JP2012513079A - 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法および有機オプトエレクトロニクス素子 - Google Patents
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Abstract
A) 活性領域(12)と、この活性領域を両側から取り囲む第1接続領域(11)と有する第1基板(1)を用意するステップを有しており、ここで活性領域(12)には有機機能積層体(3)が形成されている。
上記の方法にはさらに
B) カバー領域(22)と、このカバー領域(22)を両側から取り囲む第2接続領域(21)とを有する第2基板(2)を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層(4)を第2基板(2)上の第2接続領域(21)に直接被着するステップと、
D) 上記の第1接続層(4)の第1ガラスはんだ材料をガラス化(91)するステップと、
E) 上記のガラス化した第1接続層(4)上または第1基板(1)の第1接続領域(11)上に第2接続層(5)を被着するステップと、
F) 上記の第1基板(1)と第2基板(2)とを接続して、第2接続層(5)により、第1接続領域(11)と、第1接続層(4)とが接続されるようにするステップとを有している。本発明にはさらに有機オプトエレクトロニクス素子が記載されている。
Description
この方法は、
A) 活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第1接続領域と有する第1基板を用意するステップを有しており、ここで上記の活性領域には、有機機能積層体が形成されており、
上記の方法はさらに
B) カバー領域と、このカバー領域を両側から取り囲む第2接続領域とを有する第2基板を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層を第2基板上の第2接続領域に直接被着するステップと、
D) 上記の第1接続層の第1ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
E) 上記のガラス化した第1接続層上または第1基板の第1接続領域上に第2接続層を被着するステップと、
F) 第1基板と第2基板とを接続して、第2接続層により、第1接続領域と、第1接続層とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
− 活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第1接続領域と有する第1基板が含まれており、ここで上記の活性領域には、有機機能積層体が形成されており、
上記の有機オプトエレクトロニクス素子にはさらに
− 上記の活性領域上にあるカバー領域と、第1接続領域上にありかつ上記のカバー領域を両側から取り囲む第2接続領域とを有する第2基板、および
− 上記の第1接続領域と第2接続領域との間の第1接続層および第2接続層が含まれており、
ただし
− 上記の第1接続層は、第2接続領域に直に接しておりかつ第1ガラスはんだ材料からなり、
− 上記の第2接続層により、第1接続層と第1接続領域とが接続される。
A) 活性領域と、活性領域を両側から取り囲む第1接続領域とを有する第1基板を用意するステップと、
B) カバー領域と、このカバー領域を両側から取り囲む第2接続領域とを有する第2基板を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層を第2基板上の第2接続領域に直接被着するステップと、
D) 第1基板上の第1接続層の第1ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
D’) 有機機能積層体を第1基板の活性領域に形成するステップと、
E) 上記のガラス化した第1接続層上または第2基板の第2接続領域上に第2接続層を被着するステップと、
F) 第1基板と第2基板とを接続して、第2接続層により、第1接続領域と、第1接続層とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
− 活性領域と、この活性領域を両側から取り囲む第1接続領域と有する第1基板。ここで上記の活性領域には、有機機能積層体(3)が形成されている。
ただし
− 上記の第1接続層は、第2接続領域に直に接しておりかつ第1ガラスはんだ材料からなり、
− 上記の第2接続層により、第1接続層と第1接続領域とが接続される。
A) 活性領域12と、活性領域12を取り囲む第1接続領域11とを有する第1基板1を用意するステップと、
B) カバー領域22と、カバー領域22を取り囲む第2接続領域21とを有する第2基板を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層4を第1基板1上の第1接続領域11に直接被着するステップと、
D) 第1基板1において第1接続層4の第1ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
D’) 有機機能積層体3を第1基板1の活性領域12に形成するステップと、
E) 上記のガラス化した第1接続層4上または第2基板の第2接続領域21上に第2接続層5を被着するステップと、
F) 第1基板1と第2基板2とを接続して、第2接続層5によって第2接続領域21と、第1接続層4とが接続されるようにするステップとが含まれているのである。
Claims (15)
- 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
該方法は、
A) 活性領域(12)と、該活性領域を両側から取り囲む第1接続領域(11)と有する第1基板を用意するステップを有しており、ここで活性領域(12)は、有機機能積層体(3)を構成しており、
前記の方法はさらに、
B) カバー領域(22)と、該カバー領域(22)を両側から取り囲む第2接続領域(21)とを有する第2基板(2)を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層(4)を第2基板(2)上の第2接続領域(21)に直接被着するステップと、
D) 前記の第1接続層(4)の第1ガラスはんだ材料をガラス化(91)するステップと、
E) 前記のガラス化した第1接続層(4)上または第1基板(1)の第1接続領域(11)上に第2接続層(5)を被着するステップと、
F) 第1基板(1)と第2基板(2)とを接続して、第2接続層(5)により、第1接続領域(11)と、第1接続層(4)とが接続されるようにするステップとが含まれていることを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。 - − 前記の方法ステップCおよびDにて前記の第1接続層(4)を第1の厚さで構成し、
− 前記の方法ステップFの後、第2接続層(5)が、前記の第1の厚さの5分の1以下の第2の厚さを有するようにする、
請求項1に記載の方法。 - − 前記の第2接続層(5)は、硬化可能有機接着剤を有しており、
− 当該の接着材料を前記の方法ステップF後、硬化させる、
請求項1または2に記載の方法。 - − 前記の第2接続層(5)は、第2ガラスはんだ材料を有しており、
− 当該の第2ガラスはんだ材料を前記の方法ステップF後、ガラス化する、
請求項1または2に記載の方法。 - − 前記の第2接続層(5)は、電磁ビームを吸収する材料を有しており、
− 前記の第1接続層(4)には当該の吸収性の材料は含まれていない、
請求項3または4に記載の方法。 - − 前記の方法ステップDの間または方法ステップDの後、前記の第2基板2とは反対側向いた第1接続層(4)の表面を平坦化する、
請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。 - − 前記の方法ステップAにて前記の第1基板(1)の第1接続領域(11)に、前記の活性領域(12)を両側から取り囲む凹部(10)を用意し、
− 方法ステップFの後、前記の第2接続層(5)の少なくとも一部分を前記の凹部(10)に配置する、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。 - − 前記の方法ステップFの前に前記の第2基板(2)のカバー領域(22)に接着剤および/またはゲッタ材料を配置する、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。 - − 前記の方法ステップAにて少なくとも1つのカバー状のバリア層(33)を有する有機機能積層体(3)を形成する、
請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。 - 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
該方法は、
A) 活性領域(12)と、当該活性領域(12)を両側から取り囲む第1接続領域(11)とを有する第1基板(1)を準備するステップと、
B) カバー領域(22)と、該カバー領域(22)を両側から取り囲む第2接続領域(21)とを有する第2基板(2)を用意するステップと、
C) 第1ガラスはんだ材料からなる第1接続層(4)を第1基板(1)上の第1接続領域(11)にて直接被着するステップと、
D) 第1基板(1)上の第1接続層(4)の第1ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
D’) 前記の第1基板(1)の活性領域(12)に有機機能積層体(3)を形成するステップと、
E) 前記のガラス化した第1接続層(4)上または第2基板(2)の第2接続領域(21)上に第2接続層(5)を被着するステップと、
F) 第1基板(1)と第2基板(2)とを接続して、第2接続層(5)により、第2接続領域(21)と、第1接続層(4)とが接続されるようにするステップとが含まれていることを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。 - 有機オプトエレクトロニクス素子において、
該有機オプトエレクトロニクス素子には、
− 活性領域(12)と、該活性領域(12)を両側から取り囲む第1接続領域(11)と有する第1基板(1)が含まれており、活性領域(12)に有機機能積層体(3)が形成されており、
上記の有機オプトエレクトロニクス素子にはさらに
− 前記の活性領域(12)上にあるカバー領域(22)と、第1接続領域(11)上にありかつ当該のカバー領域(22)を両側から取り囲む第2接続領域(21)とを有する第2基板(2)、および
− 前記の第1接続領域(11)と第2接続領域(21)との間の第1接続層(4)および第2接続層(5)が含まれており、
ただし
− 前記の第1接続層(4)は、第2接続領域(21)に直に接しておりかつ第1ガラスはんだ材料からなり、
− 前記の第2接続層(5)により、第1接続層(4)と第1接続領域(11)とが接続されていることを特徴とする、
有機オプトエレクトロニクス素子。 - − 前記の第1接続層(4)は第1の厚さを有しており、
− 前記の第2接続層(5)は、当該の第1の厚さの5分の1以下である第2の厚さを有する、
請求項11に記載の素子。 - − 前記の第2接続層(5)は、硬化可能有機接着剤または第2ガラスはんだ材料を有する、
請求項11または12に記載の素子。 - − 前記の第2接続層(5)は、電磁ビームを吸収する材料を有しており、
− 前記の第1接続層(4)には当該の吸収性の材料が含まれていない、
請求項11から13までのいずれか1項に記載の素子。 - − 前記の第1基板(1)は第1接続領域(11)に、前記の活性領域(12)を両側から取り囲む凹部(10)を有しており、
− 前記の第2接続層(5)の少なくとも一部分が前記の凹部(10)に配置されている、
請求項11から14までのいずれか1項に記載の素子。
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