CN110226192A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的显示装置包括:绝缘片(134),其从显示区域(42)形成至驱动部形成区域(46),且在弯曲区域(120)中形成有具有比显示区域(42)的膜厚和驱动部形成区域(46)的膜厚薄的第一膜厚的第一膜厚区域(126),并且还具有配置在显示区域(42)与第一膜厚区域(126)之间的第一台阶部(170)和配置在驱动部形成区域(46)与第一膜厚区域(126)之间的第二台阶部(172);第一配线(116A)和第二配线(116B),其在绝缘片(134)的上方横穿第一台阶部(170)和第二台阶部(172),且将显示区域(42)与驱动部形成区域(46)电连接;和绝缘壁(200),其在第一配线(116A)与第二配线(116B)之间,从第一台阶部(170)延伸至第二台阶部(172)。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
有机电致发光(electroluminescence:EL)显示装置等平板显示器具有在基片上形成有薄膜晶体管(thin film transistor:TFT)或有机发光二极管(organic light-emitting diode:OLED)等的显示面板。在显示面板的基材中历来使用玻璃基片,不过近年来正在进行在该基材中使用聚酰亚胺膜等的树脂膜等而使显示面板能够弯曲的柔性显示器的开发。
作为柔性显示器的用途,考虑将设置在显示面板的比图像显示区域更靠外侧的集成电路(integrated circuit:IC)或柔性印刷电路板(flexible printed circuit:FPC)的安装部向显示区域的背侧折弯而实现窄边框。
在下述专利文献1中公开有:在通过将安装部向显示区域的背面侧折弯而形成的弯曲区域,在绝缘片的上表面设置电位不同的多个配线的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2016/0172428号说明书。
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在上述现有的结构中,电位不同的多个配线间的短路抑制不充分。即,在上述弯曲区域,由于需要降低绝缘片的刚性,因此优选将绝缘片的膜厚形成得薄。但是,如果使绝缘片的膜厚分阶段地变薄,则会产生连接多个配线间的台阶部。在绝缘片的上表面形成配线层之后通过干式蚀刻等将该配线层加工成配线形状时,在该台阶部,存在不需要配线层未被除去而残留的可能性。其结果,存在由于该配线层的残留部将电位不同的多个配线间电连接而发生短路的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于抑制弯曲区域中的电位不同的多个配线间的短路。
用于解决问题的技术手段
(1)本发明的显示装置包括显示面板,上述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在上述显示区域的背面侧,具有驱动上述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结上述显示区域与上述驱动部形成区域的弯曲区域,上述显示面板包括:绝缘片,其从上述显示区域形成至上述驱动部形成区域,且在上述弯曲区域中具有第一膜厚区域,上述第一膜厚区域具有比上述显示区域的膜厚和上述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,上述绝缘片具有配置在上述显示区域与上述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在上述驱动部形成区域与上述第一膜厚区域之间的第二台阶部;第一配线和第二配线,其在上述绝缘片的上方横穿上述第一台阶部和上述第二台阶部,且将上述像素阵列部与上述驱动部电连接;和绝缘壁,其在上述第一配线与上述第二配线之间,从上述第一台阶部延伸至上述第二台阶部。
(2)在上述(1)的显示装置中,上述绝缘壁的上表面也可以与上述显示区域和上述驱动部形成区域中的上述绝缘片的上表面连续地形成。
(3)上述(1)~(2)的显示装置也可以包括配置在上述第一台阶部和上述第二台阶部的第一导体。
(4)在上述(1)~(3)的显示装置中,也可以为如下结构:上述绝缘片在上述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,上述第二膜厚区域具有比上述第一膜厚薄的第二膜厚,上述第一配线和上述第二配线中的至少一者以横穿配置在上述第一膜厚区域与上述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
(5)上述(4)的显示装置也可以包括配置在上述第三台阶部的第二导体。
(6)在上述(4)、(5)的显示装置中,也可以为如下结构:上述绝缘片包括绝缘基材和形成在上述绝缘基材上的第一绝缘膜,在上述第二膜厚区域中,上述绝缘基材的上表面从上述第一绝缘膜的至少一部分露出。
(7)在上述(6)的显示装置中,上述绝缘基材也可以由聚酰亚胺构成。
(8)在上述(6)的显示装置中,上述第一绝缘膜也可以由氧化硅层与氮化硅层的层叠体构成。
(9)在上述(6)的显示装置中,上述绝缘片也可以在上述显示区域中的上述第一绝缘膜与上述第一配线之间和上述第一绝缘膜与上述第二配线之间还包括第二绝缘膜。
(10)在上述(9)的显示装置中,也可以在上述第二绝缘膜与上述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
(11)在上述(9)、(10)的显示装置中,也可以为如下结构:上述绝缘壁的至少一部分由与上述第二绝缘膜相同的材料构成。
(12)在上述(1)~(11)的显示装置中,上述第一配线与上述第二配线也可以为电位不同的信号线。
(13)本发明的显示装置包括显示面板,上述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在上述显示区域的背面侧,具有驱动上述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结上述显示区域与上述驱动部形成区域的弯曲区域,上述显示面板包括:由有机材料构成的绝缘基材;无机绝缘膜,其形成在上述绝缘基材上,由无机绝缘材料构成,并且从上述显示区域形成至上述驱动部形成区域,且在上述弯曲区域中具有第一膜厚区域,上述第一膜厚区域具有比上述显示区域的膜厚和上述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,上述无机绝缘膜具有配置在上述显示区域与上述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在上述驱动部形成区域与上述第一膜厚区域之间的第二台阶部;第一配线和第二配线,其在上述无机绝缘膜的上方横穿上述第一台阶部和上述第二台阶部,且将上述像素阵列部与上述驱动部电连接;和绝缘壁,其在上述第一配线与上述第二配线之间,从上述第一台阶部延伸至上述第二台阶部。
(14)在上述(13)的显示装置中,上述绝缘壁的上表面也可以与上述显示区域和上述驱动部形成区域中的上述无机绝缘膜的上表面连续地形成。
(15)在上述(13)、(14)的显示装置中,也可以包括配置在上述第一台阶部和上述第二台阶部的第一导体。
(16)在上述(13)~(15)的显示装置中,也可以为如下结构:上述无机绝缘膜在上述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,上述第二膜厚区域具有比上述第一膜厚薄的第二膜厚,上述第一配线和上述第二配线中的至少一者以横穿配置在上述第一膜厚区域与上述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
(17)在上述(13)的显示装置中,上述无机绝缘膜也可以包括:配置在上述绝缘基材与上述第一配线和上述第二配线之间的第一绝缘膜;和配置在上述第一绝缘膜与上述第一配线和上述第二配线之间的第二绝缘膜。
(18)在上述(17)的显示装置中,也可以在上述第二绝缘膜与上述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
(19)在上述(17)、(18)的显示装置中,也可以为如下结构:上述绝缘壁的至少一部分由与上述第二绝缘膜相同的材料构成。
附图说明
图1是表示本实施方式的显示装置的概略结构的示意图。
图2是本实施方式的显示装置的显示面板的示意的俯视图。
图3是沿图2所示的III-III线的位置的显示面板的示意的垂直剖面图。
图4是本实施方式的显示装置的显示面板的示意的垂直剖面图。
图5是本实施方式的具有弯曲区域的显示面板的示意的垂直剖面图。
图6是本实施方式的显示装置的弯曲区域附近的示意的垂直剖面图。
图7是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图8是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图9是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图10是沿图6所示的X-X线的位置的显示面板的示意的垂直剖面图。
图11是本实施方式的显示装置的弯曲区域附近的示意的垂直剖面图。
图12是沿图11所示的XII-XII线的位置的显示面板的示意的垂直剖面图。
图13是本实施方式的显示装置的弯曲区域附近的示意的垂直剖面图。
图14是沿图13所示的XIV-XIV线的位置的显示面板的示意的垂直剖面图。
图15是本实施方式的显示装置的弯曲区域附近的示意的垂直剖面图。
图16是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图17是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图18是本实施方式的显示装置的弯曲区域的示意的垂直剖面图。
图19是表示本实施方式的显示装置的制造过程的示意的俯视图。
图20是沿图15所示的XX-XX线的位置的显示面板的示意的垂直剖面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下,根据附图对本发明的实施方式进行说明。
另外,本发明只是一个例子而已,本领域技术人员在确保发明主旨下能够容易想到的适当变更当然也包含在本发明的范围内。此外,附图是为了使说明更明确,与实际的方式相比,各部分的宽度、厚度、形状等存在示意地表示的情况,这仅是一个例子,并不限定本发明的解释。此外,在本说明书和各附图中,对于与之前图中已说明的要素相同的要素,标注相同的附图标记,并适当地省略详细的说明。此外,只要没有特别禁止,则本发明的实施方式能够相互组合。
本实施方式的显示装置2例如是有机电致发光显示装置,可搭载于电视机、个人电脑、移动终端、移动电话等中。图1是表示本实施方式的显示装置2的概略结构的示意图。显示装置2包括显示图像的像素阵列部4和驱动该像素阵列部4的驱动部。显示装置2是柔性显示器,具有配线层,该配线层包含由具有挠性的树脂薄膜等构成的基材和设置在该基材的内部或者上方的配线。
在像素阵列部4中,与像素对应地呈矩阵状配置有有机发光二极管6和像素电路8。像素电路8包括点亮TFT(thin film trsnsistor:薄膜晶体管)10、驱动TFT12和电容器14等。
另一方面,驱动部包括扫描线驱动电路20、影像线驱动电路22、驱动电源电路24和控制装置26,驱动像素电路8,控制有机发光二极管6的发光。
扫描线驱动电路20与在像素的水平方向上的每排(像素行)设置的扫描信号线28连接。扫描线驱动电路20根据从控制装置26输入的定时信号,依次选择扫描信号线28,向所选择的扫描信号线28施加将点亮TFT10导通的电压。
影像线驱动电路22与在像素的垂直方向上的每排(像素列)设置的影像信号线30连接。影像线驱动电路22从控制装置26输入影像信号,与扫描线驱动电路20所进行的扫描信号线28的选择一致地,向各影像信号线30输出与所选择的像素行的影像信号相应的电压。该电压在所选择的像素行经由点亮TFT10而被写入电容器14。驱动TFT12将与所写入的电压相应的电流供给至有机发光二极管6,由此,与所选择的扫描信号线28对应的像素的有机发光二极管6发光。
驱动电源电路24与在每像素列设置的驱动电源线32连接,经驱动电源线32和所选择的像素行的驱动TFT12向有机发光二极管6供给电流。
此处,有机发光二极管6的下部电极与驱动TFT12连接。另一方面,各有机发光二极管6的上部电极由全部像素的有机发光二极管6所共用的电极构成。在下部电极作为阳极(anode)构成的情况下,被输入高电位,上部电极成为阴极(cathode),被输入低电位。在下部电极作为阴极(cathode)构成的情况下,被输入低电位,上部电极成为阳极(anode),被输入高电位。
图2是显示装置2的显示面板40的示意的俯视图。在显示面板40的显示区域42设置有图1所示的像素阵列部4,如上述那样在像素阵列部4中排列有有机发光二极管6。如上所述,构成有机发光二极管6的上部电极104在各像素同样地形成,覆盖几乎整个显示区域42。
在矩形的显示面板40的一个边设置有驱动部形成区域46,并配置有与显示区域42相连的配线。并且,在驱动部形成区域46中搭载有构成驱动部的驱动器IC48,或连接有FPC(Flexible Printed Circuits:柔性印刷电路)50。FPC50与扫描线驱动电路20、影像线驱动电路22、驱动电源电路24和控制装置26等连接,或在其上搭载有IC。
图3是沿图2所示的III-III线的位置的显示面板40的示意的垂直剖面图。显示面板40具有在由树脂薄膜构成的绝缘基材70之上层叠有由TFT72等构成的电路层和用于将有机发光二极管6和有机发光二极管6密封的密封层106等的结构。作为绝缘基材70,例如能够使用聚酰亚胺膜。在密封层106之上可以形成保护膜114。在本实施方式中像素阵列部4为顶部发光型,有机发光二极管6所产生的光向绝缘基材70相反侧、即在图3中向上射出。另外,在显示装置2的色彩化方式使用滤色片方式的情况下,在密封层106与保护膜114之间或对置基片侧配置滤色片,在有机发光二极管6生成白色光,使该白色光从滤色片通过,由此制作例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)等颜色的光。
在显示区域42的电路层形成上述的像素电路8、扫描信号线28、影像信号线30、驱动电源线32等。此外,驱动部的至少一部分能够在绝缘基材70上作为电路层形成在与显示区域42相邻的区域。此外,如上述那样,能够将构成驱动部的驱动器IC48或FPC50在驱动部形成区域46与电路层的配线116连接。
具体而言,在绝缘基材70之上,隔着由氮化硅(SiNy)或氧化硅(SiOx)等无机绝缘材料构成的、作为基底层的第一绝缘膜80,形成多晶硅(p-Si)膜,对该p-Si膜进行图案化,有选择地留下电路层中所使用之处的p-Si膜。例如,使用p-Si膜来形成作为顶栅型的TFT72的沟道部和源极漏极部的半导体区域82。在TFT72的沟道部上隔着栅极绝缘膜84配置栅极电极86。栅极电极86通过对利用溅射等形成的金属膜进行图案化而形成。之后,层叠覆盖栅极电极86的层间绝缘膜88。在要成为TFT72的源极部、漏极部的p-Si中通过离子注入来导入杂质,接着,形成与它们电连接的源极电极90a和漏极电极90b。形成这样TFT72后,层叠层间绝缘膜92。在层间绝缘膜92的表面,能够通过对利用溅射等形成的金属膜进行图案化而形成配线94等,且能够使用该金属膜和在栅极电极86、源极电极90a和漏极电极90b的形成中使用的金属膜,以多层配线结构形成例如配线116和图1所示的扫描信号线28、影像信号线30、驱动电源线32。在其上例如层叠丙烯酸树脂等有机材料而形成平坦化膜96,由此在平坦的显示区域42的表面形成有机发光二极管6。
有机发光二极管6由下部电极100、有机材料层102和上部电极104构成,这些下部电极100、有机材料层102和上部电极104从绝缘基材70侧起依次层叠。在本实施方式中下部电极100为有机发光二极管6的阳极(anode),上部电极104为阴极(cathode)。有机材料层102包含空穴输送层、发光层、电子输送层等。
当图3所示的TFT72为具有n沟道的驱动TFT12时,下部电极100与TFT72的源极电极90a连接。具体而言,在形成上述的平坦化膜96之后,形成用于将下部电极100与TFT72连接的接触孔110,对形成在平坦化膜96表面和接触孔110内的导电体膜进行图案化,按每个像素形成与TFT72连接的下部电极100。
形成下部电极100之后,在像素边界形成隔堤112。在由隔堤112围成的像素的有效区域中,使下部电极100露出。形成隔堤112之后,在下部电极100上依次层叠构成有机材料层102的各层。在有机材料层102上使用透明电极材料形成上部电极104。
在上部电极104的表面,作为密封层106例如可以利用CVD法形成SiNy膜。此外,为了确保显示面板40的表面的机械耐性,在显示区域42的表面层叠保护膜114。另一方面,在驱动部形成区域46中,为了容易连接IC或FPC而没有设置保护膜114。FPC50的配线及驱动器IC48的端子例如与配线116电连接。
以上,使用图3,说明了在具有挠性的薄膜状的绝缘基材70的一个主面上形成有包含作为显示元件的有机发光二极管6及TFT72等电路层的显示功能层的显示面板40的结构。
显示面板40如图3所示那样将整个绝缘基材70保持为平面地制造,但是,在收纳于显示装置2的壳体中时,可以成为在显示面板40的显示区域42的外侧设置弯曲区域120而将驱动部形成区域46折弯到显示区域42的背侧的状态。图4、图5是与该弯曲区域120的形成对应的显示面板40的示意的垂直剖面图,表示沿图2所示的III-III线的位置的剖面。以图3所示的显示面板40的层叠结构中绝缘基材70上的显示功能层等层叠结构为上部结构层118,在图4、5中将图3的结构简化成绝缘基材70和上部结构层118的2层结构进行表示。图4是显示面板40保持为平面的状态下的剖面,图5是在安装FPC50或驱动器IC48的驱动部形成区域46与显示区域42之间设置弯曲区域120,将FPC50等折弯到显示区域42的背侧的状态的剖面。
如上所述,显示区域42具有像素阵列部4,驱动部形成区域46具有驱动该像素阵列部4的驱动部。而且,在连结显示区域42与驱动部形成区域46的弯曲区域120中,将像素阵列部4与驱动部电连接的多个配线116配置在上部结构层118内。
如图5所示,显示面板40不仅具有绝缘基材70、上部结构层118,还具有间隔部件256、正面增强薄膜254、背面增强薄膜258、FPC50和驱动器IC48。正面增强薄膜254和背面增强薄膜258用于保护并增强绝缘基材70和上部结构层118而设置。间隔部件256用于引导绝缘基材70和上部结构层118的弯曲而设置。
在显示面板40依次排列设置有进行图像显示的显示区域42、弯曲区域120和驱动部形成区域46。弯曲区域120为以依循间隔部件256的引导部256A的形状的方式弯曲的形状。驱动部形成区域46由于弯曲区域120弯曲而配置在间隔部件256的背面侧。
如图5所示,正面增强薄膜254在显示面板40的、显示区域42的显示面侧,以与弯曲区域120不重叠的方式设置。
如图5所示,背面增强薄膜258具有:设置在显示区域42的绝缘基材70与间隔部件256之间且粘贴于绝缘基材70的第1增强部258A;设置在驱动部形成区域46的绝缘基材70与间隔部件256之间且粘贴于绝缘基材70的第2增强部258B;和设置在弯曲区域120的绝缘基材70与间隔部件256之间且粘贴于绝缘基材70的弯曲增强部258C。
此外,如图5所示,背面增强薄膜258的第2增强部258B借助粘接部件266粘贴于间隔部件256的背面侧的表面,背面增强薄膜258的第1增强部258A借助粘接部件262粘贴于间隔部件256的显示面侧的表面。另外,粘接部件262和粘接部件266既可以由具有粘性的树脂等构成,也可以为双面胶等。另外,在图5所示的例子中,虽然弯曲增强部258C没有借助粘接部件粘接于间隔部件256,但是在间隔部件256的引导部256A也可以设置粘接部件。此外,例如,也可以在弯曲增强部258C与间隔部件256之间的空间填充具有粘着性的树脂作为粘接部件,将弯曲增强部258C与间隔部件256的引导部256A直接粘接。
如图5所示,在剖面视图中,间隔部件256的引导显示面板40的弯曲区域120的弯曲的引导部256A为圆角形状。由于具有这样的形状,在显示面板40的弯曲区域120不易发生配线116等的断线和破损。
在本实施方式中,采用在弯曲区域120的弯曲的内面侧设置背面增强薄膜258的结构,因此能够缓和在显示面板40产生的应力,能够抑制显示面板40的配线116的断线等。此外,应力最容易在弯曲区域产生,由于在弯曲区域120设置有弯曲增强部258C,所以成为更容易缓和应力的结构。
图6是本实施方式的显示装置2的弯曲区域120附近的示意的垂直剖面图。如图6所示,从显示区域42至驱动部形成区域46,在由聚酰亚胺等构成的绝缘基材70的上表面,形成有由氮化硅(SiNy)和氧化硅(SiOx)的层叠体等构成的第一绝缘膜80。
在显示区域42和驱动部形成区域46中,在该第一绝缘膜80的上表面形成有第二绝缘膜134。该第二绝缘膜134例如对应图3所示的栅极绝缘膜84、层间绝缘膜88等。第二绝缘膜134与第一绝缘膜80同样,能够使用氮化硅(SiNy)及氧化硅(SiOx)等形成。这些绝缘基材70、第一绝缘膜80、第二绝缘膜134构成绝缘片132。第一绝缘膜80和第二绝缘膜134为无机绝缘膜,绝缘基材70为有机绝缘膜。
图7是表示形成第二绝缘膜134之后的状态的俯视图。如图7所示,第二绝缘膜134在弯曲区域120的几乎整个区域没有设置,而仅设置在形成配线116的2个配线形成区域136A、136B之间。在该2个配线形成区域136A、136B之间设置的第二绝缘膜134成为绝缘壁200。这样,通过采用除绝缘壁200形成区域以外在弯曲区域120的几乎整个区域不设置第二绝缘膜134的结构,能够降低图6所示的绝缘片132在弯曲区域120的刚性。通过使刚性降低,能够降低伴随弯曲区域120的无机绝缘膜的弯曲而产生的破裂风险。另外,有机膜、金属膜伴随弯曲产生的破裂风险不高。没有设置该第二绝缘膜134的区域的绝缘片132的膜厚成为比显示区域42的膜厚和上述驱动部形成区域46的膜厚薄的第一膜厚,将该区域定义为第一膜厚区域126。在该第一膜厚区域126与显示区域42之间形成第一台阶部170,在第一膜厚区域126与驱动部形成区域46之间形成第二台阶部172。绝缘壁200从该第一台阶部170延伸至第二台阶部172。
另外,在本实施方式中,采用第二绝缘膜134的上表面与绝缘壁200的上表面连续形成的结构。即,绝缘壁200的上表面与显示区域42、驱动部形成区域46的绝缘片132的上表面连续形成。这是因为,在形成第二绝缘膜134的工序中,可以使用相同材料同时形成绝缘壁200和第二绝缘膜134。
接着,如图6、图7所示,绝缘片132在第一膜厚区域126的中央侧具有比第一膜厚薄的第二膜厚的第二膜厚区域128。弯曲区域120通过具有膜厚相对薄的第二膜厚区域128,能够实现绝缘片132的刚性进一步下降。在第一膜厚区域126与第二膜厚区域128的边界部形成有第三台阶部174。
如图6所示,在第二绝缘膜134的上表面和弯曲区域120的第一绝缘膜80的上表面设置有配线116。配线116例如在通过溅射等在绝缘片132的整个面形成配线层后,通过实施干式蚀刻而加工成配线116的形状。
图8是表示在形成配线层之后通过干式蚀刻形成第一配线116A、第二配线116B的状态的俯视图。第一配线116A、第二配线116B相互平行,将设置在显示区域42中的像素阵列部4,与设置在驱动部形成区域46中的构成驱动部的驱动器IC48等电连接。第一配线116A、第二配线116B均横穿第一台阶部170、第二台阶部172。此外,在本实施方式中,第一配线116A、第二配线116B均横穿第三台阶部174。
本来期望在上述使用图7说明的配线形成区域136A、136B中仅在预定的部分形成第一配线116A、第二配线116B。但是,实际上,存在如图8所示那样,在第一台阶部170、第二台阶部172残留有在干式蚀刻工序中未除净的第一导体140A。
并且,如上所述,在第三台阶部174也有可能残留有在干式蚀刻工序中未除净的第二导体140B。
但是,在本实施方式中,如图8所示那样显示面板40具有在导体140形成前形成的绝缘壁200,因此能够抑制在干式蚀刻工序中未除净的第一导体140A、第二导体140B将第一配线116A与第二配线116B电连接。
另外,在设置有该绝缘壁200的情况下,在绝缘壁200形成部与绝缘壁200非形成部的边界的台阶部也有可能残留有在干式蚀刻工序中未除净的第三导体140C。但是,由于绝缘壁200为在第一配线116A与第二配线116B之间从第一台阶部170延伸至第二台阶部172的结构,因此能够抑制由于第三导体140C而使残留在绝缘壁200的一侧的第一导体140A与残留在绝缘壁200的另一侧的第一导体140A电连接,其结果,能够抑制第一配线116A与第二配线116B的电连接。
另外,也可以在形成第一配线116A和第二配线116B之后,如图9所示那样,在第二膜厚区域128中的第一绝缘膜80的没有形成第一配线116A、第二配线116B的区域进行蚀刻,构成为使绝缘基材70的上表面从第一绝缘膜80的一部分或者整个面露出。通过采用这样的结构,能够实现绝缘片132的刚性的进一步下降。
之后,如图6和表示图6的X-X线的剖面的图10所示那样,形成覆盖第一配线116A、第二配线116B的上表面和侧面的无机绝缘膜150。无机绝缘膜150例如使用氮化硅等形成。
然后,如图6所示,在显示区域42和驱动部形成区域46中的无机绝缘膜150和第一绝缘膜80、第二绝缘膜134的露出的上表面等形成平坦化膜96。平坦化膜96例如使用聚酰亚胺等形成。
最后,如图6、图10所示,形成将显示面板40的整个上表面密封的密封层106。密封层106如上所述例如使用氮化硅膜等形成。
另外,在上述的说明中,说明了平坦化膜96仅形成在显示区域42、驱动部形成区域46的例子,不过也可以如图11、12所示那样,显示面板40在显示区域42、弯曲区域120、驱动部形成区域46的所有区域具有平坦化膜96。
此外,在上述的说明中,说明了在显示区域42、弯曲区域120、驱动部形成区域46的全部区域中设置无机绝缘膜150的例子,不过也可以如图13、图14所示那样,仅在显示区域42形成无机绝缘膜150,而在弯曲区域120、驱动部形成区域46不设置无机绝缘膜150。由于平坦化膜96、密封层106等覆盖多个配线116的上表面和侧面,因此即使不设置无机绝缘膜150,平坦化膜96、密封层106也能够保证多个配线116间的绝缘性。另外,在图13、图14所示的实施例中,使绝缘基材70的上表面从第二膜厚区域128的第一绝缘膜80的整个面露出,在第二膜厚区域128中,配线116设置在绝缘基材70上表面。即,第二膜厚区域128的绝缘片132的膜厚仅为绝缘基材70的厚度。通过采用这样的结构,能够实现弯曲区域120的刚性的进一步降低。
另外,优选如图15、图16和表示图15的XX-XX线的剖面的图20所示那样,在第二绝缘膜134与第一绝缘膜80之间设置阶差缓和层160。阶差缓和层160形成在第一绝缘膜80的上表面,以其一部分从第二绝缘膜134的下表面伸出的方式形成。通过设置该阶差缓和层160,能够抑制在第二绝缘膜134、第一绝缘膜80的上表面形成的配线116在第二绝缘膜134与第一绝缘膜80的边界区域具有陡峭的倾斜,其结果,能够抑制配线116断线的发生。另外,该阶差缓和层160例如能够使用多晶硅膜等形成。
此处,如图20所示,在弯曲区域120,在配线116的下方没有设置第一绝缘膜80,由此能够降低配线116破损的风险。即,一般无机绝缘膜伴随弯曲而产生破裂的风险高。因此,具有在使弯曲区域120弯曲时作为无机绝缘膜的第一绝缘膜80破裂的风险。但是,根据该图15、图16、图20所示的实施例,在弯曲区域120中,在配线116的下方没有设置第一绝缘膜80,因此能够抑制随着弯曲区域120的弯曲而第1绝缘膜80破裂的情况的发生。其结果,能够降低配线116因伴随第一绝缘膜80的破裂产生的冲击而破损的风险。
另外,在本实施方式中,以绝缘壁200与第二绝缘膜134形成为一体的结构为例进行了说明,但也可以分别构成绝缘壁200和第二绝缘膜134。此处,能够如本实施方式所示那样,通过使用相同材料将绝缘壁200与第二绝缘膜134形成为一体,来降低制造成本。
此外,通过使用相同材料将绝缘壁200与第二绝缘膜134形成为一体,能够进一步降低第一配线116A与第二配线116B电连接的可能性。即,第一配线116A与第二配线116B电连接的风险最高的是由于所产生的到达绝缘壁200附近的台阶的影响而可能残留有第一导体140A的第一绝缘膜80与第二绝缘膜134的边界区域,但是,该第一绝缘膜80与第二绝缘膜134的边界区域还是第二绝缘膜134与绝缘壁200的边界区域。因此,通过使用相同材料将第二绝缘膜134与绝缘壁200形成为一体,能够利用在弯曲区域120形成时施加的应力,降低第二绝缘膜134和绝缘壁200断裂的可能性,其结果,能够进一步降低第一配线116A与第二配线116B电连接的可能性。
另外,如图17、图18所示那样,通过在电位不同的多个各信号线116C、116D、116E之间设置上述的绝缘壁200,能够抑制信号线116C与信号线116D以及信号线116D与信号线116E由于在干式蚀刻工序中未除净的第一导体140A、第二导体140B而电连接,因此优选。同样,通过在电位不同的信号线116E与电源线116F之间也设置上述的绝缘壁200,能够抑制信号线116E与电源线116F由于第一导体140A、第二导体140B而电连接,因此也优选。
另外,如图17、图18所示,在为了降低弯曲区域120的刚性而在电源线116F设置有开口部的情况下,在该开口部形成区域不需要设置绝缘壁200。这是因为,电源线116F在开口部的右侧和左侧电位不变,即使由于在干式蚀刻工序中未除净的第一导体140A、第二导体140B而电连接也没问题。此外,通过在开口部形成区域不设置绝缘壁200,能够以有限的面积形成电源线116F,能够实现显示装置2的小面积化。
此外,如图19所示,在各配线116为组合多个菱形而得到的形状的情况下,作为在各配线116间设置的绝缘壁200的形状,优选具有与该菱形的顶点一致的弯曲部的曲折形。通过采用这样的结构,能够将各配线116与绝缘壁200更紧密相接地配置。进一步,还能够提高各配线116自身的弯曲耐性。
另外,如图19所示,在通过蚀刻等对各配线116的菱形形状的内侧除去导体而设置开口部,使第一绝缘膜80、绝缘基材70露出的情况下,不需要设置绝缘壁200。这是因为,在同一配线116内,电位不变,即使由于在干式蚀刻工序中未除净的导体140而电连接也没问题。而且,通过采用在开口部区域不设置绝缘壁200的结构,能够提高配线116形状的自由度。此外,能够抑制在面积小的开口部区域内绝缘壁200成为杂质而散落,其结果,能够避免成为对成品率等的不良影响的情况,因此优选。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种显示装置,其特征在于:
包括显示面板,所述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在所述显示区域的背面侧,具有驱动所述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结所述显示区域与所述驱动部形成区域的弯曲区域,
所述显示面板包括:
绝缘片,其从所述显示区域形成至所述驱动部形成区域,且在所述弯曲区域中具有第一膜厚区域,所述第一膜厚区域具有比所述显示区域的膜厚和所述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,所述绝缘片具有配置在所述显示区域与所述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在所述驱动部形成区域与所述第一膜厚区域之间的第二台阶部;
第一配线和第二配线,其在所述绝缘片的弯曲的外侧横穿所述第一台阶部和所述第二台阶部,且将所述像素阵列部与所述驱动部电连接;和
绝缘壁,其在所述第一配线与所述第二配线之间,在所述绝缘片的所述弯曲的外侧从所述第一台阶部延伸至所述第二台阶部,
所述绝缘片包括:形成在所述显示区域、所述驱动部形成区域和所述弯曲区域的绝缘基材;和形成在所述绝缘基材的所述弯曲的外侧的多个绝缘膜。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的上表面与所述显示区域和所述驱动部形成区域中的所述绝缘片的上表面连续地形成。
3.如权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第一台阶部和所述第二台阶部的第一导体。
4.如权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘片在所述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,所述第二膜厚区域具有比所述第一膜厚薄的第二膜厚,
所述第一配线和所述第二配线中的至少一者以横穿配置在所述第一膜厚区域与所述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第三台阶部的第二导体。
6.(修改后)如权利要求4或5所述的显示装置,其特征在于:
所述多个绝缘膜包括第一绝缘膜,在所述第二膜厚区域中,所述绝缘基材的上表面从所述第一绝缘膜的至少一部分露出。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘基材由聚酰亚胺构成。
8.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第一绝缘膜由氧化硅层与氮化硅层的层叠体构成。
9.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘片在所述显示区域中的所述第一绝缘膜与所述第一配线之间和所述第一绝缘膜与所述第二配线之间还包括第二绝缘膜。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
在所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
11.如权利要求9或10所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的至少一部分由与所述第二绝缘膜相同的材料构成。
12.如权利要求1~11中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线与所述第二配线为电位不同的信号线。
13.(修改后)一种显示装置,其特征在于:
包括显示面板,所述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在所述显示区域的背面侧,具有驱动所述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结所述显示区域与所述驱动部形成区域的弯曲区域,
所述显示面板包括:
由有机材料构成的绝缘基材;
无机绝缘膜,其形成在所述绝缘基材上,由无机绝缘材料构成,并且从所述显示区域形成至所述驱动部形成区域,且在所述弯曲区域中具有第一膜厚区域,所述第一膜厚区域具有比所述显示区域的膜厚和所述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,所述无机绝缘膜具有配置在所述显示区域与所述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在所述驱动部形成区域与所述第一膜厚区域之间的第二台阶部;
第一配线和第二配线,其在所述无机绝缘膜的弯曲的外侧横穿所述第一台阶部和所述第二台阶部,且将所述像素阵列部与所述驱动部电连接;和
绝缘壁,其在所述第一配线与所述第二配线之间,在所述无机绝缘膜的所述弯曲的外侧从所述第一台阶部延伸至所述第二台阶部。
14.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的上表面与所述显示区域和所述驱动部形成区域中的所述无机绝缘膜的上表面连续地形成。
15.如权利要求13或14所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第一台阶部和所述第二台阶部的第一导体。
16.如权利要求13~15中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述无机绝缘膜在所述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,所述第二膜厚区域具有比所述第一膜厚薄的第二膜厚,
所述第一配线和所述第二配线中的至少一者以横穿配置在所述第一膜厚区域与所述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
17.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于:
所述无机绝缘膜包括:配置在所述绝缘基材与所述第一配线和所述第二配线之间的第一绝缘膜;和配置在所述第一绝缘膜与所述第一配线和所述第二配线之间的第二绝缘膜。
18.如权利要求17所述的显示装置,其特征在于:
在所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
19.如权利要求17或18所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的至少一部分由与所述第二绝缘膜相同的材料构成。
Claims (19)
1.一种显示装置,其特征在于:
包括显示面板,所述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在所述显示区域的背面侧,具有驱动所述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结所述显示区域与所述驱动部形成区域的弯曲区域,
所述显示面板包括:
绝缘片,其从所述显示区域形成至所述驱动部形成区域,且在所述弯曲区域中具有第一膜厚区域,所述第一膜厚区域具有比所述显示区域的膜厚和所述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,所述绝缘片具有配置在所述显示区域与所述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在所述驱动部形成区域与所述第一膜厚区域之间的第二台阶部;
第一配线和第二配线,其在所述绝缘片的上方横穿所述第一台阶部和所述第二台阶部,且将所述像素阵列部与所述驱动部电连接;和
绝缘壁,其在所述第一配线与所述第二配线之间,从所述第一台阶部延伸至所述第二台阶部。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的上表面与所述显示区域和所述驱动部形成区域中的所述绝缘片的上表面连续地形成。
3.如权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第一台阶部和所述第二台阶部的第一导体。
4.如权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘片在所述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,所述第二膜厚区域具有比所述第一膜厚薄的第二膜厚,
所述第一配线和所述第二配线中的至少一者以横穿配置在所述第一膜厚区域与所述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第三台阶部的第二导体。
6.如权利要求4或5所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘片包括绝缘基材和形成在所述绝缘基材上的第一绝缘膜,在所述第二膜厚区域中,所述绝缘基材的上表面从所述第一绝缘膜的至少一部分露出。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘基材由聚酰亚胺构成。
8.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第一绝缘膜由氧化硅层与氮化硅层的层叠体构成。
9.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘片在所述显示区域中的所述第一绝缘膜与所述第一配线之间和所述第一绝缘膜与所述第二配线之间还包括第二绝缘膜。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
在所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
11.如权利要求9或10所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的至少一部分由与所述第二绝缘膜相同的材料构成。
12.如权利要求1~11中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线与所述第二配线为电位不同的信号线。
13.一种显示装置,其特征在于:
包括显示面板,所述显示面板包含:具有像素阵列部的显示区域;设置在所述显示区域的背面侧,具有驱动所述像素阵列部的驱动部的驱动部形成区域;和连结所述显示区域与所述驱动部形成区域的弯曲区域,
所述显示面板包括:
由有机材料构成的绝缘基材;
无机绝缘膜,其形成在所述绝缘基材上,由无机绝缘材料构成,并且从所述显示区域形成至所述驱动部形成区域,且在所述弯曲区域中具有第一膜厚区域,所述第一膜厚区域具有比所述显示区域的膜厚和所述驱动部形成区域的膜厚薄的第一膜厚,所述无机绝缘膜具有配置在所述显示区域与所述第一膜厚区域之间的第一台阶部和配置在所述驱动部形成区域与所述第一膜厚区域之间的第二台阶部;
第一配线和第二配线,其在所述无机绝缘膜的上方横穿所述第一台阶部和所述第二台阶部,且将所述像素阵列部与所述驱动部电连接;和
绝缘壁,其在所述第一配线与所述第二配线之间,从所述第一台阶部延伸至所述第二台阶部。
14.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的上表面与所述显示区域和所述驱动部形成区域中的所述无机绝缘膜的上表面连续地形成。
15.如权利要求13或14所述的显示装置,其特征在于:
包括配置在所述第一台阶部和所述第二台阶部的第一导体。
16.如权利要求13~15中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述无机绝缘膜在所述第一膜厚区域的中央侧具有第二膜厚区域,所述第二膜厚区域具有比所述第一膜厚薄的第二膜厚,
所述第一配线和所述第二配线中的至少一者以横穿配置在所述第一膜厚区域与所述第二膜厚区域之间的第三台阶部的方式配置。
17.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于:
所述无机绝缘膜包括:配置在所述绝缘基材与所述第一配线和所述第二配线之间的第一绝缘膜;和配置在所述第一绝缘膜与所述第一配线和所述第二配线之间的第二绝缘膜。
18.如权利要求17所述的显示装置,其特征在于:
在所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜之间设置有阶差缓和层。
19.如权利要求17或18所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘壁的至少一部分由与所述第二绝缘膜相同的材料构成。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111146189A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示模组及其制备方法及电子装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102370450B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102426617B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2022-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP7068800B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019150503A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2020017007A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
WO2020044439A1 (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN109273503B (zh) * | 2018-09-27 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
WO2020065825A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 |
JP7064157B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-05-10 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
CN113287368B (zh) * | 2019-01-17 | 2024-02-06 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
KR20220080945A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 회로 구동부 및 그를 포함한 표시 장치 |
US20230180399A1 (en) * | 2021-12-07 | 2023-06-08 | Meta Platforms Technologies, Llc | Design to protect chip-on-flex for dual bending |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014197181A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN104521331A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-15 | 苹果公司 | 柔性显示器 |
CN104752485A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
CN104934438A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN205210483U (zh) * | 2014-12-03 | 2016-05-04 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US9529233B2 (en) * | 2013-04-11 | 2016-12-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122713B2 (ja) * | 1988-07-11 | 1995-12-25 | 株式会社東芝 | フレキシブル配線基板及びその製造方法及び電子部品 |
JP2001148547A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 電気装置の接続に用いるcof基板 |
JP3792554B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2006-07-05 | シャープ株式会社 | 表示モジュール及びフレキシブル配線板の接続方法 |
US8890408B2 (en) | 2013-01-18 | 2014-11-18 | Nokia Corporation | Method and apparatus for coupling an active display portion and substrate |
US9740035B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-08-22 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
US9516743B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-12-06 | Apple Inc. | Electronic device with reduced-stress flexible display |
KR102018741B1 (ko) | 2013-06-03 | 2019-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커버 윈도우를 구비하는 표시 장치 |
JP6561399B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2019-08-21 | 株式会社Joled | 表示装置、およびその製造方法 |
US20160172428A1 (en) | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with corrosion resistant printed circuit film |
JP6762845B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2020-09-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び配線基板 |
US10784319B2 (en) * | 2017-03-08 | 2020-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible display panel, flexible display device, and method for producing flexible display panel |
-
2017
- 2017-01-20 JP JP2017008563A patent/JP6777558B2/ja active Active
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-
2019
- 2019-07-16 US US16/512,646 patent/US10985232B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-24 US US17/210,680 patent/US11508802B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104521331A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-15 | 苹果公司 | 柔性显示器 |
JP2014197181A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9529233B2 (en) * | 2013-04-11 | 2016-12-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN104752485A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
CN205210483U (zh) * | 2014-12-03 | 2016-05-04 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN104934438A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111146189A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示模组及其制备方法及电子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190341442A1 (en) | 2019-11-07 |
WO2018135127A1 (ja) | 2018-07-26 |
CN110226192B (zh) | 2021-08-27 |
US20210210586A1 (en) | 2021-07-08 |
JP2018116224A (ja) | 2018-07-26 |
JP6777558B2 (ja) | 2020-10-28 |
US10985232B2 (en) | 2021-04-20 |
US11508802B2 (en) | 2022-11-22 |
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