JP2019174637A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】端子領域における湾曲強度が低下しないようにし、かつ接続配線層の腐食を防ぐように、端子領域を被覆する樹脂膜が設けられた表示装置を提供する。【解決手段】可撓性を有する基板と、前記基板上の端子領域に設けられ、前記基板上の表示領域に設けられる画素アレイ部から端子領域に設けられる接続基板へと延びる１以上の配線層と、前記基板の前記表示領域を覆うように設けられる表面フィルムと、前記端子領域に設けられる樹脂膜と、を有する表示装置であって、前記端子領域における前記樹脂膜の下地部は、硬化前の前記樹脂膜を前記表示領域側へ案内する、前記表示領域側から前記接続基板側へ延びる溝部を複数有する。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いることで、表示パネルを湾曲可能なフレキシブルディスプレイの開発が進められている。具体的には、下記特許文献１に開示されるように、表示パネルの表示領域より外側に設けられる、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）やフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の実装部を表示領域の裏側に湾曲することが提案されている。

特開２０１６−３１４９９号公報

ところで、表示パネルの表示領域と隣接する端子領域上には、硬化前の樹脂組成物が塗布される。これは、上述の樹脂組成物が硬化することで生成される樹脂膜によって、表示パネルを湾曲する際の端子領域における湾曲強度を向上させるためである。また、樹脂膜によって、表示パネルの端子領域を保護する役割も担っている。例えば、表示パネルの端子領域上には画素を発光させるための接続配線層が備えられているため、樹脂膜はこの接続配線層の腐食などを防いでいる。

しかし、硬化前の樹脂組成物を塗布する段階で、塗付された樹脂組成物が端子領域の表示領域側へ十分案内されないという問題が生じ得る。そのため、硬化前の樹脂組成物が案内されなかったことで樹脂膜が存在しない端子領域では、所望の湾曲強度より湾曲強度が低下してしまう。また、樹脂膜が存在しない端子領域では、樹脂膜による保護も十分ではなくなってしまう。例えば接続配線層は、樹脂膜が存在しない端子領域から水分等が侵入してしまうため、腐食してしまう。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、端子領域における湾曲強度が低下しないようにし、かつ接続配線層の腐食を防ぐように、端子領域を被覆する樹脂膜が設けられた表示装置を提供することにある。

本発明の表示装置の一態様は、可撓性を有する基板と、前記基板上の端子領域に設けられ、前記基板上の表示領域に設けられる画素アレイ部から端子領域に設けられる接続基板へと延びる１以上の配線層と、前記基板の前記表示領域を覆うように設けられる表面フィルムと、前記端子領域に設けられる樹脂膜と、を有する表示装置であって、前記端子領域における前記樹脂膜の下地部は、硬化前の前記樹脂膜を前記表示領域側へ案内する、前記表示領域側から前記接続基板側へ延びる溝部を複数有する、ことを特徴とする。

本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。 表示パネルの構成の一例を説明する平面図である。 表示パネルの構成の一例を説明する平面図である。 第１の実施形態における、図２Ａ又は図２Ｂの要部を拡大した平面図である。 図３のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 図３のＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。 図３のＣ−Ｃ断面の一例を示す図である。 図３のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 図３のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 第２の実施形態における、図２Ａ又は図２Ｂの要部を拡大した平面図である。 図７のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 図７のＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。 第３の実施形態における、図２Ａ又は図２Ｂの要部を拡大した平面図である。 図９のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 図９のＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。 図９のＣ−Ｃ断面の一例を示す図である。 図９のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。 図９のＡ−Ａ断面の一例を示す図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上又は直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１を概略的に示す図である。図１に示すように、表示装置１は、上フレーム１０及び下フレーム２０に挟まれるように固定された表示パネル１００を含むように構成されている。

次に、本発明の実施形態に係る表示装置１が有する表示パネル１００の構成を、図２ａ及び図２ｂを参照して説明する。図２ａ及び図２ｂは、共に表示パネル１００の構成の一例を説明する平面図である。なお、図２ａ及び図２ｂで図示する表示パネル１００は、硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。

図２ａに示す表示パネル１００では、ドライバＩＣ２３０が第１の接続基板２１０に備えられる。表示パネル１００は、基板１０１、第１の接続基板２１０及び第２の接続基板２２０を有している。

基板１０１、第１の接続基板２１０及び第２の接続基板２２０は、それぞれポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有する樹脂製の基板である。基板の厚さは例として、１０乃至２０μｍで形成される。また、基板１０１は、表示領域１７０、端子領域１８０及び額縁領域１９０を含む。

基板１０１の一端部には、さらに、基板接続部（図示せず）が設けられている。基板接続部に第１の接続基板２１０が配置されることで、基板１０１と第１の接続基板２１０とが接続される。

表示領域１７０は、複数の画素がマトリクス状に配置された画素アレイ部（図示せず）を有する。画素アレイ部は、各画素に、画素を点灯させるための電源や信号を供給する端子を少なくとも１つ含む。画素アレイ部に含まれる当該端子は、例えば、第１の接続基板２１０上に設けられるドライバＩＣ２３０から、端子領域１８０に設けられる接続配線層１４０を介して供給される、走査信号、映像信号や電源が入力される端子である。

端子領域１８０は、表示領域１７０と接続領域２００とを連結する。また、端子領域１８０は、画素アレイ部と基板接続部との間に配置される接続配線層１４０を有する。

額縁領域１９０は、表示領域１７０の周囲の領域である。具体的には、額縁領域１９０には、表示領域１７０を含むようにアンダーコート層１０２及びゲート絶縁膜１０３が配置される（図４ｂ，図８ｂ及び図１０ｂを参照）。左右の額縁には、ゲート絶縁膜１０３の上層に、画素アレイ部の行を選択する信号を生成する回路等が配置される。上下の額縁には、電源を引き回す配線や、データ信号を分配する配線等が配置される。

第１の接続基板２１０及び第２の接続基板２２０は、接続領域２００を含む。接続領域２００は、端子領域１８０における湾曲によって、表示領域１７０の裏面側に配置される。また接続領域２００には、外部装置から信号を供給される接続端子２２２が備えられる。接続端子２２２は、第１の接続基板２１０及び／又は第２の接続基板２２０に配置されることで、表示領域１７０の裏面側に配置される。

第１の接続基板２１０は、基板１０１と接続される配線基板である。第１の接続基板２１０には、ドライバＩＣ２３０が配置される。ドライバＩＣ２３０は、第２の接続基板２２０から供給されたデータ信号や電源電圧を、接続配線層１４０を介して表示領域１７０中に設けられる画素アレイ部に供給する。供給されたデータ信号や電源電圧によって、画素アレイ部に含まれる複数の画素が発光し、表示領域１７０に画像が表示される。

第２の接続基板２２０は、第１の接続基板２１０と接続される。第２の接続基板２２０には、回路部品２２１や接続端子２２２が配置される。接続端子２２２は、例えば外部接続用コネクタであって、画素アレイ部に電源やデータ信号を供給する外部装置と接続される。また、接続端子２２２は、当該電源やデータ信号を回路部品２２１によって形成される電子回路（図示なし）に供給する。当該電子回路が生成した電源やデータ信号は、接続配線１４０を介して画素アレイ部に供給される。

図２ａに示す表示パネル１００に対して、図２ｂに示す表示パネル１００では、ドライバＩＣ２３０が直接基板１０１上に備えられる。そのため、表示パネル１００は、必ずしも第２の接続基板２２０を有する必要はない。この場合、回路部品２２１や接続端子２２２は、第１の接続基板２１０に配置される。

［第１の実施形態］
以下、図３乃至図６を参照して、本発明の第１の実施形態について説明する。なお、これらの図では断面構造を見易くするため、パシベーション膜１０４、層間絶縁膜１０６及び有機封止膜１３２などの一部の層のハッチングを省略する。また以下の説明では、積層方向を上方向とする。

図３は、第１の実施形態における表示領域１７０と端子領域１８０の境界付近を拡大した図である。具体的には、図２ａ又は図２ｂにおいて、一点鎖線で囲まれた箇所を拡大している。なお、図３は硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。表示領域１７０表面は、表面フィルム１０９が覆っている。この表面フィルム１０９は、例えば偏光板又は光学フィルムである。端子領域１８０表面は、例えばパシベーション膜１０４が覆っている。なお、端子領域１８０においては、無機絶縁材料で形成される層（例えば、アンダーコート層１０２、下地絶縁膜１０３、パッシベーション膜１０４）の少なくとも一部を、省略または薄膜化してもよい。

パシベーション膜１０４上には、複数の案内膜が設けられる。この案内膜は、互いに一定距離だけ離間して平行するように設けられている。そして、この案内膜が互いに離間した箇所に、一定距離の溝部が形成される。この一定距離は、例えば、１．５ｍｍ以下であり、さらに０．５ｍｍ以下であることが好ましい。また、案内膜の幅も、例えば、１．５ｍｍ以下であり、さらに０．５ｍｍ以下であることが好ましい。例えば、第１の実施形態を示す図３では、案内膜はリブ有機膜１０７である。このリブ有機膜１０７は、表示領域１７０から延伸されて設けられる。

溝部の高さは、パシベーション膜１０４の上面から、案内膜であるリブ有機膜１０７の上面までの高さと対応する。その上で、溝部の高さは、例えばシール材１０８の厚さの３分の１以下となるように設けられればよい。例えば第１の実施形態では、溝部の高さが１乃至６μｍで設けられる。また、硬化前の樹脂組成物を案内する溝部の長さは、表示領域１７０から端子領域１８０へ延びる、端子領域の辺の長さの半分以下であればよい。

図４ａは、図３に示すＡ−Ａ線で切断した時の断面図である。なお、図４ａは硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。パシベーション膜１０４の上面は、後に設けられる樹脂膜１５０の下面と接するため、樹脂膜１５０の下地部であるとも言える。また、案内膜を設けることで形成される溝部の高さをより高くするため、パシベーション膜１０４上に設けられる積層構造も樹脂膜１５０の下地部であると言える。例えば図４ａでは、パシベーション膜１０４側から順に、平坦化膜１０５及び層間絶縁膜１０６が設けられている。このように第１の実施形態では、パシベーション膜１０４、平坦化膜１０５及び層間絶縁膜１０６が、樹脂膜１５０の下地部である。この下地部が形成された後、上述のように、硬化前の樹脂組成物を案内するための複数の案内膜（リブ有機膜１０７）が設けられる。

なお、案内膜の構成は上述の構成に限られない。例えば、表示領域１７０に設けられる平坦化膜１０５、リブ有機膜１０７又は有機封止膜１３２のうちいずれかの膜の１つを端子領域１８０まで延伸し、案内膜として設けてもよい。また、表示領域１７０の積層構造に関係なく、新たに無機膜又は有機膜を案内膜として設けてもよい。

図４ｂは、図３に示すＢ−Ｂ線で切断した時の断面図である。つまり、案内膜が設けられていない箇所における断面図である。また、図４ｃは、図３に示すＣ−Ｃ線で切断した時の断面図である。つまり、案内膜が設けられる箇所における断面図である。なお、図４ｂ及び図４ｃは樹脂膜が設けられた後のものを示す。ここで、これら図４ｂ及び図４ｃを参照して、表示パネル１００の積層構造を説明する。

基板１０１は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂組成物からなる。基板１０１は、アンダーコート層１０２によって覆われる。アンダーコート層１０２上には半導体層１１１が形成され、半導体層１１１はゲート絶縁膜１０３によって覆われる。ゲート絶縁膜１０３上にはゲート電極１１２が形成され、ゲート電極１１２はパシベーション膜１０４によって覆われる。ドレイン電極１１３及びソース電極１１４は、ゲート絶縁膜１０３とパシベーション膜１０４とを貫通して、半導体層１１１に接続される。半導体層１１１、ゲート電極１１２、ドレイン電極１１３及びソース電極１１４により、薄膜トランジスタ１１０が構成される。薄膜トランジスタ１１０は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられる。アンダーコート層１０２、ゲート絶縁膜１０３及びパシベーション膜１０４は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。

パシベーション膜１０４上には、上述のドレイン電極１１３及びソース電極１１４に加えて、端子領域１８０に接続配線層１４０が形成される。図示の接続配線層１４０は、第１の接続基板２１０と画素アレイ部が有する端子とを電気的に接続するための配線である。なお、接続配線層１４０は、表層をパシベーション膜１０４で薄く覆う構成としてもよい。

ドレイン電極１１３及びソース電極１１４は、平坦化膜１０５によって覆われる。また接続配線層１４０が案内膜の下に位置する場合も、平坦化膜１０５によって覆われる。平坦化膜１０５は、層間絶縁膜１０６によって覆われる。ドレイン電極１１３、ソース電極１１４及び接続配線層１４０は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成される。平坦化膜１０５は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有する。層間絶縁膜１０６は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。なお、図４ｂでは、案内膜が設けられない端子領域１８０上に層間絶縁膜１０６は設けられていない。しかし、上述の構成に限られず、接続配線層１４０を被覆するように、案内膜が設けられない端子領域１８０上に層間絶縁膜１０６を設けてもよい。

層間絶縁膜１０６上には、画素電極１２１（例えば陽極）が形成される。画素電極１２１は、平坦化膜１０５と層間絶縁膜１０６とを貫通して、ソース電極１１４に接続される。画素電極１２１は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられる。画素電極１２１は反射電極として形成される。画素電極１２１は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成される。一方、表示装置１がボトムエミッション方式の場合は、画素電極１２１は透過電極として形成される必要がある。この場合、画素電極１２１は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

画素電極１２１は、リブ有機膜１０７によって覆われる。リブ有機膜１０７は、バンクとも呼ばれる。リブ有機膜１０７は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。リブ有機膜１０７には、画素電極１２１が底に露出する開口１０７ｓが形成される。開口１０７ｓを形成するリブ有機膜１０７の内縁部分は、画素電極１２１の周縁部分に載っており、上方に向かうに従って外方に広がるテーパー形状を有する。

リブ有機膜１０７の開口１０７ｓの底に露出した画素電極１２１上には、発光層１２２が互いに離れて個別に形成されている。発光層１２２は、複数の単位画素のそれぞれに対応して、例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層１２２とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子輸送層の少なくとも１層が形成されてもよい。発光層１２２は、表示領域１７０の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成されてもよい。この場合、発光層１２２は単色（例えば白色）で発光し、カラーフィルタや色変換層によって、例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。また、発光層１２２はマスクを用いて個別に蒸着されて形成されるが、別の方法として、塗付によって形成されてもよい。

発光層１２２及びリブ有機膜１０７は、対向電極１２３（例えば陰極）によって覆われる。対向電極１２３は、表示領域１７０の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成される。発光層１２２、並びに発光層１２２を挟む画素電極１２１及び対向電極１２３によって、発光素子１２０が構成される。発光層１２２は、画素電極１２１と対向電極１２３との間を流れる電流によって発光する。対向電極１２３は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料又はＭｇＡｇ等の金属薄膜で形成される。表示装置１がトップエミッション方式の場合は、対向電極１２３は透過電極として形成される必要があり、金属薄膜を用いる場合は、光が透過する程度に膜厚を小さくする必要がある。

リブ有機膜１０７及び対向電極１２３は、封止膜１３０によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止膜１３０は、図４ｂ及び図４ｃに示すように、例えば第１の無機封止膜１３１、有機封止膜１３２及び第２の無機封止膜１３３を下からこの順に含む３層積層構造を有する。第１の無機封止膜１３１及び第２の無機封止膜１３３は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。有機封止膜１３２は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成されており、封止膜１３０の上面の平坦化させる。

なお、リブ有機膜１０７は、表示領域１７０と端子領域１８０との境界近傍にも形成される。このうち、層間絶縁膜１０６と第１の無機封止膜１３１との間に設けられるリブ有機膜１０７は、水分遮蔽部としても機能する。この水分遮蔽部は、表示領域１７０への水分などの異物の侵入を防ぐ。なお、表示領域１７０と端子領域１８０との境界近傍以外の部分に、リブ有機膜１０７は形成されない。また、第２の無機封止膜１３３の端部は、水分遮断部上に位置する。

封止膜１３０上には、表面フィルム１０９が設けられる。この表面フィルム１０９は、表示領域１７０に固定するための接着層であるシール材１０８上に配置される。

パシベーション膜１０４上に下地部及び案内膜を形成した後に、樹脂膜１５０が形成される。樹脂膜１５０は、アクリル系樹脂等の樹脂材料で形成される。樹脂膜１５０の厚みは、例えば、４０乃至２００μｍである。

なお、樹脂膜１５０は、端子領域１８０に設けられた案内膜（ここでは、リブ有機膜１０７）及び接続配線層１４０が最低限覆われる必要がある。そのため、具体的には、インクジェット方式等で硬化前の樹脂組成物を、下地部及び案内膜上に塗布する。塗布された硬化前の樹脂組成物は、形成された溝部によって、表示領域１７０の端子領域側端面などに案内される。その後、案内された硬化前の樹脂組成物が硬化することで、シール材１０８及び表面フィルム１０９と接するように樹脂膜１５０が形成される。

なお、図３及び図４では、接続配線層１４０が配置される高さの異なる複数層である場合を示したが、この構成に限られるものではない。図５及び６は、図３に示すＡ−Ａ線で切断した時の断面図で、第１の実施形態の変形例として、接続配線層１４０の配置を示す。なお、図５及び６は硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。図５及び６は、共に接続配線層１４０が１層の場合を示す。その上で、図５では、下地部及び案内膜の下に接続配線層１４０が設けられる。または、図６に示すように、下地部及び案内膜が設けられている箇所以外の箇所に接続配線層１４０を設けてもよい。

以上より、第１の実施形態の表示パネル１００では、パシベーション膜１０４上に案内膜を設けて溝部を形成することで、樹脂膜１５０の形成を所望する領域まで硬化前の樹脂組成物を案内することが可能となる。

［第２の実施形態］
以下、図７、図８ａ及び図８ｂを参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態に記載の構成と同一の構成については、説明が重複するため、記載を省略する。また、図８ｂにおいても、断面構造を見易くするため、パシベーション膜１０４、層間絶縁膜１０６及び有機封止膜１３２などの一部の層のハッチングを省略する。また以下の説明では、積層方向を上方向とする。

図７は、第２の実施形態における表示領域１７０と端子領域１８０の境界付近を拡大した図である。具体的には、図２ａ又は図２ｂにおいて、一点鎖線で囲まれた箇所を拡大している。なお、図７は硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。第２の実施形態において、端子領域１８０表面のうち、少なくとも表示領域側はリブ有機膜１０７によって覆われている。

図８ａは、図７に示すＡ−Ａ線で切断した時の断面図である。なお、図８ａは硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。第２の実施形態では、図８ａに示すように、案内膜であるリブ有機膜１０７が、連続して溝部の底面にも設けられる構成となっている。つまり、第１の実施形態では溝部の底面がパッシベーション膜１０４であったのに対して、第２の実施形態では溝部の底面もリブ有機膜１０７となる。なお、溝部に設けられるリブ有機膜１０７の厚さは、案内膜として設けられる箇所（図８ａでは層間絶縁膜１０６上）に設けられるリブ有機膜１０７の厚さよりも薄く設けられることが望ましい。

図８ｂは、図７に示すＢ−Ｂ線で切断した時の断面図である。上述のように、第２の実施形態では接続配線層１４０上にもリブ有機膜１０７が設けられている。また、第１の実施形態では、図４ｂのように、樹脂膜１７０の上面が平坦化されて図示されていたが、必ずしも平坦化する必要はない。樹脂膜１７０の上面のうち最も高い部分が、表面フィルム１０９の上面を越えないように設けられればよい。

なお、第２の実施形態を説明する図７で示すＣ−Ｃ線において切断した時の断面図は、第１の実施形態（図４ｃ）と同じ図となるため、説明を省略する。

以上より、第２の実施形態の表示パネル１００は、案内膜を設けて溝部を形成しつつ、
案内膜が連続して端子領域１８０全体を被覆する構成を有する。この構成を採用しても、第２の実施形態も第１の実施形態と同様に、形成された溝部によって、樹脂膜１５０の形成を所望する領域まで硬化前の樹脂組成物を案内することが可能となる。

［第３の実施形態］
以下、図９乃至図１２を参照して、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、第１及び第２の実施形態に記載の構成と同一の構成については、説明が重複するため、記載を省略する。また、図１０ｂ及び図１０ｃにおいても、断面構造を見易くするため、パシベーション膜１０４、層間絶縁膜１０６及び有機封止膜１３２などの一部の層のハッチングを省略する。また以下の説明では、積層方向を上方向とする。

図９は、第３の実施形態における表示領域１７０と端子領域１８０の境界付近を拡大した図である。具体的には、図２ａ又は図２ｂにおいて、一点鎖線で囲まれた箇所を拡大している。なお、図９は硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。図１０ａは、図９に示すＡ−Ａ線で切断した時の断面図である。なお、図１０ａは硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。第３の実施形態では、第１及び第２の実施形態と異なり、樹脂膜１５０の下地部にあたるパシベーション膜１０４が、凹部１６０を有する。

凹部１６０の底面は、例えばパシベーション膜１０４の上面から１乃至６μｍ下面となるように設けられる。凹部１６０の底面をパシベーション膜１０４の上面よりも低くする加工は、パシベーション膜１０４を形成した段階で行ってもよい。この場合、当該加工は、例えばレーザーによって行ってもよく、又はエッチングによって行ってもよい。

図１０ｂは、図９に示すＢ−Ｂ線で切断した時の断面図である。つまり、凹部１６０を含む箇所における断面図である。また、図１０ｃは、図９に示すＣ−Ｃ線で切断した時の断面図である。つまり、凹部１６０を含まない箇所における断面図である。なお、図１０ｂ及び図１０ｃは樹脂膜１５０が設けられた後のものを示す。

図１０ｂで示すように、表示領域１７０側の端子領域１８０との境界付近では、パシベーション膜１０４の表面がスロープ状となっている。しかし、凹部１６０の形状は、必ずしも表示領域１７０側に延びている必要はない。例えば、表示領域１７０側の端子領域側端面から、第１の接続基板２１０が接続される側へ延びるように、凹部１６０が設けられてもよい。

なお、凹部１６０以外の箇所については、図１０ｃに示すように、第１の実施形態を説明する図４ｃとほぼ同様の構成となる。具体的に相違する点は、第３の実施形態では、接続配線層１４０の上面がパシベーション膜１４０によって薄く覆われる構成を採用している点のみである。

図１１及び１２は、図９に示すＡ−Ａ線で切断した時の断面図で、第３の実施形態の変形例として、接続配線層１４０の配置の例を示す。なお、図１１及び１２は硬化前の樹脂組成物を塗布する前のものを示す。図１１及び１２は、共に接続配線層１４０が１層の場合を示す。その上で、図１１では、凹部１６０以外の箇所に接続配線層１４０が設けられる。または、図１２に示すように、凹部１６０の底面や、凹部１６０の底面の直下に接続配線層１４０を設けてもよい。

以上より、第３の実施形態の表示パネル１００は、樹脂膜１５０の下地部（パシベーション膜１０４）に凹部１６０が形成される。この凹部１６０によって、第３の実施形態も第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、樹脂膜１５０の形成を所望する領域まで硬化前の樹脂組成物を案内することが可能となる。

上述の第１乃至第３の実施形態で示すように、硬化前の樹脂組成物を案内する溝部を形成するため、案内膜又は凹部を設けることで、樹脂膜１５０の形成を所望する領域まで硬化前の樹脂組成物を案内することが可能となる。そして、樹脂組成物が硬化して樹脂膜１５０となることで、端子領域１８０を被覆する樹脂膜１５０が設けられる。これにより、端子領域１８０における湾曲強度が低下しないようにし、かつ接続配線層１４０の腐食を防ぐ表示装置１が提供される。

なお、硬化前の樹脂組成物の粘度を低くした場合、樹脂組成物が外方に流れてしまう可能性がある。この場合、樹脂膜１５０の形成を所望する領域を越えて、樹脂膜１５０が形成されるおそれがある。しかし、端子領域１８０に案内膜や凹部１６０を設けることで、塗付された樹脂生成物の流れる方向を、溝部による案内で制御することができる。

逆に、塗布精度を上げるために樹脂組成物の粘度を高くした場合、樹脂膜１５０の形成を所望する領域に樹脂組成物を塗布することができないおそれがある。しかし、端子領域１８０に案内膜や凹部１６０を設けることで、樹脂組成物を容易に樹脂膜１５０の形成を所望する領域へ案内することが可能となる。この溝部による樹脂組成物の案内は、溝部の形状による制御下での案内であってもよく、溝部の幅を狭めて毛細管現象を利用してもよい。

本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１ 表示装置、１０ 上フレーム、２０ 下フレーム、１００ 表示パネル、１０１ 基板、１０２ アンダーコート層、１０３ ゲート絶縁膜、１０４ パシベーション膜、１０５ 平坦化膜、１０６ 層間絶縁膜、１０７ リブ有機膜、１０７ｓ 開口、１０８ シール材、１０９ 表面フィルム、１１０ 薄膜トランジスタ、１１１ 半導体層、１１２ ゲート電極、１１３ ドレイン電極、１１４ ソース電極、１２０ 発光素子、１２１ 画素電極、１２２ 発光層、１２３ 対向電極、１３０ 封止膜、１３１ 第１の無機封止膜、１３２ 有機封止膜、１３３ 第２の無機封止膜、１４０ 接続配線層、１５０ 樹脂、１６０ 凹部、１７０ 表示領域、１８０ 端子領域、１９０ 額縁領域、２００ 接続領域、２１０ 第１の接続基板、２２０ 第２の接続基板、２２１ 回路部品、２２２ 接続端子、２３０ ドライバＩＣ。

Claims (9)

1. 可撓性を有する基板と、
   前記基板上の端子領域に設けられ、前記基板上の表示領域に設けられる画素アレイ部から端子領域に設けられる接続基板へと延びる１以上の配線層と、
   前記基板の前記表示領域を覆うように設けられる表面フィルムと、
   前記端子領域に設けられる樹脂膜と、
   を有する表示装置であって、
   前記端子領域における前記樹脂膜の下地部は、硬化前の前記樹脂膜を前記表示領域側へ案内する、前記表示領域側から前記接続基板側へ延びる溝部を複数有する、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記樹脂膜の下地部は、表層に絶縁膜が設けられ、
   前記溝部は、前記絶縁膜の上面に形成された複数の凹部である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記樹脂膜の下地部は、前記基板側から順に絶縁膜及び前記表示領域の端子領域側端面から前記接続基板側へ延びる案内膜を複数有し、
   前記溝部は、隣接する２つの前記案内膜の間である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記案内膜は、互いに一定の距離だけ離間して並行するように設けられ、
   前記案内膜の幅は、１．５ｍｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記溝部の幅は、１．５ｍｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
6. 前記樹脂膜の上面は、前記表面フィルムの上面を超えない、
   ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の表示装置。
7. 前記溝部の高さは、前記基板と前記表面フィルムとを接着するために設けられる接着層の厚さの３分の１以下である、
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の表示装置。
8. 前記溝部は、前記表示領域側から前記接続基板側へ延びる前記端子領域の辺の長さの５０％以下の長さにわたって設けられる、
   ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の表示装置。
9. 可撓性を有する基板を設ける工程と、
   前記基板上の表示領域に設けられる画素アレイ部から端子領域に設けられる接続基板へと延びる１以上の配線層を、前記基板上の端子領域に設ける工程と、
   前記基板の前記表示領域を覆うように表面フィルムを設ける工程と、
   前記端子領域に樹脂膜を設ける工程と、
   を有する表示装置の製造方法であって、
   前記端子領域における前記樹脂膜の下地部には、硬化前の前記樹脂膜を前記表示領域側へ案内する、前記表示領域側から前記接続基板側へ延びる溝部を複数形成する工程をさらに有する、
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。

Images