JP2017157313A - 表示装置の製造方法、及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】異物の混入による封止層14の損傷を抑制し、画像表示への影響なく端子出しを行う。【解決手段】表示装置100の製造方法であって、絶縁基板11を用意する工程と、絶縁基板11上に、回路層12を設ける工程と、表示領域Mにおける回路層12上に、発光素子層13を設ける工程と、端子領域Tにおいては回路層12上に封止層14を設け、表示領域Mにおいては発光素子層13上に封止層14を設ける工程と、端子領域T及び表示領域Mにおける封止層14上に樹脂材料を塗布する工程と、塗布された樹脂材料を硬化させて、表示領域Mを覆うと共に、端子領域Tにおいて封止層14を露出させるように塗布樹脂層15を形成する工程と、塗布樹脂層15をマスクとして、封止層14のうち端子領域Tに設けられる部分を除去する工程と、を含む。【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。
従来、表示装置として、薄膜トランジスタ等を含む回路層と、回路層上に設けられる有機EL(Electro Luminescence)素子層と、有機EL素子層上に設けられ、樹脂や無機材料が積層されてなる封止層と、を含むTFT(Thin Film Transistor)基板を有するものが知られている。例えば、特許文献1には、有機EL層上に設けられる光硬化性樹脂層と、光硬化性樹脂層上に設けられる窒化ケイ素からなる無機膜とを積層してなる封止層についての開示がある(特許文献1の明細書段落0005等参照)。
上述のような表示装置としては、TFT基板に対向するように保護フィルムが設けられるものが知られている。保護フィルムは、接着剤を用いてTFT基板と接着する必要があるところ、接着の際、保護フィルムとTFT基板との間に異物が混入してしまう可能性がある。その結果、TFT基板の封止層が損傷してしまう可能性がある。
また、TFT基板としては、画像表示を行う表示領域と、表示領域の周辺の領域であって端子が配置される端子領域とを有するものが知られている。端子領域においては、TFT基板外部の電子部品等と電気的に接続させるために露出させる所謂端子出しを行う必要がある。そのため、表示装置を製造する工程において、まず、端子領域を含むTFT基板の全面に、封止層を形成したのち、保護フィルムをマスクとして用いて、端子領域上に形成された封止層をドライエッチング等により除去することにより、端子出しを行うことが考えられる。しかしながら、保護フィルムをマスクとして用いた場合、封止膜の損傷に加えて、ドライエッチングのガスによりフィルムが白濁してしまい、画像表示に影響が出るおそれがある。
本発明の目的は、異物の混入による封止層の損傷を抑制することにある。又は、画像表示への影響なく端子出しを行うことにある。
本発明の一態様の表示装置の製造方法は、画像表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺の領域であって端子が配置される端子領域とを有する表示装置の製造方法であって、絶縁基板を用意する工程と、前記絶縁基板上に、前記端子を備える回路層を設ける工程と、前記表示領域における前記回路層上に、発光素子層を設ける工程と、封止層を設ける工程であって、前記端子領域においては前記回路層上に前記封止層を設け、前記表示領域においては前記発光素子層上に前記封止層を設ける工程と、前記端子領域及び前記表示領域における前記封止層上に樹脂材料を塗布する工程と、塗布された前記樹脂材料を硬化させて、前記表示領域を覆うと共に、前記端子領域において前記封止層を露出させるように塗布樹脂層を形成する工程と、前記塗布樹脂層をマスクとして、前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の他の態様の表示装置は、画像表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺の領域であって端子が配置される端子領域とを有する表示装置であって、前記端子を備える回路層と、前記回路層上であって前記表示領域に設けられる発光素子層と、前記発光素子層上であって前記表示領域に設けられる封止層と、前記封止層上であって前記表示領域に設けられ、熱硬化性又は紫外線硬化性を有する樹脂材料からなる塗布樹脂層とを有することを特徴とする。
以下に、本発明の実施形態(以下、本実施形態という)について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
また、本実施形態において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに第3の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
まず、図1、図2を参照して、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概要について説明する。図1は、本実施形態に係る表示装置の外観斜視図である。図2は、本実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。本実施形態においては、表示装置100として、有機EL素子を用いた所謂有機EL表示装置について説明するが、これに限られるものではなく、発光層を有する表示装置であればよい。
図1に示すように、表示装置100は、薄膜トランジスタ等を備えるTFT基板10と、TFT基板10上に設けられる塗布樹脂層15とを有する。また、TFT基板10は、画像表示を行う表示領域Mと、表示領域Mの周辺の額縁領域Nとを有する。また、TFT基板10は、TFT基板10外部の電子部品等に電気的に接続される端子12aが配置される端子領域Tを有する。表示領域Mには、複数の単位画素Pが設けられる。なお、図1においては、1つの単位画素Pのみを図示するが、実際は、表示領域Mに複数の単位画素Pがマトリクス状に配置されている。
なお、本実施形態において、表示領域Mは、画像表示を行う領域であって、TFT基板10及び塗布樹脂層15の厚み方向の全域であると定義する。すなわち、表示領域Mには、TFT基板10及び塗布樹脂層15の厚み方向に積層される各層、各基板が含まれる。また、額縁領域Nは、表示領域Mの周辺の領域であって、TFT基板10及び塗布樹脂層15の厚み方向の全域であると定義する。また、端子領域Tは、少なくとも端子12aを含む領域であって、TFT基板10の厚み方向の全域であると定義する。
図2に示すように、TFT基板10は、絶縁基板11と、絶縁基板11上に設けられる回路層12と、回路層12上に設けられる発光素子層13と、発光素子層13上に設けられる封止層14とを有する。
ここで、TFT基板10が備える各層、各基板の詳細について説明する。本実施形態において、絶縁基板11としてガラス基板を用いた。なお、表示装置のフレキシブル化の観点より、ガラス基板上に各層、各基板が積層された後、ガラス基板は剥離して除去されても構わない。すなわち、製造工程において絶縁基板11を積層用の台座として用い、完成した表示装置100は絶縁基板11を有しない構成であっても構わない。絶縁基板11としてのガラス基板を積層用の台座として用いることにより、TFT基板10の各層、各基板の積層の容易化、安定化を図ることができる。なお、表示装置100の製造工程の詳細に関しては後述する。なお、絶縁基板11は、それに限られるものではなく、表示装置のフレキシブル化の観点より、可撓性を有するポリイミド等からなる基板であってもよい。
回路層12は、絶縁基板11上に設けられ、端子領域Tに端子12aを有する。端子12aには、TFT基板10の外部の電子部品が電気的に接続される。例えば、表示領域Mにおける画像表示を制御するためのフレキシブル配線基板(Flexible Printed Circuit(FPC))などが、端子12aに電気的に接続される。
発光素子層13は、画像を構成する複数の単位画素Pそれぞれで輝度が制御される有機EL層を含む層である。発光素子層13は、回路層12上であって、少なくとも表示領域Mに設けられる。なお、詳細については省略するが、発光素子層13は、有機EL層と、有機EL層の下部に設けられる下部電極と、有機EL層の上部に設けられる上部電極とを含む層である。また、有機EL層は、電荷輸送層や電荷注入層、発光層などを含む。
ここで、図3を参照して、発光素子層13の発光原理について説明する。図3は、各単位画素Pに形成されている回路を示す回路図である。回路層12の配線は、図3に示すように、走査線Lg、走査線Lgに直交する映像信号線Ld、及び電源線Lsを含む。また、回路層12の各単位画素Pには画素制御回路Scが設けられ、画素制御回路Scは、コンタクトホール(不図示)を通じて、発光素子層13の下部電極に接続される。画素制御回路Scは、薄膜トランジスタやコンデンサを含み、各単位画素Pに設けられる有機発光ダイオードOdへの電流供給を制御する。なお、有機発光ダイオードOdは、発光素子層13に含まれる。
画素制御回路Scは、図3に示すように、駆動TFT12bと、保持容量12cと、スイッチングTFT12dとを有している。スイッチングTFT12dのゲートは走査線Lgに接続され、スイッチングTFT12dのソース・ドレインの一方は映像信号線Ldに接続され、他方は保持容量12c及び駆動TFT12bのゲートに接続されている。駆動TFT12bのソースは電源線Lsに接続され、駆動TFT12bのドレインには有機発光ダイオードOdが接続されている。走査線Lgにゲート電圧が印加されることにより、スイッチングTFT12dがON状態となる。このとき、映像信号線Ldから映像信号が供給されると、保持容量12cに電荷が蓄積される。そして、保持容量12cに電荷が蓄積されることにより、駆動TFT12bがON状態となって、電源線Lsから有機発光ダイオードOdに電流が流れて、有機発光ダイオードOdが発光する。
なお、画素制御回路Scは有機発光ダイオードOdへの電流供給を制御するための回路であればよく、図3に示したものに限られない。例えば、画素制御回路Scは、保持容量12cの他に、容量を増すための補助容量をさらに含んでもよいし、回路を構成するトランジスタの極性も図3に示したものに限られない。
なお、本実施形態においては、各単位画素Pの色に応じた色で発光するよう有機EL層を塗り分ける塗り分け方式を採用してもよいし、全単位画素が同じ色(例えば白)で発光し、カラーフィルタを介して、各単位画素Pにおいて所定の波長の光のみを透過させるカラーフィルタ方式を採用してもよい。
さらに、図2に戻って説明を続ける。封止層14は、外部からの水分が表示装置100内部に侵入し、発光素子層13に到達するのを防ぐために設けられるものであり、少なくとも無機材料からなる層を含む層である。無機材料としては、例えば、窒化ケイ素等を用いるとよい。封止層14は、表示領域Mにおける発光素子層13上に設けられる。封止層14が端子12aを覆うように設けられると、端子12aを外部の電子部品と電気的に接続できなくなってしまうため、封止層14は、端子領域Tを除く部分に設けられる。
塗布樹脂層15は、表示領域Mにおける封止層14上に設けられる。本実施形態においては、塗布樹脂層15として、紫外線硬化性を有する樹脂材料からなるものを用いた。具体的には、アクリル樹脂を用いた。しかし、これに限られるものではなく、エポキシ樹脂などを用いてもよい。また、塗布樹脂層15は、流体である樹脂材料が塗布され、その後硬化することにより形成されるものであればよく、例えば、熱硬化性を有する樹脂材料からなるものであっても構わない。
上述のように、本実施形態に係る表示装置100においては、表示領域Mにおける封止層14(TFT基板10)上に塗布樹脂層15を設けた。塗布樹脂層15は、封止層14を保護する役割を担う。仮に、封止層14上にフィルム状の保護フィルムを接着剤を用いて設けた場合、封止層14とフィルムの間に異物が混入し、封止層14が損傷してしまう可能性があるところ、本実施形態においてはそのような問題は生じない。また、塗布樹脂層15は、フィルム状の保護フィルムと比較して、厚みが薄く、コストが低いというメリットがある。
次に、図4〜図7を参照して、本実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図4は、本実施形態に係る表示装置の製造工程を示すフローチャートである。図5〜図7は、本実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
まず、絶縁基板11を用意する(ステップST1)。次に、絶縁基板11上に、回路層12及び端子12aを設ける(ステップST2)。さらに、表示領域Mにおける回路層12上に、発光素子層13を設ける(ステップST3)。図5は、ステップST3までの工程が完了した状態を示す。
さらに、回路層12及び発光素子層13上に封止層14を設ける(ステップST4)。具体的には、端子領域Tにおいては回路層12上に封止層14を設け、表示領域Mにおいては発光素子層13上に封止層14を設ける。封止層14は、化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition、以下CVD法という)により成膜するとよい。CVD法としては、原料ガスをプラズマ化させて化学反応を生じさせるプラズマCVD法を採用するとよい。なお、封止層14の成膜は、CVD法に限られるものではなく、スパッタリング法やALD(Atomic Layer Deposition)法など他の方法を用いても構わない。図6は、ステップST4までの工程が完了した状態を示す。
そして、封止層14上に流体である樹脂材料としてのアクリル樹脂を塗布する(ステップST5)。さらに、塗布されたアクリル樹脂に対して紫外線を照射することにより、表示領域M上のアクリル樹脂を硬化させ、塗布樹脂層15を形成する(ステップST6)。端子領域Tにおいては、塗布後にアクリル樹脂が硬化しないようにして除去し、封止層14が露出した状態となる。図7は、ステップST6までの工程が完了した状態を示す。なお、塗布樹脂層15の成膜に関しては、例えば、インクジェット法、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷など、種々の方法を採用することができる。
さらに、塗布樹脂層15をマスクとして、封止層14のうち端子領域Tに設けられる部分をドライエッチングにより除去する(ステップST7)。これにより、端子領域Tの端子12aが露出する所謂端子出しが行われ、端子12aはTFT回路10の外部の電子部品等と電気的に接続可能な状態になる。ステップST7までの工程が完了すると、表示装置100の製造が完了し、図2に示す状態となる。
なお、ドライエッチングの際に、塗布樹脂層15が白濁してしまう可能性があるが、その場合は、白濁してしまった部分のみアッシングにより除去すればよい。また、表示装置100が、絶縁基板11、回路層12、発光素子層13、封止層14で十分に強度が得られる場合には、白濁してしまった部分のみではなく、ステップST7においてドライエッチングの際にマスクとして用いた後、塗布樹脂層15をアッシングにより全て除去してしまっても構わない。なお、塗布樹脂層15の樹脂材料としてアクリル樹脂を用いた場合は、例えば、酸素や酸化窒素を含むガスを用いてアッシングを行い、塗布樹脂層15を除去するとよい。
以上説明したように、本実施形態においては、端子出しのためのドライエッチングの際に、塗布樹脂層15をマスクとして用いた。塗布樹脂層15は、厚みが薄く、アッシングにより容易に除去可能である。そのため、ドライエッチングの際に塗布樹脂層15が白濁したとしても、白濁した部分を除去すれば、画像表示への影響はない。
図4〜図7においては、大判基板111が切断(小片カット)されてなる絶縁基板11上に各層を積層して表示装置100を製造する例について説明したが、これに限られるものではなく、大判基板111上に各層を積層し、その後大判基板を切断することにより、複数の表示装置100を得る方法を採用してもよい。図8は、大判基板を示す平面図である。図9は、本実施形態に係る表示装置の製造工程を示すフローチャートであって、大判基板に各層を積層した後、大判基板を切断して表示装置を得る場合のフローチャートである。ここで、大判基板111とは、切断されることで複数の絶縁基板11が得られる板状の部材であり、図8に示すように、各TFT基板10の額縁領域Nの大きさに対応するように切断領域(カットライン)Cを有する。
まず、大判基板111を用意する(ステップST11)。その後、大判基板111上に、一つの大判基板111から得ることのできる表示装置100の数に対応する複数の回路層12を設ける(ステップST12)。さらに、表示領域Mにおける回路層12上それぞれに、発光素子層13を設ける(ステップST13)。
さらに、回路層12及び発光素子層13上に封止層14を設ける(ステップST14)。具体的には、端子領域Tにおいては回路層12上に封止層14をそれぞれ設け、表示領域Mにおいては発光素子層13上に封止層14をそれぞれ設ける。
その後、端子領域Tのそれぞれでは封止層14を露出させるように、表示領域Mにおける封止層14上に流体である樹脂材料としてのアクリル樹脂を塗布する(ステップST15)。さらに、塗布されたアクリル樹脂に対して紫外線を照射することにより、アクリル樹脂を硬化させ、塗布樹脂層15をそれぞれ形成する(ステップST16)。
さらに、塗布樹脂層15をマスクとして、封止層14のうち端子領域Tに設けられる部分をドライエッチングにより除去する(ステップST17)。これにより、端子領域Tの端子12aが露出する所謂端子出しが行われ、端子12aはTFT回路10の外部の電子部品等と電気的に接続可能な状態になる。
さらに、上記各工程の後、大判基板111を切断領域Cにおいて切断することで(ステップST18)、複数の表示装置100が得られる。
ここで、大判基板111の状態で、無機材料からなる封止層14を成膜した場合、封止層14が大判基板111の切断領域C上に形成される場合がある。その状態において、大判基板111を切断すると、切断時の衝撃により、封止層14にマイクロクラックが生じるおそれがある。封止層14にマイクロクラックが生じると、表示装置100内部に水分の侵入してしまうおそれが生じる。そこで、ステップST17において、端子領域Tに設けられる封止層14をドライエッチングにより除去する際に、切断領域Cに設けられる封止層14についても同様に除去するとよい。なお、端子領域T及び切断領域C上に、初めから封止層14が形成されないように、封止層14の成膜の際に、端子領域T及び切断領域Cにマスクを設けることも考え得るが、大判基板111に対応する大きさのマスクを用意するのは困難である。
なお、大判基板111としては、ガラス基板や可撓性を有するポリイミド基板等を用いるとよい。大判基板111として、ガラス基板を用いた場合、各層、各基板の積層の容易化、安定化を図ることができる。また、大判基板111としてガラス基板を用いた場合は、表示装置100のフレキシブル化の観点より、ステップST19の後、ガラス基板を剥離し除去する工程をさらに設けるとよい。
10 TFT基板、11 絶縁基板、12 回路層、12a 端子、12b 駆動TFT、12c 保持容量、12d スイッチングTFT、13 発光素子層、14 封止層、15 塗布樹脂層、100 表示装置、111 大判基板。
Claims (6)
- 画像表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺の領域であって端子が配置される端子領域とを有する表示装置の製造方法であって、
絶縁基板を用意する工程と、
前記絶縁基板上に、前記端子を備える回路層を設ける工程と、
前記表示領域における前記回路層上に、発光素子層を設ける工程と、
封止層を設ける工程であって、前記端子領域においては前記回路層上に前記封止層を設け、前記表示領域においては前記発光素子層上に前記封止層を設ける工程と、
前記端子領域及び前記表示領域における前記封止層上に樹脂材料を塗布する工程と、
塗布された前記樹脂材料を硬化させて、前記表示領域を覆うと共に、前記端子領域において前記封止層を露出させるように塗布樹脂層を形成する工程と、
前記塗布樹脂層をマスクとして、前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1に記載の表示装置の製造方法において、
前記樹脂材料は、熱硬化性又は紫外線硬化性を有し、
前記塗布樹脂層を形成する工程において、前記樹脂材料に熱を加えることにより、又は前記樹脂材料に紫外線を照射することにより、前記樹脂材料を硬化させて前記塗布樹脂層を形成することを特徴とする表示装置に製造方法。 - 請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法において、
前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程において、前記封止層の除去はドライエッチングにより行うことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項3に記載の表示装置の製造方法において、
前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程において、前記ドライエッチングにより前記封止層を除去した後、
前記塗布樹脂層の一部又は全部を、アッシングにより除去する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法において、
前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程までの各工程を、前記絶縁基板が、該絶縁基板の元となる大判基板の状態で行い、
前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程において、前記塗布樹脂層をマスクとして、前記大判基板から複数の前記表示装置を得るために切断される切断領域上に設けられた前記封止層についても合わせて除去し、
前記封止層のうち前記端子領域に設けられる部分を除去する工程の後、前記大判基板を前記切断領域で切断し、複数の前記表示装置を得る工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 画像表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺の領域であって端子が配置される端子領域とを有する表示装置であって、
前記端子を備える回路層と、
前記回路層上であって前記表示領域に設けられる発光素子層と、
前記発光素子層上であって前記表示領域に設けられる封止層と、
前記封止層上であって前記表示領域に設けられ、熱硬化性又は紫外線硬化性を有する樹脂材料からなる塗布樹脂層と
を有することを特徴とする表示装置。
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