JP2004186100A - エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004186100A JP2004186100A JP2002354505A JP2002354505A JP2004186100A JP 2004186100 A JP2004186100 A JP 2004186100A JP 2002354505 A JP2002354505 A JP 2002354505A JP 2002354505 A JP2002354505 A JP 2002354505A JP 2004186100 A JP2004186100 A JP 2004186100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- sealing glass
- sealing
- display device
- desiccant layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims abstract description 50
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- -1 or the like Substances 0.000 description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WBEDMFHOODHFKR-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n'-bis(3-methylphenyl)-1-n,1-n',4-triphenylcyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C2(C=CC(=CC2)C=2C=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 WBEDMFHOODHFKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CJQZHEFAHXZRTI-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.CC=1C=C(C=CC1)NC1=CC=CC=C1 Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.CC=1C=C(C=CC1)NC1=CC=CC=C1 CJQZHEFAHXZRTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrofluoride Chemical compound F.[Si] MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】有機ＥＬパネルの乾燥剤層の剥離や断裂を防止し、温度サイクルに対する信頼性の向上を図る。
【解決手段】格子状に配列された複数のレジストパターン１０１ａをマスクに封止ガラス基板１００をフッ酸でエッチングして、ポケット部１０３を形成する。ポケット部１０３の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１０４が形成される。その後、乾燥剤層１０５を形成する。この粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。
【選択図】 図１
【解決手段】格子状に配列された複数のレジストパターン１０１ａをマスクに封止ガラス基板１００をフッ酸でエッチングして、ポケット部１０３を形成する。ポケット部１０３の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１０４が形成される。その後、乾燥剤層１０５を形成する。この粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置の耐湿性を向上するための封止構造、及び封止構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ：以下、「有機ＥＬ素子」と称する。）は自発光型の発光素子である。この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる新しい表示装置として注目されている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は水分に弱いため、有機ＥＬ表示パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラスキャップで蓋をする構造が提案されている。図８はそのような従来の有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
【０００４】
デバイスガラス基板７０は、その表面に多数の有機ＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。このデバイスガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂７５を用いてデバイス封止用の封止ガラス基板８０と貼り合わされている。封止ガラス基板８０には、上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケット部８１という）がエッチングによって形成されており、このポケット部８１の底部に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層８２が塗布されている。
【０００５】
ここで、ポケット部８１の底部に乾燥剤層８２を形成している理由は、乾燥剤層８２と有機ＥＬ素子１１との間のスペースを確保して、乾燥剤層８２が有機ＥＬ素子７１に接触し、有機ＥＬ素子７１に損傷を与えるのを防止するためである。なお、この種の有機ＥＬ表示装置は、次の特許文献１に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１０２１６６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ表示パネルは、耐湿性と共に、温度変化に対する信頼性を確保する必要がある。そこで、本発明者は、有機ＥＬパネルに対して、温度の上昇・下降を繰り返す温度サイクル実験を実施した。すると、図９に示すように、乾燥剤層８２が封止ガラス基板８０から部分的に剥離して浮き上がったり、あるいは図１０に示すように、乾燥剤層８２が途中から部分的に断裂し、その断裂した乾燥剤片８２Ａが、乾燥剤層８２とデバイスガラス基板７０のとの間に挟まり、有機ＥＬ素子７１が破損するおそれがあることが判明した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上述のような乾燥剤層８２の剥離や断裂を防止するため、鋭意検討をした結果、その発生原因を見出した。すなわち、パネル温度が一旦上昇し、その後下降する過程で、封止ガラス基板８０よりも熱膨張率の大きい乾燥剤層８２に大きな収縮が生じる。一方、封止ガラス基板８０の熱膨張率は小さいので、両者の熱膨張率の差により、乾燥剤層８２の接着面に応力が加わる。この応力が乾燥剤層８２と封止ガラス基板８０との接着力より大きいと乾燥剤層８２の剥離や断裂が生じるのである。したがって、乾燥剤層８２と封止ガラス基板８０との接着力を高めれば、乾燥剤層８２の剥離や断裂を防止することができる。
【０００９】
そこで、本発明は、封止ガラス基板の表面に凹凸が形成されるように粗面化処理を施した後に、乾燥剤層を形成するようにした。この粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。
【００１０】
粗面化処理の方法としては、例えば、▲１▼格子状に配列された複数のレジストパターンをマスクにして封止ガラス基板をフッ酸でエッチングする方法、▲２▼封止ガラス基板をフッ酸でエッチングし、そのエッチングの途中で、フッ酸に腐食生成物の溶解度を著しく下げる物質（例えば、ＮＨ４Ｆ）を添加したエッチング液に切り替える方法（化学的研磨法）▲３▼サンドブラスト法により封止ガラス基板を削る方法（物理的研磨法）▲４▼封止ガラス基板をフッ酸でエッチングしてポケット部を形成し、その後サンドブラス法で凹凸を形成する方法、が挙げられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
第１の実施形態
図１は本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程（ａ）〜（ｅ）を順に示す断面図である。図２は、エレクトロルミネッセンス表示装置の平面図であり、図２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図が、図１（ａ）の断面図に対応し、図２（ｂ）のＹ−Ｙ線断面図が図１（ｅ）の断面図に対応している。
【００１２】
以下、第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について説明する。まず、図１（ａ）、図２（ａ）に示すように、０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に格子状に配列された複数のレジストパターン１０１ａが形成される。そして、ポケット部形成予定領域の周辺には、環状のレジストパターン１０１ｂが形成される。レジストパターン１０１ａ、１０１ｂの下地には、クロムマスク層１０２を形成することが好ましい。これは、後述する封止ガラス基板１００のエッチングの際に、マスクの耐エッチング性を高めるためである。また、複数のレジストパターン１０１ａの幅、及び間隔は、形成する凹凸の高さの２倍程度、例えば１００μｍ程度が好ましい。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングしていく。これはウエットエッチングのため、エッチングは等方的に進行し、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂ、クロムマスク層１０２の下方にサイドエッチングが進行する。すなわち、隣接するレジストパターン１０１ａ、１０１ａの間の領域は谷となり、レジストパターン１０１ａのある領域は山となる。
【００１４】
そして、図１（ｃ）に示すように、さらにエッチングが進行すると、ポケット部１０３が形成される。ポケット部１０３の深さは例えば、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍである。レジストパターン１０１ａは、サイドエッチングの進行により剥離除去され、ポケット部１０３の底部には、複数のレジストパターン１０１ａを反映するように、複数の凹凸１０４が形成される。凹凸１０４の高低差ｈは、レジストパターン１０１ａの粗密に依存するが、１μｍ以上でポケット部１０３の深さ以下である。好ましくは、１μｍ〜３００μｍである。さらに好ましくは、１μｍ〜５０μｍである。これは、後述するアンカー効果を得るのに適している。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、残存したレジストパターン１０１ｂ及びクロムマスク層１０２を除去する。そして、このポケット部１０３に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１０５が塗布形成される。乾燥剤層１０５は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１０３の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１０３の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１０３の底部（すなわち、封止基板１００の表面）には、上記の粗面化処理により、凹凸１０４が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１０５の接着力が高まり、乾燥剤層１０５の剥離等が防止される。
【００１６】
そして、図１（ｅ）に示すように、デバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００（表示パネル）の厚みは、０．７ｍｍ程度である。デバイスガラス基板２００は表示領域を有している。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素毎にＥＬ素子２０１が配置されている。そのような画素の詳細な構造については後述する。そして、デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００１７】
第２の実施形態
図３は本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００１８】
まず、図３（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｃが形成される。レジストパターン１０１ｃは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｃの下地には、第１の実施形態と同様、クロムマスク層１０２を形成することが好ましい。または、耐フッ酸性フィルムでパターン形成してもよい。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すようにレジストパターン１０１ｃ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングして、ポケット部１１０を形成する。ポケット部１１０の深さは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。続いてフッ酸に、腐食生成物（例えばケイフッ酸化物）の溶解度を著しく下げる物質（例えば、ＮＨ４Ｆ）を添加して成るエッチング液を用いてエッチングする。
【００２０】
すると、図３（ｃ）に示すように、腐食生成物（例えばケイフッ酸化物）１１１がポケット部１１０の底部に付着し、腐食生成物１１１の溶解度が著しく下がる。腐食生成物１１１がない所では、封止ガラス基板１００のエッチング速度が速い。これにより、ポケット部１１０の底部には凹凸１１２が形成される。この凹凸１１２の高低差は、腐食生成物１１１の溶解度を著しく下げる物質を添加して成るエッチング液に切り替え後のエッチング時間によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、１μｍ以上でポケット部１１０の深さ以下である。好ましくは１μｍ〜３００μｍであり、さらに好ましくは、１μｍ〜５０μｍである。
【００２１】
次に、図３（ｄ）に示すように、残存したレジストパターン１０１ｃ及びクロムマスク層１０２を除去する。そして、このポケット部１１０に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１１３が塗布形成される。乾燥剤層１１３は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１１０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１１０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１１０の底部（すなわち、封止基板１００の表面）には、上記の粗面化処理により、凹凸１１２が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１１３の接着力が高まり、乾燥剤層１１３の剥離等が防止される。
【００２２】
そして、図３（ｅ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００２３】
第３の実施形態
図４は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００２４】
まず、図４（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｄが形成される。レジストパターン１０１ｄは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｄの下にはクロムマスク層１０２を形成してもよい。または、耐フッ酸性フィルムでパターン形成してもよい。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、封止ガラス基板１００の表面をエッチングし、ポケット部１２０を形成する。これと同時に、ポケット部１２０の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１２１が形成される。ここで、サンドブラスト法は、微小径ノズル１３０を封止ガラス基板１００に沿って移動させながら、微小径ノズル１３０の噴出口からサンド（砂）１３１を高圧で噴出させ、サンド（砂）１３１の物理的衝撃により封止ガラス基板１００の表面をエッチングする方法である。また、微小径ノズル１３０の移動範囲の位置決めが高精度になされていれば、レジストパターン１０１ｄ及びクロムマスク層１０２のようなマスクキングをすることは不要である。
【００２６】
また、凹凸１２１の高低差は、サンド（砂）１３１の種類や粒径、微小径ノズル１３０のサンド噴出圧力によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、前述と同様、１μｍ〜３００μｍ、更には１μｍ〜５０μｍとなるようにそれらを設定することが好ましい。
【００２７】
その後、図４（ｃ）に示すように、このポケット部１２０の底部（エッチングされた封止ガラス基板１００の表面）に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１２２が塗布形成される。乾燥剤層１２２は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１２０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１２０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１２０の底部には、上記の粗面化処理により、凹凸１２１が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１２２の接着力が高まり、乾燥剤層１２２の剥離等が防止される。
【００２８】
そして、図４（ｄ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００２９】
第４の実施形態
図４は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００３０】
まず、図５（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｅが形成される。レジストパターン１０１ｅは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｅの下にはクロムマスク層１０２を形成してもよい。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すようにレジストパターン１０１ｅ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングして、ポケット部１４０を形成する。ポケット部１４０の深さは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。
【００３２】
図５（ｃ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、封止ガラス基板１００の表面をさらにエッチングすると、ポケット部１４０の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１４１が形成される。
【００３３】
凹凸１４１の高低差は、第３の実施形態と同様に、サンド（砂）１３１の種類や粒径、微小径ノズル１３０のサンド噴出圧力によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、前述と同様に、１μｍ〜３００μｍ、更には１μｍ〜５０μｍとなるようにそれらを設定することが好ましい。
【００３４】
その後、図５（ｄ）に示すように、このポケット部１４０に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１４２が塗布形成される。乾燥剤層１４２は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１４０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１４０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１４０の底部には、上記の粗面化処理により、凹凸１４１が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１４２の接着力が高まり、乾燥剤層１４２の剥離等が防止される。
【００３５】
そして、図５（ｅ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００３６】
図６に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００３７】
図６及び図７に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素１１５が形成されており、マトリクス状に配置されている。
【００３８】
この表示画素１１５には、自発光素子である有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料からなる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成っている。
【００３９】
即ち、両信号線５１，５２の交点付近にはスイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源である駆動電源線５３に接続されている。
【００４０】
また、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００４１】
図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトップゲート構造である。
【００４２】
まず、スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。
【００４３】
図７（ａ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。その上に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００４４】
そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００４５】
次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えている。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００４６】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００４７】
なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された構造としている。
【００４８】
有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入されたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、封止ガラス基板の表面に凹凸が形成されるように粗面化処理を施した後に、乾燥剤層を形成するようにしたので、粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。これにより、有機ＥＬパネルの温度サイクルに対する信頼性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図８】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【図９】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【図１０】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１００ 封止ガラス基板
１０１ａ、１０１ｂ レジストパターン
１０２ クロムマスク層
１０３ ポケット部
１０４ 凹凸
１０５ 乾燥剤層
２００デバイスガラス基板
２０１ 有機ＥＬ層
２０２ シール樹脂
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置の耐湿性を向上するための封止構造、及び封止構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ：以下、「有機ＥＬ素子」と称する。）は自発光型の発光素子である。この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる新しい表示装置として注目されている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は水分に弱いため、有機ＥＬ表示パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラスキャップで蓋をする構造が提案されている。図８はそのような従来の有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
【０００４】
デバイスガラス基板７０は、その表面に多数の有機ＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。このデバイスガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂７５を用いてデバイス封止用の封止ガラス基板８０と貼り合わされている。封止ガラス基板８０には、上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケット部８１という）がエッチングによって形成されており、このポケット部８１の底部に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層８２が塗布されている。
【０００５】
ここで、ポケット部８１の底部に乾燥剤層８２を形成している理由は、乾燥剤層８２と有機ＥＬ素子１１との間のスペースを確保して、乾燥剤層８２が有機ＥＬ素子７１に接触し、有機ＥＬ素子７１に損傷を与えるのを防止するためである。なお、この種の有機ＥＬ表示装置は、次の特許文献１に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１０２１６６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ表示パネルは、耐湿性と共に、温度変化に対する信頼性を確保する必要がある。そこで、本発明者は、有機ＥＬパネルに対して、温度の上昇・下降を繰り返す温度サイクル実験を実施した。すると、図９に示すように、乾燥剤層８２が封止ガラス基板８０から部分的に剥離して浮き上がったり、あるいは図１０に示すように、乾燥剤層８２が途中から部分的に断裂し、その断裂した乾燥剤片８２Ａが、乾燥剤層８２とデバイスガラス基板７０のとの間に挟まり、有機ＥＬ素子７１が破損するおそれがあることが判明した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上述のような乾燥剤層８２の剥離や断裂を防止するため、鋭意検討をした結果、その発生原因を見出した。すなわち、パネル温度が一旦上昇し、その後下降する過程で、封止ガラス基板８０よりも熱膨張率の大きい乾燥剤層８２に大きな収縮が生じる。一方、封止ガラス基板８０の熱膨張率は小さいので、両者の熱膨張率の差により、乾燥剤層８２の接着面に応力が加わる。この応力が乾燥剤層８２と封止ガラス基板８０との接着力より大きいと乾燥剤層８２の剥離や断裂が生じるのである。したがって、乾燥剤層８２と封止ガラス基板８０との接着力を高めれば、乾燥剤層８２の剥離や断裂を防止することができる。
【０００９】
そこで、本発明は、封止ガラス基板の表面に凹凸が形成されるように粗面化処理を施した後に、乾燥剤層を形成するようにした。この粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。
【００１０】
粗面化処理の方法としては、例えば、▲１▼格子状に配列された複数のレジストパターンをマスクにして封止ガラス基板をフッ酸でエッチングする方法、▲２▼封止ガラス基板をフッ酸でエッチングし、そのエッチングの途中で、フッ酸に腐食生成物の溶解度を著しく下げる物質（例えば、ＮＨ４Ｆ）を添加したエッチング液に切り替える方法（化学的研磨法）▲３▼サンドブラスト法により封止ガラス基板を削る方法（物理的研磨法）▲４▼封止ガラス基板をフッ酸でエッチングしてポケット部を形成し、その後サンドブラス法で凹凸を形成する方法、が挙げられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
第１の実施形態
図１は本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程（ａ）〜（ｅ）を順に示す断面図である。図２は、エレクトロルミネッセンス表示装置の平面図であり、図２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図が、図１（ａ）の断面図に対応し、図２（ｂ）のＹ−Ｙ線断面図が図１（ｅ）の断面図に対応している。
【００１２】
以下、第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について説明する。まず、図１（ａ）、図２（ａ）に示すように、０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に格子状に配列された複数のレジストパターン１０１ａが形成される。そして、ポケット部形成予定領域の周辺には、環状のレジストパターン１０１ｂが形成される。レジストパターン１０１ａ、１０１ｂの下地には、クロムマスク層１０２を形成することが好ましい。これは、後述する封止ガラス基板１００のエッチングの際に、マスクの耐エッチング性を高めるためである。また、複数のレジストパターン１０１ａの幅、及び間隔は、形成する凹凸の高さの２倍程度、例えば１００μｍ程度が好ましい。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングしていく。これはウエットエッチングのため、エッチングは等方的に進行し、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂ、クロムマスク層１０２の下方にサイドエッチングが進行する。すなわち、隣接するレジストパターン１０１ａ、１０１ａの間の領域は谷となり、レジストパターン１０１ａのある領域は山となる。
【００１４】
そして、図１（ｃ）に示すように、さらにエッチングが進行すると、ポケット部１０３が形成される。ポケット部１０３の深さは例えば、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍである。レジストパターン１０１ａは、サイドエッチングの進行により剥離除去され、ポケット部１０３の底部には、複数のレジストパターン１０１ａを反映するように、複数の凹凸１０４が形成される。凹凸１０４の高低差ｈは、レジストパターン１０１ａの粗密に依存するが、１μｍ以上でポケット部１０３の深さ以下である。好ましくは、１μｍ〜３００μｍである。さらに好ましくは、１μｍ〜５０μｍである。これは、後述するアンカー効果を得るのに適している。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、残存したレジストパターン１０１ｂ及びクロムマスク層１０２を除去する。そして、このポケット部１０３に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１０５が塗布形成される。乾燥剤層１０５は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１０３の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１０３の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１０３の底部（すなわち、封止基板１００の表面）には、上記の粗面化処理により、凹凸１０４が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１０５の接着力が高まり、乾燥剤層１０５の剥離等が防止される。
【００１６】
そして、図１（ｅ）に示すように、デバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００（表示パネル）の厚みは、０．７ｍｍ程度である。デバイスガラス基板２００は表示領域を有している。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素毎にＥＬ素子２０１が配置されている。そのような画素の詳細な構造については後述する。そして、デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００１７】
第２の実施形態
図３は本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００１８】
まず、図３（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｃが形成される。レジストパターン１０１ｃは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｃの下地には、第１の実施形態と同様、クロムマスク層１０２を形成することが好ましい。または、耐フッ酸性フィルムでパターン形成してもよい。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すようにレジストパターン１０１ｃ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングして、ポケット部１１０を形成する。ポケット部１１０の深さは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。続いてフッ酸に、腐食生成物（例えばケイフッ酸化物）の溶解度を著しく下げる物質（例えば、ＮＨ４Ｆ）を添加して成るエッチング液を用いてエッチングする。
【００２０】
すると、図３（ｃ）に示すように、腐食生成物（例えばケイフッ酸化物）１１１がポケット部１１０の底部に付着し、腐食生成物１１１の溶解度が著しく下がる。腐食生成物１１１がない所では、封止ガラス基板１００のエッチング速度が速い。これにより、ポケット部１１０の底部には凹凸１１２が形成される。この凹凸１１２の高低差は、腐食生成物１１１の溶解度を著しく下げる物質を添加して成るエッチング液に切り替え後のエッチング時間によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、１μｍ以上でポケット部１１０の深さ以下である。好ましくは１μｍ〜３００μｍであり、さらに好ましくは、１μｍ〜５０μｍである。
【００２１】
次に、図３（ｄ）に示すように、残存したレジストパターン１０１ｃ及びクロムマスク層１０２を除去する。そして、このポケット部１１０に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１１３が塗布形成される。乾燥剤層１１３は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１１０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１１０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１１０の底部（すなわち、封止基板１００の表面）には、上記の粗面化処理により、凹凸１１２が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１１３の接着力が高まり、乾燥剤層１１３の剥離等が防止される。
【００２２】
そして、図３（ｅ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００２３】
第３の実施形態
図４は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００２４】
まず、図４（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｄが形成される。レジストパターン１０１ｄは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｄの下にはクロムマスク層１０２を形成してもよい。または、耐フッ酸性フィルムでパターン形成してもよい。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、封止ガラス基板１００の表面をエッチングし、ポケット部１２０を形成する。これと同時に、ポケット部１２０の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１２１が形成される。ここで、サンドブラスト法は、微小径ノズル１３０を封止ガラス基板１００に沿って移動させながら、微小径ノズル１３０の噴出口からサンド（砂）１３１を高圧で噴出させ、サンド（砂）１３１の物理的衝撃により封止ガラス基板１００の表面をエッチングする方法である。また、微小径ノズル１３０の移動範囲の位置決めが高精度になされていれば、レジストパターン１０１ｄ及びクロムマスク層１０２のようなマスクキングをすることは不要である。
【００２６】
また、凹凸１２１の高低差は、サンド（砂）１３１の種類や粒径、微小径ノズル１３０のサンド噴出圧力によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、前述と同様、１μｍ〜３００μｍ、更には１μｍ〜５０μｍとなるようにそれらを設定することが好ましい。
【００２７】
その後、図４（ｃ）に示すように、このポケット部１２０の底部（エッチングされた封止ガラス基板１００の表面）に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１２２が塗布形成される。乾燥剤層１２２は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１２０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１２０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１２０の底部には、上記の粗面化処理により、凹凸１２１が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１２２の接着力が高まり、乾燥剤層１２２の剥離等が防止される。
【００２８】
そして、図４（ｄ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００２９】
第４の実施形態
図４は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を順に示す断面図である。なお、図において、図１と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００３０】
まず、図５（ａ）に示すように０．７ｍｍ程度の厚さの封止ガラス基板１００を用意する。封止ガラス基板１００のポケット部が形成される予定領域（以下、ポケット部形成予定領域という）に開口部を有したレジストパターン１０１ｅが形成される。レジストパターン１０１ｅは、ポケット部形成予定領域の周辺に、環状のレジストパターンとして形成される。レジストパターン１０１ｅの下にはクロムマスク層１０２を形成してもよい。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すようにレジストパターン１０１ｅ、クロムマスク層１０２をマスクとして、フッ酸で封止ガラス基板１００の表面をエッチングして、ポケット部１４０を形成する。ポケット部１４０の深さは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。
【００３２】
図５（ｃ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、封止ガラス基板１００の表面をさらにエッチングすると、ポケット部１４０の底部の封止ガラス基板１００の表面には、凹凸１４１が形成される。
【００３３】
凹凸１４１の高低差は、第３の実施形態と同様に、サンド（砂）１３１の種類や粒径、微小径ノズル１３０のサンド噴出圧力によってコントロール可能であるが、アンカー効果を得るためには、前述と同様に、１μｍ〜３００μｍ、更には１μｍ〜５０μｍとなるようにそれらを設定することが好ましい。
【００３４】
その後、図５（ｄ）に示すように、このポケット部１４０に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１４２が塗布形成される。乾燥剤層１４２は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部１４０の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させ、ポケット部１４０の封止ガラス基板１００に接着される。ポケット部１４０の底部には、上記の粗面化処理により、凹凸１４１が形成されているので、アンカー効果により、乾燥剤層１４２の接着力が高まり、乾燥剤層１４２の剥離等が防止される。
【００３５】
そして、図５（ｅ）に示すようにデバイスガラス基板２００が用意される。デバイスガラス基板２００は、封止ガラス基板１００と、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂２０２を用いて貼り合わされる。
【００３６】
図６に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００３７】
図６及び図７に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素１１５が形成されており、マトリクス状に配置されている。
【００３８】
この表示画素１１５には、自発光素子である有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料からなる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成っている。
【００３９】
即ち、両信号線５１，５２の交点付近にはスイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源である駆動電源線５３に接続されている。
【００４０】
また、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００４１】
図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトップゲート構造である。
【００４２】
まず、スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。
【００４３】
図７（ａ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。その上に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００４４】
そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００４５】
次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えている。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００４６】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００４７】
なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された構造としている。
【００４８】
有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入されたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、封止ガラス基板の表面に凹凸が形成されるように粗面化処理を施した後に、乾燥剤層を形成するようにしたので、粗面化処理によりアンカー効果が発揮され、乾燥剤層の封止ガラス基板への接着性が高まり、剥離等が防止される。これにより、有機ＥＬパネルの温度サイクルに対する信頼性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の工程断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図８】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【図９】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【図１０】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１００ 封止ガラス基板
１０１ａ、１０１ｂ レジストパターン
１０２ クロムマスク層
１０３ ポケット部
１０４ 凹凸
１０５ 乾燥剤層
２００デバイスガラス基板
２０１ 有機ＥＬ層
２０２ シール樹脂
Claims (7)
- 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止基板と、前記封止ガラス基板の表面に配置された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記乾燥剤層は表面に凹凸が形成されるように粗面化処理された前記封止基板の表面に配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止基板と、前記封止ガラス基板の表面に配置された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記乾燥剤層は表面にエッチングによりポケット部が形成され、このポケット部の底部に凹凸が形成されるように粗面化処理された前記封止基板の表面に配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記凹凸の高低差が１μｍ〜３００μｍであることを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止ガラス基板と、前記封止ガラス基板の表面に接着された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記封止ガラス基板の表面に、所定の間隔で配列された複数のレジストパターンを形成する工程と、
前記複数のレジストパターンをマスクとして前記封止ガラス基板の表面をエッチングすることで、底面が粗面化されたポケット部を形成する工程と、
前記ポケット部の底部に乾燥剤層を接着する工程と、
前記封止ガラス基板と前記デバイス基板とをシール樹脂を用いて貼り合わせる工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止ガラス基板と、前記封止ガラス基板の表面に配置された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記封止ガラス基板の表面のポケット部が形成される予定領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記封止ガラス基板の表面を、フッ酸を用いてエッチングし、続いてフッ酸に、腐食生成物の溶解度を著しく下げる物質を添加して成るエッチング液を用いてエッチングすることで、底面が粗面化されたポケット部を形成する工程と、
前記ポケット部の底部に乾燥剤層を接着する工程と、
前記封止ガラス基板と前記デバイス基板とをシール樹脂を用いて貼り合わせる工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止ガラス基板と、前記封止ガラス基板の表面に配置された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記封止ガラス基板の表面に、前記封止ガラス基板の表面のポケット部が形成される予定領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしてサンドブラスト法により前記封止ガラス基板の表面をエッチングし、ポケット部を形成すると共に、このポケット部の底面を粗面化する工程と、
前記ポケット部の底部に乾燥剤層を接着する工程と、
前記封止ガラス基板と前記デバイス基板とをシール樹脂を用いて貼り合わせる工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 表面にエレクトロルミネッセンス素子を備えたデバイスガラス基板と、前記デバイスガラス基板と貼り合わされた封止ガラス基板と、前記封止ガラス基板の表面に配置された乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記封止ガラス基板の表面に、前記封止ガラス基板の表面のポケット部が形成される予定領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記封止ガラス基板の表面をエッチングしてポケット部を形成する工程と、
前記サンドブラスト法により前記ポケット部に底面を粗面化する工程と、
前記ポケット部の底部に乾燥剤層を接着する工程と、
前記封止ガラス基板と前記デバイス基板とをシール樹脂を用いて貼り合わせる工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002354505A JP2004186100A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| TW092132678A TWI271114B (en) | 2002-12-06 | 2003-11-21 | Electroluminescence display device and its manufacture |
| CNA2003101188857A CN1536937A (zh) | 2002-12-06 | 2003-12-04 | 电场发光显示装置及其制造方法 |
| KR1020030087861A KR100554610B1 (ko) | 2002-12-06 | 2003-12-05 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10/727,983 US20040160179A1 (en) | 2002-12-06 | 2003-12-05 | Electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002354505A JP2004186100A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004186100A true JP2004186100A (ja) | 2004-07-02 |
Family
ID=32755472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002354505A Pending JP2004186100A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040160179A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004186100A (ja) |
| KR (1) | KR100554610B1 (ja) |
| CN (1) | CN1536937A (ja) |
| TW (1) | TWI271114B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040660A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| JP2006179491A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2009037745A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Canon Inc | 有機ｅｌパネル |
| WO2017159410A1 (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス板及びガラス構造体 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7736936B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming display device that includes removing mask to form opening in insulating film |
| KR101378858B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2014-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인캡슐레이션 기판의 제조방법 |
| KR101446348B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2014-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인캡슐레이션 기판의 제조방법 |
| JP5650388B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2015-01-07 | 三菱電機株式会社 | 有機ｅｌパネル、パネル接合型発光装置、有機ｅｌパネルの製造方法 |
| US9293291B2 (en) * | 2012-08-31 | 2016-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device manufacturing method and carrier substrate for the method |
| KR102566338B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2023-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102624165B1 (ko) | 2018-10-12 | 2024-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490421A (en) * | 1983-07-05 | 1984-12-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Balloon and manufacture thereof |
| US5087246A (en) * | 1988-12-29 | 1992-02-11 | C. R. Bard, Inc. | Dilation catheter with fluted balloon |
| US5147302A (en) * | 1989-04-21 | 1992-09-15 | Scimed Life Systems, Inc. | Method of shaping a balloon of a balloon catheter |
| US5037392A (en) * | 1989-06-06 | 1991-08-06 | Cordis Corporation | Stent-implanting balloon assembly |
| US5318587A (en) * | 1989-08-25 | 1994-06-07 | C. R. Bard, Inc. | Pleated balloon dilatation catheter and method of use |
| US5053007A (en) * | 1989-12-14 | 1991-10-01 | Scimed Life Systems, Inc. | Compression balloon protector for a balloon dilatation catheter and method of use thereof |
| US5163989A (en) * | 1990-08-27 | 1992-11-17 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Method for forming a balloon mold and the use of such mold |
| US5226887A (en) * | 1992-02-07 | 1993-07-13 | Interventional Technologies, Inc. | Collapsible folding angioplasty balloon |
| US5209799A (en) * | 1992-04-17 | 1993-05-11 | Inverventional Technologies, Inc. | Method for manufacturing a folding balloon catheter |
| US5746745A (en) * | 1993-08-23 | 1998-05-05 | Boston Scientific Corporation | Balloon catheter |
| US5350361A (en) * | 1993-11-10 | 1994-09-27 | Medtronic, Inc. | Tri-fold balloon for dilatation catheter and related method |
| US6171278B1 (en) * | 1994-03-02 | 2001-01-09 | Scimed Life Systems, Inc. | Block copolymer elastomer catheter balloons |
| US6146356A (en) * | 1994-03-02 | 2000-11-14 | Scimed Life Systems, Inc. | Block copolymer elastomer catheter balloons |
| US5456666A (en) * | 1994-04-26 | 1995-10-10 | Boston Scientific Corp | Medical balloon folding into predetermined shapes and method |
| US5458572A (en) * | 1994-07-01 | 1995-10-17 | Boston Scientific Corp. | Catheter with balloon folding into predetermined configurations and method of manufacture |
| US5549552A (en) * | 1995-03-02 | 1996-08-27 | Scimed Life Systems, Inc. | Balloon dilation catheter with improved pushability, trackability and crossability |
| US5882334A (en) * | 1995-12-04 | 1999-03-16 | Target Therapeutics, Inc. | Balloon/delivery catheter assembly with adjustable balloon positioning |
| US6071285A (en) * | 1996-03-25 | 2000-06-06 | Lashinski; Robert D. | Rapid exchange folded balloon catheter and stent delivery system |
| US5718684A (en) * | 1996-05-24 | 1998-02-17 | Gupta; Mukesh | Multi-lobed balloon catheter |
| US5928193A (en) * | 1997-10-03 | 1999-07-27 | Boston Scientific Corporation | Balloon catheterization |
| JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6033380A (en) * | 1998-02-13 | 2000-03-07 | Cordis Corporation | Six-pleated catheter balloon and device for forming same |
| US6126652A (en) * | 1998-09-08 | 2000-10-03 | Medtronic Inc. | Catheter balloon refolding tool and method of use |
| JP2001035659A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
| JP3536763B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2004-06-14 | 日本電気株式会社 | 封止装置 |
| DE60221810D1 (de) * | 2001-03-26 | 2007-09-27 | Mach Solutions Inc | Ballonfalttechnologie |
| US7479149B2 (en) * | 2001-10-25 | 2009-01-20 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Balloon configuring apparatus |
| US7951164B2 (en) * | 2002-02-28 | 2011-05-31 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Balloon folding apparatus, methods and products |
| US6835189B2 (en) * | 2002-10-15 | 2004-12-28 | Scimed Life Systems, Inc. | Controlled deployment balloon |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002354505A patent/JP2004186100A/ja active Pending
-
2003
- 2003-11-21 TW TW092132678A patent/TWI271114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-04 CN CNA2003101188857A patent/CN1536937A/zh active Pending
- 2003-12-05 US US10/727,983 patent/US20040160179A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-05 KR KR1020030087861A patent/KR100554610B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040660A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| JP2006179491A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2009037745A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Canon Inc | 有機ｅｌパネル |
| WO2017159410A1 (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス板及びガラス構造体 |
| JPWO2017159410A1 (ja) * | 2016-03-17 | 2019-01-24 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス板及びガラス構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040160179A1 (en) | 2004-08-19 |
| TWI271114B (en) | 2007-01-11 |
| KR100554610B1 (ko) | 2006-02-24 |
| TW200420176A (en) | 2004-10-01 |
| KR20040049806A (ko) | 2004-06-12 |
| CN1536937A (zh) | 2004-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100522074B1 (ko) | 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100564197B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4606677B2 (ja) | デバイスをパターニングするための方法 | |
| KR101581173B1 (ko) | 플렉시블 반도체 장치의 제작 방법 | |
| JP2848383B1 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| TW201440281A (zh) | 可撓式顯示裝置及製造可撓式顯示裝置之方法 | |
| US6930449B2 (en) | Electroluminescent display device with desiccant layer | |
| JP2004186100A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JP4118099B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP4090253B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR100500061B1 (ko) | 전계 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100496578B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100527028B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
| JP2007250459A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JP2011014504A (ja) | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| WO2018173177A1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| KR20070016878A (ko) | 유기 전계발광 표시소자용 모기판 및 이를 이용한 유기전계발광 표시소자의 제조방법 | |
| KR20030072240A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20030072235A (ko) | 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2003257625A (ja) | 表示装置 | |
| JP2004031314A (ja) | 表示装置の製造方法 |