JP7185052B2 - フリップチップレーザーボンディングシステム - Google Patents

フリップチップレーザーボンディングシステム Download PDF

Info

Publication number
JP7185052B2
JP7185052B2 JP2021538799A JP2021538799A JP7185052B2 JP 7185052 B2 JP7185052 B2 JP 7185052B2 JP 2021538799 A JP2021538799 A JP 2021538799A JP 2021538799 A JP2021538799 A JP 2021538799A JP 7185052 B2 JP7185052 B2 JP 7185052B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
unit
laser
substrate
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021538799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022519993A (ja
Inventor
グン シク アン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Protec Co Ltd Korea
Original Assignee
Protec Co Ltd Korea
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Protec Co Ltd Korea filed Critical Protec Co Ltd Korea
Publication of JP2022519993A publication Critical patent/JP2022519993A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7185052B2 publication Critical patent/JP7185052B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/005—Soldering by means of radiant energy
    • B23K1/0056—Soldering by means of radiant energy soldering by means of beams, e.g. lasers, E.B.
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75261—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75261—Laser
    • H01L2224/75263—Laser in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/8101—Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/81011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/81224—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81908—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、フリップチップレーザーボンディングシステムに係り、さらに詳細には、フリップチップ型の半導体チップをレーザービームを用いて基板にボンディングするフリップチップレーザーボンディングシステムに関する。
電子製品の小型化に伴って、ワイヤーボンディングを使用しないフリップチップ型の半導体チップが広く使われている。フリップチップ型の半導体チップは、半導体チップの下面にはんだバンプ型の多数の電極が形成され、基板に形成されたはんだバンプに対応する位置にボンディングする方式で基板に実装される。
このようにフリップチップ方式で半導体チップを基板に実装する方法は、リフロー方式とレーザーボンディング方式に大別される。リフロー方式は、はんだバンプにフラックスが塗布された半導体チップを基板上に配置した状態で高温のリフローを経由するようにすることにより、半導体チップを基板にボンディングする方式である。レーザーボンディング方式は、リフロー方式と同様に、はんだバンプにフラックスが塗布された半導体チップを基板上に配置した状態で、半導体チップにレーザービームを照射してエネルギーを伝達することにより、瞬間的にはんだバンプが溶けてから固まりながら半導体チップが基板にボンディングされるようにする方式である。
最近使用されるフリップチップ型の半導体チップは、厚さが数十マイクロメートル以下に薄くなる傾向にある。このように半導体チップが薄い場合には、半導体チップ自体の内部応力により半導体チップが微細に撓んだり歪んだり（ｗａｒｐｅｄ）している場合が多い。このように半導体チップが変形している場合には、半導体チップのはんだバンプのうち、基板の対応するはんだバンプと接触していない状態でボンディングされることが発生し得る。このような状況は、半導体チップボンディング工程の不良をもたらす。また、半導体チップを基板にボンディングするために、半導体チップ及び基板の温度が上昇する場合に資材内部材質の熱膨張係数の差により半導体チップまたは基板が部分的に撓んだり歪んだりする現象が発生し得る。このような現象も、半導体チップボンディング工程の不良をもたらす。
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもので、その目的は、撓んだり歪んだりしている半導体チップ、または温度の上昇によって撓んだり歪んだりする可能性のある半導体チップを、はんだバンプの接触不良を防止しながら効果的に基板にボンディングすることができるフリップチップレーザーボンディングシステムを提供することにある。
上記の目的を達成するための本発明によるフリップチップレーザーボンディングシステムは、基板の上面にボンディングするための複数の半導体チップが配置された状態の前記基板を供給する供給ユニットと、前記供給ユニットから前記基板の供給を受けて前記基板の下面を固定する固定ユニットと、前記固定ユニットに固定された基板にレーザービームを照射して前記半導体チップと基板とをボンディングするレーザーヘッド、及び前記レーザーヘッドを移送するレーザー移送部を備えるレーザーユニットと、前記レーザーユニットのレーザーヘッドから照射されるレーザービームを透過させる透過部を備えるマスクと、前記マスクを前記固定ユニットの上側に据え置くマスク据置ユニットと、前記固定ユニットから前記基板の送達を受けて排出する排出ユニットと、前記供給ユニット、前記固定ユニット、前記レーザーユニット及び前記排出ユニットの作動を制御する制御部と、を含んでなることに特徴がある。
本発明によるフリップチップレーザーボンディングシステムは、半導体チップを加圧した状態で基板にレーザーボンディングすることにより、撓んでいるか撓む可能性のある半導体チップもはんだバンプの接触不良なしに基板にボンディングすることができるという効果がある。
本発明の一実施形態によるフリップチップレーザーボンディングシステムの斜視図である。 図１に示されたフリップチップレーザーボンディングシステムの正面図である。 図１に示されたフリップチップレーザーボンディングシステムの一部分に対する平面図である。 図１に示されたフリップチップレーザーボンディングシステムに使用されるマスクの平面図である。 図４に示されたマスクのＶ－Ｖ線に沿った断面図である。
以下、添付図面を参照して、本発明によるフリップチップレーザーボンディングシステムについて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態によるフリップチップレーザーボンディングシステムの斜視図であり、図２は図１に示されたフリップチップレーザーボンディングシステムの正面図である。
本実施形態のフリップチップレーザーボンディングシステムは、レーザービームを用いて基板に半導体チップをフリップチップの形でボンディングするための装置である。基板と半導体チップのいずれか一方または両方にはそれぞれはんだバンプが形成されており、レーザービームによって伝達されるエネルギーではんだバンプが瞬間的に溶けてから固まりながら半導体チップが基板にボンディングされる。
図１及び図２を参照すると、本実施形態によるフリップチップレーザーボンディングシステムは、供給ユニット１１０、固定ユニット１２０、レーザーユニット２００及び排出ユニット１３０を含んでなる。
供給ユニット１１０は、レーザーボンディングを行うための基板を固定ユニット１２０に供給する構成である。基板は、複数の半導体チップが配置された状態で供給される。通常、基板にフラックスが塗布され、その上に半導体チップが配置される。プラックスの粘性または粘着性によって、半導体チップは基板に仮接着された状態となる。比較的大きい振動や外力が加えられない限り、基板に配置された半導体チップは、フラックスによって、揺れずに基板に対する位置が維持される。
供給ユニット１１０は、このように半導体チップが仮接着された状態の多数の基板を順次固定ユニット１２０に供給する。本実施形態の場合、供給ユニット１１０は、基板の両側を支持するベルトを用いて固定ユニット１２０に基板を供給する。
固定ユニット１２０も、基板の両側を支持するベルトを用いて、供給ユニット１１０から送達された基板を作業位置に移送する。固定ユニット１２０は、基板の下面を吸着する方法で固定する。
レーザーユニット２００は、固定ユニット１２０の上側に配置される。レーザーユニット２００は、レーザーヘッド２１０とレーザー移送部２２０を備える。レーザーヘッド２１０は、固定ユニット１２０に固定された基板にレーザービームを照射してエネルギーを伝達する。レーザー移送部２２０は、レーザーヘッド２１０を上下方向と水平方向に移送する。レーザーヘッド２１０が、固定ユニット１２０に固定された基板の半導体チップの上側に順次動きながらレーザービームを照射するように、制御部５００がレーザーユニット２００を作動させる。
基板が固定される固定ユニット１２０の上側には、マスク４００が配置される。マスク４００は、マスク据置ユニット３００によって支持される。マスク４００は、レーザー光を透過させることができる透過部４４０を備える。レーザーヘッド２１０から照射されるレーザービームは、マスク４００の透過部４４０を通過して下側の半導体チップに伝達される。マスク４００の具体的な構造については後述する。
加圧ユニット３５０は、マスク据置ユニット３００と固定ユニット１２０のいずれか一方を他の一方に対して昇降させて、マスク４００の透過部４４０によって、基板に付着した半導体チップを加圧するための構成である。本実施形態の場合、加圧ユニット３５０は基板を昇降させる。図２を参照すると、加圧ユニット３５０は、固定ユニット１２０で基板の下面を吸着する構成を昇降させる。マスク据置ユニット３００にマスク４００が据え置かれた状態で加圧ユニット３５０が基板を持ち上げると、マスク４００の透過部４４０の重さが半導体チップに載せられながら半導体チップを加圧する。
排出ユニット１３０は、固定ユニット１２０から半導体チップのレーザーボンディング済みの基板の送達を受けて排出する。供給ユニット１１０及び固定ユニット１２０と同様に、排出ユニット１３０は、基板の両側を支持するベルトを用いて固定ユニット１２０から基板の送達を受けてアンローダーに排出する。
制御部５００は、供給ユニット、固定ユニット１２０、レーザーユニット２００、排出ユニット１３０などの構成を始めとした本発明の主要構成の作動を制御する。
検査カメラ２３０は、固定ユニット１２０の上側に配置される。本実施形態の場合、検査カメラ２３０は、レーザーユニット２００に設置され、レーザー移送部２２０によってレーザーヘッド２１０と一緒に動く。検査カメラ２３０は、下側に配置された基板またはマスク４００を撮影して、制御部５００が半導体チップの位置を把握するか或いはマスク４００の汚染有無を判断するようにする。
検査ランプ６１０は、検査カメラ２３０の下側に配置される。本実施形態の場合、検査ランプ６１０は、後述するマスク交換ユニット６００に設置される。検査ランプ６１０は、マスク４００が移送される経路の下側に配置される。検査ランプ６１０は、マスク４００の下側から光を照射する。検査ランプ６１０から発生した光は、マスク４００の透過部４４０を経て上側の検査カメラ２３０に伝達される。検査ランプ６１０の照明を用いて、検査カメラ２３０は、さらに効果的にマスク４００の透過部４４０を撮影することができる。検査カメラ２３０で撮影された画像の伝達を受けた制御部５００は、マスク４００の透過部４４０が汚染したかを検査し、これに基づいてマスク４００の交換の必要性を検査する。
図３を参照すると、固定ユニット１２０の上側には赤外線カメラ２４０が設置される。赤外線カメラ２４０は、固定ユニット１２０に固定された基板の半導体チップを撮影する。マスク４００が基板の上側に配置された場合には、マスク４００の透過部４４０を介して半導体チップを撮影する。制御部５００は、赤外線カメラ２４０で撮影された値を用いて、半導体チップの領域別温度を把握することができる。制御部５００は、赤外線カメラ２４０の測定値を用いてレーザーユニット２００のレーザーヘッド２１０の作動を制御する。
マスク交換ユニット６００は、複数のマスク４００を収納する構成であり、必要に応じてマスク据置ユニット３００に据え置かれたマスク４００を交換する構成である。制御部５００は、必要に応じてマスク４００の交換命令をマスク交換ユニット６００に伝達し、マスク交換ユニット６００は、マスク据置ユニット３００に据え置かれたマスク４００を新しいマスク４００で交換する。上述したように、検査ランプ６１０はマスク交換ユニット６００に設置されているので、交換対象であるマスク４００は、検査ランプ６１０の上側に配置された状態で汚染有無が検査される。検査カメラ２３０によって撮影された画像を制御部５００が検査した結果、汚染していないと判断されると、マスク４００は、再びマスク据置ユニット３００に送達される。マスク４００が汚染していると制御部５００によって判断される場合には、汚染したマスク４００は、マスク交換ユニット６００に収納され、新しいマスク４００が引き出されてマスク据置ユニット３００に送達される。
以下、図４及び図５を参照してマスク４００の構造について説明する。
本実施形態で使用されるマスク４００は、マスク本体４１０、複数の透過孔４２０及び透過部４４０を備える。
マスク本体４１０は、平板形状に形成される。マスク本体４１０は、基板の形状と対応する形状に製作され、基板の大きさを考慮して、それと類似の大きさに製作される。
マスク本体４１０は、複数の透過孔４２０を備える。透過孔４２０は、マスク４００の下側に配置される基板の半導体チップの位置と対応する位置にそれぞれ形成される。透過孔４２０は、半導体チップの大きさ及び形状と類似の大きさ及び形状に製作される。本実施形態の場合、半導体チップの大きさよりも少し大きく形成された透過孔４２０を備えるマスク本体４１０を使用する。
それぞれの透過孔４２０には、それぞれ内側に突出するように係止段部４３０が形成される。本実施形態の場合、図４に示されているように、透過孔４２０に対応する形状に係止段部４３０が形成された。係止段部４３０の形状は、図４に示された場合に加えて、他の様々な形状が使用できる。
図５を参照すると、透過部４４０は、透過孔４２０にそれぞれ一つずつ挿入される。このとき、透過部４４０の下部は、係止段部４３０に係止されるように形成される。透過部４４０の下面は平面状に形成される。加圧ユニット３５０の作動によって透過部４４０がそれぞれ基板上の半導体チップを加圧するとき、下面が平らに形成された透過部４４０によって半導体チップを均一に平面的に加圧する。透過部４４０は、レーザービームが透過し得る透明材質で構成される。レーザービームを透過させる用途に広く使用されるクォーツ（ｑｕａｒｔｚ）が透過部４４０の材料として使用できる。マスク本体４１０は、レーザービームが透過し得ない不透明材質で形成される。マスク本体４１０は、透過部４４０を除いた領域にはレーザービームが通過することを防止する役割を果たす。
本実施形態の場合、透過部４４０の上面にはウエイト溝４４１が凹設される。ウエイト溝４４１にはそれぞれウエイト（おもり）４４２が配置される。ウエイト４４２は、透過部４４０によって半導体チップを加圧する力をさらに増加させる役割を果たす。
以下、上述したように構成された本実施形態によるフリップチップレーザーボンディングシステムの作動について説明する。
まず、半導体チップが配置された基板を用意する。上述したように半導体チップの下面に形成されたはんだバンプ２１にフラックスが塗布された半導体チップを基板に仮接着する方法で、半導体チップが配置された基板を供給ユニット１１０で順次供給する。
供給ユニット１１０は、基板を固定ユニット１２０に供給する。固定ユニット１２０は、基板の送達を受け、基板の下面を吸着する方法で固定する。
このような状態で、レーザーユニット２００のレーザー移送部２２０は、検査カメラ２３０を基板の上で動かしながら基板の半導体チップを撮影する。制御部５００は、検査カメラ２３０から伝達された画像を用いて、各半導体チップの位置を把握する。
次に、マスク交換ユニット６００は、マスク４００を固定ユニット１２０の上側に移送する。マスク据置ユニット３００は、マスク４００の送達を受けて基板の上側に据え置く。
このような状態で、加圧ユニット３５０は、固定ユニット１２０に固定された基板を上昇させる。
加圧ユニット３５０によって基板が上昇すると、基板の半導体チップは、それぞれマスク４００の透過部４４０の下面に接触する。加圧ユニット３５０が基板を上昇させ続けると、それぞれの半導体チップがマスク本体４１０に対して透過部４４０を持ち上げる。上述したように、透過部４４０は、マスク本体４１０の係止段部４３０に掛けられている状態なので、半導体チップを上昇させ続けると、透過部４４０は、半導体チップによって上方に持ち上げられる。つまり、マスク本体４１０は、停止した状態で透過部４４０のみ上昇する。その結果、透過部４４０の荷重が各半導体チップに伝達されながら、半導体チップの上面を平らに加圧する。この時、上述したように透過部４４０のウエイト溝にウエイト４４２が配置されていれば、ウエイト４４２の重量だけ半導体チップを加圧する力の大きさが増加する。
このような状態で、制御部５００は、レーザーユニット２００を作動させて基板の半導体チップを順次ボンディングする。レーザー移送部２２０がレーザーヘッド２１０を順次それぞれの半導体チップ上に配置し、レーザーヘッド２１０がレーザービームを照射すると、半導体チップが基板にボンディングされる。レーザービームが透過部４４０と半導体チップの本体を透過してはんだバンプに伝達され、温度を上げてはんだバンプを基板のパッドに接着させる。
レーザービームは、瞬間的にはんだバンプの温度を高めるので、半導体チップ自体の温度を必要以上に上げないという利点がある。半導体チップが歪んでいるか熱変形が発生しても、マスク４００の透過部４４０が半導体チップの上面を押しているので、半導体チップが歪んだり撓んだりすることを防止することができるという利点がある。このように、半導体チップが撓むのを防止すると、半導体チップのはんだバンプの一部が基板にボンディングされない不良の発生を防止することができる。
前述したように、レーザービームは、マスク４００の透過部４４０のみを通過することができ、マスク本体４１０は通過することができないので、レーザーヘッド２１０から照射されるレーザービームは、半導体チップにのみ伝達される。このように透過部４４０とマスク本体４１０で構成されたマスク４００を用いることにより、レーザービームのエネルギーが伝達される必要のない基板部分にレーザービームが照射されることを防止することができるという効果がある。
また、複数の半導体チップを同時に基板にボンディングすることも可能である。レーザーヘッド２１０を操作してレーザービームの照射面積を広げると、２つ以上の半導体チップに対して同時にレーザービームを照射することができる。マスク４００のマスク本体４１０は、レーザービームが通過することができないので、広い領域にレーザービームを照射しても、ボンディングが必要な半導体チップにのみレーザービームのエネルギーを伝達することが可能である。このような方法で複数の半導体チップを同時に基板にボンディングすることにより、全体的に工程の生産性を向上させることができる。場合によっては、マスク４００全体にレーザービームを照射して半導体チップ全体を同時に基板にボンディングすることも可能である。
一方、透過部４４０のウエイト溝４４１とウエイト４４２が配置される領域は、半導体チップのはんだバンプが形成されない領域に形成される。本実施形態の場合、半導体チップの中央部にははんだバンプが存在せず、半導体チップの縁部にのみはんだバンプが存在するので、図示の如く、透過部４４０の中央部にウエイト溝４４１とウエイト４４２が配置される。
上述した過程を経てボンディングが完了した基板は、固定ユニット１２０から排出ユニット１３０に送達される。排出ユニット１３０は、当該基板の送達を受けてアンローダーに送達する。
制御部５００は、マスク４００の使用回数が一定回数を超えると、汚染検査または交換を行うようにマスク交換ユニット６００を作動させる。
例えば、マスク４００を２０回使用した後には、制御部５００は、マスク交換ユニット６００によってマスク４００をマスク据置ユニット３００から検査ランプ６１０の上側に移送する。このような状態で、制御部５００は、検査ランプ６１０を点灯させ、検査カメラ２３０によってマスク４００を撮影する。マスク４００の撮影画像に透過部４４０が汚染して粉塵粒子などが発見されると、制御部５００は、マスク４００を交換するようにマスク交換ユニット６００を作動させる。マスク交換ユニット６００は、汚染したマスク４００を交換して新しいマスク４００をマスク据置ユニット３００に移送して据え置く。制御部５００の検査結果、マスク４００が汚染していないと判定された場合には、検査ランプ６１０の上側にあったマスク４００を再びマスク据置ユニット３００に移送して再使用する。
一方、制御部５００は、赤外線カメラ２４０を用いてリアルタイムで半導体チップの温度を測定し、これを反映してレーザーヘッド２１０の作動を制御することができる。マスク４００を使用する場合には、マスク４００の温度を介して間接的に半導体チップの温度を赤外線カメラ２４０が測定する。
本実施形態のフリップチップレーザーボンディングシステムは、場合によってはマスク４００を使用しないこともある。基板に配置された半導体チップが撓んだり歪んだりする可能性がない場合には、マスク４００を用いて半導体チップを加圧することなく、直接半導体チップにレーザービームを照射しながらボンディングすることが可能である。この場合には、赤外線カメラ２４０を用いて半導体チップの上面を直接撮影し、その測定値を用いて制御部５００がレーザーヘッド２１０の作動をフィードバック制御することができる。
以上、本発明について好適な例を挙げて説明したが、本発明の範囲は前述及び図示した形態に限定されるものではない。
例えば、加圧部材が基板を上昇させると説明したが、加圧部材がマスク４００を下降させる方法で半導体チップを加圧することも可能である。
また、マスク４００の透過部４４０にはウエイト溝４４１が設けられてウエイト４４２が配置されると説明したが、ウエイト溝４４１とウエイト４４２を備えない構造のマスク４００を使用することも可能である。
また、マスク交換ユニット６００を備える構造のフリップチップレーザーボンディングシステムを例として前述したが、マスク交換ユニット６００を備えない構造のフリップチップレーザーボンディングシステムを構成することも可能である。この場合、マスク４００の汚染有無を検査せずに使用し続けることもでき、手作業でマスク４００を交換して使用するようにフリップチップレーザーボンディングシステムを構成することができる。
また、赤外線カメラ２４０、検査ランプ６１０、検査カメラ２３０などを備えない構造のフリップチップレーザーボンディングシステムを構成することも可能である。
２１ はんだバンプ、１１０ 供給ユニット、１２０ 固定ユニット、１３０ 排出ユニット、２００ レーザーユニット、２１０ レーザーヘッド、２２０ レーザー移送部、２３０ 検査カメラ、２４０ 赤外線カメラ、３００ マスク据置ユニット、３５０ 加圧ユニット、４００ マスク、４１０ マスク本体、４２０ 透過孔、４３０ 係止段部、４４０ 透過部、４４１ ウエイト溝、４４２ ウエイト、５００ 制御部、６００ マスク交換ユニット、６１０ 検査ランプ。

Claims (8)

  1. 基板の上面にボンディングするための複数の半導体チップが配置された状態の前記基板を供給する供給ユニットと、
    前記供給ユニットから前記基板の供給を受けて前記基板の下面を固定する固定ユニットと、
    前記固定ユニットに固定された基板にレーザービームを照射して前記半導体チップと基板とをボンディングするレーザーヘッド、及び前記レーザーヘッドを移送するレーザー移送部を備えるレーザーユニットと、
    前記レーザーユニットのレーザーヘッドから照射されるレーザービームを透過させる透過部を備えるマスクと、
    前記マスクを前記固定ユニットの上側に据え置くマスク据置ユニットと、
    前記固定ユニットから前記基板の送達を受けて排出する排出ユニットと、
    前記供給ユニット、前記固定ユニット、前記レーザーユニット及び前記排出ユニットの作動を制御する制御部と、を含んでなり、
    前記マスクを前記マスク据置ユニットに供給又は排出するマスク交換ユニットをさらに含む、
    フリップチップレーザーボンディングシステム。
  2. 前記固定ユニットに固定された前記基板の複数の半導体チップを前記マスクの透過部が加圧することができるように、前記マスク据置ユニットと前記固定ユニットのいずれか一方を他の一方に対して昇降させる加圧ユニットをさらに含む、請求項１に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  3. 前記マスクの下側から前記マスクに対して光を照射する検査ランプと、
    前記マスク又は基板を上側から撮影する検査カメラと、をさらに含み、
    前記制御部は、前記検査カメラが前記マスクを撮影した画像を用いて前記マスクの汚染有無を判断する、請求項１に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  4. 前記検査ランプは、マスク交換ユニットに設置され、
    前記検査カメラは、前記レーザーユニットに設置され、前記レーザー移送部によって移送される、請求項３に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  5. 前記レーザーユニットのレーザーヘッドによってレーザービームが照射される前記半導体チップを撮影する赤外線カメラをさらに含み、
    前記制御部は、前記赤外線カメラで測定された値を用いて前記レーザーヘッドの作動を制御する、請求項４に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  6. 前記マスクは、平板形状のマスク本体、及び前記マスク本体に形成された複数の透過孔をさらに含み、
    前記マスクの透過部は、複数設けられ、前記マスクの複数の透過孔にそれぞれ挿入される、請求項２に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  7. 前記マスクは、前記複数の透過孔にそれぞれ内方に突出する係止段部をさらに含み、
    前記複数の透過部は、前記マスクの複数の透過孔にそれぞれ挿入されて前記係止段部に掛けられる方式で据え置かれる、請求項６に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
  8. 前記マスクの複数の透過部の上面には、それぞれウエイト溝が凹設され、
    前記マスクは、前記基板に配置された複数の半導体チップをそれぞれ加圧する重さを増やすことができるように、前記透過部のウエイト溝に据え置かれるウエイトをさらに含む、請求項７に記載のフリップチップレーザーボンディングシステム。
JP2021538799A 2019-01-04 2019-06-05 フリップチップレーザーボンディングシステム Active JP7185052B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0001170 2019-01-04
KR1020190001170A KR102208065B1 (ko) 2019-01-04 2019-01-04 플립칩 레이저 본딩 시스템
PCT/KR2019/006786 WO2020141666A1 (ko) 2019-01-04 2019-06-05 플립칩 레이저 본딩 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022519993A JP2022519993A (ja) 2022-03-28
JP7185052B2 true JP7185052B2 (ja) 2022-12-06

Family

ID=71406897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021538799A Active JP7185052B2 (ja) 2019-01-04 2019-06-05 フリップチップレーザーボンディングシステム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210335749A1 (ja)
JP (1) JP7185052B2 (ja)
KR (1) KR102208065B1 (ja)
CN (1) CN113261088A (ja)
TW (1) TWI717750B (ja)
WO (1) WO2020141666A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11817357B2 (en) 2021-06-09 2023-11-14 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Region-of-interest positioning for laser-assisted bonding

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148403A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Seiko Epson Corp 半導体チップの実装方法および装置
JP2006253385A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Seiko Epson Corp ボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2007180457A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Industries Corp 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
JP2011159847A (ja) 2010-02-02 2011-08-18 Apic Yamada Corp 半導体装置の接合装置及び接合方法
JP2012089696A (ja) 2010-10-20 2012-05-10 Adwelds:Kk 接合装置
US20180366435A1 (en) 2017-06-20 2018-12-20 Protec Co., Ltd. Apparatus for laser bonding of flip chip and method for laser bonding of flip chip

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070028690A (ko) * 2005-08-30 2007-03-13 삼성전자주식회사 실리콘 결정화 장치 및 방법
JP2009253252A (ja) 2008-04-11 2009-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置
KR101297372B1 (ko) * 2012-02-13 2013-08-14 주식회사 프로텍 반도체 칩 부착 장치
KR102186203B1 (ko) * 2014-01-23 2020-12-04 삼성전자주식회사 패키지 온 패키지 장치 및 이의 제조 방법
KR101731700B1 (ko) * 2015-03-18 2017-04-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR101839361B1 (ko) * 2016-06-10 2018-03-19 크루셜머신즈 주식회사 레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조되는 기판구조체

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148403A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Seiko Epson Corp 半導体チップの実装方法および装置
JP2006253385A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Seiko Epson Corp ボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2007180457A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Industries Corp 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
JP2011159847A (ja) 2010-02-02 2011-08-18 Apic Yamada Corp 半導体装置の接合装置及び接合方法
JP2012089696A (ja) 2010-10-20 2012-05-10 Adwelds:Kk 接合装置
US20180366435A1 (en) 2017-06-20 2018-12-20 Protec Co., Ltd. Apparatus for laser bonding of flip chip and method for laser bonding of flip chip

Also Published As

Publication number Publication date
TWI717750B (zh) 2021-02-01
KR20200085077A (ko) 2020-07-14
US20210335749A1 (en) 2021-10-28
KR102208065B1 (ko) 2021-01-27
TW202026085A (zh) 2020-07-16
JP2022519993A (ja) 2022-03-28
CN113261088A (zh) 2021-08-13
WO2020141666A1 (ko) 2020-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7300788B2 (ja) レーザリフロー装置
US10497665B2 (en) Apparatus for laser bonding of flip chip and method for laser bonding of flip chip
JP2024028926A (ja) フリップチップレーザーボンディングシステム
KR102182781B1 (ko) 레이저 본딩 장치용 마스크 교체 유닛
US11508690B2 (en) Laser compression bonding device and method for semiconductor chip
TWI766642B (zh) 使用垂直腔表面發射雷射器元件的倒裝晶片接合裝置
TWI656935B (zh) 卷對卷雷射再流焊裝置及再流焊方法
JP7185052B2 (ja) フリップチップレーザーボンディングシステム
KR102228432B1 (ko) 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈
KR102330426B1 (ko) 플립칩 레이저 본딩 시스템
KR102565265B1 (ko) 마이크로 엘이디 제조시스템 및 마이크로 엘이디 제조방법
WO2023017620A1 (ja) フラックス転写装置、フラックス転写方法及び実装装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210701

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7185052

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150