JP2014235861A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化及び不良発生の低減を実現することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆う封止膜と、前記封止膜上に、前記素子基板の一部の領域に対向するように配置された対向基板と、前記素子基板の前記対向基板と対向しない領域の上面に形成された外部接続端子部と、を有し、前記外部接続端子部は、互いに間隔を空けて一方に延在する複数の端子と、前記端子の側面を覆う絶縁膜と、を有し、前記端子は、その上面が前記絶縁膜から露出される、ことを特徴とする。【選択図】図４

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、陽極と陰極とで挟まれた構造を有する。

このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、特許文献１に、基板と、陽極を有する有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、封止膜と、対向基板と、外部接続端子と、を有する構成が開示されている。外部接続端子は表示領域の外側に延在し、絶縁膜によって被覆されている。

特開２０１２−４２６６２号公報

近年、外部接続端子の製造工程において、外部接続端子上の絶縁膜などの封止膜を、テープなど粘着性を有する部材により剥離する方法が検討されている。しかし、特許文献１に記載の構成によれば、外部接続端子から封止膜を剥離する際に、封止膜が外部接続端子と基板との間の段差において切れてしまうおそれがある。このため、隣接する外部接続端子同士の間に封止膜の剥がれ残りが残りやすくなり、外部接続端子と外部機器の接続における不良発生のおそれが生じる。特に、画素が微細になるほど外部接続端子同士の間隔が小さくなるため、封止膜の剥がれ残りが生じやすくなる。また、剥がれ残りの封止膜をエッチングなどにより除去すると、外部接続端子にダメージが生じる恐れがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の不良発生の低減を実現することを目的とする。

（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆う封止膜と、前記封止膜上に、前記素子基板の一部の領域に対向するように配置された対向基板と、前記素子基板の前記対向基板と対向しない領域の上面に形成された外部接続端子部と、を有し、前記外部接続端子部は、互いに間隔を空けて一方に延在する複数の端子と、前記端子の側面を覆う絶縁膜と、を有し、前記端子は、その上面が前記絶縁膜から露出される、ことを特徴とする。

（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記複数の端子の延在方向に垂直な切断面で前記外部接続端子部の断面を見た場合に、前記絶縁膜の上面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であってもよい。

（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記外部接続端子部が、複数の前記端子同士の間に、前記端子と互いに間隔を空けて配置された、前記端子に沿って延在する絶縁部材を有し、前記絶縁膜が前記絶縁部材の側面を覆い、前記絶縁部材は、その上面が前記絶縁膜から露出されてもよい。

（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆う封止膜と、前記封止膜上に、前記素子基板の一部の領域に対向するように配置された対向基板と、前記素子基板の前記対向基板と対向しない領域の上面に形成された外部接続端子部と、を有し、前記外部接続端子部は、一方に延在する複数の端子を有し、前記複数の端子は互いに間隔を空けて配置され、前記複数の端子の延在方向に垂直な切断面で前記端子の断面を見た場合に、前記端子の断面が下から上に向けて先細り形状であることを特徴とする。

（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（４）において、前記端子の断面において、前記端子の側面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であってもよい。

（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（４）または（５）において、前記外部接続端子部が、複数の前記端子同士の間に、前記端子と互いに間隔を空けて配置された、前記端子に沿って延在する絶縁部材を有し、前記切断面で前記絶縁部材の断面を見た場合に、前記絶縁部材の断面が下から上に向けて先細り形状であってもよい。

（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（６）において、前記絶縁部材の断面において、前記絶縁部材の側面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であってもよい。

上記（１）乃至（７）のいずれかによれば、画素が微細になることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、端子同士の間に封止膜の剥がれ残りが生じにくい。このため、外部接続端子部と外部機器との接続における不良発生が防がれる。以上のことから、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の不良発生の低減を実現することができる。

図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。 図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。 図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。 図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ−ＩＶ切断線における概略断面図である。 図５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。 図６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。 図７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するためのＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。 図８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。 図９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。 図１０は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。 図１１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。 図１２は本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。 図１３は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。

以下、本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。

はじめに、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａについて説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、素子基板１０と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板であるカラーフィルタ基板５０と、外部接続端子部２０と、を有している。

素子基板１０は、絶縁性の基板であって、その上面１０ａに、配線Ｌと、図示しない薄膜トランジスタを有する回路層１２と、平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、が順に形成される部材である。

素子基板１０の上面１０ａの、表示領域Ｄに対応する領域には、電源線等の配線Ｌと、図示しない複数の制御信号線と、データ信号線と、が設けられている。配線Ｌは、例えばチタンとアルミの積層膜からなり、図示しない画素に応じて形成されている。なお、配線Ｌは、チタンとアルミの積層膜に限られず、その他の構成であってもよい。

回路層１２は、図示しない薄膜トランジスタ及び絶縁層を有する層であり、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するために形成されている。薄膜トランジスタは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するためのトランジスタである。表示領域Ｄには、多数の画素が規則的に、例えば平面視でマトリクス状に配置されており、薄膜トランジスタは、素子基板１０上の表示領域Ｄに対応する領域に、画素ごとに設けられている。なお、表示領域Ｄの外側の領域には、例えばシール材Ｓが配置されている。

平坦化膜１３は、回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は絶縁材料からなる層であり、基板１０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ間や、薄膜トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。

有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は各画素に対応して設けられ、発光源として機能する。なお、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は表示領域Ｄ内に複数設けられているが、説明の便宜上、図２においては詳細な図示を省略する。

図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば図示しない反射膜を介して平坦化膜１３上に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、平坦化膜１３上に形成された陽極３２と、有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４と、から概略構成されている。なお、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は複数設けられているが、説明の便宜上、図３においては詳細な図示を省略する。

陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。陽極３２は薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流を供給される。陽極３２は、各画素に対応して、平坦化膜１３上に規則的に配置されている。陽極３２は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなる。

有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層である。有機層３３は、例えば白色光などの光を発する。有機層３３は複数の陽極３２上を覆うように形成されており、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。

陰極３４は有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する、透明な共通電極である。このような構成を有することにより、陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。陰極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる。

封止膜４０は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上を、複数の画素にわたって覆うように形成されている。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）層を有していることが好ましいが、例えばＳｉＯ層、ＳｉＯＮ層、樹脂層などを有していてもよい。また、封止膜４０は、これらの材料からなる単層膜であっても、積層膜であってもよい。

対向基板であるカラーフィルタ基板５０は、充填材４５を介して、封止膜４０上に、素子基板１０の一部の領域に対向するように配置されている。カラーフィルタ基板５０は平面視で素子基板１０よりも小さいため、素子基板１０の上面１０ａのうち一部の領域がカラーフィルタ基板５０と重なる。上面１０ａのうち、カラーフィルタ基板５０と対向しない領域を領域１０ａ_１とする。

領域１０ａ_１には、外部接続端子部２０が形成されている。外部接続端子部２０は、図示しない外部機器が接続される端子部である。外部接続端子部２０は、外部機器が接続されることにより、各画素に印加する電圧信号を有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に供給する。

外部接続端子部２０の構成について、図３、図４を用いてその詳細を説明する。図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＶ−ＩＶ切断線における概略断面図である。外部接続端子部２０は、互いに間隔を空けて一方の方向Ｙに延在する複数の端子２１と、端子２１に沿って方向Ｙに延在する絶縁部材２３と、絶縁膜２２とを有している。

端子２１は、外部機器が電気的に接続される端子であり、互いに間隔を空けて形成されている。図３に示すように、端子２１は、配線Ｌのうち、カラーフィルタ基板５０の外側で封止膜４０から露出する部分である。端子２１は、素子基板１０の上面１０ａ_１上において、一方の方向Ｙに延在している。

絶縁部材２３は、隣接する端子２１同士の間の絶縁性を保つための部材である。絶縁部材２３は、隣接する端子２１同士の間に、間隔を空けて配置されている。また、絶縁部材２３のＸ方向の幅は、端子２１同士の間隔と、端子２１と絶縁部材２３の所望する間隔とに応じて適宜設定すればよい。絶縁部材２３は、絶縁性を有するものであればその材料は限定されない。なお、外部接続端子部２０は、少なくとも端子２１と絶縁膜２２とを有していればよいが、絶縁部材２３を有していることが好ましい。

図４に示すように、端子２１の上面２１ｂと絶縁部材２３の上面２３ｂは、素子基板１０の上面１０ａに略平行となるように形成されている。なお、「略平行」とは、製造の工程により素子基板１０の上面１０ａに平行な方向から誤差の範囲でずれたものを含む。端子２１の側面２１ａと絶縁部材２３の側面２３ａは絶縁膜２２によって覆われ、端子２１の上面２１ｂ及び絶縁部材２３の上面２３ｂは、絶縁膜２２から露出されている。

絶縁膜２２は、素子基板１０の上面１０ａと端子２１の上面２１ｂの段差を埋めるために形成された、絶縁性の材料からなる膜である。絶縁膜２２は、少なくとも端子２１の側面２１ａと絶縁層２３の側面２３ａを覆っていればよく、図４に示すように、素子基板１０の上面１０ａを覆っていてもよい。なお、絶縁膜２２の材料としてはアクリル系樹脂などを用いることができるが、絶縁性を有するものであれば、その材料は限定されない。

なお、絶縁膜２２の上面２２ａは、素子基板１０の上面１０ａに平行であり、端子２１の上面２１ｂに連続する面であることが好ましいが、その少なくとも一部が上面１０ａ側に凹んでいてもよい。例えば、上面２２ａの断面の少なくとも一部が弧を描き、端子２１の上面２１ｂよりも、素子基板１０の上面１０ａ側に位置していてもよい。また、このような弧の部分を含む、上面２２ａの全ての箇所において、上面２２ａと上面１０ａのなす角度αが２０°以下であることが好ましく、その角度は小さければ小さいほど好ましい。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、外部接続端子部２０が、Ｙ方向に延在する端子２１と、端子２１の側面２１ａを覆う絶縁膜２２とを有することにより、端子部２１の側面２１ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度と比べ、側面２１ａを覆う絶縁膜２２の上面２２ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度αの方が小さくなる。

このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、Ｘ方向の切断面における、外部接続端子部２０と素子基板１０の上面１０ａの成す角度が小さくなる。また、端子部２１の側面２１ａが絶縁膜２２によって覆われていても、端子２１の上面２１ｂが絶縁膜２２から露出されることにより、外部接続端子部２０の導電性が保たれる。

また、このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて端子２１同士の間に封止膜４０の剥がれ残りが生じにくい。このため、外部接続端子部２０と外部機器との接続における不良発生が防がれる。以上のことから、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの不良発生の低減を実現することができる。また、外部接続端子部２０の端子２１同士の間隔が小さくなっても不良発生を抑えられるため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの高精細化を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、Ｘ方向の切断面で外部接続端子部２０の断面を見た場合の絶縁膜２２の上面２２ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度αが２０°以下であることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、より封止膜４０の剥がれ残りが端子２１同士の間に生じにくい。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの高精細化と、不良発生の低減を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、複数の端子２１同士の間に、端子２１と互いに間隔を空けて配置された、端子２１に沿ってＹ方向に延在する絶縁部材２３を有していることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、隣接する端子２１同士の絶縁性が保たれる。

また、絶縁部材２３が形成されていることにより、隣接する端子２１同士の間における、素子基板１０の上面１０ａ_１の露出する領域が狭くなる。このため、絶縁部材２３と端子２１との間に形成された絶縁膜２２の上面２２ａの断面が弧を描く形状であったとしても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、上面２２ａと、素子基板１０の上面１０ａのなす角度が小さくなる。このため、絶縁部材２３と端子２１との間に封止膜４０の剥がれ残りが生じにくくなり、外部接続端子部２０と外部機器との接続における不良発生が防がれる。

また、絶縁部材２３の上面２３ｂが絶縁膜２２から露出されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、端子２１の上面２１ｂの上面１０ａからの高さと、絶縁部材２３の上面２３ｂの上面１０ａからの高さが揃えられる。このため、このため、絶縁部材２３と端子２１との間の封止膜４０の剥がれ残りが均一に除去され、外部接続端子部２０と外部機器との接続における不良発生が防がれる。

次いで、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法について図面を用いて説明する。本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、素子基板１０上に外部接続端子部２０を形成する工程と、剥離層２５を形成する工程と、薄膜トランジスタを有する回路層１２を形成する工程と、平坦化膜１３を形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程と、封止膜４０を形成する工程と、カラーフィルタ基板５０を配置する工程と、外部接続端子部２０を露出する工程と、を有する。

初めに、外部接続端子部２０を形成する。図５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。外部接続端子部２０を形成する工程は、端子２１を形成する工程と、絶縁膜２２を形成する工程と、端子２１の上面２２ａを露出する工程と、を有する。

初めに、端子２１を形成する。まず、素子基板１０を用意する。次いで、図示しない画素に応じて配線Ｌを形成する。複数の配線Ｌは、表示領域Ｄよりも外側の領域である上面１０ａ_１において互いに間隔を空けて一方の方向Ｘに延在するように形成される。配線Ｌのうち、上面１０ａ_１に形成された部分を端子２１とする。また、端子２１に沿って方向Ｘに延在する絶縁部材２３を、端子２１との間隔を空けて上面１０ａ_１に形成することが好ましい。

次いで、例えばアクリル系樹脂からなる絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２は、少なくとも端子２１の側面２１ａを覆うように形成すればよいが、端子２１の側面２１ａと、絶縁層２３の側面２３ａと、素子基板１０の上面１０ａ_１を覆うように形成することが好ましい。また、図６に示すように、絶縁膜２２の上面２２ａの断面の一部が弧を描いていても良い。

次いで、端子２１の上面２１ｂと絶縁部材２３の上面２３ｂと絶縁膜２２の上面２２ａを覆うように、剥離層２５を形成する。図６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。

まず、端子２１の上面２１ｂを絶縁膜２２から露出する。上面２１ｂを露出する方法としては、例えば、アッシング（Ashing）を用いることができるが、上面２１ｂを露出できるのであれば、その方法は限定されない。また、上面２１ｂを露出する工程において、上面２１ｂとともに、絶縁部材２３の上面２３ｂも絶縁膜２２から露出させることが好ましい。

また、上面２１ｂを露出した後の絶縁膜２２の上面２２ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度を角度αとすると、角度αは２０°以下であることが好ましく、その角度は小さければ小さいほど好ましい。また、絶縁膜２２の上面２２ａは、素子基板１０の上面１０ａに平行で、かつ、端子２１の上面２１ｂに連続する面であることが特に好ましい。

次いで、絶縁膜２２の上面２２ａと端子の上面２１ｂと絶縁部材２３の上面２３ｂを覆うように剥離層２５を形成する。剥離層２５を形成する方法としては、例えばＡＬＱ_３(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)を蒸着させる方法が挙げられるが、後述する封止膜４０を上面２１ｂと上面２２ａから剥離できるものであれば、この他の方法、材料を用いてもよい。

図７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するためのＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。次いで、素子基板１０上に、薄膜トランジスタを有する回路層１２を形成する。次いで、回路層１２上を覆うように、絶縁性を有する平坦化膜１３を形成する。次いで、アルミニウムや銀（Ａｇ）等の金属膜からなる図示しない反射膜を、平坦化膜１３上の各画素に対応する領域に形成してもよい。

次いで、平坦化膜１３上（反射膜上）の各画素に対応する領域に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陽極３２を形成する工程と、少なくとも発光層を有する有機層３３を形成する工程と、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陰極３４を形成する工程と、を有する。

図８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。次いで、図８に示すように、外部接続端子部２０上を覆うように、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる封止膜４０を形成する。

図９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するためのＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。次いで、表示領域Ｄを囲むように、封止膜４０上にシール材Ｓを配置する。次いで、シール材Ｓの内側に充填材４５を充填する。次いで、充填材４５を介して封止膜４０の上面を覆うようにカラーフィルタ基板５０を配置する。

次いで、外部接続端子部２０を露出する。図１０は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するためのＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。まず、図１０に示すように、カラーフィルタ基板５０とシール材Ｓの一部を切断し、表示領域Ｄの外側の領域の一部の封止膜４０を露出させる。

次いで、外部接続端子部２０上の封止膜４０を剥離する。図１１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。まず、図１１に示すように、例えば粘着テープ６０を外部接続端子部２０上の封止膜４０の上面４０ａに貼り付ける。粘着テープ６０は粘着性を有する部材であり、例えば粘着層６１と基材６２を有する。

次いで、基材６２上から例えばゴムローラーにより圧力を加えるなどして、粘着層６１を封止膜４０の上面４０ａに密着させる。なお、粘着層６１を上面４０ａに密着させる方法はこれに限られず、他の方法を用いてもよい。そして、粘着テープ６０を引き剥がすことにより、粘着層６１に密着する封止膜４０と剥離層２５が、外部接続端子部２０から剥離される。以上により、図３に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａが形成される。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、端子２１の側面２１ａを覆う絶縁膜２２を形成することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、Ｘ方向の切断面における、外部接続端子部２０と素子基板１０の上面１０ａの成す角度が小さくなる。このため、外部接続端子部２０上から封止膜４０を剥がす際に、封止膜４０が途中で切れることや、剥がれ残りが生じることを防ぐことができる。このため、信頼性の高い外部接続端子部２０を形成することができる。

また、封止膜４０の剥がれ残りが防がれるため、外部接続端子部２０上における封止膜４０の剥がれ残りをエッチングにより除去する必要がない。よって、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、製造工程を簡略化することができる。また、外部接続端子部２０の端子２１へのエッチングによるダメージを防ぐことができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、角度αが２０°以下となるように絶縁膜２２を形成することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、外部接続端子部２０上から封止膜４０を剥がす際の、封止膜４０の剥がれ残りの発生を防ぐことができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、複数の端子２１同士の間に、端子２１に沿ってＸ方向に延在する絶縁部材２３を形成することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、隣接する端子２１同士の間における、素子基板１０の上面１０ａ_１の露出する領域が狭くなる。

これにより、絶縁膜２２の上面２２ａの断面が、表面張力により端子２１と隣接する絶縁部材２３との間で弧を描く形状となっても、その凹凸が小さくなる。このため、上面２２ａと、素子基板１０の上面１０ａのなす角度αが小さくなり、外部接続端子部２０上から封止膜４０を剥がす際の、封止膜４０の剥がれ残りの発生を防ぐことができる。

また、絶縁部材２３の上面２３ｂを絶縁膜２２から露出することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造法と比べ、端子２１の上面２１ｂの上面１０ａからの高さと、絶縁部材２３の上面２３ｂの上面１０ａからの高さが揃えられる。このため、絶縁部材２３と端子２１との間の封止膜４０の剥がれ残りを均一に除去することができる。

次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂについて説明する。第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、絶縁膜２２が形成されておらず、外部接続端子部１２０の端子１２１の断面が下側から上側に向けて先細り形状である点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。以下、本実施形態においては、外部接続端子部１２０の構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成についてはその説明を省略する。

図１２は本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。本実施形態における外部接続端子部１２０は、互いに間隔を空けて一方の方向Ｙに延在する複数の端子１２１と、端子１２１に沿って方向Ｙに延在する絶縁部材１２３を有している。

図１２に示すように、本実施形態における端子１２１は、方向Ｘにおける切断面で外部接続端子部１２０を見た場合に、その端子１２１の断面が、外部接続端子部１２０の下側である素子基板１０側から外部接続端子部１２０の上側であるカラーフィルタ基板５０側に向けて先細り形状である。具体的には例えば、端子１２１の断面形状は、端子１２１の上面１２１ｂのＸ方向の幅よりも端子１２１の下面１２１ｃのＸ方向の幅の方が大きい、台形形状となっている。

このため、端子１２１の側面１２１ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度βは９０°よりも小さくなる。また、角度βは、２０°以下であることが好ましい。なお、端子１２１の上面１２１ｂは、素子基板１０の上面１０ａに略平行となるように形成されている。

また、隣接する端子１２１同士の間に、絶縁部材１２３が、端子１２１と互いに間隔を空けて配置されていてもよい。この絶縁部材１２３は、方向Ｘにおける切断面で見た場合に、その断面が下側から上側に向けて先細り形状である。具体的には例えば、絶縁部材１２３の断面形状は、絶縁部材１２３の上面１２３ｂのＸ方向の幅よりも、絶縁部材１２３の下面１２３ｃのＸ方向の幅の方が大きい台形形状となっている。

このため、絶縁部材１２３の側面１２３ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度γは、９０°よりも小さくなる。また、角度γは、２０°以下であることが好ましい。なお、絶縁部材１２３の上面１２３ｂは、素子基板１０の上面１０ａに略平行となるように形成されている。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、端子１２１の方向Ｘにおける切断面が下側から上側に向けて先細り形状であるため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、端子部１２１の側面１２１ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度βが小さくなる。

このような構成を有することにより、外部接続端子部１２０の端子１２１同士の間隔が小さくなっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて端子１２１同士の間に封止膜４０の剥がれ残りが生じにくい。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの高精細化と、不良発生の低減を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、Ｘ方向の切断面で外部接続端子部１２０の断面を見た場合の端子１２１の側面１２１ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度βが２０°以下であることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、より封止膜４０の端子２１間における剥がれ残りの発生が防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの高精細化と、不良発生の低減を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、複数の端子１２１同士の間に、端子１２１と互いに間隔を空けて配置された、端子１２１に沿ってＹ方向に延在する絶縁部材１２３が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、隣接する端子１２１同士の絶縁性が保たれる。

また、絶縁部材１２３の方向Ｘにおける切断面が下側から上側に向けて先細り形状であるため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、絶縁部材１２３の側面１２３ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度が小さくなる。

このような構成を有することにより、外部接続端子部１２０の端子１２１と絶縁部材１２３との間隔が小さくなっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて端子１２１と絶縁部材１２３の間に、封止膜４０の剥がれ残りの発生が防がれる。このため、外部接続端子部１２０と外部機器との接続における不良発生が防がれる。以上のことから、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの高精細化と、不良発生の低減を実現することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、Ｘ方向の切断面で外部接続端子部１２０の断面を見た場合の絶縁部材１２３の絶縁部材１２３ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度γが２０°以下であることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、より封止膜４０の剥がれ残りが端子１２１と絶縁部材１２３の間に生じにくい。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの高精細化と、不良発生の低減を実現することができる。

次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法について説明する。第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法は、端子１２１を、その断面を素子基板１０側からカラーフィルタ基板５０側に向けて先細り形状となるように形成し、絶縁膜２２を形成しない点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と異なっている。以下、本実施形態においては、外部接続端子部１２０を製造する工程について説明し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と同様の構成についてはその説明を省略する。

図１３は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法を説明するための、ＩＶ−ＩＶ切断線に対応する切断線における概略断面図である。まず、素子基板１０の上面１０ａ_１に、Ｙ方向に延在する端子１２１と絶縁部材１２３を形成する。次いで、方向Ｘにおける端子１２１の断面と絶縁部材１２３の断面が素子基板１０側からカラーフィルタ基板５０側に向けて先細り形状となるように、例えばエッチングを行う。なお、端子１２１及び絶縁部材１２３の断面を、上側に向けて先細り形状となるようにする方法はエッチングに限られず、その他の方法であってもよい。

これにより、端子１２１の側面１２１ａと素子基板１０の上面１０ａのなす角度βと、絶縁部材１２３の側面１２３ａが上面１０ａとなす角度γは９０°よりも小さくなる。また、エッチング条件は、角度βと角度γが２０°以下となるように設定することがより好ましい。

次いで、端子１２１の上面１２１ａと、絶縁部材１２３の上面１２３ｂと、端子１２１と絶縁部材１２３の間において露出する上面１０ａ_１と、を覆うように剥離層２５を形成する。

次いで、各画素に対応する領域に、回路層１２、平坦化膜１３、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０、封止膜４０を順次形成し、カラーフィルタ基板５０を配置する。次いで、カラーフィルタ基板５０とシール材Ｓの一部を切断し、表示領域Ｄの外側の領域の一部の封止膜４０を露出させる。

その後、粘着テープ６０により外部接続端子部１２０上の封止膜４０と剥離層２５を剥離することにより、図１２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂが形成される。

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法は、方向Ｘにおける端子１２１及び絶縁部材１２３の断面が素子基板１０側からカラーフィルタ基板５０側に向けて先細り形状となるように形成することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、外部接続端子部１２０上から封止膜４０を剥がす際における封止膜４０の剥がれ残りを防ぐことができる。このため、信頼性の高い外部接続端子部１２０を形成することができる。

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法は、角度βと角度γが２０°以下となるように、エッチング条件を設定することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、外部接続端子部２０上における封止膜４０の剥がれ残りをより防ぐことができる。

以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。

１ａ，１ｂ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、１０ 素子基板、１０ａ 上面、１０ａ_１ 上面、１２ 回路層、１３ 平坦化膜、２０ 外部接続端子部、２１ 端子、２１ａ 側面、２１ｂ 上面、２２ 絶縁膜、２２ａ 上面、２３ 絶縁部材、２３ａ 側面、２３ｂ 上面、２５ 剥離層、３０ 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２ 陽極、３３ 有機層、３４ 陰極、４０ 封止膜、４０ａ 上面、４５ 充填材、５０ カラーフィルタ基板、６０ 粘着テープ、６１ 粘着層、６２ 基材、１２０ 外部接続端子部、１２１ 端子、１２１ａ 側面、１２１ｂ 上面、１２１ｃ 下面、１２３ 絶縁部材、１２３ａ 側面、１２３ｂ 上面、１２３ｃ 下面、Ｄ 表示領域、Ｌ 配線、Ｓ シール材、Ｙ 端子の延在方向、Ｘ 垂直な方向、α 角度、β 角度、γ 角度。

Claims (7)

1. 素子基板と、
   前記素子基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆う封止膜と、
   前記封止膜上に、前記素子基板の一部の領域に対向するように配置された対向基板と、
   前記素子基板の前記対向基板と対向しない領域の上面に形成された外部接続端子部と、を有し、
   前記外部接続端子部は、
   互いに間隔を空けて一方に延在する複数の端子と、
   前記端子の側面を覆う絶縁膜と、を有し、
   前記端子は、その上面が前記絶縁膜から露出されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記複数の端子の延在方向に垂直な切断面で前記外部接続端子部の断面を見た場合に、前記絶縁膜の上面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記外部接続端子部が、
   複数の前記端子同士の間に、前記端子と互いに間隔を空けて配置された、前記端子に沿って延在する絶縁部材を有し、
   前記絶縁膜が前記絶縁部材の側面を覆い、前記絶縁部材は、その上面が前記絶縁膜から露出されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 素子基板と、
   前記素子基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆う封止膜と、
   前記封止膜上に、前記素子基板の一部の領域に対向するように配置された対向基板と、
   前記素子基板の前記対向基板と対向しない領域の上面に形成された外部接続端子部と、を有し、
   前記外部接続端子部は、
   一方に延在する複数の端子を有し、
   前記複数の端子は互いに間隔を空けて配置され、
   前記複数の端子の延在方向に垂直な切断面で前記端子の断面を見た場合に、前記端子の断面が下から上に向けて先細り形状であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記端子の断面において、前記端子の側面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記外部接続端子部が、
   複数の前記端子同士の間に、前記端子と互いに間隔を空けて配置された、前記端子に沿って延在する絶縁部材を有し、
   前記切断面で前記絶縁部材の断面を見た場合に、前記絶縁部材の断面が下から上に向けて先細り形状であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記絶縁部材の断面において、前記絶縁部材の側面と前記素子基板の上面のなす角度が２０°以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

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