CN117939952A - 显示设备 - Google Patents

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安泰濬
崔凤起
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LG Display Co Ltd
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LG Display Co Ltd
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Abstract

一种显示设备可以包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括切割表面、发光二极管、位于所述非显示区域的一部分和所述显示区域中的封装结构、位于所述封装结构上的触摸结构，所述触摸结构包括第一触摸介电层和第二触摸介电层以及第一电极和第二电极、与所述第二触摸电极由相同的层和相同的材料形成的走线、以及设置在第一触摸焊盘上且与所述走线和所述第二触摸电极由相同的层和相同的材料形成的第二触摸焊盘。第一触摸焊盘可以由与晶体管的源极或漏极相同的层和相同的材料形成。第二触摸焊盘可以经由第一触摸电介电层和第二触摸电介电层中的至少一个中的开口连接到第一触摸焊盘。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
随着信息社会的进步，对能够显示图像的显示装置的需求正在上升，并且正在利用诸如液晶显示装置或有机发光显示装置这样的各种类型的显示装置。
显示装置可用于计算机监视器、电视或蜂窝电话等，并且显示装置可采用例如作为自发光装置的有机发光显示(OLED)装置或需要单独光源的液晶显示(LCD)装置。
与液晶显示装置相比，有机发光显示设备不使用单独的光源，而是使用自发光的自发光二极管因此，有机发光显示设备以其纤薄的外形和优异的图像质量为特征在显示技术领域中作为主流选择而出现。具体地，发光二极管可以形成在柔性基板上以便构成各种形式的屏幕，所述屏幕能够以其适合于各种显示设备的终端产品的方式弯折或弯曲。
诸如有机发光设备这样的显示设备可以包括显示面板和用于执行各种功能的多个部件。显示设备还可以包括多个外围电路以执行各种类型的附加功能，例如触摸感测或指纹识别功能。一些部件可以设置在显示面板的显示区域中，而其他部件可以设置在与显示区域相邻的非显示区域中。
随着显示设备变得多样化，用户对于移动产品更喜欢较大的屏占比。例如，为了增强装置的屏幕比例，研究努力集中在实现能够最小化非显示区域相对于显示区域的大小的窄边框设计。
在相关技术部分的讨论中提供的描述不应仅因为其在该部分中提及或与该部分相关而被假定为现有技术。相关技术部分的讨论可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息，并且该部分中的描述不限制本发明。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施方式的显示设备可以提供改变触摸单元的配置以修改非显示区域中的触摸走线的形状来减小其中设置有触摸走线的区域的宽度并且将显示面板的切割区域(或修整区域)提供成更接近显示区域以减小边框的宽度的结构。另外，可以提供根据触摸单元的改变后的配置来使可靠性的劣化最小化的结构。
根据本公开的一个或更多个示例实施方式的显示设备可以包括：显示区域和非显示区域，其中，非显示区域包括焊盘区域；多个像素，所述多个像素包括显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，晶体管包括栅极、源极和漏极；封装结构，所述封装结构设置在非显示区域的一部分和显示区域中；触摸结构，其中，触摸结构的至少一部分设置在封装结构上，其中，触摸结构包括多个触摸介电层和多个触摸导电电极，其中，多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层，并且其中，多个触摸导电电极包括第一触摸导电电极和第二触摸导电电极；走线，所述走线与第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成并且连接到第二触摸导电电极；以及触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在焊盘区域中并且具有第一触摸焊盘和第二触摸焊盘。第一触摸介电层和第二触摸介电层可以设置在封装结构上。第二触摸导电电极可以设置在第一触摸导电电极上。第一触摸焊盘可以与晶体管的源极或晶体管的漏极由相同的层和相同的材料形成。走线可以延伸并连接到第二触摸焊盘。第二触摸焊盘可以与走线和第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成。第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个可以延伸到焊盘区域并且可以设置在第二触摸焊盘下方。第二触摸焊盘可设置在第一触摸焊盘上。第二触摸焊盘可以至少使用第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个中的开口连接到第一触摸焊盘。非显示区域可以包括切割表面。与切割表面相比，触摸焊盘可以设置为更靠近显示区域。
根据本公开的一个或更多个示例实施方式的显示设备可以包括：显示区域和非显示区域，其中，非显示区域包括焊盘区域；多个像素，所述多个像素包括显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，晶体管包括栅极、源极和漏极；封装结构，所述封装结构设置在非显示区域的一部分和显示区域中；触摸结构，其中，触摸结构的至少一部分设置在封装结构上，其中，触摸结构包括多个触摸介电层和第一触摸导电电极，并且其中，多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层；走线，所述走线设置在非显示区域中；以及触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在焊盘区域中并且具有第一触摸焊盘和第二触摸焊盘。第一触摸介电层和第二触摸介电层可以设置在封装结构上。第一触摸焊盘可以与晶体管的源极或晶体管的漏极由相同的层和相同的材料形成。走线可以延伸并连接到第二触摸焊盘。第二触摸焊盘可以与走线由相同的层和相同的材料形成。第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个可以延伸到焊盘区域并且可以设置在第二触摸焊盘下方。第二触摸焊盘可设置在第一触摸焊盘上。第二触摸焊盘可以至少使用第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个中的开口连接到第一触摸焊盘。非显示区域可以包括切割表面。与切割表面相比，触摸焊盘可以设置为更靠近显示区域。
根据本公开的一个或更多个示例实施方式的显示设备可以包括：基板；显示区域和非显示区域，其中，所述非显示区域包括坝结构和焊盘单元；多个像素，所述多个像素包括由第一电极、发光单元和第二电极形成的发光二极管，其中，第一电极、发光单元和第二电极设置在所述显示区域中；封装单元，所述封装单元设置在所述非显示区域的一部分和所述显示区域中；触摸单元，所述触摸单元设置在所述封装单元上，并且由第一触摸缓冲层、多个触摸连接电极、第二触摸缓冲层、触摸绝缘层、多条触摸线和触摸保护层构成；以及多条走线，所述多条走线将所述多条触摸线电连接到设置在所述焊盘单元中的多个触摸焊盘电极中的至少一个。所述显示设备可以被配置为使得所述非显示区域包括切割表面，所述封装单元在所述切割表面处暴露，并且所述触摸绝缘层的端部可以与所述切割表面朝向所述显示区域分隔开。
根据本公开的一个或更多个示例实施方式的显示设备可以包括：显示区域和非显示区域；多个像素，所述多个像素包括显示区域中的发光二极管；封装单元，所述封装单元设置在非显示区域的一部分和显示区域中，其中，封装单元设置在发光二极管上；触摸绝缘层，所述触摸绝缘层设置在封装单元上；以及多个触摸电极，所述多个触摸电极设置在触摸绝缘层上。显示设备可以被配置为使得非显示区域包括切割表面，封装单元在切割表面处暴露，并且触摸绝缘层的端部与切割表面朝向显示区域分隔开。
根据本公开的一个或更多个示例实施方式，其中设置有触摸走线的区域的宽度减小，并且将显示面板切割成更接近显示区域，以使边框区域最小化。
在检查本文的附图和详细描述后，其他示例、特征、方面和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。旨在将所有这样的示例、特征、方面和优点包括在本说明书内、在本公开的范围内，并且受到所附权利要求的保护。本节中的任何内容均不应被视为对权利要求的限制。下面结合本公开的实施方式讨论更多示例、特征、方面和优点。
应当理解，本公开的前述描述和以下描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解的附图被并入本公开并构成本公开的一部分，示出了本公开的方面和实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是根据本公开的示例实施方式的显示设备的平面图；
图2是例示了根据本公开的示例实施方式的驱动显示设备中的一个像素的像素驱动电路的电路图；
图3是根据本公开的示例实施方式的显示设备的平面图；
图4是根据本公开的示例实施方式的沿着图3的线I-I’截取的截面图；并且
图5是根据本公开的示例实施方式的沿着图3的线II-II’截取的截面图。
在整个附图和详细描述中，除非另外描述，否则相同的附图标记应当被理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、例示和方便起见，层、区域和元件的尺寸、长度和厚度及其描绘可能被夸大。
具体实施方式
现在详细参考本公开的实施方式，其示例可以在附图中例示。在下面的描述中，当公知的方法、功能、结构或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的方面时，为了简洁可能已经省略其详细描述。此外，为了简洁，可以省略重复的描述。所描述的处理步骤和/或操作的进展是非限制性示例。
步骤和/或操作的顺序不限于本文中阐述的顺序，并且可以改变以便以与本文描述的顺序不同的顺序发生，除了必须以特定顺序出现的步骤和/或操作之外。在一个或更多个示例中，连续的两个操作可以基本上同时执行，或者这两个操作可以根据所涉及的功能或操作以相反的顺序或以不同的顺序执行。
除非另有说明，否则相同的附图标记在全文中可以指代相同的元件，即使它们在不同的附图中示出。在一个或更多个方面，除非另有说明，否则不同附图中的相同元件(或具有相同名称的元件)可以具有相同或基本相同的功能和属性。以下说明中使用的各个元件的名称只是为了方便而选择的，因此可能与实际产品中使用的名称不同。
通过参照附图描述的实施方式，本公开的优点和特征及其实现方法被阐明。然而，本公开可以以不同的形式来实施并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，这些实施方式是示例并且被提供以使得本公开可以是彻底和完整的，以帮助本领域技术人员理解发明构思而不限制本公开的保护范围。
本文公开的形状、尺寸(例如，大小、长度、宽度、高度、厚度、位置、半径、直径和面积)、比率、角度、数量、元件数量等(包括附图中示出的那些)仅仅是示例，因此，本公开不限于例示的细节。然而，应当注意的是，附图中例示的部件的相对尺寸是本公开的一部分。
当术语“包括”、“具有”、“含有”、“包含”、“构成”、“由...制成”、“由...形成”、“由...组成”等被针对一个或更多个元素使用时，可以添加一个或更多个其他元素，除非使用诸如“仅”等这样的术语。本公开中使用的术语仅为了描述特定示例实施方式而使用，而不旨在限制本公开的范围。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另有明确指示。“示例性”一词用于意指用作示例或例示。实施方式是示例实施方式。方面是示例方面。“实施方式”、“示例”、“方面”等不应被解释为优于其他实施方式或比其他实现方式有利。除非另有说明，否则实施方式、示例、示例实施方式、方面等可以指一个或更多个实施方式、一个或更多个示例、一个或更多个示例实施方式、一个或更多个方面等。此外，术语“可以”涵盖术语“能够”的所有含义。
在一个或更多个方面，除非另有明确说明，否则元素、特征或对应信息(例如，水平、范围、尺寸、大小等)被解释为包括误差或容差范围，即使不提供对这种误差或容差范围的明确描述。误差或容差范围可以由各种因素(例如，工艺因素、内部或外部影响、噪声等)引起。在解释数值时，除非另有明确说明，否则该值被解释为包括误差范围。
在描述其中两个元件(例如，层、膜、区域、部件、部分等)之间的位置关系被例如使用“上”、“上面”、“顶上”、“之上”、“下面”、“上方”、“下方”、“之下”、“靠近”、“接近”、“邻近”、“旁边”、“挨着”、“在……侧面或侧部”等来描述的位置关系时，除非使用诸如“恰好(地)”、“直接(地)”或“紧密(地)”这样的更限制性的术语，否则一个或更多个其他元件可以位于这两个元件之间。例如，当元件被描述为位于另一元件“上”、“上面”、“顶上”、“之上”、“下面”、“上方”、“下方”、“之下”、“旁边”、“侧面或侧部”、“靠近”、“接近”、“邻近”、“挨着”另一元件时，该描述应当被解释为包括其中元件彼此直接接触的情况以及其中一个或更多个附加元件被设置或插入其间的情况。此外，术语“前”、“后”、“背”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“向下”、“向上”、“上”、“下”、“上部”、“下部”、“列”、“行”、“竖直”、“水平”等是指任意参考系。
诸如“下方”、“底下”、“下”、“上”、“上方”、“上部”等这样的空间相对术语可以用于描述各种元件(例如，层、膜、区域、部件、部分等)之间的相关性，如附图所示。空间相对术语应被理解为除了附图中描绘的取向之外还包括元件在使用或操作时的不同取向的术语。例如，如果图中所示的元件被翻转，则被描述为在其他元件“下方”或“底下”的元件将被定向为在其他元件“上方”。因此，作为示例术语的术语“下方”可以包括“上方”和“下方”的所有方向。同样，示例性术语“上方”或“上”可以包括“上方”和“下方”这两个方向。
在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“后续”、“下一个”、“之前”、“先前”、“在…之前”等时，可以包括不连续或非顺序的情况，并且因此可以在其间发生一个或更多个其他事件，除非使用更限制性的术语，诸如“刚刚(地)”、“立即(地)”或“直接(地)”。
应理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件(例如，层、膜、区域、部件、部分等)，但这些元件不应被这些术语限制为例如元件的任何特定次序、优先级或数目。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，第一元件可以是第二元件，并且类似地，第二元件可以是第一元件，而不脱离本公开的范围。此外，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件、第二元件等可以根据本领域技术人员的方便而任意命名。为了清楚起见，这些元件(例如，第一元件、第二元件等)的功能或结构不受元件前面的序数或名称限制。此外，第一元件可以包括一个或更多个第一元件。类似地，第二元件等可以包括一个或更多个第二元件等。
在描述本公开的元素时，可以使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语旨在从其他元素中识别对应元素，并且这些术语不用于定义元素的本质、基础、顺序或数量。
对于元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构等)“连接”、“耦合”、“附接”、“粘附”等到另一元件的表述，元件不仅可以直接连接、耦合、附接、粘附等到另一元件，而且还可以在一个或更多个中间元件被设置或插入元件之间的情况下间接连接、耦合、附接、粘附等到另一元件，除非另有说明。
对于元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构等)与另一元件“接触”、“交叠”等的表述，除非另有说明，否则该元件不仅可以与另一元件直接接触、交叠等，而且还可以在一个或更多个中间元件被设置或插入元件之间的情况下与另一元件间接接触、交叠等。
元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构等)被“提供在另一元件中”、“设置在另一元件上”、“设置在另一元件中”、“设置在另一元件下方”等的短语可以理解为(i)元件的至少一部分提供在另一元件中、设置在另一元件中、设置在另一元件上、设置在另一元件下方等，(ii)元件提供在另一元件的至少一部分中、设置在另一元件的至少一部分中、设置在另一元件的至少一部分上、设置在另一元件的至少一部分下方等，(iii)元件的至少一部分提供在另一元件的至少一部分中、设置在另一元件的至少一部分中、设置在另一元件的至少一部分上、设置在另一元件的至少一部分下方等，或(iv)元件的整体提供在另一元件中、设置在另一元件中、设置在另一元件上、设置在另一元件下方等。短语“通过”可以理解为至少部分地或完全通过。元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构等)与另一元件“接触”、“连接”、“交叠”等的短语可以理解为(i)元件的至少一部分与另一元件接触、连接、交叠等，(ii)元件与另一元件的至少一部分接触、连接、交叠等，(iii)元件的至少一部分与另一元件的至少一部分接触、连接、交叠等，或(iv)元件的整体与另一元件接触、连接、交叠等。元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构、过程等)由另一元件“配置”的短语可以被理解为元件被配置有另一元件、使用另一元件来配置、用另一元件实现、或使用另一元件实现。
诸如“线”或“方向”这样的术语不应仅基于相应线或方向彼此平行或垂直的几何关系来解释，而是可意指为在本公开的部件能够在功能上操作的范围内具有更宽方向的线或方向。例如，术语“第一方向”、“第二方向”等(诸如术语“水平轴方向”、“竖直轴方向”、“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”)不应仅基于相应方向彼此平行或垂直的几何关系来解释，而是可意指为在本公开的部件能够在功能上操作的范围内具有更宽方向的方向。
术语“至少一个”应理解为包括相关联的所列项目中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，短语“第一项目、第二项目或第三项目中的至少一个”和“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”中的每一个可以表示(i)由第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个提供的项目的组合，或者(ii)第一项目、第二项目或第三项目中的仅一个项目。此外，多个元素中的至少一个元素可以表示(i)多个元素中的一个元素，(ii)多个元素中的一些元素，或(iii)多个元素中的所有元素。
第一元素、第二元素“和/或”第三元素的表述应理解为第一、第二和第三元素中的一个或第一、第二和第三元素的任何或所有组合。作为示例，A、B和/或C可以指的是：仅A；仅B；仅C；A、B和C中的任何一个(例如，A、B或C)；A、B和C的一些组合(例如，A和B；A和C；或B和C)；或A、B和C中的全部。此外，表述“A/B”可以理解为A和/或B。例如，表述“A/B”可以指的是：仅A；仅B；A或B；或者A和B。
在一个或更多个方面，除非另有说明，否则为了方便起见，术语“在……之间”和“在……之中”可以简单地可互换地使用。例如，“在多个元素之间”的表述可以理解为在多个元素之中。在另一示例中，“在多个元素之中”的表述可以被理解为在多个元素之间。在一个或更多个示例中，元素的数量可以是二。在一个或更多个示例中，元素的数量可以大于二。此外，当元件(例如，层、膜、部件、单元、线、电极、材料、结构等)被称为在至少两个元件“之间”时，元件可以是至少两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。
在一个或更多个方面，除非另有说明，否则为了方便起见，短语“彼此”和“互相”可以简单地可互换地使用。在一个或更多个示例中，前述表述中涉及的元素的数量可以是二。在一个或更多个示例中，前述表述中涉及的元素的数量可以大于二。
在一个或更多个方面，除非另有说明，否则为了方便起见，短语“……当中的一个或更多个”和“……中的一个或更多个”可以简单地可互换地使用。在一个或更多个方面，除非另有说明，否则术语“第n”或“第n个”可指“nnd”(例如，第二个，其中n为2)或“nrd”(例如，第三个，其中n为3)，且n可为自然数。
术语“或”意指“包含或”而不是“排除或”。即，除非另有说明或从上下文中清楚，否则“x使用a或b”的表述意指自然包含性置换中的任一者。例如，“a或b”可以意指“a”、“b”或“a和b”。例如，“a、b或c”可以表示“a”、“b”、“c”、“a和b”、“b和c”、“a和c”或“a、b和c”。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此耦合或组合，可以在技术上彼此相关联，并且可以以各种方式被不同地操作、链接或驱动在一起。本公开的实施方式可以彼此独立地实现或执行，或者可以以共同依赖或相关的关系一起实现或执行。在一个或更多个方面，根据本公开的各种实施方式的每个装置和设备的部件可以可操作地耦合和配置。
除非另有定义，否则本文使用的术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应理解，诸如在常用词典中定义的术语之类的术语应当被解释为具有例如与相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文另有明确定义。
本文中使用的术语已被选择为在相关技术领域中是通用的；然而，取决于技术的发展和/或改变、惯例、技术人员的偏好等，可能存在其他术语。因此，本文中使用的术语不应被理解为限制技术思想，而是应当被理解为用于描述示例实施方式的术语的示例。
进一步地，在特定情况下，可以由申请人任意选择词语，并且在这种情况下，在此描述其详细含义。因此，本文使用的术语应当不仅基于术语的名称而且还基于术语的含义及其内容来理解。
在以下描述中，参考附图详细描述本公开的各种示例实施方式。关于附图中的每个附图的元件的标号，在其他附图中可以示出相同的元件，并且除非另有说明，否则相同的附图标记可以指代相同的元件。相同或相似的元件可以由相同的附图标记表示，即使它们在不同的附图中描绘。此外，为了便于描述，附图中所例示的每个元件的比例、尺寸、大小和厚度可以与实际比例、尺寸、大小和厚度不同，因此，本公开的实施方式不限于附图中所例示的比例、尺寸、大小和厚度。
在一个或更多个示例中，显示装置可以包括具有显示面板和用于驱动显示面板的驱动器的诸如量子点(QD)模块、有机发光二极管(OLED)模块或液晶模块(LCM)这样的模块。在一个或更多个其它示例中，显示装置可以包括作为包括LCM、OLED模块和QD模块的成品(或最终产品)的诸如笔记本计算机、TV、计算机监视器这样的成套装置(或成套设备)或成套电子设备、包括汽车设备或另一类型的用于车辆的设备的机件、或诸如智能电话或电子板这样的移动电子装置。
因此，在一个或更多个示例中，显示装置可以包括诸如LCM、OLED模块和QD模块这样的模块以及/或者作为包括LCM、OLED模块和QD模块的最终消费者装置或应用产品的成套装置。
在一个或更多个示例中，包括显示面板和驱动器的LCM、OLED模块和/或QD模块可以被称为显示装置，并且作为包括LCM、OLED模块和/或QD模块的最终产品的电子装置可以被称为成套装置。例如，显示装置可以包括诸如LCM、OLED模块或QD模块这样的显示面板以及作为用于驱动显示面板的控制器的源印刷电路板(PCB)。成套装置还可以包括成套PCB，该成套PCB是电连接到源PCB以控制成套装置的成套控制器。
应用于本公开的一个或更多个示例实施方式的显示面板可以使用任何类型的显示面板，包括液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、量子点(QD)显示面板和/或电致发光显示面板。一个或更多个实施方式中采用的显示面板不限于具有用于有机发光二极管(OLED)显示面板的柔性基板和下背板支撑结构的能够边框弯曲的特定显示面板。另外，应用于(或实施于)根据本公开的一个或更多个示例实施方式的显示装置的显示面板的形状或大小不受限制。
在其中显示面板是有机发光显示面板的示例中，显示面板可以包括多条选通线、数据线和分别设置在选通线与数据线的相交处的多个像素。另外，显示面板可以包括包含作为用于向像素中的每一个选择性施加电压的元件的薄膜晶体管(TFT)的阵列、阵列上的发光元件层(或发光单元或发光二极管)以及设置在阵列上以覆盖发光元件层的封装基板(或封装层或封装单元)。封装基板可以保护TFT和发光元件层免受外部冲击，并且可以防止水或氧气渗透到发光元件层中。另外，设置在阵列上的层可以包括无机发光层，例如纳米级材料层、量子点等。
在下文中，将更详细地描述具有改变触摸单元的配置以修改非显示区域中的触摸走线的形状来减小其中设置有触摸走线的区域的宽度并且将显示面板的切割区域(或修整区域或切割表面)提供成更接近显示区域以减小边框宽度的结构的显示设备的一个或更多个示例实施方式。
图1是根据本公开的示例实施方式的显示设备的平面图。
参照图1，显示设备100可以包括基板110上的诸如显示面板120、选通驱动器130、数据驱动器、封装单元200、坝结构DAM和触摸单元这样的部件。另外，显示设备100可以包括光学功能膜，该光学功能膜包括附接到触摸单元的偏振膜、光学透明粘合剂(OCA)、覆盖基板和钝化膜。
显示设备100可以包括(或可以被划分为)显示区域AA以及非显示区域NA。显示区域AA可以包括显示面板120，并且非显示区域NA可以包括选通驱动器130和数据驱动器。基板110可以被划分为(或者可以设置有，或者可以包括)显示区域AA以及非显示区域NA。
基板110可以由玻璃或塑料形成，但不一定限于此，并且也可以由诸如硅晶圆这样的半导体材料形成。
基板110也可以由具有柔性的塑料材料形成。例如，基板110可以由具有诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚砜(PSF)和/或环烯烃共聚物(COC)这样的材料的单层或多层形成，但不限于此。
显示面板120具有以下的结构：包括设置在显示区域AA中的多个像素驱动电路的驱动元件单元和包括设置在显示区域AA中的多个发光二极管的发光元件单元被层压。
在显示区域AA中，可以设置多条数据线DL、多条选通线GL和多条电源线PL。例如，多条数据线DL可以设置成行或列，并且多条选通线GL可以设置为成列或行。在显示面板120中，子像素PX可以设置在由彼此相交的多条数据线DL和多条选通线GL限定的区域中。
设置在基板110上的多条选通线GL可以包括多条扫描线和多条发光控制线。多条扫描线和多条发光控制线可以是将不同类型的选通信号(例如扫描信号或发光控制信号)传输到不同类型的晶体管(例如扫描晶体管或发光控制晶体管)的栅极节点的线。
显示区域AA可以是其中设置有多个子像素PX以显示图像的区域。多个子像素PX中的每一个是发射光的独立单元，并且在多个子像素PX中的每一个中，可以形成发光二极管和驱动电路。例如，在多个子像素PX中，可以设置用于显示图像的显示元件(或发光二极管)和用于驱动显示元件的电路单元。例如，当显示设备100是有机发光显示设备时，显示元件可以包括有机发光元件，并且当显示设备100是液晶显示装置时，显示元件可以包括液晶元件。多个子像素PX可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和/或白色子像素，但不限于此。在示例实施方式中，本文中描述以有机发光二极管作为显示元件的有机发光显示设备。
显示区域AA的子像素PX可以包括薄膜晶体管TFT或TR。子像素PX中的薄膜晶体管的半导体层可以由多晶半导体材料和/或氧化物半导体材料形成，但不限于此。
在显示面板120的非显示区域NA中，可以设置包括连接到显示区域AA的多条信号线和多个显示焊盘电极D-PD的线单元。非显示区域NA的信号线可以包括连接到显示区域AA的信号线GL、DL和PL的链接线。在设置在非显示区域NA一侧的线单元中，设置非显示区域NA的信号线以及用于连接显示驱动器的多个显示焊盘电极D-PD。
非显示区域NA可以是其中没有显示图像并且设置有各种走线和用于驱动设置在显示区域AA中的多个子像素PX的驱动集成电路IC的区域。
非显示区域NA可以是包围显示区域AA的区域。例如，非显示区域NA可以是从显示区域AA延伸的区域或其中没有设置多个子像素PX的区域，但不限于此。其中没有显示图像的非显示区域NA可以是边框区域，或者还包括其中基板110弯曲的弯曲区域BA，但不限于此。
驱动显示区域AA的多条选通线GL的选通驱动器130可以设置在显示面板120的非显示区域NA的一侧或两侧。包括多个薄膜晶体管的选通驱动器130可以与显示区域AA的薄膜晶体管阵列一起形成在驱动元件单元中。通过设置在非显示区域NA中的多条选通控制线GCL和多个显示焊盘电极D-PD，从显示驱动器向选通驱动器130供应控制信号。
显示驱动器被安装在其中显示焊盘电极D-PD位于或安装在电路膜中的线单元上，并且可以通过各向异性导电膜连接到多个显示焊盘电极D-PD。电路膜可以是膜上芯片(COF)、柔性印刷电路(FPC)和柔性扁平电缆(FFC)中的任一种，但不限于此。显示驱动器可以包括定时控制器、伽玛电压发生器和数据驱动器。
选通驱动器130可以包括由薄膜晶体管(TFT或TR)构成的选通驱动电路(或扫描驱动电路)。选通驱动电路可以由使用多晶半导体材料作为半导体层的薄膜晶体管构成，或者由使用氧化物半导体材料作为半导体层的薄膜晶体管构成。选通驱动电路也可以由一对具有多晶半导体层的薄膜晶体管和具有氧化物半导体层的薄膜晶体管构成。当将相同的半导体材料用于设置在非显示区域NA和显示区域AA中的每一个中的薄膜晶体管时，可以通过同一工艺同时形成薄膜晶体管。
包括选通驱动电路的选通驱动器130可以包括将扫描信号输出到作为一种类型的选通线GL的多条扫描线的扫描驱动电路以及将发光控制信号输出到作为另一类型的选通线的多条发光控制线的发光驱动电路。
选通驱动电路可以包括移位寄存器和电平移位器，并且如在根据本公开的示例实施方式的显示设备100中一样，可以在显示面板120形成工艺中被实现为板内选通(GIP)类型，以直接设置在基板110上。包括选通驱动电路的选通驱动器130可以向多条选通线GL依次供应导通驱动电压或截止驱动电压的扫描信号。
显示驱动器可以包括数据驱动电路。数据驱动电路可以被配置为设置在基板110中的非显示区域NA中，或者设置在基板110的外部，以连接到设置在基板110的非显示区域NA中的显示焊盘电极D-PD。当特定选通线GL通过选通驱动电路打开时，数据驱动电路将图像数据转换成模拟类型数据电压，以将转换后的数据电压供应到数据线DL。
数据线DL可以被设置为经过弯曲区域BA，并且各种数据线DL被设置为连接到显示焊盘电极D-PD。
弯曲区域BA可以是其中基板110弯曲的区域。基板110在除了弯曲区域BA之外的区域中保持为平坦状态。
设置在显示面板120上的封装单元200与整个显示区域AA交叠，并且延伸到非显示区域NA以与设置在非显示区域NA中的坝结构DAM交叠。封装单元200可以密封和保护显示面板120的发光二极管单元。封装单元200可以包括阻挡湿气和氧气的渗透的多个无机封装层与阻挡颗粒的流入或漂浮的至少一个有机封装层的层压结构。例如，封装单元200可以具有以下的结构：具有足以覆盖颗粒的高(或显著)厚度的有机封装层设置在具有低(或微不足道的)厚度的无机封装层之间。有机封装层可以是颗粒覆盖层(PCL)，但不限于此。
坝结构(或坝单元)DAM设置在非显示区域NA中，以限制封装单元200的有机封装层的端部部分来抑制有机封装层的向下流动或塌缩。例如，坝结构DAM可以包括包围包括显示面板120的显示区域AA和选通驱动器130的区域的多个闭环形的坝DAM1和DAM2。
图2是例示了根据本公开的示例实施方式的驱动显示设备的一个像素的像素驱动电路的电路图。
参照图2，在根据本公开的示例实施方式的像素驱动电路中，像素(或子像素)PX可以由七个薄膜晶体管和一个存储电容器Cst构成。例如，七个薄膜晶体管中的一个是驱动薄膜晶体管D-TFT，并且其余的薄膜晶体管可以是用于内部补偿的开关薄膜晶体管T2至T7。
在根据本公开的示例实施方式的像素驱动电路中，驱动薄膜晶体管D-TFT和与驱动薄膜晶体管D-TFT相邻的开关薄膜晶体管T3中的每一个的半导体层由氧化物半导体层构成。其余的开关薄膜晶体管中的至少一个可以具有被配置为半导体层的多晶半导体层，但不限于此。每个薄膜晶体管可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。
N型薄膜晶体管可以由其中使用半导体氧化物形成半导体层的氧化物晶体管形成。例如，氧化物晶体管可以是具有由铟、镓、氧化锌或诸如铟镓锌氧化物(IGZO)这样的半导体氧化物形成的沟道的晶体管。
P型薄膜晶体管可以是使用诸如硅这样的半导体作为半导体层形成的多晶晶体管。例如，多晶晶体管可以是具有被称为低温多晶硅(LTPS)的使用低温工艺形成的多晶硅沟道的晶体管。
氧化物晶体管具有漏电流比多晶晶体管的漏电流低的特性。
第二晶体管T2可以被配置为切换驱动薄膜晶体管D-TFT的第一节点N1与数据线DL之间的电连接。驱动薄膜晶体管D-TFT的第一节点N1可以是驱动薄膜晶体管D-TFT的源极节点或漏极节点。第二晶体管T2的操作定时可以由第二扫描信号Scan2[n]控制。当第二扫描信号Scan2[n]的导通电平被施加到第二晶体管T2时，数据电压Vdata被施加到驱动薄膜晶体管D-TFT的第一节点N1。
第五晶体管T5可以被配置为切换驱动薄膜晶体管D-TFT的第一节点N1与高电位驱动电压VDDEL线之间的电连接。第五晶体管T5的操作定时可以由发光信号EM[n]控制。当发光信号EM[n]的导通电平被施加到第五晶体管T5时，高电位驱动电压VDDEL被施加到驱动薄膜晶体管D-TFT的第一节点N1。
在一个示例中，存储电容器Cst被配置为施加与VDDEL(即，高电位驱动电压)和Vdata+Vth(即，数据电压Vdata加上驱动薄膜晶体管D-TFT的阈值电压Vth)之间的电压差相对应的电压。存储电容器Cst可以将该电压差提供为驱动薄膜晶体管D-TFT的驱动电压。在另一示例中，存储电容器Cst被配置为在一帧时段期间将与数据电压Vdata对应的电压施加到驱动晶体管D-TFT的栅极节点。存储电容器Cst可以包括与驱动薄膜晶体管D-TFT的第二节点N2电连接的一个端部以及与高电位驱动电压VDDEL线电连接的另一端部。驱动薄膜晶体管D-TFT的第二节点N2可以是驱动薄膜晶体管D-TFT的栅极节点。
第三晶体管T3电连接在驱动薄膜晶体管D-TFT的第二节点N2和第三节点N3之间。第三晶体管T3的操作定时可以由第一扫描信号Scan1-[n]控制。驱动薄膜晶体管D-TFT的第三节点N3可以是驱动薄膜晶体管D-TFT的源极节点和漏极节点中的另一节点。
第三晶体管T3可以是氧化物晶体管。由于低漏电流，氧化物晶体管可以保持驱动薄膜晶体管D-TFT的第二节点N2的恒定电压电平。因此，即使没有针对每个帧施加用于显示图像的数据电压Vdata，子像素PX也可以基于在先前帧中输入的用于显示图像的数据电压Vdata，将图像显示在屏幕上。
第四晶体管T4可以被配置为切换驱动薄膜晶体管D-TFT的第三节点N3与初始化电压Vini线之间的电连接。第四晶体管T4可以由第三扫描信号Scan3[n]控制。当施加第三扫描信号Scan3[n]的导通电平电压时，初始化电压Vini被施加到驱动薄膜晶体管D-TFT的第三节点N3。
第六晶体管T6可以被配置为切换驱动薄膜晶体管D-TFT的第三节点N3与发光二极管ED的第一电极之间的电连接。第六晶体管T6包括第四节点N4，并且第六晶体管T6的第四节点N4电连接到发光二极管ED的第一电极。第六晶体管T6的第四节点N4可以是第六晶体管T6的源极节点或漏极节点。发光二极管ED的第一电极可以是阳极电极或阴极电极。在下文中，根据本公开的示例实施方式，为了例示而非限制本公开的范围的目的，发光二极管ED的第一电极被视为阳极电极。
第六晶体管T6的操作定时由发光信号EM[n]控制。控制第六晶体管T6的操作定时的发光信号EM[n]可以等于控制第五晶体管T5的操作定时的发光信号EM[n]。第六晶体管T6的栅极节点和第五晶体管T5的栅极节点可以电连接到一条发光信号EM[n]线。
第七晶体管T7可以被配置为切换发光二极管ED的第一电极与复位电压VAR线之间的电连接。当发光二极管ED的第一电极是阳极电极时，复位电压VAR可以是阳极复位电压VAR。
第七晶体管T7的操作定时可以由第三扫描信号Scan3[n+1]控制。控制第七晶体管T7的操作定时的第三扫描信号Scan3[n+1]可以是与控制其它子像素PX的第四晶体管T4的操作定时的第三扫描信号Scan3[n]相同的信号。
例如，第三扫描信号Scan3[n+1]可以被施加到电连接到第n(n是1或更大的整数)选通线的子像素PX中所包括的第七晶体管T7。施加到子像素PX的第三扫描信号Scan3[n+1]可以是与施加到位于第n+1选通线的子像素PX中所包括的第四晶体管T4的第三扫描信号Scan3[n]相同的信号。
发光二极管ED或有机发光二极管(OLED)的第一电极电连接到第六晶体管T6的第四节点N4。有机发光二极管(OLED)的第二电极电连接到低电位驱动电压VSSEL线。有机发光二极管(OLED)的第一电极可以是阳极电极或阴极电极。有机发光二极管(OLED)的第二电极可以是阴极电极或阳极电极。
高电位驱动电压VDDEL线和低电位驱动电压VSSEL线可以是共同连接到设置在显示面板120中的多个子像素PX的公共电压线。
根据本公开的示例实施方式，第三晶体管T3可以是N型晶体管并且其余的晶体管可以是P型晶体管。驱动薄膜晶体管D-TFT、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是P型晶体管，并且上述晶体管中的一个或更多个晶体管可以被形成为N型晶体管。
图3是根据本公开的示例实施方式的显示设备的平面图。
一起参照图1和图3，封装单元200上的触摸单元(或触摸传感器单元)可以使用其中向触摸驱动器供应反映了用户触摸带来的电容变化的信号的电容方法。触摸单元可以使用自电容方法或互电容方法。根据自电容方法，每个触摸电极独立地向触摸驱动器供应其中反映了电容变化的信号。根据互电容方法，每个触摸电极将其中反映了第一触摸电极与第二触摸电极之间的电容变化的信号供应到触摸驱动器。在下文中，根据本公开的示例实施方式，描述互电容型触摸单元作为示例，而不限制本公开的范围。
触摸单元可以包括设置在显示区域AA中以提供电容型触摸传感器的多条触摸线TX1至TXn和RX1至RXm。多条触摸线TX1至TXn和RX1至RXm可以由多个触摸电极TE1和TE2以及多个触摸连接电极BE1和BE2构成。触摸单元可以包括设置在非显示区域NA中的多条走线RL1、RL2和RL3和多个触摸焊盘电极T-PD。当形成触摸单元时，显示焊盘电极D-PD当中的上焊盘电极可以与具有相同金属材料的触摸焊盘电极T-PD的上焊盘电极形成在同一层上，并且可以与具有相同金属材料的触摸电极TE1和TE2形成在同一层上。
触摸单元包括多条第一触摸线TX1至TXn和多条第二触摸线RX1至RXm。多条第一触摸线TX1至TXn包括(或连接到)设置在第一方向(或X轴方向或水平方向)上以被电连接的多个第一触摸电极TE1。多条第二触摸线RX1至RXm包括(或连接到)设置在第二方向(或Y轴方向或垂直方向)上的多个第二触摸电极TE2。彼此相邻的第一电极TE1和第二电极TE2可以构成互电容型触摸传感器。
在第一触摸线TXi(其中，i＝1至n，其中，n为1或更大的自然数)中的每一条中，设置在第一方向X上的每个第一触摸电极TE1通过第一触摸连接电极BE1连接到相邻的第一触摸电极TE1。在第二触摸线RXj(其中，j＝1至m，其中，m为1或更大的自然数)中的每一条中，设置在第二方向Y上的每个第二触摸电极TE2通过第二触摸连接电极BE2连接到相邻的第二触摸电极TE2。第一触摸电极TE1可以被称为发送电极并且第二触摸电极TE2可以被称为接收电极，但本公开不限于此。第一触摸线TX1至TXn可以被称为发送通道并且第二触摸线RX1至RXm可以被称为接收通道或读出通道。第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2中的每一个主要被形成为正方形形状或菱形形状，但不限于此。
在触摸单元的非显示区域NA中，可以设置与显示区域AA的多条触摸线TX1至TXn和RX1至RXm连接的多条走线RL1、RL2和RL3以及与多条走线RL1、RL2和RL3连接的多个触摸焊盘电极T-PD。多条走线RL1、RL2和RL3可以在包围显示区域AA的非显示区域NA中与封装单元200交叠。触摸驱动器被安装在电路膜上，并且可以通过各向异性导电膜连接到设置在非显示区域NA中的多个触摸焊盘电极T-PD。
设置在显示区域AA中的多条第一触摸线TX1至TXn的一个端部可以通过设置在非显示区域NA中的多条第一走线RL1和触摸焊盘电极T-PD连接到触摸驱动器。多条第一走线RL1可以经由左和右非显示区域NA和下非显示区域NA中的任一个单独连接到设置在下非显示区域NA中的触摸焊盘电极T-PD。
触摸驱动器驱动多条第一触摸线TX1至TXn，并且可以被供应从多条第二触摸线RX1至RXm输出的读出信号并且使用读出信号生成触摸感测数据。例如，触摸驱动器通过借助差分放大器比较相邻两条触摸线的读出信号来生成指示是否已发生触摸的触摸感测信号，将触摸感测信号转换为触摸感测数据并且将触摸感测数据输出到触摸控制器。触摸控制器基于触摸感测数据来检测触摸区域(或触摸位置)的触摸坐标，以将检测到的触摸坐标提供到主机系统。
图4是根据本公开的示例实施方式的沿着图3的线I-I’截取的截面图，并且图5是根据本公开的示例实施方式的沿着图3的线II-II’截取的截面图。
一起参照图1、图3、图4和图5，显示设备100(或基板110)可以包括显示区域AA和位于显示区域AA外部的非显示区域NA。例如，非显示区域NA可以包围显示区域AA。
下缓冲层111可以设置在基板110上。下缓冲层111可以在后续工艺中抑制基板110的污染。下缓冲层111可以延伸到基板110的非显示区域NA上。例如，基板110的整个顶表面可以被下缓冲层111覆盖。
下缓冲层111可以包含绝缘材料。例如，下缓冲层111可以包括诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料。下缓冲层111可以具有包含多层的结构。例如，下缓冲层111可以具有由硅氧化物(SiOx)形成的无机绝缘膜和由硅氮化物(SiNx)形成的无机绝缘膜的层压结构。
在基板110的显示区域AA中，设置薄膜晶体管TR并且可以设置电连接到薄膜晶体管TR的显示元件。在本公开的示例实施方式中，为了例示而非限制本公开的范围的目的，描述有机发光二极管作为显示元件。
薄膜晶体管TR可以包括包含供电子或空穴移动通过的沟道的半导体层(或有源层)TR-A、栅极绝缘层GI、栅极TR-G、源极TR-S和漏极TR-D。
薄膜晶体管TR的半导体层TR-A可以由多晶半导体材料和/或氧化物半导体材料形成，但不限于此。沟道区被配置在半导体层TR-A的中间，并且源极区和漏极区可以被设置成其间具有沟道区。
根据本公开的示例实施方式，薄膜晶体管TR可以是其中栅极TR-G设置在半导体层TR-A上方的顶栅结构。栅极绝缘层GI可以设置在半导体层TR-A上方。
栅极TR-G可以设置在覆盖半导体层TR-A的沟道区的栅极绝缘层GI的上方。栅极TR-G可以被形成为与半导体层TR-A的中间的沟道区对应。栅极TR-G可以由金属材料配置。例如，栅极TR-G可以由由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金形成的单层或多层形成，但不限于此。
栅极绝缘层GI可以插置在半导体层TR-A和栅极TR-G之间。栅极绝缘层GI可以被形成为具有与栅极TR-G相同的形状。栅极绝缘层GI可以包括诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料。
层间绝缘层112可以形成在包括栅极TR-G的上部的整个表面上。例如，层间绝缘层112可以被形成为覆盖栅极TR-G的顶表面和侧表面、栅极绝缘层GI的侧表面、半导体层TR-A的暴露的顶表面和侧表面和下缓冲层111。例如，层间绝缘层112可以被形成为覆盖基板110的整个表面。
层间绝缘层112可以包括诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料，或者可以由诸如苯并环丁烯或光亚克力这样的有机绝缘材料构成。层间绝缘层112可以包括暴露半导体层TR-A的两侧的第一接触孔和第二接触孔。第一接触孔和第二接触孔可以设置在栅极TR-G的两侧，以与栅极TR-G分隔开。
源极TR-S和漏极TR-D可以通过层间绝缘层112的第一接触孔和第二接触孔连接到半导体层TR-A。例如，源极TR-S和漏极TR-D形成在层间绝缘层112上，并且可以通过第一接触孔和第二接触孔连接到半导体层TR-A的源极区和漏极区。
薄膜晶体管TR由半导体层TR-A、栅极TR-G、源极TR-S和漏极TR-D构成，并且构成(或被实施为)驱动电路。根据本公开的示例实施方式的薄膜晶体管TR可以具有其中栅极TR-G、源极TR-S和漏极TR-D设置在半导体层TR-A上方的共面结构。
平整层113可以设置在薄膜晶体管TR的上方。平整层113用于平整驱动电路的顶表面。例如，平整层113可以被形成为高于驱动电路。例如，平整层113可以被配置为具有距基板110的预定高度。平整层113可以由至少一个有机膜或至少一个无机膜构成，但不限于此。平整层113可以包括暴露薄膜晶体管TR的源极TR-S或漏极TR-D的多个接触孔。
发光二极管可以设置在平整层113的上方。根据本公开的示例实施方式的发光二极管可以是有机发光二极管。平整层113上方的发光二极管可以由第一电极122、发光单元124和第二电极126构成。第一电极122可以是阳极电极或像素电极，但不限于此。第二电极126可以是阴极电极或公共电极，但不限于此。
其中第一电极122、发光单元124和第二电极126被接合以被层压的区域可以是发光区域EA。发光区域EA可以由平整层113上方的堤层114限定。
第一电极122可以通过平整层113的接触孔电连接到薄膜晶体管TR的源极TR-S或漏极TR-D。例如，第一电极122的一部分延伸通过接触孔，以连接到薄膜晶体管TR的源极TR-S或漏极TR-D。
当根据本公开的示例实施方式的显示设备100是顶部发光型时，在发光二极管中产生的光朝向基板的顶表面(Z轴方向)行进。当根据本公开的示例实施方式的显示设备100是底部发光型时，在发光二极管中产生的光朝向基板的后表面(-Z轴方向)行进。然而，本公开不限于前述。在顶部发光型中，为了将在发光单元124中产生的光向第二电极126方向反射，第一电极122还可以包括反射层。例如，反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金配置。例如，第一电极122可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。对于底部发光型，第一电极122可以由透明导电材料层的单层结构配置。
堤层114覆盖设置在平整层113上方的第一电极122的边缘，以限定发光区域EA。例如，没有被堤层114覆盖的第一电极122的顶表面可以是发光区域EA。堤层114可以包括有机绝缘材料，并且可以包括与平整层113的材料不同的材料。
发光单元124和第二电极126可以设置在第一电极122的顶表面上。发光单元124可以产生亮度与第一电极122和第二电极126之间的电压差对应的光。例如，发光单元124可以包括发光材料层(EML)。发光材料层可以包括有机材料、无机材料或混合材料。根据本公开的示例实施方式的显示设备100可以是包括有机材料的有机发光显示设备。
发光单元124可以具有包含多层的结构。例如，发光单元124可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，但不限于此。当用于发光的基本结构是由空穴传输层、发光材料层和电子传输层构成的堆叠件时，发光单元124可以是包括多个堆叠件的串联类型的发光二极管。
发光单元124可以针对每个子像素PX(或在每个子像素PX中)被设置为与发光区域EA交叠或者在基板110的整个表面上被配置为板形，但不限于此。
第二电极126可以设置在发光单元124的上方。第二电极126可以在基板110的整个表面上被形成为板形。在顶部发光型中，第二电极126可以被配置为透明电极。例如，第二电极126可以包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。在底部发光型中，为了将在发光单元124中产生的光向第一电极122方向反射，第二电极126还可以包括反射层。例如，第二电极126可以包括诸如铜或钼-钛(MoTi)合金这样的金属中的至少一种。
封装单元200可以设置在发光二极管的整个表面上。封装单元200设置在基板110的除了最外侧边缘外的其余部分中，以包围发光二极管的前表面和侧表面中的全部。封装单元200被配置为阻挡氧气或湿气渗透到发光二极管中，特别是渗透到发光单元124中，以提高发光二极管的可靠性。封装单元200可以由第一封装层210、第二封装层220和第三封装层230的多个层构成，但不限于此。
第一封装层210可以包括无机材料。例如，第一封装层210可以包括硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、硅氮氧化物膜(SiONx)、钛氧化物膜(TiOx)和铝氧化物膜(AlOx)中的任一种的单层结构或其层压结构。
第二封装层220可以被配置为比第一封装层210相对厚得足以覆盖可能在第一封装层210上产生的异物。第二封装层220可以是颗粒覆盖层(PCL)或有机封装层，但不限于此。第二封装层220可以包括有机材料或液体有机材料。例如，第二封装层220可以由诸如硅氧碳化物(SiOCz)、亚克力或环氧基树脂这样的有机材料构成。
第三封装层230可以被配置为覆盖第一封装层210和第二封装层220中的全部。第三封装层230可以包括与第一封装层210相同或不同的无机材料。
坝结构DAM可以被配置为阻挡或调节封装单元的第二封装层220(中)的到基板110中的扩散或通过最外侧子像素PX的边缘向基板110外部的溢出。坝结构DAM在最外侧子像素PX的边缘处分离或断开发光二极管的至少一部分以阻挡通向子像素PX的横向湿气渗透路径，以便抑制或最小化发光二极管的可靠性劣化。坝结构DAM可以配置在非显示区域NA中，但不限于此。
坝结构(或坝部分)DAM可以由诸如第一坝DAM1和第二坝DAM2这样的多个坝构成，但不限于此。多个坝被配置为坝结构DAM，以调节第二封装层220的在基板110中的扩散程度或第二封装层220向基板110外部的溢出程度。可以通过在平整层113和/或堤层114中形成从最外侧子像素PX延伸到非显示区域NA的沟槽来配置坝结构DAM。
封装单元200可以被配置为包括在第一封装层210和第三封装层230之间的第二封装层220。例如，第一封装层210和第三封装层230可以在除了其中配置有基板110上的第二封装层220的区域外的区域中彼此接触。例如，其中配置有第二封装层220的区域可以被形成为从显示区域AA到非显示区域NA的坝结构DAM的起始区域，或者遍布在坝结构DAM的结尾区域上方。例如，第一封装层210与第三封装层230接触的位置可以是第二坝DAM2的侧部和顶部以及第一坝DAM1的侧部和顶部。
触摸单元可以被配置在封装单元200的上方。根据本公开的示例实施方式的触摸单元在显示区域AA中设置在封装单元上，触摸单元和封装单元之间带有缓冲层(例如，层310、320和330)，缓冲层具有与封装单元类似高的高度。因此，与触摸面板附接方法相比，制造工艺被简化得更多，以降低制造成本，并且触摸单元与显示面板120之间的寄生电容被减小以改善触摸感测性能，由此提高产品可靠性。
触摸单元可以包括设置在第一触摸缓冲层310、第二触摸缓冲层320、触摸绝缘层330和触摸保护层350之间的触摸线TXi和RXj(其中，i＝1到n，j＝1到m，并且n和m是1或更大的自然数)、走线RL和触摸焊盘电极T-PD。触摸线TXi和RXj可以由触摸电极TE1和TE2以及触摸连接电极BE1和BE2构成。走线RL可以由第一走线RLl、第二走线RL2和第三走线RL3构成，并且每条走线(例如，RL1、RL2和RL3中的每一个)可以被划分为下走线(例如，RL1-1)和上走线(例如，RL1-2)。
触摸电极TE1和TE2中的每一个、触摸连接电极BE1和BE2中的每一个和每条走线RL可以包括电阻比金属低的导电材料。例如，触摸电极TE1和TE2中的每一个、触摸连接电极BE1和BE2中的每一个和每条走线RL可以由诸如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)、钼(Mo)和钽(Ta)这样的金属或这些金属中的一个或更多个的合金配置。另外，触摸电极TE1和TE2中的每一个、触摸连接电极BE1和BE2中的每一个和每条走线RL可以具有包含单层或多层的结构。例如，触摸电极TE1和TE2中的每一个、触摸连接电极BE1和BE2中的每一个和每条走线RL可以具有诸如Ti/Al/Ti、MoTi/Cu/MoTi或Ti/Al/Mo这样的三层结构，但本公开不限于此。
第一触摸连接电极BE1和下走线RL1-1可以通过相同的工艺并由相同的材料形成(因此，例如具有相同的高度)。第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第二触摸连接电极BE2和上走线RL1-2可以通过相同的工艺并由相同的材料形成(因此，例如具有相同的高度)。
第一触摸缓冲层310可以设置在封装单元上。例如，第一触摸缓冲层310可以设置在第三封装层230和第二触摸缓冲层320之间。例如，第一触摸缓冲层310可以设置在第三封装层230和第一触摸连接电极BE1之间。例如，第一触摸缓冲层310可以设置在第三封装层230和下走线RL1-1之间。
第一触摸缓冲层310可以减小在发光二极管的第二电极126与触摸线TXi和RXj之间产生的寄生电容。例如，可以通过第一触摸缓冲层310的厚度来调节第二电极126与触摸电极TE1和TE2之间的距离以及第二电极126与触摸连接电极BE1和BE2之间的距离。另外，第一触摸缓冲层310可以抑制制造触摸单元的过程期间对封装单元200的损坏。第一触摸缓冲层310可以包括诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料。
第二触摸缓冲层320和触摸绝缘层330可以依次设置在第一触摸缓冲层310的上方。第一触摸连接电极BE1和下走线RL1-1可以设置在第二触摸缓冲层320和第一触摸缓冲层310之间。第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第二触摸连接电极BE2和上走线RL1-2可以设置在触摸绝缘层330的上方。
第一触摸电极TE1延伸通过显示区域AA的第二触摸缓冲层320和触摸绝缘层330中的多个公共接触孔，以便第一触摸电极TE1电连接到第一触摸连接电极BE1。上走线RL1-2延伸通过非显示区域NA的第二触摸缓冲层320和触摸绝缘层330中的多个公共接触孔，以便上走线RL1-2电连接到下走线RL1-1。
第二触摸缓冲层320可以包括诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料。触摸绝缘层330可以由诸如苯并环丁烯或光亚克力这样的有机绝缘材料配置，但不限于此。
如果触摸绝缘层330与显示区域AA中的第一触摸连接电极BE1直接接触，则在后续处理期间可能引起触摸绝缘层330的抬起现象。例如，触摸绝缘层330的包括公共接触孔的部分区域可以与第一触摸连接电极BE1直接接触。在这种情况下，由于有机材料的热变形和低粘附特性，在后续处理中触摸绝缘层330的公共接触孔的周围部分没有与第一触摸连接电极BE1接触而是被抬起。为了抑制该问题，由无机材料配置的第二触摸缓冲层320设置在第一触摸连接电极BE1和触摸绝缘层330之间。通过这样做，可以减少由于有机材料的低粘附特性以及金属与有机材料之间的热变形差异而导致的抬起和接触故障。例如，除了在第一触摸连接电极BE1的顶表面的通过公共接触孔与第一触摸电极TE1接触的区域以外的区域中，第一触摸连接电极BE1、第二触摸缓冲层320和触摸绝缘层330可以按此顺序被层压。
如果触摸绝缘层330与非显示区域NA中的下走线RL-1直接接触，则在后续处理期间可能引起触摸绝缘层330的抬起现象。例如，触摸绝缘层330的包括公共接触孔的部分区域可能与下走线RL1-1直接接触。在这种情况下，由于有机材料的热变形和低粘附特性，在后续处理中触摸绝缘层330的公共接触孔的周围部分没有与下走线RL1-1接触而是被抬起。为了抑制该问题，由无机材料配置的第二触摸缓冲层320设置在下走线RL1-1和触摸绝缘层330之间。通过这样做，可以减少由于有机材料的低粘附特性以及金属与有机材料之间的热变形差异而导致的抬起和接触故障。例如，在除了下走线RL1-1的顶表面的通过公共接触孔与上走线RL1-2接触的区域以外的区域中，下走线RL1-1、第二触摸缓冲层320和触摸绝缘层330可以按此顺序被层压。
焊盘区域PD可以设置在显示面板120的非显示区域NA的一侧。在焊盘区域PD中，可以配置多个显示焊盘电极D-PD和多个触摸焊盘电极T-PD。例如，多个显示焊盘电极D-PD和多个触摸焊盘电极T-PD可以彼此平行地设置。显示焊盘电极D-PD和触摸焊盘电极T-PD可以具有相同的结构。
触摸保护层350可以设置在触摸单元的最上端。触摸保护层350可以由有机材料配置。触摸保护层350可以抑制由于外部冲击和湿气导致的对触摸单元及其下部的损坏。触摸保护层350可以形成在显示面板120的除焊盘区域PD外的整个表面上。例如，触摸保护层350可以暴露焊盘区域PD的显示焊盘电极D-PD和触摸焊盘电极T-PD。
触摸绝缘层330可以形成在显示面板120的除了非显示区域NA的部分(例如，除了焊盘区域PD)的整个表面上。例如，触摸绝缘层330(或其边缘)可以延伸到或者可以终止于如图5所示的非显示区域中被标记为330E的位置，并且触摸绝缘层330不延伸到下触摸焊盘电极T-PD1和上触摸焊盘电极T-PD2在基板110的下表面方向(-Y方向)上连接的位置。
触摸焊盘电极T-PD可以由下触摸焊盘电极T-PD1和上触摸焊盘电极T-PD2构成。可以使用形成驱动电路、发光二极管和触摸单元的处理一起形成触摸焊盘电极T-PD。例如，下触摸焊盘电极T-PD1可以包括与驱动电路的源极TR-S和漏极TR-D相同的材料。例如，上触摸焊盘电极T-PD2可以包括与触摸单元的第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2和第二触摸连接电极BE2相同的材料。
下触摸焊盘电极T-PD1可以以具有矩形形状或平行四边形形状的岛状形式设置在焊盘区域PD中。上触摸焊盘电极T-PD2可以被设置为沿着从显示区域AA到非显示区域NA的方向(-Y方向)穿过焊盘区域PD。下触摸焊盘电极T-PD1和上触摸焊盘电极T-PD2可以在焊盘区域PD中彼此连接。例如，下触摸焊盘电极T-PD1的顶表面可以电连接到上触摸焊盘电极T-PD2。
例如参考图3和图5，基板110、下缓冲层111、层间绝缘层112、第一触摸缓冲层310、第二触摸缓冲层320和上触摸焊盘电极T-PD2可以在向下方向(-Y方向)上暴露在基板110的纵向边缘部分LSEC处。例如，触摸绝缘层330可以不暴露在基板110的纵向边缘部分LSEC处。为了在基板110的向下方向(-Y方向)的纵向边缘部分LSEC处形成低的台阶，上触摸焊盘电极T-PD2的下部可以由均是无机膜的第一触摸缓冲层310和第二触摸缓冲层320配置。通过基板110的纵向边缘部分LSEC的低台阶，使非显示区域NA的大小减小并且使边框区域最小化。在焊盘区域PD中，可以暴露上触摸焊盘电极T-PD2的顶表面。
触摸线TXi和RXj(其中i＝1…n，j＝1…m，其中，n和m是1或更大的自然数)可以通过走线RL电连接到触摸焊盘T-PD。例如，走线RL可以将触摸线TXi和RXj中的每一条与触摸焊盘T-PD的一部分电连接。在一个示例中，走线RL可以将触摸线TXi和RXj中的一条或每一条连接到触摸线TXi和RXj的左右两侧(或上下两侧)的触摸焊盘T-PD。在另一示例中，走线RL可以将触摸线TXi和RXj中的一条或每一条连接到TXi和RXj的左右两侧(或上下两侧)中的仅一侧的触摸焊盘T-PD。根据本公开的示例实施方式的走线RL可以将触摸线TXi和RXj中的每一条连接到TXi和RXj的左右两侧(或上下两侧)中的仅一侧的触摸焊盘T-PD。通过这样做，可以减少延伸到非显示区域NA的走线RL的总数，并且可以使边框区域最小化。
连接到第一触摸线TXi的走线RL可以包括第一走线RL1、第二走线RL2和第三走线RL3。例如，第一走线RL1将第一触摸线TXi的一部分和触摸焊盘T-PD的一部分(或第一部分)电连接，第二走线RL2将第一触摸线TXi的其余部分和触摸焊盘T-PD的一部分(或第二部分)电连接，并且第三走线RL3将第二触摸线RXj和触摸焊盘T-PD的一部分(第三部分)电连接。
非显示区域NA中的每条走线RL可以沿着显示区域AA的边缘延伸。例如，第一走线RL1可以在显示区域AA的左侧连接奇数编号的第一触摸线TXi和触摸焊盘T-PD的一部分，并且第二走线RL2可以在显示区域AA的右侧连接偶数编号的第一触摸线TXi和触摸焊盘T-PD的另一部分。作为另一示例，第一走线RL1可以在显示区域AA的左侧连接奇数编号的第一触摸线TXi和触摸焊盘T-PD的一部分，并且第二走线RL2可以在显示区域AA的右侧连接偶数编号的第一触摸线TXi和触摸焊盘T-PD的另一部分。作为又一示例，第一走线RL1可以在显示区域AA的左侧连接奇数编号的第一触摸线TXi的第一触摸电极TE1和触摸焊盘T-PD的一部分，并且第二走线RL2可以在显示区域AA的右侧连接偶数编号的第一触摸线TXi的第一触摸电极TE1和触摸焊盘T-PD的另一部分。例如，第一走线RL1可以在显示区域AA的左侧将多个第一触摸电极TE1中的奇数编号的电极连接到多个触摸焊盘T-PD中的至少一个中的至少第一触摸焊盘，并且第二走线RL2可以在显示区域AA的右侧将多个第一触摸电极TE1中的偶数编号的电极连接到多个触摸焊盘T-PD中的至少一个中的至少第二触摸焊盘。多个触摸焊盘T-PD可以表示多个触摸焊盘电极T-PD。通过这样做，可以减小设置在第一触摸线TXi左右两侧的非显示区域NA中的走线RL的数量，并且减小延伸的走线RL占用的面积，以使显示设备100的左右边框面积最小化。
第三走线RL3可以在显示区域AA的下侧连接第二触摸线RXj和触摸焊盘T-PD的一部分。例如，第三走线RL3连接到第二触摸线RXj的下侧而无需绕行非显示区域NA的左侧或右侧，使得第三走线RL3可以连接到第二触摸线RXj的下侧和触摸焊盘T-PD的一部分。在示例中，第三走线RL3可以将第二触摸电极RXj连接到多个触摸焊盘T-PD中的至少一个中的至少第三触摸焊盘。通过这样做，可以使第三走线RL3的长度最小化，并且可以使显示设备100的上下边框面积最小化。
每条走线RL可以由上走线RL1-2和下走线RL1-1构成。下走线RL1-1可以通过与第一触摸连接电极BE1相同的工艺形成，并且上走线RL1-2可以通过与第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2和/或第二触摸连接电极BE2相同的工艺形成。上走线RL1-2和下走线RL1-1可以通过多个公共接触孔电连接。通过这样做，即使走线RL的部分区域(或某个部分)被断开，整个走线的断开也被抑制(或者可以被防止)，增强了显示设备100的可靠性。
为了实现层间绝缘，在根据本公开的示例实施方式的显示设备100中，触摸绝缘层330可以使用有机材料形成，而第一触摸缓冲层310和第二触摸缓冲层320由无机材料形成。作为示例，由无机层间绝缘层形成的第一触摸缓冲层310和第二触摸缓冲层320中的每一个通常可以具有大致的厚度。作为另一示例，由有机材料形成的触摸绝缘层330可以具有大致/>的厚度。
在非显示区域NA中，封装单元200的端部可以具有一个或更多个台阶。例如，具有大厚度的第二封装层220和第三封装层230的端部具有阶梯式台阶轮廓。多条走线RL沿着第二封装层220和第三封装层230的阶梯式端部设置。例如，走线RL可以包括沿着封装单元的端部设置的下走线RL1-1和上走线RL1-2。上走线RL1-2沿着触摸绝缘层330的端部设置，并且通过触摸绝缘层330和第二触摸缓冲层320的端部上的公共接触孔连接到下走线RL1-1。因此，多条走线RL被稳定地配置在触摸绝缘层330和封装单元200的阶梯式端部中而没有断开缺陷，以提高产品良率和产品可靠性。
上走线RL1-2和下走线RL1-1可以具有电阻分量。例如，在触摸绝缘层330中(或下面或下方)形成的下走线RL1-1的电阻与线的特有固有电阻和线的长度成正比，而与线的截面面积(线的宽度与线的高度的乘积)成反比。下走线RL1-1形成在触摸绝缘层330中(或下面或下方)，使得下走线RL1-1的高度可以受触摸绝缘层330的高度限制。例如，当触摸绝缘层330的高度增加时，下走线RL1-1的高度可以增加。
根据本公开的示例实施方式的显示设备100可以在保持下走线RL1-1的相同电阻的同时，具有修改的走线的截面形状。例如，可以通过减小下走线RL1-1的宽度并且增加其高度来保持电阻恒定。例如，由有机材料形成的触摸绝缘层330的厚度是由无机材料形成的层间绝缘层的厚度的四倍。因此，当下走线RL1-1的高度被配置为大致大四倍并且宽度被配置为大致小四倍时，下走线RL1-1的电阻可以被保持恒定(例如，相同的电阻值)。在本示例中，下走线RL1-1的高度(或截面高度或横截面高度)大于下走线RL1-1的宽度(或截面宽度或横截面宽度)。当下走线RL1-1的宽度减小时，线延伸到要设置的非显示区域NA的区域可以减小，使得边框区域可以被最小化。
正如下走线RL1-1的截面形状的修改取决于触摸绝缘层330的高度一样，上走线RL1-2取决于触摸保护层350的高度，使得显示设备100的边框区域可以被最小化。另外，显示区域AA中的第一触摸连接电极BE1根据以上提到的原理被配置，以提高显示区域AA的开口率。
此外，在母基板110上依次地配置用于多个显示面板120的驱动电路、显示元件、封装单元200和触摸单元之后，沿着预定划线切割母基板110，以将显示面板120划分成多个显示面板120。因此，可以执行通过修整来修整每个基板110或每个显示面板的外边缘部分的处理。修整处理可以使用激光或干蚀刻来执行，但不限于此。
在对显示面板120的上端处的预定修整线执行的修整处理中，第一切割表面TL1可以暴露。例如，第一切割表面TL1可以是修整线。例如，为了减小边框面积，第一切割表面TL1可以位于恰好暴露第一触摸缓冲层310之前的位置。例如，第一切割表面TL1可以暴露基板110、下缓冲层111、层间绝缘层112、第一封装层210、第三封装层230、第一触摸缓冲层310和第二触摸缓冲层320的横截面表面。通过这样做，可以使边框区域的大小最小化。
为了进一步减小边框区域，修整线位于恰好暴露坝结构DAM之前的位置，以暴露所述第二切割表面TL2。例如，第二切割表面TL2可以是修整线。第二切割表面TL2可以暴露基板110、下缓冲层111、层间绝缘层112、第一封装层210、第三封装层230、第一触摸缓冲层310和第二触摸缓冲层320的横截面表面中的每一个。例如，第二切割表面TL2可以暴露触摸保护层350的横截面表面。通过将修整线朝向显示区域AA移动，可以进一步减小边框区域。
在第二切割表面TL2的修整处理之前，走线RL由具有大(或显著)高度的触摸绝缘层330垂直形成以增加暴露，因此在修整处理期间和/或之后可能产生走线RL的金属残留。为了减少金属残留，当修整线是第二切割线TL2时，触摸绝缘层330的外边缘部分(或端部)可以与第二切割表面TL2具有预定距离D。例如，触摸绝缘层330的端部可以位于距第二切割表面TL2朝向显示区域AA的距离D为10μm或更大。通过这样做，可以减少在第二切割表面TL2的修整处理期间和/或之后产生的走线RL的金属残留。
根据本公开的示例实施方式，其中设置有触摸走线的区域的宽度减小，并且将显示面板切割成更接近显示区域，以使边框区域最小化。
在一个或更多个方面，焊盘单元可以指焊盘区域。焊盘区域可以包括一个或更多个焊盘区域。在一个或更多个方面，像素可以指子像素，并且多个像素可以指多个子像素。在一个或更多个方面，发光单元可以指发光元件、发光层或发光结构。在一个或更多个方面，封装单元可以指封装元件、封装层、封装结构或封装形成。在一个或更多个方面，封装结构可以包括一个或更多个层或一个或更多个封装层。在一个或更多个方面，触摸单元可以指触摸结构、触摸布置、触摸传感器或触摸形成。在一个或更多个方面，触摸结构可以包括一个或更多个介电层和一个或更多个导电电极。在一个或更多个方面，触摸焊盘可以是指触摸焊盘电极。在一个或更多个示例中，触摸焊盘可以是一个或更多个触摸焊盘。在一个或更多个示例中，触摸焊盘可以包括多个触摸焊盘或多个触摸焊盘电极。在一个或更多个示例中，触摸焊盘电极可以包括多个触摸焊盘电极。在一个或更多个方面，触摸走线可以是指走线。在一个或更多个示例中，走线可以包括多条走线。在一个或更多个示例中，部分可以包括一个或更多个部分。在一个或更多个示例中，触摸焊盘的一部分可以包括触摸焊盘的一个或更多个部分。在一个或更多个示例中，触摸焊盘的一部分可以包括一个或更多个触摸焊盘电极。在一个或更多个示例中，触摸焊盘的一部分可以包括多个触摸焊盘中的至少一个。
本公开的各种示例实施方式被如下地描述。这些被提供为示例，而不限制本公开的范围。
根据本公开的一个或更多个方面，提供了一种显示设备。该显示设备可以包括：显示区域和非显示区域，其中，非显示区域包括焊盘区域；多个像素，所述多个像素包括显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，晶体管包括栅极、源极和漏极；封装结构，所述封装结构设置在非显示区域的一部分和显示区域中；触摸结构，其中，触摸结构的至少一部分设置在封装结构上，其中，触摸结构包括多个触摸介电层和多个触摸导电电极，其中，多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层，并且其中，多个触摸导电电极包括第一触摸导电电极和第二触摸导电电极；走线，所述走线与第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成并且连接到第二触摸导电电极；以及触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在焊盘区域中并且具有第一触摸焊盘和第二触摸焊盘。第一触摸介电层和第二触摸介电层可以设置在封装结构上。第二触摸导电电极可以设置在第一触摸导电电极上。第一触摸焊盘可以与晶体管的源极或晶体管的漏极由相同的层和相同的材料形成。走线可以延伸并连接到第二触摸焊盘。第二触摸焊盘可以与走线和第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成。第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个可以延伸到焊盘区域并且可以设置在第二触摸焊盘下方。第二触摸焊盘可以设置在第一触摸焊盘上。第二触摸焊盘可以至少使用第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个中的开口连接到第一触摸焊盘。非显示区域可以包括切割表面。与切割表面相比，触摸焊盘可以设置为更靠近显示区域。
在示例中，第一触摸介电层可以为第一触摸缓冲层，并且第二触摸介电层可以为第二触摸缓冲层。在示例中，第一触摸导电电极可以为第一触摸连接电极，并且第二触摸导电电极可以为第二触摸连接电极。然而，这些仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
第一触摸导电电极可以设置在第一触摸介电层上，第二触摸介电层可以设置在第一触摸导电电极上，并且第二触摸导电电极可以设置在第二触摸介电层上。
多个触摸介电层可以包括设置在第二触摸导电电极上的第三触摸介电层。
在示例中，第一触摸介电层可以为触摸保护层。然而，这仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
第一触摸介电层和第二触摸介电层中的每一个可以包括无机材料，并且第三触摸介电层可以包括有机材料。
第三触摸介电层可以比第一触摸介电层和第二触摸介电层中的每一个更厚。
显示设备还可以包括另一走线。所述走线可以设置在所述另一走线上，并且在非显示区域中，所述走线可以与所述另一走线连接。
在示例中，走线可以是上走线，并且另一走线可以是下走线。然而，这些是示例，并且本公开的范围不限于此。
触摸结构可以由第一触摸缓冲层、多个触摸连接电极、第二触摸缓冲层、触摸绝缘层、多条触摸线和触摸保护层构成。所述显示设备还可以包括：基板；以及多条走线，所述多条走线将所述多条触摸线电连接到设置在所述焊盘区域中的多个触摸焊盘中的至少一个。封装结构的至少一部分可以在切割表面处暴露。触摸绝缘层的端部可以与切割表面朝向显示区域分隔开。多个触摸导电电极可以包括多个触摸连接电极和多条触摸线。多个触摸介电层可以包括第一触摸缓冲层、第二触摸缓冲层、触摸绝缘层和触摸保护层。多条走线可以包括走线，并且多个触摸焊盘可以包括触摸焊盘。
根据本公开的一个或更多个方面，提供了一种显示设备。该显示设备可以包括：基板；显示区域和非显示区域，其中所述非显示区域包括坝结构和焊盘区域；多个像素，所述多个像素包括由第一电极、发光单元和第二电极形成的发光二极管，其中第一电极、发光单元和第二电极设置在所述显示区域中；封装结构，所述封装结构设置在所述非显示区域的一部分和所述显示区域中；触摸结构，所述触摸结构设置在所述封装结构上，并且由第一触摸缓冲层、多个触摸连接电极、第二触摸缓冲层、触摸绝缘层、多条触摸线和触摸保护层构成；以及多条走线，所述多条走线将所述多条触摸线电连接到设置在所述焊盘区域中的多个触摸焊盘中的至少一个，其中，所述焊盘区域设置在所述非显示区域中。所述显示设备被配置为使得所述非显示区域包括切割表面，所述封装结构在所述切割表面处暴露，并且所述触摸绝缘层的端部与所述切割表面朝向所述显示区域分隔开。
所述多条触摸线可以包括：多个第一触摸电极，所述多个第一触摸电极在所述触摸绝缘层上并且设置在第一方向上；以及多个第二触摸电极，所述多个第二触摸电极设置在垂直于所述第一方向的第二方向上。所述多个触摸连接电极可以包括：多个第一触摸连接电极，所述多个第一触摸连接电极设置在所述第一触摸缓冲层上并且连接所述多个第一触摸电极；以及多个第二触摸连接电极，所述多个第二触摸连接电极在所述触摸绝缘层上并且连接所述多个第二触摸电极。
所述多条走线可以包括：第一走线，所述第一走线将所述多个第一触摸电极中的奇数编号的电极连接到所述多个触摸焊盘中的至少一个中的至少第一触摸焊盘；第二走线，所述第二走线将所述多个第一触摸电极中的偶数编号的电极连接到所述多个触摸焊盘中的至少一个中的至少第二触摸焊盘；以及第三走线，所述第三走线将所述多个第二触摸电极连接到所述多个触摸焊盘中的至少一个中的至少第三触摸焊盘。所述第一走线、所述第二走线和所述第三走线中的每一个可以由下走线和上走线构成，并且所述下走线与所述上走线可以电连接。
所述第一走线可以设置在所述非显示区域的一侧，并且所述第二走线可以设置在所述非显示区域的另一侧，其中，所述另一侧可以与所述一侧不同。
所述上走线可以由(i)与配置所述多个第一触摸电极中的至少一个的工艺相同或(ii)与配置所述多个第二触摸电极中的至少一个的工艺相同的工艺来配置。
所述下走线可以由与配置所述多个第一触摸连接电极中的至少一个的工艺相同的工艺配置。
所述下走线的高度可以等于所述多个第一触摸连接电极中的至少一个的高度。
所述下走线的截面高度可以大于所述下走线的截面宽度。
所述下走线的高度可以与所述多个第一触摸电极中的至少一个的高度、所述多个第二触摸电极中的至少一个的高度或所述多个第二触摸连接电极中的至少一个的高度不同。
所述封装结构可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。此外，所述基板、所述第一封装层和所述第三封装层中的每一个的横截面可以在所述切割表面处暴露。
所述坝结构的一部分可以在所述切割表面处暴露。
所述触摸保护层或所述第一触摸缓冲层和所述第二触摸缓冲层中的每一个的横截面可以在所述切割表面处暴露。
所述触摸绝缘层的端部可以朝向所述显示区域与所述切割表面分隔开10μm或更大。
根据本公开的一个或更多个方面，提供了一种显示设备。该显示设备可以包括：显示区域和非显示区域，其中，非显示区域包括焊盘区域；多个像素，所述多个像素包括显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，晶体管包括栅极、源极和漏极；封装结构，所述封装结构设置在非显示区域的一部分和显示区域中；触摸结构，其中，触摸结构的至少一部分设置在封装结构上，其中，所述触摸结构包括多个触摸介电层和第一触摸导电电极，并且其中，多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层；走线，所述走线设置在非显示区域中；以及触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在焊盘区域中并且具有第一触摸焊盘和第二触摸焊盘。第一触摸介电层和第二触摸介电层可以设置在封装结构上。第一触摸焊盘可以与晶体管的源极或晶体管的漏极由相同的层和相同的材料形成。走线可以延伸并连接到第二触摸焊盘。第二触摸焊盘可以与走线由相同的层和相同的材料形成。第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个可以延伸到焊盘区域并且可以设置在第二触摸焊盘下方。第二触摸焊盘可以设置在第一触摸焊盘上。第二触摸焊盘可以至少使用第一触摸介电层和第二触摸介电层中的至少一个中的开口连接到第一触摸焊盘。非显示区域可以包括切割表面。与切割表面相比，触摸焊盘可以设置为更靠近显示区域。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的技术构思或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖落入权利要求及其等同物的范围内的本公开的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年10月25日提交的韩国专利申请No.10-2022-0138552的权益和优先权，该韩国专利申请出于所有目的以引用方式整体并入本文中。

Claims (19)

1.一种显示设备，该显示设备包括：
显示区域和非显示区域，其中，所述非显示区域包括焊盘区域；
多个像素，所述多个像素包括所述显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，所述发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，所述晶体管包括栅极、源极和漏极；
封装结构，所述封装结构设置在所述非显示区域的一部分和所述显示区域中；
触摸结构，其中，所述触摸结构的至少一部分设置在所述封装结构上，其中，所述触摸结构包括多个触摸介电层和多个触摸导电电极，其中，所述多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层，并且其中，所述多个触摸导电电极包括第一触摸导电电极和第二触摸导电电极；
走线，所述走线与所述第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成并且连接到所述第二触摸导电电极；以及
触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在所述焊盘区域中并且包括第一触摸焊盘和第二触摸焊盘，
其中：
所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层设置在所述封装结构上；
所述第二触摸导电电极设置在所述第一触摸导电电极上；
所述第一触摸焊盘与所述晶体管的所述源极或所述晶体管的所述漏极由相同的层和相同的材料形成；
所述走线延伸并连接到所述第二触摸焊盘；
所述第二触摸焊盘与所述走线和所述第二触摸导电电极由相同的层和相同的材料形成；
所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的至少一个延伸到所述焊盘区域并设置在所述第二触摸焊盘下方；
所述第二触摸焊盘设置在所述第一触摸焊盘上；
所述第二触摸焊盘至少使用所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的所述至少一个中的开口连接到所述第一触摸焊盘；
所述非显示区域包括切割表面；并且
与所述切割表面相比，所述触摸焊盘设置为更靠近所述显示区域。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一触摸导电电极设置在所述第一触摸介电层上；
所述第二触摸介电层设置在所述第一触摸导电电极上；并且
所述第二触摸导电电极设置在所述第二触摸介电层上。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个触摸介电层还包括设置在所述第二触摸导电电极上的第三触摸介电层。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中：
所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的每一个包括无机材料；并且
所述第三触摸介电层包括有机材料。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第三触摸介电层比所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的每一个更厚。
6.根据权利要求1所述的显示设备，该显示设备还包括另一走线，
其中：
所述走线设置在所述另一走线上；并且
在所述非显示区域中，所述走线与所述另一走线连接。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述触摸结构由第一触摸缓冲层、多个触摸连接电极、第二触摸缓冲层、触摸绝缘层、多条触摸线和触摸保护层构成；
所述显示设备还包括：
基板；以及
多条走线，所述多条走线将所述多条触摸线电连接到设置在所述焊盘区域中的多个触摸焊盘中的至少一个；
所述封装结构的至少一部分在所述切割表面处暴露；
所述触摸绝缘层的一端朝向所述显示区域与所述切割表面分隔开；
所述多个触摸导电电极包括所述多个触摸连接电极和所述多条触摸线；
所述多个触摸介电层包括所述第一触摸缓冲层、所述第二触摸缓冲层、所述触摸绝缘层和所述触摸保护层；
所述多条走线包括所述走线；并且
所述多个触摸焊盘包括所述触摸焊盘。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述多条触摸线包括：
多个第一触摸电极，所述多个第一触摸电极在所述触摸绝缘层上并且设置在第一方向上；以及
多个第二触摸电极，所述多个第二触摸电极设置在与所述第一方向垂直的第二方向上，并且
其中，所所述多个触摸连接电极包括：
多个第一触摸连接电极，所述多个第一触摸连接电极设置在所述第一触摸缓冲层上并且连接所述多个第一触摸电极；以及
多个第二触摸连接电极，所述多个第二触摸连接电极在所述触摸绝缘层上并且连接所述多个第二触摸电极。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述多条走线包括：
第一走线，所述第一走线将所述多个第一触摸电极中的奇数编号的电极连接到所述多个触摸焊盘中的所述至少一个中的至少第一触摸焊盘；
第二走线，所述第二走线将所述多个第一触摸电极中的偶数编号的电极连接到所述多个触摸焊盘中的所述至少一个中的至少第二触摸焊盘；以及
第三走线，所述第三走线将所述多个第二触摸电极连接到所述多个触摸焊盘中的所述至少一个中的至少第三触摸焊盘，并且
其中，所述第一走线、所述第二走线和所述第三走线中的每一个由下走线和上走线构成，并且所述下走线与所述上走线电连接。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一走线设置在所述非显示区域的一侧，并且所述第二走线设置在所述非显示区域的另一侧，并且
其中，所述另一侧与所述一侧不同。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述上走线由与配置所述多个第一触摸电极中的至少一个的工艺相同或与配置所述多个第二触摸电极中的至少一个的工艺相同的工艺来配置。
12.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述下走线由与配置所述多个第一触摸连接电极中的至少一个的工艺相同的工艺来配置。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述下走线的高度等于所述多个第一触摸连接电极中的所述至少一个的高度。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述下走线的截面高度大于所述下走线的截面宽度。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述下走线的高度与所述多个第一触摸电极中的至少一个的高度、所述多个第二触摸电极中的至少一个的高度或所述多个第二触摸连接电极中的至少一个的高度不同。
16.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述封装结构包括第一封装层、第二封装层和第三封装层，并且
其中，所述基板、所述第一封装层和所述第三封装层中的每一个的横截面在所述切割表面处暴露。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第一触摸缓冲层和所述第二触摸缓冲层中的每一个或所述触摸保护层的横截面在所述切割表面处暴露。
18.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述触摸绝缘层的端部朝向所述显示区域与所述切割表面分隔开10μm或更大。
19.一种显示设备，该显示设备包括：
显示区域和非显示区域，其中，所述非显示区域包括焊盘区域；
多个像素，所述多个像素包括所述显示区域中的晶体管和发光二极管，其中，所述发光二极管包括第一电极、发光元件和第二电极，并且其中，所述晶体管包括栅极、源极和漏极；
封装结构，所述封装结构设置在所述非显示区域的一部分和所述显示区域中；
触摸结构，其中，所述触摸结构的至少一部分设置在所述封装结构上，其中，所述触摸结构包括多个触摸介电层和第一触摸导电电极，并且其中，所述多个触摸介电层包括第一触摸介电层和第二触摸介电层；
走线，所述走线设置在所述非显示区域中；以及
触摸焊盘，所述触摸焊盘设置在所述焊盘区域中并且包括第一触摸焊盘和第二触摸焊盘，
其中：
所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层设置在所述封装结构上；
所述第一触摸焊盘与所述晶体管的所述源极或所述晶体管的所述漏极由相同的层和相同的材料形成；
所述走线延伸并连接到所述第二触摸焊盘；
所述第二触摸焊盘与所述走线由相同的层和相同的材料形成；
所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的至少一个延伸到所述焊盘区域并且设置在所述第二触摸焊盘下方；
所述第二触摸焊盘设置在所述第一触摸焊盘上；
所述第二触摸焊盘至少使用所述第一触摸介电层和所述第二触摸介电层中的所述至少一个中的开口连接到所述第一触摸焊盘；
所述非显示区域包括切割表面；并且
与所述切割表面相比，所述触摸焊盘设置为更靠近所述显示区域。
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