TW202335287A - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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徐佑昔
姜議正
權容焄
金廷泫
宋時準
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Abstract

本揭露提供顯示裝置之製造方法，包含：準備第一基板及第二基板，該第一基板定義顯示區域及設置在該顯示區域外之非顯示區域，該第二基板面對該第一基板；施加玻璃料至該第一基板或該第二基板上以重疊該第一基板之該非顯示區域；藉由在厚度方向上凹陷該第二基板之一部分來形成凹陷區域及設置在該凹陷區域外之接觸區域；藉由在該接觸區域及該第一基板彼此接觸的狀態下照射雷射光束以形成用來連接該接觸區域及該第一基板之結合絲；以及藉由固化該玻璃料形成玻璃料密封。

Description

顯示裝置之製造方法
本案要求於2018年4月13日提交之韓國專利申請第10-2018-0043357號之權益，其整體內容透過引用納入本文作為參考。
本揭露涉及顯示裝置及其製造方法。
隨著多媒體之開發，顯示裝置變得越來越重要。因此，正在發展各種顯示裝置，例如液晶顯示器及有機發光二極體顯示器。
顯示裝置，例如液晶顯示器及有機發光二極體顯示器，透過光的透射來顯示影像。尤其，光的透射率會影響顯示裝置的顯示品質(例如，亮度)。因此，顯示裝置至少部分地包含透明元件，例如玻璃元件。
對於藉由結合複數個透明部件來形成複數堆疊結構來說，實現結合的方法可以是利用密封劑，密封劑可以是液態的或軟膏劑型的黏著劑，或者可以是利用玻璃料或玻璃粉末。
當以密封劑來結合，可藉由提供液體或軟膏型密封劑材料在第一玻璃部件及第二玻璃部件之間，而後固化密封劑材料，使第一玻璃部件及第二玻璃部件彼此結合。
當以玻璃料/玻璃粉末來結合，可藉由提供玻璃料/玻璃粉末型的材料在第一玻璃部件及第二玻璃部件之間，而後熔化及固化該玻璃料/玻璃粉末型的材料，使第一玻璃部件及第二玻璃部件彼此結合。
本揭露之態樣提供了降低由單元密封所佔據之面積之顯示裝置。
本揭露之態樣也提供了改善結合強度之顯示裝置。
本揭露之態樣也提供了降低由單元密封所佔據之面積之顯示裝置的製造方法。
本揭露之態樣也提供了製造改善結合強度之顯示裝置的方法。
然而，本揭露之態樣並不限制於本文所闡述的那樣。藉由參考本揭露以下給出之詳細描述，本揭露之以上及其他態樣對本揭露所屬技術領域具有通常知識者將變得更明顯。
根據本揭露之態樣，提供之顯示裝置包含：第一基板，其定義顯示區域及設置在顯示區域外部之非顯示區域；第二基板，其面對第一基板且包含在厚度方向上凹陷之凹陷區域及設置在凹陷區域外之接觸區域；以及單元密封，其將第一基板及第二基板結合在一起，其中單元密封包含設置在其接觸區域及其非顯示區域兩者之間之結合絲以連接接觸區域及第一基板，以及設置在凹陷區域及非顯示區域之間之玻璃料密封。
較佳地，顯示裝置進一步包含設置在非顯示區域中之第一驅動積體電路，其中玻璃料密封可設置在顯示區域及第一驅動積體電路之間。
較佳地，接觸區域具有約50μm至約300μm之寬度。
較佳地，結合絲至少部分地重疊接觸區域。
較佳地，結合絲具有約10μm至約300μm之寬度。
較佳地，第二基板進一步包含連接凹陷區域及接觸區域之內側壁，其中內側壁、凹陷區域及第一基板定義開口，且玻璃料密封填充該開口。
較佳地，顯示裝置進一步包含設置在凹陷區域及接觸區域之間之中間區域，且中間區域具有與凹陷區域之折射率相異之折射率。
較佳地，中間區域具有約5μm至約30μm之寬度。
較佳地，非顯示區域包含設置在顯示區域之上側之上非顯示區域，設置在顯示區域之下側之下非顯示區域，設置在顯示區域之左側之左非顯示區域及設置在顯示區域之右側之右非顯示區域。
較佳地，結合絲設置在上部非顯示區域、左側非顯示區域及右側非顯示區域之上，且玻璃料密封設置在下部非顯示區域中。
較佳地，顯示裝置進一步包含設置在上部非顯示區域中之第一驅動積體電路以及設置在下部非顯示區域中之第二驅動積體電路，其中玻璃料密封包含第一子玻璃料密封及第二子玻璃料密封，其中第一子玻璃料密封設置在第一驅動積體電路及顯示區域之間，且第二玻璃料密封設置在第二驅動積體電路及顯示區域之間。
較佳地，結合絲包含第一子結合絲及第二子結合絲，其中第一子結合絲設置在左側非顯示區域中，且第二子結合絲設置在右側非顯示區域中。
較佳地，結合絲包含中央部分及設置在中央部分外側之周邊部分，其中中央部分及周邊部分具有相異的折射率。
較佳地，顯示裝置進一步包含設置在第一基板上的一或多個絕緣膜，其中結合絲通過絕緣膜以連接接觸區域及第一基板。
較佳地，從接觸區域之表面至凹陷區域之表面之距離大於或等於設置在顯示區域上之有機發光二極體之高度。
根據本揭露之另一個態樣，提供製造顯示裝置之方法。該方法包含：準備第一基板，第一基板定義顯示區域及設置在顯示區域外之非顯示區域；準備第二基板，第二基板面對第一基板；提供玻璃料至第一基板或第二基板以重疊第一基板之非顯示區域；藉由在厚度方向上凹陷第二基板之一部分來形成凹陷區域及設置在凹陷區域外之接觸區域；藉由在接觸區域及第一基板彼此接觸之狀態下照射雷射光束以形成用於連接接觸區域及第一基板之結合絲；以及藉由固化玻璃料形成玻璃料密封。
較佳地，雷射光束為具有約200飛秒至約500飛秒之脈衝寬度之飛秒雷射光束。
較佳地，雷射光束之聚焦被設定在第一基板內，當第一基板之上表面被定義為聚焦深度之零點時，雷射光束之聚焦之聚焦深度係約-100μm至約小於0μm。
較佳地，雷射光束之聚焦被設定在第二基板內，當第一基板之上表面被定義為聚焦深度之零點時，雷射光束之聚焦之聚焦深度係約0μm至約小於100μm。
較佳地，一或複數個絕緣膜形成在第一基板上，且進一步包含移除絕緣膜，其中接觸區域接觸於其上已移除該絕緣膜或該複數個絕緣膜之該第一基板之一部分。
藉由參考以下實施例之詳細描述及圖式，本發明概念之特徵及達成其之方法可更容易地理解。然而，本發明概念可以許多不同形式實施且不應該被解釋成限制於本文之實施例。反之，提供這些實施例使本揭露將變得徹底且完備，且完全傳達本發明概念之概念至所屬技術領域具有通常知識者，且本發明概念將只藉由所附申請專利範圍來定義。說明書通篇中，相同的元件符號指的是相同元件。
本文使用之術語只用於描述特定實施例之目的，且不意味著限制本發明概念。如本文使用的，單數形式的「一」、「一個」及「該」意味著包含複數形式，包含「至少一」除非其內容另有明確的說明。「至少一」不解釋成「一」或「一個」。「或」表示成「及/或」。本文使用之術語「及/或」包含關聯之列出項目之一個或多個之任何及所有組合。其將進一步理解，當本說明書使用其術語「包括」及/或「包含」，或「包括」及/或「包含」，具體指定特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或構件之存在，但不排除一個或多個其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、構件及/或群組之存在或增加。
應注意的是，當元件或層被稱為「在…上」，「連接到(connected to) 」或「耦合至(coupled to) 」另一元件或層，其可直接在另一元件上，連接至或耦合至另一元件或層或存在中介元件或層。相反的，當元件稱為「直接在…上」，「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層，則不存在中介元件或層。本文使用之術語「及/或」包含所列關聯項目之一或複數個之任何及所有組合。
應注意的是，即使本文使用用語第一、第二等等描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，這些元件、部件、區域、層及/或部分不應限制於這些用語。這些用語只用來區分一個元件、部件、區域、層或部分與另一個區域、層或部分。因此，以下討論之第一元件、部件、區域、層或部分在不脫離本發明概念之教示下可被稱為第二元件、部件、區域、層或部分。
下文中，將藉由參考圖式描述本發明之實施例。
第1圖係繪示根據實施例之顯示裝置之佈局圖。第2圖係繪示沿著第1圖之I-I’線之剖面圖。第3圖係繪示第1圖之顯示裝置之部分平面圖。第4圖係繪示沿著第1圖之II-II’線之剖面圖。第5圖係繪示沿著第1圖之III-III’線之剖面圖。第6圖係繪示沿著第1圖之IV-IV’線之剖面圖。
參照第1圖至第6圖，根據實施例之顯示裝置包含第一基板100、第二基板290及單元密封CS。
在實施例中，第一基板100可包含像是玻璃、石英或聚合物樹酯之材料。此處，聚合物材料可以是聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯、聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(CAT)及乙酸丙酸纖維素(CAP)，或這些材料的組合。
第一基板100可包含顯示區域DA及非顯示區域NDA。
顯示區域DA係定義為顯示影像之區域。用於實現影像之複數個像素PX可設置在顯示區域DA中。
非顯示區域NDA係設置在顯示區域DA之外且定義為不顯示影像之區域。在實施例中，非顯示區域NDA可圍繞顯示區域DA。在第1圖中，非顯示區域NDA圍繞顯示區域DA。然而，本揭露不限制於此情形。在實施例中，非顯示區域NDA可以只與顯示區域DA之一側或另一側相鄰設置，或可在顯示區域DA之兩側中之每一側設置。
為了方便描述，非顯示區域NDA之不同部分將用不同元件符號表示。在實施例中，非顯示區域NDA可包含第1圖中設置在顯示區域DA上部之上部非顯示區域NDA_U、設置在其顯示區域DA下部之下部非顯示區域NDA_D、設置在顯示區域DA左側之左側非顯示區域NDA_L及設置在顯示區域DA右側之右側非顯示區域NDA_R。此外，非顯示區域NDA可包含分別設置在四個角落之第一角落非顯示區域NDA_C1、第二角落非顯示區域NDA_C2、第三角落非顯示區域NDA_C3以及第四角落非顯示區域NDA_C4。
在實施例中，驅動積體電路IC可設置在非顯示區域NDA中。在第1圖中，以將驅動積體電路IC設置在下部非顯示區域NDA_D中做為一示例。
驅動積體電路IC可產生用於驅動顯示區域DA所需之訊號並傳輸所產生之該訊號至顯示區域DA。
複數個第一導線160可設置在驅動積體電路IC及顯示區域DA之間。第一導線160可電性連接驅動積體電路IC及顯示區域DA。換句話說，藉由驅動積體電路IC產生之訊號可經由第一導線160傳輸至顯示區域DA。
如以上描述，複數個像素PX可設置在顯示區域DA中。現在，根據實施例，參考第2圖描述形成在顯示裝置中之部分像素PX的堆疊結構。
緩衝層210可設置在第一基板100上。緩衝層210可防止水氣及氧氣從外部穿透第一基板100。此外，緩衝層210可平坦化第一基板100之表面。在實施例中，緩衝層210可包含氮化矽(SiN x)薄膜、氧化矽(SiO 2)薄膜及氮氧化矽(SiO xN y)薄膜中之任意一個。根據第一基板100之類型或製程條件可省略緩衝層210。
包含有半導體圖樣ACT之半導體層可設置在緩衝層210上。半導體層將根據半導體圖樣ACT來描述。在實施例中，半導體圖樣ACT可由多晶矽、單晶矽、低溫多晶矽、非晶矽及氧化物半導體中之一種來構成，或其中之兩種或更多種之混合來構成。在實施例中，半導體圖樣ACT可包含無雜質摻雜之通道區域ACTa以及雜質摻雜之源極區域ACTb及汲極區域ACTc。源極區域ACTb係位於通道區域ACTa之一側且電性連接至之後將描述之源極電極SE。汲極區域ACTc係位於通道區域ACTa之另一側且電性連接至之後將描述之汲極電極DE。
第一絕緣層220可設置在包含有半導體圖樣ACT之半導體層上。在實施例中，第一絕緣層220可以是閘極絕緣層。在實施例中，第一絕緣層220可由無機絕緣材料和有機絕緣材料中之任意一種來構成，或由其中之一種或更多種之混合來構成，其中，無機絕緣材料可以例如是氧化矽(SiO x)及氮化矽(SiN x)，有機絕緣材料可以例如是苯環丁烯(BCB)、丙烯酸材料及聚醯亞胺。
包含有閘極電極GE之閘極導體可設置在第一絕緣層220上。閘極電極GE可重疊半導體圖樣ACT。閘極導體可包含鋁基金屬(包含鋁合金)、銀基金屬(包含銀合金)、銅基金屬(包含銅合金)、鉬基(Mo)金屬(包含鉬合金)、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉭(Ta)之中之任意一種或多種。
第二絕緣層230可設置在包含有閘極電極GE之閘極導體上。第二絕緣層230可由無機絕緣材料和有機絕緣材料中之任意一種來構成，或由其中之一種或更多種之混合來構成，其中，無機絕緣材料可以例如是氧化矽(SiO x)及氮化矽(SiN x)，有機絕緣材料可以例如是苯環丁烯(BCB)、丙烯酸材料及聚醯亞胺。
包含有源極電極SE及汲極電極DE之資料導體可設置在第二絕緣層230上。源極電極SE及汲極電極DE設置在第二絕緣層230上以彼此區隔開。資料導體可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電的金屬氧化物及透明導電材料之中之一種或更多種。在實施例中，資料導體可以具有單一膜結構，或者是包含鎳、鈷、鈦、銀、銅、鉬(Mo)、鋁、鈹、鈮(Nb)、金、鐵、硒(Se)及鉭(Ta)之一種或多種之複數膜結構。此外，源極電極SE及汲極電極DE可由上述金屬之任意一種以及選自鈦、鋯(Zr)、鎢、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鉑(Pt)、鉿(Hf)、氧(O)及氮(N)中之一種或多種元素所構成之合金構成。
以上所描述之半導體圖樣ACT、閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE組成切換元件DT。在第2圖中，以頂閘型說明切換元件DT。然而，切換元件DT不限於頂閘型。換句話說，可將切換元件DT形成為底閘型。
平坦化層240可設置在資料導體上。其平坦化層240可消除階梯，從而提高像素電極250及之後將描述之有機發光層270之發光效率。在實施例中，平坦化層240可包含有機材料。舉例來說，平坦化層240可包含聚醯亞胺、聚丙烯酸及聚矽氧烷之中之任意一種或多種。在實施例中，平坦化層240可包含有機材料或是無機材料和有機材料之組合物。第一接觸孔CNT1可形成在平坦化層240中以曝露至少一部分汲極電極DE。
像素電極250可設置在平坦化層240上。像素電極250可電性連接至藉由第一接觸孔CNT1曝露之汲極電極DE。換句話說，像素電極250可以是作為電洞注入電極之陽極電極。當其作為陽極時，像素電極250可包含具有高功函數之材料，以促進電洞注入。此外，像素電極250可以是反射式電極、半透射式電極或透射式電極。在實施例中，像素電極250可包含反射式材料。在實施例中，反射式材料可包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鎂-銦(Mg-In)及鎂-銀(Mg-Ag)中之一個或多個。
在實施例中，像素電極250可以形成為單一膜。或者，像素電極250可以形成為具有二種或更多種材料之堆疊的複數膜。
當形成為複數膜時，在實施例中，像素電極250可包含反射膜及設置在反射膜上之透明或半透明電極。在實施例中，像素電極250可包含反射膜及設置在反射膜下之透明或半透明電極。舉例來說，像素電極250可以是具有ITO/Ag/ITO之三層結構。
此處，透明或半透明電極可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In 2O 3)、銦鎵氧化物(IGO)及鋁鋅氧化物(AZO)中之一種或更多種構成。
像素定義層260可設置在像素電極250上。像素定義層260包含至少部分地曝露像素電極250之開口。像素定義層260可包含有機材料或無機材料。在實施例中，像素定義層260可包含像是光阻、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽化合物或聚丙烯酸樹脂之材料。
有機發光層270可設置在像素電極250及像素定義層260上。更具體地，有機發光層270可設置在藉由像素定義層260之開口曝露之像素電極250的一區域上。在實施例中，有機發光層270可至少部分覆蓋像素定義層260之側壁。
在實施例中，有機發光層270可發射紅光、藍光及綠光中的一種。在實施例中，有機發光層270可發射白光或發射青色、洋紅色及黃色光中的一種光。當有機發光層270發射白光，其可包含白光發射材料或可具有紅光發射層、綠光發射層及藍光發射層之堆疊。
共用電極280可設置在有機發光層270及像素定義層260上。在實施例中，共用電極280可以形成在有機發光層270及像素定義層260的整個表面上。在實施例中，共用電極280可為陰極。在實施例中，共用電極280可包含鋰、鈣、氟化鋰 / 鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀及鎂之中的一種或更多種。此外，共用電極280可由具有低功函數之材料構成。在實施例中，共用電極280可以是包含有銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In 2O 3)、銦鎵氧化物(IGO)及鋁鋅氧化物(AZO)中之一種或更多種之透明或半透明電極。
以上所描述之像素電極250、有機發光層270及共用電極280可組成有機發光二極體OLED。然而，有機發光二極體OLED並不限於此配置，而且可以是進一步包含有電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)之多層結構。
第二基板290可藉由單元密封CS結合至第一基板100。單元密封CS將在之後詳細描述。
在實施例中，第二基板290可以是透明絕緣基板。當第二基板290是透明絕緣基板，此透明絕緣基板可以是玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板或其他類似基板。
參照第3圖，第二基板290可包含凹陷區域RA及接觸區域CA。
第3圖係繪示第二基板290之背側。在實施例中，凹陷區域RA可以是第二基板290在厚度方向上凹陷之一區域。此處，厚度方向可以是z軸方向。
接觸區域CA可定義為與第一基板100接觸的第二基板290的一區域，或者是設置在第一基板100上的絕緣膜。
接觸區域CA可以是凹陷區域RA以外的區域。凹陷區域RA是在厚度方向上凹陷的區域，接觸區域可以是非凹陷區域。
在實施例中，接觸區域CA可以至少部分地圍繞凹陷區域RA。在第3圖中，作為一示例，接觸區域CA覆蓋凹陷區域RA之三側。接觸區域CA及凹陷區域RA可以是彼此平行但在相異水平的平坦表面。在本說明書中，當兩平坦表面 “在相異水平”，表示兩平坦表面平行但在不同的高度。當兩平坦表面在高度上相異，第二基板290可包含與接觸區域CA之末端及凹陷區域RA之末端連接的內側壁SW(見第4圖等)。
再次參照第3圖，在實施例中，接觸區域CA可具有“U”形。在此情形中，凹陷區域RA之三側可被接觸區域CA覆蓋，但凹陷區域RA之一側可以是開放的且不被接觸區域CA覆蓋。也就是說，在第一基板100及第二基板係彼此接觸之狀態下，不被接觸區域CA蓋上之開口OP可形成在第一基板100及第二基板290之間。可藉由玻璃料密封FR來密封開口OP (見第5圖)，此將在之後詳細描述。
第二基板290可在接觸區域CA及凹陷區域RA具有不同的厚度。換句話說，由於接觸區域CA並非凹陷區域，第二基板290在接觸區域CA的厚度可以大於第二基板290在凹陷區域RA的厚度。
在實施例中，凹陷區域RA可對應至顯示區域DA。具體地，顯示區域DA可完全被凹陷區域RA重疊。也就是說，凹陷區域RA可完全容納顯示區域DA。為此，凹陷區域RA的平面區域可大於或等於顯示區域DA的平面區域。
結合區域BA可形成在接觸區域CA中。結合區域BA可以是於其內形成有稍後將描述之結合絲BF之區域。在實施例中，結合區域BA可以沿著接觸區域CA設置。也就是說，於其內形成有結合絲BF之區域可與接觸區域CA完全重疊。
在實施例中，接觸區域CA之寬度W_C可以是約50μm至約300μm。在實施例中，結合區域BA可完全重疊接觸區域CA。也就是說，結合區域BA可形成在接觸區域CA內。
在實施例中，結合區域BA之寬度W_B可以是約10μm至約300μm。為了穩定的結合，接觸區域CA之寬度W_C可大於或等於結合區域BA之寬度W_B。
將再次參考第1圖描述單元密封CS。單元密封CS可以將第一基板100及第二基板290結合在一起。此外，單元密封CS可封裝顯示區域DA。也就是說，當單元密封CS密封第一基板100及第二基板290時，水氣、氧氣或異物不能穿透至顯示區域DA中。
在實施例中，單元密封CS可包含結合絲BF及玻璃料密封FR。
在實施例中，結合絲BF可至少部分地圍繞顯示區域DA。在實施例中，結合絲BF可形成在左側非顯示區域NDA_L、第一角落非顯示區域NDA_C1、上部非顯示區域NDA_U、第二角落非顯示區域NDA_C2及右側非顯示區域NDA_R上。
在實施例中，結合絲BF係連續地形成以密封顯示區域DA之三側。具體地，結合絲BF係放在第二基板290之接觸區域CA以及左側非顯示區域NDA_L、第一角落非顯示區域NDA_C1、上部非顯示區域NDA_U、第二角落非顯示區域NDA_C2及右側非顯示區域NDA_R之間以把第一基板100及第二基板290結合在一起。
在實施例中，結合絲BF可由複數個子結合絲組成。也就是說，參照第22圖，結合絲BF可包含沿著左側非顯示區域NDA_L在y軸方向延伸之第一子結合絲BF_1、沿著右側非顯示區域NDA_R在y軸方向延伸之第二子結合絲BF_2及沿著上部非顯示區域NDA_U在x軸方向延伸之第三子結合絲BF_3。
此處，第一子結合絲BF_1及第三子結合絲BF_3可延伸至第一角落非顯示區域NDA_C1。在此情形中，第一子結合絲BF_1及第三子結合絲BF_3相交處之第一交會點310可形成在第一角落非顯示區域NDA_C1內。在實施例中，第一子結合絲BF_1及第三子結合絲BF_3可在縱方向進一步延伸至超越第一交會點310。
同樣地，第二子結合絲BF_2及第三子結合絲BF_3可延伸至第二角落非顯示區域NDA_C2。
在此情形中，第二子結合絲BF_2及第三子結合絲BF_3交叉處之第二交會點320可形成在第二角落非顯示區域NDA_C2內。在實施例中，第二子結合絲BF_2及第三子結合絲BF_3可在縱方向進一步延伸至超越第二交會點320。
第4圖係繪示沿著第1圖之II-II’線之剖面圖。參照第4圖，設置在第一基板100上之複數個有機發光二極體OLED之左側及右側可藉由第二基板290封閉。
如第4圖說明，接觸區域CA可接觸第一基板100。在本說明書中，當“接觸區域CA接觸第一基板100”，可理解成接觸區域CA直接地接觸第一基板100或接觸區域CA接觸形成在第一基板100上之絕緣膜。這將在稍後詳細描述。
可定義第二基板290之高度H_290。第二基板290之高度H_290可定義為從接觸區域CA之接觸表面至第二基板290之上表面的距離。在實施例中，第二基板290之高度H_290可以是約0.3mm至約0.5mm。
此外，可定義凹陷區域RA之高度H_R。凹陷區域RA之高度H_R可顯示凹陷區域RA從第二基板290凹陷之程度，並且表明接觸區域CA之表面至凹陷區域RA之表面之距離。在實施例中，凹陷區域RA之高度H_R可以是約5μm至約100μm。
在實施例中，凹陷區域RA之高度H_R可大於或等於有機發光二極體OLED之高度。此處｢有機發光二極體OLED之高度｣可表示有機發光二極體OLED形成處區域之最高部分之高度。
因此，凹陷區域RA之表面可與有機發光二極體OLED接觸或分隔開。
由於接觸區域CA及凹陷區域RA之間的高度差異，可形成內側壁SW以連接接觸區域CA之末端及凹陷區域RA之末端。內側壁SW可如第4圖所示在z軸方向上延伸。然而，本揭露不限制於此種情形，且內側壁SW也可包含至少部分地傾斜之表面。
再次參照第1圖，單元密封CS可包含玻璃料密封FR。在實施例中，玻璃料密封FR可設置在下部非顯示區域NDA_D中。此外，玻璃料密封FR之兩端可延伸至第三角落非顯示區域NDA_C3及第四角落非顯示區域NDA_C4。也就是說，玻璃料密封FR可具有在下部非顯示區域NDA_D、第三角落非顯示區域NDA_C3及第四角落非顯示區域NDA_C4中沿著縱方向(在第1圖之x軸方向)延伸的條形結構。此外，玻璃料密封FR可設置在驅動積體電路IC及顯示區域DA之間。因此，第一導線160可至少部分地重疊玻璃料密封FR。
玻璃料密封FR可包含複數個玻璃料。換句話說，玻璃料密封FR可以是熔化複數個玻璃料之產物。
玻璃料密封FR可以設置在凹陷區域RA和下部非顯示區域NDA_D、第三角落非顯示區域NDA_C3及第四角落非顯示區域NDA_C4之間。也就是說，玻璃料密封FR可設置在非顯示區域NDA及凹陷區域RA之間以把第一基板100及第二基板290結合在一起。
在實施例中，玻璃料密封FR之寬度W_F可以是約590μm至約610μm。
第5圖係繪示沿著第1圖之III-III’線之剖面圖。第6圖係繪示沿著第1圖之IV-IV’線之剖面圖。參照第5圖及第6圖，如上所述，開口OP可在與驅動積體電路IC相鄰的部分處形成在第一基板100及第二基板290之間。在實施例中，如第6圖所繪示，可藉由玻璃料密封FR完全密封開口OP。
也就是說，如第6圖所繪示，開口OP係藉由內側壁SW、凹陷區域RA及第一基板100定義之空間，並且利用玻璃料密封FR完全填充開口OP。
當藉由玻璃料密封FR完全密封開口OP時，可藉由單元密封CS，也就是結合絲BF及玻璃料密封FR，完全封裝設置在第一基板100上之有機發光二極體OLED。
將參考第7圖詳細描述結合絲BF。
第7圖係繪示第4圖之“A”部分之放大圖。
參照第7圖，結合絲BF可設置在接觸區域CA及第一基板100之間。具體地，結合絲BF可在接觸區域CA中實體地(Physically)連接第一基板100及第二基板290。
在剖面中，結合絲BF可在z軸方向上延伸。此外，結合絲BF可在z軸方向上延伸以實體地連接第一基板100以及第二基板290的接觸區域CA。
在實施例中，第一基板100及/或第二基板290可由玻璃製成。
在此情形中，結合絲BF可以與形成第一基板100及/或第二基板之相同的玻璃材料製成。
在實施例中，結合絲BF之寬度W_B可以是約10μm至約300μm。結合絲BF之寬度W_B明顯小於包含有玻璃料之常規密封構件(例如，玻璃料密封FR)之寬度。因此，如果以結合絲BF取代其玻璃料，可以降低非顯示區域NDA之面積。因此，可實現具有窄邊框之顯示裝置。
在實施例中，結合絲BF可包含中央部分C及周邊部分P。
周邊部分P可圍繞中央部分C。也就是說，如第7圖之剖面圖所繪示，周邊部分P可設置在中央部分C之兩側。
結合絲BF可以是將第二基板290之接觸區域CA以及部分的第一基板100熔化然後再結晶的產物。可藉由飛秒雷射執行第二基板290之接觸區域CA以及部分第一基板100之熔化。這將在之後詳細描述。
在實施例中，周邊部分P及中央部分C可以是在不同溫度下熔化之後硬化之產物。因此，周邊部分P及中央部分C可具有相異的折射率。也就是說，周邊部分P及中央部分C可具有不同的光學特性。因此，可區分周邊部分P及中央部分C。
在實施例中，中央部分C之寬度s1可以是約20μm至約70μm。
結合絲BF可直接地及實體地連接第一基板100及第二基板290。由於結合絲BF係藉由熔化部分第一基板100及部分第二基板290而形成，其可包含第一基板100的材料及第二基板290的材料。也就是說，結合絲BF可包含於其中第一基板100及第二基板290的材料以無任何邊界的方式混合之材料，或可包含以第一基板100及第二基板290的材料再結晶的混合物。
在實施例中，第二基板290之接觸區域CA可接觸設置在第一基板100上之絕緣膜。可在第一基板100上設置一個或更多個絕緣膜。在實施例中，絕緣膜可包含依序堆疊之第一絕緣膜ILD1、第二絕緣膜ILD2及第三絕緣膜ILD3。即使在第7圖中，這三個絕緣膜堆疊在第一基板100上，這僅為示例，且絕緣膜之數量不限制於三個。也就是說，在實施例中，絕緣膜之數量可以是小於三個或可以是四個或更多個。在實施例中，第一絕緣膜ILD1可由與顯示區域DA之緩衝層210相同之材料製成。也就是說，第一絕緣膜ILD1及緩衝層210可在相同的製程中同時形成。然而，這僅為示例，形成第一絕緣膜ILD1及緩衝層210的方法不限制於此示例。
在實施例中，第二絕緣膜ILD2可由與顯示區域DA之第一絕緣層220相同之材料製成。也就是說，第二絕緣膜ILD2及第一絕緣層220可在相同的製程中同時形成。
在實施例中，第三絕緣膜ILD3可由與顯示區域DA之第二絕緣層230相同之材料製成。也就是說，第三絕緣膜ILD3及第二絕緣層230可在相同的製程中同時形成。
在實施例中，結合絲BF可從第一基板100成長至穿過複數個絕緣膜。也就是說，結合絲BF可穿過第一絕緣膜ILD1、第二絕緣膜ILD2及第三絕緣膜ILD3。
在實施例中，結合絲BF可從第二基板290成長至穿過複數個絕緣膜。
在此情形中，結合絲BF之側表面可接觸絕緣膜中之至少一個。
此外，除了結合絲形成之區域之外的接觸區域CA之區域可接觸第一基板100或可接觸形成在第一基板100上之絕緣膜。
第8圖係繪示本揭露之功效之圖表。
第8圖說明當兩片玻璃藉由第一雷射鍵結LB1、第二雷射鍵結LB2、第三雷射鍵結LB3、第四雷射鍵結LB4、及玻璃料鍵結FB結合時之強度及結合寬度。
對於第一雷射鍵結LB1、第二雷射鍵結LB2、第三雷射鍵結LB3以及第四雷射鍵結LB4，藉由在兩片玻璃之間形成結合絲來結合兩片玻璃。第一雷射鍵結LB1、第二雷射鍵結LB2、第三雷射鍵結LB3及第四雷射鍵結LB4只有在兩片玻璃之類型相異且在使用飛秒雷射形成結合絲時相同。
參照第8圖，形成結合絲之雷射鍵結具有常規玻璃料鍵結FB之1/5結合寬度，且其結合強度相似於或高於常規玻璃料鍵結FB。也就是說，當藉由形成結合絲來結合兩片玻璃，可在降低用於結合所需之面積下，同時提高結合強度(其中用於結合所需之面積影響顯示裝置之非顯示區域NDA面積)。因此，可實現具有窄邊框及優異結合強度之顯示裝置。
下文，將根據另一實施例描述顯示裝置。在以下實施例中，和以上那些已經描述之元件相同的元件將以相同的元件符號表示，且將省略這些相同元件的贅述，或簡短描述。
第9圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分平面圖。第10圖係繪示沿著第9圖之V-V’線之剖面圖。
參照第9圖，在實施例中，可進一步在第二基板291之凹陷區RA及接觸區域CA之間定義中間區域MA。
如上所描述，凹陷區域RA及接觸區域CA可為平坦表面，但可在不同水平。
中間區域MA可設置在凹陷區域RA及接觸區域CA之間且可包含至少部分地傾斜之表面。也就是說，如第9圖所繪示，中間區域MA可包含從接觸區域CA之內側壁SW向下延伸至凹陷區域RA之末端之傾斜表面。因此，第二基板291之厚度可從接觸區域CA朝向凹陷區域RA逐漸減小。
在實施例中，可藉由部分蝕刻第二基板291獲得凹陷區域RA。在蝕刻製程中，凹陷區域RA及接觸區域CA之間之邊界可形成為如第1圖所繪示之線或可形成為如第9圖所繪示之平面。當藉由化學蝕刻方法形成凹陷區域RA時，可以使邊界特別明顯。這是因為化學蝕刻方法在蝕刻製程中需要明確之邊界，且需要具有兩水平之中間值之中間區域MA以形成具有相異水平之兩平面(接觸區域CA及凹陷區域RA)。
在實施例中，接觸區域CA在平面圖中具有“U”形，沿著接觸區域CA的中間區域MA也可具有“U”形。此外，中間區域MA可以是在蝕刻製程中形成之緩衝區域且可具有圓角。
由於凹陷區域RA需要完全覆蓋顯示區域DA，其基本上可具有四邊形形狀。然而，由於出現中間區域MA，在實施例中，凹陷區域RA之角落可沿著中間區域MA磨圓。
在實施例中，中間區域MA之寬度W_M(定義為接觸區域CA之內側壁SW及凹陷區域RA之末端之間的距離)可以是約5μm至約30μm。
由於中間區域MA具有與凹陷區域RA之厚度相異之厚度，中間區域MA及凹陷區域RA可具有不同的折射率。在實施例中，中間區域MA之折射率可大於凹陷區域RA之折射率。因此，可區分中間區域MA與凹陷區域RA。
第11圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分剖面圖。
第11圖係繪示第7圖之修改示例。如以上所描述，接觸區域CA可直接接觸第一基板100。具體地，除了形成有結合絲BF之區域外的接觸區域CA區域可直接接觸第一基板100。
可以透過部分地移除設置在第一基板100上之緣絕層，然後使第二基板290接觸第一基板100來產生此結構。也就是說，可藉由完全移除鄰近第一基板100末端之絕緣膜，然後形成結合絲BF以使第二基板290之接觸區域CA直接接觸第一基板100來獲得此結構。然而，這僅只是示例，且不需藉由以上製程來獲得此結構。
在實施例中，第二基板290之內側壁SW可接觸第一絕緣膜ILD1、第二絕緣膜ILD2及第三絕緣膜ILD3中之一個或更多個。
在第11圖中，第二基板290之內側壁SW接觸第一絕緣膜ILD1、第二絕緣膜ILD2及第三絕緣膜ILD3。然而，本揭露不限制於此種情形。在實施例中，第一絕緣膜ILD1、第二絕緣膜ILD2及第三絕緣膜ILD3可與內側壁SW區隔。
當除了形成有結合絲BF之區域外的接觸區域CA 之區域直接接觸第一基板100，可改善第一基板100及第二基板290之結合成果。也就是說，如果在接觸區域CA及第一基板100之間放入絕緣膜，可增加接觸區域CA及第一基板100之間的實體(physical)距離，從而劣化結合性能。然而，這可以在第11圖的實施例中預防。
第12圖係繪示根據實施例之顯示裝置佈局圖。第13圖係繪示第12圖之實施例之部分平面圖。第14圖係繪示沿著第12圖之VI-VI’線之剖面圖。第15圖係繪示沿著第12圖之VII-VII’線之剖面圖。
參照第12圖至第15圖，在實施例中，兩驅動積體電路可設置在第一基板上100上。為了方便說明，設置在下部非顯示區域NDA_D的驅動積體電路將稱為第一驅動積體電路IC1，且設置在上部非顯示區域NDA_U的驅動積體電路將稱為第二驅動積體電路IC2。
第一驅動積體電路IC1係大致上與上述參考第1圖及其他圖式所描述之驅動積體電路相同，因此省略其詳細描述。
當形成在顯示裝置DA中之影像數量增加時，難以只使用一個驅動積體電路驅動顯示裝置DA。在此情形中，可進一步設置額外的驅動積體電路。
在實施例中，第二驅動積體電路IC2可面對第一驅動積體電路IC1設置。也就是說，可在第二驅動積體電路IC2及第一驅動積體電路IC1之間設置顯示區域DA。
第二驅動積體電路IC2可產生用於驅動顯示區域DA所須之訊號並將所產生的訊號傳輸至顯示區域DA。為此，可在第二驅動積體電路IC2及顯示區域DA之間設置複數個第二導線150。可在第二驅動積體電路IC2及顯示區域DA之間設置第二導線150，以傳輸藉由第二驅動積體電路IC2產生之訊號至顯示區域DA。
在實施例中，玻璃料密封可包含第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2。
第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2之每一個具有在縱方向延伸之條形形狀。在實施例中，縱向方向可以是第12圖之x軸方向。因此，第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2可彼此平行延伸。
在實施例中，可在下部非顯示區域NDA_D中設置第一子玻璃料密封FR_1。具體地，可在顯示區域DA及第一驅動積體電路IC1之間設置第一子玻璃料密封FR_1。因此，第一子玻璃料密封FR_1可至少部分地重疊複數個第一導線160。
在實施例中，可在上部非顯示區域NDA_U中設置第二子玻璃料密封FR_2。具體地，可在顯示區域DA及第二驅動積體電路IC2之間設置第二子玻璃料密封FR_2。因此，第二子玻璃料密封FR_2可至少部分地重疊第二導線150。
在實施例中，結合絲BF可包含第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2。
第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2中的每一個可具有在縱向方向延伸之條形形狀。在實施例中，縱向方向可以是第12圖之y軸方向。
在實施例中，第一子結合絲BF_1可設置在左側非顯示區域NDA_L中。或者，第一子結合絲BF_1之兩端可延伸至第一角落非顯示區域NDA_C1或第四角落非顯示區域NDA_C4。
在實施例中，第二子結合絲BF_2可設置在右側非顯示區域NDA_R中。或者，第二子結合絲BF_2之兩端可延伸至第二角落非顯示區域NDA_C2或第三角落非顯示區域NDA_C3。
第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2可設置在接觸區域CA及第一基板100之間。
在實施例中，第二基板292之接觸區域CA可包含第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2。
將參考第13圖描述接觸區域CA。
第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2中的每一個可具有在縱向方向上延伸之條形形狀。在實施例中，縱向方向可以是第12圖及第13圖之y軸方向。
第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2可彼此平行延伸，但可藉由預定距離區隔彼此。
凹陷區域RA可設置在第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2之間。即使在第13圖中未示出，中間區域可設置在第一子接觸區域CA_1及凹陷區域RA之間，及/或在第二子接觸區域CA_2及凹陷區域RA之間，如以上參考第9圖所描述的那樣。
第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2可接觸第一基板100。第一子結合絲BF_1可設置在第一子接觸區域CA_1及第一基板100之間，且第二子結合絲BF_2可設置在第二子接觸區域CA_2及第一基板100之間。
也就是說，可藉由將第一子結合絲BF_1、第二子結合絲BF_2、第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2佈置成圍繞顯示區域DA來封裝顯示區域DA。
參照第14圖，可藉由第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2來封裝顯示區域DA之上部及下部。當第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2如以上參考第13圖所描述的那樣以“11”之形式並排設置時，可在凹陷區域及第一基板100之兩端間形成第一開口OP1及第二開口OP2。可在鄰近第一驅動積體電路IC1處設置第一開口OP1，且可在鄰近第二驅動積體電路IC2處設置第二開口OP2。
第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2可密封第一開口OP1及第二開口OP2。具體地，第一子玻璃料密封FR_1可密封第一開口OP1，且第二子玻璃料密封FR_2可密封第二開口OP2。因此，可藉由第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2密封顯示區域DA之上部及下部。
參照第15圖，可藉由第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2密封顯示區域DA之左側及右側。
也就是說，第二基板292之兩端可彎曲，且作為第二基板292之彎曲端之第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2 可接觸第一基板100。
第一子結合絲BF_1可設置在第一子接觸區域CA_1及第一基板100之間，且第二子結合絲BF_2可設置在第二子接觸區域CA_2及第一基板100之間。
第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2之剖面結構可大致上與以上參考第7圖所描述之結構相同。
也就是說，第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2之每一個可包含中央部分C及周邊部分P，且包含第一基板100之材料及第二基板292之材料。也就是說，第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2之每一個可包含第一基板100之材料及第二基板292之材料之混合物，或第一基板100之材料及第二基板292之材料之再結晶混合物。
第一子結合絲BF_1、第二子結合絲BF_2、第一子玻璃料密封FR_1及第二子玻璃料密封FR_2可組成如上所述之單元密封CS。單元密封CS可圍繞顯示區域DA並封裝顯示區域DA。因此，可防止水氣、氧氣或異物進入顯示區域DA。
第16圖係繪示根據實施例之顯示裝置部分剖面圖。參照第16圖，在實施例中，結合絲可包含至少二個彼此平行延伸之子結合絲。
為了方便描述，在第16圖中，設置在內側之結合絲將稱為內結合絲BF_I，且設置在內結合絲BF_I外側之結合絲將稱為外結合絲BF_O。
在實施例中，可將內結合絲BF_I設置在比外結合絲更靠近凹陷區域RA處。也就是說，外結合絲BF_O可圍繞內結合絲BF_I。
在實施例中，內結合絲BF_I及外結合絲BF_O可彼此區隔。彼此區隔的內結合絲BF_I及外結合絲BF_O可在相同方向上延伸。
也就是說，當內結合絲BF_I沿著x軸或y軸延伸時，外結合絲BF_O可沿著內結合絲BF_I在x軸或y軸方向上延伸(在俯視圖中)。
在實施例中，內結合絲BF_I可包含中央部分C_I及設置在中央部分C_I外之周邊部分P_I。根據實施例，中央部分C_I及周邊部分P_I可與以上所描述的在顯示裝置中的結合絲BF相同。
外結合絲BF_O也可包含中央部分C_O及周邊部分P_O。根據實施例，中央部分C_O及周邊部分P_O可與以上所描述在顯示裝置中的結合絲BF相同。
也就是說，當內結合絲BF_I及外結合絲BF_O彼此區隔開，兩中央部分C_I及C_O在接觸區域CA及第一基板100之間是可視的。
當複數個結合絲如上所描述那樣形成在接觸區域CA及第一基板100之間，第一基板100及第二基板290可更穩定地結合在一起。也就是說，第一基板100及第二基板290兩者之間之結合強度可提高。
在實施例中，內結合絲BF_I及外結合絲BF_O彼此可至少部分地重疊。也就是說，內結合絲BF_I之周邊部分P_I及外結合絲BF_O之周邊部分P_O彼此可至少部分重疊。即使在此情形中，內結合絲BF_I之中央部分C_I及外結合絲BF_O之中央部分C_O可彼此區隔開且在剖面中為可視的。
在實施例中，內結合絲BF_I及外結合絲BF_O彼此可更為靠近。在此情形中，內結合絲BF_I之中央部分C_I及外結合絲BF_O之中央部分C_O彼此可部分重疊。當內結合絲BF_I之中央部分C_I及外結合絲BF_O之中央部分C_O彼此部分重疊時，在剖面中只有一個中央部分是可視的。
第17圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分剖面圖。參照第17圖，在實施例中，部分的結合絲BF3可連接凹陷區域RA及第一基板100之表面。
如之後將詳細描述的那樣，可藉由照射飛秒雷射光束來形成結合絲BF3，只要將飛秒雷射光束聚焦在第二基板290之接觸區域CA或第一基板100上。結合絲BF3可在彼此接觸之介面之間成長，或可連接藉由預定距離區隔開的表面。
也就是說，部分的結合絲BF3可連接接觸區域CA及第一基板100，且結合絲BF3之剩餘部分可連接鄰近接觸區域CA及第一基板100之凹陷區域RA。
在第17圖中，設置在中央部分C3外部之周邊部分P3包含第一子周邊部分PC及第二子周邊部分PR。
在實施例中，第一子周邊部分PC可連接接觸區域CA及第一基板100，且第二子周邊部分PR可連接凹陷區域RA及第一基板100。
在此情形中，第二子周邊部分PR之高度H_P可大於或等於凹陷區域RA之表面及第一基板100之表面之間的距離。
第17圖繪示了周邊部分P3連接第一基板100及凹陷區域RA之情形，本揭露不限制於此種情形。在實施例中，至少部分的中央區域C3可連接第一基板100及凹陷區域RA。
在第16圖及第17圖中，為了方便說明，沒有繪示絕緣膜。然而，第16圖及第17圖之情形也可包含如以上參考第7圖及第11圖所描述之絕緣膜結構。
接下來，將根據實施例描述顯示裝置之製造方法。
以下描述之某些元件可大致上與根據以上所描述之實施例之顯示裝置之元件相同，因此將省略其描述以避免冗餘。
第18圖係繪示根據實施例用於解釋顯示裝置之製造方法之佈局圖。第19圖係繪示根據實施例之顯示裝置部分平面圖。第20圖係繪示根據實施例用於解釋顯示裝置之製造方法之佈局圖。第21圖係繪示沿著第20圖之VIII-VIII’線之剖面圖。
參照第18圖至第21圖，根據實施例，顯示裝置之製造方法包含：準備第一基板100、第二基板290，第一基板100定義了顯示區域DA及設置在顯示區域DA外之非顯示區域NDA，第二基板290面對第一基板100；施加玻璃料至第一基板100或第二基板290以重疊第一基板100之非顯示區域NDA；藉由在厚度方向凹陷部分的第二基板290以形成凹陷區域RA及接觸區域CA；藉由在接觸區域CA及第一基板100彼此接觸之狀態下照射雷射光束，以形成用於連接接觸區域CA及第一基板100之結合絲BF；以及藉由固化玻璃料以形成玻璃料密封FR。
第18圖係繪示第一基板100。第一基板100可大致上與根據以上所描述之實施例之顯示裝置相同。也就是說，可在顯示區域DA中設置每個包含有機發光二極體OLED之複數個像素，且可將非顯示區域NDA分割成上部非顯示區域NDA_U、下部非顯示區域NDA_D、左側非顯示區域NDA_L、右側非顯示區域NDA_R及第一至第四角落非顯示區域NDA_C1至NDA_C4。
第二基板290可面對第一基板100。第二基板290可大致上與根據以上所描述之實施例之顯示裝置相同。
接著，可在第一基板100或第二基板290上施加玻璃料以重疊第一基板100之非顯示區域NDA。
在實施例中，可在第一基板100或第二基板290上施加玻璃料。如第20圖所繪示，所施加之玻璃料可設置在當第一基板100及第二基板290彼此堆疊之狀態下的下部非顯示區域NDA_D中，也就是說，可施加玻璃料以將其設置在驅動積體電路IC及顯示區域DA之間且至少部分重疊複數個第一導線160。玻璃料可以是包含有玻璃粉末的團狀。而後，將玻璃料固化以形成玻璃料密封FR。
在實施例中，所施加之玻璃料可被放置成在第一基板100及第二基板290彼此堆疊之狀態下與下部非顯示區域NDA_D重疊。此外，玻璃料之兩端可延伸至第三角落非顯示區域NDA_C3及/或第四角落非顯示區域NDA_C4。
或者，當顯示裝置包含有如第12圖所繪示之二個驅動積體電路，玻璃料也可被放置在上部非顯示區域NDA_U中。
接著，參照第19圖，第二基板290之一部分可在厚度方向凹陷以形成凹陷區域RA及接觸區域CA。在實施例中，可藉由濕蝕刻法來凹陷第二基板290之一部分。在實施例中，可藉由乾蝕刻法來凹陷第二基板290之一部分，或藉由機械性切割來形成凹陷區域RA以凹陷第二基板290之一部分。
接觸區域CA可設置在凹陷區域RA外。也就是說，接觸區域CA可定義成非凹陷區域。
如第3圖所繪示，接觸區域CA可以環繞凹陷區域RA之三側，或者如第13圖所繪示，接觸區域CA可與凹陷區域RA以｢11｣之形式設置，其中凹陷區域RA係插入在接觸區域CA之部分之間。
此外，在此階段，中間區域MA可如第9圖中所繪示那樣形成在接觸區域CA及凹陷區域RA之間。
接著，參照第20圖及第21圖，可藉由在接觸區域CA及第一基板100彼此接觸之狀態下照射雷射光束形成用於連接接觸區域CA及第一基板100之結合絲BF。
第二基板290可面對第一基板100放置。因此，顯示區域DA可完全被第二基板290之凹陷區域RA重疊。
接觸區域CA可接觸第一基板100之非顯示區域NDA。
也就是說，接觸區域CA可直接接觸第一基板100或接觸形成在第一基板100上之絕緣膜。
在實施例中，可藉由照射雷射光將結合絲BF形成在第一基板100及接觸區域CA之間。
在實施例中，雷射光束可為飛秒雷射光束。在本說明書中，以飛秒雷射光束可來表示具有約200飛秒至約500飛秒之脈衝寬度之雷射光束。
在實施例中，可連續地照射雷射光束L1。也就是說，如第20圖所繪示，雷射光束L1可沿著接觸區域CA連續地照射。在實施例中，當接觸區域CA形成在左側非顯示區域NDA_L、上部非顯示區域NDA_U及右側非顯示區域NDA_R(在俯視圖中)上，雷射光束L1可沿著左側非顯示區域NDA_L、上部非顯示區域NDA_U及右側非顯示區域NDA_R(見第20圖中之①)照射。
參照第21圖，雷射光束L1可從第二基板290上方朝向第一基板100照射。在實施例中，可將雷射光束L1之聚焦FO1設定在第一基板100內。
為了方便描述，將設定聚焦深度。可將第一基板100之上表面定義為聚焦深度為“零＂之點。此外，對於在第一基板100內與第一基板100之上表面距離z之點，其聚焦深度可定義成-z。
在實施例中，雷射光束L1之聚焦深度可以是約-100μm至約小於0μm。當以雷射光束L1照射時，可提供高能量至聚焦FO1周圍。所提供之能量可將部分的第一基板100以及第二基板290的部分接觸區域CA變成電漿狀態。換句話說，部分的第一基板100以及第二基板290的部分接觸區域CA被所提供的能量電漿化。在電漿狀態下的部分的第一基板100以及部分的第二基板290可被熔化且在彼此混合的狀態下再結晶。在此製程中，可形成結合絲BF之中央部分C (見第7圖)。
中央部分C的周圍在電漿狀態下可產生熱，且這些熱可熔化環繞中央部分C的部分。因此，可形成結合絲BF之周邊部分P以圍繞中央部分C。中央部分C及周邊部分P可在z軸方向上環繞聚焦FO1成長。結合絲BF之周邊部分P及中央部分C可連接第一基板100及第二基板290。
在第21圖中，接觸區域CA及第一基板100彼此接觸。然而，本揭露不限制於此種情形。在實施例中，即使當接觸區域CA及第一基板100以預定距離彼此區隔(藉由絕緣膜)，結合絲BF可在z軸方向上成長以連接第一基板100及接觸區域CA。此外，如第17圖之實施例那樣，藉由克服凹陷區域RA及第一基板100之間的間隙，結合絲BF3可將凹陷區域RA及第一基板100連接起來。
由於周邊部分P的熔化溫度及中央部分C的熔化溫度是不同的，周邊部分P及中央部分C的光學特性可以是不同的。舉例來說，周邊部分P的折射率和中央部分C的折射率可以是不同的。因此，可區分周邊部分P及中央部分C。
接著，可藉由固化玻璃料來形成玻璃料密封FR。可藉由一般的雷射照射或紅外光照射來達成玻璃料的固化，而不用飛秒雷射的照射。
當以雷射光束照射玻璃料，可至少部分地熔化玻璃料來形成具有結合功效之玻璃料密封FR。該玻璃料密封FR之設置可大致上與根據以上實施例所描述之顯示裝置的設置相同，因此省略其詳細描述。
用於形成結合絲之製程溫度相較用於形成玻璃料密封之溫度係相對地高。也就是說，當結合絲在設置有導線之部分中形成時，導線可能被高溫損害。因此，藉由在與導線重疊之部分使用玻璃料密封並且在其餘部分使用結合絲，可實現窄邊框並防止熱對導線造成損害。
在形成玻璃料密封FR之前形成結合絲BF之情形已描述於前，這是為了方便描述，但本揭露並不限制於此順序。也就是說，在實施例中，玻璃料密封FR可在結合絲BF形成之前形成。
根據實施例，顯示裝置之製造方法可包含，在接觸區域CA及第一基板100彼此接觸前，部分地移除形成在第一基板100上之絕緣層(見第11圖)。
如以上參考第7圖及第11圖所描述的那樣，可在第一基板100上設置一個或更多個絕緣膜。在實施例中，設置在其第一基板100上之絕緣膜可部分移除以曝露第一基板100。接觸區域CA可與因移除絕緣膜所曝露之第一基板100的區域接觸。也就是說，當移除絕緣膜係時，第一基板100可直接接觸接觸區域CA。
在實施例中，可省略絕緣膜之移除。在此情形中，結合絲BF可如第7圖所示穿過絕緣膜。
現在將根據實施例描述顯示裝置之製造方法。
第22圖係繪示根據實施例之用於解釋顯示裝置之製造方法之佈局圖。
參照第22圖，可藉由在接觸區域CA與第一基板100彼此接觸之狀態下照射雷射光束來形成結合絲BF以連接接觸區域CA及第一基板100。在此操作中，雷射光束可間歇地照射。
具體地，可藉由在y軸方向上照射雷射光束來形成第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2。在實施例中，可在接觸區域CA及左側非顯示區域NDA_L之間形成第一子結合絲BF_1，且可在接觸區域CA及右側非顯示區域NDA_R之間形成第二子結合絲BF_2 (見第22圖中之②及③)。
在實施例中，如第12圖所示，接觸區域CA包含第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2，雷射光束也可在y軸方向上照射以形成第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2。
然後，可藉由在x軸方向上照射雷射光束來形成第三子結合絲BF_3。
可在上部非顯示區域NDA_U上形成第三子結合絲BF_3。
在實施例中，第三子結合絲BF_3可與第一子結合絲BF_1及第二子結合絲BF_2相交。
在如第12圖所示的接觸區域CA包含有第一子接觸區域CA_1及第二子接觸區域CA_2的實施例中，可省略第三子結合絲BF_3之形成。
因此，第一交會點310可形成在第一角落非顯示區域NDA_C1中，且第二交會點320可形成在第二角落非顯示區域NDA_C2中。
第23圖係繪示根據實施例之用於解釋顯示裝置之製造方法之剖面圖。
參照第23圖，不同於第21圖，雷射光束L2可從第一基板100的下方照射。雷射光束L2可從第一基板100下方朝向第二基板290照射。在實施例中，雷射光束L2之聚焦FO2可被設定在第二基板290內。
為了方便描述，將設定聚焦深度。第二基板290之接觸區域CA之表面可定義為聚焦深度為“零＂之點。此外，在第二基板290內與第二基板290之上表面距離z之點之聚焦深度可定義為+z。
在實施例中，雷射光束L2之聚焦深度可以是約0μm至約小於100μm。當照射雷射光束L2時，可對焦點FO2周圍提供高能量。所提供之能量可以把部分的第一基板100以及第二基板290之部分的接觸區域CA變成電漿狀態。在電漿狀態下的部分第一基板100以及部份第二基板290可在其彼此混合之狀態中熔化並再次結晶。在此製程中，可形成結合絲BF之中央部分C (見第7圖)。
根據實施例，可降低單元密封佔據之區域。因此，可實現具有窄邊框之顯示裝置。
此外，可實現具有改善上部基板及下部基板兩者之間之結合強度之顯示裝置。
然而，實施例之效果並不被於本文所描述之效果所限制。藉由參考申請專利範圍，上述實施例之上述效果以及其他的效果對實施例所屬技術領域具通常知識者將變得明顯。
100:第一基板 150:第二導線 160:第一導線 210:緩衝層 220、230:絕緣層 240:平坦化層 250:像素電極 260:像素定義層 270:有機發光層 280:共用電極 290、291、292:第二基板 310、320:交會點 ACT:半導體圖樣 ACTa:通道區域 ACTb:源極區域 ACTc:汲極區域 BA、BA1、BA2:結合區域 BF、BF_1、BF_2、BF3:結合絲 BF_I:內結合絲 BF_O:外結合絲 C、C3、C_I、C_O:中央部分 CA:接觸區域 CA_1、CA_2:子接觸區域 CNT1:第一接觸孔 CS:單元密封 DA:顯示區域 DE:汲極電極 DT:切換元件 FB:玻璃料鍵結 FO1、FO2:聚焦 FR、FR_1、FR_2:玻璃料密封 GE:閘極電極 H_290、H_P、H_R:高度 IC、IC1、IC2:積體電路 ILD1、ILD2、ILD3:絕緣膜 L1、L2:雷射光束 LB1、LB2、LB3、LB4:雷射鍵結 MA:中間區域 NDA、NDA_U、NDA_L、NDA_D、NDA_R、NDA_C1、NDA_C2、NDA_C3、NDA_C4:非顯示區域 OLED:有機發光二極體 OP、OP1、OP2:開口 P、P3、P_I、P_O:周邊部分 PC、PR:子周邊部分 PX:像素 RA:凹陷區域 SE:源極電極 SW:內側壁 S1、W_B、W_C、W_F、W_M:寬度
結合所附圖式以及對實施例之以下描述，這些及/或其他態樣將變得顯而易見及更容易理解。
第1圖係繪示根據實施例之顯示裝置佈局圖；
第2圖係繪示沿著第1圖之I-I’線之剖面圖；
第3圖係繪示第1圖之顯示裝置之部分平面圖；
第4圖係繪示沿著第1圖之II-II’線之剖面圖；
第5圖係繪示沿著第1圖之III-III’線之剖面圖；
第6圖係繪示沿著第1圖之IV-IV’線之剖面圖；
第7圖係繪示第4圖之A部分的放大圖；
第8圖係繪示說明本揭露之效果之圖表；
第9圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分平面圖；
第10圖係繪示沿著第9圖之V-V’線之剖面圖；
第11圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分剖面圖；
第12圖係繪示根據實施例之顯示裝置之佈局圖；
第13圖係繪示第12圖之實施例之部分平面圖；
第14圖係繪示沿著第12圖之VI-VI’線之剖面圖；
第15圖係繪示沿著第12圖之VII-VII’線之剖面圖；
第16圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分剖面圖；
第17圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分剖面圖；
第18圖係繪示根據實施例之用於解釋製造顯示裝置之方法之佈局圖；
第19圖係繪示根據實施例之顯示裝置之部分平面圖；
第20圖係繪示根據實施例之用於解釋製造顯示裝置之方法之佈局圖；
第21圖係繪示沿著第20圖之VIII-VIII’線之剖面圖；
第22圖係繪示根據實施例之用於解釋製造顯示裝置之方法之佈局圖；以及
第23圖係繪示根據實施例之用於解釋製造顯示裝置之方法之剖面圖。
160:第一導線
BF:結合絲
CA:接觸區域
CS:單元密封
DA:顯示區域
FR:玻璃料密封
IC:積體電路
NDA、NDA_U、NDA_L、NDA_D、NDA_R、NDA_C1、NDA_C2、NDA_C3、NDA_C4:非顯示區域
PX:像素
RA:凹陷區域
W_F:寬度

Claims (5)

  1. 一種顯示裝置之製造方法，該方法包含： 準備一第一基板及一第二基板，該第一基板定義一顯示區域及設置在該顯示區域外之一非顯示區域，該第二基板面對該第一基板； 施加一玻璃料至該第一基板或該第二基板上以重疊該第一基板之該非顯示區域； 藉由在一厚度方向上凹陷該第二基板之一部分來形成一凹陷區域及設置在該凹陷區域外之一接觸區域； 藉由在該接觸區域及該第一基板彼此接觸的狀態下照射一雷射光束以形成用來連接該接觸區域及該第一基板之一結合絲；以及 藉由固化該玻璃料形成一玻璃料密封。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束係為具有約200飛秒至約500飛秒之一脈衝寬度之一飛秒雷射光束。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束之一聚焦係被設定在該第一基板內，並且當該第一基板之一上部表面被定義為一聚焦深度之零點時，該聚焦之該聚焦深度係約-100μm至約小於0μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束之一聚焦係被設定在該第二基板之內，並且當該第一基板之一上部表面被定義為一聚焦深度之零點時，該聚焦之該聚焦深度係約0μm至約小於100μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一基板上係形成一或複數個絕緣膜，且進一步包含移除該絕緣膜，其中該接觸區域接觸於其上已移除該絕緣膜或該複數個絕緣膜之該第一基板之一部分。
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