CN107134540A - 显示装置的制造方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。显示装置的制造方法包括下述工序:准备绝缘基板的工序;在绝缘基板上设置电路层的工序;在显示区域中的电路层上设置发光元件层的工序;在端子区域中在电路层上设置封固层、在显示区域中在发光元件层上设置封固层的工序;在端子区域及显示区域中的封固层上涂布树脂材料的工序;使涂布后的树脂材料固化,以将显示区域覆盖、并且在端子区域中使封固层露出的方式形成涂布树脂层的工序;和将涂布树脂层作为掩膜,将封固层中的设置于端子区域的部分除去的工序。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。
背景技术
以往,作为显示装置,具有下述TFT(Thin Film Transistor)基板的显示装置是已知的,所述TFT基板包含:包含薄膜晶体管等的电路层;设置在电路层上的有机EL(ElectroLuminescence)元件层;和设置在有机EL元件层上、且层叠有树脂和/或无机材料而成的封固层。例如,专利文献1中公开了将设置在有机EL层上的光固化性树脂层、和设置在光固化性树脂层上的由氮化硅形成的无机膜层叠而成的封固层(参见日本特开2004-139977号公报的说明书第0005段等)。
作为如上所述的显示装置,以与TFT基板对置的方式设置有保护膜的显示装置是已知的。在需要使用粘接剂将保护膜与TFT基板粘接的情况下,进行粘接时,有可能在保护膜与TFT基板之间混入异物。其结果,TFT基板的封固层有可能发生损伤。
另外,作为TFT基板,具有进行图像显示的显示区域、和显示区域周围的区域且配置有端子的端子区域的TFT基板是已知的。在端子区域中,需要进行为了与TFT基板外部的电子部件等电连接而使端子露出的所谓端子引出。因此,在制造显示装置的工序中,可考虑首先在包含端子区域的TFT基板的整个表面上形成封固层,然后使用保护膜作为掩膜,利用干式蚀刻等将形成在端子区域上的封固层除去,由此进行端子引出。然而,在使用保护膜作为掩膜的情况下,不仅会发生封固膜的损伤,而且干式蚀刻的气体还会导致膜发生白浊,有可能对图像显示产生影响。
发明内容
本发明的目的在于抑制因异物的混入而导致的封固层的损伤。另外,本发明的目的在于不影响图像显示地进行端子引出。
用于解决问题的手段
本发明的一个方式的显示装置的制造方法,所述显示装置具有进行图像显示的显示区域、和端子区域,所述端子区域是所述显示区域周围的区域,且是配置有端子的区域,显示装置的制造方法包括下述工序:
准备绝缘基板的工序;
在所述绝缘基板上设置具备所述端子的电路层的工序;
在所述显示区域中的所述电路层上设置发光元件层的工序;
设置封固层的工序,其是在所述端子区域中在所述电路层上设置所述封固层、在所述显示区域中在所述发光元件层上设置所述封固层的工序;
在所述端子区域及所述显示区域中的所述封固层上涂布树脂材料的工序;
使涂布后的所述树脂材料固化,以将所述显示区域覆盖、并且在所述端子区域中使所述封固层露出的方式形成涂布树脂层的工序;和
将所述涂布树脂层作为掩膜,将所述封固层中的设置在所述端子区域中的部分除去的工序。
本发明的其他实施方式的显示装置具有进行图像显示的显示区域、和端子区域,所述端子区域是所述显示区域周围的区域,且是配置有端子的区域,
所述显示装置具有:
具备所述端子的电路层;
设置在所述电路层上且设置于所述显示区域中的发光元件层;
设置在所述发光元件层上且设置于所述显示区域中的封固层;和
设置在所述封固层上且设置于所述显示区域中、由具有热固化性或紫外线固化性的树脂材料形成的涂布树脂层。
附图说明
图1为本实施方式涉及的显示装置的外观立体图。
图2为示意性地示出本实施方式涉及的显示装置的剖面的示意剖面图。
图3为示出在各单元像素中形成的电路的电路图。
图4为示出本实施方式涉及的显示装置的制造工序的流程图。
图5为用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造工序的剖面图。
图6为用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造工序的剖面图。
图7为用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造工序的剖面图。
图8为示出切断前的大尺寸基板的俯视图。
图9为示出本实施方式涉及的显示装置的制造工序的流程图,其是在大尺寸基板上层叠各层后将大尺寸基板切断而得到显示装置时的流程图。
附图标记说明
10TFT基板,11绝缘基板,12电路层,12a端子,12b驱动TFT,12c保持电容,12d开关TFT,13发光元件层,14封固层,15涂布树脂层,100显示装置,111大尺寸基板。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式(以下,称为本实施方式)进行说明。
另外,在本实施方式中,对于在某结构体之“上”配置其他结构体的方式的表达,当简单地表述为“上”时,除非有特别说明,否则包括下述两者:以与某结构体接触的方式在正上方配置其他结构体的情况;和在某结构体的上方进一步隔着第3结构体而配置其他结构体的情况。
首先,参照图1、图2,对本实施方式涉及的显示装置的整体构成的概要进行说明。图1为本实施方式涉及的显示装置的外观立体图。图2为示意性地示出本实施方式涉及的显示装置的剖面的示意剖面图。在本实施方式中,作为显示装置100,对使用了有机EL元件的所谓有机EL显示装置进行说明,但不限于此,只要是具有发光层的显示装置即可。
如图1所示,显示装置100具有:具备薄膜晶体管等的TFT基板10;和设置在TFT基板10上的涂布树脂层15。另外,TFT基板10具有进行图像显示的显示区域M、和显示区域M周围的边框区域N。另外,TFT基板10具有配置有端子12a(其与TFT基板10外部的电子部件等电连接)的端子区域T。在显示区域M中设置多个单元像素P。需要说明的是,在图1中,仅对一个单元像素P进行了图示,但实际上在显示区域M中以矩阵状配置有多个单元像素P。
需要说明的是,在本实施方式中,将显示区域M定义为进行图像显示的区域,其为TFT基板10及涂布树脂层15的厚度方向的整个区域。也就是说,显示区域M中包括在TFT基板10及涂布树脂层15的厚度方向上层叠的各层、各基板。另外,将边框区域N定义为显示区域M周围的区域,其为TFT基板10及涂布树脂层15的厚度方向的整个区域。另外,将端子区域T定义为至少包含端子12a的区域,其为TFT基板10的厚度方向的整个区域。
如图2所示,TFT基板10具有绝缘基板11、设置在绝缘基板11上的电路层12、设置在电路层12上的发光元件层13、设置在发光元件层13上的封固层14。
此处,对TFT基板10所具备的各层、各基板的详情进行说明。在本实施方式中,作为绝缘基板11,使用了玻璃基板。需要说明的是,从显示装置的柔软化的观点考虑,可以在玻璃基板上层叠各层、各基板后,将玻璃基板剥离除去。即,可以为下述构成:在制造工序中使用绝缘基板11作为层叠用的基座,已完成的显示装置100不具有绝缘基板11。通过将作为绝缘基板11的玻璃基板用作层叠用的基座,从而能够实现TFT基板10的各层、各基板的层叠的容易化、稳定化。需要说明的是,关于显示装置100的制造工序的详情,如后文所述。需要说明的是,绝缘基板11不限于此,从显示装置的柔软化的观点考虑,也可以是由具有挠性的聚酰亚胺等形成的基板。
电路层12设置在绝缘基板11上,在端子区域T中具有端子12a。TFT基板10的外部的电子部件与端子12a电连接。例如,显示区域M中的用于控制图像显示的柔性布线基板(Flexible Printed Circuit(FPC))等与端子12a电连接。
发光元件层13是包含有机EL层(其分别通过构成图像的多个单元像素P而控制亮度)的层。发光元件层13设置在电路层12上,并且至少设置在显示区域M中。需要说明的是,虽然对详情进行了省略,但发光元件层13是包含有机EL层、设置在有机EL层的下部的下部电极、和设置在有机EL层的上部的上部电极的层。另外,有机EL层包含电荷传输层、电荷注入层、发光层等。
此处,参照图3,对发光元件层13的发光原理进行说明。图3为示出在各单元像素P中形成的电路的电路图。如图3所示,电路层12的布线包含扫描线Lg、与扫描线Lg正交的影像信号线Ld、及电源线Ls。另外,在电路层12的各单元像素P中设置有像素控制电路Sc,像素控制电路Sc通过接触孔(未图示)而连接于发光元件层13的下部电极。像素控制电路Sc包含薄膜晶体管、电容器,并控制电流向设置于各单元像素P的有机发光二极管Od的供给。需要说明的是,有机发光二极管Od包含在发光元件层13中。
如图3所示,像素控制电路Sc具有驱动TFT12b、保持电容12c和开关TFT12d。开关TFT12d的栅极连接于扫描线Lg,开关TFT12d的源极、漏极中的一者连接于影像信号线Ld,另一者连接于保持电容12c及驱动TFT12b的栅极。驱动TFT12b的源极连接于电源线Ls,驱动TFT12b的漏极连接有机发光二极管Od。通过对扫描线Lg施加栅极电压,从而使开关TFT12d成为ON(导通)的状态。此时,若从影像信号线Ld供给影像信号,则电荷蓄积在保持电容12c中。然后,通过将电荷蓄积在保持电容12c中,从而使驱动TFT12b成为ON(导通)的状态,电流自电源线Ls流向有机发光二极管Od,有机发光二极管Od发光。
需要说明的是,像素控制电路Sc只要是用于控制电流向有机发光二极管Od的供给的电路即可,并不限于图3所示的像素控制电路。例如,对于像素控制电路Sc而言,除了保持电容12c以外,还可进一步包含用于增加电容的辅助电容,构成电路的晶体管的极性也不限于图3所示的极性。
需要说明的是,在本实施方式中,可采用分开涂布方式,其分别涂布有机EL层,以使得以与各单元像素P的颜色相应的颜色进行发光,也可以采用全部单元像素以同一颜色(例如白色)进行发光、并经由彩色滤光片在各单元像素P中仅使特定波长的光透过的彩色滤光片方式。
进而,返回图2继续进行说明。封固层14是为了防止来自外部的水分侵入到显示装置100内部并到达发光元件层13而设置的,其为至少由无机材料形成的层。作为无机材料,最好使用例如氮化硅等。封固层14设置在显示区域M中的发光元件层13上。若封固层14以覆盖端子12a的方式进行设置,则无法将端子12a与外部的电子部件进行电连接,因此,封固层14设置在除端子区域T之外的部分。
涂布树脂层15设置于显示区域M中的封固层14上。在本实施方式中,作为涂布树脂层15,使用由具有紫外线固化性的树脂材料形成的涂布树脂层。具体而言,使用了丙烯酸树脂。但是,不限于此,也可使用环氧树脂等。另外,涂布树脂层15只要是通过涂布流体形式的树脂材料、之后进行固化从而形成的涂布树脂层即可,例如也可以是由具有热固化性的树脂材料形成的涂布树脂层。
如上所述,在本实施方式涉及的显示装置100中,在显示区域M中的封固层14(TFT基板10)上设置有涂布树脂层15。涂布树脂层15发挥保护封固层14的作用。假设当使用粘接剂在封固层14上设置膜状的保护膜时,有可能在封固层14与薄膜之间混入异物,封固层14发生损伤,但在本实施方式中不会发生这样的问题。另外,与膜状的保护膜相比,涂布树脂层15具有厚度薄、成本低这样的优点。
接下来,参照图4~图7,对本实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明。图4为示出本实施方式涉及的显示装置的制造工序的流程图。图5~图7为用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造工序的剖面图。
首先,准备绝缘基板11(步骤ST1)。接着,在绝缘基板11上设置电路层12及端子12a(步骤ST2)。进而,在显示区域M中的电路层12上设置发光元件层13(步骤ST3)。图5中示出已完成了步骤ST3之前的工序的状态。
进而,在电路层12及发光元件层13上设置封固层14(步骤ST4)。具体而言,在端子区域T中,在电路层12上设置封固层14,在显示区域M中,在发光元件层13上设置封固层14。封固层14最好通过化学蒸镀法(Chemical Vapor Deposition,以下称为CVD法)进行成膜。作为CVD法,最好采用使原料气体等离子体化而发生化学反应的等离子体CVD法。需要说明的是,封固层14的成膜不限于CVD法,也可以使用溅射法、ALD法(Atomic LayerDeposition)法等其他方法。图6表示已完成了步骤ST4之前的工序的状态。
然后,在封固层14上涂布作为流体形式的树脂材料的丙烯酸树脂(步骤ST5)。进而,对涂布后的丙烯酸树脂照射紫外线,由此使显示区域M上的丙烯酸树脂固化,形成涂布树脂层15(步骤ST6)。在端子区域T中,在涂布后使丙烯酸树脂不发生固化并将其除去,成为封固层14露出的状态。图7表示已完成步骤ST6之前的工序的状态。需要说明的是,关于涂布树脂层15的成膜,例如可采用喷墨法、凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷、丝网印刷等各种方法。
进而,将涂布树脂层15作为掩膜,利用干式蚀刻将封固层14中的设置在端子区域T的部分除去(步骤ST7)。由此,进行露出端子区域T的端子12a的所谓端子引出,成为端子12a能够与TFT电路10的外部的电子部件等进行电连接的状态。若完成了步骤ST7之前的工序,则完成了显示装置100的制造,成为图2所示的状态。
需要说明的是,进行干式蚀刻时,涂布树脂层15有可能发生白浊,但此时通过灰化(ashing)仅将发生白浊的部分除去即可。另外,在显示装置100可通过绝缘基板11、电路层12、发光元件层13、封固层14获得充分的强度的情况下,不只是发生白浊的部分,也可在步骤ST7中进行干式蚀刻时作为掩膜使用后,通过灰化将涂布树脂层15全部出去。需要说明的是,当作为涂布树脂层15的树脂材料使用丙烯酸树脂时,最好使用包含例如氧、氧化氮的气体进行灰化,除去涂布树脂层15。
如以上所说明的那样,在本实施方式中,在进行用于端子引出的干式蚀刻时,使用涂布树脂层15作为掩膜。涂布树脂层15的厚度薄,可通过灰化容易地除去。因此,即便在进行干式蚀刻时涂布树脂层15发生白浊,只要除去发生白浊的部分,就不会对图像显示产生影响。
在图4~图7中,对在绝缘基板11(其通过将大尺寸基板111切断(切成小片)而形成)上层叠各层从而制造显示装置100的例子进行了说明,但不限于此,还可以采用下述方法:在大尺寸基板111上层叠各层,之后将大尺寸基板切断,由此获得多个显示装置100。图8为示出大尺寸基板的俯视图。图9为示出本实施方式涉及的显示装置的制造工序的流程图,其是在大尺寸基板上将各层层叠后将大尺寸基板切断从而得到显示装置时的流程图。此处,所谓大尺寸基板111,是通过切断而得到多个绝缘基板11的板状构件,如图8所示,以与各TFT基板10的边框区域N的大小对应的方式具有切断区域(切割线)C。
首先,准备大尺寸基板111(步骤ST11)。之后,在大尺寸基板111上设置与能够从一个大尺寸基板111得到的显示装置100的个数对应的多个电路层12(步骤ST12)。进而,在显示区域M中的电路层12上分别设置发光元件层13(步骤ST13)。
进而,在电路层12及发光元件层13上设置封固层14(步骤ST14)。具体而言,在端子区域T中,在电路层12上分别设置封固层14,在显示区域M中,在发光元件层13上分别设置封固层14。
之后,以在各个端子区域T中使封固层14露出的方式,在显示区域M中的封固层14上涂布作为流体形式的树脂材料的丙烯酸树脂(步骤ST15)。进而,通过对涂布后的丙烯酸树脂照射紫外线,从而使丙烯酸树脂固化,分别形成涂布树脂层15(步骤ST16)。
进而,将涂布树脂层15作为掩膜,通过干式蚀刻将封固层14中的设置于端子区域T的部分除去(步骤ST17)。由此,进行露出端子区域T的端子12a的所谓端子引出,成为端子12a能够与TFT电路10的外部的电子部件等进行电连接的状态。
进而,在上述各工序之后,在切断区域C将大尺寸基板111切断(步骤ST18),由此得到多个显示装置100。
此处,当以大尺寸基板111的状态形成由无机材料形成的封固层14时,存在封固层14形成在大尺寸基板111的切断区域C上的情况。在该状态下将大尺寸基板111切断时,有可能由于切断时的冲击而导致在封固层14中产生微小裂纹。若在封固层14中产生微小裂纹,则水分有可能侵入到显示装置100内部。因此,在步骤ST17中,通过干式蚀刻将设置于端子区域T的封固层14除去时,最好也同样地将设置于切断区域C的封固层14除去。需要说明的是,在进行封固层14的成膜时,也可以考虑在端子区域T及切断区域C处设置掩膜,以使得从一开始就不在端子区域T及切断区域C上形成封固层14,但准备与大尺寸基板111对应的大小的掩膜是困难的。
需要说明的是,作为大尺寸基板111,最好使用玻璃基板、具有挠性的聚酰亚胺基板等。作为大尺寸基板111使用玻璃基板时,能够实现各层、各基板的层叠的容易化、稳定化。另外,作为大尺寸基板111使用玻璃基板时,从显示装置100的柔软化的观点考虑,最好在步骤ST19之后进一步设置将玻璃基板剥离除去的工序。
以上对当前认为是本发明的某些实施方式进行了说明,但应当理解的是,可对其进行各种变型,只要在本发明的主旨和范围内,本申请的权利要求涵盖所有这种变型。
Claims (6)
1.显示装置的制造方法,所述显示装置具有进行图像显示的显示区域、和端子区域,所述端子区域是所述显示区域周围的区域,且是配置有端子的区域,
所述显示装置的制造方法包括下述工序:
准备绝缘基板的工序;
在所述绝缘基板上设置具备所述端子的电路层的工序;
在所述显示区域中的所述电路层上设置发光元件层的工序;
设置封固层的工序,其是在所述端子区域中在所述电路层上设置所述封固层、在所述显示区域中在所述发光元件层上设置所述封固层的工序;
在所述端子区域及所述显示区域中的所述封固层上涂布树脂材料的工序;
使涂布后的所述树脂材料固化,以将所述显示区域覆盖、并且在所述端子区域中使所述封固层露出的方式形成涂布树脂层的工序;和
将所述涂布树脂层作为掩膜,将所述封固层中的设置在所述端子区域中的部分除去的工序。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,
所述树脂材料具有热固化性或紫外线固化性,
在形成所述涂布树脂层的工序中,通过对所述树脂材料进行加热、或者对所述树脂材料照射紫外线,从而使所述树脂材料固化,形成所述涂布树脂层。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,
在将所述封固层中的设置于所述端子区域的部分除去的工序中,所述封固层的除去通过干式蚀刻进行。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法,其中,
在将所述封固层中的设置于所述端子区域的部分除去的工序中,还包括下述工序:在通过所述干式蚀刻将所述封固层除去后,通过灰化将所述涂布树脂层的一部分或全部除去。
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,
在所述绝缘基板为大尺寸基板的状态下,进行直至将所述封固层中的设置于所述端子区域的部分除去的工序之前的各工序,所述大尺寸基板作为所述绝缘基板的基础,
在将所述封固层中的设置于所述端子区域的部分除去的工序中,将所述涂布树脂层作为掩膜,将设置在为了从所述大尺寸基板获得多个所述显示装置而被切断的切断区域上的所述封固层也一并除去,
在将所述封固层中的设置于所述端子区域的部分除去的工序之后,包括在所述切断区域将所述大尺寸基板切断、获得多个所述显示装置的工序。
6.显示装置,所述显示装置具有进行图像显示的显示区域、和端子区域,所述端子区域是所述显示区域周围的区域,且是配置有端子的区域,
所述显示装置具有:
具备所述端子的电路层;
设置在所述电路层上且设置于所述显示区域中的发光元件层;
设置在所述发光元件层上且设置于所述显示区域中的封固层;和
设置在所述封固层上且设置于所述显示区域中、由具有热固化性或紫外线固化性的树脂材料形成的涂布树脂层。
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JP2019179695A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
CN108538763B (zh) * | 2018-04-24 | 2020-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种加热组件、封装装置和封装方法 |
JP2020113494A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1498039A (zh) * | 2002-10-01 | 2004-05-19 | ���ṫ˾ | 显示装置及其制造方法 |
JP2012209116A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
CN103794739A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置的制造方法、有机el装置、电子设备 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2579313B1 (en) * | 2011-09-22 | 2021-10-27 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
-
2016
- 2016-02-29 JP JP2016037310A patent/JP2017157313A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-13 CN CN201710076958.2A patent/CN107134540A/zh active Pending
- 2017-02-22 US US15/438,919 patent/US20170250369A1/en not_active Abandoned
- 2017-02-23 KR KR1020170024092A patent/KR20170101802A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1498039A (zh) * | 2002-10-01 | 2004-05-19 | ���ṫ˾ | 显示装置及其制造方法 |
JP2012209116A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
CN103794739A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置的制造方法、有机el装置、电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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