JP2005316724A - アクティブ型rfidタグ - Google Patents
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Abstract
【課題】 アクティブ型RFIDタグからの無線信号の発信/非発信を自動的に制御可能とすることにより、消費電力を低減して電池寿命を長くする。
【解決手段】 アクティブ型RFIDタグは、個別の識別子を格納してなる不揮発性メモリ34と、識別子を取得して当該識別子を含む送信信号を作成する演算部31と、作成された送信信号を変調する変調回路36と、変調された信号を送信するアンテナ4と、周囲の明るさに応じた実照度を検出する光検出部2とを備え、内部に搭載された電池1の電力を使用して動作する。このようなアクティブ型RFIDタグは、演算部31により、光検出部2の光導電素子22にて検出された実照度をA/D変換回路33を介して認識し、不揮発性メモリ34の照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 アクティブ型RFIDタグは、個別の識別子を格納してなる不揮発性メモリ34と、識別子を取得して当該識別子を含む送信信号を作成する演算部31と、作成された送信信号を変調する変調回路36と、変調された信号を送信するアンテナ4と、周囲の明るさに応じた実照度を検出する光検出部2とを備え、内部に搭載された電池1の電力を使用して動作する。このようなアクティブ型RFIDタグは、演算部31により、光検出部2の光導電素子22にて検出された実照度をA/D変換回路33を介して認識し、不揮発性メモリ34の照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、内部に電源を備え、自ら無線信号として情報を発信するアクティブ型RFIDタグに関し、所持者の所在地を検出する位置検出システムや、所持者の所在地に応じた情報を所持者に提示する情報配信システムに使用されるアクティブ型RFIDタグに関する。
従来より、内部メモリに格納されたID情報を無線信号で発信するRFIDタグと、当該RFIDタグとの間で無線信号を送受信するRFIDリーダライタから構成され、RFIDタグのID情報を非接触で取得したり、RFIDタグの内部メモリに情報を記録するRFIDシステムが知られている。このようなRFIDシステムにおいて、RFIDタグ内に電池を具備することによって、RFIDリーダライタからの無線信号を受信する必要なく自らID情報を発信するアクティブ型のRFIDタグが知られている。
このようなアクティブ型のRFIDタグに関連する技術として、下記の特許文献1には、複数のオペレーションシステム及び光センサを搭載したICカードと、当該ICカードの内部メモリの情報を読み取り又は書き込みするリーダライタとを備えたものが開示されている。このような特許文献1に記載された技術では、ICカードが使用するオペレーションシステムを切り換えるに際して、リーダライタからICカードに照明によって光を照射し、当該光の光量によってICカードの複数のオペレーションシステムのうち、何れかのオペレーションシステムを選択可能としている。
このようなRFIDシステムにおいて、一般的なアクティブ型RFIDタグは、図9に示すように、電池101と、ID情報を格納した不揮発性メモリ102と、信号送信処理を行なうための演算部104及びメモリ103と、データを無線信号に変調して空間に放射するための変調回路105及びアンテナ106とを備える。このようなアクティブ型RFIDタグでは、電池101によって各部に電力供給をすることによって、RFIDリーダライタからの電波を受信しなくても、演算部104及びメモリ103によって、不揮発性メモリ102に記憶されたID情報を含む送信データを作成し、変調回路105によって変調処理を施した後にアンテナ106から無線電波を送出することができる。
このようなアクティブ型RFIDタグでは、電池101を装備しているので、RFIDリーダライタからの電波電力を使用して動作するパッシブ型RFIDタグと比較して、通信距離が長いという性質を持つ。具体的には、一般に、パッシブ型RFIDタグの通信距離が最大数十センチメートルであるのに対して、アクティブ型RFIDタグは、数十メートルの通信距離である。このような特徴から、分散的に配置された複数のアクティブRFIDリーダでネットワークを構成することによって、アクティブ型RFIDを装備した移動体の所在地の検出等が可能となる。
ところで、アクティブ型RFIDタグは、低コスト化が要求されるという観点から、通常、受信機能が装備されず送信機能のみが装備されることが多いので、RFIDリーダライタから何らかの無線信号が発信されても、当該無線信号を受信することができない。すなわち、送信機能のみを備えたアクティブ型RFIDタグのアクティブRFIDシステムでは、アクティブ型RFIDタグから発信した無線信号をRFIDリーダライタによって受信するという片方向のみの通信がなされている。
したがって、アクティブ型RFIDタグとしては、自身の存在をRFIDリーダライタに通知するために、一定時間毎に自身のID情報を発信するものが多く、例えばアクティブ型RFIDタグを装備した歩行者の位置検出を行なう場合には、1秒から10秒程度の周期で無線信号を発信することが多い。このように一定周期で無線信号を発信するためには、演算部104により実行される信号発信用プログラムにタイマ処理が含まれており、演算部104は、一定時間のカウントが経過する毎に、すなわち一定時間が経過する毎に不揮発性メモリ102からID情報を取得して変調回路105に出力し、ID情報を含む無線信号を発信している。これにより、従来では、簡潔なプログラム構成で動作を実現でき、且つ単純で安価な構成でハードウェアを実現できるとしている。
特開2002−373317号公報
しかしながら、上述した従来の技術では、昼夜や場所に関わらず常に一定間隔で無線信号を発信しており、当然RFIDリーダライタが存在しない場所においても無線信号を発信し続けている。また、歩行者の位置検出を行なうシステムにおいて、アクティブ型RFIDタグの所持者が静止している場合においても、演算部104によって発信処理を続けており、同一のRFIDリーダライタに複数回に渡って無線信号を発信し続けるために、冗長な動作となっていた。このように、無為な発信処理を行ったとしても、電池101の電力が消費されるために、消費電力が無駄となり、電池101の寿命を短くしてしまうという問題があった。
したがって、位置情報システムや情報配信システムにおいてアクティブ型RFIDタグを使用する場合には、RFIDリーダライタが発信電波を受信することでアクティブ型RFIDタグの所持者の位置検出を行なっているため、RFIDリーダライタの存在しない位置においては電波の発信動作を停止することが、電池101の消費電力を削減する上で望ましい。
これに対し、小型の加速度センサや小型のおもりを用いた動きセンサを用いてアクティブ型RFIDタグを備えたカード等の動きを検出し、アクティブ型RFIDタグが静止している場合には無線信号の発信を停止するという方法が考えられる。これにより、アクティブ型RFIDタグの動きの静止を加速度センサ及び動きセンサを用いて検出し、動きが静止している場合に、発信を停止させることが可能となり、無為な発信による電力の消費を削減することが可能となる。
しかしながら、加速度センサは一般的に数百マイクロアンペアから数ミリアンペアの消費電流で動作するので、平均消費電流が数十マイクロアンペアであることが要求されるアクティブ型RFIDタグにとっては加速度センサの消費電流が無視できなくなり、不適当である。また、動きセンサは、落下等の大きな衝撃が予想されるアクティブ型RFIDタグにとっては、機械的な信頼性の点で不適当である。
更に、アクティブ型RFIDタグをカード型筐体に収容して人間がアクティブ型RFIDタグを所持した場合には、所持者のプライバシーの観点から、アクティブ型RFIDタグの発信と非発信を所持者の意思に応じて任意に切り替えられることが望ましい。これに対し、電源スイッチなどの機械的なスイッチを設けた場合には、所持者の操作が煩雑になったり、機械的な信頼性が損なわれるという問題点もある。
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、無線信号の発信/非発信を自動的に制御可能とすることにより、消費電力を低減して電池寿命を長くすることができるアクティブ型RFIDタグを提供することを目的とする。
本発明に係るアクティブ型RFIDタグは、個別の識別子を格納してなる第1記憶部と、第1記憶部から識別子を取得して、当該識別子を含む送信信号を作成する制御部と、制御部にて作成された送信信号を変調する変調部と、変調部にて変調された信号を送信するアンテナと、周囲の明るさに応じた実照度を検出する光検出部とを備え、内部に搭載された電池の電力を使用して動作する。
このようなアクティブ型RFIDタグは、上述の課題を解決するために、制御部により、光検出部にて検出された実照度が予め設定された照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。
本発明に係るアクティブ型RFIDタグは、光検出部にて検出された実照度が予め設定された照度閾値を超えたと判定した場合に送信信号を作成するので、周囲が暗くアンテナから電波を送信しなくても良い環境下においては電波を送信せず、無線信号の発信又は非発信を自動的に制御して、電池の消費電力を低減して寿命を長くすることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1実施形態]
本発明は、例えば図1に示すように構成された第1実施形態に係るアクティブ型RFID(radio frequency identification)タグに適用される。
本発明は、例えば図1に示すように構成された第1実施形態に係るアクティブ型RFID(radio frequency identification)タグに適用される。
[アクティブ型RFIDタグの構成]
このアクティブ型RFIDタグは、図示しない筐体に、電源1、光検出部2、信号処理部3及びアンテナ4が収容されて構成されている。このアクティブ型RFIDタグは、電源1から信号処理部3に駆動電力を与えることにより信号処理部3を動作させて、アンテナ4から無線電波を発信する。この無線電波は、複数のアクティブ型RFIDタグを管理するRFIDリーダライタによって検出される。
このアクティブ型RFIDタグは、図示しない筐体に、電源1、光検出部2、信号処理部3及びアンテナ4が収容されて構成されている。このアクティブ型RFIDタグは、電源1から信号処理部3に駆動電力を与えることにより信号処理部3を動作させて、アンテナ4から無線電波を発信する。この無線電波は、複数のアクティブ型RFIDタグを管理するRFIDリーダライタによって検出される。
電源1は、電池であり、光検出部2及び信号処理部3の各部に電力供給を行う。また、電源1は、電源端子21を介して光検出部2と接続され、且つ光検出部2を介して接地端子24と接続され、当該光検出部2に直流電圧を印加する。
光検出部2は、アクティブ型RFIDタグ周囲の明るさに応じた照度センサとして機能する。この光検出部2は、アクティブ型RFIDタグに対する入射光が受光可能に設けられた光導電素子22と、抵抗器23とを備える。この光検出部2は、光導電素子22の一端が電源端子21に接続され、光導電素子22の他端と抵抗器23の一端が接続され、抵抗器23の他端が接地端子24と接続されている。すなわち、光検出部2は、電源端子21、光導電素子22、抵抗器23及び接地端子24を直列に接続して構成されている。
また、光検出部2は、光導電素子22と抵抗器23とを接続する導線部分(接続点a)から分岐して信号処理部3と接続されている。したがって、接続点aの電位は、光導電素子22と抵抗器23との抵抗値の比で分圧した値となる。
光導電素子22は、例えばCdSセンサ等であって、周囲の実照度に応じて特性値(抵抗値)が連続的に変化する素子を使用する。この光導電素子22は、アクティブ型RFIDタグに対する入射光の実照度が大きくなるほど、抵抗値が減少し、アクティブ型RFIDタグに対する入射光の実照度が小さくなるほど、抵抗値が増大する特性となっている。したがって、接続点aの電位は、入射光の実照度が大きいほど増大し、入射光の実照度が小さいほど減少する。このような接続点aの電位は、信号処理部3のA/D変換回路33に読み取られる。
信号処理部3は、演算部31にタイマ回路32、A/D変換回路33、不揮発性メモリ34、メモリ35及び変調回路36が接続されて構成されている。この信号処理部3は、A/D変換回路33が接続点aに接続され、変調回路36がアンテナ4に接続されており、接続点aの電位を検出し、演算部31によって各部を制御してアンテナ4の無線電波の発信と非発信とを切り換える。すなわち、演算部31は、アクティブ型RFIDタグから無線電波と発信するために送信信号を作成する活性状態(通常モード)と、無線電波を発信させないために送信信号を作成しない非活性状態(スリープモード)とを切り換える。このスリープモードは、アクティブ型RFIDタグのID情報の送信処理を停止して、消費電流を例えば1マイクロアンペア未満の低消費電流にして、タイマ回路32にて発生する割り込みを待機する動作モードである。
A/D変換回路33は、光導電素子22の抵抗値に応じた接続点aの電位が変化した場合、すなわち光導電素子22への入射光の実照度が変化した場合であっても、入力インピーダンスが抵抗器23の抵抗値で一定となるように構成されている。これにより、A/D変換回路33は、光検出部2に対する演算部31の入力インターフェイスとして機能し、接続点aの電位に応じて演算部31への出力値を変化させる。
なお、A/D変換回路33としては、単体のA/D変換チップを使用しても良く、アクティブ型RFIDタグに備えられるマイクロコンピュータのA/D変換器を利用しても良い。また、A/D変換回路33の分解能としては、8bit程度で十分であり、A/D変換速度は通常の速度のものを使用しても入射光の実照度の変化を十分検出可能である。
不揮発性メモリ34には、少なくともアクティブ型RFIDタグを他のアクティブ型RFIDタグと区別するための個別の識別情報(ID情報)、及び入射光の実照度と比較される閾値(照度閾値)が格納されている。この不揮発性メモリ34は、記憶領域がID情報を格納する第1記憶部と、照度閾値を格納する第2記憶部とに分割されて構成されている。
ID情報は、アンテナ4から無線電波を発信するに際して演算部31に読み込まれる。また、照度閾値は、アクティブ型RFIDタグ周囲の実照度が低く、アクティブ型RFIDタグが非使用となっていると判定される照度値に設定されており、アクティブ型RFIDタグの使用用途等に応じて予め設定されている。
演算部31は、アクティブ型RFIDタグを活性状態(通常モード)と、非活性状態(スリープモード)とを切り換える活性切換処理を行うと共に、アクティブ型RFIDタグの活性状態時にアンテナ4から無線電波を発信をさせるための送信信号の作成処理を行う。
この演算部31は、アンテナ4から無線電波を発信させるに際して、不揮発性メモリ34からID情報を読み込んで、当該ID情報を含む送信信号を作成して変調回路36に出力し、変調回路36によって変調処理を行わせることによって高周波信号を生成させてアンテナ4に供給させる。なお、変調回路36のデータ変調方式としては、ASK(amplitude shift keying)やFSK(frequency-shift keying)などの安価で変調回路36を構成できるものが好ましい。
このとき、演算部31は、活性切換処理の結果や、その他の処理結果を一時記憶させる作業領域としてメモリ35を使用する。また、演算部31は、アンテナ4からの無線電波の送信間隔や、光導電素子22への実照度の検出間隔を調整するためにタイマ回路32のタイマ値を検出する。これにより、タイマ回路32は、演算部31の動作モードを通常モードとスリープモードとの間で遷移させる割り込みを発生させる。
アンテナ4は、変調回路36から入力される高周波信号を空間へと放射するものであって、アクティブ型RFIDタグ用として小型のものを使用する。このアンテナ4としては、例えば基板上の導体パターンとして形成された小型のループアンテナや、マイクロストリップアンテナ等が使用可能である。
[アクティブ型RFIDタグの動作]
つぎに、上述したように構成されたアクティブ型RFIDタグの動作を図2にフローチャートを参照して説明する。
つぎに、上述したように構成されたアクティブ型RFIDタグの動作を図2にフローチャートを参照して説明する。
図2のフローチャートによれば、先ずステップS1において、演算部31により、現在自身がスリープモードとなっているか否かを判定し、スリープモードである場合にはステップS2で通常モードに遷移し、スリープモードではない場合にはステップS3に処理を進める。
次に演算部31は、ステップS3において、光導電素子22の実照度に応じて変化する接続点aの電位をA/D変換回路33からの出力値から取得し、当該出力値Lと不揮発性メモリ34に格納されている照度閾値L0とを比較する。そして、出力値Lが照度閾値L0よりも高く超えている場合には、アクティブ型RFIDタグが使用される周囲の実照度であるので、無線電波を送信するためにステップS5以降に処理を進める。
次に演算部31は、不揮発性メモリ34からID情報を取得し(ステップS5)、当該ID情報を含む送信信号を変調回路36に出力してID情報を高周波信号に変換させて(ステップS6)、当該高周波信号をアンテナ4に出力して、アンテナ4から無線電波を発信させる(ステップS7)。その後、演算部31は、連続して通常モードからスリープモードに遷移した回数(遷移回数)を示すスリープフラグをクリアして(ステップS8)、ステップS9に処理を進める。
一方、ステップS4で出力値Lが照度閾値L0よりも低く超えていないと判定した場合には、アクティブ型RFIDタグが使用されない暗い周囲の実照度であるので、そのままステップS9に処理を進める。
次に演算部31は、無線電波を発信したこと又はアクティブ型RFIDタグ周囲が暗いことに応じて、スリープモードに移行し(ステップS9)、スリープフラグの値をインクリメントすることにより加算する(ステップS10)。このように、アクティブ型RFIDタグ周囲の実照度が暗い場合には、ステップS5以降に移行してスリープフラグの値がクリアされることなく、ステップS10でスリープフラグの値が加算され続ける。
次に演算部31は、ステップS10でインクリメントしたスリープフラグの値が、予め設定した基準値以上か否かを判定する。このスリープフラグの値と比較される基準値は、ステップS5以降の活性状態とならずに非活性状態(スリープモード)が連続して繰り返される回数であって、後述するが、ステップS3でアクティブ型RFIDタグ周囲の実照度を取得する間隔を変化させるための回数が設定されている。
そして、スリープフラグの値が基準値以上ではないと判定した場合には、現在のタイマ回路32のタイマ値であるスリープタイマ値Aに、所定の値を加算し(ステップS12)、当該加算後のスリープタイマ値Aが基準値を超えているか否かを判断する(ステップS13)。そして、演算部31は、スリープタイマ値Aが基準値を超えるまでステップS12及びステップS13の処理を繰り返し、スリープタイマ値Aが基準値を超えたらステップS1に処理を戻す。
一方、スリープフラグの値が基準値以上であると判定した場合には、現在のタイマ回路32のタイマ値であるスリープタイマ値Bに、所定の値を加算し(ステップS14)、当該加算後のスリープタイマ値Bが基準値を超えているか否かを判断する(ステップS15)。そして、演算部31は、スリープタイマ値Bが基準値を超えるまでステップS14及びステップS15の処理を繰り返し、スリープタイマ値Bが基準値を超えたらステップS1に処理を戻す。
このように、スリープタイマ値が基準値となったら、タイマ回路32によって演算部31に割り込みを掛けて、スリープモードから通常モードに遷移してステップS3以降の処理を繰り返すことになる。
ここで、ステップS12及びステップS13のスリープタイマ値Aを使用した処理と、ステップS14及びステップS15のスリープタイマ値Bを使用した処理とでは、スリープタイマ値Aを使用した処理を行ってステップS1に移行する期間よりも、スリープタイマ値Bを使用した処理を行ってステップS1に移行する期間が長くなるようにしている。すなわち、ステップS11の後にステップS12及びステップS13を行う場合よりも、ステップS11の後にステップS14及びステップS15を行った場合の方がステップS1に戻る周期が長い。
具体的には、ステップS12及びステップS14で加算するタイマ値の所定の値を同値とし且つステップS13の基準値をステップS15での基準値よりも小さいタイマ値に設定しても良く、ステップS12で加算する所定の値をステップS14で加算する所定の値よりも大きくし且つステップS13及びステップS15の基準値を同値とする。これにより、アクティブ型RFIDタグに対する実照度が小さい場合が連続してスリープモードに連続して遷移した場合には、より長い周期でスリープモードを継続することによって、実照度を取得する間隔を長くする。
[第1実施形態の効果]
以上詳細に説明したように、本発明を適用した第1実施形態に係るアクティブ型RFIDタグによれば、光導電素子22によって検出した実照度と照度閾値とを比較して、検出した実照度が照度閾値を超えた場合には無線電波を発信するので、周囲が暗く無線電波を発信しなくても良い環境下においては無線電波を発信せず、無線信号の発信又は非発信を自動的に制御して、電源1の消費電力を低減して寿命を長くすることができる。したがって、このアクティブ型RFIDタグによれば、明るい通路にRFIDリーダライタを設けた歩行者検出システムに使用した場合に、当該明るい通路を通過しないような暗い環境下では無線電波を発信せずに、消費電力を低減することができる。更に、所持者の意図によってアクティブ型RFIDタグを使用しない場合には、所持者の行動によって暗所にアクティブ型RFIDタグを持ち込むことで、手動でアクティブ型RFIDタグの消費電力を削減することもできる。
以上詳細に説明したように、本発明を適用した第1実施形態に係るアクティブ型RFIDタグによれば、光導電素子22によって検出した実照度と照度閾値とを比較して、検出した実照度が照度閾値を超えた場合には無線電波を発信するので、周囲が暗く無線電波を発信しなくても良い環境下においては無線電波を発信せず、無線信号の発信又は非発信を自動的に制御して、電源1の消費電力を低減して寿命を長くすることができる。したがって、このアクティブ型RFIDタグによれば、明るい通路にRFIDリーダライタを設けた歩行者検出システムに使用した場合に、当該明るい通路を通過しないような暗い環境下では無線電波を発信せずに、消費電力を低減することができる。更に、所持者の意図によってアクティブ型RFIDタグを使用しない場合には、所持者の行動によって暗所にアクティブ型RFIDタグを持ち込むことで、手動でアクティブ型RFIDタグの消費電力を削減することもできる。
また、このアクティブ型RFIDタグによれば、周囲の実照度が照度閾値を超えた場合には、ステップS12及びステップS13で決定される周期に従った所定間隔ごとに無線電波を発信する一方で、周囲の実照度が照度閾値を超えていない場合には、スリープモードを継続するので、更に確実に消費電流を低減させることができる。
更に、このアクティブ型RFIDタグによれば、ステップS12及びステップS13で決定される周期に従った所定間隔ごとに光導電素子22の検出値を取得して無線電波を発信している場合に、周囲の実照度が照度閾値を超えない回数が連続した場合には、ステップS12及びステップS13で決定される短周期から、ステップS14及びステップS15で決定される長周期に変更することによって光導電素子22の検出値を取得する間隔を長くすることができるので、更に消費電流を低減することができる。
[第2実施形態]
つぎに、本発明を適用した第2実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、以下の説明では、上述したアクティブ型RFIDタグと同じ部分については同一符号及び同一ステップ番号を付することによりその詳細な説明を省略する。
つぎに、本発明を適用した第2実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、以下の説明では、上述したアクティブ型RFIDタグと同じ部分については同一符号及び同一ステップ番号を付することによりその詳細な説明を省略する。
このアクティブ型RFIDタグは、図3に示すように、光検出部2及び演算部31に接続された出力回路41を備え、実照度の検出タイミングとなったら演算部31によって出力回路41を駆動することによって、直流回路である光検出部2に直流電圧を印加する点で、第1実施形態に係るアクティブ型RFIDタグとは異なる。
このようなアクティブ型RFIDタグの光検出部2は、光導電素子22の一端が出力回路41接続され、他端が抵抗器23と接続され、光導電素子22と抵抗器23とを接続する接続点bがA/D変換回路33と接続されている。
出力回路41は、例えば、D/A変換器、及び汎用I/OポートであるGPIO(General Purpose Input/Output)出力端子等から構成される。この出力回路41は、演算部31が実照度の検出タイミングであると判定した場合に制御信号が供給され、当該制御信号に応じて、パルス信号を出力する。
光検出部2は、出力回路41からパルス信号が供給されていない場合には接続点bに電位が検出されず、出力回路41からパルス信号が供給された場合には接続点bに光導電素子22と抵抗器23との抵抗値の比で分圧された電位がA/D変換回路33に検出される。そして、演算部31は、A/D変換回路33の検出値から光導電素子22に対する入射光の実照度を認識する。
このようなアクティブ型RFIDタグの動作は、図4のフローチャートに示すように、ステップS1又はステップS2の後のステップS21において、演算部31から出力回路41に制御信号を出力し、出力回路41から光検出部2にパルス信号を供給させる。これにより、A/D変換回路33では、ステップS3において光導電素子22の実照度に応じた検出値を求めて、ステップS4において演算部31で実照度と照度閾値との比較がなされる。
このような第2実施形態に係るアクティブ型RFIDタグによれば、第1実施形態のように電源端子21が光導電素子22に接続されている構成と比較して、パルス信号がHighレベルの時に接続点bの電位を取得する必要があるために処理が若干煩雑になるが、光検出部2の直列回路に直流電圧が印加される時間が短いので、実照度を検出するために使用する電力を低減させることができ、更に全体での消費電流を低減させることができる。
[第3実施形態]
つぎに、第3実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、以下の説明では、上述したアクティブ型RFIDタグと同じ部分については同一符号及び同一ステップ番号を付することによりその詳細な説明を省略する。
つぎに、第3実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、以下の説明では、上述したアクティブ型RFIDタグと同じ部分については同一符号及び同一ステップ番号を付することによりその詳細な説明を省略する。
このアクティブ型RFIDタグは、図5に示すように、周囲の明るさを検出するための構成として、光導電素子22に代えて光起電力素子51を備え、更にA/D変換回路33に代えて割り込み検出回路52を備えた点で、上述した実施形態に係るアクティブ型RFIDタグとは異なる。
このアクティブ型RFIDタグは、一端が電源端子21と接続され他端が接続点c及び光起電力素子51と接続された抵抗器53、一端が接続点c及び抵抗器53と接続され他端が接地端子24と接続された光起電力素子51、一端が接続点cと接続され他端が割り込み検出回路52及びコンデンサ55と接続された抵抗器54、一端が抵抗器54及び割り込み検出回路52と接続され他端が接地端子56と接続されたコンデンサ55を備える。
光起電力素子51は、実照度が照度閾値を超えた場合に特性値(インピーダンス)が段階的に変化する素子である。この光起電力素子51としては、例えばフォトトランジスタであって、単一接続の場合や多段に接続されたダーリントン形式等、種々の方式のうち何れかの方式であっても良い。この光起電力素子51は、電源端子21に対して抵抗器53と共に直列接続され、電源端子21の電圧が印加される。
この光起電力素子51は、入射光の実照度が小さい場合にはインピーダンスが非常に大きくなり、接続点cにおける電位が電源端子21の電源電圧とほぼ同値となる。このような状態では、コンデンサ55に蓄電される状態となっている。一方、入射光の実照度が大きい場合にはインピーダンスが非常に小さくなり、接続点cにおける電位が接地電位とほぼ同値となる。このような状態では、コンデンサ55に蓄電されずに、コンデンサ55に蓄電された電荷が放電される。
したがって、実照度が低い状態ではコンデンサ55が蓄電され、実照度が低い状態から実照度が高い状態となると、コンデンサ55の放電が割り込み検出回路52に検出され、割り込み検出回路52により割り込み要求を演算部31に掛けることができる。ここで、抵抗器54及びコンデンサ55は、光起電力素子51への入射光の微小変動によって連続して割り込みが掛かることを防止するためのフィルタとして機能し、コンデンサ55の蓄電量が大きい場合にはコンデンサ55の放電が緩慢となるため、微細な入射光の変動による影響を除去する。
このようなアクティブ型RFIDタグは、図6のフローチャートに示すように、スリープモードに移行している状態であって、割り込みの発生を待機している状態において、演算部31は、割り込み検出回路52からの割り込み要求が発生したか否かを判定する。そして、演算部31は、割り込み要求が発生していないと判定した場合には、依然として光起電力素子51によって検出される実照度が照度閾値よりも低いものと判定し、割り込み要求が発生したと判定した場合には、実照度が照度閾値よりも高いものと判定してステップS33に処理を進める。
次に演算部31は、ステップS33において通常モードに復帰し、ステップS34〜ステップS36において上述のステップS5〜ステップS7と同様の処理を行うことにより、アンテナ4から無線電波を発信させ、ステップS37においてスリープモードに移行して割り込みを待機する状態に戻る。これにより、ステップS32〜ステップS37の処理を繰り返すことによって、光起電力素子51のインピーダンスが小さくなるような照度閾値を超えた実照度である場合に無線電波を発信することができる。
このようなアクティブ型RFIDタグによれば、上述の照度閾値に相当する入射光である場合にインピーダンスが非常に小さくなる光起電力素子51を使用することによって、上述の第1実施形態等と同様に、検出した実照度が照度閾値を超えた場合には無線電波を発信することができ、電源1の消費電力を低減して寿命を長くすることができる。
[第4実施形態]
つぎに、第4実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、この第4実施形態として示すアクティブ型RFIDタグは、上述の第1〜第3実施形態に係る何れのアクティブ型RFIDタグであっても適用可能である。
つぎに、第4実施形態に係るアクティブ型RFIDタグについて説明する。なお、この第4実施形態として示すアクティブ型RFIDタグは、上述の第1〜第3実施形態に係る何れのアクティブ型RFIDタグであっても適用可能である。
このアクティブ型RFIDタグは、図7に示すように、所持者の身体又は衣服に装着可能な筐体61を備える。このアクティブ型RFIDタグは、筐体61内に上述の演算部31を始めとする各部が搭載された基板が収容される。
筐体61は、その背面61bに、所持者の身体や衣服に装着するための取着部62が取り付けられ、主面61aに光検出部2の光導電素子22や光起電力素子51の受光面に入射光を透過させる光入射部であるセンサ面63が設けられる。このセンサ面63は、取着部62の取り付け位置に対して周囲の明るさが検出可能な位置に設けられる。取着部62としては、クリップ、安全ピン、両面テープ、接着剤塗布面等が挙げられる。
取着部62とセンサ面63とを対向した面に設けることで、筐体61を所持者が装着した場合に、外光を受けやすい位置にセンサ面63を対向させて、確実に光導電素子22又は光起電力素子51に入射光を導くことができる。
また、アクティブ型RFIDタグを収容する筐体61の他の例としては、図8に示すように、ネックレスやペンダントのような首掛けタイプとして使用する場合には、筐体61の上面に、ひもやチェーン等を掛けるための留め金部材64とセンサ面63とを設ける。これにより、センサ面63が常に上方向に向かうことになり、天井に設置された照明器具からの光を受け易い位置に対向させることが出来る。
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
すなわち、上述したアクティブ型RFIDタグでは、個別の識別子を送信する機能のみを備えた場合について説明したが、RFIDリーダライタからの信号を受信して書き込む機能を備えた場合であっても上述の効果が発揮できるのは勿論である。
1 電源(電池)
2 光検出部
3 信号処理部
4 アンテナ
21 電源端子
22 光導電素子
23,53,54 抵抗器
24,56 接地端子
31 演算部(制御部)
32 タイマ回路
33 A/D変換回路
34 不揮発性メモリ(第1記憶部、第2記憶部)
35 メモリ
36 変調回路(変調部)
41 出力回路
51 光起電力素子
52 割り込み検出回路
55 コンデンサ
61 筐体
62 取着部
63 センサ面(光入射部)
64 留め金部材
2 光検出部
3 信号処理部
4 アンテナ
21 電源端子
22 光導電素子
23,53,54 抵抗器
24,56 接地端子
31 演算部(制御部)
32 タイマ回路
33 A/D変換回路
34 不揮発性メモリ(第1記憶部、第2記憶部)
35 メモリ
36 変調回路(変調部)
41 出力回路
51 光起電力素子
52 割り込み検出回路
55 コンデンサ
61 筐体
62 取着部
63 センサ面(光入射部)
64 留め金部材
Claims (6)
- 内部に搭載された電池の電力を使用して動作するアクティブ型RFIDタグであって、
個別の識別子を格納してなる第1記憶部と、
前記第1記憶部から識別子を取得して、当該識別子を含む送信信号を作成する制御部と、
前記制御部にて作成された送信信号を変調する変調部と、
前記変調部にて変調された信号を送信するアンテナと、
周囲の明るさに応じた実照度を検出する光検出部と、
前記制御部は、前記光検出部にて検出された実照度が予め設定された照度閾値を超えたと判定した場合に、前記送信信号を作成することを特徴とするアクティブ型RFIDタグ。 - 前記光検出部にて検出された実照度と比較される照度閾値を格納してなる第2記憶部を備え、
前記制御部は、前記実照度と前記第2記憶部に記憶された照度閾値とを比較し、前記実照度が前記照度閾値を超えている場合には、前記送信信号を所定間隔ごとに作成し、前記実照度が前記照度閾値を超えていない場合には、前記電池の消費電力を低減させるスリープモードを継続することを特徴とする請求項1に記載のアクティブ型RFIDタグ。 - 前記制御部は、前記光検出部で検出された実照度を所定間隔ごとに取得し、前記実照度が前記照度閾値を超えていない場合が所定回数以上連続する場合には、実照度を取得する所定間隔を長くすることを特徴とする請求項2に記載のアクティブ型RFIDタグ。
- 前記光検出部は、前記実照度に応じて特性値が連続的に変化する素子を備え、
前記制御部は、前記実照度を取得するタイミングで前記素子に電圧を印加して、前記素子の特性値に応じた実照度を取得することを特徴とする請求項2に記載のアクティブ型RFIDタグ。 - 前記光検出部は、前記実照度が前記照度閾値を超えた場合に特性値が段階的に変化する素子を備え、
前記制御部は、前記素子の特性値が段階的に変化したことによって割り込み要求が発生した場合に、前記送信信号を作成することを特徴とする請求項1に記載のアクティブ型RFIDタグ。 - 所持者の衣服又は身体に装着するための取着部と、当該取着部の取り付け位置に対して周囲の明るさが検出可能な位置に設けられた前記光検出部の光入射部とを具備する筐体を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のアクティブ型RFIDタグ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004133908A JP2005316724A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | アクティブ型rfidタグ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004133908A JP2005316724A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | アクティブ型rfidタグ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005316724A true JP2005316724A (ja) | 2005-11-10 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005316724A (ja) |
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