CN114446158A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
本揭露实施例提供一种电子装置，包括多个单元。多个单元中的每个单元包括多个主要接合区以及至少一个备援接合区。每个备援接合区与多个主要接合区连接。至少一个备援接合区的数量少于多个主要接合区的数量。
Description
本揭露是2020年10月30日所提出的申请号为202011192048.9、发明名称为《显示装置》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
电子装置已广泛地应用于电子设备例如移动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子产品蓬勃发展，对于电子产品上的显示质量的要求越来越高，使得电子装置不断朝向轻、薄、短、小、无框且更大或更高分辨率的显示效果改进。在高穿透率或高分辨率的电子装置中，由于电子装置的尺寸持续的缩小，因而会出现布线空间或预留修补空间不足的问题。
发明内容
根据本揭露的实施例，电子装置包括多个单元。每个所述多个单元包括多个主要接合区以及至少一个备援接合区。每个所述至少一个备援接合区与多个主要接合区连接，且至少一个备援接合区的数量少于多个主要接合区的数量。
附图说明
图1为本揭露一实施例的电子装置的单元的上视示意图；
图2为本揭露另一实施例的电子装置的部分上视示意图；
图3为图2所示单元的示意性的电路图；
图4为本揭露再一实施例的电子装置的部分上视示意图；
图5为图4所示单元的示意性的电路图；
图6为本揭露又一实施例的电子装置的部分上视示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种组件、部件、区域、层和/或部分，但是这些组件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件、部件、区域、层或部分与另一个组件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一组件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二组件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定组件、部件、区域、层和/或部分。
本揭露的电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。电子组件可包括被动组件与主动组件，例如电容、电阻、电感、二极管、电晶体等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述之任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置或拼接装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
在本揭露中，以下所述的各种实施例为可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本揭露一实施例的电子装置的单元的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1省略示出了若干组件。请参考图1，电子装置10包括多个单元PX。其中每个单元PX包括多个主要接合区210以及至少一个备援接合区220。在一些实施例中，电子装置10还包括开口区11以及环绕开口区11的非开口区13。主要接合区210与备援接合区220对应重叠非开口区13。主要接合区210用以接合电子组件，且备援接合区220包括电子组件预留空间320以用于接合电子组件。在本实施例中，备援接合区220与主要接合区210连接，且备援接合区220的数量少于主要接合区210的数量。在上述的设置下，单元PX可预留空间以进行线路布局而能实现修补的设计，或者应用为具有穿透显示功能的单元。
请继续参考图1，电子装置10包括基板100。多个单元PX设置于基板100上。基板100可以为硬质基板或可挠性基板。基板100的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑胶等，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，当基板100为可挠基板时可包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的材料或前述材料的组合，但并不以此为限。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。在本实施例中，电子装置10可以是应用为具有高穿透率的穿透显示技术的电子装置，但不以此为限。
在一些实施例中，于俯视方向上(又可称为Z轴上)，电子装置10的多个单元PX可以在X轴及Y轴上排列成多个横行(row)以及多个直列(column)，以使多个单元PX呈现阵列排列。在本实施例中，X轴与Y轴大致上彼此垂直，且X轴与Y轴大致上垂直于Z轴。在一些实施例中，电子装置10还包括多条信号线以及多个薄膜晶体管(图未示)设置于基板100上。多个单元PX可电性连接多条信号线以及多个薄膜晶体管。举例来说，多条信号线例如包括扫描线、数据线或其他导线。部分的信号线可电性连接薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。在本实施例中，薄膜晶体管可电性连接至扫描线SL或数据线DL。薄膜晶体管例如包括半导体通道层、栅极(与扫描线电性连接)、以及与半导体通道层电性连接的源极与漏极。半导体通道层的材料例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)或金属氧化物(metal oxide)，或上述材料的组合，本揭露不限于此。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管可具有上述不同的半导体材料。此外，薄膜晶体管可视需要而包括顶部栅极(top gate)晶体管、底部栅极(bottom gate)晶体管、双栅极(dualgate)晶体管以及双重栅极(double gate)晶体管，但并不以此为限。
在本实施例中，栅极可电性连接扫描线，而源极可电性连接数据线。栅极的材料可以包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum，Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)，铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co),、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum，Al)、铜(copper，Cu)、银(argentum，Ag)、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。源极与漏极的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
在本实施例中，电子装置10可包括多层绝缘层(未示出)以及多层电路层设置于绝缘层上或多层绝缘层之间。绝缘层可以为单层或多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述之组合，但不以此为限。所述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、感光型聚酰亚胺(photo sensitive polyimide，PSPI)或前述的组合，而所述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或前述的组合，但不以此为限。
在本实施例中，多层电路层ML可应用为上述的信号线，包括扫描线、数据线或其他导线。多层电路层ML的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。如图1所示，多层电路层ML可包括第一电路层M1。第一电路层M1可例如包括多条扫描线SL、SL’，多条扫描线SL、SL’部分大致沿着X轴延伸，但不以此为限。
在本实施例中，多层电路层ML还可包括第二电路层M2。在Z轴上，第二电路层M2设置于第一电路层M1的上方，且第二电路层M2部分重叠第一电路层M1。第二电路层M2可例如包括多条数据线DL、DL’，多条数据线DL、DL’部分大致沿着Y轴延伸，但不以此为限。从另一角度来说，第一电路层M1与第二电路层M2可以交错设置。
多层电路层ML还可包括第三电路层M3以及第四电路层M4。在Z轴上，第三电路层M3设置于第二电路层M2的上方，且第四电路层M4设置于第三电路层M3的上方。第三电路层M3部分重叠第二电路层M2，且第四电路层M4部分重叠第三电路层M3。第三电路层M3例如包括电路线或桥接线路130，且其一部分大致沿着X轴延伸，另一部分大致沿着Y轴延伸。第四电路层M4例如包括接合垫140(pad)或共享电路线142，且其一部分大致沿着X轴延伸，另一部分大致沿着Y轴延伸，但不以此为限。在本实施例中，第三电路层M3的部分可以通过绝缘层上的通孔(未示出)以电性连接至第二电路层M2的部分，且第四电路层M4的部分可以通过另一绝缘层上的通孔(未示出)以电性连接至第三电路层M3的部分。在上述的设置下，第四电路层M4包括多个接合垫140，一部分接合垫140可以连接至共享电路线142(可位于第四电路层M4)，另一部分接合垫140可以通过桥接线路130以电性连接至第二电路层M2的数据线DL，但不以此为限。
在本实施例中，开口区11定义可由相邻的两个单元PX与单元PX’分别具有相邻的两条数据线DL及数据线DL’大致上围绕出的区域(如图1所示)。举例来说，开口区11可以是使环境光穿透的区域。在另一些实施例中，开口区11可由相邻两条数据线DL、DL’以及相邻两条扫描线SL、SL’所围绕出来的区域所定义。也就是说，开口区11大致上不重叠电路层ML(包括第一电路层M1、第二电路层M2、第三电路层M3或第四电路层M4)。在一些实施例中，开口区11例如是八角形，但不以此为限。在其他实施例中，开口区11也可以是三角形、矩形、多角形、星形、圆形或不规则形，本揭露不以此为限。
在本实施例中，开口区11可被非开口区13所环绕。电路层ML(包括第一电路层M1、第二电路层M2、第三电路层M3或第四电路层M4)的至少部分可以重叠非开口区13。也就是说，扫描线SL、数据线DL、桥接线路130、接合垫140或共享电路线142的至少部分可以重叠非开口区13，但不以此为限。
在一些实施例中，单元PX的主要接合区210以及备援接合区220可以对应非开口区13设置。换句话说，主要接合区210及至少一个备援接合区220对应地重叠非开口区13。举例来说，多个主要接合区210可以重叠第二电路层M2、第三电路层M3或第四电路层M4。备援接合区220可以重叠第二电路层M2、第三电路层M3或第四电路层M4。每个主要接合区210包括两个接合垫140。每个备援接合区220包括两个接合垫140。在本实施例中，接合垫140可应用为连接电子组件的电极。电子组件可例如是包括蓝色发光二极管300B、绿色发光二极管300G或红色发光二极管300R，但不以此为限。也就是说，每个主要接合区210可用以接合蓝色发光二极管300B、绿色发光二极管300G或红色发光二极管300R，并在俯视方向上，至少部分主要接合区210与电子组件重叠(例如:蓝色发光二极管300B、绿色发光二极管300G或红色发光二极管300R)。每个备援接合区220可用以接合蓝色发光二极管300B、绿色发光二极管300G或红色发光二极管300R，但不以此为限。在本实施例中，备援接合区220的数量少于主要接合区210的数量。举例来说，图1示出了三个主要接合区210可沿着Y轴依序排列并重叠于非开口区13，而二个备援接合区220可沿着Y轴接续主要接合区210排列并重叠于非开口区13，但本揭露不以此为限。也就是说，主要接合区210与备援结合区220连接或相邻地设置。在其他实施例中，备援接合区220可与主要接合区210交错排列，或备援接合区220可以排列于主要接合区210的相对两端，但不限于此。此外，须注意的是，图1所示的主要接合区210的数量与备援接合区220的数量仅为示意用，并非用以具体限定本揭露。在其他实施例中，主要接合区210的数量可为二个、四个或更多个，备援接合区220的数量可为一个、三个或更多个，本揭露不以此为限。
在本实施例中，单元PX的定义例如为：非开口区13中主要接合区210与备援接合区220在X轴上相对两侧的开口区11、11’的中线L、L’之间的区域。举例来说，主要接合区210与备援接合区220左侧的开口区11由中线L隔离出面积相等的两半。主要接合区210与备援接合区220右侧的开口区11’由中线L’隔离出面积相等的两半。开口区11的中线L至开口区11’的中线L’之间的区域可被称为单元PX。也就是说，单元PX包括重叠非开口区13的主要接合区210与备援接合区220以及其相对两侧的分别两个开口区11、11’的一半，但不以此为限。
在本实施例中，电子装置10还可包括遮光层BM(图1未示出)。遮光层BM的至少一部分对应重叠非开口区13。举例来说，遮光层BM可以设置在基板100上，且在Z轴上设置在电路层ML下方。也就是说，第一电路层M1、第二电路层M2、第三电路层M3或第四电路层M4的至少部分设置于遮光层BM的上方，且重叠遮光层BM。从另一角度来说，遮光层BM不重叠开口区11，而与非开口区13对应环绕开口区11。因此，在一些实施例中，当多层电路层无法清晰呈现数据线或/和扫描线，遮光层BM所围绕的区域可定义为开口区11。此外，主要接合区210与备援接合区220可以对应重叠遮光层BM。在本实施例中，遮光层BM例如是黑色矩阵(blackmatrix)，其材料可包括金属或掺有色料的不透光树脂，或者是其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。上述金属举例可为铬金属(Chromium，Cr)，但不以此为限。上述树脂举例可为环氧树脂(epoxy resin)或压克力树脂(acrylic resin)，或其他合适的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在上述的设置下，电子装置10的对比可被增加。
值得注意的是，本揭露一实施例的电子装置10的电路层ML、主要接合区210与备援接合区220可以重叠遮光层BM而设置于开口区11外的非开口区13，因此电子装置10的单元PX可通过开口区11而具有高穿透率。藉此，单元PX可应用为具有穿透显示功能的单元。如此一来，电子装置10具有良好的视觉效果或显示质量。此外，主要接合区210用以接合电子组件，且备援接合区220包括电子组件预留空间320以用于接合修补用或备援用的电子组件。因此，电子装置10的单元PX可预留空间，而具有实现修补单元的设计。如此一来，电子装置10具有良好的电性质量。
以下将以图2及图3所示的简易示意图及简易电路图来说明单元修补的步骤及方式。
图2为本揭露另一实施例的电子装置的部分上视示意图。图3为图2所示单元的示意性的电路图。为了附图清楚及方便说明，图2及图3省略示出了若干组件。请先参考图2，电子装置10A包括单元PX。在一些实施例中，电子装置10A还包括开口区11以及非开口区13环绕开口区11。遮光层BM对应重叠非开口区13并环绕开口区11设置。单元PX包括多个主要接合区210,210’,210”及至少一个备援接合区220。多个主要接合区210,210’,210”沿着Y轴排列并重叠非开口区13设置。至少一个备援接合区220对应设置于其中一个主要接合区(ex:主要接合区210)的一端，并重叠非开口区13设置。主要接合区(ex:主要接合区210)与备援接合区220分别用以接合电子组件。
举例来说，发光二极管300R对应接合于主要接合区210、发光二极管300B对应接合于主要接合区210’、发光二极管300G对应接合于主要接合区210”。也就是说，在俯视方向(Z轴方向)上，主要接合区210、210’、210”的至少部分分别与发光二极管300R、300G、300R重叠。此外，备援接合区220邻接于设置有发光二极管300G的主要接合区210”。
在本实施例中，主要接合区210连接至备援接合区220。举例来说，请参考图2及图3，发光二极管300R、发光二极管300G以及发光二极管300B分别通过导线或桥接线路连接至备援接合区220。电子装置10A具有预焊点WP、WP’、WP”(图2仅标示一个预焊点WP)位于备援接合区220与连接于备援接合区220的主要接合区210、210’、210”之间。举例来说，主要接合区210及其接合的发光二极管300R与备援接合区220之间具有预焊点WP。主要接合区210’及其接合的发光二极管300G与备援接合区220之间具有预焊点WP’。主要接合区210”及其接合的发光二极管300B与备援接合区220之间具有预焊点WP”。此外，电子装置10A还包括预切割点CP、CP’、CP”位于预焊点WP、WP’、WP”与主要接合区210、210’、210”之间。举例来说，主要接合区210及其接合的发光二极管300R与预焊点WP之间具有预切割点CP。主要接合区210’及其接合的发光二极管300G与预焊点WP’之间具有预切割点CP’。主要接合区210”及其接合的发光二极管300B与预焊点WP”之间具有预切割点CP”。以发光二极管300R举例说明，在上述的设置下，当发光二极管300R为不符合检验规格(例如包括：暗点、亮点或外观损毁)时，可进行电子装置10A的修补工艺。上述修补工艺包括：将修补用的电子组件(例如发红光的发光二极管)接合至备援接合区220中的电子组件预留空间320的接合垫；接着在预切割点CP上对导线或桥接线路近行激光切割工艺；接着在预焊点WP上进行激光焊接工艺。在完成上述修补工艺后，在提供一电压至电子装置10A后，接合在主要接合区210中的发光二极管300R不会接受到电压而不会发光。接合在备援接合区220中的修补用电子组件可接收到上述的电压而进行发光。如此一来，电子装置10A可通过修补工艺完成电子组件的修补，因此电子装置10A可具有良好的电性质量。
值得注意的是，本揭露一实施例的电子装置10A的单元PX中的备援接合区220的数量少于主要接合区210、210’、210”的数量。举例来说，图2及图3所示的主要接合区210的数量为三个，分别对蓝色发光二极管300B、绿色发光二极管300G以及红色发光二极管300R。备援接合区220的数量为一个，也就是说备援接合区220可对应接合至一个修补用的电子组件(例如：设置于电子组件预留空间320的蓝色发光二极管、绿色发光二极管、红色发光二极管)，但上述的数量关系并不用于限制本揭露。在上述的设置下，在修补电子装置10A的工艺中，可在预留的空间中选择性的设置修补用的电子组件。如此一来，可以节省成本。此外，由于预留的空间可以减少，因此可以增加线路设置的空间、达成高电路密度设计的需求或提升开口区11的穿透率。藉此，电子装置10A可具有良好的电性质量。
以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图4为本揭露再一实施例的电子装置的部分上视示意图。图5为图4所示单元的示意性的电路图。为了附图清楚及方便说明，图4及图5省略示出了若干组件。本实施例的电子装置10B大致相似于图2及图3的电子装置10A，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10A之处主要在于，电子装置10B包括单元PX、开口区11以及非开口区13环绕开口区11。单元PX包括三个主要接合区210、210’、210”，以及二个备援接合区220、220’。举例来说，备援接合区220可邻近主要接合区210设置，而备援接合区220’可邻近主要接合区210’设置。预焊点WP对应备援接合区220设置。预焊点WP对应备援接合区220’设置。备援接合区220中的电子组件预留空间320可接合修补用的电子组件。备援接合区220’中的电子组件预留空间320’可接合另一个修补用的电子组件，但上述的数量关系并不用于限制本揭露。在本实施例中，备援接合区220、220’的数量少于主要接合区210、210’、210”的数量。由于预留的空间可以减少，因此可以增加线路设置的空间、达成高电路密度设计的需求或提升开口区11的穿透率。藉此，电子装置10B还可进行修补，可具有良好的电性质量。
以下以图5所示的电路图简单说明单元修补的步骤及方式。
请参考图5，发光二极管300R、发光二极管300G以及发光二极管300B分别通过导线或桥接线路连接至备援接合区220、220’。电子装置10B具有预焊点WP1、WP2、WP3位于备援接合区220或备援接合区220’与主要接合区210、210’、210”之间。举例来说，主要接合区210及其接合的发光二极管300R与备援接合区220或备援接合区220’之间具有预焊点WP1。主要接合区210’及其接合的发光二极管300G与备援接合区220或备援接合区220’之间具有预焊点WP2。主要接合区210”及其接合的发光二极管300B与备援接合区220或备援接合区220’之间具有预焊点WP3。此外，电子装置10B还包括预切割点CP1、CP2、CP3位于预焊点WP1、WP2、WP3与主要接合区210、210’、210”之间。举例来说，主要接合区210及其接合的发光二极管300R与预焊点WP1之间具有预切割点CP1(在图4中，预切割点CP1邻近主要接合区210设置)。主要接合区210’及其接合的发光二极管300G与预焊点WP2之间具有预切割点CP2(在图4中，预切割点CP2邻近主要接合区210’设置)。主要接合区210”及其接合的发光二极管300B与预焊点WP3之间具有预切割点CP3(在图4中，预切割点CP3邻近主要接合区210”设置)。以发光二极管300R及发光二极管300G举例说明，在上述的设置下，当发光二极管300R及发光二极管300G为不符合检验规格(例如包括：暗点、亮点或外观损毁)时，可进行电子装置10B的修补工艺。上述修补工艺包括：将修补用的电子组件(例如发红光的发光二极管)接合至备援接合区220中的电子组件预留空间320的接合垫；接着将修补用的电子组件(例如发绿光的发光二极管)接合至备援接合区220’中的电子组件预留空间320’的接合垫；接着在预切割点CP1上对导线或桥接线路近行激光切割工艺；接着在预切割点CP2上对导线或桥接线路近行激光切割工艺；接着在预切割点CP5、CP7、CP8上对导线或桥接线路进行激光切割工艺；接着在预焊点WP1及预焊点WP2上进行激光焊接工艺。在完成上述修补工艺后，在提供一电压至电子装置10B后，接合在主要接合区210中的发光二极管300R以及接合在主要接合区210’中的发光二极管300G不会接受到电压而不会发光。分别接合在备援接合区220及在备援接合区220’中的修补用电子组件可接收到上述的电压而进行发光。
在一些实施例中，请参考图5的设置，当发光二极管300B为不符合检验规格(例如包括：暗点、亮点或外观损毁)，进行第一次修补完毕后仍不符合检验规格时，可对电子装置10B进行第二次修补的工艺。举例来说，将第一修补用的电子组件(例如发蓝光的发光二极管)接合至备援接合区220中的电子组件预留空间320的接合垫；接着在预切割点CP3上对导线或桥接线路进行激光切割工艺；接着在预焊点WP3上进行激光焊接工艺，然后提供一电压至电子装置10B测试第一修补用的电子组件发光质量。若仍不符合检验规格，进行第二次修补工艺，将第二修补用的电子组件(例如发蓝光的发光二极管)接合至另一备援接合区220’中的另一电子组件预留空间320’的接合垫；接着在预切割点CP7、CP8、CP9上对导线或桥接线路进行激光切割工艺。在完成上述修补工艺后，再次提供一电压至电子装置10B后，接合在主要接合区210”中的发光二极管300B不会接受到电压而不会发光，接合在备援接合区220’中的修补用电子组件可接收到上述的电压而进行发光。
如此一来，电子装置10B可通过修补工艺完成电子组件的修补，因此电子装置10B可具有良好的电性质量。
在此须注意的是，上述的修补工艺仅以发光二极管300R及发光二极管300G为不符合检验规格的电子组件举例说明。不符合检验规格的定义可包括：电子组件发光超出预设的平均亮度(即过亮)、发光低于预设的平均亮度(即过暗)或不发光(即不亮)。或者是，电子组件可能受有破损而导致外观有缺陷。此外，电子组件的尺寸大于预设的平均尺寸或小于预设的平均尺寸也可被认定为不符合检验规格，但本实施例不以上述举例为限。此外，也可以是发光二极管300R及发光二极管300B为不符合检验规格的电子组件。又或者是，发光二极管300R、发光二极管300G或发光二极管300B中的任一者为不符合检验规格的电子组件，本揭露不以此为限。
图6为本揭露又一实施例的电子装置的部分上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图6省略示出了若干组件。本实施例的电子装置10C大致相似于图4电子装置10B，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10B之处主要在于，电子装置10C包括单元PX、开口区11以及非开口区13环绕开口区11。单元PX中的主要接合区210、210’、210”所分别接合的电子组件为蓝色发光二极管300B。电子装置10C还包括光转换层340R或光转换层340G。光转换层340R重叠主要接合区210中的蓝色发光二极管300B。光转换层340G重叠主要接合区210’中的蓝色发光二极管300B。
举例来说，光转换层340R例如包含发红光的量子点(quantum dot，QD)材料。光转换层340G例如包含发绿光的量子点材料。在上述的设置下，蓝色发光二极管300B所发出的蓝光可被光转换层340R转换为红光。相似地，蓝色发光二极管300B所发出的蓝光可被光转换层340G转换为绿光。如此一来，电子装置10C可通过设置蓝色发光二极管300B，并搭配不同颜色的量子点材料以达成产生不同颜色光的需求。此外，电子装置10C还可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
综上所述，在本揭露一实施例的电子装置中，由于电路层、主要接合区与备援接合区可以重叠遮光层而设置于开口区外的非开口区，因此电子装置的单元可通过开口区而为具有高穿透率的穿透显示功能的单元。如此一来，电子装置可应用为穿透电子装置，或具有良好的视觉效果或显示质量。此外，主要接合区连接备援接合区，以通过备援接合区接合用于修补用或备援用的电子组件。因此，电子装置的单元具有预留设置电子组件的空间，而具有实现修补单元的设计。如此一来，电子装置具有良好的电性质量。另外，由于备援接合区的数量可以少于主要接合区的数量，因此预留的空间可以减少以增加高密度线路的布局或提升开口区的穿透率，且可在预留的空间中选择性的设置修补用的电子组件。如此一来，电子装置可以节省成本、增加线路设置的空间、达成高电路密度设计的需求或提升开口区的穿透率。藉此，电子装置可具有良好的电性质量。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
多个单元，每个所述多个单元包括：
多个主要接合区；以及
至少一个备援接合区，
其中每个所述至少一个备援接合区与所述多个主要接合区连接，且所述至少一个备援接合区的数量少于所述多个主要接合区的数量。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，每个所述多个主要接合区与每个所述至少一个备援接合区分别包括两个接合垫。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括多个预焊点位于每个所述至少一个备援接合区与连接每个所述至少一个备援接合区的每个所述多个主要接合区之间。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括多个预切割点位于所述多个预焊点与每个所述多个主要接合区之间。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个主要接合区是用以分别接合蓝色发光二极管、绿色发光二极管或红色发光二极管。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一个备援接合区是用以接合蓝色发光二极管、绿色发光二极管或红色发光二极管。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括至少一光转换层，其中所述多个主要接合区的一者是用以接合蓝色发光二极管，且所述至少一光转换层重叠所述蓝色发光二极管。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置包括开口区以及环绕所述开口区的非开口区。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述多个主要接合区及所述至少一个备援接合区重叠所述非开口区。
10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括遮光层，所述遮光层的至少一部分对应重叠所述非开口区。
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