TWI587257B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI587257B
TWI587257B TW102126450A TW102126450A TWI587257B TW I587257 B TWI587257 B TW I587257B TW 102126450 A TW102126450 A TW 102126450A TW 102126450 A TW102126450 A TW 102126450A TW I587257 B TWI587257 B TW I587257B
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reinforcing plate
line driver
driver circuit
display
substrate
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岡本知廣
荒井康行
川俣郁子
宮口厚
守屋芳隆
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

顯示裝置
本發明相關於顯示裝置。
近年，隨著數位化技術的發展，已逐漸採用將報紙、及雜誌等的文字資料或影像資料提供為電子資料的模式。此種電子資料的特性係其內容係使用配備個人電腦(PC)等的顯示裝置觀看。
然而，配備個人電腦(PC)等的顯示裝置與紙質媒體，諸如報紙及雜誌，之顯著不同處在於便利性的貧乏，諸如可攜性。
另一方面，已揭示旨在解決與紙質媒體之上述不同的可撓電子紙(例如，參閱專利文件1)。在該可撓電子紙之顯示部係使用元件，諸如電晶體，形成的情形中，必須提供用於驅動該電晶體的電路。在該情形中，該電子紙的彎曲可能導致該電路破裂。另外，該電子紙的彎曲度可能受限於該驅動器電路。
(專利文件)
專利文件1：日本已公告專利申請案案號第2003-337353號。
本發明之一實施例的目的係提供當操作可撓面板時抑制驅動器電路之破裂發生的顯示裝置。本發明之一實施例的目的係提供將結構簡化之顯示裝置。
本發明之一實施例係一種顯示裝置，包括：可撓顯示面板，包括掃描線及訊號線相互交叉於其中的顯示部；支撐部，用於支撐該可撓顯示面板之終端部；訊號線驅動器電路，用於輸出訊號至該訊號線，其設置於該支撐部；以及掃描線驅動器電路，用於輸出訊號至該掃描線，其在正交或實質正交於該支撐部的方向上設置於該顯示面板之可撓表面。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中掃描線驅動器電路包括複數個電路部且該等複數個電路部彼此分隔的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中將應力集中區域設置在複數個電路部之間的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中掃描線驅動器電路及訊號線驅動器電路各者包括電晶體，且包括在掃描線驅動器電路中之該電晶體及包括在訊號線驅動器電路中的該電晶體具有彼此不同之結構的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中包括在掃描 線驅動器電路中的電晶體之通道層係非單晶半導體且包括在訊號線驅動器電路中的電晶體之通道層係單晶半導體的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中非單晶半導體係非晶矽、微晶矽、多晶矽、或氧化物半導體的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中顯示部包括電晶體且包括在該顯示部之電晶體中的通道層及包括在該掃描線驅動器電路之電晶體中的通道層係使用相同材料形成的顯示裝置。
根據本發明之一實施例，可能提供在其中除了訊號線驅動器電路外，支撐部設有電池、天線、CPU、及記憶體之至少一者的顯示裝置。
在本說明書等中，「半導體裝置」係指能藉由使用半導體特徵運作之任何裝置，且光電裝置、半導體電路、以及電子器具均包括在該半導體裝置類別中。
另外，在本說明書等中，「顯示裝置」在其類別中包括發光裝置以及液晶顯示裝置。該發光裝置包括發光元件且該液晶顯示裝置包括液晶元件。該發光元件在其類別中包括其亮度係由電流或電壓控制的任何元件；具體地說，可將無機電致發光(EL)元件、及有機EL元件等提供為其之範例。
根據本發明之一實施例，可提供具有驅動器電路之破壞較少的堅固顯示裝置。
根據本發明之一實施例，顯示裝置的成本可藉由簡化其結構而降低。
100、101、110、111、112、113、120、121、122、123‧‧‧基材
102、114、115、124、125‧‧‧顯示元件
126‧‧‧背光
200‧‧‧顯示控制部
201‧‧‧CPU
203‧‧‧記憶體部
205‧‧‧電源饋送部
207‧‧‧電源供應電路
209‧‧‧內部記憶體
211‧‧‧資料輸入部
213‧‧‧外部記憶體
215‧‧‧影像訊號產生電路
216‧‧‧天線
219‧‧‧操作部
401‧‧‧閘電極層
402‧‧‧閘絕緣層
403‧‧‧半導體層
404a、404b‧‧‧n+層
405a、405b‧‧‧佈線層
920‧‧‧佈線
921、4326‧‧‧應力集中區域
922a、922b‧‧‧切割部
923、4332‧‧‧密封基材
924、4331‧‧‧元件基材
925‧‧‧強化板
4005‧‧‧密封劑
4008‧‧‧液晶層
4010、4010a、4010b、4010c、4010d、4011‧‧‧薄膜電晶體
4013‧‧‧液晶元件
4015‧‧‧連接終端電極
4016‧‧‧終端電極
4019‧‧‧各向異性導電膜
4020、4021‧‧‧絕緣層
4023、4032、4033‧‧‧絕緣膜
4030‧‧‧第一電極層
4031‧‧‧第二電極層
4035‧‧‧圓柱形分隔器
4301‧‧‧顯示部
4302‧‧‧第一顯示部
4308‧‧‧支撐部
4310‧‧‧第二顯示部
4311、4313‧‧‧顯示面板
4321、4321a、4321b‧‧‧掃描線驅動器電路
4323‧‧‧訊號線驅動器電路
4324‧‧‧FPC
4325、4327‧‧‧印刷板
4350‧‧‧手
4352‧‧‧像素TFT
4361‧‧‧掃描線
4362‧‧‧訊號線
4510‧‧‧分隔壁
4511‧‧‧電致發光層
4513‧‧‧發光元件
4514、4614‧‧‧填充劑
4612‧‧‧洞
4613‧‧‧球形粒子
4615a‧‧‧黑色區域
4615b‧‧‧白色區域
4712‧‧‧透明液體
4713‧‧‧微膠囊
4715a‧‧‧負充電黑色微粒
4715b‧‧‧正充電白色微粒
4812‧‧‧空間
4814‧‧‧肋條
4815a‧‧‧正充電黑色液態粉末
4815b‧‧‧負充電白色液態粉末
7002‧‧‧箭號
C‧‧‧彎曲部
D‧‧‧非彎曲部
圖1A及1B描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖2A至2C描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖3A至3C描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖4A至4C描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖5描繪本發明之顯示裝置的支撐部之一模式。
圖6A至6D各者描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖7A及7B描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖8A至8C各者描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖9A至9C描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖10A至10C描繪本發明之顯示裝置的一模式。
圖11A至11C各者描繪本發明之顯示面板的一模式。
圖12A及12B各者描繪本發明之顯示面板的一模式。
圖13描繪本發明之顯示面板的一模式。
圖14描繪本發明之顯示面板的一模式。
圖15A至15D各者描繪可應用於本發明之顯示裝置的電晶體之一模式。
圖16描繪本發明之顯示面板的一模式。
在下文中，使用圖式詳細地描述實施例。須注意本發明並未受限於該等實施例的描述，且模式及細節可不脫離揭示於本說明書中的本發明之精神等而用各種方式修改對熟悉本發明之人士係明顯的。不同實施例的結構可藉由組合適當地實作。在以下之本發明的描述中，在該等圖示各處將相同的參考數字用於指示相同或相似之功能部，不重複其之描述。
須注意在實施例中描繪於圖式等中的尺寸、層的厚度、及各結構之區域在部分情形中係為了簡化而誇大。因此，本發明之實施例未受此等比例限制。
須注意在本說明書中使用數字術詞，諸如「第一」、「第二」、「第三」，以避免組件之間的混淆且未在數量上設限。
[實施例1]
在實施例1中，將參考圖式以描述顯示裝置的範例。
描述於實施例1中的該顯示裝置，包括下列各者：可撓顯示面板，包括掃描線及訊號線相互交叉於其中的顯示部；支撐部，用於支撐該可撓顯示面板之終端部；訊號線驅動器電路，用於輸出訊號至該訊號線，其設置於該支撐部；以及掃描線驅動器電路，用於輸出訊號至該掃描線，其在正交或實質正交於該支撐部的方向上設置於該顯示面板之可撓表面。
圖1描繪將支撐部4308設置在顯示面板4311之終端部的情形。將使用圖1A及1B於下文描述該顯示裝置的具體結構。圖1A描繪水平地設置之顯示裝置，且圖1B描繪垂直地設置之顯示裝置。
描繪於圖1A及1B中的該顯示裝置包括顯示面板4311，其包括顯示部4301、設置在顯示面板4311之終端部的支撐部4308、用於控制顯示部4301上的顯示之掃描線驅動器電路4321a及4321b、以及用於控制顯示部4301上之顯示的訊號線驅動器電路4323。
將掃描線驅動器電路4321a及4321b設置於顯示面板4311並將訊號線驅動器電路4323設置在支撐部4308內側。
顯示面板4311可能係可撓的。在該情形中，包括在顯示部4301中的像素電路及掃描線驅動器電路4321a及4321b可能設置在可撓基材上方，諸如塑膠基材。
支撐部4308至少比顯示面板4311較不可撓(更剛硬)為佳。例如，形成支撐部4308的外殼可使用比顯示面板4311更厚之塑膠、或金屬等形成。在該情形中，該顯示裝置可在支撐部4308以外的部位彎曲(變形)。
配置該支撐部4308的位置並無特別限制。例如，支撐部4308可沿著顯示面板4311的終端部設置。例如，如圖1A及1B所示，在顯示面板4311具有矩形形狀的情形中，支撐部4308可沿著顯示面板4311的預定側設置(使得該側固定)。須注意此處的「矩形形狀」包括該矩形之 角係滾圓之形狀。
訊號線驅動器電路4323係設置在支撐部4308的內側。例如，支撐部4308係使用具有孔之圓柱外殼或具有孔的圓筒外殼形成，且訊號線驅動器電路4323可設置在該孔中。當訊號線驅動器電路4323設置在支撐部4308的內側時，可防止由於顯示面板4311彎曲導致訊號線驅動器電路4323受損。
另外，如圖1A及1B所示，掃描線驅動器電路4321a及4321b在平行於或實質平行於支撐部4308的方向上設置在顯示面板4311之二終端部為佳。結果，相較於該掃描線驅動器電路及該訊號線驅動器電路設置在一部位的情形(例如，支撐部4308)，可減少佈線的牽引且可簡化結構。
另外，可能經由相同製程將掃描線驅動器電路4321a及4321b及包括在顯示部4301中的該像素電路形成在可撓基材上方，使得掃描線驅動器電路4321a及4321b可彎曲並可實現成本降低。
包括在顯示部4301中的像素電路以及掃描線驅動器電路4321a及4321b各者可使用薄膜電晶體等形成。另一方面，高速操作電路，諸如訊號線驅動器電路4323，可使用以半導體基材，諸如矽基材或SOI基材，形成之積體電路(IC)形成，且該IC可設置在支撐部4308內側。
當包括高速操作電路，諸如訊號線驅動器電路，的IC設置在該支撐部內側，且該掃描線驅動器電路及包括 在該顯示部中的像素電路係如上述地使用在可撓基材上方之元件，諸如薄膜電晶體，形成時，相較於該訊號線驅動器電路及該掃描線驅動器電路係使用IC設置的情形，該顯示面板可輕易地彎曲、可抑制由於該顯示面板之彎曲所導致的IC破裂發生、並可實現成本降低。此外，當該掃描線驅動器電路在正交於或實質正交於該支撐部之方向上設置在該顯示面板之終端部時，佈線的牽引可受抑制並可簡化結構。
雖然在圖1A及1B中描繪將該掃描線驅動器電路設置在顯示面板4311之二終端部的情形，該掃描線驅動器電路(掃描線驅動器電路4321a及掃描線驅動器電路4321b之其中一者)可能設置在一終端部。
實施例1可與描述於其他實施例中的任何結構適當地組合而實作。
[實施例模式2]
在實施例2中，將使用圖示描述於圖1A及1B中描繪之上述顯示裝置的具體結構。描述於實施例2中的該等結構與描述於實施例1中的結構有許多共同點，在以下描述中，將省略該等共同點並將詳細地描述不同點。
首先，使用圖2A至2C描述該顯示裝置之具體結構的範例。圖2A係該顯示裝置的平面圖，圖2B係沿著圖2A之線A1-B1取得的橫剖面圖，且圖2C係該橫剖面的詳細示意圖。
至於顯示於圖2A至2C中的該顯示裝置，支撐部4308係使用具有孔之外殼形成，且訊號線驅動器電路4323係設置在該外殼的內側。在此實施例中，訊號線驅動器電路4323係使用IC形成，且該IC設置在支撐部4308的內側。該IC可使用SOI基材、或半導體基材，諸如矽基材，等形成。也可將該訊號線驅動器電路以外的任何電路(例如，CPU或記憶體)設置於該IC。
另外，圖2A至2C描繪藉由捲帶自動接合(TAB)法將設置在支撐部4308內側的該IC載置在可撓印刷電路(FPC)上的情形。更具體地說，將用於控制顯示部4301之訊號線驅動器電路4323設置在FPC 4324上，並將FPC 4324電性連接至印刷板4325。
如圖2A至2C所示，可將印刷板4325設置成與支撐部4308接觸。
在訊號線驅動器電路4323設置在FPC 4324上的情形中，應力集中區域4326針對顯示面板4311設置為佳。設置於該顯示面板的應力集中區域4326使當顯示面板4311彎曲時降低施加至FPC 4324的應力並抑制設置在FPC 4324上之訊號線驅動器電路4323的破裂發生變得可能。
該應力集中區域意謂著將藉由切割等導致的材料應變、或由於材料附接等導致的對抗彎曲及/或延伸之強度改變等形成的應力集中的區域。具體地說，應力集中區域4326可藉由將切割部(凹陷或凹槽)設置在顯示面板4311的彎曲部分而形成。
例如，顯示面板4311可使用元件基材4331及密封基材4332形成，且元件基材4331及密封基材4332之一者或二者可設有切割部。圖2A至2C描繪將該切割部設置在密封基材4332中以形成應力集中區域4326的情形。此外，在此處描述的該結構中，掃描線驅動器電路4321a及4321b以及驅動顯示部4301的像素電路可形成在元件基材4331上，且此等電路可電性連接至FPC 4324。
在顯示部4301中，將像素配置(設置)為矩陣，並將掃描線4361及訊號線4362配置成以直角剖析。至於該等像素的配置，該等像素可能在縱向方向及橫向方向上以線形或以之字形之其中一者配置。因此，在條紋型配置的情形中或以三角形配置用於三種色彩之點的情形中，掃描線4361及訊號線4362係取決於像素配置而配置。
應力集中區域4326可能沿著顯示面板4311的彎曲方向設置。例如，在圖2A中，該切割部可能沿著平行於或實質平行於支撐部4308的方向從顯示面板4311的頂端設置至底端，使得顯示面板4311的彎曲方向可受控制(作為選擇，該顯示面板4311可在正交於或實質正交於支撐部4308的方向上彎曲)，並可抑制設置在FPC 4324上的訊號線驅動器電路4323之破裂的發生。
應力集中區域4326可設置在支撐部4308的內側或外側。例如，在將支撐部4308設置成接近顯示面板4311的情形中，應力集中區域4326設置在支撐部4308的外側較佳(例如，在支撐部4308及顯示部4301之間)。
其次，使用圖3A至3C以描述與圖2A至2C中的顯示裝置不同之顯示裝置的結構。圖3A係該顯示裝置的平面圖，圖3B係沿著圖3A之線A2-B2取得的橫剖面圖，且圖3C係橫剖面的詳細示意圖。
圖3A至3C描繪藉由玻璃覆晶接合(COG)法將訊號線驅動器電路4323形成於其中之IC載置在顯示面板4311上的情形。更具體地說，將用於控制顯示部4301的訊號線驅動器電路4323設置在包括在顯示面板4311中的元件基材4331上，並經由FPC 4324將訊號線驅動器電路4323電性連接至印刷板4325。
如圖3A至3C所示，與圖2A至2C之情形相似，在該訊號線驅動器電路設置在該顯示面板上的情形中，將應力集中區域4326設置於顯示面板4311為佳。在此情形中，將應力集中區域4326設置在與設置訊號線驅動器電路4323之區域不同的區域(設置成避免)為佳。例如，當應力集中區域4326設置在密封基材4332側上時，可減少當顯示面板4311彎曲時施加至訊號線驅動器電路4323的應力並可抑制訊號線驅動器電路4323之破裂的發生。
其次，使用圖4A至4C以描述與圖2A至2C及圖3A至3C中的顯示裝置不同之顯示裝置的結構。圖4A係該顯示裝置的平面圖，圖4B係沿著圖4A之線A3-B3取得的橫剖面圖，且圖4C係橫剖面的詳細示意圖。
圖4A至4C描繪在將電路，諸如訊號線驅動器電路，形成於其中的IC設置在印刷板上之情形，且該印刷 板及顯示面板與FPC連接。更具體地說，用於控制顯示部4301的訊號線驅動器電路4323係設置在印刷板4327上，且顯示面板4311及訊號線驅動器電路4323係經由FPC 4324彼此電性連接。
在圖4A至4C中，顯示面板4311可使用FPC 4324彎曲，且因此無須將應力集中區域設置於顯示面板4311。
其次，使用圖5描述支撐部4308及設置於支撐部4308的電路之組態的範例。
圖5描繪將包括訊號線驅動器電路的顯示控制部200併入支撐部4308中的情形。此種電路可使用以SOI基材、或半導體基材，諸如矽基材，等形成的IC形成。
顯示控制部200可包括CPU 201、記憶體部203、電源饋送部205、電源供應電路207、影像訊號產生電路215、訊號線驅動器電路4323、及操作部219等。此等組件可經由介面等彼此連接。顯示控制部200電性連接至顯示面板4311。雖然在此情形中將操作部219設置在支撐部4308中，操作部219可設置在顯示面板4311上。
CPU 201控制整體顯示裝置的操作。
待顯示於顯示部4301的資料係從外部裝置輸入至資料輸入部211。須注意資料輸入部211可能包括用於傳輸資料至外部裝置或自其接收資料的天線216。在該情形中，資料輸入部211具有將藉由天線216接收之資料或儲存在記憶體媒體(外部記憶體213)中的資料傳輸至內部記 憶體209的功能。
記憶體部203可包括內部記憶體209、資料輸入部211、以及外部記憶體213。可將待顯示在顯示部4301上的資料、或用於操作該顯示裝置的程式等記錄在內部記憶體209、資料輸入部211、及外部記憶體213中。
內部記憶體209包括在來自電源饋送部205、或操作部219等之訊號的基礎上，用於儲存處理輸出至影像訊號產生電路215及/或電源供應電路207之訊號的程式、或從該資料輸入部211轉移之資料等的記憶體部。將DRAM(動態隨機存取記憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)、遮罩ROM(唯讀記憶體)、及PROM(可程式化唯讀記憶體)等提供為內部記憶體209的範例。
將記憶體媒體，諸如IC卡或記憶卡，提供為外部記憶體213的範例。
電源饋送部205包括二次電池、及電容器等。例如，當將鋰電池(較佳)、使用凝膠電解質之鋰聚合物電池、或鋰離子電池等使用為二次電池時，減少電源饋送部205的尺寸係可能的。不消說，只要其可充電，可使用任何電池，並可能使用可充放電之電池，諸如鎳金屬氫化物電池、鎘-鎳電池、有機基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳-鋅電池、或銀-鋅電池。可將雙電層電容器、鋰離子電容器、或具有高電容之其他電容器等使用為該電容器。使用該電容器為佳，因為既使充放電的次數增加，較不可能衰減，且在快速充電時係優秀的。電源饋送部205 的形狀可能係薄片狀、圓筒狀、稜狀、板狀、或硬幣狀等，其可視情況選擇。
另外，電源饋送部205可具有在其中電力係無線地供應的結構。在該情形中，可能將天線設置於電源饋送部205。
電源供應電路207係依據CPU 201之控制用於控制至顯示元件之電源供應的電路，以在顯示面板4311上實施顯示/非顯示。
操作部219可能設有鍵盤、或操作鍵等。在操作部219設置於顯示面板4311的情形中，顯示部4301的功能可如同觸控顯示器，使得該顯示部的功能可如同操作部。
圖5中描繪將顯示控制部200併入支撐部4308中的該結構，並可能另外設置所謂的電源裝置，諸如切換電源或DC-DC轉換器。
另外，在圖5所描繪的該顯示裝置中，藉由操作部219的操作，可實施顯示之電源輸入及切換。該顯示裝置可能具有在其中顯示部4301的功能如同觸控顯示器之結構，以藉由用手指或輸入筆的碰觸操作。
如上文所述，藉由將顯示控制部200併入支撐部4308，顯示控制部200可藉由外殼保護。另外，可減少該顯示裝置的厚度。
在實施例1及2中，將掃描線驅動器電路4321a及4321b沿著顯示部4301設置在顯示面板4311上；且本發明並未受限於此。
例如，如圖6A所描繪的，在顯示面板4311中，可設置掃描線驅動器電路4321a及4321b，使得掃描線驅動器電路4321a及4321b及支撐部4308之間的距離大於顯示部4301及支撐部4308之間的距離。通常，包括在掃描線驅動器電路4321a及4321b各者中的元件密度高於在該像素電路中的元件密度；因此，將掃描線驅動器電路4321a及4321b設置成遠離顯示面板4311的彎曲部位使抑制掃描線驅動器電路4321a及4321b之破裂的發生變得可能。
如圖6B及6C所描繪的，可能將掃描線驅動器電路4321a及4321b各者分割為掃描線驅動器電路之複數個電路部，並可能將掃描線驅動器電路的該等複數個電路部設置成彼此分隔；因此，即使在顯示面板4311彎曲的情形中，可減少施加至掃描線驅動器電路4321a及4321b的應力且可抑制掃描線驅動器電路4321a及4321b之破裂的發生。在圖6B中，將掃描線驅動器電路4321a及4321b各者分割為掃描線驅動器電路的二電路部。在圖6C中，將掃描線驅動器電路4321a及4321b各者分割為掃描線驅動器電路的四電路部。各掃描線驅動器電路的分割數量並未受限於此。
如圖6D所描繪的，可能將掃描線驅動器電路(掃描線驅動器電路4321a及掃描線驅動器電路4321b之其中一者)設置在顯示面板4311的一終端部。此使減少該顯示裝置的框尺寸變得可能。
實施例2可與描述於其他實施例中的任何結構適當地 組合而實作。
[實施例3]
在此實施例中，將使用圖7A及7B、8A至8C、9A至9C、以及10A至10C描述上述實施例在將包括可撓顯示面板之顯示裝置彎曲以待使用的情形中之功能效果的範例。
首先，將提供分別描繪於圖7A及7B中的使用者使用該顯示裝置之情形的前平面圖及頂平面圖之描述。
描繪於圖7A中的該顯示裝置包括顯示面板4311及支撐部4308。顯示面板4311包括顯示部4301，且顯示部4301上的顯示係由用於供應掃描訊號至顯示部4301的掃描線驅動器電路4321及用於供應影像訊號至顯示部4301之訊號線驅動器電路4323所控制。在圖7A中，也描繪掌握支撐部4308之使用者的手4350。此外，在圖7A之前平面圖中，也描繪當觀看圖7B之頂平面圖時的視線。
在圖7B所示之頂平面圖中，描繪顯示面板4311及支撐部4308。如圖7B所描繪的，當使用者使用他/她的手4350使用該顯示裝置時，在該可撓顯示面板中，彎曲部(在下文中指稱為彎曲部C)在藉由箭號C指示的範圍中形成，且非彎曲部(在下文中指稱為非彎曲部D)在藉由箭號D指示的範圍中形成。
須注意在圖7B中，將顯示面板4311的彎曲部C放置在接近支撐部4308之該側上並將非彎曲部D放置在遠 離支撐部4308的該側上之情形的描述提供為範例。該彎曲狀態取決於支撐部4308之結構及該顯示面板的基座材料而在彎曲部C及非彎曲部D之間不同。因此，可能將彎曲部C放置在遠離支撐部4308的該側上而可能將非彎曲部D放置在接近支撐部4308的該側上。
該顯示裝置具有顯示面板4311係藉由支撐部4308支撐的結構；因此，彎曲部C及非彎曲部D在正交於或實質正交於支撐部4308之延伸方向的方向上(在圖7B中以箭號7002指示)形成在顯示面板4311中。因此，如此設置的訊號線驅動器電路4323不能防止在正交於或實質正交於支撐部4308之方向上的彎曲，並可防止訊號線驅動器電路4323之破裂的發生。此外，相較於掃描線驅動器電路4321設置於支撐部4308的情形，在平行於或實質平行於支撐部4308的方向上設置在該顯示面板之邊緣部的掃描線驅動器電路4321可經由與製造該顯示部之製程相同的製程製造，其導致成本降低及牽引至該顯示部之佈線縮減。須注意可能設置複數個彎曲部C及/或複數個非彎曲部D，且彎曲部C及非彎曲部D可能交錯地設置。應力集中區域可能設置於該顯示面板，使得彎曲部C及非彎曲部D可能人工地形成。
其次，將提供掃描線驅動器電路4321相關於彎曲部C及非彎曲部D之配置的描述。圖8A至8C係與圖7A相似之當使用該顯示裝置時的前平面圖。
在圖8A中，提供將彎曲部C放置在接近支撐部4308 之該側上並將非彎曲部D放置在遠離支撐部4308的該側上之情形的描述。因此，將掃描線驅動器電路4321設置成使得非彎曲部D放置在遠離支撐部4308的該側上。掃描訊號可能藉由自掃描線驅動器電路4321延伸之佈線牽引至該顯示部的各掃描線而供應至該顯示部中的像素TFT 4352。用於驅動掃描線驅動器電路4321的控制訊號，諸如時鐘訊號，可能經由從支撐部4308中的影像訊號產生電路延伸的佈線供應。用於在電路之間電性連接的佈線係藉由金屬膜之微製造等形成，且包括在該掃描線驅動器電路中的電晶體之半導體膜係使用半導體材料形成，諸如矽膜。金屬膜的展延性高於半導體材料的展延性，且該金屬膜比該半導體材料更少由於彎曲而受損。因此，將連接至掃描線驅動器電路的佈線設置在對應於彎曲部C的部位中，並將包括在掃描線驅動器電路中的電晶體設置在對應於非彎曲部D的部位中，從而可抑制由彎曲所導致的該電晶體之半導體膜的損壞。因此，藉由將掃描線驅動器電路4321配置成如圖8A所示，可抑制電路之破裂在使用者使用他/她的手4350使用該顯示裝置時發生。
圖8B顯示彎曲部C及非彎曲部D從接近支撐部4308的該側交錯地設置至遠離該處之該側的結構。因此，掃描線驅動器電路4321係藉由將驅動器電路設置至驅動器電路之複數個電路部中並將彼等佈置成在非彎曲部D中彼此分隔而設置。掃描訊號可能藉由自掃描線驅動器電路4321延伸之佈線的牽引而供應至該顯示部中的像素TFT 4352。用於驅動掃描線驅動器電路4321的控制訊號，諸如時鐘訊號，可能經由從支撐部4308中的影像訊號產生電路延伸的佈線供應。於包括在該掃描線驅動器電路中的脈衝訊號產生電路，諸如正反器，之間傳輸的訊號可能經由佈線供應。用於在電路之間電性連接的佈線係藉由金屬膜之微製造等形成，且包括在該掃描線驅動器電路中的電晶體之半導體膜係使用半導體材料形成，諸如矽膜。金屬膜的展延性高於半導體材料的展延性，且該金屬膜比該半導體材料更少由於彎曲而受損。因此，將連接至掃描線驅動器電路的佈線設置在對應於彎曲部C的部位中，並將包括在掃描線驅動器電路中的電晶體設置在對應於非彎曲部D的部位中，從而可減少由彎曲所導致的該電晶體之半導體膜的損壞。另外，在圖8B中，將該驅動器電路分割為驅動器電路的複數個電路部並將彼等設置成彼此分隔；因此可將彎曲時施加至該掃描線驅動器電路的應力分散。因此，藉由將掃描線驅動器電路4321配置成如圖8B所示，可更有效地抑制電路之破裂在使用者使用他/她的手4350使用該顯示裝置時發生。
在圖8B中，掃描線驅動器電路4321可能設置於顯示面板4311之顯示部的上部及底部，作為掃描線驅動器電路4321a及掃描線驅動器電路4321b，以產生冗餘或將輸出掃描訊號的功能分散。圖8C係在其中該等掃描線驅動器電路設置於該顯示面板的上部及底部之該顯示面板的圖。供應至像素TFT 4352的掃描訊號係藉由設置於該顯 示面板之上部及底部的掃描線驅動器電路4321a及掃描線驅動器電路4321b供應，因此可減少包括在該掃描線驅動器電路中的脈衝訊號產生電路，諸如正反器；因此，可抑制電路之破裂在使用者使用他/她的手4350使用該顯示裝置時發生。
通過以上對圖8B及8C中的具體範例的說明，描述掃描線驅動器電路未設置在對應於彎曲部C的區域中而設置在對應於非彎曲部D之區域中之情形的優點。使用此等結構，可抑制在彎曲時施加至該掃描線驅動器電路的應力，使得可抑制電路破裂在使用者使用他/她的手4350使用該顯示裝置時發生。
其次，在如圖8B及8C所描繪之在將該等驅動器電路分割為掃描線驅動器電路之複數個電路部並將彼等彼此分隔的情形中，在圖9A至9C以及圖10A至10C中描繪用於在該顯示面板中人工地形成彎曲部C及非彎曲部D之應力集中區域的範例。圖9A係該顯示裝置的平面圖，圖9B及9C係沿著圖9A之線E1-F1的橫剖面圖範例。圖10A係該顯示裝置的平面圖，圖10B及10C係沿著圖10A之線E2-F2的橫剖面圖範例。
在圖9A中，顯示顯示面板4311、支撐部4308、顯示部4301、掃描線驅動器電路4321、以及訊號線驅動器電路4323。將掃描線驅動器電路4321分割為掃描線驅動器電路的二電路部，且彼等以插於其間的佈線920彼此分隔。將應力集中區域921形成為覆蓋佈線920為佳。圖 9B係在正交於該支撐部之方向上的橫剖面圖；作為範例，將切割部922a及切割部922b分別設置於在覆蓋佈線920之應力集中區域921中的密封基材923及元件基材924。如圖9C所示，可能將強化板925附接至元件基材924及密封基材923的掃描線驅動器電路4321上，使得切割部922a及切割部922b形成。可能將切割部922a及切割部922b設置成平行於支撐部4308的長軸方向，或可能部分地設置。
該應力集中區域意謂著將藉由切割等導致的材料應變、或由於材料附接等導致的對抗彎曲及/或延伸之強度改變等形成的應力集中的區域。
該掃描線驅動器電路的分割意謂著藉由用於佈線牽引之區域分割包括電路元件，諸如TFT，及佈線之重複佈置的區域。
在圖10A中，與圖9A相似，顯示顯示面板4311、支撐部4308、顯示部4301、掃描線驅動器電路4321、以及訊號線驅動器電路4323。訊號線驅動器電路4323係藉由分割為訊號線驅動器電路之四個電路部並藉由將彼等佈置成以插於其間之佈線920彼此分隔而設置。將應力集中區域921形成為覆蓋該等複數條佈線920為佳。圖10B係在正交於該支撐部之方向上的橫剖面圖；作為範例，將複數個切割部922a及複數個切割部922b分別設置於在覆蓋佈線920之應力集中區域921中的密封基材923及元件基材924。如圖10C所示，可能將強化板925附接至元件基材 924及密封基材923的掃描線驅動器電路4321上，使得複數個切割部922a及複數個切割部922b形成。可能將複數個切割部922a及複數個切割部922b設置成平行於支撐部4308的長軸方向，或可能部分地設置。
圖9A至9C及圖10A至10C所示之該等掃描線驅動器電路的分割數量係用於描述的範例；視設置情況分割該掃描線驅動器電路。
如上文所述，根據此實施例的一結構，可更有效地抑制掃描線驅動器電路的破裂在顯示裝置使用時發生。另外，根據此實施例之一結構，應力集中區域係藉由切割部等預先設置於顯示面板，使得可更有效地抑制掃描線驅動器電路的破裂發生。
實施例3可與描述於其他實施例中的任何結構適當地組合而實作。
[實施例4]
在實施例4中，描述設置於顯示裝置之顯示面板的範例。可施用包括任何顯示元件的各種顯示面板，且該顯示面板可能係被動矩陣型或主動矩陣型之其中一者。
可將電子紙、發光顯示面板(電致發光面板)、或液晶顯示面板等使用為該顯示面板。該顯示面板係將顯示元件密封於其中，且連接器，諸如可撓印刷板(FPC)、捲帶自動接合(TAB)捲帶、或捲帶載體包裝(TCP)，附接至其，且包括訊號線驅動器電路之外部電路電性連接至其的面板。 包括訊號線驅動器電路的IC可能藉由玻璃覆晶接合(COG)載置在該顯示面板上。
可能將在二側上實施顯示之雙顯示面板或在一側上實施顯示的單側顯示面板之其中一者使用為顯示面板4311。可能將雙發光型顯示面板使用為或可能附接二個一側發光型顯示面板以使用為該雙顯示型面板。可能使用具有設置於其間之背光的二液晶顯示面板(較佳地，薄EL面板)。
於圖11A至11C中描繪可應用於顯示面板4311之該雙顯示型面板的範例。須注意在圖11A至11C中，各箭號指示擷取發射光的方向。
圖11A描繪顯示元件102設置在基材100及基材101之間，且第一顯示部4302及第二顯示部4310分別設置在基材100側上及基材101側上的顯示面板4313。顯示係藉由顯示元件102在第一顯示部4302及第二顯示部4310上實施；因此，基材100及101具有光透射性質。將係自發光發光元件的EL元件使用為顯示元件102為佳。在使用進入顯示面板4313之光的情形中，可將液晶顯示元件或電泳顯示元件使用為顯示元件102。
圖11B描繪將顯示元件114設置在基材110及基材112之間的單側顯示面板及顯示元件115設置在基材111及基材113之間的單側顯示面板堆疊於其中，並將第一顯示部4302及第二顯示部4310分別設置在基材100側及基材101側上的顯示面板4313。顯示係藉由顯示元件114 及顯示元件115分別在第一顯示部4302及第二顯示部4310上實施；因此，基材110及111具有光透射性質。相反地，基材112及基材113不必具有光透射性質，但可能具有光反射性質。該等單側顯示面板可能藉由使用黏合層黏合基材112及113而彼此附接。可能設置基材112及基材113之其中一者。
將EL元件使用為顯示元件114和顯示元件115為佳。在使用進入顯示面板4313之光的情形中，可將液晶顯示元件或電泳顯示元件使用為顯示元件114及顯示元件115各者。為增強該光擷取效率，將反射顯示面板使用為該單側顯示面板為佳。
可能將背光設置在光透射液晶顯示面板之間，使得顯示面板4313形成。圖11C描繪在將顯示元件124設置在基材120及122之間的光透射液晶顯示面板及顯示元件125設置在基材121及基材123之間的光透射液晶顯示面板與設置於其間之功能如同光源的背光126堆疊，並將第一顯示部4302及第二顯示部4310分別設置在基材120側上及基材121側上的顯示面板4313。顯示係藉由來自背光126之光及顯示元件124在第一顯示部4302上實施，且顯示係藉由來自背光126之光及顯示元件125在第二顯示部4310上實施；因此基材120、121、122、以及123具有光透射性質。
背光之附接可能藉由使用黏合層的黏合而實施。可能設置基材122及基材123之其中一者。將薄EL面板使用 為背光126為佳，因為可減少顯示面板4313的厚度。
在單側顯示面板的情形中，將非光透射或反射外殼設置在未設置顯示部的該側為佳，因為可強化該顯示面板。
在下文中使用圖12A及12B、13、14、以及16描述該顯示面板的模式。圖12A及12B、13、14、以及16對應於沿著圖4A中的線M-N取得之橫剖面圖。圖12A及12B、13、14、以及16係將FPC 4324附接至包括顯示部4301之顯示面板4311，該顯示部包括像素電路及掃描線驅動器電路4321a；將設置在元件基材4331上方的顯示部4301及掃描線驅動器電路4321a使用密封基材4332藉由密封劑4005密封之情形的範例。
如圖12A及12B、以及圖13、14、以及16所示，顯示面板4311包括連接終端電極4015及終端電極4016，且連接終端電極4015及終端電極4016經由各向異性導電膜4019電性連接至包括在FPC 4324中的終端。
連接終端電極4015係使用與第一電極層4030相同的導電膜形成，且終端電極4016係使用與包括在薄膜電晶體4010及4011中之源極及汲極電極層各者相同的導電膜形成。
另外，如圖4A至4C所示，使用單晶半導體膜或多晶半導體膜形成在基材上方的訊號線驅動器電路4323係藉由FPC載置，以設置於支撐部4308。各種訊號及電位係從FPC 4324供應至訊號線驅動器電路4323、掃描線驅動器電路4321a、以及顯示部4301。
須注意訊號線驅動器電路4323的連接方法並無特別限制：可使用COG法、佈線結合法、或TAB法等。
設置在元件基材4331上方的顯示部4301及掃描線驅動器電路4321a各者包括複數個薄膜電晶體；在圖12A及12B、以及圖13、14、及16中，描繪包括在顯示部4301中的薄膜電晶體4010及包括在掃描線驅動器電路4321a中的薄膜電晶體4011。將絕緣層4020及4021設置在薄膜電晶體4010及4011的上方。絕緣膜4023係作為基膜使用之絕緣膜。
可將各種薄膜電晶體施用為薄膜電晶體4010及4011而無特別限制。圖12A及12B、以及圖13、14、及16各者描繪將具有底閘極結構之反交錯薄膜電晶體使用為薄膜電晶體4010及4011的範例。雖然薄膜電晶體4010及4011在該等圖式中係通道蝕刻薄膜電晶體，可能使用將通道保護膜設置在半導體層上方之通道保護反交錯薄膜電晶體。
在該顯示面板中，包括在顯示部4301中的薄膜電晶體4010係電性連接至顯示元件。只要可實施顯示，可將各種顯示元件使用為該顯示元件。
可將電子紙使用為顯示面板。至於該電子紙，有許多類型：將電場、磁場、光、或熱等使用在影像寫入方法中；以及將形狀或位置的改變、或實體改變等用於顯示媒體的改變。例如，可將扭轉向列球型、電泳型、粉末系統型(也稱為調色劑顯示)、及液晶型等提供為其之範例。
圖12A及12B以及圖16描繪將主動矩陣電子紙使用為顯示面板4311之情形的範例。電子紙具有，諸如與紙質媒體一樣高的可讀性、比其他顯示面板低的電源消耗、以及輕薄形式之優點。
圖12A及12B以及圖16將主動矩陣電子紙描繪為該顯示面板的範例。
圖12A中的電子紙係使用扭轉向列球顯示法之顯示裝置的範例。該扭轉向列球顯示法係指將黑白著色之球形粒子各者配置在包括在顯示元件中的電極層之間，且在該等電極層之間產生電位差，以控制該等球形粒子之定位，使得顯示實施之方法。
在連接至薄膜電晶體4010之第一電極層4030及設置於密封基材4332的第二電極層4031之間，設置包括黑色區域4615a、白色區域4615b之球形粒子4613，以及以圍繞黑色區域4615a及白色區域4615b之液體填充的洞4612。球形粒子4613周圍的空間係以填充劑4614填充，諸如樹脂。第二電極層4031對應於共同電極(對向電極)。第二電極層4031電性連接至共同電位線。
可使用電泳元件取代扭轉向列球。於圖12B中描繪將電泳元件使用為顯示元件之情形的範例。使用具有直徑約10μm至200μm之各微膠囊4713，其中封裝透明液體4712、作為第一粒子之負充電黑色微粒4715a、及作為第二粒子的正充電白色微粒4715b。
在設置於第一電極層4030及第二電極層4031之間的 微膠囊4713中，當藉由第一電極層4030及第二電極層4031施加電場時，白色微粒4715b及黑色微粒4715a移至彼此相反的方向，使得可顯示白色或黑色。使用此原理的顯示元件係電泳顯示元件。電泳顯示元件具有高反射性，且因此，不需要輔助光、電源消耗低、且顯示部可在昏暗處辨視。此外，即使當未供應電源至該顯示部時，可維持已顯示影像。因此，可儲存已顯示影像，即使當該顯示面板與電波源遠離時。
須注意第一粒子及第二粒子各者包含色素且在無電場時不移動。此外，第一粒子及第二粒子的顏色彼此不同(彼等之其中一者的顏色可能係無色)。
將上述微膠囊散佈於溶劑中的溶液指稱為電子墨水。此電子墨水可列印在玻璃、塑膠、布、或紙等的表面上。此外，彩色顯示可藉由使用彩色濾波器或具有色素之粒子實施。
須注意該等微膠囊中的該等第一粒子及該等第二粒子可能使用選自導電材料、絕緣材料、半導體材料、磁性材料、液晶材料、鐵電材料、電致發光材料、電色材料、以及電泳材料之單一材料、或彼等任一者之複合材料形成。
可將電子液態粉末(註冊商標)用於使用液態粉末的電子紙。於圖16中描繪將電子液態粉末使用為顯示元件之情形的範例。正充電黑色液態粉末4815a及負充電白色液態粉末4815b包含在藉由第一電極層4030、第二電極層4031、以及肋條4814分段之空間4812中。以空氣填充空 間4812。
當藉由第一電極層4030及第二電極層4031施加電場時，黑色液態粉末4815a及白色液態粉末4815b在彼此相反的方向上移動，使得可顯示白色或黑色。可能使用紅色、黃色、及/或藍色之彩色粉末作為該液態粉末。
可能將使用電致發光的發光元件(EL元件)使用為該顯示元件。使用電致發光的發光元件係根據發光材料是否係有機化合物或無機化合物而分類；通常，前者稱為有機EL元件，而後者稱為無機EL元件。
在有機EL元件中，藉由將電壓施加至發光元件，使得電子及電洞從一對電極注入至含發光有機化合物的層中，因此電流流動。此等載子(電子及電洞)再結合，且因此該發光有機化合物受激發。該發光有機化合物從激發態回到基態，因此發射光。因為此種機制，將此發光元件稱為電流激發發光元件。
無機EL元件係根據彼等之元件結構而分類為分散型無機EL元件及薄膜無機EL元件。分散型無機EL元件包括發光層，其中發光材料的粒子分散在黏結劑中，且其發光機制係使用施體能階及受體能階的施體-受體重結合型發光。薄膜無機EL元件具有發光層包夾在介電層之間的結構，其另外包夾在電極之間，且其發光機制係使用金屬離子之內層電子變遷的局部型發光。產生於此處的描述將有機EL元件使用為發光元件。
為了擷取從該發光元件發射之光，該對電極之至少一 者係透明的。將薄膜電晶體及發光元件形成在基材上方。可施用具有下列結構之任何發光元件：頂發射結構，其中發射光係經由與該基材相對的該表面得到；底發射結構，其中發射光係經由該基材側上的表面得到；及雙重發射結構，其中發射光係經由與該基材相對之該表面以及該基材側上的表面得到等。
於圖13中描繪將發光顯示面板(EL面板)使用為顯示面板4311之情形的範例。將係顯示元件之發光元件4513電性連接至設置在顯示部4301中的薄膜電晶體4010。發光元件4513的結構並未受限於圖13所示之包括第一電極層4030、電致發光層4511、以及第二電極層4031的堆疊層結構。發光元件4513的結構可依據自發光元件4513得到光的方向等而視情況改變。
分隔壁4510係使用有機樹脂膜、無機絕緣膜、或有機聚矽氧烷形成。分隔壁4510使用光敏材料形成以在第一電極層4030上方具有開口部，使得該開口部的側壁形成為具有連續曲率之傾斜表面特佳。
電致發光層4511可能使用單層或堆疊之複數層而形成。
可能將保護膜形成在第二電極層4031及分隔壁4510上方，以防止氧、氫、濕氣、或二氧化碳等進入發光元件4513。可將氮化矽膜、氮化氧化矽膜、或DLC膜等形成為該保護膜。將填充劑4514設置在以元件基材4331、密封基材4332、以及密封劑4005密封的空間中，以嚴密地 密封。面板使用保護膜(諸如層壓膜或紫外光固化樹脂膜)或具有高氣密性及些許脫氣性的覆蓋材料封裝(密封)，使得該面板以此方式不曝露在外側空氣中為佳。
紫外光固化樹脂或熱固樹脂可連同惰性氣體(諸如，氮或氬)使用為填充劑4514。例如，可使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚醯亞胺、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、PVB(聚乙烯縮丁醛)、或EVA(乙烯醋酸乙烯酯)。例如，將氮用作該填充劑。
此外，若有必要，可視情況將光學膜設置在該發光元件的發光表面上，諸如偏振板、圓形偏振板(包括橢圓形偏振板)、延遲板(四分之一波板或二分之一波板)、或彩色濾波器。另外，該偏振板或該圓形偏振板可能設有抗反射膜。例如，可實施反射光係藉由表面上的粗糙性而散射以減少該閃爍之抗閃爍處理。
於圖14中描繪將液晶面板使用為顯示面板4311之情形的範例。在圖14中，液晶元件4013係包括第一電極層4030、第二電極層4031、以及液晶層4008的顯示元件。設置作為定向膜使用的絕緣膜4032及4033，以將液晶層4008保持於其間。將第二電極層4031設置在密封基材4332側上，並將第一電極層4030及第二電極層4031與設置於其間的液晶層4008堆疊。
參考數字4035指示藉由選擇性地蝕刻該絕緣膜而形成的圓柱形分隔器，並設置圓柱形分隔器4035，以控制液晶層4008的厚度(胞元間隙)。也可能使用球形間隔 器。
雖然末圖示於圖14的液晶顯示裝置中，視情況設置彩色濾波器(著色層)、黑色矩陣(光屏蔽層)、光學構件(光學基材)，諸如偏振構件、延遲構件、或抗反射構件等。例如，可能使用藉由使用偏振基材及延遲基材的圓形偏振。可能將背光、或側光等使用為光源；在小厚度之點中將EL面板使用為背光為佳。
可能使用無需對準膜之呈現藍相的液晶。藍相係液晶相之一，當膽固醇狀液晶之溫度增加時，其在膽固醇相改變為各向同性相之前產生。因為該藍相在窄溫度範圍內產生，將包含5重量百分比或以上以改善該溫度範圍之掌性劑的液晶組成物用於液晶層4008。包括呈現藍相之液晶及掌性劑的液晶組成物具有短至10μs至100μs的反應時間。另外，該液晶組成物具有光學各向同性。因此，對準處理係不必要的且視角上的依存性較少。
雖然圖14描繪光透射液晶顯示面板的範例，本發明也可施用於反射液晶顯示面板或半光透明液晶顯示面板。
在圖12A及12B、以及圖13、14、及16中，可將具有光透射性質的塑膠使用為元件基材4331及密封基材4332各者。可將玻璃纖維強化塑膠(FRP)板、聚氟乙烯(PVF)膜、聚酯膜、或丙烯酸樹脂膜使用為該塑膠。可使用具有將鋁箔夾於PVF膜或聚酯膜間之結構的薄片。
絕緣層4020作為薄膜電晶體的保護膜使用。
設置該保護膜以防止污染雜質進入，諸如有機物質、 金屬、或存在於空氣中的濕氣，且其係緻密膜為佳。該保護膜可能藉由濺鍍法使用氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氮氧化鋁膜、或氮化氧化鋁膜之單層或彼等的堆疊層形成。
作為平坦化絕緣膜使用的絕緣層4021可使用具有耐熱性之有機材料形成，諸如丙烯酸、聚醯亞胺、苯環丁烯、聚醯胺、或環氧樹脂。除了此等有機材料以外，也可能使用低介電常數材料(低k材料)、矽氧烷基樹脂、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、或硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)等。該絕緣層可能藉由用此等材料之任一者堆疊複數層絕緣膜而形成。
形成絕緣層4020及4021的方法並無特別限制：取決於其之材料，可使用濺鍍法、SOG法、旋轉塗佈、浸漬、噴濺塗佈、液滴排放法(例如，噴墨法、絲網列印、或平版印刷)、刮刀、滾筒塗佈機、簾幕塗佈機、或刮刀塗佈機等。在該絕緣層係使用材料溶液形成的情形中，該半導體層可能與烘焙步驟同時退火(以200℃至400℃)；當烘焙絕緣層的步驟及退火該半導體層之步驟係同時實施時，該顯示面板可有效率地製造。
該顯示面板藉由透射來自光源或顯示元件的光而顯示影像。因此，設置於透射光之該顯示部的該等基材及該等薄膜，諸如絕緣膜及導電膜，具有相關於可見光波長範圍中之光的光透射性質。
用於施加電壓至該顯示元件的第一電極層4030及第二電極層4031(彼等各者可能稱為像素電極層、共同電極 層、或對向電極層等)可能具有光透射性質或光反射性質，其取決於擷取光之方向、該電極層設置的位置、及該電極層的型樣結構等。
第一電極層4030及第二電極層4031各者可使用光透射導電材料形成，諸如含氧化鎢的氧化銦、含氧化鎢的氧化銦鋅、含氧化鈦的氧化銦、含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(在下文中指稱為ITO)、氧化銦鋅、或將二氧化矽加至其的氧化銦錫。
第一電極層4030及第二電極層4031各者可使用選自，諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、或銀(Ag)，之一種或複數種的金屬；或彼等之合金；及彼等之氮化物形成。
可將包含導電高分子(也稱為導電聚合物)的導電組成物包括在第一電極層4030及第二電極層4031中。可將所謂的π-電子複合導電聚合物使用為該導電高分子。例如，可使用聚苯胺或其衍生物、聚砒咯或其衍生物、聚塞吩或其衍生物、二或多種此等材料的共聚物等。
因為薄膜電晶體易由於靜電等而破裂，設置用於保護驅動器電路之保護電路為佳。該保護電路包括非線性元件為佳。
實施例4可與描述於其他實施例中的任何結構適當地組合而實作。
[實施例5]
在實施例5中，將詳細地描述用於形成顯示裝置之材料及元件結構的範例。
將訊號線驅動器電路設置在支撐部中，且因此不必係可撓的。因此，將能以高速操作並將半導體基材(半導體晶圓)使用於其中的半導體積體電路晶片(IC)使用為該訊號線驅動器電路為佳。可將單晶半導體基材或多晶體半導體基材使用為該半導體基材；例如，使用半導體晶圓，諸如矽晶圓、或鍺晶圓，或砷化鎵、或磷化銦等的化合物半導體晶圓。
或者，可能將具有單晶半導體層設置在絕緣表面上之SOI結構的基材(SOI基材)用於該訊號線驅動器電路。該SOI基材可藉由氧佈植隔離(SIMOX)法或Smart-Cut(註冊商標)法形成。在該SIMOX法中，將氧離子佈植入單晶矽基材以在給定深度形成含氧層並實施熱處理，使得嵌入絕緣層在給定深度從該單晶矽基材的表面形成，因此將單晶矽層形成在該嵌入絕緣層中。在該Smart-Cut(註冊商標)法中，將氫離子佈植入氧化單晶矽基材中以在預定深度形成含氫層，將該氧化單晶矽基材附接至其他半導體基材(諸如，具有用於附接在其表面上之氧化矽膜的單晶體矽基材)，並實施熱處理以在該含氫層分離該單晶矽基材，使得該氧化矽膜及該單晶體矽層之堆疊層形成在該半導體基材上。
不僅可將場效應電晶體使用為設置在該顯示裝置之電 路部中的半導體元件，也可採用使用半導體層之記憶體元件；因此，可設置具有用於各種應用所需之功能的半導體積體電路。
只要將該掃描線驅動器電路及該顯示部設置在該顯示面板的可撓基材上方，設置掃描線驅動器電路及顯示部的方法並無特殊限制。該掃描線驅動器電路及該顯示部可能直接形成在該可撓基材上。或者，該掃描線驅動器電路及該顯示部可能形成在其他形成基材上，然後藉由分離法僅將元件層從該形成基材轉移至該可撓基材。例如，該掃描線驅動器電路及該顯示部可經由相同製程形成在該形成基材上並轉移至該顯示面板的可撓基材。在該情形中，因為該掃描線驅動器電路及該顯示部係經由相同製程形成，從降低成本的觀點，使用具有相同結構及材料的電晶體形成彼等為佳。因此，包括在該掃描線驅動器電路及該顯示部中的電晶體之通道層係使用相同材料形成。
或者，可能實施從形成基材至可撓支撐基材的轉移，然後可能將該整體可撓支撐基材附接至該顯示面板的基材。例如，可能將複數個掃描線驅動器電路形成在該形成基材上方並轉移至該可撓支撐基材，然後隨著該可撓支撐基材的分割，將該等複數個掃描線驅動器電路個別地分離，且設置在該可撓支撐基材上方的該掃描線驅動器電路可能如所需一樣多地附接至一顯示面板。在該情形中，因為該掃描線驅動器電路及該顯示部係經由不同製程形成，可使用具有不同結構及材料之電晶體。
可能結合上述轉移法及直接形成法。例如，用於電性連接顯示部、掃描線驅動器電路、及FPC等的佈線可能藉由印刷法等直接形成在顯示面板的可撓基材上。
該形成基材可能取決於該元件層的形成處理而視情況選擇。例如，可將玻璃基材、石英基材、藍寶石基材、陶瓷基材、或具有絕緣層在其表面上的金屬基材使用為該形成基材。也可能使用對該處理溫度具有耐熱性的塑膠基材。
可將醯胺樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂、聚醚碸樹脂(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、或聚醯亞胺(PI)樹脂等使用為該可撓基材。也可能使用其係在其中纖維以有機樹脂浸漬之結構體的預浸體。
將該元件層從該形成基材轉移至其他基材的方法並無特別限制；可使用各種方法。例如，分離層可能形成在該形成基材及該元件層之間。
在此說明書中，元件層在其分類中不僅包括設置在該元件基材側上的半導體元件層，也包括設置在該對向基材側上的對向電極層等。因此，該分離步驟可用於該元件基材側及該密封基材側二者。另外，從簡化製程的觀點，將該元件層從該形成基材轉移至該可撓基材，然後該製程可使用暫時附接至玻璃基材等的該可撓基材而繼續。
藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗佈法、或印刷法等將該分離層形成為具有單層結構或堆疊層結構，彼等包括使用元素形成之層，諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、 鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、或矽(Si)；或將該等元素之任一者包含為其主成份的合金材料或化合物材料。含矽層的晶體結構可能係非晶結構、微晶體結構、及多晶體結構之任何一者。此處的塗佈法在其分類中包括旋轉塗佈法、液滴排放法、及散佈法。
在該分離層具有單層結構的情形中，形成鎢層、鉬層、或含鎢及鉬的混合物之層為佳。或者，可能形成含鎢之氧化物或氮氧化物之層、含鉬之氧化物或氮氧化物之層、或含鎢及鉬之混合物的氧化物或氮氧化物之層。須注意鎢及鉬的該混合物，例如，對應於鎢及鉬的合金。
在該分離層具有堆疊層結構的情形中，將鎢層、鉬層、或含鎢及鉬的混合物之層形成為第一層，並將鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之氧化物、氮化物、氮氧化物、或氮化氧化物形成為第二層為佳。
在將該分離層形成為具有包括含鎢之層及含鎢的氧化物之層的堆疊層結構之情形中，可能首先形成含鎢之層，並將由氧化物形成之絕緣層形成於其上方，以在該鎢層及該絕緣層之間的介面形成含鎢之氧化物的層。此外，含鎢之層的表面可能受熱氧化處理、氧電漿處理、或使用強氧化溶液，諸如臭氧水，之處理，以形成含鎢之氧化物的層。電漿處理或熱處理可能在氧、氮、或一氧化二氮的單一氣體中，或上述氣體及其他氣體之混合氣體中實施。將相同方式施用至形成含鎢的氮化物、氮氧化物、或氮化氧 化物之層的情形中：在含鎢之層形成後，可能將氮化矽層、氮氧化矽層、或氮化氧化矽層形成於其上方。
須注意針對轉移該元件層至其他基材的該步驟，可視情況使用下列方法之任一者：將分離層形成在基材及元件層之間，將金屬氧化物膜設置在該分離層及該元件層之間、且該金屬氧化物膜係藉由晶體化而脆化，因此分離該元件層的方法；將含氫之非晶矽膜設置在具有高耐熱性的基材及元件層之間，並藉由雷射光照射或蝕刻移除該非晶矽膜，因此分離該元件層的方法；將分離層形成在基材及元件層之間，將金屬氧化物膜設置在該分離層及該元件層之間，該金屬氧化物膜藉由晶體化而脆化，藉由使用溶液或氟化鹵素氣體，諸如NF3、BrF3、或ClF3，的蝕刻移除部分分離層，然後該元件層在該已脆化金屬氧化物膜分離之方法；及將元件層形成於其上方之基材機械地移除或藉由使用溶液或氟化鹵素氣體，諸如NF3、BrF3、或ClF3，蝕刻而移除的方法等。或者，可能使用將含氮、氧、或氫等之膜(例如，含氫之非晶矽膜、含氫之合金膜、或含氧之合金膜)使用為分離層，且以雷射光照射該分離層以將包含在該分離層中的氮、氧、或氫釋放為氣體，從而促進該元件層及該基材之間的分離之方法。
上述分離法的組合使實施該轉移步驟更容易。換言之，藉由雷射照射、使用氣體、或溶液蝕刻該分離層、或使用利刃、或解剖刀機械移除該分離層等，而使分離層及元件層更容易分離之後，分離也可使用物理力實施(例 如，藉由機械等)。
該分離層及該元件層之間的介面可能使用液體滲透，使得該元件層從該基材分離。可將水等使用為該液體。
包括在本發明之顯示裝置中的薄膜電晶體之種類並無特別限制。因此，可將各種結構及半導體材料用於該等電晶體。
使用圖15A至15D描述薄膜電晶體之結構的範例。圖15A至15D描繪可施用為實施例5中之薄膜電晶體4010的薄膜電晶體之範例。
在圖15A至圖15D中，將絕緣膜4023形成在元件基材4331上方，並將薄膜電晶體4010a、4010b、4010c、以及4010d設置在絕緣膜4023上方。將絕緣層4020及4021形成在薄膜電晶體4010a、4010b、4010c、以及4010d各者上方，並將第一電極層4030設置成電性連接至薄膜電晶體4010a、4010b、4010c、以及4010d。
薄膜電晶體4010a具有在其中作為源極及汲極電極層使用的佈線層405a及405b與半導體層403接觸，無須插於描繪於圖12A及12B之薄膜電晶體4010其間的n+層的結構。
薄膜電晶體4010a係反交錯薄膜電晶體，其中將閘極電極層401、閘極絕緣層402、半導體層403、以及作為源極及汲極電極層使用的佈線層405a及405b設置在具有絕緣表面之元件基材4331及絕緣膜4023上方。
薄膜電晶體4010b係底閘極薄膜電晶體，其中將閘極 電極層401、閘極絕緣層402、作為源極及汲極電極層使用的佈線層405a及405b、作為源極及汲極區域使用之n+層404a及404b、以及半導體層403設置在具有絕緣表面之元件基材4331及絕緣膜4023上方。n+層404a及404b係具有比該半導體層403更低之電阻的半導體層。此外，將絕緣層4020設置成與半導體層403接觸，以覆蓋薄膜電晶體4010b。
可能將n+層404a及404b設置在閘極絕緣層402及佈線層405a及405b之間。可能將該等n+層設置在該閘極絕緣層及該等佈線層之間以及該等佈線層及該半導體層之間。
在薄膜電晶體4010b中，閘極絕緣層402存在於包括薄膜電晶體4010b的整體區域中，且閘極電極層401係設置在閘極絕緣層402及具有絕緣表面的元件基材4331之間。將佈線層405a及405b以及n+層404a及404b設置在閘極絕緣層402上方。此外，將半導體層403設置在閘極絕緣層402、佈線層405a及405b、以及n+層404a及404b上方。雖然未圖示，除了佈線層405a及405b以外，將佈線層設置在閘極絕緣層402上方，且該佈線層在半導體層403之周界下方延伸。
薄膜電晶體4010c具有在其中該源極及汲極電極層與該半導體接觸，無須在薄膜電晶體4010b中插於其間的n+層的結構。
在薄膜電晶體4010c中，閘極絕緣層402存在於包括 薄膜電晶體4010c的整體區域中，且閘電極層401係設置在閘極絕緣層402及具有絕緣表面的元件基材4331之間。將佈線層405a及405b設置在閘極絕緣層402上方。此外，將半導體層403設置在閘極絕緣層402及佈線層405a及405b上方。雖然未圖示，除了佈線層405a及405b以外，將佈線層設置在閘極絕緣層402上方，且該佈線層在半導體層403之周界下方延伸。
薄膜電晶體4010d係頂閘極薄膜電晶體且係平面薄膜電晶體的範例。將包括作為源極及汲極區域使用之n+層404a及404b的半導體層403形成在具有絕緣表面之元件基材4331及絕緣膜4023上方。將閘極絕緣層402形成在半導體層403上方，並將閘極電極層401形成在閘極絕緣層402上方。此外，將作為源極及汲極電極層使用之佈線層405a及405b形成為與n+層404a及404b接觸。n+層404a及404b係具有比該半導體層403更低之電阻的半導體層。
可能將頂閘極前向交錯薄膜電晶體使用為該薄膜電晶體。
雖然在此實施例中描述單閘極結構，可能使用多閘極結構，諸如雙閘極結構。在該情形中，閘極層可能設置在該半導體層之上及之下，或複數個閘極電極層可能設置在該半導體層(之上或之下)的一側上。
用於該半導體層的半導體材料並無特別限制。於下文描述用於該薄膜電晶體的半導體層之材料的範例。
可將下列各者之任何一者使用為用於形成包括在該半導體元件中之半導體層的材料：藉由使用典型為矽烷或鍺烷之半導體材料氣體的濺鍍法或氣相成長法形成之非晶半導體(在下文中，也指稱為「AS」)；藉由使用光能或熱能將該非晶半導體晶化而得到的多晶體半導體；及微晶體半導體(也指稱為半非晶或微晶半導體，在下文中，也指稱為「SAS」)等。該半導體層可藉由濺鍍法、LPCVD法、或電漿CVD法等沉積。
考慮吉布斯自由能，該微晶體半導體膜係在非晶狀態及單晶狀態之間的介穩狀態。換言之，該微晶體半導體係在第三態中，其在自由能量中係穩定的並具有短程規律性及晶格畸變。圓柱狀或針狀晶體在該基材之表面的法線方向上成長。微晶體矽，其係微晶體半導體的典型範例，的拉曼光譜位於比代表單晶矽之拉曼光譜的尖峰之520cm-1更低之波數。換言之，該微晶體矽之拉曼光譜的尖峰存在於代表單晶矽之520cm-1及代表非晶矽之480cm-1之間。此外，該微晶體矽包含至少1原子百分比或以上的氫或鹵素，以終結懸鍵。此外，該微晶體矽包含稀有氣體元素，諸如氦、氬、氪、或氖，以更行促進晶格畸變，從而可得到具有改善穩定性之良好微晶體半導體膜。
此微晶體半導體膜可藉由具有數十百萬赫茲至數百百萬赫茲之頻率的高頻電漿CVD法或具有1GHz或以上之頻率的微波電漿CVD設備形成。典型地，該微晶體半導體膜可用氫化矽，諸如SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、或 SiHCl3、或SiCl4或SiF4，及用於稀釋而加入之氫形成。或者，除了氫化矽及氫以外，該微晶體半導體膜可用用於稀釋而加入之選自氦、氬、氪、及氖的一或多種稀有氣體元素形成。在此種情形中，將氫對氫化矽的流動率比率設定為5：1至200：1，50：1至150：1較佳，且100：1更佳。
將氫化非晶矽提供為非晶半導體的典型範例，並將多晶矽等提供為晶體半導體的典型範例。多晶矽(多晶體矽)包括將在800℃或以上之製程溫度形成的多晶矽包含為其主成份之所謂的高溫多晶矽、將在600℃或以下之製程溫度形成的多晶矽包含為其主成份之所謂的低溫多晶矽、或藉由使用促進晶化之元素將非晶矽晶化而形成的多晶矽等。如上文所述，也可使用微晶體矽半導體或部分地包括晶體相之半導體。
可將化合物半導體，諸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、或SiGe，以及單一之矽(Si)或鍺(Ge)使用為該半導體材料。
在將晶體半導體膜使用為該半導體層的情形中，該晶體半導體膜可能藉由各種方法之任一者形成(例如雷射晶體化、熱晶體化、或使用促進晶體化之元素，諸如鎳，的熱晶體化)。係SAS之微晶體半導體可能藉由雷射光照射而晶體化，使得其結晶度可增強。在未加入促進晶體化之元素的情形中，在以雷射光照射之前，在氮氣體中將非晶矽膜以500℃加熱一小時，因此將包含在該非晶矽膜中的 氫釋放至1×1020atoms/cm3或以下之濃度。此係因為，若非晶矽膜包含大量氫，該非晶矽膜會為雷射光照射所摧毀。
只要金屬元素可存在於該非晶半導體膜的表面中或內側，將金屬元素加入非晶半導體膜中的方法並無特別限制。例如，可使用濺鍍法、CVD法、電漿處理法(例如，電漿CVD法)、吸附法、或施用金屬鹽溶液的方法。在該等方法之間，從易於調整該金屬元素濃度之角度，使用溶液的方法係有用的。在此時，氧化物膜藉由在氧氣體中以UV光照射、熱氧化、使用臭氧水或包括羥基之過氧化氫之處理等沉積為佳，以改善該非晶半導體膜之表面的可濕性並將液態溶液散佈在該非晶半導體膜的整體表面上。
在將該非晶半導體膜晶化以形成晶體半導體膜的晶體化步驟中，可能將促進晶體化之元素(也指稱為觸媒元素或金屬元素)加至該非晶半導體膜，並可能藉由熱處理(以550℃至750℃處理3分鐘至24小時)實施晶體化。可將選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銅(Cu)、以及金(Au)之一或多種元素使用為促進(加速)該晶體化的該元素。
為從該晶體半導體膜移除或減少促進晶體化的該元素，將包含雜質元素的半導體膜形成為與該晶體半導體膜接觸以作用為吸收槽。可將給予n-型導電性的雜質元素、給予p-型導電性的雜質元素、或稀有氣體元素等使用為該雜質元素。例如，可能使用選自磷(P)、氮(N)、砷(As)、 銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、以及氙(Xe)之一或多種元素。將包含稀有氣體元素之半導體膜形成為與包含促進晶體化之該元素的該晶體半導體膜接觸，然後實施熱處理(以550℃至750℃處理3分鐘至24小時)。包含在該晶體半導體膜中之促進晶體化的該元素移入包含稀有氣體元素的該半導體膜中，且因此將包含在該晶體半導體膜中之促進晶體化的該元素移除或減少。之後，將功能如吸收槽之包含稀有氣體元素的該半導體膜移除。
該非晶半導體膜可能藉由熱處理及雷射光照射之組合而晶化。可能將熱處理及雷射光照射之其中一者實施複數次。
可能藉由電漿法將晶體半導體膜直接形成在該基材上方。晶體半導體膜可能藉由電漿法選擇性地形成在該基材上方。
可能將氧化物半導體使用為該半導體層。例如，可使用氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。在將ZnO使用為該半導體層的情形中，可將Y2O3、Al2O3、或TiO2、或彼等之堆疊層等使用為閘絕緣層，並可將ITO、Au、或Ti等使用為閘電極層、源電極層、及/或汲電極層。此外，可能將In、Ga等加至ZnO。
可將以InMO3(ZnO)m(m>0)表示的薄膜使用為該氧化物半導體。此處，M代表選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)、以及鈷(Co)之一或多種金屬元素。例如，在部分 情形中，M係鎵(Ga)，而在其他情形中，M包括除了Ga以外的其他金屬元素，諸如Ga及Ni或Ga及Fe。另外，除了包含為M之金屬元素以外，上述氧化物半導體可能將過渡金屬元素，諸如Fe或Ni，或該過渡金屬之氧化物包含為雜質元素。例如，可將In-Ga-Zn-O-基之非單晶膜使用為該氧化物半導體層。
可能將InMO3(ZnO)m膜(m>0)，其中M係其他金屬元素，使用為該氧化物半導體層(該InMO3(ZnO)m(m>0)膜)，取代該In-Ga-Zn-O-基之非單晶膜。可將下列氧化物半導體之任一者及上述氧化物半導體施用為施用至該氧化物半導體層的該氧化物半導體：In-Sn-Zn-O基之氧化物半導體；In-Al-Zn-O基之氧化物半導體；Sn-Ga-Zn-O基之氧化物半導體；Al-Ga-Zn-O基之氧化物半導體；Sn-Al-Zn-O基之氧化物半導體；In-Zn-O基之氧化物半導體；Sn-Zn-O基之氧化物半導體；Al-Zn-O基之氧化物半導體；In-O基之氧化物半導體；Sn-O基之氧化物半導體；以及Zn-O基之氧化物半導體。
實施例5可與描述於其他實施例中的任何結構適當地組合而實作。
本申請案基於2009年5月2日向日本特許廳申請的日本專利申請案編號第2009-112378號，該專利之教示全文以提及之方式併入本文中。
920‧‧‧佈線
922a、922b‧‧‧切割部
923‧‧‧密封基材
924‧‧‧元件基材
925‧‧‧強化板
4321‧‧‧掃描線驅動器電路

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，包含：第一強化板及第二強化板；元件基材在該第一強化板及該第二強化板上，其中該元件基材有可撓性；顯示部在該元件基材上，其中該顯示部包含發光元件；第一掃描線驅動器電路在該元件基材上及重疊於該第一強化板；密封基材在該顯示部及該第一掃描線驅動器電路上，其中該密封基材有可撓性；第三強化板在該密封基材上及重疊於該第一強化板；及第四強化板在該密封基材上及重疊於該第二強化板，其中該顯示部可彎曲在該第一強化板及該第二強化板之間，以及其中該第一強化板及該第二強化板被附接至該元件基材的同一表面。
  2. 一種顯示裝置，包含：第一強化板及第二強化板；元件基材在該第一強化板及該第二強化板上，其中該元件基材有可撓性；顯示部在該元件基材上，其中該顯示部包含發光元件； 第一掃描線驅動器電路在該元件基材上及重疊於該第一強化板；第二掃描線驅動器電路在該元件基材上及重疊於該第二強化板；密封基材在該顯示部、該第一掃描線驅動器電路及該第二掃描線驅動器電路上，其中該密封基材有可撓性；第三強化板在該密封基材上及重疊於該第一強化板；及第四強化板在該密封基材上及重疊於該第二強化板，其中該顯示部可彎曲在該第一強化板及該第二強化板之間，其中該第一強化板及該第二強化板被附接至該元件基材的同一表面。
  3. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中該第一掃描線驅動器電路及該第二掃描線驅動器電路不與該第一強化板及該第二強化板之間的區域重疊。
  4. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中該第一掃描線驅動器電路不與該第二強化板重疊；且其中該第二掃描線驅動器電路不與該第一強化板重疊。
  5. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，更包含訊號線驅動器電路經由可撓印刷電路功能地連接至該顯示部。
  6. 一種顯示裝置，包含：第一強化板及第二強化板；元件基材在該第一強化板及該第二強化板上，其中該元件基材有可撓性；顯示部在該元件基材上，其中該顯示部包含發光元件；第一掃描線驅動器電路在該元件基材上及重疊於該第一強化板；密封基材在該顯示部及該第一掃描線驅動器電路上，其中該密封基材有可撓性；第三強化板在該密封基材上及重疊於該第一強化板；及第四強化板在該密封基材上及重疊於該第二強化板，其中該顯示部可彎曲在該第一強化板及該第二強化板之間，其中該第一強化板及該第二強化板被附接至該元件基材的同一表面，其中該第一掃描線驅動器電路及該顯示部兩者包含電晶體，其中該電晶體包含半導體層，以及其中該半導體層包含銦及鋅。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項的顯示裝置，其中應力集中區被提供於該第一強化板及該第二強化板之間。
  8. 如申請專利範圍第1或6項的顯示裝置，其中該第一掃描線驅動器電路不與該第一強化板及該第二強化板之間的區域重疊。
  9. 如申請專利範圍第1或6項的顯示裝置，其中該第一掃描線驅動器電路不與該第二強化板重疊。
  10. 如申請專利範圍第1或6項的顯示裝置，更包含第二訊號線驅動器電路經由可撓印刷電路功能地連接至該顯示部。
  11. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項的顯示裝置，其中該元件基材包含該第一強化板及該第二強化板之間的第一切割部，以及其中該密封基材包含該第一強化板及該第二強化板之間的第二切割部。
  12. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項的顯示裝置，更包含在該元件基材的邊緣部處的支撐部。
  13. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該半導體層更包含鎵。
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