JPH10247587A - Organic electroluminescence display and its manufacture - Google Patents

Organic electroluminescence display and its manufacture

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JPH10247587A
JPH10247587A JP6176697A JP6176697A JPH10247587A JP H10247587 A JPH10247587 A JP H10247587A JP 6176697 A JP6176697 A JP 6176697A JP 6176697 A JP6176697 A JP 6176697A JP H10247587 A JPH10247587 A JP H10247587A
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JP
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layer
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organic
inorganic
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Application number
JP6176697A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Ebisawa
Mitsufumi Kodama
Osamu Onizuka
Mitsunari Suzuki
光文 小玉
晃 海老沢
満成 鈴木
理 鬼塚
Original Assignee
Tdk Corp
ティーディーケイ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a long-life and inexpensive organic EL display which has a positive electrode, an organic functional layer containing a luminescent layer, and a negative electrode on its board surface, and provide a method in which the negative electrode and a terminal electrode are certainly connected each other without exchanging masks during forming the organic functional layer and the negative electrode sequentially. SOLUTION: A protection layer 7 which consists of a conductive inorganic material layer 71 and an organic protection layer 72 is placed on a negative electrode 6. The organic protection layer 72 is formed using carbon fluoride polymer which contains chloride by a vacuum deposition method or a spatter method. The conductive inorganic material layer 71 is made of conductive inorganic material such as Al or TiN. By forming the conductive inorganic material layer 71 in a method which provides well step-coating property than the method used for forming an organic functional layer 5, the conductive inorganic material layer 71 contacts with at least part of a terminal electrode 3, and the negative electrode 6 is connected with the terminal electrode 3 electrically.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイや光源などに利用される有機エレクトロルミネッセンス(E The present invention relates to an organic electroluminescent (E utilized on a display or a light source
L)表示装置と、その製造方法とに関する。 L) a display device, and to a manufacturing method thereof.

【0002】 [0002]

【従来の技術】有機EL素子は、ガラス等からなる基板上に、陽極と、発光層を含む有機機能層と、陰極とを積層した基本構成を有する素子である。 BACKGROUND ART Organic EL elements, on a substrate made of glass or the like is an element having an anode, an organic functional layer including a light emitting layer, the basic structure formed by laminating a cathode.

【0003】有機EL素子を用いた表示デバイスは、現在主流のフラットパネルディスプレイである液晶ディスプレイに対し、以下のような優位性を持つ。 [0003] Display devices using organic EL elements, to the liquid crystal display is the current mainstream flat panel display, having the following such advantage.

【0004】1)自発光であるために視野角が広いこと 2)2〜3ミリの薄さのディスプレイが容易に製造可能であること 3)偏光板を使わないことから発光色が自然であること 4)明暗のダイナミックレンジが広いため、表示が鮮明で生々しいこと 5)広い温度範囲で動作すること 6)応答速度が液晶より3桁以上速いため容易に動画表示が可能であること 7)10V前後の電圧で数100〜1000cd/cm 2程度の極めて高い輝度が得られること [0004] 1) Light color is natural because it does not use the self-luminous and a viewing angle is wide because 2) 3 that 2-3 mm thinness of the display is readily manufacturable) polarizer it 4) 7 that for the dynamic range of the brightness is large, the display can be easily moving image display for quick 6) response speed 3 or more orders of magnitude than the crystal to operate at raw it 5) a wide temperature range a sharp) an extremely high luminance can be obtained in several 100~1000cd / cm 2 at 10V before and after the voltage

【0005】有機EL表示装置の陰極として用いられる金属材料としては、発光層へ電子を多く注入できるものが有効であると考えられている。 [0005] As a metal material used as a cathode of the organic EL display device, it can often inject electrons into the light emitting layer is considered to be effective. 換言すれば、仕事関数の小さい材料ほど陰極に適している。 In other words, it is suitable for the cathode as a material having a low work function. 仕事関数の小さい材料としては種々のものがある。 The material having a low work function There are various things. 仕事関数の最も低い金属はアルカリ金属であるが、アルカリ金属は空気中で不安定であるため、有機EL表示装置の陰極に用いることは困難である。 Although the lowest work function metal is an alkali metal, alkali metals because it is unstable in air, it is difficult to use the cathode of the organic EL display device. このため、EL表示装置の陰極材料としては、アルカリ金属以外の低仕事関数材料が提案されている。 Therefore, as the cathode material of the EL display device, the low work function material other than the alkali metal has been proposed. 具体的には、例えば特開平2−15595号公報に記載されているようなAg・Mg、In・Mg等の合金があり、また、仕事関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属と仕事関数の高い金属とを組み合わせたAl Specifically, for example, Ag · Mg as described in JP 2-15595, there are alloys such as an In · Mg, also, a low alkali metal or alkaline earth metal and the work function of the work function Al that combines the high metal
Ca、AlLi等の合金も知られている。 Ca, are also known alloy such as AlLi.

【0006】しかし、仕事関数の低い金属は極めて酸化されやすいため、EL表示装置に適用する場合には封止を十分に行うことが必要である。 However, since the low work function metal likely to be extremely oxidized, it is necessary to perform sufficient sealing in the case of application to the EL display device. このため、ガラス封止だけでは不十分である。 Therefore, it is not enough glass sealing. また、発光層構成材料も水分や酸素等により特性劣化を生じやすいので、十分な保護が必要である。 Further, since the light-emitting layer constituting material is also susceptible to characteristic deterioration due to moisture, oxygen or the like, it must have sufficient protection.

【0007】有機EL表示装置を水分や酸素の侵入から保護する保護層としては、フッ素系高分子薄膜が知られている。 [0007] As the protective layer for protecting the organic EL display device from intrusion of moisture or oxygen, fluorine-based polymer thin film are known. フッ素系高分子薄膜は撥水性が高く、ピンホールがほとんどないため、陰極や発光層の保護には極めて有効である。 Fluorine-based polymer thin film has high water repellency, since the pinhole is little, it is very effective to protect the cathode and the light emitting layer. フッ素系高分子のうちポリテトラフルオロエチレンは、水分や酸素の遮断効果は極めて優れているが蒸着やスパッタの際にガス化してしまうため、これらの方法では薄膜化が実質的に不可能である。 Polytetrafluoroethylene of fluorine-based polymer, because the blocking effect of moisture and oxygen is excellent but become gasified during deposition or sputtering, is substantially impossible thinned by these methods . このため、 For this reason,
有機EL表示装置の保護層材料として、ポリテトラフルオロエチレン以外のフッ素系有機化合物を用いることが提案されている。 As a protective layer material for the organic EL display device, the use of a fluorine-based organic compound other than polytetrafluoroethylene have been proposed.

【0008】例えば特開平4−233192号公報には、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体からなる1層または複層構造のフッ素系高分子薄膜により被覆されている有機エレクトロルミネッセンスデバイスが記載されている。 [0008] For example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-233192, tetrafluoroethylene and at least one comonomer and one layer or the fluorine-based high double layer structure composed of a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing organic electroluminescent devices are covered by the molecular thin film is described.

【0009】また、特開平4−355096号公報には、環状構造を有する含フッ素共重合体からなる層または複層構造のフッ素系高分子薄膜により被覆されている有機エレクトロルミネッセンスデバイスが記載されている。 Further, JP-A-4-355096, describes an organic electroluminescent device is coated with a fluorine-based polymer thin film layer or multi-layer structure consisting of fluorine-containing copolymer having a cyclic structure there.

【0010】また、特開平4−206386号公報には、クロロトリフルオロエチレン単独重合体、ジクロロジフルオロエチレン単独重合体およびクロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体の少なくとも1種の重合体を蒸着源とする蒸着法により形成されたフッ素系高分子薄膜により被覆されている有機エレクトロルミネッセンスデバイスが記載されている。 Further, JP-A-4-206386, chlorotrifluoroethylene homopolymer, at least one polymer of the copolymer dichlorodifluoroethylene homopolymers and chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene organic electroluminescent devices are coated is described by a fluorine-based polymer thin film formed by vapor deposition to the deposition source.

【0011】しかし、フッ素系高分子薄膜を保護層として用いる従来のELデバイスには以下に説明するように問題がある。 [0011] However, in the conventional EL devices using a fluorine-based polymer thin film as the protective layer have problems as described below.

【0012】特開平4−233192号公報では、テトラフルオロエチレンと他のコモノマーとの共重合体を用いているが、前記他のコモノマーとして具体的に挙げられているのは、環状構造を有する特定の化合物、特に含フッ素化合物であり、この他のコモノマーは、前記環状構造を有する化合物に加えて用いてもよい旨の記載があるだけである。 [0012] In JP-A-4-233192 and JP is used a copolymer of tetrafluoroethylene and other comonomers, the listed specifically as the other comonomers are identified having a cyclic structure compounds, in particular fluorinated compounds, this other comonomer, there are only description that may be used in addition to the compound having a cyclic structure. 前記環状構造を有する特定の化合物を用いた共重合体は、他のフッ素系高分子物質に比べ2桁程度価格が高い。 The copolymer using a specific compound having a cyclic structure, 2 orders of magnitude is expensive compared with other fluorine-based polymer material.

【0013】特開平4−355096号公報に記載された環状構造を有する含フッ素共重合体は、上記特開平4 [0013] The fluorine-containing copolymer having a cyclic structure described in JP-A-4-355096, the above JP-4
−233192号公報記載の共重合体と同様に高価であり、コストアップが著しくなる。 Similar to the copolymer of -233,192 JP expensive, cost becomes significant.

【0014】特開平4−206386号公報に記載された塩素を含むフッ素系高分子物質は、蒸着法やスパッタ法において十分な成膜速度が得られ、価格も適当であるが、EL特性を低下させるという問題がある。 [0014] The fluoropolymer material containing chlorine that is described in JP-A-4-206386 is sufficient deposition rate can be obtained in the vapor deposition method or a sputtering method, the price also suitable, reducing the EL characteristics there is a problem of. 具体的には、本発明者らの実験によれば、塩素を含むフッ素系高分子薄膜を陰極に接して形成すると、初期輝度が10% Specifically, according to the experiments of the present inventors, the formation in contact with the fluorine-based polymer thin film containing chlorine to the cathode, the initial brightness is 10%
以上低下し、また、駆動電圧が1V以上高くなってしまう。 Reduced or more, the drive voltage becomes higher by 1V. しかも、塩素を含むフッ素系高分子薄膜を形成した後、同一の真空槽内で続いて他のEL表示装置の発光層や陰極を形成した場合、そのEL表示装置では初期輝度がさらに低くなり、駆動電圧はさらに上昇してしまう。 Moreover, after forming the fluorine-based polymer thin film containing chlorine, followed in the same vacuum chamber when forming a light-emitting layer and the cathode of the other of the EL display device, the initial luminance is further lowered in the EL display device, driving voltage rises further.
この特性劣化は、蒸着またはスパッタの際に塩素を含むフッ素系高分子がガス化し、これが真空槽内に残存するために生じると考えられる。 This characteristic degradation fluoropolymer containing chlorine in the deposition or sputtering is gasified, which is thought to be caused to remain in the vacuum chamber.

【0015】ところで、有機EL素子を表示デバイスに適用する場合には、有機機能層や陰極を酸素や水分などから保護するためにガラス板等で封止し、かつ外部回路と接続するための端子電極を封止手段の外側に設け、陰極と端子電極とを接続する構成とするのが一般的である。 By the way, when applying the organic EL device to a display device, sealed with a glass plate or the like in order to protect the organic functional layer and the cathode from oxygen or moisture, and terminals for connecting with an external circuit provided with an electrode on the outer side of the sealing means, it is common to a structure for connecting the cathode and the terminal electrodes.

【0016】陰極を封止手段の外部に引き出すためには、通常、いわゆるマスク成膜と呼ばれる方法を用いる。 [0016] The cathode to draw outside the sealing means, typically, a method so-called mask deposition. マスク成膜とは、膜形成領域を制限するための遮蔽部を有するマスクを基板または装置に設置して成膜を行うことにより、基板上の所望の領域に膜を形成する方法である。 The mask deposition, by forming a film by installing a mask having a shielding portion for limiting the film forming area on the substrate or device, a method of forming a film in a desired region on the substrate.

【0017】この方法を用いると、次のような手順で陰極と端子電極とを接続することができる。 [0017] Using this method, it is possible to connect the cathode and the terminal electrode in the following procedure. まず、有機機能層形成領域に対応する開口を有するマスクを用いて基板に有機機能層を形成する。 First, an organic functional layer on the substrate by using a mask having openings corresponding to the organic functional layer formation region. このとき、端子電極の少なくとも一部がマスクの遮蔽部に覆われるようにする。 In this case, at least a portion of the terminal electrode is to be covered by the shielding portion of the mask. この後、陰極を形成する前までに、陰極形成領域に対応する開口、すなわち有機機能層形成に用いたマスクよりも大きな開口を有するマスクへの交換を行い、陰極を形成する。 Thereafter, and before forming the cathode, opening corresponding to the cathode forming area, i.e. to exchange to a mask having a larger opening than the mask used in the organic functional layer formation, to form a cathode. これにより、有機機能層形成領域を越えて陰極が形成され、陰極と端子電極とを接続することができる。 Thus, the cathode is formed over the organic functional layer forming region, it is possible to connect the cathode and the terminal electrodes.

【0018】しかし、有機機能層形成後にマスクを付け替える方法には、次のような問題がある。 [0018] However, the method replace the mask after the organic functional layer formation, there are the following problems.

【0019】マスクの付け替えは、通常は人手で行うため、大気中で行うことになる。 [0019] The replacement of the mask is usually used to perform manually, it will be performed in the atmosphere. 例えば、有機機能層を形成した後に、いったん大気中に戻してマスクの付け替えを行い、再び真空成膜装置に戻して陰極を形成する。 For example, after forming the organic functional layer performs replacement of the mask once returned to the atmosphere, to form a cathode back again to the vacuum deposition apparatus. この方法では、大気中に曝露された有機機能層表面に水分が吸着したり層中に取り込まれたりするために、陰極と有機機能層との界面の密着性が劣化したり、電気的な接続性が悪くなって発光させるときの駆動電圧が高くなったりするという問題がある上に、発光面の縁や発光面中に非発光領域が増加するという欠陥、いわゆるダークスポットが発生してしまう。 In this method, since water in the exposed organic functional layer surface into the atmosphere or be incorporated in a layer or adsorbed, adhesion or degradation of the interface between the cathode and the organic functional layers, electrical connection on that there is a problem that the driving voltage may become higher when the sex emit worse, a defect of the non-light-emitting region in an edge or a light emitting surface of the light-emitting surface increases, so-called dark spot occurs. また、塵埃が有機機能層上に乗りやすく、そこからやはりダークスポットが発生することも大きな欠点であった。 In addition, dust is easy to ride on the organic functional layer, was also a major disadvantage still dark spot is generated from there.

【0020】真空を破らなくてもすむようにロボット等を用いてマスクの付け替えをすることも不可能ではないが、真空中における位置あわせ機構が非常に大掛かりになり、成膜装置が高価なものになってしまう。 [0020] While not impossible to the replacement of the mask by using a robot or the like as it is not necessary breaking the vacuum mechanism aligned in vacuum becomes very large scale, what the film forming apparatus is expensive turn into. また、こうした位置あわせ機構を用いない場合は、位置ずれが起こるために広いマージンを設ける必要がある。 Also, the case of not using such a positioning mechanism, it is necessary to provide a wide margin for positional displacement occurs. このため、表示装置使用者からみて発光しない部分であり、いわば不必要といえる領域が大きいものになってしまう。 Therefore, a portion which does not emit light when viewed from the display device user, would speak become what unnecessary and said region is large.
さらに、1枚の基板上に多数の表示装置を作り込む場合、広いマージンを設けることは取り数が減ることに直接繋がるため、1表示装置あたりの製造コストが高くなってしまう。 Furthermore, if the fabricated multiple display devices on a single substrate, since the lead directly to be the number taken is reduced to provide a wide margin, the manufacturing cost per one display device is increased.

【0021】さらにほかの方法として、マスクを装置側に設置する方法があるが、やはり広いマージンを必要とすることや、多数回の成膜にわたってマスクを使用するために塵埃の発生が非常に多く、歩留まりを落とす要因となっていた。 [0021] As still another method, there is a method of installing a mask on the apparatus side, or be still require a large margin, so many generation of dust in order to use the mask over the film formation of multiple , it has been a factor lowering the yield. 歩留まり向上のためには常に清浄度の高いマスクを使用すること、すなわち、マスクを装置側に設置せずに基板と共に交換する方法が望ましいといえる。 The use of constantly high cleanliness mask for improving yield, i.e., a method of exchanging with the substrate without installing a mask on the device side can be said to be desirable.

【0022】前述したように、有機EL表示装置の陰極は仕事関数が小さい金属を含むため、水分、酸素などにより劣化や腐食を生じやすい。 [0022] As described above, since the cathode of the organic EL display device including a metal small work function, moisture, etc. by susceptible to deterioration and corrosion oxygen. このため、端子電極と陰極とを接続するために陰極自体を配線層として用いると、陰極の劣化が生じやすい。 Therefore, when used as a wiring layer cathode itself in order to connect the terminal electrode and the cathode, the deterioration of the cathode is likely to occur. したがって、陰極上に、 Therefore, on the cathode,
これよりも安定な金属からなる導電層を設け、陰極とこの導電層との積層体、またはこの導電層だけを配線層として利用することが好ましい。 This provided a conductive layer made of a stable metal than, it is preferable to use a laminate of the cathode and the conductive layer, or the conductive layer only as the wiring layer. 陰極は、ワイヤーボンディングやヒートシールコネクターやFPC(Flexible Pr Cathode, wire bonding and heat-seal connector and FPC (Flexible Pr
int Circuit)の圧着などの方法を用いて外部回路と接続したい場合があるが、こうした方法では陰極の端子電極との接続部に機械的な強度や耐熱性が要求される場合がほとんどである。 There is a case to be connected to an external circuit by using a method such as crimping int the Circuit), in such a way that in most cases the mechanical strength and heat resistance in the connection portion of the terminal electrode of the cathode is required. 陰極を、腐食しやすい陰極と安定な導電層との積層構造とする場合には、導電層に傷が付いて陰極が露出すると腐食しやすくなるため、端子電極まで延びる配線部分は、安定な導電層だけから形成することが望ましい。 The cathode, in the case of a laminated structure of a corrosive cathode and stable conductive layer, it becomes easy to corrode the cathode is exposed wounds with the conductive layer, a wiring portion extending to the terminal electrode, a stable conductive it is desirable to form only from the layer.

【0023】上記したマスク成膜を利用して陰極上に上記導電層を形成する場合、有機機能層および陰極を酸素や水分から保護するために、以下の方法で各層を形成することが好ましい。 [0023] When forming the conductive layer on the cathode by using the mask deposition as described above, in order to protect the organic functional layer and the cathode from oxygen and moisture, it is preferable to form each layer in the following manner. この方法では、まず、マスクを設置し、有機機能層と、陰極と、安定な導電層とを連続して形成する。 In this method, first, we set up a mask, and an organic functional layer, formed continuously with the cathode, and a stable conductive layer. 次いで、真空を破って開口の大きなマスクへの交換を行い、再び真空にして安定な導電層をさらに積層する。 Then, to exchange to a large mask opening breaking vacuum, and further laminating a stable conductive layer in the vacuum again. この方法では、最上層の導電層だけが端子電極と接続されることになり、また、有機機能層および陰極のいずれも大気に直接曝されないため、不良が発生し難くなる。 In this way, only the uppermost conductive layer is to be connected to the terminal electrodes, and since none of the organic functional layer and the cathode is not directly exposed to the atmosphere, failure is likely to occur. しかし、この方法では、真空を一度大気圧まで戻してから再び真空にする必要があり、また、安定な導電層を2回形成する必要があるので、製造工程が長くなり、コストアップの原因となる。 However, in this method, it is necessary to re-vacuum after returning the vacuum to once atmospheric pressure, and because it is necessary to form a stable conductive layer twice, the manufacturing process becomes long, causing the cost Become.

【0024】 [0024]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした状況を鑑みてなされたものである。 [0008] The present invention has been made in view of this situation. 本発明の第1の目的は、 A first object of the present invention,
基板表面に、陽極、発光層を含む有機機能層および陰極を有する発光部積層体を設けた有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、長寿命化と低コスト化とを達成することである。 The surface of the substrate, an anode, an organic electroluminescent display device provided with the organic functional layer and the luminescent part laminate having a cathode including a light emitting layer, is to achieve a long life and low cost. 本発明の第2の目的は、第1の目的を達成した上で、製造工程において有機機能層と陰極とを続けて形成する際に、形成領域を制限するためのマスクを交換することなしに、陰極と端子電極とを確実に接続する方法を提供することである。 A second object of the present invention, in terms of achieving the first object, in forming continue, a cathode an organic functional layer in the manufacturing process, a mask for limiting the formation region without exchange is to provide a method for securely connecting the cathode and the terminal electrodes.

【0025】 [0025]

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1) SUMMARY OF THE INVENTION The above object is achieved by the following (1)
〜(7)のいずれかの構成により達成される。 Be achieved by any one of the - (7). (1) 基板表面に、発光部積層体を有し、この発光部積層体が、陽極と、発光層を含む有機機能層と、陰極と、保護層とをこの順で有し、この保護層が、導電性無機材料層とこの上に形成された有機保護層とを含み、前記有機保護層が、塩素を含むフッ化炭素重合体から選択された少なくとも1種の重合体を蒸着源とする真空蒸着法により形成されたものであるか、前記少なくとも1種の重合体をターゲットとするスパッタ法により形成されたものである有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (1) on the substrate surface, a light-emitting unit laminate, the light-emitting unit laminate, and the anode has an organic functional layer including a light emitting layer, a cathode, a protective layer in this order, the protective layer but and a conductive inorganic material layer and the organic protective layer formed on this, the organic protection layer, a vapor deposition source of at least one polymer selected from fluorocarbon polymer containing chlorine or those formed by a vacuum deposition method, the at least one polymer organic electroluminescent display device is one formed by sputtering a target. (2) 前記導電性無機材料層が、Ag、Al、Au、 (2) the electrically conductive inorganic material layer, Ag, Al, Au,
Cr、Mo、Pt、TiおよびWのいずれかから構成されているか、Cu、Mo、Sc、SiおよびWの少なくとも1種とAlとの合金から構成されているか、Ti Cr, Mo, Pt, or is composed of any one of Ti and W, Cu, Mo, Sc, or is composed of an alloy of at least one of Al of Si and W, Ti
N、ZnO、SnO 2またはIn 23から構成されている上記(1)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 N, the organic electroluminescent display device of ZnO, above and a SnO 2 or In 2 O 3 (1). (3) 前記陰極が、仕事関数4eV以下の金属から構成されている上記(1)または(2)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (3) the cathode, the organic electroluminescent display device of the above which is composed of a work function 4eV following metals (1) or (2). (4) 基板表面に、端子電極を有し、前記導電性無機材料層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線層であり、前記導電性無機材料層の端部の勾配が、少なくとも端子電極付近で0.1以下である上記(1)〜 (4) on the substrate surface, having a terminal electrode, the conductive inorganic material layer is a wiring layer in contact with at least a portion of the terminal electrode, the gradient of the ends of the conductive inorganic material layer, at least the terminal the near electrode is 0.1 or less (1) -
(3)のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (3) any of the organic electroluminescence display device. (5) 上記(1)〜(4)のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、陽極および端子電極を形成した後、層形成領域を制限するための遮蔽部とこれに囲まれた開口とを有するマスクに、基板をその表面側が対向するように設置し、次いで、有機機能層と陰極とを形成し、続いて、有機機能層形成に用いた方法よりも段差被覆性の良好な方法により導電性無機材料層を形成することにより、導電性無機材料層が端子電極の少なくとも一部と接触した状態とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 (5) above (1) to (4) A process for producing any of the organic electroluminescent display device, after the formation of the anode and the terminal electrode, and to shield part for restricting the layer formation region a mask having an enclosed opening, placed so that its front surface side of the substrate faces, then forming the organic functional layer and the cathode, followed by step coverage than the method used in the organic functional layer is formed by forming a conductive inorganic material layer by better methods, the method of manufacturing the organic electroluminescent display device in which the conductive inorganic material layer has a contact with at least a portion of the terminal electrode. (6) マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極の少なくとも一部を覆うように、基板をマスクに設置する上記(5)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 (6) as the shielding portion of the mask covering at least a portion of the terminal electrodes via a space, the method of manufacturing the organic electroluminescent display device of the above (5) placing the substrate in a mask. (7) 有機機能層を真空蒸着法により形成し、導電性無機材料層をスパッタ法により形成する上記(5)または(6)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 (7) The organic functional layer was formed by vacuum vapor deposition, the method of manufacturing the organic electroluminescent display device of the above (5) or (6) a conductive inorganic material layer is formed by sputtering.

【0026】 [0026]

【作用および効果】本発明では、仕事関数の低い陰極の上に、まず、導電性無機材料層を設け、この上に塩素を含む有機フッ素化合物からなる有機保護層を設ける。 The [Function and Effect] The present invention, on the lower cathode work function, first, a conductive inorganic material layer is provided, providing the organic protection layer made of an organic fluorine compound containing chlorine on this. 本発明では導電性無機材料層により発光層および陰極を被覆した後、塩素を含む有機保護層を形成するため、従来、塩素を含む有機フッ素化合物薄膜を形成する際に生じていた初期輝度の低下や駆動電圧の上昇を防ぐことができる。 After coating the light-emitting layer and a cathode of a conductive inorganic material layer in the present invention, for forming an organic protective layer containing chlorine, conventional reduction of the initial luminance which occurs in forming the organic fluorine compound thin film containing chlorine elevated and the drive voltage can be prevented. このように、本発明では有機フッ素化合物の中では安価な塩素含有化合物を利用でき、しかもそれによるEL特性の劣化を抑えられるので、寿命が長く、安価で、初期特性も良好な有機EL表示装置が実現する。 Thus, the present invention can use inexpensive chlorine-containing compound in the organic fluorine compound, and since suppress the deterioration of the EL characteristics according to which long life, inexpensive, initial characteristics good organic EL display device but to achieve.

【0027】また、導電性無機材料層は、陰極と端子電極とを接続するための配線層として機能させることが可能である。 [0027] The conductive inorganic material layer can function as a wiring layer for connecting the cathode and the terminal electrodes. 陰極上に配線層だけを設けた場合には、配線層のピンホール等の欠陥により十分な封止効果が得られないが、配線層としての導電性無機材料層上に有機保護層を形成することにより、良好な封止効果が得られる。 When only the wiring layer provided on the cathode, a sufficient sealing effect by defects such as pinholes of the wiring layer can not be obtained, an organic protective layer on a conductive inorganic material layer as a wiring layer by a good sealing effect can be obtained.

【0028】なお、特開平7−211455号公報には、吸水率1%以上の吸水性物質(ポリビニルアルコール等)と吸水率0.1%以下の防湿性物質とからなり、 [0028] Incidentally, Japanese Patent Laid-Open No. 7-211455, water absorption of 1% by weight of the water absorbing agent (polyvinyl alcohol) and made from the following proof materials 0.1% water absorption,
かつ、気相成膜法により形成された保護層を有する有機ELデバイスが記載されている。 And, organic EL devices having a protective layer formed by vapor deposition is described. 同公報には、防湿性物質として塩素を含むフッ素系高分子物質が使用可能な旨が記載されており、また、防湿性物質層が吸水性物質層の外側に存在するほうが好ましい旨の記載がある。 The same publication, fluorine polymer materials including chlorine have been described that can be used as moisture-proof material, also, the description of the preferred effect better moisture-proof material layer is present on the outside of the water absorbing material layer is there. すなわち、同公報記載の有機ELデバイスは、保護層の外側部分が、本発明における有機保護層に相当する防湿性物質層である。 That is, the organic EL device described in the publication, the outer portion of the protective layer is a moisture-resistant material layer corresponding to the organic protective layer in the present invention. しかし、保護層の内側部分は上記吸湿性物質層であり、本発明とは異なる。 However, the inner portion of the protective layer is the hygroscopic material layer is different from the present invention. 同公報の実施例では、 In the example set forth in,
吸湿性物質を2nm/秒の蒸着速度で成膜して厚さ5μm The thickness 5μm by the hygroscopic material is deposited at a deposition rate of 2 nm / sec
の吸湿性物質層(PVA層)としているので、成膜に4 Since the hygroscopic material layer (PVA layer) 4 in the film formation
0分間程度を要していることになる。 It means that it takes about 10 minutes. この成膜時間は、 The film-forming time,
本発明における導電性無機材料層の成膜時間の10倍以上であり、生産性の点で問題がある。 Is 10 times the deposition time of the conductive inorganic material layer in the present invention, there is a problem in terms of productivity. また、吸湿性物質層は、本発明における導電性無機材料層とは異なり、配線層として利用することはできない。 Moreover, the hygroscopic material layer is different from a conductive inorganic material layer in the present invention, it can not be used as a wiring layer.

【0029】本発明において導電性無機材料層を配線層として用いる場合には、以下に説明する手順で導電性無機材料層を形成することが好ましい。 [0029] The conductive inorganic material layer in the present invention is used as a wiring layer, it is preferable to form a conductive inorganic material layer by the procedure described below.

【0030】まず、図3に示すように、陽極2、端子電極3および絶縁層4を形成した後、端子電極3がマスク8の遮蔽部81に覆われるように、マスク8を設置する。 First, as shown in FIG. 3, after forming the anode 2, the terminal electrode 3 and the insulating layer 4, so that the terminal electrodes 3 are covered with the shield portion 81 of the mask 8, installing the mask 8. このとき遮蔽部81と端子電極3との間に空間を設け、両者が接触しないようにする。 In this case the space provided between the shielding portion 81 and the terminal electrode 3, both not to be in contact.

【0031】次いで、有機機能層5を、段差被覆性が比較的悪い方法、すなわち、回り込みの悪い方法(例えば真空蒸着法)により形成する。 [0031] Next, an organic functional layer 5, relatively bad way step coverage, ie, formed by a bad way of wraparound (e.g. vacuum evaporation method). このとき、遮蔽部81により有機機能層5の形成が制限され、遮蔽部81に覆われていた領域には有機機能層5は形成されない。 At this time, the formation of the organic functional layer 5 is limited by the shielding part 81, an organic functional layer 5 is in a region covered by the shield portion 81 is not formed.

【0032】続いて、マスク8を外さずに、陰極6を形成し、続いて、導電性無機材料層71と有機保護層72 [0032] Then, without removing the mask 8, to form a cathode 6, subsequently, a conductive inorganic material layer 71 and an organic protective layer 72
とからなる保護層7を形成する。 Forming a protective layer 7 made of a. 保護層7のうち少なくとも導電性無機材料層71は、有機機能層5および陰極6の形成に用いた成膜方法よりも段差被覆性が良好な方法、すなわち、回り込みのよい方法(例えばスパッタ法)で成膜する。 Least a conductive inorganic material layer 71, the step coverage is good way than the film formation method used for forming the organic functional layer 5 and the cathode 6 of the protective layer 7, i.e., a good way of wraparound (e.g. sputtering) in the film formation. 基板1とマスク8との間に空間を設けることで、図3(e)に示すように、回り込みのよい方法で形成された導電性無機材料層71はこの空間の中にも入り込み、有機機能層5を乗り越えて端子電極3に接続されることが可能となる。 By providing a space between the substrate 1 and the mask 8, as shown in FIG. 3 (e), a conductive inorganic material layer 71 formed in a good way of sneak penetrates also in this space, an organic functional it is possible to be connected to the terminal electrode 3 over the layer 5. この方法によれば、有機機能層5を成膜した後にマスク8の交換をすることなしに、陰極6と端子電極3とを導通させることができる。 According to this method, without the exchange of the mask 8 after forming the organic functional layer 5, it is possible to conduct the cathode 6 and the terminal electrode 3.

【0033】この方法では、有機保護層72の形成が完了するまでマスク8を外さず、真空を保ったままとすることが好ましい。 [0033] In this way, without removing the mask 8 until the formation of the organic protective layer 72 is completed, it is preferable to keeping the vacuum.

【0034】この方法により、マスクの装着工程を1回減らすことができる。 [0034] By this method, it is possible to reduce once the mounting process of the mask. また、前述したように、従来、陰極表面を大気から保護するために、陰極形成後、マスクを交換する前に配線層の一部を形成し、次いで大気中に開放してマスク交換を行った後、再び配線層を積層していたが、本発明法を適用することにより、配線層(導電性無機材料層)の形成工程を2回に分ける必要がなくなる。 Further, as described above, conventionally, in order to protect the cathode surface from the atmosphere, after forming the cathode, forms a part of the wiring layer before replacing the mask, followed by a mask exchange is opened to the atmosphere after again although the wiring layer has been laminated, by applying the present invention method, it is not necessary to separate the step of forming the wiring layers (conductive inorganic material layer) twice. また、有機機能層形成後に大気中に開放する必要がなくなるため、塵埃の付着が減少して歩留まりが向上する。 Further, since the need to open to the atmosphere after the organic functional layer formation is eliminated, thereby improving the yield adhered is reduced dust. 結果として、有機EL表示装置の製造コストを大きく削減できると共に、寿命の長い有機EL表示装置を実現できる。 As a result, it is possible to significantly reduce the manufacturing cost of the organic EL display device can realize a long organic EL display device lifetime.

【0035】図示例では、有機機能層5が導電性無機材料層71に完全に覆われることになるため、酸素、水、 [0035] In the illustrated example, this means that the organic functional layer 5 is completely covered with the conductive inorganic material layer 71, oxygen, water,
製造工程で用いる有機溶媒などから有機機能層5を保護することができる。 It is possible to protect the organic functional layer 5 from an organic solvent used in the manufacturing process. また、陰極6を段差被覆性の悪い方法で形成することにより、陰極6も導電性無機材料層7 Further, by forming the cathode 6 in step coverage poor method, the cathode 6 is also electrically conductive inorganic material layer 7
1で完全に被覆することができるので、十分な保護が可能である。 It is possible to completely cover one, a sufficient protection possible.

【0036】なお、特開平6−52991号公報には、 [0036] Note that in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-52991 is
有機薄膜層の背面側に設けられた電極の少なくとも側面からこの電極が形成されている有機薄膜層の露出面全体にかけて、電極よりも仕事関数の小さい金属膜で被覆された有機電界発光素子が記載されている。 Over the entire exposed surface of the organic thin film layer the electrode is formed from at least a side of the back provided on the side electrode of the organic thin film layer, an organic electroluminescent device according to than the electrode coated with a small metal film work function It is. 電極とは異なる材質からなる金属膜で電極が被覆されている点では同公報記載の有機電界発光素子は本発明における有機EL The organic EL in the point that the electrode and the electrode with a metal film made of different materials are coated organic electroluminescence device according the publication present invention
表示装置と同様である。 Is the same as the display device. しかし、同公報には、前記金属膜をさらに特定の有機保護層で被覆する旨の記載はない。 However, in this publication, no description that coated with the metal film further specific organic protective layer. また、同公報には、前記金属膜を端子電極と直接接続する旨の記載はなく、同公報の実施例では、前記金属膜からリード線を延ばしている。 Further, in the publication, the metal layer there is no description to the effect that direct connection to the terminal electrode, in the embodiment of the publication, which extend leads from the metal film. また、同公報の実施例では、電極と金属膜とはいずれも蒸着法により形成されているので、上記本発明法とは異なる。 In the embodiment of the publication, because it is formed by both the electrode and the metal film deposition method, different from the present invention method.

【0037】 [0037]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL表示装置の構成例を、図1に示す。 An example of a configuration of an organic EL display device of the embodiment of the present invention, shown in FIG. 同図に示されるEL表示装置は、基板1上に、陽極2、絶縁層4、発光層を含む有機機能層5および陰極6をこの順で有し、さらに陰極6上に、導電性無機材料層71と有機保護層72とからなる保護層7を有する。 The EL display device shown in the figure, on a substrate 1, an anode 2, an insulating layer 4, has an organic functional layer 5 and the cathode 6 including a light emitting layer in this order, further on the cathode 6, a conductive inorganic material having a protective layer 7 made of layer 71 and an organic protective layer 72. また、基板1上には、端子電極3が設けられている。 Further, on the substrate 1, a terminal electrode 3 is provided. 図示例の導電性無機材料層71は、陰極6と端子電極3とを接続する配線層として働いている。 Conductive inorganic material layer 71 in the illustrated example, has worked as a wiring layer for connecting the cathode 6 and the terminal electrode 3. 絶縁層4は、陽極2上の非発光部となる領域に形成される。 Insulating layer 4 is formed in a region to be a non-light emitting portion on the anode 2.
陽極2において絶縁層4の右側に延びている領域は、陽極2と外部回路とを接続するための端子部21である。 Region extending to the right of the insulating layer 4 at the anode 2 is a terminal unit 21 for connecting the anode 2 and the external circuit.
絶縁層4は、後に成膜される陰極6に陽極2が接触してしまうことを防ぐために設けられる。 Insulating layer 4, the anode 2 to the cathode 6 to be formed later is provided to prevent you contact. 両電極が接触するということは、本来分離されるべき有機EL素子のカソードとアノードとが電気的に短絡することを意味するので、絶縁層4を設ける必要がある。 That both electrodes are in contact, this means that the cathode and anode of the organic EL element which should be originally separated electrically shorted, it is necessary to provide an insulating layer 4.

【0038】以下、この有機EL表示装置の各部について、説明する。 [0038] Hereinafter, each part of the organic EL display device will be described.

【0039】 基板本発明の有機EL表示装置では、有機機能層5の基板1 The substrate in the organic EL display device of the present invention, the substrate of the organic functional layer 5 1
と反対側に保護層7を設けるので、有機機能層5による発光光を基板1を通して取り出す構成となる。 Since a protective layer 7 on the opposite side of, a configuration in which emitted light by the organic functional layer 5 through the substrate 1. したがって、基板にはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明な材料を用いる。 Accordingly, the substrate made of glass or quartz, transparent or translucent material such as a resin. 基板には、安価なソーダガラスを用いることができるが、この場合、基板全面をシリカコートすることが好ましい。 The substrate can be used an inexpensive soda glass, in this case, it is preferable to silica-coated the entire surface of the substrate. シリカコートは、酸やアルカリに弱いソーダガラスを保護する役割を持ち、さらに基板の平坦性をよくする効果も示す。 Silica coated has a role of protecting the vulnerable soda glass acid and alkali, further illustrates the effect of improving the flatness of the substrate.

【0040】なお、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御してもよい。 [0040] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or by arranging a dielectric reflection film, may control the luminescent color.

【0041】 陽極陽極の材質および厚さは、発光光の透過率が好ましくは80%以上となるように選択する。 The material and thickness of anode anode, the transmittance of the emitted light is preferably selected to be 80% or more. 具体的には、例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、SnO 2 、ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に用いることが好ましい。 Specifically, for example, tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide (IZO), SnO 2, or the like is preferably used for the anode polypyrrole dopant was doped. 陽極の厚さは、10〜500nm程度とすることが好ましい。 The thickness of the anode is preferably about 10 to 500 nm.

【0042】 発光層を含む有機機能層発光層は、正孔(ホール)および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子との再結合により励起子を生成させる機能を有する。 The organic functional layers emitting layer containing a light-emitting layer has a hole-and electron injection capabilities, their transport function, function to create excitons by recombination of holes and electrons. 発光層には比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。 It is preferable to use a relatively electronically neutral compounds in the light emitting layer.

【0043】有機機能層には、発光層のほかに正孔注入輸送層が含まれることが好ましい。 [0043] The organic functional layer, it is preferred to include a hole injection transport layer in addition to the emission layer. 正孔注入輸送層は、 The hole injection transport layer,
陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げる機能を有する。 Functions of facilitating injection of holes from the anode, have the function of preventing function and the electron transporting holes. このほか、必要に応じ、例えば発光層に用いる化合物の電子注入輸送機能がさほど高くないときなどには、発光層と陰極との間に電子注入輸送層を設ける構成とすることもできる。 In addition, if necessary, for example, when the electron injection transport function of the compound used in the light emitting layer is not so high, can be configured to provide an electron injection transport layer between the emitting layer and the cathode.
電子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能および正孔を妨げる機能を有する。 Electron injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of electrons from the cathode, has a function of preventing function and the hole transporting electrons. 正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、発光層へ注入される正孔や電子を増大させ、発光効率を改善する。 The hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer increases the hole and the electrons injected into the light emitting layer to improve light emission efficiency.

【0044】正孔注入輸送層は陽極と発光層との間に設けられ、電子注入輸送層は陰極と発光層との間に設けられる。 [0044] The hole injection transport layer is provided between the anode and the light emitting layer, an electron injection transport layer is provided between the cathode and the light-emitting layer.

【0045】なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送層はいずれも、注入機能を持つ層と輸送機能を持つ層とに分離して設けてもよい。 [0045] Incidentally, both the hole and electron injecting and transporting layers includes a layer having an injection function transport function may be separated into a layer having a.

【0046】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に限定されない。 The thickness of the light-emitting layer, the thickness of the thickness and the electron injection transport layer of the hole injection transport layer is not particularly limited. これらの厚さは、形成方法によっても異なるが、通常、5〜1 These thicknesses varies depending forming method, usually, 5 to 1
00nm程度とする。 The order of 00nm. 各層のキャリア移動度やキャリア密度(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる) Carrier mobility and carrier density of each layer (depending on ionization potential and electron affinity)
を考慮して各層の厚さを制御することにより、再結合領域・発光領域を自由に設計することができ、発光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御が可能である。 By controlling the thickness of each layer in consideration of the recombination region and emission region can be designed freely, emission color design and the control of the luminance and spectrum of light emission by the interference of both the electrodes, it is possible to control the spatial distribution of light emission.

【0047】発光層には、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。 [0047] The light emitting layer contains a fluorescent material that is a compound capable of emitting light. 蛍光性物質には、例えば、 The fluorescent substance, for example,
特開昭63−264692号公報等に開示されているようなトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の金属錯体色素を用いることができる。 Tris as disclosed in JP-A 63-264692, etc. (8-quinolinolato) may be a metal complex dye such as aluminum. これに加え、あるいはこれに替え、キナクリドン、クマリン、ルブレン、スチリル系色素、その他テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体等を用いることもできる。 Additionally, or instead of this, quinacridone, coumarin, rubrene, styryl dyes, other tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, also possible to use 12-phthaloperinone derivatives. 発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 Emitting layer may also serve as an electron injecting and transporting layer, it is preferable this case to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like.

【0048】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。 [0048] For the electron injecting and transporting layer, tris (8-quinolinolato) organometallic complexes such as aluminum, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene it can be used derivatives. 上述したように、電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合にはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 As described above, the electron injecting and transporting layer may also serve as a light emitting layer, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like in such a case.

【0049】なお、電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて設ける場合には、電子注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して各層に用いることができる。 [0049] In the case where the electron injection transport layer is provided separately as an electron injecting layer and the electron transport layer can be used in each layer are selected in a proper combination from the compounds for the electron injection transport layer. このとき、陰極側から電子親和力の大きい化合物の層の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate from the cathode side in order of the layer of large compound of electron affinity. このような積層順については、電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination also applies where a plurality of electron injecting and transporting layers.

【0050】正孔注入輸送層には、例えば、特開昭63 [0050] The hole injection transport layer, for example, JP 63
−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234681 -295695, JP-A No. 2-191694, JP-A No. 3-792, JP-A No. 5-234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2 JP, Hei 5-239455, JP-A No. 5-2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100172 99174, JP-A No. 7-126225, JP-A No. 7-126226, JP-A No. 8-100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物、例えば、テトラアリールベンジシン化合物(テトラアリールジアミンないしテトラフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等を用いることができる。 JP, various organic compounds described in such EP0650955A1, for example, tetra-aryl benzidine compound (tetraaryldiamines to tetraphenyldiamine: TPD), aromatic tertiary amines, hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives , oxadiazole derivatives having an amino group can be used polythiophene. これらの化合物は2種以上を併用してもよい。 These compounds may be used in combination of two or more. 併用するときには、別層にして積層したり、混合したりすればよい。 When used together, or stacked as separate layers, it may be or mixed.

【0051】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層とに分けて設ける場合には、正孔注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。 [0051] When the positive hole injection transport layer provided separately to the hole injection layer and the hole transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the hole injection transport layer. このとき、陽極からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate in the order of the layer of a compound having a lower ionization potential from the anode. また、陽極表面に設けられる層には、均質な薄膜が形成可能な化合物を用いることが好ましい。 Furthermore, the layer provided on the anode surface, it is preferable to use a uniform thin film can be formed compound. このような積層順については、正孔注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination holds for the provision of the hole injecting and transporting layers. このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。 With such a stacking order, a driving voltage is reduced, it is possible to prevent the development and growth of dark spots of the current leakage. また、蒸着法により形成する場合には、厚さ1〜10nm程度の薄い膜であっても均質かつピンホールフリーにすることができる。 In the case of forming by vapor deposition can be a thin film having a thickness of about 1~10nm be homogeneous and pinhole-free. このため、イオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を正孔注入層に用いた場合でも、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。 Therefore, the ionization potential is small, even in the case of using a compound as having absorption in the visible portion in the hole injection layer, it is possible to prevent a decrease in efficiency due tone change and re-absorption of emission color.

【0052】有機機能層を構成する各層の形成には蒸着法やスパッタ法を用いればよいが、上述したように特に蒸着法により形成することが好ましい。 [0052] The formation of each layer constituting the organic functional layer may be used a vapor deposition method or a sputtering method, but is preferably formed in particular by vapor deposition as described above.

【0053】 陰極陰極は、仕事関数が4eV以下の金属(合金および金属間化合物を含む)から構成されることが好ましい。 [0053] cathode cathode is preferably a work function is composed of 4eV following metals (including alloys and intermetallic compounds). 仕事関数が4eVを超えると、電子の注入効率が低下して、発光効率が低下する。 When the work function is more than 4 eV, the electron injection efficiency is degraded, and the emission efficiency decreases.

【0054】陰極形成に用いる材料としては、例えば、 [0054] As a material used for forming the cathode, for example,
Li、Na、K等のアルカリ金属;Mg、Ca、Sr、 Li, Na, alkali metals K, etc.; Mg, Ca, Sr,
Ba等のアルカリ土類金属;La、Ce等の希土類金属;Al、In、Ag、Sn、Zn、Zr等が挙げられ、所望の仕事関数の陰極が得られるように、これらから少なくとも1種を選択すればよい。 Alkaline earth metals such as Ba; La, rare earth metals such as Ce; Al, In, Ag, Sn, Zn, Zr and the like, as the cathode of a desired work function can be obtained, at least one of these it may be selected. 仕事関数が4eV以下の合金としては、例えばAg・Mg(Ag:1〜20 The work function 4eV following alloy, for example Ag · Mg (Ag: 1~20
原子%)、Al・Li(Li:0.5〜10原子%)、 Atomic%), Al · Li (Li: 0.5~10 atomic%),
In・Mg(Mg:50〜80原子%)、Al・Ca In · Mg (Mg: 50~80 atomic%), Al · Ca
(Ca:5〜20原子%)などが挙げられる。 (Ca: 5 to 20 atomic%), and the like.

【0055】陰極の形成には、スパッタ法を用いてもよいが、本発明では好ましくは蒸着法を用いる。 [0055] the formation of the cathode, may be by sputtering, the present invention is preferably used for deposition.

【0056】陰極の厚さは、電子注入が十分に行えるように適宜決定すればよいが、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上である。 [0056] The thickness of the cathode, the electron injection may be suitably determined to allow enough, preferably 50nm or more, more preferably 100nm or more. 陰極の厚さの上限は特にないが、通常、陰極は500nmを超える厚さとする必要はない。 The upper limit of the thickness is not particularly cathode, usually the cathode need not be a thickness of greater than 500 nm.

【0057】 保護層導電性無機材料層の構成材料は特に限定されず、導電性金属(合金および金属間化合物を含む)および導電性セラミックスから、上記したような配線層として必要な導電性が得られ、かつ有機保護層形成時に陰極および有機機能層を十分に保護できるような材料を適宜選択すればよい。 [0057] the material of the protective layer conductive inorganic material layer is not particularly limited, (including alloys and intermetallics) a conductive metal and a conductive ceramic, resulting conductivity is required as a wiring layer, as described above it is, and the material may be appropriately selected as sufficiently protect the cathode and the organic functional layer when the organic protective layer. このような導電性無機材料としては、Ag、A As such a conductive inorganic material, Ag, A
l、Au、Cr、Mo、Pt、TiおよびWのいずれか、Cu、Mo、Sc、SiおよびWの少なくとも1種とAlとの合金、またはTiN、ZnO、SnO 2もしくはIn 23が好ましい。 l, Au, Cr, Mo, Pt, or Ti and W, Cu, Mo, Sc, an alloy of at least one of Al of Si and W or TiN,, ZnO, is SnO 2 or In 2 O 3 preferably .

【0058】導電性無機材料層の厚さは、好ましくは3 [0058] The thickness of the conductive inorganic material layer is preferably 3
0nm〜1μmであり、より好ましくは50nm〜0.5μm Is a 0nm~1μm, more preferably 50nm~0.5μm
である。 It is. 導電性無機材料層が薄すぎると、導電性無機材料層の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。 When the conductive inorganic material layer is too thin, becomes low step coverage of the conductive inorganic material layer, the connection to the terminal electrode is not sufficient. 一方、導電性無機材料層が厚すぎると、導電性無機材料層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってしまう。 On the other hand, when the conductive inorganic material layer is too thick, the stress of the conductive inorganic material layer increases, the growth rate of dark spots becomes high.

【0059】有機保護層は、塩素を含むフッ化炭素重合体から選択された少なくとも1種の重合体を蒸着源とする真空蒸着法により形成されたものであるか、前記少なくとも1種の重合体をターゲットとするスパッタ法により形成されたものであり、塩素を含むフッ素系有機高分子薄膜である。 [0059] The organic protective layer, or those formed by vacuum deposition to the deposition source at least one polymer selected from fluorocarbon polymer containing chlorine, said at least one polymer the has been formed by sputtering a target, a fluorine-based organic thin film containing chlorine. 蒸着源またはターゲットとなる前記フッ化炭素重合体としては、塩素を含むフッ化炭素化合物の単独重合体およびその共重合体が好ましい。 Examples of the fluorocarbon polymer as a deposition source or target, homopolymer of fluorocarbon compounds containing chlorine and copolymers thereof are preferred. 前記単独重合体および共重合体としては、クロロトリフルオロエチレン単独重合体、ジクロロジフルオロエチレン単独重合体、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体が好ましく、特に、クロロトリフルオロエチレン単独重合体が好ましい。 As the homopolymers and copolymers, chlorotrifluoroethylene homopolymer, dichlorodifluoromethane ethylene homopolymer, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene are preferred, chlorotrifluoroethylene homo- coalescence is preferable. なお、本発明では、これらの単独重合体や共重合体のほか、テトラフルオロエチレンとクロロトリフルオロエチレンまたはジクロロジフルオロエチレンとの共重合体なども用いることができる。 In the present invention, in addition to these homopolymers and copolymers can also be used such as a copolymer of tetrafluoroethylene and chlorotrifluoroethylene or dichlorodifluoroethylene. 前記各重合体の分子量は、好ましくは400 The molecular weight of each polymer is preferably 400
以上、より好ましくは1000以上60万以下、さらに好ましくは1万以上50万以下である。 Or more, more preferably 1000 or more 600,000 or less, more preferably 10,000 to 500,000. なお、共重合体を用いる場合、共重合比は特に限定されないが、例えばクロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体では、クロロトリフルオロエチレン: In the case of using the copolymer, the copolymerization ratio is not particularly limited, for example, in the copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene:
ジクロロジフルオロエチレン=2:1〜10:1であることが好ましい。 Dichlorodifluoroethylene = 2: 1 to 10: 1.

【0060】蒸着またはスパッタにより形成された有機保護層は、蒸着源またはターゲットとほぼ同じ重合体から構成される。 [0060] deposition or organic protective layer formed by sputtering is composed of substantially the same polymer as the evaporation source or target.

【0061】有機保護層の厚さは、好ましくは10nm〜 [0061] The thickness of the organic protective layer is preferably 10nm~
100μmであり、より好ましくは50nm〜10μmである。 A 100 [mu] m, more preferably 50Nm~10myuemu. 有機保護層が薄すぎると封止効果が不十分となり、 Sealing effect when organic protective layer is too thin becomes insufficient,
厚すぎると応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってしまう。 For if too thick stress increases, the growth rate of dark spots becomes high.

【0062】なお、導電性無機材料層は、ターゲットや蒸着源の異なる複数層から構成してもよく、有機保護層についても同様である。 [0062] The conductive inorganic material layer may be composed of a plurality of layers having different targets or evaporation sources is the same for the organic protective layer.

【0063】保護層は、導電性無機材料層と有機保護層とのほかに、導電性無機材料層と有機保護層との間に非フッ素系有機材料層や非導電性無機材料層を含んでいてもよい。 [0063] protective layer, in addition to the conductive inorganic material layer and the organic protective layer, contains a non-fluorinated organic material layer and a non-conductive inorganic material layer between the conductive inorganic material layer and the organic protective layer It can have.

【0064】導電性無機材料層および有機保護層は、蒸着法またはスパッタ法により形成する。 [0064] conductive inorganic material layer and the organic protective layer is formed by vapor deposition or sputtering. スパッタ法を用いた場合、段差被覆性の良好な薄膜が形成できる。 When using a sputtering method, good film of step coverage can be formed. このため、陰極および有機機能層を完全に被覆することが容易となり、また、導電性無機材料層を配線層として利用することが容易となる。 Therefore, it is easy to completely cover the cathode and the organic functional layer, it is easy to use a conductive inorganic material layer as a wiring layer.

【0065】なお、導電性無機材料層をTiNから構成する場合、Tiをターゲットとする反応性スパッタ法を利用することが好ましい。 [0065] Incidentally, when forming the conductive inorganic material layer from TiN, it is preferable to use a reactive sputtering method that targets Ti. このときの反応性ガスには、 The reactive gas of this case,
2等を用いればよい。 The N 2, etc. may be used.

【0066】 端子電極端子電極の構成材料は特に限定されず、例えばITO、 [0066] the material of the terminal electrode terminal electrode is not particularly limited, for example ITO,
TiN、Al等を用いればよい。 TiN, may be used such as Al. ただし、陰極や有機保護層を形成した後、封止板等を接着剤により貼り合わせて封止する際に、接着剤として紫外線硬化型のものを用い、かつ基板側から紫外線を照射する場合には、端子電極を光透過率の高い材料から構成することが好ましい。 However, after forming a cathode and an organic protective layer, at the time of sealing by bonding a sealing plate or the like with an adhesive, used as ultraviolet curable as an adhesive, and in case of irradiation with ultraviolet rays from the substrate side it is preferable to configure the terminal electrodes from high light transmittance material.
この場合の電極材料としては、陽極の説明において挙げた各種材料が好ましい。 As an electrode material in this case, various materials mentioned in the description of the anode is preferred. 通常は、陽極形成の際のパターニングにより、陽極と同時に端子電極を形成する。 Typically, the patterning during the anodic formation, simultaneously forming a terminal electrode and an anode.

【0067】 絶縁層 SiO 2等の酸化ケイ素、 窒化ケイ素などの無機系材料をスパッタや真空蒸着で成膜したもの、SOG(スピン・オン・グラス)で形成した酸化ケイ素層、フォトレジスト、ポリイミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁性を有するものであればいずれであってもよい。 [0067] The silicon oxide such as an insulating layer SiO 2, which was deposited inorganic material such as silicon nitride by sputtering or vacuum deposition, a silicon oxide layer formed by SOG (spin on glass), a photoresist, polyimide, like coating of resin-based material such as an acrylic resin, it may be any as long as it has an insulating property. ただし、絶縁層の下側にはITO等からなる陽極が存在するので、絶縁層形状にパターニングする際に陽極へダメージを与えないようなパターニングが可能な材料を用いることが好ましい。 However, since the lower side of the insulating layer there is an anode made of ITO or the like, it is preferable to use a material capable of patterning that does not damage to the anode when patterning the insulating layer shape.

【0068】絶縁層の厚さは特に限定されず、必要な絶縁性が得られるように材料に応じて適宜決定すればよいが、無機系材料を用いる場合には製造コストの面から薄いほうが望ましい。 [0068] The thickness of the insulating layer is not particularly limited, it may be suitably determined depending on the material as required insulating properties are obtained, but thinner is preferable from the viewpoint of production cost in the case of using an inorganic material .

【0069】 封止有機保護層形成後、封止板を接着して、端子電極3の少なくとも一部を除く領域を基板1と封止板との間に密封する構造とすることが好ましい。 [0069] After sealing the organic protective layer formed, by bonding a sealing plate, it is preferable that a region excluding at least part of the terminal electrode 3 a structure for sealing between the substrate 1 and the sealing plate. これにより、湿気の侵入を防ぐことができ、機械的強度も高くなる。 This prevents the ingress of moisture, the higher the mechanical strength. 封止板の接着には、例えば、光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等を用いればよい。 The adhesion of the sealing plate, for example, a light curable adhesive, epoxy adhesive, silicone adhesive, crosslinked ethylene - may be used vinyl acetate copolymer adhesive sheet. 封止板には、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等を用いればよい。 The sealing plate may be used glass, ceramics, metals, resins and the like.

【0070】本発明の有機EL表示装置は、以上で説明した孤立型のものに限らず、単純マトリクス型や薄膜トランジスタ(TFT)型などの多画素構造のものにも適用できる。 [0070] The organic EL display device of the present invention is not limited to the isolated type described above, it can also be applied to those multi-pixel structure, such as a simple matrix type and a thin film transistor (TFT) type.

【0071】本発明の有機EL表示装置は、通常、直流駆動されるが、交流駆動またはパルス駆動する構成としてもよい。 [0071] The organic EL display device of the present invention is usually a direct current drive, it may be configured of the AC or pulse drive type. 印加電圧は、通常、5〜20V程度とされる。 The applied voltage is generally about 5~20V.

【0072】陽極、有機機能層、陰極は、形成の際にマスクを用いたり、形成後にエッチング等により形状加工したりすることによってパターニングでき、これにより所望の発光パターンを得ることができる。 [0072] The anode, the organic functional layer, a cathode, or using a mask during formation by etching or the like after the formation can patterning by or shaping, thereby to obtain a desired emission pattern.

【0073】 製造方法の詳細図2および図3により、本発明の製造方法を模式的に説明する。 [0073] Detailed FIGS. 2 and 3 of the manufacturing method, a manufacturing method of the present invention schematically. 図2の(a)〜(f)は、製造工程において有機EL表示装置を基板1表面側から見た平面図であり、 In Figure 2 (a) ~ (f) is a plan view of the organic EL display device from the substrate 1 surface in the manufacturing process,
図3の(a)〜(f)は、それぞれ図2に示すA−A線〜F−F線における断面図である。 In Figure 3 (a) ~ (f) is a cross-sectional view taken along line A-A to F-F line shown in Figure 2, respectively. ただし、この断面図には断面の端面だけを表示してある。 However, this cross-sectional view are displayed only end faces of the cross-section. なお、以降に説明する断面図についても同様である。 The same applies to the cross-sectional view illustrating the subsequent.

【0074】まず、各図の(a)に示すように、基板1 [0074] First, as shown in (a) of each figure, the substrate 1
上に陽極2および端子電極3を形成する。 To form the anode 2 and the terminal electrode 3 above. ここでは陽極2を形成する際のマスキングないし陽極2形成後のエッチングにより、陽極2と同時に端子電極3を形成しているが、陽極2とは別の導電層を形成して端子電極3としてもよい。 By etching after masking or anode 2 formed at the time of forming the anode 2 Here, to form the anode 2 at the same time as the terminal electrodes 3, also as a terminal electrode 3 to form another conductive layer and the anode 2 good.

【0075】次に、各図の(b)に示すように、陽極2 [0075] Next, as shown in (b) in each figure, the anode 2
上の非発光部となる領域に絶縁層4を形成する。 A region to be a non-light emitting portion of the upper forming the insulating layer 4.

【0076】次いで、各図の(c)に示すように、マスク8に基板1を装着する。 [0076] Then, as shown in (c) of each drawing, mounting the substrate 1 to the mask 8. 図示するように、マスク8 As shown in the figure, mask 8
は、開口の大きさの異なる遮蔽部81と基部82とから構成される。 It is composed of different shielding portion 81 and the base 82. The sizes of the openings. 小さな開口を有する遮蔽部81は、成膜される材料が飛来してくる側(図示例では下側)に存在し、成膜材料の遮蔽を担う。 Shielding portion 81 having a small opening is present (the lower side in the illustrated example) the side material to be deposited come flying, responsible for the shielding of the film forming material. 一方、小さな開口を有する基部82は、基板1側に存在し、遮蔽部81と基板1との距離を一定に保つ。 On the other hand, the base 82 having a small opening is present in the substrate 1 side, keep the distance between the shielding portion 81 and the substrate 1 constant. 成膜材料の回り込みの幅は、「遮蔽部81と基板1との距離」と「成膜方法」とで決まる。 Width of diffraction of the film forming material is determined out with "the distance between the shielding portion 81 and the substrate 1" and "film forming method". 有機機能層5をほぼマスクの開口パターンどおりに成膜し、かつ導電性無機材料層62の回り込みを十分に確保するためには、遮蔽部81裏面(基板1側の面)と基板1表面との距離を、0.1〜5mmとすることが好ましく、0.3〜1.5mmとすることがより好ましい。 The organic functional layer 5 is formed substantially in an opening pattern as per the mask, and to sufficiently ensure the wraparound of the conductive inorganic material layer 62 includes a shield portion 81 the rear surface (the surface of the substrate 1 side) and the substrate 1 surface the distance is preferably to 0.1 to 5 mm, and more preferably to 0.3 to 1.5 mm. ただし、自動搬送装置が基板1を取り回し難くならないように、基板1の厚さとマスク8の厚さとの合計(基板1 However, as automated transporter is not difficult handling the substrate 1, the sum of the thickness of the substrate 1 and the mask 8 (substrate 1
裏面からマスク8表面までの距離)を5mm以下とすることが好ましく、3mm以下とすることがより好ましい。 Preferably to a distance) from the back surface to the mask 8 surface and 5mm or less, and more preferably to less than 3mm. なお、マスク8としては、通常、樹脂からなるプラスチックマスクや、SUS、Ti、Al等の金属からなるメタルマスクを用いる。 As the mask 8, is usually used and plastic masks made of resin, SUS, Ti, a metal mask made of a metal such as Al.

【0077】一般的な真空蒸着法を用いた場合には、基板1に飛来する蒸着物質は遮蔽部81により遮蔽され、 [0077] When using a general vacuum deposition method, the deposition material flying to the substrate 1 is shielded by the shielding portion 81,
概ね遮蔽部81の開口部分と同じサイズのパターンの蒸着膜が形成される。 Generally deposited film pattern having the same size as the opening of the shielding portion 81 is formed. すなわち、一般的な真空蒸着法は段差被覆性が悪く、蒸着物質の回り込みはほとんどない。 That is, the general vacuum deposition method has poor step coverage, wraparound of deposition material is little.
したがって、真空蒸着法により有機機能層を形成すれば、マスク8の遮蔽部81の開口に応じたパターンの有機機能層5が形成される。 Therefore, by forming the organic functional layer by a vacuum deposition method, the organic functional layer 5 of a pattern corresponding to the opening of the shielding portion 81 of the mask 8 is formed.

【0078】有機機能層5形成後、図3の(d)および(e)に示すように、マスク8を交換せず、かつ真空を破らずに、続いて陰極6を形成し、さらに、導電性無機材料層71を形成する。 [0078] After the organic functional layer 5 formed, as shown in shown in FIG. 3 (d) and (e), without replacing the mask 8, and without breaking the vacuum, followed by forming the cathode 6, and further, electrically conductive forming a sexual inorganic material layer 71. 陰極6は、その表面に形成される導電性無機材料層71によって完全に被覆されるように、段差被覆性の悪い真空蒸着法により形成することが好ましい。 Cathode 6, as will be completely covered by the conductive inorganic material layer 71 formed on the surface thereof is preferably formed by step coverage poor vacuum deposition method. このような方法により形成された陰極6は、 Cathode 6 formed by such a method,
図3の(d)に示されるように、有機機能層5とほぼ同じパターンとなる。 As shown in FIG. 3 (d), substantially the same pattern as the organic functional layer 5. 陰極6形成後、真空蒸着法よりも回り込みのよい方法、具体的には段差被覆性のよい方法により、導電性無機材料層71を形成する。 After the cathode 6 is formed, a good way of rounding than the vacuum deposition method, a good way step coverage specifically, to form a conductive inorganic material layer 71. このような方法により形成された導電性無機材料層71は、図3の(e)に示すように、有機機能層5および陰極6の形成パターンを越えてマスク8の基部82側に回り込み、端子電極3と接続されることになる。 Such conductive formed by the method, inorganic material layer 71, as shown in (e) of FIG. 3, wraparound to the base 82 side of the mask 8 beyond the formation pattern of the organic functional layer 5 and the cathode 6, the terminal It would be connected to the electrode 3. 導電性無機材料層7 Conductive inorganic material layer 7
1構成材料には、陰極6構成材料よりも安定な金属を用いるので、陰極6と端子電極3との接続は、安定な金属によりなされることになる。 The 1 construction material, since use of stable metal than the cathode 6 the material, the connection between the cathode 6 and the terminal electrode 3 will be made by the stable metal. なお、陰極6および導電性無機材料層71はいずれも、組成の異なる複数の層から構成されていてもよい。 Incidentally, both the cathode 6 and the conductive inorganic material layer 71 may be composed of a plurality of layers having different compositions.

【0079】図示例では、マスク8の遮蔽部81全域が基板1と離れているため、有機機能層5および陰極6が導電性無機材料層71に完全に覆われることになる。 [0079] In the illustrated example, since the shield portion 81 the entire of the mask 8 is spaced apart from the substrate 1, so that the organic functional layer 5 and the cathode 6 is completely covered with the conductive inorganic material layer 71. このため、良好な保護効果が得られる。 Thus, good protection effect. ただし、導電性無機材料層71を端子電極3に接続するためには、遮蔽部81の開口近傍全域において基板1との間に空間を設ける必要はなく、遮蔽部81と端子電極3の少なくとも一部との間に空間を設けるだけでよい。 However, in order to connect the conductive inorganic material layer 71 to the terminal electrode 3 does not need to provide a space between the substrate 1 in the opening near the whole area of ​​the shielding portion 81, at least one shielding portion 81 and the terminal electrode 3 need only provide a space between the parts.

【0080】有機保護層72も、マスク8を外さない状態で形成する。 [0080] The organic protective layer 72 is also formed in a state not remove the mask 8. 有機保護層72の形成方法は特に限定されず、スパッタ法や蒸着法等のいずれの方法で形成してもよいが、保護効果を高くするためには、好ましくは段差被覆性が良好な方法で形成し、各図の(f)に示すように、導電性無機材料層71を完全に被覆した状態とする。 Method of forming an organic protective layer 72 is not particularly limited, may be formed by any method such as sputtering or evaporation, in order to increase the protection effect, preferably the step coverage is good way formed, as shown in (f) in each figure, the conductive inorganic material layer 71 completely coated state.

【0081】有機保護層72形成後、マスク8をはずし、図1に示す構成の有機EL表示装置を得る。 [0081] After the organic protective layer 72 is formed, removing the mask 8, obtaining an organic EL display device shown in FIG.

【0082】以上では、導電性無機材料層71だけを配線層とする構成について説明したが、陰極6も回り込みのよい方法で形成し、配線層の一部としてもよい。 [0082] In the above, only the conductive inorganic material layer 71 has been described configuration in which the wiring layer, the cathode 6 is also formed in a good way of wraparound, it may be part of the wiring layer. この場合でも、陰極6の表面は導電性無機材料層71により覆われるので、上記例と同様にマスク8の交換が不要となる効果に加え、有機機能層5および陰極6を保護する効果が得られる。 In this case, since the surface of the cathode 6 is covered by a conductive inorganic material layer 71, in addition to the effects as in the above example replacement of the mask 8 is not required, the effect of protecting the organic functional layer 5 and the cathode 6 to give It is. ただし、前述したように、端子電極との接続部が陰極と導電性無機材料層との積層体であると、導電性無機材料層に傷が付いた場合に陰極が露出し、腐食しやすくなるため、接続部は導電性無機材料層だけから構成することが好ましい。 However, as described above, when the connection portion of the terminal electrode is a laminate of a cathode and the conductive inorganic material layer, the cathode is exposed when scratched in the conductive inorganic material layer, it tends to corrode Therefore, the connecting portion is preferably composed only of electrically conductive inorganic material layer.

【0083】図2および図3では、開口サイズが異なる2枚の部材を貼り合わせたマスク8を例に挙げたが、この構成のマスクに限らず、開口が基板側よりも基板と反対側のほうが大きいマスクであれば、どのような構造のものであってもよい。 [0083] In Figures 2 and 3, although a mask 8 which aperture size is bonded to different two members mentioned example is not limited to the mask of this structure, the opening is opposite to the substrate than the substrate side if more large mask, it may be of any structure. このようなマスクとしては、開口を形成する遮蔽部の内周側面に段差ないし傾斜を設けたマスクが挙げられる。 Such masks, masks provided with a step or gradient and the like to the inner peripheral surface of the shield portion to form the opening. 具体的には、図2、図3に示すマスク8のほか、例えば図4に示すようなマスク8を用いてもよい。 Specifically, FIG. 2, in addition to the mask 8 shown in FIG. 3, may be used a mask 8 as shown in FIG. 4, for example. 図4(a)に示すマスク8は、外形形状は図3に示すマスク8と同様であるが、1枚の板状体を形状加工することにより遮蔽部81と基部82とを設けたものである。 Mask 8 shown in FIG. 4 (a), the external shape is similar to the mask 8 shown in FIG. 3, but provided with a shielding portion 81 and the base 82 by shaping a plate-shaped body is there. また、図4(b)は、1枚のマスク8の開口部内周側面を、基板1側の開口が大きくなるようにテーパー状に加工したものである。 Further, FIG. 4 (b), the opening peripheral side surface of the single mask 8, which has been processed into a tapered shape so that the opening of the substrate 1 side is larger.

【0084】上述した段差被覆性の良好な方法により形成された導電性無機材料層は、その端部の勾配が、通常、0.1以下と極めて小さいものとなる。 [0084] aforementioned step coverage of the good conductivity formed by a method inorganic material layer, the gradient of its ends, typically, becomes extremely small as 0.1 or less. なお、図5 It should be noted that, as shown in FIG. 5
(a)に示すように、導電性無機材料層71端部の勾配は、水平方向位置の変化量hに対する垂直方向位置の変化量vの比v/hで表される。 (A), the gradient of the conductive inorganic material layer 71 end is represented by the ratio v / h of variation v vertical position with respect to the change amount h of the horizontal position. これに対し、導電性無機材料層の形成に有機機能層形成に用いた方法と同様な段差被覆性の悪い方法、例えば通常の蒸着法を用いた場合には、v/hは、通常、0.5以上と大きくなる。 In contrast, the same method as step coverage poor method used in the organic functional layer formed on the formation of the conductive inorganic material layer, for example in the case of using a conventional deposition method, v / h is usually 0 .5 or higher to be larger. したがって、導電性無機材料層端部の勾配およびその勾配の始まる位置を調べることにより、有機機能層形成工程と導電性無機材料層形成工程との間でのマスク交換の有無を判断することができる。 Therefore, by examining the slope and position the beginning of the gradient of the conductive inorganic material layer end, it is possible to determine the presence or absence of mask exchange between the organic functional layer forming step and the conductive inorganic material layer forming step .

【0085】上記説明において段差被覆性の良好な方法として挙げたスパッタ法では、スパッタガスの圧力が高ければ、ターゲットから飛散した粒子がスパッタガスと衝突して散乱される頻度が高くなるため、段差被覆性が向上する。 [0085] In the sputtering method mentioned as good method of step coverage in the above description, the higher the pressure of the sputtering gas, since the frequency of particles scattered from the target is scattered by colliding with the sputtering gas is high, the step coverage is improved. ターゲットから飛散した粒子が基板に到達するまでに少なくとも平均して1回はスパッタガス原子と衝突するように、言い換えると飛散粒子の平均自由行程がターゲットと基板との間の距離よりも短くなるようにスパッタガス圧力を選択することが好ましい。 As the particles scattered from the target is at least on average once before reaching the substrate to collide with sputtering gas atoms, so that the mean free path of words and scattering particles is shorter than the distance between the target and the substrate it is preferable to select the sputtering gas pressure. 一方、スパッタガスの圧力が高すぎると、ターゲットから飛散した粒子が散乱されすぎ、また、ターゲットに印加される電圧が低下してしまうため、成膜速度が低くなってしまう。 On the other hand, when the pressure of the sputtering gas is too high, the particles scattered from the target is too scattered, also, since the voltage applied to the target is reduced, the film formation rate is lowered. したがって、スパッタガスの圧力は、段差被覆性と成膜速度とを考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは2×10 -4 〜2×10 -2 Torrとし、より好ましくは1 Accordingly, the pressure of the sputtering gas, may be appropriately determined in consideration of the step coverage and deposition rate, but preferably a 2 × 10 -4 ~2 × 10 -2 Torr, more preferably 1
×10 -3 〜1×10 -2 Torrとする。 × and 10 -3 ~1 × 10 -2 Torr. なお、スパッタガスには、通常、Arが用いられる。 Incidentally, the sputtering gas, usually, Ar is employed. したがって、成膜にスパッタ法を用いたことは、層中のAr量を測定することにより確認できる。 Therefore, for the use of sputtering film formation it can be confirmed by measuring the amount of Ar in the layer. スパッタ法により形成された層中のAr含有量は、通常、0.01〜15原子%程度である。 Ar content in the layer formed by sputtering is usually about 0.01 to 15 atomic%. 一方、蒸着法を用いた場合には、層中にはArが実質的に含有されない。 On the other hand, in the case of using the evaporation method, during the layer Ar is not substantially contained.

【0086】段差被覆性の良好な方法としては、スパッタ法のほか、プラズマCVD法や光CVD法などが挙げられ、本発明ではこれらの方法を用いてもよい。 [0086] As good method for step coverage, in addition to sputtering, include a plasma CVD method or a photo CVD method, or using these methods in the present invention. また、 Also,
真空蒸着法において、蒸着雰囲気中にAr等の不活性ガスを導入すれば、段差被覆性を向上させることができるので、導電性無機材料層の形成に利用することができる。 In the vacuum deposition method, is introduced an inert gas such as Ar during the deposition atmosphere, it is possible to improve the step coverage can be utilized to form the conductive inorganic material layer. ただし、生産性および均一性が最も高くなることから、スパッタ法を用いることが最も好ましい。 However, since the productivity and homogeneity becomes highest, it is most preferable to use a sputtering method.

【0087】また、このように、真空蒸着法でも蒸着時の雰囲気圧力が高いと段差被覆性が良好となってしまうので、段差被覆性を悪くする必要のある場合には、蒸着時の圧力を好ましくは1×10 -5 Torr以下、より好ましくは1×10 -6 Torr以下とする。 [0087] Also, in this way, since the ambient pressure is high, the step coverage during deposition in a vacuum deposition becomes good, when it is necessary to deteriorate step coverage is the pressure during vapor deposition preferably 1 × 10 -5 Torr or less, more preferably at most 1 × 10 -6 Torr.

【0088】陽極2の側端面は、基板1に垂直ではなく勾配をもつことが好ましい。 [0088] the side end surface of the anode 2 preferably has a slope not perpendicular to the substrate 1. これは、陽極2の側端面において、後に蒸着法などにより形成される薄膜の被覆性が悪くなることを防ぎ、歩留まりと寿命とを向上させるためである。 This is because, in the side end surface of the anode 2, later prevents the coating of the thin film formed by vapor deposition or the like becomes worse, in order to improve the yield and lifetime. 図5(b)において陽極2の側端面と基板1表面とのなす角度θ(以後、テーパ角という)は、6 Angle theta (hereinafter, referred to as taper angle) of the side end face and the substrate 1 surface of the anode 2 in FIG. 5 (b), 6
0°以下であることが好ましい。 It is preferably 0 ° or less. テーパ角の小さな段差を造り込むこと自体は、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれの方法でも可能である。 Itself to build in small step taper angle, wet etching, it is possible in any way dry etching. 例えばウェットエッチングでは等方的にエッチングが進むため、オーバーエッチング時間を多く取りすぎなければテーパ角を自然に60°程度以下とでき、45°以下とすることも容易である。 For example, since the isotropic etching proceeds in the wet etching, not too take much over-etching time can taper angle less about naturally 60 °, it is easy to 45 ° or less. また、ドライエッチング法でも、レジストのドライエッチングによる後退を利用する方法、すなわちレジストのテーパ角を転写するようにドライエッチングガスやRF投入電力、ガス圧力などのエッチング条件を選べば、20〜30°のテーパー角は容易に得ることができる。 Also, a dry etching method, a method utilizing the retraction by dry etching of the resist, i.e. the dry etching gas and RF input power so as to transfer the taper angle of the resist, be selected etching conditions such as gas pressure, 20 to 30 ° taper angle can be easily obtained in. このときのドライエッチングガスとしては、 As the dry etching gas in this case,
塩化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素ガスや、臭素ガス、あるいはメタノールなどが使われる。 Hydrogen chloride, and hydrogen halide gas such as hydrogen iodide, bromine gas or methanol, are used.

【0089】 [0089]

【実施例】 実施例1表1に示すEL表示装置サンプルを、以下に示す手順で作製した。 EXAMPLES The EL display device samples shown in Example 1 in Table 1 were prepared according to the following procedure.

【0090】 サンプルNo.1(本発明例)ガラス基板上に、RFスパッタ法により、ITOからなる透明な陽極を形成した。 [0090] Sample No.1 (invention example) on a glass substrate by RF sputtering to form a transparent anode made of ITO. スパッタレートは10nm/mi Sputtering rate is 10nm / mi
nとし、陽極の厚さは200nmとした。 And n, the thickness of the anode was set at 200nm. 陽極をパターニングした後、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、陽極表面をUV/O 3洗浄した。 After patterning the anode, neutral detergent, ultrasonically cleaned with acetone, ethanol, dried pulled up from boiling ethanol, and the anode surface was washed UV / O 3.

【0091】次いで、陽極を形成した基板を真空蒸着装置の真空槽内の基板ホルダーに固定した後、真空槽内を1×10 -6 Torr以下まで減圧した。 [0091] Then, after fixing the substrate formed with the anode on a substrate holder in a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus, and pressure of the vacuum vessel to 1 × 10 -6 Torr or less. この減圧状態を保ったまま、4,4′,4″−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)フェニルアミン(MTDATA)を蒸着源として、蒸着速度0.2nm/secで40nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。そしてこの上に、減圧状態を保ったまま、N,N,N′,N′−テトラキス(3−ビフェニル)−4,4′−ジアミノ−1,1′−ビフェニル(TPD)を蒸着速度0.2nm/secで35nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。 While maintaining the vacuum state, 4,4 ', 4 "- tris (3-methylphenyl phenylamino) phenylamine (MTDATA) as a deposition source was deposited to a thickness of 40nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec and a hole injection layer. then on the left, keeping the reduced pressure, N, N, N ', N'-tetrakis (3-biphenyl) -4,4'-diamino-1,1'-biphenyl It was deposited to a thickness of 35nm to (TPD) at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and a hole transport layer.

【0092】続いて、減圧を保ったまま、トリス(8− [0092] Subsequently, the vacuum kept, tris (8
キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq 3 )を蒸着源として、蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。 Quinolinolato) aluminum (hereinafter, a vapor deposition source Alq 3), was deposited to a thickness of 50nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and an electron injection transport and emission layer.

【0093】次に、減圧状態を保ったまま、Mg・Ag [0093] Next, the vacuum kept, Mg · Ag
合金(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで20 Alloy (weight ratio 10: 1) 20 at a deposition rate of 0.2 nm / sec
0nmの厚さに蒸着した。 It was deposited to a thickness of 0nm. 蒸着時の圧力は、1×10 -6 To The pressure during deposition, 1 × 10 -6 To
rrとした。 It was rr. なお、Mg・Ag合金の仕事関数は3.8eV In addition, the work function of the Mg · Ag alloy is 3.8eV
であった。 Met.

【0094】次いで、Alをターゲットとしたスパッタ法により、導電性無機材料層を形成した。 [0094] Then, by a sputtering method using Al target, to form a conductive inorganic material layer. スパッタガス(Ar)の圧力は4×10 -3 Torrとした。 The pressure of the sputtering gas (Ar) was 4 × 10 -3 Torr. スパッタ速度は1.0nm/sとし、導電性無機材料層の厚さは200n Sputtering rate was 1.0 nm / s, the thickness of the conductive inorganic material layer 200n
mとした。 It was m.

【0095】次に、導電性無機材料層上に、クロロトリフルオロエチレン単独重合体を蒸着源とする蒸着法により、有機保護層を形成した。 [0095] Next, the conductive inorganic material layer, by vapor deposition of a chlorotrifluoroethylene homopolymer and the evaporation source to form an organic protective layer. 蒸着時の圧力は、1×10 The pressure during deposition, 1 × 10
-4 Torrとした。 It was -4 Torr. 蒸着速度は0.5nm/secとし、有機保護層の厚さは500nmとした。 Deposition rate was 0.5 nm / sec, the thickness of the organic protective layer was 500 nm.

【0096】 サンプルNo.2(本発明例)導電性無機材料層をTiNから構成したほかはサンプル [0096] Sample No.2 except that the (invention example) conductive inorganic material layer was formed from TiN samples
No.1と同様にして作製した。 It was produced in the same manner as the No.1. TiNは反応性スパッタ法により形成した。 TiN was formed by a reactive sputtering method.

【0097】 サンプルNo.3(比較例)導電性無機材料層を設けなかったほかはサンプルNo.1 [0097] Sample No.3 (Comparative Example) In addition to not providing a conductive inorganic material layer sample No.1
と同様にして作製した。 It was prepared in the same manner as.

【0098】 サンプルNo.4(比較例)有機保護層を設けなかったほかはサンプルNo.1と同様にして作製した。 [0098] Sample No.4 (Comparative Example) In addition to not providing an organic protective layer was prepared in the same manner as Sample No.1.

【0099】22℃、50%RHの雰囲気中において、 [0099] 22 ° C., during the RH 50% atmosphere,
上記各サンプルに直流電圧を印加して10mA/cm 2の一定電流密度で連続駆動させ、初期輝度および駆動電圧を測定した。 Each sample DC voltage continuously causes driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 was applied to, and measure the initial luminance and drive voltage. なお、各サンプルの発光光は、緑色(発光極大波長λmax=520nm)であった。 The emission light of each sample was green light (maximum wavelength λmax = 520nm).

【0100】また、各サンプルの寿命を、以下に示す基準で評価した。 [0101] Further, each sample of life was evaluated according to the following criteria. ○ :連続駆動1000時間後に、直径100μm以上のダークスポットが発生していなかった。 ○: after continuous driving for 1,000 hours, or more of the dark spot diameter 100μm it did not occur. × :連続駆動1000時間後に、直径100μm以上のダークスポットが発生していた。 ×: After the continuous drive for 1000 hours, or more dark spots the diameter 100μm had occurred. ××:連続駆動100時間後に、直径100μm以上のダークスポットが発生していた。 ××: After continuous operation for 100 hours, or more dark spots the diameter 100μm had occurred.

【0101】これらの結果を、表1に示す。 [0101] The results are shown in Table 1.

【0102】 [0102]

【表1】 [Table 1]

【0103】表1に示される結果から、本発明の効果が明らかである。 [0103] From the results shown in Table 1, the effect of the present invention are apparent. すなわち、導電性無機材料層を設けなかった比較例サンプルは、本発明例サンプルに対し、初期輝度の低下および駆動電圧の上昇が認められ、ダークスポットが極めて短時間で発生し、成長してしまっている。 That is, comparative sample which was not provided with conductive inorganic material layer, to present invention embodiment sample, increase the reduction and the driving voltage of the initial luminance was observed, dark spots occur in an extremely short time, it ended up growth ing. また、有機保護層を設けなかった比較例サンプルでは、本発明例サンプルに対し、ダークスポットが短時間で発生し、成長してしまっており、導電性無機材料層単独では十分な封止効果が得られないことがわかる。 Further, in the comparative example sample is not provided an organic protective layer with respect to the present invention example samples generated dark spots in a short time, have gone to grow, a sufficient sealing effect is a conductive inorganic material layer alone not obtained it can be seen. なお、比較例サンプルでは、本発明例サンプルに比べ輝度半減寿命も短かった。 In the comparative sample, the luminance half life compared to the present invention embodiment samples was also short.

【0104】 実施例2図6(a)に示すような、画素サイズが0.4mm×0.6 [0104] Example 2 as shown in FIG. 6 (a), 0.4mm × 0.6 pixel size
mmのドットで構成された5ドット×8ドットのキャラクター表示領域が2行×16列あるタイプのドットマトリクス・ディスプレイを製造した例を示す。 An example of producing a type dot matrix display of the character display area of ​​5 dots × 8 dots composed mm dots are two rows × 16 columns. 図6(a)には、キャラクター表示領域の拡大図、陽極2の端子部2 Figure 6 is (a), enlarged view of the character display area, the terminal portion 2 of the anode 2
1の拡大図および導電性無機材料層71と接続される端子電極3の拡大図も示してある。 Enlarged view of a terminal electrode 3 connected to one of the enlarged view and conductive inorganic material layer 71 is also shown. 図6の(b)および(c)は、製造工程におけるマスク8の開口の位置を示すものであり、(b)は平面図、(c)は、(b)のC Shown in FIG. 6 (b) and (c), which indicates the position of the opening of the mask 8 in the manufacturing process, (b) is a plan view, (c), the C of (b)
−C線における一部省略断面図である。 Is a partially omitted cross-sectional view taken -C line. ただし、(c) However, (c)
は、有機機能層形成前の状態を示す。 Shows a state before the organic functional layer.

【0105】図7および図8は製造工程の説明図であり、分かりやすくするために、図6の領域Aの一部を拡大して示している。 [0105] FIGS. 7 and 8 are explanatory views of a manufacturing process, for clarity, illustrates an enlarged view of a portion of the region A of FIG. 基板1表面側から見た平面図を図7 Figure is a plan view seen from the substrate 1 surface 7
の(a−1)〜(d−1)および図8の(a−1)〜 Of (a-1) ~ a (d-1) and FIG. 8 (a-1) ~
(a−2)に示し、図7のA−A線〜D−D線および図8のA−A線、B2−B2線、B3−B3線における断面図を、それぞれ図7の(a−2)〜(d−2)および図8の(a−2)、(b−2)、(b−3)に示す。 (A-2) to indicate, A-A line of A-A line to D-D line and 8 in FIG. 7, B2-B2 line, the cross-sectional view taken along line B3-B3, respectively, of FIG 7 (a- 2) - (the d-2) and FIG. 8 (a-2), (b-2), shown in (b-3).

【0106】基板1は、安価なソーダガラスの全面にシリカコートしたものを用いた。 [0106] The substrate 1 used was silica coated on the entire surface of the inexpensive soda glass. これは酸やアルカリに弱いソーダガラスを保護するためと、ガラス表面の平坦性をよくするためである。 This is a to protect weak soda glass acid and alkali, in order to improve the flatness of the glass surface.

【0107】次に、陽極2および端子電極3を形成するために、ITOからなる厚さ1000Aの透明導電層をスパッタ法により形成した。 [0107] Next, in order to form the anode 2 and the terminal electrode 3, a transparent conductive layer having a thickness of 1000A made of ITO was formed by sputtering. この透明導電層上にフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、 After forming a resist pattern by photolithography in this transparent conductive layer,
不要部分をエッチングして除去し、次いでレジストを剥離して、図7の(a−1)および(a−2)に示すように陽極2および端子電極3とした。 Etching away the unnecessary portion, then removing the resist, and the anode 2 and the terminal electrodes 3 as shown in FIGS. 7 (a-1) and (a-2). 陽極2および端子電極3の側端面のテーパ角(図5(b)に示す角度θ) Taper angle of the side end surface of the anode 2 and the terminal electrode 3 (the angle shown in FIG. 5 (b) theta)
は、45°とした。 It was set to 45 °. このテーパ角を有する側端面は、H Side end surface having the taper angle is, H
Cl、HNO 3および水の混合液からなるエッチング液で2分間エッチングすることにより形成した。 Cl, it was formed by etching for 2 minutes with an etching solution consisting of HNO 3 and a mixture of water.

【0108】次に、図7の(b−1)および(b−2) [0108] Next, in FIG. 7 (b-1) and (b-2)
に示すように、陽極2および端子電極3を覆う絶縁層4 As shown in, an insulating layer 4 covering the anode 2 and the terminal electrode 3
を基板1全面に形成した。 It was formed on the entire surface of the substrate 1. 絶縁層4にはポリイミドを用いた。 The insulating layer 4 using a polyimide. ポリイミドは非感光性の材料を選び、5%程度の濃度にNMP(N-methyl pyrrolidone)で希釈したものをスピンコート法で塗布し、150℃で30分間、さらに300℃で1時間ベークした。 Polyimide select non-photosensitive material, those diluted with NMP (N-methyl pyrrolidone) was applied by spin coating to a concentration of about 5%, 30 minutes at 0.99 ° C., and baked for 1 hour at further 300 ° C..

【0109】次いで、画素間を分離するための構造を作製するために、図7の(c−1)および(c−2)に示すように、厚さ1μmのAl層91および厚さ0.2μm [0109] Then, in order to produce a structure for separating between the pixels, in FIG. 7 (c-1) and as shown in (c-2), Al layer 91 and the thickness of the thickness 1 [mu] m 0. 2μm
のCr層92を続けて形成した。 It was formed to continue the Cr layer 92.

【0110】引き続き、ポジレジストを塗布し、所望のフォト・パターンを形成するために露光し、現像した。 [0110] Subsequently, a positive resist is applied, exposed to form the desired photo-pattern, and developed.
さらにCr層92を硝酸セリウムアンモニウム溶液でエッチングし、Al層91をリン酸、硝酸、酢酸の混合液でエッチングした。 Further etching the Cr layer 92 with cerium ammonium nitrate solution, to etch the Al layer 91 phosphoric acid, nitric acid, a mixture of acetic acid. このとき、Al層91が十分にオーバーエッチングされるような時間だけエッチング液に浸漬したところ、最初のフォト・パターンに対し片側約2 At this time, was immersed in only etchant time as Al layer 91 is sufficiently over-etched, about one for the first photo-pattern 2
μmAlパターンが小さくなり、図7の(d−1)および(d−2)に示すような笠型の構造体(オーバーハング体)9が得られた。 μmAl pattern is reduced, in FIG. 7 (d-1) and (d-2) are shown as a bevel-type structure (overhang member) 9 was obtained.

【0111】さらに、フォトリソグラフィーによって、 [0111] In addition, by photolithography,
実際の発光部となる陽極2と端子電極3とを露出させるための開口を有するパターンを作り、酸素プラズマにより絶縁層4をエッチングした後、レジストを剥離し、図8の(a−1)および(a−2)に示す構造とした。 Create a pattern having an opening for exposing the anode 2 and the terminal electrode 3 serving as the actual light emitting portion, after etching the insulating layer 4 by oxygen plasma, the resist is removed, in FIG. 8 (a-1) and It was (a-2) to indicate the structure.

【0112】次に、図8の(b−1)、(b−2)および(b−3)に示すように、マスク8を基板1に設置した。 [0112] Next, as shown in FIG. 8 (b-1), (b-2) and (b-3), was placed a mask 8 to the substrate 1. このマスク8は、開口の異なるメタルマスク(SU The mask 8, the opening of different metal mask (SU
S304製)を貼り合わせたものであり、基板1側に存在する基部82の厚さは1mm、遮蔽部81の厚さは0. S304 Ltd.) are those obtained by bonding, the thickness of the base portion 82 present on the substrate 1 side 1 mm, the thickness of the shielding part 81 0.
1mmである。 It is 1mm. なお、マスク開口部における基部82に対する遮蔽部81のオーバーハング量は、2mmである。 Incidentally, the overhang amount of the shielding portion 81 with respect to the base 82 in the mask opening is 2 mm.

【0113】次いで、図8の(c)に示すように、有機機能層5と、陰極6と、保護層7(導電性無機材料層7 [0113] Then, as shown in (c) of FIG. 8, an organic functional layer 5, and cathode 6, protective layer 7 (conductive inorganic material layer 7
1および有機保護層72)とを連続して形成した。 1 and an organic protective layer 72) and is formed continuously. なお、有機保護層72の形成が終了するまで真空を破らず、マスク8の交換も行わなかった。 Incidentally, without breaking the vacuum until the formation of the organic protective layer 72 is completed, it was not even exchange of the mask 8.

【0114】有機機能層5は、正孔注入層、正孔輸送層および電子注入輸送・発光層から構成した。 [0114] The organic functional layer 5, a hole injection layer, was formed from a hole transport layer and an electron injection transport and light emitting layer. これら各層は、実施例1と同様にして形成した。 These layers were formed in the same manner as in Example 1.

【0115】陰極6は厚さ2000Aとし、Mg・Ag [0115] cathode 6 and a thickness of 2000A, Mg · Ag
合金(重量比10:1)を蒸着することにより形成した。 Alloy (weight ratio 10: 1) was formed by depositing. 蒸着時の圧力は、1×10 -6 Torrとした。 The pressure during the deposition was set to 1 × 10 -6 Torr.

【0116】導電性無機材料層71は厚さ0.3μmとし、Alをターゲットとするスパッタ法により形成した。 [0116] conductive inorganic material layer 71 is a thickness of 0.3 [mu] m, and the Al was formed by sputtering a target. スパッタガス(Ar)の圧力は4×10 -3 Torrとした。 The pressure of the sputtering gas (Ar) was 4 × 10 -3 Torr. 図5(a)に示す導電性無機材料層71端部の勾配v/hは、0.05であった。 Gradient v / h of the conductive inorganic material layer 71 ends as shown in FIG. 5 (a), was 0.05. 導電性無機材料層71中のAr量は、約3原子%であった。 Ar amount in the conductive inorganic material layer 71 was about 3 atomic%. なお、陰極6中のA It should be noted, A in the cathode 6
r量は、検出限界以下であった。 r amount was below the detection limit.

【0117】有機保護層72は、実施例1のサンプルN [0117] The organic protective layer 72 of Example 1 Sample N
o.1と同様にして形成した。 It was formed in the same manner as o.1.

【0118】最後に、成膜装置から取り出し後にマスク8を外し、全体を外気から遮断するための封止を行い、 [0118] Finally, remove the mask 8 after extraction from the film forming apparatus, a sealing for blocking the whole from the outside air,
端子電極3と外部回路とを接続して、ドットマトリクス・ディスプレイを完成させた。 By connecting the terminal electrode 3 and the external circuit, thereby completing the dot matrix display.

【0119】このディスプレイでは、実施例1の本発明サンプルと同様に、初期輝度の低下および駆動電圧の上昇は認められなかった。 [0119] In this display, as with the present invention the sample of Example 1, increase of reduction and the driving voltage of the initial luminance was observed. また、ダークスポットおよび輝度半減寿命についても、実施例1の本発明サンプルと同等であった。 As for the dark spots and brightness half-life were comparable to the present invention the sample of Example 1.

【0120】 実施例3 1画素のサイズが330μm×110μmで、画素数が3 [0120] Example 3 size of one pixel in 330 [mu] m × 110 [mu] m, the number of pixels is 3
20×240×RGBドットのカラー・ディスプレイを製造した例を示す。 An example of producing a color display 20 × 240 × RGB dots. カラーになったことと、より精細になったこととを除けば、基本的に実施例2と大きく異なる点はない。 Except the fact became color, and it has become finer, it differs not significantly out basically as Example 2.

【0121】まず、液晶ディスプレイのカラー化手法としても最も一般的な顔料分散型のカラーフィルターを形成した。 [0121] First, even to form the most common pigment-dispersed color filter as the color technique of a liquid crystal display. 1.5〜2.5μm程度のフィルター膜厚になるように各色のフィルター液を塗布し、パターニングした。 Applying a filter medium in each color so that the filter film thickness of about 1.5 to 2.5 [mu] m, and patterned. カラーフィルターの形成工程は、赤を例にとると、 The step of forming the color filter, and take the red as an example,
次のように行った。 It went as follows. 赤色用カラーフィルター液を100 The red color filter liquid 100
0rpmで5秒スピンコートし、100℃で3分プリベークした。 And 5 seconds spin-coated at 0rpm, for 3 minutes pre-baked at 100 ℃. 露光機でフォトマスクを位置合わせし、20mW Align the photo mask in the exposure machine, 20mW
の紫外光を30秒間照射した後、濃度約0.1%のTM After irradiation with ultraviolet light for 30 seconds, a concentration of about 0.1% TM
AH水溶液で現像した。 It was developed with AH aqueous solution. 現像時間は約1分間であった。 Development time was about 1 minute.
次いで、この後に塗布する他の色のカラーフィルター液に溶解しないように220℃で1時間キュアし、赤色カラーフィルターパターンを完成させた。 Then 1 hour curing at 220 ° C. so as not to dissolve the color filter liquid other color to be applied after this, to complete the red color filter pattern. 他の色(緑、 Other colors (green,
青)のカラーフィルターは、材料(顔料)が異なるために上記の赤色カラーフィルター形成条件とは若干異なるものの、ほぼ同様の工程を順次行うことにより形成した。 Color filters of blue), although slightly different from the red color filter forming conditions to which the material (pigment) is different, was formed by sequentially performing substantially the same process. ここでは、製造が比較的容易であるため、カラーフィルターだけを用いた例を挙げたが、蛍光変換フィルターを用いて緑、赤は色変換を行うことで出力させて、より高輝度発光にしてもよい。 Here, since production is relatively easy, an example of using only the color filter, green with a fluorescent conversion filter, red by output by performing color conversion, and the higher luminance emission it may be. また、カラーフィルターと蛍光変換フィルターとを積層し、輝度低下の防止と色純度の向上とを両立させることも可能である。 Further, by laminating the color filter and the fluorescence conversion filter, it is possible to achieve both improvement of prevention and color purity of the brightness reduction.

【0122】次いで、図9(a)に示すように、カラーフィルターパターン(図中のR、G、B)の上から基板1全面にオーバーコート材を塗布し、露光後、 220 [0122] Then, as shown in FIG. 9 (a), was applied color filter pattern (R in the figure, G, B) an overcoat material over the entire surface of the substrate 1, after exposure, 220
℃で1時間キュアすることによりオーバーコート層11 The overcoat layer 11 by 1 hour curing at ℃
を形成し、透明導電層を形成する面の平坦性を向上させた。 Forming a, thereby improving the flatness of the surface to form a transparent conductive layer.

【0123】次に、オーバーコート層11表面にITO [0123] Next, ITO in the overcoat layer 11 surface
からなる厚さ1000Aの透明導電膜をスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後にエッチングし、最後にレジストを剥離した。 A transparent conductive film having a thickness of 1000A made of formed by sputtering, and etched after forming a resist pattern by photolithography, was peeled off finally resist. こうして、図9(b)に示すようにITOからなるカラムラインを形成し、陽極2とした。 Thus, to form the column line made of ITO as shown in FIG. 9 (b), and an anode 2. このとき同時に端子電極3のパターンも形成されている。 At this time it is also formed pattern of the terminal electrode 3 simultaneously. 陽極2および端子電極3の側端面のテーパ角(図5(b)に示す角度θ)は、45°とした。 Taper angle of the side end surface of the anode 2 and the terminal electrode 3 (the angle shown in FIG. 5 (b) theta) was set to 45 °. このテーパ角を有する側端面は、HCl、HNO 3および水の混合液からなるエッチング液で2分間エッチングすることにより形成した。 The side end surface having a taper angle was formed by etching for 2 minutes with an etching solution comprising HCl, HNO 3 and a mixture of water.

【0124】次に、陽極2上に、SiO 2をターゲットとするスパッタ法により厚さ0.2μmの絶縁層4を形成し、さらに、スパッタ法により厚さ1μmのAl層9 [0124] Next, on the anode 2, the SiO 2 to form an insulating layer 4 having a thickness of 0.2μm by sputtering a target, further, Al layer having a thickness of 1μm by sputtering 9
1および厚さ0.2μmのCr層92を形成し、図9 Forming a Cr layer 92 of 1 and a thickness of 0.2 [mu] m, 9
(c)に示す構造とした。 It has a structure shown in (c).

【0125】次いで、実施例2と同様にCr層92とA [0125] Then, a Cr layer 92 in the same manner as in Example 2 A
l層91とをエッチングした。 And l layer 91 was etched. 続いて、フォトリソグラフィーにより陽極2の表面を露出させるためのパターンを形成した後、絶縁層4をエッチングして発光領域と端子電極3とを露出させ、最後にレジストを除去した。 Subsequently, after forming a pattern for exposing the surface of the anode 2 by photolithography, the insulating layer 4 is etched to expose a light emitting region and the terminal electrode 3, and finally removing the resist. なお、絶縁層4のエッチングには、フッ酸とフッ化アンモニウム水溶液とを1:20の比率で混合したエッチング液を用いた。 Note that the etching of the insulating layer 4, using an etching liquid in which hydrofluoric acid and ammonium fluoride aqueous solution were mixed at a ratio of 1:20.

【0126】次に、図9(d)に示すように、実施例2 [0126] Next, as shown in FIG. 9 (d), Example 2
で用いたマスク8と同様なマスク8を基板1に設置した後、成膜装置に導入し、有機機能層5と、陰極6と、保護層7(導電性無機材料層71および有機保護層72) After the same mask 8 as a mask 8 used in installed in the substrate 1, and introduced into the film forming apparatus, an organic functional layer 5, and cathode 6, protective layer 7 (conductive inorganic material layer 71 and an organic protective layer 72 )
とを連続して形成し、図9(e)に示す構造とした。 Continuously forming bets, has a structure shown in FIG. 9 (e). なお、有機保護層72の形成が終了するまで真空を破らず、マスク8の交換も行わなかった。 Incidentally, without breaking the vacuum until the formation of the organic protective layer 72 is completed, it was not even exchange of the mask 8.

【0127】有機機能層5は、厚さ100Aの正孔注入層と、厚さ500Aの正孔輸送層兼黄色発光層と、厚さ500Aの青色発光層と、厚さ100Aの電子輸送層とから構成し、白色発光するように材料を選択した。 [0127] The organic functional layer 5, a hole injection layer having a thickness of 100A, a hole-transporting layer and the yellow emitting layer having a thickness of 500A, and the blue light-emitting layer having a thickness of 500A, and an electron transport layer having a thickness of 100A consist of, and selecting the material to white light. 正孔注入層は、ポリ(チオフェン−2,5−ジイル)を蒸着することにより形成した。 The hole injection layer was formed by depositing poly (thiophene-2,5-diyl). 正孔輸送層兼黄色発光層は、T A hole transport layer and the yellow emitting layer, T
PDにルブレンを1重量%の割合でドープしたものを共蒸着することにより形成した。 It was formed by co-evaporation of doped with rubrene in a proportion of 1 wt% to PD. ルブレンの濃度は0.1 Concentration of rubrene is 0.1
〜10重量%程度が好ましく、この濃度で高効率で発光する。 Preferably about 10 wt%, emits light at high efficiency at this concentration. 濃度は発光色の色バランスより決定すればよく、 The concentration may be determined from the color balance of the emission color,
この後に成膜する青色発光層の光強度と波長スペクトルとにより左右される。 Depends on the light intensity and the wavelength spectrum of the blue light emitting layer is deposited thereafter. 青色発光層は、4,4´-ビス[(1, The blue light-emitting layer, 4,4'-bis [(1,
2,2-トリフェニル)エテニル]ビフェニルを蒸着することにより形成した。 It was formed by depositing 2,2 triphenyl) ethenyl] biphenyl. 電子輸送層は、Alq 3を蒸着することにより形成した。 Electron-transporting layer was formed by depositing Alq 3.

【0128】陰極6は厚さ2000Aとし、Mg・Ag [0128] cathode 6 and a thickness of 2000A, Mg · Ag
合金(重量比10:1)を蒸着することにより形成した。 Alloy (weight ratio 10: 1) was formed by depositing. 蒸着時の圧力は、1×10 -6 Torrとした。 The pressure during the deposition was set to 1 × 10 -6 Torr.

【0129】導電性無機材料層71は厚さ0.3μmとし、Alをターゲットとするスパッタ法により形成した。 [0129] conductive inorganic material layer 71 is a thickness of 0.3 [mu] m, and the Al was formed by sputtering a target. スパッタガスの圧力は4×10 -3 Torrとした。 The pressure of the sputtering gas was 4 × 10 -3 Torr. 図5 Figure 5
(a)に示す導電性無機材料層71端部の勾配v/h (A) to show conductive inorganic material layer 71 the ends of the gradient v / h
は、0.05であった。 It was 0.05. 導電性無機材料層71中のAr Ar of the conductive inorganic material layer 71
量は、約3原子%であった。 The amount was about 3 atomic%. なお、陰極6中のAr量は、検出限界以下であった。 Incidentally, Ar amount in the cathode 6 was below the detection limit.

【0130】有機保護層72は、実施例1のサンプルN [0130] The organic protective layer 72 of Example 1 Sample N
o.1と同様にして形成した。 It was formed in the same manner as o.1.

【0131】以上のようにして、単純マトリクス型有機ELカラー・ディスプレイを完成させた。 [0131] As described above, to complete the simple matrix type organic EL color display.

【0132】このカラー・ディスプレイでは、実施例1 [0132] In this color display is, Example 1
の本発明サンプルと同様に、初期輝度の低下および駆動電圧の上昇は認められなかった。 Of in the same manner as in This invention Sample, increase of reduction and the driving voltage of the initial luminance was observed. また、ダークスポットおよび輝度半減寿命についても、実施例1の本発明サンプルと同等であった。 As for the dark spots and brightness half-life were comparable to the present invention the sample of Example 1.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の有機EL表示装置の構成例を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of an organic EL display device of the present invention.

【図2】(a)〜(f)は有機EL表示装置の製造工程を説明するための平面図である。 Figure 2 (a) ~ (f) are plan views for explaining a manufacturing process of an organic EL display device.

【図3】(a)〜(f)は有機EL表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 [3] (a) ~ (f) are cross-sectional views for illustrating a manufacturing process of the organic EL display device.

【図4】(a)および(b)は図2および図3のマスク8とは異なる構造のマスク8を説明するための断面図である。 4 (a) and (b) the mask 8 in FIG. 2 and FIG. 3 is a sectional view for explaining a mask 8 of different structures.

【図5】(a)は導電性無機材料層71の端部の勾配を説明するための断面図であり、(b)は陽極2の端部の勾配を説明するための断面図である。 5 (a) is a sectional view for explaining the gradient of the ends of the conductive inorganic material layer 71, (b) is a sectional view for explaining the gradient of the end portion of the anode 2.

【図6】(a)はドットマトリクス・ディスプレイの平面図であり、(b)は(a)のドットマトリクス・ディスプレイの製造工程におけるマスク8の開口の位置を示す平面図であり、(c)は(b)の断面図である。 6 (a) is a plan view of a dot matrix display, (b) is a plan view showing the position of the opening of the mask 8 in the dot matrix display of the manufacturing process of (a), (c) is a cross-sectional view of (b).

【図7】(a−1)〜(d−1)はドットマトリクス・ [7] (a-1) ~ (d-1) is dot matrix
ディスプレイの製造工程を説明するための平面図であり、(a−2)〜(d−2)は(a−1)〜(d−1) It is a plan view for explaining the display of the manufacturing process, (a-2) ~ (d-2) is (a-1) ~ (d-1)
の断面図である。 It is a cross-sectional view of.

【図8】(a−1)、(b−1)はドットマトリクス・ [8] (a-1), (b-1) is dot matrix
ディスプレイの製造工程を説明するための平面図であり、(a−2)、(b−2)、(b−3)および(c) It is a plan view for explaining the display of the manufacturing process, (a-2), (b-2), (b-3) and (c)
は断面図である。 It is a cross-sectional view.

【図9】(a)〜(e)はカラー・ディスプレイの製造工程を説明するための断面図である。 9 (a) ~ (e) are sectional views for explaining a manufacturing process of a color display.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 11 オーバーコート層 2 陽極 21 端子部 3 端子電極 4 絶縁層 5 有機機能層 6 陰極 7 保護層 71 導電性無機材料層 72 有機保護層 8 マスク 81 遮蔽部 82 基部 9 笠型の構造体 91 Al層 92 Cr層 1 substrate 11 overcoat layer 2 anode 21 terminal 3 terminal electrode 4 insulating layer 5 organic functional layer 6 cathode 7 protective layer 71 conductive inorganic material layer 72 an organic protective layer 8 mask 81 shields 82 base 9 umbrella-type structure 91 Al layer 92 Cr layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 満成 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Suzuki MitsuruNaru Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei within Co., Ltd.

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板表面に、発光部積層体を有し、この発光部積層体が、陽極と、発光層を含む有機機能層と、 To 1. A substrate surface, a light-emitting unit laminate, the light-emitting portion laminate, an anode, an organic functional layer including a light emitting layer,
    陰極と、保護層とをこの順で有し、この保護層が、導電性無機材料層とこの上に形成された有機保護層とを含み、 前記有機保護層が、塩素を含むフッ化炭素重合体から選択された少なくとも1種の重合体を蒸着源とする真空蒸着法により形成されたものであるか、前記少なくとも1 A cathode, and a protective layer in this order, the protective layer, and a conductive inorganic material layer and the organic protective layer formed on this, the organic protection layer, a carbon bifluoride containing chlorine or those formed by vacuum deposition to the deposition source at least one polymer selected from polymer, said at least one
    種の重合体をターゲットとするスパッタ法により形成されたものである有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The organic electroluminescence display device is one formed by sputtering a target species of the polymer.
  2. 【請求項2】 前記導電性無機材料層が、Ag、Al、 Wherein said conductive inorganic material layer, Ag, Al,
    Au、Cr、Mo、Pt、TiおよびWのいずれかから構成されているか、Cu、Mo、Sc、SiおよびWの少なくとも1種とAlとの合金から構成されているか、 Au, Cr, Mo, Pt, or is composed of any one of Ti and W, Cu, Mo, Sc, or is composed of an alloy of at least one of Al of Si and W,
    TiN、ZnO、SnO 2またはIn 23から構成されている請求項1の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 TiN, ZnO, organic electroluminescent display device according to claim 1 which is composed of SnO 2 or In 2 O 3.
  3. 【請求項3】 前記陰極が、仕事関数4eV以下の金属から構成されている請求項1または2の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 Wherein the cathode, the organic electroluminescent display device according to claim 1 or 2 and a work function 4eV following metals.
  4. 【請求項4】 基板表面に、端子電極を有し、前記導電性無機材料層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線層であり、前記導電性無機材料層の端部の勾配が、 4. A substrate surface having a terminal electrode, the conductive inorganic material layer is a wiring layer in contact with at least a portion of the terminal electrode, the gradient of the ends of the conductive inorganic material layer,
    少なくとも端子電極付近で0.1以下である請求項1〜 At least according to claim 1 in the vicinity of the terminal electrode it is 0.1 or less
    3のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 One of the organic electroluminescent display device 3.
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、 陽極および端子電極を形成した後、層形成領域を制限するための遮蔽部とこれに囲まれた開口とを有するマスクに、基板をその表面側が対向するように設置し、次いで、有機機能層と陰極とを形成し、続いて、有機機能層形成に用いた方法よりも段差被覆性の良好な方法により導電性無機材料層を形成することにより、導電性無機材料層が端子電極の少なくとも一部と接触した状態とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 5. A process for producing any of the organic electroluminescent display device of claim 1, after forming the anode and the terminal electrode, surrounded by a thereto shielding portion for limiting the layer formation region a mask having an opening that was placed so that the surface side of the substrate faces, then, to form a, a cathode an organic functional layer, followed by the step coverage than the method used in the organic functional layer is formed by forming a conductive inorganic material layer by better methods, the method of manufacturing the organic electroluminescent display device in which the conductive inorganic material layer has a contact with at least a portion of the terminal electrode.
  6. 【請求項6】 マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極の少なくとも一部を覆うように、基板をマスクに設置する請求項5の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 6. As the shielding portion of the mask covering at least a portion of the terminal electrodes via a space, the method of manufacturing the organic electroluminescent display device according to claim 5 for installing the substrate as a mask.
  7. 【請求項7】 有機機能層を真空蒸着法により形成し、 7. The organic functional layer was formed by vacuum evaporation,
    導電性無機材料層をスパッタ法により形成する請求項5 Claim conductive inorganic material layer is formed by sputtering 5
    または6の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 Or 6 method of manufacturing the organic electroluminescent display device.
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