KR20070028690A - 실리콘 결정화 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비정질 실리콘층이 형성된 기판이 안착된 스테이지와, 레이저 빔을 발생하는 광원과, 상기 비정질 실리콘층의 결정화 패턴을 위한 마스크와, 상기 광원으로부터의 레이저 빔이 상기 마스크를 경유하여 상기 기판상의 비정질 실리콘층에 조사되게 하는 광학부와, 상기 마스크의 파티클 검사를 위한 마스크 검사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치 및 방법을 제공한다.
마스크, 레이저 광원, 수광부, 제어부, 파티클

Description

실리콘 결정화 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING SILICON}
도 1은 마스크 상에 파티클이 존재하여 기판상에 미결정영역이 나타나는 것을 계략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장비를 나타내는 도면이다.
도 3은 마스크 상에 파티클이 없는 경우 마스크에서 반사되는 레이저 빔의 경로를 도시한 개념도 이다.
도 4는 마스크 상에 파티클이 있는 경우 마스크에서 반사되는 레이저 빔의 경로를 도시한 개념도 이다.
도 5는 수광부에서 파티클 검출시 광검출신호 변화를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 실리콘 결정화 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 도 2에 도시된 실리콘 결정화 장치를 이용한 2샷 순차적 결정화 공정 시 마스크의 이동 위치를 상세히 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 마스크를 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
M1 내지 M8: 제1 내지 제8 반사판 10: 마스크
13: 파티클 20: 마스크 검사부
21: 제2 레이저 광원 22: 수광부
23: 제어부 30: 제1 레이저 광원
40: 광학부 41: 감쇠부
42: 망원 렌즈 43: 균일화기
44: 콘덴서 렌즈 45: 필드 렌즈
46: 프로젝션 렌즈 50: 기판
60: 스테이지
본 발명은 실리콘 결정화 장치에 관한 것으로, 특히 마스크 상의 파티클을 검출하여 액정 패널 불량을 방지할 수 있는 실리콘 결정화 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘은 결정 상태에 따라 비정질 실리콘과 결정질 실리콘으로 분류된다. 비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착되어 박막으로 형성되므로 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정 표시 소자의 스위칭 소자에 이 용된다. 그러나, 비정질 실리콘은 낮은 전계 효과 이동도 등의 문제로 표시 소자의 대면적화에 적용하기 어려움이 있다. 따라서, 최근에는 높은 전계 효과 이동도와 고주파 동작 특성 및 낮은 누설 전류의 전기적 특성을 가진 다결정 실리콘이 요구되고 있다.
이러한 다결정 실리콘을 액정 표시 소자의 스위칭 소자인 박막 트랜지스터의 채널로 사용하기 위해서는 기판상에 형성된 비정질 상태의 실리콘을 결정화하여야 한다.
결정화 방법으로는 순차적 측면 결정화(Sequential Lateral Solidification: SLS)방법이 주로 이용된다. 이 SLS 방법은 실리콘 그레인(Grain)이 액상 실리콘과 고상 실리콘의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장하는 성질을 이용한 것이다. 즉, SLS 방법은 광원에서 발생한 레이저 빔을 광학부에 의해 가공하여 그 가공된 레이저 빔 마스크를 통과하고 프로젝션 렌즈에 의해 비정질 실리콘에 축소 조사되어 비정질 실리콘을 녹여서 결정화하는 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 마스크(1)는 투과영역(2)과 차단영역(3)이 교번적으로 이루어진 마스크 영역을 가진다. 마스크 영역 중 투과영역(2)에 파티클(4)이 안착되면 이 파티클(4)로 인해 레이저 빔이 투과되지 못하여 기판상에 비정질 실리콘을 결정화시키지 못해 미결정화 영역(8)이 발생하여 기판 불량이 발생한다.
특히, 박막 트랜지스터 형성될 영역에 이러한 미결정화 영역(8)이 발생하면 기판(6) 전체에 불량이 발생하게 되므로 기판을 폐기해야 하는 문제가 발생한다.
파티클(4)은 주로 실리콘 결정화 장비의 마스크 교체시 장비 커버를 열거나 수작업으로 마스크를 옮기는 과정 및 공정 중에도 마스크(1) 상에 안착되어 기판에 불량을 발생시키는 원인이 된다.
종래에는 파티클(4)을 검출하기 위해, 기판의 실리콘 결정화 공정이 끝난 후 기판을 검사하여 불량을 검출하였다. 다량의 기판이 생성된 후 샘플링 검사를 통해 검출하는 방법은 샘플링 검사에서 기판의 미결정화 불량이 검출되면 동일 공정에서 생산된 모든 기판에서 동일한 불량이 발생하므로 금전적 손실이 매우 크다.
또한, 검사 방법으로 많은 시간과 인력이 투입되므로 생산성이 저하되는 문제점이 있다. 특히, 육안으로 검사할 경우 작업자의 부주의에 의해 이러한 문제가 극대화된다.
상기의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 실리콘 결정화 공정이 진행되기 이전에 마스크를 검사할 수 있고, 실리콘 결정화 공정의 진행중에도 마스크 검사를 할 수 있는 실리콘 결정화 장비 및 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 비정질 실리콘층이 형성된 기판이 안착된 스테이지와; 레이저 빔을 발생하는 광원과; 상기 비정질 실리콘층의 결정화 패턴을 위한 마스크와; 상기 광원으로부터의 레이저 빔이 상기 마스크를 경유하여 상기 기판상의 비정질 실리콘층에 조사되게 하는 광학부와; 상기 마스크의 파 티클 검사를 위한 마스크 검사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치를 제공한다.
상기 마스크 검사부는 마스크 표면에 레이저 빔을 조사하는 제2 레이저 광원과; 상기 레이저 빔이 상기 마스크 표면에서 반사되어 입사되는 광량을 검출하는 수광부와; 상기 수광부로부터의 광검출신호에 따라 파티클 유무를 판단하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 레이저 광원은 고체 레이저 또는 반도체 레이저 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 수광부는 CCD 인 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는 상기 수광부에서 출력된 광검출신호가 기준값 이하일 때 파티클이 있다고 판단하고 가동 중지 신호를 출력시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 마스크를 자동으로 정렬시키는 마스크 자동 로딩기를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 마스크 검사부는 상기 마스크 자동 로딩기에 부착된 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 스테이지에 비정질 실리콘층이 형성된 기판을 안착하는 단계와; 마스크를 정렬하는 단계와; 마스크 검사부에서 상기 마스크 표면의 파티클을 검사하는 단계와; 상기 마스크 표면에 파티클이 없을 경우 레이저 빔을 상기 비정질 실리콘층에 조사하여 결정화시키는 공정을 진행하는 단계와; 상기 마스크 표면에 파티클이 있을 경우 마스크를 교체하거나 마스크 상의 파티클을 제거하여 재검사하는 단계를 포함하는 실리콘 결정화 방법을 제공한다.
마스크의 파티클을 검사하는 단계는 제2 레이저 광원에서 레이저 빔을 상기 마스크 표면에 조사하는 단계와; 상기 마스크에서 반사되는 레이저 빔을 수광부에서 수광하여 레이저 빔의 강도에 대응하는 광검출신호를 생성하는 단계와; 상기 생성된 광검출신호를 제어부에서 기준값과 비교하여 파티클 유무를 판단하는 단계를 더 포함한다.
상기 기판이 스테이지에 안착될 때마다 상기 마스크의 파티클을 검사하는 과정을 반복하는 단계를 더 포함한다.
상기의 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술할 설명을 통해 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 2 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치는 비정질 실리콘층이 형성된 기판의 실리콘을 결정화시키는 레이저 빔을 조사하는 제1 레이저 광원(30)과, 다수의 광학 소자들을 포함하여 제1 레이저 광원(30)으로부터 레이저 빔이 마스크(10)를 경유하여 스테이지(60)에 안착된 기판(50)상에 조사되도록 제어하는 광학부(40)와 마스크(10) 상의 파티클을 검출하는 마스크 검사부(20)를 구비한다.
제1 레이저 광원(102)은 동일한 에너지의 레이저빔, 예를 들어 엑시머 레이 저빔을 생성한다.
광학부(40)는 감쇠기(41), 망원 렌즈(42), 균일화기(43), 콘덴서 렌즈(44), 필드 렌즈(45) 및 프로젝션 렌즈(46)와 광경로를 바꿔주는 다수의 반사판(M1 내지 M8)을 구비한다.
구체적으로, 감쇠기(41)는 제1 및 제2 반사판(M1, M2)을 통해 제1 레이저 광원(30)으로부터 입사되는 레이저빔을 감쇠시켜 레이저 빔의 에너지 크기를 조절한다.
망원렌즈(42)는 감쇠기(41)에 의해 감쇄된 레이저 빔의 길이가 길어져 퍼지는 현상을 방지한다.
균일화기(43)는 망원렌즈(42)로부터 제3 반사판(M3)을 경유하여 입사된 레이저 빔의 에너지를 균일하게 한다,
콘덴서 렌즈(44)는 균일화기(43)로부터 입사된 직진성을 가지는 레이저 빔을 포커싱하여 레이저 빔의 에너지 밀도를 높인다.
필드 렌즈(45)는 콘덴서 렌즈(44)로부터 제4 내지 제6 반사판(M4 내지 M6)을 통해 입사된 레이저 빔을 마스크(10) 쪽으로 집속시킨다.
프로젝션 렌즈(46)는 제7 및 제8 반사판(M7, M8)을 통해 마스크(10)로부터 입사되는 레이저 빔의 면적을 일정한 비율로 축소하여 원하는 크기의 에너지 레이저 빔을 형성하여 기판(50) 상의 액티브층에 투사되게 한다.
마스크(10)는 입사되는 레이저빔이 투과되는 투과영역(11)과 레이저빔이 차단되는 차단영역(12)을 구비한다. 이러한 마스크(10)의 투과영역(11)과 차단영역 (12)의 배치 및 모양에 따라 집속된 레이저 빔이 패턴화된다.
마스크 검사부(20)는 마스크(10) 상에 레이저 빔의 경로를 방해하지 않도록 위치하는 제2 레이저 광원(21), 수광부(22) 및 제어부(23)를 구비한다.
구체적으로, 제2 레이저 광원(21)은 고출력 레이저 빔을 출력하는 광원으로 고체 레이저, 반도체 레이저 또는 기체 레이저 중 어느 한 가지를 사용한다. 고체 레이저는 Nd-YAG 레이저 및 루비 레이저 등을 사용하고, 반도체 레이저는 GaAs, InP, GaAs-P, InAs 등의 물질을 사용한 레이저 다이오드 등을 사용한다. 기체 레이저는 He-Ne 레이저, Ar 레이저 및 N2 레이저 등을 사용한다. 이러한 제2 레이저 광원(21)은 연속적인 레이저 빔을 생성하는 레이저인 것이 바람직하다.
제2 레이저 광원(21)은 마스크(10) 상에 파티클(13)의 유무를 검출하기 위해 마스크(10)의 일면 또는 양면에 레이저 빔을 조사한다.
마스크(10)에서 반사된 레이저 빔은 수광부(22)에 입사된다. 수광부(22)는 마스크(10)에서 반사되어 입사된 레이저 빔의 광량에 따른 광검출신호를 생성한다. 이러한 수광부(22)는 레이저 빔이 조사되면 광량에 따라 전류를 발생시키는 반도체 소자 예를 들면, CCD(Charge Coupled Device) 등을 사용할 수 있다.
제어부(23)는 수광부(22)에서 입사 광량에 따라 발생된 광검출신호의 크기에 따라 마스크(10) 상의 파티클의 유무를 판단하고, 파티클(13)이 있을 경우 파티클 검출 신호를 출력하여 사용자에게 알려주게 된다. 이때, 실리콘 결정화 장비를 모니터링하는 표시부에 파티클 검출 신호에 따른 공정 중지 신호를 전송하여 사용자 에게 알릴 수 있다.
또한, 마스크 검사부(20)는 마스크(10)의 배면으로 레이저 빔을 조사하는 제3 레이저 광원과 제3 레이저 광원에서 조사된 레이저 빔이 마스크(10)의 배면에서 반사되어 입사된 광량을 검출하여 제어부(23)로 광검출 신호를 출력하는 제2 수광부를 더 구비할 수 있다. 이러한 제3 레이저 광원 및 제2 수광부에 의해 마스크 배면의 파티클 유무를 감지할 수 있게 된다.
또한, 마스크(10)를 회전하여 마스크 검사부(20)를 통해 마스크 배면을 검사할 수도 있다.
도 3은 마스크 상에 파티클이 없는 경우 마스크에서 반사되는 레이저 빔의 경로를 도시한 개념도 이고, 도 4는 마스크 상에 파티클이 있는 경우의 개념도 이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 파티클(13)이 존재하지 않는 영역에서의 레이저 빔은 입사각(θ)과 대칭으로 반사되는 반사각(θ)을 갖고 수광부(22)로 입사된다. 그리고, 입사된 레이저 빔은 그 강도에 따라 광검출신호로 변환되어 제어부(23)로 출력되며, 제어부(23)에서는 입력된 광검출신호와 기준값(IRE)을 비교하여 입력된 광검출신호가 기준값(IRE)보다 클 때 파티클(13)이 존재하지 않는다고 판단한다.
그러나 도 4에 도시한 바와 같이, 마스크(10) 상의 차단영역과 투과영역의 사이에 비교적 큰 크기의(예를 들면 지름이 20㎛ 이상) 파티클(13)이 존재하면 파티클(13)에 입사된 레이저 빔은 파티클(13)의 불균일한 표면에 의해 난반사를 일으 키게 된다. 이에 따라, 난반사된 레이저 빔은 일정한 반사각이 없으므로 수광부(22)에 입사되는 레이저 빔의 양도 줄어들게 된다. 이에 따라 수광부(23)에서 입사광의 강도에 따라 변환되는 광검출신호도 줄어들게 되고 검출된 광검출신호의 제어부(23)로 출력된다.
제어부(23)는 수광부(22)로부터의 광검출신호가 기준값(IRE) 보다 작으면 파티클이 검출된 것으로 판단하고 사용자에게 알리게 된다.
도 5를 참조하면, 수광부(22)에서 레이저 빔의 강도를 전류(I)로 변환하여 제어부(23)로 출력하면 제어부(23)에서는 입력된 전류의 레벨이 기준값(IRE) 이하를 나타내는 시간(t1)에서 사용자에게 파티클(13)의 존재를 알리게 된다. 즉, 마스크(10) 상의 차단영역과 투과영역 사이에 안착되며 지름이 20㎛ 이상의 파티클(13)이 있는 경우는 파티클(13)이 없는 경우에 비해 수광부(22)로 입사되는 레이저 빔의 강도가 더 작으므로 수광부(22)로부터 출력되는 전류의 값이 입사되는 광량에 따라 비례하므로, 마스크(10)의 소정 영역에 대해 출력되는 광검출신호가 다른 영역에 비해 적다면 해당 영역에 파티클(13)이 존재한다고 판단할 수 있다.
파티클이 발견되면 마스크를 리페어 하거나 교체하여 기판에 실리콘 미결정화 불량이 발생하지 않도록 한다.
한편, 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장비는 마스크를 자동으로 정렬시키는 마스크 자동 로딩기를 더 구비한다. 수동으로 마스크를 정렬하면 정렬시간 길어 생산성이 저하되므로 자동화기기를 구비하여 생산성을 향상시킨다. 또한, 작업자 가 수동으로 마스크를 정렬할 경우 마스크 정렬 과정에서 파티클이 마스크에 안착될 수 있으므로 자동 로딩기를 구비하여 이러한 문제점을 방지하는 것이 바람직하다.
또한, 마스크 자동 로딩기에 전술한 마스크 검사부(20)를 구비하여 실리콘 결정화 장비의 외부에서도 마스크의 검사를 할 수 있다.
다음은 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 실리콘 결정화 방법을 자세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 실리콘 결정화 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 먼저, 스테이지에 기판이 안착된다(S10).
그런 다음, 도 7에 도시한 바와 같이 제1 차 샷 위치에 마스크(10)가 정렬된다(S20). 마스크(10)는 제1 투과영역(11a)과 제1 차단영역(12b)이 교번적으로 이루어진 제1 마스크 영역(M1)과, 제2 투과영역(11b)과 제2 차단영역(12b)이 교번적으로 이루어진 제2 마스크 영역(M2)을 가진다. 이때, 제1 및 제2 투과영역(11a, 11b)은 제1 및 제2 차단영역(12a, 12b)보다 폭이 넓게 형성되며, 제1 투과영역(11a)은 제2 차단영역(12b)과 인접되게 형성되며, 제1 차단영역(11b)은 제2 투과영역(11b)과 인접되게 형성된다.
다음으로, 정렬된 마스크(10)는 마스크 검사부(20)를 이용하여 파티클 검사를 한다. 마스크 검사부(20)는 제2 레이저 광원(21)으로부터 방출된 레이저 빔이 마스크(10)에서 반사되어 수광부(22)로 입사되는 광량에 따른 광검출신호를 출력한다. 그리고 제어부(23)는 수광부(22)로부터의 광검출신호의 크기에 따라 파티클 유무를 판단하게 된다(S30).
여기서, 제어부(23)는 광검출신호가 기준값(IRE) 보다 작으면 파티클이 없는 것으로 판단하고(S40), 기준값(IRE) 보다 크면 파티클이 있는 것으로 판단한다(S50).
마스크에 파티클이 없을 경우, 제1 레이저 광원에서 출력된 레이저 빔은 다수의 광학부에서 가공되고 마스크를 통과하면서 패터닝 되어 기판의 실리콘층을 결정화 시킨다(S50).
구체적으로 도 7 내지 도 8을 참조하면, 마스크(10)의 제1 및 제2 투과영역(11a, 11b)과 대응되는 비정질 실리콘층에는 도 9에 도시된 바와 같이 액상 영역(16)이 형성된다. 이때, 레이저 빔이 조사된 액상 영역(16)과 레이저 빔이 조사되지 않은 고상 영역(17)의 경계면(15)에서 그 경계면(15)에 대하여 수직 방향(A)으로 그레인이 성장한다. 그레인들은 액상 영역(16)의 중앙(14)에서 서로 만나게 되면 성장을 멈추게 된다.
이어서, 마스크(10)는 도 8에 도시된 바와 같이 X축 방향으로 이동되어 제2 차 샷 위치에 정렬된다. 이때, X축 방향으로 이동된 마스크(10)에 의해 제1 차 샷의 제2 마스크 영역(M2)과 제2차 샷의 제1 마스크 영역(M1)이 중첩된다. 그런 다음, 마스크(10)를 이용하여 기판(50) 상에 형성된 비정질 실리콘층에 레이저 빔이 조사된다. 그러면, 제1 차 샷 영역과 제2 차 샷 영역의 중첩 영역의 비정질 실리콘층은 모두 결정화된다.
이와 같은 과정을 반복해서 진행하여 레이저 빔과 마스크(10)를 X축 방향으로 수평 이동함으로써 1차 스캐닝이 완료된다. 그런 다음, 1차 스캐닝의 마지막 지점에서 Y축 방향으로 레이저빔과 마스크(10)를 이동시킨 후 X축 방향과 반대 방향으로 2차 스캐닝을 다시 진행한다.
이러한 과정을 통해 기판에 실리콘층이 모두 결정화되면 다음 기판이 스테이지에 이송된다. 이때, 다음 기판의 실리콘층을 결정화하기 전에 전술한 마스크를 다시 검사하여 공정중에 발생할 수 있는 마스크 불량을 사전에 인식하여 기판의 결정화 불량을 방지한다.
마스크(10) 상의 파티클(13)이 검출된 경우에는 즉, 제2 레이저 광원(21)으로부터 조사된 레이저 빔이 마스크 상의 파티클(13)에 반사되면 난반사에 의해 낮은 강도의 레이저 빔이 수광부(22)에 입사되고 수광부(22)로부터 출력되는 광검출신호가 기준 광검출신호보다 작을 때, 제어부(23)에서는 파티클(13)의 검출을 알리고(S70), 마스크(10)를 리페어 또는 교체하도록 하는 신호를 발생한다(S80).
리페어 되거나 교체된 마스크는 다시 정렬되고 전술한 마스크 검사를 하여 파티클이 없을 경우 실리콘 결정화 공정을 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장비는 마스크 검사부를 구비하여 마스크 검사를 공정 내에서 진행함으로 마스크 불량 여부를 결정화 공정 이전에 할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 액정 표시 장치의 양산시 마스크 불량을 조기에 검출함으로써, 마스크 불량으로 인한 액정 패널의 불량을 방지하여 수율 증대와 원가 감소의 효과가 있다.
이상에서 상술한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다 할 것이다. 따라서 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정하지 않고 청구범위에 의해 그 권리가 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 비정질 실리콘층이 형성된 기판이 안착된 스테이지와;
    레이저 빔을 발생하는 광원과;
    상기 비정질 실리콘층의 결정화 패턴을 위한 마스크와;
    상기 광원으로부터의 레이저 빔이 상기 마스크를 경유하여 상기 기판상의 비정질 실리콘층에 조사되게 하는 광학부와;
    상기 마스크의 파티클 검사를 위한 마스크 검사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 검사부는
    상기 마스크 표면에 레이저 빔을 조사하는 제2 레이저 광원과;
    상기 레이저 빔이 상기 마스크 표면에서 반사되어 입사되는 광량을 검출하는 수광부와;
    상기 수광부로부터의 광검출신호에 따라 파티클 유무를 판단하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 레이저 광원은 고체 레이저, 반도체 레이저 또는 기체 레이저 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 수광부는 CCD 인 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 수광부에서 출력된 광검출신호가 기준값 이하일 때 파티클이 있다고 판단하고 가동 중지 신호를 출력시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장비.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크를 자동으로 정렬시키는 마스크 자동 로딩기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장비.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 마스크 검사부는
    상기 마스크 자동 로딩기에 부착된 것을 특징으로 하는 실리콘 결정화 장비.
  8. 스테이지에 비정질 실리콘층이 형성된 기판을 안착하는 단계와;
    마스크를 정렬하는 단계와;
    마스크 검사부에서 상기 마스크 표면의 파티클을 검사하는 단계와;
    상기 마스크 표면에 파티클이 없을 경우 레이저 빔을 상기 비정질 실리콘층에 조사하여 결정화시키는 공정을 진행하는 단계와;
    상기 마스크 표면에 파티클이 있을 경우 마스크를 교체하거나 마스크 상의 파티클을 제거하여 재검사하는 단계를 포함하는 실리콘 결정화 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    마스크의 파티클을 검사하는 단계는
    제2 레이저 광원에서 레이저 빔을 상기 마스크 표면에 조사하는 단계와;
    상기 마스크에서 반사되는 레이저 빔을 수광부에서 수광하여 레이저 빔의 강도에 대응하는 광검출신호를 생성하는 단계와;
    상기 생성된 광검출신호를 제어부에서 기준값과 비교하여 파티클 유무를 판단하는 단계를 더 포함하는 실리콘 결정화 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판이 스테이지에 안착될 때마다 상기 마스크의 파티클을 검사하는 과정을 반복하는 단계를 더 포함하는 실리콘 결정화 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200085077A (ko) * 2019-01-04 2020-07-14 주식회사 프로텍 플립칩 레이저 본딩 시스템
KR20200085078A (ko) * 2019-01-04 2020-07-14 주식회사 프로텍 레이저 본딩 장치용 마스크 교체 유닛

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