CN104871231A - 具有接地联结线的有源矩阵显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种显示面板和一种形成该显示面板的方法。该显示面板可包括具有像素区域和非像素区域的薄膜晶体管衬底。该显示区域包括隔堤开口阵列和该隔堤开口阵列内的底部电极阵列。接地线位于非像素区域中，并且接地联结线阵列在像素区域中的隔堤开口之间延伸并电连接到非像素区域中的接地线。

Description

具有接地联结线的有源矩阵显示面板
相关专利申请
本专利申请是于2012年12月10日提交的美国专利申请No.13/710,443的部分继续申请，该专利申请以引用方式并入本文。
技术领域
本发明的实施例涉及显示系统。更具体地，本发明的实施例涉及有源矩阵显示面板的接地结构。
背景技术
平板显示器在大量电子设备中越来越流行。平板显示器的常见类型包括有源矩阵显示器和无源矩阵显示器。有源矩阵显示面板中的每个像素由活动的驱动电路来驱动，而无源矩阵显示面板中的每个像素不使用此类驱动电路。高分辨率彩色显示面板诸如现代计算机显示器、智能电话和电视机通常使用有源矩阵显示面板结构以获得更好的图像质量。
正在寻求商业应用的一种类型的显示面板是有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板。图1是示出顶部发光AMOLED显示面板的顶视图。图2是示出图1的沿像素区域104中的线X-X和横穿非像素区域中的接地环116的线Y-Y截取的横截面侧视图。图1-2中的所示AMOLED显示面板100通常包括支撑像素区域104和像素区域102外的非像素区域的薄膜晶体管(TFT)衬底102。TFT衬底102也被称为背板。已被进一步处理以附加包括像素区域和非像素区域的TFT衬底也常被称为背板。在AMOLED中使用的两种主要的TFT衬底技术包括多晶硅(poly-Si)和非晶硅(a-Si)。这些技术提供了在低温(低于200℃)的情况下将有源矩阵背板直接制造到柔性塑性衬底上以用于制备柔性AMOLED显示器的可能性。像素区域104通常包括布置成矩阵形式的像素106和子像素108、以及连接到每个子像素以用于驱动和切换子像素的一组TFT和电容器。非像素区域通常包括连接到每个子像素的数据线以使得数据信号(Vdata)能够被传输到子像素的数据驱动器电路110、连接到子像素的扫描线以使得扫描信号(Vscan)能够被传输到子像素的扫描驱动器电路112、将功率信号(Vdd)传输到TFT的电源线路114、和将接地信号(Vss)传输到子像素阵列的接地环116。如图所示，数据驱动器电路、扫描驱动器电路、电源线路、和接地环都连接到柔性电路板(FCB)113，该柔性电路板包括用于向电源线路114供应电力的电源以及电连接到接地环116的电源接地线。
在示例性AMOLED背板配置中，有机薄膜120和顶部电极118被沉积在像素区域104中的每个子像素108上方。有机薄膜120可包括多个层，诸如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层。有机薄膜120的该多个层通常形成在整个像素区域104上方，然而，发光层常借助于阴影掩模而只沉积在子像素开口127内以及与用于子像素108的阵列的发射区域对应的底部电极层124上。顶部电极层118然后在像素区域104内并且也在非像素区域内被沉积在有机薄膜上方，使得顶部电极118层与接地环116重叠以便将接地信号转移到子像素阵列。这样，在统一的接地信号被供应到像素区域104的顶部的情况下，子像素108中的每个子像素可利用对应的下面的TFT电路来单独寻址。
在所示的特定具体实施中，TFT衬底102包括连接到来自数据驱动器电路110的数据线111的开关晶体管T1以及连接到与电源线路114相连的电力线115的驱动晶体管T2。开关晶体管T1的栅极也可连接到来自扫描驱动器电路112的扫描线(未示出)。平面化层122形成在TFT衬底上方，并且开口被形成以使TFT工作电路暴露。如图所示，底部电极层124形成在与TFT电路电连接的平面化层上。在形成电极层之后形成像素限定层125，该像素限定层包括与用于子像素108的阵列的发射区域对应的子像素开口127的阵列，然后将有机层120和顶部电极层118沉积在图案化的像素限定层上方并且沉积在图案化的像素限定层125的子像素开口127内。此外，顶部电极层118被形成在非像素区域中并且与接地环116电连接。
平面化层122可用于防止(或保护)有机层120和底部电极层124(免受)由于台阶差而导致的短接。示例性平面化层122材料包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸。像素限定层125可由材料诸如聚酰亚胺形成。底部电极124常常形成在氧化铟锡(ITO)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/氧化铟锌(IZO)、或ITO/Ag合金/ITO上。顶部电极层118由透明材料诸如ITO形成以实现顶部发光。
虽然AMOLED显示面板通常消耗比液晶显示器(LCD)面板更少的电力，但AMOLED显示面板仍然可能是电池驱动的设备中主要的电力消耗者。为了延长电池寿命，有必要减少显示面板的功率消耗。
发明内容
本发明描述了一种显示面板和一种形成该显示面板的方法。在一个实施例中，显示面板包括TFT衬底，该TFT衬底包括像素区域和非像素区域。例如，非像素区域可围绕像素区域。该显示区域包括隔堤开口阵列和该隔堤开口阵列内的底部电极阵列。该底部电极阵列可形成在对应的隔堤开口阵列的侧壁上，并且可对于可见波长是反射性的。在一个实施例中，在每个隔堤开口内的底部电极上形成焊接材料柱，以便有助于将微型LED器件键合到底部电极。接地线形成在非像素区域中，并且接地联结线阵列在像素区域中的隔堤开口之间延伸并且电连接到非像素区域中的接地线。在一个实施例中，接地线是接地环，并且该接地联结线阵列在像素区域的相对侧电连接到接地环。
在一个实施例中，图案化的绝缘体层覆盖该底部电极阵列，并且开口阵列形成在图案化的绝缘体中，从而使底部电极阵列暴露。这样，图案化的绝缘体层可覆盖该底部电极阵列的边缘。另一开口阵列也可形成在图案化绝缘体层中，从而使接地联结线阵列暴露。
在一个实施例中，微型LED器件阵列在对应的隔堤开口阵列内的底部电极阵列上。例如，微型LED器件可以是竖直的微型LED器件，并且可具有1μm–100μm的最大宽度。透明钝化层可被形成，从而跨越微型LED器件阵列的侧壁，而不完全覆盖每个微型LED器件的顶部导电触点。在一个实施例中，顶部电极层阵列形成在微型LED器件阵列和接地联结线阵列上方并与该微型LED器件阵列和接地联结线阵列电接触。例如，每个顶部电极层可将多个微型LED器件电连接到单个接地联结线。顶部电极层也可由透明或半透明材料诸如PEDOT或ITO形成。在另一实施例中，顶部电极层形成在微型LED器件阵列和接地联结线阵列上方并通过使该接地联结线阵列暴露的开口阵列而与该微型LED器件阵列和接地联结线阵列电接触。
在一个实施例中，一种形成显示面板的方法包括将微型LED器件阵列从承载衬底转移到背板，该背板包括TFT衬底，该TFT衬底具有像素区域和非像素区域，其中该像素区域包括隔堤开口阵列和该隔堤开口阵列内的底部电极阵列。TFT衬底还包括非像素区域中的接地线、以及在像素区域中的隔堤开口之间延伸并且电连接到非像素区域中的接地线的接地联结线阵列。在一个实施例中，顶部电极层被沉积在该微型LED器件阵列中的所有微型LED器件上方。在一个实施例中，顶部电极层跨越多个微型LED器件。顶部电极层可附加地通过喷墨印刷或丝网印刷来形成。例如，多个独立的电极层可被喷墨印刷，其中每个独立的顶部电极层跨越微型LED器件中的至少一个微型LED器件和接地联结线中的至少一个接地联结线。喷墨印刷还可包括在一个或多个接地联结线上方的开口内形成顶部电极层。
在一个实施例中，微型LED器件阵列的转移是以静电原理使用静电转移头阵列来执行的。此外，微型LED器件阵列的键合可包括形成金属间化合物，并且可包括使形成在底部电极阵列上的键合层阵列液化。键合和液化可部分地通过将热能从静电转移头阵列转移到形成在底部电极阵列上的键合层阵列来实现。
附图说明
图1是示出顶部发光AMOLED显示面板的顶视图。
图2是示出图1的顶部发光AMOLED显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图3A是示出根据本发明的实施例的有源矩阵显示面板的顶视图。
图3B是示出根据本发明的实施例的图3A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图3C是示出根据本发明的实施例的图3A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图，其中接地联结线和接地环形成在图案化隔堤层内。
图3D是示出根据本发明的实施例的图3A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图，其中接地联结线和接地环形成在图案化隔堤层下方。
图4A-4H是示出根据本发明的实施例的将微型LED器件阵列转移到TFT衬底的方法的横截面侧视图。
图5A-5C是示出根据本发明的实施例的转移发出不同颜色的微型LED器件阵列的序列的顶视图。
图6A是示出根据一个实施例的在形成顶部电极层之后的有源矩阵显示面板的顶视图。
图6B是示出根据本发明的实施例的图6A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图6C是示出根据本发明的实施例的图6A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图，其示出了形成在图案化隔堤层上的钝化层。
图7A是示出根据本发明的实施例在形成顶部电极层之后的有源矩阵显示面板的顶视图。
图7B是示出根据本发明的实施例的图7A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图8A是示出根据本发明的实施例在形成独立的顶部电极层之后的有源矩阵显示面板的顶视图。
图8B是示出根据本发明的实施例的图8A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图8C是示出根据本发明的实施例的划刻的顶部电极层的顶部示意图。
图9A是示出根据本发明的实施例的包括接地联结线的顶部发光AMOLED显示面板的顶视图。
图9B是示出根据本发明的实施例的图9A的顶部发光AMOLED显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图9C是示出根据本发明的实施例的包括接地联结线的顶部发光AMOLED显示面板的顶视图。
图9D是示出根据本发明的实施例的图9C的顶部发光AMOLED显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。
图10是根据本发明的实施例的一种显示系统的示意图。
具体实施方式
本发明的实施例涉及显示系统。更具体地，本发明的实施例涉及有源矩阵显示面板的接地结构。
在一个实施例中，有源矩阵显示面板包括在显示面板的像素区域中的隔堤开口之间延伸的接地联结线的布置。顶部电极层可被沉积在隔堤开口内的所有LED上方并且与接地联结线电接触，或者独立的多个顶部电极层可被沉积在隔堤开口内的一个或多个LED上方并与一个或多个接地联结线电接触。在一个方面，接地联结线的布置可更均匀地将接地信号分配到显示面板上的LED阵列，从而在整个面板上提供更均匀的光发射。在另一方面，接地联结线的布置使得能够通过减小从LED到接地线的电气路径中的接触电阻来降低显示面板的功率消耗，其中通过将顶部电极层连接到电导率比顶部电极层高的接地联结线来减小通过顶部电极层的电气路径的距离。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种包括基于晶圆的发射型微型LED器件的有源矩阵显示面板。微型LED器件将基于晶圆的LED器件的性能、效率、和可靠性与用于形成AMOLED背板的薄膜电子器件的高产出、低成本、混合材料相结合。如本文所使用的术语“微型”器件或“微型”LED结构可指根据本发明的实施例的某些器件或结构的描述性尺寸。如本文所用，术语“微型”器件或结构是指1μm到100μm的尺度。然而，应当理解，本发明的实施例未必受此限制，并且实施例的特定方面可适用于更大和可能更小的尺度。在一个实施例中，显示面板与典型的OLED显示面板类似，其中微型LED器件已替代了每个子像素中的OLED显示面板的有机层。可与本发明的一些实施例一起使用的示例性微型LED器件在美国专利申请No.13/372,222、美国专利申请No.13/436,260、美国专利申请No.13/458,932、美国专利申请No.13/711,554、和美国专利申请No.13/749,647中有所描述，所有这些专利申请均以引用方式并入本文。微型LED器件在光发射方面是高效的，并且与10英寸对角LCD或OLED显示器消耗5瓦-10瓦的功率相比消耗非常少的功率(例如，对于10英寸对角显示器，消耗250mW)，从而使得能够降低显示面板的功率消耗。
在各种实施例中，参照附图进行描述。然而，某些实施例可在不存在这些具体细节中的一个或多个具体细节或者与其他已知方法和配置相结合的情况下实施。在以下描述中，示出来许多具体细节诸如特定配置、尺寸和工艺等以提供对本发明的彻底理解。在其他情况下，未对熟知的半导体工艺和制造技术进行特别详细的描述，以免不必要地模糊本发明。整个说明书中所提到的“一个实施例”是指结合实施例所描述的特定特征、结构、配置或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，整个说明书中多处出现短语“在一个实施例中”不一定是指本发明的相同实施例。此外，特定特征、结构、配置或特性可以任何适当的方式结合在一个或多个实施例中。
本文所使用的术语“跨越”、“在...上方”、“到”、“在...之间”和“在...上”可指一个层相对于其他层的相对位置。“跨越”另一层、“在”另一层“上方”或“在”另一层“上”或者键合“到”另一层或与另一层“接触”的一个层可与其他层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。多层“之间”的一个层可与该多层直接接触或可具有一个或多个中间层。
现在参考图3A-3B来示出一个实施例，其中类似于AMOLED背板的背板被修改以接收发射型微型LED器件而不接收有机发射层。图3A是示出根据一个实施例的有源矩阵显示面板的顶视图，图3B是示出根据本发明的实施例的图3A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。在此类实施例中，下面的TFT衬底102可类似于参考图1-2所述的典型AMOLED背板中的那些背板，该TFT衬底包括工作电路(例如T1、T2)和平面化层122。开口131可形成在平面化层122中以接触工作电路。工作电路可包括具有开关晶体管、驱动晶体管、和存储电容器的传统2T1C(两个晶体管、一个电容器)电路。应当理解，2T1C电路旨在是示例性的，并且根据本发明的实施例设想到了其他类型的电路或传统2T1C电路的修改形式。例如，可使用更复杂的电路来补偿驱动器晶体管和发光器件的过程变化或者它们的不稳定性。此外，虽然本发明的实施例是参考TFT衬底102中的顶部栅极晶体管结构来进行描述和阐释的，但本发明的实施例也设想到了使用底部栅极晶体管结构。同样，虽然本发明的实施例是参考顶部发光结构进行描述和阐述的，但本发明的实施例也设想到了使用底部发光、或者顶部和底部都发光的结构。此外，下文中具体参考包括接地联结线和接地环的高侧驱动配置来对本发明的实施例进行描述和阐述。在高侧驱动配置中，LED可在PMOS驱动器晶体管的漏极侧或者在NMOS驱动器晶体管的源极侧，使得电路将电流推动通过LED的p端。本发明的实施例并不因此受到限制，也可以低侧驱动配置来实施，在该低侧驱动配置的情况下，接地联结线和接地环成为面板中的电力线，并且电流被牵拉通过LED的n端。
具有隔堤开口148的图案化隔堤层126随后形成在平面化层122上方。隔堤层126可通过多种技术诸如喷墨印刷、丝网印刷、层合、旋涂、CVD、和PVD形成。隔堤层126对于可见波长可以是不透明的、透明的、或半透明的。隔堤层126可由多种绝缘材料形成，诸如但不限于光可限定丙烯酸、光致抗蚀剂、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸盐、环氧树脂、和聚酯。在一个实施例中，隔堤层由不透明材料诸如黑色矩阵材料形成。示例性绝缘黑色矩阵材料包括有机树脂、玻璃浆料、和包含黑色颜料、金属颗粒(诸如镍、铝、钼、以及它们的合金)、金属氧化物颗粒(例如三氧化二铬)、或金属氮化物颗粒(例如氮化铬)的树脂或浆料。
根据本发明的实施例，参考下面的附图所述的隔堤层126的厚度和隔堤开口128的宽度可取决于要安装在开口内的微型LED器件的高度、转移微型LED器件的转移头的高度、以及分辨率。在一个实施例中，显示面板的分辨率、像素密度、和子像素密度可解释隔堤开口128的宽度。对于具有40PPI(每英寸的像素数量)和211μm子像素间距的示例性55英寸电视机，隔堤开口128的宽度可从几微米到206μm以解释围绕隔堤结构。对于具有440PPI和19μm子像素间距的示例性显示面板，隔堤开口128的宽度可从几微米到14μm以解释示例性的5μm宽的围绕隔堤结构。隔堤结构(即隔堤开口128之间)的宽度可为任何适当的尺寸，只要该结构支持所需的工艺并且能扩展到所要求的PPI。
根据本发明的实施例，隔堤层126的厚度不太厚，以便隔堤结构发挥功能。厚度可由微型LED器件高度和预先确定的视角来确定。例如，在隔堤开口128的侧壁与平面化层122成一角度的情况下，更小的角度可与系统的更宽的视角相关。在一个实施例中，隔堤层126的示例性厚度可在1μm–50μm之间。
图案化导电层然后形成在图案化隔堤层126上方。参考图3B，在一个实施例中，图案化导电层包括形成在隔堤开口148内并与工作电路电接触的底部电极142。图案化导电层还可任选地包括接地联结线144和/或接地环116。如本文所使用的，术语接地“环”并不要求圆形图案、或者完全包围对象的图案。相反，术语接地“环”是指在三个侧至少部分地包围像素区域的图案。此外，虽然下面的实施例是参考接地环116来进行描述和阐述的，但应当理解，本发明的实施例也可利用沿像素区域的一侧(例如左侧、右侧、底侧、顶侧)、或两侧(左侧、右侧、底侧、顶侧中的两者的组合)延伸的接地线来实施。因此，应当理解，在下面的描述中，在系统要求准许的情况下，对接地环的引用和阐述可能潜在地利用接地线来替代。
图案化导电层可由多个导电和反射材料形成，并且可包括多于一个层。在一个实施例中，图案化导电层包括金属膜诸如铝、钼、钛、钛钨、银、或金、或它们的合金。图案化导电层可包括导电材料诸如非晶硅、透明导电氧化物(TCO)诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)、碳纳米管膜、或透明导电聚合物诸如聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、和聚噻吩。在一个实施例中，图案化导电层包括导电材料和反射导电材料的叠层。在一个实施例中，图案化导电层包括具有顶层和底层以及反射中间层的3层叠层，其中顶层和底层中的一者或两者是透明的。在一个实施例中，图案化导电层包括导电氧化物-反射金属-导电氧化物的3层叠层。导电氧化物层可以是透明的。例如，图案化导电层可包括ITO-银-ITO层叠层。在此类配置中，顶部ITO层和底部ITO层可防止反射金属(银)层的扩散和/或氧化。在一个实施例中，图案化导电层包括Ti-Al-Ti叠层、或Mo-Al-Mo-ITO叠层。在一个实施例中，图案化导电层包括ITO-Ti-Al-Ti-ITO叠层。在一个实施例中，图案化导电层的厚度为1μm或更薄。图案化导电层可使用适当的技术诸如但不限于PVD来沉积。
在形成底部电极142、接地联结线144、和接地环116之后，绝缘体层146然后任选地被形成在TFT衬底102上方，从而覆盖图案化导电层的侧壁。绝缘体层146可至少部分地覆盖隔堤层126和形成底部电极142、接地联结线144、和/或接地环116的反射层。
在一个实施例中，绝缘体层146是使用适当的技术诸如层合、旋涂、CVD、和PVD通过均层沉积来形成的，然后使用适当的技术诸如光刻来图案化，以形成使底部电极142暴露的开口、使接地联结线144暴露的开口149、和使接地环116暴露的开口130。在一个实施例中，可使用喷墨印刷或丝网印刷来形成绝缘体层146和开口149，而不需要光刻。绝缘体层146可由多种材料诸如但不限于SiO2、SiNx、PMMA、BCB、聚酰亚胺、丙烯酸盐、环氧树脂、和聚酯形成。例如，绝缘体层146可为0.5μm厚。绝缘体层146在形成在隔堤开口128内的底部电极142的侧壁上的反射层上方的地方可以是透明的或半透明的，以便不会使完成的系统的光发射提取显著退化。绝缘体层146的厚度也可被控制以提高光提取效率，并且在将发光器件阵列转移到反射隔堤结构期间还不会妨碍转移头阵列。如在下面的描述中将变得更加显而易见的那样，图案化绝缘体层146是任选的，并且代表用于对导电层进行电气分隔的一种方式。
在图3B中所示的实施例中，底部电极142、接地联结线144、和接地环116可由相同导电层形成。在另一实施例中，接地联结线144和/或接地环116可由与底部电极142不同的导电材料形成。例如，接地联结线14和接地环116可由具有比底部电极142更高的传导性的材料形成。在另一实施例中，接地联结线14和/或接地环116也可形成在与底部电极不同的层内。图3C-3D示出了其中接地联结线144和接地环116可形成在图案化隔堤层126内或下方的实施例。例如，在图3C中所示的实施例中，开口149,130可在形成接地联结线144和接地环116时被形成通过图案化隔堤层126。在图3D中所示的实施例中，开口149,130可被形成通过图案化隔堤层126和平面化层122，以接触可在形成TFT衬底102的工作电路期间已形成的接地联结线144和接地环116。在此类实施例中，用于形成底部电极142的导电层还可任选地包括通孔开口层145和117，以进一步使得顶部电极层还能够分别通过开口149和130与接地联结线144和接地环116形成电接触。因此，应当理解，图3A-3D中所示的实施例不是限制性的，并且存在多种可能性来形成接地联结线144和接地环116、以及分别用于使接地联结线144和/或接地环116暴露的开口149,130。
仍然参考图3B-3D中所示的实施例，键合层140可形成在底部电极层142上，以有助于微型LED器件的键合。在一个实施例中，键合层140被选择是因为其能够通过键合机制诸如如美国专利申请No.13/749,647中所述的低共熔合金键合、瞬态液相键合、或固态扩散键合与微型LED器件上的键合层(还要被放置)相互扩散。在一个实施例中，键合层140具有250℃或更低的熔融温度。例如，键合层140可包括焊接材料诸如锡(232℃)或铟(156.7℃)或它们的合金。键合层140也可以是具有比宽度大的高度的柱形状。根据本发明的一些实施例，更高的键合层140可为系统部件找平诸如在微型LED器件转移操作期间微型LED器件阵列与TFT衬底的平面性以及为微型LED器件的高度差异(这是由于在键合期间、诸如在低共熔合金键合和瞬态液相键合期间，液化的键合层在扩展在表面上方时的高度变化)提供额外的自由度。键合层140的宽度可小于微型LED的底部表面的宽度，以防止将键合层140芯吸在微型LED的侧壁周围以及短接量子阱结构。
在所示实施例中，接地联结线144的布置在显示面板100的像素区域104中的隔堤开口128之间延伸。此外，多个开口149使该多个接地联结线144暴露。开口149的数量与隔堤开口128的列(顶部到底部)的数量可具有也可不具有1:1的关系。例如，在图3A中所示的实施例中，为每列隔堤开口128形成一个接地联结开口149，然而这并不是必需的，并且接地联接开口149的数量可比隔堤开口128的列的数量更多或更少。同样，接地联结线144的数量与隔堤开口的行(左到右)的数量可具有也可不具有1:1的关系。例如，在所示实施例中，每两行隔堤开口128形成一个接地联结线144，然而，这并不是必需的，并且接地联结线144的数量与隔堤开口128的行的数量(n)可具有1:1的关系或者任何1:n的关系。
虽然以上实施例已被描述和阐述为接地联结线144在整个显示面板100上水平地左右延伸，但是实施例并不因此受到限制。在其他实施例中，接地联结线可竖直地延伸、或者既水平又竖直地延伸以形成栅格。根据本发明的实施例可想设想到多个可能的变型。已经观察到，AMOLED配置诸如先前参考图1-2阐述和描述的那些配置的操作可能导致与来自更接近接地环116的像素区域的边缘处的子像素的发射相比，来自像素区域中心中的子像素的更少的发射，在像素区域中心处，子像素更远离接地环116。根据本发明的实施例，接地联结线形成在像素区域中的隔堤开口128之间，并电连接到非显示区域中的接地环116或接地线。这样，接地信号可更均匀地施加到子像素矩阵，从而导致整个显示面板100上的更均匀的亮度。此外，通过由具有比(还要被形成的)顶部电极层更好电导率的材料来形成接地联结线144，这可减少电接地路径中的接触电阻。
图4A-4H是示出根据本发明的实施例的将微型LED器件阵列转移到TFT衬底102的方法的横截面侧视图。参考图4A，被转移头衬底300支撑的转移头302的阵列被定位在支撑于承载衬底200上的微型LED器件400的阵列上方。加热器306和热分配板304可任选地被附接到转移头衬底300。加热器204和热分配板202可任选地被附接到承载衬底200。该微型LED器件400的阵列与该转移头302的阵列接触，如图4B中所示，并且被从承载基底200拾取，如图4C中所示。在一个实施例中，该微型LED器件400的阵列是利用根据静电原理工作的转移头302的阵列(即，它们是静电转移头)来拾取的。
图4D是示出根据本发明的实施例的将微型LED器件400保持在TFT衬底102上方的转移头302的横截面侧视图。在所示实施例中，转移头302由转移头衬底300支撑。如上所述，加热器306和热分配板304可任选地被附接到转移头衬底，以将热施加到转移头302。加热器152和热分配板150还可，或者作为另外一种选择，任选地被用于将热转移到TFT衬底102上的键合层140和/或微型LED器件400上的任选键合层410，如下所述。
仍然参考图4D，根据一个实施例示出了示例性的微型LED器件400的近距离视图。应当理解的是，所示的具体微型LED器件400是示例性的，并且本发明的实施例并不受到限制。在所示的具体实施例中，微型LED器件400包括微型p-n二极管450和底部导电触点420。键合层410可任选地形成在底部导电触点420的下方，其中底部导电触点420位于微型p-n二极管450和键合层410之间。在一个实施例中，微型LED器件400还包括顶部导电触点452。在一个实施例中，微型p-n二极管450包括顶部n掺杂层414、一个或多个量子阱层416、和下部p掺杂层418。在其他实施例中，n掺杂层和p掺杂层的布置可以是对调的。微型p-n二极管可构造为具有直侧壁或渐缩侧壁。在某些实施例中，微型p-n二极管450具有(从顶部到底部)向外渐缩侧壁453。在某些实施例中，微型p-n二极管450具有(从顶部到底部)向内渐缩侧壁。顶部导电触点452和底部导电触点420。例如，底部导电触点420可包括电极层和电极层和任选键合层410之间的阻隔层。顶部导电触点452和底部导电触点420对于可见波长范围(例如380nm–750nm)可为透明的或者可以是不透明的。顶部导电触点452和底部导电触点420可任选地包括反射层，诸如银层。微型p-n二极管和导电触点可各自具有顶部表面、底部表面和侧壁。在一个实施例中，微型p-n二极管450的底部表面451比微型p-n二极管的顶部表面宽，并且侧壁453从顶部到底部向外渐缩。微型p-n二极管450的顶部表面可比p-n二极管的底部表面宽或基本上是相同宽度。在一个实施例中，微型p-n二极管450的底部表面451比底部导电触点420的顶部表面宽。微型p-n二极管的底部表面也可与底部导电触点420的顶部表面具有基本上相同的宽度。在一个实施例中，微型p-n二极管450为几微米厚诸如3μm或5μm，导电触点420,452为0.1μm-2μm厚，并且任选键合层410为0.1μm–1μm厚。在一个实施例中，每个微型LED器件400的最大宽度为1μm-100μm例如30μm、10μm、或5μm。在一个实施例中，每个微型LED器件400的最大宽度必须符合用于显示面板的特定分辨率和PPI的隔堤开口128中的可用空间。
图4E是示出根据本发明的实施例的将微型LED器件400的阵列保持在TFT衬底102上方的转移头阵列的横截面侧视图。图4E与图4D中所示的结构基本类似，其中主要区别是示出微型LED器件阵列的转移，而不是该微型LED器件阵列内的单个微型LED器件的转移。
现在参考图4F，将TFT衬底102与该微型LED器件400的阵列接触。在所示实施例中，将TFT衬底102与该微型LED器件400的阵列接触包括将键合层140与每个相应微型LED器件的微型LED器件键合层410接触。在一个实施例中，每个微型LED器件键合层410比对应的键合层140宽。在一个实施例中，能量从静电转移头组件并通过该微型LED器件400的阵列转移，以将该微型LED器件400的阵列键合到TFT衬底102。例如，可转移热能以有助于几种类型的键合机制，诸如低共熔合金键合、瞬态液相键合、和固态扩散键合。热能的转移也可通过从静电转移头组件施加压力来实现。
参考图4G，在一个实施例中，能量的转移使键合层140液化。液化的键合层140可对于在键合期间该微型器件400的阵列和TFT衬底之间的系统不平找平(例如非平面表面)以及对于微型LED器件的高度差异充当衬垫和部分补偿。在瞬态液相键合的具体实施中，液化的键合层140与微型LED器件键合层410相互扩散，以形成所具有的环境熔融温度比键合层140的环境熔融温度高的金属间化合物层。因此，瞬态液相键合可在键合层的最低液相线温度处或之上实现。在本发明的一些实施例中，微型LED器件键合层410由熔融温度高于250℃的材料诸如铋(271.4℃)形成，或由熔融温度高于350℃的材料诸如金(1064℃)、铜(1084℃)、银(962℃)、铝(660℃)、锌(419.5℃)、或镍(1453℃)形成，并且TFT衬底键合层140具有低于250℃的熔融温度诸如锡(232℃)或铟(156.7℃)。
这样，支撑TFT衬底102的衬底150可被加热到低于键合层140的熔融温度的温度，并且支撑该转移头阵列的衬底304被加热到低于键合层410的熔融温度但高于键合层140的熔融温度的温度。在此类实施例中，热从静电转移头组件通过该微型LED器件400的阵列的转移足以形成键合层140的瞬时液态，随后等温凝固为金属间化合物。当在液相中时，较低熔融温度材料伸展在表面上方并且扩散到较高熔融温度材料的固溶体中或者溶解较高熔融温度材料并凝固为金属间化合物。在一特定实施例中，支撑该转移头阵列的衬底304被保持在180℃，键合层410由金形成，并且键合层140由铟形成。
在转移能量以将该微型LED器件400的阵列键合到TFT衬底之后，该微型LED器件400的阵列被释放到接收衬底上，并且该静电转移头阵列被移走，如图4H中所示。释放该微型LED器件400的阵列可利用多种方法来实现，包括关闭静电电压源、降低静电转移头电极间的电压、改变AC电压的波形、以及将电压源接地。
现在参考图5A-5C，根据本发明的实施例示出了转移发出不同颜色的该微型LED器件400的阵列的序列。在图5A中所示的具体配置中，第一转移过程已被完成以用于将红光发射微型LED器件400R的阵列从第一承载衬底转移到TFT衬底102。例如，在微型LED器件400R被设计用于发射红光(例如620-750nm波长)的情况下，微型p-n二极管450可包括材料诸如砷化铝镓(AlGaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、和磷化镓(GaP)。参考图5B，第二转移过程已完成以用于将绿光发射微型LED器件400G的阵列从第二承载衬底转移到TFT衬底102。例如，在微型LED器件400G被设计用于发射绿光(例如495-570nm波长)的情况下，微型p-n二极管450可包括材料诸如氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、和磷化铝镓(AlGaP)。参考图5C，第三转移过程已完成以用于将蓝光发射微型LED器件400B的阵列从第三承载衬底转移到TFT衬底102。例如，在微型LED器件400B被设计用于发射蓝光(例如450-495nm波长)的情况下，微型p-n二极管450可包括材料诸如氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、和硒化锌(ZnSe)。
根据本发明的实施例，转移头被分隔开与对应于像素或子像素阵列的背板上隔堤开口的间距匹配的间距(x、y、和/或对角线)。表1提供了用于具有1920×1080p和2560×1600分辨率的各种红绿蓝(RGB)显示器的根据本发明实施例的示例性具体实施的列表。应当理解的是，本发明的实施例并不限于RGB颜色方案或者1920×1080p或2560×1600分辨率，并且具体的分辨率和RGB颜色方案仅仅是为了例示的目的。
表1：
在上述示例性实施例中，40PPI像素密度可与55英寸1920×1080p分辨率的电视机对应，而326和440PPI像素密度可与具有视网膜(RTM)显示器的手持设备对应。根据本发明的实施例，根据微型拾取阵列的尺寸，数千、数百万、或者甚至亿万的转移头可被包括在批量转移工具的微型拾取阵列中。根据本发明的实施例，1cm×1.12cm的转移头阵列可包括具有211μm、634μm间距的837个转移头、以及具有19μm、58μm间距的102,000个转移头。
利用转移头阵列进行拾取的微型LED器件的数量可与转移头的间距匹配，或者也可不与转移头的间距匹配。例如，被分隔开19μm间距的转移头阵列拾取间距为19μm的微型LED器件阵列。又如，被分隔开19μm间距的转移头阵列拾取间距约为6.33μm的微型LED器件阵列。这样，该转移头每三个微型LED器件拾取一个微型LED器件以用于转移到背板。根据一些实施例，发光微型器件阵列的顶部表面比绝缘层的顶部表面高，以便防止转移头在将微型LED器件放置在隔堤开口内期间被损坏或者损坏背板上的绝缘层(或任何中间层)。
图6A是示出根据一个实施例的在形成顶部电极层之后的有源矩阵显示面板的顶视图，而图6B是示出根据本发明的实施例的图6A的有源矩阵显示面板的沿线X-X和Y-Y截取的侧视图。在图6A-6B中所示的实施例中，顶部电极层118形成在包括微型LED器件400的阵列的像素区域104上方以及非像素区域中并与接地环116重叠。此外，顶部电极层118形成在开口149内并与在像素区域104中的隔堤开口128之间延伸的接地联结线144电接触。
参考图6B，在形成顶部电极层118之前，微型LED器件400在隔堤开口128内被钝化，以便防止顶部电极层118和底部电极层142之间的电气短接、或者在一个或多个量子阱416处的短接。如图所示，在转移微型LED器件400的阵列之后，钝化层148可形成在隔堤开口128的阵列内的微型LED器件400的侧壁周围。在一个实施例中，如果微型LED器件400是竖直LED器件，则钝化层148覆盖并跨越量子阱结构416。钝化层148也可覆盖底部电极层142的还未被任选的绝缘体层146覆盖的任何部分，以便防止可能的短接。因此，钝化层148可用于钝化量子阱结构416以及底部电极层。根据本发明的实施例，钝化层148不形成在微型LED器件400的顶部表面诸如顶部导电触点452上。在一个实施例中，等离子蚀刻工艺例如O2或CF4等离子蚀刻可在形成钝化层148之后被使用，以回蚀刻钝化层148，从而确保微型LED器件400的顶部表面诸如顶部导电触点452被暴露以使得顶部导电电极118层118能够与微型LED器件400电接触。
根据本发明的实施例，钝化层148可对于可见波长是透明的或半透明的，以便不显著地使所完成的系统的光提取效率退化。钝化层可由多种材料形成诸如但不限于环氧树脂、丙烯酸(聚丙烯酸酯)诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、和聚酯。在一个实施例中，钝化层148是通过围绕微型LED器件400进行喷墨印刷或丝网印刷来形成的。
在图6B中所示的具体实施例中，钝化层148只形成在隔堤开口128内。然而，这不是必需的，并且钝化层148可形成在隔堤结构层126的顶部。此外，绝缘体层146的形成不是必需的，并且钝化层148也可用于使导电层电绝缘。如图6C中所示的实施例中所示，钝化层148也可用于钝化形成底部电极142和/或接地联结线144的导电层的侧壁。在一个实施例中，钝化层148可任选地用于钝化接地环116。根据一些实施例，开口149,130的形成可在将钝化层148喷墨印刷或丝网印刷在接地联结线144或接地环116上方的过程期间被形成。这样，可不需要独立的图案化操作来形成开口。
根据本发明的一些实施例，可在隔堤层126内形成沟道151或阱结构，如图6C中所示，以便捕获或防止钝化层148过渡扩展并溢流到接地联结线149上方，尤其是当钝化层148使用溶剂体系诸如以喷墨印刷或丝网印刷来形成时。因此，在一些实施例中，沟道151在隔堤开口128和相邻的接地联结线144之间的隔堤层126内形成。
现在参考图6B-6C，在形成钝化层148之后，顶部导电电极层118被形成在每个微型LED器件400上方，并与顶部触点层452(如果有的话)电接触。根据以下描述中的具体应用，顶部电极层118可对于可见波长是不透明的、反射性的、透明的、或半透明的。例如，在顶部发光系统中，顶部电极层118可以是透明的，而对于底部发光系统，顶部电极层可以是反射性的。示例性透明导电材料包括非晶硅、透明导电氧化物(TCO)诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)、碳纳米管膜、或者透明导电聚合物诸如聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、和聚噻吩。在一个实施例中，顶部电极层118包括纳米颗粒诸如银、金、铝、钼、钛、钨、ITO、和IZO。在一个具体实施例中，顶部电极层118通过喷墨印刷或丝网印刷来形成。其他形成方法可包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、旋涂。顶部电极层118也可对可见波长是反射性的。在一个实施例中，顶部导电电极层118包括反射金属膜诸如铝、钼、钛、钛钨、银、或金、或它们的合金，例如用于底部发光系统中。
根据本发明的一些实施例，接地联结线144比底部电极层118更具导电性。在图3D中所示的实施例中，接地联结线144可由与用于形成与TFT衬底102中的晶体管中的一个晶体管(例如T2)的源极/漏极连接或栅电极层相同的金属层形成。例如，接地联结线144可由常见互连材料诸如铜或铝(包括它们的合金)形成。在图3B-3C中所示的实施例中，接地联结线144也可由与底部电极层142相同的材料形成。例如，接地联结线144和底部电极层142包括也可改善这些层的电导率的反射材料。在一个具体实例中，接地联结线144和底部电极可包括金属膜或金属颗粒。根据一些实施例，顶部电极层118由透明或半透明材料形成，该透明或半透明材料诸如非晶硅、透明导电氧化物(TCO)诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)、碳纳米管膜、或者透明导电聚合物诸如聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、和聚噻吩，所有这些均可具有比在膜叠堆内包括金属膜的导电且反射的底部电极层更低的电导率。
再次重新参考图6A，在所示的具体实施例中，顶部电极层118形成在包括微型LED器件400的阵列的像素区域104上方以及非像素区域中并与接地环116重叠。此外，顶部电极层118形成在开口149内并与在像素区域104中的隔堤开口128之间延伸的接地联结线144电接触。
现在参考图7A-7B，其示出了另选实施例，其中顶部电极层118只需形成在像素区域104上方以便与接地环116实现电接触。在图7A-7B中所示的具体实施例中，顶部电极层118形成在像素区域104上方并且与接地联结线144电连接。如图所示，顶部电极层118可形成在通往接地联结线144的开口149内。在此类实施例中，由于接地联结线144与接地环116电连接，所以不必在像素区域104之外形成顶部电极层118。如图所示，根据图7A-7B所示的实施例，接地环116可埋在电绝缘层诸如绝缘体层146下面。
根据本发明的实施例，顶部电极层118的线宽可根据应用而变化。例如，该线宽可接近像素区域102的线宽。或者，该线宽可以是极小的。例如，利用可商购获得的喷墨印刷机可实现低至大约15μm的线宽，并且利用可商购获得的丝网印刷机可实现低至大约30μm的线宽。喷墨印刷由于其是非接触印刷方法而可能在某些情形中是特别适用的。因此，根据本发明的一些实施例，顶部电极层的线宽可大于或小于微型LED器件的最大宽度。
参考图8A-8B，其示出了一实施例，其中独立的顶部电极层118被形成，从而将一个或多个微型LED器件400与一个或多个接地联结线144连接。在图8A-8B中所示的具体实施例中，顶部电极层118仅需提供从微型LED器件400到附近的接地联结线144的电路径。因此，顶部电极层118不覆盖整个像素区域104。同样，顶部电极层118不需要覆盖整个隔堤开口128或子像素区域。在所示具体实施例中，每个顶部电极层118在中间接地联结线144的相对侧连接微型LED器件400。然而，这个特定配置是示例性的并且可能存在多个不同布置。如图所示，顶部电极层118可形成在通往接地联结线144的开口149内。在此类实施例中，由于接地联结线144与接地环116电连接，所以不必在像素区域104之外形成顶部电极层118。
如图所示，根据图8A-8B中所示的实施例，接地环116可埋在电绝缘层诸如绝缘体层146下面。在图8A中所示的具体实施例中，最顶端一行微型LED器件400被示为以各个顶部电极层118连接到接地环116。在此类实施例中，每个顶部电极层118可通过如先前所述的一个或多个开口130来接触接地环116。因此，虽然图8A-8B中所示实施例提供了一种用于将微型LED器件400连接到像素区域104内的接地联结线144的方式，但是这并不排除使用独立的多个顶部电极层118来连接到接地环116，而不通过接地联结线144。
在一个方面，图8A-8B中所示的具体实施例可特别适于利用喷墨印刷或丝网印刷来局部形成顶部电极层118。常规的AMOLED背板处理序列诸如用于制造图1-2中显示面板的那些处理序列通常在沉积腔室的过程中均厚沉积顶部电极层，然后从较大的衬底分离各个背板100。根据一些实施例，显示面板100背板是在转移微型LED器件400的阵列之前从较大衬底分离的。在一个实施例中，喷墨印刷或丝网印刷提供了一种用于对各个顶部电极层118进行图案化的实用的方法，而不会对于每个独立的显示面板100都要求独立的掩模层。
虽然没有单独地示出，但是应当理解，图6A-6B、图7A-7B和图8A-8B中所示的实施例可与图3C-3D中包括的另选开口配置和图6C中所示的钝化层148配置结合。
上面参考图8A-8B所述的独立的顶部电极层118的形成可在形成顶部电极层118之后在对面板100进行电气测试期间提供附加有益效果。例如，可能在形成顶部电极层118之前还没有发现下面的晶体管已经发生故障并可能始终处于“接通”状态。一个暗示可能是相关联的子像素始终处于“接通”状态并发光。在图8C中所示的实施例中，使用合适的技术诸如激光划刻切割连接到故障TFT晶体管的顶部电极层118，以“关闭”该子像素。这样，可在TFT衬底的顶部表面上执行对电气缺陷的消除，而不必向下钻取以进入该TFT晶体管。
现在参考图9A-9D，本发明的实施例也可被用于将接地联结线134结合到AMOLED显示面板中。参考图9A-9B中所示的实施例，底部电极层124形成在与下面的TFT电路电连接的在平面化层122上。在所示实施例中，接地联结线134可与底部电极层124同时形成。同样，接地环116可与底部电极层124同时形成。在形成底部电极层124并且任选地形成接地联结线134和/或接地环116之后，形成包括子像素开口127的阵列和接地联结线开口132的阵列的像素限定层125。有机层120然后被沉积在子像素开口127上方。在一个实施例中，有机层120不被沉积在接地联结线开口132内或接地环116上。顶部电极层118然后可形成在子像素开口127内的图案化像素限定层上方、开口132内以与接地联结线134实现电接触并且任选地在接地环116上方。然而，实现与接地环116的电接触不是必需的。在图9C-9D中所示的实施例中，顶部电极层1118只沉积在像素区域104内，并且顶部电极层118不与接地环116重叠。
虽然没有单独示出，但是应当理解，图9A-9D中所示的实施例设想到了另选的开口配置。例如，可实现至接地联结线134或接地环116的开口穿过平面化层122。
图10示出了根据一个实施例的显示系统1000。该显示系统容纳处理器1010、数据接收器1020、显示面板100诸如上文中所述的显示面板中的任一个显示面板。数据接收器1020可被配置为无线或有线地接收数据。无线可以多个无线标准或协议中任一者来实现，该多个无线标准或协议包括但不限于Wi-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、它们的衍生物、以及被指定为3G、4G、5G等等的任何其他无线协议。
根据其应用，显示系统1000可包括其他部件。这些其它部件包括但不限于存储器、触摸屏控制器、和电池。在各种具体实施中，显示系统1000可以是电视机、平板电脑、电话、膝上型电脑、计算机监视器、信息亭、数字相机、手持式游戏机、媒体播放器、电子书显示器、或大面积标记显示器。
在利用本发明的各个方面的过程中，对于本领域技术人员将变得显然的是，上述实施例的组合或变型是可能的，以用于将接地联结线和微型LED器件结合到有源矩阵显示面板中。虽然上述实施例已参考顶部发光结构进行了描述，但是本发明的实施例也能应用于底部发光结构。例如，这些开口不是将隔堤开口128或子像素开口127定位在TFT电路上方，而是可在TFT衬底102中的较低层上被定位为与TFT电路相邻。类似地，虽然已描述了顶部栅极晶体管，但是本发明的实施例也可利用底部栅极晶体管结构来实现。此外，虽然本发明的实施例已参考高侧驱动配置进行了描述和阐述，但是该实施例也可以低侧驱动配置来实现，其中上述的接地联结线和接地环成为面板中的电力线。尽管以特定于结构特征和/或方法行为的语言对本发明进行了描述，但应当理解，所附权利要求中限定的本发明并不一定限于所描述的特定特征或行为。本发明所公开的特定特征和行为被理解为受权利要求书保护的本发明的特定适当的具体实施以用于对本发明进行例示。

Claims (29)

1.一种显示面板，包括：
薄膜晶体管(TFT)衬底，所述TFT衬底包括像素区域和非像素区域，其中所述像素区域包括隔堤开口阵列和所述隔堤开口阵列内的底部电极阵列；
所述非像素区域中的接地线；和
在所述像素区域中的所述隔堤开口之间延伸并电连接到所述非像素区域中的所述接地线的接地联结线阵列。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述非像素区域围绕所述像素区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中所述接地线是围绕所述像素区域的所述非像素区域中的接地环。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中所述接地联结线阵列在所述像素区域的相对侧电连接到所述接地环。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述底部电极阵列形成在所述对应的隔堤开口阵列的侧壁上。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中所述底部电极对可见波长范围是反射性的。
7.根据权利要求6所述的显示面板，还包括每个隔堤开口内的所述底部电极上的焊接材料柱。
8.根据权利要求1所述的显示面板，还包括覆盖所述底部电极阵列的图案化绝缘体层、以及所述图案化绝缘体层中的使所述底部电极阵列暴露的开口阵列。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中所述图案化绝缘体层覆盖所述底部电极阵列的边缘。
10.根据权利要求8所述的显示面板，还包括所述绝缘体层中的使所述接地联结线阵列暴露的开口阵列。
11.根据权利要求1所述的显示面板，还包括所述对应的隔堤开口阵列内的所述底部电极阵列上的微型LED器件阵列。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述微型LED器件是竖直的微型LED器件。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述微型LED器件各自具有1μm–100μm的最大宽度。
14.根据权利要求11所述的显示面板，还包括跨越所述微型LED器件阵列的侧壁的透明钝化层，其中所述透明钝化层不完全覆盖每个微型LED器件的顶部导电触点。
15.根据权利要求11所述的显示面板，还包括位于所述微型LED器件阵列和所述接地联结线阵列上方并与所述微型LED器件阵列和所述接地联结线阵列电接触的顶部电极层阵列。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中每个顶部电极层将多个微型LED器件电连接到单个接地联结线。
17.根据权利要求15所述的显示面板，其中所述顶部电极层阵列由透明或半透明材料形成。
18.根据权利要求15所述的显示面板，其中所述顶部电极层阵列包括选自由PEDOT和ITO组成的组的材料。
19.根据权利要求14所述的显示面板，还包括位于所述微型LED器件阵列和所述接地联结线阵列上方并通过所述接地联结线阵列上方的开口阵列与所述微型LED器件阵列和所述接地联结线阵列电接触的顶部电极层。
20.一种形成显示面板的方法，包括：
将微型LED器件阵列从承载衬底转移到背板，所述背板包括：
薄膜晶体管(TFT)衬底，所述TFT衬底包括像素区域和非像素区域，其中所述像素区域包括隔堤开口阵列和所述隔堤开口阵列内的底部电极阵列；
所述非像素区域中的接地线；和
在所述像素区域中的所述隔堤开口之间延伸并电连接到所述非像素区域中的所述接地线的接地联结线阵列；
将所述微型LED器件阵列键合到所述底部电极阵列；以及
形成与所述微型LED器件中的至少一个微型LED器件和所述接地联结线中的至少一个接地联结线电接触的顶部电极层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述顶部电极包括在所述微型LED器件阵列中的所有微型LED器件上方沉积顶部电极层。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述顶部电极层跨越多个微型LED器件。
23.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述顶部电极层包括喷墨印刷或丝网印刷。
24.根据权利要求23所述的方法，还包括对多个独立的顶部电极层进行喷墨印刷或丝网印刷，每个独立的顶部电极层跨越所述微型LED器件中的至少一个微型LED器件和所述接地联结线中的至少一个接地联结线。
25.根据权利要求23所述的方法，其中跨越所述微型LED器件中的至少一个微型LED器件和所述接地联结线中的至少一个接地联结线的每个独立的顶部电极层形成在所述接地联结线中的所述至少一个接地联结线上方的开口内。
26.根据权利要求20所述的方法，其中转移所述微型LED器件阵列包括利用静电转移头阵列来转移所述微型LED器件阵列。
27.根据权利要求20所述的方法，其中将所述微型LED器件阵列键合到所述底部电极阵列包括形成金属间化合物。
28.根据权利要求20所述的方法，其中将所述微型LED器件阵列键合到所述底部电极阵列包括使形成在所述底部电极阵列上的键合层阵列液化。
29.根据权利要求28所述的方法，其中键合所述微型LED器件阵列包括将热能从静电转移头阵列转移到形成在所述底部电极阵列上的所述键合层阵列。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105575961A (zh) * 2016-03-18 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106531763A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 三星显示有限公司 显示装置
CN106898633A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN106898706A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN107230434A (zh) * 2016-03-21 2017-10-03 三星显示有限公司 显示装置
CN107403819A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 群创光电股份有限公司 显示设备
CN107482030A (zh) * 2017-07-31 2017-12-15 安徽三安光电有限公司 微led器件及其制作方法
CN107705713A (zh) * 2017-10-13 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107863373A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 昆山国显光电有限公司 显示面板及终端
CN108352147A (zh) * 2015-11-13 2018-07-31 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于视频墙的模块
CN108539055A (zh) * 2018-04-19 2018-09-14 信利半导体有限公司 一种oled产品的制作方法和oled产品
CN109844848A (zh) * 2016-10-19 2019-06-04 奥加诺电路股份有限公司 有源矩阵led显示器
CN110168706A (zh) * 2017-01-20 2019-08-23 凸版印刷株式会社 显示装置以及显示装置基板
CN110571321A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110651370A (zh) * 2017-06-05 2020-01-03 凸版印刷株式会社 半导体装置、显示装置及溅射靶
CN110957341A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板及其制备方法、Micro-LED芯片及其制备方法和显示装置
CN111129270A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 乐金显示有限公司 微型led显示装置
US10650731B2 (en) 2016-05-20 2020-05-12 Innolux Corporation Display apparatus utilizing micro light emitting diode
CN111615749A (zh) * 2018-01-24 2020-09-01 苹果公司 基于微型led的显示面板
CN108630591B (zh) * 2017-03-15 2020-12-29 启端光电股份有限公司 微元件转移系统
CN112582381A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制备方法
CN113169211A (zh) * 2018-11-30 2021-07-23 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110082844A (zh) 2009-02-09 2019-08-02 艾克斯瑟乐普林特有限公司 集中器型光电（cpv）模块、接收器和子接收器及其形成方法
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
DE102012217957B4 (de) * 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9761754B2 (en) 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
KR102098261B1 (ko) 2014-06-18 2020-04-08 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 led 디스플레이들
CN111180381B (zh) 2014-06-18 2021-08-27 艾克斯展示公司技术有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
JP6453437B2 (ja) 2014-07-20 2019-01-16 エックス−セレプリント リミテッドＸ−Ｃｅｌｅｐｒｉｎｔ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロ転写印刷のための装置および方法
TWI514343B (zh) * 2014-07-30 2015-12-21 E Ink Holdings Inc 背光顯示裝置
GB201413578D0 (en) * 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
KR101640192B1 (ko) 2014-08-05 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
GB201418810D0 (en) 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display
GB201418772D0 (en) * 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display
KR102297075B1 (ko) * 2014-11-14 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
CN104465711A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106033800A (zh) * 2015-03-16 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 有机发光结构以及具有该结构的有机发光器件和面板
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
TWI665800B (zh) * 2015-06-16 2019-07-11 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
US9947895B2 (en) 2015-06-17 2018-04-17 Universal Display Corporation Flexible AMOLED display
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
KR102416621B1 (ko) 2015-08-31 2022-07-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 트랜스퍼
KR102467420B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102402999B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102424975B1 (ko) 2015-08-31 2022-07-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 구조체 및 디스플레이 장치
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
US10177127B2 (en) 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
US10032757B2 (en) 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10304811B2 (en) 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
TWI585943B (zh) * 2015-09-30 2017-06-01 正昌新視界股份有限公司 一種可撓的發光二極體顯示器
US10418501B2 (en) 2015-10-02 2019-09-17 X-Celeprint Limited Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
WO2017123658A1 (en) * 2016-01-12 2017-07-20 Sxaymiq Technologies Llc Light emitting diode display
US11230471B2 (en) 2016-02-05 2022-01-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed compound sensor device
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
KR102667851B1 (ko) 2016-02-22 2024-05-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
EP3420582A1 (en) 2016-02-25 2019-01-02 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
KR102528300B1 (ko) 2016-03-10 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
KR102661474B1 (ko) 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102610028B1 (ko) 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
JP2017212384A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
KR102589214B1 (ko) * 2016-06-03 2023-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
DE102016112104A1 (de) 2016-07-01 2018-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modulares modul
TWI608591B (zh) * 2016-07-05 2017-12-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置與顯示裝置的製造方法
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
KR102651097B1 (ko) 2016-10-28 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
TWI762428B (zh) 2016-11-15 2022-04-21 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微轉印可印刷覆晶結構及方法
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10319880B2 (en) * 2016-12-02 2019-06-11 Innolux Corporation Display device
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
KR102582059B1 (ko) * 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
US10998465B2 (en) 2017-01-09 2021-05-04 Glo Ab Light emitting diodes with integrated reflector for a direct view display and method of making thereof
EP3566251B1 (en) * 2017-01-09 2024-08-14 Nanosys, Inc. Light emitting diodes with integrated reflector for a direct view display and method of making thereof
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
TWI630534B (zh) * 2017-01-23 2018-07-21 日商凸版印刷股份有限公司 Display device and display device substrate
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
CN109328398B (zh) * 2017-06-01 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和阵列基板的制造方法
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
CN109326685B (zh) * 2017-08-01 2023-03-03 群创光电股份有限公司 显示装置的制造方法
US11393963B2 (en) 2017-09-13 2022-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha LED unit, image display element, and method of manufacturing the same
DE102017123290A1 (de) 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
CN107633777A (zh) * 2017-10-12 2018-01-26 深圳市创显光电有限公司 一种led显示装置及其制造方法
US10836200B2 (en) 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
CN109786307B (zh) * 2017-11-15 2021-02-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板的制备方法
CN111357121A (zh) 2017-12-04 2020-06-30 东旭集团有限公司 微型led器件用上基板、微型led器件以及微型led显示装置
TWI641778B (zh) * 2017-12-19 2018-11-21 宏碁股份有限公司 微型化發光裝置
CN108183117A (zh) * 2017-12-26 2018-06-19 深圳市华星光电技术有限公司 微型发光二极管显示面板及其制作方法
US10193042B1 (en) 2017-12-27 2019-01-29 Innolux Corporation Display device
CN108227375B (zh) * 2018-01-02 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种微型发光二极管转印方法及阵列基板
KR102521100B1 (ko) * 2018-01-08 2023-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102433873B1 (ko) 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법
US10756073B2 (en) * 2018-02-13 2020-08-25 Lumens Co., Ltd. Micro LED module with flexible multilayer circuit substrate
CN110189642B (zh) * 2018-02-22 2021-10-26 和鑫光电股份有限公司 显示装置
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US11107841B2 (en) 2018-07-04 2021-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and large format display apparatus using the same
KR102151099B1 (ko) * 2018-07-04 2020-09-02 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
KR102652645B1 (ko) * 2018-09-03 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
US20200083280A1 (en) * 2018-09-11 2020-03-12 Prilit Optronics, Inc. Top emission microled display and bottom emission microled display and a method of forming the same
KR102536489B1 (ko) * 2018-09-18 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110970456B (zh) * 2018-09-27 2022-04-19 成都辰显光电有限公司 一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置
KR102536844B1 (ko) * 2018-10-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US10573544B1 (en) 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10658392B1 (en) * 2018-11-15 2020-05-19 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode display device and micro light-emitting diode driving circuit thereof
KR102666845B1 (ko) * 2018-11-20 2024-05-21 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
US11483937B2 (en) 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
US11322460B2 (en) 2019-01-22 2022-05-03 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11251139B2 (en) 2019-01-22 2022-02-15 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11088121B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 X Display Company Technology Limited Printed LED arrays with large-scale uniformity
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
US11094870B2 (en) 2019-03-12 2021-08-17 X Display Company Technology Limited Surface-mountable pixel packages and pixel engines
DE102019106527A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum betrieb einer optischen anzeigevorrichtung und optische anzeigevorrichtung
US10714374B1 (en) 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
US11488943B2 (en) 2019-06-14 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Modules with integrated circuits and devices
US10944027B2 (en) 2019-06-14 2021-03-09 X Display Company Technology Limited Pixel modules with controllers and light emitters
US11289458B2 (en) * 2019-08-01 2022-03-29 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode transparent display
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
US11328942B1 (en) * 2019-09-10 2022-05-10 Facebook Technologies, Llc Liquid crystalline elastomer for pick and place of semiconductor devices
KR20210035556A (ko) 2019-09-24 2021-04-01 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11127889B2 (en) 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
US11637540B2 (en) 2019-10-30 2023-04-25 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11626856B2 (en) 2019-10-30 2023-04-11 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
KR102437637B1 (ko) * 2019-12-27 2022-08-30 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자를 제조하는 방법
CN111028705A (zh) * 2019-12-13 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
US11315909B2 (en) 2019-12-20 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Displays with embedded light emitters
KR20220161273A (ko) * 2020-01-25 2022-12-06 제이드 버드 디스플레이(상하이) 리미티드 높은 광 추출 효율을 갖는 마이크로 발광 다이오드
US11037912B1 (en) 2020-01-31 2021-06-15 X Display Company Technology Limited LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel
CN113270437A (zh) 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
US11538849B2 (en) 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
KR20220017043A (ko) 2020-08-03 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220031786A (ko) * 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US12006205B2 (en) 2020-10-08 2024-06-11 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US11952266B2 (en) 2020-10-08 2024-04-09 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
CN112382206B (zh) * 2020-11-13 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 背板及led面板
KR20220091703A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115117211A (zh) * 2021-03-18 2022-09-27 隆达电子股份有限公司 半导体晶片与发光装置
US12074583B2 (en) 2021-05-11 2024-08-27 X Display Company Technology Limited Printing components to adhesive substrate posts

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048319A1 (en) * 1997-04-24 1998-10-29 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel displays
WO2003012884A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Nam-Young Kim Display system
CN101091262A (zh) * 2005-09-13 2007-12-19 索尼株式会社 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
CN101783099A (zh) * 2010-02-26 2010-07-21 北京利亚德电子科技有限公司 自带驱动控制的led平板显示单元及其生产方法
US20120223875A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55532A (en) 1978-06-14 1980-01-05 Sanyo Electric Co Display unit
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
US5592358A (en) 1994-07-18 1997-01-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for magnetic flux processing
TW311927B (zh) 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
JP3132353B2 (ja) 1995-08-24 2001-02-05 松下電器産業株式会社 チップの搭載装置および搭載方法
US5888847A (en) 1995-12-08 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Technique for mounting a semiconductor die
US5858099A (en) 1996-04-09 1999-01-12 Sarnoff Corporation Electrostatic chucks and a particle deposition apparatus therefor
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
KR100278137B1 (ko) 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
US8587020B2 (en) * 1997-11-19 2013-11-19 Epistar Corporation LED lamps
US6531996B1 (en) * 1998-01-09 2003-03-11 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus and electronic apparatus
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JP3504543B2 (ja) 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
US6335263B1 (en) 2000-03-22 2002-01-01 The Regents Of The University Of California Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials
US6558109B2 (en) 2000-05-26 2003-05-06 Automation Technology, Inc. Method and apparatus for separating wafers
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP4780828B2 (ja) 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
US6555417B2 (en) 2000-12-05 2003-04-29 Analog Devices, Inc. Method and device for protecting micro electromechanical system structures during dicing of a wafer
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
JP3747807B2 (ja) 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
US6656611B2 (en) 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7033842B2 (en) 2002-03-25 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US6642092B1 (en) 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
DE10245631B4 (de) 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
WO2004047057A1 (ja) 2002-11-19 2004-06-03 Ishikawa Seisakusho,Ltd. 画素制御素子の選択転写方法、画素制御素子の選択転写方法に使用される画素制御素子の実装装置、画素制御素子転写後の配線形成方法、及び、平面ディスプレイ基板
WO2004068596A1 (en) 2003-01-25 2004-08-12 Nam-Young Kim Lamp module with light emitting diode
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
JP4255844B2 (ja) * 2003-02-24 2009-04-15 ソニー株式会社 有機発光表示装置およびその製造方法
JP4334892B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 パナソニック株式会社 部品実装方法
CN102290409B (zh) 2003-04-01 2014-01-15 夏普株式会社 发光装置
JP3837121B2 (ja) 2003-04-01 2006-10-25 株式会社ディスプレイテック２１ アクティブマトリクス型蛍光表示装置
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP4755901B2 (ja) 2003-08-08 2011-08-24 サンキュウ カン 高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード及びその製造方法
JP4165478B2 (ja) 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100600865B1 (ko) 2003-11-19 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 전자파차폐수단을 포함하는 능동소자표시장치
TWI227570B (en) 2003-12-11 2005-02-01 South Epitaxy Corp Light-emitting diode packaging structure
JP4357311B2 (ja) * 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
WO2005091392A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density led array
US7462861B2 (en) 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
KR100623024B1 (ko) 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
JP4656870B2 (ja) * 2004-06-25 2011-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及び電子機器
JP4121514B2 (ja) * 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
US7352006B2 (en) 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US7563625B2 (en) 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
KR20070098929A (ko) * 2005-01-21 2007-10-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 고분자 발광 다이오드 및 그 형성 방법
US7535028B2 (en) 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
US7262438B2 (en) 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
US7411225B2 (en) * 2005-03-21 2008-08-12 Lg Electronics Inc. Light source apparatus
US20060238463A1 (en) 2005-04-26 2006-10-26 Lg Electronics Inc. Electro luminescence display device
TWI363437B (en) * 2008-05-21 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same
JP2007027638A (ja) 2005-07-21 2007-02-01 Fujikura Ltd 発光装置
US8138502B2 (en) 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US7994711B2 (en) * 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2007173408A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
KR101222539B1 (ko) 2005-12-23 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터
KR100671646B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
US7859526B2 (en) 2006-05-01 2010-12-28 Konicek Jeffrey C Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications
US7910945B2 (en) 2006-06-30 2011-03-22 Cree, Inc. Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices
KR100805154B1 (ko) * 2006-09-15 2008-02-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4535053B2 (ja) 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
EP2104954B1 (en) 2007-01-17 2022-03-16 The Board of Trustees of the University of Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
JP5089212B2 (ja) * 2007-03-23 2012-12-05 シャープ株式会社 発光装置およびそれを用いたｌｅｄランプ、発光装置の製造方法
KR101311670B1 (ko) * 2007-07-09 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US7838410B2 (en) 2007-07-11 2010-11-23 Sony Corporation Method of electrically connecting element to wiring, method of producing light-emitting element assembly, and light-emitting element assembly
JP2009021426A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
KR100839754B1 (ko) 2007-08-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8441018B2 (en) 2007-08-16 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Direct bandgap substrates and methods of making and using
TWI397193B (zh) 2007-11-05 2013-05-21 Univ Nat Chunghsing Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
KR101475520B1 (ko) 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
US8056222B2 (en) * 2008-02-20 2011-11-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
US8507941B2 (en) * 2008-06-09 2013-08-13 Nitek, Inc. Ultraviolet light emitting diode with AC voltage operation
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
CN101640240A (zh) * 2008-07-28 2010-02-03 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
US7786481B2 (en) 2008-08-26 2010-08-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and fabricating method thereof
KR101051488B1 (ko) 2009-01-23 2011-07-25 주식회사 두성에이텍 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
KR101001454B1 (ko) 2009-01-23 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP5470601B2 (ja) 2009-03-02 2014-04-16 新光電気工業株式会社 静電チャック
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
US8227269B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8173456B2 (en) 2009-07-05 2012-05-08 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a light emitting diode element
US8933467B2 (en) * 2009-08-13 2015-01-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (LED) and application specific integrated circuits (ASIC)
JP2011071242A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
KR101094287B1 (ko) * 2009-10-09 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI531088B (zh) 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8465174B2 (en) * 2010-01-08 2013-06-18 Luxingtek, Ltd. Direct-lit light box with even-width frame design
KR101084191B1 (ko) 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2011102030A1 (ja) 2010-02-18 2011-08-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、ガラス基板、液晶パネル、および液晶表示装置
US8618565B2 (en) 2010-03-22 2013-12-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode
US9496155B2 (en) 2010-03-29 2016-11-15 Semprius, Inc. Methods of selectively transferring active components
JP5846408B2 (ja) * 2010-05-26 2016-01-20 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US20120155076A1 (en) * 2010-06-24 2012-06-21 Intematix Corporation Led-based light emitting systems and devices
TWI451596B (zh) 2010-07-20 2014-09-01 Epistar Corp 一種陣列式發光元件
US8283652B2 (en) 2010-07-28 2012-10-09 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) die having electrode frame and method of fabrication
US8563334B2 (en) 2010-09-14 2013-10-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method to remove sapphire substrate
KR101144351B1 (ko) 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5740939B2 (ja) 2010-11-29 2015-07-01 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR101889918B1 (ko) * 2010-12-14 2018-09-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20120168714A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (vled) die and method of fabrication
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
US8497143B2 (en) 2011-06-21 2013-07-30 Cofan Usa, Inc. Reflective pockets in LED mounting
US8963137B2 (en) * 2011-09-02 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8912020B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-16 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
JP2013118292A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US20130187179A1 (en) * 2012-01-23 2013-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode with improved directionality
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048319A1 (en) * 1997-04-24 1998-10-29 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel displays
WO2003012884A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Nam-Young Kim Display system
CN101091262A (zh) * 2005-09-13 2007-12-19 索尼株式会社 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
US20120223875A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
CN101783099A (zh) * 2010-02-26 2010-07-21 北京利亚德电子科技有限公司 自带驱动控制的led平板显示单元及其生产方法

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531763A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 三星显示有限公司 显示装置
CN106531763B (zh) * 2015-09-11 2022-03-04 三星显示有限公司 显示装置
CN108352147B (zh) * 2015-11-13 2021-02-26 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于视频墙的模块
CN108352147A (zh) * 2015-11-13 2018-07-31 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于视频墙的模块
CN105575961A (zh) * 2016-03-18 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN105575961B (zh) * 2016-03-18 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
US11861092B2 (en) 2016-03-21 2024-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107230434A (zh) * 2016-03-21 2017-10-03 三星显示有限公司 显示装置
US11500484B2 (en) 2016-03-21 2022-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US10650731B2 (en) 2016-05-20 2020-05-12 Innolux Corporation Display apparatus utilizing micro light emitting diode
CN107403819A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 群创光电股份有限公司 显示设备
CN107403819B (zh) * 2016-05-20 2020-06-16 群创光电股份有限公司 显示设备
US10700103B2 (en) 2016-08-19 2020-06-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate with inorganic light-emitting diode and display device with inorganic light-emitting diode
WO2018033092A1 (zh) * 2016-08-19 2018-02-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN109844848A (zh) * 2016-10-19 2019-06-04 奥加诺电路股份有限公司 有源矩阵led显示器
CN110168706A (zh) * 2017-01-20 2019-08-23 凸版印刷株式会社 显示装置以及显示装置基板
US10276550B2 (en) 2017-02-24 2019-04-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode display and manufacture method thereof
CN106898706A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN106898633B (zh) * 2017-02-24 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN106898633A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN108630591B (zh) * 2017-03-15 2020-12-29 启端光电股份有限公司 微元件转移系统
CN110651370A (zh) * 2017-06-05 2020-01-03 凸版印刷株式会社 半导体装置、显示装置及溅射靶
CN110651370B (zh) * 2017-06-05 2023-12-22 凸版印刷株式会社 半导体装置、显示装置及溅射靶
CN107482030A (zh) * 2017-07-31 2017-12-15 安徽三安光电有限公司 微led器件及其制作方法
CN107705713B (zh) * 2017-10-13 2019-12-27 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107705713A (zh) * 2017-10-13 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107863373A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 昆山国显光电有限公司 显示面板及终端
CN111615749A (zh) * 2018-01-24 2020-09-01 苹果公司 基于微型led的显示面板
CN108539055B (zh) * 2018-04-19 2019-10-08 信利半导体有限公司 一种oled产品的制作方法和oled产品
CN108539055A (zh) * 2018-04-19 2018-09-14 信利半导体有限公司 一种oled产品的制作方法和oled产品
CN110571321A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110957341A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板及其制备方法、Micro-LED芯片及其制备方法和显示装置
CN111129270A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 乐金显示有限公司 微型led显示装置
US11824138B2 (en) 2018-10-31 2023-11-21 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
CN111129270B (zh) * 2018-10-31 2024-02-06 乐金显示有限公司 微型led显示装置
CN113169211A (zh) * 2018-11-30 2021-07-23 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
US11935986B2 (en) 2018-11-30 2024-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method therefor
CN112582381A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制备方法
CN112582381B (zh) * 2020-12-10 2023-09-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制备方法

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