイドゲート３ｃが構成され、下金
型２のランナー溝２ｂと上金型１の間にはランナー２ｄ
が構成される。

しかもサイドゲート３ｃは上キャビティー１ａの側面に
連結されている。

次に第１図(b)に示す如く上ポット１ｄからガラス繊維
を混合した熱硬化性樹脂である封止樹脂１１を入れ、下
ポット２ａにて加熱・溶融する。

そして封止樹脂１１を射出するためのプランジャー１２
を上ポット１ｄから下ポット２ａに下降させることによ
り、封止樹脂１１はランナー２ｄ、サイドゲート３ｃを
通って上キャビティー１ａ内に充填され、電子部品１０
の周囲のみを封止する。

ゲートプレート３のゲート溝３ａは、先細になっている
先端部が摩滅しやすいが、ゲート溝３ａが摩滅した時
は、ゲートプレート３のみを交換するだけで良い。

次に上キャビティー１ａ内に充填された封止樹脂１１が
硬化し、回路基板４に封止部１３が形成されたら上金型
１が上方に外される。

そして第１図(c)に示す如く、ノックアウトピン７、
８、９を上方に突出することにより、封止部１３が形成
された回路基板４は、封止部１３につながって硬化した
ゲート３ｃ、ランナー２ｄ、下ポット２ａの封止樹脂１
１とともに下型２のガイドピン５、６から取外される。

そして第１図(d)に示す如く、サイドゲート３ｃの部分
を上方又は左右に折り曲げれば、封止部１３から不用な
封止樹脂１１を簡単に分離でき、更に第４図に示す如く
回路基板４を所定形状にカットすることにより個々のＩ
Ｃモジュール１７が完成する。

しかも前述した如くサイドゲート３ｃは、封止部１３の
側面に連結しているので、ゲート残り１３ａは封止部１
３の側面に突出する。

そして第５図に示す如く、このＩＣモジュール１７は、
封止部１３をカード基体４２の凹部４２ａ内に正確に収
納できる。最後にカード基体４２の両面をオーバーシー
ト３５で覆ってＩＣカード４４が完成するが、従来技術
でも述べた如く、ＩＣモジュール１７は、回路基板４の
外周が凹部４２ａに於ける基板凹部４２０ａの内周に係
合して平面位置が規制されるので、封止部１３の側面に
ゲート残り１３ａが突出しても、封止部１３が収納され
る封止凹部４２０ｂの内周を前記封止部１３の外径より
も径大に形成することによって前記ゲート残り１３ａを
問題なく収納することが可能となる。

更に第１図(e)に示す如くゲートプレート３は、ゲート
溝３ａから硬化した封止樹脂１１を簡単に取外すことに
よって再度使用できる。

尚、ゲート溝３ａと封止樹脂１１の分離を容易にするた
め、ゲート溝３ａ面の仕上げは出来るだけキレイに仕上
げることが望ましい。又、ゲート溝３ａに予め離型剤を
塗布しておいても良い。

尚、前述の実施例では封止部１３の外形形状が四角形で
あったが、第３図に示す如く丸形にしたり、任意に変更
可能である。

次に本発明の第二実施例を第６図に基づいて説明する。
第６図は樹脂封止方法の工程を示す要部断面図である。

本実施例ではゲートプレート１４によって形成されるサ
イドゲート１４ａが上金型１５に設けた上キャビティー
１５ａの側面中央部に連結しているので、封止部１６の
上端からより離れた所でサイドゲート１４ａとの分離が
可能となる。

次に本発明の第三実施例を第１４図(a)〜(c)及び第１５
図に基づいて説明する。第１４図(a)〜(c)は本実施例の
樹脂封止方法の工程を示す断面図、第１５図は第１４図
(b)の状態を示す要部斜視図である。

まず第１４図(a)及び第１５図に基づいて本実施例で使
用される各構成部品を説明する。尚、前述の第一実施例
の構成と同様に機能する構成部品には同一番号を付けて
その説明を省略する。

本実施例の最大の特徴は、ゲートプレート５０が下金型
２に対して回動可能に取付けられている点である。即ち
ゲートプレート５０には回転軸５１が設けられ、下金型
２に形成した軸受部２ｅに回転可能に軸支されている。
一方下金型２側には、ゲートプレート５０を回動させる
ための駆動手段として上下に駆動する押上げピン５２が
設けられている。押上げピン５２は先端がテーパー形状
をしており、上方に駆動したとき、そのテーパー面がゲ
ートプレート５０の端部５０ｂに当接してゲートプレー
ト５０を上方向に回動させ、反対に押上げピン５２が下
方に駆動するとゲートプレート５０を下方に回動するよ
うに構成されている。

次に本実施例における樹脂封止工程を第１４図(a)〜(c)
の順に従って説明する。

まず押上げピンン５２によってゲートプレート５０を上
方向に回動させた状態で下金型２の基板固定部２ｃに回
路基板４を配置する。次に第１４図(a)に示す如く、押
上げピン５２を下方に駆動し、回路基板４の上面にゲー
トプレート５０を配置するとともに、さらに上方向から
上金型１によってはさみ込む。これにより、電子部品１
０が上キャビティー１ａで囲まれるとともに上金型１と
ゲートプレート５０の間にはサイドゲート３ｃ、上金型
１と下金型２の間にはランナー２ｄがそれぞれ構成され
る。

そしてプランジャー（図示せず）によって射出された封
止樹脂１１がランナー２ｄ、サイドゲート３ｃを通って
上キャビティー１ａ内に充填され、電子部品１０の周囲
のみを封止する。

次に上キャビティー１ａ内に充填された封止樹脂１１が
硬化し、回路基板４に封止部１３が形成されたら上金型
１が上方に離間される。そして第１４図(b)に示す如
く、最初にノックアウトピン７を上方に突出させ、ラン
ナー２ｄ、サイドゲート３ｃで硬化した不要な封止樹脂
１１を取除く。この時、第１５図に示すごとくゲート溝
５０ａが封止部１３に向って先細形状となっているの
で、封止部１３の側面には、極めて小さなゲート残り１
３ａしか残らない。

次に押上げピン５２を上方向に駆動し、ゲートプレート
５０を上方向に回動させて回路基板４の上面から離脱さ
せる。そしてノックアウトピン８、９を上方に突出させ
ることにより、基板固定部２ｃから完成したＩＣモジュ
ールを取出すことができる。

最後にノックアウトピン７、８、９を下方にもどすこと
により、封止部１３が形成されていない新しい回路基板
４を基板固定部２ｃにセッティングできる。

従って封止工程毎にゲートプレート５０を下金型２から
取り外す必要もなく、ゲートプレート５０と封止部１３
が形成された回路基板４との離型及び硬化した不要封止
樹脂１１とゲートプレート５０との離型もスムーズに行
なえるので、自動化に適した樹脂封止方法とすることが
できる。

尚、前述の各実施例では上金型にキャビティーを形成し
たが、逆に下金型にキャビティーを設ける場合でも同様
な作用効果を発揮する。

〔発明の効果〕

上記のごとく本発明によれば、上金型と下金型の間にゲ
ート溝を形成したゲートプレートを介在させることによ
って回路基板面から離れた位置にサイドゲートを形成
し、該サイドゲートを用いてキャビティー内に熱硬化性
樹脂よりなる封止樹脂を注入する方式であるため、完成
モジュールに於けるゲート残りを回路基板上や、封止部
上面を避けて封止部側面に形成することが可能となり、
薄型封止を必要とするＩＣカード等の実装には最適なモ
ジュールを提供することができる。

又サイドゲート構造であるため、ゲート部への樹脂づま
りの心配がなく、さらにゲート溝が摩滅した場合には従
来の高価な金型交換の代りに製作が容易でコストの廉い
ゲートプレートのみの交換で対応出来るため、金型のメ
ンテナンスの面に於いても有利になる。

更にゲートプレートを上金型又は下金型に対して回動可
能に取付けるとともに、上、下金型の離間した状態で
は、ゲートプレートを基板上から離脱させる駆動手段を
採用すれば、封止工程毎にゲートプレートを金型から取
り外す必要もなく、且つ不要封止樹脂の処理及び完成し
たＩＣモジュールの取り扱いが容易になり、自動化に最
適な樹脂封止方法を提供できる等、熱硬化性樹脂を用い
たモジュールの封止方法に於いて大なる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図(a)〜(e)は本発明の第一実施例である樹脂封止方
法の工程を示す要部断面図、第２図は第１図(a)〜(e)の
工程によって封止部が形成された回路基板にゲートプレ
ートを取付けた状態を示す外観斜視図、第３図は丸形の
封止部が形成された回路基板にゲートプレートを取付け
た状態を示す外観斜視図、第４図はＩＣモジュールを示
す外観斜視図、第５図はＩＣカードの要部断面図、第６
図は本発明の第二実施例である樹脂封止方法の工程を示
す要部断面図、第７図は従来のＩＣカードの外観斜視
図、第８図は第７図のＡ−Ａ断面図、第９図は従来のＩ
Ｃカードのカード基体を示す外観斜図、第１０図は従来
のＩＣチップ樹脂封止方法の工程を示す断面図、第１１
図は従来のＩＣモジュールを示す外観斜視図、第１２図
は従来の他のＩＣモジュールを示す外観斜視図、第１３
図は第１２図のＩＣモジュールをＩＣカードに収納した
状態を示す断面図、第１４図(a)〜(c)は本発明の第三実
施例である樹脂封止方法の工程を示す断面図、第１５図
は第１４図(b)の状態を示す要部斜視図である。 １、１５……上金型、 １ａ、１５ａ……上キャビティー、 ２……下金型、 ２ｂ……ランナー、 ３、５０……ゲートプレート、 ３ａ、５０ａ……ゲート溝、 ３ｃ、１４ａ……サイドゲート、 ４……回路基板、 １０……電子部品、 １１……封止樹脂、 ５２……押上げピン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｃ 45/26 7179−4Ｆ Ｇ０６Ｋ 19/077 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｔ 8617−4Ｍ (56)参考文献 特開 昭63−2336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−241344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−503265（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−170943（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−159830（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−96847（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭57−59666（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂封止が施される基板を上金型と下金型
   で挾み込み、該上金型又は下金型に形成されたキャビテ
   ィー内にゲートを通して樹脂を充填する樹脂封止方法に
   おいて、前記基板上に、ゲート溝を有するゲートプレー
   トを配置することにより、該ゲートプレートと前記上金
   型又は下金型との間に前記キャビティーの側面に連結す
   るサイドゲートを構成して前記キャビティー内に樹脂を
   充填することを特徴とする樹脂封止方法。
2. 【請求項２】ゲートプレートは上金型又は下金型の一方
   に回動可能に取付けられるとともに、前記上金型と下金
   型の離間した状態では前記ゲートプレートを基板上から
   回動離脱させる駆動手段を有することを特徴とする請求
   項１記載の樹脂封止方法。