JP2021521473A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置及び表示装置の製造方法が提供される。【解決手段】本発明の一実施形態による表示装置は、表示領域と該表示領域の外側に配置される非表示領域とが定義される第１基板と、前記第１基板と対向し、厚さ方向に陥没したリセス領域と該リセス領域の外側に配置される接触領域とを含む第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接合させるセルシールと、を有し、前記セルシールは、前記接触領域と前記非表示領域との間に配置され、前記接触領域と前記第１基板とを連結するための接合フィラメントと、前記リセス領域と前記非表示領域との間に配置されるフリットシールと、を含む。【選択図】 図１

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置は、マルチメディアの発達に伴ってその重要性が益々高まっている。
これに応えて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）などのさまざまな表示装置が開発されている。
液晶表示装置及び有機発光表示装置などの表示装置の映像表示は、いずれも光の透過に起因する。
特に、光の透過率は、表示装置の輝度などの表示品質に影響を及ぼす可能性がある。
よって、表示装置をなす構成要素は、少なくとも部分的に透明性部材、例えばガラス部材を含み得る。

複数の透明性部材を結合してマルチスタック接合体を形成するための方法として、液体又は軟膏性の接着剤であるシーラントを用いて接合する方法や、ガラスフリット又は粉末ガラスを用いて接合する方法などを例示することができる。
シーラント接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間に液体又は軟膏性のシーラント物質を塗布し、これを硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを相互に接合することができる。
また、ガラスフリット／粉末ガラス接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間にガラスフリット／粉末ガラス物質を塗布し、これを溶融硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを相互に接合することができる。

本発明が解決しようとする課題は、セルシールが占める面積を減らした表示装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、接合力が向上した表示装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする別の課題は、セルシールが占める面積を減らすことができる表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明が解決しようとする別の課題は、接合力が向上した表示装置の製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様によれば、表示装置は、表示領域と該表示領域の外側に配置される非表示領域とが定義される第１基板と、前記第１基板と対向し、厚さ方向に陥没したリセス領域と該リセス領域の外側に配置される接触領域とを含む第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接合させるセルシールと、を有し、前記セルシールは、前記接触領域と前記非表示領域との間に配置され、前記接触領域と前記第１基板とを連結するための接合フィラメントと、前記リセス領域と前記非表示領域との間に配置されるフリットシールと、を含むことを特徴とする。

加えて、前記非表示領域に配置される第１駆動集積回路をさらに有し、前記フリットシールは、前記表示領域と前記第１駆動集積回路との間に配置されることが好ましい。
加えて、前記接触領域の幅は、５０μｍ〜３００μｍであることが好ましい。
加えて、前記接合フィラメントは、前記接触領域と少なくとも部分的に重畳することが好ましい。
加えて、前記接合フィラメントの幅は、１０μｍ〜３００μｍであることが好ましい。
加えて、前記第２基板は、前記リセス領域と前記接触領とを連結する内側壁をさらに含み、前記内側壁、前記リセス領域、及び前記第１基板によって開口部が画定（ｄｅｆｉｎｅ）され、前記フリットシールは、前記開口部を充填することが好ましい。
加えて、前記リセス領域と前記接触領域との間に配置され、前記リセス領域とは異なる屈折率を有する中間領域をさらに有することが好ましい。
加えて、前記中間領域の幅は、５μｍ〜３０μｍであることが好ましい。

加えて、前記非表示領域は、前記表示領域の上側に配置される上側非表示領域と、前記表示領域の下側に配置される下側非表示領域と、前記表示領域の左側に配置される左側非表示領域と、前記表示領域の右側に配置される右側非表示領域とを含むことが好ましい。
加えて、前記接合フィラメントは、前記上側非表示領域、前記左側非表示領域、及び前記右側非表示領域上に配置され、前記フリットシールは、前記下側非表示領域に配置されることが好ましい。
加えて、前記上側非表示領域に配置される第１駆動集積回路と、前記下側非表示領域に配置される第２駆動集積回路と、をさらに有し、前記フリットシールは、第１サブフリットシール及び第２サブフリットシールを含み、前記第１サブフリットシールは、前記第１駆動集積回路と前記表示領域との間に配置され、前記第２サブフリットシールは、前記第２駆動集積回路と前記表示領域との間に配置されることが好ましい。
加えて、前記接合フィラメントは、第１サブ接合フィラメント及び第２サブ接合フィラメントを含み、前記第１サブ接合フィラメントは、前記左側非表示領域に配置され、前記第２サブ接合フィラメントは、前記右側非表示領域に配置されることが好ましい。
加えて、前記接合フィラメントは、中心部及び該中心部の外側に配置される周辺部を含み、前記中心部の屈折率と前記周辺部の屈折率は、互いに異なることが好ましい。
加えて、前記第１基板上に配置される少なくとも一つの絶縁膜をさらに有し、前記接合フィラメントは、前記絶縁膜を貫通して前記接触領域と前記第１基板とを連結することが好ましい。
加えて、前記接触領域の表面から前記リセス領域の表面までの距離は、有機発光素子の高さと同じかそれより大きいことが好ましい。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様によれば、表示装置の製造方法は、表示領域と該表示領域の外側に配置される非表示領域とが定義される第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、を準備する段階と、前記第１基板の前記非表示領域と重畳するように前記第１基板又は前記第２基板上にフリットを塗布する段階と、第２基板の一部を厚さ方向に陥没させてリセス領域と、該リセス領域の外側に配置される接触領域と、を形成する段階と、前記接触領域と前記第１基板とを接触させた状態でレーザーを照射して、前記接触領域と前記第１基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階と、前記フリットを硬化させてフリットシールを形成する段階と、を有することを特徴とする。

加えて、前記レーザーは、パルス幅が２００フェムト秒以上５００フェムト秒以下であるフェムト秒レーザーであることが好ましい。
加えて、前記レーザーの焦点は、前記第１基板の内部に設定され、焦点深さは、−１００μｍ以上０未満であることが好ましい。
加えて、前記レーザーの焦点は、前記第２基板の内部に設定され、焦点深さは、０以上１００μｍ未満であることが好ましい。
加えて、前記第１基板に少なくとも一つの絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を除去する段階をさらに有し、前記接触領域は、前記絶縁膜が除去された前記第１基板の一部と接触することが好ましい。
その他の実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。

本発明の実施形態によれば、セルシールが占める面積を減らすことができる。
これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができる。
また、上部基板と下部基板との接合力が向上した表示装置を実現することができる。
本発明による効果は、以上で例示された内容によって限定されず、さらに様々な効果が本明細書内に含まれている。

本発明の一実施形態に係る表示装置の配置図である。 図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。 図１の表示装置の部分平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。 図４の「Ａ」部分を拡大して示す部分拡大図である。 本発明の効果を説明するためのグラフである。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分平面図である。 図９のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の配置図である。 図１２の実施形態の部分平面図である。 図１２のＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。 図１２のＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の部分平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。 図２０のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

本発明の利点、特徴、及びそれらを達成する方法は、添付図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になるであろう。
しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現される。
但し、本実施形態は、単に本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。本発明は、請求項の範疇によってのみ定められる。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）又は層が他の素子又は層の「上（ｏｎ）」にあると記載された場合は、他の素子又は層の真上に存在する場合又はそれらの間に別の層又は別の素子が介在している場合を全て含む。これに対し、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」又は「真上」にあると記載された場合は、それらの間に別の素子又は層が介在していないことを示す。
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ又はｏｎ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図に示しているように、一つの素子又は構成要素と他の素子又は構成要素との相関関係を容易に記述するために使用できる。
空間的に相対的な用語は、図に示している方向に加えて、使用の際又は動作の際に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。
例えば、図に示している素子を覆す場合、他の素子の「下」と記述された素子は、他の素子の「上」に配置できる。
また、図面を基準に、他の素子の「左側」に位置すると記述された素子は、時点によっては他の素子の「右側」に位置することもできる。
よって、例示的な用語である「下」は、下方向と上方向をすべて含むことができる。素子は他の方向にも配向できる。この場合、空間的に相対的な用語は配向によって解釈できる。

たとえば、「第１」、「第２」などの用語は、様々な構成要素を叙述するために使用するが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されないのは勿論である。
これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。
よって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
単数の表現は、文脈上明白に異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
また、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組み合わせが存在することを指定しようとするもので、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組み合わせの存在又は付加の可能性を予め排除しない。
明細書全体にわたって、同一又は類似の部分については同一の図面符号を使用する。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の配置図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図であり、図３は、図１の表示装置の部分平面図であり、図４は図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図であり、図５は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図であり、図６は図１のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。
図１〜図６を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１基板１００、第２基板２９０及びセルシールＣＳを含む。

第１基板１００は、一実施形態として、ガラス、石英、高分子樹脂などの物質を含むことができる。
ここで、高分子物質は、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｔｒｉａｃｅｔａｔｅ：ＣＡＴ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）、又はこれらの組み合わせであり得る。

第１基板１００は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む。
表示領域ＤＡは、画像を表示する領域として定義される。
表示領域ＤＡには、画像を実現するための複数の画素ＰＸが配置される。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に配置され、画像を表示しない領域として定義される。
非表示領域ＮＤＡは、一実施形態として、表示領域ＤＡを囲むように配置される。
図１では非表示領域ＮＤＡが表示領域ＤＡを囲むものと示したが、これに限定されない。
非表示領域ＮＤＡは、他の実施形態として、表示領域ＤＡの一側又は他側にのみ隣接するように配置されるか、或いは表示領域ＤＡを基準に表示領域ＤＡの一側及び両側にそれぞれ隣接するように配置され得る。

説明の便宜のために、非表示領域ＮＤＡを区分して指し示すことにする。
一実施形態において、非表示領域ＮＤＡは、図１において、表示領域ＤＡの上側に配置される上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）、表示領域ＤＡの下側に配置される下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）、表示領域ＤＡの左側に配置される左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、及び表示領域ＤＡの右側に配置される右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）を含む。
これに加えて、非表示領域ＮＤＡは、４つのコーナー部に配置される第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）を含む。

一実施形態において、非表示領域ＮＤＡには駆動集積回路ＩＣが配置される。
図１は、駆動集積回路ＩＣが下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）に配置される場合を例示する。
駆動集積回路ＩＣは、表示領域ＤＡの駆動に必要な信号を生成し、表示領域ＤＡに伝達する。
駆動集積回路ＩＣと表示領域ＤＡとの間には複数の第１導電ライン１６０が配置される。
複数の第１導電ライン１６０は、駆動集積回路ＩＣと表示領域ＤＡとを電気的に接続する。
すなわち、駆動集積回路ＩＣで生成された信号は、複数の導電ライン１６０を介して表示領域ＤＡに伝達される。

前述したように、表示領域ＤＡには複数の画素ＰＸが配置される。
以下では、図２を参照して、本発明の一実施形態による表示装置において画素ＰＸが形成された部分の積層構造について説明する。
バッファ層２１０は、第１基板１００上に配置される。
バッファ層２１０は、第１基板１００を介して外部から水分及び酸素が侵入することを防止する。
また、バッファ層２１０は、第１基板１００の表面を平坦化する。
バッファ層２１０は、一実施形態として、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜、及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜の内のいずれかを含むことができる。
バッファ層２１０は、第１基板１００の種類又は工程条件などに応じて省略してもよい。

半導体パターンＡＣＴを含む半導体層は、バッファ層２１０上に配置される。
半導体層に対して半導体パターンＡＣＴを基準に説明する。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、多結晶シリコン、単結晶シリコン、低温多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び酸化物半導体の中から選ばれる１つ又は２つ以上を混合して形成される。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、不純物がドープされていないチャネル領域ＡＣＴａ、不純物がドープされているソース領域ＡＣＴｂ、及びドレイン領域ＡＣＴｃを含む。

ソース領域ＡＣＴｂは、チャネル領域ＡＣＴａの一側に位置し、後述するソース電極ＳＥと電気的に接続される。
ドレイン領域ＡＣＴｃは、チャネル領域ＡＣＴａの他側に位置し、後述するドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。
第１絶縁層２２０は、半導体パターンＡＣＴを含む半導体層上に配置される。
第１絶縁層２２０は、一実施形態としてゲート絶縁層であり得る。
第１絶縁層２２０は、一実施形態として、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。

ゲート電極ＧＥを含むゲート導電体は、第１絶縁層２２０上に配置される。
ゲート電極ＧＥは、半導体パターンＡＣＴと重畳される。
ゲート導電体は、例えば、アルミニウム合金を含むアルミニウム（Ａｌ）系金属、銀合金を含む銀（Ａｇ）系金属、銅合金を含む銅（Ｃｕ）系金属、モリブデン合金を含むモリブデン（Ｍｏ）系金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）の少なくとも１種を含むことができる。

第２絶縁層２３０は、ゲート電極ＧＥを含むゲート導電体上に配置される。
第２絶縁層２３０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含むデータ導電体は、第２絶縁層２３０上に配置される。
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第２絶縁層２３０上に互いに離隔して配置される。
データ導電体は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び透明導電性物質よりなる群から選ばれた１種以上を含むことができる。
データ導電体は、一実施形態として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、セレン（Ｓｅ）、又はタンタル（Ｔａ）などよりなる単一膜又は多重膜構造を有することができる。
また、上記金属にチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）、酸素（Ｏ）、及び窒素（Ｎ）よりなる群から選ばれた１種以上の元素を含ませて形成した合金が、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの材料として使用できる。

前述した半導体パターンＡＣＴ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、スイッチング素子ＤＴを構成する。
図２ではスイッチング素子ＤＴがトップゲート方式であると示したが、これに限定されない。
すなわち、スイッチング素子ＤＴは、ボトムゲート方式でも形成され得る。

平坦化層２４０は、データ導電体上に配置される。
平坦化層２４０は、段差を除去することにより、後述する画素電極２５０及び有機発光層２７０の発光効率を高める。
平坦化層２４０は、一実施形態として有機物質を含む。
例えば、平坦化層２４０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアクリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）、及びポリシロキサン（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）の中から選ばれた少なくとも１種を含んで構成できる。
他の実施形態として、平坦化層２４０は、無機物質を含んで構成してもよく、無機物質及び有機物質の複合形態で構成してもよい。
平坦化層２４０には、ドレイン電極ＤＥの少なくとも一部を露出させる第１コンタクトホールＣＮＴ１が形成される。

画素電極２５０は、平坦化層２４０上に配置される。
画素電極２５０は、第１コンタクトホールＣＮＴ１によって露出したドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。
すなわち、画素電極２５０は、正孔注入電極としてのアノード（ａｎｏｄｅ）である。
画素電極２５０がアノード電極である場合には、画素電極２５０は、容易な正孔注入のために仕事関数の高い物質を含み得る。
また、画素電極２５０は、反射型電極、半透過型電極、又は透過型電極であり得る。
画素電極２５０は、一実施形態として反射性材料を含むことができる。
反射性材料は、一実施形態として、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、及びマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）よりなる群から選ばれた少なくとも１つを含むことができる。

画素電極２５０は、一実施形態として単一膜で形成できるが、これに限定されるものではない。
すなわち、画素電極２５０は、２種以上の物質が積層された多重膜で形成してもよい。
画素電極２５０が多重膜で形成される場合、画素電極２５０は、一実施形態として、反射膜、及び反射膜上に配置される透明又は半透明電極を含む。
他の実施形態として、画素電極２５０は、反射膜、及び反射膜の下部に配置される透明又は半透明電極を含むことができる。
例えば、画素電極２５０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を持つことができるが、これに限定されるものではない。
ここで、透明又は半透明電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_２Ｏ_３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含んで構成され得る。

画素定義膜２６０は、画素電極２５０上に配置される。
画素定義膜２６０は、画素電極２５０の少なくとも一部を露出させる開口部を含む。
画素定義膜２６０は、有機物質又は無機物質を含むことができる。
一実施形態として、画素定義膜２６０は、フォトレジスト、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物、ポリアクリル系樹脂などの材料を含み得る。

有機発光層２７０は、画素電極２５０及び画素定義膜２６０上に配置される。
より詳細には、有機発光層２７０は、画素電極２５０における、画素定義膜２６０の開口部を介して露出する領域上に配置される。
有機発光層２７０は、一実施形態として、画素定義膜２６０の側壁の少なくとも一部を覆い得る。
有機発光層２７０は、一実施形態として、赤、青、及び緑のいずれかの色を発光する。
他の実施形態として、有機発光層２７０は、白色を発光するか、或いはシアン（ｃｙａｎ）、マゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）、及びイエロー（ｙｅｌｌｏｗ）のいずれかの色を発光することもできる。
有機発光層２７０が白色を発光する場合には、有機発光層２７０は、白色発光材料を含むか、或いは、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層が積層された形態を有することにより、白色を発光することもできる。

共通電極２８０は、有機発光層２７０及び画素定義膜２６０上に配置される。
共通電極２８０は、一実施形態として、有機発光層２７０及び画素定義膜２６０上に全面的に形成される。
共通電極２８０は、一実施形態として、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極である。
共通電極２８０は、一実施形態として、Ｌｉ、Ｃａ、Ｌｉｆ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
また、共通電極２８０は、仕事関数の低い材料からなり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、 Ｉｎ_２Ｏ_３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む透明又は半透明電極であり得る。

前述した画素電極２５０、有機発光層２７０及び共通電極２８０は有機発光素子（ＯＬＥＤ）を構成する。
但し、これに限定されるものではなく、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬなどをさらに含む多層構造であり得る。

第２基板２９０は、セルシールＣＳを介して第１基板１００に結合される。
セルシールＣＳについては詳細に後述する。
第２基板２９０は、一実施形態として、透明絶縁基板である。
第２基板２９０が透明絶縁基板である場合には、透明絶縁基板は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などであり得る。

図３を参照すると、第２基板２９０は、リセス領域ＲＡと接触領域ＣＡを含む。
図３は、第２基板２９０の背面を示す。
一実施形態において、リセス領域ＲＡは第２基板２９０における、厚さ方向に陥没した領域であり得る。
ここで、厚さ方向はｚ軸方向である。
接触領域ＣＡは、第２基板２９０における、第１基板１００又は第１基板１００上に配置される絶縁膜と接触する領域として定義される。
接触領域ＣＡは、リセス領域ＲＡを除いた残りの領域である。
リセス領域ＲＡが厚さ方向に陥没した領域であれば、接触領域ＣＡは、陥没していない領域を意味する。

一実施形態において、接触領域ＣＡは、リセス領域ＲＡを少なくとも部分的に囲むように配置される。
図３は、接触領域ＣＡがリセス領域ＲＡの３面を囲むように配置される場合を例示する。
接触領域ＣＡとリセス領域ＲＡは、互いに平行な平坦面であり得る。
ただし、そのレベルが互いに異なる。
本明細書において、「レベルが互いに異なる」とは、二つの平坦面が平行するものの、高低が異なる場合を意味する。
二つの平坦面の高低が互いに異なるので、第２基板２９０は、接触領域ＣＡの端部とリセス領域ＲＡの端部とを結ぶ内側壁ＳＷを含む（図４などを参照）。

再び図３を参照すると、一実施形態において、接触領域ＣＡは「Ｕ」字状を有する。
この場合、リセス領域ＲＡは、３面が接触領域ＣＡによって囲まれるが、残りの一面は接触領域ＣＡに囲まれずに開口される。
つまり、第１基板１００と第２基板２９０とが接触した状態で、第１基板１００と第２基板２９０との間には、接触領域ＣＡによって閉鎖されない開口部ＯＰが設けられる。
この開口部ＯＰは、詳しく後述するが、フリットシールＦＲによって密閉される。

第２基板２９０の厚さは、接触領域ＣＡとリセス領域ＲＡで互いに異なる。
すなわち、接触領域ＣＡは、陥没していない領域を意味するので、接触領域ＣＡにおける第２基板２９０の厚さがリセス領域ＲＡにおける厚さよりも大きい。
一実施形態において、リセス領域ＲＡは、表示領域ＤＡに対応する。
具体的には、表示領域ＤＡは、リセス領域ＲＡに完全に重畳する。
つまり、リセス領域ＲＡは、表示領域ＤＡを完全に収容する。
このため、リセス領域ＲＡの平面面積は、表示領域ＤＡの平面面積と同じかそれより大きい。
接触領域ＣＡには接合領域ＢＡが形成される。
接合領域ＢＡは、後述する接合フィラメントＢＦが形成される領域であり得る。
一実施形態において、接合領域ＢＡは、接触領域ＣＡに沿って配置される。
つまり、接合フィラメントＢＦが形成される領域は、接触領域ＣＡと完全に重畳する。

一実施形態において、接触領域ＣＡの幅（Ｗ＿Ｃ）は、５０μｍ〜３００μｍであり得る。
一実施形態において、接合領域ＢＡは、接触領域ＣＡと完全に重畳する。
つまり、接合領域ＢＡは、接触領域ＣＡの内側に形成される。
一実施形態において、接合領域ＢＡの幅（Ｗ＿Ｂ）は、１０μｍ〜３００μｍであり得る。
但し、安定した接合のために、接触領域ＣＡの幅（Ｗ＿Ｃ）は、接合領域ＢＡの幅（Ｗ＿Ｂ）と同じかそれより大きい。

再び図１を参照して、セルシールＣＳについて説明する。
セルシールＣＳは、第１基板１００と第２基板２９０とを接合させる。
また、セルシールＣＳは、表示領域ＤＡを封止する。
すなわち、第１基板１００及び第２基板２９０がセルシールＣＳによって封止されると、表示領域ＤＡには水分、酸素、又は異物が侵入することができなくなる。
一実施形態において、セルシールＣＳは、接合フィラメントＢＦとフリットシールＦＲを含む。

一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、表示領域ＤＡを少なくとも部分的に囲むように配置される。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、及び右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）にかけて形成される。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、連続的に形成され、これにより表示領域ＤＡを３面で密封する。
具体的には、接合フィラメントＢＦは、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、及び右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）と第２基板２９０の接触領域ＣＡとの間に介在し、第１基板１００と第２基板２９０とを接合させる。

他の実施形態において、接合フィラメントＢＦは、複数のサブ接合フィラメントが集まって形成される。
つまり、図２２に示すように、接合フィラメントＢＦは、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）に沿ってｙ軸方向に延長する第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）、右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）に沿ってｙ軸方向に延長する第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）、及び上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）に沿ってｘ軸方向に延長する第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）を含む。
この場合、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）は、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）にまで延長される。
この場合、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）上に、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）が交差する第１交差点３１０が形成される。

一実施形態において、第１サブ接合フィラメントＢＦ＿１及び第３サブ接合フィラメントＢＦ＿３は、第１交差点３１０を通過して長さ方向にさらに延びることもできる。
同様に、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）及び第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）は、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）にまで延長される。
この場合、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）上に、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）及び第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）が交差する第２交差点３２０が形成される。
一実施形態において、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）及び第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）は、第２交差点３２０を通過して長さ方向にさらに延長され得る。

図４は、図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
図４を参照すると、第１基板１００上に配置される複数の有機発光素子（ＯＬＥＤ）の左側及び右側は第２基板２９０によって閉鎖される。
図４に示すように、接触領域ＣＡは、第１基板１００と接触する。
本明細書において、「接触領域ＣＡは第１基板１００と接触する」とは、接触領域ＣＡが第１基板１００と直接接触する場合のみならず、接触領域ＣＡが第１基板１００上の絶縁膜と接触する場合も含むものと理解できる。
これについての詳細な説明は後述する。
第２基板２９０の高さ（Ｈ＿２９０）が定義される。
第２基板２９０の高さ（Ｈ＿２９０）は、接触領域ＣＡの接触面から第２基板２９０の上面までの高さとして定義される。
一実施形態において、第２基板２９０の高さ（Ｈ＿２９０）は、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであり得る。

これに加えて、リセス領域ＲＡの高さ（Ｈ＿Ｒ）が定義される。
リセス領域ＲＡの高さ（Ｈ＿Ｒ）は、第２基板２９０から陥没した程度を意味し、接触領域ＣＡの表面からリセス領域ＲＡの表面までの距離を意味する。
一実施形態において、リセス領域ＲＡの高さ（Ｈ＿Ｒ）は、５μｍ〜１００μｍであり得る。
一実施形態において、リセス領域ＲＡの高さ（Ｈ＿Ｒ）は、有機発光素子ＯＬＥＤの高さと同じかそれより大きい。
ここで、「有機発光素子ＯＬＥＤの高さ」とは、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が形成された領域のうち、最大の高さを有する部分の高さを意味する。

これにより、リセス領域ＲＡの表面は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）と接するか或いは離間する。
このように接触領域ＣＡの高さとリセス領域ＲＡの高さとの差により、接触領域ＣＡの端部とリセス領域ＲＡの端部とを結ぶ内側壁ＳＷが形成される。
内側壁ＳＷは、図４に示すように、ｚ軸方向に延長される。
但し、これに限定されるものではなく、内側壁ＳＷは、少なくとも部分的に傾いた傾斜面を含むこともできる。

再び図１を参照すると、セルシールＣＳは、フリットシールＦＲを含む。
一実施形態において、フリットシールＦＲは、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）上に配置される。
また、フリットシールＦＲの両端は、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）にまで延長され得る。
つまり、フリットシールＦＲは、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）上で長さ方向（図１のｘ軸方向）に延長したバー（Ｂａｒ）形状を有する。
また、フリットシールＦＲは、駆動集積回路ＩＣと表示領域ＤＡとの間に配置される。
これにより、複数の第１導電ライン１６０は、フリットシールＦＲと少なくとも部分的に重畳する。

フリットシールＦＲは、複数のフリット（ｆｒｉｔ）を含む。
すなわち、フリットシールＦＲは、複数のフリットを溶かして形成した結果物であり得る。
フリットシールＦＲは、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）とリセス領域ＲＡとの間に配置される。
つまり、フリットシールＦＲは、非表示領域ＮＤＡとリセス領域ＲＡとの間に配置され、第１基板１００と第２基板２９０とを接合させる。
一実施形態において、フリットシールＦＲの幅（Ｗ＿Ｆ）は、５９０μｍ〜６１０μｍであり得る。

図５は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図であり、図６は、図１のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。
図５及び図６を参照すると、先立って説明したように、駆動集積回路ＩＣと隣接した部分で、第１基板１００と第２基板２９０との間には開口部ＯＰが設けられる。
一実施形態において、開口部ＯＰは、図６に示すように、フリットシールＦＲによって完全に密封される。

すなわち、図６に示すように、内側壁ＳＷ、リセス領域ＲＡ、及び第１基板１００によって区画された空間である開口部ＯＰがフリットシールＦＲによって完全に埋められて密封される。
開口部ＯＰがフリットシールＦＲによって完全に密封されると、第１基板１００上に配置される有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、セルシールＣＳ、すなわち、接合フィラメントＢＦとフリットシールＦＲによって完全に封止される。
以下、図７を参照して、接合フィラメントＢＦについて詳細に説明する。

図７は、図４の「Ａ」部分を拡大して示す部分拡大図である。
図７を参照すると、接合フィラメントＢＦは、接触領域ＣＡと第１基板１００との間に配置される。
具体的には、接合フィラメントＢＦは、接触領域ＣＡにおいて第１基板１００と第２基板２９０とを物理的に連結する。
接合フィラメントＢＦは、断面上でｚ軸方向に延長される。
また、接合フィラメントＢＦは、ｚ軸方向に延長され、第１基板１００と第２基板２９０との接触領域ＣＡを物理的に連結する。

一実施形態において、第１基板１００及び／又は第２基板２９０は、ガラスから構成される。
この場合、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００及び／又は第２基板２９０をなすガラスと同一の物質から構成される。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦの幅（Ｗ＿Ｂ）は、１０μｍ〜３００μｍであり得る。
接合フィラメントＢＦの幅（Ｗ＿Ｂ）は、既存のフリットを含むシーリング部材（例えば、フリットシールＦＲ）が占める幅に比べて著しく小さい。
よって、フリットを接合フィラメントＢＦに置き換える場合、非表示領域ＮＤＡの面積を減らすことができ、これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができる。

一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、中心部Ｃと周辺部Ｐを含む。
周辺部Ｐは、中心部Ｃを囲むように配置される。
すなわち、図７の断面図に示すように、中心部Ｃの両側には周辺部Ｐが配置される。
接合フィラメントＢＦは、第２基板２９０の接触領域ＣＡと第１基板１００の一部が溶融した後、再結晶されて形成された結果物である。
接合フィラメントＢＦを形成するために第２基板２９０の接触領域ＣＡと第１基板１００の一部を溶融させることは、後述するように、フェムト秒レーザーによってできる。
これについては、後続の工程で詳細に説明する。

一実施形態において、周辺部Ｐと中心部Ｃは、互いに異なる温度で溶融された後に固まった結果物である。
これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは、互いに異なる屈折率を有する。
すなわち、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに異なる光学的特徴を有し、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに区別されて視認できる。
一実施形態において、中心部Ｃの幅ｓ１は、２０μｍ以上７０μｍ以下であり得る。
接合フィラメントＢＦは、第１基板と第２基板２９０とを直接かつ物理的に連結する。
具体的には、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００の一部及び第２基板２９０の一部が溶けて形成されるので、第１基板１００及び第２基板２９０の材料を含む。
すなわち、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００の材料と第２基板２９０の材料が境界なく混ぜられた状態であるか、混ぜられて再結晶された状態であり得る。

一実施形態において、第２基板２９０の接触領域ＣＡは、第１基板１００上に配置される絶縁膜と接触する。
第１基板１００上には少なくとも一つの絶縁膜が配置される。
一実施形態において、絶縁膜は、順次積層された第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を含む。
図７は、第１基板１００上に３つの絶縁膜が示された場合を例示したが、これは例示的なものであり、絶縁膜の数がこれに限定されない。
すなわち、他の実施形態において、絶縁膜は、３層未満であるか、４層以上であり得る。
一実施形態において、第１絶縁膜ＩＬＤ１は、表示領域ＤＡのバッファ層２１０と同一の物質からなり得る。
つまり、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０は、同一の工程で同時に形成される。
但し、これは例示的なものであり、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０の製造方法はこれに限定されるものではない。

一実施形態において、第２絶縁膜ＩＬＤ２は、表示領域ＤＡの第１絶縁層２２０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第２絶縁膜ＩＬＤ２と第１絶縁層２２０は、同一の工程で同時に形成され得る。
一実施形態において、第３絶縁膜ＩＬＤ３は、表示領域ＤＡの第２絶縁層２３０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第３絶縁膜ＩＬＤ３と第２絶縁層２３０は、同一の工程で同時に形成され得る。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００から成長して複数の絶縁膜を貫通する。
すなわち、接合フィラメントＢＦは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を貫通する。

他の実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第２基板２９０から成長して複数の絶縁膜を貫通することができる。
この場合、接合フィラメントＢＦの側面は、複数の絶縁膜の内の少なくとも一つと接触することができる。
これに加えて、接触領域ＣＡのうち、接合フィラメントＢＦが形成された領域を除いた残りの領域は、第１基板１００と接触するか、或いは第１基板１００上に形成された絶縁膜と接触することができる。

図８は、本発明の効果を説明するためのグラフである。
図８は、二枚のガラスを第１レーザー接合ＬＢ１、第２レーザー接合ＬＢ２、第３レーザー接合ＬＢ３、及び第４レーザー接合ＬＢ４で接合したときの強度及び接合幅と、フリット接合ＦＢで接合したときの強度及び接合幅を示す。
第１レーザー接合ＬＢ１、第２レーザー接合ＬＢ２、第３レーザー接合ＬＢ３、及び第４レーザー接合ＬＢ４は、二枚のガラスの間に接合フィラメントを形成して接合した場合である。
第１レーザー接合ＬＢ１、第２レーザー接合ＬＢ２、第３レーザー接合ＬＢ３、及び第４レーザー接合ＬＢ４は、二枚のガラスの種類だけが異なり、フェムト秒レーザーを用いて接合フィラメントを形成する接合方式は同一である。

図８を参照すると、従来のフリット接合ＦＢと比較したとき、接合フィラメントを形成するレーザー接合は、接合幅が１／５レベルでありながら、接合強度は類似する或いは優れる。
つまり、接合フィラメントを形成して二枚のガラスを接合する場合、接合に必要な面積（これは表示装置の非表示領域の面積に影響を及ぼす。）は減少させながらも、接合強度は増加させることができる。
これにより、ナローベゼルを有しながらも、接合強度に優れた表示装置を実現することができる。

以下、本発明の他の実施形態に係る表示装置について説明する。
以下の実施形態において、既に説明した構成と同一の構成については同一の参照番号を付し、重複説明は省略又は簡略化する。
図９は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分平面図であり、図１０は、図９のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。

図９を参照すると、一実施形態において、第２基板２９１にはリセス領域ＲＡと接触領域ＣＡとの間に中間領域ＭＡがさらに定義される。
前述したように、リセス領域ＲＡと接触領域ＣＡは平坦面であり、但し、そのレベルが互いに異なる。
中間領域ＭＡは、リセス領域ＲＡと接触領域ＣＡとの間に配置され、少なくとも部分的に傾斜面を含む。
すなわち、図９に示すように、中間領域ＭＡは、接触領域ＣＡの内側壁ＳＷから始まってリセス領域ＲＡの端部にまで下方傾斜した傾斜面を含む。
これにより、第２基板２９１の厚さは、接触領域ＣＡからリセス領域ＲＡに行くほど漸次減少することができる。

一実施形態において、リセス領域ＲＡは、第２基板２９１を部分的にエッチングして得ることができる。
エッチング過程における、リセス領域ＲＡと接触領域ＣＡとの境界は、図１のように線からなってもよく、図９のように面からなってもよい。
リセス領域ＲＡと接触領域ＣＡの境界は、特に化学的エッチング方式によってリセス領域ＲＡを形成する場合に顕著になることができる。
なぜなら、化学的エッチング方式は、エッチング過程で一定のマージンを必要とし、互いに異なるレベルを持つ２つの平面（接触領域ＣＡとリセス領域ＲＡ）を形成するためには、２つのレベルの中間値を有する中間領域ＭＡが必要であるからである。

接触領域ＣＡが平面上で「Ｕ」字状を有する実施形態において、中間領域ＭＡは、接触領域ＣＡに沿って「Ｕ」字状を有する。
また、中間領域ＭＡは、エッチング過程で形成される緩衝領域であって、コーナー部でラウンド（ｒｏｕｎｄ）された形状を有する。
リセス領域ＲＡは、表示領域ＤＡを完全にカバーする必要があるので、基本的に四角形の形状を有する。
ところが、一実施形態において、中間領域ＭＡの存在により、リセス領域ＲＡはコーナー部で中間領域ＭＡに沿ってラウンドされた形状を有する。

一実施形態において、中間領域ＭＡの幅（Ｗ＿Ｍ）（ここでは、接触領域ＣＡの端部とリセス領域ＲＡの端部との間の距離として定義される。）は、５μｍ〜３０μｍであり得る。
中間領域ＭＡは、リセス領域ＲＡとは異なる厚さを有するので、中間領域ＭＡとリセス領域ＲＡは互いに異なる屈折率を有する。
一実施形態において、中間領域ＭＡの屈折率は、リセス領域ＲＡの屈折率よりも大きい。
これにより、中間領域ＭＡは、リセス領域ＲＡと区別されるように視認できる。

図１１は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。
図１１は、図７の変形例である。
前述したように、接触領域ＣＡは、第１基板１００と直接接触する。
具体的には、接触領域ＣＡで、接合フィラメントＢＦが形成された部分を除いた残りの領域は、第１基板１００と直接接触する。
このような構造は、第１基板１００上で絶縁膜を部分的に除去した後、第２基板２９０を接触させる工程に起因する。

すなわち、このような構造は、第１基板１００の端部近くで絶縁膜を完全に除去した後、第２基板２９０の接触領域ＣＡを第１基板１００と直接接触させた状態で接合フィラメントＢＦを形成することにより得られる。
但し、これは例示的なものであり、このような構造はこのような工程により限定されるものではない。
一実施形態において、第２基板２９０の内側壁ＳＷは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３の中から選択された一つ以上と接触する。

図１１は、第２基板２９０の内側壁ＳＷが第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３と接触する場合を例示する。
但し、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３は、内側壁ＳＷと離隔することもできる。
このように接触領域ＣＡにおける、接合フィラメントＢＦが形成された領域を除いた残りの領域が第１基板１００と直接接する場合、第１基板１００と第２基板２９０との接合性能が向上する。
つまり、接触領域ＣＡと第１基板１００との間に絶縁膜が介在されると、これは接触領域ＣＡと第１基板１００との間の物理的な距離を増加させ、接合性能の低下を引き起こすことができるが、図１１の実施形態はこれを防止することができる。

図１２は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の配置図であり、図１３は、図１２の実施形態の部分平面図であり、図１４は、図１２のＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図であり、図１５は、図１２のＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。
図１２〜図１５を参照すると、一実施形態において、第１基板１００上には二つの駆動集積回路ＩＣが配置される。

説明の便宜上、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）に配置される駆動集積回路を第１駆動集積回路ＩＣ１と呼び、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）に配置される駆動集積回路を第２駆動集積回路ＩＣ２と呼ぶことにする。
第１駆動集積回路ＩＣ１は、先立って図１などで説明した駆動集積回路と実質的に同様なので、これについての詳細な説明は省略する。
表示領域ＤＡで生成する画像が多くなるほど、一つの駆動集積回路で表示領域ＤＡを駆動するのに困難さがあり得る。
この場合、追加の駆動集積回路をさらに配置することができる。

一実施形態において、第２駆動集積回路ＩＣ２は、第１駆動集積回路ＩＣ１と対向するように配置される。
すなわち、第２駆動集積回路ＩＣ２と第１駆動集積回路ＩＣ１との間に表示領域ＤＡが配置される。
第２駆動集積回路ＩＣ２は、表示領域ＤＡの駆動に必要な信号を生成して表示領域ＤＡに伝達する。
このため、第２駆動集積回路ＩＣ２と表示領域ＤＡとの間には複数の第２導電ライン１５０が配置される。
複数の第２導電ライン１５０は、第２駆動集積回路ＩＣ２と表示領域ＤＡとの間に配置され、第２駆動集積回路ＩＣ２で生成された信号を表示領域ＤＡに伝達する。

一実施形態において、フリットシールＦＲは、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシールＦＲ＿２を含む。
第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、長さ方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
一実施形態において、長さ方向は図１２のｘ軸方向であり、これにより、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）と第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、互いに並んだ方向に延長される。

一実施形態において、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）は、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）に配置される。
具体的には、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）は、表示領域ＤＡと第１駆動集積回路ＩＣ１との間に配置される。
これにより、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）は、複数の第１導電ライン１６０と少なくとも部分的に重畳する。
一実施形態において、第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）に配置される。
具体的には、第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、表示領域ＤＡと第２駆動集積回路ＩＣ２との間に配置される。
これにより、第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、複数の第２導電ライン１５０と少なくとも部分的に重畳する。

一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）を含む。
第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は、長さ方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
一実施形態において、長さ方向は図１２のｙ軸方向である。
一実施形態において、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）は、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）に配置される。
但し、これに限定されるものではなく、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）の両端は、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）又は第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）にまで延長され得る。

一実施形態において、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は、右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）に配置される。
但し、これに限定されるものではなく、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）の両端は、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）又は第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）にまで延長され得る。
第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は、接触領域ＣＡと第１基板１００との間に配置される。
一実施形態において、第２基板２９２の接触領域ＣＡは、第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）を含む。

次に、これについての説明のために図１３を参照する。
第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）と第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）は、長さ方向に延長されたバー形状を有する。
一実施形態において、長さ方向は、図１２及び図１３のｙ軸方向である。
第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）と第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）は並んで延長するが、一定の間隔だけ離隔する。
第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）と第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）との間にはリセス領域ＲＡが配置される。
図１３には示していないが、図９で説明したように、第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）とリセス領域ＲＡとの間及び／又は第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）とリセス領域ＲＡとの間には中間領域が配置され得る。

第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）は、第１基板１００と接触する。
第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）と第１基板１００との間には第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）が配置され、第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）と第１基板１００との間には第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）が配置される。
すなわち、表示領域ＤＡを囲むように配置される第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）によって表示領域ＤＡが封止できる。

図１４を参照すると、表示領域ＤＡの上側と下側は、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）によって封止される。
図１３で説明したように、第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）が「１１」字形状に並んで配置されると、リセス領域ＲＡの両端部と第１基板１００との間に第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２が形成される。
第１開口部ＯＰ１は、第１駆動集積回路ＩＣ１と隣接して配置され、第２開口部ＯＰ２は第２駆動集積回路ＩＣ２と隣接して配置される。

第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）は、第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２を密閉する。
具体的には、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）が第１開口部ＯＰ１を密封し、第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）が第２開口部ＯＰ２を密閉する。
これにより、表示領域ＤＡの上側と下側は、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）によって密閉される。

次に、図１５を参照すると、表示領域ＤＡの左側と右側は、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）によって密閉される。
つまり、第２基板２９２の両端部が折り曲げられ、折り曲げられた端部である第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）が第１基板１００と接触する。
第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）と第１基板１００との間には第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）が配置され、第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）と第１基板１００との間には第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）が配置される。
第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）の断面構造は、先立って図７で説明したのと実質的に同一であり得る。

つまり、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は、中心部Ｃと周辺部Ｐを含み、第１基板１００及び第２基板２９２の材料をすべて含み得る。
すなわち、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は、第１基板１００及び第２基板２９２の材料が互いに混ぜられている状態、又は混ぜられて再結晶された状態であり得る。
先立って説明したように、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）、第１サブフリットシール（ＦＲ＿１）及び第２サブフリットシール（ＦＲ＿２）が集まってセルシールＣＳを成す。
セルシールＣＳは、表示領域ＤＡを囲み、表示領域ＤＡを封止する。
これにより、表示領域ＤＡの内部に水分、酸素又は異物が侵入することを遮断する。

図１６は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。
図１６を参照すると、一実施形態において、接合フィラメントは並んで延長される少なくとも二つのサブ接合フィラメントを含む。
図１６では、説明の便宜のために、内側に配置される接合フィラメントを内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と呼び、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の外側に配置される接合フィラメントを外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と呼ぶことにする。

一実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）に比べてリセス領域ＲＡに近く配置される。
すなわち、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）を囲むように配置される。
一実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに離隔する。
離隔した内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は、互いに同じ方向に延長される。
すなわち、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）がｘ軸又はｙ軸に沿って延長される場合、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）に沿ってｘ軸又はｙ軸に延長される（平面図上で）。

一実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、中心部（Ｃ＿Ｉ）、及び中心部（Ｃ＿Ｉ）の外側に配置される周辺部（Ｐ＿Ｉ）を含む。
中心部（Ｃ＿Ｉ）と周辺部（Ｐ＿Ｉ）は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明した接合フィラメントＢＦと同一であり得る。
外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）も同様に、中心部（Ｃ＿Ｏ）と周辺部（Ｐ＿Ｏ）を含む。
中心部（Ｃ＿Ｏ）と周辺部（Ｐ＿Ｏ）は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明した接合フィラメントＢＦと同一であり得る。
すなわち、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とが離隔する場合、接触領域ＣＡと第１基板１００との間には二つの中心部が視認できる。

このように接触領域ＣＡと第１基板１００との間に複数の接合フィラメントを形成する場合、第１基板１００と第２基板２９０をさらに安定的に接合させることができる。
すなわち、両者間の接合力が大きくなることができる。
他の実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは少なくとも部分的に重畳することができる。
すなわち、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部（Ｐ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部（Ｐ＿Ｏ）とが少なくとも部分的に重畳し得る。
但し、この場合でも、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部（Ｃ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部（Ｃ＿Ｏ）とは互いに離隔し、断面上で二つの中心部が視認できる。

別の実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とがさらに近接し得る。
この場合、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部（Ｃ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部（Ｃ＿Ｏ）とは互いに部分的に重畳する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部（Ｃ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部（Ｃ＿Ｏ）とは互いに部分的に重畳すると、断面上で一つの中心部のみが視認される。

図１７は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の部分断面図である。
図１７を参照すると、一実施形態において、接合フィラメントＢＦ３の一部は、リセス領域ＲＡと第１基板１００の表面とを連結する。
詳細に後述するが、第２基板２９０の接触領域ＣＡ又は第１基板１００に焦点を合わせたままでフェムト秒レーザーを照射すると、接合フィラメントＢＦ３が形成される。
接合フィラメントＢＦ３は、互いに接触する界面同士の間で成長することができるが、これとは異なり、一定の間隔離隔した表面を連結することもできる。
つまり、接合フィラメントＢＦ３の一部は、接触領域ＣＡと第１基板１００とを連結し、接合フィラメントＢＦ３の残りの一部は、接触領域ＣＡに隣接したリセス領域ＲＡと第１基板１００とを連結することができる。

図１７は、中心部Ｃ３の外側に配置される周辺部Ｐ３が第１サブ周辺部ＰＣ及び第２サブ周辺部ＰＲを含む場合を示す。
一実施形態において、第１サブ周辺部ＰＣは、接触領域ＣＡと第１基板１００とを連結し、第２サブ周辺部ＰＲはリセス領域ＲＡと第１基板１００とを連結する。
この場合、第２サブ周辺部ＰＲの高さ（Ｈ＿Ｐ）は、リセス領域ＲＡの表面と第１基板１００の表面との間の距離と同じかそれよりに大きい。
図１７は、周辺部Ｐ３が第１基板１００とリセス領域ＲＡとを連結する場合を示すが、これに限定されるものではない。
他の実施形態において、中心部Ｃ３の少なくとも一部が第１基板１００とリセス領域ＲＡとを連結することができる。
図１６及び図１７は、説明の便宜のために絶縁膜を図に示していないが、これに限定されるものではない。
図１６及び図１７の場合も、図７及び図１１で説明したような絶縁膜構造を含むことができる。

以下、本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
以下で説明する構成の一部は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置の構成と同一であり、重複説明を回避するために一部の構成についての説明は省略する。
図１８は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図であり、図１９は、本発明の一実施形態に係る表示装置の部分平面図であり、図２０は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図であり、図２１は、図２０のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図である。

図１８〜図２１を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、表示領域ＤＡ及び該表示領域ＤＡの外側に配置される非表示領域ＮＤＡが定義される第１基板１００、及び第１基板１００と対向する第２基板２９０を準備する段階と、
第１基板１００の非表示領域ＮＤＡと重畳するように第１基板１００又は第２基板２９０上にフリットＦ１を塗布する段階と、
第２基板２９０の一部を厚さ方向に陥没させてリセス領域ＲＡ及び接触領域ＣＡを形成する段階と、
接触領域ＣＡと第１基板１００とを接触させた状態でレーザーを照射して、接触領域ＣＡと第１基板１００とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階と、
フリットＦ１を硬化させてフリットシールＦＲを形成する段階と、を含んでなる。

図１８は、第１基板１００を示す。
第１基板１００は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したものと実質的に同様であり得る。
すなわち、表示領域ＤＡには、それぞれが有機発光素子ＯＬＥＤを含む複数の画素が配置され、非表示領域ＮＤＡは、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）、及び第１〜第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１、ＮＤＡ＿Ｃ２、ＮＤＡ＿Ｃ３、ＮＤＡ＿Ｃ４）に区分される。

第２基板２９０は、第１基板１００と対向する。
第２基板２９０は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同様であり得る。
次いで、第１基板１００の非表示領域ＮＤＡと重畳するように第１基板１００又は第２基板２９０上にフリットＦ１を塗布する段階が行われる。
一実施形態において、フリットＦ１は、第１基板１００又は第２基板２９０上に塗布される。
塗布されたフリットＦ１は、図２０に示すように、第１基板１００と第２基板２９０とが重なり合った状態で下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）に配置される。
つまり、フリットＦ１は、駆動集積回路ＩＣと表示領域ＤＡとの間に配置されるように、かつ、複数の第１導電ライン１６０と少なくとも部分的に重畳するように塗布される。

フリットＦ１は、ガラス粉末を含むペースト形態であり得る。
フリットＦ１は、後で硬化すると、フリットシールＦＲになる。
一実施形態で塗布されたフリットＦ１は、第１基板１００と第２基板２９０とが重なり合った状態で、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｄ）と重畳するように配置される。
また、フリットＦ１の両端は、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）及び／又は第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）にまで延長される。
但し、これに限定されるものではなく、図１２に示すように、表示装置が２つの駆動集積回路を含む場合、フリットＦ１は上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）にも配置され得る。

次に、図１９を参照すると、第２基板２９０の一部を厚さ方向に陥没させてリセス領域ＲＡ及び接触領域ＣＡを形成する段階が行われる。
一実施形態において、第２基板２９０を陥没させる方法は、ウェットエッチング方式によって行われ得る。
但し、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、ドライエッチング方式によるか、或いは機械的に第２基板２９０を削ってリセス領域ＲＡを形成することもできる。
接触領域ＣＡは、リセス領域ＲＡの外側に配置される。
すなわち、接触領域ＣＡは、陥没していない領域として定義される。
接触領域ＣＡは、図３に示すようにリセス領域ＲＡの３面を取り囲むか、或いは、図１３に示すようにリセス領域ＲＡを挟んで「１１」字状に配置される。
また、この段階で、図９に示すように、接触領域ＣＡとリセス領域ＲＡとの間に中間領域ＭＡが形成されてもよい。

次いで、図２０及び図２１を参照すると、接触領域ＣＡと第１基板１００とを接触させた状態でレーザーを照射して、接触領域ＣＡと第１基板１００とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階が行われる。
第１基板１００と対向するように第２基板２９０を配置される。
これにより、表示領域ＤＡは、第２基板２９０のリセス領域ＲＡと完全に重畳する。
接触領域ＣＡは、第１基板１００の非表示領域ＮＤＡと接触する。
すなわち、接触領域ＣＡは、第１基板１００と直接接触するか、或いは第１基板１００上に形成された絶縁膜と接触され得る。

一実施形態において、レーザーを照射して第１基板１００と接触領域ＣＡとの間に接合フィラメントＢＦを形成する。
一実施形態において、レーザーはフェムト秒レーザーであり得る。
本明細書において、フェムト秒レーザーとは、パルス幅が２００フェムト秒以上５００フェムト秒以下であるレーザーを意味する。
一実施形態において、レーザーＬ１は連続的に照射される。
すなわち、図２０に示すように、接触領域ＣＡに沿って連続的に照射される（平面図上で）。
接触領域ＣＡが左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）及び右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）にかけて形成される実施形態において、レーザーＬ１は左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）、及び右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）に沿って照射される（図２０の〔１〕参照）。

図２１を参照すると、レーザーＬ１は、第２基板２９０の上部から第１基板１００に向かって照射される。
一実施形態において、レーザーＬ１の焦点ＦＯ１は、第１基板１００の内部に設定され得る。
説明の便宜のために、焦点深さ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ）の基準を設定する。
第１基板１００の上面は、焦点深さが「０」である地点として定義される。
また、第１基板１００の内部において、第１基板１００の上面からの距離が「ｚ」である地点の焦点深さを「−ｚ」と定義される。

一実施形態において、第１サブレーザーＬ１の焦点深さは、−１００μｍ以上０未満であり得る。
レーザーＬ１が照射されると、第１焦点ＦＯ１を中心に高エネルギーが提供される。
提供されたエネルギーは、第１基板１００及び第２基板２９０の接触領域ＣＡの一部をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００及び第２基板２９０の一部は溶融され、互いに混ぜられた状態で再結晶される。
この過程で接合フィラメントＢＦの中心部Ｃが形成される（図７参照）。
プラズマ化された中心部Ｃの周囲には熱が発生し、この熱は中心部Ｃの周りを溶融させる。
これにより、中心部Ｃを囲むように接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐが形成される。
中心部Ｃと周辺部Ｐは、焦点ＦＯ１を中心としてｚ軸方向に成長する。
これにより、接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐと中心部Ｃは、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する。

図２１は、接触領域ＣＡと第１基板１００とが接触している場合を例示するが、これらに限定されるものではない。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、ｚ軸方向に成長して接触領域ＣＡと第１基板１００とが一定の間隔離隔した場合（絶縁膜によって）にも、第１基板１００と接触領域ＣＡとを連結することができる。
また、図２０の実施形態のように、接合フィラメントＢＦ３は、リセス領域ＲＡの一部と第１基板１００との間の間隔を克服してリセス領域ＲＡと第１基板１００とを連結することができる。
但し、周辺部Ｐと中心部Ｃの溶融温度が互いに異なるため、両者の光学的特性は互いに異なる。
例えば、周辺部Ｐと中心部Ｃの屈折率は互いに異なり、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとが互いに区別されて視認される。

次に、フリットＦ１を硬化させてフリットシールＦＲを形成する段階が行われる。
フリットＦ１の硬化は、フェムト秒レーザーではなく、一般レーザー照射によるか、或いは赤外線照射によって行われ得る。
フリットＦ１にレーザーを照射すると、フリットＦ１は、少なくとも部分的に溶融され、接合性能を持つフリットシールＦＲが形成される。
フリットシールＦＲの配置形状は、先立って本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同様なので、これについての詳細な説明は省略する。

接合フィラメントを形成する工程温度は、フリットシールを形成する工程温度に比べて相対的に高い。
すなわち、導電ラインがあるところに接合フィラメントを形成すると、高温によって導電ラインが損傷するおそれがある。
このように導電ラインと重畳するところはフリットシールを用い、残りの部分で接合フィラメントを用いる場合、ナローベゼルを実現しながらも、導電ラインが熱によって損傷することを防止することができる。
説明の便宜のために接合フィラメントＢＦを先に形成し、フリットシールＦＲを形成するものと説明したが、この順序に限定されるものではない。
すなわち、他の実施形態において、フリットシールＦＲを先ず形成し、接合フィラメントＢＦを後で形成することもできる。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、接触領域ＣＡと第１基板１００とを接触させる段階の前に、第１基板１００上に形成された絶縁膜を部分的に除去する段階を含む（図１１参照）。
先立って図７及び図１１などで説明したように、第１基板１００上には少なくとも一つの絶縁膜が配置される。
一実施形態において、第１基板１００上に配置される絶縁膜を部分的に除去して第１基板１００を露出させる。
絶縁膜が除去されて露出した領域に接触領域ＣＡが接触する。
すなわち、絶縁膜が除去されると、第１基板１００と接触領域とが直接接触する。
他の実施形態において、絶縁膜を除去する段階を省略することができる。
この場合、図７に示すように、接合フィラメントＢＦは、少なくとも一つの絶縁膜を貫通する。

以下、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
図２２は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
図２２を参照すると、接触領域ＣＡと第１基板１００とを接触させた状態でレーザーを照射して、接触領域ＣＡと第１基板１００とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階で、レーザーは断続的に照射される。

具体的には、ｙ軸方向にレーザーを照射して第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）を形成する。
一実施形態において、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）は、接触領域ＣＡと左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）の間に形成され、第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）は接触領域ＣＡと右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）との間に形成される（図２２の〔２〕、〔３〕を参照）。
図１２のように接触領域ＣＡが第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）を含む実施形態においても、これと同様に、ｙ軸方向にレーザーを照射して第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）を形成する。

続いて、ｘ軸方向にレーザーを照射して第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）を形成する。
第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）は、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｕ）にかけて形成される（図２２の〔４〕を参照）。
一実施形態において、第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）は、第１サブ接合フィラメント（ＢＦ＿１）及び第２サブ接合フィラメント（ＢＦ＿２）と交差する。
図１２のように接触領域ＣＡが第１サブ接触領域（ＣＡ＿１）及び第２サブ接触領域（ＣＡ＿２）を含む実施形態では、第３サブ接合フィラメント（ＢＦ＿３）を形成する段階は省略できる。
これにより、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）に第１交差点３１０が形成され、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）に第２交差３２０が形成される。

図２３は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図２３を参照すると、図２１とは異なり、第１基板１００の下部からレーザーＬ２を照射する。
レーザーＬ２は、第１基板１００の下部から第２基板２９０に向かって照射される。
一実施形態において、レーザーＬ２の焦点ＦＯ２は、第２基板２９０の内部に設定できる。

説明の便宜のために、焦点深度（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ）の基準を設定する。
第２基板２９０の接触領域ＣＡの表面は、焦点深度が「０」である地点として定義される。
また、第２基板２９０の接触領域ＣＡの表面から第２基板２９０の内部の一地点までの距離が「ｚ」である地点の焦点深度を「＋ｚ」と定義する。
一実施形態において、レーザーＬ２の焦点深度は、０μｍ以上１００μｍ未満であり得る。
レーザーＬ２が照射されると、焦点ＦＯ２を中心に高エネルギーが提供できる。
提供されるエネルギーは、第１基板１００及び第２基板２９０の接触領域ＣＡの一部をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００と第２基板２９０の一部は溶融され、互いに混ぜられた状態で再結晶される。
この過程で接合フィラメントＢＦの中心部Ｃが形成される（図７参照）。

以上、本発明の実施形態を中心に説明したが、これは例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の実施形態の本質的な特性を逸脱することなく、以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが分かるであろう。
例えば、本発明の実施形態に具体的に示された各構成要素は変形実施することができる。
そして、このような変形と応用に係わる差異点は、添付された請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

１００ 第１基板
１６０ 第１導電ライン
２１０ バッファ層
２２０ 第１絶縁層
２３０ 第２絶縁層
２４０ 平坦化層
２５０ 画素電極
２６０ 画素定義膜
２７０ 有機発光層
２８０ 共通電極
２９０ 第２基板
ＡＣＴ 半導体パターン
ＡＣＴａ、ＡＣＴｂ、ＡＣＴｃ チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域
ＢＡ 接合領域
ＢＦ 接合フィラメント
ＣＡ 接触領域
ＣＮＴ１ 第１コンタクトホール
ＣＳ セルシール
ＣＳ（ＦＲ）
ＤＡ 表示領域
ＤＥ ドレイン電極
ＤＴ スイッチング素子
ＦＲ フリットシール
ＧＥ ゲート電極
ＮＤＡ非表示領域
ＮＤＡ＿（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４） （第１〜第４）コーナー非表示領域
ＮＤＡ＿（Ｕ、Ｄ、Ｌ、Ｒ） （上側、下側、左側、右側）非表示領域
ＲＡ リセス領域
ＰＸ 画素
ＳＥ ソース電極

Claims (20)

1. 表示領域と該表示領域の外側に配置される非表示領域とが定義される第１基板と、
   前記第１基板と対向し、厚さ方向に陥没したリセス領域と該リセス領域の外側に配置される接触領域とを含む第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接合させるセルシールと、を有し、
   前記セルシールは、前記接触領域と前記非表示領域との間に配置され、前記接触領域と前記第１基板とを連結するための接合フィラメントと、前記リセス領域と前記非表示領域との間に配置されるフリットシールと、を含むことを特徴とする表示装置。
2. 前記非表示領域に配置される第１駆動集積回路をさらに有し、
   前記フリットシールは、前記表示領域と前記第１駆動集積回路との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記接触領域の幅は、５０μｍ〜３００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記接合フィラメントは、前記接触領域と少なくとも部分的に重畳することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記接合フィラメントの幅は、１０μｍ〜３００μｍであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２基板は、前記リセス領域と前記接触領とを連結する内側壁をさらに含み、
   前記内側壁、前記リセス領域、及び前記第１基板によって開口部が画定（ｄｅｆｉｎｅ）され、
   前記フリットシールは、前記開口部を充填することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記リセス領域と前記接触領域との間に配置され、前記リセス領域とは異なる屈折率を有する中間領域をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記中間領域の幅は、５μｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記非表示領域は、前記表示領域の上側に配置される上側非表示領域と、前記表示領域の下側に配置される下側非表示領域と、前記表示領域の左側に配置される左側非表示領域と、前記表示領域の右側に配置される右側非表示領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
10. 前記接合フィラメントは、前記上側非表示領域、前記左側非表示領域、及び前記右側非表示領域上に配置され、
    前記フリットシールは、前記下側非表示領域に配置されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記上側非表示領域に配置される第１駆動集積回路と、前記下側非表示領域に配置される第２駆動集積回路と、をさらに有し、
    前記フリットシールは、第１サブフリットシール及び第２サブフリットシールを含み、
    前記第１サブフリットシールは、前記第１駆動集積回路と前記表示領域との間に配置され、
    前記第２サブフリットシールは、前記第２駆動集積回路と前記表示領域との間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
12. 前記接合フィラメントは、第１サブ接合フィラメント及び第２サブ接合フィラメントを含み、
    前記第１サブ接合フィラメントは、前記左側非表示領域に配置され、
    前記第２サブ接合フィラメントは、前記右側非表示領域に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記接合フィラメントは、中心部及び該中心部の外側に配置される周辺部を含み、
    前記中心部の屈折率と前記周辺部の屈折率は、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
14. 前記第１基板上に配置される少なくとも一つの絶縁膜をさらに有し、
    前記接合フィラメントは、前記絶縁膜を貫通して前記接触領域と前記第１基板とを連結することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
15. 前記接触領域の表面から前記リセス領域の表面までの距離は、有機発光素子の高さと同じかそれより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
16. 表示領域と該表示領域の外側に配置される非表示領域とが定義される第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、を準備する段階と、
    前記第１基板の前記非表示領域と重畳するように前記第１基板又は前記第２基板上にフリットを塗布する段階と、
    第２基板の一部を厚さ方向に陥没させてリセス領域と、該リセス領域の外側に配置される接触領域と、を形成する段階と、
    前記接触領域と前記第１基板とを接触させた状態でレーザーを照射して、前記接触領域と前記第１基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階と、
    前記フリットを硬化させてフリットシールを形成する段階と、を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
17. 前記レーザーは、パルス幅が２００フェムト秒以上５００フェムト秒以下であるフェムト秒レーザーであることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記レーザーの焦点は、前記第１基板の内部に設定され、焦点深さは、−１００μｍ以上０未満であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記レーザーの焦点は、前記第２基板の内部に設定され、焦点深さは、０以上１００μｍ未満であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記第１基板に少なくとも一つの絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を除去する段階をさらに有し、
    前記接触領域は、前記絶縁膜が除去された前記第１基板の一部と接触することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

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