KR102663522B1 - 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시패널은 제1 표시기판, 상기 제1 표시기판 상측에 배치된 제2 표시기판 및 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판을 결합하는 실링부재를 포함한다. 상기 실링부재는 외측 영역 및 상기 외측 영역의 내측에 배치되고 상기 외측 영역보다 낮은 결정화온도를 갖는 내측 영역으 포함하는 프릿 실링부재 및 상기 프릿 실링부재의 내측에 배치된 유기 실링부재를 포함한다.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실링부재를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 특히 표시장치의 내구성을 강화하고, 표시장치의 비표시영역의 면적을 줄이기 위한 연구가 진행되고 있다.
표시장치의 제1 표시기판 및 제2 표시기판을 접착시키기 위하여 실링부재가 사용된다. 표시장치의 충격 강도의 높이며, 수분의 침투를 효과적으로 방지하기 위한 실링부재가 다양하게 개발되고 있다.
본 발명의 목적은 높은 충격 강도를 갖고, 수분의 침투를 효과적으로 방지할 수 있는 표시장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 실링부재의 제조과정에서 발생하는 가스량이 감소된 표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은 화소가 배치된 표시영역 및 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하는 제1 표시기판 및 제2 표시기판을 제공하는 단계, 상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계, 상기 예비 프릿 실링부재의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 결정화하는 단계, 상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계, 상기 예비 프릿 실링부재와 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 배치되고, 상기 예비 유기 실링부재가 상기 예비 프릿 실링부재의 내측에 배치되도록 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계, 상기 예비 프릿 실링부재의 상기 외측 영역을 결정화하는 단계, 및 상기 유기 실링부재를 경화하는 단계를 포함한다.
상기 내측 영역을 결정화하는 단계는 상기 내측 영역에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계에서 상기 예비 프릿 실링부재는 상기 제2 표시기판의 일면 상에 형성되고, 상기 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계에서 상기 예비 유기 실링부재는 상기 제1 표시기판의 일면 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계에서 상기 예비 프릿 실링부재의 상기 내측 영역과 상기 예비 유기 실링부재가 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은 화소가 배치된 표시영역 및 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하는 제1 표시기판 및 제2 표시기판을 제공하는 단계, 상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 제1 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계, 상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 상기 제1 예비 프릿 실링부재의 외측에 배치된 제2 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계, 상기 제1 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계, 상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계, 상기 제1 예비 프릿 실링부재, 상기 제2 예비 프릿 실링부재, 및 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 배치되고, 상기 비표시영역에 중첩하며, 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 예비 프릿 실링부재의 내측에 배치되도록 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계, 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계 및 상기 유기 실링부재를 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%는 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량% 보다 작을 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재는 상기 제2 표시기판의 상기 일면 상에 동시에 형성될 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재는 접촉할 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 가열하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도보다 5℃ 내지 50℃ 낮을 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 240℃ 내지 260℃이고, 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 290℃ 내지 310℃일 수 있다.
상기 가열하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 250℃ 내지 280℃ 로 가열할 수 있다.
상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 390℃ 내지 410℃이고, 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 440℃ 내지 460℃일 수 있다.
상기 가열하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 400℃ 내지 430℃ 로 가열할 수 있다.
상기 제2 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계는 상기 제2 예비 프릿 실링부재에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 표시영역과 비표시영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 회로층, 상기 회로층 상에 배치되고 상기 표시영역에 중첩하는 표시소자들을 포함하는 제1 표시기판, 상기 제1 표시기판 상측에 배치된 제2 표시기판 및 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판을 결합하는 실링부재를 포함할 수 있다. 상기 실링부재는, 외측 영역 및 상기 외측 영역의 내측에 배치되고 상기 외측 영역보다 낮은 결정화온도를 갖는 내측 영역을 포함하는 프릿 실링부재 및 상기 프릿 실링부재의 내측에 배치된 유기 실링부재를 포함할 수 있다.
상기 외측 영역의 결정화온도는 상기 내측 영역의 결정화온도보다 5℃ 내지 50℃ 낮을 수 있다.
상기 회로층은 무기층을 포함하고, 상기 프릿 실링부재는 상기 무기층 및 상기 제2 표시기판의 하면에 접촉할 수 있다.
상기 회로층은 무기층을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 유리기판 및 상기 유리기판의 하면 상에 배치된 버퍼층을 포함하고, 상기 프릿 실링부재는 상기 무기층과 상기 버퍼층에 접촉할 수 있다.
상기 표시소자들은 유기발광소자들을 포함하고, 상기 제1 표시기판은 상기 비표시영역과 중첩하는 엣지부분 및 상기 표시영역과 중첩하며 상기 회로층 상에 배치되고 상기 유기발광소자들에 대응하는 개구부들이 정의된 중심부분을 포함하는 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 유기 실링부재는 상기 엣지부분에 접촉할 수 있다.
상기 회로층은 상기 엣지부분에 중첩하고, 상기 유기발광소자들에 전기적으로 연결된 전원 전극을 포함할 수 있다.
상기 내측 영역의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%는 상기 외측 영역의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량% 보다 작을 수 있다.
상술한 것과 같이, 프릿 실링부재의 내측 영역을 선 결정화함을써 외측 영역의 결정화 단계에서 내측 영역은 열 차단 격벽의 기능을 갖는다. 따라서 외측 영역의 결정화 단계에서 발생한 열로부터 유기 실링부재를 보호될 수 있다. 유기 실링부재의 열 손상을 방지할 수 있고, 유기 실링부재로부터 아웃 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 표시패널이 2종의 프릿 실링부재를 포함함으로써 제조 단계에서 유기 실링부재의 손상을 방지할 수 있다. 소성(sintering) 공정을 통해 내측의 프릿 실링부재를 결정화할 수 있기 때문에 열 차단 격벽 기능을 갖는 내측 영역의 제어가 용이하다. 유기 실링부재의 열 손상을 방지할 수 있고, 유기 실링부재로부터 아웃 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법에 이용되는 제1 작업 기판을 도시한 평면도이다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법에 이용되는 제2 작업 기판을 도시한 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은f 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들 의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시패널(DP)은 액정 표시 패널(liqid crystal display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel), 및 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시패널(DP)는 샤시부재 또는 몰딩부재를 더 포함할 수 있고, 표시패널(DP)의 종류에 따라 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 표시패널(DP)은 제1 표시기판(DS, 또는 하부 표시기판) 및 제1 표시기판(DS) 마주하며 이격된 제2 표시기판(ES, 또는 상부 표시기판)을 포함할 수 있다. 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES) 사이에는 소정의 셀갭(GP)이 형성될 수 있다. 셀갭(GP)은 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)을 결합하는 실링부재(S-I, S-O)에 의해 유지될 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 표시면(DP-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DP-IS)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)가 미배치된다. 비표시영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 표시영역(DA)은 비표시영역(NDA)에 의해 에워싸일수 있다.
표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시패널(DP)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함할 수도 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 실링부재(S-I, S-O)는 비표시영역(NDA)에 중첩한다. 실링부재(S-I, S-O)는 프릿 실링부재(S-I)와 유기 실링부재(S-O)를 포함한다. 프릿 실링부재(S-I)는 유기 실링부재(S-O)의 외측에 배치된다. 프릿 실링부재(S-I)는 표시패널(DP)의 측면과 정렬될 수 있다. 프릿 실링부재(S-I)와 유기 실링부재(S-O) 각각은 평면상에서 폐라인 형상을 가질 수 있다.
프릿 실링부재(S-I)는 프릿을 포함한다. 프릿은 결정화된 베이스 유리(또는 모 유리(mother glass))를 포함할 수 있다. 결정화된 베이스 유리란 완전한 결정화(crystanlline)뿐만 아니라 부분 결정화(semi-crystanlline)를 포함한다.
베이스 유리는 바나듐계열 또는 팔라듐 계열일 수 있다. 베이스 유리는 산화 텔루륨, 산화 아연, 산화 바륨 등을 더 포함할 수 있다. 프릿 실링부재(S-I)는 필러를 더 포함할 수 있다. 필러는 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 필러는 모유리 내에 분산 배치되어 결정화된 베이스 유리의 형태를 유지하는 역할을 한다.
프릿 실링부재(S-I)는 표시패널(DP)의 외부로부터 셀갭(GP)으로 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지한다. 프릿 실링부재(S-I)는 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
유기 실링부재(S-O)는 합성수지, 예컨대 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 유기 실링부재(S-O)는 비스페놀-에프(Bisphenol-F)와 같은 자외선 경화제를 더 포함하거나, 비스페놀-에이(Bisphenol-A), 아크릴(Acryl), 페닐 실리콘(Phenyl silicone)과 같은 첨가 물질을 더 포함할 수 있다. 유기 실링부재(S-O)는 탄성을 갖기 때문에 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES) 사이의 응력을 완화시킬 수 있고, 표시패널(DP)이 낙하했을 때 발생하는 외부의 충격을 흡수할 수 있다. 또한, 낙하에 의해 프릿 실링부재(S-I)에 인접한 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)의 일부 영역에 크랙이 발생하더라도 크랙이 성장하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 신호라인들(SGL) 및 화소들(PX)의 평면상 배치관계를 도시하였다. 신호라인들(SGL)은 복수 개의 게이트 라인들(GL), 복수 개의 데이터 라인들(DL)을 포함할 수 있다.
화소들(PX) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL) 중 대응하는 게이트 라인과 복수 개의 데이터 라인들(DL) 중 대응하는 데이터 라인에 연결된다. 화소들(PX) 각각은 화소 구동회로 및 표시소자를 포함할 수 있다. 화소들(PX)의 화소 구동회로의 구성에 따라 더 많은 종류의 신호라인이 표시패널(DP)에 구비될 수 있다.
매트릭스 형태의 화소들(PX)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 화소들(PX)은 펜타일 형태로 배치될 수 있다. 화소들(PX)은 다이아몬드 형태로 배치될 수 있다.
비표시영역(NDA)의 일 측에는 게이트 라인들(GL)이 연결된 게이트 구동회로(DCV)가 배치될 수 있다. 제어신호 라인(CSL)은 게이트 구동회로(DCV)에 제어신호들을 제공할 수 있다. 게이트 구동회로(DCV)는 OSG(oxide silicon gate driver circuit) 또는 ASG(amorphose silicon gate driver circuit) 공정을 통해 표시패널(DP)에 집적화될 수 있다. 게이트 구동회로(DCV)는 복수 개의 트랜지스터들, 전극, 및 배선들을 포함할 수 있다. 복수 개의 트랜지스터들은 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 스캔신호들을 출력하는 스테이지 회로를 구성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 확대된 단면을 도시한 단면도이다.
도 5에는 어느 하나의 게이트 라인(GL)과 어느 하나의 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 이에 제한되지 않고 변형될 수 있다.
화소(PX)는 표시소자로써 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 또는, 발광소자(OLED)는 양면 발광형 다이오드일 수 있다. 발광소자(OLED)는 유기발광 다이오드(Organic　Light　Emitting　Diode)일 수 있다. 화소(PX)는 발광소자(OLED)를 구동하기 위한 회로부로써 스위칭 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(T2), 및 커패시터(CP)를 포함할 수 있다. 발광소자(OLED)는 트랜지스터들(T1, T2)로부터 제공되는 전기적 신호의 의해 광을 생성한다. 발광소자(OLED)는 제1 전원 전압(ELVDD)과 제2 전원 전압(ELVSS)을 이용하여 커패시터(CP)에 충전된 전하량에 대응하도록 발광할 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 제2 전원 전압(ELVSS)보다 높은 레벨을 갖는다.
도 6에 도시된 것과 같이, 제1 표시기판(DS)은 제1 베이스 기판(SUB), 제1 베이스 기판(SUB) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 및 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED)을 포함한다.
제1 베이스 기판(SUB)은 합성수지기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 제1 베이스 기판(SUB)에는 도 1에 도시된 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)이 정의될 수 있다.
회로층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 회로층(DP-CL)은 버퍼층(BFL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)은 무기층이고, 제3 절연층(30)은 유기층일 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 실리콘 나이트라이드층을 포함할 수 있다.
도 6에는 스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)를 구성하는 반도체 패턴(OSP1, OSP2), 제어전극(GE1, GE2), 입력전극(DE1, DE2), 출력전극(SE1, SE2)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 제1, 제2, 제3, 제4, 및 제5 관통홀(CH1, CH2, CH3, CH4, CH5) 역시 예시적으로 도시되었다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(OLED)를 포함한다. 본 실시예에서 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다
중간 유기층(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 중간 유기층(30)을 관통하는 제5 관통홀(CH5)을 통해 출력전극(SE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 본 실시예에서 화소영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부영역에 대응하게 정의되었다. 차광영역(NPXA)은 화소영역(PXA)에 인접한 영역으로 실질적으로 광이 생성되지 않는 영역일 수 있다.
정공 제어층(HCL), 전자 제어층(ECL)은 화소영역(PXA)과 차광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL), 전자 제어층(ECL)은 복수 개의 화소영역들에 공통적으로 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 화소에 대응하는 컬러광을 생성할 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 복수 개의 화소영역들에 공통적으로 배치될 수 있다. 따라서 제2 전극(CE)은 제1 전극(AE)보다 큰 면적을 갖는다. 제2 전극(CE) 상에 제2 전극(CE)을 보호하는 커버층(미도시)이 더 배치될 수도 있다.
본 실시예에서 제2 표시기판(ES)은 제2 전극(CE)을 커버한다. 제2 표시기판(ES)은 적어도 베이스 기판(이하, 제2 베이스 기판)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 제2 베이스 기판만으로 구성된 제2 표시기판(ES)을 예시적으로 도시하였다.
제2 표시기판(ES)은 셀갭(GP)을 정의하고, 외부의 수분이 발광소자(OLED)에 침투하는 것을 방지한다. 제2 표시기판(ES)은 봉지기판일 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 확대된 단면을 도시한 단면도이다. 도 7a, 도 7c, 및 도 7d는 도 4의 I-I'에 대응하는 단면을 도시하였다. 도 7a 및 도 7c는 도 7d 대비 더 확대된 스케일로 도시하였다.
도 7a에 있어서, 표시영역(DA)에 배치된 회로층(DP-CL) 및 발광소자층(DP-OLED)의 적층구조는 도 6을 참조하여 설명한 구성과 동일한 바, 상세한 설명은 생략한다. 도 6 대비 도 7은 발광소자(OLED)를 간략히 도시하였다.
도 7a를 참조하면 게이트 구동회로(DCV)의 트랜지스터(DCV-T)가 도시되었다. 구동 트랜지스터(T2)와 동일한 공정을 통해 형성된 트랜지스터(DCV-T)를 예시적으로 도시하였다. 또한, 게이트 구동회로(DCV)의 구동 트랜지스터(T2)의 전극과 동일한 층 상에 배치된 신호라인들(DCV-SL)을 도시하였다. 또한, 제2 전원 전압(ELVSS)을 제공하는 전원 전극(PWE)이 도시되었다.
전원 전극(PWE)은 게이트 구동회로(DCV)의 외측에 배치된다. 전원 전극(PWE)은 외부로부터 제2 전원 전압(ELVSS)을 수신할 수 있다. 제3 절연층(30) 상에 연결전극(E-CNT)이 배치된다. 연결전극(E-CNT)은 전원 전극(PWE)과 제2 전극(CE)을 연결한다. 연결전극(E-CNT)은 제1 전극(AE)과 동일한 공정을 통해 형성되므로, 제1 전극(AE)과 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 구체적으로 비표시영역(NDA)과 중첩하는 엣지부분(PDL-E) 및 표시영역(DA)과 중첩하는 중심부분(PDL-C)을 포함할 수 있다. 중심부분(PDL-C) 및 엣지부분(PDL-E)은 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않으며 엣지부분(PDL-E)은 중심부분(PDL-C)과 별개로 형성될 수 있고, 상이한 재료를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 화소 정의막(PDL)의 일부분은 비표시영역(NDA)과 중첩하도록 제3 절연층(30) 상에 더 배치될 수 있다.
중심부분(PDL-C)에는 발광소자(OLED)에 대응하는 개구부들(OP)이 정의될 수 있다. 엣지부분(PDL-E)은 회로층(DP-CL) 상에 배치되고, 적어도 일부가 전원 전극(PWE)과 중첩할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 엣지부분(PDL-E)은 평면상에서 폐라인 형상을 가질 수 있다. 평면상에서 엣지부분(PDL-E)은 제1 영역과 제2 영역으로 구분될 수 있다. 제1 영역은 도 7a에 도시된 것과 같이 제2 표시기판(ES)과 이격될 수 있다. 미 도시되었으나, 제2 영역은 제2 표시기판(ES)과 접촉할 수 있다. 제2 영역은 스페이서의 기능을 갖는다. 제1 영역과 제2 영역은 하프톤 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나 중심부분(PDL-C)에도 스페이서 기능을 갖는 영역이 정의될 수 있다.
유기 실링부재(S-O)는 프릿 실링부재(S-I)과 엣지부분(PDL-E) 사이에 배치되고 프릿 실링부재(S-I)과 엣지부분(PDL-E) 각각에 접촉할 수 있다. 유기 실링부재(S-O)의 일부분은 엣지부분(PDL-E)과 제2 표시기판(ES) 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 프릿 실링부재(S-I)는 결정화온도가 동일한 단일 영역을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 프릿 실링부재(S-I)는 결정화온도가 다른 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다.
프릿 실링부재(S-I)의 결정화온도는 프릿 실링부재(S-I)의 조성에 의해 결정될 수 있다. 은(Ag)를 포함하는 프릿 실링부재(S-I)는 그렇지 않은 프릿 실링부재(S-I) 대비 낮은 결정화온도를 갖는다.
도 7b에는 결정화온도가 다른 외측 영역(S-IO)과 내측 영역(S-II)을 포함하는 프릿 실링부재(S-I)를 도시하였다. 외측 영역(S-IO)의 결정화온도는 내측 영역(S-II)의 결정화온도보다 5℃ 내지 50℃ 낮을 수 있다.
외측 영역(S-IO)과 내측 영역(S-II)의 결정화온도 차이는 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%에 따라 결정될 수 있다. 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%가 작으면 결정화온도는 낮아진다.
본 발명의 일 실시예에서 은(Ag)을 포함하는 프릿 실링부재(S-I)의 외측 영역(S-IO)의 결정화온도는 290℃ 내지 310℃ 일 수 있다. 은(Ag)을 포함하는 프릿 실링부재(S-I)의 내측 영역(S-II)의 결정화온도는 240℃ 내지 260℃ 일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 은(Ag)을 포함하지 않는 프릿 실링부재(S-I)의 외측 영역(S-IO)의 결정화온도는 440℃ 내지 460℃ 일 수 있다. 은(Ag)을 포함하지 않는 프릿 실링부재(S-I)의 내측 영역(S-II)의 결정화온도는 390℃ 내지 410℃ 일 수 있다. DSC(Differential Scanning Calorimeter)에 의해 프릿 실링부재(S-I)의 결정화온도를 확인할 수 있다.
내측 영역(S-II)은 외측 영역(S-IO)과 유기 실링부재(S-O) 사이에 배치되어 공정상 열 차단 격벽 기능을 갖는다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
내측 영역(S-II)은 외측 영역(S-IO)보다 낮은 결정화온도를 가질 수 있다. 내측 영역(S-II)과 외측 영역(S-IO)은 다른 조성을 가질 수 있다.
내측 영역(S-II), 외측 영역(S-IO), 및 유기 실링부재(S-O)는 무기층인 제2 절연층(20) 상에 직접 배치될 수 있다. 내측 영역(S-II), 외측 영역(S-IO), 및 유기 실링부재(S-O)는 제2 표시기판(ES)의 베이스 기판의 하면에 직접 결합될 수 있다.
도 7c에 도시된 것과 같이, 제2 표시기판(ES)은 제2 베이스 기판(E-BC) 및 버퍼층(E-I)을 포함할 수 있다. 제2 베이스 기판(E-BC)은 합성수지기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다.
버퍼층(E-I)은 제2 베이스 기판(E-BC)의 하면에 직접 배치된다. 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에 중첩하는 버퍼층(E-I)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 버퍼층(E-I)은 프릿 실링부재(S-I) 및 유기 실링부재(S-O)와 제2 표시기판(ES)의 결합력을 증가시키기 위해 적어도 비표시영역(NDA)에 배치된다.
프릿 실링부재(S-I)는 버퍼층(E-I)에 접촉한다. 버퍼층(E-I)은 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 실리콘 나이트라이드층과 같은 무기층을 포함할 수 있다. 버퍼층(E-I)은 금속층, 금속산화물층, 금속 질화물층을 포함할 수 있다. 예를들어, 버퍼층(E-I)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 티타늄 나이트라이드, 징크옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 7d에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 단면 상에서 곡면의 측면(SS)을 가질 수 있다. 프릿 실링부재(S-I)를 제조하는 과정에서 프릿 실링부재를 부분 노광하면 프릿 실링부재의 내부 응력이 영역에 따라 다르게 나타나고, 이러한 응력 분포를 이용하여 표시패널(DP)의 엣지부분을 절단하면 곡면의 측면(SS)이 형성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 9a 내지 도 9f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 9a 내지 도 9f에 있어서, 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)은 간략히 도시되었다. 이하, 도 1 내지 도 7d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8에 도시된 것과 같이, 제1 표시기판을 제공한다(S10). 제1 표시기판은 도 1 내지 도 7d를 참조하여 설명한 하부 표시기판(DS), 즉 어레이 기판일 수 있다. 공지된 제조방법에 따라 제1 표시기판을 제조할 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 것과 같이, 제2 표시기판을 제공한다(S20). 제2 표시기판은 유리기판일 수 있다. 제1 표시기판과 제2 표시기판의 제조순서는 특별히 제한되지 않는다. 제1 표시기판과 제2 표시기판은 작업 표시기판의 형태로 제공될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
다음, 도 8에 도시된 것과 같이, 예비 프릿 실링부재를 형성한다(S30). 제2 표시기판과 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 형성할 수 있다.
도 9a에 도시된 것과 같이, 예비 프릿 실링부재(S-IP)를 제2 표시기판(ES)의 일면 상에 형성할 수 있다. 비표시영역(NDA)에 중첩하도록 예비 프릿 실링부재(S-IP)를 형성한다. 예비 프릿 실링부재(S-IP)는 평면상에서 도 3에 도시된 프릿 실링부재(S-I)와 같이 폐라인 형상을 가질 수 있다.
프릿 페이스트(또는 프릿 조성물)를 제2 표시기판(ES)의 일면 상에 인쇄할 수 있다. 프릿 페이스트는 프릿 파우더, 유기 바인더, 및 유기 솔벤트를 포함한다. 프릿 파우더는 입자형태의 베이스 유리를 의미한다. 프릿 페이스트는 세라믹 필러를 더 포함할 수 있다. 인쇄된 프릿 페이스트를 건조하여 유기 솔벤트를 제거한다. 건조단계에서 일부의 유기 바인더가 제거될 수 있다.
이후, 유기 솔벤트가 제거된 프릿 페이스트에 열을 제공하여 소성시킨다(sintering). 소성단계에서 유기 바인더가 제거될 수 있다. 소성온도는 상기 프릿 파우더의 유리전이온도와 결정화온도 사이의 범위를 가질 수 있다.
다음, 도 8에 도시된 것과 같이, 예비 프릿 실링부재의 내측 영역을 결정화시킨다(S40). 소성된 프릿 페이스트의 일부분을 결정화시킨다.
도 9b에 도시된 것과 같이, 레이저 빔을 조하사여 소성된 예비 프릿 실링부재(S-IP)의 일부분을 결정화시킬 수 있다. 레이저 소스(LS)에 의해 결정화된 영역은 내측 영역(S-II)으로 정의된다. 레이저 빔이 조사되지 않은 영역은(S-IOP, 이하 예비 외측 영역)으로 정의된다. 레이저 빔에 의해 내측 영역(S-II)의 프릿 파우더가 용융되고, 용융된 프릿이 냉각 과정을 통해 결정화된다. 예비 외측 영역(S-IOP)은 건조 및 소성된 상태의 프릿 페이스트일 수 있다.
다음, 도 8에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재를 형성한다(S50). 제1 표시기판과 제2 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 형성할 수 있다.
도 9c에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재(S-OP)를 제1 표시기판(DS)의 일면 상에 형성할 수 있다. 도 7a에 도시된 것과 같이, 제2 절연층(20) 상에 형성할 수 있다.
예비 유기 실링부재(S-OP)는 평면상에서 도 3에 도시된 유기 실링부재(S-O)와 같이 폐라인 형상을 가질 수 있다. 유기 조성물을 제1 표시기판(DS)의 일면 상에 인쇄할 수 있다. 유기 조성물은 에폭시 수지와 같은 베이스 수지 및 유기 솔벤트를 포함할 수 있다.
다음, 도 8 및 도 9d에 도시된 것과 같이, 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)을 합착한다(S60). 예비 프릿 실링부재(S-IP)와 예비 유기 실링부재(S-OP)가 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES) 사이에 배치되도록 정렬 한 후 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)을 합착할 수 있다.
도 9d를 참조하면 예비 프릿 실링부재(S-IP)의 내측 엣지와 예비 유기 실링부재(S-OP)의 외측 엣지가 동일 선상에 정렬된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 합착 공정 이후에, 예비 프릿 실링부재(S-IP)와 예비 유기 실링부재(S-OP)가 접촉할 수 있도록 예비 프릿 실링부재(S-IP)와 예비 유기 실링부재(S-OP)는 소정 너비로 중첩하도록 정렬될 수 있다.
다음, 도 8 및 도 9e에 도시된 것과 같이, 예비 외측 영역(S-IOP)을 결정화시킨다(S70). 레이저 소스(LS)를 이용하여 예비 외측 영역(S-IOP)에 레이저 빔을 조사한다.
선 결정화된 내측 영역(S-II)은 예비 외측 영역(S-IOP)의 결정화 단계에 있어서 열 차단 격벽의 기능을 갖는다. 내측 영역(S-II)은 예비 외측 영역(S-IOP)에 발생한 열을 차단하여 예비 유기 실링부재(S-OP)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 예비 유기 실링부재(S-OP)에서 아웃 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 9f에 도시된 것과 같이, 예비 외측 영역(S-IOP)이 결정화됨으로써 외측 영역과 내측 영역의 구분이 없는 프릿 실링부재(S-I)가 형성될 수 있다.
다음, 도 8에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재를 경화시킨다(S80). 열 경화 또는 광 경화 공정을 진행할 수 있다. 도 9e 및 도 9f에 도시된 것과 같이, 본 실시예에서 예비 외측 영역(S-IOP)의 결정화 이후에 예비 유기 실링부재(S-OP)를 경화시킬 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 예비 유기 실링부재(S-OP)의 경화 순서와 예비 외측 영역(S-IOP)의 결정화 순서는 서로 바뀔 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법을 도시한 단면도이다. 이하. 도 8 내지 도 9f를 참조하여 설명한 표시패널(DP)의 제조방법과 차이점을 중심으로 설명한다.
도 10에 도시된 것과 같이, 제1 표시기판을 제공한다(S100). 또한, 제2 표시기판을 제공한다(S200).
다음, 도 10에 도시된 것과 같이, 예비 내측 프릿 실링부재(또는 제1 예비 프릿 실링부재) 및 예비 외측 프릿 실링부재(또는 제2 예비 프릿 실링부재)를 형성한다(S300). 본 실시예에서 예비 내측 프릿 실링부재 및 예비 외측 프릿 실링부재를 동시에 형성할 수 있다.
도 11a에 도시된 것과 같이, 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)를 형성하기 위한 제1 프릿 페이스트와 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)를 형성하기 위한 제2 프릿 페이스트를 제2 표시기판(ES)의 일면 상에 인쇄할 수 있다. 제1 프릿 페이스트와 제2 프릿 페이스트는 프릿 파우더, 유기 바인더, 및 유기 솔벤트를 포함한다. 제1 프릿 페이스트와 제2 프릿 페이스트는 서로 다른 조성을 가질 수 있다.
인쇄된 제1 프릿 페이스트와 제2 프릿 페이스트를 건조하여 유기 솔벤트를 제거한다. 건조된 제1 프릿 페이스트와 건조된 제2 프릿 페이스트는 서로 접촉할 수 있다. 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1) 및 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 제조방법은 특별히 제한되지 않고, 결합된 2개의 디스펜서를 이용하여 형성하거나, 실크 스크린 인쇄법을 이용하여 형성할 수도 있다.
제1 프릿 페이스트와 제2 프릿 페이스트의 조성을 조절하여 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)와 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)의 결정화온도를 제어할 수 있다. 제1 프릿 페이스트는 제2 프릿 페이스트 대비 바나듐(V)/아연(Zn)이 낮은 프릿 파우더를 갖기 때문에 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)는 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1) 보다 5℃ 내지 50℃ 낮은 결정화온도를 가질 수 있다. 다시 말해 제1 프릿 페이스트는 제2 프릿 페이스트 대비 낮은 중량%의 바나듐(V)을 포함할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에서 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1) 및 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)는 제2 표시기판(ES)의 일면 상에 순차적으로 형성될 수 도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)와 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2) 중 어느 하나는 제2 표시기판(ES)의 일면 상에 형성되고, 다른 하나는 제1 표시기판(DS)의 일면 상에 형성될 수 도 있다. 다만, 회로층(DP-CL) 및 표시소자층(EP-OLED)의 손상을 방지하기 위해 예비 프릿 실링부재(S-IP1, S-IP2)는 제2 표시기판(ES)의 일면에 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 도 10에 도시된 것과 같이, 예비 내측 프릿 실링부재를 결정화시킨다(S400). 본 실시예에서, 예비 내측 프릿 실링부재 및 예비 외측 프릿 실링부재에 동일하게 열을 제공하여 예비 내측 프릿 실링부재만 선택적으로 결정화 시킬수 있다.
도 11b에 도시된 것과 같이, 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1) 및 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)를 소정의 온도로 로 가열할 수 있다. 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)의 프릿 파우더의 결정화온도와 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 프릿 파우더의 결정화온도 사이의 온도로 가열할 수 있다.
복사열은 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1) 및 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)에 제공되고, 결정화온도보다 높은 온도로 가열된 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)만 결정화될 수 있다. 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)의 결정화온도가 240℃ 내지 260℃이고, 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 결정화온도가 290℃ 내지 310℃를 가질 때, 이들을 250℃ 내지 280℃ 로 가열할 수 있다. 예비 내측 프릿 실링부재(S-IP1)의 결정화온도가 390℃ 내지 410℃이고, 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 결정화온도가 440℃ 내지 460℃를 가질 때, 이들을 400℃ 내지 430℃ 로 가열할 수 있다.
다음, 도 10에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재를 형성한다(S500). 제1 표시기판과 제2 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 형성할 수 있다. 도 11c에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재(S-OP)를 제1 표시기판(DS)의 일면 상에 형성할 수 있다.
다음, 도 10 및 도 11d에 도시된 것과 같이, 제1 표시기판(DS)과 제2 표시기판(ES)을 합착한다(S600).
다음, 도 10 및 도 11e에 도시된 것과 같이, 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)를 결정화시킨다(S700). 레이저 소스(LS)를 이용하여 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)에 레이저 빔을 조사한다.
도 11f에 도시된 것과 같이, 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)가 결정화됨으로써 내측 프릿 실링부재(S-II)로부터 연속된 외측 프릿 실링부재(S-IO)를 형성될 수 있다. 외측 프릿 실링부재(S-IO)와 내측 프릿 실링부재(S-II)는 하나의 프릿 실링부재를 구성할 수 있다.
다음, 도 10에 도시된 것과 같이, 예비 유기 실링부재를 경화시킨다(S800). 열 경화 또는 광 경화 공정을 진행할 수 있다. 도 11e 및 도 11f에 도시된 것과 같이, 본 실시예에서 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 결정화 이후에 예비 유기 실링부재(S-OP)를 경화시킬 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 예비 유기 실링부재(S-OP)의 경화 순서와 예비 외측 프릿 실링부재(S-IP2)의 결정화 순서는 서로 바뀔 수 있다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법에 이용되는 제1 작업 기판(WS1)을 도시한 평면도이다. 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법에 이용되는 제2 작업 기판(WS2)을 도시한 평면도이다.
도 12a에 도시된 하나의 제1 셀영역(US1)은 도 1 내지 도 11f를 참조하여 설명한 제1 표시기판(DS) 중 어느 하나에 해당할 수 있다. 제1 셀영역들(US1) 마다 동일한 공정을 진행하여 제1 셀영역들(US1)마다 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)을 형성한다.
도 12a에는 제1 셀영역들(US1)마다 형성된 예비 유기 실링부재(S-OP)를 도시하였다. 이는 도 9c를 참조하여 설명한 단계에 대응한다.
도 12b에 도시된 하나의 제2 셀영역(US2)은 도 1 내지 도 11f를 참조하여 설명한 제2 표시기판(ES) 중 어느 하나에 해당할 수 있다. 제2 셀영역들(US2) 마다 형성된 예비 프릿 실링부재(S-IP)를 도시하였다. 이는 도 9b를 참조하여 설명한 단계에 대응한다.
별도로 도시하지 않았으나, 도 9d의 단계는 제1 작업 기판(WS1)과 제2 작업 기판(WS2)의 합착으로 진행될 수 있다. 도 9e 및 도 9f의 단계는 작업패널의 셀영역들마다 진행할 수 있다. 합착된 제1 작업 기판(WS1)과 제2 작업 기판(WS2)은 작업패널로 정의된다. 이후, 작업패널의 셀영역들을 분리하여 표시패널들을 형성할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 도 10 내지 도 11f를 참조하여 설명한 표시패널의 제조방법 역시 제1 작업 기판(WS1)과 제2 작업 기판(WS2)을 이용하여 수행될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
S-O, S-I: 실링부재
PDL: 화소 정의막
ES: 제2 표시기판
DP: 표시패널
DS: 제1 표시기판

Claims (22)

  1. 화소가 배치된 표시영역 및 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하는 제1 표시기판 및 제2 표시기판을 제공하는 단계;
    상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계;
    상기 예비 프릿 실링부재의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 결정화하는 단계;
    상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계;
    상기 예비 프릿 실링부재와 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 배치되고, 상기 예비 유기 실링부재가 상기 예비 프릿 실링부재의 내측에 배치되도록 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계;
    상기 예비 프릿 실링부재의 상기 외측 영역을 결정화하는 단계; 및
    상기 유기 실링부재를 경화하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 내측 영역을 결정화하는 단계는 상기 내측 영역에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계에서 상기 예비 프릿 실링부재는 상기 제2 표시기판의 일면 상에 형성되고,
    상기 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계에서 상기 예비 유기 실링부재는 상기 제1 표시기판의 일면 상에 형성된 표시패널의 제조방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계에서 상기 예비 프릿 실링부재의 상기 내측 영역과 상기 예비 유기 실링부재가 접촉하는 표시패널의 제조방법.
  5. 화소가 배치된 표시영역 및 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하는 제1 표시기판 및 제2 표시기판을 제공하는 단계;
    상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 제1 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계;
    상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 상기 제1 예비 프릿 실링부재의 외측에 배치된 제2 예비 프릿 실링부재를 형성하는 단계;
    상기 제1 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계;
    상기 제2 표시기판과 상기 제1 표시기판 중 어느 하나의 일면 상에 예비 유기 실링부재를 형성하는 단계;
    상기 제1 예비 프릿 실링부재, 상기 제2 예비 프릿 실링부재, 및 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 배치되고, 상기 비표시영역에 중첩하며, 상기 예비 유기 실링부재가 상기 제1 예비 프릿 실링부재의 내측에 배치되도록 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판을 합착하는 단계;
    상기 제2 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계; 및
    상기 유기 실링부재를 경화하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%는 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량% 보다 작은 표시패널의 제조방법.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재는 상기 제2 표시기판의 상기 일면 상에 동시에 형성된 표시패널의 제조방법.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재는 접촉하는 표시패널의 제조방법.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 가열하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도보다 5℃ 내지 50℃ 낮은 표시패널의 제조방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 240℃ 내지 260℃이고, 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 290℃ 내지 310℃인 표시패널의 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 가열하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 250℃ 내지 280℃ 로 가열하는 표시패널의 제조방법.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 390℃ 내지 410℃이고, 상기 제2 예비 프릿 실링부재의 결정화온도는 440℃ 내지 460℃인 표시패널의 제조방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 가열하는 단계는 상기 제1 예비 프릿 실링부재와 상기 제2 예비 프릿 실링부재를 400℃ 내지 430℃ 로 가열하는 표시패널의 제조방법.
  15. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 예비 프릿 실링부재를 결정화하는 단계는 상기 제2 예비 프릿 실링부재에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법.
  16. 표시영역과 비표시영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 회로층, 상기 회로층 상에 배치되고 상기 표시영역에 중첩하는 표시소자들을 포함하는 제1 표시기판;
    상기 제1 표시기판 상측에 배치된 제2 표시기판; 및
    상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판을 결합하는 실링부재를 포함하고,
    상기 실링부재는,
    외측 영역 및 상기 외측 영역의 내측에 배치되고 상기 외측 영역보다 낮은 결정화온도를 갖는 내측 영역을 포함하는 프릿 실링부재; 및
    상기 프릿 실링부재의 내측에 배치된 유기 실링부재를 포함하고,
    상기 표시소자들은 유기발광소자들을 포함하고,
    상기 제1 표시기판은 상기 비표시영역과 중첩하는 엣지부분 및 상기 표시영역과 중첩하며 상기 회로층 상에 배치되고 상기 유기발광소자들에 대응하는 개구부들이 정의된 중심부분을 포함하는 화소 정의막을 더 포함하고,
    상기 유기 실링부재는 상기 엣지부분에 접촉하는 표시패널.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 외측 영역의 결정화온도는 상기 내측 영역의 결정화온도보다 5℃ 내지 50℃ 낮은 표시패널.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 회로층은 무기층을 포함하고, 상기 프릿 실링부재는 상기 무기층 및 상기 제2 표시기판의 하면에 접촉하는 표시패널.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 회로층은 무기층을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 유리기판 및 상기 유리기판의 하면 상에 배치된 버퍼층을 포함하고, 상기 프릿 실링부재는 상기 무기층과 상기 버퍼층에 접촉하는 표시패널.
  20. 삭제
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 회로층은 상기 엣지부분에 중첩하고, 상기 유기발광소자들에 전기적으로 연결된 전원 전극을 포함하는 표시패널.
  22. 제16 항에 있어서,
    상기 내측 영역의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량%는 상기 외측 영역의 아연(Zn)에 대한 바나듐(V)의 중량% 보다 작은 표시패널.
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