CN107403819A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示设备。本发明的显示设备包括具有多个像素区的基板、多个主动组件、多条第一信号线、多条第二信号线、多个接地信号线以及多个发光二极管。多个接地信号线配置于基板上且与多条第一信号线交替排列。至少一个发光二极管具有第一电极与第二电极。至少一个发光二极管的第一电极与对应的一个主动组件电性连接。至少一个发光二极管的第二电极与对应的一个接地信号线电性连接。位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。本发明的显示设备具有高分辨率。

Description

显示设备
技术领域
本发明涉及一种显示器，且特别涉及一种运用微型发光二极管的显示设备。
背景技术
承继发光二极管的特性，运用微型发光二极管之显示设备具有低功耗、高亮度、色彩饱和度、反应速度快、省电等优点。此外，显示设备还具有材料稳定性佳及无影像残留(image sticking)的优势，因此，运用微型发光二极管显示器的显示设备的显示技术倍受关注。其中，如何提升运用微型发光二极管显示器的显示设备的分辨率更是开发的重点之一。
显示设备包括基板以及配置于主动组件基板上的多个发光二极管。主动组件基板具有反射结构，例如：主动组件、扫描线、数据线、电容电极等。在外界光束照射的情况下，主动组件基板的反射结构会反射外界光束。被反射的外界光束会干扰发光二极管芯片所发出的光束，而影响显示效果。因此，如何改善外界光束影响显示效果的问题也是目前显示设备的开发重点之一。
发明内容
本发明提供一种显示设备，具有高分辨率。
本发明提供一种显示设备，显示效果佳。
本发明的显示设备包括基板、多个主动组件、多条第一信号线、多条第二信号线、多个接地信号线以及多个发光二极管。基板具有多个像素区。多个主动组件配置于基板上。多条第一信号线以及多条第二信号线配置于基板上且与主动组件电性连接。至少一个第一信号线的延伸方向与至少一个第二信号线的延伸方向不同。多个接地信号线配置于基板上且与第一信号线交替排列。多个发光二极管配置于基板上。至少一个发光二极管具有第一电极与第二电极。至少一个发光二极管的第一电极与对应的一个主动组件电性连接。至少一个发光二极管的第二电极与对应的一个接地信号线电性连接。位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。
本发明的显示设备包括基板、多个发光二极管、第一绝缘层以及抗反射导电层。基板具有多个子像素区以及位于多个子像素区的多个反射结构。多个发光二极管配置于多个子像素区上且与基板电性连接。第一绝缘层填充于多个发光二极管之间。抗反射导电层配置于第一绝缘层上。抗反射导电层的反射率低于反射结构的反射率。抗反射导电层遮蔽基板的反射结构且具有多个开口。开口暴露发光二极管的发光区。
基于上述，在本发明一实施例的显示设备中，位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。由此，显示设备的基板的面积能有效率地被使用，而实现具有高分辨率的显示设备。
本发明另一实施例的显示设备包括抗反射导电层。抗反射导电层的反射率低于显示设备的主动组件基板的反射结构的反射率。抗反射导电层遮蔽基板的反射结构。由于抗反射导电层遮蔽基板的反射结构，因此射向显示设备的大部分的外界光束会被抗反射导电层阻挡而不易被具有高反射率的基板的反射结构反射。由此，外界光束被反射的量小，而不易干扰使用者观看显示设备的微型发光二极管所发出的光束，进而使显示设备的显示效果佳。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图；
图2为本发明一实施例的一个发光二极管的剖面示意图；
图3为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图；
图4为本发明又一实施例的显示设备的俯视示意图；
图5为本发明再一实施例的显示设备的俯视示意图；
图6为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图；
图7为本发明一实施例的发光二极管芯片的剖面示意图；
图8为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图；
图9为本发明又一实施例的显示设备的俯视示意图；
图10为本发明再一实施例的显示设备的俯视示意图；
图11为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图；
图12为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图；
图13为本发明一实施例的显示设备的剖面视示意图；
图14为本发明一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图；
图15为本发明另一实施例的显示设备的剖面视示意图；
图16为本发明另一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图；
图17为本发明又一实施例的显示设备的剖面视示意图；
图18为本发明又一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图；
图19为本发明再一实施例的显示设备的剖面视示意图；
图20为本发明再一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图；
图21为本发明一实施例的显示设备的剖面视示意图。
附图标记说明：
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I、200、200A、200B、200C、200D：显示设备
110：基板
110a：像素区
110b-1：长边
110b、210a：子像素区
120、120A、120B、120E：第一信号线
130、130A、130B、130E：第二信号线
140、140A、140B：接地信号线
150、150R、150G、150B、172、220、220C：发光二极管
150a：长边
152、172a：第一电极
154、172b：第二电极
156、172c：第一半导体结构
158、172d：第二半导体结构
159、172e：发光层
160：储存电容
170、170F：发光二极管芯片
210：基板
212：电容电极
220a：发光区
222：第一半导体层
224：第二半导体层
226：发光层
228：透明电极
228a：边缘
229：接垫
230：第一绝缘层
240、240A、240B、240D：抗反射导电层
242：开口
244：本体部
246：延伸部
246B：网状结构
250：挡光结构
260、260D：透明导电层
D1、D2、x：方向
DL：资料线
SL：扫描线
S：半导体结构
T：主动组件
P1：间距
R：列
W、L1、L2：宽度
L、P2、P3：距离
具体实施方式
图1为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图。请参照图1，显示设备100包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120、多条第二信号线130、多个接地信号线140以及多个发光二极管150。基板110具有多个像素区110a。在本实施例中，每一像素区110a可由第一信号线120、与所述第一信号线120对应的接地信号线140(例如：由图1的左侧算起的第二个接地信号线140)以及相邻的两条第二信号线130所定义。每一像素区110a包括多个子像素区110b。每一子像素区110b可由第一信号线120、与所述第一信号线120相邻的接地信号线140以及相邻的两条第二信号线130所定义。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，像素区110a及/或子像素区110b也可由其他适当构件所定义。在本实施例中，同一像素区110a的多个子像素区110b可分别呈现不同的多个颜色(例如：红色、绿色与蓝色)。透过同一像素区110a的多个子像素区110b的混色作用，所述同一像素区110a能呈现指定的颜色，进而使显示设备100显示彩色画面。然而，本发明不限制于此，同一像素区110a的多个子像素区110b是否需要分别呈现不同的颜色可视实际的需求而定。
多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120以及多条第二信号线130配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120的延伸方向D1与每一第二信号线130的延伸方向D2不同。在本实施例中，第一信号线120与第二信号线130可分别属于不同膜层，而第一信号线120与第二信号线130可彼此跨越。主动组件T包括薄膜晶体管。薄膜晶体管具有闸极、源极与汲极。在本实施例中，第一信号线120可与所述薄膜晶体管的源极电性连接。第二信号线130可与所述薄膜晶体管的闸极电性连接。换言之，在本实施例中，第一信号线120可为数据线，而第二信号线130可为扫描线，但本发明不以此为限。
多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120交替排列。每一接地信号线140位于相邻的两条第一信号线120之间。在本实施例中，第一信号线120、第二信号线130及接地信号线140可分别属于不同的三个膜层，而每一接地信号线140在基板110上的正投影位于相邻的两条第一信号线120在基板110上的两个正投影之间。在本实施例中，显示设备100可进一步包括多个储存电容160。每一储存电容160分别与对应的一个主动组件T电性连接。
图2为本发明一实施例的一个发光二极管的剖面示意图。请参照图1及图2，多个发光二极管150配置于基板110上。每一发光二极管150具有第一电极152与第二电极154。每一发光二极管150的第一电极152与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管150的第二电极154与对应的一个接地信号线140电性连接。请参照图2，发光二极管150包括与第一电极152电性连接的第一半导体结构156、与第二电极154电性连接的第二半导体结构158以及配置于第一半导体结构156与第二半导体结构158之间的发光层159。第一半导体结构156、第二半导体结构158及发光层159可视为一个半导体结构S。在本实施例中，第一电极152与第二电极154可配置于半导体结构S的同一侧。换言之，发光二极管150可为水平式发光二极管，而以覆晶(flip chip)方式与对应的主动组件T及接地信号线140电性连接。
值得注意的是，位于同一像素区110a的至少二个发光二极管150的第二电极154电性连接至相邻两条第一信号线120之间的同一个接地信号线140。换言之，在本实施例中，分别位于相邻两个子像素区110b的两个发光二极管150可共享同一个接地信号线140。由此，能减少接地信号线140设置的数量，进而实现高分辨率的显示设备100。
如图1所示，在本实施例中，位于同一像素区110a且电性连接至同一接地信号线140的多个发光二极管150可分别位于所述同一接地信号线140的不同两侧。还进一步地说，在本实施例中，位于同一像素区110a且电性连接至同一接地信号线140的多个发光二极管150可彼此错开。由此，基板110的面积能还有效率地被运用，而还进一步地提高显示设备100的分辨率。
图3为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图。图3的显示设备100A与图1的显示设备100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图3，显示设备100A包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120A、多条第二信号线130A、多个接地信号线140以及多个发光二极管150。基板110具有多个像素区110a。在本实施例中，每一像素区110a可由相邻的两条第一信号线120A以及对应的两条第二信号线130A(例如：由图3的左侧算起的第一条第二信号线130A以及第四条第二信号线130A)所定义。每一像素区110a包括多个子像素区110b。每一子像素区110b可由相邻的两条第一信号线120A以及相邻的两条第二信号线130A所定义。但本发明不以此为限。
多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120A以及多条第二信号线130A配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120A的延伸方向D1与每一第二信号线130A的延伸方向D2不同。主动组件T包括薄膜晶体管。薄膜晶体管具有闸极、源极与汲极。与显示设备100不同的是，在本实施例中，第一信号线120A与所述薄膜晶体管的闸极电性连接。第二信号线130A与所述薄膜晶体管的源极电性连接。换言之，在本实施例中，第一信号线120A可为扫描线，而第二信号线130A可为数据线，但本发明不以此为限。
请参照图3，多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120A交替排列。请参照图2及图3，多个发光二极管150配置于基板110上。每一发光二极管150具有第一电极152与第二电极154。每一发光二极管150的第一电极152与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管150的第二电极154与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管150电性连接至相邻两条第一信号线120A之间的同一个接地信号线140。
请参照图3，与显示设备100不同的是，在本实施例中，位于同一像素区110a且电性连接至同一接地信号线140的多个发光二极管150皆位于所述接地信号线140的同一侧。进一步地说，在本实施例中，多个发光二极管150可排成多列R，而位于同一列R上的多个发光二极管150可电性连接至同一个接地信号线140。此外，值得注意的是，在本实施例中，发光二极管150可具有长边150a，子像素区110b可呈长方形，而发光二极管150的长边150a可与子像素区110b的长边110b-1实质上平行。由此，基板110的面积能更有效率地被运用，进一步提高显示设备100A的分辨率。
图4的显示设备100B与图1的显示设备100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图4，显示设备100B包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120B、多条第二信号线130B、多个接地信号线140以及多个发光二极管150。基板110具有多个像素区110a。每一像素区110a包括多个子像素区110b。在本实施例中，每一子像素区110b可由相邻的两条第一信号线120B以及相邻的两条第二信号线130B所定义，但本发明不以此为限。
多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120B以及多条第二信号线130B配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120B的延伸方向D1与每一第二信号线130B的延伸方向D2不同。主动组件T包括薄膜晶体管。薄膜晶体管具有闸极、源极与汲极。在本实施例中，第一信号线120B与所述薄膜晶体管的闸极电性连接。第二信号线130B与所述薄膜晶体管的源极电性连接。换言之，在本实施例中，第一信号线120B可为扫描线，而第二信号线130B可为数据线，但本发明不以此为限。
请参照图4，多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120B交替排列。请参照图2及图4，多个发光二极管150配置于基板110上。每一发光二极管150具有第一电极152与第二电极154。每一发光二极管150的第一电极152与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管150的第二电极154与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管150的第二电极154电性连接至相邻两条第一信号线120B之间的同一个接地信号线140。
请参照图4，与显示设备100不同的是，在本实施例中，多个发光二极管150包括发光颜色不同的第一发光二极管150R、第二发光二极管150G及第三发光二极管150B，而至少部分的第一发光二极管150R、至少部分的第二发光二极管150G以及至少部分的第三发光二极管150B位于同一个子像素区110b中。由此，基板110的面积能更有效率地被运用，进一步地提高显示设备100B的分辨率。在本实施例中，第一发光二极管150R、第二发光二极管150G及第三发光二极管150B可分别发出红光、绿光及蓝光。但本发明不以此为限，第一发光二极管150R、第二发光二极管150G及第三发光二极管150B的发光颜色可视实际需求而定。接地信号线140包括分别位于同一第一信号线120B(例如：图4下方的第一信号线120B)的不同两侧的第一接地信号线140A与第二接地信号线140B。第一发光二极管150R的第二电极154与第一接地信号线140A电性连接，而第二发光二极管150G的第二电极154以及第三发光二极管150B的第二电极154与第二接地信号线140B电性连接。
图5为本发明再一实施例的显示设备的俯视示意图。图5的显示设备100C与图1的显示设备100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图5，显示设备100C包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120、多条第二信号线130、多个接地信号线140及多个发光二极管150。基板110具有多个像素区110a。多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120以及多条第二信号线130配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120的延伸方向D1与每一第二信号线130的延伸方向D2不同。多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120交替排列。
请参照图2及图5，多个发光二极管150配置于基板110上。每一发光二极管150具有第一电极152与第二电极154。每一发光二极管150的第一电极152与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管150的第二电极154与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管150电性连接至相邻两条第一信号线120之间的同一个接地信号线140。
与显示设备100不同的是，在本实施例中，多个发光二极管150可选择性地彼此对齐。更进一步地说，每一发光二极管150在第二信号线130的延伸方向D2上具有宽度W，而宽度W实质上可等于第一信号线120到最靠近所述第一信号线120的接地信号线140的距离L。由此，基板110的面积能更有效率地被运用，进而提高显示设备100C的分辨率。
图6为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图。图6的显示设备100D与图1的显示设备100类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。显示设备100D包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120、多条第二信号线130、多个接地信号线140以及多个发光二极管172。基板110具有多个像素区110a。多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120以及多条第二信号线130配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120的延伸方向D1与每一第二信号线130的延伸方向D2不同。多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120交替排列。
图7为本发明一实施例的发光二极管芯片的剖面示意图。请参照图6及图7，多个发光二极管172配置于基板110上。每一发光二极管172具有第一电极172a与第二电极172b。每一发光二极管172的第一电极172a与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管172的第二电极172b与对应的一个接地信号线140电性连接。请参照图7，每一发光二极管172包括与第一电极172a电性连接的第一半导体结构172c、与第二电极172b电性连接的第二半导体结构172d以及配置于第一半导体结构172c与第二半导体结构172d之间的发光层172e。第一半导体结构172c、第二半导体结构172d及发光层172e可视为一个半导体结构S。在本实施例中，第一电极172a与第二电极172b可配置于半导体结构S的同一侧。换言之，每一发光二极管172可为水平式发光二极管，而以覆晶(flip chip)方式与对应的主动组件T及接地信号线140电性连接。
请参照图6及图7，位于同一像素区110a的至少二个发光二极管172的第二电极172b电性连接至相邻两条第一信号线120之间的同一个接地信号线140。与显示设备100不同的是，在本实施例中，电性连接至同一个接地信号线140的多个发光二极管172的第二半导体结构172d互相接触且形成于同一半导体层。换言之，电性连接至同一个接地信号线140的多个发光二极管172为同一发光二极管芯片170。电性连接至同一个接地信号线140的多个发光二极管172为同一发光二极管芯片170的多个部分，且可共享同一个第二电极172b。由此，基板110的面积能更有效率地被运用，进一步地提高显示设备100D的分辨率。
请参照图6，在本实施例中，多个子像素区110b在第二信号线130的延伸方向D2上以间距P1排列。间距P1例如为一条第一信号线120到最靠近所述第一信号线120的一个接地信号线140之间的距离。请参照图6及图7，电性连接至同一个接地信号线140的相邻两个发光二极管172的两个第一电极172a之间的距离为P2。P2不等于P1。两个发光二极管芯片170在与第二信号线130的延伸方向D2平行的方向上相邻。分别属于所述两个发光二极管芯片170且彼此最靠近的二个第一电极172a之间的距离为P3。P3不等于P1。更进一步地说，P2也不等于P3。
图8为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图。图8的显示设备100E与图6的显示设备100D类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。显示设备100E包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120E、多条第二信号线130E、多个接地信号线140以及多个发光二极管172。基板110具有多个像素区110a。在本实施例中，每一像素区110a可两条第二信号线130E(例如：由图8的左侧算起的第一条第二信号线130E及第四条第二信号线130E)以及相邻的两个接地信号线140所定义。每一像素区110a包括多个子像素区110b。每一子像素区110b可由相邻的两条第二信号线130E以及相邻的两个接地信号线140所定义。但本发明不以此为限。
多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120E以及多条第二信号线130E配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120E的延伸方向D1与每一第二信号线130E的延伸方向D2不同。多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120E交替排列。在本实施例中，第一信号线120E例如为扫描线，而第二信号线130E例如为数据线，但本发明不以此为限。
请参照图7及图8，多个发光二极管172配置于基板110上。每一发光二极管172具有第一电极172a与第二电极172b。每一发光二极管172的第一电极172a与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管172的第二电极172b与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管172的第二电极172b电性连接至相邻两条第一信号线120E之间的同一个接地信号线140。
与显示设备100D不同的是，在本实施例中，同一发光二极管芯片170的两个发光二极管172分别配置于相邻的两个子像素区110b。对应单一颜色的同一个子像素区110b中配置有分别属于不同发光二极管芯片170的两个发光二极管172。更进一步地说，位于同一子像素区110b且分别属于不同发光二极管芯片170的两个发光二极管172的两个第一电极172a可电性连接至位于同一子像素区110b的同一主动组件T。由此，位于同一子像素区110b的多个发光二极管172的其中一个损坏时，另一个发光二极管172仍可正常工作，进而使显示设备100E维持正常的显示功能。
请参照图8，在本实施例中，多个子像素区110b在第二信号线130E的延伸方向D2上以间距P1排列。间距P1例如为相邻两接地信号线140之间的距离。请参照图7及图8，电性连接至同一个接地信号线140的相邻两个发光二极管172的两个第一电极172a之间的距离为P2。P2不等于P1。两个发光二极管芯片170在与第二信号线130E的延伸方向D2平行的方向上相邻。分别属于所述两个发光二极管芯片170且彼此最靠近的二个第一电极172a之间的距离为P3。P3不等于P1。更进一步地说，P2也不等于P3。
图9为本发明又一实施例的显示设备的俯视示意图。图9的显示设备100F与图8的显示设备100E类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。显示设备100F包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120E、多条第二信号线130E、多个接地信号线140以及多个发光二极管172。基板110具有多个像素区110a。多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120E以及多条第二信号线130E配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120E的延伸方向D1与每一第二信号线130E的延伸方向D2不同。多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120E交替排列。
请参照图7及图9，多个发光二极管172配置于基板110上。每一发光二极管172具有第一电极172a与第二电极172b。每一发光二极管172的第一电极172a与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管172的第二电极172b与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管172的第二电极172b电性连接至相邻两条第一信号线120E之间的同一个接地信号线140。与显示设备100D不同的是，如图9所示，在本实施例中，同一发光二极管芯片170F包括四个发光二极管172。所述四个发光二极管172可分别配置于彼此相邻的四个子像素区110b。在本实施例中，多个发光二极管芯片170F在与第二信号线130E的延伸方向D2平行的方向上可选择性地错开。然而，本发明不限于此，图10为本发明再一实施例的显示设备的俯视示意图，图10的显示设备100G与图9的显示设备100F类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。在图10的实施例中，多个发光二极管芯片170F在与第二信号线130E的延伸方向D2平行的方向上也可对齐。
图11为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图。图11的显示设备100H与图10的显示设备100G类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。显示设备100H包括基板110、多个主动组件T、多条第一信号线120F、多条第二信号线130F、多个接地信号线140以及多个发光二极管172。基板110具有多个像素区110a。多个主动组件T配置于基板110上。多条第一信号线120F以及多条第二信号线130F配置于基板110上且与多个主动组件T电性连接。每一第一信号线120E的延伸方向D1与每一第二信号线130E的延伸方向D2不同。多个接地信号线140配置于基板110上且与第一信号线120F交替排列。
请参照图7及图11，多个发光二极管172配置于基板110上。每一发光二极管172具有第一电极172a与第二电极172b。每一发光二极管172的第一电极172a与对应的一个主动组件T电性连接。每一发光二极管172的第二电极172b与对应的一个接地信号线140电性连接。位于同一像素区110a的至少二个发光二极管172的第二电极172b电性连接至相邻两条第一信号线120E之间的同一个接地信号线140。同一发光二极管芯片170F包括四个发光二极管172。所述四个发光二极管172分别配置于彼此相邻的四个子像素区110b。所述彼此相邻的四个子像素区110b可选择性地分别对应红色、绿色、蓝色与白色，但本发明不以此为限。
与显示设备100G不同的是，在本实施例中，子像素区110b的长宽比可为1：1。换言之，子像素区110b可配合发光二极管芯片170F的形状设计为呈矩形，本实施例中之矩形为正方形，以有效率地运用基板110的面积、提升显示设备100H的分辨率。在本实施例中，发光二极管芯片170F在与第一信号线120F的延伸方向D1平行的方向上可对齐。然而，本发明不限于此，图12为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图。图12的显示设备100I与图11的显示设备100H类似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。在图12的实施例中，多个发光二极管芯片170F在与第一信号线120F的延伸方向D1平行的方向上也可错开。此外，在图12的实施例中，同一子像素区110b中配置有分别属于不同发光二极管芯片170F的多个发光二极管172。由此，位于同一子像素区110b的多个发光二极管172的其中一个损坏时，另一个发光二极管172仍可正常工作，进而使显示设备100I维持正常的显示功能。
图13为本发明一实施例的显示设备的剖面视示意图。图14为本发明一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图。为清楚地说明，图14省略图13的挡光结构250的显示。请参照图13及图14，显示设备200包括基板210、多个发光二极管220、第一绝缘层230以及抗反射导电层240。基板210具有多个子像素区210a以及位于多个子像素区210a的多个反射结构。在本实施例中，基板210具有多个主动组件T、多条数据线DL、多条扫描线SL以及电容电极212。主动组件T位于子像素区210a。主动组件T包括薄膜晶体管。薄膜晶体管具有闸极、源极与汲极。扫描线SL与薄膜晶体管的闸极电性连接。数据线DL与薄膜晶体管的源极电性连接。电容电极212与薄膜晶体管的汲极电性连接。电容电极212与抗反射导电层240重迭，而形成储存电容。在本实施例中，基板210的反射结构可包括主动组件T、数据线DL、扫描线SL、电容电极212或其组合。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，基板210的反射结构也可指具有反光特性的其他构件、或所述其他构件与主动组件T、数据线DL、扫描线SL及电容电极212的至少一个的组合。
多个发光二极管220配置于多个子像素区210a上且与基板210电性连接。在本实施例中，每一发光二极管220包括第一半导体层222、第二半导体层224、配置于第一半导体层222与第二半导体层224之间的发光层226以及透明电极228。透明电极228配置于第二半导体层224上且与第二半导体层224电性连接。发光层226定义发光二极管220的发光区220a。第一半导体层222与主动组件T电性连接。详言之，第一半导体层222可与薄膜晶体管的汲极电性连接。在本实施例中，发光二极管220可选择性地包括配置于透明电极228上的接垫229。但本发明不限于此，在其他实施例中，发光二极管220也可省略接垫229的设置。
第一绝缘层230填充于发光二极管220之间。更进一步地说，在本实施例中，第一绝缘层230可覆盖发光二极管220的侧壁而暴露发光二极管220的透明电极228。显示设备200还可包括挡光结构250。挡光结构250用以防止位于不同子像素区210a的多个发光二极管220所发出的光束彼此干扰。在本实施例中，挡光结构250配置于主动组件基板210上且选择性地可与扫描线SL及数据线DL重迭。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，挡光结构250也可直接覆盖在发光二极管220的侧壁上或设置于其他适当位置。
抗反射导电层240配置于第一绝缘层230上。抗反射导电层240具有多个开口242。开口242暴露发光二极管220的发光区220a。发光二极管220所发出的光束可经由开口242穿出抗反射导电层240而传递至使用者眼中，以达成显示效果。抗反射导电层240遮蔽基板210的反射结构。举例而言，在本实施例中，抗反射导电层240可遮蔽电容电极212的位于发光二极管220外的至少部分的区域、主动组件T、数据线DL及扫描线SL，但本发明不以此为限。抗反射导电层240的反射率低于每一个反射结构(例如：电容电极212、主动组件T、数据线DL、扫描线SL或其组合)的反射率。在本实施例中，主动组件基板210的反射结构的材质例如为具有高反射率的金属。抗反射导电层240可为具有低反射率的复合层，例如：铬、氮化铬及氧化铬的至少二者的堆栈层或铝合金与AlX-N的堆栈层，而所述Alx-N系为铝氮化物(Aluminum Nitride)或铝合金氮化物(Aluminum Alloy Nitride)，但本发明不以此为限。抗反射导电层240的外观可近似于黑化的金属，而不易反光。
值得注意的是，由于抗反射导电层240遮蔽基板210的反射结构，因此射向显示设备200的大部分外界光束会被抗反射导电层240阻挡而不易被具有高反射率的基板210的反射结构所反射。由此，外界光束被反射的量小，而不易干扰使用者观看发光二极管220所发出的光束，进而提升显示设备200的显示效果。
在本实施例中，抗反射导电层240可选择性地不覆盖到发光二极管显示器200的透明电极228的边缘228a，进而使发光二极管220所发出的大部分的光束能穿出抗反射导电层240，以做为显示用。但本发明不限于此，在其他实施例中，抗反射导电层240也可覆盖到透明电极228的边缘228a。
在本实施例中，显示设备200可进一步包括透明导电层260。透明导电层260配置于第一绝缘层230上、覆盖子像素区210a且电性连接多个发光二极管220的多个透明电极228。详言之，在本实施例中，抗反射导电层240的开口242暴露发光二极管220的透明电极228，透明导电层260覆盖抗反射导电层240并填入抗反射导电层240的开口242，以电性连接多个发光二极管220的多个透明电极228。简言之，在本实施例中，抗反射导电层240可选择性地不直接电性接触于透明电极228，而多个发光二极管显示器200的多个透明电极228可利用透明导电层260彼此电性。
值得一提的是，透明导电层260覆盖抗反射导电层240覆盖且与抗反射导电层240电性连接，又抗反射导电层240的导电率高于透明导电层260的导电率。相较于单一透明导电层，多个发光二极管220所共享的接地信号线(即抗反射导电层240与透明导电层260的堆栈层)具有低电阻，而有助于提升显示设备200的电性。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，也可直接使用抗反射导电层240电性连接多个发光二极管显示器200的多个透明电极228，而不一定要设置透明导电层260。以下将于后续段落配合其它附图举例说明。
请参照图13，在本实施例中，抗反射导电层240可略微遮蔽发光层226的边缘区域。发光二极管220的发光层226在方向x上具有宽度L1。与发光层226对应的抗反射导电层240的开口242在方向x上具有宽度L2。宽度L2可大于宽度L1的一半。发光层226的宽度L1例如是介于0.5微米至500微米之间。然而，本发明不限于此，抗反射导电层240是否遮蔽发光层226、宽度L2与宽度L1的关系(或者说，抗反射导电层240遮蔽发光层226的多少)、宽度L2的具体数值以及宽度L1的具体数值均可视实际的需求而定。
图15为本发明另一实施例的显示设备的剖面视示意图。图16为本发明另一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图。为清楚地说明，图16省略图15的挡光结构250的显示。请参照图15及图16，显示设备200A与显示设备200相似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图15及图16，显示设备200A包括基板210、多个发光二极管220、第一绝缘层230以及抗反射导电层240A。基板210具有多个子像素区210a以及位于子像素区210a的多个反射结构。发光二极管220配置于子像素区210a上且与基板210电性连接。第一绝缘层230填充于发光二极管220之间。抗反射导电层240A配置于第一绝缘层230上。抗反射导电层240A的反射率低于基板210的反射结构(例如：电容电极212、主动组件T、数据线DL、扫描线SL或其组合)的反射率。抗反射导电层240A遮蔽基板210的反射结构且具有多个开口242。开口242暴露发光二极管220的发光区220a。
与显示设备200不同的是，在本实施例中，多个发光二极管220的多个透明电极228是直接利用抗反射导电层240A彼此电性连接，而省略透明导电层260的设置。举例而言，抗反射导电层240A包括本体部244以及与本体部连接的延伸部246。延伸部246配置于每一发光二极管220的透明电极228上且与透明电极228电性连接。本体部244遮蔽多个发光二极管220的多个透明电极228外的区域。多个发光二极管220的多个透明电极228透过分别配置于其上的延伸部246以及本体部244彼此电性连接。显示设备200A具有与显示设备200类似的功效与优点，在此便不再重述。
图17为本发明又一实施例的显示设备的剖面视示意图。图18为本发明又一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图。为清楚地说明，图18省略图17的挡光结构250的显示。请参照图17及图18，显示设备200B与显示设备200A相似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图17及图18，显示设备200B包括基板210、多个发光二极管220、第一绝缘层230以及抗反射导电层240B。基板210具有多个子像素区210a以及位于子像素区210a的多个反射结构。发光二极管220配置于子像素区210a上且与基板210电性连接。第一绝缘层230填充于发光二极管220之间。抗反射导电层240B配置于第一绝缘层230上。抗反射导电层240B的反射率低于基板210的反射结构(例如：电容电极212、主动组件T、数据线DL、扫描线SL或其组合)的反射率。抗反射导电层240B遮蔽基板210的反射结构且具有多个开口242。开口242暴露发光二极管220的发光区220a。
与显示设备200A不同的是，在本实施例中，抗反射导电层240B包括具有开口242的多个网状结构246B。每一网状结构246B与对应的一个发光二极管220重迭。显示设备200B利用抗反射导电层240B的网状结构246B取代显示设备200A的延伸部246的功能。详言之，抗反射导电层240B包括本体部244以及与本体部244连接的网状结构246B。网状结构246B配置于每一发光二极管220的透明电极228上且与透明电极228电性连接。本体部244遮蔽多个发光二极管220的多个透明电极228外的区域。多个发光二极管220的多个透明电极228透过分别配置于其上的网状结构246B以及本体部244彼此电性连接。抗反射导电层240B的网状结构246B具有多个透光孔，而不会过度遮蔽发光二极管220的发光区210a。显示设备200B具有与显示设备200类似的功效与优点，在此便不再重述。
图19为本发明再一实施例的显示设备的剖面视示意图。图20为本发明再一实施例的显示设备的一个子像素区的俯视示意图。为清楚地说明，图20省略图19的挡光结构250的显示。请参照图19及图20，显示设备200C与显示设备200相似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图19及图20，显示设备200C包括基板210、多个发光二极管220C、第一绝缘层230以及抗反射导电层240。基板210具有多个子像素区210a以及位于子像素区210a的多个反射结构。发光二极管220C配置于子像素区210a上且与基板210电性连接。第一绝缘层230填充于发光二极管220C之间。抗反射导电层240配置于第一绝缘层230上。抗反射导电层240的反射率低于基板210的反射结构(例如：电容电极212、主动组件T、数据线DL、扫描线SL或其组合)的反射率。抗反射导电层240遮蔽基板210的反射结构且具有多个开口242。开口242暴露发光二极管220的发光区220a。
与显示设备200不同的是，在本实施例中，发光二极管220C可省略发光二极管220的接垫229，以使更多的光束能传递至使用者眼中，进而提升显示设备200C的亮度。此外，显示设备200C具有与显示设备200类似的功效与优点，在此便不再重述。
图21为本发明一实施例的显示设备的剖面视示意图。请参照图20及图21，显示设备200D与显示设备200C相似，因此相同或相对应的组件以相同或相对应的标号表示。请参照图21，显示设备200D包括基板210、多个发光二极管220C、第一绝缘层230以及抗反射导电层240D。基板210具有多个子像素区210a以及位于子像素区210a的多个反射结构。发光二极管220C配置于子像素区210a上且与基板210电性连接。第一绝缘层230填充于发光二极管220C之间。抗反射导电层240D配置于第一绝缘层230上。抗反射导电层240D的反射率低于基板210的反射结构(例如：电容电极212、主动组件T、数据线DL、扫描线SL或其组合)的反射率。抗反射导电层240D遮蔽基板210的反射结构且具有多个开口242。开口242暴露发光二极管220的发光区220a。
与显示设备200C不同的是，在本实施例中，透明导电层260D覆盖第一绝缘层230以及发光二极管220C的透明电极228，而抗反射导电层240D配置于透明导电层260D上。换言之，在本实施例中，是先利用透明导电层260D电性连接多个发光二极管220C，然后，再将抗反射导电层240D配置于透明导电层260D上且与透明导电层260D电性连接。显示设备200D具有与显示设备200类似的功效与优点，在此便不再重述。
综上所述，在本发明一实施例的显示设备中，位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。由此，显示设备的基板的面积能有效率地被使用，进而提高显示设备的分辨率。
本发明另一实施例的显示设备包括抗反射导电层。抗反射导电层的反射率低于显示设备的主动组件基板的反射结构的反射率。抗反射导电层遮蔽基板的反射结构。由于抗反射导电层遮蔽基板的反射结构，因此射向显示设备的大部分的外界光束会被抗反射导电层阻挡而不易被具有高反射率的基板的反射结构反射。由此，外界光束被反射的量小，而不易干扰使用者观看显示设备的发光二极管所发出的光束，进而提升显示设备的显示效果。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (20)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
基板，具有多个像素区；
多个主动组件，配置于所述基板上；
多条第一信号线以及多条第二信号线，配置于所述基板上且与所述多个主动组件电性连接，至少一个所述第一信号线的延伸方向与至少一个所述第二信号线的延伸方向不同；
多个接地信号线，配置于所述基板上，至少一个所述接地信号线位于相邻的两条所述第一信号线之间；以及
多个发光二极管，配置于所述基板上，其中至少一个所述发光二极管具有第一电极与第二电极，至少一个所述发光二极管的所述第一电极与对应的一个所述主动组件电性连接，至少一个所述发光二极管的所述第二电极与对应的一个所述接地信号线电性连接，位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条所述第一信号线之间的同一个所述接地信号线。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述至少二个发光二极管分别位于同一个所述接地信号线的不同两侧。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述像素区具有多个子像素区，至少一个所述子像素区由相邻的两条第一信号线与相邻的两条第二信号线所定义，所述多个发光二极管包括发光颜色不同的第一发光二极管、第二发光二极管以及第三发光二极管，至少部分的所述第一发光二极管、至少部分的所述第二发光二极管以及至少部分的所述第三发光二极管配置于同一个子像素区中。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述多个接地信号线还包括分别位于同一条第一信号线的不同两侧的第一接地信号线与第二接地信号线，所述第一发光二极管、所述第二发光二极管及所述第三发光二极管其中的一个与所述第一接地信号线电性连接，而其余则与所述第二接地信号线电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述发光二极管包括：
第一半导体结构，与所述第一电极电性连接；
第二半导体结构，与所述第二电极电性连接；以及
发光层，配置于所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间，其中所述至少二发光二极管的多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述像素区包括多个子像素区，所述多个子像素区在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上以间距P1排列，所述至少二发光二极管分别位于相邻的两个子像素区，所述至少二发光二极管的第一电极之间的距离为P2，而P2不等于P1。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述像素区包括多个子像素区，所述多个子像素区在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上以间距P1排列，所述至少二发光二极管形成多个发光二极管芯片，至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管，两个发光二极管芯片在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上相邻，分别属于所述两个发光二极管芯片且彼此最靠近的二个第一电极之间的距离为P3，而P3不等于P1。
8.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述像素区包括多个子像素区，所述多个发光二极管形成至少一个个发光二极管芯片，至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管，同一发光二极管芯片的所述至少二发光二极管分别配置于相邻的至少二子像素区，同一子像素区中配置有分别属于不同发光二极管芯片的多个发光二极管。
9.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述像素区包括多个子像素区，所述多个发光二极管形成至少一个发光二极管芯片，至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管，所述至少二发光二极管为四个发光二极管，同一发光二极管芯片的所述四个发光二极管芯片分别配置于彼此相邻的四个子像素区。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述多个发光二极管芯片在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上对齐或错开。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，彼此相邻的所述四个子像素区的至少一个所述子像素区呈矩形。
12.一种显示设备，其特征在于，包括：
基板，具有多个子像素区以及位于所述多个子像素区的多个反射结构；
多个发光二极管，配置于所述多个子像素区上且与所述基板电性连接；
第一绝缘层，设于所述多个发光二极管之间；以及
抗反射导电层，配置于所述第一绝缘层上，其中所述抗反射导电层的反射率低于至少一个所述反射结构的反射率，所述抗反射导电层遮蔽所述基板的所述多个反射结构且具有多个开口，所述多个开口暴露所对应之所述发光二极管的发光区。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述发光二极管包括：
第一半导体层；
第二半导体层；
发光层，配置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间且定义至少一个所述发光二极管的发光区；以及
透明电极，与所述第二半导体层电性连接，其中所述多个发光二极管的多个第一半导体层连接至所述基板，而所述多个发光二极管的多个透明电极利用所述抗反射导电层彼此电性连接。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述发光二极管包括：
第一半导体层；
第二半导体层；
发光层，配置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间且位于所述发光二极管的发光区；以及
透明电极，与所述第二半导体层电性连接，其中所述多个发光二极管的多个第一半导体层连接至所述基板，而所述显示设备还包括：
透明导电层，配置于所述第一绝缘层上、覆盖所述多个子像素区且电性连接所述多个发光二极管的所述多个透明电极。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述抗反射导电层的所述多个开口暴露所述多个发光二极管的所述多个透明电极，所述透明导电层覆盖所述抗反射导电层并填入所述抗反射导电层的所述多个开口，以电性连接所述多个发光二极管的所述多个透明电极。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述透明导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述多个发光二极管的所述多个透明电极，而所述抗反射导电层配置于所述透明导电层上。
17.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，至少一个所述发光二极管包括发光层，所述发光层在一个方向上具有宽度，与所述发光层对应的所述抗反射导电层的一个开口在所述一个方向上具有宽度，而所述开口的所述宽度大于所述发光层的所述宽度的一半。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其特征在于，所述发光层的所述宽度介于0.5微米至500微米之间。
19.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述基板包括：
多个主动组件，配置于所述多个子像素区且与所述多个发光二极管电性连接：以及
多个电容电极，分别与所述多个主动组件电性连接，其中所述多个反射结构包括所述多个电容电极，所述抗反射导电层遮蔽所述多个电容电极的位于所述多个发光二极管外的至少部分的区域。
20.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述抗反射导电层为铬、氮化铬及氧化铬的至少两种的堆栈层或铝合金与AlX-N的堆栈层，而所述AlX-N为铝氮化物或铝合金氮化物。
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