JP2008140735A - Organic electroluminescent display, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a failure such as cathode line short-circuit by improving the adhesiveness between an electrode-to-electrode separation film and a partition for separating a second electrode. <P>SOLUTION: An organic electroluminescent display comprises: a color conversion filter layer formed on a transparent support substrate; a barrier layer formed on the color conversion filter layer; a first electrode formed on the barrier layer; the electrode-to-electrode separation film; the partition for dividing a second electrode; the second electrode arranged opposite to the first electrode; and an organic electroluminescent layer arranged between the first and second electrodes. In this case, the electrode-to electrode separation film covers a pixel region and a region except a connection part of the leading line of the second electrode and the connection part between the leading line and an external drive circuit, and a carbon layer is provided on the electrode-to-electrode separation film. A method of manufacturing the organic electroluminescent display includes: a color conversion filter layer formation process; a barrier layer formation process; a process for forming the first electrode, electrode-to-electrode separation film, partition for separating the second electrode, and carbon film on the barrier layer; an organic electroluminescent layer formation process; and a process for forming a second electrode on the organic electroluminescent layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ELディスプレイおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display and a manufacturing method thereof.

1987年にイーストマンコダック社のC.W.Tangにより2層積層構成のデバイスで高い効率の有機EL素子が発表されて以来(非特許文献1参照。)、現在にいたる間に様々な有機EL素子が開発されて携帯端末などに一部実用化し始めている。   In 1987, Eastman Kodak's C.I. W. Since Tang's announcement of highly efficient organic EL elements in a two-layer stacked device (see Non-Patent Document 1), various organic EL elements have been developed and some are practically used for mobile terminals. It is starting to turn.

有機化合物のエレクトロルミネセンスを利用した有機ELディスプレイパネルの1つに、パッシブマトリクス(単純マトリクス)型ディスプレイパネルがある。パッシブマトリクス型ディスプレイパネルは、ラインパターンを有する複数の導電層からなる第1電極と、第1電極に直交するラインパターンを有する複数の導電層からなる第2電極と、両電極に挟持される有機発光層から構成される。第1電極と第2電極との交差領域の発光部を単位として1画素を形成し、画素を複数個配列することにより表示部が形成される。   One of organic EL display panels using electroluminescence of organic compounds is a passive matrix (simple matrix) type display panel. The passive matrix display panel includes a first electrode composed of a plurality of conductive layers having a line pattern, a second electrode composed of a plurality of conductive layers having a line pattern orthogonal to the first electrode, and an organic sandwiched between the two electrodes. It is composed of a light emitting layer. A display unit is formed by forming one pixel with a light emitting unit in a crossing region of the first electrode and the second electrode as a unit and arranging a plurality of pixels.

パッシブマトリクス型ディスプレイパネルでフルカラー表示を可能にするカラー化の方法には、3色塗分け法、色変換法(以下CCM法という)、カラーフィルター法などがある。この方式の中で、CCM法、カラーフィルター法は、成膜時にメタルマスクを用いる必要が無く、色変換層やカラーフィルターはフォトプロセスで基板上に作製すればよいため大面積、高精細化に関して有利である。   Coloring methods that enable full color display on a passive matrix display panel include a three-color coating method, a color conversion method (hereinafter referred to as CCM method), a color filter method, and the like. Among these methods, the CCM method and the color filter method do not require the use of a metal mask at the time of film formation, and the color conversion layer and the color filter may be formed on the substrate by a photo process, so that a large area and high definition are achieved. It is advantageous.

カラーディスプレイとしての実用上の重要課題は、精細なカラー表示機能を有すると共に、色再現性を含め長期的な安定性を有することである。しかしながら、カラー有機ELディスプレイには、一定期間の駆動により発光特性(電流−輝度特性)が著しく低下するという欠点を有している。   An important practical issue as a color display is that it has a fine color display function and has long-term stability including color reproducibility. However, the color organic EL display has a defect that the light emission characteristic (current-luminance characteristic) is remarkably lowered by driving for a certain period.

この発光特性の低下原因の代表的なものは、ダークスポットの成長である。このダークスポットとは、発光欠陥点のことである。駆動時および保存中に酸化が進むとダークスポットの成長が進み、発光面全体に広がる。このダークスポットは、素子中の酸素または水分により、素子を構成する積層材料の酸化または凝集によるものと考えられている。その成長は、通電中はもちろん、保存中にも進行し、特に(1)素子の周囲に存在する酸素または水分により加速され、(2)有機積層膜中に吸着物として存在する酸素または水分に影響され、および(3)素子作製時の部品に吸着している水分あるいは製造時等における水分の侵入にも影響されると考えられている。   A typical cause of the deterioration of the light emission characteristics is the growth of dark spots. This dark spot is a light emitting defect point. When oxidation proceeds during driving and during storage, the growth of dark spots proceeds and spreads over the entire light emitting surface. This dark spot is considered to be caused by oxidation or aggregation of the laminated material constituting the element due to oxygen or moisture in the element. The growth proceeds not only during energization but also during storage. In particular, (1) it is accelerated by oxygen or moisture present around the element, and (2) oxygen or moisture present as an adsorbed material in the organic laminated film. And (3) it is considered that it is also affected by moisture adsorbed on components at the time of device fabrication or moisture intrusion at the time of production.

この水分の供給源として、カラーフィルター層および/または色変換層に内在する水分が放出されていることが考えられている。有機EL素子への水分の侵入を妨げる手法として、基板上に膜厚0.01〜200μmの無機酸化物層を配設すること(例えば、特許文献1参照)、平坦化層に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン(例えば、特許文献2参照)とし、水分・酸素遮断層として機能させることが提案されている。このほかにも窒化物など用いられる。   As a moisture supply source, it is considered that moisture inherent in the color filter layer and / or the color conversion layer is released. As a technique for preventing moisture from entering the organic EL element, an inorganic oxide layer having a film thickness of 0.01 to 200 μm is disposed on the substrate (see, for example, Patent Document 1), and silicon oxide or oxide is formed on the planarization layer. It has been proposed that aluminum and titanium oxide (for example, refer to Patent Document 2) function as a moisture / oxygen barrier layer. In addition, nitrides are used.

しかしながら、水分・酸素遮断膜を用いたパネルにおいても長時間の駆動において、水分・酸素遮断膜上に形成した電極の間を起点としてダークスポットが成長することが、発明者らの実験によってわかっている。これは、水分・酸素遮断層を形成する際に生じるピンホールや、ゴミの付着に由来する膜形成の不良部分が生じるため、電極で被覆されない部分から水分・酸素が有機EL素子に侵入するためであった。   However, the inventors' experiments have shown that even in a panel using a moisture / oxygen barrier film, dark spots grow starting from the electrodes formed on the moisture / oxygen barrier film when driven for a long time. Yes. This is because pinholes generated when the moisture / oxygen barrier layer is formed and film formation defects due to adhesion of dust occur, so that moisture / oxygen enters the organic EL element from the portions not covered by the electrodes. Met.

この欠陥を補うため、上記の構造に付加し、電極間に水分・酸素遮断層を形成する方法がある(例えば、特許文献3参照)。この水分・酸素遮断層としては遮断性と共に、ドライエッチングなどのパターニングが可能であることが求められる。前述のように酸化珪素などの酸化物や窒化珪素などの窒化物が用いられる。なかでも窒化珪素は遮断性に優れることからもっとも望ましい材料である。   In order to compensate for this defect, there is a method in which a moisture / oxygen barrier layer is formed between the electrodes in addition to the above structure (see, for example, Patent Document 3). The moisture / oxygen barrier layer is required to be capable of patterning such as dry etching as well as barrier properties. As described above, an oxide such as silicon oxide or a nitride such as silicon nitride is used. Of these, silicon nitride is the most desirable material because of its excellent barrier properties.

また、前記遮断層形成後形成される第一電極の画素間の電極間分離膜としても従来のレジスト材料から無機材料への使用が提案されている(例えば、特許文献4参照)。この無機材料としては、バリア性の点から窒化物がより好ましい。   Also, the use of a conventional resist material to an inorganic material has been proposed as an interelectrode separation film between pixels of the first electrode formed after the formation of the blocking layer (see, for example, Patent Document 4). The inorganic material is more preferably a nitride from the viewpoint of barrier properties.

基板上の下部第一電極を陽極、上部第二電極を陰極とする構造の素子で、パッシブマトリックス駆動の場合、ストライプ状にパターニングされた陽極と直交する方向に形成された陰極ラインが交差する箇所に電圧が印加され発光にいたる。そのため陰極はマスク製膜によって分離されるか、陰極分離膜によって分離される。しかし、前者の場合、蒸着装置内にマスク製膜機構が必要であり、高精細パネルには向かない方法であり、コスト及び高精細の点からは後者の方法が優れている。後者の方法の場合、陰極分離隔壁が必要となる。この隔壁は逆メサ構造であり、通常、プロセスの点からノボラック樹脂、アクリル樹脂などの感光性樹脂によって形成され、前記電極間分離膜上に形成される。   An element with a lower first electrode on the substrate as an anode and an upper second electrode as a cathode. In the case of passive matrix drive, the location where the cathode lines formed in the direction perpendicular to the stripe-patterned anode intersect A voltage is applied to the light emission. Therefore, the cathode is separated by mask film formation or by the cathode separation film. However, in the former case, a mask film forming mechanism is required in the vapor deposition apparatus, which is not suitable for a high-definition panel, and the latter method is superior in terms of cost and high definition. In the latter method, a cathode separation partition is required. This partition has an inverted mesa structure, and is usually formed of a photosensitive resin such as a novolac resin or an acrylic resin from the viewpoint of the process, and is formed on the interelectrode separation film.

特開平8−279394号公報JP-A-8-279394 特許第3304287号公報Japanese Patent No. 3304287 特開2004−39311号公報JP 2004-39311 A 特開2001−250694号公報JP 2001-250694 A C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913(1987)C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Appl.Phys. Lett. 51, 913 (1987)

しかし、前記電極間分離膜に窒化珪素などの窒化物を用いると前述の材料の陰極分離隔壁との密着性が悪いという問題がある。このため電極間分離膜から分離隔壁が剥離する不具合が生じ、分離が不十分になる不良が発生してしまう。   However, when a nitride such as silicon nitride is used for the interelectrode separation film, there is a problem that the adhesion with the cathode separation partition of the above-mentioned material is poor. For this reason, the defect which a separation partition separates from the separation film between electrodes arises, and the fault which separation becomes insufficient will generate | occur | produce.

本発明者は、このような課題を解決するには窒化膜上に密着層として炭素膜を形成することによりなされることを見出し、本発明に到達した。スパッタリング及びCVDなどにより形成された炭素膜はバリア層である窒化膜との密着性は良く、また、陰極隔壁との密着性も確保される。また、炭素層表面に紫外線/オゾン照射処理乃至酸素プラズマ処理をすると炭素―炭素の化学結合を紫外線が切断し、ダングリングボンドが形成されるためさらに窒化膜、陰極隔壁との密着性がさらに向上する。   The present inventor has found that in order to solve such problems, a carbon film is formed as an adhesion layer on the nitride film, and the present invention has been achieved. A carbon film formed by sputtering, CVD, or the like has good adhesion with a nitride film as a barrier layer, and also ensures adhesion with a cathode partition. In addition, when the surface of the carbon layer is subjected to UV / ozone irradiation treatment or oxygen plasma treatment, the UV bond breaks the carbon-carbon chemical bond and a dangling bond is formed, further improving adhesion to the nitride film and cathode barrier. To do.

即ち、本発明の有機ELディスプレイは、透明支持基板上に形成された色変換フィルター層と、該色変換フィルター層の上に形成されたバリア層と、このバリア層の上に形成された、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁とを有し、当該第一電極に対向配置された第二電極と、前記第一電極と第二電極の間に配置された有機EL層とを備えた有機ELディスプレイパネルであって、
前記電極間分離膜は画素領域と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除く領域とを被覆しており、
その電極間分離膜の上に炭素層を有することを特徴とする。
That is, the organic EL display of the present invention includes a color conversion filter layer formed on a transparent support substrate, a barrier layer formed on the color conversion filter layer, and a first layer formed on the barrier layer. A second electrode disposed opposite to the first electrode, and an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode. An organic EL display panel comprising an EL layer,
The inter-electrode separation film covers the pixel region, the connection portion of the lead line of the second electrode, and the region excluding the connection portion of the lead line and the external drive circuit,
A carbon layer is provided on the interelectrode separation membrane.

また、本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する色変換層形成工程と、該色変換フィルター層の上にバリア層を形成するバリア層形成工程と、このバリア層の上に、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁と炭素膜とを形成する第一電極形成工程と、有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、該有機発光層上に第二電極を形成する第二電極形成工程を有し、前記電極間分離膜は画素領域と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除く領域とを被覆しており、前記炭素膜は電極間分離膜上に形成されることを特徴とする。   The organic EL display manufacturing method of the present invention includes a color conversion layer forming step of forming a color conversion filter layer on a transparent support substrate, and a barrier layer forming step of forming a barrier layer on the color conversion filter layer. The first electrode forming step for forming the first electrode, the interelectrode separation film, the second electrode separation partition and the carbon film on the barrier layer, and the organic EL layer forming step for forming the organic EL layer And a second electrode forming step of forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the interelectrode separation film includes a pixel region, a connection portion of a lead line of the second electrode, a lead line, and an external drive circuit. The carbon film is formed on the interelectrode separation film.

上記の構成を採ることによって、水分・酸素遮断性に優れた電極間分離膜と第二電極分離隔壁材料の密着性を向上させることができ、短絡の発生を減少させることができる。   By adopting the above configuration, it is possible to improve the adhesion between the interelectrode separation membrane having excellent moisture / oxygen barrier properties and the second electrode separation partition wall material, and to reduce the occurrence of short circuits.

以下に本発明の有機ELディスプレイについて図面を参照しつつ説明する。
本発明の有機ELディスプレイの実施形態を図1,2,3に示す。図1は本発明の有機ELディスプレイ形態を示す図であり、図2はそのA−A’断面図、図3は、B−B’断面図である。
The organic EL display of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Embodiments of the organic EL display of the present invention are shown in FIGS. FIG. 1 is a diagram showing an organic EL display mode of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′, and FIG. 3 is a sectional view taken along line BB ′.

図1〜3に示す有機ELディスプレイは、透明支持基板上に形成された色変換フィルター層を有する。色変換フィルター層は、カラーフィルター層、色変換層、およびカラーフィルター層と色変換層との積層体の総称である。   The organic EL display shown in FIGS. 1 to 3 has a color conversion filter layer formed on a transparent support substrate. The color conversion filter layer is a general term for a color filter layer, a color conversion layer, and a laminate of a color filter layer and a color conversion layer.

透明支持基板は、可視光(波長400〜700nm)に対して透明であり、積層される層の形成に用いられる条件(溶媒、温度等)に耐えるものであればいずれも用いることができ、寸法安定性に優れていることが好ましい。透明支持基板としては、ガラス基板、およびポリオレフィン、アクリル樹脂(ポリメチルメタクリレートを含む)、ポリエステル樹脂(ポリエチレンテレフタレートを含む)、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などの樹脂で形成された剛直性の樹脂基板が好ましく用いられ、ポリオレフィン、アクリル樹脂(ポリメチルメタクリレートを含む)、ポリエステル樹脂(ポリエチレンテレフタレートを含む)、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、基板として用いてもよい。   Any transparent support substrate can be used as long as it is transparent to visible light (wavelength 400 to 700 nm) and can withstand the conditions (solvent, temperature, etc.) used to form the layer to be laminated. It is preferable that it is excellent in stability. Transparent support substrates include glass substrates and rigid resin substrates formed of polyolefin, acrylic resin (including polymethyl methacrylate), polyester resin (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resin, or polyimide resin. A flexible film formed of polyolefin, acrylic resin (including polymethyl methacrylate), polyester resin (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resin, polyimide resin, or the like may be used as the substrate.

カラーフィルター層は、所望される波長域の光のみを透過させる層である。また、色変換フィルター層がカラーフィルター層と色変換層との積層体の場合、色変換層にて波長分布変換された光の色純度を向上させることにカラーフィルター層は有効である。カラーフィルター層は、たとえば、市販の液晶用カラーフィルター材料(富士フイルムエレクトロマテリアルズ製カラーモザイクなど)を用いて形成することができる。   The color filter layer is a layer that transmits only light in a desired wavelength range. Further, when the color conversion filter layer is a laminate of a color filter layer and a color conversion layer, the color filter layer is effective in improving the color purity of the light subjected to wavelength distribution conversion in the color conversion layer. The color filter layer can be formed using, for example, a commercially available color filter material for liquid crystal (such as a color mosaic manufactured by Fuji Film Electromaterials).

色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機発光層からの近紫外光または青色〜青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光(たとえば、青色、緑色または赤色)を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など;緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など;青色光を放射するクマリン系色素など、当該技術で知られている任意のものを用いることができる。   The color conversion layer is a layer made of a color conversion dye and a matrix resin. The color conversion dye is a dye that converts the wavelength distribution of incident light and emits light in different wavelength ranges, and preferably converts the wavelength distribution of near-ultraviolet light or blue to blue-green light from the organic light emitting layer. Thus, it is a pigment that emits light in a desired wavelength band (for example, blue, green, or red). Color conversion dyes are known in the art, such as rhodamine dyes and cyanine dyes that emit red light; coumarin dyes and naphthalimide dyes that emit green light; and coumarin dyes that emit blue light. Any thing that can be used.

1つの透明基板に、複数種の色変換フィルター層、たとえば有機発光層からの光を吸収して赤色光を放射する赤色変換フィルター層、緑色光を放射する緑色変換フィルター層、青色光を放射する青色変換フィルター層などを設けてもよい。本発明においては、複数種の色変換フィルター層をマトリクス状に配置することによってフルカラー表示を可能にする構成を採ってもよい。   On one transparent substrate, multiple types of color conversion filter layers, for example, a red conversion filter layer that absorbs light from an organic light emitting layer and emits red light, a green conversion filter layer that emits green light, and blue light are emitted. A blue conversion filter layer or the like may be provided. In the present invention, a configuration that enables full color display by arranging a plurality of types of color conversion filter layers in a matrix may be employed.

色変換フィルター間および色変換フィルター上には必要に応じて、色変換フィルターの段差を緩和し、バリア層との密着性を確保するために平坦化層で色変換フィルター層を被覆してもよい。平坦化層には、アクリル材料等の可視光の透過率の高い材料が用いられる。平坦化層は、通常1μm以上、好ましくは2μm〜10μmの範囲内の厚さを有することが望ましい。   The color conversion filter layer may be covered with a flattening layer between the color conversion filters and on the color conversion filter, if necessary, in order to alleviate the steps of the color conversion filter and ensure adhesion with the barrier layer. . For the planarizing layer, a material having a high visible light transmittance such as an acrylic material is used. The planarizing layer usually has a thickness of 1 μm or more, preferably 2 μm to 10 μm.

色変換フィルター層の上部にはバリア層が形成される。バリア層は被覆する色変調部および平坦化層から放出される水分が発光層側に伝播することを防止するバリア層として機能する。材料としてSiO、SiN、SiN、AlO、TiO、TaO、ZnOなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いて形成することができる。望ましくは色変換フィルター層を形成する材料と屈折率差の小さなSiO、SiNを選択する。通常の場合、バリア層は100nm〜1μmの膜厚を有して形成される。 A barrier layer is formed on the color conversion filter layer. The barrier layer functions as a barrier layer that prevents moisture emitted from the color modulation portion and the planarization layer to be propagated to the light emitting layer side. As a material, it can be formed using an insulating inorganic oxide such as SiO x , SiN x , SiN x O y , AlO x , TiO x , TaO x , ZnO x , inorganic nitride, inorganic oxynitride, or the like. . Desirably, SiO x and SiN x O y having a small difference in refractive index from the material forming the color conversion filter layer are selected. Usually, the barrier layer is formed with a film thickness of 100 nm to 1 μm.

バリア層の上に形成される第一電極(陽極)は、例えば、SnO、In、ITO、IZO、ZnO:Alなどの導電性金属酸化物からなる、ラインパターン状に互いに電気的に分離された複数のストライプ状透明電極から構成される。第一電極は、波長400〜800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有することが好ましい。第一電極は、通常50nm以上、好ましくは50nm〜1μm、より好ましくは100〜300nmの範囲内の厚さを有することが望ましい。
第一電極は、主として表示部に設けられており、その一端は更に端部まで伸びて外部駆動回路と接続するための端子部を形成している。
The first electrode (anode) formed on the barrier layer is made of a conductive metal oxide such as SnO 2 , In 2 O 3 , ITO, IZO, ZnO: Al, and is electrically connected to each other in a line pattern. It is comprised from the some striped transparent electrode isolate | separated into. The first electrode preferably has a transmittance of 50% or more, more preferably 85% or more with respect to light having a wavelength of 400 to 800 nm. The first electrode usually has a thickness of 50 nm or more, preferably 50 nm to 1 μm, more preferably 100 to 300 nm.
The first electrode is mainly provided in the display portion, and one end of the first electrode further extends to the end portion to form a terminal portion for connection to an external drive circuit.

第一電極の抵抗を抑制するためにAl,Mo,Ni,Cr,W等の金属を補助電極として用いることも可能である。補助電極は、表示部、第一電極の外部駆動回路との引き出し部、第二電極の引き出し線のいずれにも形成しても抵抗を抑制する効果がある。   In order to suppress the resistance of the first electrode, metals such as Al, Mo, Ni, Cr, and W can be used as the auxiliary electrode. Even if the auxiliary electrode is formed on any of the display portion, the lead portion of the first electrode with the external drive circuit, and the lead wire of the second electrode, there is an effect of suppressing resistance.

特に、第二電極と、第二電極の引き出し線が接合する部位では、第二電極と第一電極が接触し、酸化することを防止するために、補助電極と第二電極を直接接合する構造をとることもできる。   In particular, in the part where the second electrode and the lead wire of the second electrode are joined, the structure in which the auxiliary electrode and the second electrode are directly joined to prevent the second electrode and the first electrode from contacting and oxidizing. You can also take

第一電極の上部には電極間分離膜が設けられている。電極間分離膜は、画素領域(有機発光層が第一電極と第二電極に挟持され発光領域として機能する部位)と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除いて形成されている。
画素領域では図4に示すように、隣接する第一電極間に形成され、第一電極の端部をも被覆するように形成されている。また第2電極の端部の下部に形成される。その結果、1つの画素の発光領域を規定する。また、第一電極間に形成することにより、バリア層を浸透する水分の透過を防止する機能ももつ。
An interelectrode separation membrane is provided on the first electrode. The interelectrode separation film includes a pixel region (a portion where the organic light emitting layer is sandwiched between the first electrode and the second electrode and functions as a light emitting region), a connection portion of the lead line of the second electrode, a lead wire, and an external drive circuit. It is formed except for the connection part.
As shown in FIG. 4, the pixel region is formed between adjacent first electrodes and is formed so as to cover the end portion of the first electrode. Further, it is formed below the end of the second electrode. As a result, the light emitting area of one pixel is defined. Further, by forming between the first electrodes, it also has a function of preventing permeation of moisture penetrating the barrier layer.

電極間分離膜は水分・酸素遮断性バリア性の点と電気的絶縁性の点から、材料として窒化珪素(SiN)、酸化窒化珪素(SiN)などの無機窒化物などが用いられる。通常の場合、この電極間分離膜は100nm〜1μmの膜厚を有して形成される。 For the interelectrode separation film, inorganic nitrides such as silicon nitride (SiN x ) and silicon oxynitride (SiN x O y ) are used from the viewpoint of moisture / oxygen barrier properties and electrical insulation. . In a normal case, the interelectrode separation membrane is formed to have a thickness of 100 nm to 1 μm.

電極間分離膜の上には炭素層が形成されている。炭素層の膜厚は通常は10〜100nmである。ここでいう炭素膜はグラッシーカーボンや水素を含むダイヤモンドライクカーボンなどを含む。この炭素膜は窒化膜との密着性に優れる。この炭素膜は紫外線処理されていることが好ましい。炭素層表面に紫外線処理を行うと、炭素−炭素の化学結合を紫外線が切断し、ダングリングボンドが形成されるため高分子材料との密着性が向上する。   A carbon layer is formed on the interelectrode separation membrane. The film thickness of the carbon layer is usually 10 to 100 nm. The carbon film here includes glassy carbon, diamond-like carbon containing hydrogen, and the like. This carbon film is excellent in adhesion to the nitride film. This carbon film is preferably subjected to ultraviolet treatment. When the surface of the carbon layer is subjected to ultraviolet treatment, ultraviolet rays break the carbon-carbon chemical bond and a dangling bond is formed, so that adhesion to the polymer material is improved.

電極間分離膜の上には炭素膜10を間にはさんで、第一電極のストライプ状電極と直交する方向に伸びる第二電極(陰極)分離用隔壁が形成されている。この第二電極分離用隔壁はノボラック樹脂などの有機樹脂からなり、図3に示すように逆テーパー状の断面形状を有している。   A partition wall for separating a second electrode (cathode) extending in a direction orthogonal to the stripe electrode of the first electrode is formed on the interelectrode separation film with the carbon film 10 interposed therebetween. This second electrode separation partition is made of an organic resin such as a novolac resin and has a reverse tapered cross-sectional shape as shown in FIG.

分離壁の間の第一電極の上には有機EL層が設けられている。有機EL層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および/または電子注入層を含有する。これらの各層は、それぞれにおいて所望される特性を実現するのに充分な膜厚を有して形成される。たとえば、下記のような層構成からなるものが採用される。   An organic EL layer is provided on the first electrode between the separation walls. The organic EL layer includes at least an organic light emitting layer, and contains a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer as necessary. Each of these layers is formed to have a film thickness sufficient to realize desired characteristics in each layer. For example, what consists of the following layer structures is employ | adopted.

すなわち、有機EL層は(A)有機発光層のみからなってもよく、第一電極側から、
(B)正孔注入層/有機発光層
(C)有機発光層/電子注入層
(D)正孔注入層/有機発光層/電子注入層
(E)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
(F)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
の構成となっていてもよい。第一電極は、第二電極の方向と交差する(好ましくは直交する)方向に延びる複数のストライプ状電極として形成することによって、パッシブマトリクス駆動を行うことができるように構成することが好ましい。
That is, the organic EL layer may consist of only (A) the organic light emitting layer, and from the first electrode side,
(B) Hole injection layer / organic light emitting layer (C) organic light emitting layer / electron injection layer (D) hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer (E) hole injection layer / hole transport layer / organic The structure may be light emitting layer / electron injection layer (F) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer. The first electrode is preferably configured to be capable of passive matrix driving by being formed as a plurality of striped electrodes extending in a direction intersecting (preferably orthogonal) with the direction of the second electrode.

有機発光層の材料としては、任意の公知の材料を用いることができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るためには、例えば縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体(Alq3のようなアルミニウム錯体など)、スチリルベンゼン系化合物(4,4’−ビス(ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)など)、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される(非特許文献2および非特許文献3参照)。あるいはまた、ホスト化合物にドーパントを添加することによって、種々の波長域の光を発する有機発光層を形成してもよい。ホスト化合物としては、ジスチリルアリーレン系化合物(たとえば出光興産製IDE−120など)、N,N’−ジトリル−N,N’−ジフェニルビフェニルアミン(TPD)、アルミニウムトリス(8−キノリノラート)(Alq3)等を用いることができる。ドーパントとしては、ペリレン(青紫色)、クマリン6(青色)、キナクリドン系化合物(青緑色〜緑色)、ルブレン(黄色)、4−ジシアノメチレン−2−(p−ジメチルアミノスチリル)−6−メチル−4H−ピラン(DCM、赤色)、白金オクタエチルポルフィリン錯体(PtOEP、赤色)などを用いることができる。   Any known material can be used as the material of the organic light emitting layer. For example, in order to obtain light emission from blue to blue-green, for example, a condensed aromatic ring compound, a ring assembly compound, a metal complex (such as an aluminum complex such as Alq3), a styrylbenzene compound (4,4′-bis (diphenylvinyl) ) Biphenyl (DPVBi), etc.), porphyrin-based compounds, benzothiazole-based, benzimidazole-based, benzoxazole-based fluorescent brighteners, and aromatic dimethylidin-based compounds are preferably used (Non-patent Document 2). And Non-Patent Document 3). Or you may form the organic light emitting layer which emits the light of a various wavelength range by adding a dopant to a host compound. Examples of the host compound include distyrylarylene compounds (eg, IDE-120 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.), N, N′-ditolyl-N, N′-diphenylbiphenylamine (TPD), aluminum tris (8-quinolinolate) (Alq3) Etc. can be used. As dopants, perylene (blue purple), coumarin 6 (blue), quinacridone compounds (blue green to green), rubrene (yellow), 4-dicyanomethylene-2- (p-dimethylaminostyryl) -6-methyl- 4H-pyran (DCM, red), platinum octaethylporphyrin complex (PtOEP, red), or the like can be used.

正孔注入層の材料としては、Pc類(CuPcなどを含む)またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、TPD、α−NPD、(o−,m−,p−)MTDAPB、m−MTDATAなどを含む。   As a material for the hole injection layer, Pc (including CuPc) or indanthrene compounds can be used. The hole transport layer can be formed using a material having a triarylamine partial structure, a carbazole partial structure, or an oxadiazole partial structure. Materials that can be used preferably include TPD, [alpha] -NPD, (o-, m-, p-) MTDAPB, m-MTDATA, and the like.

電子輸送層の材料としては、Alqのようなアルミニウム錯体;PBD、TPOBのようなオキサジアゾール誘導体;TAZのようなトリアゾール誘導体;トリアジン誘導体;フェニルキノキサリン類;BMB−2Tのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Alqのようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。 Materials for the electron transport layer include aluminum complexes such as Alq 3 ; oxadiazole derivatives such as PBD and TPOB; triazole derivatives such as TAZ; triazine derivatives; phenylquinoxalines; thiophene derivatives such as BMB-2T, etc. Can be used. As the material for the electron injection layer, an aluminum complex such as Alq 3 or an aluminum quinolinol complex doped with an alkali metal or an alkaline earth metal can be used.

また、任意選択的に、有機EL層と陰極として用いる電極との界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物などの電子注入性材料の薄膜(膜厚10nm以下)で形成されるバッファ層を設けて、電子注入効率を高めてもよい。   Optionally, a thin film (thickness of 10 nm or less) of an electron injecting material such as an alkali metal, an alkaline earth metal, an alloy containing them, or an alkali metal fluoride is formed at the interface between the organic EL layer and the electrode used as the cathode. ) May be provided to increase the electron injection efficiency.

第二電極分離用隔壁の間の有機EL層の上には第二電極の導電層が設けられている。
第二電極は第二電極分離用隔壁により互いに分離され、電気的に絶縁されたラインパターン状の複数列の導電層からなる電極である。この複数列の導電層は第一電極の導電層と直交する方向に伸びている。即ち、第一電極のストライプ状電極と第二電極のストライプ状電極が交差する位置(画素領域)においては、第二電極が第一電極に対向配置され、第一および第二電極間には有機発光層が配置されている。
A conductive layer of the second electrode is provided on the organic EL layer between the second electrode separation partitions.
The second electrode is an electrode composed of a plurality of rows of conductive layers in a line pattern shape, which are separated from each other by a second electrode separation partition and are electrically insulated. The plurality of rows of conductive layers extend in a direction perpendicular to the conductive layer of the first electrode. That is, at the position (pixel region) where the stripe electrode of the first electrode and the stripe electrode of the second electrode cross each other, the second electrode is disposed opposite to the first electrode, and there is organic between the first and second electrodes. A light emitting layer is disposed.

第二電極は、複数の電極群からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、NiP、NiB、CrPおよびCrBなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、NiAlなどを含む。第二電極は、陰極として用いてもよいし、陽極として用いてもよい。第二電極を陰極として用いる場合には、第二電極と有機EL層との界面に、前述のバッファ層を設けて有機EL層に対する電子注入の効率を向上させてもよい。   The second electrode includes a plurality of electrode groups, and is preferably formed using a highly reflective metal, amorphous alloy, or microcrystalline alloy. High reflectivity metals include Al, Ag, Mo, W, Ni, Cr, and the like. High reflectivity amorphous alloys include NiP, NiB, CrP, CrB, and the like. The highly reflective microcrystalline alloy includes NiAl and the like. The second electrode may be used as a cathode or an anode. When the second electrode is used as a cathode, the aforementioned buffer layer may be provided at the interface between the second electrode and the organic EL layer to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer.

次に、本発明の有機ELディスプレイの製造方法について説明する。
本発明の有機ELディスプレイの製造方法においては、まず、色変換フィルター層形成工程において、透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する。色変換フィルター層は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターニングすることによって形成する。バリア層との密着性を確保するために平坦化層を色変換フィルター層の上に設けてもよい。
Next, the manufacturing method of the organic EL display of this invention is demonstrated.
In the method for producing an organic EL display of the present invention, first, in a color conversion filter layer forming step, a color conversion filter layer is formed on a transparent support substrate. The color conversion filter layer is formed by applying the material of each layer using a spin coat method, a roll coat method, a cast method, a dip coat method, etc., and then patterning using a photolithographic method or the like. In order to ensure adhesion with the barrier layer, a planarizing layer may be provided on the color conversion filter layer.

次に、第1バリア層形成工程において、色変換フィルター層またはその上の平坦化層の上にバリア層を形成する。このバリア層は、プラズマCVD法や、スパッタ法を用いて形成する。   Next, in the first barrier layer forming step, a barrier layer is formed on the color conversion filter layer or the planarizing layer thereon. This barrier layer is formed using a plasma CVD method or a sputtering method.

次の、第一電極形成工程により、バリア層の上に、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁と炭素膜とを形成する。第一電極はスパッタ法を用いて導電性金属酸化物を堆積させることによって形成する。第一電極は主として表示部に設けられており、その一端を更に端部まで伸ばして外部駆動回路と接続するための端子部を形成する。   A first electrode, an interelectrode separation membrane, a second electrode separation partition, and a carbon membrane are formed on the barrier layer by the next first electrode formation step. The first electrode is formed by depositing a conductive metal oxide using a sputtering method. The first electrode is mainly provided in the display portion, and one end thereof is further extended to the end portion to form a terminal portion for connection to the external drive circuit.

次いで、電極間分離膜をプラズマCVD法や、スパッタ法を用いて形成する。電極間分離膜は、画素領域と、第2電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除いて形成する。次ぎに炭素層をプラズマCVD法や、スパッタ法を用いて形成する。プラズマCVD法や、スパッタ法で形成した炭素膜は、無機窒化物からなる電極間分離膜との密着性に優れる。この炭素膜は、成膜後、紫外線照射処理をすることが好ましい。紫外線照射処理により、第二電極分離用隔壁との密着性が向上する。   Next, an interelectrode separation film is formed using a plasma CVD method or a sputtering method. The interelectrode separation film is formed excluding the pixel region, the connection portion of the lead line of the second electrode, and the connection portion of the lead line and the external drive circuit. Next, a carbon layer is formed using a plasma CVD method or a sputtering method. A carbon film formed by plasma CVD or sputtering is excellent in adhesion with an interelectrode separation film made of inorganic nitride. This carbon film is preferably subjected to ultraviolet irradiation treatment after film formation. The adhesion with the second electrode separation partition is improved by the ultraviolet irradiation treatment.

炭素膜と電極間分離膜と炭素膜のパターニングは電極間分離膜の上に炭素膜を形成した後、二段階のエッチングで炭素層と第二バリア層をエッチングする。エッチング法としては、RIEプラズマやICPプラズマを用いたドライエッチング法を用いることが望ましい。そのためレジスト剤(「OFRP−800」(商品名、東京応化製)など)を塗布し、所定のパターンに形成する。   In the patterning of the carbon film, the interelectrode separation film, and the carbon film, after forming the carbon film on the interelectrode separation film, the carbon layer and the second barrier layer are etched by two-stage etching. As an etching method, it is desirable to use a dry etching method using RIE plasma or ICP plasma. Therefore, a resist agent (“OFRP-800” (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)) is applied to form a predetermined pattern.

次に、被覆された箇所以外をエッチングする。その際二段階のエッチングで炭素層と電極間分離膜をエッチングする。まず酸素ガスを導入し酸素プラズマにより炭素層を除去する。炭素膜厚さが50nmであれば2分程度で除去が可能である。レジスト膜は多少エッチングされるがその後の電極間分離膜のエッチングに十分な膜厚が得られる。   Next, the portion other than the covered portion is etched. At that time, the carbon layer and the interelectrode separation film are etched by two-stage etching. First, oxygen gas is introduced and the carbon layer is removed by oxygen plasma. If the carbon film thickness is 50 nm, it can be removed in about 2 minutes. Although the resist film is somewhat etched, a film thickness sufficient for the subsequent etching of the interelectrode separation film can be obtained.

次いで電極間分離膜をエッチングする。電極間分離膜の第一電極と接する角度を鋭角とし、かつ第一電極、補助電極として用いる金属電極との選択比を大きく取るためにドライエッチングはフッ素系ガスと酸素の混合ガスを用いる。例えば、電極間分離膜にSiNを用いた場合、ドライエッチングにはSFガスと酸素の混合ガス、SFとHClと酸素の混合ガスなどを用いることができる。SiOを用いた場合、CFと酸素の混合ガス、SFとCHFと酸素の混合ガスなどを用いることができる。 Next, the interelectrode separation film is etched. The dry etching uses a mixed gas of fluorine-based gas and oxygen in order to make the angle of contact between the first electrode and the first electrode of the interelectrode separation membrane an acute angle and to increase the selection ratio between the first electrode and the metal electrode used as the auxiliary electrode. For example, when SiN x is used for the interelectrode separation film, dry etching can use a mixed gas of SF 6 gas and oxygen, a mixed gas of SF 6 , HCl, and oxygen. When SiO x is used, a mixed gas of CF 4 and oxygen, a mixed gas of SF 6 , CHF 3 and oxygen, or the like can be used.

次いでノボラック樹脂などの有機樹脂を用いてフォトリソグラフィーにより逆テーパー状の断面形状を有し、第一電極のストライプ状電極と直交する方向に伸びる第二電極分離用隔壁を形成する。これにより上部に形成される第二電極は電気的に分離される。前記陰極分離膜を形成する際、紫外線/オゾン処理を施すことが好ましい。照射により炭素膜の炭素同士の結合がきれ、活性化することにより前記樹脂との密着性がさらに向上するためである。   Next, an organic resin such as a novolac resin is used to form a second electrode separation partition wall having an inversely tapered cross-sectional shape by photolithography and extending in a direction orthogonal to the stripe electrode of the first electrode. Thereby, the second electrode formed on the upper part is electrically separated. When forming the cathode separation membrane, it is preferable to perform ultraviolet / ozone treatment. This is because the carbon-carbon bonds of the carbon film are broken by irradiation, and the adhesion to the resin is further improved by activation.

次に、有機EL層形成工程として、有機EL層を構成するそれぞれの層および必要であれば前述のバッファ層を、蒸着(抵抗加熱または電子ビーム加熱)などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。   Next, as the organic EL layer forming step, each layer constituting the organic EL layer and, if necessary, the above-described buffer layer are formed by any arbitrary known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating). It can be formed using means.

次に、第二電極形成工程として、高反射率の金属、アモルファス合金または微結晶性合金を用いて蒸着(抵抗加熱または電子ビーム加熱)、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて第二電極を形成する。第二電極は第二電極分離用隔壁により分断され、第二電極分離用隔壁と平行に延びるストライプ状の複数の電極群から形成される。   Next, as the second electrode formation step, it is known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating), sputtering, ion plating, laser ablation using a highly reflective metal, amorphous alloy or microcrystalline alloy. The second electrode is formed using any known means. The second electrode is divided by a second electrode separation partition, and is formed from a plurality of striped electrode groups extending in parallel with the second electrode separation partition.

こうして得られた有機EL素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止することが好ましい。   The organic EL device thus obtained is preferably sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive in a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations are 10 ppm or less).

以下に、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明する。
<実施例1>
本実施例は、本発明の実施態様の有機ELディスプレイパネルを作成する例である。画素数160×120(RGB)、画素ピッチ0.33mmの有機ELディスプレイパネルを作製した。透明基板1としてのフュージョンガラス(コーニング製1737ガラス,100×100×1.1mm)上に、スピンコート方を用いてブラックマトリクス材料(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製:カラーモザイクCK−7800)を塗布し、フォトリソグラフィー法によってパターニングを実施し、幅0.03mmピッチ0.11mm、膜厚1μmの開口部をもつブラックマトリクス2を得た。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
<Example 1>
In this example, an organic EL display panel according to an embodiment of the present invention is produced. An organic EL display panel having a pixel number of 160 × 120 (RGB) and a pixel pitch of 0.33 mm was produced. On the fusion glass (Corning 1737 glass, 100 × 100 × 1.1 mm) as the transparent substrate 1, using a spin coating method, a black matrix material (manufactured by Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd .: Color Mosaic CK-7800) is used. Application and patterning were performed by a photolithography method to obtain a black matrix 2 having openings of width 0.03 mm, pitch 0.11 mm, and film thickness 1 μm.

次いで、スピンコート法を用いて青色フィルター材料(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製:カラーモザイクCB−7001)を塗布し、フォトリソグラフィー法によってパターニングを実施し幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる青色変換フィルター層3を得た。   Next, a blue filter material (Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd .: Color Mosaic CB-7001) is applied using a spin coating method, and patterning is performed by a photolithography method, with a width of 0.08 mm, a pitch of 0.33 mm, and a thickness. A blue color conversion filter layer 3 composed of a plurality of stripes having a thickness of 10 μm was obtained.

蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。該溶液に対して100重量部の新日鐵化学製V259PA/P5を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフィー法にてパターニングを実施して、幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる緑色変換フィルター層4(色変換層のみで構成されている)を得た。   Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of a solvent, propylene glycol monoethyl acetate (PGMEA). To this solution, 100 parts by weight of V259PA / P5 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. was added and dissolved to obtain a coating solution. The coating liquid is applied, and patterning is performed by a photolithography method, so that the green color conversion filter layer 4 (consisting of only the color conversion layer is composed of a plurality of stripes having a width of 0.08 mm, a pitch of 0.33 mm, and a thickness of 10 μm. Got).

蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)およびベーシックバイオレット(0.3重量部)を120重量部のPGMEA中へ溶解させた。該溶液に対して100重量部の新日鐵化学製B259PA/P5を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフ用にてパターニングを実施して、幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる赤色変換フィルター層5(色変換層のみで構成されている)を得た。   Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet (0.3 parts by weight) were dissolved in 120 parts by weight of PGMEA as fluorescent dyes. 100 parts by weight of B259PA / P5 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. was added to the solution and dissolved to obtain a coating solution. After applying this coating solution and patterning for photolithography, a red conversion filter layer 5 (consisting of only a color conversion layer) comprising a plurality of stripes having a width of 0.08 mm, a pitch of 0.33 mm, and a thickness of 10 μm. Got).

ついで、青、緑、赤の各色変換フィルター層端の段差を緩和する目的で、平坦化層6を形成した。平坦化アクリル材料材料(JSR株式会社製:NN810)を塗布し、ブラックマトリクス形成領域よりも広い開口部をもつフォトマスクで露光を行い、厚さ5μmのパターンを形成した。   Next, the planarizing layer 6 was formed for the purpose of relaxing the steps at the ends of the blue, green, and red color conversion filter layers. A flattened acrylic material (manufactured by JSR Corporation: NN810) was applied and exposed with a photomask having an opening wider than the black matrix formation region to form a pattern with a thickness of 5 μm.

ついで、平行平板型プラズマCVD装置を用い、バリア層7(SiN膜)をおよそ300nm成膜した。雰囲気をSiHガス50sccmとN2ガス200sccmとし、RF印加電力を150W、基板ステージ温度を100℃とした。 Subsequently, a barrier layer 7 (SiN x film) was formed to a thickness of about 300 nm using a parallel plate type plasma CVD apparatus. The atmosphere was SiH 4 gas 50 sccm and N 2 gas 200 sccm, the RF applied power was 150 W, and the substrate stage temperature was 100 ° C.

この後、DCスパッタ法(ターゲットIn−Zn酸化物、スパッタガス:OおよびAr)を用い、室温において200nmのIZOを第一バリア層上の全面に堆積させた。次いで、シュウ酸水溶液をエッチング液として用いるフォトリソグラフィー法によってパターニングして、色変換フィルター層の上方に位置し、色変換フィルター3〜5のストライプと同一方向に伸びる、幅0.1mm、ピッチ0.11mmの複数のストライプからなる第一電極8を形成した。 Thereafter, using a DC sputtering method (target In—Zn oxide, sputtering gas: O 2 and Ar), 200 nm of IZO was deposited on the entire surface of the first barrier layer at room temperature. Next, patterning is performed by a photolithography method using an oxalic acid aqueous solution as an etching solution, and the film is positioned above the color conversion filter layer and extends in the same direction as the stripes of the color conversion filters 3 to 5. A first electrode 8 composed of a plurality of 11 mm stripes was formed.

ついで、平行平板型プラズマCVD装置を用い、電極間分離膜(SiN膜)9をおよそ300nm成膜した。雰囲気をSiHガス50sccmとNガス200sccmとし、RF印加電力を150W、基板ステージ温度を100℃とした。 Next, an interelectrode separation film (SiN x film) 9 was formed to a thickness of about 300 nm using a parallel plate type plasma CVD apparatus. The atmosphere was SiH 4 gas 50 sccm and N 2 gas 200 sccm, the RF applied power was 150 W, and the substrate stage temperature was 100 ° C.

次いで炭素膜10をスパッタリングにより形成する。99.999%の純度の炭素ターゲットを用いて、Arをスパッタガスとしてガス圧0.5Pa、パワー2.0kWで膜厚30nm形成した。   Next, the carbon film 10 is formed by sputtering. Using a carbon target having a purity of 99.999%, a film having a thickness of 30 nm was formed at a gas pressure of 0.5 Pa and a power of 2.0 kW using Ar as a sputtering gas.

次いで紫外線照射処理を行った。即ち、照射照度が10mW/cmの低圧水銀ランプ下で300秒照射した。 Subsequently, the ultraviolet irradiation process was performed. That is, irradiation was performed for 300 seconds under a low-pressure mercury lamp with an irradiation illuminance of 10 mW / cm 2 .

次いで、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製:TFR−1250)を塗布し、画素部ではブラックマトリクスの開口部にあわせ80×300μmの開口部をもち、第二電極と引き出し線の接合部および外部駆動回路との接合部に開口部をもつマスクを用いて露光を行い、レジストパターンを形成した。   Next, a positive resist (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: TFR-1250) is applied, and the pixel portion has an opening of 80 × 300 μm in accordance with the opening of the black matrix, Exposure was performed using a mask having an opening at the joint with the external drive circuit, and a resist pattern was formed.

次いで、ICPプラズマ型ドライエッチング装置を用い、雰囲気として酸素ガスを50sccm流して0.5kWのパワーでレジストでマスクされた以外の領域の炭素層をエッチングした。   Next, using an ICP plasma type dry etching apparatus, an oxygen gas was flowed at 50 sccm as an atmosphere to etch the carbon layer in a region other than the region masked with the resist with a power of 0.5 kW.

次いで、前記装置を用いて雰囲気をSF6ガス100sccm、酸素ガス50sccm、印加電力1500Wとし、電極間分離膜9のエッチングを行った。この後、レジストの剥離を行い、電極間分離膜9のパターンを得た。   Next, the interelectrode separation film 9 was etched using the above apparatus with an atmosphere of SF6 gas of 100 sccm, oxygen gas of 50 sccm, and applied power of 1500 W. Thereafter, the resist was peeled off to obtain a pattern of the interelectrode separation film 9.

引き続いて、低圧水銀ランプを用いて、1.35mW/cmの照度で5分間照射することで、UV/オゾン処理を行った。その後直ちに、ネガ型フォトレジスト(日本ゼオン製ZPN1168)をスピンコート法によって塗布した。その後プリベークを行い、フォトマスクを用いて所定のパターンを焼き付け、60秒間にわたって110℃のホットプレート上でポストエクスポージャーベークを行った後に現像を行い、最後に15分間にわたって160℃のホットプレート上で加熱を行い、第一電極8のストライプと直交する方向に伸び、逆テーパー形状の断面を有する複数のストライプからなる第二電極分離用隔壁11を形成した。 Subsequently, UV / ozone treatment was performed by irradiating with an illuminance of 1.35 mW / cm 2 for 5 minutes using a low-pressure mercury lamp. Immediately thereafter, a negative photoresist (ZPN 1168 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied by spin coating. Then, pre-baking is performed, a predetermined pattern is baked using a photomask, post-exposure baking is performed on a 110 ° C. hot plate for 60 seconds, development is performed, and finally heating is performed on a 160 ° C. hot plate for 15 minutes. Thus, the second electrode separation partition wall 11 was formed which was formed in a plurality of stripes extending in a direction perpendicular to the stripes of the first electrode 8 and having a reverse tapered cross section.

次いで、陰極分離用隔壁以下の構造を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、有機EL層12として、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧を1×10-4Paまで減圧した。正孔注入層として、膜厚100nmの銅フタロシアニン(CuPc)を、正孔輸送層として、膜厚20nmの4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を、有機発光層として、膜厚30nmの4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を、そして電子注入層として、膜厚20nmのAlqを積層した。 Next, the substrate having the structure below the partition wall for cathode separation is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron injection layer are vacuumed as the organic EL layer 12. The film was formed sequentially without breaking. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Copper phthalocyanine (CuPc) with a film thickness of 100 nm is used as the hole injection layer, and 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α with a film thickness of 20 nm is used as the hole transport layer. -NPD) was used as an organic light-emitting layer, and 30 nm-thick 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) was used, and 20 nm-thick Alq 3 was used as an electron injection layer. .

次に、真空を破ることなしに、膜厚200nmのMg/Ag(質量比10/1)を堆積させて第2電極13を形成して、図1に示した構造を有する有機ELディスプレイパネルを得た。
こうして得られた有機ELディスプレイパネルをグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。
Next, without breaking the vacuum, Mg / Ag (mass ratio 10/1) having a thickness of 200 nm is deposited to form the second electrode 13, and the organic EL display panel having the structure shown in FIG. Obtained.
The organic EL display panel thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive in a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).

<比較例1>
電極間分離膜の上の炭素層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして有機ELディスプレイパネルを形成した。
<Comparative Example 1>
An organic EL display panel was formed in the same manner as in Example 1 except that the carbon layer on the interelectrode separation film was not formed.

<評価>
陰極の分離度合いを評価するため、陰極ライン1000本の内短絡した割合を求めた。
また、電極間分離膜と陰極分離隔壁材料の密着性をJIS K 5400に準拠した付着性試験により評価した。その結果を表1に示す。比較例1のパネルの陰極分離隔壁の形状には倒れなどの変形部や剥離箇所が見られた。しかし実施例1のパネルでは窒化珪素への密着性が向上したため、前記の異常は見られず、短絡のないパネルが可能になった。
<Evaluation>
In order to evaluate the degree of cathode separation, the ratio of 1000 cathode lines that were short-circuited was determined.
Further, the adhesion between the interelectrode separation membrane and the cathode separation partition wall material was evaluated by an adhesion test based on JIS K 5400. The results are shown in Table 1. The shape of the cathode separation partition of the panel of Comparative Example 1 showed a deformed part such as a fall and a peeled part. However, since the adhesion to silicon nitride was improved in the panel of Example 1, the above-mentioned abnormality was not observed, and a panel without a short circuit became possible.

Figure 2008140735
Figure 2008140735

表1から、炭素層のない比較例1では電極間分離膜と第二電極分離隔壁材料の密着性が低く、短絡比率も大きいのに対して、本発明の有機ELディスプレイパネルでは、電極間分離膜と陰極分離隔壁材料の密着性に優れ、陰極ラインの短絡も発生していないことがわかる。   From Table 1, in Comparative Example 1 having no carbon layer, the adhesion between the electrode separation membrane and the second electrode separation partition material is low and the short-circuit ratio is large, whereas in the organic EL display panel of the present invention, the electrode separation is It can be seen that the adhesion between the membrane and the cathode separation partition material is excellent, and no short circuit of the cathode line occurs.

本発明によれば、電極間分離膜と第二電極分離隔壁材料の密着性を向上させることができ、陰極ラインの短絡等の不具合を防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesiveness of the electrode separation membrane and the 2nd electrode separation partition material can be improved, and malfunctions, such as a short circuit of a cathode line, can be prevented.

本発明の有機ELディスプレイの1形態を示す図である。It is a figure which shows one form of the organic electroluminescent display of this invention. 図1のA−A‘断面を示す図である。It is a figure which shows the AA 'cross section of FIG. 図1のB−B‘断面を示す図である。It is a figure which shows the BB 'cross section of FIG. 本発明の有機ELディスプレイの発光領域を示す簡易模式図である。It is a simple schematic diagram which shows the light emission area | region of the organic electroluminescent display of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1.透明支持基板
2.ブラックマトリクス
3.緑色変換フィルター層
4.赤色変換フィルター層
5.青色フィルター層
6.平坦化層
7.バリア層
8.第一電極
9.電極間分離膜
10.炭素膜
11.陰極分離用隔壁
12.有機EL層
13.第二電極
1. 1. Transparent support substrate Black matrix Green conversion filter layer 4. 4. Red conversion filter layer Blue filter layer 6. Planarization layer 7. Barrier layer 8. First electrode 9. 9. Interelectrode separation membrane Carbon film 11. 10. Separating cathode separator Organic EL layer 13. Second electrode

Claims (9)

透明支持基板上に形成された色変換フィルター層と、該色変換フィルター層の上に形成されたバリア層と、このバリア層の上に形成された、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁とを有し、当該第一電極に対向配置された第二電極と、前記第一電極と第二電極の間に配置された有機EL層とを備えた有機ELディスプレイパネルであって、
前記電極間分離膜は画素領域と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除く領域とを被覆しており、
その電極間分離膜の上に炭素層を有することを特徴とする有機ELディスプレイ。
A color conversion filter layer formed on the transparent support substrate, a barrier layer formed on the color conversion filter layer, a first electrode formed on the barrier layer, an interelectrode separation membrane, An organic EL display panel comprising: a second electrode separation partition; a second electrode disposed opposite to the first electrode; and an organic EL layer disposed between the first electrode and the second electrode Because
The inter-electrode separation film covers the pixel region, the connection portion of the lead line of the second electrode, and the region excluding the connection portion of the lead line and the external drive circuit,
An organic EL display comprising a carbon layer on the interelectrode separation film.
前記電極間分離膜が窒化珪素、酸化窒化珪素から選ばれる材料からなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。   The organic EL display according to claim 1, wherein the interelectrode separation film is made of a material selected from silicon nitride and silicon oxynitride. 前記第二電極分離用隔壁が有機樹脂からなることを特徴とする請求項1または2記載の有機ELディスプレイ。   The organic EL display according to claim 1, wherein the second electrode separation partition is made of an organic resin. 透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する色変換フィルター層形成工程と、該色変換フィルター層の上にバリア層を形成するバリア層形成工程と、このバリア層の上に、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁と炭素膜とを形成する第一電極形成工程と、有機発光層を形成する有機EL層形成工程と、該有機EL層上に第二電極を形成する第二電極形成工程を有し、前記電極間分離膜は画素領域と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除く領域とを被覆しており、前記炭素膜は電極間分離膜上に形成されることを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。   A color conversion filter layer forming step of forming a color conversion filter layer on the transparent support substrate; a barrier layer forming step of forming a barrier layer on the color conversion filter layer; and a first electrode on the barrier layer; A first electrode forming step for forming an interelectrode separation film, a second electrode separation partition and a carbon film, an organic EL layer forming step for forming an organic light emitting layer, and a second electrode on the organic EL layer. A second electrode forming step to be formed, wherein the interelectrode separation film covers the pixel region and the region excluding the connection part of the lead line of the second electrode and the connection part of the lead line and the external drive circuit The method of manufacturing an organic EL display, wherein the carbon film is formed on an interelectrode separation film. 前記電極間分離膜が窒化珪素、酸化窒化珪素から選ばれる材料からなることを特徴とする請求項4に記載の有機ELディスプレイの製造方法。   5. The method of manufacturing an organic EL display according to claim 4, wherein the interelectrode separation film is made of a material selected from silicon nitride and silicon oxynitride. 前記第二電極分離用隔壁が有機樹脂からなることを特徴とする請求項4または5記載の有機ELディスプレイの製造方法。   6. The method of manufacturing an organic EL display according to claim 4, wherein the second electrode separation partition is made of an organic resin. 前記炭素膜の形成がスパッタリングによるものであることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の有機ELディスプレイの製造方法。   The method for producing an organic EL display according to any one of claims 4 to 6, wherein the carbon film is formed by sputtering. 前記電極間分離膜と前記炭素膜を二段階のエッチングによりパターニングすることを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項に記載の有機ELディスプレイの製造方法。   The method for manufacturing an organic EL display according to claim 4, wherein the interelectrode separation film and the carbon film are patterned by two-stage etching. 前記炭素膜形成後に紫外線処理を行うことを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載の有機ELディスプレイの製造方法。   The method for producing an organic EL display according to claim 4, wherein an ultraviolet treatment is performed after the carbon film is formed.
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