CN111971801A - 显示装置及制造其的方法 - Google Patents
显示装置及制造其的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111971801A CN111971801A CN201880092275.9A CN201880092275A CN111971801A CN 111971801 A CN111971801 A CN 111971801A CN 201880092275 A CN201880092275 A CN 201880092275A CN 111971801 A CN111971801 A CN 111971801A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- region
- display
- disposed
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 264
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 8
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100380241 Caenorhabditis elegans arx-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150092805 actc1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括:第一衬底,在第一衬底中限定有显示区域和设置在显示区域外侧的非显示区域;第二衬底,面向第一衬底,并且包括在厚度方向上凹陷的凹陷区域和设置在凹陷区域外侧的接触区域;以及单元密封件,将第一衬底和第二衬底粘合在一起,其中,单元密封件包括粘合丝和玻璃料密封件,粘合丝设置在接触区域和非显示区域之间以连接接触区域和第一衬底,玻璃料密封件设置在凹陷区域和非显示区域之间。
Description
相关申请的交叉引用
本申请是国际申请第PCT/KR2018/016780号的国家阶段,该国际申请于2018年12月27日提交且要求于2018年4月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0043357号的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及制造其的方法。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置变得越来越重要。因此,正在开发各种显示装置,诸如液晶显示器和有机发光二极管显示器。
诸如液晶显示器和有机发光二极管显示器的显示装置可以由于光的透射而显示图像。具体地,光的透射率可以影响显示装置的显示质量(例如,亮度)。因此,显示装置可以至少部分地包括透明元件,例如玻璃元件。
为了通过粘合多个透明构件来形成多堆叠结构,可以使用利用作为液体或软膏型的粘合剂的密封剂的粘合方法,或者利用玻璃熔块或玻璃粉的粘合方法。
在密封剂粘合中,第一玻璃构件和第二玻璃构件可以通过在第一玻璃构件和第二玻璃构件之间施加液体或软膏型密封剂材料且然后固化密封剂材料而彼此粘合。
在玻璃熔块/玻璃粉粘合中,第一玻璃构件和第二玻璃构件可以通过在第一玻璃构件和第二玻璃构件之间施加玻璃熔块/玻璃粉材料且然后熔化和固化玻璃熔块/玻璃粉材料而彼此粘合。
发明内容
【技术问题】
本公开的方面提供了一种显示装置,其中由单元密封件占据的面积减小。
本公开的方面还提供了具有改善的粘合强度的显示装置。
本公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法,其中由单元密封件占据的面积减小。
本公开的方面还提供了一种制造具有改善的粘合强度的显示装置的方法。
然而,本公开的方面不限于本文中所阐述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
【技术方案】
根据本公开的方面,提供了一种显示装置,包括:第一衬底,在第一衬底中限定有显示区域和设置在显示区域外侧的非显示区域;第二衬底,面向第一衬底,并且包括在厚度方向上凹陷的凹陷区域和设置在凹陷区域外侧的接触区域;以及单元密封件,将第一衬底和第二衬底粘合在一起,其中,单元密封件包括粘合丝和玻璃料密封件,粘合丝设置在接触区域和非显示区域之间以连接接触区域和第一衬底,玻璃料密封件设置在凹陷区域和非显示区域之间。
此外,显示装置还可以包括设置在非显示区域中的第一驱动器集成电路,其中,玻璃料密封件可以设置在显示区域和第一驱动器集成电路之间。
此外,接触区域可以具有约50μm至约300μm的宽度。
此外,粘合丝可以与接触区域至少部分地重叠。
此外,粘合丝可以具有约10μm至约300μm的宽度。
此外,第二衬底还可以包括连接凹陷区域和接触区域的内侧壁,其中,可以由内侧壁、凹陷区域和第一衬底限定开口,并且玻璃料密封件可以填充开口。
此外,显示装置还可以包括中间区域,该中间区域设置在凹陷区域和接触区域之间,并且具有与凹陷区域的折射率不同的折射率。
此外,中间区域可以具有约5μm至约30μm的宽度。
此外,非显示区域可以包括设置在显示区域的上侧上的上非显示区域、设置在显示区域的下侧上的下非显示区域、设置在显示区域的左侧上的左非显示区域、以及设置在显示区域的右侧上的右非显示区域。
此外,粘合丝可以设置在上非显示区域、左非显示区域和右非显示区域中,并且玻璃料密封件可以设置在下非显示区域中。
此外,显示装置还可以包括设置在上非显示区域中的第一驱动器集成电路和设置在下非显示区域中的第二驱动器集成电路,其中,玻璃料密封件可以包括第一子玻璃料密封件和第二子玻璃料密封件,其中,第一子玻璃料密封件可以设置在第一驱动器集成电路和显示区域之间,并且第二子玻璃料密封件可以设置在第二驱动器集成电路和显示区域之间。
此外,粘合丝可以包括第一子粘合丝和第二子粘合丝,其中,第一子粘合丝可以设置在左非显示区域中,并且第二子粘合丝可以设置在右非显示区域中。
此外,粘合丝可以包括中央部分和设置在中央部分外侧的外围部分,其中,中央部分和外围部分可以具有不同的折射率。
此外,显示装置还可以包括设置在第一衬底上的一个或多个绝缘膜,其中,粘合丝可以穿过绝缘膜以连接接触区域和第一衬底。
此外,从接触区域的表面到凹陷区域的表面的距离可以大于或等于有机发光二极管的高度。
根据本公开的另一方面,提供了一种制造显示装置的方法。该方法包括:准备第一衬底和第二衬底,在第一衬底中限定有显示区域和设置在显示区域外侧的非显示区域,第二衬底面向第一衬底;将玻璃料施加到第一衬底或第二衬底上,以与第一衬底的非显示区域重叠;通过使第二衬底的一部分在厚度方向上凹陷来形成凹陷区域和设置在凹陷区域外侧的接触区域;在接触区域和第一衬底彼此接触的状态下,通过照射激光束形成用于连接接触区域和第一衬底的粘合丝;以及通过固化玻璃料来形成玻璃料密封件。
此外,激光束可以是具有约200飞秒至约500飞秒的脉冲宽度的飞秒激光束。
此外,激光束的焦点可以设定在第一衬底内部,且焦深可以为约-100μm至小于约0μm。
此外,激光束的焦点可以设定在第二衬底内部,且焦深可以为约0μm至小于约100μm。
此外,可以在第一衬底上形成一个或多个绝缘膜,并且上述方法还可以包括去除绝缘膜,其中,接触区域可以接触第一衬底的已经去除绝缘膜的部分。
其他实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
【有益效果】
根据本公开的方面,由单元密封件占据的面积减小。因此,可以实现具有窄边框的显示装置。
此外,可以实现在上衬底和下衬底之间具有改善的粘合强度的显示装置。
根据本发明的效果不受以上举例说明的内容的限制,且更多的各种效果包括在说明书中。
附图说明
图1是根据实施方式的显示装置的布局图;
图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图;
图3是图1的显示装置的局部平面图;
图4是沿图1的线II-II'截取的剖视图;
图5是沿图1的线III-III'截取的剖视图;
图6是沿图1的线IV-IV'截取的剖视图;
图7是图4的部分“A”的放大视图;
图8是示出本公开的效果的曲线图;
图9是根据实施方式的显示装置的局部平面图;
图10是沿图9的线V-V'截取的剖视图;
图11是根据实施方式的显示装置的局部剖视图;
图12是根据实施方式的显示装置的布局图;
图13是图12的实施方式的局部平面图;
图14是沿图12的线VI-VI'截取的剖视图;
图15是沿图12的线VII-VII'截取的剖视图;
图16是根据实施方式的显示装置的局部剖视图;
图17是根据实施方式的显示装置的局部剖视图;
图18是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图;
图19是根据实施方式的显示装置的局部平面图;
图20是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图;
图21是沿图20的线VIII-VIII'截取的剖视图;
图22是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图;以及
图23是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
通过参考以下实施方式的详细描述和附图,可以更容易地理解本发明构思的特征和实现其的方法。然而,本发明构思可以以许多不同的形式来实施,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思,并且本发明构思将仅由所附权利要求书限定。
应当理解,当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件或层时,它可以直接在该另一个元件或层上、直接连接到或直接联接到该另一个元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接”在另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件或层时,不存在居间的元件或层。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关联所列项中的一个或多个的任何及所有组合。
为了便于描述,可以在本文中使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。应当理解,除了图中所描绘的定向之外,空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同定向。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在该其他元件或特征“上方”。因此,示例性术语“下方”可以包括上方和下方两种定向。装置可以另外定向(旋转90度或处于其他定向),并且在本文中使用的空间相对描述语应相应地解释。
应当理解,尽管术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不背离本发明构思的教导的情况下,下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。如本文中所使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另外清楚地指示。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中,将参考附图描述本发明的实施方式。
图1是根据实施方式的显示装置的布局图。图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3是图1的显示装置的局部平面图。图4是沿图1的线II-II'截取的剖视图。图5是沿图1的线III-III'截取的剖视图。图6是沿图1的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图1至图6,根据实施方式的显示装置包括第一衬底100、第二衬底290和单元密封件CS。
在实施方式中,第一衬底100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的材料。这里,聚合物材料可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)、或这些材料的组合。
第一衬底100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA被限定为显示图像的区域。用于实现图像的多个像素PX可以设置在显示区域DA中。
非显示区域NDA设置在显示区域DA外侧,并且被限定为不显示图像的区域。在实施方式中,非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。在图1中,非显示区域NDA围绕显示区域DA。然而,本公开不限于这种情况。在实施方式中,非显示区域NDA可以设置成仅与显示区域DA的一侧或另一侧相邻,或者可以设置在显示区域DA的两侧中的每一侧上。
为了便于描述,非显示区域NDA的不同部分将用不同的术语来表示。在实施方式中,非显示区域NDA可以包括设置在图1中的显示区域DA的上侧上的上非显示区域NDA_U、设置在显示区域DA的下侧上的下非显示区域NDA_D、设置在显示区域DA的左侧上的左非显示区域NDA_L、以及设置在显示区域DA的右侧上的右非显示区域NDA_R。此外,非显示区域NDA可以包括分别设置在四个拐角处的第一拐角非显示区域NDA_C1、第二拐角非显示区域NDA_C2、第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4。
在实施方式中,驱动器集成电路IC可以设置在非显示区域NDA中。在图1中,作为示例示出了驱动器集成电路IC设置在下非显示区域NDA_D中的情况。
驱动器集成电路IC可产生驱动显示区域DA所需的信号,并将所产生的信号传输到显示区域DA。
多条第一导线160可以设置在驱动器集成电路IC和显示区域DA之间。第一导线160可以电连接驱动器集成电路IC和显示区域DA。即,由驱动器集成电路IC产生的信号可以经由导线160传输到显示区域DA。
如上所述,多个像素PX可以布置在显示区域DA中。现在将参考图2描述根据实施方式的显示装置中形成有像素PX的部分的堆叠结构。
缓冲层210可以设置在第一衬底100上。缓冲层210可以防止湿气和氧气从外部渗透通过第一衬底100。此外,缓冲层210可以使第一衬底100的表面平坦化。在实施方式中,缓冲层210可以包括氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiO2)膜和氮氧化硅(SiOxNy)膜中的任一种。可根据第一衬底100的类型或工艺条件而省略缓冲层210。
包括半导体图案ACT的半导体层可以设置在缓冲层210上。将基于半导体图案ACT来描述半导体层。在实施方式中,半导体图案ACT可以由多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种或者两种或更多种的混合物制成。在实施方式中,半导体图案ACT可以包括未掺杂杂质的沟道区ACTa和掺杂杂质的源区ACTb和漏区ACTc。源区ACTb位于沟道区ACTa的一侧上,并且电连接到稍后将描述的源电极SE。漏区ACTc位于沟道区ACTa的另一侧上,并且电连接到稍后将描述的漏电极DE。
第一绝缘层220可以设置在包括半导体图案ACT的半导体层上。在实施方式中,第一绝缘层220可以是栅极绝缘层。在实施方式中,第一绝缘层220可以由诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料和诸如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸材料和聚酰亚胺的有机绝缘材料中的任何一种或者一种或多种的混合物制成。
包括栅电极GE的栅极导体可以设置在第一绝缘层220上。栅电极GE可以与半导体图案ACT重叠。栅极导体可以包括铝(Al)基金属(包括铝合金)、银(Ag)基金属(包括银合金)、铜(Cu)基金属(包括铜合金)、钼(Mo)基金属(包括钼合金)、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的任何一种或多种。
第二绝缘层230可以设置在包括栅电极GE的栅极导体上。第二绝缘层230可以由诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料和诸如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸材料和聚酰亚胺的有机绝缘材料中的任何一种或者一种或多种的混合物制成。
包括源电极SE和漏电极DE的数据导体可以设置在第二绝缘层230上。源电极SE和漏电极DE在第二绝缘层230上设置成彼此间隔开。数据导体可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或多种。在实施方式中,数据导体可以具有由镍(Ni)、钴(Co)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铍(Be)、铌(Nb)、金(Au)、铁(Fe)、硒(Se)和钽(Ta)中的一种或多种组成的单膜结构或多膜结构。此外,源电极SE和漏电极DE可以由上述金属中的任一种和选自钛(Ti)、锆(Zr)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、铂(Pt)、铪(Hf)、氧(O)和氮(N)中的一种或多种元素的合金制成。
以上描述的半导体图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE构成开关元件DT。在图2中,开关元件DT被示为顶栅型。然而,开关元件DT不限于顶栅型。即,开关元件DT可以形成为底栅型。
平坦化层240可以设置在数据导体上。平坦化层240可以去除台阶,从而提高将在后面描述的像素电极250和有机发光层270的发光效率。在实施方式中,平坦化层240可以包括有机材料。例如,平坦化层240可以包括聚酰亚胺、聚丙烯酸酯和聚硅氧烷中的任何一种或多种。在实施方式中,平坦化层240可以包括无机材料或无机材料和有机材料的复合物。可在平坦化层240中形成第一接触孔CNT1以暴露漏电极DE的至少一部分。
像素电极250可以设置在平坦化层240上。像素电极250可以电连接到由第一接触孔CNT1暴露的漏电极DE。即,像素电极250可以是作为空穴注入电极的阳极。当形成为阳极时,像素电极250可以包括具有高功函数的材料,以便于空穴注入。此外,像素电极250可以是反射电极、半透射半反射电极或透射电极。在实施方式中,像素电极250可以包括反射材料。在实施方式中,反射材料可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)、铝(Al)、铝锂(Al-Li)、镁铟(Mg-In)和镁银(Mg-Ag)中的一种或多种。
在实施方式中,像素电极250可以形成为单膜。替代地,像素电极250可形成为其中堆叠有两种或更多种材料的多膜。
当形成为多膜时,在实施方式中,像素电极250可以包括反射膜和设置在反射膜上的透明或半透明电极。在实施方式中,像素电极250可以包括反射膜和设置在反射膜下方的透明或半透明电极。例如,像素电极250可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
这里,透明或半透明电极可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)中的一种或多种制成。
像素限定层260可以设置在像素电极250上。像素限定层260包括至少部分地暴露像素电极250的开口。像素限定层260可以包括有机材料或无机材料。在实施方式中,像素限定层260可以包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料。
有机发光层270可以设置在像素电极250和像素限定层260上。更具体地,有机发光层270可以设置在像素电极250的通过像素限定层260的开口暴露的区域上。在实施方式中,有机发光层270可以至少部分地覆盖像素限定层260的侧壁。
在实施方式中,有机发光层270可以发射红色、蓝色和绿色中的一种颜色的光。在实施方式中,有机发光层270可以发射白光或发射青色、品红色和黄色中的一种颜色的光。当有机发光层270发射白光时,它可以包括白色发光材料或可以具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的叠层。
公共电极280可以设置在有机发光层270和像素限定层260上。在实施方式中,公共电极280可以形成在有机发光层270和像素限定层260的整个表面上。在实施方式中,公共电极280可以是阴极。在实施方式中,公共电极280可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中的一种或多种。此外,公共电极280可以由具有低功函数的材料制成。在实施方式中,公共电极280可以是包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)中的任何一种或多种的透明或半透明电极。
上述像素电极250、有机发光层270和公共电极280可以构成有机发光二极管OLED。然而,有机发光二极管OLED不限于这种配置,并且可以是还包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的多层结构。
第二衬底290可以通过单元密封件CS粘合到第一衬底100。稍后将详细描述单元密封件CS。
在实施方式中,第二衬底290可以是透明绝缘衬底。当第二衬底290是透明绝缘衬底时,透明绝缘衬底可以是玻璃衬底、石英衬底、透明树脂衬底等。
参照图3,第二衬底290可以包括凹陷区域RA和接触区域CA。
图3示出了第二衬底290的背面。在实施方式中,凹陷区域RA可以是第二衬底290的在厚度方向上凹陷的区域。这里,厚度方向可以是z轴方向。
接触区域CA可以限定为第二衬底290的接触第一衬底100或设置在第一衬底100上的绝缘膜的区域。
接触区域CA可以是凹陷区域RA以外的区域。在凹陷区域RA是在厚度方向上凹陷的区域时,接触区域CA可以是非凹陷区域。
在实施方式中,接触区域CA可以至少部分地围绕凹陷区域RA。在图3中,作为示例示出了接触区域CA覆盖凹陷区域RA的三个侧面的情况。接触区域CA和凹陷区域RA可以是彼此平行但是可以处于不同的水平处的平坦表面。在本说明书中,当两个平坦表面处于“不同的水平处”时,这意味着两个平坦表面平行但高度不同。由于两个平坦表面的高度不同,所以第二衬底290可以包括连接接触区域CA的端部和凹陷区域RA的端部的内侧壁SW(参见图4等)。
再次参考图3,在实施方式中,接触区域CA可以具有“U”形状。在这种情况下,凹陷区域RA的三个侧面可以被接触区域CA覆盖,但是凹陷区域RA的一个侧面可以是敞开的而不被接触区域CA覆盖。即,在第一衬底100和第二衬底290彼此接触的状态下,可以在第一衬底100和第二衬底290之间形成未被接触区域CA封闭的开口OP。开口OP可以由玻璃料密封件FR密封,这将在后面详细描述。
第二衬底290可以在接触区域CA和凹陷区域RA中具有不同的厚度。换句话说,由于接触区域CA是没有凹陷的区域,所以第二衬底290在接触区域CA中的厚度可以大于在凹陷区域RA中的厚度。
在实施方式中,凹陷区域RA可以对应于显示区域DA。具体地,显示区域DA可以与凹陷区域RA完全重叠。即,凹陷区域RA可以完全容纳显示区域DA。为此,凹陷区域RA的平面面积可以大于或等于显示区域DA的平面面积。
粘合区域BA可以形成在接触区域CA中。粘合区域BA可以是将形成稍后将描述的粘合丝BF的区域。在实施方式中,粘合区域BA可以沿着接触区域CA设置。即,形成粘合丝BF的区域可以与接触区域CA完全重叠。
在实施方式中,接触区域CA的宽度W_C可以是约50μm至约300μm。在实施方式中,粘合区域BA可以与接触区域CA完全重叠。即,粘合区域BA可以形成在接触区域CA内部。
在实施方式中,粘合区域BA的宽度W_B可以是约10μm至约300μm。为了稳定的粘合,接触区域CA的宽度W_C可以大于或等于粘合区域BA的宽度W_B。
现在将再次参考图1描述单元密封件CS。单元密封件CS可将第一衬底100和第二衬底290粘合在一起。此外,单元密封件CS可以封装显示区域DA。即,当第一衬底100和第二衬底290被单元密封件CS密封时,水分、氧气或异物无法渗透到显示区域DA中。
在实施方式中,单元密封件CS可以包括粘合丝BF和玻璃料密封件FR。
在实施方式中,粘合丝BF可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施方式中,可以在左非显示区域NDA_L、第一拐角非显示区域NDA_C1、上非显示区域NDA_U、第二拐角非显示区域NDA_C2和右非显示区域NDA_R上形成粘合丝BF。
在实施方式中,粘合丝BF连续地形成以密封显示区域DA的三个侧面。具体地,将粘合丝BF插入到第二衬底290的接触区域CA与左非显示区域NDA_L、第一拐角非显示区域NDA_C1、上非显示区域NDA_U、第二拐角非显示区域NDA_C2和右非显示区域NDA_R之间,以将第一衬底100和第二衬底290粘合在一起。
在实施方式中,粘合丝BF可以由多个子粘合丝组成。即,参照图22,粘合丝BF可以包括沿着左非显示区域NDA_L在y轴方向上延伸的第一子粘合丝BF_1、沿着右非显示区域NDA_R在y轴方向上延伸的第二子粘合丝BF_2、以及沿着上非显示区域NDA_U在x轴方向上延伸的第三子粘合丝BF_3。
这里,第一子粘合丝BF_1和第三子粘合丝BF_3可以延伸到第一拐角非显示区域NDA_C1。在这种情况下,可以在第一拐角非显示区域NDA_C1中形成第一子粘合丝BF_1和第三子粘合丝BF_3交叉的第一交点310。在实施方式中,第一子粘合丝BF_1和第三子粘合丝BF_3可以在纵向方向上进一步延伸超过第一交点310。
类似地,第二子粘合丝BF_2和第三子粘合丝BF_3可以延伸到第二拐角非显示区域NDA_C2。
在这种情况下,可以在第二拐角非显示区域NDA_C2中形成第二子粘合丝BF_2和第三子粘合丝BF_3交叉的第二交点320。在实施方式中,第二子粘合丝BF_2和第三子粘合丝BF_3可以在纵向方向上进一步延伸超过第二交点320。
图4是沿图1的线II-II'截取的剖视图。参照图4,设置在第一衬底100上的多个有机发光二极管OLED的左侧和右侧可以被第二衬底290封闭。
如图4中所示,接触区域CA可以接触第一衬底100。在本说明书中,当“接触区域CA接触第一衬底100”时,可以理解,接触区域CA直接接触第一衬底100,或者接触区域CA接触形成在第一衬底100上的绝缘膜。这将在后面详细描述。
可以限定第二衬底290的高度H_290。第二衬底290的高度H_290可以限定为从接触区域CA的接触表面到第二衬底290的上表面的高度。在实施方式中,第二衬底290的高度H_290可以是约0.3㎜至约0.5㎜。
此外,可以限定凹陷区域RA的高度H_R。凹陷区域RA的高度H_R可以表示凹陷区域RA从第二衬底290凹陷的程度,并且表示从接触区域CA的表面到凹陷区域RA的表面的距离。在实施方式中,凹陷区域RA的高度H_R可为约5μm至约100μm。
在实施方式中,凹陷区域RA的高度H_R可以大于或等于有机发光二极管OLED的高度。这里,“有机发光二极管OLED的高度”可以表示形成有机发光二极管OLED的区域的最高部分的高度。
因此,凹陷区域RA的表面可以与有机发光二极管OLED接触或间隔开。
由于接触区域CA和凹陷区域RA之间的这种高度差,可以形成连接接触区域CA的端部和凹陷区域RA的端部的内侧壁SW。如图4中所示,内侧壁SW可以在z轴方向上延伸。然而,本公开不限于这种情况,并且内侧壁SW还可以包括至少部分倾斜的表面。
再次参考图1,单元密封件CS可以包括玻璃料密封件FR。在实施方式中,玻璃料密封件FR可以设置在下非显示区域NDA_D中。此外,玻璃料密封件FR的两端可以延伸到第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4。即,玻璃料密封件FR在下非显示区域NDA_D、第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4中可以具有沿着纵向方向(图1中的x轴方向)延伸的棒形状。此外,玻璃料密封件FR可以设置在驱动器集成电路IC和显示区域DA之间。因此,第一导线160可以与玻璃料密封件FR至少部分地重叠。
玻璃料密封件FR可以包括多个玻璃料。换句话说,玻璃料密封件FR可以是熔化多个玻璃料的结果。
玻璃料密封件FR可以设置在凹陷区域RA和下非显示区域NDA_D、第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4之间。即,玻璃料密封件FR可以设置在非显示区域NDA和凹陷区域RA之间,以将第一衬底100和第二衬底290粘合在一起。
在实施方式中,玻璃料密封件FR的宽度W_F可为约590μm至约610μm。
图5是沿图1的线III-III'截取的剖视图。图6是沿图1的线IV-IV'截取的剖视图。参照图5和图6,如上所述,开口OP可以在邻近驱动器集成电路IC的部分处形成在第一衬底100和第二衬底290之间。在实施方式中,如图6中所示,开口OP可以被玻璃料密封件FR完全密封。
即,如图6中所示,作为由内侧壁SW、凹陷区域RA和第一衬底100限定的空间的开口OP被玻璃料密封件FR完全填充。
当开口OP被玻璃料密封件FR完全密封时,设置在第一衬底100上的有机发光二极管OLED可以被单元密封件CS(即,粘合丝BF和玻璃料密封件FR)完全封装。
现在将参照图7详细描述粘合丝BF。
图7是图4的部分“A”的放大视图。
参照图7,粘合丝BF可以设置在接触区域CA和第一衬底100之间。具体地,粘合丝BF可以在接触区域CA中物理连接第一衬底100和第二衬底290。
在截面中,粘合丝BF可以在z轴方向上延伸。此外,粘合丝BF可以在z轴方向上延伸,以物理连接第二衬底290的接触区域CA和第一衬底100。
在实施方式中,第一衬底100和/或第二衬底290可以由玻璃制成。
在这种情况下,粘合丝BF可以由与形成第一衬底100和/或第二衬底290的玻璃相同的材料制成。
在实施方式中,粘合丝BF的宽度W_B可以为约10μm至约300μm。粘合丝BF的宽度W_B显著小于包括玻璃料的常规密封构件(例如,玻璃料密封件FR)的宽度。因此,如果用粘合丝BF代替玻璃料,则可以减小非显示区域NDA的面积。因此,可以实现具有窄边框的显示装置。
在实施方式中,粘合丝BF可以包括中央部分C和外围部分P。
外围部分P可以围绕中央部分C。即,如图7的截面中所示,外围部分P可以设置在中央部分C的两侧上。
粘合丝BF可以是熔化且然后再结晶第二衬底290的接触区域CA和第一衬底100的一部分的结果。可以通过飞秒激光执行第二衬底290的接触区域CA和第一衬底100的一部分的熔化。这将在后面详细描述。
在实施方式中,外围部分P和中央部分C可以是在不同温度下熔化然后硬化的结果。因此,外围部分P和中央部分C可以具有不同的折射率。即,外围部分P和中央部分C可以具有不同的光学特性。因此,外围部分P和中央部分C可以彼此区分开。
在实施方式中,中央部分C的宽度s1可以是约20μm至约70μm。
粘合丝BF可以直接且物理地连接第一衬底100和第二衬底290。由于通过熔化第一衬底100的一部分和第二衬底290的一部分来形成粘合丝BF,所以它可以包括第一衬底100和第二衬底290的材料。即,粘合丝BF可以包括这样的材料,其中第一衬底100和第二衬底290的材料没有任何边界地混合,或者可以包括第一衬底100和第二衬底290的材料的再结晶混合物。
在实施方式中,第二衬底290的接触区域CA可以接触设置在第一衬底100上的绝缘膜。可在第一衬底100上设置一个或多个绝缘膜。在实施方式中,绝缘膜可以包括顺序堆叠的第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3。尽管在图7中三个绝缘膜堆叠在第一衬底100上,但这仅仅是示例,并且绝缘膜的数量不限于三个。即,在实施方式中,绝缘膜的数量可以少于三个或者可以是四个或更多个。在实施方式中,第一绝缘膜ILD1可以由与显示区域DA的缓冲层210相同的材料制成。即,第一绝缘膜ILD1和缓冲层210可以在相同的工艺中同时形成。然而,这仅仅是示例,并且形成第一绝缘膜ILD1和缓冲层210的方法不限于该示例。
在实施方式中,第二绝缘膜ILD2可以由与显示区域DA的第一绝缘层220相同的材料制成。即,第二绝缘膜ILD2和第一绝缘层220可以在相同的工艺中同时形成。
在实施方式中,第三绝缘膜ILD3可以由与显示区域DA的第二绝缘层230相同的材料制成。即,第三绝缘膜ILD3和第二绝缘层230可以在相同的工艺中同时形成。
在实施方式中,粘合丝BF可以从第一衬底100生长以穿过多个绝缘膜。即,粘合丝BF可以穿过第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3。
在实施方式中,粘合丝BF可以从第二衬底290生长以穿过多个绝缘膜。
在这种情况下,粘合丝BF的侧表面可以接触至少一个绝缘膜。
此外,接触区域CA的除了形成有粘合丝BF的区域之外的区域可以接触第一衬底100,或者可以接触形成在第一衬底100上的绝缘膜。
图8是示出本公开的效果的曲线图。
图8示出了当通过第一激光粘合LB1、第二激光粘合LB2、第三激光粘合LB3、第四激光粘合LB4和玻璃料粘合FB粘合两个玻璃片时的强度和粘合宽度。
在第一激光粘合LB1、第二激光粘合LB2、第三激光粘合LB3和第四激光粘合LB4中,通过在两个玻璃片之间形成粘合丝来粘合两个玻璃片。第一激光粘合LB1、第二激光粘合LB2、第三激光粘合LB3和第四激光粘合LB4的区别仅在于两个玻璃片的类型,并且在使用飞秒激光形成粘合丝方面是相同的。
参照图8,形成粘合丝的激光粘合具有常规玻璃料粘合FB的1/5的粘合宽度和类似于或优于常规玻璃料粘合FB的粘合强度。即,当通过形成粘合丝来粘合两个玻璃片时,可以增加粘合强度,同时减小粘合所需的面积(这影响显示装置的非显示区域NDA的面积)。因此,可以实现具有窄边框和优异粘合强度的显示装置。
在下文中,将描述根据其他实施方式的显示装置。在下面的实施方式中,与上面已经描述的元件相同的元件将由相同的附图标记表示,并且相同元件的冗余描述将被省略或简要给出。
图9是根据实施方式的显示装置的局部平面图。图10是沿图9的线V-V'截取的剖视图。
参照图9,在实施方式中,中间区域MA可以进一步限定在第二衬底291的凹陷区域RA和接触区域CA之间。
如上所述,凹陷区域RA和接触区域CA可以是平坦表面,但是可以处于不同的水平处。
中间区域MA可以设置在凹陷区域RA和接触区域CA之间,并且可以包括至少部分倾斜的表面。即,如图9中所示,中间区域MA可以包括从接触区域CA的内侧壁SW向下延伸到凹陷区域RA的端部的倾斜表面。因此,第二衬底291的厚度可以从接触区域CA向凹陷区域RA逐渐减小。
在实施方式中,凹陷区域RA可以通过部分蚀刻第二衬底291来获得。在蚀刻工艺中,凹陷区域RA和接触区域CA之间的边界可以形成为如图1中所示的线,或者可以形成为如图9中所示的平面。当通过化学蚀刻方法形成凹陷区域RA时,边界可以是特别明显的。这是因为化学蚀刻方法在蚀刻工艺中需要一定的余量,并且需要具有两个水平的中间值的中间区域MA,以便形成具有不同水平的两个平面(接触区域CA和凹陷区域RA)。
在接触区域CA在平面图中具有“U”形状的实施方式中,中间区域MA也可以沿着接触区域CA具有“U”形状。此外,中间区域MA可以是在蚀刻工艺中形成的缓冲区域,并且可以具有圆润的拐角。
由于凹陷区域RA需要完全覆盖显示区域DA,因此它可以基本上具有四边形形状。然而,在实施方式中,由于中间区域MA的存在,凹陷区域RA的拐角可以沿着中间区域MA被圆化。
在实施方式中,中间区域MA的宽度W_M(定义为接触区域CA的端部和凹陷区域RA的端部之间的距离)可以是约5μm至约30μm。
由于中间区域MA具有与凹陷区域RA的厚度不同的厚度,所以中间区域MA和凹陷区域RA可以具有不同的折射率。在实施方式中,中间区域MA的折射率可以大于凹陷区域RA的折射率。因此,可以将中间区域MA与凹陷区域RA区分开。
图11是根据实施方式的显示装置的局部剖视图。
图11是图7的修改示例。如上所述,接触区域CA可以直接接触第一衬底100。具体地,接触区域CA的除了形成有粘合丝BF的区域之外的区域可以直接接触第一衬底100。
该结构可以通过部分去除设置在第一衬底100上的绝缘膜且然后使第二衬底290与第一衬底100接触的工艺产生。即,可以通过完全去除第一衬底100的端部附近的绝缘膜且然后在第二衬底290的接触区域CA与第一衬底100直接接触的状态下形成粘合丝BF来获得这种结构。然而,这仅仅是示例,并且这种结构不一定是通过上述工艺获得的。
在实施方式中,第二衬底290的内侧壁SW可以接触第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3中的一个或多个。
在图11中,第二衬底290的内侧壁SW接触第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3。然而,本公开不限于这种情况。在实施方式中,第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3可以与内侧壁SW间隔开。
当接触区域CA的除了形成有粘合丝BF的区域之外的区域直接接触第一衬底100时,可以改善第一衬底100和第二衬底290的粘合性能。即,如果在接触区域CA和第一衬底100之间插入绝缘膜,则其可增加接触区域CA和第一衬底100之间的物理距离,从而降低粘合性能。然而,可以在图11的实施方式中防止这种情况。
图12是根据实施方式的显示装置的布局图。图13是图12的实施方式的局部平面图。图14是沿图12的线VI-VI'截取的剖视图。图15是沿图12的线VII-VII'截取的剖视图。
参照图12至图15,在实施方式中,两个驱动器集成电路IC可以设置在第一衬底100上。为了便于描述,设置在下非显示区域NDA_D中的驱动器集成电路将被称为第一驱动器集成电路IC1,而设置在上非显示区域NDA_U中的驱动器集成电路将被称为第二驱动器集成电路IC2。
第一驱动器集成电路IC1与上面参考图1等描述的驱动器集成电路IC基本上相同,且因此省略其详细描述。
随着形成在显示区域DA中的图像数量增加,可能难以仅使用一个驱动器集成电路来驱动显示区域DA。在这种情况下,可以进一步设置附加的驱动器集成电路。
在实施方式中,第二驱动器集成电路IC2可以放置成面向第一驱动器集成电路IC1。即,显示区域DA可以设置在第二驱动器集成电路IC2和第一驱动器集成电路IC1之间。
第二驱动器集成电路IC2可产生驱动显示区域DA所需的信号,并将所产生的信号传输到显示区域DA。为此,可以在第二驱动器集成电路IC2和显示区域DA之间设置多条第二导线150。第二导线150可以设置在第二驱动器集成电路IC2和显示区域DA之间,以将由第二驱动器集成电路IC2产生的信号传输到显示区域DA。
在实施方式中,玻璃料密封件FR可以包括第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2。
第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2中的每一个可以具有在纵向方向上延伸的棒形状。在实施方式中,纵向方向可以是图12的x轴方向。因此,第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2可以彼此平行地延伸。
在实施方式中,第一子玻璃料密封件FR_1可以设置在下非显示区域NDA_D中。具体地,第一子玻璃料密封件FR_1可以设置在显示区域DA和第一驱动器集成电路IC1之间。因此,第一子玻璃料密封件FR_1可以与多条第一导线160至少部分地重叠。
在实施方式中,第二子玻璃料密封件FR_2可以设置在上非显示区域NDA_U中。具体地,第二子玻璃料密封件FR_2可以设置在显示区域DA和第二驱动器集成电路IC2之间。因此,第二子玻璃料密封件FR_2可以与第二导线150至少部分地重叠。
在实施方式中,粘合丝BF可以包括第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2。
第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_1中的每一个可以具有在纵向方向上延伸的棒形状。在实施方式中,纵向方向可以是图12的y轴方向。
在实施方式中,第一子粘合丝BF_1可以设置在左非显示区域NDA_L中。替代地,第一子粘合丝BF_1的两端可以延伸到第一拐角非显示区域NDA_C1或第四拐角非显示区域NDA_C4。
在实施方式中,第二子粘合丝BF_2可以设置在右非显示区域NDA_R中。替代地,第二子粘合丝BF_2的两端可以延伸到第二拐角非显示区域NDA_C2或第三拐角非显示区域NDA_C3。
第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2可以设置在接触区域CA和第一衬底100之间。
在实施方式中,第二衬底292的接触区域CA可以包括第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2。
现在将参考图13描述接触区域CA。
第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2中的每一个可以具有在纵向方向上延伸的棒形状。在实施方式中,纵向方向可以是图12和图13的y轴方向。
第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2可以彼此平行地延伸,但是可以彼此间隔开预定距离。
凹陷区域RA可以设置在第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2之间。尽管在图13中未示出,但是如以上参考图9所描述的,中间区域可以设置在第一子接触区域CA_1和凹陷区域RA之间和/或设置在第二子接触区域CA_2和凹陷区域RA之间。
第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2可以接触第一衬底100。第一子粘合丝BF_1可以设置在第一子接触区域CA_1和第一衬底100之间,且第二子粘合丝BF_2可以设置在第二子接触区域CA_1和第一衬底100之间。
即,显示区域DA可以由第一子粘合丝BF_1、第二子粘合丝BF_2、第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2封装,其中第一子粘合丝BF_1、第二子粘合丝BF_2、第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2布置成围绕显示区域DA。
参照图14,显示区域DA的上侧和下侧可以被第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2封装。如以上参考图13所描述的,当第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2以“11”的形式并排布置时,第一开口OP1和第二开口OP2可以形成在凹陷区域RA的两端和第一衬底100之间。第一开口OP1可邻近第一驱动器集成电路IC1设置,并且第二开口OP2可邻近第二驱动器集成电路IC2设置。
第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2可以密封第一开口OP1和第二开口OP2。具体地,第一子玻璃料密封件FR_1可密封第一开口OP1,并且第二子玻璃料密封件FR_2可密封第二开口OP2。因此,显示区域DA的上侧和下侧可以由第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2密封。
参照图15,显示区域DA的左侧和右侧可以由第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2密封。
即,第二衬底292的两端可以弯曲,并且作为第二衬底292的弯曲端部的第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2可以接触第一衬底100。
第一子粘合丝BF_1可以设置在第一子接触区域CA_1和第一衬底100之间,并且第二子粘合丝BF_2可以设置在第二子接触区域CA_2和第一衬底100之间。
第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2的截面结构可以与以上参照图7所描述的截面结构基本上相同。
即,第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2中的每一个可以包括中央部分C和外围部分P,并且包含第一衬底100的材料和第二衬底292的材料两者。即,第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2中的每一个可以包括第一衬底100和第二衬底292的材料的混合物或者包括第一衬底100和第二衬底292的材料的再结晶混合物。
第一子粘合丝BF_1、第二子粘合丝BF_2、第一子玻璃料密封件FR_1和第二子玻璃料密封件FR_2可以构成如上所述的单元密封件CS。单元密封件CS可以围绕显示区域DA并封装显示区域DA。因此,可以防止水分、氧气或异物引入到显示区域DA中。
图16是根据实施方式的显示装置的局部剖视图。参照图16,在实施方式中,粘合丝可包括至少两个彼此平行延伸的子粘合丝。
为了便于描述,在图16中,设置在内侧上的粘合丝将被称为内粘合丝BF_I,并且设置在内粘合丝BF_I外侧的粘合丝将被称为外粘合丝BF_O。
在实施方式中,内粘合丝BF_I可以设置成比外粘合丝BF_O更靠近凹陷区域RA。即,外粘合丝BF_O可以围绕内粘合丝BF_I。
在实施方式中,内粘合丝BF_I和外粘合丝BF_O可以彼此间隔开。彼此间隔开的内粘合丝BF_I和外粘合丝BF_O可以在相同的方向上延伸。
即,当内粘合丝BF_I沿x轴或y轴延伸时,外粘合丝BF_O可沿内粘合丝BF_I在x轴或y轴方向上延伸(在俯视图中)。
在实施方式中,内粘合丝BF_I可以包括中央部分C_I和设置在中央部分C_I外侧的外围部分P_I。中央部分C_I和外围部分P_I可以与上述根据实施方式的显示装置中的粘合丝BF的那些相同。
外粘合丝BF_O也可以包括中央部分C_O和外围部分P_O。中央部分C_O和外围部分P_O可以与上述根据实施方式的显示装置中的粘合丝BF的那些相同。
即,当内粘合丝BF_I和外粘合丝BF_O彼此间隔开时,两个中央部分C_I和C_O在接触区域CA和第一衬底100之间可以是可见的。
当如上所述在接触区域CA和第一衬底100之间形成多个粘合丝时,第一衬底100和第二衬底290可以更稳定地粘合在一起。即,可以增加第一衬底100和第二衬底290之间的粘合强度。
在实施方式中,内粘合丝BF_I和外粘合丝BF_O可以至少部分地彼此重叠。即,内粘合丝BF_I的外围部分P_I和外粘合丝BF_O的外围部分P_O可以至少部分地彼此重叠。即使在这种情况下,内粘合丝BF_I的中央部分C_I和外粘合丝BF_O的中央部分C_O可以彼此间隔开,并且可以在截面中可见。
在实施方式中,内粘合丝BF_I和外粘合丝BF_O可以彼此更接近。在这种情况下,内粘合丝BF_I的中央部分C_I和外粘合丝BF_O的中央部分C_O可以部分地彼此重叠。当内粘合丝BF_I的中央部分C_I和外粘合丝BF_O的中央部分C_O部分地彼此重叠时,仅一个中央部分可以在截面中可见。
图17是根据实施方式的显示装置的局部剖视图。参照图17,在实施方式中,粘合丝BF3的一部分可以连接凹陷区域RA和第一衬底100的表面。
如将在后面详细描述的,可以通过照射飞秒激光束同时将飞秒激光束聚焦在第二衬底290的接触区域CA或第一衬底100上来形成粘合丝BF3。粘合丝BF3可以在彼此接触的界面之间生长,或者可以连接以预定距离间隔开的表面。
即,粘合丝BF3的一部分可以连接接触区域CA和第一衬底100,并且粘合丝BF3的剩余部分可以连接邻近接触区域CA的凹陷区域RA和第一衬底100。
在图17中,设置在中央部分C3外侧的外围部分P3包括第一子外围部分PC和第二子外围部分PR。
在实施方式中,第一子外围部分PC可以连接接触区域CA和第一衬底100,并且第二子外围部分PR可以连接凹陷区域RA和第一衬底100。
在这种情况下,第二子外围部分PR的高度H_P可以大于或等于凹陷区域RA的表面和第一衬底100的表面之间的距离。
虽然在图17中示出了外围部分P3连接第一衬底100和凹陷区域RA的情况,但是本公开不限于这种情况。在实施方式中,中央部分C3的至少一部分可以连接第一衬底100和凹陷区域RA。
在图16和图17中,为了便于描述,没有示出绝缘膜。然而,图16和图17的情况也可以包括如以上参考图7和图11所描述的绝缘膜结构。
在下文中,将描述根据实施方式的制造显示装置的方法。
下面描述的元件中的一些可以与根据上述实施方式的显示装置的元件中的一些基本相同,且因此,为了避免冗余,将省略对其的描述。
图18是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图。图19是根据实施方式的显示装置的局部平面图。图20是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图。图21是沿图20的线VIII-VIII'截取的剖视图。
参照图18至图21,根据实施方式的制造显示装置的方法包括准备第一衬底100和面对第一衬底100的第二衬底290,其中在第一衬底100中限定有显示区域DA和设置在显示区域DA外侧的非显示区域NDA;将玻璃料F1施加到第一衬底100或第二衬底290上,以与第一衬底100的非显示区域NDA重叠;通过在厚度方向上使第二衬底290的一部分凹陷来形成凹陷区域RA和接触区域CA;在接触区域CA和第一衬底100彼此接触的状态下,通过照射激光束形成用于连接接触区域CA和第一衬底100的粘合丝BF;以及通过固化玻璃料F1形成玻璃料密封件FR。
图18示出了第一衬底100。第一衬底100可以与根据上述实施方式的显示装置的那些基本上相同。即,可以在显示区域DA中设置多个像素,每个像素包括有机发光二极管OLED,并且可以将非显示区域NDA分成上非显示区域NDA_U、下非显示区域NDA_D、左非显示区域NDA_L、右非显示区域NDA_R和第一拐角非显示区域NDA_C1至第四拐角非显示区域NDA_C4。
第二衬底290可以面向第一衬底100。第二衬底290可以与根据上述实施方式的显示装置的第二衬底290基本上相同。
接着,可以将玻璃料F1施加到第一衬底100或第二衬底290上,以与第一衬底100的非显示区域NDA重叠。
在实施方式中,玻璃料F1可以被施加到第一衬底100或第二衬底290上。如图20中所示,在第一衬底100和第二衬底290彼此堆叠的状态下,所施加的玻璃料F1可以设置在下非显示区域NDA_D中。即,玻璃料F1可被施加以设置在驱动器集成电路IC和显示区域DA之间,并与多条第一导线160至少部分地重叠。玻璃料F1可以是含有玻璃粉的团状物(dough)的形式。玻璃料F1可以随后被固化成玻璃料密封件FR。
在实施方式中,在第一衬底100和第二衬底290彼此堆叠的状态下,所施加的玻璃料F1可以被放置成与下非显示区域NDA_D重叠。此外,玻璃料F1的两端可以延伸到第三拐角非显示区域NDA_C3和/或第四拐角非显示区域NDA_C4。
替代地,当显示装置包括如图12中所示的两个驱动器集成电路时,玻璃料F1也可以放置在上非显示区域NDA_U中。
接着,参考图19,第二衬底290的一部分可以在厚度方向上凹陷,以形成凹陷区域RA和接触区域CA。在实施方式中,第二衬底290的一部分可以通过湿法蚀刻方法凹陷。在实施方式中,第二衬底290的一部分可以通过干燥蚀刻方法凹陷或经机械切割以形成凹陷区域RA。
接触区域CA可以设置在凹陷区域RA外侧。即,接触区域CA可以被限定为非凹陷区域。
如图3中所示,接触区域CA可以覆盖凹陷区域RA的三个侧面,或者如图13中所示,接触区域CA可以设置成“11”的形式,其中凹陷区域RA插置在接触区域CA的部分之间。
此外,在该阶段处,如图9中所示,可以在接触区域CA和凹陷区域RA之间形成中间区域MA。
接着,参考图20和图21,可以在接触区域CA和第一衬底100彼此接触的状态下通过照射激光束来形成用于连接接触区域CA和第一衬底100的粘合丝BF。
第二衬底290可以被放置成面向第一衬底100。因此,显示区域DA可以被第二衬底290的凹陷区域RA完全重叠。
接触区域CA可以接触第一衬底100的非显示区域NDA。
即,接触区域CA可以直接接触第一衬底100或者可以接触形成在第一衬底100上的绝缘膜。
在实施方式中,可以通过照射激光束在第一衬底100和接触区域CA之间形成粘合丝BF。
在实施方式中,激光束可以是飞秒激光束。在本说明书中,飞秒激光束可以表示具有大约200飞秒到大约500飞秒的脉冲宽度的激光束。
在实施方式中,可以连续地照射激光束L1。即,如图20中所示,可以沿着接触区域CA连续地照射激光束L1。在接触区域CA形成在左非显示区域NDA_L、上非显示区域NDA_U和右非显示区域NDA_R上方的实施方式中(在俯视图中),可以沿着左非显示区域NDA_L、上非显示区域NDA_U和右非显示区域NDA_R照射激光束L1(参见图20中的①)。
参照图21,可以从第二衬底290上方朝向第一衬底100照射激光束L1。在实施方式中,激光束L1的焦点FO1可以设置在第一衬底100内部。
为了便于描述,将设定焦深的基准。第一衬底100的上表面可以限定为焦深为“零”的点。此外,在第一衬底100内部距第一衬底100的上表面的距离为z的点处的焦深可以被限定为-z。
在实施方式中,激光束L1的焦深可以是约-100μm至小于约0μm。当照射激光束L1时,可以在焦点FO1周围提供高能量。所提供的能量可以将第一衬底100的一部分和第二衬底290的接触区域CA的一部分转变为等离子体状态。换句话说,第一衬底100的一部分和第二衬底290的接触区域CA的一部分被所提供的能量等离子体化。处于等离子体状态中的第一衬底100的上述一部分和第二衬底290的上述一部分可以熔化并且在它们彼此混合的状态下再结晶。在该过程中,可以形成粘合丝BF的中央部分C(参见图7)。
在等离子体状态下,可以在中央部分C周围产生热量,并且热量可以熔化中央部分C周围的部分。因此,粘合丝BF的外围部分P可以形成为围绕中央部分C。中央部分C和外围部分P可以在z轴方向上围绕焦点FO1生长。粘合丝BF的外围部分P和中央部分C可以连接第一衬底100和第二衬底290。
在图21中,接触区域CA和第一衬底100彼此接触。然而,本公开不限于这种情况。在实施方式中,即使当接触区域CA和第一衬底100(通过绝缘膜)彼此间隔开预定距离时,粘合丝BF也可以在z轴方向上生长以连接第一衬底100和接触区域CA。此外,如图20的实施方式中,粘合丝BF3可以通过克服的凹陷区域RA的一部分和第一衬底100之间的间隙来连接凹陷区域RA和第一衬底100。
由于外围部分P和中央部分C的熔化温度不同,所以外围部分P和中央部分的光学特性可不同。例如,外围部分P和中央部分C的折射率可以彼此不同。因此,外围部分P和中央部分C可以彼此区分开。
接着,可以通过固化玻璃料F1来形成玻璃料密封件FR。玻璃料F1的固化可以通过普通激光照射或红外照射而不是飞秒激光照射来实现。
当激光束照射到玻璃料F1时,玻璃料F1可以至少部分地熔化以形成具有粘合性能的玻璃料密封件FR。玻璃料密封件FR的设置可以与根据上述实施方式的显示装置中的那些基本相同,且因此省略其详细描述。
与用于形成玻璃料密封件的工艺温度相比,用于形成粘合丝的工艺温度相对高。即,当在设置有导线的部分中形成细丝时,导线可能被高温损坏。因此,通过在与导线重叠的部分中使用玻璃料密封件并且在剩余部分中使用粘合丝,可以实现窄的边框并且防止由于热量而对导线的损坏。
尽管为了便于描述而描述了在玻璃料密封件FR之前形成粘合丝BF的情况,但是本公开不限于该顺序。即,在实施方式中,可以在粘合丝BF之前形成玻璃料密封件FR。
根据实施方式的制造显示装置的方法可以包括在使接触区域CA和第一衬底100彼此接触之前部分地去除形成在第一衬底100上的绝缘膜(参见图11)。
如以上参考图7和图11所描述的,可以在第一衬底100上设置一个或多个绝缘膜。在实施方式中,可以部分去除设置在第一衬底100上的绝缘膜以暴露第一衬底100。接触区域CA可以接触衬底100的通过去除绝缘膜而暴露的区域。即,当去除绝缘膜时,第一衬底100可以直接接触接触区域CA。
在实施方式中,可以省略绝缘膜的去除。在这种情况下,如图7中所示,粘合丝BF可以穿过绝缘膜。
现在将描述根据实施方式的制造显示装置的方法。
图22是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的布局图。
参照图22,可以通过在接触区域CA和第一衬底100彼此接触的状态下照射激光束来形成用于连接接触区域CA和第一衬底100的粘合丝BF。在该操作中,可以间歇地照射激光束。
具体地,可以通过在y轴方向上照射激光束来形成第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2。在实施方式中,可以在接触区域CA和左非显示区域NDA_L之间形成第一子粘合丝BF_1,并且可以在接触区域CA和右非显示区域NDA_R之间形成第二子粘合丝BF_2(参见图22中的②和③)。
在如图12中所示的接触区域CA包括第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2的实施方式中,也可以在y轴方向上照射激光束,以形成第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2。
然后,可以通过在x轴方向上照射激光束来形成第三子细丝BF_3。
第三子粘合丝BF_3可以形成在上非显示区域NDA_U上。
在实施方式中,第三子粘合丝BF_3可以与第一子粘合丝BF_1和第二子粘合丝BF_2相交。
如图12中所示,在接触区域CA包括第一子接触区域CA_1和第二子接触区域CA_2的实施方式中,可以省略第三子粘合丝BF_3的形成。
因此,可以在第一拐角非显示区域NDA_C1中形成第一交点310,并且可以在第二拐角非显示区域NDA_C2中形成第二交点320。
图23是用于解释根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
参考图23,与图21不同地,可以从第一衬底100下方照射激光束L2。可以从第一衬底100下方朝向第二衬底290照射激光束L2。在实施方式中,激光束L2的焦点FO2可以被设置在第二衬底290内部。
为了便于描述,将设定焦深的基准。第二衬底290的接触区域CA的表面可以被限定为焦深为“零”的点。此外,在第二衬底290内部的距接触区域CA的表面距离z的点处的焦深可以被限定为+z。
在实施方式中,激光束L2的焦深可以是大约0μm至小于大约100μm。当照射激光束L2时,可以在焦点FO2周围提供高能量。所提供的能量可以将第一衬底100的一部分和第二衬底290的接触区域CA的一部分转变为等离子体状态。处于等离子体状态中的第一衬底100的上述一部分和第二衬底290的上述一部分可以熔化并且在它们彼此混合的状态下再结晶。在该工艺中,可以形成粘合丝BF的中央部分C(参见图7)。
在结束详细描述时,本领域的技术人员将理解,在基本上不脱离本发明的原理的情况下,可以对优选实施方式进行许多变化和修改。因此,本发明的所公开的优选实施方式仅在一般和描述性意义上使用,而不是出于限制的目的。通过参考权利要求书,实施方式的以上和其他效果对于实施方式所属领域的日常技术人员将变得更加显而易见。
Claims (20)
1.显示装置,包括:
第一衬底,在所述第一衬底中限定有显示区域和设置在所述显示区域外侧的非显示区域;
第二衬底,面向所述第一衬底,并且包括在厚度方向上凹陷的凹陷区域和设置在所述凹陷区域外侧的接触区域;以及
单元密封件,将所述第一衬底和所述第二衬底粘合在一起,
其中,所述单元密封件包括粘合丝和玻璃料密封件,所述粘合丝设置在所述接触区域和所述非显示区域之间以连接所述接触区域和所述第一衬底,所述玻璃料密封件设置在所述凹陷区域和所述非显示区域之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第一驱动器集成电路,设置在所述非显示区域中,其中,所述玻璃料密封件设置在所述显示区域和所述第一驱动器集成电路之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述接触区域具有50μm至300μm的宽度。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述粘合丝与所述接触区域至少部分地重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述粘合丝具有10μm至300μm的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二衬底还包括连接所述凹陷区域和所述接触区域的内侧壁,其中,由所述内侧壁、所述凹陷区域和所述第一衬底限定开口,且所述玻璃料密封件填充所述开口。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
中间区域,设置在所述凹陷区域和所述接触区域之间,并且具有与所述凹陷区域的折射率不同的折射率。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述中间区域具有5μm至30μm的宽度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非显示区域包括设置在所述显示区域的上侧上的上非显示区域、设置在所述显示区域的下侧上的下非显示区域、设置在所述显示区域的左侧上的左非显示区域、以及设置在所述显示区域的右侧上的右非显示区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述粘合丝设置在所述上非显示区域、所述左非显示区域和所述右非显示区域中,并且所述玻璃料密封件设置在所述下非显示区域中。
11.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:
第一驱动器集成电路,设置在所述上非显示区域中;以及
第二驱动器集成电路,设置在所述下非显示区域中,
其中,所述玻璃料密封件包括第一子玻璃料密封件和第二子玻璃料密封件,其中所述第一子玻璃料密封件设置在所述第一驱动器集成电路和所述显示区域之间,并且所述第二子玻璃料密封件设置在所述第二驱动器集成电路和所述显示区域之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述粘合丝包括第一子粘合丝和第二子粘合丝,其中所述第一子粘合丝设置在所述左非显示区域中,并且所述第二子粘合丝设置在所述右非显示区域中。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述粘合丝包括中央部分和设置在所述中央部分外侧的外围部分,其中所述中央部分和所述外围部分具有不同的折射率。
14.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
一个或多个绝缘膜,设置在所述第一衬底上,其中所述粘合丝穿过所述绝缘膜以连接所述接触区域和所述第一衬底。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,从所述接触区域的表面到所述凹陷区域的表面的距离大于或等于有机发光二极管的高度。
16.制造显示装置的方法,所述方法包括:
准备第一衬底和第二衬底,在所述第一衬底中限定有显示区域和设置在所述显示区域外侧的非显示区域,所述第二衬底面向所述第一衬底;
将玻璃料施加到所述第一衬底或所述第二衬底上,以与所述第一衬底的所述非显示区域重叠;
通过使所述第二衬底的一部分在厚度方向上凹陷来形成凹陷区域和设置在所述凹陷区域外侧的接触区域;
在所述接触区域和所述第一衬底彼此接触的状态下,通过照射激光束形成用于连接所述接触区域和所述第一衬底的粘合丝;以及
通过固化所述玻璃料来形成玻璃料密封件。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述激光束是具有200飞秒至500飞秒的脉冲宽度的飞秒激光束。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述激光束的焦点设定在所述第一衬底内部,且焦深为-100μm至小于0μm。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,所述激光束的焦点设定在所述第二衬底内部,且焦深为0μm至小于100μm。
20.根据权利要求16所述的方法,其中,在所述第一衬底上形成一个或多个绝缘膜,并且所述方法还包括去除所述绝缘膜,其中所述接触区域接触所述第一衬底的已经去除所述绝缘膜的部分。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180043357A KR102566338B1 (ko) | 2018-04-13 | 2018-04-13 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR10-2018-0043357 | 2018-04-13 | ||
PCT/KR2018/016780 WO2019198907A1 (ko) | 2018-04-13 | 2018-12-27 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111971801A true CN111971801A (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=68163231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880092275.9A Pending CN111971801A (zh) | 2018-04-13 | 2018-12-27 | 显示装置及制造其的方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11367854B2 (zh) |
EP (1) | EP3780109A4 (zh) |
JP (1) | JP7350008B2 (zh) |
KR (2) | KR102566338B1 (zh) |
CN (1) | CN111971801A (zh) |
TW (2) | TW202335287A (zh) |
WO (1) | WO2019198907A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102587002B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2023-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US11251224B2 (en) | 2018-10-31 | 2022-02-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
JP7233354B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-03-06 | 三菱電機株式会社 | 表示ユニット製造方法および表示装置製造方法 |
CN115472112A (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-13 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200836A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2008516409A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コーニング インコーポレイテッド | 気密封止ガラスパッケージ及び作成方法 |
JP2012104397A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
US20130134396A1 (en) * | 2011-11-28 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Glass Pattern and Method for Forming the Same, Sealed Body and Method for Manufacturing the Same, and Light-Emitting Device |
US20130134397A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sealed Structure, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device |
JP2015098042A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 日本電気硝子株式会社 | 接合体の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126863A (ja) | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003100446A (ja) | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
JP2004037859A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2004186100A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2006351382A (ja) | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル及びその製造方法、自発光パネル用封止部材 |
JP4894025B2 (ja) | 2006-09-22 | 2012-03-07 | 国立大学法人大阪大学 | 物質の接合方法、物質接合装置、および、接合体とその製造方法 |
JP2009026505A (ja) | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP5265018B2 (ja) | 2009-10-05 | 2013-08-14 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP5407819B2 (ja) | 2009-12-07 | 2014-02-05 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
KR101035627B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2011-05-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CA2805003C (en) * | 2010-07-12 | 2017-05-30 | S. Abbas Hosseini | Method of material processing by laser filamentation |
DE102010038554A1 (de) | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Osram Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und zugehöriges Herstellverfahren |
KR20120044020A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI577006B (zh) | 2011-11-29 | 2017-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封體、發光裝置、電子裝置及照明設備 |
KR20140061095A (ko) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101993331B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP2015013760A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス接合パッケージ用容器及びガラス接合パッケージ並びにそれらの製造方法 |
JP2015144081A (ja) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 日本精機株式会社 | 有機elパネルの製造方法 |
US10651253B2 (en) | 2014-10-16 | 2020-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, display panel, display device, electronic device and method for producing light emitting element |
KR102587002B1 (ko) | 2017-11-15 | 2023-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-04-13 KR KR1020180043357A patent/KR102566338B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-19 TW TW112104794A patent/TW202335287A/zh unknown
- 2018-11-19 TW TW107141077A patent/TWI795469B/zh active
- 2018-12-27 US US16/474,372 patent/US11367854B2/en active Active
- 2018-12-27 JP JP2020555142A patent/JP7350008B2/ja active Active
- 2018-12-27 WO PCT/KR2018/016780 patent/WO2019198907A1/ko active Application Filing
- 2018-12-27 EP EP18914206.0A patent/EP3780109A4/en active Pending
- 2018-12-27 CN CN201880092275.9A patent/CN111971801A/zh active Pending
-
2023
- 2023-08-08 KR KR1020230103447A patent/KR20230121971A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008516409A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コーニング インコーポレイテッド | 気密封止ガラスパッケージ及び作成方法 |
JP2007200836A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2012104397A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
US20130134396A1 (en) * | 2011-11-28 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Glass Pattern and Method for Forming the Same, Sealed Body and Method for Manufacturing the Same, and Light-Emitting Device |
US20130134397A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sealed Structure, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device |
CN103137896A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 密封体、发光装置、电子设备及照明装置 |
JP2015098042A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 日本電気硝子株式会社 | 接合体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201944593A (zh) | 2019-11-16 |
WO2019198907A1 (ko) | 2019-10-17 |
US11367854B2 (en) | 2022-06-21 |
US20210336195A1 (en) | 2021-10-28 |
KR20190120464A (ko) | 2019-10-24 |
JP7350008B2 (ja) | 2023-09-25 |
TWI795469B (zh) | 2023-03-11 |
EP3780109A1 (en) | 2021-02-17 |
KR102566338B1 (ko) | 2023-08-11 |
EP3780109A4 (en) | 2022-01-05 |
KR20230121971A (ko) | 2023-08-22 |
TW202335287A (zh) | 2023-09-01 |
JP2021521473A (ja) | 2021-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109786584B (zh) | 显示装置及制造显示装置的方法 | |
US11367854B2 (en) | Display device having a bonding filament and method of manufacturing the same | |
US9362533B2 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
US7968891B2 (en) | Organic light emitting display and fabrication method of the same | |
JP2004006343A (ja) | 有機電界発光素子とその製造方法 | |
US9030095B2 (en) | Organic electro-luminescence display device and manufacturing method thereof | |
KR20200076148A (ko) | 베젤이 감소된 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP7470166B2 (ja) | 電界発光表示装置 | |
US12022704B2 (en) | Display apparatus having an oxide semiconductor pattern | |
US20230337484A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
US20240222419A1 (en) | Display device | |
US20230209868A1 (en) | Electroluminescence Display | |
US20230209905A1 (en) | Electroluminescence display | |
KR20230081462A (ko) | 표시장치 | |
CN117677222A (zh) | 光控制面板和包括光控制面板的显示装置 | |
CN114446158A (zh) | 电子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |