JP2015158672A - アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐候性に優れ、平坦度のよいアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２は、基板２１と、互いに間隔をあけて基板２１上に設けられている複数の薄膜電界効果トランジスタ２２と、基板２１及び薄膜電界効果トランジスタ２２の上方を覆い、基板２１に対向する表面に、複数の薄膜電界効果トランジスタ２２に対応して設けられた複数の溝２３１と、隣り合う溝２３１同士の間に位置する複数の間隔部２３２とが形成されており、各々の溝２３１内には、それぞれ、対応する各薄膜電界効果トランジスタ２２のそれぞれが位置し、複数の間隔部２３２のそれぞれは、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ２２同士の間に位置するカバー２３と、間隔部２３２と基板２１とを連結する封着層２５とを備える。【選択図】図４

Description

本発明は半導体デバイスの製造分野に関し、特に、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法に関する。

近年、ＣＲＴやＬＣＤ表示装置の代わりに、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、「有機ＥＬ」と称する）モジュールの有機ＥＬ表示装置の利用が注目されている。現在、例えば、当該有機ＥＬモジュールを駆動する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、「ＴＦＴ」と称する）を備える有機ＥＬ表示装置が研究開発されている。

有機ＥＬモジュール（即ち、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ））は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、インジウムスズ酸化物）などの透明電極により形成されたアノードと、ＭＴＤＡＴＡ（４、４−２（３−メチルフェニルベンゼンアミノ）ビフェニル）などの第１の正孔伝送層及びＴＰＤ（４、４、４−３（３ -メチルフェニルベンゼンアミノ）トリフェニルアミン）などの第２の正孔伝送層から構成された正孔伝送層と、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体がを含む含まれたＢｅｂｑ２（１０− [ｈ] キノリノールベリリウム錯体（１０−ｂｅｎｚｏ[ｈ]ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌ−ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ））により形成された発光層と、Ｂｅｂｑ２により形成された電子伝送層と、アルミニウム合金により形成されたカソードとが、順に積層されて形成されている構成である。

前記のような有機ＥＬモジュールは、当該有機ＥＬモジュールを駆動する駆動用ＴＦＴから供給された電力によって、発光する。即ち、アノードからの正孔及びカソードからの電子が発光層内部で再び結合して、発光層を形成するための有機分子を励起することにより、励起子（ｅｘｄｔｏｎ）を形成する。当該励起子が失活を発射する過程において、発光層により発光し、当該光が透明のアノードから透明のアノード及びガラス基板などの絶縁性基板を介して外部へ出射することにより、発光する。

アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル（ＡＭＯＬＥＤ）は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）技術の一種として、蒸着に使われる材料が水、酸素に極めて敏感であり、蒸着後に密封性に優れた実装が必要となる。しかしながら、エポキシ樹脂フレーム接着剤の方法では、絶縁性に劣るため、内部に乾燥剤を貼り付ける必要があり、頂発射構造に対して、設計困難を招いた。

現在の主な実装方法としては、２枚のガラスの間を接着させるのに用いられる封止材を、ガラスを使って製作することである。図１は、従来のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの縦断面構造を示す図である。具体的には、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル１には、基板１１と、薄膜電界効果トランジスタ１２と、カバー１３と、封止材１４とを含む。基板１１は、薄膜電界効果トランジスタ１２を載せるものであり、図１に示すように、複数の薄膜電界効果トランジスタ１２が並んで基板１１に固定されている。カバー１３は、基板１１及び薄膜電界効果トランジスタ１２の上を覆う。複数の封止材１４は、カバー１３と基板１１との間に位置し、各封止材１４は、隣り合う２つの薄膜電界効果トランジスタ１２同士の間に位置する。好ましくは、封止材１４が、ガラス材料により形成され、水や酸素が基板１１とカバー１３との間に侵入することを防ぎ、密封の効果を奏する。塗布、焼き、焼結の３つの製造工程を経て、基板１１及びカバー１３を接着させる。封止材１４は絶縁性が優れるため、乾燥剤を加えなくてもよい。

図２は、従来技術に係るアクティブマトリクス有機発光ダイオードの縦断面構造を示す図である。基板１１とカバー１３とを貼り付ける際に負圧環境で行われなければならず、基板の貼り付けられる面に対して、封止材フレーム接着材シール剤の接触面積が小さく、かつ、カバー１３及び基板１１が中空構造であるため、貼り付けの際に平坦度を制御しにくいという問題がある。図２に示すように、貼り付けた後のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル１には、平坦度不良という課題があり、さらに後工程にも影響が及んでいる。しかも、従来のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル１の完成品は、厚さが大きいという課題もある。

従来技術における欠陥を解決するために、本発明は、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの平坦度を容易に制御することができる、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法を提供することを目的とする。

本発明の一様態によれば、基板と、互いに間隔をあけて前記基板上に設けられている複数の薄膜電界効果トランジスタと、前記基板及び前記薄膜電界効果トランジスタの上方を覆い、前記基板に対向する表面に、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応して設けられた複数の溝と、隣り合う溝同士の間に位置する複数の間隔部とが形成されており、各々の前記溝内には、それぞれ、対応する各前記薄膜電界効果トランジスタのそれぞれが位置し、前記複数の間隔部のそれぞれは、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するカバーと、前記間隔部と前記基板とを連結する封着層とを備えるアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルを提供する。

好ましくは、前記封着層は、レーザ吸収材にレーザ焼結を施して形成される。
好ましくは、前記レーザ吸収材は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、或は、酸化スズからなる。

好ましくは、前記溝の縦断面形状は矩形である。
好ましくは、前記封着層の厚さは、６μｍ以下である。

好ましくは、前記溝の深さは、１０μｍ以下である。
好ましくは、前記間隔部の幅は、３ｍｍ以下である。

好ましくは、前記カバーと前記基板は、ガラス材料から形成される。
本発明の他の様態によれば、複数の薄膜電界効果トランジスタが互いに間隔があけて設けられている基板を用意する工程と、封着材をカバーの表面に塗布する工程と、露光現像エッチングによって、前記カバーの表面に塗布された封着材の一部を除去し、エッチングによって、前記カバー上の前記封着材が除去された部分に、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応し、且つそれぞれの間に間隔部が形成されている複数の溝を形成する工程と、前記複数の薄膜電界効果トランジスタが、対応する前記複数の溝内に位置し、前記複数の間隔部のそれぞれが、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するように、前記カバーを前記基板に貼り付ける工程と、前記複数の間隔部と前記基板との間の封着材に対して封着処理を行う工程とを含むアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法を提供する。

好ましくは、前記露光現像エッチング工程は、フォトレジストを、前記カバー上の封着材の表面に塗布するステップと、所定のパターンを有するフォトマスクを用いて、フォトレジストを露光させて現像させるステップと、前記フォトレジストにより遮蔽されていない封着材を、前記カバーの表面が露出されるまでエッチングするステップと、露出された前記カバーの表面をエッチングして、前記複数の溝と前記複数の間隔部とを形成するステップとを含む。

好ましくは、前記フォトレジストは、正フォトレジストである。
好ましくは、前記封着材は、レーザ吸収材であり、前記封着処理は、レーザ焼結である。

好ましくは、前記レーザ吸収材は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、或は、酸化スズからなる。

好ましくは、前記レーザ焼結は、前記基板と前記カバーとを位置合わせした後、前記カバーの間隔部と前記基板とが固定連結されるように、レーザを利用して、予め設定された焼結経路に沿って、前記複数の間隔部上のレーザ吸収材にレーザ焼結を施して封着層を形成するステップを含む。

好ましくは、前記露光現像エッチングの工程の前に、前記カバー表面に塗布された前記封着材に対しベーク処理を行うステップをさらに、含む。

また、本発明のさらに他の様態によれば、基板の表面に封着材を塗布する工程と、露光現像エッチングによって、前記基板表面に塗布された封着材の一部であって互いに間隔をあけている封着材の一部を除去する工程と、前記基板上の前記封着材が除去された部分に、薄膜電界効果トランジスタを設ける工程と、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応し、且つそれぞれの間に間隔部を形成された複数の溝が、エッチングによって形成された前記カバーを用意する工程と、前記複数の薄膜電界効果トランジスタが、対応する前記複数の溝内に位置し、前記複数の間隔部のそれぞれが、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するように、前記カバーを前記基板上に貼り付ける工程と、前記複数の間隔部と前記基板との間の封着材に対して封着処理を行う工程とを含むアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法を提供する。

本発明により提供するアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルは、カバーの構造を変更することによって、基板に対向する表面に、薄膜電界効果トランジスタに対応する溝と、隣り合う溝同士の間の間隔部とが形成され、間隔部に対応する封着層を用いて前記カバーと前記基板とが連結されている。上記の構成によれば、カバーと基板との貼り付けされる接触面積が大きくて平坦になり、貼り付けの平坦度が大幅に向上され、その後のレーザ焼結に役に立ちになり、さらに完成品の厚さも従来技術よりも薄くなる。

本発明により提供するアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法において、例えば半導体工程を適用して、薄膜工程によって、カバー上に、レーザ吸収材が採用された封着層が塗布し、露光現像エッチング循環工程によって、逐次に必要のない封着層が除去し、エッチングによって薄膜電界効果トランジスタに対応する溝を形成する。或は、基板とカバーとが別々で塗布や露光現像によって、ＴＦＴ及び封着層を有する基板と、溝及び間隔部を有するカバーとを形成し、さらに基板とカバーとを対応させて封着する。

前記実装方法の優れた効果は、以下のとおりである。
（１）貼り付けた後の平坦度が向上され、レーザ焼結の不良影響が改善された。

（２）カバーと基板との間の接触面において、全面的に、例えばレーザ吸収材が採用された封着層が塗布するため、全面的にレーザ焼結を行うことができる。したがって、レーザ焼結場所について、レーザ経路を調整するだけでよく、スクリーンやコーティングのレイアウトを変更する必要がない。また、レーザ焼結幅について、レーザスボットの大きさを調整するだけでよく、スクリーンやコーティング針を変更する必要がない。また、プリントまたはコーティングに対して、一方向における、フォトマスク設計上の２点間の距離と、実際に生産した基板の測定された２点間の距離との差の変異問題もない。

以下の図面を参照しながら、限定性のない実施例について詳細に説明することによって、本発明のその他の特徴、目的、メリットをもっと明らかにする。

従来技術におけるアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの分解状態の縦断面構造を示す図である。 従来技術におけるアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの貼り付けして組み合わせた後の縦断面構造を示す図である。 本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの分解状態の縦断面構造を示す図である。 本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの組み合わせた状態の縦断面構造を示す図である。 本発明の図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の実施例１のフローチャートである。 図５に記載の実装方法における露光現像エッチング循環工程のステップのフローチャートである。 本発明のレーザ吸収層が塗布されたカバーの縦断面構造を示す図である。 本発明のフォトレジストが塗布されたカバーの縦断面構造を示す図である。 本発明の１回目の露光現像エッチング後のカバーの縦断面構造を示す図である。 本発明の再びフォトレジストが塗布されたカバーの縦断面構造を示す図である。 本発明の２回目の露光現像エッチング後のカバーの縦断面構図を示す図である。 図５の実装方法におけるレーザ焼結のステップのフローチャートである。 本発明の図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の実施例２のフローチャートである。 本発明の図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の実施例３のフローチャートである。

以下、図面及び実施例に基づいて、本発明の技術内容を説明する。
図３は、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの縦断面構造を示す図である。図４は、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの貼り付けた後の縦断面構造を示す図である。図３及び図４に示すように、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２は、基板２１と、複数の薄膜電界効果トランジスタ２２と、カバー２３とを含む。基板２１は、薄膜電界効果トランジスタ２２を載せるためのものであり、好ましくは、ガラス材から形成される。複数の薄膜電界効果トランジスタ２２同士は、間隔をあけて基板２１上に設けられている。

カバー２３は、基板２１及び複数の薄膜電界効果トランジスタ２２の上方に貼り付けられる。好ましくは、カバー２３は、ガラス材から形成される。さらに、前記基板に対向するカバー２３の表面には、複数の薄膜電界効果トランジスタ２２に対応する複数の溝２３１と、複数の溝２３１同士の間に形成されている複数の間隔部２３２とが設けられている。各薄膜電界効果トランジスタ２２は、いずれも対応する各溝２３１内に位置し、複数の間隔部２３２のそれぞれは、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ２２同士の間に位置する。好ましくは、各溝２３１の深さは、いずれも１０μｍ以下である。薄膜電界効果トランジスタ２２が基板２１に緊密に配列されている場合には、各溝２３１の間の距離（即ち、間隔部２３２の幅）は、３ｍｍ以下である。

図３に示す好ましい例において、カバー２３上における各溝２３１の縦断面形状は、いずれも矩形であるが、これに限定されない。例えば、変形例において、溝２３１の縦断面形状は、正方形でもよい。また、他の変形例において、溝２３１の縦断面形状は、半円形でもよい。当業者であれば、上述の変化例がいずれも実現できることが理解できるので、ここで省略する。

図３に示すように、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２は、間隔部２３２と基板２１とを連結する封着層２５をさらに含む。前記封着層２５は、間隔部２３２と基板２１との間に位置するレーザ吸収材に、レーザ焼結を施して形成する。

好ましくは、封着層２５の厚さは６μｍ以下である。好ましくは、封着層２５は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化スズなどのレーザ吸収材のいずれか一つを封着材として形成されている。

本発明のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの第１の実施例において、従来技術における封止材を用いた密封構造の代わりに、カバー２３には溝２３１と間隔部とが設けられ、且つ間隔部２３２及び基板２１の間に封着層２５を有するため、基板とカバーとの中空構造を回避することができる。したがって、貼り付けた後のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルにおける基板とカバーとの間の接触面積が大きくなり、平坦度が大幅に向上され、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの厚さも従来技術よりも薄くなる。

以下、図５〜図１３に基づいて、本発明のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法について説明する。

図５は、図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の実施例１のフローチャートである。具体的には、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２の実装方法は、以下のステップ３１０〜ステップ３４０を含む。

ステップ３１０において、封着材（例えば、レーザ吸収材）をカバーの表面に塗布する。好ましくは、前記レーザ吸収材は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化スズなどのいずれか１つである。前記カバーは、ガラス材から形成されることが好ましい。

ステップ３２０において、露光現像エッチングによって、カバー表面に塗布されたレーザ吸収材の一部を除去し、エッチングによって、カバー上のレーザ吸収材が除去された後の部分に溝を形成することによって、隣り合う溝同士の間に複数の間隔部を形成し、かつ、各間隔部の上に一層のレーザ吸収材を保留させる。ここで、レーザ吸収材が一部除去された位置は、薄膜電界効果トランジスタに対応する基板上の予め設定された位置（図３及び図４に示す薄膜電界効果トランジスタ１２０の位置を参照）である。

ステップ３３０において、基板の上に、前記カバーを覆う。前記基板上には、複数の薄膜電界効果トランジスタ同士が間隔をあけて設けられている。前記薄膜電界効果トランジスタは、前記溝に対応して位置させられ、複数の間隔部のそれぞれは、隣り合う複数の薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置させられている。前記基板はガラス材から形成されることが好ましい。

ステップ３４０において、前記間隔部と基板との間に位置するレーザ吸収材にレーザ焼結を施す（即ち、封着材を用いて封着処理を行う）。このようにして、カバーの間隔部と基板とを連結する封着部が形成される。

図６は、図５に示す実装方法における露光現像エッチング循環工程のステップのフローチャットである。具体的には、ステップ３２０の露光現像エッチング循環工程のステップは、以下のサブステップを含む。

ステップ３２１において、カバー上に、レーザ又は薄膜を使用して位置合わせマークを作成する。ここで、前記位置合わせマークは、前記基板における薄膜電界効果トランジスタの位置に対応する。

ステップ３２２において、カバー上のレーザ吸収材の表面にフォトレジストを塗布する。

ステップ３２３において、ステップ３２１にて作成された位置合わせマークを利用して、所定のパターンを有するフォトマスクに対して位置合わせを行った後、フォトレジストを露光させる。その後、前記フォトマスクを取り除き、現像させて、露光させたフォトレジストを取り除く。

ステップ３２４において、フォトレジストにより遮蔽されていないレーザ吸収材を、カバーの表面が露出されるまでエッチングする。

ステップ３２５において、封着層及びカバーの表面に再びフォトレジストを塗布する。
ステップ３２６において、前記ステップ３２１及びステップ３２３の前記フォトマスクを用いて位置合わせを行ってから、フォトレジストを繰り返し露光現像する。

ステップ３２７において、フォトレジストにより遮蔽されていないカバーを、溝が形成されるまでエッチングする。

ステップ３２８において、カバー上のフォトレジストを取り除いて、溝と、上にレーザ吸収材が有する間隔部とを有するカバーを得る。

さらに、当業者は、変形例において、露光現像エッチング工程において、カバーに対するエッチングによって形成しようとするパターンと、レーザ吸収材に対するエッチングによって形成しようとするパターンとが一致する場合には、ステップ３２５及びステップ３２６の２回目の露光現像を省略することができることを、理解できる。即ち、レーザ吸収材をエッチングして除去した後、カバーに対して直接にエッチングする。前記２回目の露光現像は、カバー上のエッチングしようとする溝のパターンを調整することを目的とする。

なお、前記実装方法における主なステップに対応するカバーの縦断面構造については、以下の図７〜図１１の詳細説明を参照する。

図７は、レーザ吸収材を塗布した後のカバーの縦断面構造を示す図であり、図５のステップ３１０に対応する。具体的には、図７に示すように、レーザ吸収材２５’は、全面的にカバー２３に塗布され、塗布されたレーザ吸収材２５’の厚さは、６μｍ以下であることが好ましい。

図８は、フォトレジストが塗布された後のカバーの縦断面構造を示す図であり、図６のステップ３２２に対応される。具体的には、図８に示すように、レーザ吸収材２５’がカバー２３の表面に塗布された後、フォトレジスト２６を、全面的にレーザ吸収材２５’の上に塗布する。好ましくは、フォトレジスト２６として、正フォトレジストが使用する。

図９は、１回目の露光現像エッチング後のカバーの縦断面構造を示す図であり、図６のステップ３２３及び３２４に対応する。具体的には、図９に示すように、フォトレジスト２６を塗布した後、予め作成した位置合わせマークを用いて、レーザ吸収材２５’とフォトレジスト２６とを有するカバー２３の上方に、フォトマスクを位置合わせする。前記フォトマスクに遮蔽されていないフォトレジスト２６は、露光現像された後に、レーザ吸収材２５’が露出される。さらに、露出されたレーザ吸収材２５’をエッチングして除去した後、図９に示すカバー２３が得られる。

図１０は、再びフォトレジストが塗布されたカバーの縦断面構造を示す図であり、図６のステップ３２５に対応する。具体的には、図１０に示すように、一部のレーザ吸収材２５’をエッチングによって除去した後、再び、レーザ吸収材２５’及びカバー２３の表面に、全面的にフォトレジスト２６を塗布する。フォトレジスト２６は、正フォトレジストであることが好ましい。

図１１は、再び露光現像エッチングした後のカバーの縦断面構造を示す図であり、図６のステップ３２６及びステップ３２７に対応する。具体的には、図１１に示すように、前回の露光現像する時に使われたフォトマスクを使用して、繰り返して位置合わせをしてから、露光させる。前記フォトマスクに遮蔽されていないフォトレジスト２６が露光現像された後、カバー２３の表面が露出され、さらに、フォトレジストによって遮蔽されていないカバー２３をエッチングして、溝２３１及び間隔部２３２を形成することにより、図１１に示すカバー２３を得る。溝２３１の深さは１０μｍ以下であることが好ましい。

図１１に示すカバー２３は、フォトレジスト２６が除去された後、薄膜電界効果トランジスタ２２が載せている基板２１の上方を覆う。そして、カバー２３の間隔部２３２上のレーザ吸収材２５’に、レーザ焼結を施して、封着層２５を形成することにより、最終的に、図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２を得る。レーザ吸収材２５’が、間隔部２３２と基板２１との間に全面的に塗布されたため、レーザ吸収材２５’が塗布されているすべての領域に、レーザ焼結を施すことができる。さらに、レーザ焼結しようとする部分に対してレーザ経路を調整するだけでよく、スクリーンやコーティングのレイアウトを変更する必要がない。且つ、レーザ焼結の幅については、レーザスボットの大きさを調整するだけでよく、スクリーンやコーティング針を変更する必要がない。また、プリントまたはコーティングに対して、一方向における、フォトマスク設計上の２点間の距離と、実際に生産した基板の測定された２点間の距離との差の変異問題もない。

図１２は、図５に示す実装方法における焼結のステップのフローチャートである。具体的には、レーザ焼結のステップ３４０は、以下のサブステップを含む。

ステップ３４１において、カバーにおける前記位置合わせマークを利用して、基板とカバーとを位置合わせさせる。

ステップ３４２において、レーザを利用して、予め設定されたフレーム接着材焼結経路の沿って、間隔部上のレーザ吸収材２５’にレーザ焼結を施して封着層２５を形成することにより、カバーの間隔部と基板とを固定連結させて、前記アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルを密封する効果を奏する。

図１３は、本発明の図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の第２の実施例のフローチャートである。図１３を、上記の図５の変形例として理解できる。具体的には、上記の図５に示す実装方法と比較すると、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２の実装方法（２）は、封着材に対しベーク処理を行うステップ３５０をさらに含むことだけが差異である。ステップ３５０は、ステップ３２０の露光現像エッチング循環工程の前に行われる。さらに具体的には、均一に塗布するために、一般的には、封着層として採用する材料に溶剤を混合して、液体を形成する。それで、上記封着層に対しベーク処理を行うステップは、乾燥定型の効果を奏し、上記封着層を上記カバーの表面によりよく貼り付けさせることができる。

図１４は、本発明の図４に示すアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法の第３の実施例のフローチャートである。上記の図５に示す実装方法（１）と比較すると、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル２の実装方法（３）は、封着材としてのレーザ吸収層を、カバーに塗布しなく、基板に塗布することが差異である。当該実装方法（３）は、主に、以下のステップ５１０〜ステップ５６０を含む。

ステップ５１０において、前記基板上にレーザ吸収材を塗布する。
ステップ５２０において、位置合わせマークを作成し、フォトレジストを塗布する処理等の、露光現像エッチングに類似するステップによって、所定のパターンに従って、基板表面のレーザ吸収材の一部を除去する。

ステップ５３０において、前記レーザ吸収材が除去された部分に、薄膜電界効果トランジスタを設置する。

ステップ５４０において、カバーの表面において、同様に、露光現像エッチングのステップによって、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応する溝をエッチングによって形成して、隣り合う溝同士の間にいずれも間隔部を形成する。

ステップ５５０において、前記複数の薄膜電界効果トランジスタが、対応する前記複数の溝内に位置し、前記複数の間隔部のそれぞれが、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するように、前記カバーを前記基板上に貼り付ける。

ステップ５６０において、前記レーザ吸収材に対して封着処理を行うことによって、図３及び図４の構造と同様なアクティブマトリクス有機発光ダイオードを形成する。

本実施例において、封着材は、レーザ吸収材であり、前記封着処理は、レーザ焼結処理である。当該レーザ焼結処理は、以下のステップを含む。即ち、前記基板と前記カバーとを位置合わせした後、前記カバーの間隔部と前記基板とが固定連結されるように、レーザを利用して、予め設定された焼結経路に沿って、前記複数の間隔部上のレーザ吸収材にレーザ焼結を施して封着層を形成する。

以上のことから、当業者は、従来技術と比較すると、本発明によって提供するアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法は、以下の有利な技術効果を奏することが理解できる。

（１）前記アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルは、カバーの構造を変更した。カバーに対して、例えば半導体工程を適用して、薄膜工程によってレーザ吸収材が塗布し、露光現像エッチング循環工程によって、逐次エッチングして、必要のないレーザ吸収材が除去することにより、薄膜電界効果トランジスタに対応する溝と、レーザ吸収材に覆われた間隔部とを形成する。前記の構成によって、カバーは、基板に貼り付けられると、接触面積が大きくて平坦になるため、貼り付けの平坦度が大幅に向上されて、その後のレーザ焼結に大きな役に立ちになり、かつ、完成品の厚さも従来技術よりも薄くなる。前記アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルについて、貼り付けた後の平坦度が向上されて、レーザ焼結に対する不良影響が改善された。

（２）カバーと基板との間の接触面には、レーザ吸収材が塗布されているので、全面的にレーザ焼結を行うことができる。したがって、レーザ焼結部分について、レーザ経路を調整するだけでよく、スクリーンやコーティングのレイアウトを変更する必要がない。また、レーザ焼結幅について、レーザスボットの大きさを調整するだけでよく、スクリーンやコーティング針を変更する必要がない。また、プリントまたはコーティングに対して、一方向における、フォトマスク設計上の２点間の距離と、実際に生産した基板の測定された２点間の距離との差の変異問題もない。

上記のように、本発明の好ましい実施例を説明した。しかしながら、本発明は上記の記載に限定されない。当業者であれば、本発明の思想及び範囲内において、各種の変更及び補正を行うことができる。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で定めた範囲を規準とする。

Claims (7)

1. 基板と、
   互いに間隔をあけて前記基板上に設けられている複数の薄膜電界効果トランジスタと、
   前記基板及び前記薄膜電界効果トランジスタの上方を覆い、前記基板に対向する表面に、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応して設けられた複数の溝と、隣り合う溝同士の間に位置する複数の間隔部とが形成されており、各々の前記溝内には、それぞれ、対応する各前記薄膜電界効果トランジスタのそれぞれが位置し、前記複数の間隔部のそれぞれは、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するカバーと、
   前記間隔部と前記基板とを連結する封着層と
   を備えることを特徴とするアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル。
2. 前記封着層は、レーザ吸収材にレーザ焼結を施して形成され、
   前記レーザ吸収材は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、或は酸化スズからなる
   ことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル。
3. 前記溝の縦断面形状は矩形である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル。
4. アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法において、
   複数の薄膜電界効果トランジスタが互いに間隔をあけて設けられている基板を用意する工程と、
   封着材をカバーの表面に塗布する工程と、
   露光現像エッチングによって、前記カバーの表面に塗布された封着材の一部を除去し、エッチングによって、前記カバー上の前記封着材が除去された部分に、前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応し、且つそれぞれの間に間隔部が形成されている複数の溝を形成する工程と、
   前記複数の薄膜電界効果トランジスタが、対応する前記複数の溝内に位置し、前記複数の間隔部のそれぞれが、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するように、前記カバーを前記基板に貼り付ける工程と、
   前記複数の間隔部と前記基板との間の封着材に対して封着処理を行う工程と
   を含むことを特徴とする実装方法。
5. 前記露光現像エッチング工程は、
   フォトレジストを、前記カバー上の封着材の表面に塗布するステップと、
   所定のパターンを有するフォトマスクを用いて、フォトレジストを露光させて現像させるステップと、
   前記フォトレジストにより遮蔽されていない封着材を、前記カバーの表面が露出されるまでエッチングするステップと、
   露出された前記カバーの表面をエッチングして、前記複数の溝と前記複数の間隔部とを形成するステップと
   を含むことを特徴とする請求項４に記載の実装方法。
6. 前記封着材は、レーザ吸収材であり、前記封着処理は、レーザ焼結であり、
   前記レーザ吸収材は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、或は酸化スズからなり、
   前記レーザ焼結は、前記基板と前記カバーとを位置合わせした後、前記カバーの間隔部と前記基板とが固定連結されるように、レーザを利用して、予め設定された焼結経路に沿って、前記複数の間隔部上のレーザ吸収材にレーザ焼結を施して封着層を形成するステップを含む
   ことを特徴とする請求項４または５に記載の実装方法。
7. アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルの実装方法において、
   基板の表面に封着材を塗布する工程と、
   露光現像エッチングによって、前記基板表面に塗布された封着材の一部であって互いに間隔をあけている封着材の一部を除去する工程と、
   前記基板上の前記封着材が除去された部分に、薄膜電界効果トランジスタを設ける工程と、
   前記複数の薄膜電界効果トランジスタに対応し、且つそれぞれの間に間隔部が形成された複数の溝が、エッチングによって形成されたカバーを用意する工程と、
   前記複数の薄膜電界効果トランジスタが、対応する前記複数の溝内に位置し、前記複数の間隔部のそれぞれが、隣り合う薄膜電界効果トランジスタ同士の間に位置するように、前記カバーを前記基板上に貼り付ける工程と、
   前記複数の間隔部と前記基板との間の封着材に対して封着処理を行う工程と
   を含み
   前記封着材は、レーザ吸収材であり、前記封着処理は、レーザ焼結であり、
   前記レーザ焼結は、前記基板と前記カバーとを位置合わせした後、前記カバーの間隔部と前記基板とが固定連結されるように、レーザを利用して、予め設定された焼結経路に沿って、前記複数の間隔部上のレーザ吸収材にレーザ焼結を施して封着層を形成するステップを含む
   ことを特徴とする実装方法。