JP3302262B2 - Organic electroluminescence display device and a manufacturing method thereof - Google Patents

Organic electroluminescence display device and a manufacturing method thereof

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    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3281Passive matrix displays
    • H01L27/3283Including banks or shadow masks

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置あるいは光源として利用される有機エレクトロ・ルミネッセンス(以下ELという)表示装置及びその製造方法に係り、 The present invention relates to relates to organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) display device and a manufacturing method thereof which is used as a display device or a light source,
特に素子分離が容易でかつフォトリソグラフィー工程を使用可能とするものに関する。 And it is easy particularly isolation of what to enable the photolithography process.

【0002】 [0002]

【従来の技術】薄型のフラットパネルディスプレイとして、現在液晶ディスプレイが使用されているが、有機E 2. Description of the Related Art As a thin flat panel displays, the current liquid crystal display is used, an organic E
L素子を用いた表示デバイスは下記のような優位性を有する。 Display device using the L element has the advantages as follows.

【0003】(1)自発光であるために視野角が広い。 [0003] (1) a wide viewing angle in order to be self-luminous. (2)約2〜3mmの薄さのディスプレイが容易に製作できる。 (2) thin display about 2~3mm can be easily manufactured. (3)偏光板を使用しないので、発光色が自然である。 (3) does not use polarizers, light emission color is natural.

【0004】(4)明暗のダイナミックレンジが広いため、より生々しい表示が可能である。 [0004] (4) Since the dynamic range of the brightness is large, it is possible more graphic displays. (5)広い温度範囲で動作可能である。 (5) is operable over a wide temperature range.

【0005】(6)応答速度が液晶より約3桁以上速いため容易に動画表示が可能である。 [0005] (6) response speed can easily be moving image display for more than about 3 orders of magnitude or more faster liquid crystal. しかしながら有機E However, organic E
L素子を構成する有機層や、有機層に電子を注入するために陰極として通常使用される仕事関数が小さい金属を含有する電極が水分や酸素により容易に劣化し易いこと、有機層が溶媒に溶け易いこと、また熱に弱いこと等の製造上の難題があった。 The organic layer and constituting the L element, usually the electrode work function to be used contains a small metal can easily easily deteriorated by moisture or oxygen as a cathode to inject electrons into the organic layer, the organic layer is a solvent more soluble it, also had difficulties in manufacturing, such as weak to heat.

【0006】換言すると、現在液晶で実現されているようなディスプレイと同等なクラスの有機ELディスプレイを製造しようとした場合に、素子を小型分離化するために、成熟した半導体製造技術や液晶ディスプレイ製造技術がそのままでは適用できないという難しさがあった。 [0006] In other words, when attempting to manufacture the organic EL display of the display and equivalent class as being implemented currently liquid, in order to reduce the size separating the element, mature semiconductor manufacturing technology and liquid crystal display manufacturing technology has had a difficulty that it can not be applied as it is.

【0007】そこで提案されたのが、分離させたい表示ライン電極の間に有機EL膜を構成する膜の膜厚よりも高い壁を形成し、基板平面に対し斜め方向より有機EL [0007] Therefore proposed to have a high wall than the thickness of the film constituting the organic EL layer is formed between the display line electrodes want to separate, the organic EL than the oblique direction to the substrate plane
素子の材料を真空蒸着することで、この高い壁の影になる部分には有機EL素子の材料が成膜されないことを利用する方法であった(特開平5−275172号公報、 The elements of the material by vacuum deposition, this high the shadow becomes part of the wall material of the organic EL element is a method of utilizing not be deposited (JP-A 5-275172, JP-
米国特許第5276380号明細書、特開平5−258 U.S. Patent No. 5276380, JP-A-5-258
859号公報、米国特許第5294869号明細書等参照)。 859 JP see etc. U.S. Pat. No. 5,294,869).

【0008】この方法は、蒸着源から基板へ飛散する原子、分子の方向が揃っていることが非常に重要になる。 [0008] This method, atoms scattered from the deposition source to the substrate, that the direction of the molecules are aligned is very important.
すなわち、図8に示すように、蒸着法による場合には、 That is, as shown in FIG. 8, in the case of vapor deposition,
蒸着させたい材料をセットした蒸着源101を中心に同心球上に材料が蒸発し、基板に付着する。 Material evaporates on concentric spheres centered on the deposition source 101 equipped with a material desired to be deposited, adheres to the substrate. この際に基板の位置によって材料の入射角が異なるとともに、蒸着源からの距離によって膜厚にばらつきが発生する。 With an incident angle of the material differs depending on the position of the substrate in this case, variation occurs in the thickness by the distance from the evaporation source.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで上記の如き従来の方法では、安定して表示ラインを分離することが難しく、また、基板面内で均一に膜を形成することも容易ではない。 In the [0006] Incidentally above-mentioned conventional methods, it is difficult to separate display lines stably, also it is not easy to form a uniform film in the substrate surface. 小型のディスプレイを製造することは可能ではあるものの、例えば10インチクラス以上の中型や大型の基板に対して適用するためには、基板を蒸着源から十分に距離を離さなければならなくなり、装置の大きさが実用的なものではなくなる。 Although possible to manufacture a small-sized display is possible is, for example, in order to apply per 10-inch class or more medium-sized or large-sized substrate are no longer needs good blister card substrate from the deposition source, the apparatus the size is not practical.

【0010】仮りにそうした大型成膜装置が製造できたとしても、基板に到達しない有機EL材料の量すなわち無駄になる有機EL材料が非常に多くなり、コスト高の大きな要因となる。 [0010] Even such a large film forming apparatus could be produced temporarily, amount or organic EL material is wasted in the organic EL materials that do not reach the substrate becomes very large, a significant factor in cost.

【0011】基板に均一に薄膜を蒸着するためには、一般に基板を回転させる方法や複数の蒸着源を用いる方法が考えられ、また実際に半導体デバイス製造工程や液晶ディスプレイ製造工程では取り入れられているが、このような手法を使用したとき壁を用いる方法では素子分離ができなくなる。 In order to uniformly deposit a thin film on a substrate is generally considered a method of using a method or plurality of deposition source for rotating the substrate and the actually taken in the semiconductor device manufacturing process or liquid crystal display manufacturing process but it can not be isolation in the method of using the wall when using such a technique.

【0012】更に従来の方法では、連続して保護層を等方向に成膜しない限り、必ず有機EL膜や仕事関数の小さい金属電極が露出するために、やはり水分や酸素などの影響を完全に取り除くことは困難であり、また有機E In yet conventional method, unless deposited a protective layer successively isotropically, to expose always organic EL film and work small metal electrode having a function, also the complete influence such as moisture and oxygen it is difficult to remove, also organic E
L膜の成膜後に有機溶媒や水を使用する工程を有するフォトリソグラフィー工程を行うことも無理なことが明白である。 It is also evident that unreasonable to perform a photolithography process including a step of using an organic solvent or water after the formation of the L film.

【0013】従って本発明では、有機EL材料の蒸着の仕方によらず素子分離が容易であり、また水分や酸素、 In the present invention therefore it is easy to isolation regardless of the manner of deposition of the organic EL material and moisture or oxygen,
さらに有機溶媒に対して安定な膜を真空を破らずに形成し、有機EL層や仕事関数の小さな金属を完全に覆うことが可能であるために高い信頼性を有する有機EL表示装置の製造と、有機EL表示装置の基板の大型化を可能とする製造方法の提供を目的とするものである。 Furthermore a stable film is formed without breaking the vacuum the organic solvent, the preparation of the organic EL display device having high reliability for small metal can be completely covered in the organic EL layer and the work function it is an object to provide a manufacturing method which allows enlargement of the substrate of the organic EL display device.

【0014】さらに本発明では、このような製造方法により製造された有機EL表示装置の提供を目的とするものである。 [0014] In addition the present invention, it is an object to provide such an organic EL display device manufactured by the manufacturing method.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明では、図1(A)に示す如く、まず絶縁性を有する基板1上に第1の電極2、例えばITO(酸化インジューム・スズ)を成膜後、所望の形状にパターニングする。 To achieve the above object, according to an aspect of, the present invention, as shown in FIG. 1 (A), the first electrode 2 on the substrate 1 is first having an insulating property, for example, ITO (indium oxide tin) after the deposition, patterned into a desired shape. 次に絶縁膜3、例えばポリイミドとかSiO 2 Then the insulating film 3, for example, polyimide Toka SiO 2
を成膜し、後に有機EL膜と有機EL膜に接する第2の電極が形成されて発光する部分の上にも成膜された該絶縁膜を除去する。 It was formed, the organic EL layer and is formed a second electrode in contact with the organic EL film is removed the insulating film which was also deposited on the portion that emits light after.

【0016】さらに少なくとも一層からなるスペーサー4となる膜、例えばポリイミドを成膜し、分離したい電極の間にレジストなどの感光性を有する膜5を形成して絶縁膜3上の部分をフォトリソグラフィーにより残す。 Furthermore, at least a spacer 4 composed of one layer, for example, polyimide was deposited, the formed film 5 having photosensitivity, such as resist portions on the insulating film 3 between the separated desired electrode by photolithography leave.
引き続き、露出したスペーサー膜をエッチング除去し、 Subsequently, the exposed spacer layer is removed by etching,
このエッチングの際に感光性を有する膜5の下に十分な長さのアンダーカットを発生させる。 Generating an undercut long enough under the film 5 having photosensitivity during this etch. これにより感光性を有する膜5とアンダーカットされたスペーサー4とを、図1(A)に示す如く、屋根のひさし、帽子あるいは笠形の構造、一般的に表現すればオーバーハング体に形成することが出来る。 A spacer 4 which is film 5 and the undercut having photosensitivity Thus, as shown in FIG. 1 (A), Hisashi roof, hat or structure Kasagata, forming the overhang member if general terms It can be.

【0017】この構成により、その後に行われる、図1 [0017] With this arrangement, performed thereafter, Figure 1
(B)に示す如く、発光やキャリア輸送を司る有機EL As (B), the organic EL responsible for light emission and carrier transport
膜6及び直接有機EL膜6と接触する第2の電極7を蒸着するとき、蒸着源と基板の位置関係や膜の均一性を向上させるための様々な手段によらず、常に素子の分離が可能になる。 When depositing a second electrode 7 in contact with the film 6 and directly organic EL layer 6, irrespective of the various means for improving the uniformity of the positional relationship or film of the evaporation source and the substrate, it is always separated element possible to become. このため、有機EL膜6の形成を均一性を上げることに最重点においた方法、例えば蒸着の場合は回転方法を選択することが出来る。 Therefore, methods placed in top priority to improve the uniformity in the formation of organic EL film 6, for example, in the case of the deposition can be selected rotation method.

【0018】このように有機EL膜6と、これに直接接触する第2の電極7を成膜したあとで、これら有機EL [0018] The organic EL layer 6 in this manner, after depositing the second electrode 7 in direct contact thereto, the organic EL
膜6と第2の電極7を成膜した方法つまりこれらを蒸着により成膜した場合は蒸着よりもステップカバレージがよい方法で、例えばスパッタにより、水分や酸素や有機溶媒に侵されにくい安定な金属の金属膜8を保護膜として成膜する。 The case of forming the membrane 6 method that is those which formed the second electrode 7 by vapor deposition at step coverage better way than deposition, for example by sputtering, attacked by moisture, oxygen or organic solvents hardly stable metal forming a film of the metal film 8 as a protective film. この侵されにくい膜は、例えばAlの如き安定な金属の金属膜又はSiO 2の如き絶縁性の保護膜又はAlの如き金属膜の上にSiO 2の如き第2の保護膜9を形成したもので構成することができる。 The affected not easily film, such as those forming the second protective film 9 such as SiO 2 on top of such stable metal of the metal film or SiO 2 in such insulating protective film or Al such as a metal film of Al in can be configured. 図1 Figure 1
(B)は第3番目の例を示す。 (B) shows a third example.

【0019】この保護膜は有機EL膜6と、第2の電極7の成膜に引き続き真空状態を破らずに持続しながら成膜することが望ましい。 [0019] The protective film is an organic EL layer 6, is preferably formed with sustained without continued breaking the vacuum to deposit the second electrode 7. 成膜方法としては、例えばスパッタ法、低い真空度で蒸着する方法を採用すればよい。 As the film forming method, for example sputtering, it may be employed a method of depositing a low degree of vacuum.
或いは図2に示す如く、蒸着源10の蒸着方向に対して基板10を大きく傾けて回転することにより、ステップカバレージよく成膜することができる。 Alternatively, as shown in FIG. 2, by rotating inclined large substrate 10 relative to the deposition direction of the evaporation source 10, it is possible to step coverage may be deposited.

【0020】このように成膜することにより、この安定な金属膜8よりなる保護膜あるいは安定な金属膜8とその上に成膜された第2の保護膜9を、前記アンダーカットの下に潜り込ませて、有機EL膜6や第2の電極7の端部すらも露出しない、図1(B)に示す如き構成のものが得られる。 [0020] By forming in this way, the second protective film 9 which is formed as a protective film or a stable metal film 8 made of the stable metal film 8 thereon, under the undercut submerge by the ends of the organic EL layer 6 and the second electrode 7 is not exposed even the, is obtained having a structure as shown in FIG. 1 (B). 即ち、有機EL構成膜が完全に第1の電極である透明電極2と絶縁膜3と安定な金属の金属膜8 That is, the organic EL structure film completely first transparent electrode 2 is an electrode insulating film 3 with a stable metal of the metal film 8
(更に保護層9)により包み込まれることがわかる。 It can be seen that encased by (a protective layer 9). 従って、安定な金属の金属膜8に引出し電極を形成する工程で使用されるフォトリソグラフィー工程などの水や有機溶媒を使用する工程にも耐えることができるものとなる。 Therefore, what it can withstand the step of using water or an organic solvent such as photolithography steps used in the step of forming the extraction electrode to the metal film 8 of stable metal.

【0021】これにより、安定した歩留りで、発光性が均一で、かつ信頼性が高く、製造工程の柔軟性の増したフラットパネルの有機ELディスプレイの製造及び装置の提供が可能になった。 [0021] Thus, in a stable yield, luminescent is uniform and reliable, it has become possible to provide a manufacturing and apparatus of the flat-panel organic EL display of increased flexibility of the manufacturing process.

【0022】 [0022]

【発明の実施の形態】(1)本発明の第1の実施の形態 本発明の第1の実施の形態を図3及び図4に基づき説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) A first embodiment of the first embodiment the present invention of the present invention will be described with reference to FIGS. 図3は本発明の第1の製造状態説明図(その1)、図4は同じく第1の製造状態説明図(その2)であり、画素サイズが0.4mm×0.6mmのドットで構成された5×8dotsのキャラクター表示エリアが2行×16列あるタイプのドットマトリックス・ディスプレイを製造した例を示す。 Figure 3 is composed of a first manufacturing state diagram (Part 1), a 4 likewise the first fabrication state diagram (Part 2), the dot pixel size of 0.4 mm × 0.6 mm of the present invention It has been character display area of ​​5 × 8 dots shows an example of producing a dot-matrix display type with 2 rows × 16 columns.

【0023】本発明の第1の実施の形態では、有機EL [0023] In the first embodiment of the present invention, the organic EL
ディスプレイを形成する基板としてアモルファス・シリコン(a−si)太陽電池やSTN(super tw Amorphous silicon as a substrate for forming a display (a-si) solar cells and STN (super tw
isted nematic)液晶ディスプレイ等でも使用されている安価なソーダガラスを使用し、全面にシリカ(SiO 2 )・コートした。 using isted nematic) inexpensive soda glass is also used in a liquid crystal display and the like, and the entire surface of silica (SiO 2) · coat. これは加熱時に溶出してくるナトリウムを抑えるとともに、酸やアルカリに弱いソーダガラスを保護することができ、さらにガラス表面の平坦性をよくする効果も得るためであり、例えばS This suppresses the sodium elutes upon heating, can protect weak soda glass acid and alkali, and in order to obtain the effect of further improving the flatness of the glass surface, for example, S
iO 2溶液に浸漬したり、スピン・オン・グラス(SO or immersed in iO 2 solution, spin-on-glass (SO
G)を使用することによりシリカ・コートできる。 It may silica coating by using a G).

【0024】次にこのシリカ・コートの上に第1の電極として透明導電膜であるITOをスパッタ法により約1 Next about 1 by sputtering ITO is a transparent conductive film as the first electrode on the silica-coated
500Å成膜した。 Was 500Å deposited. ITOを使用したのは透明導電膜としての特性が、他の材料よりも良好であるためであるが、ZnOやSnO 2の透明電極でも、例えば透過率や抵抗率が使用に際して問題がなければ採用可能である。 Adoption properties as the transparent conductive film was used an ITO is, but because it is better than other materials, even in the transparent electrode of ZnO and SnO 2, for example, if the transmittance and resistivity no problem in use possible it is.
またITOを大面積に形成する場合、スパッタ法が均一性の面で優れているが、特にITOの成膜方法はこれに限定されるものではない。 In the case of forming the ITO on a large area, but the sputtering method is superior in terms of uniformity, not particularly film forming method of the ITO is not limited to this.

【0025】このように、図3(A)に示す如く、基板1上にシリカ・コート(図示省略)したのち、ITO2 [0025] Thus, as shown in FIG. 3 (A), After silica coated (not shown) on the substrate 1, ITO2
をフォトリソグラフィーの手法により、レジストパターンを形成後に不要部分をエッチング除去し、レジストを剥離し、ITOを所望の電極パターンとする。 The by photolithography technique, unnecessary portions after the formation of the resist pattern is removed by etching, the resist is removed, the ITO and the desired electrode pattern. このとき図3(A)において拡大図示した如く、ITO2のパターン端部はテーパー形状であることが望ましい。 As magnifying In this case FIG. 3 (A), the it is desirable pattern end portion of the ITO2 is tapered. これはITOの段差部で、後に蒸着される有機層や第2の電極の薄膜の段切れを防止し、歩留まりと寿命を向上させるためである。 This is a step portion of the ITO, the disconnection of a thin film of an organic layer and a second electrode to be deposited later to prevent, in order to improve the yield and lifetime. この場合テーパーの角度θは45°以下であることが望ましい。 It is desirable in this case the angle θ of the taper is 45 ° or less. なお図3において右側は平面図、 Note right plan view in FIG. 3,
左側はその鎖線部分における断面図である。 Left is a cross-sectional view taken along chain line portion thereof.

【0026】低テーパー角の段差を造り込むこと自体は、ウエットエッチング、ドライエッチングのいずれの方法でも可能である。 [0026] itself to build in step a low taper angle, wet etching, it is possible in any way dry etching. たとえばウエットエッチングは等方向にエッチングが進むため、オーバーエッチング時間を多く取りすぎなければ自然に45°程度のテーパー角が得られる。 For example, wet etching since the etching isotropically proceeds, the taper angle of about naturally 45 ° is obtained not too take much over-etching time.

【0027】またドライエッチング法でも、レジストのドライエッチングによる後退を利用する方法すなわちレジストのテーパー角を転写するようにドライエッチング・ガスや高周波(RF)投入電力、ガス圧力などのエッチング条件を選べば、20°〜30°のテーパー角は容易に得ることができる。 Further, dry etching method, a dry etching gas and a high frequency so as to transfer the taper angle of the method i.e. resist utilizing backward by dry etching of the resist (RF) input power, be selected etching conditions such as gas pressure , the taper angle of 20 ° to 30 ° can be easily obtained. このときのドライエッチングガスとしては、塩化水素やヨウ化水素などのハロゲン化水素ガスや、臭素ガスあるいはメタノールなどが使われる。 As the dry etching gas in this case, and hydrogen halide gas such as hydrogen chloride and hydrogen iodide, bromine gas or methanol is used.

【0028】次に、ITO2の上に後で形成されるスペーサーをのせるための、図1(A)に示す絶縁膜3となる絶縁膜層を成膜する。 Next, deposited for placing the spacer to be formed later on the ITO2, an insulating film layer made of the insulating film 3 shown in FIG. 1 (A). ここでスペーサーをのせるために用いられる膜は絶縁膜であればよい。 Here film used to place the spacer at may be any insulating film. 例えばSi For example, Si
2 、SiNxなどの無機系の薄膜をスパッタ法や真空蒸着で成膜する方法、SOGでSiO 2を形成する方法、レジスト、ポリイミド、アクリル樹脂などを塗布する方法等が使用可能である。 O 2, a method of film formation of the thin film of the inorganic by sputtering or vacuum deposition, such as SiNx, a method of forming a SiO 2 in SOG, resist, polyimide, and a method of applying the acrylic resin can be used.

【0029】但し、この絶縁膜の下にあるITO2を露出させる必要があることから、ITO2にダメージを与えずにパターニングが可能でなければならない。 [0029] However, it is necessary to expose the ITO2 under this insulating film, it must be capable of patterning without damaging the ITO2. また膜厚も制限がないが、特に無機系の薄膜を用いる場合は、 Although there is no film thickness also limits, particularly when a thin film of inorganic,
製造コストを安くするために薄い方が望ましい。 If thin in order to cheaper manufacturing costs is desirable.

【0030】この絶縁膜のITO上に形成されるパターン端部もテーパー形状になっていることが望ましい。 [0030] It is desirable that the pattern edge formed on the ITO of the insulating film also has a tapered shape. 約60°以下のテーパー角であればよいが、望ましくは4 It may be a taper angle of about 60 ° or less, but preferably 4
5°以下がよい。 It is 5 ° or less. 例えばSiO 2を絶縁膜として形成した場合には、ウエットエッチングではやはりエッチング時のオーバーエッチング時間を長く取りすぎなければ4 For example in the case of forming the SiO 2 as the insulating film, not too take again the overetching time for the etching long wet etching 4
5°のテーパー角は得られる。 Taper angle of 5 ° is obtained. より小さなテーパー角にするためには、これも前記ITO2の場合と同様に、ドライエッチング法が適している。 To a smaller taper angle is also similar to the case of the ITO2, dry etching is suitable. ドライエッチングガスはCF 4 +O 2等のフッ化炭素系のガスが一般に使用される。 Dry etching gas is a gas of fluorocarbon such as CF 4 + O 2 is generally used.

【0031】図3(B)では絶縁膜3としてポリイミドを用いた例を示す。 [0031] An example of using a polyimide as the FIG 3 (B) in the insulating film 3. ポリイミドは非感光性の材料を選び、5%程度の濃度にN−methyl pyrrol Polyimide select non-photosensitive material, N-methyl pyrrol to a concentration of about 5%
idone(NMP)やγ−ブチロラクトンで希釈したものをスピンコート法で塗布し、145℃で1時間プリベークした。 Those diluted with IDONE (NMP) and γ- butyrolactone was applied by spin coating, and 1 hour prebaked at 145 ° C.. その後にポジレジストを塗布し、パターニングして、図3(B)に示すものを得た。 Then a positive photoresist is coated on, and then patterned to obtain the one shown in Figure 3 (B).

【0032】ポリイミドはレジストの現像液であるte The polyimide is the developer of the resist te
tra methyl ammonium hydri tra methyl ammonium hydri
de(TMAH)の約2.38%水溶液で、露光されたレジスト部分に引き続き除去された。 About 2.38% aqueous solution of de (TMAH), subsequently was removed exposed resist portion. エタノールでレジストのみを除去し、所望の絶縁膜層が形成される。 Resist only removed with ethanol, the desired insulating film layer is formed. なお前記説明は非感光性のポリイミドを使用した場合であるが、感光性のポリイミドを使用することもできる。 Note the explanation is a case of using a non-photosensitive polyimide may be used a photosensitive polyimide. この場合にはレジストが不必要になる。 Resist is unnecessary in this case.

【0033】このようにして得られたポリイミドの絶縁膜3は、後に使用される薬液に侵されないように約35 The insulating film 3 of polyimide obtained in this manner is about as not attacked in the chemical to be used after 35
0℃で完全に硬化(キュア)させておく。 0 keep completely cured (curing) at ℃. このときに絶縁膜3が収縮するため、段差はテーパー形状になった。 Since the insulating film 3 is contracted in this case, the step has a tapered shape.

【0034】ITOの段差形状を先に述べたように制御しにくい場合は、この工程で形成される絶縁膜がITO [0034] When the ITO of the step shape is difficult to control as described above, an insulating film formed in this step is ITO
の段差部分も同時に被覆するようにフォト・マスクを設計しておいてもよい。 Stepped portion may also be allowed to design a photo mask so as to cover at the same time.

【0035】次に引き続き、図1(A)に示すスペーサー4となるスペーサー膜の成膜を行った。 [0035] Then subsequently, film formation was carried out of the spacer film comprising a spacer 4 shown in FIG. 1 (A). スペーサー膜はその目的から導体でも絶縁体でもよく、また単一層構成でも多層構成でもよい。 The spacer layer may be an insulator in the conductor from its purpose, or may be a multilayer structure be a single layer structure. しかしながら導体をスペーサー膜に使う場合は、後から成膜される金属がこのスペーサーを介して隣のラインとの電流ショート或いは電流リークを生ずる可能性があるので、これを防止するため、 However, since the case of using a conductive spacer layer, the metal to be deposited later is likely to produce a current short or current leakage and a line of adjacent through this spacer, to prevent this,
アンダーカット量を十分に大きく取る必要がある。 It is necessary to take a sufficiently large amount of undercut.

【0036】さらにスペーサー膜のエッチング液がスペーサー膜に接しているITOを侵さない材料を選ぶことが必要である。 [0036] is further necessary to select a material etchant of the spacer film is not compromised the ITO in contact with the spacer film. またこのスペーサー膜は、図1(A)に示したスペーサー4を形成するためのものであるから、 Also this spacer film, since it is intended to form spacers 4 shown in FIG. 1 (A),
スペーサー4を形成した後に成膜する、図1(B)に示す有機EL膜6、第2の電極7、安定な金属の金属膜8、保護膜9などの薄膜を合計した膜厚より厚くする必要がある。 Deposited after forming the spacer 4, the organic EL layer 6 shown in FIG. 1 (B), the second electrode 7, thicker than stable metal of the metal film 8, the sum of the thin film such as protective film 9 thickness There is a need. このことから容易に厚く成膜できる材料の方が望ましい。 Who easily formed thicker can material from this it is desirable.

【0037】こうした材料の例としてはSOGや樹脂膜などが挙げられる。 [0037] Examples of such materials and the like SOG or resin film. 金属ではITOのエッチング・バリア膜としてCr、Ti、TiNなどを用い、Alなどの成膜速度の速い材料を積層構造にすることがよい。 Cr, Ti, TiN or the like as an etching barrier film made of ITO is a metal, it is possible to fast material deposition rate, such as Al in the laminated structure. 勿論このエッチング・バリアは金属に限る必要はない。 Of course, this etching barrier is not necessarily limited to metal.

【0038】図3(C)により、ポリイミドをスペーサー膜4′として選択した場合の工程について示す。 [0038] The FIG. 3 (C), the illustrated processes for the case where the polyimide was selected as a spacer film 4 '. まずポリイミドの濃度を15%に調整したものを膜厚2μm First film thickness 2μm those adjusting the concentration of the polyimide in 15%
となるようにスピン・コートし、145℃で1時間プリベークし、スペーサー膜4′を形成した。 Was spin-coated so that, for 1 hour prebaked at 145 ° C., to form a spacer film 4 '. このスペーサー膜4′の膜厚は、ポリイミドの濃度及びスピンコーターの回転数で制御できる。 The thickness of the spacer film 4 'can be controlled by the rotational speed of the polyimide concentration and spin coater.

【0039】このようにしてスペーサー膜4′を形成したあと引続き、ポジレジストを塗布する。 [0039] Subsequently after the formation of the spacer layer 4 'in this way, applying a positive resist. このときレジストの膜厚が1μm以上、望ましくは2μm以上になるようにレジストの粘度が高いものを選ぶか、スピン・コートの回転数を低くしたりする。 In this case the thickness of the resist is 1μm or more, preferably either choose what the high viscosity of the resist to be equal to or greater than the 2 [mu] m, or lower the rotation speed of the spin coating.

【0040】ポジレジストは比較的脆いためにこのようにレジスト膜厚を厚くする方法を採ったが、より堅い膜をレジストの下に成膜してレジストの支えにすればこの限りではない。 [0040] Although the positive resist was adopted a method of thickening a resist film thickness in this way for a relatively brittle, it does not apply if the support of the resist by forming a more rigid film under the resist. この支えを形成することで、後の工程で水分を除くための熱処理が可能になるというメリットがある。 By forming the support, there is a merit that it is possible to heat treatment to remove moisture in a later step. 逆に支えを形成しない場合に熱処理を施すとレジストが変形し易くアンダーカットがつぶれてしまう。 Conversely subjected to a heat treatment in case of not forming the support when the resist is deformed easily undercut collapses.

【0041】このようにポジレジストを塗布し、所望のフォト・パターンを形成するため露光し、現像して、図3(D)に示す如き笠状(一般的にはオーバーハング体)の感光性樹脂5を形成する。 [0041] Thus a positive resist is applied, exposed to form the desired photo-pattern and developed photosensitive FIG 3 (D) to show such umbrella-shaped (typically overhang member) forming a resin 5. ポジレジストの現像時に露出してくるポリイミドのスペーサー膜4′もやはり現像液でポジレジストに引き続き除去され、図3(E) Positive resist spacer film of polyimide coming exposed during the development of the 4 'also continue to be removed in a positive resist still in a developing solution, FIG 3 (E)
に示す如きスペーサー4が形成される。 Spacer 4 is formed as shown in.

【0042】この現像時間はポジレジストで構成された笠状の感光性樹脂5の下のポリイミドのスペーサー膜4′のアンダーカット量で決定される。 [0042] The developing time is determined by the undercut amount of the spacer film 4 'of the polyimide under the umbrella-shaped photosensitive resin 5, which is composed of positive resist. このアンダーカット量はポリイミドのプリベーク温度と時間にも大きく影響され、特に温度は基板全面に対して均一になるように制御する必要がある。 The undercut amount is also greatly affected by the pre-bake temperature and time of the polyimide, especially temperature must be controlled to be uniform for the entire substrate surface. この実施例ではアンダーカットが約4μmになるように現像時間を決めた。 Decided development time so undercut is about 4μm in this embodiment. このようにして図3(E)に示す構造のものが得られる。 It is obtained a structure shown in FIG. 3 (E) in this manner.

【0043】それから有機ELの正孔注入層及び正孔輸送層として、下記の化学構造式に示すN、N′−ビス(m−メチルフェニル)−N、N′−ジフェニル−1、 [0043] Then as a hole injection layer and a hole transport layer of the organic EL, N shown in the following chemical structural formulas, N'- bis (m-methylphenyl) -N, N'- diphenyl-1,
1′−ビフェニル−4、4′−ジアミン(N、N′−b 1'-biphenyl-4,4'-diamine (N, N'-b
is(m−methyl phenyl)−N、N′− is (m-methyl phenyl) -N, N'-
diphenyl−1、1′−biphenyl−4、 diphenyl-1,1'-biphenyl-4,
4′−diamine(以下TPDという) 4'-diamine (hereinafter referred to as TPD)

【0044】 [0044]

【化1】 [Formula 1]

【0045】を、発光層兼電子輸送層として、下記の化学構造式に示すトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(tris(8−hydroxyquinol [0045] The, as the light-emitting layer and an electron transporting layer, tris (8-hydroxyquinoline) shown in the following chemical structural formulas aluminum (tris (8-hydroxyquinol
ine)aluminium(以下Alq3という) ine) aluminium (hereinafter referred to as Alq3)

【0046】 [0046]

【化2】 ## STR2 ##

【0047】を、第2の電極としてMg/Ag合金(重量比10:1)をそれぞれ真空を破らずに連続して蒸着し、図4(A)に示す如き状態のものを形成した。 [0047] The, Mg / Ag alloy as the second electrode (weight ratio 10: 1) was deposited continuously without each breaking the vacuum, to form what state as shown in FIG. 4 (A). このとき、有機EL膜6を構成する前記TPDの膜厚は50 In this case, the thickness of the TPD constituting the organic EL layer 6 50
0Å、Alq3の膜厚は500Åであり、第2の電極7 0 Å, the thickness of the Alq3 is 500 Å, the second electrode 7
を構成するMg/Ag合金の膜厚は2000Åにした。 The film thickness of the Mg / Ag alloy constituting the was to 2000 Å.

【0048】本発明においては勿論これに限定されるものではなく、正孔注入層、発光層、第2の電極に他の材料を用いてもよく、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層などをさらに形成して多層構造にしてもよい。 [0048] The present invention not invention is not limited thereto in the hole injection layer, light emitting layer, it may be used other materials for the second electrode, a hole injection layer, electron transporting layer, an electron injection it may have a multi-layered structure further form a like layer. 以上の有機層の成膜から第2の電極の成膜までは、発光領域(表示画面部分)のみにこれらの膜が成膜されるように、蒸着装置の基板ホルダーに設置されているメタルマスクを介して蒸着を行った。 Above from film of the organic layer to deposition of the second electrode, so that these films are deposited only on the light emitting region (display screen portion), a metal mask is placed on a substrate holder of the vapor deposition apparatus It was deposited through.

【0049】このようにして有機EL膜6及び第2の電極7を形成したあと、引き続いてスパッタ法で成膜が可能な真空チャンバーにやはり真空を破らずに基板を搬送し、スパッタ法で安定な金属であるAlを成膜して、安定な金属の金属膜8を成膜した。 [0049] In this way, after forming the organic EL layer 6 and the second electrode 7, the substrate is transferred again without breaking the vacuum in the vacuum chamber capable of film formation by sputtering Subsequently, stabilized by sputtering a film of Al is a metal, and a metal film 8 of stable metal. このとき重要な点は有機EL層を構成する有機EL膜6の成膜方法よりステップカバレッジがよい方法を選択することである。 In this case important point is to choose a method step coverage better than the film formation method of the organic EL layer 6 constituting the organic EL layer. このようにすることにより、図1(B)及び図4(B)に示す如く、アンダーカット部分にもAl原子が潜り込み、水分や酸素に弱い有機EL膜6が外気に対して完全に包み込まれることになる。 By doing so, as shown in FIG. 1 (B) and FIG. 4 (B), the penetration of Al atoms in the undercut portion, a weak organic EL layer 6 to the moisture and oxygen are encased completely with respect to the outside air It will be.

【0050】これにより、水分や酸素のみならず、エッチングのときに使用される有機溶剤も有機EL膜6から遮蔽することができるという注目すべきメリットが得られる。 [0050] Thus, not only water and oxygen only, the organic solvent used at the time of etching merit noteworthy that can be shielded from the organic EL layer 6 is obtained. 従来の構造では、パターン端部などに露出していた有機EL膜よりしみ込んだ有機溶剤が有機EL膜全体を剥離させてしまうために、有機EL膜を成膜した後でこれを有機溶剤に触れさせることはタブーであり、製造時に使用可能なプロセスが限定されていたが、このような本発明の手法により適用可能な製造プロセスが多様化することができる。 In the conventional structure, since the organic solvent soaked from the organic EL layer which has been exposed to such pattern end portion will thereby peeling the entire organic EL layer, touching it in an organic solvent after forming an organic EL film it is thereby it is taboo, but usable process was limited at the time of manufacture, such applicable manufacturing process by the method of the present invention can be diversified.

【0051】本発明では、さらに耐水性、耐有機溶媒性を向上させるために、図4(B)に示す如く、Alにより構成された安定な金属の金属膜8の成膜に引き続き、 [0051] In the present invention, further water resistance, in order to improve the resistance to organic solvents, as shown in FIG. 4 (B), subsequently to the formation of, stable metal of the metal film 8 composed of Al,
SiO 2の如き保護膜9を連続して成膜した方がよいことがわかった。 Who formed continuously such protective film 9 of SiO 2 was found to be good.

【0052】この実施例では安定な金属である前記Al [0052] In this embodiment a stable metal the Al
は、スパッタ圧力8×10 -3 torrで成膜を行った。 It was performed deposited by sputtering pressure 8 × 10 -3 torr.
スパッタ圧力は可能な限り高い方が望ましい。 Sputtering pressure unless higher is desirable as possible. これはスパッタ圧力の高い方がAlターゲットより飛散してくるAl原子がスパッタガスであるアルゴンと衝突して散乱され易くなり、この結果アンダーカット部の下にAlが潜り込み易くなり、有機EL膜を充分にカバーするためである。 This easily Al atoms higher sputtering pressure is splashed from the Al target is scattered by collision with argon sputter gas, Al is likely slip below this result undercut portion, an organic EL layer in order to sufficiently cover.

【0053】換言すれば、Al原子の平均自由行程が、 [0053] In other words, the mean free path of Al atom,
ターゲットと基板間の距離よりも短い必要がある。 It needs shorter than the distance between the target and the substrate. 一方、スパッタ圧力を高くすればターゲットに印加される電圧の低下とAl原子の散乱のために成膜速度が落ちてくる。 On the other hand, the deposition rate is falling because of scattering decrease and Al atoms of the voltage applied to the target if a high sputtering pressure. 従ってスパッタ圧力は生産性とステップカバレッジとのかね合いで決められる。 Thus sputtering pressure is determined by the trade-off between productivity and step coverage.

【0054】Alにより構成された安定な金属の金属膜8の成膜方法として前記説明ではスパッタ法を採用したが、本発明はこれに限定されることなく、蒸着時に不活性ガスを導入して真空度を下げる方法、プラズマCVD [0054] Having adopted a sputtering method in the description as a deposition method of the metal film 8 of a stable metal which is composed of Al, the present invention is not limited thereto, by introducing an inert gas at the time of evaporation method of reducing the degree of vacuum, plasma CVD
法、光CVD法等他のステップカバレッジがよい方法でも同様の効果が得られる。 Law, the same effect can be obtained by the optical CVD method or the like other step coverage better way. SiO 2の保護膜9についても同様である。 The same applies to the protective film 9 of SiO 2.

【0055】ところで第2の電極7と接触している安定な金属であるAlの金属膜8に制御用のICと接続するため、図示省略した取り出し用Al電極パッドを形成したとき、この取り出し用Al電極パッドの存在のため表示面に欠所が生じないようにこの取り出しAl電極パッドの位置を表示素子の側部に位置させるとともに、この取り出しAl電極パッド下に有機EL素子構成膜が成膜されないように、また同じく電極パッド上にSiO 2が成膜されないように、有機EL素子構成膜及びSiO 2 By the way for connecting the IC for controlling the Al metal film 8 is a stable metal which is in contact with the second electrode 7, when forming the Al electrode pad for taking out (not shown in the figure), for the extraction Al together Ketsusho the display surface due to the presence of the electrode pad is positioned on the side of the display device the position of the take-out Al electrode pad so as not to cause the organic EL device structure layer under the extraction Al electrode pads deposited It is not to be, and as SiO 2 is not deposited on the same electrode pad, the organic EL device structure film and SiO 2
の保護膜の成膜時にはメタルマスクを用いて電極パッド部分を遮蔽している。 At the formation of the protective film shields the electrode pad portion using a metal mask. これはそれぞれAlと基板との密着性を良好にするためと、取り出し電極パッド上に絶縁膜が成膜されることを防ぐための2つを目的としている。 This is a order to improve the adhesion between the Al and the substrate, respectively, are intended to two to prevent the insulating film on the take-out electrode pad is formed. SiO SiO 2については、被覆性の非常に良い成膜方法であるプラズマCVD法や光CVD法を用いた場合には、メタルマスクを用いてもパッド部分に成膜されてしまうことがある。 For 2, in the case of using a plasma CVD method or a photo CVD method, which is a very good method of forming a coating property, sometimes it is deposited on the pad portion even by using a metal mask. そうした場合にはフォトリソグラフィーでAl取り出し電極パッド部分に接続孔を開孔すれば良い。 It may be opening a connection hole to the electrode pad portion extraction Al by photolithography in such cases.

【0056】ところでSiO 2などの絶縁膜が、最後に保護膜9として成膜されているときは、仮に感光性樹脂5よりなるレジストを機械的な圧力でつぶしてもそれぞれのラインが絶縁膜である保護膜9により覆われているために、絶縁膜が形成されていない取り出しAl電極パッド付近のレジストのみを溶媒で拭き取れば、表示領域近傍のレジスト上に残った有機EL素子構成膜を特に除去しなくともそれらを介した回路ショートなどの不良は発生しない。 [0056] Incidentally insulating film such as SiO 2 is the last time that is deposited as a protective film 9, if a resist made of a photosensitive resin 5 be crushed by mechanical pressure in each line insulating film because they are covered with some protective film 9, if wiped off only resist extraction Al near the electrode pad insulating film is not formed in a solvent, in particular removing the organic EL device structure film remaining on the resist of the display area near It does not occur defects such as short-circuit through them without having to. この場合には、基板全面に残ったこの笠状のレジストを剥離する工程が省略可能になり、製造コスト的により有利になる。 In this case, the step of peeling the umbrella-shaped resist remaining on the entire surface of the substrate becomes optional, it is advantageous in the manufacturing cost.

【0057】膜面を物理的な接触や汚染などから保護する目的及びより高い信頼性を得るためにガラス基板などを有機EL膜面側に貼り付ける方が望ましいが、その際に接着剤の溶剤がレジストである笠状の感光性樹脂を溶解してしまう場合があり、絶縁膜である保護膜が最後に形成されていないと隣接する素子間でショートが発生する。 [0057] While Write paste such as a glass substrate in order to obtain the desired and higher reliability to protect the film surface from such physical contact or contamination in the organic EL film surface is desired, the solvent of the adhesive during its There may thus dissolving the bevel-like photosensitive resin is a resist protective film is an insulating film is short may occur between adjacent elements has not been finally formed. 従って保護用のガラス基板などを有機EL膜面側に貼り付ける場合には予め笠状の感光性樹脂5上に残った有機EL素子構成膜やAlを除去した方がよい。 Therefore it is better to remove the organic EL device structure film and Al remaining on previously umbrella-like photosensitive resin 5 in the case of paste such as a glass substrate for protecting the organic EL layer side. これらの膜はレジストである感光性樹脂或いはスペーサー膜4 These films are resist photosensitive resin or spacer film 4
を溶解する薬液に浸すことで容易に除去することができる。 It can be easily removed by immersion in a chemical solution that dissolves the.

【0058】即ちエタノールやイソプロピルアルコール等のアルコール類や、酢酸ブチル、酢酸エチルなどのエステル類、或いはアセトン、キシレン等の適当な有機溶媒を用いれば感光性樹脂のみを除去して、図4(C)の状態に形成することが可能である。 [0058] and namely alcohols such as ethanol or isopropyl alcohol, butyl acetate, esters such as ethyl acetate, or acetone, only the photosensitive resin by using the appropriate organic solvent such as xylene is removed, FIG. 4 (C it is possible to form the state of).

【0059】またNMPやγ−ブチロラクトン、あるいは市販の富士ハント株式会社製の商品番号MS−200 [0059] The NMP and γ- butyrolactone Item Number MS-200 or commercially available Fuji Hunt Co., Ltd.,
1のようなレジスト剥離液を用いればスペーサー膜と感光性樹脂の両方を除去することができる。 Using the resist stripper such as one capable of removing both the spacer layer and the photosensitive resin. この際に感光性樹脂上に成膜された薄膜はリフトオフされることになる。 The thin film formed on the photosensitive resin upon will be lifted off. スペーサー4毎除去する方が感光性樹脂5上の薄膜はリフトオフされ易く、製造工程的に容易であるといえる。 Liable person to remove each spacer 4 is thin film on the photosensitive resin 5 is lifted off, it can be said that is a manufacturing process with ease.

【0060】一方で、図4(C)に示す如く、スペーサー4を残しておいた方がこれが支柱になり、膜面側に保護用の基板(図示省略)を貼り付けた場合、この基板と有機EL素子とがスペーサー4の存在により接触しないため基板の有機EL素子への物理的な影響を緩和することができるため、有機EL素子の長寿命化に有利である。 [0060] On the other hand, as shown in FIG. 4 (C), which is better to keep leaving the spacers 4 is the post, if the pasted substrates for protection to the film surface side (not shown), and the substrate since the organic EL element can be relaxed physical effects to the organic EL device substrate for no contact by the presence of the spacer 4, which is advantageous to the long life of the organic EL element.

【0061】このように、製造する有機EL表示装置の使用目的、つまり製造コストが重要なのか、寿命が重要なのかにより製造工程と有機EL素子構造を選択すればよい。 [0061] Thus, the intended use of the organic EL display device to be manufactured, i.e. whether manufacturing cost is important, may be selected manufacturing process and the organic EL element structure depending on whether the life is important.

【0062】本発明の実施例では、感光性樹脂のみを除去して図4(C)に示す如く、スペーサー4を残した。 [0062] In embodiments of the present invention, as shown in FIG. 4 (C) only by removing the photosensitive resin, leaving the spacers 4.
そして耐水性をさらに向上させるためフッ化炭素重合膜をプラズマCVD(chemical vapor d The plasma CVD fluorocarbon polymer film to further improve the water resistance (Chemical Vapor d
eposition)で、保護膜9の上にさらに形成した。 In eposition), and further formed on the protective film 9. なおこのフッ化炭素重合膜は図4では図示省略されている。 Note The fluorocarbon polymer film is not shown in FIG.

【0063】ガスはCF 4とCHF 3を使用し、100 [0063] Gas is using the CF 4 and CHF 3, 100
mtorrのガス圧で分解させ、基板上の保護膜9の上に成膜した。 Is decomposed with gas pressure mtorr, was deposited on the protective film 9 on the substrate. プラズマCVDはスパッタ法よりさらに被覆性が良好なためにスペーサー4上の感光性樹脂5は先に除去しておかないとリフトオフが困難になる。 Plasma CVD is more coverage than sputtering when the photosensitive resin 5 on the spacer 4 Failure to remove earlier lift-off becomes difficult because good. フォトリソグラフィーによりAl電極パッドの上に形成されたフッ化炭素重合膜を酵素プラズマで除去し、更にレジストを剥離して所望の有機EL表示装置が製造できた。 The fluorocarbon polymer film formed on the Al electrode pad is removed by the enzyme plasma by photolithography, was produced desired organic EL display device is peeled off the resist.

【0064】このようにして製造された有機ELディスプレイパネルは耐水性や耐有機溶媒性に優れているのみならず、ラインが一本一本独立して安定な薄膜で完全に覆われているため、真空保持動作や乾燥窒素中動作をさせている有機EL素子と同等の信頼性を持つことが確認された。 [0064] Since this way an organic EL display panel is manufactured not only has excellent water resistance and organic solvent resistance, are completely covered with a thin film of stable lines one by one independently , it was confirmed that the same reliability and the organic EL element which is a vacuum holding operation or dry nitrogen operation.

【0065】(2) 本発明の第2の実施の形態 本発明の第2の実施の形態を図5〜図7に基づき説明する。 [0065] (2) A second embodiment of the second embodiment of the present invention of the present invention will be described with reference to FIGS. 5-7. 図5は本発明の第2の製造状態説明図(その1)、 Figure 5 is a second production state diagram of the present invention (Part 1),
図6は同じく第2の製造状態説明図(その2)、図7は同じく第2の製造状態説明図(その3)であり、1画素のサイズが330μm×110μmで、画素数が320 Figure 6 also the second production state illustrations (Part 2), a 7 likewise second production state diagram (Part 3), the size of one pixel is in the 330 [mu] m × 110 [mu] m, the number of pixels is 320
×240×RGBドットの、カラーフィルターを設けた、単純マトリクス型ディスプレイを製造した例を示す。 × of 240 × RGB dots, provided a color filter, an example of producing a simple matrix display. この第2の実施の形態における、前記第1の実施の形態との相違点は、より高精細になることと、カラーフィルターの形成を予め行うことである。 In this second embodiment, differences from the first embodiment, and to become higher definition, is to perform pre-forming of the color filter.

【0066】また高精細化に伴い、ITO等の透明導電膜の電気抵抗が問題となるため、ITO等の透明導電膜と比較して抵抗率が約1/100と低いAlを使用して一部分をこの透明導電膜と積層にすることで抵抗値を下げた。 [0066] With increasing resolution, since the electric resistance of the transparent conductive film of ITO or the like is a problem, a transparent conductive film as compared with the resistivity such as ITO by using a low of about 1/100 Al portion the lower the resistance value by the laminated with the transparent conductive film. 但しAlと透明導電膜を直接接触させるとコンタクト抵抗が大きいため、その間にTiNあるいはCrなどを挟む方が良い場合がある。 However, when brought into contact with Al and the transparent conductive film directly because the contact resistance is large, it may be better to sandwich the like TiN or Cr therebetween. 以下本発明の第2の実施の形態について説明する。 It will be described a second embodiment of the present invention follows.

【0067】先ず、ガラス板の如き透明基板(図示省略)にAlを約1.5μmの膜厚にスパッタし、これと連続してTiNを約300Åの膜厚にスパッタしてAl [0067] First, by sputtering to a film thickness of such a transparent substrate (not shown) to about 1.5μm to Al of the glass plate, which as was sputtered to a film thickness of continuously about 300Å to TiN Al
とTiNの積層膜を成膜した。 And thereby forming a laminated film of TiN. AlとTiNを真空を破らずに連続して成膜することにより、Al層の表面に自然酸化膜が形成されるのを防止し、AlとTiNとの接触が良好になる。 By continuously formed of Al and TiN without breaking the vacuum, to prevent the natural oxide film on the surface of the Al layer is formed, the contact between Al and TiN becomes good. Al層は他の元素を含むAl合金を用いてもよく、むしろ後の熱工程でAlが結晶成長して生ずる凹凸部分であるヒロックが発生するのを防止するためにSc等を含むAl合金の方がより望ましい場合が多い。 Al layer of Al alloy containing Sc or the like in order to prevent the hillock occurs at best, an uneven portion Al in thermal process occurs by crystal growth after rather using an Al alloy containing other elements it is often more desirable.

【0068】このようにAlとTiNの積層膜をフォトリソグラフィーによりパターニングして、図5(A)に示す如く、Al層11及びこのAl層11上に形成されたTiN層12を得る。 [0068] Thus by patterning a lamination film of Al and TiN by photolithography, as shown in FIG. 5 (A), to obtain an Al layer 11 and the TiN layer 12 formed on the Al layer 11. エッチングはドライエッチングでTiNとAlを同時にエッチングする方がスループットと加工形状がよい。 Etching good machining shape and throughput better to simultaneously etch the TiN and Al dry etching.

【0069】ドライエッチングはRIE(Reacti [0069] dry etching is RIE (Reacti
ve Ion Etching)法を用い、2000W Using ve Ion Etching) method, 2000 W
の投入電力で100mTorrのガス圧で行った。 It was performed at gas pressure 100mTorr in the input power. エッチングガスはCl 2とBCl 3を用いた。 Etching gas using Cl 2 and BCl 3. エッチングに引き続き真空を破らずにアッシング処理を行い、アフターコロージョンと呼ばれるドライエッチング後のAlの腐食を防いだ。 Ashing process continues without breaking the vacuum in the etching, prevented the corrosion of Al after dry etching called after-corrosion. ここではドライエッチング法によるエッチング例を示したが、加工形状が悪くとも深刻な問題にはならないため、ウエットエッチングでエッチングを行ってもよい。 It showed etching examples by dry etching here, since the processing shape is not also a serious problem worse, may be etched by wet etching.

【0070】次にカラーフィルターを形成するため、液晶ディスプレイのカラー化手法として最も一般的な顔料分散型のカラーフィルターの塗布工程を施した。 [0070] Then for forming a color filter was subjected to the most common pigment-dispersed in the color filter coating step as the colorization method of a liquid crystal display. R、 R,
G、B各色とも1.0〜1.5μmのフィルター膜厚になるように塗布条件を決め、またTiN層12の表面を露出せるように図5(B)に示す如く、赤色カラーフィルター13、緑色カラーフィルター14、青色カラーフィルター15をパターニングした。 G, both B color determining coating conditions such that the filter thickness of 1.0 to 1.5 [mu] m, also as shown in FIG. 5 (B) so as to expose the surface of the TiN layer 12, a red color filter 13, green color filter 14, to pattern the blue color filter 15.

【0071】カラーフィルターの塗布工程は赤(R)を例にとると次のように行った。 [0071] The color filter of the coating process was carried out as follows: Take as an example the red (R). 赤色用カラーフィルター材を1000rpmで約5秒スピンコートし、100℃ The red color filter material is about 5 seconds spin coating at 1000rpm, 100 ℃
で3分プリベークした。 In for 3 minutes pre-baked. 露光機でフォトマスクを位置合わせし、20mWの紫外光を30秒照射後に約0.1% Aligning a photomask with an exposure apparatus, about the ultraviolet light 20mW after irradiation 30 seconds 0.1%
濃度のTMAH水溶液で現像した。 And it developed with TMAH aqueous solution having a concentration. 現像時間は約1分であった。 The development time was about 1 minute. この後塗布する別の色のカラーフィルター液に溶解しないように220℃で1時間キュアし、赤色カラーフィルター13を完成した。 1 hour curing at 220 ° C. so as not to dissolve the color filter liquid of another color to be applied later, to complete the red color filter 13. 他の色、即ち緑色カラーフィルター14、青色カラーフィルター15は、材料(顔料)が異なるために、上記の赤色カラーフィルター13の形成条件と詳細は異なるもののほぼ同様の工程を順次行えばよい。 Other colors, i.e., green color filter 14, blue color filter 15, in order to the material (pigment) are different, the details and formation conditions of the red color filter 13 may be sequentially performed substantially similar process although different. このようにして図5(B)に示す如く、赤カラーフィルター13、緑色カラーフィルター1 As shown in FIG. 5 (B) In this way, the red color filter 13, green color filter 1
4、青色カラーフィルター15が形成される。 4, blue color filter 15 is formed.

【0072】ここでは製造が比較的容易であるため、カラーフィルターのみを用いた例について説明したが、蛍光変換フィルターを用いて緑、赤は色変換を行うことで出力させて、より高輝度発光にしてもよい。 [0072] Here, since production is relatively easy, an example has been described using only the color filter, green with a fluorescent conversion filter, red by output by performing color conversion, higher luminance emission it may be. またカラーフィルターと蛍光変換フィルターとを積層し、輝度低下の防止と色純度の向上を両立させることも可能である。 Also by laminating the color filter and the fluorescence conversion filter, it is possible to simultaneously improve the prevention and color purity of the brightness reduction.

【0073】前述の如く、赤色カラーフィルター13、 [0073] As previously described, the red color filter 13,
緑色カラーフィルター14、青色カラーフィルター15 Green color filter 14, blue color filter 15
を形成後、これらの上にITOを成膜する面の平坦性を向上させるため、例えばポリイミドやアクリル樹脂のオーバーコート材を塗布し、TiN層12の表面を露出させるためのパターニングを行い、同様に約220℃で1 After the formation, to improve the flatness of the surface of the ITO film is formed on these, for example, an overcoat material polyimide or acrylic resin is applied and patterned to expose the surface of the TiN layer 12, similarly at about 220 ℃ to 1
時間キュアして、図5(C)に示す如く、オーバーコート層16を得た。 And time curing, as shown in FIG. 5 (C), to obtain an overcoat layer 16.

【0074】それから透明導電膜としてITOをスパッタ法で約1400Å成膜し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後に希塩酸でエッチングし、 [0074] about 1400Å formed by then sputtering the ITO as a transparent conductive film, is etched with diluted hydrochloric acid after forming a resist pattern by photolithography,
レジストを剥離して、図5(D)に示す如く、ITO1 The resist is peeled off, as shown in FIG. 5 (D), ITO1
7を得た。 7 was obtained. このようにして透明導電膜と低抵抗化のために形成したAl配線が接続されたパターンが形成されカラムライン(column line)となる。 Thus a transparent conductive film and a low pattern Al wiring is connected which is formed for the resistance is formed a column line (column line) with.

【0075】このパターニングしたITO17の上に絶縁膜としてスパッタ法によりSiO [0075] SiO by sputtering as an insulating film on the ITO17 that the patterning 2を成膜し、さらに発光がガラス基板(図示省略)側から見える部分以外にSiO 2が残るようにパターニングして、図5(E)に示す如き、SiO 2絶縁膜18を形成した。 2 was formed, further emission is patterned so as SiO 2 remains non visible part of a glass substrate (not shown) side, as shown in FIG. 5 (E), to form an SiO 2 insulating film 18. これによりAl層11上に形成され、接続されているITO17をこのSiO 2絶縁膜18で覆うことにより、ガラス基板面から見えない部分での無駄な発光を避けるためである。 Thus formed on the Al layer 11 by covering the ITO17 connected with the SiO 2 insulating film 18, in order to avoid unnecessary light emission in the invisible part of the glass substrate surface. またこの部分は孔ないし溝にならざるを得ないための傾斜した部分に蒸着された発光層等の有機EL膜が薄くなり、電流リーク経路になり易いことからも、やはり何等かの絶縁膜を形成することが望ましい。 Also this part of the organic EL layer of the light-emitting layer or the like which is deposited on the inclined portion for inevitably the holes or grooves becomes thin, from the fact liable to current leakage path, the still some kind of insulating film formation it is desirable to.

【0076】ここでは絶縁膜としてSiO 2を用いたが、求められるのは絶縁性であるから、SiO 2やSi [0076] While using SiO 2 as the insulating film in this case, since the sought is insulating, SiO 2 or Si
Nx等の無機系の絶縁膜に限らずに例えばポリイミドやアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂でもよい。 Inorganic insulating film without being limited to, for example, polyimide or acrylic resin such as Nx, may be a resin such as epoxy resin. この絶縁膜をパターニングする際に、同時にスペーサーが形成される部分にもこの絶縁膜が残るようなマスクパターンにすることで、スペーサー膜の下に絶縁膜を設ける工程を省略することが可能である。 In patterning the insulating film, even in a portion spacer is simultaneously formed by the mask pattern as the insulating film remains, it is possible to omit the step of providing an insulating film under the spacer film . 図6は前記カラーフィルター部分の平面図を示し、右端のブロック及び下方のブロックはサイズの説明のため、白地で示してある。 Figure 6 shows a plan view of the color filter portion, the right end of the block and the lower block for the description of the size, is shown in white. 1画素あたり330μm×110μmであり、TiN層及びAl層は30×30μmの大きさのITOとの接続部C A 330 [mu] m × 110 [mu] m per pixel, the connecting portion C between the ITO of the size of the TiN layer and the Al layer 30 × 30 [mu] m
と10μm幅のラインLである。 And a line L of 10μm width. そして図6の点線部分の断面図が、図5、図7に説明される部分である。 The cross-sectional view of a dotted line in FIG. 6, FIG. 5, a portion that is described in Figure 7.

【0077】図5(E)に示す如く、SiO 2絶縁膜1 [0077] As shown in FIG. 5 (E), SiO 2 insulating film 1
8をパターニングした後で、スペーサー膜としてポリイミドを用い、前記図3(C)〜(E)と同様の工程により、図7(A)に示す如く、スペーサー19上にレジスト20が笠形(一般的にはオーバーハング体)に形成された構造のものを得た。 After patterning 8, using polyimide as the spacer layer, the FIG 3 (C) ~ (E) the same process, as shown in FIG. 7 (A), the resist 20 is Kasagata on the spacer 19 (typically to give those formed overhang member) structure is.

【0078】カラー化のために発光素子は図7(A)の状態のものに、以下のような材料を成膜することにより構成した。 [0078] light-emitting element for colorization to those in the state of FIG. 7 (A), was constructed by depositing the following materials. この実施例では白色発光する有機EL材料を用いた。 In this embodiment using an organic EL material emitting white light.

【0079】正孔注入層として、下記の化学構造式に示す、ポリ(チオフェンー2、5−ジイル) [0079] As a hole injection layer, shown in the following chemical structural formulas, poly (thiophene-over 2,5-diyl)

【0080】 [0080]

【化3】 [Formula 3]

【0081】を、100Åの厚さに、正孔輸送層兼黄色発光層として、前記TDPに下記の化学構造式に示すルブレン [0081] The, the thickness of 100 Å, a hole transport layer and the yellow emitting layer, rubrene represented by the following chemical structural formula on the TDP

【0082】 [0082]

【化4】 [Of 4]

【0083】を1wt%の割合でドープしたものを共蒸着で500Å成膜して黄色発光有機EL膜21−1を成膜した。 [0083] The by 500Å deposited by co-evaporation those doped at a ratio of 1 wt% was formed a yellow light-emitting organic EL film 21-1. ルブレンの濃度は0.1〜10wt%程度が好ましく、この濃度で高効率で発光する。 The concentration of rubrene is preferably about 0.1-10%, emits light at high efficiency at this concentration. 濃度は発光色の色バランスより決定すればよく、この後成膜する青色発光層の光強度と波長スペクトルにより左右される。 The concentration may be determined from the color balance of the emission color, depends on the light intensity and the wavelength spectrum of the blue light-emitting layer to the after deposition.

【0084】また青色発光層として、下記の化学構造式に示す4,4'−ビス〔(1,1,2−トリフェニル) [0084] As the blue light-emitting layer is shown in the following chemical structural formula 4,4'-bis [(1,1,2-triphenyl)
エテニル〕ビフェニル Ethenyl] biphenyl

【0085】 [0085]

【化5】 [Of 5]

【0086】を500Å、電子輸送層として前記Alg [0086] The 500Å, as an electron transport layer and the Alg
3を100Åを真空を破らずに連続蒸着して青色発光有機EL膜21−2を成膜し、さらに第2の電極22としてMg/Ag合金(重量比10:1)を2000Å真空を破らずに連続して蒸着した。 3 was continuously deposited 100Å without breaking the vacuum to deposit a blue emitting organic EL layer 21-2, further second Mg / Ag alloy as the electrode 22 (weight ratio 10: 1) to without breaking 2000Å vacuum It was deposited in succession. この後に前記図4 FIG Thereafter 4
(B)、(C)と同様に、安定な金属としてのAl膜2 (B), as with (C), Al film 2 as a stable metal
3と、保護膜としてのSiO 2膜24とをスパッタ法で連続成膜した。 And 3, a SiO 2 film 24 as a protective film was continuously formed by sputtering.

【0087】最後に、剥離液で笠状のレジスト20及びこのレジスト20上に成膜された各薄膜及びスペーサー19を除去して、図7(B)に示す如く、所望の単純マトリクス型有機ELディスプレイが製造された。 [0087] Finally, by removing the bevel-shaped resist 20 and the thin film and the spacer 19 which is formed on the resist 20 in the stripping solution, as shown in FIG. 7 (B), the desired simple matrix type organic EL display is manufactured.

【0088】本発明によれば蒸着方法を膜の均一性を重視した手法にすることが可能になったため、高い歩留まりで、発光特性が均一になった。 [0088] Since the deposition method according to the present invention has made it possible to approach that emphasizes uniformity of the film, with high yield, the emission characteristics became homogeneous. また、本発明によれば有機EL素子の低い信頼性の原因であった水分や酸素に弱い材料が一時的でも大気中に露出せざるを得なかった従来の欠点を、有機EL素子の画素ライン毎に安定な材料で完全に覆うことにより、信頼性の非常に高いものとすることができた。 Also, low reliability caused a a moisture or oxygen sensitive materials conventional drawbacks compelled not been exposed to the well in the atmosphere temporarily the organic EL device according to the present invention, the pixel lines of the organic EL device by completely covered with a stable material for each could be provided with extremely high reliability.

【0089】なお上記本発明における数値は例示のものであり、本発明は勿論これに限定されるものではない。 [0089] Note that numerical values ​​in the present invention are exemplary, and the present invention is not invention is not limited thereto.

【0090】 [0090]

【発明の効果】請求項1に記載された発明によれば、スペーサーより幅が広く且つ絶縁膜より幅が狭いオーバーハング体を形成して、有機EL層を形成することができるので、素子分離が容易で良好な有機EL表示装置を提供することが出来る。 Effects of the Invention According to the invention described in claim 1, width than wider and insulating film than spacer to form a narrow overhang member, it is possible to form the organic EL layer, isolation it can be provided easily in good organic EL display device.

【0091】請求項2に記載された本発明によれば、オーバーエッチングによりスペーサーより幅が広く且つ絶 [0091] According to the present invention described in claim 2, the width than the spacer is wide and the overetching absolute
縁膜より幅が狭いオーバーハング体を容易に形成することが出来、このオーバーハング体の存在により有機EL It can range from Enmaku to easily form a narrow overhang member, the organic EL due to the presence of the overhang member
層を素子分離が容易に良好に形成することができる。 It can be a layer element isolation easily satisfactorily formed.

【0092】 [0092]

【0093】 請求項3に記載された本発明によれば、有機EL層側に装置全体を封止する封止膜あるいは封止板を設けることが容易な有機EL表示装置を提供することが出来る。 [0093] wherein, according to the present invention described in claim 3, it is possible to provide an easy organic EL display device be provided with a sealing film or a sealing plate for sealing the entire device in the organic EL layer side .

【0094】 [0094]

【0095】 請求項4に記載された本発明によれば、封止膜または、封止板を接着するときの接着剤を広い種類のものが使用可能な有機EL表示装置を提供することが出来る。 [0095] According to the present invention described in claim 4, the sealing film or be of a wide variety of adhesives can provide an organic EL display device that can be used when bonding the sealing plate .

【0096】 請求項5に記載された本発明によれば、有機層や第2の電極よりも被覆性のよい方法で酸素、水分、有機溶媒に安定な金属または絶縁膜の少なくとも一方で構成された保護膜を第2の電極上に形成することが出来るので、非常に信頼性の高い、長寿命な、しかもそのあとフォトリソグラフィー工程が可能な有機EL表示装置を製造することができる。 [0096] According to the present invention described in claim 5, it is composed of a good way of coverage than the organic layer and the second electrode oxygen, moisture, at least one of the stable metal or insulating film in an organic solvent the protective film since it is possible to form on the second electrode, highly reliable, long life, yet it is possible to manufacture an organic EL display device capable Then photolithography process.

【0097】 [0097]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施の形態説明図である。 1 is a first embodiment illustrating the embodiment of the present invention.

【図2】回転蒸着説明図である。 2 is a rotary evaporation illustration.

【図3】本発明の第1の製造状態説明図(その1)である。 A [3] first production state diagram of the present invention (Part 1).

【図4】本発明の第1の製造状態説明図(その2)である。 A [4] first production state diagram of the present invention (Part 2).

【図5】本発明の第2の製造状態説明図(その1)である。 Is a [5] The second production state diagram of the present invention (Part 1).

【図6】本発明の第2の製造状態説明図(その2)である。 It is a 6 second production state diagram of the present invention (Part 2).

【図7】本発明の第2の製造状態説明図(その3)である。 It is a 7 second production state diagram of the present invention (Part 3).

【図8】一般的な真空蒸着説明図である。 8 is a general vacuum deposition illustration.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2 ITO 3 絶縁膜 4 スペーサー 4'スペーサー膜 5 感光性樹脂 6 有機EL膜 7 第2の電極 8 金属膜 9 保護膜 10 蒸着源 1 substrate 2 ITO 3 insulating film 4 spacers 4 'spacer layer 5 photosensitive resin 6 organic EL layer 7 second electrode 8 metal film 9 protective layer 10 deposition source

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−315981(JP,A) 特開 平5−258859(JP,A) 特開 平6−96858(JP,A) 特開 平3−250583(JP,A) 特開 平9−283280(JP,A) 特開 平9−102393(JP,A) 特開 平7−142168(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H05B 33/00 - 33/28 Following (56) references of the front page Patent flat 8-315981 (JP, A) JP flat 5-258859 (JP, A) JP flat 6-96858 (JP, A) JP flat 3-250583 (JP , a) JP flat 9-283280 (JP, a) JP flat 9-102393 (JP, a) JP flat 7-142168 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H05B 33/00 - 33/28

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】透明電極で構成された第1の電極と、 絶縁膜と、 この絶縁膜上に形成されたスペーサーと、 このスペーサー上に形成され、スペーサーより幅が広く A first electrode 1. A composed of a transparent electrode, an insulating film, and a spacer formed on the insulating film, is formed on this spacer width than the spacer is wide
    且つ前記絶縁膜より幅が狭いオーバーハング体と、 前記スペーサー間に設けられた有機エレクトロ・ルミネッセンス膜と、 この有機エレクトロ・ルミネッセンス膜上に形成された第2の電極と、 この第2の電極をカバーする金属または絶縁膜の少なくとも一方で構成された保護膜を具備したことを特徴とする有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置。 And wherein the insulating film than the narrow overhang member, and an organic electroluminescence film provided between the spacer, and a second electrode formed on the organic electroluminescence film, the second electrode organic electroluminescence display device being characterized in that comprises a protective film which is composed of at least one of the cover metal or insulating film.
  2. 【請求項2】基板上に透明電極で構成された第1の電極を形成し、 この第1の電極上に絶縁膜を形成し、 この絶縁膜上に少なくとも一層よりなるスペーサー層を形成し、 このスペーサー層上に感光性を有する感光性層を形成し、 この感光性層をパターニングすると同時に又はその後に前記スペーサー層をエッチング除去してスペーサーを形成し、 このエッチング除去に際してこのスペーサー層を感光性層のパターンより小さくなるようにオーバーエッチングさせてスペーサーより幅が広く且つ前記絶縁膜より幅が Wherein forming a first electrode made of a transparent electrode on a substrate, forming an insulating film on the first electrode, forming at least one layer become more spacer layers on the insulating film, this spacer layer photosensitive layer is formed having photosensitivity, this when patterning the photosensitive layer at the same time or after the spacer layer is removed by etching to form a spacer, the spacer layer photosensitive during this etching is removed width than overetching is brought width than the spacer is wider and the insulating film to be smaller than the pattern layer
    狭い感光性のオーバーハング体を形成し、このスペーサー間に有機エレクトロ・ルミネッセンス素子を構成する膜を分離形成したことを特徴とする有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置の製造方法。 Narrow photosensitive overhang body is formed, the method of manufacturing the organic electroluminescence display device is characterized in that the film constituting the organic electroluminescence element formed separately between the spacer.
  3. 【請求項3】 基板上に透明電極で構成された第1の電極 3. A first electrode composed of a transparent electrode on a substrate
    を形成し、 この第1の電極上に絶縁膜を形成し、 この絶縁膜上に少なくとも一層よりなるスペーサー層を To form a to form an insulating film on the first electrode, at least one layer become more spacer layers on the insulating film
    形成し、 このスペーサー層上に感光性を有する感光性層を形成 Formed, form a photosensitive layer having photosensitivity on the spacer layer
    し、 この感光性層をパターニングすると同時に又はその後に And, at the same time or after the patterning this photosensitive layer
    前記スペーサー層をエッチング除去してスペーサーを形 Form a spacer the spacer layer is removed by etching
    成し、 このエッチング除去に際してこのスペーサー層を感光性 Form, the spacer layer photosensitive During this etching is removed
    層のパターンより小さ くなるようにオーバーエッチング Overetching than smaller Kunar pattern layer
    させて感光性のオーバーハング体を形成し、このスペー It is allowed to form a photosensitive overhang member, the space
    サー間に有機エレクトロ・ルミネッセンス素子を構成す To the organic electroluminescence element between Sir
    る膜を分離形成し、その後に前記感光性のオーバーハン That film is separately formed, the photosensitive over Han thereafter
    グ体を除去したこと を特徴とする有機エレクトロ・ルミ Organic Electro Rumi, characterized in that the removal of the grayed body
    ネッセンス表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a Nessensu display device.
  4. 【請求項4】 基板上に透明電極で構成された第1の電極 4. A first electrode composed of a transparent electrode on a substrate
    を形成し、 この第1の電極上に絶縁膜を形成し、 この絶縁膜上に少なくとも一層よりなるスペーサー層を To form a to form an insulating film on the first electrode, at least one layer become more spacer layers on the insulating film
    形成し、 このスペーサー層上に感光性を有する感光性層を形成 Formed, form a photosensitive layer having photosensitivity on the spacer layer
    し、 この感光性層をパターニングすると同時に又はその後に And, at the same time or after the patterning this photosensitive layer
    前記スペーサー層をエッチング除去してスペーサーを形 Form a spacer the spacer layer is removed by etching
    成し、 このエッチング除去に際してこのスペーサー層を感光性 Form, the spacer layer photosensitive During this etching is removed
    層のパターンより小さくなるようにオーバーエッチング Overetching to be less than the pattern layer
    させて感光性のオーバーハング体を形成し、このスペー It is allowed to form a photosensitive overhang member, the space
    サー間に有機エレクトロ・ルミネッセンス素子を構成す To the organic electroluminescence element between Sir
    る膜を分離形成し、その後に前記感光性のオーバーハン That film is separately formed, the photosensitive over Han thereafter
    グ体及びスペーサーを除去したこと を特徴とする有機エ Organic d, characterized in that the removal of the grayed body and spacer
    レクトロ・ルミネッセンス表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a Rekutoro luminescence display device.
  5. 【請求項5】 基板上に透明電極で構成された第1の電極 5. A first electrode composed of a transparent electrode on a substrate
    を形成し、 この第1の電極上に絶縁膜を形成し、 この絶縁膜上に少なくとも一層よりなるスペーサー層を To form a to form an insulating film on the first electrode, at least one layer become more spacer layers on the insulating film
    形成し、 このスペーサー層上に感光性を有する感光性層を形成 Formed, form a photosensitive layer having photosensitivity on the spacer layer
    し、 この感光性層をパターニングすると同時に又はその後に And, at the same time or after the patterning this photosensitive layer
    前記スペーサー層をエッチング除去してスペーサーを形 Form a spacer the spacer layer is removed by etching
    成し、 このエッチング除去に際してこのスペーサー層を感光性 Form, the spacer layer photosensitive During this etching is removed
    層のパターンより小さくなるようにオーバーエッチング Overetching to be less than the pattern layer
    させて感光性のオーバーハング体を形成し、 このスペーサー間に有機エレクトロ・ルミネッセンス素 It is allowed to form a photosensitive overhang member, an organic electroluminescence element between the spacer
    子を構成する膜を形成した後に、有機エレクトロ・ルミ After forming the film of the child, the organic electro-Lumi
    ネッセンス素子を構成する有機層又は第2の電極より、 An organic layer or the second electrode constituting the Nessensu element,
    酸素、水分、有機溶媒に安定な金属又は絶縁膜の少なく Oxygen, moisture, less stable metal or an insulating film in an organic solvent
    とも一方で構成された保護層を、前記第2の電極の成膜 Formation of a protective layer made of the second electrode at the other hand also
    に引き続き形成し、この際に有機層及び第2の電極が全 Subsequently formed on the organic layer and the second electrode is full when this
    く外気に触れないように成膜したことを特徴とする有機 Organic, characterized in that it was formed so as not to touch the Ku outside air
    エレクトロ・ルミネッセンス表示装置の製造方法。 Method of manufacturing the electro-luminescence display device.
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