KR20190071795A - Oled 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H01L51/56—
-
- H01L51/5044—
-
- H01L51/5056—
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- H01L51/5072—
-
- H01L51/5092—
-
- H01L51/5215—
-
- H01L51/5218—
-
- H01L51/5221—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 발명은 OLED 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.
본 발명의 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.
Description
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 OLED 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디스플레이라고 알려진 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode，OLED) 디스플레이는 떠오르는 평판 표시 장치로, 자발광, 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율, 짧은 응답 시간, 고화질 및 고명암비, 대략 180°시야각, 넓은 사용 온도 범위로 인해 플렉서블 디스플레이 및 대면적 풀 컬러 디스플레이 등과 같은 많은 장점을 실현할 수 있으며 업계에서 가장 유망한 디스플레이 장치로 인식되고 있다.
OLED는 수동 매트릭스 OLED(PMOLED)와 능동 매트릭스 OLED(AMOLED)의 두 가지 유형으로 분류될 수 있다. 그 중에서도, AMOLED는 어레이 형태로 배열된 화소를 가지며, 액티브 디스플레이 방식에 속하고, 높은 발광 효율을 가지며, 일반적으로 고선명 대형 디스플레이 장치로 사용된다.
도 1은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구조도로, 도 1에 표시된 바와 같이, OLED 디스플레이 장치는, OLED 기판(600)과 OLED 기판(600) 상에 배치된 패키지 커버(700)를 포함하고, 일반적으로 OLED 기판(600)은 베이스 기판(100)과, 베이스 기판(100) 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 애노드(200)와, 베이스 기판(100) 및 복수의 애노드(200) 상의 배치된 화소 정의막(PDL)(300), 화소 정의막 (300) 상에 배치된 다수의 스페이서(500) 및 화소 정의막(300) 상에 배치되고 복수의 애노드(200)에 대응하는 복수의 개구부(310), 복수의 개구부 (310) 내에 배치되어 애노드(200)의 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460)를 포함하고, 패키지 커버(700)는 OLED 기판(600) 상의 복수의 스페이서(500)와 접촉한다.
구체적으로, 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 애노드(200), 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460)은 공통으로 OLED 소자를 구성하고, OLED 소자는 일반적으로 소자의 애노드(200)과 캐소드(460)로써 각각 ITO와 금속을 사용하고, 일정 전압 하에서 캐소드(460)과 애노드(200)으로부터 전자 수송층(440)과 정공 수송층(420)으로 각각 전자와 정공을 주입하고, 전자와 정공은 각각 전자 수송층(440)과 정공 수송층(420)을 통해 유기 발광층(430)으로 이동하여 유기 발광층(430)에서 만나 엑시톤(exciton)을 형성하고 발광 분자가 여기되어 방사선 이완(radiation relaxation)를 통해 가시광을 방출한다.
구체적으로는, OLED 기판(600)의 생산공정에서, 일반적으로, 베이스 기판(100), 애노드(200), 화소 정의막 (300)의 제조 공정은 TFT 공정으로 지칭되며, 후속하는 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450)과 캐소드(460)의 제조 공정은 OLED 공정으로 지칭되며, OLED 공정의 기판 크기는 일반적으로 TFT 공정의 기판 크기보다 작기 때문에, OLED 공정 전에 TFT 공정이 완료된 기판(일반적으로 베이스 기판은 유리)을 절단할 필요가 있으며, 통상 커터 휠을 사용하여 절단이 수행되고, 절단으로 인해 생성된 유리 파편은 OLED 소자에 손상을 줄 수 있으므로, 절단 전에 일반적으로 TFT 공정이 완료된 기판 표면에 포토 레지스트(PR) 층(800)을 도포하고(도 2에 도시한 바와 같이), 절단 후에 포토 레지스트층(800)을 박리한다. 화소 정의막(300)은 일반적으로 포토 레지스트 재료, 즉 포토 레지스트층 (800)과 동일한 재료를 사용하여 제작하기 때문에, 이 포토 레지스트층(800)의 박리 공정 중에 화소 정의막(300)의 잘못된 박리가 쉽게 발생할 수 있고, 후속 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460) 등을 성막한 후에 화소 정의막(300)의 보호를 상실한 복수의 애노드들(200) 사이에 단락이 발생하여 OLED 소자의 고장을 발생한다.
한편, 도 3에 도시한 바와 같이, OLED 공정 중에, 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450), 캐소드(460) 등 구조층의 증착 공정은 미세 금속 마스크(FMM，Fine Metal Mask）(900)을 사용해야 하고, 화소 정의막(300)에 사용되는 포토 레지스트 재료는 안정하지 못하기 때문에 증착 공정에서 미세 금속 마스크(900) 상에 쉽게 휘발되어 미세 금속 마스크(900)의 오염을 발생하고, 미세 금속 마스크 (900)의 세정 빈도가 증가하고, 생산 효율을 저하시켜 생산 비용이 증가한다.
본 발명의 목적은, 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄일 수 있는 OLED 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조된 OLED 기판을 제공하는데, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 갖는다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 우선, OLED 기판의 제조 방법을 제공하며,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함한다.
상기 베이스 기판은 TFT 기판이다.
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속이다.
상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;
상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;
상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성한다.
본 발명은 OLED 기판을 제공하고, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 배치된 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 배치된 복수의 스페이서, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부, 상기 복수의 개구부 내에 배치되고 애노드 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 포함하고, 상기 화소 정의막과 상기 복수의 스페이서의 재질은 무기물이다.
상기 베이스 기판은 TFT 기판이다.
상기 무기물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속이다.
본 발명은, OLED 기판의 제조 방법을 제공하고,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은 TFT 기판이고;
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명에 의해 제공되는 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의해 제공되는 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.
본 발명의 특징 및 기술적 내용을 더 이해하기 위해, 다음의 상세한 설명 및 첨부된 도면을 참조하되, 첨부된 도면은 단지 참고 및 설명을 목적으로 제공되며, 본 발명에 대한 제한을 가하기 위해 사용되는 것은 아니다.
본 발명의 기술적 수단 및 그 효과를 더 잘 설명하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 첨부 도면을 결합하여 자세히 기술한다.
도면에서,
도 1은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 OLED 공정 이전의 OLED 디스플레이 장치에서의 OLED 기판의 포토 레지스트 도포를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 OLED 기판의 증착 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 흐름도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 1를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 2를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 3를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 4를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 5를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 개략적인 구조도이다.
도 13은 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법의 단계 20과 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구성도이다.
도면에서,
도 1은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 OLED 공정 이전의 OLED 디스플레이 장치에서의 OLED 기판의 포토 레지스트 도포를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 OLED 기판의 증착 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 흐름도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 1를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 2를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 3를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 4를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 5를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 개략적인 구조도이다.
도 13은 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법의 단계 20과 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구성도이다.
본 발명의 기술적 수단 및 그 효과를 더 잘 설명하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 첨부 도면을 결합하여 자세히 기술한다.
도 4를 참조하면, 본 발명은 우선 다음 단계를 포함하는 OLED 기판의 제조방법을 제공한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 단계 1은 베이스 기판(10)을 제공하고, 베이스 기판(10)상에 이격되어 배치된 복수의 애노드(20)를 형성한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 기판 (10) 및 복수의 애노드 (20) 상에 무기막층(80)을 침적(deposition)한다.
바람직하게는, 베이스 기판(10)은 TFT 기판이고, 후속적으로 제조된 OLED 기판은 AMOLED 디스플레이 장치에 적용된다.
구체적으로, 무기막층(80)의 재료는 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 적어도 하나를 포함한다.
구체적으로는, 애노드(20)의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 바람직하게는 애노드(20)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 단계 2는 무기막층(80)을 하프톤 마스크(85)로 패터닝하여 화소 정의막(30)을 형성하고, 화소 정의막(30) 상에 복수의 스페이서(50)를 형성하고, 화소 정의막(30) 상에 배치되고 복수의 애노드(20)에 각각 대응하는 복수의 개구부(31)를 형성하고, 각 개구부(31)에 대응하는 애노드(20)의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판(91)을 얻는다.
구체적으로, 복수의 스페이서(50)의 높이는 동일하며, 바람직하게는 복수의 스페이서(50)는 원주 형상을 갖는다.
도 8에 도시한 바와 같이, 단계 2는 제 1 기판(91) 상에 화소 정의막(30), 복수의 스페이서(50) 및 애노드(20)를 덮는 포토 레지스트층(95)을 도포한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 포토 레지스트층(95)으로 도포된 제 1 기판(91)을 절단하여 복수의 제 2 기판(92)을 얻는다.
구체적으로는, 단계 3에서, 포토 레지스트층(95)이 도포된 제 1 기판(91)을 커터 휠(cutter wheel)로 절단한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 단계 4는 제 2 기판(92) 상의 포토 레지스트층(95)을 박리하여 제 3 기판(93)을 얻는다.
구체적으로, 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 제 2 기판(92) 상의 포토 레지스트층(95)을 박리한다. 포토 레지스트 박리 공정에서, 화소 정의막(30)의 재료가 무기재료이기 때문에, 포토 레지스트 박리액이 화소 정의막(30)에 대해 손상을 입히지 않고, 화소 정의막(30)이 하부 애노드(20)과 베이스 기판(10)을 효과적으로 보호할 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 단계 5는 제 3 기판(93) 상의 복수의 개구부(31) 내에 하부에서 상부로 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 순차적으로 형성하여 OLED 기판(60)을 얻는다.
구체적으로, 단계 5에서, 미세 금속 마스크(65)를 사용하여 제 3 기판(93)의 복수의 개구부(31) 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 형성한다.
화소 정의막(30)의 재료가 무기재료로 성질이 비교적 안정되어 있기 때문에, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65) 상에 미세 금속 마스크(65)의 오염을 유발하지 않고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 캐소드(46)의 재료는 금속이고, 바람직하게, 캐소드(46)의 재료는 마그네슘, 은 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하다.
상술한 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막(30)을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65)가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 OLED 기판의 제조 방법에 기초하여, 본 발명은 다음 단계들을 포함하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.
도 5 내지 도 12에 도시한 바와 같이, 단계 10은 상술한 OLED 기판의 제조 방법을 사용하여 OLED 기판(60)을 얻는다.
도 13에 도시된 바와 같이, 단계 20은 커버 플레이트(70)를 제공하고, 커버 플레이트(70)와 OLED 기판(60)이 대향 배치되어 밀봉 결합되고, 커버 플레이트(70)를 OLED 기판(60) 상에 복수의 스페이서(50)와 서로 접촉하여 OLED 디스플레이 장치를 얻는다.
구체적으로, 패키지 커버(70)의 재질은 유리이다.
구체적으로, OLED 디스플레이 장치에서 스페이서(50)는 패키지 커버(70)를 지지하는 역할을 한다.
상술한 OLED 기판의 제조 방법을 이용하여 OLED 기판(60)을 제조하는 상술한 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법은, 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65)가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도 12를 참조하면, 상술한 OLED 기판의 제조 방법에 기초하여, 본 발명은 OLED 기판(60)을 제공한다. OLED 기판(60)은 베이스 기판(10), 베이스 기판(10) 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드(20), 베이스 기판(10) 및 복수의 애노드(20) 상에 배치된 화소 정의막(30), 화소 정의막(30)에 배치된 복수의 스페이서(50), 화소 정의막(30) 상에 배치되고 복수의 애노드(20)에 각각 대응하는 복수의 개구부(31), 복수의 개구부(31) 내에 배치되고 애노드(20) 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 포함하고, 그 중 화소 정의막(30)과 복수의 스페이서(50)의 재질은 무기물이다.
바람직하게는, 베이스 기판(10)은 TFT 기판이고, 후속적으로 제조된 OLED 기판은 AMOLED 디스플레이 장치에 적용된다.
바람직하게는, 무기물의 재료는 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 적어도 하나를 포함한다.
구체적으로는, 애노드(20)의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 바람직하게는 애노드(20)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다.
구체적으로, 캐소드(46)의 재료는 금속이고, 바람직하게, 캐소드(46)의 재료는 마그네슘,은 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함한다.
구체적으로, 복수의 스페이서(50)의 높이는 동일하며, 바람직하게는 복수의 스페이서(50)는 원주 형상을 갖는다.
무기재료를 이용하여 화소 정의막(30)을 형성한 상술한 OLED 기판은, 제조 공정 중에 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 화소 정의막(30)의 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드(20)와 베이스 기판(10)을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.
도 13을 참조하면, 상술한 OLED 디스플레이 장치의 제조방법에 기초하여, 본 발명은 대향 배치되어 밀봉 결합된 OLED 기판(60)과 커버 플레이트(70)를 포함하는 OLED 디스플레이 장치를 제공한다.
OLED 기판(60)은 상술한 OLED 기판(60)이고, 커버 플레이트(70)는 OLED 기판 (60) 상의 복수의 스페이서(50)와 접촉하고 있다.
구체적으로, 커버 플레이트(70)의 재질은 유리이다.
구체적으로, 상술한 OLED 디스플레이 장치에서, 스페이서(50)는 커버 플레이트(70)를 지지하는 역할을 한다.
상술한 OLED 표시 장치는 OLED 기판을 포함하고, 소자 성능이 양호하다.
요약하면, 본 발명은 OLED 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 기술 방안 및 기술적 사상에 따라 다양한 변화 및 변형을 할 수 있고, 이러한 모든 변화 및 변형은 본 발명의 특허청구범위의 보호범위에 해당한다.
Claims (12)
- OLED 기판의 제조 방법으로,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하는, OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 TFT 기판인 OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;
상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;
상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성하는, OLED 기판의 제조 방법. - OLED 기판으로,
베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 배치된 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 배치된 복수의 스페이서, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부, 상기 복수의 개구부 내에 배치되고 상기 애노드 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 포함하고,
상기 화소 정의막과 상기 복수의 스페이서의 재질은 무기물인 OLED 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 TFT 기판인 OLED 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 무기물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판. - OLED 기판의 제조 방법으로,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은 TFT 기판이고;
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판의 제조 방법. - 제 10 항 에있어서,
상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;
상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;
상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성하는, OLED 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611015034.3 | 2016-11-15 | ||
| CN201611015034.3A CN106449718B (zh) | 2016-11-15 | 2016-11-15 | Oled基板及其制作方法 |
| PCT/CN2016/112445 WO2018090444A1 (zh) | 2016-11-15 | 2016-12-27 | Oled基板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190071795A true KR20190071795A (ko) | 2019-06-24 |
| KR102185577B1 KR102185577B1 (ko) | 2020-12-03 |
Family
ID=58220244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197015375A KR102185577B1 (ko) | 2016-11-15 | 2016-12-27 | Oled 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10333093B2 (ko) |
| EP (1) | EP3544058B1 (ko) |
| JP (1) | JP6800327B2 (ko) |
| KR (1) | KR102185577B1 (ko) |
| CN (1) | CN106449718B (ko) |
| WO (1) | WO2018090444A1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107180851B (zh) * | 2017-04-21 | 2020-06-30 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | Amoled显示屏及其制备方法 |
| CN107346779A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-11-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板、装置及有机发光显示面板的制作方法 |
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| CN109326222A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、调节方法、显示装置 |
| CN112310316A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN113054147A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜板、显示面板及其制作方法 |
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2016
- 2016-11-15 CN CN201611015034.3A patent/CN106449718B/zh active Active
- 2016-12-27 WO PCT/CN2016/112445 patent/WO2018090444A1/zh active Application Filing
- 2016-12-27 JP JP2019522662A patent/JP6800327B2/ja active Active
- 2016-12-27 US US15/503,717 patent/US10333093B2/en active Active
- 2016-12-27 KR KR1020197015375A patent/KR102185577B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-27 EP EP16921522.5A patent/EP3544058B1/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150087997A (ko) * | 2014-01-23 | 2015-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시판 및 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3544058A4 (en) | 2020-08-19 |
| WO2018090444A1 (zh) | 2018-05-24 |
| CN106449718B (zh) | 2019-10-18 |
| US10333093B2 (en) | 2019-06-25 |
| US20180212181A1 (en) | 2018-07-26 |
| KR102185577B1 (ko) | 2020-12-03 |
| EP3544058B1 (en) | 2022-02-02 |
| JP6800327B2 (ja) | 2020-12-16 |
| JP2019533884A (ja) | 2019-11-21 |
| EP3544058A1 (en) | 2019-09-25 |
| CN106449718A (zh) | 2017-02-22 |
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