JP2002020169A - 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置Info
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
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- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
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Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率（εr）が２０以下、Ｑ値が２０００
０（１ＧＨｚにおいて）以上であり、かつ共振周波数の
温度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）中心に任意に制御
できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】組成式：ａＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ
3/2としたとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４７６≦ａ≦
０．５１３、０．１６０≦ｂ≦０．１７５、０．３２４
≦ｃ≦０．３５０の関係を満足する。また、組成式：ｄ
ＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2としたと
き、ｄ、ｅ、ｆおよびｇが、０．４７６≦ｄ≦０．５１
３、０．１００≦ｅ≦０．１７５、０．２００≦ｆ≦
０．３４９、０＜ｇ≦０．２００の関係を満足する。
０（１ＧＨｚにおいて）以上であり、かつ共振周波数の
温度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）中心に任意に制御
できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】組成式：ａＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ
3/2としたとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４７６≦ａ≦
０．５１３、０．１６０≦ｂ≦０．１７５、０．３２４
≦ｃ≦０．３５０の関係を満足する。また、組成式：ｄ
ＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2としたと
き、ｄ、ｅ、ｆおよびｇが、０．４７６≦ｄ≦０．５１
３、０．１００≦ｅ≦０．１７５、０．２００≦ｆ≦
０．３４９、０＜ｇ≦０．２００の関係を満足する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波などの高周波で用いられる誘電体共振器、誘電体アン
テナ、ＬＣフィルター、配線基板などに使用される高周
波用誘電体磁器組成物に関する。また、本発明は、この
高周波用誘電体磁器組成物を用いた誘電体共振器、誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関
するものである。
波などの高周波で用いられる誘電体共振器、誘電体アン
テナ、ＬＣフィルター、配線基板などに使用される高周
波用誘電体磁器組成物に関する。また、本発明は、この
高周波用誘電体磁器組成物を用いた誘電体共振器、誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体磁器は、従来からマイクロ波など
の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板などに
広く利用されている。
の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板などに
広く利用されている。
【０００３】このような誘電体共振器や回路基板などに
使用される材料の誘電特性としては、（１）誘電体中で
は電磁波の波長が１／（εr）1/2に短縮されるので、小
型化要求への対応として比誘電率（εr）が大きいこ
と、（２）誘電損失が小さい、すなわちＱ値が高いこ
と、（３）共振周波数の温度安定性が優れている、すな
わち共振周波数の温度係数（τf）が０（ｐｐｍ／℃）
付近であることなどが要求されてきた。
使用される材料の誘電特性としては、（１）誘電体中で
は電磁波の波長が１／（εr）1/2に短縮されるので、小
型化要求への対応として比誘電率（εr）が大きいこ
と、（２）誘電損失が小さい、すなわちＱ値が高いこ
と、（３）共振周波数の温度安定性が優れている、すな
わち共振周波数の温度係数（τf）が０（ｐｐｍ／℃）
付近であることなどが要求されてきた。
【０００４】しかし、近年、情報伝送は、マイクロ波帯
からミリ波帯へとより高周波化・高速化が進行する傾向
にある。このため、デバイスはますます小型となり、製
造時における加工精度や加工容易性を考慮して、前記の
要求（１）は少し変化し、高いＱ値や共振周波数の温度
安定性はそのままで、比誘電率のより低い材料への需要
が大きくなりつつある。
からミリ波帯へとより高周波化・高速化が進行する傾向
にある。このため、デバイスはますます小型となり、製
造時における加工精度や加工容易性を考慮して、前記の
要求（１）は少し変化し、高いＱ値や共振周波数の温度
安定性はそのままで、比誘電率のより低い材料への需要
が大きくなりつつある。
【０００５】従来、比誘電率の比較的低い誘電体磁器組
成物としては、例えばＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系（特
開昭５８−１６６６０８号公報）、Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）
Ｏ3系（特公昭５８−２５０６８号公報）、Ｂａ（Ｓ
ｎ，Ｍｇ，Ｔａ）系（特公平３−３４１６４号公報）、
Ａｌ2Ｏ3系などがある。
成物としては、例えばＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系（特
開昭５８−１６６６０８号公報）、Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）
Ｏ3系（特公昭５８−２５０６８号公報）、Ｂａ（Ｓ
ｎ，Ｍｇ，Ｔａ）系（特公平３−３４１６４号公報）、
Ａｌ2Ｏ3系などがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系やＢａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系、Ｂ
ａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系材料は、共振周波数の温
度係数（τf）をゼロに制御できるが、比誘電率（εr）
が２０〜３０と比較的高い。
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系やＢａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系、Ｂ
ａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系材料は、共振周波数の温
度係数（τf）をゼロに制御できるが、比誘電率（εr）
が２０〜３０と比較的高い。
【０００７】一方、Ａｌ2Ｏ3系の材料は、比誘電率（ε
r）が１０程度と低く、Q値も４０００００〜５００００
０（１ＧＨｚにおいて）と高いが、共振周波数の温度係
数（τf）が−４０程度と負に大きな値を示す。
r）が１０程度と低く、Q値も４０００００〜５００００
０（１ＧＨｚにおいて）と高いが、共振周波数の温度係
数（τf）が−４０程度と負に大きな値を示す。
【０００８】本発明の目的は、上記の問題点を解決し
て、比誘電率（εr）が２０以下、Ｑ値が２００００
（１ＧＨｚにおいて）以上であり、かつ共振周波数の温
度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）中心に任意に制御で
きる、高周波用誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィル
タ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供するこ
とにある。
て、比誘電率（εr）が２０以下、Ｑ値が２００００
（１ＧＨｚにおいて）以上であり、かつ共振周波数の温
度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）中心に任意に制御で
きる、高周波用誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィル
タ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｂａ、Ｍｅ
（ただしＭｅはＭｇ、またはＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣ
ｏのうちの少なくとも１種とからなる）およびＳｂの元
素を含み、モル比による組成式をａＢａＯ・ｂＭｅＯ・
ｃＳｂＯ3/2としたとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４７
６≦ａ≦０．５１３、０．１６０≦ｂ≦０．１７５、
０．３２４≦ｃ≦０．３５０の関係を満足することを特
徴とする。
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｂａ、Ｍｅ
（ただしＭｅはＭｇ、またはＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣ
ｏのうちの少なくとも１種とからなる）およびＳｂの元
素を含み、モル比による組成式をａＢａＯ・ｂＭｅＯ・
ｃＳｂＯ3/2としたとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４７
６≦ａ≦０．５１３、０．１６０≦ｂ≦０．１７５、
０．３２４≦ｃ≦０．３５０の関係を満足することを特
徴とする。
【００１０】そして、前記高周波用誘電体磁器組成物
は、Ｂａ（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3（ただし、ＭｅはＭ
ｇ、またはＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なく
とも１種とからなる）で表されるペロブスカイト型結晶
を主結晶相とすることを特徴とする。
は、Ｂａ（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3（ただし、ＭｅはＭ
ｇ、またはＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なく
とも１種とからなる）で表されるペロブスカイト型結晶
を主結晶相とすることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、Ｂａ、Ｍｅ（ただしＭｅはＭｇ、またはＭｇとＺ
ｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種とからな
る）、ＳｂおよびＴｉの元素を含み、モル比による組成
式をｄＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2とし
たとき、ｄ、ｅ、ｆおよびｇが、０．４７６≦ｄ≦０．
５１３、０．１００≦ｅ≦０．１７５、０．２００≦ｆ
≦０．３４９、０＜ｇ≦０．２００の関係を満足するこ
とを特徴とする。
は、Ｂａ、Ｍｅ（ただしＭｅはＭｇ、またはＭｇとＺ
ｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種とからな
る）、ＳｂおよびＴｉの元素を含み、モル比による組成
式をｄＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2とし
たとき、ｄ、ｅ、ｆおよびｇが、０．４７６≦ｄ≦０．
５１３、０．１００≦ｅ≦０．１７５、０．２００≦ｆ
≦０．３４９、０＜ｇ≦０．２００の関係を満足するこ
とを特徴とする。
【００１２】そして、前記高周波用誘電体磁器組成物
は、Ｂａ｛（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）1-xＴｉx｝Ｏ3（ただ
し、０＜ｘ≦０．４であり、ＭｅはＭｇ、またはＭｇと
Ｚｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種とからな
る）で表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相とする
ことを特徴とする。
は、Ｂａ｛（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）1-xＴｉx｝Ｏ3（ただ
し、０＜ｘ≦０．４であり、ＭｅはＭｇ、またはＭｇと
Ｚｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種とからな
る）で表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相とする
ことを特徴とする。
【００１３】また、本発明の誘電体共振器は、誘電体磁
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の誘電体フィルタは、上述の
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
【００１５】また、本発明の誘電体デュプレクサは、少
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
【００１６】さらに、本発明の通信機装置は、上述の誘
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の誘電体共振器の
一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す誘電体共
振器１のａ−ｂ面に沿う断面図である。図１、２を参照
して、誘電体共振器１は、貫通孔を有する角柱状の誘電
体磁器２からなり、その貫通孔内に内導体３ａが形成さ
れ、周囲に外導体３ｂが形成されたものである。そし
て、誘電体磁器２に入出力端子すなわち外部結合手段を
電磁界結合させることにより、誘電体共振器として作動
する。このような誘電体共振器１を構成する誘電体磁器
２が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で形成さ
れる。
一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す誘電体共
振器１のａ−ｂ面に沿う断面図である。図１、２を参照
して、誘電体共振器１は、貫通孔を有する角柱状の誘電
体磁器２からなり、その貫通孔内に内導体３ａが形成さ
れ、周囲に外導体３ｂが形成されたものである。そし
て、誘電体磁器２に入出力端子すなわち外部結合手段を
電磁界結合させることにより、誘電体共振器として作動
する。このような誘電体共振器１を構成する誘電体磁器
２が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で形成さ
れる。
【００１８】なお、図１には、角柱形状であってＴＥＭ
モードの誘電体共振器の一例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。本発明の高周波用誘電体磁
器組成物は、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモー
ド、ＴＥモードなどの誘電体共振器にも同様に用いるこ
とができる。
モードの誘電体共振器の一例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。本発明の高周波用誘電体磁
器組成物は、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモー
ド、ＴＥモードなどの誘電体共振器にも同様に用いるこ
とができる。
【００１９】次に、図３は、本発明の誘電体フィルタの
一例を示す斜視図である。図３を参照して、誘電体フィ
ルタ４は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａお
よび外導体３ｂが形成された誘電体共振器に外部結合手
段５が形成されたものである。なお、図３にはブロック
タイプの誘電体フィルタを示したが、本発明の誘電体フ
ィルタは、デスクリートタイプの誘電体フィルタとする
こともできる。
一例を示す斜視図である。図３を参照して、誘電体フィ
ルタ４は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａお
よび外導体３ｂが形成された誘電体共振器に外部結合手
段５が形成されたものである。なお、図３にはブロック
タイプの誘電体フィルタを示したが、本発明の誘電体フ
ィルタは、デスクリートタイプの誘電体フィルタとする
こともできる。
【００２０】次に、図４は、本発明の誘電体デュプレク
サの一例を示す斜視図である。図４を参照して、誘電体
デュプレクサ６は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導
体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器を備
えた２つの誘電体フィルタと、一方の誘電体フィルタに
接続される入力接続手段７と、他方の誘電体フィルタに
接続される出力接続手段８と、これら誘電体フィルタに
共通に接続されるアンテナ接続手段９とを含むものであ
る。なお、図４にはブロックタイプの誘電体デュプレク
サを示したが、本発明の誘電体デュプレクサは、デスク
リートタイプの誘電体デュプレクサとすることもでき
る。
サの一例を示す斜視図である。図４を参照して、誘電体
デュプレクサ６は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導
体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器を備
えた２つの誘電体フィルタと、一方の誘電体フィルタに
接続される入力接続手段７と、他方の誘電体フィルタに
接続される出力接続手段８と、これら誘電体フィルタに
共通に接続されるアンテナ接続手段９とを含むものであ
る。なお、図４にはブロックタイプの誘電体デュプレク
サを示したが、本発明の誘電体デュプレクサは、デスク
リートタイプの誘電体デュプレクサとすることもでき
る。
【００２１】次に、図５は、本発明の通信機装置の一例
を示すブロック図である。この通信機装置１０は、誘電
体デュプレクサ１２、送信用回路１４、受信用回路１６
およびアンテナ１８を含む。送信用回路１４は、誘電体
デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信
用回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段
２２に接続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュ
プレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続される。こ
の誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２
６、２８を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、本発明
の誘電体共振器に外部結合手段を接続してなるものであ
る。この実施例では、たとえば、誘電体共振器１の入出
力端子にそれぞれ外部結合手段３０を接続して形成され
る。そして、一方の誘電体フィルタ２６は入力接続手段
２０と他方の誘電体フィルタ２８との間に接続され、他
方の誘電体フィルタ２８は、一方の誘電体フィルタ２６
と出力接続手段２２との間に接続される。
を示すブロック図である。この通信機装置１０は、誘電
体デュプレクサ１２、送信用回路１４、受信用回路１６
およびアンテナ１８を含む。送信用回路１４は、誘電体
デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信
用回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段
２２に接続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュ
プレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続される。こ
の誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２
６、２８を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、本発明
の誘電体共振器に外部結合手段を接続してなるものであ
る。この実施例では、たとえば、誘電体共振器１の入出
力端子にそれぞれ外部結合手段３０を接続して形成され
る。そして、一方の誘電体フィルタ２６は入力接続手段
２０と他方の誘電体フィルタ２８との間に接続され、他
方の誘電体フィルタ２８は、一方の誘電体フィルタ２６
と出力接続手段２２との間に接続される。
【００２２】なお、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、上記誘電体共振器などのデバイスに限定されること
なく、マイクロ波・ミリ波帯で用いられる誘電体アンテ
ナ、ＬＣフィルタ、配線基板などの高周波用デバイスに
広く用いることができる。
は、上記誘電体共振器などのデバイスに限定されること
なく、マイクロ波・ミリ波帯で用いられる誘電体アンテ
ナ、ＬＣフィルタ、配線基板などの高周波用デバイスに
広く用いることができる。
【００２３】
【実施例】（実施例1）出発原料として、高純度の炭酸
バリウム（ＢａＣＯ3）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ
（ＯＨ）2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ3）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）を準備した。
バリウム（ＢａＣＯ3）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ
（ＯＨ）2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ3）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）を準備した。
【００２４】次に、表１に示すモル比による組成式：ａ
ＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ3/2で表される組成物が得
られるように、これら原料を調合した。
ＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ3/2で表される組成物が得
られるように、これら原料を調合した。
【００２５】
【表１】
【００２６】次に、この調合粉末を、ボールミルにより
１６時間湿式混合した後、脱水、乾燥し、１１００〜１
３００℃で３時間仮焼し、この仮焼粉末に適量のバイン
ダーを加えてボールミルにより１６時間、再度湿式粉砕
することにより調整粉末を得た。
１６時間湿式混合した後、脱水、乾燥し、１１００〜１
３００℃で３時間仮焼し、この仮焼粉末に適量のバイン
ダーを加えてボールミルにより１６時間、再度湿式粉砕
することにより調整粉末を得た。
【００２７】次に、この調整粉末を１０００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ2の圧力で円板状にプレス成形後、１４００
〜１６００℃の温度で４時間大気中で焼成し、直径１０
ｍｍ、厚み５ｍｍのペロブスカイト型結晶相を主結晶と
する磁器を得た。
ｋｇ／ｃｍ2の圧力で円板状にプレス成形後、１４００
〜１６００℃の温度で４時間大気中で焼成し、直径１０
ｍｍ、厚み５ｍｍのペロブスカイト型結晶相を主結晶と
する磁器を得た。
【００２８】得られた磁器について、測定周波数９〜１
２ＧＨｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短
絡型誘電体共振器法にて測定し、Ｑ×ｆ＝一定則に従っ
て、１ＧＨｚのＱ値に換算した。また、ＴＥ０１モード
共振周波数から、共振周波数の温度係数（τf、２５〜
５５℃）を測定した。これらの結果を表１に示す。な
お、表１において、試料番号に＊印を付したものは本発
明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本発明の範
囲内のものである。
２ＧＨｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短
絡型誘電体共振器法にて測定し、Ｑ×ｆ＝一定則に従っ
て、１ＧＨｚのＱ値に換算した。また、ＴＥ０１モード
共振周波数から、共振周波数の温度係数（τf、２５〜
５５℃）を測定した。これらの結果を表１に示す。な
お、表１において、試料番号に＊印を付したものは本発
明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本発明の範
囲内のものである。
【００２９】表１から明らかなように、本発明の範囲内
の誘電体磁器組成物は、マイクロ波帯において、比誘電
率（εr）≦２０を保ちながら２００００以上の高いＱ
値を示す。
の誘電体磁器組成物は、マイクロ波帯において、比誘電
率（εr）≦２０を保ちながら２００００以上の高いＱ
値を示す。
【００３０】ここで、表１を参照しながら、本発明の組
成式：ａＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ3/2で表される組
成物の限定理由を以下に説明する。
成式：ａＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ3/2で表される組
成物の限定理由を以下に説明する。
【００３１】まず、ａについて、０．４７６≦ａ≦０．
５１３としたのは、ａ＜０．４７６の場合には、試料１
０のように、また、ａ＞０．５１３の場合には、試料３
のように、Ｑ値が２００００よりも低くなり、本発明の
目的を達成することができないからである。
５１３としたのは、ａ＜０．４７６の場合には、試料１
０のように、また、ａ＞０．５１３の場合には、試料３
のように、Ｑ値が２００００よりも低くなり、本発明の
目的を達成することができないからである。
【００３２】ｂについて、０．１６０≦ｂ≦０．１７５
としたのは、ｂ＜０．１６０の場合には、試料４のよう
に、また、ｂ＞０．１７５の場合には、試料１１のよう
に、）Q値が２００００よりも低くなるためである。
としたのは、ｂ＜０．１６０の場合には、試料４のよう
に、また、ｂ＞０．１７５の場合には、試料１１のよう
に、）Q値が２００００よりも低くなるためである。
【００３３】ｃについて、０．３２４≦ｃ≦０．３５０
としたのは、c＜０．３２４の場合には、試料５のよう
に、また、ｃ＞０．３５０の場合には、試料９のよう
に、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
としたのは、c＜０．３２４の場合には、試料５のよう
に、また、ｃ＞０．３５０の場合には、試料９のよう
に、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
【００３４】なお、上記限定理由は、上記組成式におい
てＭｅがＭｇの場合に関するものであるが、表1中の組
成式Ｂａ（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3で表される試料１２〜
２９の特性より明らかなように、Ｍｇの一部をＺｎ、Ｎ
ｉおよびＣｏのうちの少なくとも1種で置換した場合に
も同等の特性が得られる。ただし、ＭｇをＺｎ、Ｎｉま
たはＣｏで１００％置換した場合には、試料１７、２９
のようにＱ値が２００００未満となり、また、試料２３
のように未焼結となる。
てＭｅがＭｇの場合に関するものであるが、表1中の組
成式Ｂａ（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3で表される試料１２〜
２９の特性より明らかなように、Ｍｇの一部をＺｎ、Ｎ
ｉおよびＣｏのうちの少なくとも1種で置換した場合に
も同等の特性が得られる。ただし、ＭｇをＺｎ、Ｎｉま
たはＣｏで１００％置換した場合には、試料１７、２９
のようにＱ値が２００００未満となり、また、試料２３
のように未焼結となる。
【００３５】（実施例２）出発原料として、高純度の炭
酸バリウム（ＢａＣＯ3）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ
（ＯＨ）2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ3）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を準備した。
酸バリウム（ＢａＣＯ3）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ
（ＯＨ）2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ3）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を準備した。
【００３６】次に、表２に示すモル比による組成式：ｄ
ＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2で表される
組成物が得られるように、これら原料を調合した。
ＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2で表される
組成物が得られるように、これら原料を調合した。
【００３７】
【表2】
【００３８】次に、この調合粉末を用い、実施例1と同
様にして、直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのペロブスカイト
型結晶相を主結晶とする磁器を得た。
様にして、直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのペロブスカイト
型結晶相を主結晶とする磁器を得た。
【００３９】その後、実施例1と同様にして、比誘電率
（εr）、Ｑ値、共振周波数の温度係数（τf、２５〜５
５℃）を求めた。これらの結果を表2に示す。なお、表2
において、試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲
外のものであり、それ以外はすべて本発明の範囲内のも
のである。
（εr）、Ｑ値、共振周波数の温度係数（τf、２５〜５
５℃）を求めた。これらの結果を表2に示す。なお、表2
において、試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲
外のものであり、それ以外はすべて本発明の範囲内のも
のである。
【００４０】表２から明らかなように、本発明の範囲内
の誘電体磁器組成物はマイクロ波帯において、比誘電率
（εr）≦２０を保ちながら２００００以上の高いＱ値
を示す。
の誘電体磁器組成物はマイクロ波帯において、比誘電率
（εr）≦２０を保ちながら２００００以上の高いＱ値
を示す。
【００４１】また、試料３１、３５〜４２の結果から明
らかなように、組成物中におけるＴｉＯ2の含有割合を
変化させることで、Ｑ×ｆを劣化させずに共振周波数の
温度係数（τf）の値を任意に変化させることができ
る。
らかなように、組成物中におけるＴｉＯ2の含有割合を
変化させることで、Ｑ×ｆを劣化させずに共振周波数の
温度係数（τf）の値を任意に変化させることができ
る。
【００４２】ここで、表２を参照しながら、本発明の組
成式：ｄＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2で
表される組成物の限定理由を以下に説明する。
成式：ｄＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉＯ2で
表される組成物の限定理由を以下に説明する。
【００４３】まず、ｄについて、０．４７６≦ｄ≦０．
５１３としたのは、ｄ＜０．４７６の場合には試料５３
のように、また、ｄ＞０．５１３の場合には試料４９の
ように、Ｑ値が２００００よりも低くなり、本発明の目
的を達成することができないからである。
５１３としたのは、ｄ＜０．４７６の場合には試料５３
のように、また、ｄ＞０．５１３の場合には試料４９の
ように、Ｑ値が２００００よりも低くなり、本発明の目
的を達成することができないからである。
【００４４】ｅについて、０．１００≦ｅ≦０．１７５
としたのは、ｅ＜０．１００の場合には、試料４４のよ
うに、また、ｅ＞０．１７５の場合には、試料３４のよ
うに、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
としたのは、ｅ＜０．１００の場合には、試料４４のよ
うに、また、ｅ＞０．１７５の場合には、試料３４のよ
うに、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
【００４５】ｆについて、０．２００≦ｆ≦０．３４９
としたのは、ｆ＜０．２００の場合には、試料４３のよ
うに、また、ｆ＞０．３４９の場合には、試料３３よう
に、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
としたのは、ｆ＜０．２００の場合には、試料４３のよ
うに、また、ｆ＞０．３４９の場合には、試料３３よう
に、Ｑ値が２００００よりも低くなるためである。
【００４６】ｇについて、０＜ｇ≦０．２００としたの
は、ｇ＞０．２００の場合には、試料４５のように、Ｑ
値が２００００よりも低くなり、また、共振周波数の温
度係数（τf）が５０以上とゼロ付近から大きく外れて
しまうためである。０＜ｇ≦０．２００の範囲において
は、ＴｉＯ2量を変化させることにより共振周波数の温
度係数（τf）を、０±１０（ｐｐｍ／℃）の範囲内で
自由にコントロールできる。
は、ｇ＞０．２００の場合には、試料４５のように、Ｑ
値が２００００よりも低くなり、また、共振周波数の温
度係数（τf）が５０以上とゼロ付近から大きく外れて
しまうためである。０＜ｇ≦０．２００の範囲において
は、ＴｉＯ2量を変化させることにより共振周波数の温
度係数（τf）を、０±１０（ｐｐｍ／℃）の範囲内で
自由にコントロールできる。
【００４７】なお、上記限定理由は、上記組成式におい
てＭｅがＭｇの場合に関するものであるが、表２中の組
成式Ｂａ｛（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）0.9Ｔｉ0.1｝Ｏ3で表さ
れる試料５４〜７１の特性より明らかなように、Ｍｇの
一部をＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも1種で
置換した場合にも同等の特性が得られる。ただし、Ｍｇ
をＺｎ、ＮｉまたはＣｏで１００％置換した場合には、
試料５９、７１のようにＱ値が２００００未満となり、
また、試料６５のように未焼結となる。
てＭｅがＭｇの場合に関するものであるが、表２中の組
成式Ｂａ｛（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）0.9Ｔｉ0.1｝Ｏ3で表さ
れる試料５４〜７１の特性より明らかなように、Ｍｇの
一部をＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも1種で
置換した場合にも同等の特性が得られる。ただし、Ｍｇ
をＺｎ、ＮｉまたはＣｏで１００％置換した場合には、
試料５９、７１のようにＱ値が２００００未満となり、
また、試料６５のように未焼結となる。
【００４８】なお、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
には、本発明の目的を損なわない範囲内で、微量の添加
物を加えることができる。たとえば、ＳｉＯ2、ＭｎＣ
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ａｌ2Ｏ3などを
０．０１〜２．０ｗｔ％添加することにより、特性の劣
化を押さえながら、焼成温度を１０〜２０℃低下させる
ことができる。その他にも、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2
Ｏ5、ＷＯ3などを１〜３ｗｔ％添加することで、比誘電
率と温度特性の微調整が可能となり、優れた高周波用誘
電体磁器を得ることが出来る。
には、本発明の目的を損なわない範囲内で、微量の添加
物を加えることができる。たとえば、ＳｉＯ2、ＭｎＣ
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ａｌ2Ｏ3などを
０．０１〜２．０ｗｔ％添加することにより、特性の劣
化を押さえながら、焼成温度を１０〜２０℃低下させる
ことができる。その他にも、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2
Ｏ5、ＷＯ3などを１〜３ｗｔ％添加することで、比誘電
率と温度特性の微調整が可能となり、優れた高周波用誘
電体磁器を得ることが出来る。
【００４９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、比誘電率（εr）が２０以下と低く、Ｑ値が２
００００（１ＧＨｚにおいて）以上と高く、共振周波数
の温度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に
変化させることができる、高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
よれば、比誘電率（εr）が２０以下と低く、Ｑ値が２
００００（１ＧＨｚにおいて）以上と高く、共振周波数
の温度係数（τf）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に
変化させることができる、高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
【００５０】したがって、このような組成を有する誘電
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を作製することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を作製することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
【００５１】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、マイクロ波、ミリ波などの高周波で用いられる誘電
体アンテナ、ＬＣフィルター、配線基板用材料としても
有利に用いることができる。
は、マイクロ波、ミリ波などの高周波で用いられる誘電
体アンテナ、ＬＣフィルター、配線基板用材料としても
有利に用いることができる。
【図１】本発明の誘電体共振器の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】図１に示す誘電体共振器のａ−ｂ面に沿う断面
図である。
図である。
【図３】本発明の誘電体フィルタの一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】本発明の誘電体デュプレクサの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図５】本発明の通信機装置の一例を示すブロック図で
ある。
ある。
１ 誘電体共振器 ２ 誘電体磁器 ３ａ 内導体 ３ｂ 外導体 ４、２６、２８ 誘電体フィルタ ５、３０ 外部結合手段 ６、１２ 誘電体デュプレクサ ７、２０ 入力接続手段 ８、２２ 出力接続手段 ９、２４ アンテナ接続手段 １０ 通信機装置 １４ 送信回路 １６ 受信回路 １８ アンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 1/213 Ｈ０１Ｐ 7/10 7/10 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA10 AA28 AA29 AA32 AA42 BA09 CA01 4G031 AA03 AA06 AA22 AA23 AA26 AA34 BA09 CA01 5G303 AA02 AA05 AA10 AB06 AB08 AB11 BA12 CA01 CB03 CB09 CB17 CB23 CB35 CB38 5J006 HC07
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｂａ、Ｍｅ（ただしＭｅはＭｇ、または
ＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種と
からなる）およびＳｂの元素を含み、モル比による組成
式をａＢａＯ・ｂＭｅＯ・ｃＳｂＯ3/2としたとき、
ａ、ｂおよびｃが ０．４７６≦ａ≦０．５１３ ０．１６０≦ｂ≦０．１７５ ０．３２４≦ｃ≦０．３５０ の関係を満足することを特徴とする、高周波用誘電体磁
器組成物。 - 【請求項２】 前記高周波用誘電体磁器組成物は、Ｂａ
（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3（ただし、ＭｅはＭｇ、または
ＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種と
からなる）で表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相
とすることを特徴とする、請求項１に記載の高周波用誘
電体磁器組成物。 - 【請求項３】 Ｂａ、Ｍｅ（ただしＭｅはＭｇ、または
ＭｇとＺｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種と
からなる）、ＳｂおよびＴｉの元素を含み、モル比によ
る組成式をｄＢａＯ・ｅＭｅＯ・ｆＳｂＯ3/2・ｇＴｉ
Ｏ2としたとき、ｄ、ｅ、ｆおよびｇが ０．４７６≦ｄ≦０．５１３ ０．１００≦ｅ≦０．１７５ ０．２００≦ｆ≦０．３４９ ０＜ｇ≦０．２００ の関係を満足することを特徴とする、高周波用誘電体磁
器組成物。 - 【請求項４】 前記高周波用誘電体磁器組成物は、Ｂａ
｛（Ｍｅ1/3Ｓｂ2/3）1-xＴｉx｝Ｏ3（ただし、０＜ｘ
≦０．４であり、ＭｅはＭｇ、またはＭｇとＺｎ、Ｎｉ
およびＣｏのうちの少なくとも１種とからなる）で表さ
れるペロブスカイト型結晶を主結晶相とすることを特徴
とする、請求項３に記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合し
て作動する、誘電体共振器において、前記誘電体磁器
は、請求項1から４のいずれかに記載の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする、誘電体共振器。 - 【請求項６】 請求項５に記載の誘電体共振器に外部結
合手段を含んでなることを特徴とする、誘電体フィル
タ。 - 【請求項７】 少なくとも２つの誘電体フィルタと、該
誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段
と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接
続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、前
記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項６に記載の
誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デュプ
レクサ。 - 【請求項８】 請求項７に記載の誘電体デュプレクサ
と、該誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接
続手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接続
される前記入出力接続手段と異なる少なくとも１つの入
出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デ
ュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナと
を含んでなることを特徴とする、通信機装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201160A JP2002020169A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
| EP01115498A EP1170269A3 (en) | 2000-07-03 | 2001-06-27 | High frequency dielectric ceramic compact, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| US09/894,063 US6569795B2 (en) | 2000-07-03 | 2001-06-28 | High frequency dielectric ceramic compact, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| KR10-2001-0039482A KR100397739B1 (ko) | 2000-07-03 | 2001-07-03 | 고주파수 유전체 세라믹 콤팩트, 유전체 공진기, 유전체필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201160A JP2002020169A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002020169A true JP2002020169A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18698901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000201160A Pending JP2002020169A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6569795B2 (ja) |
| EP (1) | EP1170269A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002020169A (ja) |
| KR (1) | KR100397739B1 (ja) |
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| US7825594B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-11-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
| US7834550B2 (en) | 2006-01-24 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
| US7837530B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly |
| US7944143B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-05-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame |
| US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
| US8063561B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US8120249B2 (en) | 2006-01-23 | 2012-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| US8125146B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion |
| US8164257B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| US8299705B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
| US8415880B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
| US8729796B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same |
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|---|---|---|---|---|
| US6995715B2 (en) * | 2003-07-30 | 2006-02-07 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Antennas integrated with acoustic guide channels and wireless terminals incorporating the same |
| WO2005099401A2 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Delaware Capital Formation, Inc. | Discrete resonator made of dielectric material |
| JP2005306662A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Tdk Corp | 誘電体セラミックス粉末の製造方法及び複合誘電体材料の製造方法 |
| JP4596004B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-12-08 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、及び通信機装置 |
| US7696845B2 (en) * | 2005-06-23 | 2010-04-13 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric filter for base station communication equipment |
| US10833417B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-10 | City University Of Hong Kong | Filtering dielectric resonator antennas including a loop feed structure for implementing radiation cancellation |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6019604B2 (ja) | 1982-03-27 | 1985-05-17 | ダイキン工業株式会社 | 複合誘電体 |
| JPH0334164A (ja) | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | ハードディスク装置 |
| JP3475779B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2003-12-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
| DE69738011D1 (de) * | 1996-10-25 | 2007-09-27 | Ngk Spark Plug Co | Dielektrisches Material, Verfahren zu dessen Herstellung und dieses Material enthaltende dielektrische Resonatorvorrichtung |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000201160A patent/JP2002020169A/ja active Pending
-
2001
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