KR20190071795A - OLED substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명은 OLED 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.The present invention provides an OLED substrate and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing an OLED substrate of the present invention can reduce the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer in the photoresist stripping process by using an inorganic material to reduce the risk of contaminating the fine metal mask in the deposition process, The cleaning frequency of the fine metal mask can be reduced, and the use efficiency of the fine metal mask can be improved.
The OLED substrate of the present invention is manufactured by the above-described method of manufacturing an OLED substrate, the pixel defining film has a perfect structure, can efficiently protect the lower anode and the base substrate, and can have good device performance.

Description

OLED 기판 및 그 제조 방법OLED substrate and manufacturing method thereof

본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 OLED 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of display technology, and more particularly, to an OLED substrate and a method of manufacturing the same.

유기 전계 발광 디스플레이라고 알려진 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode，OLED) 디스플레이는 떠오르는 평판 표시 장치로, 자발광, 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율, 짧은 응답 시간, 고화질 및 고명암비, 대략 180°시야각, 넓은 사용 온도 범위로 인해 플렉서블 디스플레이 및 대면적 풀 컬러 디스플레이 등과 같은 많은 장점을 실현할 수 있으며 업계에서 가장 유망한 디스플레이 장치로 인식되고 있다. Organic light-emitting diodes (OLED) displays, which are known as organic electroluminescent displays, are emerging flat panel displays that exhibit self-emission, low driving voltage, high luminous efficiency, short response time, high image quality and high contrast ratio, , The wide operating temperature range offers many benefits such as flexible displays and large area full color displays and is recognized as the industry's most promising display device.

OLED는 수동 매트릭스 OLED(PMOLED)와 능동 매트릭스 OLED(AMOLED)의 두 가지 유형으로 분류될 수 있다. 그 중에서도, AMOLED는 어레이 형태로 배열된 화소를 가지며, 액티브 디스플레이 방식에 속하고, 높은 발광 효율을 가지며, 일반적으로 고선명 대형 디스플레이 장치로 사용된다.OLEDs can be categorized into two types: passive matrix OLEDs (PMOLEDs) and active matrix OLEDs (AMOLEDs). Among them, AMOLED has pixels arranged in an array form, belongs to an active display method, has a high luminous efficiency, and is generally used as a high-definition large-sized display device.

도 1은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구조도로, 도 1에 표시된 바와 같이, OLED 디스플레이 장치는, OLED 기판(600)과 OLED 기판(600) 상에 배치된 패키지 커버(700)를 포함하고, 일반적으로 OLED 기판(600)은 베이스 기판(100)과, 베이스 기판(100) 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 애노드(200)와, 베이스 기판(100) 및 복수의 애노드(200) 상의 배치된 화소 정의막(PDL)(300), 화소 정의막 (300) 상에 배치된 다수의 스페이서(500) 및 화소 정의막(300) 상에 배치되고 복수의 애노드(200)에 대응하는 복수의 개구부(310), 복수의 개구부 (310) 내에 배치되어 애노드(200)의 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460)를 포함하고, 패키지 커버(700)는 OLED 기판(600) 상의 복수의 스페이서(500)와 접촉한다.1 is a schematic structural view of a conventional OLED display device. As shown in FIG. 1, an OLED display device includes an OLED substrate 600 and a package cover 700 disposed on the OLED substrate 600, An OLED substrate 600 generally includes a base substrate 100, a plurality of anodes 200 spaced apart from each other on the base substrate 100, and a plurality of light emitting elements arranged on the base substrate 100 and the plurality of anodes 200 (PDL) 300, a plurality of spacers 500 disposed on the pixel defining layer 300, and a plurality of openings (not shown) disposed on the pixel defining layer 300 and corresponding to the plurality of the anodes 200 A hole injection layer 410, a hole transport layer 420, an organic emission layer 430, an electron transport layer 440, and an electron transport layer 440 disposed in a plurality of openings 310 and sequentially stacked from the bottom to the top of the anode 200, An electron injection layer 450 and a cathode 460. The package cover 700 includes a plurality of spacers (not shown) on the OLED substrate 600, (Not shown).

구체적으로, 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 애노드(200), 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460)은 공통으로 OLED 소자를 구성하고, OLED 소자는 일반적으로 소자의 애노드(200)과 캐소드(460)로써 각각 ITO와 금속을 사용하고, 일정 전압 하에서 캐소드(460)과 애노드(200)으로부터 전자 수송층(440)과 정공 수송층(420)으로 각각 전자와 정공을 주입하고, 전자와 정공은 각각 전자 수송층(440)과 정공 수송층(420)을 통해 유기 발광층(430)으로 이동하여 유기 발광층(430)에서 만나 엑시톤(exciton)을 형성하고 발광 분자가 여기되어 방사선 이완(radiation relaxation)를 통해 가시광을 방출한다. Specifically, an anode 200, a hole injection layer 410, a hole transport layer 420, an organic light emitting layer 430, an electron transport layer 440, an electron injection layer 450, and a cathode (not shown) 460 constitute an OLED element in common and OLED elements generally use ITO and a metal as an anode 200 and a cathode 460 of a device and emit electrons from the cathode 460 and the anode 200 under a constant voltage, Electrons and holes are injected into the transport layer 440 and the hole transport layer 420. The electrons and the holes move to the organic emission layer 430 through the electron transport layer 440 and the hole transport layer 420, To form an exciton and excite the luminescent molecules to emit visible light through radiation relaxation.

구체적으로는, OLED 기판(600)의 생산공정에서, 일반적으로, 베이스 기판(100), 애노드(200), 화소 정의막 (300)의 제조 공정은 TFT 공정으로 지칭되며, 후속하는 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450)과 캐소드(460)의 제조 공정은 OLED 공정으로 지칭되며, OLED 공정의 기판 크기는 일반적으로 TFT 공정의 기판 크기보다 작기 때문에, OLED 공정 전에 TFT 공정이 완료된 기판(일반적으로 베이스 기판은 유리)을 절단할 필요가 있으며, 통상 커터 휠을 사용하여 절단이 수행되고, 절단으로 인해 생성된 유리 파편은 OLED 소자에 손상을 줄 수 있으므로, 절단 전에 일반적으로 TFT 공정이 완료된 기판 표면에 포토 레지스트(PR) 층(800)을 도포하고(도 2에 도시한 바와 같이), 절단 후에 포토 레지스트층(800)을 박리한다. 화소 정의막(300)은 일반적으로 포토 레지스트 재료, 즉 포토 레지스트층 (800)과 동일한 재료를 사용하여 제작하기 때문에, 이 포토 레지스트층(800)의 박리 공정 중에 화소 정의막(300)의 잘못된 박리가 쉽게 발생할 수 있고, 후속 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450) 및 캐소드(460) 등을 성막한 후에 화소 정의막(300)의 보호를 상실한 복수의 애노드들(200) 사이에 단락이 발생하여 OLED 소자의 고장을 발생한다. Specifically, in the production process of the OLED substrate 600, the manufacturing process of the base substrate 100, the anode 200, and the pixel defining layer 300 is generally referred to as a TFT process, and a subsequent hole injection layer The manufacturing process of the organic light emitting layer 410, the hole transport layer 420, the organic light emitting layer 430, the electron transport layer 440, the electron injection layer 450 and the cathode 460 is referred to as an OLED process, Since it is smaller than the substrate size of the TFT process, it is necessary to cut the substrate on which the TFT process is completed (generally the base substrate is glass) before the OLED process, and the cut is usually performed using the cutter wheel, The photoresist (PR) layer 800 is applied (as shown in FIG. 2) to the surface of the substrate that is generally TFT-processed before cutting, and the photoresist layer 800 ). Since the pixel defining layer 300 is generally formed using the same material as the photoresist material 800, the erasure of the pixel defining layer 300 during the peeling process of the photoresist layer 800 And after the formation of the subsequent hole injection layer 410, the hole transport layer 420, the organic light emitting layer 430, the electron transport layer 440, the electron injection layer 450 and the cathode 460, A short circuit occurs between the plurality of the anodes 200 that lose the protection of the film 300, thereby causing a failure of the OLED element.

한편, 도 3에 도시한 바와 같이, OLED 공정 중에, 정공 주입층(410), 정공 수송층(420), 유기 발광층(430), 전자 수송층(440), 전자 주입층(450), 캐소드(460) 등 구조층의 증착 공정은 미세 금속 마스크(FMM，Fine Metal Mask）(900)을 사용해야 하고, 화소 정의막(300)에 사용되는 포토 레지스트 재료는 안정하지 못하기 때문에 증착 공정에서 미세 금속 마스크(900) 상에 쉽게 휘발되어 미세 금속 마스크(900)의 오염을 발생하고, 미세 금속 마스크 (900)의 세정 빈도가 증가하고, 생산 효율을 저하시켜 생산 비용이 증가한다.3, the hole injecting layer 410, the hole transporting layer 420, the organic light emitting layer 430, the electron transporting layer 440, the electron injecting layer 450, the cathode 460, Since the photoresist material used for the pixel defining layer 300 is not stable, it is necessary to use a fine metal mask (FMM, Fine Metal Mask) So that the fine metal mask 900 is contaminated, the frequency of cleaning of the fine metal mask 900 is increased, and the production efficiency is lowered and the production cost is increased.

본 발명의 목적은, 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄일 수 있는 OLED 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an OLED substrate capable of reducing the risk of erroneous peeling of a pixel defining film in a photoresist stripping step and reducing the risk of contaminating a fine metal mask in a deposition process.

본 발명의 또 다른 목적은, OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조된 OLED 기판을 제공하는데, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 갖는다.Still another object of the present invention is to provide an OLED substrate manufactured by a method of manufacturing an OLED substrate, the pixel defining film having a perfect structure, effectively protecting the lower anode and the base substrate, and having good device performance.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 우선, OLED 기판의 제조 방법을 제공하며,In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing an OLED substrate,

단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;Step 1: providing a base substrate, forming a plurality of anodes spaced apart on the base substrate, depositing an inorganic film layer on the base substrate and the plurality of anodes;

단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;A step of forming a pixel defining layer by patterning the inorganic film layer with a halftone mask, forming a plurality of spacers on the pixel defining layer, forming a plurality of spacers corresponding to each of the plurality of anodes Forming an opening and exposing at least a portion of the anode corresponding to each opening to obtain a first substrate;

단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;Step 3, applying a photoresist layer covering the pixel defining layer, a plurality of spacers and an anode on the first substrate, and cutting the first substrate coated with the photoresist layer to obtain a plurality of second substrates ;

단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및 Step 4, peeling the photoresist layer on the second substrate to obtain a third substrate; And

단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함한다. Step 5: The OLED substrate is obtained by sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode from bottom to top in the plurality of openings on the third substrate.

상기 베이스 기판은 TFT 기판이다. The base substrate is a TFT substrate.

상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다. The material of the inorganic film layer includes at least one of silicon nitride and silicon oxide.

상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속이다. The material of the anode is a transparent conductive metal oxide, and the material of the cathode is a metal.

상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;Cutting the first substrate to which the photoresist layer is applied in step 3 with a cutter wheel;

상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;In the step 4, the photoresist layer on the second substrate is peeled off using a photoresist peeling solution;

상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성한다. In the fifth step, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and a cathode are sequentially formed in a plurality of openings of the third substrate through a deposition method from the bottom to the top using a fine metal mask do.

본 발명은 OLED 기판을 제공하고, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 배치된 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 배치된 복수의 스페이서, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부, 상기 복수의 개구부 내에 배치되고 애노드 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 포함하고, 상기 화소 정의막과 상기 복수의 스페이서의 재질은 무기물이다. The present invention provides an OLED substrate and includes a base substrate, a plurality of anodes disposed on the base substrate, a base substrate, and a pixel defining film disposed on the plurality of anodes, a plurality of A hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and a light emitting layer disposed in the plurality of openings, An electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode, and the material of the pixel defining layer and the plurality of spacers is an inorganic material.

상기 베이스 기판은 TFT 기판이다. The base substrate is a TFT substrate.

상기 무기물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다.The inorganic material includes at least one of silicon nitride and silicon oxide.

상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속이다. The material of the anode is a transparent conductive metal oxide, and the material of the cathode is a metal.

본 발명은, OLED 기판의 제조 방법을 제공하고,  The present invention provides a method of manufacturing an OLED substrate,

단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;Step 1: providing a base substrate, forming a plurality of anodes spaced apart on the base substrate, depositing an inorganic film layer on the base substrate and the plurality of anodes;

단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;A step of forming a pixel defining layer by patterning the inorganic film layer with a halftone mask, forming a plurality of spacers on the pixel defining layer, forming a plurality of spacers corresponding to each of the plurality of anodes Forming an opening and exposing at least a portion of the anode corresponding to each opening to obtain a first substrate;

단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;Step 3, applying a photoresist layer covering the pixel defining layer, a plurality of spacers and an anode on the first substrate, and cutting the first substrate coated with the photoresist layer to obtain a plurality of second substrates ;

단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및 Step 4, peeling the photoresist layer on the second substrate to obtain a third substrate; And

단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하고, Step 5, sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode in the plurality of openings on the third substrate from bottom to top to obtain an OLED substrate,

상기 베이스 기판은 TFT 기판이고;The base substrate is a TFT substrate;

상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함한다. The material of the inorganic film layer includes at least one of silicon nitride and silicon oxide.

본 발명에 의해 제공되는 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. The OLED substrate manufacturing method provided by the present invention can reduce the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer in the photoresist stripping process by reducing the risk of contamination of the fine metal mask in the deposition process, The cleaning frequency of the fine metal mask can be reduced and the use efficiency of the fine metal mask can be improved.

본 발명에 의해 제공되는 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.The OLED substrate provided by the present invention is manufactured by the above-described method of manufacturing an OLED substrate, the pixel defining film has a perfect structure, can effectively protect the lower anode and the base substrate, and can have good device performance.

본 발명의 특징 및 기술적 내용을 더 이해하기 위해, 다음의 상세한 설명 및 첨부된 도면을 참조하되, 첨부된 도면은 단지 참고 및 설명을 목적으로 제공되며, 본 발명에 대한 제한을 가하기 위해 사용되는 것은 아니다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a better understanding of the features and technical details of the present invention, reference is now made to the following detailed description and accompanying drawings, which are provided for purposes of illustration only and are not intended to be limiting of the present invention, no.

본 발명의 기술적 수단 및 그 효과를 더 잘 설명하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 첨부 도면을 결합하여 자세히 기술한다.
도면에서,
도 1은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 OLED 공정 이전의 OLED 디스플레이 장치에서의 OLED 기판의 포토 레지스트 도포를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 OLED 디스플레이 장치의 OLED 기판의 증착 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 흐름도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 1를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 2를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 3를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 4를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 제조방법의 단계 5를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 OLED 기판의 개략적인 구조도이다.
도 13은 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법의 단계 20과 본 발명의 OLED 디스플레이 장치의 개략적인 구성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a better understanding of the technical means and effects of the present invention, a preferred embodiment of the present invention and its accompanying drawings are described in detail below.
In the drawings,
1 is a schematic structural view of a conventional OLED display device.
Fig. 2 is a view schematically showing photoresist application of an OLED substrate in an OLED display device prior to the OLED process.
3 is a schematic view illustrating a process of depositing an OLED substrate of a conventional OLED display device.
4 is a flow chart of a method of manufacturing an OLED substrate of the present invention.
5 and 6 schematically show step 1 of the method of manufacturing an OLED substrate of the present invention.
7 is a view schematically showing step 2 of a method of manufacturing an OLED substrate of the present invention.
8 and 9 are views schematically showing step 3 of a method of manufacturing an OLED substrate of the present invention.
10 is a view schematically showing step 4 of a method of manufacturing an OLED substrate of the present invention.
FIGS. 11 and 12 are views schematically showing step 5 of the method of manufacturing an OLED substrate of the present invention, and FIG. 12 is a schematic structural view of an OLED substrate of the present invention.
13 is a schematic configuration diagram of the OLED display device of the present invention and step 20 of the method of manufacturing the OLED display device of the present invention.

본 발명의 기술적 수단 및 그 효과를 더 잘 설명하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 첨부 도면을 결합하여 자세히 기술한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a better understanding of the technical means and effects of the present invention, a preferred embodiment of the present invention and its accompanying drawings are described in detail below.

도 4를 참조하면, 본 발명은 우선 다음 단계를 포함하는 OLED 기판의 제조방법을 제공한다. Referring to FIG. 4, the present invention first provides a method of manufacturing an OLED substrate including the following steps.

도 5에 도시된 바와 같이, 단계 1은 베이스 기판(10)을 제공하고, 베이스 기판(10)상에 이격되어 배치된 복수의 애노드(20)를 형성한다. As shown in Figure 5, step 1 provides a base substrate 10 and a plurality of anodes 20 disposed on the base substrate 10 and spaced apart therefrom.

도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 기판 (10) 및 복수의 애노드 (20) 상에 무기막층(80)을 침적(deposition)한다.An inorganic film layer 80 is deposited on the base substrate 10 and the plurality of anodes 20, as shown in Fig.

바람직하게는, 베이스 기판(10)은 TFT 기판이고, 후속적으로 제조된 OLED 기판은 AMOLED 디스플레이 장치에 적용된다.Preferably, the base substrate 10 is a TFT substrate, and the subsequently fabricated OLED substrate is applied to an AMOLED display device.

구체적으로, 무기막층(80)의 재료는 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 적어도 하나를 포함한다.Specifically, the material of the inorganic film layer 80 includes at least one of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

구체적으로는, 애노드(20)의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 바람직하게는 애노드(20)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다.Specifically, the material of the anode 20 is a transparent conductive metal oxide, and preferably the material of the anode 20 is indium tin oxide (ITO).

도 7에 도시한 바와 같이, 단계 2는 무기막층(80)을 하프톤 마스크(85)로 패터닝하여 화소 정의막(30)을 형성하고, 화소 정의막(30) 상에 복수의 스페이서(50)를 형성하고, 화소 정의막(30) 상에 배치되고 복수의 애노드(20)에 각각 대응하는 복수의 개구부(31)를 형성하고, 각 개구부(31)에 대응하는 애노드(20)의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판(91)을 얻는다.7, step 2 is a step of forming the pixel defining layer 30 by patterning the inorganic film layer 80 with a halftone mask 85 and forming a plurality of spacers 50 on the pixel defining layer 30. [ A plurality of openings 31 corresponding to the plurality of the anodes 20 are formed on the pixel defining layer 30 and at least a part of the anodes 20 corresponding to the openings 31 is formed The first substrate 91 is obtained.

구체적으로, 복수의 스페이서(50)의 높이는 동일하며, 바람직하게는 복수의 스페이서(50)는 원주 형상을 갖는다.Specifically, the plurality of spacers 50 have the same height, and preferably, the plurality of spacers 50 have a columnar shape.

도 8에 도시한 바와 같이, 단계 2는 제 1 기판(91) 상에 화소 정의막(30), 복수의 스페이서(50) 및 애노드(20)를 덮는 포토 레지스트층(95)을 도포한다. 8, Step 2 is to apply a photoresist layer 95 covering the pixel defining layer 30, the plurality of spacers 50, and the anode 20 on the first substrate 91.

도 9에 도시한 바와 같이, 포토 레지스트층(95)으로 도포된 제 1 기판(91)을 절단하여 복수의 제 2 기판(92)을 얻는다. The first substrate 91 coated with the photoresist layer 95 is cut to obtain a plurality of second substrates 92 as shown in Fig.

구체적으로는, 단계 3에서, 포토 레지스트층(95)이 도포된 제 1 기판(91)을 커터 휠(cutter wheel)로 절단한다.Specifically, in step 3, the first substrate 91 to which the photoresist layer 95 is applied is cut with a cutter wheel.

도 10에 도시된 바와 같이, 단계 4는 제 2 기판(92) 상의 포토 레지스트층(95)을 박리하여 제 3 기판(93)을 얻는다. 10, Step 4 is to peel off the photoresist layer 95 on the second substrate 92 to obtain the third substrate 93. [

구체적으로, 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 제 2 기판(92) 상의 포토 레지스트층(95)을 박리한다. 포토 레지스트 박리 공정에서, 화소 정의막(30)의 재료가 무기재료이기 때문에, 포토 레지스트 박리액이 화소 정의막(30)에 대해 손상을 입히지 않고, 화소 정의막(30)이 하부 애노드(20)과 베이스 기판(10)을 효과적으로 보호할 수 있다. Specifically, in step 4, the photoresist layer 95 on the second substrate 92 is peeled off using the photoresist peeling solution. The photoresist stripping liquid does not damage the pixel defining layer 30 and the pixel defining layer 30 is formed on the lower anode 20 because the material of the pixel defining layer 30 is an inorganic material, And the base substrate 10 can be effectively protected.

도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 단계 5는 제 3 기판(93) 상의 복수의 개구부(31) 내에 하부에서 상부로 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 순차적으로 형성하여 OLED 기판(60)을 얻는다. 11 and 12, in step 5, a hole injection layer 41, a hole transport layer 42, an organic light emitting layer 43, and a light emitting layer 43 are formed in a plurality of openings 31 on the third substrate 93, An electron transport layer 44, an electron injection layer 45 and a cathode 46 are sequentially formed to obtain an OLED substrate 60. [

구체적으로, 단계 5에서, 미세 금속 마스크(65)를 사용하여 제 3 기판(93)의 복수의 개구부(31) 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 형성한다. Specifically, in step 5, a plurality of openings 31 of the third substrate 93 are sequentially formed by using a fine metal mask 65 from the bottom to the top by a vapor deposition method, sequentially forming the hole injection layer 41, the hole transport layer 42 An electron transport layer 44, an electron injection layer 45, and a cathode 46 are formed on a substrate (not shown).

화소 정의막(30)의 재료가 무기재료로 성질이 비교적 안정되어 있기 때문에, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65) 상에 미세 금속 마스크(65)의 오염을 유발하지 않고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. The fine metal mask 65 does not cause contamination of the fine metal mask 65 on the fine metal mask 65 in the deposition process because the material of the pixel defining layer 30 is relatively stable in nature as an inorganic material. The cleaning frequency of the fine metal mask 65 can be reduced and the use efficiency of the fine metal mask 65 can be improved.

구체적으로, 캐소드(46)의 재료는 금속이고, 바람직하게, 캐소드(46)의 재료는 마그네슘, 은 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하다. Specifically, the material of the cathode 46 is a metal, and preferably, the material of the cathode 46 includes at least one of magnesium, silver, and aluminum.

상술한 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막(30)을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65)가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. The OLED substrate manufacturing method described above can reduce the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer 30 in the photoresist stripping process by using the inorganic material to form the pixel defining layer 30, It is possible to reduce the risk of contamination of the fine metal mask 65, reduce the cleaning frequency of the fine metal mask 65, and improve the use efficiency of the fine metal mask 65.

상술한 OLED 기판의 제조 방법에 기초하여, 본 발명은 다음 단계들을 포함하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다. Based on the above-described method of manufacturing an OLED substrate, the present invention provides a method of manufacturing an OLED display device including the following steps.

도 5 내지 도 12에 도시한 바와 같이, 단계 10은 상술한 OLED 기판의 제조 방법을 사용하여 OLED 기판(60)을 얻는다. As shown in Figs. 5 to 12, step 10 uses the above-described method of manufacturing an OLED substrate to obtain an OLED substrate 60. Fig.

도 13에 도시된 바와 같이, 단계 20은 커버 플레이트(70)를 제공하고, 커버 플레이트(70)와 OLED 기판(60)이 대향 배치되어 밀봉 결합되고, 커버 플레이트(70)를 OLED 기판(60) 상에 복수의 스페이서(50)와 서로 접촉하여 OLED 디스플레이 장치를 얻는다. Step 20 provides a cover plate 70 and the cover plate 70 and the OLED substrate 60 are opposed to each other and are sealed together and the cover plate 70 is placed on the OLED substrate 60, A plurality of spacers 50 are contacted with each other to obtain an OLED display device.

구체적으로, 패키지 커버(70)의 재질은 유리이다.Specifically, the package cover 70 is made of glass.

구체적으로, OLED 디스플레이 장치에서 스페이서(50)는 패키지 커버(70)를 지지하는 역할을 한다.Specifically, in the OLED display device, the spacer 50 serves to support the package cover 70.

상술한 OLED 기판의 제조 방법을 이용하여 OLED 기판(60)을 제조하는 상술한 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법은, 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크(65)가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크(65)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. Described OLED display device manufacturing method of manufacturing the OLED substrate 60 using the OLED substrate manufacturing method described above can reduce the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer 30 in the photoresist stripping process, The risk of contamination of the fine metal mask 65 can be reduced, the frequency of cleaning of the fine metal mask 65 can be reduced, and the use efficiency of the fine metal mask 65 can be improved.

도 12를 참조하면, 상술한 OLED 기판의 제조 방법에 기초하여, 본 발명은 OLED 기판(60)을 제공한다. OLED 기판(60)은 베이스 기판(10), 베이스 기판(10) 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드(20), 베이스 기판(10) 및 복수의 애노드(20) 상에 배치된 화소 정의막(30), 화소 정의막(30)에 배치된 복수의 스페이서(50), 화소 정의막(30) 상에 배치되고 복수의 애노드(20)에 각각 대응하는 복수의 개구부(31), 복수의 개구부(31) 내에 배치되고 애노드(20) 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층(41), 정공 수송층(42), 유기 발광층(43), 전자 수송층(44), 전자 주입층(45) 및 캐소드(46)를 포함하고, 그 중 화소 정의막(30)과 복수의 스페이서(50)의 재질은 무기물이다. Referring to FIG. 12, the present invention provides an OLED substrate 60, based on the above-described method of manufacturing an OLED substrate. The OLED substrate 60 includes a base substrate 10, a plurality of anodes 20 disposed on the base substrate 10, a base substrate 10, and a pixel defining layer (not shown) disposed on the plurality of anodes 20 A plurality of spacers 50 disposed on the pixel defining layer 30, a plurality of openings 31 disposed on the pixel defining layer 30 and corresponding to the plurality of the anodes 20, A hole transporting layer 42, an organic light emitting layer 43, an electron transporting layer 44, an electron injection layer 45, and a hole injecting layer 41 which are sequentially disposed on the anode 20, And the cathode 46, and the material of the pixel defining film 30 and the plurality of spacers 50 is an inorganic material.

바람직하게는, 베이스 기판(10)은 TFT 기판이고, 후속적으로 제조된 OLED 기판은 AMOLED 디스플레이 장치에 적용된다.Preferably, the base substrate 10 is a TFT substrate, and the subsequently fabricated OLED substrate is applied to an AMOLED display device.

바람직하게는, 무기물의 재료는 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 적어도 하나를 포함한다.Preferably, the material of the inorganic material comprises at least one of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

구체적으로는, 애노드(20)의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 바람직하게는 애노드(20)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다.Specifically, the material of the anode 20 is a transparent conductive metal oxide, and preferably the material of the anode 20 is indium tin oxide (ITO).

구체적으로, 캐소드(46)의 재료는 금속이고, 바람직하게, 캐소드(46)의 재료는 마그네슘,은 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함한다.Specifically, the material of the cathode 46 is a metal, and preferably, the material of the cathode 46 includes at least one of magnesium, silver, and aluminum.

구체적으로, 복수의 스페이서(50)의 높이는 동일하며, 바람직하게는 복수의 스페이서(50)는 원주 형상을 갖는다.Specifically, the plurality of spacers 50 have the same height, and preferably, the plurality of spacers 50 have a columnar shape.

무기재료를 이용하여 화소 정의막(30)을 형성한 상술한 OLED 기판은, 제조 공정 중에 화소 정의막(30)이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 화소 정의막(30)의 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드(20)와 베이스 기판(10)을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.The OLED substrate in which the pixel defining layer 30 is formed using an inorganic material reduces the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer 30 during the manufacturing process and has a complete structure of the pixel defining layer 30, The anode 20 and the base substrate 10 can be effectively protected, and good device performance can be obtained.

도 13을 참조하면, 상술한 OLED 디스플레이 장치의 제조방법에 기초하여, 본 발명은 대향 배치되어 밀봉 결합된 OLED 기판(60)과 커버 플레이트(70)를 포함하는 OLED 디스플레이 장치를 제공한다.Referring to FIG. 13, on the basis of the above-described method of manufacturing an OLED display device, the present invention provides an OLED display device including an oppositely disposed, sealed-coupled OLED substrate 60 and a cover plate 70.

OLED 기판(60)은 상술한 OLED 기판(60)이고, 커버 플레이트(70)는 OLED 기판 (60) 상의 복수의 스페이서(50)와 접촉하고 있다.The OLED substrate 60 is the OLED substrate 60 described above and the cover plate 70 is in contact with a plurality of spacers 50 on the OLED substrate 60. [

구체적으로, 커버 플레이트(70)의 재질은 유리이다.Specifically, the material of the cover plate 70 is glass.

구체적으로, 상술한 OLED 디스플레이 장치에서, 스페이서(50)는 커버 플레이트(70)를 지지하는 역할을 한다.Specifically, in the above-described OLED display device, the spacer 50 serves to support the cover plate 70.

상술한 OLED 표시 장치는 OLED 기판을 포함하고, 소자 성능이 양호하다.The above-described OLED display device includes an OLED substrate, and the device performance is good.

요약하면, 본 발명은 OLED 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 OLED 기판의 제조 방법은 무기재료를 사용하여 화소 정의막을 형성하여 포토 레지스트 박리 공정에서 화소 정의막이 잘못 박리되는 위험을 줄이고, 증착 공정에서 미세 금속 마스크가 오염되는 위험을 줄이고, 미세 금속 마스크의 세정 빈도를 줄이고, 미세 금속 마스크의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. In summary, the present invention provides an OLED substrate and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing an OLED substrate of the present invention can reduce the risk of erroneous peeling of the pixel defining layer in the photoresist stripping process by using an inorganic material to reduce the risk of contaminating the fine metal mask in the deposition process, The cleaning frequency of the fine metal mask can be reduced, and the use efficiency of the fine metal mask can be improved.

본 발명의 OLED 기판은 전술한 OLED 기판의 제조 방법에 의해 제조되며, 화소 정의막은 완전한 구조를 가지며, 하부 애노드와 베이스 기판을 효과적으로 보호할 수 있고, 양호한 소자 성능을 가질 수 있다.The OLED substrate of the present invention is manufactured by the above-described method of manufacturing an OLED substrate, the pixel defining film has a perfect structure, can efficiently protect the lower anode and the base substrate, and can have good device performance.

상기한 바와 같이, 본 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 기술 방안 및 기술적 사상에 따라 다양한 변화 및 변형을 할 수 있고, 이러한 모든 변화 및 변형은 본 발명의 특허청구범위의 보호범위에 해당한다. As described above, various changes and modifications may be made by those skilled in the art in accordance with the technical idea and the technical idea of the present invention, and all such changes and modifications fall within the scope of the claims of the present invention .

Claims (12)

OLED 기판의 제조 방법으로,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하는, OLED 기판의 제조 방법.As a method of manufacturing an OLED substrate,
Step 1: providing a base substrate, forming a plurality of anodes spaced apart on the base substrate, depositing an inorganic film layer on the base substrate and the plurality of anodes;
A step of forming a pixel defining layer by patterning the inorganic film layer with a halftone mask, forming a plurality of spacers on the pixel defining layer, forming a plurality of spacers corresponding to each of the plurality of anodes Forming an opening and exposing at least a portion of the anode corresponding to each opening to obtain a first substrate;
Step 3, applying a photoresist layer covering the pixel defining layer, a plurality of spacers and an anode on the first substrate, and cutting the first substrate coated with the photoresist layer to obtain a plurality of second substrates ;
Step 4, peeling the photoresist layer on the second substrate to obtain a third substrate; And
Step 5: sequentially forming a hole injection layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer and a cathode from bottom to top in the plurality of openings on the third substrate to obtain an OLED substrate. / RTI > 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 TFT 기판인 OLED 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the base substrate is a TFT substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the material of the inorganic film layer comprises at least one of silicon nitride and silicon oxide. 제 1 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판의 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the material of the anode is a transparent conductive metal oxide, and the material of the cathode is a metal. 제 1 항에 있어서,
상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;
상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;
상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성하는, OLED 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Cutting the first substrate to which the photoresist layer is applied in step 3 with a cutter wheel;
In the step 4, the photoresist layer on the second substrate is peeled off using a photoresist peeling solution;
In the fifth step, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and a cathode are sequentially formed in a plurality of openings of the third substrate through a deposition method from the bottom to the top using a fine metal mask Gt; a < / RTI > OLED substrate. OLED 기판으로,
베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 배치된 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 배치된 복수의 스페이서, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부, 상기 복수의 개구부 내에 배치되고 상기 애노드 상에 하부에서 상부로 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 포함하고,
상기 화소 정의막과 상기 복수의 스페이서의 재질은 무기물인 OLED 기판.As an OLED substrate,
A display device comprising: a base substrate; a plurality of anodes spaced apart from the base substrate; a pixel defining layer disposed on the base substrate and the plurality of anodes; a plurality of spacers disposed on the pixel defining layer; A hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode, which are disposed in the plurality of openings and are sequentially stacked from bottom to top on the anode, Lt; / RTI >
Wherein the pixel defining layer and the plurality of spacers are made of an inorganic material. 제 6 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 TFT 기판인 OLED 기판.The method according to claim 6,
Wherein the base substrate is a TFT substrate. 제 6 항에 있어서,
상기 무기물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판.The method according to claim 6,
Wherein the inorganic material comprises at least one of silicon nitride and silicon oxide. 제 6 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판.The method according to claim 6,
Wherein the material of the anode is a transparent conductive metal oxide, and the material of the cathode is metal. OLED 기판의 제조 방법으로,
단계 1, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판 상에 이격되어 배치된 복수의 애노드를 형성하고, 상기 베이스 기판 및 상기 복수의 애노드 상에 무기막층을 침적하는 단계;
단계 2, 상기 무기막층을 하프톤 마스크로 패터닝하여 화소 정의막을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 복수의 스페이서를 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 복수의 애노드에 각각 대응하는 복수의 개구부를 형성하고, 각 개구부에 대응하는 애노드의 적어도 일부를 노출시킴으로써 제 1 기판을 얻는 단계;
단계 3, 상기 제 1 기판 상에 상기 화소 정의막, 복수의 스페이서 및 애노드를 덮는 포토 레지스트층을 도포하고, 상기 포토 레지스트층으로 도포된 상기 제 1 기판을 절단하여 복수의 제 2 기판을 얻는 단계;
단계 4, 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하여 제 3 기판을 얻는 단계; 및
단계 5, 상기 제 3 기판 상의 상기 복수의 개구부 내에 하부에서 상부로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 순차적으로 형성하여 OLED 기판을 얻는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은 TFT 기판이고;
상기 무기막층의 재료는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법.As a method of manufacturing an OLED substrate,
Step 1: providing a base substrate, forming a plurality of anodes spaced apart on the base substrate, depositing an inorganic film layer on the base substrate and the plurality of anodes;
A step of forming a pixel defining layer by patterning the inorganic film layer with a halftone mask, forming a plurality of spacers on the pixel defining layer, forming a plurality of spacers corresponding to each of the plurality of anodes Forming an opening and exposing at least a portion of the anode corresponding to each opening to obtain a first substrate;
Step 3, applying a photoresist layer covering the pixel defining layer, a plurality of spacers and an anode on the first substrate, and cutting the first substrate coated with the photoresist layer to obtain a plurality of second substrates ;
Step 4, peeling the photoresist layer on the second substrate to obtain a third substrate; And
Step 5, sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode in the plurality of openings on the third substrate from bottom to top to obtain an OLED substrate,
The base substrate is a TFT substrate;
Wherein the material of the inorganic film layer comprises at least one of silicon nitride and silicon oxide. 제 10 항에 있어서,
상기 애노드의 재료는 투명한 도전성 금속 산화물이고, 상기 캐소드의 재료는 금속인 OLED 기판의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the material of the anode is a transparent conductive metal oxide, and the material of the cathode is a metal. 제 10 항 에있어서,
상기 단계 3에서 상기 포토 레지스트층이 도포된 상기 제 1 기판을 커터 휠 (cutter wheel)로 절단하고;
상기 단계 4에서, 포토 레지스트 박리액을 이용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 포토 레지스트층을 박리하고;
상기 제 5단계에서, 미세 금속 마스크를 사용하여 상기 제 3 기판의 복수의 개구부 내에 하부로부터 상부로 증착법을 통해 순차적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드를 형성하는, OLED 기판의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Cutting the first substrate to which the photoresist layer is applied in step 3 with a cutter wheel;
In the step 4, the photoresist layer on the second substrate is peeled off using a photoresist peeling solution;
In the fifth step, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and a cathode are sequentially formed in a plurality of openings of the third substrate through a deposition method from the bottom to the top using a fine metal mask Gt; a < / RTI > OLED substrate.
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