JP4301302B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明によれば、基板を補強する補強部が当該基板の表面上に薄膜回路層を囲うように設けられているので、補強部が設けられた領域では基板の強度が向上することになる。このため、例えば半導体装置を多面取りによって形成する場合、基板分離時に形成される微小な亀裂やノッチが薄膜回路層にまで拡大するのを防ぐことができる。これにより、高い信頼性を確保できる半導体装置を得ることができる。
本発明によれば、補強部が基板の表面に設けられた凸条であるので、補強部が設けられる領域を他の領域と比べて厚くすることができる。これにより、当該領域の基板の強度を向上させることができる。
本発明によれば、補強部が複数設けられているので、基板の端部からの亀裂やノッチを多重に保護することができる。これにより、薄膜回路層の破断を一層確実に防ぐことができる。
多面取りによって複数の矩形基板に分断する場合、矩形基板の角部には特に亀裂やノッチが形成されやすい。本発明によれば、補強部が矩形である基板の角部を含んだ領域に設けられているので、亀裂やノッチが薄膜回路層にまで拡大するのを一層確実に防ぐことができる。
本発明によれば、少なくとも表面に樹脂層を有する基板に複数の薄膜回路層を形成し、この複数の薄膜回路層の各々を囲むように複数の補強部を形成した後、隣り合った複数の補強部の各々の間で基板を切断することで複数の薄膜回路層を各々に分割することとしたので、基板を切断する際に生じる亀裂やノッチが薄膜回路層の領域に拡大するのを補強部によって防ぐことができる。これにより、薄膜回路層が破断するのを確実に防ぐことができるので、高い信頼性を有する半導体装置を製造することができる。
本発明によれば、基板とは異なる素子基板に補強部を形成し、転写によってこの補強部を基板上に形成することとしたので、当該補強部を容易に形成することができる。
本発明によれば、表面層を有する第1の基板に薄膜回路層を形成し、この薄膜回路層を囲む表面層に補強部を形成した後、少なくとも表面に樹脂層を有する第2の基板に薄膜回路層及び表面層を転写することとしたので、例えば樹脂フィルムのような耐熱性の低い基板上にも薄膜回路層及び補強部を形成することができるし、ガラス基板のような耐熱性の高い基板上にも勿論形成することができる。このように、本発明に係る半導体装置の製造方法により、薄膜回路層及び補強部を形成する基板の選択の幅が広がることになる。
本発明によれば、補強部が基板の表面に設けられた凸条であることとしたので、直接凸条を形成することが困難な基板上にも、転写によって容易に形成することができるという利点がある。
本発明によれば、転写によって複数の補強部形成することとしたので、当該複数の補強部を基板に直接形成する場合に比べて簡単に形成することができる。
本発明によれば、例えば樹脂フィルムのような耐熱性の低い基板やガラス基板のような耐熱性の高い基板など、基板の材質を問わず有効な製造方法によって製造されたものであるので、様々な用途に用いることが可能な半導体装置を得ることができる。また、補強部が設けられた領域では、補強部による補強と転写による接合とで二重に補強されることになるため、薄膜回路層の破断を確実に防ぐことができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
本発明によれば、高い信頼性を備えた半導体装置を搭載したので、故障や動作不良の少ない良質な電子機器を得ることができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態を説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
図2に示すように、基板2は、基材2aと表面層2bとを主体として構成されており、基材2a上に表面層2bが積層された構成になっている。基材2aは樹脂材料、表面層2bは樹脂材料もしくはSiO2等の無機材料からなる。この樹脂材料としては、例えばアクリルやポリイミドなどが挙げられる。補強部4は、表面層2b上に断面視で台形状(凸形状)に設けられている。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。図5は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。図6は、図5におけるB−B断面に沿った構成を示す断面図である。
次に、本発明の第3実施形態を説明する。図7は、本実施形態に係る液晶装置201の構成を示す平面図である。
同図に示すように、液晶装置201は、例えばアクリル、PESなどの透明な樹脂材料からなるTFTアレイ基板210と対向基板220とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材(図示せず)により貼り合わせた構成になっている。シール材によって囲まれた領域内には液晶層(図示せず)が封入されている。シール材の内側の領域は、外部からの光が変調される光変調領域203になっている。
まず、図9に示すように、ガラス基板230上に剥離層231を形成し、剥離層231上に下地層211、半導体膜、ゲート絶縁層212、ゲート電極215g、第1絶縁層213、ソース電極216、ドレイン電極217、第2絶縁層214、画素電極219をそれぞれ形成し、第2絶縁層214上に例えばディスペンサなどによって補強部204を形成する。剥離層231には、例えば紫外線照射によって変質し接着力が低下するような材料が用いられる。
剥離層231を変質させた後、図12に示すように、ガラス基板230を剥離する。剥離界面は接着力の低下した剥離層231内部もしくは層界面から剥離する。下地層211を剥離した後、図13に示すように、この下地層211に接着層210bを介して基材210aを接着する。
剥離層251を変質させた後、図15に示すように、ガラス基板250を剥離する。このようにして、図16に示すように、TFTアレイ基板210が完成する。
次に、本発明の第4実施形態を説明する。図17は、本実施形態に係る液晶装置301の構成を示す平面図である。
同図に示すように、液晶装置301は、第3実施形態と同様、例えばアクリル、PESなどの透明な樹脂材料からなるTFTアレイ基板310と対向基板320とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材(図示せず)により貼り合わせた構成になっている。シール材によって囲まれた領域内には液晶層(図示せず)が封入されている。シール材の内側の領域は、外部からの光が変調される光変調領域303になっている。
次に、本発明の第5実施形態を説明する。図19は、本実施形態に係る液晶装置401の構成を示す平面図である。
同図に示すように、液晶装置401は、基本的には第3実施形態に係る液晶装置201とほぼ同一の構成になっているが、TFTアレイ基板410の角部にそれぞれ補強部404a、404b、404c、404dが設けられている点で、第3実施形態とは異なっている。
次に、本発明の第6実施形態を説明する。図20は、本実施形態に係る液晶装置501の構成を示す断面図である。液晶装置501は、基本的には第3実施形態に係る液晶装置201とほぼ同一の構成になっている。図20では、説明の簡単のため、TFTアレイ基板510のみの断面構成を示している。
次に、本発明の第7実施形態を説明する。図21は、本実施形態に係る携帯電話600の全体構成を示す斜視図である。
図21は、携帯電話600の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話600は、筺体601、複数の操作ボタンが設けられた操作部602、画像や動画、文字等を表示する表示部603を主体として構成されている。表示部603には、上記の液晶装置201〜501が搭載されている。
このように、高い信頼性を備えた液晶装置201〜501が搭載されているので、故障や動作不良の少ない良質な携帯電話600を得ることができる。
Claims (9)
- 少なくとも表面に樹脂層を有するTFTアレイ基板と、
前記TFTアレイ基板に設けられた薄膜回路層と、
前記TFTアレイ基板の表面上に前記薄膜回路層を囲うように多重に設けられた複数の凸条からなり、前記TFTアレイ基板の強度を向上させる補強部と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記凸条は、環状に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記基板が矩形であり、
前記補強部が前記基板の角部を含んだ領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 少なくとも表面に樹脂層を有する基板に複数の薄膜回路層を形成する第1の工程と、
前記複数の薄膜回路層の各々を多重に囲む複数の凸条を補強部として前記基板上に形成し前記基板を補強する第2の工程と、
隣り合った前記補強部の各々の間で前記基板を切断することで前記薄膜回路層を有する個々のTFTアレイ基板に分割する第3の工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板とは異なる素子基板に前記補強部を形成し、転写によって前記補強部を前記基板上に形成する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 表面層を有する第1の基板に薄膜回路層を形成する第1の工程と、
前記薄膜回路層を多重に囲む複数の凸条を補強部として前記表面層に形成する第2の工程と、
少なくとも表面に樹脂層を有する第2の基板に前記補強部ごと前記薄膜回路層及び前記表面層を転写する第3の工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程は、前記凸条を環状に形成する
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項4乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3及び請求項8のうちいずれか一項に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
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