JP2005197673A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】積層体に損傷を与えず、歩留まりの高い剥離方法を提供することを課題とする。また、全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、第１の基板上に、金属層、酸化物層、水素元素を有さない原料で形成される層、積層体を積層する第１の工程と、透光性を有する基板の表面に光触媒層を形成する第２の工程と、前記第１の工程と第２の工程の後、積層体の表面と光触媒層とを第１の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属層と酸化物層の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒層と前記第１の接着剤との界面を分離し、前記第１の接着材を除去する第３の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【選択図】図１
【解決手段】 本発明は、第１の基板上に、金属層、酸化物層、水素元素を有さない原料で形成される層、積層体を積層する第１の工程と、透光性を有する基板の表面に光触媒層を形成する第２の工程と、前記第１の工程と第２の工程の後、積層体の表面と光触媒層とを第１の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属層と酸化物層の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒層と前記第１の接着剤との界面を分離し、前記第１の接着材を除去する第３の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【選択図】図１
Description
本発明は、積層体の剥離方法、及びプラスチック基板を用いて形成される半導体装置の作製方法に関する。
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや表示装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、画像表示装置には、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上に半導体素子、代表的にはＴＦＴを形成することが試みられている。
しかしながら、プラスチックフィルムは耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性の半導体素子、代表的にはＴＦＴを形成できないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な半導体装置、代表的には液晶表示装置や発光表示装置の開発が行われている。
また、基板上に分離層を介して存在する積層体を基板から剥離する剥離方法が既に提案されている。例えば、特許文献１、特許文献２に記載された技術は、非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザ光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて基板を分離させるというものである。
特開平１０−１２５９２９号公報
特開平１０−１２５９３１号公報
しかしながら、上記剥離方法では、透光性の高い基板を使用することが必須である。また、基板を通過し、さらに非晶質シリコンに含まれる水素を放出させるに十分なエネルギーを与えるために、比較的大きなエネルギーのレーザ光を基板全面に照射する工程が必要とされ、この結果、積層体に損傷を与えてしまうという問題がある。また、上記方法では、分離層上に素子を作製する場合、素子作製プロセスで高温の熱処理等を行えば、分離層に含まれる水素が拡散して低減してしまう。この結果、レーザ光を分離層に照射しても剥離が十分に行われず歩留まりが低下するという問題がある。
本発明は、積層体に損傷を与えず、歩留まりの高い剥離方法を提供することを課題とする。また、全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
本発明の一は、第１の基板上に、金属膜、酸化物膜、水素元素を有さない原料で形成される膜、積層体を積層する第１の工程と、透光性を有する基板の表面に光触媒膜を形成する第２の工程と、第１の工程と第２の工程の後、積層体の表面と光触媒膜とを第１の接着剤を用いて貼り合わせ、金属膜と酸化物膜の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して光触媒膜と第１の接着剤との界面を分離する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
なお、第３の工程の後、第１の接着剤を除去する第４の工程を有していも良い。
水素元素を有さない原料で形成される膜が酸化物膜上に形成されているため、後の半導体素子の作製工程において行われる加熱処理においても、酸化物膜が還元されないため、金属膜と酸化物膜との間で少しの力で分離することができる。以下、水素元素を有さない原料で形成される膜を還元防止膜という。
なお、水素元素を有さない原料で形成される膜が導電性の場合、酸化物膜を除去した後、水素元素を有さない原料で形成される膜を所望の形状にエッチングして、接続端子とすることができる。
また、水素元素を有さない原料で形成される膜が絶縁性の場合、酸化物膜及び水素元素を有さない原料で形成される膜を所望の形状にエッチングして保護膜とすると共に、積層体に設けられている導電膜の一部を露出して、接続端子を形成することができる。
また、金属膜と酸化物膜とを剥離した後、酸化物膜表面に第２の接着剤を用いて第２の基板を貼り付けることができる。
金属膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層である。
また、酸化物膜は、金属膜を、熱酸化処理、プラズマ照射処理、又は酸化力の強い溶液で処理して形成する。
また、水素元素を有しない原料で形成された膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｌから選ばれた元素の窒化物であり、スパッタリング法により形成する。
本発明の半導体装置としては、表示装置、機能回路等が挙げられる。表示装置としては、代表的には液晶表示装置、発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の表示装置があげられる。機能回路としては、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、画像処理回路、音声処理回路、駆動回路等が挙げられる。
本発明により、積層体に損傷を与えず、歩留まり高く剥離することができる。また、本発明により、プラスチック基板上に半導体素子を有する半導体装置を形成することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い半導体装置を形成することができる。また、曲面を有する半導体装置、または変形が可能な半導体装置を作製することができる。
以下、発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、各図面において共通の部分は同じ符号を付して詳しい説明を省略する。
（第１実施形態）
本実施形態においては、基板上に形成された積層体を剥離する方法を、図１を用いて示す。
本実施形態においては、基板上に形成された積層体を剥離する方法を、図１を用いて示す。
始めに、図１（Ａ）に示すように、第１の基板１０１上に金属膜１０２を形成する。第１の基板としては、耐熱性を有する材料、即ち後に形成される光学フィルターの作製工程及び剥離工程での加熱処理に耐えうる材料、代表的にはガラス基板、石英基板、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いる。
金属膜１０２としては、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料の単層、またはこれらの積層を用いればよい。なお、金属膜の合金の金属組成比又は金属膜に含まれる酸素、又は窒素の組成比を適宜調節することにより、後の剥離工程の条件が異なる。このため、剥離工程を様々なプロセスに適応することが可能となる。金属膜１０２は、膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍのものを、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の公知の形成方法で形成する。
次に、金属膜１０２上に酸化物膜１０３を形成する。酸化物膜１０３は、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等により、金属膜１０２の表面を処理して１〜１０ｎｍ、好ましくは２〜５ｎｍの酸化物膜を形成する。
なお、後の工程で剥離する際、酸化物膜中、又は金属膜と酸化物膜との界面で分離が生じる。
次に、酸化物膜１０３上に、還元防止膜１０４を形成する。還元防止膜としては、水素元素を実質的に有しない膜であることが好ましい。即ち、水素元素を有さない原料を用いて形成される膜である。代表例としては、スパッタリング法により、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｌから選ばれた元素の窒化物等が挙げられる。ここでは、上記元素を有するターゲットと窒素を用いたスパッタリング法を用い、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットにより還元防止層を形成する。
還元防止膜を用いることにより、後に形成する積層体での加熱処理において、酸化物膜１０３が還元されるのを防止することが可能である。
次に、還元防止膜１０４上に積層体１０５を形成する。積層体としては、半導体素子（薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード光電変換素子や抵抗素子など）や、表示素子（液晶素子、発光素子、画素電極、マイクロミラーアレイ、電子放出部（エミッター）等）が適宜組み合わせて形成する。
次に、透光性を有する基板１１１表面に光触媒膜１１２を形成する。光触媒膜としては、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、チタン酸塩（ＭＴｉＯ3）、タンタル酸塩（ＭＴａＯ3）、ニオブ酸塩（Ｍ4Ｎｂ6Ｏ17）（いずれもＭは金属元素）、ＣｄＳ、ＺｎＳなどをあげることができる。これらを、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、ゾルゲル法、逆相ミセル法、電気泳動法等により形成する。透光性を有する基板１１１としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有するプラスチック等（ポリカーボネイト（ＰＣ）、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミドなどのプラスチック基板）を用いることができる。
次に、図１（Ｂ）に示すように、積層体１０５と光触媒膜１１２とを有機樹脂で形成される第１の接着剤１１３で張り合わせる。第１の接着剤１１３としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、油溶性接着剤等を用いることにより、後の剥離工程が行いやすくなる。なお、この第１の接着剤を塗布法で形成すると、平坦化膜として機能し、後の基板貼り合わせの際、平坦化膜表面と基板面がほぼ平行になるように接着することができる。
なお、第１の基板１０１に、各基板破損の防止のために剥離可能な粘着媒体で、支持体を接着することが好ましい。この支持体を接着することにより、後に示されるような剥離工程をより少ない力で行うことができる。支持体としては、第１の基板又よりも剛性の高い基板、代表的には石英基板、金属基板、セラミックス基板を用いることが好ましい。
次に図１（Ｃ）に示すように、金属膜１０２と酸化物膜１０３との間を、物理的手段により引き剥がす。物理的手段とは、例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波、楔状の部材を用いた負荷等の比較的小さな力である。
この結果、酸化物膜１０３内、又は金属膜１０２と酸化物膜１０３との界面で剥離が生じ、第１の基板１０１から、還元防止膜１０４、積層体１０５、及び積層体に接着された透光性を有する基板１１１とを、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
なお、この剥離工程の前段階として、剥離しやすいように、前処理を行うことが好ましい。代表例としては、金属膜１０２と酸化物膜１０３との間の密着性を部分的に低下させる処理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って金属膜１０２にレーザ光を照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて金属膜１０２の膜内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
次に、図１（Ｄ）に示すように、透光性を有する基板１１１から光１２３を照射する。光としては、光触媒膜を活性化させるために必要な光を照射すればよく、光触媒膜がＴｉＯｘの場合は、紫外線を照射すればいい。また光触媒膜が、ＣｄＳの場合は、可視光を照射すればいい。光照射により、光触媒膜１１２と第１の接着剤１１３とが分離する。
次に、図１（Ｅ）に示すように、光触媒膜１１２が形成された透光性を有する基板１１１を除去する。また、第１の接着剤１１３を除去してもよい。
以上の工程により、第１の基板上に形成された半導体素子を有する積層体を剥離することができる。また、酸化物膜及び還元防止膜上に形成された積層体を備える半導体装置を作製することができる。こうして得られる半導体装置は支持体を酸化物膜及び還元防止膜のみとしているため薄く、軽量、且つ、フレキシブルなものであり、所望の位置に接着又は設置が可能であるため、用途範囲が広くなる。
（第２実施形態）
本実施形態では、プラスチック基板を支持体として有する半導体装置の作製方法について、図２を用いて説明する。
本実施形態では、プラスチック基板を支持体として有する半導体装置の作製方法について、図２を用いて説明する。
第１実施形態に示される図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）と同様の工程により、図２（Ｃ）に示されるように金属膜１０２と酸化物膜１０３との間で剥離する。
次に、図２（Ｄ）に示すように、剥離後露出した酸化物膜１０３表面に第２の接着剤１２２を用いて第２の基板１２１を貼り付ける。第２の接着剤としては、エポキシ樹脂を用いることができる。第２の基板としては、ポリカーボネイト（ＰＣ）、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるＡＲＴＯＮ：ＪＳＲ製、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、またはポリフタールアミドからなる有機樹脂を用いればよい。また、Ｔｇ（ガラス転移温度）が４００℃以上であるＨＴ基板（新日鐵化学社製）を用いることもできる。
次に、第１実施形態と同様に、透光性を有する基板１１１から光１２３を照射する。この工程により、光触媒膜１１２と第１の接着剤１１３とを分離させる。
次に、図２（Ｅ）に示すように、光触媒膜１１２が形成された透光性を有する基板１１１を除去する。また、第１の接着剤１１３を除去してもよい。
以上の工程により、フレキシブルな基板、即ちプラスチック基板上に酸化物膜及び還元防止膜上に形成された積層体を備える半導体装置を作製することができる。こうして得られる半導体装置は支持体がプラスチックであるため、薄く、軽量、且つ、フレキシブルなものである。
本実施例では、第１実施形態を用いた半導体装置の作製方法について、図３及び図４を用いて説明する。
図３（Ａ）に示すように、第１の基板３０１上にスパッタリング法で金属膜３０２、（ここではタングステン膜（膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜７５ｎｍ））を形成し、該金属膜を加熱して膜厚は１〜１０ｎｍ、このましくは２〜５ｎｍの酸化物膜３０３（ここでは、酸化タングステン膜）を形成する。
なお、スパッタリング法では基板端面に成膜されるため、基板端面に成膜されたタングステン膜と酸化タングステン膜とをＯ2アッシングなどで選択的に除去することが好ましい。
次に、スパッタリング法により、還元防止膜３０４を成膜する。ここでは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にてＡｌＮXＯY膜を成膜する。次に、ＰＣＶＤ法で第１の絶縁膜３０５、ここでは酸化窒化シリコン膜を形成し、さらに大気にふれることなく、水素を含むアモルファスシリコン膜３０６を積層形成する。
次に、上記アモルファスシリコン膜を公知の技術（固相成長法、レーザ結晶化方法、触媒金属を用いた結晶化方法など）により結晶化させて、ポリシリコン膜を活性層とするＴＦＴを形成する。ここでは、触媒金属を用いた結晶化方法を用いてポリシリコン膜を得る。重量換算で１０ｐｐｍの金属元素を含む溶液（ここでは、酢酸ニッケル塩溶液）３０７をスピナーで塗布する。なお、塗布に代えてスパッタリング法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。次に、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜（ここでは第１のポリシリコン膜）（図３（Ｂ）に示す３０８）を形成する。ここでは、水素出しの熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。
また、他の結晶化方法としては、アモルファスシリコン膜に触媒となる金属元素を添加した後、加熱してポリシリコン膜を得た後にパルス発振型のレーザ光を照射したポリシリコン膜を得る方法、アモルファスシリコン膜に連続発振型のレーザ光を照射してポリシリコン膜を得る方法、アモルファスシリコン膜を加熱してポリシリコン膜を得た後に連続発振型のレーザ光を照射してポリシリコン膜を得る方法、又はアモルファスシリコン膜に触媒となる金属元素を添加し加熱してポリシリコン膜を得た後に連続発振型のレーザ光を照射してポリシリコン膜を得る方法等を適宜用いることができる。
なお、酸化物膜３０３に接する膜（金属膜３０２及び還元防止膜３０４）は、水素が含まれていないため、上記のアモルファスシリコンの加熱の工程で還元されない。よって、後に比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波、楔状の部材を用いた負荷等）を加えることによって、酸化タングステン膜中、またはタングステン膜と酸化タングステン膜との界面で分離を生じさせることができる。
次に、図３（Ｂ）に示すように、結晶構造を有するシリコン膜３０８表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザ光３０９（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行い、第２の結晶構造を有するシリコン膜３１０を形成する。
次に、図３（Ｃ）に示すように、上記レーザ光の照射により形成された酸化膜に加え、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア膜３１１を形成する。このバリア膜３１１は、結晶化させるために添加したニッケルを膜中から除去するために形成する。なお、バリア膜を形成する前にレーザ光の照射により形成された酸化膜を除去してもよい。
次に、バリア膜３１１上にスパッタリング法またはＰＣＶＤ法によって、ゲッタリングサイトとなる膜厚１０ｎｍ〜４００ｎｍ（ここでは膜厚１００ｎｍ）のアルゴン元素を含むアモルファスシリコン膜３１２を成膜する。
その後、６５０℃に加熱された炉に入れて３分の熱処理を行い、ニッケルをゲッタリングして、結晶構造を有する半導体膜中のニッケル濃度を低減する。炉に代えてランプアニール装置を用いてもよい。
次に、図３（Ｄ）に示すように、バリア膜をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア膜を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア膜をゲッタリング後に除去することが望ましい。
なお、触媒元素を用いて結晶化を行わない場合には、上述したバリア膜の形成、ゲッタリングサイトの形成、ゲッタリングのための熱処理、ゲッタリングサイトの除去、バリア膜の除去などの工程は不要である。
次に、得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離されたポリシリコン領域３１３、３１４を形成する。ポリシリコン領域を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
次に、ポリシリコン領域を覆うゲート絶縁膜の形成を行った後、ゲート絶縁膜上にゲート電極３１５、３１６を形成し、ポリシリコン領域へ不純物元素をドーピングしてソース領域またはドレイン領域を形成し、層間絶縁膜（無機絶縁膜）を形成し、ソース電極またはドレイン電極３１７ａ、３１７ｂ、３１８ａ、３１８ｂを形成し、活性化処理や水素化処理などを適宜行ってポリシリコン領域を活性層とするトップゲート型のＴＦＴ３２０、３２１を作製する（図３（Ｅ）。）。なお、ドーピングする不純物元素としてｎ型を付与するリンを添加した場合にはｎチャネル型ＴＦＴを形成することができ、ｐ型を付与するボロンを添加した場合にはｐチャネル型ＴＦＴを形成することができ、これらを組み合わせればＣＭＯＳ回路を作製することができる。
なお、ここではＴＦＴの構造としてトップゲート型の例を示したが、特にＴＦＴの構造は限定されず、例えば逆スタガ型や順スタガ型であってもよい。また、半導体素子としては、ＴＦＴの代わりに、有機半導体トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子を用いることができる。
こうして得られたポリシリコン領域を用いて、ＴＦＴを代表とする様々な半導体素子（薄膜ダイオード、抵抗素子）やセンサ素子（代表的にはポリシリコンを用いた感圧式指紋センサ）を形成することができる。
こうして、第１の絶縁膜及び半導体素子を有する積層体３００を形成する。
次に、ガラス基板（透光性を有する基板３３１）上に光触媒膜３３２を形成する。本実施例ではガラス基板としてＡＮ１００を用い、該基板上にゾルゲル法によりＴｉＯｘ膜を形成する。
次に、図４（Ａ）に示すように、第１の接着剤３３３を用いて積層体３００の表面と光触媒膜３３２の表面とを貼り合わせる。本実施例では、第１の接着剤として油溶性接着剤を用いる。
次に、図示しないが剥離処理を行いやすくするための前処理を行う。本実施例では、ス
クライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かし、基板端面を除去する。このとき、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間の密着性が低下する。この工程により、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
クライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かし、基板端面を除去する。このとき、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間の密着性が低下する。この工程により、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の基板３０１から積層体３００を剥離する。即ち、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間を物理的手段により引き剥がす。この工程は、比較的小さな力（例えば、部材を用いた負荷、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。本実施例では、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間に、楔等の鋭利な端部を有する部材の一部を挿入し、これら２つの膜の界面を引き剥がす。
次に、図４（Ｃ）に示すように、剥離後露出した酸化物膜３０３表面に第２の接着剤３４２を用いて第２の基板３４１を貼り付ける。ここでは、第２の接着剤としてエポキシ樹脂を用い、第２の基板としてポリカーボネイト（ＰＣ）を用いる。
次に、透光性を有する基板３３１であるガラス基板から光３４３を照射する。ここでは、光として紫外線を照射する。紫外線が光触媒膜３３２に照射されることにより、光触媒膜３３２に接する第１の接着剤３３３の部分で酸化還元反応が生じ、有機樹脂が分解され接着力が低下し、この結果、第１の接着剤３３３から光触媒膜及びガラス基板が分離する。この後、容器に入れられた溶媒、ここではエーテルに漬けることによって、油溶性樹脂からなる樹脂層を溶かして除去する。（図４（Ｄ））。
なお、接着剤が残っていると不良の原因となるため、積層体３００の表面をＯ2プラズ
マ照射、紫外線照射、又はオゾン洗浄等で処理し、清浄な表面とすることが好ましい。
マ照射、紫外線照射、又はオゾン洗浄等で処理し、清浄な表面とすることが好ましい。
この後、回路パターンごとに適宜分断を行ってもよい。ガラス基板や石英基板を多面取りする場合、スクライバー装置やブレーカ装置などで分断を行うと割れや欠けが生じやすいため、サイズが小さくなればなるほど分断加工が困難となっていた。本発明はフィルム基板であるので小さなサイズの回路パターンもレーザ加工やカッターなどで分断加工が容易にできる。従って、大面積基板から微小なデバイスを大量に歩留まりよく作製することができる。
なお、本実施例では、シングルドレイン構造のＴＦＴを例に説明を行ったが、必要に応じてＬＤＤを設けてもよいし、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
本発明により、積層体に損傷を与えず、歩留まりの高く剥離することができる。また、本発明により、プラスチック基板上に半導体素子を有する半導体装置を形成することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い半導体装置を形成することができる。また、曲面を有する半導体装置、または変形が可能な半導体装置を作製することができる。
本実施例では、逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法について、図５及び図６を用いて説明する。
図５（Ａ）に示すように、実施例１と同様に第１の基板３０１上に膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜７５ｎｍの金属膜３０２、１〜１０ｎｍ、好ましくは２〜５ｎｍの酸化物膜３０３、還元防止膜３０４、膜厚１００ｎｍの下地絶縁膜を順次成膜する。本実施例では、金属膜としてモリブデン膜を成膜し、酸化物膜としてモリブデン酸化膜を形成する。また、還元防止膜としては、導電性を有する窒化チタン膜を成膜する。
次に、後にゲート電極５０６、５０７を形成する。ゲート電極は、導電膜をスパッタリング法や真空蒸着法等で成膜した後、所望の形状にエッチングして形成する方法、液滴吐出法によって、任意の領域に導電粒子を含む液体を吐出し乾燥して形成する方法等を適宜用いる。導電膜としては、クロム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いる。なお、ゲート電極上には第１の半導体膜や配線膜を形成するので、その端部がテーパー状になるように加工することが望ましい。またゲート電極５０６、５０７を、アルミニウムを主成分とする材料で形成する場合には、エッチング加工後に陽極酸化処理などをして表面を絶縁化しておくと良い。また、図示しないがこの工程でゲート電極に接続する配線も同時に形成することができる。
次に、第２の絶縁膜５０８、第１の半導体膜５０９、第２の半導体膜５１０を成膜する。第２の絶縁膜５０８は、ゲート電極５０６、５０７の上層に形成することでゲート絶縁膜として機能させることができる。この場合、第２の絶縁膜５０８として、酸化珪素膜、窒化珪素膜を積層して形成することが好ましい。これらの絶縁膜はグロー放電分解法やスパッタリング法で形成することができる。特に、低い成膜温度でゲートリーク電流に少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。
第１の半導体膜５０９は、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜で形成する。この半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものである。すなわち、ラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしているものとして観測されるものである。平均的な結晶粒径は０．５〜４０ｎｍであり、非単結晶半導体中に分散させて存在している。また、未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。このような半導体をセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）と呼ぶ。このＳＡＳは所謂微結晶半導体を含むものである。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。このようなＳＡＳ半導体に関する記述は、例えば、米国特許４，４０９，１３４号で開示されている。
このＳＡＳは珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。勿論、グロー放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うが、圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲で行えば良い。グロー放電を形成するための電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。高周波電力は適宜設定すれば良い。基板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２００度の基板加熱温度が推奨される。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は１×１０20／ｃｍ3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下となるようにすることが好ましい。
また、珪化物気体中に、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などの炭化物気体、ＧｅＨ4、ＧｅＦ4などのゲルマニウム化気体を混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。
また、ＳＡＳは、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示す。これは、ＳＡＳ中に含まれる不純物によるもので、代表的には酸素がｎ型の伝導性を付与するものとして考えられている。ＳＡＳに含まれる酸素は、成膜時の高周波電力密度に応じても変化する。本発明において第１の半導体膜５０９中の酸素濃度は５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下とすることが望ましい。勿論、この酸素の全てがドナーとして機能する訳ではないので、導電型を制御するには、それに応じた量の不純物元素を添加することとなる。
ここで、ＴＦＴのチャネル形成領域を設ける第１の半導体膜５０９に対しては、ｐ型を付与する不純物元素を、この成膜と同時に、或いは成膜後に添加することで、しきい値制御をすることが可能となる。ｐ型を付与する不純物元素としては、代表的には硼素であり、Ｂ2Ｈ6、ＢＦ3などの不純物気体を１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの割合で珪化物気体に混入させると良い。そしてボロンの濃度を１×１０14〜６×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすると良い。
第２の半導体膜５１０は、ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、代表的な不純物元素としてリンを添加すれば良く、珪化物気体にＰＨ3などの不純物気体を加えれば良い。第２の半導体膜５１０は、価電子制御がされていることを除けば、ＳＡＳのような半導体、非晶質半導体、または微結晶半導体で形成すればよい。
このようにして形成されるＴＦＴは、チャネル形成領域がソースとドレインの間、およびＬＤＤ領域の間に挟まれて形成されず、電界集中や電流集中を緩和できる構造を有している。
以上、第２の絶縁膜５０８から一導電型を有する第２の半導体膜５１０までは大気に触れさせることなく連続して形成することが可能である。すなわち、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することができるので、ＴＦＴ特性のばらつきを低減することができる。
次に、図５（Ｂ）に示すように、フォトレジスト（図示しない。）を用いてマスクを形成し、第１の半導体膜５０９、一導電型を有する第２の半導体膜５１０をエッチングして島状に分離して第１の半導体領域５１２、５１３を形成する。この後、マスクを除去する。なお、フォトレジストで形成されるマスクの代わりに、液滴吐出法によって、任意の領域に有機樹脂を吐出してマスクを形成しても良い。この場合、フォトリソグラフィー工程を行わなくともよいため、工程数の削減が可能である。
次に、図５（Ｃ）に示すように、所望の領域上にマスク（図示しない。）を形成して、一導電型を有する第３の半導体領域５１４、５１５を形成する。このとき、ゲート絶縁膜として機能する第２の絶縁膜５０８及び第１の絶縁膜３０５の一部をエッチングしてコンタクトホール５１６ａ、５１６ｂ、５１７ａ、５１７ｂを形成すると共に、還元防止膜３０４の一部を露出する。
次に、図８（Ｄ）に示すように、ソース領域及びドレイン領域（第３の半導体領域５１４、５１５）に接続する配線（ソース電極及びドレイン電極５２１ａ、５２１ｂ、５２２ａ、５２２ｂ）を形成する。ソース電極及びドレイン電極は、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を成膜し、所望の形状にエッチングして形成することができる。なお、半導体膜と接する側の層をチタン、タンタル、モリブデンまたはこれらの元素の窒化物で形成した積層構造としても良い。アルミニウムには耐熱性を向上させるためにチタン、シリコン、スカンジウム、ネオジウム、銅などの元素を０．５〜５原子％添加させても良い。また、液滴吐出法によって、所望の領域に、導電性粒子を含む液滴を吐出し、乾燥して形成することができる。
以上の工程により、チャネルエッチ型のＴＦＴ５２３、５２４を形成する。
この後、チャネル形成領域の保護を目的とした絶縁膜を、窒化珪素膜で形成することが好ましい。次に、ＴＦＴ上に第３の絶縁膜５２５を形成する。第３の絶縁膜は、平坦化されていることが好ましく、アクリル、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ結合とＳｉ−ＣＨｘ結合手を含む絶縁膜で形成することが好ましい。次に、第３の絶縁膜５２５表面と第２の基板５２７とを第１の接着剤５２６を用いて貼り付ける。
以上の工程により積層された第１の絶縁膜３０５、ＴＦＴ５２３、５２４、第３の絶縁膜５２５、第１の接着剤５２６、第２の基板５２７を積層体５００という。
次に、実施例１と同様に、ガラス基板（透光性を有する基板３３１）上に光触媒膜３３２を形成する。次に、図６（Ａ）に示すように、第２の接着剤３３３を用いて積層体５００の表面と光触媒膜３３２の表面とを貼り合わせる。次に、図６（Ｂ）に示すように、第１の基板３０１から積層体５００を剥離する。即ち、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間を物理的手段により引き剥がす。
次に、実施例１と同様に、図６（Ｃ）に示すように、透光性を有する基板３３１から光３４３を照射する。ここでは、光として紫外線を照射し、第２の接着剤３３３から光触媒膜及びガラス基板を分離する。この後、容器に入れられた溶媒、ここではエーテルに漬けることによって、油溶性樹脂からなる樹脂層を溶かして除去する。なお、接着剤が残っていると不良の原因となるため、積層体５００の表面をＯ2プラズマ照射、紫外線照射、又はオゾン洗浄等で処理し、清浄な表面とすることが好ましい。（図６（Ｄ））。
次に、図６（Ｅ）に示すように、ウエットエッチング法により酸化物膜３０３を除去した後、マスクを用いて還元防止膜３０４を所望の形状にエッチングし接続端子５３１ａ、５３１ｂ、５３２ａ、５３２ｂを形成する。次に、第４の絶縁膜を接続端子５３１ａ、５３１ｂ、５３２ａ、５３２ｂ及び絶縁膜３０５上に成膜し、該保護膜の一部をエッチングして保護膜５３３を形成した後、接続端子５３１ａ、５３１ｂ、５３２ａ、５３２ｂを露出する。
この後、回路パターンごとに適宜分断を行ってもよい。本発明はフィルム基板であるので小さなサイズの回路パターンもレーザ加工やカッターなどで分断加工が容易にできる。従って、大面積基板から微小なデバイスを大量に歩留まりよく作製することができる。
なお、本実施例においては、逆スタガ型ＴＦＴを用いて説明したが、特にＴＦＴの構造は限定されず、例えばトップゲート型や順スタガ型であってもよい。また、半導体素子としては、ＴＦＴの代わりに、有機半導体トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子を用いることができる。さらに、半導体素子の半導体膜としてＳＡＳを用いて形成したが、これに限定されず、非晶質半導体膜又は実施例１に示したような結晶性半導体膜を用いて形成することもできる。
本発明により、積層体に損傷を与えず、歩留まりの高く剥離することができる。また、本発明により、プラスチック基板上に半導体素子を有する半導体装置を形成することができる。該半導体装置としては、画素駆動素子を半導体素子で形成した表示装置、半導体素子で回路を形成したチップ状の半導体装置等が挙げられる。これらの半導体装置は、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い。また、曲面を有する半導体装置、または変形が可能な半導体装置を作製することができる。
本実施例においては、実施例２と異なる接続端子の形成方法を図７を用いて示す。なお、ＴＦＴとしては、順スタガ型ＴＦＴを用いて説明する。また、還元防止膜は絶縁性を有する膜で形成する。
図７（Ａ）に示すように、実施例１と同様に、第１の基板３０１上に膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜７５ｎｍの金属膜３０２、１〜１０ｎｍ、好ましくは２〜５ｎｍの酸化物膜３０３、還元防止膜３０４、膜厚１００ｎｍの下地絶縁膜を順次成膜する。本実施例においては、還元防止膜としてＡｌＮXＯYを成膜する。ここでは、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にてＡｌＮXＯY膜を成膜する。ＡｌＮXＯY膜は、窒素を数ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは２．５ａｔｏｍｉｃ％〜４７．５ａｔｏｍｉｃ％含む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、原料ガスおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節することによって窒素濃度を調節することができる。
次に、還元防止膜３０４上にＴＦＴを形成する。ＴＦＴは、ソース電極及びドレイン電極６０１ａ、６０１ｂを形成し、該導電層上に一導電型を有する第２の半導体膜６０２ａ、６０２ｂ、第１の半導体膜６０３、ゲート絶縁膜６０４を順に成膜する。次に、ゲート電極６０５を形成する。以上の工程によりＴＦＴ６０７、６０８（ＴＦＴ６０７と同様の構造を有するＴＦＴ）を形成する。
次に、ＴＦＴ上に第１の絶縁膜６０６を形成する。第１の絶縁膜は、実施例２の第３の絶縁膜５２５と同様のもので形成することができる。次に、第１の絶縁膜６０６表面と第２の基板５２７とを第１の接着剤５２６を用いて貼り付ける。
以上の工程により積層されたＴＦＴ６０７、６０８、第１の絶縁膜６０６、第１の接着剤５２６、第２の基板５２７を積層体（図７（Ｂ）の領域６００）という。
次に、実施例１と同様に、ガラス基板（透光性を有する基板３３１）上に光触媒膜３３２を形成する。次に、第２の接着剤３３３を用いて積層体３００の表面と光触媒膜３３２の表面とを貼り合わせる。次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の基板３０１から積層体６００を剥離する。即ち、金属膜３０２と酸化物膜３０３との間を物理的手段により引き剥がす。
次に、実施例１と同様に、図７（Ｃ）に示すように、透光性を有する基板３３１から光３４３を照射する。ここでは、光として紫外線を照射し、第２の接着剤３３３から光触媒膜及びガラス基板を分離する。この後、容器に入れられた溶媒、ここではエーテルに漬けることによって、油溶性樹脂からなる樹脂層を溶かして除去する。なお、接着剤が残っていると不良の原因となるため、積層体６００の表面をＯ2プラズマ照射、紫外線照射、又はオゾン洗浄等で処理し、清浄な表面とすることが好ましい。（図７（Ｄ））。
次に、図７（Ｅ）に示すように、マスクを用いて酸化物膜３０３及び還元防止膜３０４を所望の形状にエッチングしコンタクトホール６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂを形成し、ソース電極及びドレイン電極６０１ａ、６０１ｂ、６１１ａ、６１１ｂの一部を露出して、接続端子とする。なお、エッチングされた酸化物膜及び還元防止膜は保護膜として機能する。
この後、回路パターンごとに適宜分断を行う。
なお、本実施例においては、順スタガ型ＴＦＴを用いて説明したが、特にＴＦＴの構造は限定されず、例えば逆スタガ型やトップゲート型であってもよい。また、半導体素子としては、ＴＦＴの代わりに、有機半導体トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子を用いることができる。さらに、半導体素子の半導体膜としてＳＡＳを用いて形成したが、これに限定されず、非晶質半導体膜又は実施例１に示したような結晶性半導体膜を用いて形成することもできる。
本発明により、積層体に損傷を与えず、歩留まりの高く剥離することができる。また、本発明により、プラスチック基板上に半導体素子を有する半導体装置を形成することができる。該半導体装置としては、画素駆動素子を半導体素子で形成した表示装置、半導体素子で回路を形成したチップ状の半導体装置等が挙げられる。これらの半導体装置は、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い。また、曲面を有する半導体装置、または変形が可能な半導体装置を作製することができる。
本実施例では、実施例１乃至実施例３で作製することが可能な半導体装置において、ＣＰＵ１０００の１チップのブロック図を図８を用いて説明する。
まず、オペコードがインターフェース１００１に入力されると、解析回路１００３（Ｉｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ Ｄｅｃｏｄｅｒともいう）においてコードが解読され、信号が制御信号発生回路１００４（ＣＰＵ Ｔｉｍｉｎｇ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）に入力される。信号が入力されると、制御信号発生回路１００４から、演算回路１００９（以下、ＡＬＵと示す）、および記憶回路１０１０（以下、レジスタと示す）に制御信号が出力される。
なお、制御信号発生回路１００４には、ＡＬＵ１００９を制御するＡＬＵコントローラ１００５（以下、ＡＣＯＮと示す）、レジスタ１０１０を制御する回路１００６（以下、ＲＣＯＮと示す）、タイミングを制御するタイミングコントローラ１００７（以下、ＴＣＯＮと示す）、および割り込みを制御する割り込みコントローラ１００８（以下、ＩＣＯＮと示す）を含むものとする。
一方、オペランドがインターフェース１００１に入力されると、ＡＬＵ１００９、およびレジスタ１０１０に出力される。そして、制御信号発生回路１００４から入力された制御信号に基づく処理（例えば、メモリリードサイクル、メモリライトサイクル、あるいはＩ／Ｏリードサイクル、Ｉ／Ｏライトサイクル等）がなされる。
なお、レジスタ１０１０は、汎用レジスタ、スタックポインタ（ＳＰ）、プログラムカウンタ（ＰＣ）等により構成される。
また、アドレスコントローラー１０１１（以下、ＡＤＲＣと示す）は、１６ビットのアドレスを出力する。
なお、本実施例に示したＣＰＵの構成は、本発明の作製方法を用いて形成されるＣＰＵの一例であり、本発明の構成を限定するものではない。従って、本実施例に示す構成以外の公知のＣＰＵの構成を用いることも可能である。
また、本実施例は、第１実施形態または第２実施形態と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、チップ状の半導体装置、ここではＣＰＵを実装する方法について、図１９を用いて説明する。この実装方法としては、異方性導電接着剤を用いた接続方法やワイヤボンディング方式等を採用すればよく、その一例について図１９を用いて説明する。
図１９（Ａ）は配線基板１７０１に、ＣＰＵ１７０３が異方性導電接着剤を用いて実装された例を示す。配線基板１７０１上には、配線（図示しない。）と該配線の取り出し電極である電極パット１７０２ａ、１７０２ｂが形成されている。
ＣＰＵ１７０３表面には、接続端子１７０４ａ、１７０４ｂが設けられ、その周辺部には保護絶縁膜１７０５が形成される。
配線基板１７０１上には、ＣＰＵ１７０３が異方性導電接着剤１７０６で固定されており、接続端子１７０４ａ、１７０４ｂと電極パット１７０２ａ、１７０２ｂはそれぞれ、異方性導電接着剤中に含まれる導電性粒子１７０７で電気的に接続されている。異方性導電接着剤は、導電性粒子（粒径３〜７μｍ程度）を分散、含有する接着性樹脂であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子（粒径が数〜数百μｍ程度）は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素の合金粒子で形成される。また、これらの元素が積層された粒子でも良い。さらには、樹脂粒子に金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素の合金がコーティングされた粒子でもよい。
また、異方性導電接着剤の代わりに、ベースフィルム上にフィルム状に形成された異方性導電フィルムを転写して用いても良い。異方性導電フィルムも、異方性導電接着剤と同様の導電性粒子が分散されている。異方性導電接着剤１７０６中に混入された導電性粒子１７０７の大きさと密度を適したものとすることにより、このような形態でＣＰＵを配線基板に実装することができる。
図１９（Ｂ）は有機樹脂の収縮力を用いた実装方法の例であり、ＣＰＵの接続端子表面にＴａやＴｉなどでバリア膜１７１１ａ、１７１１ｂを形成し、その上に無電解メッキ法などによりＡｕを約２０μｍ形成し、バンプ１７１２ａ、１７１２ｂを搭載する。ＣＰＵと配線基板との間に光硬化性絶縁樹脂１７１３を介在させ、光硬化して固まる樹脂の収縮力を利用して電極間を圧接して実装することができる。
また、図１９（Ｃ）で示すように、配線基板１７０１にＣＰＵ１７０３を接着剤１７２１で固定して、Ａｕワイヤ１７２２ａ、１７２２ｂによりＣＰＵの接続端子１７０４ａ、１７０４ｂと配線基板上の電極パット１７０２ａ、１７０２ｂとを接続しても良い。そして有機樹脂１７２３で封止する。
また、図１９（Ｄ）で示すように、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）１７３１上の配線１７３２と、導電性粒子１７０８を含有する異方性導電接着剤１７０６を接続して、ＦＰＣ上にＣＰＵ１７０３を設けてもよい。この構成は、携帯端末等の筐体の大きさが限られた電子機器に用いる場合に大変有効である。
なお、半導体装置の実装方法は、特に限定されるものではなく、公知の半田バンプを用いたリフロー処理を用いることができる。なお、リフロー処理を行う場合は、半導体装置に用いられる基板が耐熱性の高いプラスチック、代表的にはポリイミド基板、ＨＴ基板（新日鐵化学社製）、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）等を用いることが好ましい。
本実施例では、半導体装置の一実施例である発光表示装置の作製方法について、図９を用いて説明する。
実施例１と同様の工程により、図３（Ａ）に示される第１の基板３０１上に形成される積層体３００を形成する。次に、図９（Ａ）に示すように、ＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）３２０、３２１に接続される導電膜を成膜し、画素の大きさにエッチングして第１の電極４０１、４０２を形成する。本実施例では、上方出射型発光素子を形成するため、第１の電極４０１、４０２としては、遮光性を有する導電膜、ここでは、ＴｉＮを用いて形成する。また、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、塗布法等の公知の手法により、第１の電極４０１、４０２の端部（および配線）を覆う絶縁物（隔壁、障壁などと呼ばれる）を形成する。絶縁物４０９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができる。
つぎに、発光物質を含む層４０３を、蒸着法、インクジェット法、塗布法等を用いて形成する。発光物質を含む層には、発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層もしくは電子輸送層を組み合わせて用いるが、公知の如何なる構造を用いても良い。また、発光層の材料として有機材料を用いても無機材料を用いても良く、有機材料の場合は高分子材料でも低分子材料で良い。なお、信頼性を向上させるため、発光物質を含む層４０３の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。
次に、発光物質を含む層４０３上に第２の電極４０４を成膜する。第２の電極としては、透光性を有する導電膜、ここでは、アルミニウムーリチウム合金の超薄膜を用いて成膜する。
なお、第１の電極４０１、４０２、発光物質を含む層４０３、第２の電極４０４を、それぞれ発光素子４０５、４０６という。
次に、第２の基板４０８と第２の電極４０４とをシール材４０７で貼り合わせる。シール材としては、本実施例ではエポキシ樹脂を用いる。次に、第２の基板４０８と光触媒膜３３２が形成された透光性を有する基板３３１とを第１の接着剤３３３で貼り付ける。
次に、図９（Ｂ）に示すように、酸化物膜３０３から、金属膜３０２及び第１の基板３０１を除去する。
次に、図９（Ｃ）に示すように、第３の基板３４１と酸化物膜３０３とを第３の接着剤３４２で貼り合わせる。本実施例では、第２の基板としてポリカーボネイト、第３の接着剤としてエポキシ樹脂を用いる。
次に、実施例１と同様に、透光性を有する基板３３１から光３４３を、紫外線を照射する。紫外線が光触媒膜３３２に照射されることにより、光触媒膜３３２に接する接着剤の部分で酸化還元反応が生じ、有機樹脂が分解され接着力が低下し、この結果、第２の接着剤３３３から光触媒膜及びガラス基板が分離する。この後、容器に入れられた溶媒、ここではエーテルに漬けることによって、油溶性樹脂からなる樹脂層を溶かして除去することにより、図９（Ｄ）に示すような、プラスチック基板で形成される発光表示装置を形成することができる。
なお、還元防止膜は遮光性を有する材料で形成されている場合で、上方、即ち第２の基板側に発光する発光素子を有する半導体装置は、還元防止膜を半導体素子へ外部の光が侵入するのを妨げる遮光膜として機能することができる。この場合、半導体素子の誤作動が少なく信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
また、還元防止膜は遮光性を有する材料で形成されている場合で、下方、又は両方、即ち少なくとも第３の基板３４１側に発光する発光素子を有する半導体装置を作製する場合は、還元防止膜をエッチングして除去することが好ましい。
なお、本実施例は第１実施形態の工程の代わりに、第２実施形態を適応することができる。また、発光素子としては、上面出射型発光素子の代わりに、下面出射型発光素子、又は両面出射型発光素子を形成することができる。ただしこの場合は、還元防止膜は透光性を有する膜で形成する。または、酸化物膜及び還元防止膜を除去する工程が必要である。
本実施例により、プラスチック基板上に半導体素子を有する半導体装置を形成することができる。即ち、画素駆動素子をＴＦＴで形成した表示装置を形成することができる。これらの半導体装置は、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い。また、曲面を有する半導体装置、または変形が可能な半導体装置を作製することができる。
本実施の形態では、第１実施形態又は第２実施形態、若しくは実施例６で適応が可能な発光素子の構造について図１０を用いて説明する。
発光素子は、一対の電極（陽極と陰極）、上記陽極および陰極に挟まれる発光物質を含む層とで構成される。以下、第１実施形態の還元防止膜、及び第２実施形態の第２の基板側に設けられる電極を第１の電極と示し、上記基板の対向側に設けられる電極を第２の電極と示す。
発光物質を含む層は、少なくとも発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層といったキャリアに対する機能の異なる層のいずれか一つ、もしくは複数を組み合わせて積層することにより形成される。
図１０に、発光素子の断面構造の一例を示す。
図１０（Ａ）においては、発光物質を含む層１４０３は、第１の電極（陽極）１４０１上に、正孔注入層１４０４、正孔輸送層１４０５、発光層１４０６、電子輸送層１４０７、電子注入層１４０８が積層されており、電子注入層１４０８に接して第２の電極（陰極）１４０２が設けられている。また、第１の電極（陽極）に、発光素子を駆動するＴＦＴが設けられている場合、ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴを用いる。
図１０（Ｂ）においては、発光物質を含む層１４１３は、第１の電極（陰極）１４１１上に、電子注入層１４１８、電子輸送層１４１７、発光層１４１６、正孔輸送層１４１５、正孔注入層１４１４が積層されており、正孔注入層１４１４に接して第２の電極（陽極）１４１２が設けられている。また、第１の電極（陰極）に、発光素子を駆動するＴＦＴが設けられている場合、ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴを用いる。
なお、本実施例はこれに限定するものではなく、種々の発光素子構造、例えば、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の構造でも構わない。なお、発光領域の配置、即ち画素電極の配置としてはストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などを挙げることができる。
発光素子が上方、即ち第２の電極１４０２、１４１２側に発光する場合、第１の電極１４０１、１４１１は、遮光性を有する導電膜で形成する。図１０（Ａ）において、第１の電極１４０１は陽極であり、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ等の単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を用いることができる。
図１０（Ｂ）において、第１の電極１４１１は陰極であり、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いて形成することができる。また、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2、Ｌｉ2Ｏ等の電子注入層を用いる場合は、アルミニウム等の通常の導電性薄膜を用いることができる。
一方、第２の電極は、第１の電極１４０１、１４１１と対応する極性であって、透光性を有する導電膜で形成する。図１０（Ａ）において、第２の電極１４０２は、陰極であり、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属を含む超薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等）との積層構造を用いることができる。あるいは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と電子輸送材料を共蒸着した電子注入層を形成し、その上に透明導電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等）を積層してもよい。
図１０（Ｂ）において、第１の電極１４１２は、陽極であり、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電性材料を用いて形成される。
また、発光素子が下方、即ち第１の電極１４０１、１４１１側に発光する場合、第１の電極１４０１、１４１１は、透光性を有する導電膜で形成する。図１０（Ａ）において、第１の電極１４０１は、上に示すような陽極であり、且つ透光性を有する材料で形成される。図１０（Ｂ）において、第１の電極１４１１は、上に示すような、陰極で且つ透光性を有する材料で形成される。
一方、第２の電極は、第１の電極１４０１、１４１１と対応する極性であって、遮光性を有する導電膜で形成する。図１０（Ａ）において、第２の電極は、上に示すような、陰極で遮光性を有する材料で形成される。また、図１０（Ｂ）において、第２の電極１４１１２は、上に示すような陽極で遮光性を有する材料で形成される。
なお、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）において、第１の電極１４０１、１４１１、及び第２の電極１４０２、１４１２それぞれを、上に示すような陽極で透光性を有する導電膜、陰極で透光性を有する導電膜で形成すると、第１の電極及び第２の電極の両方に発光することができる。
発光物質を含む層１４０３、１４１３を形成する材料としては、低分子系、高分子系、もしくはオリゴマーやデンドリマーに代表される、中分子系の公知の有機化合物を用いることができる。また、一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）を用いることができる。
次に、発光物質を含む層１４０３、１４１３を形成する材料の具体的例を示す。
正孔注入層１４０４、１４１４を形成する正孔注入材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン（以下、Ｈ2−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）等を用いることができる。導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）や、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール（以下、ＰＶＫと示す）などが挙げられる。また、五酸化バナジウムのような無機半導体の薄膜や、酸化アルミニウムなどの無機絶縁体の超薄膜も有効である。
正孔輸送層１４０５、１４１５を形成する正孔輸送材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）や、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）などがある。また、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）や、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
発光層１４０６、１４１６を形成する発光材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｍｑ3と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ2と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）2と示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）2と示す）などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。また、三重項発光材料も可能であり、白金乃至イリジウムを中心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）3と示す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）などが知られている。
電子輸送層１４０７、１４１７を形成する電子輸送材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）2）などの金属錯体が挙げられる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）などのトリアゾール誘導体、２，２’，２”−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（略称：ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール誘導体、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体を用いることができる。
電子注入層１４０８、１４１８に用いることができる電子注入材料としては、上述した電子輸送材料を用いることができる。その他に、ＬｉＦ、ＣｓＦなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、ＣａＦ2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Ｌｉ2Ｏなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート（略称：Ｌｉ（ａｃａｃ）や８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）などのアルカリ金属錯体も有効である。
本実施例の発光表示装置とする場合、発光物質を含む層を白色発光とし、カラーフィルターを別途設けることでフルカラー表示することができる。また、発光物質を含む層を青色発光とし、色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示することができる。
また、発光物質を含む層１４０３、１４１３に、赤色、緑色、青色の発光を示す材料層を形成してフルカラー表示することができる。なお、カラーフィルターを用いることで、各ＲＢＧの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
次に、本発明の半導体装置の一形態に相当する発光表示装置に用いられる画素の回路図について、図１１を用いて説明する。図１１（Ａ）は、画素の等価回路図を示したものであり、信号線１５１４、電源線１５１５、１５１７、走査線１５１６、発光素子１５１３、画素へのビデオ信号の入力を制御するＴＦＴ１５１０、発光素子１５１３の両電極間に流れる電流値を制御するＴＦＴ１５１１、該ＴＦＴ１５１１のゲート・ソース間電圧を保持する容量素子１５１２を有する。なお、図１１（Ａ）では、容量素子１５１２を図示したが、ＴＦＴ１５１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示した画素に、ＴＦＴ１５１８と走査線１５１９を新たに設けた構成の画素回路である。ＴＦＴ１５１８の配置により、強制的に発光素子１５１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができる。従って、デューティ比が向上して、動画の表示は特に良好に行うことができる。
図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）に示した画素に、新たにＴＦＴ１５２５と、配線１５２６を設けた画素回路である。本構成では、ＴＦＴ１５２５のゲート電極を一定の電位に保持した配線１５２６に接続することにより、このゲート電極の電位を固定し、なおかつ飽和領域で動作させる。また、ＴＦＴ１５２５と直列に接続させ、線形領域で動作するＴＦＴ１５１１のゲート電極には、ＴＦＴ１５１０を介して、画素の点灯又は非点灯の情報を伝えるビデオ信号を入力する。線形領域で動作するＴＦＴ１５１１のソース・ドレイン間電圧の値は小さいため、ＴＦＴ１５１１のゲート・ソース間電圧の僅かな変動は、発光素子１５１３に流れる電流値には影響を及ぼさない。従って、発光素子１５１３に流れる電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ１５２５により決定される。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴ１５２５の特性バラツキに起因した発光素子１５１３の輝度ムラを改善して画質を高めることができる。なお、ＴＦＴ１５２５のチャネル長Ｌ1、チャネル幅Ｗ1、ＴＦＴ１５１１のチャネル長Ｌ2、チャネル幅Ｗ2は、Ｌ1／Ｗ1：Ｌ2／Ｗ2＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。また、両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。さらに、ＴＦＴ１５２５には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。
なお、本発明の発光表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
さらに、ビデオ信号がデジタルの発光表示装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧（ＣＶ）のものと、定電流（ＣＣ）のものとがある。ビデオ信号が定電圧のもの（ＣＶ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＶＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＶＣＣ）とがある。また、ビデオ信号が定電流のもの（ＣＣ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＣＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＣＣＣ）とがある。
また、本発明の発光表示装置において、静電破壊防止のための保護回路（保護ダイオードなど）を、駆動回路または画素部に設けてもよい。
本発明の半導体装置の一形態に相当する発光表示装置パネルの外観について、図１２を用いて説明する。図１２（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。
図１２（Ａ）において、点線で示された１２０１は信号線駆動回路、１２０２は画素部、１２０３は走査線駆動回路である。本実施例において、信号線駆動回路１２０１、画素部１２０２、及び走査線駆動回路１２０３は第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域内にある。第１のシール材としては、フィラーを含む粘性の高いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２のシール材としては、粘性の低いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１のシール材１２０５及び第２のシール材はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
なお、１２４０は、信号線駆動回路１２０１及び走査線駆動回路１２０３に入力される信号を伝送するための接続配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリント配線）１２０９から接続配線１２０８を介してビデオ信号やクロック信号を受け取る。
次に、断面構造について図１２（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１２００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動回路として信号線駆動回路１２０１と画素部１２０２とを示す。なお、信号線駆動回路１２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２１とｐチャネル型ＴＦＴ１２２２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。
本実施例においては、同一基板上に信号線駆動回路、走査線駆動回路、及び画素部のＴＦＴが形成されている。このため、発光表示装置の容積を縮小することができる。
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、駆動用ＴＦＴ１２１２とそのドレインに電気的に接続された遮光性を有する導電膜からなる第１の電極（陽極）１２１３を含む複数の画素により形成される。
また、これらのＴＦＴ１２１１、１２１２、１２２１、１２２２の層間絶縁膜１２２０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、有機材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー）を主成分とする材料を用いて形成することができる。また、層間絶縁膜の原料としてシロキサンポリマーを用いると、シリコンと酸素を骨格構造に有し、側鎖に水素又は／及びアルキル基を有する構造の絶縁膜となる。
また、第１の電極（陽極）１２１３の両端には絶縁物（隔壁、障壁などと呼ばれる）１２１４が形成される。絶縁物１２１４に形成する膜の被覆率（カバレッジ）を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。絶縁物１２１４の材料としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、有機材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー）を主成分とする材料を用いて形成することができる。また、絶縁物の原料としてシロキサンポリマーを用いると、シリコンと酸素を骨格構造に有し、側鎖に水素又は／及びアルキル基を有する構造の絶縁膜となる。また、絶縁物１２１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜（平坦化膜）で覆ってもよい。
また、第１の電極（陽極）１２１３上には、有機化合物材料の蒸着を行い、発光物質を含む層１２１５を選択的に形成する。
また、発光物質を含む層の材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。
発光物質を含む層１２１５は実施例７に示される構造を適宜用いることができる。
こうして、第１の電極（陽極）１２１３、発光物質を含む層１２１５、及び第２の電極（陰極）１２１６からなる発光素子１２１７が形成される。発光素子１２１７は、第２の基板１２０４側に発光する。
また、発光素子１２１７を封止するために保護積層１２１８を形成する。保護積層は、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなっている。次に、保護積層１２１８と第２の基板１２０４とを、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６で接着する。なお、第２の基板１２０４表面には、接着剤１２２４によって偏光板１２２５が固定され、偏光板１２２５表面には、１／２λ又は１／４λの位相差板１２２９及び反射防止膜１２２６が設けられている
なお、接続配線１２０８とＦＰＣ１２０９とは、異方性導電接着剤である異方性導電膜又は異方性導電樹脂１２２７で電気的に接続されている。
本実施例で説明した発光表示装置は、プラスチック基板を用いているため、軽量であり、かつ耐衝撃性の高い発光表示装置である。
本発明の半導体装置の一形態に相当する発光表示装置パネルの外観について、図１３を用いて説明する。図１３（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。なお、本実施例においては、ＩＣチップを用いた信号線駆動回路が実装されている例を示す。
図１３（Ａ）において、１２３０は信号線駆動回路、１２０２は画素部、１２０３は走査線駆動回路である。また、１２００は第１の基板、１２０４は第２の基板、１２０５及び１２０６はそれぞれ、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されている第１のシール材及び第２のシール材である。
本実施例において、画素部１２０２及び走査線駆動回路１２０３は第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域内にあり、信号線駆動回路１２３０は、第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域の外側にある。
次に、断面構造について図１３（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１２００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動回路の一つである信号線駆動回路１２３０は、半導体素子が形成される層１２１０上の端子と接続され、画素部１２０２が第１の基板上に設けられている。信号線駆動回路１２３０は、単結晶シリコン基板を用いたＩＣチップで形成されている。なお、単結晶シリコン基板を用いたＩＣチップの代わりに、ＴＦＴで形成されるチップ状の集積回路を用いることも可能である。また、画素部１２０２及び走査線駆動回路（図示しない）は、ＴＦＴで形成されている。本実施例においては、画素駆動用ＴＦＴおよび走査線駆動回路は、逆スタガ型ＴＦＴで形成されている。逆スタガＴＦＴ各部位の一部又は全部は、インクジェット法、液滴吐出法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法を用いて形成することができる。
また、発光素子１２３７は、第１の電極１２３３、発光物質を含む層１２３５、第２の電極１２３６で形成され、これらは実施例７と同様の材料及び作製方法により形成される。また、発光素子は、配線１２３２を介してＴＦＴ１２３１と電気的に接続されている。信号線駆動回路１２３０または画素部１２０２に与えられる各種信号及び電位は、接続配線１２０８、１２２３を介して、ＦＰＣ１２０９から供給されている。なお、接続配線１２０８、１２２３とＦＰＣとは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂１２２７で電気的に接続されている。
また、実施例９と同様に、第２の基板１２０４表面には、接着剤１２２４によって偏光板１２２５が固定され、偏光板１２２５表面には、１／２λ又は１／４λの位相差板１２２９及び反射防止膜１２２６が設けられている。
本実施例では、プラスチック基板を用いているため、軽量化を図り、かつ耐衝撃性を高めた発光表示装置を作製することができる。
本実施例では、本発明の半導体装置の一形態に相当する液晶表示装置パネルの外観について、図１４を用いて説明する。図１４（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１６０５及び第２のシール材１６０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。
図１４（Ａ）において、点線で示された１６０１は信号線駆動回路、１６０２は画素部、１６０３は走査線駆動回路である。本実施例において、信号線駆動回路１６０１、画素部１６０２、及び走査線駆動回路１６０３は第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域内にある。
また、１６００は第１の基板、１６０４は第２の基板、１６０５及び１６０６はそれぞれ、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されている第１のシール材及び第２のシール材である。第１の基板１６００と第２の基板１６０４とは第１のシール材１６０５及び第２のシール材１６０６によって封止されており、それらの間には液晶材料が充填されている。
次に、断面構造について図１４（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１６００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。第２の基板１６０４表面には、カラーフィルター１６２１が設けられている。駆動回路として信号線駆動回路１６０１と画素部１６０２とを示す。なお、信号線駆動回路１６０１はｎチャネル型ＴＦＴ１６１２とｐチャネル型ＴＦＴ１６１３とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。
本実施例においては、同一基板上に信号線駆動回路、走査線駆動回路、及び画素部のＴＦＴが形成されている。このため、表示装置の容積を縮小することができる。
画素部１６０２には、複数の画素が形成されており、各画素には液晶素子１６１５が形成されている。液晶素子１６１５は、第１の電極１６１６、第２の電極１６１８及びその間に充填されている液晶材料１６１９が重なっている部分である。液晶素子１６１５が有する第１の電極１６１６は、配線１６１７を介してＴＦＴ１６１１と電気的に接続されている。液晶素子１６１５の第２の電極１６１８は、第２の基板１６０４側に形成される。また、図示していないが各画素電極表面には配向膜が形成されている。
１６２２は柱状のスペーサであり、第１の電極１６１６と第２の電極１６１８との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。絶縁膜を所望の形状にエッチングして形成されている。なお、球状スペーサを用いていても良い。信号線駆動回路１６０１または画素部１６０２に与えられる各種信号及び電位は、接続配線１６２３を介して、ＦＰＣ１６０９から供給されている。なお、接続配線１６２３とＦＰＣとは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂１６２７で電気的に接続されている。なお、異方性導電膜又は異方性導電樹脂の代わりに半田等の導電性ペーストを用いてもよい。
第２の基板１６０４表面には、実施例９と同様に接着剤１６２４によって偏光板１６２５が固定されている。なお、偏光板には位相差板を設けた円偏光板又は楕円偏光板を用いてもよい。さらに、偏光板１６２５表面には、１／２λ又は１／４λの位相差板１６２９及び反射防止膜１６２６が設けられている。一方、第１の基板１６００表面にも同様に、接着剤により偏光板（図示しない）が設けられている。
本実施例により、プラスチック基板を有する液晶表示装置を形成することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い表示装置を形成することができる。また、曲面を有する表示装置、または変形が可能な液晶表示装置を作製することができる。
本実施例では、本発明の半導体装置の一形態に相当するパネルの外観について、図１５を用いて説明する。図１５（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１６０５及び第２のシール材１６０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。なお、本実施例においては、ＩＣチップを用いた信号線駆動回路が実装されている例を示す。
図１５（Ａ）において、１６３０は信号線駆動回路、１６０２は画素部、１６０３は走査線駆動回路である。また、１６００は第１の基板、１６０４は第２の基板、１６０５及び１６０６はそれぞれ、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されている第１のシール材及び第２のシール材である。
本実施例において、画素部１６０２及び走査線駆動回路１６０３は第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域内にあり、信号線駆動回路１６３０は、第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域の外側にある。また、第１の基板１６００と第２の基板１６０４とは第１のシール材１６０５及び第２のシール材１６０６によって封止されており、それらの間には液晶材料が充填されている。
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１６００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動回路の一つである信号線駆動回路１６３０は、半導体素子が形成される層１６１０上の端子と接続され、画素部１６０２が第１の基板上に設けられている。信号線駆動回路１６３０は、単結晶シリコン基板を用いたＩＣチップで形成されている。なお、単結晶シリコン基板を用いたＩＣチップの代わりに、ＴＦＴで形成されるチップ状の集積回路を用いることも可能である。また、画素部１６０２及び走査線駆動回路（図示しない）は、ＴＦＴで形成されている。本実施例においては、画素駆動用ＴＦＴおよび走査線駆動回路は、実施例９と同様に、非晶質半導体膜または微結晶半導体膜で形成される逆スタガ型ＴＦＴで形成されている。
また、実施例１１と同様に、液晶素子１６１５が有する第１の電極１６１６は、配線１６３２を介してＴＦＴ１６３１と電気的に接続されている。液晶素子１６１５の第２の電極１６１８は第２の基板１６０４上に形成される。１６２２は柱状のスペーサであり、第１の電極１６１６と第２の電極１６１８との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。走査線駆動回路１６０３または画素部１６０２に与えられる各種信号及び電位は、接続配線１６０８、１６２３を介して、ＦＰＣ１６０９から供給されている。なお、接続配線１６０８、１６２３とＦＰＣとは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂１６２７で電気的に接続されている。
また、実施例９と同様に、第２の基板１６０４表面には、接着剤１６２４によって偏光板１６２５が固定され、偏光板１６２５表面には、１／２λ又は１／４λの位相差板１６２９及び反射防止膜１６２６が設けられている。
本実施例により、プラスチック基板を有する液晶表示装置を形成することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い表示装置を形成することができる。また、曲面を有する表示装置、または変形が可能な液晶表示装置を作製することができる。
本発明を実施して得た半導体装置を組み込むことによって様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、テレビジョン装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。ここでは、これらの電子機器の代表例としてテレビジョン装置を及びそのブロック図をそれぞれ図１６及び図１７に、デジタルカメラを図１８に示す。
図１６は、アナログのテレビジョン放送を受信するテレビジョン装置の一般的な構成を示す図である。図１６において、アンテナ１１０１で受信されたテレビ放送用の電波は、チューナ１１０２に入力される。チューナ１１０２は、アンテナ１１０１より入力された高周波テレビ信号を希望受信周波数に応じて制御された局部発振周波数の信号と混合することにより、中間周波数（ＩＦ）信号を生成して出力する。
チューナ１１０２により取り出されたＩＦ信号は、中間周波数増幅器（ＩＦアンプ）１１０３により必要な電圧まで増幅された後、映像検波回路１１０４によって映像検波されると共に、音声検波回路１１０５によって音声検波される。映像検波回路１１０４により出力された映像信号は、映像系処理回路１１０６により、輝度信号と色信号とに分離され、さらに所定の映像信号処理が施されて映像信号となり、本発明の半導体装置である液晶表示装置、発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の映像系出力部１１０８に出力される。
また、音声検波回路１１０５により出力された信号は、音声系処理回路１１０７により、ＦＭ復調などの処理が施されて音声信号となり、適宜増幅されてスピーカ等の音声系出力部１１０９に出力される。
なお、本発明を用いたテレビジョン装置は、ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯などの地上波放送、ケーブル放送、又はＢＳ放送などのアナログ放送に対応するものに限らず、地上波デジタル放送、ケーブルデジタル放送、又はＢＳデジタル放送に対応するものであっても良い。
図１７はテレビジョン装置を前面方向から見た斜視図であり、筐体１１５１、表示部１１５２、スピーカ部１１５３、操作部１１５４、ビデオ入力端子１１５５等を含む。また、図１６に示すような構成となっている。
表示部１１５２は、図１６の映像系出力部１１０８の一例であり、ここで映像を表示する。
スピーカ部１１５３は、図１６の音声系出力部の一例であり、ここで音声を出力する。
操作部１１５４は、電源スイッチ、ボリュームスイッチ、選局スイッチ、チューナースイッチ、選択スイッチ等が設けられており、該ボタンの押下によりテレビジョン装置の電源のＯＮ／ＯＦＦ、映像の選択、音声の調整、及びチューナの選択等を行う。なお、図示していないが、リモートコントローラ型操作部によって、上記の選択を行うことも可能である。
ビデオ入力端子１１５５は、ＶＴＲ、ＤＶＤ、ゲーム機等の外部からの映像信号をテレビジョン装置に入力する端子である。
本実施例で示されるテレビジョン装置を壁掛け用テレビジョン装置の場合、本体背面に壁掛け用の部位が設けられている。
テレビジョン装置の表示部に本発明の半導体装置の一例である表示装置を用いることにより、薄型で軽量、且つ耐衝撃性が高いテレビジョン装置を作製することができる。また、テレビジョン装置の映像検波回路、映像処理回路、音声検波回路、音声処理回路を制御するＣＰＵに本発明の半導体装置を用いることにより、薄型で軽量、且つ耐衝撃性が高いテレビジョン装置を作製することができる。このため、壁掛けテレビジョン装置、鉄道の駅や空港などにおける情報表示板や、街頭における広告表示板など、特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
次に、本発明で作製された表示装置をデジタルカメラに用いた例を、図１８を用いて説明する。
図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、デジタルカメラの一例を示す図である。図１８（Ａ）は、デジタルカメラの前面方向から見た斜視図、図１８（Ｂ）は、後面方向から見た斜視図である。図１８（Ａ）中の１３０１はリレーズボタン、１３０２はメインスイッチ、１３０３はファインダー窓、１３０４はフラッシュ、１３０５はレンズ、１３０６は鏡銅、１３０７は筺体である。
また、図１８（Ｂ）中の符号１３１１はファインダー接眼窓、１３１２はモニター、１３１３は操作ボタンである。
リレーズボタン１３０１は、半分の位置まで押下されると、焦点調整機構および露出調整機構が作動し、最下部まで押下されるとシャッターが開く。
メインスイッチ１３０２は、押下又は回転によりデジタルカメラの電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。
ファインダー窓１３０３は、デジタルカメラの前面のレンズ１３０５の上部に配置されており、図１８（Ｂ）に示すファインダー接眼窓１３１１から撮影する範囲やピントの位置を確認するための装置である。
フラッシュ１３０４は、デジタルカメラの全面上部に配置され、被写体輝度が低いときに、レリーズボタンが押下されてシャッターが開くと同時に補助光を照射する。
レンズ１３０５は、デジタルカメラの正面に配置されている。レンズは、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等により構成され、図示しないシャッター及び絞りと共に撮影光学系を構成する。また、レンズの後方には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子が設けられている。
鏡銅１３０６は、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等のピントを合わせるためにレンズの位置を移動するものであり、撮影時には、鏡銅を繰り出すことにより、レンズ１３０５を手前に移動させる。また、携帯時は、レンズ１３０５を沈銅させてコンパクトにする。なお、本実施例においては、鏡銅を繰り出すことにより被写体をズーム撮影することができる構造としているが、この構造に限定されるものではなく、筺体１３０７内での撮影光学系の構成により鏡銅を繰り出さずともズーム撮影が可能なデジタルカメラでもよい。
ファインダー接眼窓１３１１は、デジタルカメラの後面上部に設けられており、撮影する範囲やピントの位置を確認する際に接眼するために設けられた窓である。
操作ボタン１３１３は、デジタルカメラの後面に設けられた各種機能ボタンであり、セットアップボタン、メニューボタン、ディスプレイボタン、機能ボタン、選択ボタン等により構成されている。
本発明の半導体装置の一実施例である表示装置をモニターに用いことにより、より薄型で携帯に便利なデジタルカメラを作製することが可能である。また、各種機能ボタン、メインスイッチ、リレーズボタン等の操作入力を受けて関連した処理を行うＣＰＵ、自動焦点動作及び自動焦点調整動作を行う回路、ストロボ発光の駆動制御、ＣＣＤの駆動を制御するタイミング制御回路、ＣＣＤ等の撮像素子によって光電変換された信号から画像信号を生成する撮像回路、撮像回路で生成された画像信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路、メモリへの画像データの書き込み及び画像データの読み出しを行うメモリインターフェース等の各回路を制御するＣＰＵ等に本発明の半導体装置の一例であるＣＰＵを用いることにより、より薄型で携帯に便利なデジタルカメラを作製することが可能である。
Claims (18)
- 第１の基板上に、金属膜、酸化物膜、水素元素を有しない原料で形成された膜、及び積層体を積層する第１の工程と、
透光性を有する基板の表面に光触媒膜を形成する第２の工程と、
前記第１の工程と第２の工程の後、積層体の表面と光触媒膜とを第１の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属膜と前記酸化物膜の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒膜と前記第１の接着剤との界面を分離する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１において、前記第３の工程の後、前記第１の接着剤を除去する第４の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１又は請求項２において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜が導電性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項３において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜を所望の形状にエッチングして接続端子とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１又は請求項２において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜が絶縁性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項５において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜を所望の形状にエッチングして保護膜とすると共に、前記積層体に形成される導電膜の一部を露出して接続端子とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 第１の基板上に、金属膜、酸化物膜、水素元素を有しない原料で形成された膜、及び積層体を積層する第１の工程と、
透光性を有する基板の表面に光触媒膜を形成する第２の工程と、
前記第１の工程と第２の工程の後、積層体の表面と光触媒膜とを第１の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属膜と前記酸化物膜の間を剥離した後、前記酸化物膜に第２の接着剤を用いて第２の基板を貼り付け、前記透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒膜と前記第１の接着剤との界面を分離する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項７において、前記第３の工程の後、前記第１の接着剤を除去する第４の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項７又は請求項８において、前記第３の工程または前記第４の工程の後、前記積層体と第３の基板とを第３の接着剤を用いて貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１の基板は、石英基板、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板、またはステンレス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、前記第２の基板はプラスチックで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項９において、前記第３の基板はプラスチックで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、半導体素子を用いて前記積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１３において、半導体素子は、ＴＦＴ、有機半導体トランジスタ、ダイオード、又はＭＩＭ素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記金属膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記酸化物膜は、前記金属膜を、熱酸化処理、プラズマ照射処理、又は酸化力の強い溶液で処理して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｌから選ばれた元素の窒化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１７において、前記水素元素を有しない原料で形成された膜はスパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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