JP7035125B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

表示装置に関する。

近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子データ
として提供するという提供態様が採られるようになっている。この種の電子データは、一
般に、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などが備える表示装置に表示されることで、その
内容が閲覧されるという特徴を有している。

しかしながら、ＰＣなどが備える表示装置は、新聞、雑誌などの紙媒体とは大きく異なり
、持ち運びのし難さ等の利便性に欠く相違点がある。

一方で、上述の紙媒体との相違点を解消すべく、可撓性を有する電子ペーパーが提案され
ている（例えば、特許文献１参照）。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジス
タ等の素子を用いて形成する場合には、当該トランジスタを駆動するための回路を設ける
必要がある。この場合、電子ペーパーを湾曲させることにより、回路が破壊されるおそれ
がある。また、駆動回路により電子ペーパーの湾曲が制限される場合も考えられる。

特開２００３－３３７３５３号公報

開示する発明の一態様では、可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れるこ
とを低減する表示装置を提供することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様
では、構造を簡略化した表示装置を提供することを目的の一とする。

開示する発明の一態様は、走査線及び信号線が交差する表示部を有する可撓性の表示パネ
ルと、可撓性の表示パネルの一端部を拘持する支持部と、支持部に設けられ信号線に信号
を出力する信号線駆動回路と、表示パネルの可撓面に支持部と略垂直方向に配設され走査
線に信号を出力する走査線駆動回路とを有する表示装置である。

開示する発明の一態様において、走査線駆動回路は、複数の回路部を有し、複数の回路部
は互いに離間して設けられている表示装置でもよい。

開示する発明の一態様において、複数の回路部の間に応力集中領域を有する表示装置でも
よい。

開示する発明の一態様において、走査線駆動回路及び信号線駆動回路はトランジスタを有
し、走査線駆動回路を構成するトランジスタと信号線駆動回路を構成するトランジスタの
構造が異なる表示装置でもよい。

開示する発明の一態様において、走査線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層は
、非単結晶半導体であり、信号線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層は、単結
晶半導体である表示装置でもよい。

開示する発明の一態様において、非単結晶半導体は、アモルファスシリコン、微結晶シリ
コン、ポリシリコン又は酸化物半導体である表示装置でもよい。

開示する発明の一態様において、表示部はトランジスタを有し、且つ表示部を構成するト
ランジスタと走査線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層が同じ材料で設けられ
ている表示装置でもよい。

開示する発明の一態様において、支持部は、信号線駆動回路に加えて、バッテリー、アン
テナ、ＣＰＵ、メモリのいずれか一を有する表示装置でもよい。

また、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置に含まれる。

また、本明細書等において表示装置とは、発光装置や液晶表示装置を含む。発光装置は発
光素子を含み、液晶表示装置は液晶素子を含む。発光素子は、電流または電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌ
ｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等がある。

開示する発明の一態様によれば、駆動回路が壊れることを低減し丈夫な表示装置を提供す
ることができる。

開示する発明の一態様によれば、構造を簡略化し表示装置の低コスト化することができる
。

表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の支持部の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示装置の一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示装置に適用できるトランジスタの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。

以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱するこ
となく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異な
る実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に
説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を
用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。

なお、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」等などの用語は、構成要素の混
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置の一例について、図面を参照して説明する。

本実施の形態で示す表示装置は、走査線及び信号線が交差する表示部を有する可撓性の表
示パネルと、可撓性の表示パネルの一端部を拘持する支持部と、支持部に設けられ信号線
に信号を出力する信号線駆動回路と、表示パネルの可撓面に支持部と略垂直方向に配設さ
れ走査線に信号を出力する走査線駆動回路とを有している。

図１は、表示装置の一例として、表示パネル４３１１の一端部に支持部４３０８を設ける
場合を示している。以下に図１を参照して、表示装置の具体的な構成について説明する。
なお、図１（Ａ）は表示装置を横にした状態を示し、図１（Ｂ）は表示装置を立てた状態
を示している。

図１に示す表示装置は、表示部４３０１を有する表示パネル４３１１と、表示パネル４３
１１の一端部に設けられた支持部４３０８と、表示部４３０１の表示制御を行う走査線駆
動回路４３２１ａ、４３２１ｂと、表示部４３０１の表示制御を行う信号線駆動回路４３
２３とを有している。

走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂは表示パネル４３１１に設けられ、信号線駆動回
路４３２３は支持部４３０８の内部に設けられている。

表示パネル４３１１は、可撓性を有する構成とすることができる。この場合、プラスチッ
ク等の可撓性を有する基板上に表示部４３０１を構成する画素回路と、走査線駆動回路４
３２１ａ、４３２１ｂを設ければよい。

支持部４３０８は、少なくとも表示パネル４３１１より曲がりにくい（剛性が高い）構成
とすることが好ましい。一例として、支持部４３０８を構成する筐体を、表示パネル４３
１１より厚いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、表示装置は、支
持部４３０８以外の部分で曲がる（湾曲する）構成とすることができる。

また、支持部４３０８を設ける場所は特に限定されないが、一例として、表示パネル４３
１１の一端部に沿って支持部４３０８を設けることができる。例えば、図１に示すように
、表示パネル４３１１を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って（一辺を固定するよ
うに）支持部４３０８を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸ま
っている場合も含むものとする。

信号線駆動回路４３２３は、支持部４３０８の内部に設けられる。例えば、支持部４３０
８を中空を有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線駆動回路４３２
３を設けることができる。信号線駆動回路４３２３を支持部４３０８の内部に設けること
により、表示パネル４３１１の曲げに起因する信号線駆動回路４３２３の破損を防止でき
る。

また、図１に示すように、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを、表示パネル４３１
１において、支持部４３０８と概略平行な方向の両端部に設けることが好ましい。これに
より、走査線駆動回路及び信号線駆動回路を一箇所（例えば、支持部４３０８）に設ける
場合と比較して、配線の引き回しを低減し、構造を簡略化することができる。

また、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂと表示部４３０１を構成する画素回路を同
じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、走査線駆動回路４３２１ａ、
４３２１ｂの湾曲を可能とすると共に、低コスト化を図ることができる。

表示部４３０１を構成する画素回路及び走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを構成す
る素子としては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線駆動回路
４３２３等の高速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成さ
れたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いて形成し、当該ＩＣを支持部
４３０８の内部に設けることができる。

このように、信号線駆動回路等の高速動作させる回路が形成されたＩＣを支持部の内部に
設け、走査線駆動回路と表示部を構成する画素回路を可撓性を有する基板上に薄膜トラン
ジスタ等の素子で形成することにより、信号線駆動回路及び走査線駆動回路をＩＣで設け
る場合と比較して、表示パネルの湾曲を容易にすると共に表示パネルの曲げに起因するＩ
Ｃの破壊を抑制し、さらに低コスト化を図ることができる。また、走査線駆動回路を、表
示パネルにおいて支持部と概略垂直な方向の端部に設けることにより、配線の引き回しを
抑止し構造を簡略化することができる。

なお、図１では、走査線駆動回路を表示パネル４３１１の両端部に形成する場合を示した
が、一方の端部にのみ（走査線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂのいずれ
か一方のみ）設ける構成としてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記図１に示した表示装置の具体的な構成について、図面を参照して
説明する。なお、本実施の形態で示す構成は多くの部分で上記実施の形態１と共通してい
る。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる点について詳細
に説明する。

まず、表示装置の具体的な構成の一例について、図２を参照して説明する。なお、図２（
Ａ）は表示装置の平面図を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ１－Ｂ１間の断面を示し、
図２（Ｃ）は断面の詳細な模式図を示している。

図２に示す表示装置は、支持部４３０８が中空を有する筐体で形成され、当該筐体の内部
に信号線駆動回路４３２３が設けられている。ここでは、信号線駆動回路４３２３がＩＣ
で形成され、当該ＩＣが支持部４３０８の内部に設けられている。ＩＣは、シリコン等の
半導体基板やＳＯＩ基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線駆動回路以
外の回路（例えば、ＣＰＵ、メモリ等）をＩＣに設けることができる。

また、図２では、支持部４３０８の内部に設けられるＩＣを、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を用いてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装する場合を示している。より具体的には、表示部４３０１を
制御する信号線駆動回路４３２３がＦＰＣ４３２４上に設けられ、当該ＦＰＣ４３２４が
プリント基板４３２５と電気的に接続されている。

また、図２に示すように、プリント基板４３２５を、支持部４３０８に接して設けること
ができる。

ＦＰＣ４３２４上に信号線駆動回路４３２３を設ける場合、表示パネル４３１１に応力集
中領域４３２６を設けることが好ましい。応力集中領域４３２６を表示パネルに設けるこ
とにより、表示パネル４３１１を折り曲げる場合にＦＰＣ４３２４に加わる応力を低減し
、ＦＰＣ４３２４上に設けられた信号線駆動回路４３２３の破壊を抑制することができる
。

なお、応力集中領域とは、切り込み等による部材の変形や、部材の貼付等による曲げ、延
びに対する強度の変更により形成される、応力の集中する領域のことをいう。具体的には
、表示パネル４３１１の折り曲げたい部分に、切り込み部（凹部、溝）を設けることによ
り応力集中領域４３２６を形成することができる。

例えば、表示パネル４３１１を、素子基板４３３１と封止基板４３３２を用いて形成し、
素子基板４３３１と封止基板４３３２の一方又は双方に切り込み部を設けた構成とするこ
とができる。図２では、封止基板４３３２に切り込み部を設けることにより応力集中領域
４３２６を形成する場合を示している。また、ここで示す構造において、素子基板４３３
１には表示部４３０１を駆動する画素回路と走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを形
成し、これらの回路とＦＰＣ４３２４を電気的に接続することができる。

なお、表示部４３０１には、マトリクス状に画素が配置（配列）されており、走査線４３
６１、信号線４３６２が直交するように配置される。なお画素の配置は、縦方向もしくは
横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に配置さ
れている場合を含む。よって、例えばストライプ配置されている場合や、三つの色要素の
ドットがデルタ配置されている場合には、当該画素の配置に応じて走査線４３６１及び信
号線４３６２が配置される。

また、応力集中領域４３２６は、表示パネル４３１１を折り曲げたい方向に沿って設けれ
ばよい。例えば、図２（Ａ）において、支持部４３０８に概略平行な方向に沿って表示パ
ネル４３１１の上端から下端まで切り込み部を設けることにより、表示パネル４３１１を
折り曲げる方向を制御できる（支持部４３０８と垂直な方向に表示パネル４３１１を選択
的に折り曲げることができる）と共に、ＦＰＣ４３２４上に設けられた信号線駆動回路４
３２３の破壊を抑制することができる。

なお、応力集中領域４３２６は、支持部４３０８の内部又は外部に設けることができる。
例えば、支持部４３０８を表示パネル４３１１に近接するように設ける場合には、支持部
４３０８の外側（例えば、支持部４３０８と表示部４３０１との間）に応力集中領域４３
２６を設けることが好ましい。

次に、図２と異なる表示装置の構成について、図３を参照して説明する。図３（Ａ）は表
示装置の平面図を示し、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ２－Ｂ２間の断面を示し、図３（Ｃ
）は断面の詳細な模式図を示している。

図３は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて、表示パネル４３１１に信
号線駆動回路４３２３が形成されたＩＣを実装する場合を示している。より具体的には、
表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３が表示パネル４３１１を構成する素子
基板４３３１上に設けられ、信号線駆動回路４３２３がＦＰＣ４３２４を介してプリント
基板４３２５と電気的に接続されている。

図３に示すように、表示パネル上に信号線駆動回路を設ける場合、上記図２と同様に、表
示パネル４３１１に応力集中領域４３２６を設けることが好ましい。この場合、応力集中
領域４３２６は、信号線駆動回路４３２３が設けられた領域と異なる領域（信号線駆動回
路４３２３が設けられた領域を避けた領域）に設ける。例えば、封止基板４３３２側に設
けることにより、表示パネル４３１１を折り曲げる場合に信号線駆動回路４３２３に加わ
る応力を低減し、信号線駆動回路４３２３の破壊を抑制することができる。

次に、図２、図３と異なる表示装置の構成について、図４を参照して説明する。図４（Ａ
）は表示装置の平面図を示し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ３－Ｂ３間の断面を示し、図
４（Ｃ）は断面の詳細な模式図を示している。

図４には、信号線駆動回路等の回路が形成されたＩＣをプリント基板に設け、当該プリン
ト基板と表示パネルをＦＰＣを用いて接続する場合を示している。より具体的には、表示
部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３がプリント基板４３２７上に設けられ、表
示パネル４３１１と信号線駆動回路４３２３がＦＰＣ４３２４を介して電気的に接続され
ている。

図４では、表示パネル４３１１の折り曲げをＦＰＣ４３２４で行うことができるため、表
示パネル４３１１に応力集中領域を設けない構成とすることができる。

次に、支持部４３０８と当該支持部４３０８に設けることができる回路の構成の一例につ
いて、図５を参照して説明する。

図５では、支持部４３０８に信号線駆動回路を含む表示制御部２００を内蔵する場合につ
いて説明する。これらの回路は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成され
たＩＣを用いて形成することができる。

表示制御部２００は、ＣＰＵ２０１、記憶部２０３、給電部２０５、電源供給回路２０７
、映像信号発生回路２１５、信号線駆動回路４３２３、操作部２１９等を有する構成とす
ることができる。また、各構成はインターフェース等を介して接続することができる。ま
た、表示制御部２００は、表示パネル４３１１と電気的に接続されている。ここでは、操
作部２１９を支持部４３０８に設ける場合を示しているが、操作部２１９を表示パネル４
３１１上に設けることもできる。

ＣＰＵ２０１は、表示装置全体の動作を制御する。

データ入力部２１１は、外部機器から表示部４３０１で表示する情報が入力される。なお
、データ入力部２１１は、外部機器とのデータの送受信を行うために、アンテナ２１６を
有してもよい。この場合、データ入力部２１１は、アンテナ２１６で受信したデータや記
録媒体（外部メモリ２１３）に記憶されたデータを内部メモリ２０９に転送する機能を有
する。

記憶部２０３は、内部メモリ２０９、データ入力部２１１及び外部メモリ２１３を有する
構成とすることができる。内部メモリ２０９、データ入力部２１１及び外部メモリ２１３
には、表示部４３０１に表示する情報や表示装置を動作させるプログラム等を記録するこ
とができる。

内部メモリ２０９は、給電部２０５、操作部２１９等からの信号に基づいて映像信号発生
回路２１５及び／または電源供給回路２０７に出力する信号をＣＰＵ２０１で処理するた
めのプログラムや、データ入力部２１１から転送されるデータ等を記憶する記憶部を有す
る。内部メモリ２０９の一例として、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃ
ｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅ
ｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇ
ｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等で構成されるものである。

外部メモリ２１３としては、ＩＣカード、メモリカード等の記憶媒体がある。

給電部２０５は、２次電池、キャパシタ等で構成される。二次電池としては、例えばリチ
ウム電池、好ましくはゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池、リチウムイオン電池
等を用いることで、小型化が可能である。勿論、充電可能な電池であればなんでもよく、
ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル
亜鉛電池、銀亜鉛電池などの充電放電可能な電池であってもよい。キャパシタとしては、
電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタや他の大容量のキャパシタなどを用い
ることができる。キャパシタは、充放電の回数が増えても劣化が小さく、急速充電特性に
も優れているため好適である。給電部２０５の形状としては、シート状、円柱状、角柱状
、板状、コイン状等を適宜選択すればよい。

また、給電部２０５を、無線により電力が供給される構成とすることができる。この場合
、給電部２０５にアンテナを設ければよい。

電源供給回路２０７は、ＣＰＵ２０１の制御に応じて、表示パネル４３１１の表示、非表
示を行うために、表示素子への電源供給を制御するための回路である。

操作部２１９は、キーボード、操作ボタン等で設けることができる。また、操作部２１９
を表示パネル４３１１に設ける場合には、表示部４３０１をタッチディスプレイとして、
表示部を操作部として機能させることができる。

図５では、支持部４３０８に表示制御部２００を内蔵した構成を示したが、さらにスイッ
チング電源やＤＣ－ＤＣコンバータ等のいわゆるパワーデバイスを設けてもよい。

また、図５に示した表示装置では、操作部２１９を操作することにより、電源入力や表示
切り替えを行うことができる。また、表示部４３０１をタッチディスプレイとして、表示
部４３０１に指や入力ペンなどで触れることにより操作する構成としてもよい。

このように、表示制御部２００を支持部４３０８に内蔵することで、表示制御部２００を
筐体で保護することができる。また、表示装置を薄型にすることができる。

なお、実施の形態１、２では、表示パネル４３１１において、走査線駆動回路４３２１ａ
、４３２１ｂを表示部４３０１に沿って設ける場合を示したが、これに限られない。

例えば、図６（Ａ）に示すように、表示パネル４３１１において、走査線駆動回路４３２
１ａ、４３２１ｂを表示部４３０１と比較して支持部４３０８から離間するように設ける
ことができる。一般的に、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを構成する素子は、画
素回路を構成する素子より集約して設けられるため、表示パネル４３１１が折り曲げられ
る部分から走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを離間して設けることにより、走査線
駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂの破損を抑制することができる。

また、図６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂをそれ
ぞれ複数の回路部に分割して設け、複数の回路部を互いに離間して設けることができる。
これにより、表示パネル４３１１を湾曲させた場合であっても、走査線駆動回路４３２１
ａ、４３２１ｂに加わる応力を低減し、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂの破損を
抑制することができる。図６（Ｂ）は、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂをそれぞ
れ２つの回路部に分割して設け、図６（Ｃ）は、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂ
をそれぞれ４つの回路部に分割して設ける場合を示しているが、分割する数はこれに限ら
れない。

また、図６（Ｄ）に示すように、表示パネル４３１１において、一方の端部にのみ（走査
線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂのいずれか一方のみ）設ける構成とし
てもよい。これにより、表示装置の狭額縁化を図ることが可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、可撓性の表示パネルを有する表示装置を、湾曲させて使用する際に関
し、上記実施の形態の作用効果について一例を示し、図７乃至図１０を参照して説明する
。

はじめに、図７（Ａ）において、ユーザが表示装置を使用した際の正面平面図、図７（Ｂ
）において、ユーザが表示装置を使用した際の上面平面図、について示し説明する。

図７（Ａ）に示す表示装置は、表示パネル４３１１、支持部４３０８を有する。表示パネ
ル４３１１は、表示部４３０１を有し、表示部４３０１は、表示部４３０１に走査信号を
供給する走査線駆動回路４３２１、表示部４３０１に画像信号を供給する信号線駆動回路
４３２３によって表示の制御が行われることとなる。また図７（Ａ）では、ユーザの手４
３５０によって支持部４３０８を握持する様子について併せて図示している。また図７（
Ａ）に示す正面平面図では、図７（Ｂ）に示す上面平面図を見る際の視線について併せて
付記している。

図７（Ｂ）に示す上面平面図は、表示パネル４３１１、支持部４３０８を示している。図
７（Ｂ）に示すように、ユーザが手４３５０で表示装置を使用する際、可撓性を有する表
示パネルには、図中Ｃに示す矢印の範囲に折曲部（以下、折曲部Ｃという）、図中Ｄに示
す矢印の範囲に非折曲部（以下、非折曲部Ｄという）形成されることとなる。

なお図７（Ｂ）では、一例として、第１の表示パネル４３１１の折曲部Ｃ、非折曲部Ｄに
ついて、支持部４３０８に近接する側を折曲部Ｃとし、支持部４３０８から離れた側を非
折曲部Ｄとして説明している。折曲部Ｃ、非折曲部Ｄの位置は、支持部４３０８の構成及
び表示パネルを構成する基板の材質に応じて、表示パネルの湾曲の仕方が異なるものであ
る。そのため、表示パネル４３１１の折曲部Ｃ、非折曲部Ｄについて、支持部４３０８か
ら離れた側が折曲部Ｃとなり、支持部４３０８に近接する側が非折曲部Ｄとなることもあ
る。

なお表示装置は、支持部４３０８によって表示パネルを固定する構成であるため、支持部
４３０８の延在する方向（図７（Ｂ）中奥向き（または手前向き）の矢印７００１）と垂
直方向（図７（Ｂ）中矢印７００２）となる表示パネル４３１１に折曲部Ｃ、非折曲部Ｄ
が形成されることとなる。そのため、信号線駆動回路４３２３を上記のように配置するこ
とで、支持部４３０８と垂直な方向に曲げを可能とすると共に破損を防止できる。また走
査線駆動回路４３２１を表示パネル４３１１において支持部４３０８と概略平行な方向の
端部に設けることにより表示部と同プロセスで作製することも可能になるため、低コスト
化を図ることができ、支持部４３０８に設ける場合と比較して表示部への配線の引き回し
を低減できる。なお折曲部Ｃ、非折曲部Ｄは、複数形成されても良いし、交互に形成され
ていてもよい。また表示パネルに応力集中領域を設け、人為的に折曲部Ｃ、非折曲部Ｄを
形成してもよい。

次いで、図８（Ａ）乃至（Ｃ）では、図７（Ａ）と同様に、表示装置を使用した際の正面
平面図を示し、折曲部Ｃ及び非折曲部Ｄに対する、走査線駆動回路４３２１の配置につい
て説明する。

図８（Ａ）では、支持部４３０８に近接する側を折曲部Ｃとし、支持部４３０８から離れ
た側を非折曲部Ｄとして説明している。そのため、走査線駆動回路４３２１は、それぞれ
支持部４３０８から離れた側の非折曲部Ｄに設けるようにする。なお、表示部における画
素ＴＦＴ４３５２への走査信号の供給は、走査線駆動回路４３２１から延びる配線を表示
部の各走査線に引き回すことによって行えばよい。なお走査線駆動回路４３２１を駆動す
るためのクロック信号等の制御信号の供給は、支持部４３０８内の映像信号発生回路から
延びる配線を通して行われる。回路間の電気的な接続を行うための配線は、金属膜等の微
細加工により形成されており、走査線駆動回路を構成するトランジスタの半導体膜は、珪
素膜等の半導体材料で形成される。金属膜は半導体材料に比べ、延性に優れ、湾曲による
ダメージが小さい。そのため、折曲部Ｃにあたる箇所に走査線駆動回路に接続される配線
を配設し、非折曲部Ｄにあたる箇所に走査線駆動回路を構成するトランジスタを配設する
ことにより、湾曲によるトランジスタの半導体膜へのダメージを小さくすることができる
。その結果、図８（Ａ）のように走査線駆動回路４３２１を配置することで、ユーザが手
４３５０で表示装置を使用する際、回路の破損を抑制することができる。

図８（Ｂ）では、支持部４３０８に近接する側から離れた側に向けて折曲部Ｃと非折曲部
Ｄとを交互に設ける構成について示している。そのため、走査線駆動回路４３２１の配置
は、非折曲部Ｄにおいて、駆動回路を複数に分割し、互いに離間して設けるようにする。
なお、表示部における画素ＴＦＴ４３５２への走査信号の供給は、走査線駆動回路４３２
１から延びる配線を引き回すことによって行えばよい。なお走査線駆動回路４３２１を駆
動するためのクロック信号等の制御信号は、支持部４３０８内の映像信号発生回路から延
びる配線を通して行われる。また、走査線駆動回路を構成するフリップフロップ等のパル
ス信号生成回路間を伝搬する信号は、配線を通して行われる。回路間の電気的な接続を行
うための配線は、金属膜等の微細加工により形成されており、走査線駆動回路を構成する
トランジスタの半導体膜は、珪素膜等の半導体材料で形成される。金属膜は半導体材料に
比べ、延性に優れ、湾曲によるダメージが小さい。そのため、折曲部Ｃにあたる箇所に走
査線駆動回路に接続される配線を配設し、非折曲部Ｄにあたる箇所に走査線駆動回路を構
成するトランジスタを配設することにより、湾曲によるトランジスタの半導体膜へのダメ
ージを小さくすることができる。また図８（Ｂ）では、駆動回路を複数に分割し、互いに
離間して設けており、湾曲させた際に走査線駆動回路に掛かる応力を分散させることが出
来る。その結果、図８（Ｂ）のように走査線駆動回路４３２１を配置することで、ユーザ
が手４３５０で表示装置を使用する際、より効果的に、回路の破損を抑制することができ
る。

なお、図８（Ｂ）において、走査線駆動回路４３２１を表示部の上下に、走査線駆動回路
４３２１ａ、走査線駆動回路４３２１ｂとして配置し、冗長化する構成、または走査信号
を出力する機能を分散させる構成としてもよい。図８（Ｃ）では、図８（Ｂ）で説明した
構成を表示パネルの上下に配置した図である。画素ＴＦＴ４３５２に供給する走査信号を
、走査線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂとで上下に配置して供給するこ
とで、走査線駆動回路を構成するフリップフロップ等のパルス信号生成回路を削減するこ
とができるため、ユーザが手４３５０で表示装置を使用する際、回路の破損を抑制するこ
とができる。

以上図８（Ｂ）、（Ｃ）では、具体的な一例を示すことにより、折曲部Ｃとなる領域に走
査線駆動回路を配置せず、非折曲部Ｄとなる領域に走査線駆動回路を配置する利点につい
て説明している。当該構成により、湾曲させた際に走査線駆動回路に掛かる応力を分散さ
せることができ、ユーザが手４３５０で表示装置を使用する際、回路の破損を抑制するこ
とができる。

次いで図８（Ｂ）、（Ｃ）に説明するように走査線駆動回路を複数に分割し、互いに離間
して設けた際、表示パネルにおける折曲部Ｃ及び非折曲部Ｄを人為的に形成するための応
力集中領域を設ける一例について、図９、図１０で説明する。なお、図９（Ａ）は表示装
置の平面図を示し、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＥ１－Ｆ１間の断面図の例
である。また、図１０（Ａ）は表示装置の平面図を示し、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）
は図１０（Ａ）のＥ２－Ｆ２間の断面図の例である。

図９（Ａ）では表示パネル４３１１、支持部４３０８、表示部４３０１、走査線駆動回路
４３２１、信号線駆動回路４３２３について示している。走査線駆動回路４３２１は２つ
の回路部に分割して示しており、配線９２０を介して互いに離間して設けられている。応
力集中領域９２１は、配線９２０と重畳するように形成することが好ましい。図９（Ｂ）
には、支持部と垂直方向の断面図について示しており、配線９２０と重畳する応力集中領
域９２１では、封止基板９２３に切りこみ部９２２ａを設け、素子基板９２４に切り込み
部９２２ｂを、一例として設ければよい。なお、図９（Ｃ）に示すように、素子基板９２
４及び封止基板９２３の走査線駆動回路４３２１上に、補強板９２５を貼付することで、
切り込み部９２２ａ及び切り込み部９２２ｂを形成する構成としてもよい。なお切り込み
部９２２ａ及び切り込み部９２２ｂは、支持部４３０８の長軸方向に平行に設けても良い
し、一部にのみ設ける構成としてもよい。

なお応力集中領域とは、切り込み等による部材の変形や、部材の貼付等による曲げ、延び
に対する強度の変更により形成される、応力の集中する領域のことをいう。

なお走査線駆動回路の分割とは、ＴＦＴ等の回路素子と配線とが混在して繰り返しのレイ
アウトとなる領域が、配線引き回しに充てられる領域によって分割される状態のことをい
う。

また図１０（Ａ）では、図９（Ａ）と同様に、表示パネル４３１１、支持部４３０８、表
示部４３０１、走査線駆動回路４３２１、信号線駆動回路４３２３について示している。
走査線駆動回路４３２１は４つの回路部に分割され、配線９２０を介して互いに離間して
設けられている。応力集中領域９２１は、複数の配線９２０と重畳するように形成するこ
とが好ましい。図１０（Ｂ）には、支持部と垂直方向の断面図について示しており、配線
９２０と重畳する応力集中領域９２１では、封止基板９２３に複数の切り込み部９２２ａ
を設け、素子基板９２４に複数の切り込み部９２２ｂを、一例として設ければよい。なお
、図１０（Ｃ）に示すように、素子基板９２４及び封止基板９２３の走査線駆動回路４３
２１上に、補強板９２５を貼付することで、複数の切り込み部９２２ａ及び複数の切り込
み部９２２ｂを形成する構成としてもよい。なお複数の切り込み部９２２ａ及び複数の切
り込み部９２２ｂは、支持部４３０８の長軸方向に平行に設けても良いし、一部にのみ設
ける構成としてもよい。

なお、図９、図１０に示した走査線駆動回路の分割数は、説明のための一例であり、適宜
任意の数に分割して設ければよい。

以上説明したように、本実施の形態の構成により、表示装置を使用する際に走査線駆動回
路の破損をより効果的に抑制できる。また本実施の形態の構成によると、表示パネルに対
し予め切り込み部等による応力集中領域を設けることで、より効果的に、走査線駆動回路
の破損を抑制できる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置に設ける表示パネルの例を示す。表示パネルは様々の表示素
子を有する表示パネルを適用することができ、パッシブマトリクス型でもアクティブマト
リクス型でもよい。

表示パネルとしては、電子ペーパー、発光表示パネル（ＥＬ（エレクトロルミネッセンス
）パネル）、液晶表示パネルなどを用いることができる。表示パネルは、表示素子が封止
された状態にあるパネルであり、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉ
ｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付
けられ信号線駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。信号線駆動回路であるＩＣが
、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により表示パネルに直接実装されてもよい
。

表示パネル４３１１は、両面に表示を行う両面表示型でも片面のみに表示を行う片面表示
パネルを用いてもよい。両面表示型パネルは、両面射出型の表示パネルを用いてもよいし
、片面射出型の表示パネルを貼り合わせて用いてもよい。また、間にバックライト（好適
には薄型のＥＬパネル）を挟んだ２つの液晶表示パネルを用いてもよい。

表示パネル４３１１に適用できる両面表示型パネルの例を、図１１（Ａ）乃至（Ｃ）に示
す。なお、図１１（Ａ）乃至（Ｃ）において、矢印は光の射出方向（視認側）を示してい
る。

図１１（Ａ）は表示素子１０２を基板１００及び基板１０１に挟持した表示パネル４３１
３であり、基板１００側に第１の表示部４３０２、基板１０１側に第２の表示部４３１０
が設けられている。表示素子１０２によって、第１の表示部４３０２及び第２の表示部４
３１０が表示されるため、基板１００及び基板１０１は透光性を有する。表示素子１０２
は、自発光型の発光素子であるＥＬ素子を用いると好ましい。なお、表示パネル４３１３
に入射する光を利用する場合、表示素子１０２として液晶表示素子や電気泳動表示素子を
用いることもできる。

図１１（Ｂ）は、基板１１０及び基板１１２に挟持された表示素子１１４を含む片面表示
パネル、及び基板１１１と基板１１３とに挟持された表示素子１１５を含む片面表示パネ
ルを積層した表示パネル４３１３であり、基板１１０側に第１の表示部４３０２、基板１
１１側に第２の表示部４３１０が設けられている。表示素子１１４によって第１の表示部
４３０２が表示され、表示素子１１５によって第２の表示部４３１０が表示されるため基
板１１０及び基板１１１は透光性を有する。一方、基板１１２及び基板１１３は透光性を
有する必要はなく、反射性を有していてもよい。なお、片面表示パネル同士は、基板１１
２及び基板１１３を接着層によって接着して貼り合わせればよい。また、基板１１２及び
基板１１３のどちらか一方のみを用いてもよい。

表示素子１１４及び表示素子１１５は、ＥＬ素子を用いると好ましい。なお、表示パネル
４３１３に入射する光を利用する場合表示素子１１４及び表示素子１１５として液晶表示
素子や電気泳動表示素子を用いることもできる。光の取り出し効率を向上させるため、片
面表示型の表示パネルとして反射型の表示パネルを用いると好ましい。

透光型液晶表示パネルの間にバックライトを設け、表示パネル４３１３としてもよい。図
１１（Ｃ）は、基板１２０及び基板１２２に挟持された表示素子１２４を含む透光型液晶
表示パネル、及び基板１２１と基板１２３とに挟持された表示素子１２５を含む透光型液
晶表示パネルを、光源となるバックライト１２６を介して積層した表示パネル４３１３で
あり、基板１２０側に第１の表示部４３０２、基板１２１側に第２の表示部４３１０が設
けられている。バックライト１２６の光及び表示素子１２４によって第１の表示部４３０
２が表示され、バックライト１２６の光及び表示素子１２５によって第２の表示部４３１
０が表示されるため基板１２０、基板１２１、基板１２２及び基板１２３は透光性を有す
る。

なお、片面表示パネル、及びバックライトは、接着層によって接着して貼り合わせればよ
い。また、基板１２２及び基板１２３のどちらか一方のみを用いてもよい。バックライト
１２６としては、薄型のＥＬパネルを用いると、表示パネル４３１３を薄型化できるため
好ましい。

なお、片面表示型パネルとする場合は表示部を設けない面に非透光性又は反射性の筐体を
設けると、表示パネルの強度を向上できるため好ましい。

表示パネルの一形態について、図１２乃至１４、及び図１６を用いて説明する。図１２乃
至１４、及び図１６は、図４（Ａ）のＭ－Ｎにおける断面図に相当する。図１２乃至図１
４、及び図１６は、画素回路を有する表示部４３０１及び走査線駆動回路４３２１ａを有
する表示パネル４３１１にＦＰＣ４３２４が取り付けられた例であり、素子基板４３３１
上に設けられた表示部４３０１及び走査線駆動回路４３２１ａは、シール材４００５によ
って封止基板４３３２で封止されている。

図１２乃至図１４、及び図１６で示すように、表示パネル４３１１は接続端子電極４０１
５及び端子電極４０１６を有しており、接続端子電極４０１５及び端子電極４０１６はＦ
ＰＣ４３２４が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して、電気的に接続されている。

接続端子電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４
０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同
じ導電膜で形成されている。

また、上記図４に示すように、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体
膜で形成された信号線駆動回路４３２３はＦＰＣによって実装され、支持部４３０８内に
設けられている。信号線駆動回路４３２３、走査線駆動回路４３２１ａ及び表示部４３０
１に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４３２４から供給される。

なお、信号線駆動回路４３２３の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法
、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。

また素子基板４３３１上に設けられた表示部４３０１と、走査線駆動回路４３２１ａは、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１２乃至図１４、及び図１６では、表示部４３０
１に含まれる薄膜トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４３２１ａに含まれる薄膜ト
ランジスタ４０１１とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁
層４０２０、４０２１が設けられている。なお、絶縁膜４０２３は下地膜として機能する
絶縁膜である。

薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用
することができる。図１２乃至図１４、及び図１６では、薄膜トランジスタ４０１０、４
０１１として、ボトムゲート構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜ト
ランジスタ４０１０、４０１１はチャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護
膜を設けたチャネル保護型の逆スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。

表示部４３０１に設けられた薄膜トランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続し、表
示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素
子を用いることができる。

表示パネルとして電子ペーパーを用いることができる。電子ペーパーにおいては像書き込
み手段として電界、磁界、光、又は熱の利用、表示媒体の変化については形状や位置変化
の利用、物理的変化の利用など様々な組み合わせで多くの方式がある。例えば、ツイスト
ボール方式、電気泳動方式、粉体系方式（トナーディスプレイとも呼ばれる）、液晶方式
などが挙げられる。

図１２及び図１６に表示パネル４３１１としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを
用いた例を示す。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ、他の表示パネルに比べ低消費電
力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。

図１２（Ａ）（Ｂ）及び図１６は、表示パネルの例としてアクティブマトリクス型の電子
ペーパーを示す。

図１２（Ａ）の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。
ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極
層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、
表示を行う方法である。

薄膜トランジスタ４０１０と接続する第１の電極層４０３０と、封止基板４３３２に設け
られた第２の電極層４０３１との間には黒色領域４６１５ａ及び白色領域４６１５ｂを有
し、周りに液体で満たされているキャビティ４６１２を含む球形粒子４６１３が設けられ
ており、球形粒子４６１３の周囲は樹脂等の充填材４６１４で充填されている。第２の電
極層４０３１が共通電極（対向電極）に相当する。第２の電極層４０３１は、共通電位線
と電気的に接続される。

また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。表示素子と
して電気泳動素子を用いる例を図１２（Ｂ）に示す。透明な液体４７１２と、第１の粒子
として負に帯電した黒い微粒子４７１５ａと、第２の粒子として正に帯電した白い微粒子
４７１５ｂとを封入した直径１０μｍ～２００μｍ程度のマイクロカプセル４７１３を用
いる。

第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１との間に設けられるマイクロカプセル４７
１３は、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１によって、電場が与えられると、
白い微粒子４７１５ｂと、黒い微粒子４７１５ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示
することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表
示素子は、反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い
場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合で
あっても、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示パネル
を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。

なお、第１の粒子および第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないも
のである。また、第１の粒子および第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。

上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、こ
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。

なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。

また、粉体系方式として電子粉流体（登録商標）を用いることも可能である。表示素子と
して電子粉流体を用いる例を図１６に示す。第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３
１、及びリブ４８１４に区切られた空間４８１２に、正に帯電した黒い粉流体４８１５ａ
と負に帯電した白い粉流体４８１５ｂとを充填する。なお空間４８１２は空気である。

第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１によって、電場が与えられると、黒い粉流
体４８１５ａと、白い粉流体４８１５ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示すること
ができる。粉流体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。

また、表示素子としては、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（ＥＬ素子）を
用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物
であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者
は無機ＥＬ素子と呼ばれている。

有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。

無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー－ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。

発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そし
て、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。

図１３に表示パネル４３１１として発光表示パネル（ＥＬパネル）を用いた例を示す。表
示素子である発光素子４５１３は、表示部４３０１に設けられた薄膜トランジスタ４０１
０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３の構成は、第１の電極層４０３０、電
界発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構造であるが、示した構成に限定されな
い。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１３の構成は
適宜変えることができる。

隔壁４５１０は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。
特に感光性の材料を用い、第１の電極層４０３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

電界発光層４５１１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成
されていてもどちらでも良い。

発光素子４５１３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層
４０３１及び隔壁４５１０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、素子基板４３３１、封止基
板４３３２、及びシール材４００５によって封止された空間には充填材４５１４が設けら
れ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保
護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージ
ング（封入）することが好ましい。

充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂また
は熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エ
チレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。

また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

図１４に表示パネル４３１１として液晶表示パネルを用いた例を示す。図１４において、
表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１、及
び液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜として機能する
絶縁膜４０３２、４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は封止基板４３３２
側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１とは液晶層４００８を介し
て積層する構成となっている。

また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のス
ペーサを用いていても良い。

また、図１４の液晶表示装置では図示しないが、カラーフィルタ（着色層）、ブラックマ
トリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）
などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また
、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとしてはＥ
Ｌパネルを用いると薄型化できるために好ましい。

また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層４００８に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１０μｓ～
１００μｓと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さ
い。

なお図１４は透過型液晶表示パネルの例であるが、反射型液晶表示パネルでも半透過型液
晶表示パネルでも適用できる。

なお、図１２乃至図１４、及び図１６において、素子基板４３３１、封止基板４３３２と
しては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ－Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

絶縁層４０２０は薄膜トランジスタの保護膜として機能する。

なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウ
ム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成す
ればよい。

また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層４０２１は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシ
クロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる
。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳ
Ｇ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これ
らの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。

絶縁層４０２０、絶縁層４０２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパ
ッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェッ
ト法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテ
ンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する
場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃～４００℃）を行っても
よい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示パネルを作製
することが可能となる。

表示パネルは光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する表
示部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対し
て透光性とする。

表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対
向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。

第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。
）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、
又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することがで
きる。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリ
マーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若
しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。

また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護
回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい
。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置を構成する材料や素子構造の例を詳細に説明する。

信号線駆動回路は支持部に設けられるために、特に可撓性を有する必要はない。よって、
信号線駆動回路として、高速動作が可能な半導体基板（半導体ウエハー）を用いた半導体
集積回路チップ（ＩＣ）を用いることが好ましい。半導体基板として単結晶半導体基板及
び多結晶半導体基板を用いることができ、シリコンウエハーやゲルマニウムウエハーなど
の半導体ウエハー、ガリウムヒ素やインジウムリンなどの化合物半導体ウエハーを適用す
る。

また、信号線駆動回路に、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ構造を有する基板（
ＳＯＩ基板）を用いてもよい。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ
ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ－Ｃｕｔ法を用いて形成するこ
とができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに
酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋
込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ－Ｃｕｔ法は
、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水
素含有層を形成し、他の半導体基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結
晶シリコン基板など）と貼り合わせ、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶シ
リコン基板を分断し、半導体基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形成
する方法である。

表示装置の回路部に設けられる半導体素子としては電界効果トランジスタはもちろん、半
導体層を用いるメモリ（記憶）素子なども適用することができ、多用途に渡って要求され
る機能を満たす半導体集積回路を設けることができる。

走査線駆動回路及び表示部は表示パネルの可撓性基板上に設けられればその方法は特に限
定されない。走査線駆動回路及び表示部は可撓性基板に直接形成してもよいし、他の作製
基板上に作製し、その後作製基板から剥離法を用いて素子層のみを可撓性基板へ転置して
設けてもよい。例えば、走査線駆動回路及び表示部を同一工程で作製基板に形成し、走査
線駆動回路及び表示部を表示パネルの可撓性基板に転置して設けることができる。この場
合、走査線駆動回路及び表示部は同工程で形成されるため、同じ構造及び材料のトランジ
スタとすると低コスト化できて好ましい。よって、走査線駆動回路及び表示部を構成する
トランジスタのチャネル層が同じ材料で設けられる。

また、作製基板から可撓性の支持基板へ転置し、可撓性の支持基板ごと表示パネルの基板
へ接着して設けてもよい。例えば、作製基板に走査線駆動回路のみを複数形成し、可撓性
の支持基板に転置した後、可撓性の支持基板ごと個々の走査線駆動回路に分断して、１つ
の表示パネルに必要なだけ可撓性の支持基板上に設けられた走査線駆動回路を接着して設
けてもよい。この場合、走査線駆動回路と表示部とは別工程で作製されるため、それぞれ
種々の構成及び材料のトランジスタを選択できる。

また、上記転置法と直接形成法とを組み合わせてもよい。例えば、印刷法などを用いて、
表示部、走査線駆動回路部、ＦＰＣなどを電気的に接続する配線を表示パネルの可撓性基
板に直接形成すればよい。

作製基板は、素子層の作製工程に合わせて作製基板を適宜選択すればよい。例えば、作製
基板としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表面に絶縁層
が形成された金属基板などを用いることができる。また、処理温度に耐えうる耐熱性を有
するプラスチック基板を用いてもよい。

可撓性基板として、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエー
テルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミ
ド（ＰＩ）樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機樹脂が含浸された構造体で
あるプリプレグを用いてもよい。

作製基板より素子層を他の基板へ転置する方法は、特に限定されず種々の方法を用いるこ
とができる。例えば作製基板と素子層との間に剥離層を形成すればよい。

なお、本明細書において素子層とは、素子基板側に設ける半導体素子層はもちろん、対向
基板側で設ける対向電極層なども含む。よって剥離工程は、素子基側及び封止基板側どち
らにも用いることができる。また、工程の簡便性を考慮し、作製基板より可撓性基板へ転
置した後、作製工程において該可撓性基板をガラス基板等に仮接着して作製工程を進める
こともできる。

剥離層は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステ
ン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、
ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム
（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は前
記元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗
布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化
窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンと
モリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステ
ンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

剥離層が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又
はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、
モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒
化酸化物を形成する。

剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成
する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成
することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成
されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、
酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸
化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、一酸化二
窒素単体、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。これ
は、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様で
あり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸
化珪素層を形成するとよい。

なお、他の基板への転置工程は、基板と素子層の間に剥離層を形成し、剥離層と素子層と
の間に金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、当該素子層を剥離
する方法、耐熱性の高い基板と素子層の間に水素を含む非晶質珪素膜を設け、レーザ光の
照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、当該素子層を剥離する
方法、基板と素子層の間に剥離層を形成し、剥離層と素子層との間に金属酸化膜を設け、
当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、Ｃｌ
Ｆ_３等のフッ化ハロゲンガスによりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜に
おいて剥離する方法、素子層が形成された基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ
_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等を適宜用いるこ
とができる。また、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶
質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して
剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ素子層と基板との剥離を促進
する方法を用いてもよい。

上記剥離方法を組み合わすことでより容易に転置工程を行うことができる。つまり、レー
ザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる
機械的な削除を行い、剥離層と素子層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機
械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と素子層との界面に液体を浸透させて基板から素子層を剥離してもよい。液
体としては水などを用いることができる。

本明細書で開示する表示装置が有するトランジスタは特に限定されない。よってトランジ
スタの構造や用いる半導体材料は種々用いることができる。

薄膜トランジスタの構造の例を、図１５を用いて説明する。図１５は、実施の形態５にお
ける薄膜トランジスタ４０１０に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。

図１５（Ａ）乃至（Ｄ）において、素子基板４３３１上に絶縁膜４０２３が形成され、絶
縁膜４０２３上に薄膜トランジスタ４０１０ａ、４１０ｂ、４０１０ｃ、４０１０ｄが設
けられている。薄膜トランジスタ４０１０ａ、４０１０ｂ、４０１０ｃ、４０１０ｄ上に
絶縁層４０２０、絶縁層４０２１が形成され、薄膜トランジスタ４０１０ａ、４０１０ｂ
、４０１０ｃ、４０１０ｄと電気的に接続する第１の電極層４０３０が設けられている。

薄膜トランジスタ４０１０ａは、図１２における薄膜トランジスタ４０１０において、ソ
ース電極層及びドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂと半導体層４０
３とがｎ＋層を介さずに接する構成である。

薄膜トランジスタ４０１０ａは逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する
基板である素子基板４３３１、絶縁膜４０２３上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層
４０２、半導体層４０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５
ａ、４０５ｂを含む。

薄膜トランジスタ４０１０ｂはボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有
する基板である素子基板４３３１、絶縁膜４０２３上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶
縁層４０２、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂ
、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂ、及び半導体層
４０３を含む。ｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂは、半導体層４０３より低抵抗な半導体層であ
る。また、薄膜トランジスタ４０１０ｂを覆い、半導体層４０３に接する絶縁層４０２０
が設けられている。

なお、ｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂを、ゲート絶縁層４０２と配線層４０５ａ、４０５ｂの
間に設ける構造としてもよい。また、ｎ^＋層をゲート絶縁層及び配線層の間と、配線層と
半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。

薄膜トランジスタ４０１０ｂは、薄膜トランジスタ４０１０ｂを含む領域全てにおいてゲ
ート絶縁層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である素子基板
４３３１の間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線層
４０５ａ、４０５ｂ、及びｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂが設けられている。そして、ゲート
絶縁層４０２、配線層４０５ａ、４０５ｂ、及びｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂ上に半導体層
４０３が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４０２上には配線層４０５
ａ、４０５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３の外周部より外側に延在
している。

薄膜トランジスタ４０１０ｃは、薄膜トランジスタ４０１０ｂにおいて、ソース電極層及
びドレイン電極層と半導体層とが、ｎ^＋層を介さずに接する構成である。

薄膜トランジスタ４０１０ｃは、薄膜トランジスタ４０１０ｃを含む領域全てにおいてゲ
ート絶縁層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である素子基板
４３３１の間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線層
４０５ａ、４０５ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層４０２、配線層４０５ａ、
４０５ｂ上に半導体層４０３が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４０
２上には配線層４０５ａ、４０５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３の
外周部より外側に延在している。

薄膜トランジスタ４０１０ｄは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。薄膜トラン
ジスタ４０１０ｄはプラナー型の薄膜トランジスタの例である。絶縁表面を有する基板で
ある素子基板４３３１、絶縁膜４０２３上に、ソース領域又はドレイン領域として機能す
るｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂを含む半導体層４０３、半導体層４０３上にゲート絶縁層４
０２が形成され、ゲート絶縁層４０２上にゲート電極層４０１が形成されている。またｎ
^＋層４０４ａ、４０４ｂと接してソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層
４０５ａ、４０５ｂが形成されている。ｎ^＋層４０４ａ、４０４ｂは、半導体層４０３よ
り低抵抗な半導体領域である。

薄膜トランジスタとしてトップゲート型の順スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。

本実施の形態では、シングルゲート構造を説明したが、ダブルゲート構造などのマルチゲ
ート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも
良く、半導体層の片側（上方又は下方）にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。

半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用
いることのできる材料の例を説明する。

半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材
料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下
「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体
層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる
。

微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ^－１よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ^－１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ
^－１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダング
リングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られ
る。

この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ～数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、ま
たは周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる
。代表的には、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、Ｓ
ｉＦ_４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び
水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の
希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪
素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、
更に好ましくは１００倍とする。

アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体と
しては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には
、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂
高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料と
して用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリ
コンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶
半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。

また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほか
ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用
いることができる。

半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方
法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。

非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ
法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。

また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導
体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０
℃～７５０℃で３分～２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）す
る元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ
）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）
、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いること
ができる。

結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に
接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（
Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用
いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半
導体膜を形成し、熱処理（５５０℃～７５０℃で３分～２４時間）を行う。結晶性半導体
膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性
半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシン
クとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。

非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。

また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ
法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。

また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ
（ＳｎＯ_２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層
をＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電
極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、
ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。

酸化物半導体としてＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることが
できる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍ
ｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えば
Ｍとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記
金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金
属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸
化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系
非単結晶膜を用いることができる。

酸化物半導体層（ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系
非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）膜を
用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、Ｉｎ
－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系、Ａｌ－Ｇａ－
Ｚｎ－Ｏ系、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ａｌ－Ｚ
ｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｏ系、Ｓｎ－Ｏ系、Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体を適用することができる
。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

Claims (4)

1. 第１の樹脂及び第２の樹脂と、
   表示部と、
   走査線駆動回路と、
   信号線駆動回路と、
   ＦＰＣと、を有し、
   前記表示部が有する第１のトランジスタは、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置する領域を有し、
   前記走査線駆動回路が有する第２のトランジスタは、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置する領域を有し、
   前記信号線駆動回路は、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置せず、
   前記第１の樹脂は、前記表示部及び前記走査線駆動回路と重なる第１の領域と、前記ＦＰＣと重なる第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間であって前記第２の樹脂と重なる第３の領域とを有し、
   前記第１の樹脂は、前記第３の領域において折り曲がる機能を有する表示装置。
2. 第１の樹脂及び第２の樹脂と、
   表示部と、
   走査線駆動回路と、
   信号線駆動回路と、
   ＦＰＣと、を有し、
   前記表示部が有する第１のトランジスタは、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置する領域を有し、
   前記走査線駆動回路が有する第２のトランジスタは、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置する領域を有し、
   前記信号線駆動回路は、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との間に位置せず、
   前記第１の樹脂は、前記表示部及び前記走査線駆動回路と重なる第１の領域と、前記ＦＰＣと重なる第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間であって前記第２の樹脂と重なる第３の領域とを有し、
   前記第１の樹脂は、前記第３の領域において折り曲がる機能を有し、
   前記表示部は、折り曲がる機能を有する表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記ＦＰＣ上に前記信号線駆動回路を有する表示装置。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の樹脂は、前記信号線駆動回路と重なる第４の領域を有する表示装置。

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