JP2009038243A - 有機el表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】平坦化膜中の水分或いは外部から前記平坦化膜に浸入する水分が絶縁膜が割れた部分を介して発光部に浸入するのを防ぎ、周辺劣化を抑えることができる有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成されており等間隔に複数の開口を有する絶縁膜と、前記基板の上の前記開口に形成されておりそれぞれが発光部を構成する複数の有機EL素子とを有する有機EL表示装置である。有機EL層は最外周の開口よりも内側に形成されており、前記有機EL層の外周の開口では第1電極と同一の層と、第2電極とが接していることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる有機EL表示装置に関する。
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型素子である有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称する)素子を用いた有機EL表示装置が注目されている。一般的な有機EL表示装置を図8に示す。
有機EL表示装置は、各発光部を構成する有機EL素子を分離する目的で各開口の周囲に配置される絶縁膜805と、基板801上に形成されるTFT回路802による凹凸を平坦化させるための絶縁膜(以下、平坦化膜と称する。)803とを有している。有機EL素子は、発光部毎にパターニングされた第1電極804と、前記第1電極804上に形成されている有機EL層806と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機EL層806上に形成されている第2電極807とを有している。ちなみに、図中、符号808はカバーガラス、809はシール剤、810は絶縁膜に発生したひび割れ、811は素子外部の水分、812は平坦化膜の有機材料に含まれる水分を示す。
上記構成の有機EL表示装置は、第1電極804と第2電極807との間に電流を流すことにより、電極の間に挟まれた有機EL層806が発光する。絶縁膜805の材料としては、ポリイミドやアクリルなどの有機材料、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機材料が使用される。また、平坦化膜803には平坦性に優れた材料、例えば有機材料のアクリルが主として使用される。
ところで有機EL素子は、水分や酸素により有機EL素子の表示特性の劣化を招き易いことが知られている。劣化の中でも、最外周の発光部においては、その発光部の開口の端から輝度が低下する現象(以下、周辺劣化と称する)が発生する。周辺劣化の原因としては、有機材料からなる絶縁膜や平坦化膜に含まれる水分が前記絶縁膜を介して発光部に浸入することで発生すると考えられる。特に最外周の発光部よりも外側においては、絶縁膜や平坦化膜が有機EL素子の外側まで配置されているので、含水量が多くなる、或いは外部からの水分(図8の811)が浸入することにより、周辺劣化が発生しやすい。
そこで周辺劣化を解決するため、第1電極の端部と非透水性の平坦化膜とが隔壁(本発明では絶縁膜を意味する)により覆われている。そして、前記隔壁には前記発光部の外周を一周する開口が形成され、側壁及び底面は第2電極で覆われている構成が提案されている(特許文献1)。
また、平坦化膜は隣り合う画素の画素メタル電極を互いに分離するように形成された溝部を含む構成が提案されている(特許文献2)。
特開2005−302707号公報 特開2006−58751号公報
しかしながら、上記特許文献1、及び特許文献2は平坦化膜に含まれる水分や、素子外部の水分が絶縁膜を介して発光部に浸入するのを十分に防ぐことができないことを本発明者は発見した。
絶縁膜は発光部が形成される部分に開口を有しており、開口は等間隔に配列されている。しかし、表示領域では等間隔に形成されていた開口が、表示領域外で途切れるため、絶縁膜のパターンに不連続な部分が生じる。この不連続な部分、すなわち絶縁膜の凹凸パターンや開口のパターンが変化する境界部には、脱水等の加熱冷却プロセスでの熱履歴による残留応力や外部応力が集中するため、絶縁膜が割れやすくなる(図8の810)。絶縁膜が割れた部分から、平坦化膜の有機材料(例えばアクリル)に含まれる水分(図8の812)、或いは外部から平坦化膜に浸入する水分(図8の811)が発光部に浸入して、やはり周辺劣化が発生する。
以上のことから、有機EL表示装置においては、発光部へ絶縁膜や平坦化膜を介して水分が浸入するのを阻止することが、重要な課題となっている。また、この課題は、絶縁膜が無機材料からなる場合に特に顕著に問題となることが分かった。
この課題について特許文献1では、開口の周囲の隔壁の断面形状が、発光部の隔壁の断面形状と異なる上、等間隔ではない。この場合隔壁の応力の分散が不均一になり、発光部を構成する開口周辺の隔壁が割れやすくなる。この割れた部分から水分が発光部に浸入して周辺劣化を引き起こす可能性がある。
特許文献2では、平坦化膜が画素メタル電極を互いに分離するように形成されているが、平坦化膜は絶縁膜と隣接して設けられているため、平坦化膜中の水分が絶縁膜の割れた部分から発光部に浸入する課題を解決することは困難である。
本発明の目的は、平坦化膜中の水分或いは外部から前記平坦化膜に浸入する水分が絶縁膜が割れた部分を介して発光部に浸入するのを防ぎ、周辺劣化を抑えることができる有機EL表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板と、前記基板の上に形成されており等間隔に複数の開口を有する絶縁膜と、前記基板の上の前記開口に形成されておりそれぞれが発光部を構成する複数の有機EL素子と、を有し、
前記有機EL素子は前記発光部毎にパターニングされた第1電極と、前記第1電極の上に形成されている有機EL層と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機EL層の上に形成されている第2電極と、を有し、
前記絶縁膜は、第1電極の端部を覆っている有機EL表示装置において、
前記有機EL層は最外周の開口よりも内側に形成されており、前記有機EL層の外周の開口では前記第1電極と同一の層と、前記第2電極とが接していることを特徴とする。
本発明によれば、平坦化膜中の水分或いは外部から前記平坦化膜に浸入する水分が絶縁膜が割れた部分を介して発光部に浸入するのを防ぎ、周辺劣化を抑えることができる。
以下、本発明に係る有機EL表示装置の実施形態を説明する。
図1は本発明の有機EL表示装置を模式的に示した部分断面図である。図2は本発明の有機EL表示装置を表示面から見た模式図である。なお、図1は、図2のE−E’の断面である。
図示例の有機EL表示装置は、等間隔に配列された画素(発光部、但し、後記ダミー画素は発光しない。)を有する発光領域112と、その外周に非発光領域111とが形成されている。
すなわち、ガラス基板101上にTFT回路102が形成され、前記TFT回路102の凹凸を平坦化するべく、平坦化膜103が積層されている。前記平坦化膜103上の各画素位置に第1電極104がパターニングされ、さらに前記第1電極104の外周にも、前記第1電極104の配列に倣って前記第1電極と同一の層115がパターニングされている。このとき、第1電極104と前記第1電極と同一の層115とは同じ材料であることが、作成工程上簡便であるため好ましい。
前記第1電極104及び前記第1電極と同一の層115の端部を覆い、各第1電極104及び前記第1電極と同一の層115を区画するように、絶縁膜105が形成されている。その結果、発光領域112には第1電極104が露出する開口Bが形成され、非発光領域111には第1電極と同一の層115が露出する開口Aが形成される。
ここで、表示面における位置関係の表現は、表示面の中心Gを基点とした相対的な比較により表現することと定義する。よって本発明における外周の開口とは、発光領域112の中心Gから見て表示領域の外側にある開口の群(取り巻き)及び個々の開口のことを指す。また、最外周の開口とは、発光領域112の中心Gから見てある領域における最も距離がある開口の群(取り巻き)及び個々の開口のことを指す。
前記非発光領域111の開口Aの形状は、前記発光領域112の開口Bの形状と同一であることが好ましい。つまり、全ての開口が同一の形状であることが好ましい。絶縁膜105に無機材料を用いた場合、前記開口Aの形状が前記開口Bと異なると、開口の形状が異なる境界部で無機材料の応力の不均一によって前記絶縁膜105が割れる傾向にあるので、好ましくないからである。
絶縁膜105の材料としては、有機材料又は無機材料のどちらを用いてもよい。有機材料としては、ポリイミド、アクリル樹脂が使用できる。無機材料としては、窒化珪素や酸化珪素などが使用できる。含水量及び透湿性が低い点で、無機材料を絶縁膜105として使用するのが好ましい。
開口Bとその間の領域(絶縁膜105)とを含めた領域を発光領域112とするべく、有機EL層106は前記発光領域112のみに形成されている。つまり、有機EL層106は少なくとも最外周の開口Aよりも内側に形成されている。
有機EL層106は、成膜プロセスが簡易であることから、発光領域112全域、つまり発光部の間に跨って連続的に形成されていることが好ましい。また、前記有機EL層106の外周の開口A側の形成端と、前記開口Aの外側の端部との間の距離Dは100μm以上であることが好ましい。前記距離Dが100μm以上の場合には、水分の伝播の抑制効果が高くなる。
なお、有機EL層106にはホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などが含まれるが、少なくとも有機発光層を含んでいれば良い。これらに用いられる材料は公知の材料で良く、限定されるものではない。
前記発光領域112の有機EL層106上、及び非発光領域111の開口Aから露出する第1電極と同一の層115並びに絶縁膜105上に、第2電極107が形成されている。その結果、有機EL層106の外周の開口Aでは前記第1電極と同一の層115が、前記第2電極107と接し、さらに平坦化膜103及び絶縁膜105と接する構成となる。但し、第1電極104の端部は絶縁膜105に覆われていることが必須であるが、第1電極と同一の層115の端部は絶縁膜105に覆われなくても良い。
上記構成の有機EL表示装置は、周辺劣化が生じる領域に水分の伝播経路となり得る有機EL層106が形成されていない。そのため、平坦化膜103に含まれる水分114や外部から絶縁膜105に浸入する水分113(絶縁膜が有機樹脂の場合)が、発光領域112の有機EL層106まで直接浸入しなくなる。また、非発光領域111の絶縁膜105の割れ110から浸入する平坦化膜103の水分114(絶縁膜が無機材料の場合)が、発光領域112の有機EL層106まで直接浸入しなくなる。
上述したように第1電極と同一の層115は第1電極104と同じ材料であることが好ましく、前記第1電極と同一の層115及び第2電極107の材料は特性に影響しない範囲であれば特に限定されない。しかし、前記第1電極と同一の層115と前記第2電極107とが接する界面において、水分の伝播を抑制する効果が高いという点で透明導電性酸化物が好ましい。特に、ITO、ITZO又はIZOが好ましい。また、第2電極107として透明導電性酸化物を選択し、絶縁膜105として無機材料を選択した場合には、第2電極107と絶縁膜105とが接する界面においても水分の伝播を抑制する効果が高くなる。
つまり、開口Aの端から有機EL層106の端までの間において、第1電極と同一の層115と第2電極107との界面と、第2電極107と絶縁膜105との界面という2つの界面において水分の伝播を抑えることが可能となる。その結果、より周辺劣化を抑えることができる。特に、図示例の有機EL表示装置は、表示面の4辺に本発明が実施されているので、有機EL表示装置の周辺劣化を抑えることができる。
次に、有機EL層106の外周の開口Aのうち、第1電極と同一の層115と第2電極107とが接する開口の表示面におけるレイアウトについて図3から図7を用いて説明する。
図3から図7は、本発明に係る有機EL表示装置の表示面の角部を拡大したもの(例えば図2のFに相当するが、図2とは開口の構成は異なる。)である。
図3では、第1電極104上に有機EL層106と第2電極107とが形成される発光部の開口が302であり、前記有機EL層106の外周において前記第1電極と同一の層115と前記第2電極107とが接する開口が301である。図3は、最外周の開口から内側に向かって複数の開口、つまり前記開口302を有する発光領域の外周において、二重に渡り前記第1電極と同一の層115と、前記第2電極107とが接する開口301を配置している。そのため、より確実に有機EL表示装置の周辺劣化を抑えることができる。
図4は、第1電極104上に有機EL層106と第2電極107とが形成される発光部の開口402の外周に、前記第1電極と同一の層115と前記第2電極107とが接する開口401を配置している。さらに第1電極と同一の層115だけが形成される開口403を配置している。第2電極107は、開口の周囲の絶縁膜上を跨いで開口401、402に形成される。このレイアウトにおいても、発光部の開口402への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。
図5は、第1電極104上に有機EL層106と第2電極107とが形成される発光部の開口502の外周に、第1電極と同一の層115だけが形成される開口503を配置している。さらに外周に前記第1電極と同一の層115と前記第2電極107とが接する開口501を配置している。第2電極107は、開口の周囲の絶縁膜上を跨いで開口501、502に形成される。このレイアウトにおいても、発光部の開口503への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。
図6は、第1電極104上に有機EL層106と第2電極107とが形成される発光部の開口602の外周に、第1電極と同一の層115と第2電極107とが接する開口601を配置している。さらに外周に第1電極と同一の層115だけが形成される開口603を配置している。このレイアウトにおいても、発光部の開口602への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。なお、図6では発光領域の外周の開口が2行2列であるが、それ以上の行、列がある場合、最外周以外の開口の少なくとも1列分を覆ってあればよい。
図7は、第1電極104上に有機EL層106と第2電極107とが形成される発光部の開口が702であり、前記有機EL層106の外周において前記第1電極と同一の層115と前記第2電極107とが接する開口が701である。図7の発光部は、図1から図6に示す発光部とは配列が異なっており、上下に隣接する発光部の配列が1/2ピッチずれている。このような配列は、いわゆるデルタ配列にする場合の配列である。
なお、図1及び図3から図7では発光領域の外周の開口は1行1列〜2行2列分の例を記載しているが、本発明における発光領域の外周の開口の数、配置パターンはこの限りではない。そして、開口の形状や配置も長方形のストライプ状に記載しているが、開口が等間隔で存在していれば良く、ハニカムなどの多角形や円でも本発明に適用可能である。
本発明の有機EL表示装置においては、赤色を発光する前記発光部と、緑色を発光する前記発光部と、青色を発光する前記発光部と、から構成される発光画素を有することができる。赤色発光、緑色発光、青色発光の3色の発光部を1画素として、複数画素を配置することによって、フルカラー表示が可能な表示装置を提供することができる。
本発明の有機EL表示装置においては、発光領域112の外周にダミー画素を形成してもよい。ダミー画素を用いた場合、ダミー画素の第1の電極と同一の層115と第2電極107とを接触させる。
ここで、本発明におけるダミー画素とは、「第1電極104と同じパターンである第1の電極と同一の層115、又は開口Bと同じパターンである開口Aを備え、表示に有効でない構造」と定義する。
一般的にダミー画素は、表示有効領域(本発明では発光領域)の最外周に配置されることが多い。これは作製プロセス上、発光領域の最外周の画素の表示特性が不安定になる(より詳しくは、TFT回路102や第1電極104等が目的どおりに形成できない)可能性があり、表示特性が不安定な画素を発光領域から取り除く目的がある。本発明では、ダミー画素の第1電極と同一の層115と第2電極107とを接触させることで、前記第1電極と同一の層115と第2電極107とを接触させるための新たな領域を設けることなく周辺劣化を抑えることが可能となる。
有機EL表示装置は、TFT回路の配置の違いによりボトムエミッション方式とトップエミッション方式に分けられるが、本発明では両方式でも適用できる。さらに、その他のアクティブマトリックス駆動方式や、単純マトリックス駆動方式などの駆動方式に適用可能である。
以下、本発明の実施例について説明する。
<実施例1>
図1及び図2に示す構造を有する本発明の有機EL表示装置を作製した。
ガラス基板101上にTFT回路102を形成し、前記TFT回路102の保護膜として窒化ケイ素の薄膜をCVD法により形成した。次にアクリル系ネガ型レジストをTFT基板上に塗布し、プレベークをした後に、発光領域112のみにスルーホールを形成するためにフォトマスクを通して露光した。エッチング液に浸して現像し、ポストベークすることにより、平坦化膜103を形成した。
次に、発光領域112及び非発光領域111に、第1電極104及び前記第1電極と同一の層115が等間隔で配置されるように、メタルマスクを用いてアルミニウム(Al)を厚さ200nmになるようにスパッタ法により蒸着した。このTFT基板を真空度10-5Pa下200℃で4時間加熱することにより、脱水を行なった。
脱水工程終了後、発光領域112の第1電極104及び非発光領域111の第1電極と同一の層115の端部を覆うように、メタルマスクを用いて窒化珪素(SiN)をCVD法により形成し、無機材料の窒化珪素からなる絶縁膜105を形成した。絶縁膜105の形状は非発光領域111と発光領域112とで同じ形状とした。
次に、開口Bを有する発光領域112において、真空度10-5Pa下で、第1電極104上にホール輸送層、有機発光層(緑色)、電子輸送層、電子注入層の順で積層形成し、有機EL層106を形成した。そして、その上層には、発光領域112及び非発光領域111を覆うようにIZOからなる厚さ60nmの第2電極107をスパッタ法により成膜した。その後、周囲にUV硬化型シール剤109を塗布し、さらに内周に水分を吸収するための乾燥剤を塗布したカバーガラス108を、TFT基板に貼り合せた。そして、紫外線を6分間照射してUV硬化型シール剤109を紫外線硬化させ、有機EL表示装置を作製した。
本実施例では、第1電極104がAlであることから、前記第1電極と同一の層105もAlとなり、第2電極107はIZOとなる。さらに、発光領域112の外周の開口A側の形成端と、前記開口Aの外側の端部との間の距離Dは200μmであった。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は1500hr後に確認された。
<実施例2>
実施例1の第1電極であるアルミニウムを覆うようにITOを厚さ100nmでスパッタ法により蒸着して、ITOを第1電極とした以外は全て実施例1と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
<実施例3>
実施例1の第1電極であるアルミニウムを覆うようにIZOを厚さ100nmでスパッタ法により蒸着して、IZOを第1電極とした以外は全て実施例1と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
<比較例1>
実施例2において、有機EL層を最外周の開口まで成膜すること以外、つまり発光領域112及び非発光領域111の全領域に有機EL層を成膜すること以外は全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。本比較例1では、本発明を使用した有機EL表示装置ではないために、表示面の最外周において周辺劣化は300hrで確認された。
<実施例4、5、6、7>
実施例2において、有機EL層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離Dを50μm、100μm、300μm、500μmと変更する以外は、全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果を表1に示した。
<実施例8>
絶縁膜をポリイミドに変更する以外は全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は1000hr後に確認された。
<実施例9>
第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図3に変更する以外は全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
<実施例10>
第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図5に変更する以外は全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
<実施例11>
第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図6に変更する以外は全て実施例2と同様に有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
<実施例12>
有機EL層を蒸着するまでは実施例2と同様に作製した。次に、真空度10-5Pa下で、第1電極上にホール輸送層を蒸着し、赤色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて赤色の発光層を蒸着した。次いで、緑色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて緑色の発光層を蒸着した。最後に青色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて青色の発光層を蒸着した。その後電子輸送層、電子注入層の順で積層形成した。そして、その上層には、図3における開口301、302の領域内を覆うようにIZOからなる厚さ200nmの第2電極をスパッタ法により成膜した。その後、周囲にUV硬化型シール剤を塗布し、さらに内周に水分を吸収するための乾燥剤を塗布したカバーガラスを、TFT基板に貼り合せ、紫外線を6分間照射して紫外線硬化させ、有機EL表示装置を作製した。
得られた有機EL表示装置を80℃湿度30%の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は3000hrでも確認されなかった。
Figure 2009038243
距離:本発明の有機EL層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離
本発明に基づいてアクティブマトリクス等で駆動する有機EL表示装置を作製することで、その駆動がより長期で安定であり、より性能が高い表示装置として製品供給を行うことが可能となる。
本発明の有機EL表示装置における一実施形態の模式的断面図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の模式図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。 本発明の有機EL表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。 従来例の模式的断面図である。
符号の説明
101 ガラス基板
102 TFT回路(薄膜トランジスタ)
103 平坦化膜
104 第1電極
105 絶縁膜
106 有機EL層
107 第2電極
108 カバーガラス
109 シール剤
110 絶縁膜に発生した割れ
111 非発光領域
112 発光領域
113 絶縁膜に浸入する水分
114 平坦化膜の水分
115 第1電極と同一の層
301 第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口
302 第1電極上に有機EL層と第2電極とが形成される発光部の開口
401 第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口
402 第1電極上に有機EL層と第2電極とが形成される発光部の開口
403 第1電極と同一の層だけが形成される開口
501 第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口
502 第1電極上に有機EL層と第2電極とが形成される発光部の開口
503 第1電極と同一の層だけが形成される開口
601 第1電極と同一の層と第2電極とが接する開口
602 第1電極上に有機EL層と第2電極とが形成される発光部の開口
603 第1電極と同一の層だけが形成される開口
701 第1電極と同一の層だけが形成される開口
702 第1電極上に有機EL層と第2電極とが形成される発光部の開口
801 基板
802 TFT回路(薄膜トランジスタ)
803 平坦化膜
804 第1電極
805 絶縁膜
806 有機EL層
807 第2電極
808 カバーガラス
809 シール剤
810 絶縁膜に発生したひび割れ
811 素子外部の水分
812 平坦化膜の有機材料に含まれる水分

Claims (8)

  1. 基板と、前記基板の上に形成されており等間隔に複数の開口を有する絶縁膜と、前記基板の上の前記開口に形成されておりそれぞれが発光部を構成する複数の有機EL素子と、を有し、
    前記有機EL素子は前記発光部毎にパターニングされた第1電極と、前記第1電極の上に形成されている有機EL層と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機EL層の上に形成されている第2電極と、を有し、
    前記絶縁膜は、第1電極の端部を覆っている有機EL表示装置において、
    前記有機EL層は最外周の開口よりも内側に形成されており、前記有機EL層の外周の開口では前記第1電極と同一の層と、前記第2電極とが接していることを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 前記有機EL層は、前記発光部の間に跨って連続して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  3. 全ての開口の形状は同一であることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  4. 前記最外周の開口から内側に向かって複数の開口で、前記第1電極と同一の層と、前記第2電極とが接しており、前記有機EL層は前記開口よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  5. 前記絶縁膜は窒化珪素からなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  6. 前記第1電極と同一の層及び前記第2電極はともにITO又はIZOからなることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  7. 前記有機EL層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離は100μm以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  8. 赤色を発光する前記発光部と、緑色を発光する前記発光部と、青色を発光する前記発光部と、から構成される発光画素を有することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015049948A (ja) * 2013-08-29 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP2016197581A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5207670B2 (ja) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP2011076795A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el装置
KR101521676B1 (ko) * 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
KR101924606B1 (ko) * 2012-04-27 2018-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
JP6329795B2 (ja) * 2014-03-27 2018-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ El表示装置及びel表示装置の製造方法
KR102628849B1 (ko) * 2016-03-24 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102579751B1 (ko) 2016-07-05 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR102561709B1 (ko) 2016-07-25 2023-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102385098B1 (ko) * 2017-05-16 2022-04-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11574979B2 (en) * 2018-03-30 2023-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006018085A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp 自発光装置及び電子機器
JP2006269325A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp 液滴吐出ヘッド、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP2006332019A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2007194062A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2008047515A (ja) * 2006-07-19 2008-02-28 Canon Inc 表示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR100498849B1 (ko) * 2001-12-11 2005-07-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시 장치 및 전자 기기
CN1209662C (zh) * 2001-12-17 2005-07-06 精工爱普生株式会社 显示装置及电子机器
US20050256224A1 (en) * 2002-05-24 2005-11-17 Canon Kabushiki Kaisha Colored material and method for producing the colored material
WO2004054325A1 (ja) * 2002-12-12 2004-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP3951055B2 (ja) * 2004-02-18 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4055171B2 (ja) * 2004-05-19 2008-03-05 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2006023711A (ja) * 2004-06-08 2006-01-26 Canon Inc 電気泳動表示装置
US8543814B2 (en) * 2005-01-12 2013-09-24 Rpx Corporation Method and apparatus for using generic authentication architecture procedures in personal computers
JP2006222015A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネル、及び発光表示パネルの検査方法
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4640085B2 (ja) * 2005-09-30 2011-03-02 カシオ計算機株式会社 表示パネル
JP4702009B2 (ja) * 2005-11-22 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR100732849B1 (ko) * 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
JP4533392B2 (ja) * 2006-03-22 2010-09-01 キヤノン株式会社 有機発光装置
JP4750727B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-17 キヤノン株式会社 有機発光装置及びその製造方法
JP4869157B2 (ja) * 2006-07-05 2012-02-08 キヤノン株式会社 有機発光装置の製造方法
JP2008021480A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008166127A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Canon Inc 有機elディスプレイ用基板
US8221177B2 (en) * 2007-02-28 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL panel including an element substrate dehydrated in a shorter time and method for manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006018085A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp 自発光装置及び電子機器
JP2006269325A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp 液滴吐出ヘッド、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP2006332019A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2007194062A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2008047515A (ja) * 2006-07-19 2008-02-28 Canon Inc 表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015049948A (ja) * 2013-08-29 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP2016197581A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置

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