JP2001148403A - 半導体チップの実装方法および装置 - Google Patents
半導体チップの実装方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップ、特に薄型のものを実装するの
に好適な半導体チップの実装方法および装置を提供する
こと。 【解決手段】 半導体チップ２０の裏面側からレーザ光
を照射するためのレーザ発振器１０と、レーザ発振器１
０から発せられたレーザ光５０のビームエキスパンダで
あるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レンズ１２Ａ、１２Ｂを
透過したレーザ光をステージ６０上に配置された半導体
チップ２０のバンプ３２近傍に集中させる位相差板１４
と、半導体チップ２０をその裏面側から加圧するととも
に、ガラスから形成されている加圧ツール１６と、を備
えたものとする。そして、半導体チップ２０のバンプ２
２近傍のみにレーザ光５０を照射して加熱することによ
り解決する。
に好適な半導体チップの実装方法および装置を提供する
こと。 【解決手段】 半導体チップ２０の裏面側からレーザ光
を照射するためのレーザ発振器１０と、レーザ発振器１
０から発せられたレーザ光５０のビームエキスパンダで
あるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レンズ１２Ａ、１２Ｂを
透過したレーザ光をステージ６０上に配置された半導体
チップ２０のバンプ３２近傍に集中させる位相差板１４
と、半導体チップ２０をその裏面側から加圧するととも
に、ガラスから形成されている加圧ツール１６と、を備
えたものとする。そして、半導体チップ２０のバンプ２
２近傍のみにレーザ光５０を照射して加熱することによ
り解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの実
装方法および装置に係り、特に薄型の半導体チップの実
装方法および装置に関する。
装方法および装置に係り、特に薄型の半導体チップの実
装方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体チップの実装方法としては、
半導体装置の小型化を図る上で有利なフェースダウンボ
ンディングが採用されている。この方法は、半導体チッ
プの能動素子形成面を基板に向けて実装するもので概略
以下に説明する方法による。図３は、従来技術に係る半
導体チップの実装装置を示す断面図である。すなわち、
図３に示すように、まず、ボンダのステージ６０上に基
板３０を配置し、基板の半導体チップ２０を実装する領
域に異方性導電膜等の接着材料４０を予め設けておく。
次に、基板３０に形成された配線パターン３２と半導体
チップ２０に形成されたバンプ２２との位置合わせをし
つつ、基板３０上に半導体チップ２０を配置する。そし
て、ツール１６を半導体チップ２０の裏面側から降下さ
せ、所定時間加熱加圧をして半導体チップ２０を基板３
０に実装する。
半導体装置の小型化を図る上で有利なフェースダウンボ
ンディングが採用されている。この方法は、半導体チッ
プの能動素子形成面を基板に向けて実装するもので概略
以下に説明する方法による。図３は、従来技術に係る半
導体チップの実装装置を示す断面図である。すなわち、
図３に示すように、まず、ボンダのステージ６０上に基
板３０を配置し、基板の半導体チップ２０を実装する領
域に異方性導電膜等の接着材料４０を予め設けておく。
次に、基板３０に形成された配線パターン３２と半導体
チップ２０に形成されたバンプ２２との位置合わせをし
つつ、基板３０上に半導体チップ２０を配置する。そし
て、ツール１６を半導体チップ２０の裏面側から降下さ
せ、所定時間加熱加圧をして半導体チップ２０を基板３
０に実装する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近では、
半導体装置の小型化を図るために、半導体チップの薄型
化が急速に進みつつあり、当該半導体チップに形成され
る配線層等も非常に薄いものになってきている。しかし
ながら、上記の実装方法は、半導体チップに熱ストレス
を相当程度与えるものであり、薄型化した半導体チップ
においては、配線層等に加わるダメージも従来の厚い半
導体チップよりも大きくなる。ひいては、薄型の半導体
チップの歩留まりを低下させる要因になる。
半導体装置の小型化を図るために、半導体チップの薄型
化が急速に進みつつあり、当該半導体チップに形成され
る配線層等も非常に薄いものになってきている。しかし
ながら、上記の実装方法は、半導体チップに熱ストレス
を相当程度与えるものであり、薄型化した半導体チップ
においては、配線層等に加わるダメージも従来の厚い半
導体チップよりも大きくなる。ひいては、薄型の半導体
チップの歩留まりを低下させる要因になる。
【０００４】そこで、本発明は、前記した従来技術の欠
点を解消するためになされたもので、半導体チップ、特
に薄型のものを実装するのに好適な半導体チップの実装
方法および装置を提供することを目的としている。
点を解消するためになされたもので、半導体チップ、特
に薄型のものを実装するのに好適な半導体チップの実装
方法および装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するための手段として、半導体チップの実装方法に
おいて、配線パターンを設けた基板上に、能動素子形成
面にバンプを設けた半導体チップを配置する第１の工程
と、前記半導体チップの少なくとも前記バンプが設けら
れた部位に前記半導体チップの前記能動素子形成面の裏
面側から光を照射するとともに、前記半導体チップを前
記裏面側から押圧する第２の工程と、を少なくとも有す
ることを特徴とするものとした。
解決するための手段として、半導体チップの実装方法に
おいて、配線パターンを設けた基板上に、能動素子形成
面にバンプを設けた半導体チップを配置する第１の工程
と、前記半導体チップの少なくとも前記バンプが設けら
れた部位に前記半導体チップの前記能動素子形成面の裏
面側から光を照射するとともに、前記半導体チップを前
記裏面側から押圧する第２の工程と、を少なくとも有す
ることを特徴とするものとした。
【０００６】このように構成した本発明においては、半
導体チップを実装する際、半導体チップの少なくともバ
ンプを設けた部位に光を照射し、この光の照射により加
熱するものとしたので、半導体チップのバンプと配線パ
ターンとの接続に無関係な部位に加わる熱を低減するこ
とができる。
導体チップを実装する際、半導体チップの少なくともバ
ンプを設けた部位に光を照射し、この光の照射により加
熱するものとしたので、半導体チップのバンプと配線パ
ターンとの接続に無関係な部位に加わる熱を低減するこ
とができる。
【０００７】また、上記の半導体チップの実装方法にお
いて、前記第２の工程において、レーザ光を照射するこ
とを特徴とするものとした。
いて、前記第２の工程において、レーザ光を照射するこ
とを特徴とするものとした。
【０００８】このように構成した本発明においては、レ
ーザ光が平行光束であることから、上記バンプの周辺な
ど加熱を要する部位のみを集中的に加熱することができ
る。
ーザ光が平行光束であることから、上記バンプの周辺な
ど加熱を要する部位のみを集中的に加熱することができ
る。
【０００９】また、上記の半導体チップの実装方法にお
いて、前記第２の工程において、赤外線光を照射するこ
とを特徴とするものとした。
いて、前記第２の工程において、赤外線光を照射するこ
とを特徴とするものとした。
【００１０】このように構成した本発明においては、赤
外線を照射した部位を効果的に加熱することができる。
外線を照射した部位を効果的に加熱することができる。
【００１１】また、上記の半導体チップの実装方法にお
いて、前記第２の工程において、前記半導体チップを透
光性素材により形成されてなる加圧ツールで押圧するこ
とを特徴とするものとした。
いて、前記第２の工程において、前記半導体チップを透
光性素材により形成されてなる加圧ツールで押圧するこ
とを特徴とするものとした。
【００１２】このように構成した本発明においては、加
熱のために照射される光を加圧ツールを透過させて照射
することができ、加熱と加圧とが同時に行える。
熱のために照射される光を加圧ツールを透過させて照射
することができ、加熱と加圧とが同時に行える。
【００１３】さらに、半導体チップをその能動素子形成
面が基板と相対向するように前記基板に実装する半導体
チップの実装装置において、前記能動素子形成面の裏面
側に光を照射可能な光源と、前記能動素子形成面に設け
られたバンプおよびその近傍に前記光を集中させる光学
素子と、を少なくとも有することを特徴とするものとし
た。
面が基板と相対向するように前記基板に実装する半導体
チップの実装装置において、前記能動素子形成面の裏面
側に光を照射可能な光源と、前記能動素子形成面に設け
られたバンプおよびその近傍に前記光を集中させる光学
素子と、を少なくとも有することを特徴とするものとし
た。
【００１４】このように構成した本発明においては、半
導体チップを実装する際、半導体チップの少なくともバ
ンプを設けた部位に光を照射し、この光の照射により加
熱するものとしたので、半導体チップのバンプと配線パ
ターンとの接続に無関係な部位に加わる熱を低減可能な
実装装置となる。
導体チップを実装する際、半導体チップの少なくともバ
ンプを設けた部位に光を照射し、この光の照射により加
熱するものとしたので、半導体チップのバンプと配線パ
ターンとの接続に無関係な部位に加わる熱を低減可能な
実装装置となる。
【００１５】なお、上記の光を、前記半導体チップの周
辺部に付着している接着材料、つまりフィレットの硬化
を促進するために、当該フィレットにも照射可能である
ことが好ましい。
辺部に付着している接着材料、つまりフィレットの硬化
を促進するために、当該フィレットにも照射可能である
ことが好ましい。
【００１６】また、上記の半導体チップの実装装置にお
いて、前記光源は、レーザ発信器であることを特徴とす
るものとした。
いて、前記光源は、レーザ発信器であることを特徴とす
るものとした。
【００１７】このように構成した本発明においては、レ
ーザ光が平行光束であることから、上記バンプの周辺な
ど加熱を要する部位のみを集中的に加熱可能な実装装置
となる。
ーザ光が平行光束であることから、上記バンプの周辺な
ど加熱を要する部位のみを集中的に加熱可能な実装装置
となる。
【００１８】また、上記の半導体チップの実装装置にお
いて、前記光源は、赤外線ライトであることを特徴とす
るものとした。
いて、前記光源は、赤外線ライトであることを特徴とす
るものとした。
【００１９】このように構成した本発明においては、赤
外線を照射した部位を効果的に加熱可能な実装装置とな
る。
外線を照射した部位を効果的に加熱可能な実装装置とな
る。
【００２０】また、上記の半導体チップの実装装置にお
いて、前記基板上に配置された前記半導体チップを加圧
するとともに、透光性素材より形成されてなる加圧ツー
ルを有することを特徴とするものとした。
いて、前記基板上に配置された前記半導体チップを加圧
するとともに、透光性素材より形成されてなる加圧ツー
ルを有することを特徴とするものとした。
【００２１】このように構成した本発明においては、加
熱のために照射される光を加圧ツールを透過させて照射
することができ、加熱と加圧とが同時に実行可能な実装
装置となる。
熱のために照射される光を加圧ツールを透過させて照射
することができ、加熱と加圧とが同時に実行可能な実装
装置となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る半導体チッ
プの実装方法および装置に関する好適な実施の形態につ
いて添付図面を参照しながら詳細に説明する。
プの実装方法および装置に関する好適な実施の形態につ
いて添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体チップの実装装置を示す断面図である。また、図
２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体チップの
実装装置を示す断面図である。
半導体チップの実装装置を示す断面図である。また、図
２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体チップの
実装装置を示す断面図である。
【００２４】まず、本発明の第１の実施の形態について
説明する。図１に示すように、本発明の第１の実施の形
態においては、厚み５０μｍの半導体チップ２０の裏面
側からレーザ光５０を照射するためのレーザ発振器１０
と、レーザ発振器１０から発せられたレーザ光５０のビ
ームエキスパンダであるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レン
ズ１２Ａ、１２Ｂを透過したレーザ光５０をステージ６
０上に配置された半導体チップ２０のバンプ３２近傍に
集中させる位相差板１４と、を備えている。また、半導
体チップ２０をその裏面側から加圧するとともに、ガラ
スから形成されている加圧ツール１６を備えている。く
わえて、基板３０の半導体チップ２０を実装する領域に
は、異方性導電膜４０を設けているが、これは半導体チ
ップ２０を基板３０上に配置する前に予め設けていたも
のである。また、基板３０は、無機系、有機系いずれの
ものであっても良い。
説明する。図１に示すように、本発明の第１の実施の形
態においては、厚み５０μｍの半導体チップ２０の裏面
側からレーザ光５０を照射するためのレーザ発振器１０
と、レーザ発振器１０から発せられたレーザ光５０のビ
ームエキスパンダであるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レン
ズ１２Ａ、１２Ｂを透過したレーザ光５０をステージ６
０上に配置された半導体チップ２０のバンプ３２近傍に
集中させる位相差板１４と、を備えている。また、半導
体チップ２０をその裏面側から加圧するとともに、ガラ
スから形成されている加圧ツール１６を備えている。く
わえて、基板３０の半導体チップ２０を実装する領域に
は、異方性導電膜４０を設けているが、これは半導体チ
ップ２０を基板３０上に配置する前に予め設けていたも
のである。また、基板３０は、無機系、有機系いずれの
ものであっても良い。
【００２５】なお、異方性導電膜４０に代えて、Ａｇ／
Ｐｄ系などの導電ペーストをバンプ２２に設けるものと
しても良い。また、レーザ発信器は、気体、液体、固体
のいずれのレーザ光に係るものであっても良いが、異方
性導電膜等の接着材料を用いて半導体チップ２０を基板
３０に実装するのに十分な温度で加熱できるものが好ま
しい。例えば、異方性導電膜の場合で２００℃前後、導
電ペーストの場合で１００℃前後に加熱可能であること
が好ましい。くわえて、赤外線レーザ光を発振する、例
えばＣ、ＣＯ2等の気体レーザは特に好ましく用いるこ
とができる。また、加圧ツール１６を形成する素材は、
ガラスに限られるものではなく、入射したレーザ光を散
乱させることなく透過可能であれば他の素材で形成して
も良い。また、加圧ツール１６に貫通孔を設け、レーザ
光５０がこの貫通孔を通過するものとしても良い。
Ｐｄ系などの導電ペーストをバンプ２２に設けるものと
しても良い。また、レーザ発信器は、気体、液体、固体
のいずれのレーザ光に係るものであっても良いが、異方
性導電膜等の接着材料を用いて半導体チップ２０を基板
３０に実装するのに十分な温度で加熱できるものが好ま
しい。例えば、異方性導電膜の場合で２００℃前後、導
電ペーストの場合で１００℃前後に加熱可能であること
が好ましい。くわえて、赤外線レーザ光を発振する、例
えばＣ、ＣＯ2等の気体レーザは特に好ましく用いるこ
とができる。また、加圧ツール１６を形成する素材は、
ガラスに限られるものではなく、入射したレーザ光を散
乱させることなく透過可能であれば他の素材で形成して
も良い。また、加圧ツール１６に貫通孔を設け、レーザ
光５０がこの貫通孔を通過するものとしても良い。
【００２６】上記構成によれば、レーザ発振器１０が発
したレーザ光５０は、まずレンズ１２Ａ、１２Ｂで拡大
される。次に、位相差板１４においてバンプ２２近傍に
集中的に照射されるように位相差調整される。そして、
加圧ツール１６を透過して半導体チップ２０のバンプ２
２を設けた領域の裏面側に照射される。半導体チップ２
０は非常に薄いものであるので、レーザ光５０はバンプ
２２を設けた側まで透過してバンプ２２近傍を加熱す
る。よって、半導体チップを実装する際に、局所的に加
熱することが可能であり、加熱を要さない領域に不要な
熱を加わえることがない。
したレーザ光５０は、まずレンズ１２Ａ、１２Ｂで拡大
される。次に、位相差板１４においてバンプ２２近傍に
集中的に照射されるように位相差調整される。そして、
加圧ツール１６を透過して半導体チップ２０のバンプ２
２を設けた領域の裏面側に照射される。半導体チップ２
０は非常に薄いものであるので、レーザ光５０はバンプ
２２を設けた側まで透過してバンプ２２近傍を加熱す
る。よって、半導体チップを実装する際に、局所的に加
熱することが可能であり、加熱を要さない領域に不要な
熱を加わえることがない。
【００２７】なお、この実施の形態においては、レーザ
光５０が半導体チップ２０を透過して加熱することを前
提としているので、半導体チップ２０の厚みは５０μｍ
前後またはそれ以下であることが好ましい。しかしなが
ら、レーザ光５０が半導体チップ２０を透過しない程度
の厚みであっても、半導体チップ２０の裏面側にレーザ
光５０を照射し、裏面側から加熱してバンプ２２近傍の
温度を上昇させることも可能である。よって、半導体チ
ップ２０の厚みが５０μｍ前後を超えていても良い。
光５０が半導体チップ２０を透過して加熱することを前
提としているので、半導体チップ２０の厚みは５０μｍ
前後またはそれ以下であることが好ましい。しかしなが
ら、レーザ光５０が半導体チップ２０を透過しない程度
の厚みであっても、半導体チップ２０の裏面側にレーザ
光５０を照射し、裏面側から加熱してバンプ２２近傍の
温度を上昇させることも可能である。よって、半導体チ
ップ２０の厚みが５０μｍ前後を超えていても良い。
【００２８】また、レーザ発振器１０に代えて、コヒー
レンスのない赤外線光を照射する赤外線ライトを用いて
も良い。この場合、レーザ発信器を用いる場合のように
平行光が得られないので、加熱を要する部位に光のエネ
ルギーを集中することにやや困難性を伴うが、比較的高
価なレーザ発振器を用いないので、実装装置の低価格化
を図ることができる。
レンスのない赤外線光を照射する赤外線ライトを用いて
も良い。この場合、レーザ発信器を用いる場合のように
平行光が得られないので、加熱を要する部位に光のエネ
ルギーを集中することにやや困難性を伴うが、比較的高
価なレーザ発振器を用いないので、実装装置の低価格化
を図ることができる。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図２に示すように、本発明の第２の実施の形
態においては、厚み５０μｍの半導体チップ２０の裏面
側からレーザ光５０を照射するためのレーザ発振器１０
と、レーザ発振器１０から発せられたレーザ光５０のビ
ームエキスパンダであるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レン
ズ１２Ａ、１２Ｂを透過したレーザ光５０を反射させて
ステージ６０上に配置された半導体チップ２０のバンプ
３２近傍に照射する反射鏡１８と、を備えている。特
に、反射鏡１８は、その設定角度を自在に変更すること
ができ、半導体チップ２０に照射されるレーザ光５０の
角度を、例えばレーザ光５１に示すように自在に変更で
きる。また、半導体チップ２０をその裏面側から加圧す
るとともに、ガラスから形成されている加圧ツール１６
を備えている。その他の構成は、本発明の第１の実施の
形態と同様である。
説明する。図２に示すように、本発明の第２の実施の形
態においては、厚み５０μｍの半導体チップ２０の裏面
側からレーザ光５０を照射するためのレーザ発振器１０
と、レーザ発振器１０から発せられたレーザ光５０のビ
ームエキスパンダであるレンズ１２Ａ、１２Ｂと、レン
ズ１２Ａ、１２Ｂを透過したレーザ光５０を反射させて
ステージ６０上に配置された半導体チップ２０のバンプ
３２近傍に照射する反射鏡１８と、を備えている。特
に、反射鏡１８は、その設定角度を自在に変更すること
ができ、半導体チップ２０に照射されるレーザ光５０の
角度を、例えばレーザ光５１に示すように自在に変更で
きる。また、半導体チップ２０をその裏面側から加圧す
るとともに、ガラスから形成されている加圧ツール１６
を備えている。その他の構成は、本発明の第１の実施の
形態と同様である。
【００３０】上記構成によれば、レーザ発振器１０が発
したレーザ光５０は、まずレンズ１２Ａ、１２Ｂで拡大
される。次に、反射鏡１８において半導体チップ２０の
バンプ２２近傍に照射されるように反射される。そし
て、加圧ツール１６を透過して半導体チップ２０のバン
プ２２を設けた領域の裏面側に照射される。半導体チッ
プ２０は非常に薄いものであるので、レーザ光５０はバ
ンプ２２を設けた側まで透過してバンプ２２近傍を加熱
する。くわえて、反射鏡１８の角度は、各バンプ２２を
スキャンして行くので、各バンプ２２の近傍は順次加熱
されて行く。よって、半導体チップを実装する際に、局
所的に加熱することが可能であり、加熱を要さない領域
に不要な熱を加わえることがない。また、第１の実施の
形態に比して、レーザ光をスキャンするので構成がやや
複雑になるが、第１の実施の形態ほどレーザ光を拡散さ
せないので、レーザ発振器１０の出力が比較的小さなも
のであっても良い。
したレーザ光５０は、まずレンズ１２Ａ、１２Ｂで拡大
される。次に、反射鏡１８において半導体チップ２０の
バンプ２２近傍に照射されるように反射される。そし
て、加圧ツール１６を透過して半導体チップ２０のバン
プ２２を設けた領域の裏面側に照射される。半導体チッ
プ２０は非常に薄いものであるので、レーザ光５０はバ
ンプ２２を設けた側まで透過してバンプ２２近傍を加熱
する。くわえて、反射鏡１８の角度は、各バンプ２２を
スキャンして行くので、各バンプ２２の近傍は順次加熱
されて行く。よって、半導体チップを実装する際に、局
所的に加熱することが可能であり、加熱を要さない領域
に不要な熱を加わえることがない。また、第１の実施の
形態に比して、レーザ光をスキャンするので構成がやや
複雑になるが、第１の実施の形態ほどレーザ光を拡散さ
せないので、レーザ発振器１０の出力が比較的小さなも
のであっても良い。
【００３１】なお、上記第１および第２の実施の形態に
おいて、異方性導電膜を使用する場合は、半導体チップ
２０の周辺に異方性導電膜が付着してフィレットを形成
されることを促進するために、レーザ光５０を半導体チ
ップ２０の周辺の異方性導電膜にも照射可能とすること
が好ましい。
おいて、異方性導電膜を使用する場合は、半導体チップ
２０の周辺に異方性導電膜が付着してフィレットを形成
されることを促進するために、レーザ光５０を半導体チ
ップ２０の周辺の異方性導電膜にも照射可能とすること
が好ましい。
【００３２】以上のように、本発明の各実施の形態にお
いては、半導体チップを実装する際に局所加熱が可能で
あり、半導体チップに不要な熱ストレスを与えることが
ない。また、特開平３−１４１６５６号に記載の発明に
おいては、基板を透明なものとし、レーザ光を基板を透
過させて照射するものとしているが、本発明の実施の形
態においては半導体チップを透過させるので、基板の材
質を問わない。
いては、半導体チップを実装する際に局所加熱が可能で
あり、半導体チップに不要な熱ストレスを与えることが
ない。また、特開平３−１４１６５６号に記載の発明に
おいては、基板を透明なものとし、レーザ光を基板を透
過させて照射するものとしているが、本発明の実施の形
態においては半導体チップを透過させるので、基板の材
質を問わない。
【００３３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、配線パターンを設けた基板上に、能動素子形成面に
バンプを設けた半導体チップを配置する第１の工程と、
前記半導体チップの少なくとも前記バンプが設けられた
部位に前記半導体チップの前記能動素子形成面の裏面側
から光を照射するとともに、前記半導体チップを前記裏
面側から押圧する第２の工程と、を少なくとも有する構
成としているため、半導体チップを局所的に加熱するこ
とができ、半導体チップに不要な熱ストレスを加えるこ
とがない。
ば、配線パターンを設けた基板上に、能動素子形成面に
バンプを設けた半導体チップを配置する第１の工程と、
前記半導体チップの少なくとも前記バンプが設けられた
部位に前記半導体チップの前記能動素子形成面の裏面側
から光を照射するとともに、前記半導体チップを前記裏
面側から押圧する第２の工程と、を少なくとも有する構
成としているため、半導体チップを局所的に加熱するこ
とができ、半導体チップに不要な熱ストレスを加えるこ
とがない。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体チップ
の実装装置を示す断面図である。
の実装装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体チップ
の実装装置を示す断面図である。
の実装装置を示す断面図である。
【図３】従来技術に係る半導体チップの実装装置を示す
断面図である。
断面図である。
１０ レーザ発振器 １２Ａ レンズ １２Ｂ レンズ １４ 位相差板 １６ 加圧ツール １８ 反射鏡 ２０ 半導体チップ ２２ バンプ ３０ 基板 ３２ 配線パターン ４０ 異方性導電膜 ５０ レーザ光 ５１ レーザ光 ６０ ステージ
Claims (8)
- 【請求項１】 配線パターンを設けた基板上に、能動素
子形成面にバンプを設けた半導体チップを配置する第１
の工程と、 前記半導体チップの少なくとも前記バンプが設けられた
部位に前記半導体チップの前記能動素子形成面の裏面側
から光を照射するとともに、前記半導体チップを前記裏
面側から押圧する第２の工程と、を少なくとも有するこ
とを特徴とする半導体チップの実装方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程において、レーザ光を照
射することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ
の実装方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程において、赤外線光を照
射することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ
の実装方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程において、前記半導体チ
ップを透光性素材により形成されてなる加圧ツールで押
圧することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいず
れかに記載の半導体チップの実装方法。 - 【請求項５】 半導体チップをその能動素子形成面が基
板と相対向するように前記基板に実装する半導体チップ
の実装装置において、 前記能動素子形成面の裏面側に光を照射可能な光源と、 前記能動素子形成面に設けられたバンプおよびその近傍
に前記光を集中させる光学素子と、を少なくとも有する
ことを特徴とする半導体チップの実装装置。 - 【請求項６】 前記光源は、レーザ発信器であることを
特徴とする請求項５に記載の半導体チップの実装装置。 - 【請求項７】 前記光源は、赤外線ライトであることを
特徴とする請求項５に記載の半導体チップの実装装置。 - 【請求項８】 前記基板上に配置された前記半導体チッ
プを加圧するとともに、透光性素材より形成されてなる
加圧ツールを有することを特徴とする請求項５ないし請
求項７のいずれかに記載の半導体チップの実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32846399A JP2001148403A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | 半導体チップの実装方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32846399A JP2001148403A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | 半導体チップの実装方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001148403A true JP2001148403A (ja) | 2001-05-29 |
Family
ID=18210558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32846399A Withdrawn JP2001148403A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | 半導体チップの実装方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001148403A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147880A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Citizen Miyota Co Ltd | 半田バンプ付き半導体接合方法および半田バンプ付き半導体接合装置 |
| DE102006036544A1 (de) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Optoelektronisches Modul |
| KR100867587B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-11-10 | 전선우 | 레이저를 이용한 이방전도성필름의 본딩 제어 장치 |
| EP2045034A1 (en) | 2007-10-03 | 2009-04-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Flip-chip mounting apparatus |
| JP2010010196A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | I-Pulse Co Ltd | レーザーリフロー方法および装置 |
| JP2013021325A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-31 | Samsung Electronics Co Ltd | レーザーを利用する半導体チップ除去装置 |
| JP2013239560A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2019009441A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-17 | プロテック カンパニー リミテッドＰｒｏｔｅｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 半導体チップボンディング装置及び半導体チップボンディング方法 |
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| US10410990B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Jig for bonding a semiconductor chip, apparatus for bonding a semiconductor chip including the jig, and method of bonding a semiconductor chip using the apparatus |
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| US10998303B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing package-on-package device and bonding apparatus used therein |
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| US11810890B2 (en) | 2020-04-23 | 2023-11-07 | Protec Co., Ltd. | Flip-chip bonding apparatus using VCSEL device |
-
1999
- 1999-11-18 JP JP32846399A patent/JP2001148403A/ja not_active Withdrawn
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10483228B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-11-19 | Protec Co., Ltd. | Apparatus for bonding semiconductor chip and method for bonding semiconductor chip |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |