JP3078268B2 - The organic el display device and manufacturing method thereof - Google Patents

The organic el display device and manufacturing method thereof

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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示デバイス、光源として利用される有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置と略す)の製造方法と構造に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a display device, an organic electroluminescence display device used as a light source (hereinafter, referred to as organic EL display device) a manufacturing method and structure of.

【0002】 [0002]

【従来の技術】有機EL素子を用いた表示デバイスは、 Display device using the Related Art Organic EL devices,
現在主流のフラットパネルディスプレイである液晶ディスプレイに対し以下のような優位性を持つ。 To the liquid crystal display is the current mainstream flat panel display having the following such advantage.

【0003】1)自発光であるために視野角が広い 2)2〜3ミリの薄さのディスプレイが容易に製造可能 3)偏光板を使わないことから発光色が自然 4)明暗のダイナミックレンジが広いため、表示が鮮明で生々しい 5)広い温度範囲で動作 6)応答速度が液晶より3桁以上速いため容易に動画表示が可能 このような優位性にも関わらず、なかなか市場へ出回らなかった。 [0003] 1) self-luminous and a 2 wide viewing angle for) 2-3 mm thin display is readily manufacturable 3) Light Color Natural 4 since it does not use a polarizing plate) brightness dynamic range of the for wide, it displayed despite clear and vivid 5) wide operating temperature range 6) since the response speed is from 3 or more orders of magnitude faster liquid crystal can be easily moving image display such advantage, not Demawara easily to market It was. これは以下のような理由による。 This is due to the following reasons.

【0004】一般的に、有機EL素子は、概略すると、 [0004] Generally, the organic EL device is different outline,
「透明導電膜」からなる電極、「発光層を含む有機層」、「仕事関数が小さい金属または合金」からなる電極、の3つの別々の機能を有する薄膜の積層から構成される。 Electrode consisting of "transparent conductive film", "organic layer including a light emitting layer", and a laminate of thin films having made of "a low work function metal or alloy" electrodes, of three separate functions. これら「発光層を含む有機層」や「仕事関数が小さい金属または合金」が水分や酸素で劣化しやすいこと、「発光層を含む有機層」が溶媒に溶けやすく、また、熱に弱いこと等の製造上の難題があった。 These "organic layer including a light emitting layer" and "a low work function metal or alloy" be susceptible to degradation by moisture or oxygen, more soluble "organic layer including a light-emitting layer" is a solvent, and it sensitive to heat or the like there was a challenge on the production of. 言い換えると、水、有機溶媒、熱を用いる方法では「発光層を含む有機層」、「仕事関数が小さい金属または合金」を成膜した後で素子を分離、分割することは困難であったからである。 In other words, water, organic solvents, "the organic layer containing a light-emitting layer" in the method using heat, the element after formation of the "low work function metal or alloy" separation, since it is difficult to divide is there. つまり、現在、液晶で実現されているようなディスプレイと同等なクラスの有機EL表示装置を製造しようとした場合に、成熟した半導体製造技術や液晶ディスプレイ製造技術がそのままでは適用できないということになる。 In other words, currently when an attempt producing an organic EL display device of the same class and a display such as that realized by the liquid crystal, it comes to mature semiconductor manufacturing technology and liquid crystal display manufacturing technology can not be applied as it is.

【0005】そこで考え出されたのが、大気中に暴露することなく第2の電極の分離を可能にする以下に示す複数の技術であり、その技術によれば非常に信頼性の高い有機ELディスプレイの製造が可能となった。 [0005] Therefore the devised a is a plurality of the techniques described below to allow the separation of the second electrode without exposing to the atmosphere, very reliable organic EL According to the technique display of production has become possible.

【0006】例を挙げると、特開平5−275172号公報、同5−258859号公報、USP527638 [0006] By way of example, JP-A-5-275172, JP same 5-258859 JP, USP527638
0号、同5294869号に示された方法がある。 No. 0, there is a method that has been shown to Nos. 5,294,869. これは、例えば、図32に示すように、分離させたい表示ライン電極の間に、有機EL膜を構成する膜44の膜厚より高い隔壁43を形成し、基板33平面と垂直ではない方向より有機EL素子の材料41を真空蒸着することで隔壁43の影になる部分には材料41が成膜されないことを利用する方法であった。 This, for example, as shown in FIG. 32, between the display line electrodes want to separate, to form a higher partition wall 43 than the thickness of the film 44 constituting the organic EL layer, from a direction that is not in the substrate 33 perpendicular to the plane the portion to be the material 41 of the organic EL elements in the shadow of the partition wall 43 by vacuum deposition material 41 is a method of utilizing not be deposited.

【0007】しかし、この方法によれば、歩留まりよく、且つ、同じ幅の発光ラインを形成するためには、図32に示したような絶縁ストリップ42(またはペデスタル)と呼ばれる、隔壁43よりも幅の広い絶縁物42 However, according to this method, a good yield, and, in order to form a light emission line of the same width is referred to as an insulating strip 42 as shown in FIG. 32 (or pedestal), width than the partition wall 43 wide insulator 42
を隔壁43の下に形成する必要があった。 The had to be formed under the partition wall 43. これは、真空成膜方法では隔壁43の存在により隔壁43近傍で膜の付着が妨害されるため、絶縁ストリップ42がない構造では有機膜が薄くなる隔壁43付近において第1の電極と第2の電極が短絡する場合があり、特に有機膜の膜厚均一性を良くすることが難しくなる大型基板において、 This is because the adhesion of the film by the partition wall 43 near the presence of the partition wall 43 in the vacuum film formation method is interrupted, the first electrode and the second near the partition wall 43 in which the organic film is thinner in the structure without the insulating strip 42 may electrodes are short-circuited, the large substrate to be difficult in particular to improve the film thickness uniformity of the organic film,
歩留まりが非常に悪くなるためである。 Yield is because the very poor.

【0008】また、逆に歩留まりを上げる目的で絶縁ストリップ42を形成すると、絶縁ストリップ42を形成する領域分だけ発光ラインの幅が制限された。 Further, when forming an insulating strip 42 for the purpose of increasing the yield Conversely, the width of the emission line by the space forming an insulating strip 42 is limited. この絶縁ストリップ42の幅は、例えば図33に示すように、金属蒸着源31と基板33の角度と、基板33自体の大きさによって設計される。 The width of the insulating strip 42, for example, as shown in FIG. 33, is designed with the angle of the metal evaporation source 31 and the substrate 33, the size of the substrate 33 itself. すなわち、例えば図33に示すように、この絶縁ストリップ42の幅が狭いと、金属蒸着源31から基板33に飛来する金属と隔壁43の角度が小さくなる位置であるAにおいて、図34に示すように問題なく成膜されているが、金属蒸着源31から基板33に飛来する金属と隔壁43の角度が大きくなるB位置において、図35に示すように、隔壁の影になる領域が広くなってしまうため、発光領域が狭くなる問題が発生し、発光ラインの幅が基板33の位置によって変わってしまう。 For example, as shown in FIG. 33, the width of the insulating strip 42 is narrow, the A is the angle becomes smaller position of the metal and the partition wall 43 coming from the metal evaporation source 31 to the substrate 33, as shown in FIG. 34 has been deposited without problems, at position B the angle of the metal and the partition wall 43 coming from the metal evaporation source 31 to the substrate 33 increases, as shown in FIG. 35, it widens the area to become the shadow of the partition wall put away because the problem of the light emitting region is narrowed occurs, the width of the emission line would change the position of the substrate 33. したがって、基板全域にわたって、発光ラインの幅を揃えるためには、絶縁ストリップの幅を余裕(マージン)を取って広くする必要がある。 Thus, over the entire substrate, in order to align the width of the emission line, it is necessary to increase the width of the insulating strip taking an allowance (margin). また、絶縁ストリップと隔壁の位置あわせのマージンも、大型基板上に一括露光方式の露光機を用いて表示装置を製造する場合には最低でも3μm から5μm は必要である。 Further, margin for alignment of the insulating strip and the partition wall also, 5 [mu] m from 3μm at least in the case of manufacturing a display device using an exposure machine bundle exposure on the large substrate is needed. しかしながら、絶縁ストリップを広くすることは、まさしく発光領域が減少することに他ならず、明るい表示をするためには不利になることは明らかである。 However, widening the insulating strip is just nothing but that light emitting area is reduced, it becomes disadvantageous to the bright display is clear.

【0009】その他の方法として、特開平8−2629 [0009] As another method, JP-A-8-2629
98号公報、同8−264828号公報に示されている、キャビティ構造、トレンチ構造、ウェル構造を用いてそれらの構造の中に発光素子を形成し、各発光素子間を分離する方法を用いても、同様の不都合が生じることは明らかである。 98 No. is shown in Japanese Patent same 8-264828, cavity structure, using methods trench structure, using a well structure to form a light-emitting element in their structure, separation between the light-emitting elements also, it is clear that the same inconvenience.

【0010】また、特開平8−315981号公報、同9−283280号公報、同9−161969号公報の様に電極上に逆テーパー構造やオーバーハング構造、アンダーカット構造をもつ絶縁壁を作る方法においても、 Further, a method of making Hei 8-315981, JP same 9-283280, JP-inverted tapered structure or overhang structure on the electrode as in the same 9-161969, JP-insulating wall with an undercut structure in also,
やはり歩留まりよく、且つ、同じ幅の発光ラインを形成することを考えると現実的には同様に絶縁ストリップが必要になる。 Again good yield, and, it is necessary to similarly insulated strip in practice considering the formation of a luminescent line of the same width.

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光領域の割合が広く、かつ信頼性が高く、大型基板の使用が可能で、1枚の基板中に多数のディスプレイを配置して製造することができ、製造コストの低コスト化を可能とした有機EL表示装置およびその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a proportion of the light emitting region is wide, and high reliability, can be used for large-sized substrate, by arranging a large number of display in one substrate manufacturing it can be that it provides the possibility and organic EL display device and a manufacturing method thereof the cost of the manufacturing cost.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】隔壁構造、キャビティ構造、トレンチ構造、ウェル構造、逆テーパー構造、オーバーハング構造、アンダーカット構造等、従来提案されてきた素子を分離するための構造体(以下、素子分離構造体と記す)は、いずれにおいても、これらの素子分離構造体が発光する素子の位置より成膜材料源寄りにある。 Means for Solving the Problems] partition structure, a cavity structure, trench structure, well structure, inverted tapered structure, overhang structure, undercut structures, etc., the structure for separating the elements have been conventionally proposed (hereinafter, referred to as the element isolation structure), in any of these isolation structures are in the film-forming material source closer than the position of the element that emits light. このため、高歩留まりで表示装置を製造する場合には素子分離構造体の高さと概ね同じ程度の幅のマージンを絶縁ストリップに設けることが必要になる。 This makes the margin height roughly the same degree of width of the element isolation structure necessary to provide the insulating strip in the case of manufacturing a display device with a high yield. しかしながら、大きなマージンを設けることは発光領域を狭くすることになるため、表示品質に影響がある。 However, providing a large margin to become narrowing the light emitting region, an effect on display quality. 素子分離構造体の高さを低くすることは「仕事関数の小さい金属電極」が素子分離構造体を被覆する可能性を高くすることになるため、素子の分離を難しくする事を意味し、したがって、歩留まりが下がってしまう。 For reducing the height of the isolation structure that will increase the likelihood of "small metal electrode work function" is to cover the element isolation structure, it means that makes it difficult to separate the elements, thus , resulting in lower yield.

【0013】例えば、高さ4μm 、幅5μm の隔壁を設けた場合には次のようになる。 [0013] For example, as follows in the case of providing the height 4 [mu] m, a width of 5μm septum. 隔壁と絶縁ストリップの位置あわせ誤差は一般的な一括露光方式の露光機を用いた場合には5μm 程度であるので、マージンとして絶縁ストリップの幅はやはり5μm 必要となる。 Because alignment error of the partition wall and the insulating strip in the case of using a general exposure apparatus bundle exposure is about 5 [mu] m, the width of the insulating strip as margin also becomes 5 [mu] m required. また、基板と垂直な方向に対して最大斜角45°から「発光層を含む有機膜」が入射した場合には影になる部分を考慮すると少なくとも隔壁の高さ4μm と同じマージンが必要となる。 Further, it is necessary same margin at least the partition wall height 4μm Considering the areas of shadow if the "organic layer including a light emitting layer" from the maximum oblique angle 45 ° to the direction perpendicular to the substrate is incident . したがって、隔壁の両側を合計すると結果として隔壁の幅と全マージンの合計23μm の幅の絶縁ストリップが必要になる。 Therefore, the insulating strip of the width of the total 23μm width and total margin of the partition wall as a result of the sum on both sides of the partition wall is required.

【0014】隣り合う透明導電膜間のギャップが5μm [0014] gap between adjacent transparent conductive film 5μm
であると仮定すれば、100μm ピッチに画素が並ぶ高精細な単純マトリクス・ディスプレイの場合には(10 Assuming it is, in the case of a high definition simple matrix display in which pixels are arranged in 100μm pitch (10
0−23)×(100−5)÷(100×100)= 0-23) × (100-5) ÷ (100 × 100) =
0.7315となり、有効な発光領域が73%程度になってしまうことになる。 0.7315, and the effective light emitting region so that it becomes about 73%.

【0015】問題の本質は、素子分離構造体が発光面より成膜材料が飛来してくる方向側に大きく突出している構造を有していることである。 [0015] problem essence is that it has a structure in which the element isolation structure is largely protrude toward the side coming flying film forming material from the light-emitting surface. 絶縁ストリップにマージンを設けることなく、基板位置における発光領域の変化を無くし、且つ、高い歩留まりを得ることが可能であれば、発光領域を広くすることができ、結果として明るい表示装置の製造が実現できる。 Without providing a margin in the insulating strip, without a change in the light-emitting region in the substrate position, and, if it is possible to obtain a high yield, it is possible to widen the light-emitting region, producing a bright display device as a result is achieved it can.

【0016】すなわち、上記目的は以下の構成により達成される。 [0016] That is, the above-described object can be attained by the following constitution. (1) 配線電極と、この配線電極とコンタクトホールを介して接続されている第1の電極と、発光機能に関与する1種または2種以上の有機層と、第2の電極とを有し、かつ電気的に独立に発光させることが可能な有機E (1) includes a wiring electrode, a first electrode are connected via the wiring electrode and the contact hole, and one or more organic layers involved in light emission function and a second electrode and electrically capable of emitting light independently an organic E
L素子構造を複数有し、隣接する有機EL素子構造の境界には隣り合う有機EL素子構造の第2の電極を分離するための溝構造を有し、前記配線電極は、少なくとも、 Has a plurality of L element structure, a groove structure for separating the second electrode of the organic EL device structure adjacent to the boundary of the adjacent organic EL element structure, the wiring electrode is at least,
隣接する第1の電極間であって画素として機能する発光領域以外の領域に形成されている有機EL表示装置。 Adjacent first electrode between an A and an organic EL display device that is formed in a region other than the light emitting region functioning as a pixel. (2) 前記コンタクトホール上には第1の電極の一部が成膜され、かつその上層の有機層との間には絶縁層が形成されている上記(1)の有機EL表示装置。 (2) said on the contact hole is partially forming the first electrode, and an organic EL display device of the above (1) which is formed an insulating layer between the organic layer of the upper layer. (3) 前記コンタクトホールは、概ね多角形状を有する第1の電極の少なくとも1つの辺に接して配置され、 (3) the contact hole is disposed generally in contact with at least one side of the first electrode having a polygonal shape,
第1の電極はこのコンタクトホールを介して配線電極と電気的に接続されている上記(1)または(2)の有機EL表示装置。 The first electrode of the organic EL display device of the above (1) or (2) which is electrically connected to the wiring electrode through the contact hole. (4) 前記溝構造の深さは、有機層および第2の電極層の合計膜厚の1/2〜20倍である上記(1)〜 (4) the depth of the groove structures, the organic layer and the second total electrode layer thickness of 1/2 to 20 times the above (1) to
(3)のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device (3). (5) 前記溝構造の少なくとも一方の開口部付近には基板と概ね平行な方向であって、かつ溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部が形成されている上記(1)〜(4)のいずれかの有機EL表示装置。 (5) At least one of the vicinity of the opening a direction generally parallel to the substrate, and the overhang portion protruding toward the center of the trench structure is formed (1) to the groove structure (4) any of the organic EL display device. (6) 前記オーバーハング部は、溝構造の両方の開口部付近に形成されている上記(5)の有機EL表示装置。 (6) the overhang portion, the organic EL display device of the above (5) which is formed in the vicinity of the opening of both of the groove structure. (7) 前記溝構造の底部には、基板面に対して垂直方向に突出し、かつその高さが発光領域における第2の電極層以下である立体構造物を有する上記(1)〜(6) (7) in the bottom of the groove structures, the projects in a direction perpendicular to the substrate surface and its height, has a three-dimensional structure is equal to or less than the second electrode layer in the light emitting region (1) to (6)
のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device. (8) 前記立体構造物は、溝構造の底部側より上端部側の幅が大きい上記(7)の有機EL表示装置。 (8) the three-dimensional structure, the organic EL display device according to the width of the upper portion side from the bottom side of the groove structure is large (7). (9) 前記オーバハング部は、絶縁性材料により形成され、かつこの一部が基板上、または下地層上に形成されるとともに第1の電極の一部を覆うように形成されている上記(5)〜(8)のいずれかの有機EL表示装置。 (9) The overhang portion is formed of an insulating material, and the part on the substrate or above while being formed on the underlying layer is formed to cover a portion of the first electrode (5, ) any of the organic EL display device to (8). (10) 前記オーバーハング部は、溝構造の開口端から10nm〜5μm の高さに形成されている上記(5)〜 (10) the overhanging section, the formed from the open end of the groove structure to the height of 10 nm to 5 [mu] m (5) ~
(9)のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device (9). (11) 前記基板上、または下地層上に形成されているオーバーハング部は、その段差部分ないし端部が成膜面に対して45度以下のテーパー角を有する上記(5) (11) on the substrate, or an overhang portion formed on an underlying layer, above the stepped portion or the end portion has a taper angle of less than 45 degrees with respect to the film formation surface (5)
〜(10)のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device to (10). (12) 前記オーバーハング部は、少なくともその一部の領域上に厚さ2μm 以下の導電膜が形成されている上記(5)〜(11)のいずれかの有機EL表示装置。 (12) the overhanging portion are at least one of the organic EL display device according to the thickness 2μm or less on a part of the area of ​​the conductive film is formed (5) to (11). (13) 絶縁基板上に配線電極を形成する工程と、配線電極が形成された基板上に下地層を形成する工程と、 (13) forming a step of forming a wiring electrode on an insulating substrate, an undercoat layer on the substrate on which the wiring electrodes are formed,
基板上に形成された下地層に溝構造を形成する工程と、 Forming a groove structure in the underlying layer formed on the substrate,
第1の電極を形成する工程と、少なくとも発光機能に関与する有機層を形成する工程と、第2の電極を成膜する工程とを有し、前記第2の電極を成膜するに際し、段差被覆性の低い方法を用い、形成された溝構造部分で前記第2の電極を分離する有機EL表示装置の製造方法。 Upon forming the first electrode comprises forming an organic layer participating in at least a light emitting function, and a step of forming a second electrode, forming the second electrode, the step with low coverage process, the method of manufacturing the organic EL display apparatus for separating the second electrode in a groove formed structural parts. (14) 前記コンタクトホール上には第1の電極の一部を成膜し、かつその上層の有機層との間に絶縁層を形成する上記(13)の有機EL表示装置の製造方法。 (14) said on the contact hole forming a part of the first electrode, and a method of manufacturing an organic EL display device of the above (13) to form an insulating layer between the organic layer of the upper layer. (15) 前記第1の電極と、有機層と、第2の電極は、気相堆積法により形成される上記(13)または(14)の有機EL表示装置の製造方法。 (15) and said first electrode, an organic layer, the second electrode, the method of manufacturing the organic EL display device of the above (13) or (14) which is formed by a vapor deposition method. (16) 前記第2の電極は斜方蒸着により形成される上記(13)〜(15)のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 (16) the production method of the second electrode is one of an organic EL display device of the above (13) to (15) which is formed by oblique deposition. (17) 前記溝構造を形成する際、または溝構造を形成した後、この溝構造の少なくとも一方の開口部付近に基板と概ね平行な方向であって、かつ溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部を形成する工程を有する上記(13)〜(16)のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 (17) the time of forming the trench structure, or after forming a trench structure, over which a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of at least one opening of the groove structure, and protrudes toward the center of the groove structure method of any of the organic EL display device of the above (13) to (16) having a step of forming a hanging section. (18) 前記溝構造を形成するに際し、この溝構造の底部から基板面に対して垂直方向に突出し、かつその高さが発光領域における第2の電極層以下である立体構造物を形成する上記(13)〜(17)のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 (18) wherein in forming the groove structure, above protruding from the bottom of the groove structure in a direction perpendicular to the substrate surface, is and its height to form a three-dimensional structure is equal to or less than the second electrode layer in the light emitting region (13) the method of producing any one of an organic EL display device to (17). (19) 前記オーバハング部を形成するに際し、絶縁性材料を用い、かつその一部を基板上、または下地層上に形成して第1の電極の一部を覆うように形成する上記(17)または(18)の有機EL表示装置の製造方法。 When forming a (19) wherein the overhang portion, an insulating material, and above a portion thereof formed so as to cover a portion of the first electrode formed on a substrate, or base layer (17) method of manufacturing an organic EL display device or (18).

【0017】 [0017]

【作用】本発明では、次のようにして問題解決を図った。 According to the present invention, it tried to to solve problems as follows. 基本的な原理は、素子分離構造体を基板から高く突出させないような構造にしたことである。 The basic principle is to have a device isolation structure to the structure so as not to protrude higher from the substrate. すなわち、隣り合う素子を分離する部分を溝構造で素子分離する素子分離構造体、または、溝構造にさらに素子を分離しやすくするための構造物を付加した素子分離構造体を形成することで実現できる。 That is, it achieved by forming a device isolation structure, or, the element isolation structure by adding a structure for facilitating separation of the further element in the groove structures isolation part that separates the adjacent elements in the groove structure it can. より基板側に近く配置されている第1の電極はこの溝を横切るように形成されるか、他の導電膜を介して必要に応じて接続される。 The first electrode is disposed more closer to the substrate side or is formed so as to cross the groove, are connected as required via the other conductive film. 少なくとも溝を横切っている部分は発光層または第2の電極と短絡しないように絶縁膜で覆われる。 Portions extends across at least a groove is covered with an insulating film so as not to short-circuit the light emitting layer or the second electrode. この様な構造を形成した後に発光層を含む有機膜を成膜し、引き続き素子分離構造体を完全には被覆できないような方法で第2の電極を形成すればよい。 And forming an organic film including a light-emitting layer after forming such a structure may be formed of the second electrode in a manner that can not be coated to remain in full isolation structure.

【0018】この方式によれば、発光領域はその概ねが素子分離構造体より成膜材料源寄りに配置されているために、素子分離構造体の影になる部分を考える必要がなくなる。 According to this method, the light emitting region to the generally are placed into the film forming material source closer than the element isolation structure, it is unnecessary to consider a portion to be in the shadow of the isolation structure. すなわち、素子分離構造体の高さや位置あわせマージンにより発光領域の面積が小さくなることが非常に少なくなる。 That is, it is very small the area of ​​the light emitting region is reduced by the height and alignment margin of the element isolation structure.

【0019】前述の例と同様に、隣り合う透明導電膜間のギャップが5μm 、溝の幅を5μm 、溝に対する絶縁膜の形成マージンを溝の片側5μm とし、100μm ピッチに画素が並ぶ高精細な単純マトリクス・ディスプレイを仮定すると、(100−15)×(100−5)÷ [0019] As in the previous example, the gap between the transparent conductive film adjacent 5 [mu] m, 5 [mu] m the width of the groove, the formation margin of the insulating film to the groove and one side 5 [mu] m of groove, high-definition pixels are arranged in 100μm pitch assuming a simple matrix display, (100-15) × (100-5) ÷
(100×100)=0.8075となり、有効な発光領域が約7%増加することが分かる。 It can be seen that (100 × 100) = 0.8075, and the effective light emitting area is increased by about 7%.

【0020】 [0020]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL表示装置は、例えば、図1,2に示すように、配線電極11と、この配線電極とコンタクトホール13を介して接続されている第1の電極3と、発光機能に関与する1種または2種以上の有機層と、第2の電極とを有し、かつ電気的に独立に発光させることが可能な有機EL素子構造を複数有し、隣接する有機EL素子構造の境界には隣り合う有機EL素子構造の第2の電極を分離するための溝構造2を有し、前記配線電極11は、少なくとも画素として機能する発光領域15以外の領域に形成されている。 The organic EL display device of the embodiment of the present invention is, for example, as shown in FIGS. 1 and 2, the wiring electrode 11, a first electrode which is connected via the wire electrode and the contact hole 13 and 3, a plurality and one or more organic layers involved in light emission function, and a second electrode, and an organic EL element structure that can emit light in the electrically independent, adjacent a second electrode of the organic EL device structure adjacent to the boundary of the organic EL device structure comprises a groove structure 2 for separating the said wiring electrode 11, a region other than the light emitting region 15 that functions as at least a pixel It is formed. なお、 It should be noted that,
図1は有機EL表示装置の一部平面図、図2はそのA− Figure 1 is partial plan view of the organic EL display device, FIG. 2 is its A-
A'断面矢視図である。 A 'is a cross-sectional view on arrow. 図1,2において、基板1上に配線電極11と下地層1bが形成され、さらにその上に第1の電極3が形成されるとともに、画素(発光領域) 1 and 2, the wiring electrode 11 and the base layer 1b is formed on the substrate 1, further with the first electrode 3 is formed thereon, pixel (light emitting region)
以外の部分に絶縁層4が形成されている。 Insulating layer 4 is formed in a portion other than. これらの上にさらに形成される有機層および第2の電極は省略している。 The organic layer and the second electrode are further formed on these is omitted.

【0021】このように、配線電極を主に第1の電極の各画素の島状パターンの間に配置することで発光を遮光することがなくなり、開口率を向上させることができる。 [0021] Thus, it is not possible to shield the light emission by predominantly located between the island-like pattern of each pixel of the first electrode wiring electrodes, thereby improving the aperture ratio. また、同様にコンタクトホールを第1の電極の各画素の概ね多角形形状の少なくとも一辺に相当する位置に配置することにより、配線電極をコンタクトホールの位置まで引き延ばす必要がなくなるため、開口率の向上が図れる。 Similarly, by placing the contact hole to at least equivalent to the one side position of the generally polygonal shape of each pixel of the first electrode, since it is not necessary to prolong the wiring electrode to the position of the contact hole, the improvement of the aperture ratio It can be achieved.

【0022】本発明の目的は、隣り合う素子を分離する部分を溝構造で素子分離する素子分離構造体、または、 An object of the present invention, the element isolation structure for device isolation portion for separating the adjacent element in the groove structure, or,
溝構造にさらに素子を分離しやすくするための立体構造物を付加した素子分離構造体を形成することで実現できる。 It can be realized by forming an element isolation structure obtained by adding a three-dimensional structure for easy separation of the further element to the groove structure.

【0023】すなわち、素子分離構造体が素子成膜面、 [0023] That is, the film formation surface element isolation structure element,
ないし発光面より成膜材料が飛来してくる方向側に突出することがなく、構造隔壁や絶縁ストリップが不要となり、有効発光領域を広くすることができる。 Or without protruding direction of the film forming material comes flying from the light emitting surface, structural partition wall and the insulating strip is not required, it is possible to widen the effective light emitting region.

【0024】溝構造は、基板に直接形成してもよいし、 The groove structure may be directly formed on the substrate,
基板上に所定の膜厚の下地層を形成して、この下地層に形成してもよい。 Forming a base layer of a predetermined thickness on the substrate, it may be formed on the undercoat layer. 溝構造の大きさは、素子の分離が可能な大きさであれば特に限定されるものではなく、表示装置の大きさ、あるいは分離しようとする有機EL素子の大きさや、成膜する各層の膜厚、成膜方法等により適宜決めればよい。 The size of the trench structure is not limited particularly as long as separation is possible size of the device, the size and the organic EL element to be sized, or separation of the display device, the film of each layer forming the thickness may be determined appropriately by a deposition method or the like. 具体的には、通常、幅:1〜20μm 、 Specifically, usually, width: 1~20μm,
特に5〜10μm 程度、深さ:有機層および第2の電極層の合計膜厚の1/2〜20倍、特に2倍〜10倍程度である。 Especially about 5 to 10 [mu] m, depth: 1 / 2-20 times the total thickness of the organic layer and the second electrode layer, in particular 2 to 10 times or so.

【0025】この下地層としては、絶縁性を有し、エッチング処理が可能で、その上に成膜される第1の電極層と干渉しないような材料を用いて形成することが好ましい。 [0025] As the underlayer, has an insulating property, can be etched, it is preferably formed using a material that does not interfere with the first electrode layer to be formed thereon. 溝構造を形成する下地層は感光性を有する絶縁性材料を用いて形成しても良い。 Underlayer to form a groove structure may be formed using an insulating material having photosensitivity. 具体的には、ポリイミド、 More specifically, polyimide,
アクリル系樹脂、オレフィン系樹脂等の樹脂材料や、S Acrylic resin, or a resin material such as an olefin resin, S
iO 2 、SiN x 、SiON、Al 23 、SOG(spi iO 2, SiN x, SiON, Al 2 O 3, SOG (spi
n on glass)膜等の無機材料を挙げることができる。 n on Glass) inorganic materials such as films can be mentioned. 下地層は、蒸着、スパッタ、塗布、印刷、スピンコートなど、使用する材料により公知の成膜手段から好適なものを選択して形成すればよい。 Underlayer deposition, sputtering, coating, printing, spin coating, may be formed by selecting suitable from known film forming means by the materials used.

【0026】溝構造は、単なるU字状の凹部として形成してもよいし、開口部付近に向けて広がった形状としてもよいし、逆に底部に向かって広がった形状としてもよい。 The groove structure may be formed as a simple U-shaped recess, may be spread shape toward the vicinity of the opening, it may have a shape that spreads toward the bottom reversed. このようなテーパ角としては、特に限定されるものではないが、開口方向(基板と垂直方向)に対して、好ましくは±30〜60度、特に±45度程度である。 Such taper angle, but are not particularly limited, with respect to the opening direction (perpendicular to the substrate direction), preferably 30 to 60 ° ±, in particular ± 45 degrees. また、開口部付近に基板と概ね平行な方向であって、溝構造の中央方向に張り出したオーバーハングや、底部から基板面と垂直な方向(上方)に向かって突出した構造物を有していてもよい。 Further, a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of the opening, have a central direction and overhang overhanging, structure protruding toward the substrate surface and the direction perpendicular (upward) from the bottom of the groove structure it may be.

【0027】この素子分離構造体を持つ表示装置は例えば以下の様にして製造しうる。 The display device having the device isolation structure may be prepared, for example, in the following manner.

【0028】まず、溝構造を有する基板を形成する。 [0028] First, a substrate having a groove structure. これは次の様な方法がある。 This is the following of such a method. 絶縁基板上に下地層を形成し、フォトリソグラフィーにより下地層に溝を形成する方法である。 The base layer is formed on an insulating substrate, a method of forming a groove in the base layer by photolithography.

【0029】下地層を形成する前に、第1の電極と接続される配線電極を形成する。 [0029] Before forming the base layer to form a wiring electrode connected to the first electrode. 配線電極は、画素となる表示領域以外の部分に形成される。 Wiring electrode is formed in a portion other than the display region serving as a pixel. 画素以外の部分に配線電極を形成することにより、基板側から発光を取り出す際に配線電極が障害となることなく、効率よく光の取り出しが行える。 By forming the wiring electrode on a portion other than the pixel, without wiring electrodes when light is emitted from the substrate side is a failure, efficiently perform light extraction.

【0030】配線電極を形成した後、下地層を形成し、 [0030] After forming the wiring electrodes, to form an underlayer,
さらに溝構造を形成する。 Further forming a groove structure.

【0031】次に、第1の電極を成膜する。 Next, forming the first electrode. 第1の電極は、隣接する素子が形成される領域に電気的に接続されるように形成する。 The first electrode is formed so as to be electrically connected to a region adjacent element is formed. それには、先に下地層の下に形成した配線電極を介して接続されるようにすればよい。 To do this, it suffices to be connected through the wiring electrodes formed under the previously underlying layer. 第1 First
の電極はフォトリソグラフィー法などを用いてパターニングすればよい。 The electrodes may be patterned by using a photolithography method.

【0032】コンタクトホール部分に形成された第1の電極を絶縁するために絶縁層を形成する。 [0032] forming an insulating layer to insulate the first electrode formed in the contact hole portion. これは、このコンタクトホール部分で第1の電極と第2の電極間の電流リークが発生して不良になりやすいためであり、また、コンタクトホール部分での発光は配線電極で遮光されて外部に放出され難いため無駄になるからである。 This is because current leakage is liable to be defective occurs between this contact hole portion first electrode and the second electrode, also, the emission at the contact hole portion to the outside is blocked by the wiring electrode because hardly released because wasted. さらに、第1の電極の発光領域上に成膜された絶縁膜をフォトリソグラフィー法などにより除去する。 Further, an insulating film formed on the light emitting region of the first electrode is removed by photolithography.

【0033】以上の様な構造を形成した後に、発光層を含む、少なくとも発光機能に関与する有機層を成膜する。 [0033] After forming the above such structures, including a light emitting layer, forming an organic layer participating in at least a light emitting function. 引き続き、溝構造部分を完全には被覆できないような方法で第2の電極を成膜する。 Subsequently forming a second electrode in a manner that can not be covered completely the groove structure portion. 溝構造部分を完全には被覆できない方法としては、成膜粒子の飛来方向に対して、溝構造の開口方向(基板に垂直方向)がある程度の角度を有するようにするとよい。 As a method that can not be completely coating the groove structure portion, with respect to traveling direction of film-forming particles, the aperture direction of the groove structure (the direction perpendicular to the substrate) to have a certain angle. より具体的には、蒸着法やスパッタ法において、蒸発源やターゲットの中心と基板の中心を結ぶ線に対して、基板面が90度以外の角度を有するように傾斜させればよい。 More specifically, in the vapor deposition method or a sputtering method, with respect to a line connecting the centers of the substrate of the evaporation source or the target, the substrate surface it is sufficient to tilt at an angle other than 90 degrees. この場合、回り込みの少ない斜方蒸着が特に好ましい。 In this case, it wraparound less oblique vapor deposition is particularly preferable. 成膜粒子の飛来方向と、溝構造の開口方向とを異なったものとすることにより、成膜粒子の入射角によって溝構造内部に陰の部分が形成され、この陰の部分が成膜されない領域となる。 And traveling direction of film-forming particles, by made to different and an opening direction of the groove structures, the portion of the shade is formed inside the groove structure according to the angle of incidence of the deposition particles, a region where part of the shade is not formed to become.
溝構造の開口方向に対する成膜粒子の入射角は、好ましくは10〜80度、より好ましくは60〜80度程度である。 The incident angle of the deposition particles relative to the opening direction of the trench structure is preferably 10 to 80 degrees, more preferably about 60 to 80 degrees.

【0034】また、溝構造の開口部付近に溝構造の中央方向に張り出したオーバーハングを設けたり、溝構造の底部から突出した構造物を有する場合には成膜粒子の飛来方向と、溝構造の開口方向とを同一としてもよい。 Further, the traveling direction of film-forming particles when or provided an overhang protruding toward the center of the groove structure in the vicinity of the opening portion of the groove structure has a structure that protrudes from the bottom of the trench structure, groove structure the opening direction of the may be used as the same.

【0035】さらに、第2の電極層上に保護膜として水分や酸素に対して安定な金属や絶縁膜を積層しても良い。 Furthermore, it may be laminated stable metal or an insulating film to moisture or oxygen as a protective layer on the second electrode layer.

【0036】この際に、基板に第2の電極材料が進入する角度が大きく異なっても、成膜領域が変化するのは溝の中のみであり、実際の発光領域に関しては全く影響を与えないことが分かる。 [0036] At this time, even very different angle to the second electrode material enters the substrate, the film formation region is changed is only in the groove, no influence with respect to the actual emission region it can be seen. つまり、大型基板を用いてディスプレイを製造しても、図33のA部、B部を示した、 That is, even when manufacturing a display using a large substrate, exhibited a part A, B of FIG. 33,
従来例の図34に対する、図35のように、第2の電極の成膜粒子41の入射角が異なり、発光領域が縮小するような現象が生じないため、本発明には非常に大きな利点がある。 For 34 of the conventional example, as shown in FIG. 35, different incident angle of the deposition particles 41 of the second electrode, since the light emitting region does not occur a phenomenon such as reduced, a very significant advantage for the present invention is there.

【0037】通常、第1の電極と第2の電極の少なくとも一方は光透過性を有する膜を形成する。 [0037] Usually, at least one of the first electrode and the second electrode form a film having optical transparency.

【0038】発光層を含む有機層は真空成膜法でもスピンコート法で形成しても構わない。 The organic layer containing the light-emitting layer may be formed by spin coating in a vacuum film formation method. ただし、スピンコート法で形成する場合には溝構造が完全に埋め込まれてしまわないような溝の深さにする必要がある。 However, it is necessary to depth of grooves order not fully embedded in the groove structure in the case of forming by spin coating.

【0039】下記の実施例2で示す様に、溝構造を第1 [0039] As shown in Example 2 below, the groove structure first
の電極を形成した後で形成することも可能である。 It is also possible to form the electrode after forming. この場合、形成した溝から配線電極の表面が露出しないような条件で溝構造を形成することが望ましい。 In this case, under conditions such that the surface of the wiring electrodes from forming grooves not exposed it is preferable to form a groove structure. 配線電極は、Al、Al合金等の安価で低抵抗な金属材料と、C Wire electrode, Al, and inexpensive low-resistance metal material such as Al alloy, C
rや、TiN等の安定な導電体とを積層した構造とすることが望ましい。 r and, it is desirable to by laminating a stable conductor structure such as TiN. 配線電極は、発光領域以外の部分に形成することが好ましい。 Wiring electrode is preferably formed in a portion other than the light emitting region.

【0040】下記の実施例3で示す様に、第2の電極の補助配線を形成する場合には、絶縁層4を形成した後に形成することが好ましい。 [0040] As shown in Example 3 below, when forming the auxiliary wiring of the second electrode is preferably formed after forming the insulating layer 4. この場合、形成された第2の電極の補助配線は、有機層成膜時に段差被覆性が悪いため、完全には有機層で覆われることなく一部が露出し、 In this case, the auxiliary wiring of the second electrode is formed, has poor step coverage during organic layer deposition, partially exposed without completely covered with the organic layer,
この上に第2の電極層を成膜すると、その露出部分で接触・導通が図られることとなる。 When forming the second electrode layer thereon, so that the contact and conduction is achieved at the exposed portion. 補助配線の構成材料は、上記第1の電極の配線電極の場合と同様である。 The material of the auxiliary wiring is the same as in the case of the wiring electrodes of the first electrode. 補助配線は、発光領域以外の部分、特に前記絶縁層4の上に形成することが好ましい。 Auxiliary wiring portion other than the light-emitting region, it is particularly preferable to be formed on the insulating layer 4.

【0041】次に、図を参照しつつ本発明の有機EL表示装置についてより詳細に説明する。 Next, a more detailed description the organic EL display device of the present invention with reference to FIG.

【0042】図3は、本発明の有機EL表示装置の第1 [0042] Figure 3, the first organic EL display device of the present invention
の構成例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a configuration example of. 図において、本発明の有機EL表示装置は、ガラス等の基板上に形成された下地層1aに矩形ないし断面U字状の溝構造が形成されている。 In the figure, the organic EL display device of the present invention, a rectangular or U-shaped cross section of the groove structure on the base layer 1a formed on a substrate of glass or the like are formed. 第1の電極層3上には有機層5が成膜されている。 Over the first electrode layer 3 of the organic layer 5 is deposited. そして、有機層5の上には、成膜粒子7が矢印方向から飛来した場合には、図示形状のように第2の電極層6が形成される。 Then, on the organic layer 5, when the deposition particles 7 is flying from the direction of the arrow, the second electrode layer 6 is formed as shown shape. そして、形成された第2の電極層6 Then, a second electrode layer formed 6
は、溝構造2内部で成膜されない領域を有することとなり、溝構造2を挟んで2つの素子が分離されることになる。 Becomes a have a region which is not deposited within the trench structure 2, two elements to be separated across the trench structure 2.

【0043】図4は、図3において、成膜粒子7の入射角を変えた場合に、成膜される第2の電極層の状態を示したものである。 [0043] Figure 4, in FIG. 3, the case of changing the incident angle of the deposition particles 7 shows a state of the second electrode layer to be formed. 図から明らかなように、成膜粒子の入射角を変えた場合でも、溝構造内部に形成される非成膜領域の大きさが異なるだけで、他の部分には影響せず、 As apparent from the figure, even when varying the incident angle of the deposition particles, only the size of the non-deposition region formed inside the groove structures are different not affect the other parts,
素子の発光領域を狭めることもないことがわかる。 It can be seen that no narrowing the light emitting region of the device.

【0044】図5は、本発明の有機EL表示装置の第2 [0044] Figure 5 is a second organic EL display device of the present invention
の構成例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a configuration example of. この例では、溝構造2の開口付近に基板と概ね平行な方向であって、溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部8を有している。 In this example, a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of the opening of the trench structure 2 has an overhang portion 8 which projects toward the center of the trench structure. また、溝構造2は、基板上の下地層1aの上に形成している。 The groove structure 2 is formed on the underlying layer 1a on the substrate. このオーバハング部8は、溝構造2の開口部の両側に張り出した庇状に形成されている。 The overhang portion 8 is formed as an overhanging portion that protrudes on either side of the opening of the groove structure 2. 庇状のオーバハングの膜厚としては、10nm〜5μm 程度が好ましい。 The film thickness of the eaves-shaped overhang, about 10nm~5μm are preferred. なお、溝構造2の内部には、有機層5や第2の電極6の構成材料の一部が堆積するが、溝を挟んで電気的に導通することはない。 Incidentally, inside the trench structure 2, a part of the constituent material of the organic layer 5 and the second electrode 6 is deposited not be electrically conductive across the grooves.

【0045】オーバーハング部8は、例えば、次のようにして形成することができる。 The overhang portion 8, for example, can be formed as follows. 先ず、溝構造2の内部を埋めるように、塗布、スピンコート等被覆性のよい手段で第1の層を形成する。 First, so as to fill the inside of the trench structure 2, coating, forming the first layer by spin coating or the like coating having good means. その場合の第1の層の材質としては、ポリイミド、SOG膜等が好ましい。 As the material of the first layer in this case, polyimide, SOG film and the like are preferable. さらに、溝構造2内部を残して第1の層を除去し、その上に開口部21を残してオーバーハング8となる第2の層を形成し、第1の層を除去することにより形成する。 Moreover, removing the first layer leaving the groove structure 2, leaving an opening 21 forming a second layer of the overhang 8 is formed thereon by removing the first layer . 第2の層の構成材料としては、レジスト、ポリイミド、アクリル系樹脂、オレフィン系樹脂等の樹脂材料や、SiO 2 The constituent material of the second layer, the resist, polyimide, acrylic resin, or a resin material such as olefin resin, SiO 2,
SiN x 、SiON、Al 23 、SOG(spin on gla SiN x, SiON, Al 2 O 3, SOG (spin on gla
ss)膜等の無機材料が好ましい。 Inorganic materials ss) film and the like are preferable. その他の構成は図3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 The remainder of the configuration is the same as FIG. 3, the same constituent elements will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0046】図6は、本発明の有機EL表示装置の第3 [0046] Figure 6 is a third organic EL display device of the present invention
の構成例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a configuration example of. この例では、溝構造2の開口付近に基板と概ね平行な方向で、溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部8が形成され、その張り出しが溝構造2の底部方向に向かって順次小さくなるテーパー状に形成されている。 In this example, in a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of the opening of the trench structure 2 is formed overhanging portion 8 which projects toward the center of the groove structures, the overhang is gradually decrease toward the bottom direction of the groove structure 2 It is tapered. テーパー状に形成することにより、オーバーハング部8の強度が増し、その後の工程、例えば、加熱、洗浄などの工程で、オーバーハング部8が破壊され難くなる。 By tapered, it increases the strength of the overhanging portion 8, the subsequent step, for example, heating, in processes such as cleaning, comprising the overhang portion 8 is hardly destroyed.

【0047】この例のオーバーハング部8は、例えば、 The overhang section 8 of this example is, for example,
溝構造2の内部を埋めるように第1の層を形成し、その上に開口部21を残して第2の層を形成し、エッチング条件を適当に選択することにより第1の層の一部を除去して形成することができる。 The first layer is formed so as to fill the inside of the trench structure 2, leaving an opening 21 thereon to form a second layer, a portion of the first layer by selecting the etching condition appropriately it can be formed by removing the. その他の構成は図5と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 The remainder of the configuration is the same as FIG. 5, the same components will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0048】図7は、本発明の有機EL表示装置の第4 [0048] Figure 7 is a fourth organic EL display device of the present invention
の構成例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a configuration example of. この例では、溝構造2の開口付近に基板と概ね平行な方向であって、溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部8が、溝構造2の開口部の一方の側にのみ形成されている。 In this example, a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of the opening of the trench structure 2, the overhang portion 8 which projects toward the center of the groove structures, are formed on only one side of the opening of the groove structure 2 there. そして、 And,
この張り出しは、溝構造2の底部方向に向かって順次小さくなるテーパー状に形成されている。 The overhang is formed sequentially becomes smaller tapered toward the bottom direction of the groove structure 2. その他の構成は図6と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 The remainder of the configuration is the same as FIG. 6, the same components will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0049】図8は、本発明の有機EL表示装置の第5 [0049] Figure 8 is a fifth organic EL display device of the present invention
の構成例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a configuration example of. この例では、溝構造2の底部から開口部方向に突出した構造物9を有している。 In this example, it has a structure 9 that protrudes toward the opening from the bottom of the groove structure 2. この構造物9は底部と開口部で同じ大きさとなるようにしてもよく、開口部に向かって大きくなるように形成しても、底部に向かって大きくなるように形成してもよいが、素子分離の面では開口部に向かって大きくなるように形成することが好ましい。 The structure 9 may be set to be the same size at the bottom and the opening, be formed to be larger toward the opening, it may be formed to be larger toward the bottom, element it is preferable that in terms of separation is formed to be larger toward the opening. 構造物9の高さは、素子成膜面以下、特に基板上の発光領域となる部分に成膜された第2の電極層の位置以下であることが好ましい。 The height of the structure 9, the element deposition surface or less, more preferably less position of the second electrode layer formed in the portion made of a light-emitting region on a substrate.
構造物9の高さが高すぎると、溝構造位外の部位にも第2の電極の非成膜領域が生じる等、不都合が生じてくる。 If the height of the structure 9 is too high, such is also the site of the groove structure position outside the non-film-forming region of the second electrode occurs, inconvenience arises. その他の構成は図3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 The remainder of the configuration is the same as FIG. 3, the same constituent elements will not be described are denoted by the same reference numerals. また、構造物は溝構造の底部側に基部を有し、開口部側に基板面と概ね平行方向に張り出したり、幅が大きくなったりしているオーバーハング部を有する構造としてもよい。 Further, the structure has a base on the bottom side of the groove structure, generally or overhang in the direction parallel to the substrate surface on the opening side, may have a structure having an overhang portion whose width is bigger or.

【0050】構造物の材質としては、前記下地層と同様なものや、ネガ型感光性樹脂等が好ましい。 [0050] As the material of the structure, the underlying layer and the similar ones and, the negative photosensitive resin or the like are preferable. また、基部とオーバーハング部とを有する構造とする場合、基部にはポリイミド、レジスト等が好ましく、オーバーハング部にはレジスト、感光性ポリイミド等の感光性樹脂等が好ましい。 In the case of the structure having a base and an overhang portion, preferably polyimide, resist or the like is in the base, the overhang portion resist, preferably a photosensitive resin such as photosensitive polyimide.

【0051】次に、本発明の有機EL表示装置を構成する有機EL素子について説明する。 Next, a description will be given organic EL elements constituting the organic EL display device of the present invention.

【0052】本発明における有機EL素子は、例えば、 [0052] The organic EL device of the present invention, for example,
図3に示したように基板1上に第1の電極としてITO ITO as the first electrode on the substrate 1 as shown in FIG. 3
等のホール注入電極3と、1種以上の発光機能に関与する有機層5と、第2の電極として電子注入電極6とを有する。 Having a hole injection electrode 3 and the like, an organic layer 5 of participating in one or more of the light emitting function, and the electron injection electrode 6 as a second electrode. 有機層は、それぞれ、ホール注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を有する構成としてもよい。 The organic layer each, hole injecting and transporting layer, light emitting layer may have a structure having an electron injection transport layer. あるいは、この逆の積層としてもよい。 Alternatively, or a stacked the reverse.

【0053】また、例えば基板上にITO等の第1のホール注入電極と、第1のホール注入層と、第1の発光層と、第1の電子注入層と、第1の電子注入電極とを順次形成し、その上に第2の電子注入層と、第2の発光層と、第2のホール注入層と、第2のホール注入電極とを順次形成し、さらにその上に、第3のホール注入層と、 [0053] Further, a first hole injection electrode of ITO or the like on the substrate, for example, a first hole injection layer, a first light-emitting layer, a first electron injection layer, a first electron injection electrode It was sequentially formed, and a second electron injection layer thereon, and the second light-emitting layer, a second hole injection layer, a second sequentially forming a hole injection electrode, further thereon, a third and the hole injection layer,
第3の発光層と、第3の電子注入層と、第2の電子注入電極とを順次形成した構成としてもよい。 A third light-emitting layer, and the third electron injection layer may have a structure in which the second are sequentially formed an electron injection electrode.

【0054】あるいは、基板上に第1の電子注入電極と、第1の電子注入層と、第1の発光層と、第1のホール注入層と、第1のホール注入電極とを順次形成し、その上に第2のホール注入層と、第2の発光層と、第2の電子注入層と、第2の電子注入電極とを形成し、さらにその上に、第3の電子注入層と、第3の発光層と、第3 [0054] Alternatively, the first electron injection electrode, and the first electron injection layer, a first light-emitting layer, a first hole injection layer, a first hole injection electrode are sequentially formed on a substrate , and thereon the second hole injection layer, and the second light-emitting layer, a second electron injection layer, the second forming an electron injecting electrode, further thereon, a third electron injection layer , a third light-emitting layer, the third
のホール注入層と、第2のホール注入電極を有する構成としてもよい。 And the hole injection layer may be configured to have a second hole injection electrode. この場合、電子注入電極等は光透過性を確保するため、膜厚を100nm以下とすることが好ましい。 In this case, an electron injecting electrode or the like for securing optical transparency, it is preferable that the film thickness is 100nm or less. 上記複数の発光層を有する構成は、フルカラー発光や白色発光に適している。 Configuration having a plurality of light emitting layers is suitable for full-color light emission and white light.

【0055】ホール注入電極は、通常基板側の第1の電極として形成され、発光した光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電極が好ましい。 The hole injecting electrode is formed as a first electrode of the normal substrate, because it is configured to extract emitted light, transparent or translucent electrode is preferable. 透明電極としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO 2 、In 2 The transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2, In 2
3等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム) Although O 3 and the like, preferably ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide)
が好ましい。 It is preferred. ITOは、通常In 23とSnOとを化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚していてもよい。 ITO is generally contains In 2 O 3 and SnO in stoichiometric composition, O amount may deviate somewhat therefrom.

【0056】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは1 [0056] The thickness of the hole injecting electrode may if it has a certain level of thickness that enables sufficient hole injection, preferably 1
0〜500nm、さらには30〜300nmの範囲が好ましい。 0 to 500 nm, further a range of 30~300nm is preferred. また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと剥離、加工性の悪化、応力による障害、光透過性の低下や、表面の粗さによるリーク等の問題が生じてくる。 Further, the upper limit is not particularly limited, too thick, peeling, deterioration of workability, disorders caused by stress, and decrease in optical transparency, problems such as leakage is arise due surface roughness. 逆に厚さが薄すぎると、製造時の膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。 Conversely, if the thickness is too thin, manufacturing time of film strength or a hole transport capability, there is a problem in terms of resistance.

【0057】このホール注入電極層は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが好ましい。 [0057] Although this hole injecting electrode layer may formed by an evaporation method, or the like, it preferably formed by sputtering.

【0058】電子注入電極としては、低仕事関数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C [0058] As the electron injecting electrode is preferably material of a low work function, e.g., K, Li, Na, Mg, La, C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いることが好ましい。 n, a single metal element such as Zr or stability 2 component comprising them in order to improve, it is preferable to use an alloy system of the three components. 合金系としては、例えばAg・Mg(A As an alloy-based, for example, Ag · Mg (A
g:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14 g: 1~20at%), Al · Li (Li: 0.3~14
at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・ at%), In · Mg (Mg: 50~80at%), Al ·
Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。 Ca (Ca: 5~20at%) and the like are preferable. また、これらの酸化物を、電気伝導率の良好な補助電極と組み合わせて形成してもよい。 Moreover, these oxides may be formed in combination with good auxiliary electrode conductivity. なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法で形成することが可能である。 The electron injecting electrode may be formed by vapor deposition or sputtering.

【0059】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、 [0059] The thickness of the electron injection electrode thin film may be a certain level of thickness that enables sufficient electron injection, 0.1 nm or more,
好ましくは1nm以上とすればよい。 And preferably at least 1 nm. また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とすればよい。 No particular limitation is imposed on the upper limit, usually the film thickness may be about 1 to 500 nm. 電子注入電極の上には、さらに補助電極を設けてもよい。 On the electron injecting electrode may be provided with a further auxiliary electrode.

【0060】補助電極の厚さは、電子注入効率を確保し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以上、さらには100nm以上、特に100〜1000nmの範囲が好ましい。 [0060] The thickness of the auxiliary electrode, to ensure electron injection efficiency and prevent entrance of moisture, oxygen or organic solvents may be above a certain level of thickness, preferably 50nm or more, further 100nm or more, in particular range of 100~1000nm is preferred. 補助電極層が薄すぎると、その効果が得られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。 When the auxiliary electrode layer is too thin, its effect can not be obtained, also becomes low step coverage of the auxiliary electrode layer, the connection to the terminal electrode is not sufficient. 一方、 on the other hand,
補助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が速くなってしまう。 When the auxiliary electrode layer is too thick, the stress of the auxiliary electrode layer is increased, the growth rate of dark spots becomes faster.

【0061】電子注入電極と補助電極とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100 [0061] As the whole of the combination of the electron injecting electrode auxiliary electrode thickness is not particularly limited, usually 100 to 100
0nm程度とすればよい。 It may be about 0nm.

【0062】電極成膜後に、前記補助電極に加えて、S [0062] After the electrode film formation, in addition to the auxiliary electrode, S
iO X等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。 inorganic materials iO X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine. 保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは50〜1200nm程度とする。 Protective film may be transparent or opaque, the thickness of the protective layer is about 50 to 1,200 nm. 保護膜は、前記の反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、PECVD法等により形成すればよい。 Protective film, in addition to the reactive sputtering, a general sputtering method, an evaporation method, may be formed by a PECVD method or the like.

【0063】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐために、素子上に封止層を形成することが好ましい。 [0063] Further, in order to prevent oxidation of the organic layers and electrodes of the element, it is preferable to form a sealing layer on the device. 封止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層を用いて、封止板を接着し密封する。 Sealing layer to prevent moisture penetration, using an adhesive resin layer, to adhere the sealing plate sealing. 封止ガスは、Ar、H Sealing gas, Ar, H
e、N 2等の不活性ガス等が好ましい。 e, an inert gas such as N 2 is preferable. また、この封止ガスの水分含有量は、100 ppm以下、より好ましくは10 ppm以下、特には1 ppm以下であることが好ましい。 The water content of the sealing gas, 100 ppm or less, more preferably 10 ppm or less, and particularly preferably less than 1 ppm. この水分含有量に下限値は特にないが、通常0.1 The lower limit is not particularly this water content is generally 0.1
ppm程度である。 It is on the order of ppm.

【0064】封止板の材料としては、好ましくは平板状であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。 [0064] As the material of the sealing plate, preferably a plate-like, glass, quartz, of transparent or translucent material such as resins, particularly glass is preferred. このようなガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ましいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス組成のものも好ましい。 As such glass material, although alkali glass in terms of cost is preferred, In addition, soda-lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, also preferred glass composition of the silica glass. 特に、ソーダガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、 In particular, soda glass, glass material can be used at low cost without surface treatment,
好ましい。 preferable. 封止板としては、ガラス板以外にも、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。 The sealing plate, in addition to a glass plate, a metal plate, it is also possible to use a plastic plate or the like.

【0065】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整し、所望の高さに保持してもよい。 [0065] sealing plate, using a spacer for height adjustment, may be held at a desired height. スペーサーの材料としては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好ましい。 The spacer material may be resin beads, silica beads, glass beads, glass fibers and the like, particularly glass beads are preferable. スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であるが、その形状は特に限定されるものではなく、スペーサーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状であってもよい。 The spacer is usually a uniform granulate particle diameters, the shape is not limited in particular, it may be of various shapes as long as not interfering with the function as a spacer. その大きさとしては、円換算の直径が1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜 As the size of the diameter of the equivalent circle is 1 to 20 [mu] m, more preferably 1 to 10 [mu] m, in particular 2 to
8μm が好ましい。 8μm is preferable. このような直径のものは、粒長10 Those of such a diameter, grain length 10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に規制されるものではないが、通常直径と同程度以上である。 Preferably 0μm a degree or less, the lower limit is not particularly restricted, and usually the diameter about the same or more.

【0066】なお、封止板に凹部を形成した場合には、 [0066] Incidentally, in the case of forming a recess in the sealing plate,
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。 Spacer be used, may not be used. 使用する場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、 Preferred size when used, may but said range,
特に2〜8μm の範囲が好ましい。 In particular in the range of 2~8μm it is preferred.

【0067】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入されていても、接着時に混入してもよい。 [0067] spacer be incorporated in advance encapsulation adhesive may be mixed at the time of bonding. 封止用接着剤中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01 The content of the spacer in the sealing adhesive is preferably 0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。 30 wt%, more preferably 0.1-5 wt%.

【0068】接着剤としては、安定した接着強度が保て、気密性が良好なものであれば特に限定されるものではないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。 [0068] As adhesives, maintain stable bond strength, but is not limited particularly as long as good airtightness, it is preferable to use a cation curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive .

【0069】基板材料としては特に限定するものではなく、積層する有機EL構造体の電極の材質等により適宜決めることができ、例えば、Al等の金属材料や、ガラス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂などを用いることができる。 [0069] not particularly limited as a substrate material, can be appropriately determined according to the material of the organic EL structure of the electrode to be laminated, for example, or a metal material such as Al, glass, to not transparent such as quartz or resin translucent material, or may be opaque, other glass in this case, those subjected to insulation treatment such as surface oxidation ceramic such as alumina, a metal sheet such as stainless steel, a thermosetting resin such as phenol resin , or the like can be used thermoplastic resins such as polycarbonate.

【0070】次に、有機EL素子に設けられる有機物層について述べる。 Next, described organic layer provided on the organic EL element.

【0071】発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。 [0071] The light-emitting layer has holes and electrons in the injection function, a function of their transport function, to create excitons recombining holes and electrons. 発光層には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。 The light-emitting layer, it is preferable to use a relatively electronically neutral compound.

【0072】ホール注入輸送層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、 [0072] hole injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of holes from the hole injecting electrode, those having a function of preventing function and the electron transporting them stably Hall,
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものである。 Electron injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of electrons from the electron injecting electrode has a function to stably transport electrons and function blocking holes. これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。 These layers are effective for increasing the holes and electrons injected into the light emitting layer and confining therein for optimizing the recombination region to improve light emission efficiency.

【0073】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm [0073] thickness of the light emitting layer, the thickness of the thickness and the electron injecting and transporting layer of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited, varies depending on forming method, usually 5~500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。 Extent, it is preferable that the particular 10 to 300 nm.

【0074】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすればよい。 [0074] The thickness of the thickness of the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer, depending on the recombination-emission region of the design may be the same degree as the thickness of the light-emitting layer or a 1 / 10-10 times. ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。 If separating the the injection layer of each of the hole or electron transport layer, injection layer is 1nm or more and the transporting layer is preferably not less than 1nm. このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm Injection layer of this time, the upper limit of the thickness of the transport layer is generally, 500 nm approximately at injection layer, 500 nm in transport layer
程度である。 It is the degree. このような膜厚については、注入輸送層を2層設けるときも同じである。 For such a film thickness, it is also the same when providing two injecting and transporting layers.

【0075】発光層には発光機能を有する化合物である蛍光性物質が用いられる。 [0075] fluorescent substance in the light-emitting layer is a compound capable of emitting light can be used. このような蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−264692号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。 Examples of such a fluorescent substance, for example, compounds as disclosed in JP-A-63-264692, for example quinacridone, rubrene, at least one can be cited are selected from compounds such as styryl dyes. また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、 Further, tris (8-quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or a derivative thereof, such as aluminum and metal complex dyes as ligands,
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、 Tetraphenyl butadiene, anthracene, perylene,
コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられる。 Coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. さらには、特開平8−12600号公報(特願平6 Further, JP-A 8-12600 Patent Publication (Hei 6
−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平6−1144 Phenyl anthracene derivative described in JP -110569), Japanese Patent 8-12969 discloses (Hei 6-1144
56号)に記載のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。 Etc. tetraarylethene derivatives described in No. 56) can be used.

【0076】また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。 [0076] Further, it is preferable to use in combination with light emission by itself, that can host material, used as a dopant is preferable. このような場合の発光層における化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0. Content 0.01-10 wt% of the compound in the light emitting layer in such a case, further 0.
1〜5wt% であることが好ましい。 It is preferable that the 1~5wt%. ホスト物質と組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。 By using in combination with the host material, it is possible to change the light emission wavelength of the host material, allowing light emission to be shifted to a longer wavelength and improving the luminous efficiency and stability of the device.

【0077】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。 [0077] As the host material, preferably quinolinolato complexes, and aluminum complexes containing a ligand of 8-quinolinol or a derivative thereof. このようなアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469 Such aluminum complexes, JP 63-26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073 No. 2, JP-A-3-255190, JP-A 5-7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158 No. 3, JP-A-5-258859, JP-A 6-2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。 It may be mentioned those disclosed in 74 No. like.

【0078】具体的には、まず、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、 [0078] Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ− Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolato tritium, tris (5-chloro -
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8− 8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ− Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris (5,7-dibromo -
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]等がある。 8-hydroxy-quinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) - bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.

【0079】また、8−キノリノールまたはその誘導体のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であってもよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル− [0079] Further, it may be an aluminum complex having other ligands in addition to 8-quinolinol or its derivatives, as such may, bis (2-methyl -
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III) 8-quinolinolato) (phenolato) aluminum (III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト− , Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho -
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル− Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl -
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム 8-quinolinolato) (Metakurezorato) aluminum
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト) (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para - Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho - phenylphenolato)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meta - phenylphenolato) aluminum (II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ− I), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para -
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2− Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト) Methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl - 8-quinolinolato)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、 (3,4-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III),
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8 Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di -tert- butyl phenolate Ratn) aluminum (III ), bis (2-methyl-8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト) - quinolinolato) (2,6-diphenyl-phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl - 8-quinolinolato)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I (2,3,6-trimethyl phenol Ratn) aluminum (I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2, II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I 3,5,6-tetramethyl-phenolate Ratn) aluminum (I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナフトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8 II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-Nafutorato) aluminum (III), bis (2-methyl-8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II - quinolinolato) (2-Nafutorato) aluminum (II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト) I), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、 (Ortho - phenylphenolato) aluminum (III),
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ− Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para -
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2, Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8 4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta - phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2, 4- dimethyl -8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、 - quinolinolato) (3,5-di -tert- butyl phenolate Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para - Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl -4-methoxy-8-quinolinolato) (para - phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) (ortho - Kurezorato) aluminum (III),
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等がある。 Bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-Nafutorato) is aluminum (III) and the like.

【0080】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2− [0080] In addition, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo - bis (2-
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム Methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル− (III)-.mu.-oxo - bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (4-ethyl -
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) − 2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4 μ- oxo - bis (4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト) - methoxy quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo - bis (2-methyl-4-methoxy-quinolinolato)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル− Aluminum (III), bis (5-cyano-2-methyl -
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ− 8-quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo -
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ Bis (5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (8-2-methyl-5-trifluoromethyl-quinolinolato) aluminum (III) - [mu]
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であってもよい。 - oxo - bis (8-2-methyl-5-trifluoromethyl-quinolinolato) may be an aluminum (III) and the like.

【0081】このほかのホスト物質としては、特開平8 [0081] As the other host materials, JP-8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296 Phenyl anthracene derivative, JP-A according to -12600 Patent Application (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569) 8-1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。 Such tetraarylethene derivatives described in 9 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456) is also preferred.

【0082】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 [0082] The light emitting layer may also serve as an electron injecting and transporting layer, it is preferable this case to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。 These fluorescent materials may be evaporated.

【0083】また、発光層は、必要に応じて、少なくとも1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、 [0083] The light-emitting layer, if necessary, it is also preferable to mix layers of at least one hole injecting and transporting compound and at least one electron injecting and transporting compound,
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。 Further it is preferable to incorporate a dopant into the mixed layer. このような混合層における化合物の含有量は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。 The content of the dopant compound in the mixed layer, 0.01 to 20%, more preferably in a 0.1 to 15%.

【0084】混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命がのびるという利点がある。 [0084] In the mixed layer with a hopping conduction path available for carriers, each carrier migrates in the polar favorable materials, it becomes difficult to occur carrier injection of a reverse polarity, the organic compound becomes less susceptible to damage , there is an advantage that extend the device life. また、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、素子の安定性を向上させることもできる。 In addition, by incorporating into such a mixed layer of the aforementioned dopant, it is possible to change the emission wavelength the mix layer itself possesses, with the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, increasing the luminous intensity, it is also possible to improve the stability of the device.

【0085】混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。 [0085] hole injecting and transporting compound used in the mixed layer and the electron injecting and transporting compound, respectively, may be selected from compounds and compounds for the electron injection transport layer for the hole injecting and transporting layer to be described later. なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、 Among them, as the compounds for the injection and transportation of holes, amine derivatives having strong fluorescence,
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 Triphenyl diamine derivative such as hole transport material, further styrylamine derivative is preferable to use amine derivatives having an aromatic fused ring.

【0086】電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好ましい。 [0086] As the compounds capable of injecting and transporting electrons include quinoline derivatives, further metal complexes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, it is particularly preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。 The aforementioned phenylanthracene derivatives, also to use a tetraarylethene derivatives.

【0087】この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90〜90/10、特に好ましくは20/80 [0087] The mixing ratio in this case will depend on the respective carrier mobility and carrier concentration, in general, the weight ratio of the compound having the compound / electron injection transport function of the hole injecting and transporting compound is 1/99 to 99/1, more preferably 10 / 90-90 / 10, particularly preferably 20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。 It is preferable to be about 80/20.

【0088】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましい。 [0088] The thickness of the mixed layer above thickness corresponding to more molecular layers, is preferably less than the thickness of the organic compound layer. 具体的には1〜85nmとすることが好ましく、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好ましい。 Preferably to 1~85nm Specifically, further 5 to 60 nm, particularly it is preferable that the 5 to 50 nm.

【0089】また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。 [0089] Further, the mixed layer is formed by co-evaporation where the selected compounds are evaporated from different evaporation sources. If the vapor pressure (evaporation temperature) is approximately equal or very close, are mixed in advance in the same evaporation boat leave, it can also be deposited. 混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。 Mixed layer is preferably Write compounds are uniformly mixed together, in some cases, may be one compound is present in an island shape. 発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。 Emitting layer is generally either evaporating an organic fluorescent material or by coating a dispersion thereof in a resin binder, forming the light emitting layer to a predetermined thickness.

【0090】また、ホール注入輸送層には、例えば、特開昭63−295695号公報、特開平2−19169 [0090] Further, the hole injecting and transporting layer, for example, JP 63-295695, JP-A No. 2-19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234 4 JP, Hei 3-792, JP Hei 5-234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−299174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100 681, JP-A No. 5-239455, JP-A No. 5-299174, JP-A No. 7-126225, JP-A No. 7-126226, JP-A No. 8-100
172号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。 172 JP, can be used various organic compounds described in EP0650955A1, and the like. 例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。 Examples are tetraarylbenzidine compounds (triaryldiamine or triphenyl-diamine: TPD), aromatic tertiary amines, hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group is the polythiophene . これらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。 These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof. 2種以上を併用するときは、別層にして積層したり、混合したりすればよい。 When used in combination of two or more kinds, or stacked as separate layers, it may be or mixed.

【0091】ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。 [0091] When the hole injecting and transporting layer double-layered structure divided into a hole injecting layer and the hole transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the injection and transportation of holes. このとき、ホール注入電極(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate the hole injecting electrode (ITO, etc.) side in the order of a compound having a lower ionization potential. また、ホール注入電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。 Further, the hole injecting electrode surface it is preferable to use a compound having good thin film forming ability. このような積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination holds for the provision of the hole injecting and transporting layers. このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。 With such a stacking order, a driving voltage is reduced, it is possible to prevent the development and growth of dark spots of the current leakage. また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一かつピンホールフリーとすることができるため、 Also, when a device is produced, it is possible to thin films of about 1~10nm also a uniform and pinhole-free because of the use of vapor deposition,
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。 Low ionization potential in the hole injection layer, be a compound such as having an absorption in the visible part, it is possible to prevent a decrease in efficiency due tone change and re-absorption of emission color. ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。 Hole injection transport layer can be formed by depositing the above compound in the same way as the light emitting layer or the like.

【0092】また、必要に応じて設けられる電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。 [0092] Further, the electron injecting and transporting layer which is provided if necessary, tris (8-quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or its derivatives as aluminum (Alq3) or the like including an organic metal complex having a ligand, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, can be used nitro-substituted fluorene derivatives. 電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 Electron injecting and transporting layer may also serve as a light emitting layer, in such a case it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. 電子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によればよい。 Forming the electron injection transport layer, like the light-emitting layer may according to the vapor deposition or the like.

【0093】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。 [0093] When the electron injecting and transporting layer is formed separately as an electron injecting layer and the electron transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the electron injection transport layer. このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate an electron injection electrode side in the order of a compound having a greater electron affinity. このような積層順については、電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination also applies where a plurality of electron injecting and transporting layers.

【0094】上記有機層中、ホール注入輸送層や、電子注入輸送層等を無機材料により形成してもよい。 [0094] The organic layer, or a hole injection transport layer, the electron injecting and transporting layer or the like may be formed of an inorganic material.

【0095】ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、 [0095] hole injecting and transporting layer, since the formation of the light-emitting layer and the electron injecting and transporting layer, a homogeneous thin films are available,
真空蒸着法を用いることが好ましい。 Vacuum deposition method is preferably used. 真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm By utilizing vacuum evaporation, it is amorphous or has a crystal grain size is 0.2μm
、特に0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。 , Uniform thin film can be obtained, especially following 0.1 [mu] m. 結晶粒径が0.2μm 、特に0.1μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著しく低下する。 When the crystal grain size is 0.2 [mu] m, in particular greater than the 0.1 [mu] m, uneven light emission would have to increase the driving voltage of the device, also significantly reduced injection efficiency of the hole.

【0096】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1 [0096] conditions of vacuum deposition is not particularly limited, 1
-4 Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/ 0 -4 and a degree of vacuum below Pa, the deposition rate 0.01 to 1 /
sec 程度とすることが好ましい。 It is preferable that the order of sec. また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。 Further, it is preferable to form the layers continuously in a vacuum. 真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。 Be formed continuously in a vacuum, since the impurities in the interface between the layers can be prevented from being adsorbed, high characteristics are obtained. また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりすることができる。 It can also lower the driving voltage of the device, or can suppress the occurrence and growth of dark spots.

【0097】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。 [0097] In the case of using the vacuum evaporation method for the formation of these layers, if to contain two or more compounds in one layer, it is preferable that co-evaporation with each boat containing compound individually temperature controlled.

【0098】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。 [0098] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or may control the luminescent color by using the dielectric reflective film. この場合、下地層はこれらの機能膜とは別に形成される。 In this case, the base layer is formed separately from these functional films.

【0099】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、 [0099] The color filter film used herein may be a color filter as used in liquid crystal displays and the like,
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。 In accordance with the light emission of the organic EL element to adjust the properties of a color filter may be to optimize the extraction efficiency and color purity.

【0100】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収するような短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上する。 [0100] Further, EL device materials and fluorescence conversion layer by using the short wavelength color filter capable of cutting off extraneous light of such light absorption is also improved light resistance and display contrast of the device.

【0101】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしても良い。 [0102] may also be used instead of the color filter of the optical thin film such as a dielectric multilayer film.

【0102】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行うものであるが、組成としては、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成される。 [0102] fluorescent conversion filter film absorbs light of EL emission, by emitting light from the phosphor in the fluorescent conversion film, but performs a color conversion of light emission colors, as the composition, a binder, fluorescent material is formed from three light-absorbing material.

【0103】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いことが望ましい。 [0103] Fluorescent material used may basically have a high fluorescent quantum yield and desirably exhibits strong absorption in an EL light emission wavelength region. 実際には、レーザー色素などが適しており、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系化合物等を用いればよい。 In practice is a laser dye suitable, rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (sub phthalocyanine including also) naphthalimide compounds, fused ring hydrocarbon compounds, fused heterocyclic compounds - styryl compounds, and coumarin compounds with may be used.

【0104】バインダーは、基本的に蛍光を消光しないような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。 [0104] The binder may be selected from materials which do not cause extinction of basically fluorescent, those materials which can be finely patterned by photolithography, printing or the like are preferable. また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。 In addition, ITO, a material that is not damaged during the formation of the IZO preferred.

【0105】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りない場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良い。 [0105] The light absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is short and may be omitted if unnecessary. また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しないような材料を選べば良い。 The light absorbing material may also be selected from materials which do not cause extinction of fluorescence of the fluorescent material.

【0106】有機EL素子は、直流駆動やパルス駆動され、また交流駆動も可能である。 [0106] The organic EL element, a direct current drive and is pulsed, also are possible AC drive. 印加電圧は、通常、2 The applied voltage is generally 2
〜30V 程度である。 It is about ~30V.

【0107】 [0107]

【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。 EXAMPLES The following examples illustrate the present invention more specifically. 〔実施例1〕図9に示すように、ガラス基板上に配線電極としてAl(11b)/Cr(11a)をスパッタ法でそれぞれ300nm、200nmの膜厚に連続成膜した。 Example 1 As shown in FIG. 9, was continuously formed Al (11b) / Cr (11a) as a wiring electrode on a glass substrate, respectively by sputtering 300 nm, a film thickness of 200 nm.
さらに、フォトリソグラフィーにより図9に示すような配線電極パターンを形成した。 Further, in forming the interconnection electrode pattern as shown in FIG. 9 by photolithography. なお、図9において、 In FIG. 9,
(A)は平面図、(B)は(A)の断面A−A'矢視図である(以下図12まで同様)。 (A) is a plan view, (B) is a sectional A-A 'arrow view of (A) (similar to below 12).

【0108】次いで、図10に示すように、溝を形成するための下地層1b(絶縁膜)としてSOG膜を1.5 [0108] Then, as shown in FIG. 10, an underlying layer 1b (insulating film) as a SOG film for forming a groove 1.5
μm の膜厚に成膜した。 It was formed into a film having a thickness of μm. フォトリソグラフィーにより、 By photolithography,
後に形成するITO透明導電膜と配線電極とを接続するためのコンタクトホール13を形成した。 After a contact hole 13 for connecting the ITO transparent conductive film and a wiring electrode to form formed on. このとき同時に溝2も形成した。 In this case the simultaneous groove 2 also forms. このエッチングは、Cr(11a) This etching, Cr (11a)
表面が露出するようにドライエッチングを行い、溝部分のむき出しになった配線電極11の側面にSOGを残すようにした(図示せず)。 Surface dry etching is performed to expose, and to leave SOG on the side surface of the wiring electrode 11 became exposed groove portions (not shown).

【0109】次に、図11に示すように、第1の電極層3としてITO(錫ドープ酸化インジウム)をスパッタ法で100nm成膜し、島状にパターニングし、画素電極(第1の電極)3とした。 [0109] Next, as shown in FIG. 11, ITO (tin-doped indium oxide) and 100nm formed by sputtering as a first electrode layer 3 is patterned into an island shape, the pixel electrode (first electrode) 3 and it was. この例では、縦の列のグループの画素電極は、1本の配線電極11を介してそれぞれ接続され、電気的に導通している。 In this example, the pixel electrodes of the vertical column group are connected respectively via one wiring electrodes 11 are electrically conducted.

【0110】次いで、図12に示すように、ポリイミド12を塗布し、現像液でエッチングできるようにするために、半硬化状態になる温度(100〜150℃)で処理した。 [0110] Then, as shown in FIG. 12, the polyimide 12 is applied, in order to be able to etch a developing solution, and treated at a temperature (100 to 150 ° C.) to become a semi-cured state. さらに、図13に示すように、フォトレジスト13を用い、溝を埋めるようにパターニングした。 Furthermore, as shown in FIG. 13, using the photoresist 13 was patterned to fill the groove. なお、図13は、図12のC−C'断面矢視図である。 FIG. 13 is a C-C 'sectional view on arrows of FIG. 12.

【0111】引き続き図14に示すように、レジスト1 [0111] Subsequently, as shown in FIG. 14, resist 1
4を塗布し、庇が形成されるようにパターニングした。 4 was coated and patterned as eaves is formed.
この際、ポリイミド12が一部だけエッチングされ、基板側にやや残るような現像時間で処理することで、図1 In this case, the polyimide 12 is etched only partially, by treatment with a development time as slightly remains on the substrate side, Fig. 1
5に示すような形状とすることができた。 It could be shaped as shown in 5. なお、図15 It should be noted that, as shown in FIG. 15
は、図14のC−C'断面矢視図である。 Is a C-C 'sectional view on arrows of FIG. 14.

【0112】次いで、図16に示すように、発光層を含む有機層5を蒸着法にて成膜した。 [0112] Then, as shown in FIG. 16, and forming an organic layer 5 comprising a light-emitting layer by an evaporation method. まず、ホール注入層およびホール輸送層としN,N´−ビス(m−メチルフェニル)−N,N´−ジフェニル−1,1´−ビフェニル−4,4´−ジアミン(N,N'-bis(m-methyl pheny First, the hole injection layer and a hole transport layer N, N'-bis (m-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (N, N'-bis (m-methyl pheny
l)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine以下T l) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine following T
PDと略す)を、発光層兼電子輸送層としてトリス(8 The abbreviated as PD), tris-emitting layer and an electron transport layer (8
−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(tris (8-hydro - hydroxyquinoline) aluminum (tris (8-hydro
xyquinoline)以下Alq3 と略す)を基板を回転させながら成膜した。 The abbreviated Xyquinoline) less Alq3) was deposited while rotating the substrate. 膜厚はそれぞれ、50nm、50nmにした。 Each of the film thickness, 50nm, was to 50nm.

【0113】さらに、真空を破らずに連続して第2の電極6としてMg/Ag合金(重量比10:1)を蒸着した。 [0113] Furthermore, Mg / Ag alloy as the second electrode 6 in succession without breaking the vacuum (weight ratio 10: 1) was deposited. 膜厚は200nmにした。 The film thickness was to 200nm. 第2の電極6の成膜は溝部分を完全に覆わないように基板を回転させずに溝の延びる方向と概ね垂直な方向から斜方蒸着した。 Deposition of the second electrode 6 is obliquely deposited from a direction generally perpendicular to the direction of extension of the groove without rotating the substrate so as not to completely cover the groove portion.

【0114】本発明はその趣旨から明らかなようにこの実験例で用いた有機EL素子構成膜及びその積層順序に限るものではなく、ホール注入層、発光層、第2の電極に他の材料を用いてもよく、さらにホール注入層、電子輸送層、電子注入層などを形成し多層構造としても良い。 [0114] The present invention is not limited to the organic EL device structure layer and stacking order was used in Experimental Example As is apparent from its spirit, hole injection layer, light emitting layer, other materials for the second electrode may be used, further a hole injection layer, an electron transport layer to form an electron injection layer may have a multilayer structure. 言い換えると成膜される材料の種類、構造によらず適用できる。 In other words the type of material to be deposited can be applied regardless of the structure. さらに、PPV(poly phenylene vinylen In addition, PPV (poly phenylene vinylen
e)等の塗布する事により膜を形成することができる有機発光材料においては、材料の流動性から埋められて溝の深さが浅くなるが、充分な深さの溝を形成すれば適用可能である。 In the organic light-emitting material capable of forming a film by applying the e) or the like, although the depth of the groove is filled from flowable material becomes shallow, applicable by forming a groove of sufficient depth it is. 一般的にはこの塗布型の材料の膜厚は10 The thickness of typically this coating type material is 10
0nm前後であるため、500nm以上の溝の深さがあれば十分である。 Since 0nm is around, it is sufficient depth of 500nm or more grooves.

【0115】〔実施例2〕実施例1においてポリイミド12による溝埋めの後に、SiO 2をスパッタ法を用いて100nm成膜し、引き続き第2の電極6の補助電極1 [0115] After filling the grooves by polyimide 12 in Example 2 Example 1, the SiO 2 to 100nm formed by a sputtering method, subsequently auxiliary electrode 1 of the second electrode 6
5としてAlを1500nm成膜した。 The Al was 1500nm formed as 5. レジストでパターンを形成して、Alを45℃に加熱したリン酸、硝酸、 Resist to form a pattern, the phosphoric acid was heated Al to 45 ° C., nitric acid,
酢酸混合液でエッチングした。 It was etched with acetic acid mixture. この際に十分にエッチング時間を長くし、レジストパターン14より片側2μm Sufficiently long etching time during this, one 2μm from the resist pattern 14
小さくなるようにした。 It was set to be smaller. さらに、ドライエッチングにより、SiO 2をエッチングし、引き続きアッシングを行うことで実施例1と同様のアンダーカット付きの溝を形成した。 Furthermore, by dry etching, the SiO 2 etching, continued to form a groove with a similar undercut in Example 1 by performing the ashing. こうして、図17に示すように、自己整合的にレジスト14のパターンよりひとまわり小さいAlの補助電極15パターンが形成された。 Thus, as shown in FIG. 17, the auxiliary electrode 15 pattern of slightly smaller Al than the pattern of the self-aligned manner resist 14 is formed.

【0116】さらに、やはり実施例1と同様に、発光層を含む有機層5を形成し、第2の電極6を70nm、スパッタ法で成膜した。 [0116] Further, also similarly to Example 1, to form an organic layer 5 comprising a light-emitting layer was formed a second electrode 6 70 nm, by sputtering. 図17に示すように、レジスト14 As shown in FIG. 17, resist 14
上に形成された補助電極15は90°に近い段差に形成されたため、有機層5は被覆しきれず、結果として、補助電極15と第2の電極6は電気的に導通した。 Since the auxiliary electrode 15 formed on the formed stepped close to 90 °, the organic layer 5 is not completely covered, as a result, the auxiliary electrode 15 and the second electrode 6 electrically conductive.

【0117】第2の電極6の膜厚が薄く、充分低抵抗にならないにも関わらず、補助電極15が電圧降下を防いだため、画面全体にわたってムラの少ない表示が可能になった。 [0117] film thickness is thin in the second electrode 6, despite not sufficiently low resistance, the auxiliary electrode 15 for prevented the voltage drop has enabled small display unevenness across the entire screen.

【0118】〔実施例3〕この例では、配線電極の作成条件は、実施例1と同様であるため省略する。 [0118] EXAMPLE 3 In this example, preparation conditions of the wiring electrodes is omitted because it is similar to Example 1. ただし、 However,
溝部分に形成された配線電極は、2〜3μm の太さのパターンとした。 Wiring electrodes formed in the groove portion was set to the thickness of the pattern of 2 to 3 [mu] m. また、図では、溝部分に着目して示した。 Further, in the figure, indicated by paying attention to the groove portion.

【0119】図18に示すように、ガラス基板1上に、 [0119] As shown in FIG. 18, on a glass substrate 1,
2μm 厚の黄色カラーフィルター12dを塗布し、溝構造2が形成されるようにパターニングした。 The 2μm thick yellow color filter 12d is applied and patterned so as groove structure 2 is formed. 次いで、図19に示すように、第1の電極3として、ITOを成膜後パターニングした。 Then, as shown in FIG. 19, as the first electrode 3 it was patterned after forming the ITO.

【0120】次に、図20に示すように、構造物基部9 [0120] Next, as shown in FIG. 20, the structure base 9
aとして、ポリイミドを1μm 塗布し、120℃で1時間乾燥し、さらに、図21に示すように、構造物オーバーハング部9bとして、ネガレジストを1μm 塗布し、 As a, a polyimide was 1μm coated, dried 1 hour at 120 ° C., further, as shown in FIG. 21, a structure overhanging portion 9b, a negative resist was 1μm coating,
乾燥した。 Dry. 基板1側から露光すれば、溝構造2の部分のみが露光されるため、現像すると図22のような溝構造2の中にオーバーハング部9bを有する素子分離の構造物9が形成された。 If exposed from the substrate 1 side, because only part of the trench structure 2 is exposed, the structure 9 of the isolation having an overhang portion 9b in the groove structure 2 as shown in FIG. 22 is formed is developed. この際、迷光を利用し、配線電極上のネガレジストも感光するように充分な量の光で露光することが望ましい。 At this time, by using the stray light, negative resist on the wiring electrodes may be desirable to expose a sufficient amount of light to photosensitive. なお、この例では基板1の裏面側から露光した例を示したが、膜面(表面)側から露光することも可能である。 Note that although an example of exposing from the back side of the substrate 1 in this example, it is also possible to expose the film surface (surface) side.

【0121】〔実施例4〕実施例3と同様にポリイミドの塗布までを行い、さらに実施例1のように溝部分にのみポリイミドを残した。 [0121] performed to a similar coated polyimide as Example 4 Example 3, leaving a polyimide only more groove portions as in Example 1. この残したポリイミドが現像液に溶けないように200℃でさらに硬化させた。 The remaining polyimide was shown further cured at 200 ° C. so as not soluble in the developer. 次に、 next,
ポジレジストを塗布し、乾燥させた。 The positive photoresist is coated and dried. 溝構造2を覆うようなマスクで露光した後に、やはり裏面から露光し、現像した。 After exposure by a mask to cover the groove structure 2, also exposed from the rear surface, and developed. 図23に示すように、溝構造2のテーパー部分が紫外光を遮蔽するため、オーバーハング部8を有する溝構造2が形成された。 As shown in FIG. 23, since the tapered portion of the trench structure 2 to shield the ultraviolet light, groove structure 2 having an overhang portion 8 is formed.

【0122】〔実施例5〕この実施例では対角2.5インチ、ドット数640×480のディスプレイを作製した例を示す。 [0122] In Example 5 This example illustrates an example of manufacturing diagonal 2.5 inches, the display dot number 640 × 480. 1ドットのサイズは80μm ×80μm と非常に小さく、基板上の素子成膜面より突出した素子分離構造を用いると有効発光領域が非常に小さくなってしまう。 1 dot size of 80 [mu] m × 80 [mu] m and a very small, the effective light emitting area becomes very small when using a device isolation structure projecting from the element deposition surface of the substrate. こうした高精細さが要求される場合に、本発明は非常に有効である。 If such high resolution is is required, the present invention is very effective.

【0123】まず、図24に示すように、清浄な透明ガラス基板上にAl−Sc(11c)を1.5μm 、Cr [0123] First, as shown in FIG. 24, 1.5 [mu] m the Al-Sc (11c) to a clean transparent glass substrate, Cr
(11a)を0.2μm 連続成膜し、ドライエッチング法でパターニングし、配線電極11を形成した。 The (11a) and 0.2μm continuously deposited, patterned by dry etching to form a wiring electrode 11. なお、 It should be noted that,
図24において、(A)は平面図、(B)は断面B− In FIG 24, (A) is a plan view, (B) is a sectional B-
B'矢視図である(以下図27まで同様)。 B 'is an arrow view (similar to below 27).

【0124】さらに、図25に示すように、下地層1c [0124] Further, as shown in FIG. 25, the base layer 1c
として透明度の高い感光性アクリル樹脂を厚さ3μm の膜厚に形成した。 The highly transparent photosensitive acrylic resin as formed in the thickness of thick 3 [mu] m. この下地層1cにはコンタクトホール13が形成されており、次に形成される第1の電極層3 This is the base layer 1c and the contact hole 13 is formed, the first electrode layer 3 subsequently formed
と配線電極11が接続される構造になっている。 Wiring electrodes 11 has a structure to be connected with.

【0125】次に、図26に示すように、第1の電極3 [0125] Next, as shown in FIG. 26, the first electrode 3
として、実施例1と同様にITOを成膜した。 As it was deposited ITO in the same manner as in Example 1. ITOは前述のようにコンタクトホール13を介して配線電極1 ITO via the contact hole 13 as described above wiring electrode 1
1と接続されるように配置した。 It was arranged to be connected 1. また、それぞれの画素のITOは、図26(A)に示すように、島状にパターニングした。 Further, the ITO of each pixel, as shown in FIG. 26 (A), was patterned in an island shape.

【0126】さらに、図27,図28に示すように、絶縁層4としてSiO 2をスパッタ法で300nm成膜し、 [0126] Further, FIG. 27, as shown in FIG. 28, the SiO 2 was 300nm formed by sputtering as the insulating layer 4,
コンタクトホール部と、溝を形成したい部分の両側に残るようにパターニングした。 And contact holes were patterned to remain on both sides of the portion to form a groove. なお、図28は図27 It should be noted that FIG. 28 Figure 27
(A)の断面C−C'矢視図である。 It is a cross-sectional C-C 'arrow view of (A). SiO 2のエッチングはドライエッチング法で行い、図27,図28に示すように、パターン端が10〜30°のテーパー角になるようにエッチングした。 Etching of SiO 2 is performed by a dry etching method, FIG. 27, as shown in FIG. 28 was etched so that the pattern edge becomes the taper angle of 10 to 30 °. エッチング条件は、RFパワー2 W/cm 2 、CF 4 /O 2 =80/20sccm、ガス圧100 mTorr(13.3Pa)、で行い、2分間処理した。 Etching conditions, RF power 2 W / cm 2, CF 4 / O 2 = 80 / 20sccm, the gas pressure 100 mTorr (13.3 Pa), performed at, and for 2 minutes.
画素部分にはITOの表面と、アクリル樹脂膜の表面が露出した。 And the surface of ITO to the pixel portion, the exposed surface of the acrylic resin film.

【0127】引き続き、真空を破らずに、RFパワー2 [0127] Subsequently, without breaking the vacuum, RF power 2
W/cm 2 、O 2 =100sccm、ガス圧500 mTorr(6 W / cm 2, O 2 = 100sccm, the gas pressure 500 mTorr (6
6.7Pa)で、2分間アッシングした。 In 6.7Pa), ashing was carried out for 2 minutes. この際、フォトレジストとともに、図29に示すように露出した下地層1cもアッシングされ、溝が形成されるのみならず、絶縁層4の下にアンダーカットを有する溝構造2が形成された。 At this time, together with the photoresist, the exposed underlying layer 1c as shown in FIG. 29 also ashed, not only grooves are formed, groove structure 2 having an undercut is formed under the insulating layer 4. このようにアンダーカットを形成することでこの後成膜される第2の電極材料や配線材料の基板への入射方向によらず、隣り合う第2の電極6同士を電気的に分離することが可能になった。 Thus regardless of the incident direction to the substrate of the second electrode material or wiring material to be deposited later by forming an undercut, that electrically isolate the second electrode 6 adjacent It has become possible. また、ここではITOの段差部におけるリーク不良を減らすため、ITOの段差部を絶縁層4で被覆する構造を同時に取った。 Also, here to reduce leakage failure in the step portion of the ITO, it took the structure that covers the stepped portion of the ITO an insulating layer 4 at the same time. こうすることで新たに絶縁膜でITO段差部を覆う工程を設ける必要が無くなった。 No longer necessary to provide a step of covering the ITO stepped portion on the newly insulating film Thereby.

【0128】白色発光化のために発光素子は以下のような材料を成膜することで形成した。 [0128] light-emitting element for emitting white light of was formed by depositing a material such as follows. この実施例では黄色発光と、青色発光するEL材料を用いた。 In this embodiment using the yellow light, the EL material which emits blue light.

【0129】ホール注入層としてポリ(チオフェン− [0129] poly (thiophene as the hole injection layer -
2,5ージイル)を10nmの厚さに、ホール輸送層兼黄色発光層としてTPDにルブレンを1wt%の割合でドープしたものを共蒸着で5nm成膜した。 2,5-diyl) in a thickness of 10 nm, it was 5nm deposited by co-evaporation doped with rubrene TPD as a hole transporting layer and the yellow emitting layer in a proportion of 1 wt%. ルブレンの濃度は0.1〜10wt%程度が好ましく、この濃度で高効率で発光する。 The concentration of rubrene is preferably about 0.1-10%, emits light at high efficiency at this concentration. 濃度は発光色の色バランスより決定すればよく、この後成膜する青色発光層の光強度と波長スペクトルにより左右される。 The concentration may be determined from the color balance of the emission color, depends on the light intensity and the wavelength spectrum of the blue light-emitting layer to the after deposition. さらに青色発光層として4,4 Further 4,4 as blue luminescent layer
'−ビス[(1,1,2−トリフェニル)エテニル]ビフェニルを50nm、電子輸送層としてAlq3 を10nm '- bis [(1,1,2-triphenyl) ethenyl] biphenyl 50 nm, the Alq3 as the electron transporting layer 10nm
成膜し、有機層5とした。 Deposited, and the organic layer 5.

【0130】次いで、第2の電極6としてAl・Li合金及びAlをスパッタ法で真空を破らずに成膜した。 [0130] Then, it was deposited without breaking the vacuum by sputtering Al · Li alloy and Al as the second electrode 6. 図30に示すように、スパッタ法のように比較的段差被覆性の良い方法を用いても、溝構造2にアンダーカットを形成した場合には第2の電極6を分離することができた。 As shown in FIG. 30, even using a relatively step coverage good way as sputtering, the case of forming an undercut groove structure 2 could be separated second electrode 6.

【0131】最後に乾燥N 2雰囲気中でガラス板を貼り合わせて封止し、ディスプレイパネルが完成した。 [0131] Finally, by bonding a glass plate is sealed in a dry N 2 atmosphere, the display panel was completed.

【0132】こうして製造されたディスプレイは表示が明るく、また、真空を破らずに成膜したため、信頼性が高いことが確認された。 [0132] thus produced display is bright display, also, because the film was formed without breaking the vacuum, it has been confirmed that high reliability. この構造、及び方法によれば、 According this configuration, and the method,
ストライプ状に第2の電極を分離することができるばかりでなく、曲がりくねった構造の第2の電極でも分離可能である。 It is possible not only to separate the second electrode in a stripe shape, it is also possible separated by the second electrode of the serpentine structure.

【0133】〔実施例6〕実施例5において、SiO 2 [0133] In Example 6 Example 5, SiO 2
の絶縁層4を形成した後、引き続き第2の電極の補助電極15としてAlを1500nm成膜した。 After forming the insulating layer 4 and subsequently 1500nm deposited Al as an auxiliary electrode 15 of the second electrode. レジストをパターンを形成して、Alを45℃に加熱したリン酸、硝酸、酢酸混合液でエッチングした。 Resist to form a pattern, phosphoric acid heating the Al to 45 ° C., nitric acid, etched with acetic acid mixture. この際に十分にエッチング時間を長くし、レジストパターンより片側2μm Sufficiently long etching time during this, one 2μm from the resist pattern
小さくなるようにした。 It was set to be smaller. 実施例5と同様にSiO 2をエッチングし、アッシングによりアンダーカット付きの溝2を形成した。 Etching the same manner SiO 2 as in Example 5, were formed groove 2 with undercut by ashing. こうして、図31に示すように、自己整合的にSiO 2のパターンよりひとまわり小さいAlの補助電極15パターンが形成された。 Thus, as shown in FIG. 31, the auxiliary electrode 15 pattern of slightly smaller Al than the pattern of the self-aligned manner SiO 2 is formed.

【0134】さらに、やはり実施例5と同様に、発光層を含む有機層5を形成し、第2の電極6を70nm、スパッタ法で成膜した。 [0134] Further, also similarly to Example 5, to form an organic layer 5 comprising a light-emitting layer was formed a second electrode 6 70 nm, by sputtering. 図31に示すように、絶縁層(Si As shown in FIG. 31, an insulating layer (Si
2 )4上に形成された補助電極15は90°に近い段差に形成されたため、有機層5は被覆しきれず、結果として、補助電極15と第2の電極6は電気的に導通した。 O 2) for 4 auxiliary electrode 15 formed on the formed stepped close to 90 °, the organic layer 5 is not completely covered, as a result, the auxiliary electrode 15 and the second electrode 6 electrically conductive.

【0135】第2の電極6の膜厚が薄く、充分低抵抗にならないにも関わらず、補助電極15が電圧降下を防いだため、画面全体にわたってムラの少ない表示が可能になった。 [0135] film thickness is thin in the second electrode 6, despite not sufficiently low resistance, the auxiliary electrode 15 for prevented the voltage drop has enabled small display unevenness across the entire screen.

【0136】上記の各実施例から明らかなように、本発明により、発光面積が広く、信頼性の高い有機EL表示装置の製造が可能になった。 [0136] As apparent from the above embodiments, the present invention, the light emitting area is wide, it has allowed the production of high organic EL display device reliability. また、特に実施例5に示したように製造工程を減らす事ができ、コストダウンが可能になった。 In particular it is possible to reduce the manufacturing steps as shown in Example 5, it made it possible to reduce costs.

【0137】 [0137]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光領域の割合が広く、かつ信頼性が高く、大型基板の使用が可能で、1枚の基板中に多数のディスプレイを配置して製造することができ、製造コストの低コスト化を可能とした有機EL表示装置およびその製造方法を提供できる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, the ratio of the light-emitting region is wide, and high reliability, can be used for large-sized substrate, by arranging a large number of display in one substrate manufacturing it can be possible to provide a possibility as organic EL display device and a manufacturing method thereof the cost of the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の有機EL表示装置の基本構成例を示した、平面図である。 [1] shows an example of the basic configuration of the organic EL display device of the present invention, it is a plan view.

【図2】図1の断面A−A'矢視図である。 2 is a cross-sectional A-A 'arrow view of FIG.

【図3】本発明の有機EL表示装置の第1の構成例を示した、部分断面図である。 Figure 3 shows a first configuration example of the organic EL display device of the present invention, it is a partial sectional view.

【図4】図1において、成膜粒子の基板への入射方向が変わった場合の第2の電極の成膜状態を示した図である。 In FIG. 4 FIG. 1 is a diagram showing a film formation state of the second electrode in the case where the incident direction of the substrate film forming particles has changed.

【図5】本発明の有機EL表示装置の第2の構成例を示した、部分断面図である。 Figure 5 shows a second configuration example of the organic EL display device of the present invention, it is a partial sectional view.

【図6】本発明の有機EL表示装置の第3の構成例を示した、部分断面図である。 6 shows a third configuration example of the organic EL display device of the present invention, it is a partial sectional view.

【図7】本発明の有機EL表示装置の第4の構成例を示した、部分断面図である。 7 shows a fourth configuration example of the organic EL display device of the present invention, it is a partial sectional view.

【図8】本発明の有機EL表示装置の第5の構成例を示した、部分断面図である。 Figure 8 shows a fifth configuration example of the organic EL display device of the present invention, it is a partial sectional view.

【図9】(A)は本発明の実施例1の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 9 (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the process of Example 1 of the present invention.

【図10】(A)は本発明の実施例1の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [10] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the process of Example 1 of the present invention.

【図11】(A)は本発明の実施例1の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 11 (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the process of Example 1 of the present invention.

【図12】(A)は本発明の実施例1の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [12] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the process of Example 1 of the present invention.

【図13】本発明の実施例1の製造工程を示した図12 [Figure 13] shows the process of Example 1 of the present invention FIG. 12
におけるC−C'断面矢視図である。 It is a C-C 'cross sectional arrow view in.

【図14】本発明の実施例1の製造工程を示した平面図である。 14 is a plan view showing the manufacturing process of Example 1 of the present invention.

【図15】本発明の実施例1の製造工程を示した図14 [Figure 15] shows the process of Example 1 of the present invention FIG. 14
のC−C'断面矢視図である。 It is a C-C 'cross sectional arrow view of.

【図16】本発明の実施例1製造工程を示した断面図である。 16 is a sectional view showing a first embodiment the manufacturing process of the present invention.

【図17】本発明の実施例2の製造工程を示した断面図である。 17 is a sectional view showing a manufacturing process of Example 2 of the present invention.

【図18】本発明の実施例3の製造工程を示した断面図である。 18 is a sectional view showing a manufacturing process of Example 3 of the present invention.

【図19】本発明の実施例3の製造工程を示した断面図である。 19 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of Example 3 of the present invention.

【図20】本発明の実施例3の製造工程を示した断面図である。 20 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of Example 3 of the present invention.

【図21】本発明の実施例3の製造工程を示した断面図である。 21 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of Example 3 of the present invention.

【図22】本発明の実施例3の製造工程を示した断面図である。 22 is a sectional view showing the manufacturing process of Example 3 of the present invention.

【図23】本発明の実施例4の製造工程を示した断面図である。 23 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of Example 4 of the present invention.

【図24】(A)は本発明の実施例5の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [24] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図25】(A)は本発明の実施例5の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [25] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図26】(A)は本発明の実施例5の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [26] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図27】(A)は本発明の実施例5の製造工程を示した平面図、(B)はそのB−B'断面矢視図である。 [27] (A) is a plan view, (B) is its cross section B-B 'arrow view showing the manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図28】本発明の実施例5の製造工程を示した図27 Figure shows the manufacturing process of Example 5 in FIG. 28 the present invention 27
におけるC−C'断面矢視図である。 It is a C-C 'cross sectional arrow view in.

【図29】本発明の実施例5の製造工程を示した断面図である。 29 is a sectional view showing a manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図30】本発明の実施例5の製造工程を示した断面図である。 Figure 30 is a sectional view showing a manufacturing process of Example 5 of the present invention.

【図31】本発明の実施例6の製造工程を示した断面図である。 31 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of Example 6 of the present invention.

【図32】従来の隔壁を有する有機ELディスプレイの製造方法を示した部分断面図である。 32 is a partial cross-sectional views showing the manufacturing method of the organic EL display having a conventional septum.

【図33】従来の斜方蒸着の様子を示した概略図である。 Figure 33 is a schematic view showing how the conventional oblique deposition.

【図34】図34A部における成膜状態を示した部分断面図である。 34 is a partial cross-sectional view showing a film formation state in FIG 34A portion.

【図35】図34B部における成膜状態を示した部分断面図である。 FIG. 35 is a partial cross-sectional view showing a film formation state in FIG 34B unit.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 1a、1b、1c 下地層 2 溝構造 3 第1の電極 4 絶縁層 5 有機層 6 第2の電極 7 成膜粒子 11 配線電極 13 コンタクトホール 1 substrate 1a, 1b, 1c underlayer 2-groove structure 3 first electrode 4 insulating layer 5 organic layer 6 the second electrode 7 deposited particles 11 wiring electrode 13 a contact hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI H05B 33/26 H05B 33/26 Z (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H05B 33/00 - 33/28 G09F 9/30 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl 7 identification mark FI H05B 33/26 H05B 33/26 Z (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H05B 33/00 -. 33 / 28 G09F 9/30

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 配線電極と、この配線電極とコンタクトホールを介して接続されている第1の電極と、発光機能に関与する1種または2種以上の有機層と、第2の電極とを有し、かつ電気的に独立に発光させることが可能な有機EL素子構造を複数有し、 隣接する有機EL素子構造の境界には隣り合う有機EL 1. A wiring electrode, a first electrode are connected via the wiring electrode and the contact hole, and one or more organic layers involved in light emission function and a second electrode a, and electrically a plurality of the organic EL device structure which can emit light independently, organic EL adjacent the boundary of the adjacent organic EL element structure
    素子構造の第2の電極を分離するための溝構造を有し、 前記配線電極は、少なくとも、隣接する第1の電極間であって画素として機能する発光領域以外の領域に形成されている有機EL表示装置。 A groove structure for separating the second electrode of the device structure, the wiring electrode is at least, is formed in a region other than the light emitting region that functions as a first A and the pixel in between electrodes adjacent organic EL display device.
  2. 【請求項2】 前記コンタクトホール上には第1の電極の一部が成膜され、かつその上層の有機層との間には絶縁層が形成されている請求項1の有機EL表示装置。 Wherein said on the contact hole is partially forming the first electrode, and an organic EL display device according to claim 1 which is formed an insulating layer between the organic layer of the upper layer.
  3. 【請求項3】 前記コンタクトホールは、概ね多角形状を有する第1の電極の少なくとも1つの辺に接して配置され、第1の電極はこのコンタクトホールを介して配線電極と電気的に接続されている請求項1または2の有機EL表示装置。 Wherein the contact hole is generally disposed in contact with at least one side of the first electrode having a polygonal shape, the first electrode is electrically connected to the wiring electrode through the contact hole the organic EL display device according to claim 1 or 2 are.
  4. 【請求項4】 前記溝構造の深さは、有機層および第2 4. A depth of the groove structures, the organic layer and the second
    の電極層の合計膜厚の1/2〜20倍である請求項1〜 Claim 1 is a total film 1/2 to 20 times the thickness of the electrode layer
    3のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device 3.
  5. 【請求項5】 前記溝構造の少なくとも一方の開口部付近には基板と概ね平行な方向であって、かつ溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部が形成されている請求項1〜4のいずれかの有機EL表示装置。 5. A least one of a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of the opening portion of the groove structure, and the groove structure of claims 1 to 4 overhang portion protruding toward the center is formed of any of the organic EL display device.
  6. 【請求項6】 前記オーバーハング部は、溝構造の両方の開口部付近に形成されている請求項5の有機EL表示装置。 Wherein said overhang portion is an organic EL display device according to claim 5 which is formed in the vicinity of the opening of both of the groove structure.
  7. 【請求項7】 前記溝構造の底部には、基板面に対して垂直方向に突出し、かつその高さが発光領域における第2の電極層以下である立体構造物を有する請求項1〜6 The bottom of wherein said groove structure is preceding claims protruding in a direction perpendicular to the substrate surface and its height, has a three-dimensional structure is equal to or less than the second electrode layer in the light emitting region
    のいずれかの有機EL表示装置。 Any of the organic EL display device.
  8. 【請求項8】 前記立体構造物は、溝構造の底部側より上端部側の幅が大きい請求項7の有機EL表示装置。 Wherein said three-dimensional structure, the organic EL display device according to claim 7 from the bottom side width of the upper end is large groove structure.
  9. 【請求項9】 前記オーバハング部は、絶縁性材料により形成され、かつこの一部が基板上、または下地層上に形成されるとともに第1の電極の一部を覆うように形成されている請求項5〜8のいずれかの有機EL表示装置。 Wherein said overhang portion is formed of an insulating material, and wherein this portion is formed so as to cover a portion of the first electrode is formed into the substrate, or base layer any of the organic EL display device of claim 5-8.
  10. 【請求項10】 前記オーバーハング部は、溝構造の開口端から10nm〜5μm の高さに形成されている請求項5〜9のいずれかの有機EL表示装置。 Wherein said overhang portion, any organic EL display device according to claim 5-9 which is formed from the open end of the groove structure to the height of 10 nm to 5 [mu] m.
  11. 【請求項11】 前記基板上、または下地層上に形成されているオーバーハング部は、その段差部分ないし端部が成膜面に対して45度以下のテーパー角を有する請求項5〜10のいずれかの有機EL表示装置。 Wherein said substrate, or an overhang portion formed on an underlying layer, as claimed in claim 5 to 10 in which the step portion to the end portion has a taper angle less 45 degrees with respect to the film forming surface any of the organic EL display device.
  12. 【請求項12】 前記オーバーハング部は、少なくともその一部の領域上に厚さ2μm 以下の導電膜が形成されている請求項5〜11のいずれかの有機EL表示装置。 12. The method of claim 11, wherein the overhang portion are at least one of the organic EL display device according to claim 5 to 11 thickness 2μm on a part of the region below the conductive film is formed.
  13. 【請求項13】 絶縁基板上に配線電極を形成する工程と、 配線電極が形成された基板上に下地層を形成する工程と、 基板上に形成された下地層に溝構造を形成する工程と、 第1の電極を形成する工程と、 少なくとも発光機能に関与する有機層を形成する工程と、 第2の電極を成膜する工程とを有し、 前記第2の電極を成膜するに際し、段差被覆性の低い方法を用い、形成された溝構造部分で前記第2の電極を分離する有機EL表示装置の製造方法。 13. A process of forming a wiring electrode on an insulating substrate, forming a base layer on the substrate on which the wiring electrodes are formed, and forming a groove structure in the underlying layer formed on the substrate , when forming a first electrode includes a step of forming an organic layer participating in at least a light emitting function, and a step of forming a second electrode, forming the second electrode, method of manufacturing an organic EL display device using a low step coverage process, separating the second electrode in a groove formed structural parts.
  14. 【請求項14】 前記コンタクトホール上に第1の電極の一部を成膜し、かつその上層の有機層との間に絶縁層を形成する請求項13の有機EL表示装置の製造方法。 14. The method of claim 13, wherein the contact part of the first electrode was formed on the hole, and a method of manufacturing an organic EL display device according to claim 13 to form an insulating layer between the organic layer of the upper layer.
  15. 【請求項15】 前記第1の電極と、有機層と、第2の電極は、気相堆積法により形成される請求項13または14の有機EL表示装置の製造方法。 15. A first electrode, an organic layer, the second electrode, the method of manufacturing the organic EL display device according to claim 13 or 14 is formed by vapor deposition.
  16. 【請求項16】 前記第2の電極は斜方蒸着により形成される請求項13〜15のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 16. The method of any of the organic EL display device according to claim 13 to 15 wherein the second electrode is formed by oblique deposition.
  17. 【請求項17】 前記溝構造を形成する際、または溝構造を形成した後、この溝構造の少なくとも一方の開口部付近に基板と概ね平行な方向であって、かつ溝構造の中央方向に張り出したオーバーハング部を形成する工程を有する請求項13〜16のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 17. When forming the trench structure, or after forming a trench structure, a direction generally parallel to the substrate in the vicinity of at least one opening of the groove structure, and protruding toward the center of the groove structure method of any of the organic EL display device according to claim 13 to 16 comprising forming the overhang portions.
  18. 【請求項18】 前記溝構造を形成するに際し、この溝構造の底部から基板面に対して垂直方向に突出し、かつその高さが発光領域における第2の電極層以下である立体構造物を形成する請求項13〜17のいずれかの有機EL表示装置の製造方法。 Upon 18. To form the groove structure, forming a three-dimensional structure protruding in a direction perpendicular to the substrate surface from the bottom of the groove structure, and its height is less than the second electrode layer in the light emitting region method of any of the organic EL display device according to claim 13 to 17 for.
  19. 【請求項19】 前記オーバハング部を形成するに際し、絶縁性材料を用い、かつその一部を基板上、または下地層上に形成して第1の電極の一部を覆うように形成する請求項17または18の有機EL表示装置の製造方法。 When forming a 19. The overhang, the claims of an insulating material, and formed so as to cover a portion of the first electrode forms a part of the substrate on, or underlayer method of manufacturing an organic EL display device 17 or 18.
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