CN106449718A - Oled基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED基板及其制作方法。本发明的OLED基板的制作方法，通过采用无机物材料制作像素定义层，能够降低光阻剥离制程中像素定义层被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板被污染的风险，提高精细金属掩膜板的使用效率。本发明的OLED基板，采用上述OLED基板的制作方法制备而成，像素定义层结构完整，能够有效保护下方阳极及衬底基板，器件性能好。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
图1为现有的OLED显示装置的结构示意图，如图1所示，所述OLED显示装置包括：OLED基板600与设于所述OLED基板600上方的封装盖板700；所述OLED基板600通常包括：衬底基板100、设于所述衬底基板100上且间隔设置的数个阳极200、设于所述衬底基板100及数个阳极200上的像素定义层(PDL)300、设于所述像素定义层300上的数个间隔物500、设于所述像素定义层300上且分别对应于所述数个阳极200的数个开口310、设于所述数个开口310内且在所述阳极200上从下到上依次层叠设置的空穴注入层410、空穴传输层420、有机发光层430、电子传输层440、电子注入层450、及阴极460；所述封装盖板700与所述OLED基板600上的数个间隔物500相接触。
具体的，所述从下到上依次层叠设置的阳极200、空穴注入层410、空穴传输层420、有机发光层430、电子传输层440、电子注入层450、及阴极460共同构成一OLED器件，所述OLED器件通常采用ITO和金属分别作为器件的阳极200和阴极460，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极460和阳极200注入到电子传输层440和空穴传输层420，电子和空穴分别经过电子传输层440和空穴传输层420迁移到有机发光层430，并在有机发光层430中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
具体的，在所述OLED基板600的生产过程中，通常将衬底基板100、阳极200、及像素定义层300的制作过程称为TFT制程，将后续空穴注入层410、空穴传输层420、有机发光层430、电子传输层440、电子注入层450、及阴极460的制作过程称为OLED制程，由于OLED制程的基板尺寸通常会小于TFT制程的基板尺寸，因此在进行OLED制程之前需要对完成TFT制程的基板(衬底通常为玻璃)进行切割，切割通常使用刀轮切割，由于切割产生的玻璃碎屑会对OLED器件造成损伤，所以在切割之前，通常会在完成TFT制程的基板表面包覆一光阻(PR)层800(如图2所示)，在切割之后，再对光阻层800进行剥离。由于像素定义层300通常也使用光阻材料来制作，即与所述光阻层800的材料相同，因此在所述光阻层800的剥离过程中很容易造成所述像素定义层300的误剥离，使得后续空穴注入层410、空穴传输层420、有机发光层430、电子传输层440、电子注入层450、及阴极460等结构层成膜后，造成失去所述像素定义层300保护的数个阳极200之间短路，进而造成OLED器件失效。
同时，如图3所示，在OLED制程中，所述空穴注入层410、空穴传输层420、有机发光层430、电子传输层440、电子注入层450、及阴极460等结构层的蒸镀制程需要使用到精细金属掩膜板(FMM，Fine Metal Mask)900，由于所述像素定义层300使用的光阻材料稳定性不强，在蒸镀过程中极易挥发至所述精细金属掩膜板900上，造成所述精细金属掩膜板900的污染，使得所述精细金属掩膜板900的清洗频次增加，使用效率降低，从而提高生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED基板的制作方法，能够降低光阻剥离制程中像素定义层被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板被污染的风险。
本发明的目的还在于提供一种OLED基板，采用上述OLED基板的制作方法制备而成，像素定义层结构完整，能够有效保护下方阳极及衬底基板，器件性能好。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成间隔设置的数个阳极；在所述衬底基板及数个阳极上沉积一无机膜层；
步骤2、采用半色调光罩对所述无机膜层进行图形化处理，得到像素定义层、设于所述像素定义层上的数个间隔物、及设于所述像素定义层上且分别对应于所述数个阳极的数个开口，每个开口暴露出对应的阳极的至少一部分，制得第一基板；
步骤3、在所述第一基板上涂布一光阻层，所述光阻层覆盖所述像素定义层、数个间隔物、及阳极；
对所述涂布光阻层的第一基板进行切割，得到数个第二基板；
步骤4、对所述第二基板上的光阻层进行剥离，得到第三基板；
步骤5、在所述第三基板上的数个开口内从下到上依次形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、及阴极，制得一OLED基板。
所述衬底基板为TFT基板。
所述无机膜层的材料包括氮化硅与氧化硅中的至少一种。
所述阳极的材料为透明导电金属氧化物，所述阴极的材料为金属。
所述步骤3中，采用刀轮对所述涂布光阻层的第一基板进行切割；
所述步骤4中，采用光阻剥离液对所述第二基板上的光阻层进行剥离；
所述步骤5中，采用精细金属掩膜板通过蒸镀的方法在所述第三基板的数个开口内从下到上依次形成所述空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、及阴极。
本发明还提供一种OLED基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上且间隔设置的数个阳极、设于所述衬底基板及数个阳极上的像素定义层、设于所述像素定义层上的数个间隔物、设于所述像素定义层上且分别对应于所述数个阳极的数个开口、设于所述数个开口内且在所述阳极上从下到上依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、及阴极；其中，所述像素定义层与数个间隔物的材质均为无机物。
所述衬底基板为TFT基板。
所述无机物包括氮化硅与氧化硅中的至少一种。
所述阳极的材料为透明导电金属氧化物，所述阴极的材料为金属。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED基板的制作方法，通过采用无机物材料制作像素定义层，能够降低光阻剥离制程中像素定义层被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板被污染的风险，进而降低精细金属掩膜板的清洗频次，提高精细金属掩膜板的使用效率。本发明提供的一种OLED基板，采用上述OLED基板的制作方法制备而成，像素定义层结构完整，能够有效保护下方阳极及衬底基板，器件性能好。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
附图中，
图1为现有的OLED显示装置的结构示意图；
图2为现有的OLED显示装置中的OLED基板在OLED制程前的光阻包覆示意图；
图3为现有的OLED显示装置中的OLED基板的蒸镀制程示意图；
图4为本发明的OLED基板的制作方法的流程图；
图5-6为本发明的OLED基板的制作方法的步骤1的示意图；
图7为本发明的OLED基板的制作方法的步骤2的示意图；
图8-9为本发明的OLED基板的制作方法的步骤3的示意图；
图10为本发明的OLED基板的制作方法的步骤4的示意图；
图11-12为本发明的OLED基板的制作方法的步骤5的示意图且图12为本发明的OLED基板的结构示意图；
图13为本发明的OLED显示装置的制作方法的步骤20的示意图暨本发明的OLED显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例进行详细描述。
请参阅图4，本发明首先提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图5所示，提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上形成间隔设置的数个阳极20；
如图6所示，在所述衬底基板10及数个阳极20上沉积一无机膜层80。
优选的，所述衬底基板10为TFT基板，后续制得的OLED基板应用于AMOLED显示装置中。
具体的，所述无机膜层80的材料包括氮化硅(SiNx)与氧化硅(SiOx)中的至少一种。
具体的，所述阳极20的材料为透明导电金属氧化物，优选的，所述阳极20的材料为氧化铟锡(ITO)。
步骤2、如图7所示，采用半色调光罩85对所述无机膜层80进行图形化处理，得到像素定义层30、设于所述像素定义层30上的数个间隔物50、及设于所述像素定义层30上且分别对应于所述数个阳极20的数个开口31，每个开口31暴露出对应的阳极20的至少一部分，制得第一基板91。
具体的，所述数个间隔物50的高度相同；优选的，所述数个间隔物50的形状均为柱状。
步骤3、如图8所示，在所述第一基板91上涂布一光阻层95，所述光阻层95覆盖所述像素定义层30、数个间隔物50、及阳极20；
如图9所示，对所述涂布光阻层95的第一基板91进行切割，得到数个第二基板92。
具体的，所述步骤3中，采用刀轮对所述涂布光阻层95的第一基板91进行切割。
步骤4、如图10所示，对所述第二基板92上的光阻层95进行剥离，得到第三基板93。
具体的，所述步骤4中，采用光阻剥离液对所述第二基板92上的光阻层95进行剥离。在光阻剥离过程中，由于所述像素定义层30的材料为无机物，因此，所述光阻剥离液不会对所述像素定义层30造成损伤，使得所述像素定义层3能够有效保护下方阳极20及衬底基板10。
步骤5、如图11-12所示，在所述第三基板93上的数个开口31内从下到上依次形成空穴注入层41、空穴传输层42、有机发光层43、电子传输层44、电子注入层45、及阴极46，制得一OLED基板60。
具体的，所述步骤5中，采用精细金属掩膜板65通过蒸镀的方法在所述第三基板93的数个开口31内从下到上依次形成所述空穴注入层41、空穴传输层42、有机发光层43、电子传输层44、电子注入层45、及阴极46。
由于所述像素定义层30的材料为无机物，性质比较稳定，因此在蒸镀过程中不会挥发至所述精细金属掩膜板65上造成精细金属掩膜板65的污染，从而降低精细金属掩膜板65的清洗频次，提高精细金属掩膜板65的使用效率。
具体的，所述阴极46的材料为金属，优选的，所述阴极46的材料包括镁、银、及铝中的至少一种。
上述OLED基板的制作方法，通过采用无机物材料制作像素定义层30，能够降低光阻剥离制程中像素定义层30被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板65被污染的风险，从而降低精细金属掩膜板65的清洗频次，提高精细金属掩膜板65的使用效率。
基于上述OLED基板的制作方法，本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤10、如图5-12所示，采用上述OLED基板的制作方法制得一OLED基板60；
步骤20、如图13所示，提供一封装盖板70，将所述封装盖板70与所述OLED基板60对位组合并密封连接，所述封装盖板70与所述OLED基板60上的数个间隔物50相接触，制得一OLED显示装置。
具体的，所述封装盖板70的材质为玻璃。
具体的，所述OLED显示装置中，所述间隔物50起到支撑所述封装盖板70的作用。
上述OLED显示装置的制作方法，采用上述OLED基板的制作方法制备OLED基板60，能够降低光阻剥离制程中像素定义层30被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板65被污染的风险，从而降低精细金属掩膜板65的清洗频次，提高精细金属掩膜板65的使用效率。
请参阅图12，基于上述OLED基板的制作方法，本发明还提供一种OLED基板60，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上且间隔设置的数个阳极20、设于所述衬底基板10及数个阳极20上的像素定义层30、设于所述像素定义层30上的数个间隔物50、设于所述像素定义层30上且分别对应于所述数个阳极20的数个开口31、设于所述数个开口31内且在所述阳极20上从下到上依次层叠设置的空穴注入层41、空穴传输层42、有机发光层43、电子传输层44、电子注入层45、及阴极46；其中，所述像素定义层30与数个间隔物50的材质均为无机物。
优选的，所述衬底基板10为TFT基板，所述OLED基板应用于AMOLED显示装置中。
具体的，所述无机物包括氮化硅(SiNx)与氧化硅(SiOx)中的至少一种。
具体的，所述阳极20的材料为透明导电金属氧化物，优选的，所述阳极20的材料为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述阴极46的材料为金属，优选的，所述阴极46的材料包括镁、银、铝中的至少一种。
具体的，所述数个间隔物50的高度相同；优选的，所述数个间隔物50的形状均为柱状。
上述OLED基板，通过采用无机物材料制作像素定义层30，能够降低制作过程中像素定义层30被误剥离的风险，所述像素定义层30的结构完整，能够有效保护下方阳极20及衬底基板10，器件性能好。
请参阅图13，基于上述OLED显示装置的制作方法，本发明还提供一种OLED显示装置，包括相对设置且密封连接的OLED基板60与封装盖板70；
所述OLED基板60为上述OLED基板60，所述封装盖板70与所述OLED基板60上的数个间隔物50相接触。
具体的，所述封装盖板70的材质为玻璃。
具体的，所述OLED显示装置中，所述间隔物50起到支撑所述封装盖板70的作用。
上述OLED显示装置，含有上述OLED基板，器件性能好。
综上所述，本发明提供一种OLED基板及其制作方法。本发明的OLED基板的制作方法，通过采用无机物材料制作像素定义层，能够降低光阻剥离制程中像素定义层被误剥离的风险，同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板被污染的风险，进而降低精细金属掩膜板的清洗频次，提高精细金属掩膜板的使用效率。本发明的OLED基板，采用上述OLED基板的制作方法制备而成，像素定义层结构完整，能够有效保护下方阳极及衬底基板，器件性能好。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成间隔设置的数个阳极(20)；在所述衬底基板(10)及数个阳极(20)上沉积一无机膜层(80)；
步骤2、采用半色调光罩(85)对所述无机膜层(80)进行图形化处理，得到像素定义层(30)、设于所述像素定义层(30)上的数个间隔物(50)、及设于所述像素定义层(30)上且分别对应于所述数个阳极(20)的数个开口(31)，每个开口(31)暴露出对应的阳极(20)的至少一部分，制得第一基板(91)；
步骤3、在所述第一基板(91)上涂布一光阻层(95)，所述光阻层(95)覆盖所述像素定义层(30)、数个间隔物(50)、及阳极(20)；
对所述涂布光阻层(95)的第一基板(91)进行切割，得到数个第二基板(92)；
步骤4、对所述第二基板(92)上的光阻层(95)进行剥离，得到第三基板(93)；
步骤5、在所述第三基板(93)上的数个开口(31)内从下到上依次形成空穴注入层(41)、空穴传输层(42)、有机发光层(43)、电子传输层(44)、电子注入层(45)、及阴极(46)，制得一OLED基板(60)。
2.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)为TFT基板。
3.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述无机膜层(80)的材料包括氮化硅与氧化硅中的至少一种。
4.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述阳极(20)的材料为透明导电金属氧化物，所述阴极(46)的材料为金属。
5.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，采用刀轮对所述涂布光阻层(95)的第一基板(91)进行切割；
所述步骤4中，采用光阻剥离液对所述第二基板(92)上的光阻层(95)进行剥离；
所述步骤5中，采用精细金属掩膜板(65)通过蒸镀的方法在所述第三基板(93)的数个开口(31)内从下到上依次形成所述空穴注入层(41)、空穴传输层(42)、有机发光层(43)、电子传输层(44)、电子注入层(45)、及阴极(46)。
6.一种OLED基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上且间隔设置的数个阳极(20)、设于所述衬底基板(10)及数个阳极(20)上的像素定义层(30)、设于所述像素定义层(30)上的数个间隔物(50)、设于所述像素定义层(30)上且分别对应于所述数个阳极(20)的数个开口(31)、设于所述数个开口(31)内且在所述阳极(20)上从下到上依次层叠设置的空穴注入层(41)、空穴传输层(42)、有机发光层(43)、电子传输层(44)、电子注入层(45)、及阴极(46)；其中，所述像素定义层(30)与数个间隔物(50)的材质均为无机物。
7.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述衬底基板(10)为TFT基板。
8.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述无机物包括氮化硅与氧化硅中的至少一种。
9.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述阳极(20)的材料为透明导电金属氧化物，所述阴极(46)的材料为金属。
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