JP2007200836A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】厚さ調節が容易である密封材を備え、基板に反射した光の経路差によって発生するニュートンリング現象を改善できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と第２基板との間の間隔を調節してニュートンリングを防止するための有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。本発明による有機電界発光表示装置は、第１電極、有機層及び第２電極で構成される少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と、前記画素領域の外縁に形成される非画素領域とを有する第１基板、前記第１基板の前記画素領域を含む一領域に合着する第２基板、及び前記第１基板の非画素領域と前記第２基板との間に備えられる第１密封材を備え、前記第１密封材は少なくとも一つの透明な材質の第１フリット層と不透明な材質の第２フリット層を含む。
【選択図】図４ｅ

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、基板と第２基板との間の間隔を調節して、ニュートンリング（ｎｅｗｔｏｎ’ｓ ｒｉｎｇ）現象を防止するための有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
最近では、有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を利用した有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）が注目されている。
有機電界発光表示装置は、蛍光性を有する有機化合物を電気的に励起させて発光する自発光型ディスプレーで、低い電圧で駆動が可能で、かつ薄型化が容易であり、広視野角、速い応答速度などの長所を有する。
有機電界発光表示装置は、基板上に有機発光素子と有機発光素子を駆動するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む複数の画素を備える。このような有機発光素子は水分に敏感で、吸湿剤が塗布された金属キャップや密封ガラス基板で蒸着基板にカバーをし、水分の侵入を防止する密封構造が提案された。
また、吸湿剤を備えず、ガラス基板にフリット（ｆｒｉｔ）を塗布して有機発光素子を密封する構造が米国特許第２００４０２０７３１４号に開示されている。米国特許出願公開第２００４−０２０７３１４号明細書によれば、フリットを用いて基板と第２基板との間を完全に密封するため吸湿剤が不要であり、より効果的に有機発光素子を保護することができる。
しかし、一般に、フリットを塗布した第２基板を利用して有機発光ダイオードを密封する構造では吸湿制が不要で、吸湿制が位置する空間を確保する必要がない。このため、基板と第２基板との間の間隔が従来の吸湿剤を使用する構造より狭く形成され、その結果、ニュートンリング現象が発生する問題点があった。
本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、厚さ調節が容易である密封材を備え、基板に反射した光の経路差によって発生するニュートンリング現象を改善できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
前述した目的を達成するための本発明の一側面は、第１電極、有機層及び第２電極で構成される少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と前記画素領域の外縁に形成される非画素領域とを有する第１基板、前記第１基板の前記画素領域を含む一領域に合着（ａｔｔａｃｈ）する第２基板、及び前記第１基板の非画素領域と前記第２基板との間に備えられる第１密封材を備え、前記第１密封材は、少なくとも一つの透明な材質の第１フリット層と不透明な材質の第２フリット層を含む有機電界発光表示装置を提供する。
本発明の他の側面は、少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と前記画素領域の外縁に形成される非画素領域とを有する基板と、前記基板の前記画素領域を含む一領域に合着する第２基板を備えて構成される有機電界発光表示装置の製造方法において、第２基板上に透明な材質の第１フリット層を形成する段階、前記第１フリット層を第１温度で焼成する段階、前記第１フリット層の一領域に不透明な材質の第２フリット層を形成する段階、前記第２フリット層を第２温度に焼成する段階、前記第２基板上に前記画素領域が少なくとも密封されるように、第１基板を合着させる段階及び前記第２基板と前記第１基板との間に備えられる前記第１フリット層と前記第２フリット層を溶融させて、前記第１基板と前記第２基板を接着させる段階を含む有機電界発光表示装置製造方法を提供する。
本発明による有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、基板と第２基板との間の間隔を調節してニュートンリングを防止することができる。また、フリットで構成された第１密封材以外に補助シーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）剤としてエポキシ系の第２密封材を備えることで、耐衝撃性を補うことができ、有機発光ダイオードをより効果的に密封することができる。
添付した図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。
図１は、本発明による有機電界発光表示装置を示す平面概念図である。
図１に示すように、本発明による有機電界発光表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、第１密封材１５０、データ駆動部３００、走査駆動部４００、パッド部５００を備える。
第１基板１００は、第１電極（図示せず）、有機層（図示せず）及び第２電極（図示せず）で構成される少なくとも一つの有機発光ダイオード（図示せず）が形成された画素領域１００ａと、画素領域１００ａの外縁に形成される非画素領域１００ｂとを有する。画素領域１００ａは、行方向に配列された複数の走査線Ｓ１、Ｓ２、．．．Ｓｎ、及び列方向に配列された複数のデータ線Ｄ１、Ｄ２、．．．Ｄｍを含み、走査線Ｓ１、Ｓ２、．．．Ｓｎとデータ線Ｄ１、Ｄ２、．．．Ｄｍによって画定される領域に複数の画素５０が形成されている。即ち、画素領域１００ａは、有機発光ダイオードから放出される光によって所定の画像が表示される領域であり、非画素領域１００ｂは、第１基板１００上の画素領域１００ａ以外の全領域である。
第２基板２００は、第１基板１００の画素領域１００ａを含む一領域に合着する。この時、第２基板２００は、第１基板１００の画素領域１００ａ上に形成された有機発光ダイオードが外部からの水分または酸素の影響を受けないように保護するために備える。よって、第１基板１００に形成された有機発光ダイオードが第２基板２００によって密封されるようにする。この時、第２基板２００としては特に制限はないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）で構成される群から選択された少なくとも一つの材料で形成できる。
第１密封材１５０は、第１基板１００の非画素領域１００ｂと第２基板２００との間に備えられる。即ち、第１密封材１５０によって第１基板１００と第２基板２００との間が密封され、第１基板１００と第２基板２００との間に介在された有機発光ダイオードが水分または酸素から保護される。ここで、第１密封材１５０は、少なくとも一つの透明な材質の第１フリット層（図示せず）と不透明な材質の第２フリット層（図示せず）を含む。第１フリット層と第２フリット層を後述する図５ａ乃至図５ｅを参照してより詳細に説明する。
データ駆動部３００は、チップ状に作製され第１基板１００上に実装されることができ、パッド部５００の第２パッドＰｄに電気的に接続される。このようなデータ駆動部３００は、複数のデータ線Ｄ１、Ｄ２、．．．Ｄｍにデータ信号を伝達する。
走査駆動部４００は、画素領域１００ａの一側に接するように形成され、走査供給線４１０を通じてパッド部５００の第１パッドＰｓに電気的に接続される。このような走査駆動部４００は、走査供給線４１０を通じて第１パッドＰｓから信号の伝達を受け、複数の走査線Ｓ１、Ｓ２、．．．Ｓｎに走査信号を順次に供給する。
パッド部５００は、データ供給線３１０を通じてデータ駆動部３００に駆動電源を供給し、走査供給線４１０を通じて走査駆動部４００に駆動電源を供給する。
なお、図では、第１密封材１５０が画素領域１００ａの外郭に沿って塗布され、画素領域１００ａのみ密封する例を示したが、これに限定されるものではなく、走査駆動部４００が内蔵型で備えられる場合、画素領域１００ａと走査駆動部４００が密封されるようにできる。この場合には、第２基板２００の大きさも少なくとも画素領域１００ａと走査駆動部４００を含むように作製されることが要求される。
図２は、本発明による有機電界発光表示装置に採用された第２基板の一例を示す平面図である。
図２に示すように、本発明による第２基板２００は、その縁に沿って第１密封材１５０を備える。第１密封材１５０は、少なくとも一つの透明な第１フリット層（図示せず）と少なくとも一つの不透明な第２フリット層（図示せず）とで構成される。この時、第１密封材１５０は、第１基板（図示せず）上に形成された有機発光ダイオードを外部の水分または酸素から保護するために備えられ、基板と第２基板との間を密封する。
図３は、本発明による有機電界発光表示装置を示す断面図である。
図３に示すように、本発明による有機電界発光表示装置は、第１基板１００、第１密封材１５０及び第２基板２００を備える。
第１基板１００は、蒸着基板１０１及び蒸着基板１０１上に形成される少なくとも一つの有機発光ダイオード１１０を含む。まず、蒸着基板１０１上にバッファ層１１１が形成される。蒸着基板１０１はガラスなどで形成され、バッファ層１１１は、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどのような絶縁物質で形成される。一方、バッファ層１１１は、外部からの熱などの要因によって蒸着基板１０１が損傷を受けることを防止するために形成される。
バッファ層１１１の少なくともいずれか一領域上には、アクティブ層１１２ａとソース及びドレイン領域１１２ｂを有する半導体層１１２が形成される。
半導体層１１２を含めてバッファ層１１１上にはゲート絶縁層１１３が形成され、ゲート絶縁層１１３の一領域上にはアクティブ層１１２ａの幅に対応する大きさのゲート電極１１４が形成される。
ゲート電極１１４を含めてゲート絶縁層１１３上には層間絶縁層１１５が形成され、層間絶縁層１１５の所定の領域上にはソース及びドレイン電極１１６ａ、１１６ｂが形成される。
ソース及びドレイン電極１１６ａ、１１６ｂは、ソース及びドレイン領域１１２ｂの露出した一領域とそれぞれ接続されるように形成され、ソース及びドレイン電極１１６ａ、１１６ｂを含めて層間絶縁層１１５上には平坦化層１１７が形成される。
平坦化層１１７の一領域上には第１電極１１９が形成され、この時、第１電極１１９はビアホール１１８によってソース及びドレイン電極１１６ａ、１１６ｂのうちのいずれか一つの露出した一領域に接続される。
第１電極１１９を含めて平坦化層１１７上には、第１電極１１９の少なくとも一領域を露出させる開口部（図示せず）が備えられる画素画定膜１２０が形成される。
画素画定膜１２０の開口部上には有機層１２１が形成され、有機層１２１を含めて画素画定膜１２０上には第２電極層１２２が形成される。
第２基板２００は、第１基板１００上に形成された前記所定の構造物を外部の水分または酸素から保護するために、所定の構造物をその間に置き、第１密封材１５０によって第１基板１００と合着する。この時、第２基板２００は、酸化シリコンで作製するのが良い。
第１密封材１５０は、透明な材質の第１フリット層１５０ａと不透明な材質の第２フリット層１５０ｂとで構成される。第１密封材１５０は、第１基板１００の非画素領域１００ｂと第２基板２００との間に備えられ、第１基板１００と第２基板２００を接着させる。即ち、第１密封材１５０によって第１基板１００と第２基板２００との間が密封されるので、第１基板１００と第２基板２００との間に介在された有機発光ダイオードが水分または酸素から保護される。また、第１密封材１５０は、レーザーまたは赤外線の照射によって硬化し、第１密封材１５０に照射されるレーザーの強さは２５乃至６０Ｗの範囲とする。
一方、ガラス材料に加わる熱の温度を急激に低下させると、ガラス粉末状のフリットが生成される。一般には、ガラス粉末に酸化物粉末を含ませて使用する。なお、フリットに有機物を添加するとゲル状のペーストになる。この時、所定の温度に焼成すると有機物は空気中に消え、ゲル状のペーストは硬化して固体状態のフリットとして存在する。
第１フリット層１５０ａは、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を広くして、ニュートンリングを防止するために形成される。ニュートンリングとは、外部または内部から発生した光が光学的干渉現象によって基板の接触点から同心円状の模様を作り、このような同心円状の模様が画像にそのまま出現する現象を言う。このようなニュートンリングは、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔が狭いときに発生する。よって、ニュートンリングを防止するために、第１基板１００と第２基板２００との間隔を所定の広さ以上に広くする必要がある。例えば、第１基板１００と第２基板２００との間に位置する第１密封材１５０の厚さを厚く形成して、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を広くする方法がある。
この時、第１フリット層１５０ａが形成するライン幅は０.５ｍｍ乃至１.５ｍｍであることが好ましい。幅が０.５ｍｍ以下である場合、シーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）工程時不良が発生したり、接着力に問題が生じる可能性がある。また、幅が１.５ｍｍ以上である場合には、素子のデッドスペース（ｄｅａｄ ｓｐａｃｅ）が大きくなって、製品の品位が低下する可能性がある。
第２フリット層１５０ｂは、熱膨張係数を調節するためのフィーラ（図示せず）及びレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材（図示せず）を含む。これにより、第２フリット層１５０ｂはレーザーまたは赤外線吸収層の役割をする。即ち、第１密封材１５０にレーザーまたは赤外線を照射して溶融させることによって、第１基板１００と第２基板２００との間を密封し、実質的にレーザーが吸収される部分が第２フリット層１５０ｂである。
この時、第１フリット層１５０ａは、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を広くするための構成要素であり、第１フリット層１５０ａを通じてレーザーまたは赤外線が透過し、第２フリット層１５０ｂにレーザーまたは赤外線が照射される。一方、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を広くするために、第２フリット層１５０ｂのみを備え第２フリット層１５０ｂの厚さを厚く形成すると、第２フリット層１５０ｂが全部溶融されるまでレーザーを照射しなければならず、効果的ではない。よって、間隔を広くするための第１フリット層１５０ａを備え、第１フリット層１５０ａがレーザーまたは赤外線を吸収する第２フリット層１５０ｂより所定の高さだけ高く形成されるようにする。好ましくは、第１フリット層１５０ａは５μm乃至５００μmの厚さに形成し、第２フリット層１５０ｂは３μm乃至１０μmの厚さに形成するが、これに限定されない。しかし、第２フリット層１５０ｂがより厚く形成される場合、レーザーシーリング時よりも多くのエネルギーが必要であるため、第２フリット層１５０ｂの厚さを第１フリット層１５０ａより薄く形成することが望ましい。
図４ａ乃至図４ｅは、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
図４ａ乃至図４ｅに示すように、本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、まず、第２基板２００の一領域上に透明な材質の第１フリット層１５０ａを形成する。このような第１フリット層１５０ａは、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５などで構成される群から選択された少なくとも一つの材料で形成することが望ましい。一方、第１フリット層１５０ａは、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を広くし、ニュートンリングを防止するために形成される（図４ａ）。
次に、第１フリット層１５０ａを所定の温度で焼成する。第１フリット層１５０ａを焼成する好適な温度は３００℃乃至７００℃である。第１フリット層１５０ａの焼成温度が３００℃より低い場合、第２基板２００の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を行なう必要があるため工程が難しくなる。また、第１フリット層１５０ａの焼成温度が７００℃より高い場合、フリットの焼成温度に対応してレーザーの強さも強くなる必要があるため、工程効率が低下してしまう。第１フリット層１５０ａの焼成工程により、第２基板２００と第１フリット層１５０ａの界面が接着する（図４ｂ）。
後続工程として第１フリット層１５０ａの一領域に不透明な材質の第２フリット層１５０ｂを形成する。この時、第２フリット層１５０ｂはレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材（図示せず）を含む。ここで、吸収材はＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５及びＺｎＯなどで構成される群から選択された少なくとも一つの材料が添加されたものを使用することが望ましい。その後、第２フリット層１５０ｂを焼成して、第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂの界面が接着するようにする（図４ｃ）。この時、第２フリット層１５０ｂを焼成する好適な温度は３００℃乃至５５０℃である。即ち、第２フリット層１５０ｂを焼成する工程は、第１フリット層１５０ａを焼成する工程よりも低い温度で行なうのが良い。次いで、第２基板２００上に第１基板１００を合着させる。この時、第１基板１００には第１電極（図示せず）、有機層（図示せず）、第２電極（図示せず）を含む少なくとも一つの有機発光ダイオード（図示せず）が形成されており、有機発光ダイオード（図示せず）が第２基板２００に向けるように配列した後、第１基板１００と第２基板２００を合着させる（図４ｄ）。
次に、第２基板２００と第１基板１００との間に備えられる第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂにレーザーを照射して、第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂを硬化させる。これにより、少なくとも有機発光ダイオードを含めて第１基板１００と第２基板２００との間に位置する素子を密封することによって、水分または酸素から保護することができる（図４ｅ）。
一方、本発明では、第１密封材１５０が第２基板２００に形成される例を説明したが、これに限定されるものではなく、第１密封材１５０が第１基板１００に形成されることもできる。また、本発明ではレーザーが透明な材質の第１フリット層１５０ａを通過して第２フリット層１５０ｂに照射されるように、第１フリット層１５０ａ上に第２フリット層１５０ｂを形成した例を説明したが、第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂの位置は入れ替わっても構わない。また、本発明では第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂがそれぞれ一層で構成された例を説明したが、第１フリット層１５０ａと第２フリット層１５０ｂはそれぞれ、複数個で構成できる。
図５ａ乃至図５ｇは、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
図５ａ乃至図５ｇに示すように、本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、まず、第２基板５２０の一領域上に透明な材質の第１フリット層５１５ａを形成する。この時、第１フリット層５１５ａはＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５などで構成された群から選択された少なくとも一つの材料で形成され、第１基板５１０と第２基板５２０との間の間隔を広くして、ニュートンリングが発生することを防止するために形成される（図５ａ）。
次に、第１フリット層５１５ａを所定の温度で焼成する。この時、第１フリット層５１５ａを焼成する好適な温度は３００℃乃至７００℃である。第１フリット層５１５ａの焼成工程によって第２基板５２０と第１フリット層５１５ａの界面が接着する（図５ｂ）。
後続工程として第１フリット層５１５ａの一領域に不透明な材質の第２フリット層５１５ｂを形成する。この時、第２フリット層５１５ｂは、好ましくは、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯなどで構成される群から選択された少なくとも一つの材料が添加される。その後、第２フリット層５１５ｂを焼成して第１フリット層５１５ａと第２フリット層５１５ｂの界面が接着するようにする（図５ｃ）。
次に、第１フリット層５１５ａ上にエポキシ、アクリレート、ウレタンアクリレート、シアノアクリレートで構成される群から選択された少なくとも一つの樹脂系である第２密封材５１６を形成する。この時、第２密封材５１６は、図示するように、第１フリット層５１５ａ上に第２フリット層５１５ｂに沿って第２フリット層５１５ｂの両側に並んで形成されることもでき、第１フリット層５１５ａ上の第２フリット層５１５ｂを基準に内側に第２フリット層５１５ｂに沿って並んで形成されることができ、第１フリット層５１５ａ上に第２フリット層５１５ｂを基準に外側に第２フリット層５１５ｂに沿って並んで形成されることもできる。このように、第２フリット層５１５ｂの少なくとも左、右の一側面に第２密封材５１６を備えることで、耐衝撃性及び接着力が向上する（図５ｄ）。
次に、第２基板５２０上に第１基板５１０を合着させる。この時、第１基板５１０には第１電極（図示せず）、有機層（図示せず）、第２電極（図示せず）を含む少なくとも一つの有機発光ダイオード（図示せず）が形成され、有機発光ダイオードが基板５１０と第２基板５２０との間に位置するように配列した後、基板５１０と第２基板５２０を合着させる（図５ｅ）。
後続工程として第２密封材５１６に紫外線を照射して第２密封材５１６を硬化させる（図５ｆ）。
その後、第２基板５２０と第１基板５１０との間に備えられる第１フリット層５１５ａと第２フリット層５１５ｂにレーザーを照射して、第１フリット層５１５ａと第２フリット層５１５ｂを硬化させる。これにより、少なくとも有機発光ダイオードを含めて第１基板５１０と第２基板５２０との間に位置する素子を密封し、水分と酸素から保護することができる（図５ｇ）。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
本発明による有機電界発光表示装置を示す平面概念図である。 本発明による有機電界発光表示装置に採用された第２基板の一例を示す平面図である。 本発明による有機電界発光表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
符号の説明
１５０…第１密封材
１００…基板
１５０ａ…第１フリット層
２００…第２基板
１５０ｂ…第２フリット層

Claims (20)

  1. 第１電極、有機層及び第２電極で構成される少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と前記画素領域の外縁に形成される非画素領域とを有する第１基板と、
    前記第１基板の前記画素領域を含む一領域に合着する第２基板と、
    前記第１基板の非画素領域と前記第２基板との間に備えられる第１密封材とを備え、
    前記第１密封材は少なくとも一つの透明な材質の第１フリット層と不透明な材質の第２フリット層とを含む有機電界発光表示装置。
  2. 前記第１フリット層はＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５で構成される群から選択された一つの材料で形成された請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  3. 前記第１フリット層の幅を０.５ｍｍ乃至１.５ｍｍに形成する請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  4. 前記第２フリット層はＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５及びＺｎＯで構成される群から選択された一つの材料で形成された請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  5. 前記第２フリット層はレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材をさらに含む請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  6. 前記第１フリット層の厚さは前記第２フリット層の厚さより厚く形成された請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  7. 前記第１フリット層の厚さは５μm乃至５００μmである請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
  8. 前記第２フリット層の厚さが３μm乃至１００μmに形成された請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
  9. 前記第１フリット層の一領域上に前記第２フリット層が形成される請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  10. 前記第２フリット層の幅は前記第１フリット層の幅より狭く形成される請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
  11. 前記第１フリット層上に第２密封材をさらに備える請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
  12. 前記第２密封材は、エポキシ、アクリレート、ウレタンアクリレート、シアノアクリレートで構成される群から選択された少なくとも一つの樹脂系である請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
  13. 前記第２密封材は、前記第１フリット層上に前記第２フリット層に沿って前記第２フリット層の両側に並んで形成される請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
  14. 前記第２密封材は、前記第１フリット層上に前記第２フリット層を基準に内側に前記第２フリット層に沿って並んで形成される請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
  15. 前記第２密封材は、前記第１フリット層上に前記第２フリット層を基準に外側に前記第２フリット層に沿って並んで形成される請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
  16. 少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と前記画素領域の外縁に形成される非画素領域を有する基板と、前記基板の前記画素領域を含む一領域に合着する第２基板とを備えて構成される有機電界発光表示装置の製造方法において、
    第２基板上に透明な材質の第１フリット層を形成する段階と、
    前記第１フリット層を第１温度で焼成する段階と、
    前記第１フリット層の一領域に不透明な材質の第２フリット層を形成する段階と、
    前記第２フリット層を第２温度で焼成する段階と、
    前記第２基板上に前記画素領域が少なくとも密封されるように第１基板を合着させる段階と、
    前記第２基板と前記第１基板との間に備えられる前記第１フリット層と前記第２フリット層を溶融させて、前記第１基板と前記第２基板を接着させる段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法。
  17. 前記第１温度は３００℃乃至７００℃である請求項１６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  18. 前記第２温度は３００℃乃至５５０℃である請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
  19. 前記第１フリット層上にエポキシ、アクリレート、ウレタンアクリレート、シアノアクリレートで構成される群から選択された少なくとも一つの樹脂系である第２密封材をさらに形成する請求項１６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  20. 紫外線を利用して前記第２密封材を硬化した後、レーザーまたは赤外線を利用して前記第１フリット層と前記第２フリット層で構成された第１密封材を溶融させる請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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