CN103794637A - 一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法，该有源矩阵有机发光二极体面板包括：基板；多个薄膜场效应晶体管，所述多个薄膜场效应晶体管彼此间隔地设置于所述基板上；盖板，所述盖板的朝向所述基板的表面形成有与所述多个薄膜场效应晶体管相对应的多个凹槽以及位于相邻凹槽之间的多个间隔部，所述盖板盖于所述基板以及所述薄膜场效应晶体管的上方，各所述薄膜场效应晶体管均位于对应的所述凹槽中，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；以及封接层，所述封接层连接于所述间隔部与所述基板之间。本发明更易于控制有源矩阵有机发光二极体面板的平坦度。

Description

一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域，且特别涉及一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法。
背景技术
近年来，使用有机电致发光(Electro Luminescence：以下称“有机EL”)组件的有机EL显示装置，已取代CRT及LCD的显示装置而受到嘱目。目前，正研究开发一种具备例如用以驱动该有机EL组件的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor：以下称“TFT”)的有机EL显示装置。
有机EL组件(即：有机发光二极管；OLED)被依序层积形成：由ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)等的透明电极所形成的阳极；由MTDATA(4，4-双(3-甲基苯基苯氨基)联苯)等第1空穴输送层、TPD(4，4，4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺)等第2空穴输送层所构成的空穴输送层；包含啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯弁[h]轻基喹啉-铍络合物(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex))所形成的发光层；由Bebq2所形成的电子输送层；及由铝合金所形成的阴极的构造。
如上所述的有机EL组件，通过用以驱动该有机EL组件的驱动用TFT供给电流而发光。即，从阳极所注入的空穴与从阴极所注入的电子在发光层内部再结合，激发用以形成发光层的有机分子而产生激发子(exdton)。在该激发子放射失活的过程中由发光层发光，该光会从透明的阳极经由透明的阳极及玻璃基板等绝缘性基板放出至外部而进行发光。
有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED)作为有机发光二极管(OLED)技术中的一种，其于蒸镀所使用之材料对于水、氧极度敏感，需于蒸镀后进行密封性极好的封装，而使用环氧树脂框胶方式因阻绝性较差，内部需贴附干燥剂，对于顶发射的结构造成设计较困难。
现行主流封装的方式为使用玻璃制作应用于两片玻璃之间黏合的封止材。图1示出了根据现有技术的有源矩阵有机发光二极体面板的纵截面结构示意图。具体地，有源矩阵有机发光二极体面板1包括基板11、薄膜场效应晶体管12、盖板13以及止封材14。其中，基板11用于承载薄膜场效应晶体管12，如图1所示，多个薄膜场效应晶体管12排列并固定于基板11上。盖板13盖于基板11以及薄膜场效应晶体管12的上方。多个止封材14位于盖板13与基板11之间，且每个止封材14位于相邻的两个薄膜场效应晶体管12之间。止封材14优选地使用玻璃材料制成，其防止水、氧进入基板11以及盖板13之间，起到密封的作用。其经过涂布、烘烤、烧结三道制程后黏合基板11以及盖板13。由于止封材14的阻绝性良好，因此不需再加入干燥剂。
图2示出了根据现有技术的有源矩阵有机发光二极体面板的纵截面结构示意图。由于基板11与盖板13贴合过程需在一负压环境下，止封材框胶相对于基板的被贴合面接触面积小且盖板13与基板11为中空结构，因此，会造成贴合时平坦度难以控制。如图2所示，贴合后的有源矩阵有机发光二极体面板1会发生平坦度不佳的问题，进而影响后续制程，且目前的有源矩阵有机发光二极体面板1成品的厚度也较厚。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法，以更易于控制有源矩阵有机发光二极体面板的平坦度。
根据本发明的一个方面提供一种有源矩阵有机发光二极体面板，包括：基板；多个薄膜场效应晶体管，所述多个薄膜场效应晶体管彼此间隔地设置于所述基板上；盖板，所述盖板的朝向所述基板的表面形成有与所述多个薄膜场效应晶体管相对应的多个凹槽以及位于相邻凹槽之间的多个间隔部，所述盖板盖于所述基板以及所述薄膜场效应晶体管的上方，各所述薄膜场效应晶体管均位于对应的所述凹槽中，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；以及封接层，所述封接层连接于所述间隔部与所述基板之间。
优选地，所述封接层由激光吸收材料经激光烧结而成。
优选地，所述激光吸收材料为氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱或氧化锡。
优选地，所述凹槽的纵截面形状为矩形。
优选地，所述封接层的厚度小于等于6μm。
优选地，所述凹槽的深度小于等于10μm。
优选地，所述间隔部的宽度小于等于3mm。
优选地，所述盖板和所述基板由玻璃材料制成。
根据本发明的另一个方面提供一种有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法，包括：提供一基板，所述基板上设有彼此间隔的多个薄膜场效应晶体管；将封接材料涂布于一盖板的表面；通过曝光显影蚀刻，去除涂布于所述盖板表面的部分封接材料，且于所述盖板去除所述封接材料的位置处刻蚀出与所述多个薄膜场效应晶体管对应的凹槽，其中，所述多个凹槽之间彼此形成多个间隔部；将上述盖板贴合于所述基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位于所述多个凹槽内，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；对所述多个间隔部与所述基板之间的封接材料进行封接处理。
优选地，所述曝光显影蚀刻的步骤包括：将光阻涂布于所述盖板上的封接材料的表面；利用具有所需图案的光罩，对光阻进行曝光、显影；蚀刻未被所述光阻遮挡的封接材料，直至露出所述盖板的表面；蚀刻所述盖板的露出表面，形成所述多个凹槽和所述多个间隔部。
优选地，所述光阻为正光阻。
优选地，所述封接材料为激光吸收材料，所述封接处理为激光烧结。
优选地，所述激光吸收材料为氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱或氧化锡。
优选地，所述激光烧结包括如下步骤：在所述基板和所述盖板对位之后，利用激光以设定好的框胶烧结路径将所述多个间隔部上的激光吸收材料经激光烧结形成封接层，使所述盖板的间隔部与所述基板固定连接。
优选地，所述曝光显影刻蚀的步骤之前还包括对涂布于所述盖板表面的所述封接材料进行烘烤的步骤。
此外，本发明还一种有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法，包括：将封接材料涂布于一基板的表面；通过曝光显影蚀刻，去除涂布于所述基板表面的部分封接材料，其中，被去除的部分封接材料彼此之间互相间隔；于所述基板去除所述封接材料的位置处设置薄膜场效应晶体管；提供一盖板，在所述盖板上刻蚀出与所述多个薄膜场效应晶体管对应的凹槽，其中，所述多个凹槽之间形成多个间隔部；将上述盖板贴合于所述基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位于所述多个凹槽内，所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；对所述多个间隔部与所述基板之间的封接材料进行封接处理。
本发明提供的有源矩阵有机发光二极体面板通过改变盖板结构，使其朝向基板的表面形成有与薄膜场效应晶体管相对应的凹槽以及位于相邻凹槽之间的间隔部，并且由与间隔部对应的封接层连接于所述盖板与所述基板。采用此结构，盖板与基板的贴合接触面积大且平坦，对于贴合的平坦度有大幅度的提升，对后续的激光烧结大有帮助，且成品的厚度也较现有技术的厚度薄。
本发明提供的有源矩阵有机发光二极体面板封装方法中，盖板应用如半导体制程经过薄膜工艺涂上选用激光吸收材料的封接层，再透过曝光显影蚀刻循环制程，逐步去除不需要的封接层及刻蚀与薄膜场效应晶体管对应的凹槽；或者，基板和盖板分别通过涂布和曝光显影，形成具有TFT和封接层的基板、具有凹槽和间隔部的盖板，再对应盖合封接。上述封装方法的有益效果在于：
1.增进贴合后平坦度，改善对激光烧结的不良影响。
2.盖板与基板之间的接触面为全面涂布了例如选用激光吸收材料的封接层，所以皆可进行激光烧结，因此激光烧结位置只需对激光路径做调整，不需变更网版或涂胶的布局；激光烧结宽度只需对激光光斑大小做调整，不需变更网版或涂胶针头；相对印刷或涂胶，较无单方向上光罩设计上两点之间距离与实际产出基板测量两点之间的距离的差值的变异问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为根据现有技术的有源矩阵有机发光二极体面板的分解状态下的纵截面结构示意图；
图2为根据现有技术的有源矩阵有机发光二极体面板贴合组装后的纵截面结构示意图；
图3为根据本发明的第一实施例的有源矩阵有机发光二极体面板分解状态下的纵截面结构示意图；
图4为根据本发明的第一实施例的有源矩阵有机发光二极体面板组合状态下的纵截面结构示意图；
图5为本发明图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例一的流程图；
图6为图5封装方法中光显影蚀刻循环制程的步骤的流程图；
图7为根据本发明的涂布激光吸收层后的盖板的纵截面结构示意图；
图8为根据本发明的涂上光阻后的盖板的纵截面结构示意图；
图9为根据本发明的首次曝光显影刻蚀后的盖板的纵截面结构示意图；
图10为根据本发明的再次涂上光阻后的盖板的纵截面结构示意图；
图11为根据本发明的再次曝光显影刻蚀后的盖板的纵截面结构示意图；
图12为图5封装方法中激光烧结的步骤的流程图；
图13为本发明图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例二的流程图；以及
图14为本发明图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例三的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术内容进行进一步地说明：
图3示出了根据本发明的第一实施例的有源矩阵有机发光二极体面板的纵截面结构示意图。图4示出了根据本发明的第一实施例的有源矩阵有机发光二极体面板贴合后的纵截面结构示意图。如图3和图4所示，有源矩阵有机发光二极体面板2包括基板21、多个薄膜场效应晶体管22以及盖板23。其中，基板21用于承载薄膜场效应晶体管22，优选地，基板21由玻璃材料制成。多个薄膜场效应晶体管22彼此间隔地设置于基板21上。
盖板23贴合于基板21以及多个薄膜场效应晶体管22的上方，优选地，盖板23由玻璃材料制成。进一步地，盖板23的朝向所述基板的表面设有与多个薄膜场效应晶体管22相对应的多个凹槽231、以及形成于多个凹槽231之间的多个间隔部232。每个薄膜场效应晶体管22均位于对应的每个凹槽231中，多个间隔部232分别位于相邻的薄膜场效应晶体管22之间。优选地，每个凹槽231的深度均小于等于10μm。在薄膜场效应晶体管22于基板21上排列紧密的情况下，每个凹槽231之间的间距(即间隔部232的宽度)小于等于3mm。
在图3所示的优选例中，盖板23上每个凹槽231的纵截面形状均为矩形，但并不限于此。例如，在一个变化例中，凹槽231的纵截面形状可以是正方形；而在另一个变化例中，凹槽231的纵截面形状也可以是半圆形。本领域技术人员理解，这些变化例均可以予以实现，此处不予赘述。
进一步地，如图3所示，有源矩阵有机发光二极体面板2还包括连接间隔部232与基板21的封接层25，该封接层25是由位于间隔部232与基板21之间的激光吸收材料经过激光烧结形成的。
优选地，封接层25的厚度小于等于6μm。封接层25优选地由氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱、氧化锡等激光吸收材料中的任一种作为封接材料制成。
在本发明有源矩阵有机发光二极体面板的第一实施例中，由于盖板23上设有凹槽231和间隔部，且间隔部232与基板21之间有封接层25，从而替代了现有技术中使用止封材的密封结构，从而避免了基板与盖板之间的中空结构，因此贴合后的有源矩阵有机发光二极体面板的基板与盖板之间接触面积大且平坦度大幅度提升，面板成品的厚度也较现有技术的厚度薄。
下面结合图5至图13来说明本发明有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法。
图5示出了图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例一的流程图。具体地，有源矩阵有机发光二极体面板2的封装方法包括：
步骤310：将封接材料(例如激光吸收材料)涂布于盖板的表面。其中，优选地，所述激光吸收材料可以是氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱、氧化锡等其中的任一种。所述盖板优选地由玻璃材料制成。
步骤320：通过曝光显影蚀刻，去除涂布于盖板表面的部分激光吸收材料，且于盖板上去除激光吸收材料后的位置刻蚀形成凹槽，从而形成了位于相邻凹槽之间的多个间隔部，且各间隔部上仍保留有一层激光吸收材料。其中，被去除的部分激光吸收材料的位置为预先设定的与基板上薄膜场效应晶体管位置相对应的位置(可参考图3或图4中所示的薄膜场效应晶体管120的位置)。
步骤330：将上述盖板盖于一基板上，其中，所述基板上设有彼此间隔的多个薄膜场效应晶体管，所述薄膜场效应晶体管对应地位于所述凹槽内，，多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间。优选地，所述基板由玻璃材料制成。
步骤340：对所述间隔部与基板之间的激光吸收材料进行激光烧结(即对封接材料进行封接处理)，就形成了用于连接盖板的间隔部和基板的封接部。
图6为图5封装方法中曝光显影蚀刻循环制程的步骤的流程图。具体地，步骤320中曝光显影蚀刻循环制程的步骤包括如下子步骤：
步骤321：在盖板上使用激光或薄膜制作对位标记。其中，所述对位标记与所述基板上薄膜场效应晶体管的位置相对应。
步骤322：将光阻涂布于盖板上的激光吸收材料的表面。
步骤323：利用步骤321中制作的对位标记，将具有所需图案的光罩进行对位后，对光阻进行曝光。随后，移除所述光罩，进行显影，移除经曝光的光阻。
步骤324：蚀刻未被光阻遮挡的激光吸收材料，直至露出盖板的表面。
步骤325：再次将光阻涂布于封接层以及盖板的表面。
步骤326：使用上述步骤321以及步骤323中的所述光罩进行对位，重复对光阻进行曝光显影。
步骤327：蚀刻未被光阻遮挡的盖板至形成凹槽。
步骤328：去除盖板上的光阻，即获得具有凹槽和间隔部的盖板，且间隔部上具有激光吸收材料。
更进一步地，本领域技术人员理解，在一个变化例中，曝光显影蚀刻循环制成时，当对盖板蚀刻需要形成的图形与对激光吸收材料蚀刻需要形成的图形一致时，可以省略步骤325以及步骤326中的第二次曝光显影，即在蚀刻去除激光吸收材料后直接对盖板进行蚀刻。上述第二次曝光显影的目的在于调整盖板上需要蚀刻的凹槽的图形。
与上述封装方法中主要步骤对应的盖板的纵截面结构，请参见下面关于图7至图11的详细说明。其中：
图7为涂布激光吸收材料后的盖板的纵截面结构示意图，其对应于图5的步骤310。具体地，如图7所示，激光吸收材料25’全面涂布于盖板23的表面，激光吸收材料25’涂布的厚度优选地小于等于6μm。
图8为涂上光阻后的盖板的纵截面结构示意图，其对应于图6的步骤322。具体地，如图8所示，当激光吸收材料25’涂布于盖板23的表面之后，再将光阻26全面地涂布于激光吸收材料25’的上方。其中，优选地，光阻26使用正光阻。
图9为首次曝光显影刻蚀后的盖板的纵截面结构示意图，其对应于图6的步骤323和324。具体地，如图9所示，当涂布光阻26后，使用之前制作好的对位标记，在带有激光吸收材料25’以及光阻26的盖板23上进行光罩对位。未被所述光罩遮挡的光阻26经曝光显影后露出激光吸收材料25’，进而，刻蚀去除露出的激光吸收材料25’后得到图9中示出的盖板23。
图10为再次涂上光阻后的盖板的纵截面结构示意图，其对应于图6的步骤325。具体地，如图10所示，在刻蚀去除部分激光吸收材料25’后，再次于激光吸收材料25’以及盖板23的表面全面地涂布光阻26。光阻26优选地为正光阻。
图11为再次曝光显影刻蚀后的盖板的纵截面结构示意图，其对应于图6的步骤326和步骤327。具体地，如图11所示，使用前次曝光显影所用的光罩重复对位后曝光。未被所述光罩遮挡的光阻26曝光显影后露出盖板23的表面，进而，蚀刻未光阻遮挡的盖板23以形成凹槽231以及间隔部232，得到图11中示出的盖板23。优选地，凹槽231的深度小于等于10μm。
图11中所示的盖板23去除光阻26后，盖于承载有薄膜场效应晶体管22的基板21上；接着，对盖板23的间隔部232上的激光吸收材料25’进行激光烧结，形成封接层25，最终得到图4所示的有源矩阵有机发光二极体面板2。由于激光吸收材料25’全面地涂布于间隔部232与基板21之间，因此激光吸收材料25’涂布的整个区域皆可进行激光烧结，进而激光烧结位置只需对激光路径做调整，不需变更网版或涂胶的布局，且激光烧结宽度只需对激光光斑大小做调整，不需变更网版或涂胶针头，其相对印刷或涂胶，也无单方向上光罩设计上两点之间距离与实际产出基板测量两点之间的距离的差值的变异问题。
图12为图5封装方法中激光烧结的步骤的流程图。具体地，激光烧结的步骤340包括如下子步骤：
步骤341：利用盖板上的前述对位标记，使基板和盖板进行对位。
步骤342：激光以设定好的框胶烧结路径，将间隔部上的激光吸收材料25’经激光烧结形成封接层25，使盖板的间隔部与基板固定连接，从而起到密封所述有源矩阵有机发光二极体面板的作用。
图13为本发明图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例二的流程图。图13可以理解为上述图5的一个变化例。具体地，与上述图5所示封装方法不同之处仅在于，有源矩阵有机发光二极体面板2的封装方法(二)还包括步骤350：对封接材料进行烘烤。其中步骤350位于步骤320曝光显影刻蚀循环制程之前。更具体地，为了涂布均匀，封接层所选用的材料一般会混合一些溶剂形成液态，因此对所述封接层进行烘烤的步骤，可以起到干燥定型的作用，使所述封接层更好地贴附于所述盖板的表面。
图14为本发明图4所示有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法的实施例三的流程图。与上述图5所示封装方法(一)的不同之处在于，在有源矩阵有机发光二极体面板2的封装方法(三)中，作为封接材料的激光吸收层是首先涂布于基板上，不是涂布于基板上。该封装方法(三)的主要包括：步骤510：在所述基板上涂布激光吸收材料。步骤520：通过制作对位标记、涂布光阻等曝光显影蚀刻的类似步骤按照需要的图形去除基板表面的部分激光吸收材料。步骤530：于去除所述激光吸收材料的位置设置薄膜场效应晶体管。步骤540在盖板的表面同样通过曝光显影蚀刻的步骤蚀刻出与所述多个薄膜场效应晶体管对应的凹槽，且相邻凹槽之间均形成有间隔部。步骤550：再将上述盖板贴合于基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位于所述多个凹槽内，所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间。步骤560：经过对所述激光吸收材料进行封接处理，形成与图3和图4结构相同的有源矩阵有机发光二极体面板。在本实施例中，封接材料为激光吸收材料，所述封接处理为激光烧结，包括如下步骤：在基板和盖板对位之后，利用激光以设定好的烧结路径将多个间隔部上的激光吸收材料经激光烧结形成封接层，使盖板的间隔部与基板固定连接。
综上，本领域技术人员可以理解，相比于现有技术，本发明提供的有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法至少具有如下有益技术效果：
1)所述有源矩阵有机发光二极体面板改变了盖板结构，盖板应用如半导体制程经过薄膜工艺涂上激光吸收材料，再透过曝光显影蚀刻循环制程，逐步蚀刻，去除不需要的激光吸收材料，形成与薄膜场效应晶体管对应的凹槽、间隔部，且间隔部上覆盖有激光吸收材料。盖板以此结构贴合基板时接触面积大且平坦，对于贴合的平坦度有大幅度的提升，对后续的激光烧结大有帮助，且成品的厚度也较现有技术的厚度薄。所述有源矩阵有机发光二极体面板增进贴合后平坦度，改善对激光烧结的不良影响。
2)盖板与基板之间的接触面都涂布了激光吸收材料，所以皆可进行激光烧结。因此，激光烧结位置只需对激光路径做调整，不需变更网版或涂胶的布局；激光烧结宽度只需对激光光斑大小做调整，不需变更网版或涂胶针头；相对印刷或涂胶，较无单方向上光罩设计上两点之间距离与实际产出基板测量两点之间的距离的差值的变异问题。
虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，包括：
基板；
多个薄膜场效应晶体管，所述多个薄膜场效应晶体管彼此间隔地设置于所述基板上；
盖板，所述盖板的朝向所述基板的表面形成有与所述多个薄膜场效应晶体管相对应的多个凹槽、以及位于相邻凹槽之间的多个间隔部，所述盖板盖于所述基板以及所述薄膜场效应晶体管的上方，各所述薄膜场效应晶体管均位于对应的所述凹槽中，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；以及
封接层，所述封接层连接于所述间隔部与所述基板之间。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述封接层由激光吸收材料经激光烧结而成。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述激光吸收材料为氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱或氧化锡。
4.根据权利要求1、2或3所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述凹槽的纵截面形状为矩形。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述封接层的厚度小于等于6μm。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于10μm。
7.根据权利要求1、5或6所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述间隔部的宽度小于等于3mm。
8.根据权利要求1、2、3、5或6所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，所述盖板和所述基板由玻璃材料制成。
9.一种有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板上设有彼此间隔的多个薄膜场效应晶体管；
将封接材料涂布于一盖板的表面；
通过曝光显影蚀刻，去除涂布于所述盖板表面的部分封接材料，且于所述盖板去除所述封接材料的位置处刻蚀出与所述多个薄膜场效应晶体管对应的凹槽，其中，所述多个凹槽之间形成多个间隔部；
将上述盖板贴合于所述基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位于所述多个凹槽内，所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；
对所述多个间隔部与所述基板之间的封接材料进行封接处理。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述曝光显影蚀刻的步骤包括：
将光阻涂布于所述盖板上的封接材料的表面；
利用具有所需图案的光罩，对光阻进行曝光、显影；
蚀刻未被所述光阻遮挡的封接材料，直至露出所述盖板的表面；
蚀刻所述盖板的露出表面，形成所述多个凹槽和所述多个间隔部。
11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述光阻为正光阻。
12.根据权利要求9或10所述的封装方法，其特征在于，所述封接材料为激光吸收材料，所述封接处理为激光烧结。
13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述激光吸收材料为氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱或氧化锡。
14.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述激光烧结包括如下步骤：
在所述基板和所述盖板对位之后，利用激光以设定好的烧结路径将所述多个间隔部上的激光吸收材料经激光烧结形成封接层，使所述盖板的间隔部与所述基板固定连接。
15.根据权利要求9至11中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述曝光显影刻蚀的步骤之前还包括对涂布于所述盖板表面的所述封接材料进行烘烤的步骤。
16.一种有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法，其特征在于，包括：
将封接材料涂布于一基板的表面；
通过曝光显影蚀刻，去除涂布于所述基板表面的部分封接材料，其中，被去除的部分封接材料彼此之间互相间隔；
于所述基板去除所述封接材料的位置处设置薄膜场效应晶体管；
提供一盖板，在所述盖板上刻蚀出与所述多个薄膜场效应晶体管对应的凹槽，其中，所述多个凹槽之间形成多个间隔部；
将上述盖板贴合于所述基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位于所述多个凹槽内，所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；
对所述多个间隔部与所述基板之间的封接材料进行封接处理。
17.根据权利要求16所述的封装方法，其特征在于，所述封接材料为激光吸收材料，所述封接处理为激光烧结。
18.根据权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述激光烧结包括如下步骤：
在所述基板和所述盖板对位之后，利用激光以设定好的烧结路径将所述多个间隔部上的激光吸收材料经激光烧结形成封接层，使所述盖板的间隔部与所述基板固定连接。
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